KR101389933B1 - 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법 및 이에 따라 제조된 산화아연 나노선 - Google Patents

정렬된 산화아연 나노선의 제조방법 및 이에 따라 제조된 산화아연 나노선 Download PDF

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Abstract

본 발명은 산화아연 나노선이 성장하는 성장점의 위치를 제어하여 정렬된 산화아연 나노선을 제조하는 방법에 관한 것으로, 기판 위에 산화아연 시드층을 형성하는 1단계; 상기 산화아연 시드층의 위에 나노구 단일층을 형성하는 2단계; 상기 나노구 단일층을 건식식각하여 나노구의 크기를 줄이는 3단계; 상기 3단계에 의해서 크기가 줄어든 잔류 나노구의 사이로 노출된 상기 시드층에 방어층을 증착하는 4단계; 상기 크기가 줄어든 잔류 나노구를 제거하는 5단계; 및 상기 잔류 나노구가 제거된 위치에 노출된 산화아연 시드에 산화아연 나노선을 성장시키는 6단계를 포함한다.
본 발명은, 단일층을 형성하는 나노구의 크기를 조절하여 산화아연 나노선이 성장하는 시드의 간격을 조절함으로써, 산화아연 나노선의 간격을 조절할 수 있는 효과가 있으며, 나노구를 식각하는 양을 조절하여 나노선이 성장하는 시드의 크기를 조절함으로써, 산화아연 나노선의 굵기를 조절할 수 있는 효과가 있다.

Description

정렬된 산화아연 나노선의 제조방법 및 이에 따라 제조된 산화아연 나노선{MANUFACTURING METHOD OF ALIGNED ZnO NANOWIRE AND ZnO NANOWIRE BY THESAME}
본 발명은 산화아연 나노선을 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 산화아연 나노선이 성장하는 성장점의 위치를 제어하여 정렬된 산화아연 나노선을 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 나노 크기의 물질과 재료들은 새로운 물리화학적 성질, 즉 독특한 전기적, 화학적, 전자적, 기계적인 특성을 가짐에 따라 과학 기술계에서 활발히 연구되고 있다. 특히 1차원 구조의 나노 구조체는 표면/질량의 비가 월등히 크기 때문에 2차원 구조의 나노박막과도 구별되는 다양한 물리적 화학적 특징을 나타내며, 나노전자소자와 반도체 발광소자를 포함한 광소자뿐만 아니라, 환경관련 소재에 응용될 수 있다.
한편, 산화아연은 광역 밴드갭(wide bandgap)의 다이렉트 밴드갭(direct bandgap) 물질로서 자외선 센서로도 유망한 재료이며, 압전 성질에 의해 소(SAW) 소자, 나노 발전기 등으로도 연구되고, 태양전지의 재료로도 활발히 연구되고 있다.
나아가 산화아연은 일차원 형상의 나노선 또는 나노막대로 쉽게 제조될 수 있으며, 잘 정렬된 산화아연 나노선 또는 나노막대는 우수한 전계 방출 특성을 나타내기 때문에 산화아연 나노선을 이용하여 태양 전지, 화학 센서, 필드 이미션 전자 방출원, 나노 발전기 등에 적용하기 위한 연구가 진행되고 있다.
산화아연 나노선을 합성하는 방법으로 대표적인 방법은 열수합성법이다. 열수합성법은 고온을 필요로 하지 않기 때문에 다양한 기판에 성장시킬 수 있는 장점이 있으나, 나노선의 성장밀도를 조절할 수 없고 나노선의 성장위치를 특정할 수 없는 단점이 있다. 그러나 산화아연 나노선을 정밀 디바이스의 전극 등에 적용하기 위해서는 원하는 위치에 산화아연 나노선을 성장시켜야 하기 때문에 산화아연 나노선이 성장하는 위치를 패터닝하는 것이 필요하다.
이를 위하여 열수합성법 대신에 CVD를 이용하되 ITO기판을 매크로 홀이 형성된 금속박으로 감싼 상태에서 수행하는 기술(대한민국 등록특허 10-0836890)이 개발되었으나, 정밀한 패터닝을 형성하는 방법은 아니었다. 그리고 나노임프린트를 이용하여 패터닝된 포토레지스트 층을 형성한 뒤에 산화아연 시드층을 형성하고 포토레지스트 층을 제거하여 패터닝된 시드층을 남긴 상태에서 산화아연 나노선을 성장시키는 기술(대한민국 등록특허 10-0849685)이 개발되었으나, 임프린트 공정은 반도체 공정과의 연계가 어렵고 나노 단위 정밀한 작업에서 효과가 뛰어나지 못한 단점이 있다.
이에 본 발명의 발명자들은 산화아연 시드층을 먼저 증착한 상태에서 포토리소그래피 공정으로 시드층에 패턴을 형성한 뒤에 습식식각 공정으로 패터닝된 시드층만을 남기는 기술(대한민국 등록특허 10-1090398)을 개발하여 등록받은 바 있으나, 포토리소그래피의 경우에 해상도의 한계로 인하여 나노미터 폭의 패턴을 형성하기 어려운 단점이 있었다. 한편, 포토리소그래피를 대신하여 해상도가 높은 전자빔(e-beam)을 이용한 리소그래피를 적용하는 기술이 개발되었으나, 반도체 공정에 적용하기 어렵고 현상 속도가 너무 느려 실험용으로만 적용이 가능한 문제가 있다.
따라서 산화아연 시드층을 나노미터 단위의 미세한 패턴으로 형성할 수 있으면서, 패터닝의 속도도 빠른 방법의 개발에 대한 요청이 계속되고 있다.
대한민국 등록특허 10-0836890 대한민국 등록특허 10-0849685 대한민국 등록특허 10-1090398
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서 산화아연 나노선이 성장하는 성장점의 위치를 제어하여 정렬된 산화아연 나노선을 성장시키는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법은, 기판 위에 산화아연 시드층을 형성하는 1단계; 상기 산화아연 시드층의 위에 나노구 단일층을 형성하는 2단계; 상기 나노구 단일층을 건식식각하여 나노구의 크기를 줄이는 3단계; 상기 3단계에 의해서 크기가 줄어든 잔류 나노구의 사이로 노출된 상기 시드층에 방어층을 증착하는 4단계; 상기 크기가 줄어든 잔류 나노구를 제거하는 5단계; 및 상기 잔류 나노구가 제거된 위치에 노출된 산화아연 시드에 산화아연 나노선을 성장시키는 6단계를 포함한다.
이때, 나노구는 자기조립 형태로 단일층을 형성하는, 폴리스티렌이나 PMMA와 같은 고분자 재질의 콜로이드 입자 또는 실리카 입자인 것이 바람직하다.
본 발명은 자기조립 특성의 나노구를 이용하여 단일층을 형성한 뒤에, 나노구를 균일 식각하고, 크기가 줄어든 나노구의 사이로 노출된 시드층에 방어층을 형성함으로써, 일정하게 정렬된 상태로 산화아연 나노선을 성장시킬 수 있다.
이러한 나노구를 단일층으로 형성하는 방법은 양친매성 분자를 수면 상에 전개했을 때에 1층 두께의 단분자막이 생성되는 점에서 개발된, 랭뮤어-블로드젯 법(Langmuir-Blodgett method)을 이용하는 것이 좋으며, 이를 위하여 증류수와 에탄올을 혼합한 용액에 상기 나노구를 첨가하고 초음파를 인가하여 제조된 분산액을 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명은 2단계에서 단일층을 형성하는 나노구의 크기를 조절하여 산화아연 나노선이 성장하는 위치를 조절하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 3단계에서 나노구를 식각하는 양을 조절하여, 6단계에서 노출되는 산화아연 시드의 크기를 조절하는 것을 특징으로 한다.
3단계의 건식식각 공정이 RIE법으로 수행되는 것이 좋으며, O2 플라즈마를 이용하여 수행되는 것이 바람직하다.
4단계는 Cr 박막을 스퍼터링으로 증착하여 수행되는 것이 바람직하다.
본 발명의 기판은 실리콘, 유리, 플라스틱 및 ITO 중에서 선택된 하나의 재질일 수 있으며, 1단계에서는 RF 마그네트론 스퍼터링에 의해서 산화아연 시드층을 300Å~1㎛의 두께로 증착하는 것이 바람직하다.
1단계에서 산화아연 시드층이 형성된 기판을 핫플레이트 위에서 가열하여 산화하연 시드층에 대하여 풀림작업을 수행할 수 있다.
5단계는 아세톤과 같은 제거액을 이용하여 폴리스티렌 나노구를 제거하는 것이 좋으며, 제거액에 기판을 침지한 상태에서 초음파를 인가하여 제거하는 것이 바람직하다.
그리고 제거액에 침지하여 잔류 나노구를 제거한 뒤에 기판을 세척하고 건조하는 것이 좋으며, 세척 공정이 에탄올, 이소프로필 알코올 및 초순수의 순서로 진행되는 것이 바람직하다.
6단계에서 산화아연 나노선을 성장시키는 과정이 노출된 산화아연 시드에서 질산아연-6수화물(zinc nitrate hexahydrate)과 헥사메틸렌 테트라민(Hexamethylene tetramine)의 혼합수용액을 반응시키는 것이 좋으며, 이를 위하여 혼합용액의 표면에서 노출된 산화아연 시드가 접하도록 기판을 뒤집어서 혼합용액의 표면에 위치시킨 상태에서 반응시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 형태에 의한 산화아연 나노선은 상기한 방법 중에 하나의 방법으로 정렬되어 제조된 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명은, 자기 조립되는 나노구를 단일층으로 형성한 뒤에 균일 식각하고 크기가 줄어든 나노구의 사이로 노출된 시드층에 방어층을 형성함으로써, 일정하게 정렬된 상태로 산화아연 나노선을 성장시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은, 단일층을 형성하는 나노구의 크기를 조절하여 산화아연 나노선이 성장하는 시드의 간격을 조절함으로써, 산화아연 나노선의 간격을 조절할 수 있는 효과가 있다.
나아가, 본 발명은, 나노구를 식각하는 양을 조절하여 나노선이 성장하는 시드의 크기를 조절함으로써, 산화아연 나노선의 굵기를 조절할 수 있는 효과가 있다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 정렬된 산화아연 나노선의 제조 과정을 나타내는 모식도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라서 산화아연 나노선을 성장시킨 표면을 촬영한 전자주사현미경 사진이다.
도 8과 도 9는 산화아연 시드가 노출된 넓이에 따른 산화아연 나노선을 촬영한 전자주사현미경 사진이다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 정렬된 산화아연 나노선의 제조 과정을 나타내는 모식도이다.
도 1에 도시된 것과 같이, 본 실시예는 먼저 기판(100)의 표면에 산화아연 시드층(200)을 형성한다.(1단계)
본 발명은 최종적으로 산화아연 나노선을 성장시키는 단계에서 저온의 열수합성법을 적용할 수 있기 때문에, 기판(100)은 실리콘 웨이퍼, 유리, 플라스틱 및 ITO 등의 모든 재질을 적용할 수 있다. 본 실시예에서는 실리콘 웨이퍼 기판을 이용하였으며, 산화아연 시드층(200)의 형성에 앞서 아세톤과 에탄올로 세척하였다.
산화아연 시드층(200)은 최종적으로 산화아연 나노선을 성장시키는 시드가 되는 부분이다. 본 실시예에서는 RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 산화아연 시드층(200)을 형성하였으며, 10mTorr의 압력 하에서 아르곤을 20sccm으로 흘려주는 분위기에서 80W의 RF파워로 플라즈마를 발생시켜 10분 동안 약 500Å 두께의 산화아연 시드층(200)을 형성하였다.
RF 마그네트론 스퍼터링으로 산화아연 시드층(200)이 형성된 기판을 500도씨의 핫플레이트 위에서 풀림작업을 하였다. 풀림작업은 산화아연 시드층(200)의 결을 향상시키기 위한 것이며, 산화아연 박막의 결을 향상시킴으로써 성장되는 나노선이 더 가늘어 지고, 나노선의 성장방향이 더 수직에 가까워지는 효과가 있다.
도 2에 도시된 것과 같이 본 실시예는 산화아연 시드층(200)의 위에 나노구(300)의 단일층을 형성한다.(2단계)
자기조립 특성을 가지는 나노구를 이용하면, 자기조립 단분자층과 유사한 나노구 단일층을 형성할 수 있다. 자기조립 특성을 가지는 나노구는 대표적으로, 폴리스티렌, PMMA와 같은 고분자 재질의 콜로이드 입자 또는 실리카 입자가 있으며, 본 실시예에서는 폴리스티렌을 사용하였다.
특히, 본 실시예에서는 랭뮤어-블로드젯 법(Langmuir-Blodgett method)으로 폴리스티렌 나노구(300)의 단일층을 형성하기 위하여, 먼저 5wt%의 폴리스티렌 나노구가 분산된 초순수(DI-water)에 에탄올을 혼합하고, 초음파 세척기에서 30분 동안 초음파를 가하여 분산시킴으로써 나노구 분산액을 제조하였다.
제조된 나노구 분산액을 산화아연 시드층(200)의 표면에 랭뮤어-블로드젯 법을 적용하여 폴리스티렌 나노구(300)의 단일층을 형성하였다. 랭뮤어-블로드젯 법을 적용하여 형성된 나노구(300) 단일층은 가장 조밀한 구조를 이루기 위해 2차원의 육박 밀집 구조를 나타내는 것이 일반적이며, 이로부터 폴리스티렌 나노구(300)의 배열관계를 예측할 수 있다. 또한 폴리스티렌 나노구(300)의 크기를 변경하면 기판위에 형성된 폴리스티렌 나노구(300)의 간격을 조절할 수 있다.
도 3에 도시된 것과 같이, 폴리스티렌 나노구(350) 단일층을 건식식각하여 폴리스티렌 나노구(350)의 크기를 줄인다.(3단계)
건식식각은 방향성이 없이 전 방향에서 균일한 식각이 진행되며, 이를 통해 산화아연 시드층(200)의 위에 위치하는 폴리스티렌 나노구는 크기가 점점 작아진다. 도면에서는 도 2에서 최초로 형성된 폴리스티렌 나노구를 300으로 표시하고, 도 3 이후에 건식식각에 의해 크기가 줄어든 폴리스티렌 나노구를 350으로 표시하였다.
본 실시예에서는 RIE(reactive ion etching) 장비를 이용하였으며, 진공상태에서 O2 가스를 흘려준 상태에서 RF파워를 인가하여 발생한 O2플라즈마를 이용하여 폴리스티렌 나노구(350)를 전 방향에서 균일하게 23분 동안 식각하였다.
도시된 것과 같이, 건식식각에 의해서 폴리스티렌 나노구(350)가 나노 단위의 직경으로 크기가 줄어들면서, 폴리스티렌 나노구(350)의 사이로 산화아연 시드층(200)이 많이 노출된다.
도 4에 도시된 것과 같이, 건식식각에 의해서 크기가 줄어든 폴리스티렌 나노구(350)의 사이로 노출된 산화아연 시드층(200)에 산화아연 나노선이 성장하는 것을 방지하는 방어층(400)을 형성한다.(4단계)
이러한 방어층(400)은 폴리스티렌 나노구(350)에는 형성되지 않고, 산화아연 시드층(200)에만 증착되도록 하며, 본 실시예에서는 Cr 방어층(400)을 스퍼터링으로 증착하였다.
스퍼터링으로 증착된 Cr 방어층(400)은 폴리스티렌 나노구(350)에는 증착되지 않고, 폴리스티렌 나노구(350)의 사이에 노출된 산화아연 시드층(200)에만 증착된다.
도 5에 도시된 것과 같이, 크기가 줄어든 폴리스티렌 나노구(350)를 제거하여, Cr 방어층(400)에 산화아연 시드(210)를 외부로 노출시킨다.(5단계)
본 실시예에서는 아세톤을 제거액으로 이용하여 폴리스티렌 나노구(350)를 습식식각의 방법으로 제거하였으며, 아세톤에 기판을 침지한 상태에서 초음파를 가하여 폴리스티렌 나노구(350)를 완전히 제거하였다.
폴리스티렌 나노구(350)를 제거한 다음에, 기판을 에탄올, 이소프로필 알코올 및 초순수의 순서로 세척하고 100도씨의 오븐에서 건조하였다.
마지막으로 도 6에 도시된 것과 같이, 폴리스티렌 나노구(350)가 제거된 자리에서 외부로 노출된 산화아연 시드(210)에 산화아연 나노선(500)을 성장시킨다.
본 실시예에서는 산화아연 시드(210)에서 질산아연-6수화물(zinc nitrate hexahydrate)과 헥사메틸렌 테트라민(Hexamethylene tetramine)의 혼합수용액이 반응시키는 열수합성법을 이용하였다.
구체적으로, 질산아연-6수화물과 헥사메틸렌 테트라민의 혼합수용액의 표면에 산화아연 시드(210)가 노출된 면이 접촉하도록, 기판을 뒤집어서 혼합수용액의 표면에 띄워 놓은 상태에서 혼합수용액의 온도를 90도씨로 유지하면서 6시간동안 반응을 시켰다.
본 실시예에서 성장된 산화아연 나노선(500)의 굵기는 노출된 산화아연 시드(210)의 크기에 영향을 받으며, 노출된 산화아연 시드(210)의 크기는 식각된 폴리스티렌 나노구(350)의 크기에 영향을 받는다. 따라서 3단계에서 식각량을 조절하여 폴리스티렌 나노구(350)의 크기를 조절하는 방법으로, 노출된 산화아연 시드(210)의 크기 및 산화아연 나노선(500)의 굵기를 조절할 수 있다.
도 7인 본 발명의 실시예에 따라서 산화아연 나노선을 성장시킨 표면을 촬영한 전자주사현미경 사진이다.
표면을 위에서 찍은 도 7(a)에 도시된 것과 같이, 본 실시예에 따라 성장된 산화아연 나노선은 거의 균등한 간격으로 정렬되어 있는 것을 확인할 수 있다.
또한, 30도의 각도로 기울여 찍은 도 7(b)에서는 본 실시예 따라 성장된 산화아연 나노선이 수직한 방향으로 가늘고 곧게 성장한 것을 확인할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따라서 제조된 산화아연 나노선은 노출된 산화아연 시드의 크기, 즉 폴리스티렌 나노구의 식각량(식각시간)에 따라서 다양한 외형으로 성장한다.
도 8과 도 9는 도 7의 실시예보다 폴리스티렌 나노구를 짧은 시간 식각한 경우에 성장한 산화아연 나노선을 나타내는 전자현미경 사진이다. 도 8은 폴리스티렌 나노구를 20분 동안 식각한 경우이고, 도 9는 폴리스티렌 나노구를 15분 동안 식각한 경우이다.
도 8에 나타난 것과 같이, 도 7의 식각시간인 23분보다 조금 짧은 20분을 식각한 경우, 노출된 산화아연 시드의 넓이가 넓어서 하나의 노출된 산화아연 시드 공간에 여러 개의 산화아연 나노선이 성장하였으나, 성장방향은 수직한 방향을 향하고 있다.
반면에, 도 9의 경우는 도 7에 비하여 식각 시간이 많이 짧기 때문에, 노출된 산화아연 씨드의 크기가 매우 크며, 이로 인하여 하나의 노출된 산화아연 시드 공간에 매우 많은 산화아연 나노선이 성장하였으며, 성장방향도 위로 갈수록 퍼지는 꽃 형태의 나노구조를 형성하는 것을 확인할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에 의하여 정렬되어 제조된 산화아연 나노선은 폴리스티렌 나노구를 식각하는 시간을 조절하여 노출된 산화아연 시드의 크기를 조절함으로써 다양한 형태를 가지는 나노구조의 나노선을 성장시킬 수 있다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 통하여 설명하였는데, 상술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화가 가능함은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 보호범위는 특정 실시예가 아니라 특허청구범위에 기재된 사항에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상도 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 기판 200: 산화아연 시드층
300, 350: 폴리스티렌 나노구 400: Cr 방어층
500: 산화아연 나노선

Claims (22)

  1. 기판 위에 산화아연 시드층을 형성한 뒤에, 상기 산화아연 시드층이 형성된 기판을 핫플레이트 위에서 가열하여 상기 산화아연 시드층에 대하여 풀림작업을 수행하는 1단계;
    상기 산화아연 시드층의 위에 나노구 단일층을 형성하는 2단계;
    상기 나노구 단일층을 건식식각하여 나노구의 크기를 줄이는 3단계;
    상기 3단계에 의해서 크기가 줄어든 잔류 나노구의 사이로 노출된 상기 시드층에 방어층을 증착하는 4단계;
    상기 크기가 줄어든 잔류 나노구를 제거하는 5단계; 및
    상기 잔류 나노구가 제거된 위치에 노출된 산화아연 시드에 산화아연 나노선을 성장시키는 6단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 나노구가 자기조립 형태로 단일층을 형성하는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 나노구가 폴리스티렌, PMMA와 같은 고분자 재질의 콜로이드 입자 또는 실리카 입자인 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 2단계가 랭뮤어-블로드젯 법(Langmuir-Blodgett method)으로 수행되는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 2단계에서, 증류수와 에탄올을 혼합한 용액에 상기 나노구를 첨가하고 초음파를 인가하여 제조된 분산액을 이용하는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 2단계에서 단일층을 형성하는 나노구의 크기를 조절하여 산화아연 나노선이 성장하는 위치를 조절하는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 3단계에서 상기 나노구를 식각하는 양을 조절하여, 상기 6단계에서 노출되는 상기 산화아연 시드의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 3단계에서 건식식각 공정이 RIE법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 RIE 공정이 O2 플라즈마를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 4단계가 Cr 박막을 증착하여 수행되는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 Cr 박막을 증착하는 공정이 스퍼터링으로 수행되는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판이 실리콘, 유리, 플라스틱 및 ITO 중에서 선택된 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 1단계에서, 산화아연 시드층을 형성하는 방법인 RF 마그네트론 스퍼터링으로 수행되는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  14. 청구항 2에 있어서,
    상기 산화아연 시드층을 300Å~1㎛의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  15. 삭제
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 5단계가 제거액을 이용하는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 5단계에서, 상기 기판을 상기 제거액에 침지한 상태에서 초음파를 인가하는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 5단계에서, 상기 제거액에 침지하여 상기 잔류 나노구를 제거한 기판을 세척하고 건조하는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 세척 공정이 에탄올, 이소프로필 알코올 및 초순수의 순서로 진행되는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  20. 청구항 1에 있어서,
    상기 6단계가, 상기 노출된 산화아연 시드에서 질산아연-6수화물(zinc nitrate hexahydrate)과 헥사메틸렌 테트라민(Hexamethylene tetramine)의 혼합수용액이 반응하여 수행되는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 6단계가, 상기 혼합수용액의 표면에서 상기 노출된 산화아연 시드가 접하도록 상기 기판을 뒤집어서 상기 혼합수용액의 표면에 위치시킨 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 정렬된 산화아연 나노선의 제조방법.
  22. 삭제
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