KR101384052B1 - 백라이트 장치, 및 그 백라이트 장치를 이용한 액정 표시 장치, 및 그들에 이용하는 발광 다이오드 - Google Patents

백라이트 장치, 및 그 백라이트 장치를 이용한 액정 표시 장치, 및 그들에 이용하는 발광 다이오드 Download PDF

Info

Publication number
KR101384052B1
KR101384052B1 KR1020127013711A KR20127013711A KR101384052B1 KR 101384052 B1 KR101384052 B1 KR 101384052B1 KR 1020127013711 A KR1020127013711 A KR 1020127013711A KR 20127013711 A KR20127013711 A KR 20127013711A KR 101384052 B1 KR101384052 B1 KR 101384052B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light
light emitting
refractive index
reflecting
Prior art date
Application number
KR1020127013711A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120080644A (ko
Inventor
마사히로 가사노
고우키 이치하시
Original Assignee
파나소닉 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 파나소닉 주식회사 filed Critical 파나소닉 주식회사
Publication of KR20120080644A publication Critical patent/KR20120080644A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101384052B1 publication Critical patent/KR101384052B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133605—Direct backlight including specially adapted reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

투명한 기판(11)상에 설치되고 특정의 파장의 광을 발광하는 발광층(14)과, 발광층(14)에 대하여 광의 출사측에 형성되고 또한 발광층(14)로부터 발광되는 광을 반사하는 기능을 갖는 제 1 반사층(17)과, 제 1 반사층(17)과의 사이에 발광층(14)을 개재하도록 기판(11)측에 설치한 제 2 반사층(18)을 구비하며, 제 1 반사층(17) 및 제 2 반사층(18)의 사이에 발광층(14)으로부터 발광되는 광을 확산시키는 광확산층(21)을 배치하고, 또한 제 2 반사층(18)은, 반사율이 높은 금속막으로 이루어지는 고반사 금속층과, 굴절률이 낮은 재료막으로 이루어지는 저굴절률층과, 반사율이 상이한 재료막을 적층한 다층막 반사층에 의해 구성했다.

Description

백라이트 장치, 및 그 백라이트 장치를 이용한 액정 표시 장치, 및 그들에 이용하는 발광 다이오드{BACKLIGHT DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING BACKLIGHT DEVICE, AND LIGHT EMITTING DIODE USED FOR BACKLIGHT DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
본 발명은, 백라이트 장치, 및 그 백라이트 장치를 이용한 액정 표시 장치, 및 그들에 이용하는 발광 다이오드(이하, LED라 함)에 관한 것이다.
대형의 액정 디스플레이 장치의 백라이트 장치에서는, 냉음극관이 액정 패널의 바로 아래에 다수 배치되어 있었다. 그리고, 이 냉음극관은, 냉음극관의 발광을 액정 패널측에 반사하는 반사판이나, 냉음극관으로부터 발생하는 발광을 확산시켜 면광원으로 하는 확산판 등의 부재와 함께 사용하고 있었다.
최근, 이 종류의 백라이트 장치의 광원으로서, 발광 다이오드가 사용되도록 되어 있다. 발광 다이오드는, 최근, 효율이 향상하여, 형광등을 대체하는 소비 전력이 적은 광원으로서 기대되고 있다. 또한 액정 디스플레이 장치용의 광원으로서 발광 다이오드를 이용한 경우, 영상에 따라 발광 다이오드의 명암을 제어함으로써, 액정 표시 장치의 소비 전력을 저감할 수 있다.
그런데, 액정 표시 장치용의 발광 다이오드로서는, 활성층에 GaN계의 반도체를 이용한 청색 발광 다이오드에 형광체를 조합하는 방식의 것이 주류가 되고 있다.
도 19는, 특허 문헌 1에 나타내어져 있는 GaN계의 발광 다이오드의 구성을 나타내는 도면이다. 도 19에 나타내는 바와 같이, 발광 다이오드는, 사파이어 기판(31) 위에 버퍼층(도시하지 않음)을 거쳐서, n형의 GaN막으로 이루어지는 n형 콘택트층(32) 및 n형 클래드층(33)이 형성되어 있다. n형 클래드층(33)의 위에는, InGaN막으로 이루어지는 발광층(34)이 구성되어 있고, 발광층(34)의 위에는, p형의 AlGaN막으로 이루어지는 p형 클래드층(35)과 p형의 GaN막으로 이루어지는 p형 콘택트층(36)이 아래로부터 순서대로 구성되어 있다. n형 콘택트층(32)의 위에는 n형 전극(37)이 형성되어 있음과 아울러, p형 콘택트층(36)의 위에는 p형 전극(38)이 형성되어 있다. n형 전극(37)과 p형 전극(38)의 사이에 전압을 인가함으로써, 발광층(34)이 발광한다.
특허 문헌 1에 나타내는 발광 다이오드에서는, 발광 다이오드의 칩의 정면 방향으로 가장 많은 광이 발광하고 있다. 그 때문에, 렌즈를 이용하여, 광축 근방의 오목면에서 칩으로부터의 정면 방향으로 향하는 광을 굴절에 의해 발산시키면, 피조사면에 있어서의 광축 근방의 조도를 억제하여 넓은 조도 분포로 할 수 있다.
본 발명은, 넓은 분포의 광의 발광 특성을 갖는 발광 다이오드를 제공하고, 이 발광 다이오드를 이용하는 것에 의해, 저렴하고 고 효율의 백라이트 장치를 제공하며, 이 백라이트 장치를 이용하는 것에 의해, 화질 향상을 도모한 액정 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
(선행 기술 문헌)
(특허 문헌)
특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 제2001-7399호 공보
본 발명의 백라이트 장치는, 특정의 색의 광을 발광하는 발광 수단을 구비하되, 상기 발광 수단은, 투명한 기판상에 설치되고 특정의 파장의 광을 발광하는 발광층과, 상기 발광층에 대하여 광의 출사측에 형성되고 또한 상기 발광층으로부터 발광되는 광을 반사하는 기능을 갖는 제 1 반사층과, 상기 제 1 반사층과의 사이에 상기 발광층을 개재하도록 상기 기판측에 설치한 제 2 반사층을 구비한 발광 다이오드로서, 상기 제 1 반사층 및 제 2 반사층의 사이에 상기 발광층으로부터 발광되는 광을 확산시키는 광확산층을 배치하고, 또한 상기 제 2 반사층은, 반사율이 높은 금속막으로 이루어지는 고반사 금속층과, 굴절률이 낮은 재료막으로 이루어지는 저굴절률층과, 반사율이 상이한 재료막을 적층한 다층막 반사층에 의해 구성한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 액정 표시 장치는, 특정의 색의 광을 발광하는 발광 수단을 구비한 백라이트 장치와, 상기 백라이트 장치로부터의 출사광을 배면측으로부터 입사하여 화상을 표시하는 액정 패널을 구비한 액정 표시 장치로서, 상기 발광 수단은, 투명한 기판상에 설치되고 특정의 파장의 광을 발광하는 발광층과, 상기 발광층에 대하여 광의 출사측에 형성되고 또한 상기 발광층으로부터 발광되는 광을 반사하는 기능을 갖는 제 1 반사층과, 상기 제 1 반사층과의 사이에 상기 발광층을 개재하도록 상기 기판측에 설치한 제 2 반사층을 구비한 발광 다이오드로서, 상기 제 1 반사층 및 제 2 반사층의 사이에 상기 발광층으로부터 발광되는 광을 확산시키는 광확산층을 배치하고, 또한 상기 제 2 반사층은, 반사율이 높은 금속막으로 이루어지는 고반사 금속층과, 굴절률이 낮은 재료막으로 이루어지는 저굴절률층과, 반사율이 상이한 재료막을 적층한 다층막 반사층에 의해 구성한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 발광 다이오드는, 투명한 기판상에 설치되고 특정의 파장의 광을 발광하는 발광층과, 상기 발광층에 대하여 광의 출사측에 형성되고 또한 상기 발광층으로부터 발광되는 광을 반사하는 기능을 갖는 제 1 반사층과, 상기 제 1 반사층과의 사이에 상기 발광층을 개재하도록 상기 기판측에 설치한 제 2 반사층을 구비한 발광 다이오드로서, 상기 제 1 반사층 및 제 2 반사층의 사이에 상기 발광층으로부터 발광되는 광을 확산시키는 광확산층을 배치하고, 또한 상기 제 2 반사층은, 반사율이 높은 금속막으로 이루어지는 고반사 금속층과, 굴절률이 낮은 재료막으로 이루어지는 저굴절률층과, 반사율이 상이한 재료막을 적층한 다층막 반사층에 의해 구성한 것을 특징으로 한다.
상기 구성의 백라이트 장치에 의하면, 저렴하고 고 효율이며, 또한, 색 얼룩이 적은 백라이트 장치를 얻을 수 있다.
또한, 상기 구성의 액정 표시 장치에 의하면, 화질 향상을 도모할 수 있는 액정 표시 장치를 얻을 수 있다.
또한, 상기 구성의 발광 다이오드에 의하면, 넓은 분포의 광의 발광 특성을 갖는 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 직하형 백라이트 장치의 개략 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2는, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 백라이트 장치를 이용한 액정 표시 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 백라이트 장치에 이용하는 LED의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 LED의 LED 칩의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 LED 칩의 제 1 반사층의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 LED로부터 출사되는 광의 상대 강도의 각도 특성을 나타내는 도면이다.
도 7은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 LED 칩의 제 2 반사층의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 8은, 제 2 반사층에 있어서, 표 2에 나타내는 구성의 반사율의 각도 분포를 나타내는 도면이다.
도 9는, 제 2 반사층에 있어서, 표 3에 나타내는 구성의 반사율의 각도 분포를 나타내는 도면이다.
도 10은, 제 2 반사층에 있어서, 표 4에 나타내는 구성의 반사율의 각도 분포를 나타내는 도면이다.
도 11은, 제 2 반사층에 있어서, 표 5에 나타내는 구성의 반사율의 각도 분포를 나타내는 도면이다.
도 12는, 제 2 반사층에 있어서, 표 1에 나타내는 구성의 반사율의 각도 분포를 나타내는 도면이다.
도 13은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 LED의 청색광과 형광체로부터의 황색광의 강도의 각도 특성을 나타내는 도면이다.
도 14는, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 LED로부터 출사되는 청색광의 0도와 60도의 발광 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
도 15는, 황색의 형광체의 흡수 스펙트럼의 일례를 나타내는 도면이다.
도 16(a)는, LED의 형광체층 투과 후의 0도 방향의 백색광 스펙트럼의 일례를 나타내는 도면이다.
도 16(b)는, LED의 형광체층 투과 후의 60도 방향의 백색광 스펙트럼의 일례를 나타내는 도면이다.
도 17은, 자외광의 LED와 적색, 청색, 녹색 형광체의 혼색에 의한 백색 LED의 스펙트럼의 일례를 나타내는 도면이다.
도 18은, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 백라이트 장치를 이용한 액정 표시 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 19는, 종래의 LED의 LED 칩의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 백라이트 장치에 대해, 도면을 이용하여 설명한다.
본 실시 형태에 따른 백라이트 장치는, 직하형(subjacent-type) 백라이트 장치이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 직하형 백라이트 장치의 개략 구성을 나타내는 사시도이며, 도 2는 도 1에 나타내는 직하형 백라이트 장치를 이용한 액정 표시 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 또한, 도 2는, 도 1의 x-y 평면에 있어서의 LED의 광축을 포함하는 위치에서의 개략 단면을 나타내고 있다. 여기서, 도 1, 도 2에 있어서, x 축의 방향을 「가로 방향」이라고 부르고, 직하형 백라이트 장치(1)의 광의 출사 방향인 y 축의 정(正)의 방향을 「정면 방향」, y 축의 부(負)의 방향을 「배면 방향」이라고 부르고, z 축의 정의 방향을「상방향」, z 축의 부의 방향을「하방향」이라고 부른다.
도 1, 도 2에 나타내는 바와 같이, 직하형 백라이트 장치(1)는, 복수개의 LED(2)가 매트릭스 형상으로 균등 간격으로 배열되도록 반사판(3)의 전면에 배치되어 있다. 그리고 LED(2)의 정면 방향측에는, LED(2)와의 사이에 간격을 두고, 각종의 광학 시트가 배치되어 있다. 즉, LED(2)의 정면 방향측에는, 확산 시트(4)와 파장 변환 시트(5)와 휘도 상승 시트(6)가 배치되어 있다.
확산 시트(4)는, LED(2)으로부터의 광 및 반사판(3)에 의해 반사된 광을 확산시키고, 면광원을 형성하기 위한 확산 부재이다. 파장 변환 시트(5)는, 확산 시트(4)를 통해서 입사되는 광 중, 그 일부의 광을 투과시키고, 투과시킨 광과 혼색함으로써, 예컨대, 백색의 광 같은, 특정의 색의 광으로 변환하는 파장 변환 수단이다. 휘도 상승 시트(6)는, 출사면의 법선 방향을 향해서 집광하여 출사하는 것에 의해 출사광의 정면 휘도를 상승시키는 것이다.
이 LED(2)는, 직하형 백라이트 장치(1)의 구성에 의해서 적절한 수 및 간격으로 배치된다. 예컨대, 직하형 백라이트 장치(1)의 크기, 두께, LED(2)의 광 분배 특성 등에 따라 결정된다.
또한, 이 직하형 백라이트 장치(1)는, 휘도 상승 시트(6)의 정면 방향측의 면을 광의 출사면으로 하여, 백색의 면 형상 광을 출사한다. 여기서, 백색이란, 색 온도가 3000K 내지 10000K 이내인 것을 말한다.
반사판(3)은, 평판 형상이며, LED(2)의 배면 방향측에 배치되어 있다. 이 반사판(3)은, 적어도 LED(2)가 배치되는 전면에 백색의 폴리에스테르 등으로 이루어지는 확산 반사면(3a)을 구비하고 있다. 그 확산 반사면(3a)에 도달한 광은 확산되어 정면 방향으로 반사한다. 즉, 반사판(3)에 도달한 광은, 정면 방향측에 확산하여 반사된다.
확산 시트(4)는, 평판 형상이며, LED(2)의 정면 방향측에, LED(2) 및 반사판(3)의 사이에 간격을 두고 배치되어 있다. 이 확산 시트(4)는, LED(2)측, 즉, 확산 시트(4)의 배면측으로부터 입사하는 광을 확산한다. 그리고, 일부의 광은 확산 시트(4)를 투과하여 전면으로부터 정면 방향으로 출사하고, 일부의 광은 확산 시트(4)에 반사하여 배면측(LED(2)측)으로 되돌아가도록 광을 제어한다.
파장 변환 시트(5)는, 그 대략 평판 형상의 외형 형상을 갖고, 확산 시트(4)와 후술하는 휘도 상승 시트(6)의 사이에 배치되어 있다. 파장 변환 시트(5)는, 내부에 형광체막을 갖는다. 이 형광체막은, LED(2)가 발하는 청색의 광에 의해서 여기되고, 특정색의 광, 즉, 본 실시 형태에 있어서는, 형광체막의 작용에 의해, 청색 광의 파장을, 긴 파장측의 발광 주파장(dominant emission wavelength)이 550nm 내지 610nm의 황색의 광으로 변환하여, 정면 방향으로 광을 출사하는 것이다. 즉, 배면측으로부터 입사하는 청색광의 일부는 파장 변환 시트(5)를 그대로 투과함과 아울러, 형광체막의 파장 변환 작용에 의해서, 일부의 광은 황색의 광으로 변환되어 파장 변환 시트(5)를 투과한다. 그 결과, 파장 변환 시트(5)는, 청색광과 황색광을 혼색시키는 것에 의해, 백색광을 출사하는 것이다. 물론, 청색광이 많은 경우에는 청색을 띄는 백색광으로 되고, 황색광이 많은 경우에는, 황색을 띄는 백색광으로 된다.
휘도 상승 시트(6)는, 평판 형상이며, 상기 확산 시트(4)의 전방에 배치되어 있다. 휘도 상승 시트(6)는, 입사광의 일부를 배면 방향으로 반사함과 아울러, 입사광의 일부를 투과시켜 출사면의 법선 방향을 향해서 집광시켜 출사한다. 이에 의해서, 출사광의 정면 휘도를 상승시키는 것이다. 구체적으로는, 예컨대, 휘도 상승 시트(6)의 전면에 프리즘을 설치한 구성으로 하는 것에 의해, 소정의 각도의 광만을 출사시킬 수 있다.
이상의 구성 부재에 의해 직하형 백라이트 장치(1)가 구성된다. 또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 이 직하형 백라이트 장치(1)의 정면 방향에 화상을 표시하는 액정 패널(7)을 배치하면, 액정 표시 장치가 구성된다. 또한, 액정 패널(7)은, 투명 전극과 스위칭 소자로서의 박막 트랜지스터를 형성한 기판과 편향판을 설치한 기판의 사이에, 액정을 봉입하는 것에 의해 복수의 화소를 형성한 패널이 구성되어 있다. 그리고, 각각의 화소를 화상 신호에 따라 스위칭함으로써, 패널을 투과하는 백라이트의 광의 양을 조정하여, 원하는 화상을 표시하는 것이다.
그런데, 도 2에 있어서는, 확산 시트(4), 파장 변환 시트(5), 휘도 상승 시트(6)의 각 시트 사이에 간극을 설치하고 있지만, 반드시, 이러한 간극을 설치하여 각 시트를 배치할 필요는 없다. 단순한 일례에 불과하다.
다음에, 본 실시 형태의 백라이트 장치에 사용하는 LED(2)에 대하여, 구체적으로 설명한다.
LED(2)는, 발광 주파장 430 내지 480nm의 청색의 광을 발광하는 것이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, LED(2)는, LED 칩(8)을 LED 패키지(9) 내에 배치하고, LED 칩(8)을 보호하기 위한 수지(10)에 의해 밀봉하는 것에 의해 구성되어 있다. 또한, LED 칩(8)은, LED 패키지(9)의 기판(도시하지 않음)에 배선 부재에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 여기서, 발광 주파장이란, 발광 스펙트럼에 있어서 발광 강도의 극대치를 갖는 파장을 의미하고 있다. 또한, 도 3에 있어서, 점선 A는, LED(2)의 광의 출사 패턴을 모식적으로 나타내는 것이다.
도 4는 LED 칩(8)의 구조를 모식적으로 나타낸 단면도이다. 도 4에 있어서, (11)은 GaN으로 이루어지는 투명한 기판이다. 이 기판(11)의 한쪽의 주면상에는, n형의 GaN막으로 이루어지는 n형 콘택트층(12), n형의 AlGaN막으로 이루어지는 n형 클래드층(13), InGaN막으로 이루어지는 특정의 파장의 광을 발광하는 활성층인 발광층(14), p형의 AlGaN막으로 이루어지는 p형 클래드층(15), p형의 GaN막으로 이루어지는 p형 콘택트층(16)이 순차적으로 적층 형성되어 있다.
또한, 이 적층체의 발광층(14)에 대하여 광의 출사측에는, 발광층(14)으로부터 발광되는 광을 반사하는 기능을 갖는 제 1 반사층(17)이 적층 형성되어 있다. 이 제 1 반사층(17)은, 후술하는 바와 같이, 유전체 다층막에 의해 구성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제 1 반사층(17)은, 복수의 TiO2로 이루어지는 층과, SiO2로 이루어지는 층으로 구성되어 있다.
(18)은 고반사 금속층, 저굴절률층, 다층막 반사층에 의해 구성한 제 2 반사층이며, (19)는 n형의 전극, (20)은 p형의 전극이다.
제 2 반사층(18)은 기판(11)의 다른쪽의 주면측에 설치되어 있고, 이 제 2 반사층(18)과 제 1 반사층(17)의 사이에 발광층(14)이 배치되어 있다.
또한, 제 1 반사층(17)과 p형의 GaN막으로 이루어지는 p형 콘택트층(16)의 사이에는, 제 1 반사층(17)과 발광층(14)의 사이에 배치되도록, 오팔(opal) 글래스로 이루어지는 광확산층(21)이 형성되어 있다.
도 4에 있어서, n형의 전극(19)과 p형의 전극(20)의 사이에 전압을 인가함으로써, 발광층(14)이 발광한다. 발광층(14)으로부터 발광되는 광은 등방(等方) 발광이기 때문에, 발광된 광 중 일부는 제 2 반사층(18) 및 제 1 반사층(17)으로 향하고, 일부는 LED(2)를 구성하는 적층체 중 어느 하나의 계면에서 전반사되며, 또한 일부는 LED(2)를 구성하는 적층체 중 어느 하나의 재질에 의해 흡수된다.
여기서, 제 1 반사층(17)의 반사율은, 제 2 반사층(18)의 반사율보다 낮게 설정되어 있다. 발광층(14)에서 발광한 광은, 반사를 반복하면서 제 1 반사층(17)으로부터 추출된다.
도 5는 제 1 반사층(17)의 단면도를 나타낸다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 제 1 반사층(17)은 p형 콘택트층(16)상에 형성되고, 제 1 유전체인 이산화티타늄(TiO2)으로 이루어지는 7층의 고굴절률층(17a, 17b, 17c, 17d, 17e, 17f, 17g)과, 제 2 유전체인 이산화규소(SiO2)으로 이루어지는 6층의 저굴절률층(17h, 17i, 17j, 17k, 17l, 17m)을 교대로 적층한 유전체 다층막에 의해 구성되어 있다. 그리고, 이산화티타늄으로 이루어지는 고굴절률층(17a)이 p형 콘택트층(16)과 접하고 있다.
여기서, 제 1 반사층(17)을 구성하는 제 1 유전체로 이루어지는 고굴절률층(17a 내지 17g)과, 제 2 유전체로 이루어지는 저굴절률층(17h 내지 17m)에 있어서, 각각의 광학막 두께는, 발광층(14)으로부터의 광의 제 1 유전체 및 제 2 유전체 중에서의 파장의 1/4 근방에 설정하고 있다.
구체적으로는, p형 콘택트층(16)측으로부터, 고굴절률층(17a)이 25.0nm, 저굴절률층(17h)이 83.3nm, 고굴절률층(17b)이 49.0nm, 저굴절률층(17i)이 80.0nm, 고굴절률층(17c)이 47.5nm, 저굴절률층(17j)이 78.3nm, 고굴절률층(17d)이 45.5nm, 저굴절률층(17k)이 73.3nm, 고굴절률층(17e)이 42.0nm, 저굴절률층(17l)이 66.7nm, 고굴절률층(17f)이 38.0nm, 저굴절률층(17m)이 60.0nm, 고굴절률층(17g)이 18.0nm이다. 여기서, 이산화티타늄의 파장 450nm에 있어서의 굴절률은 2.5, 이산화규소의 파장 450nm에 있어서의 굴절률은 1.5이다.
이와 같이, LED 칩(8)에 있어서의 제 1 반사층(17)에 대하여, 굴절률이 상이한 제 1 유전체 및 제 2 유전체로 이루어지는 유전체 다층막에 의해 구성함으로써, 도 6에 나타내는 바와 같은 광 분배 특성을 갖는 LED(2)로 할 수 있다.
도 6은, 상술한 도 4, 도 5의 구성을 구비한 LED(2)로부터 출사되는 광의 상대 강도의 각도 특성의 일례를 나타내는 도면이다. 도 6에 나타내는 특성에 있어서는, 발광층(14)으로부터 발광되는 광은 등방 발광으로 하고 있다. 또한, 도 6에 나타내는 특성에 있어서, 출사각 0도, 즉, 정면 방향으로 출사하는 광의 강도를 1로 규격화하여 나타내고 있다.
그런데, 일반적인 LED에서는, 발광층 사이에 반사층을 배치하면, 그 반사층에 의해 공진기 구조가 형성되며, LED로부터 출사하는 광의 지향성이 램버션(Lambertian)에 가까운 분포로 된다. 즉, 광의 출사각 0도에서 강도는 최대로 되고, 출사각의 코사인에 비례하는 각도 분포로 된다.
한편, 본 실시 형태에 있어서의 LED(2)에 있어서는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 출사 각도가 커짐에 따라서 광의 강도가 증대하며, 출사각이 65도 이상의 70도 근방에서 강도가 최대로 되는 넓은 분포의 광 분배 특성을 나타내는 것으로 된다.
즉, 본 실시 형태에 있어서의 LED(2)에 있어서는, 발광층(14)으로부터 발광되는 광 중 절반은, 제 2 반사층(18)측으로 향한다. 제 2 반사층(18)에서 반사되고, 제 1 반사층(17) 방향으로 향하여 LED(2)로부터 출사한다. 발광한 광으로 제 1 반사층(17)에서 반사된 광은 제 2 반사층(18)으로 향한다. 제 1 반사층(17)과 제 2 반사층(18)의 사이에는 광확산층(21)이 배치되어 있기 때문에, 광확산층(21)에 입사한 광은 완전 확산되어 투과 또는 반사한다. 이 광확산층(21)을 완전 확산층으로 함으로써, 제 1 반사층(17)과 제 2 반사층(18)에 의한 광의 다중 반사가 억제되어, LED(2) 내에 수용되는 광을 감소시킬 수 있다.
이와 같이, 본 실시 형태에 있어서의 LED(2)는, 제 1 반사층(17)과 제 2 반사층(18)에 의한 광의 다중 반사가 억제된다. 또한, 제 1 반사층(17)의 투과/반사율의 각도 특성을, 출사각이 65도 이상에서 있어 투과율의 피크가 존재하는 특성으로 하고, 발광층(14)으로부터 발광되는 광의 광 분배 특성을 고려함으로써, LED(2)의 광 분배 특성을 도 6에 나타내는 바와 같은 넓은 분포의 광 분배 특성으로 용이하게 제어할 수 있는 것이다.
다음에, 제 2 반사층(18)의 상세 구성에 대하여, 도 7을 이용하여 설명한다. 제 2 반사층(18)은, 알루미늄, 금, 은 중에서 선택된 반사율이 높은 금속막으로 이루어지는 고반사 금속층(18a)과, 이 고반사 금속층(18a) 상에 형성되고, 또한 이산화규소(SiO2) 등의 굴절률이 낮은 재료막으로 이루어지는 저굴절률층(18b)과, 이 저굴절률층(18b) 상에 형성되고, 또한 반사율이 상이한 고굴절률 재료와 저굴절률 재료 각각으로 이루어지는 재료막을 교대로 적층한 구조의 다층막 반사층(18c)에 의해 구성되어 있다. 여기서, 다층막 반사층(18c)의 고굴절률 재료는, 이산화티타늄, 질화규소, 삼산화이탄탈, 오산화니오븀, 이산화지르코늄 중에서 선택된 재료이며, 저굴절률 재료는, 이산화규소이다. 이 제 2 반사층(18)의 구성의 일례를 표 1에 나타낸다.
Figure 112012042244597-pct00001
이하, 제 2 반사층(18)을 구성하는 고반사 금속층(18a), 저굴절률층(18b), 다층막 반사층(18c) 각각의 층의 효과에 대하여 설명한다.
표 2에 고반사 금속층(18a)만인 경우의 층 구성을 나타낸다.
Figure 112012042244597-pct00002
도 8은 표 2의 구성에 있어서의 파장 450nm의 반사율의 각도 의존성을 나타낸 그래프이다. 0°에서는 반사율은 약 88%이며, 각도가 커짐에 따라서 반사율이 커지는 것을 알 수 있다.
우선, 저굴절률층(18b)의 효과에 대하여 설명한다. 표 3에는 고반사 금속층(18a)과 저굴절률층(18b)의 구성을 나타내고 있다. 여기서 저굴절률층(18b)의 효과를 얻기 위해서, 매질로서는 굴절률 2.5보다도 낮은 굴절률 1.5의 저굴절률층, 막 두께는 발광 파장(λ) 450nm의 λ/2 이상의 광학막 두께인 막 두께 600nm으로 했다.
Figure 112012042244597-pct00003
도 9는 표 3의 구성에 있어서의 파장 450nm의 반사율의 각도 의존성을 나타낸 특성을 나타내고 있다. 저굴절률층(18b)의 효과에 의해, 40°이상의 광의 반사율은 거의 100%로 되어 있다. 이것은 기판(11)의 굴절률 2.5와 저굴절률층(18b)의 굴절률 1.5로부터 산출되는 임계각 37°와 거의 가까운 값으로 되어 있다. 즉, 임계각을 초과하는 각도의 광은 전반사하여, 반사율은 100%로 되므로, 저굴절률층(18a)을 이용함으로써, 넓은 각도측의 반사율을 향상시킬 수 있다. 또한, 이 저굴절률층(18b)에서는 전반사를 이용하기 때문에, 막 두께가 얇아지면, 박막 간섭의 영향이 커져 전반사의 효과가 얻어지지 않는다. 따라서, 저굴절률층(18b)의 막 두께는, LED(2)의 발광 파장(λ)의 λ/2 이상의 광학막 두께로 하는 것이 바람직하다.
다음에, 다층막 반사층(18c)의 효과에 대하여 설명한다. 표 4에는 고반사 금속층(18a)과 다층막 반사층(18c)의 구성을 나타내고 있다. 여기서, 다층막 반사층(18c)의 매질로서는, 굴절률 2.5의 매질 1과 굴절률 3.5의 매질 2를 이용했다. 매질 1과 매질 2의 흡광 계수는 0으로 하고 있다. 매질 1 및 매질 2의 막 두께는, LED(2)의 발광 중심 파장 450nm의 λ/4로 되도록, 매질 1은 45nm, 매질 2는 32.14nm으로 했다.
Figure 112012042244597-pct00004
도 10은 표 4의 구성에 있어서의 파장 450nm의 반사율의 각도 의존성을 나타내는 특성을 나타내고 있다. 다층막 반사층(18c)의 효과에 의해, 0°부근의 광의 반사율은 거의 100%로 되어 있다. 이것은 다층막 반사층(18c)이 고굴절률의 매질 2과 저굴절률의 매질 1에 의해 구성하여, 막 두께가 λ/4의 다층막으로 한 것에 의해, 박막 간섭 효과에 의해서 반사율이 향상한 결과이다.
다음에, 상기에서 설명한 저굴절률층(18b)와 다층막 반사층(18c)을 합한 효과에 대하여 설명한다. 표 5에는 고반사 금속층(18a), 저굴절률층(18b), 다층막 반사층(18c)으로 구성된 제 2 반사층(18)의 구성을 나타내고 있다. 여기서, 상기와 동일하도록, 저굴절률층(18b)의 매질로서는 굴절률 2.5보다도 낮은 1.5의 저굴절률층(18b), 막 두께는 발광 파장(λ) 450nm의 λ/2 이상의 광학막 두께인 실제 막 두께 880nm으로 했다. 한편, 다층막 반사층(18c)의 매질로서는 굴절률 2.5의 매질 1과 굴절률 3.5의 매질 2를 이용했다. 매질 1과 2의 흡광 계수는 0으로 하고 있다. 매질 1 및 매질 2의 막 두께는 LED의 발광 파장 450nm의 λ/4로 되도록, 매질 1은 45nm, 매질 2는 32.14nm으로 했다.
Figure 112012042244597-pct00005
도 11에 표 5의 구성에 있어서의 파장 450nm의 반사율의 각도 의존성을 나타내는 특성을 나타내고 있다. 저굴절률층(18b)의 효과에 의해, 40°이상의 광의 반사율은 전반사에 의해 거의 100%로 되어 있는 것을 알 수 있다. 또한, 다층막 반사층(18c)의 효과에 의해, 0°부근의 광의 반사율은 거의 100%로 되어 있다. 이것은 다층막 반사층(18c)이 고굴절률의 매질 2과 저굴절률의 매질 1로 구성되고, 막 두께가 λ/4의 다층막으로 되어 있기 때문에, 박막 간섭 효과에 의해서 반사율이 향상한 결과이다. 즉, 제 2 반사층(18)을 고반사 금속층(18a)과 저굴절률층(18b)과 다층막 반사층(18c)을 이용하여 구성함으로써, 모든 입사각에 대하여 반사율을 대폭으로 높일 수 있다.
도 12는 표 1에 나타내는 구성의 제 2 반사층(18)에 대하여, 파장 450nm의 반사율의 각도 의존성을 나타내는 특성을 나타내고 있다. 표 1의 구성에서는, 저굴절률층(18b)의 재료를 굴절률 1.5의 SiO2로 하고, 다층막 반사층(18c)으로 이용하는 저굴절률 재료를, 저굴절률층(18b)과 동일한 재료인 SiO2로 하고 있다. 상기 구성으로 함으로써, 제작 프로세스가 간략화되어, 비용 저감으로 된다. 반사율의 각도 특성에 있어서는 지금까지와 마찬가지로, 저굴절률층(18b)의 효과에 의해, 40°이상의 광의 반사율은 거의 100%로 되고, 다층막 반사층(18c)의 효과에 의해, 0°부근의 광의 반사율은 거의 100%로 되어 있다. 제 2 반사층(18)을 고반사 금속층(18a), 저굴절률층(18b)과 다층막 반사층(18c)을 이용하여 구성함으로써, 반사율을 대폭으로 높일 수 있다.
또한, 광확산층(21)은 오팔 글래스로 구성하고 있기 때문에, 발광층(14)의 GaN의 굴절률 2.5보다도 굴절률이 낮다. 따라서, 광확산층(21)을 발광층(14)과 제 1 반사층(17)의 사이에 배치함으로써, 제 2 반사층(18)에 있어서의 저굴절률층(18b)의 효과를 손상하는 일없이, 높은 추출 효율을 실현할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서는, 특정의 색의 광을 발광하는 발광 수단인 LED(2)와, 이 LED(2)로부터의 광을 확산시켜 면광원으로 하기 위한 확산 부재인 확산 시트(4)를 구비한 백라이트 장치에 있어서, LED(2)는, 투명한 기판(11)상에 설치되어 특정의 파장의 광을 발광하는 발광층(14)과, 발광층(14)에 대하여 광의 출사측에 형성되고 또한 발광층(14)으로부터 발광되는 광을 반사하는 기능을 갖는 제 1 반사층(17)과, 제 1 반사층(17)과의 사이에 발광층(14)을 배치하도록 기판(11)측에 설치한 제 2 반사층(18)을 구비하고, 제 2 반사층(18)은, 반사율이 높은 금속막으로 이루어지는 고반사 금속층(18a)과, 굴절률이 낮은 재료막으로 이루어지는 저굴절률층(18b)과, 반사율이 상이한 재료막을 적층한 다층막 반사층(18c)에 의해 구성하고 있다. 이에 의해서, 제 2 반사층(18)과 제 1 반사층(17)에 의한 광의 간섭 효과가 억제된다. 또한, 제 1 반사층(17)의 투과/반사율의 각도 특성을, 출사각이 65도 이상에서 투과율의 피크가 존재하는 특성으로 함으로써, 도 6에 나타내는 바와 같이, 넓은 분포의 광 분배 특성으로 용이하게 제어할 수 있어, 저렴하고 고 효율의 백라이트 장치를 제공할 수 있다.
또한, 도 4에 나타내는 예에서는, 광확산층(21)을 제 1 반사층(17)과 발광층(14)의 사이에 배치했지만, 발광층(14)과 제 2 반사층(18)의 사이에 광확산층(21)을 배치할 수도 있다. 요컨대, 제 1 반사층(17)과 제 2 반사층(18)의 사이에, 발광층(14)으로부터 발광되는 광을 확산시키는 광확산층(21)을 배치하면 바람직하다.
또한, 도 7에 나타내는 예에서 제 2 반사층(18)의 구성은 고반사 금속층(18a), 고반사 금속층(18a) 상에 형성된 저굴절률층(18b), 저굴절률층(18b) 상에 형성된 다층막 반사층(18c)으로 했지만, 저굴절률층(18b)과 다층막 반사층(18c)의 순서는 서로 교체되어 있더라도 무방하다. 요컨대, 고반사 금속층(18a)상에, 저굴절률층(18b)과 다층막 반사층(18c)이 형성되어 있으면 좋다.
그런데, 렌즈를 사용하지 않고 LED(2)로부터 발광하는 광 그 자체를 넓게 분포시킨 경우, 도 13의 특성 B에 나타내는 바와 같이, LED 칩(8)으로부터 발광하는 청색은 넓게 분포되어 있지만, LED(2)으로부터의 청색의 광에 의해 형광체막이 여기되어 발광하는 발광 주파장이 550nm 내지 610nm의 황색의 광의 광 분배 특성은, 특성 Y와 같이 램버션으로 된다. 즉, LED 패키지(9)로부터 출사 후의 청색광과 황색광의 광 분배 특성이 상이하고, 황색의 광은, LED(2)의 바로 위 방향으로 강도의 극대치를 갖고, 청색의 광은 65도 이상의 70도 부근에 강도의 극대치를 갖는다. 이 때문에, LED(2)의 바로 위에서는 황색을 띄는 백색으로 되고, 70도 부근에서는 청색을 띄는 백색으로 되며, 각도에 따라서 색이 상이한 결과로 되어, 색 얼룩의 원인으로 된다.
또한, 제 1 반사층(17)으로서 유전체 다층막을 출사측에 이용하여 광을 넓게 분포한 경우에는, 유전체 다층막에 있어서의 광의 간섭에 의해 강화된 파장과 약화된 파장이 존재하여, 각도에 따라서 발광 스펙트럼이 상이하게 되어 버린다. 도 14에 청색의 LED의 스펙트럼의 일례를 나타내고 있다. 도 14에 나타내는 바와 같이, 여기서, 0도 방향으로 출사하는 광 B1에 대하여, 60도 방향으로 출사하는 광 B2의 스펙트럼이 약 10nm 긴 파장측으로 시프트되어 있는 것을 알 수 있다. 또한, 이 도 14에 나타내는 바와 같이, 각도에 따라, 발광 스펙트럼이 변화하기 때문에, 색도도 어긋나게 된다.
또한, 도 15에는 황색으로 발광하는 형광체의 흡수 스펙트럼의 일례를 나타내고 있다. 흡수 스펙트럼에 있어서의 피크는, 0도 방향의 발광 스펙트럼의 피크와 동일한 450nm 부근에 있고, 450nm보다 긴 파장측으로 되면, 흡수 계수가 감소한다. 즉, 형광체의 광의 흡수량이 감소하여, 여기되는 황색의 형광체의 발광 강도가 약해진다. 따라서, 형광체를 투과한 후의 0도 방향은, 도 16(a)에 나타내는 스펙트럼으로 되고, 60도 방향은 도 16(b)에 나타내는 스펙트럼으로 된다. 도 16(b)에서는, 청색 LED의 발광 강도에 대하여, 황색의 형광체의 발광 강도가 상대적으로 약해져 버리고, 0도와 60도에서 색이 변화되어 버리므로, 결과로서 백라이트 장치에 있어서 색 얼룩이 발생하게 된다.
한편, 본 실시 형태에 있어서의 백라이트 장치에 있어서는, 상술한 바와 같이, LED(2)로부터 출사한 청색의 광은, 도 6에 나타내는 바와 같은 광 분배 특성을 나타내고, 이러한 광 분배 특성의 청색의 광이 확산 시트(4)를 투과하여, 파장 변환 시트(5)에 입사한다. 그리고, 파장 변환 시트(5)에 입사한 청색의 광의 일부는, 그대로 투과하고, 나머지의 청색의 광은, 형광체의 파장 변환 작용에 의해서 황색의 광으로 변환되어 투과한다. 이 때, 파장 변환 시트(5)를 투과한 직후의 청색의 광의 광 분배 특성과, 형광체의 파장 변환 작용에 의해서 변환된 황색의 광이 동일한 조도 분포이며, 또한 함께 램버션의 광 분배 특성으로 되므로, 청색의 광과 황색의 광에서 동일한 특성으로 된다. 즉, 상술한 바와 같은 색 얼룩의 발생을 억제할 수 있어, 액정 표시 장치로서 화질의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 이상의 설명에서는, 파장 변환 시트(5)는, 확산 시트(4)와 휘도 상승 시트(6)의 사이에 배치했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 반사판(3)과 확산 시트(4)의 사이에 배치할 수도 있다. 요컨대, 반사판(3)과 휘도 상승 시트(6)의 사이에 배치되어 있으면, 색 얼룩을 저감하는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 확산 부재로서, 확산 시트(4) 대신에, 기계적 강도가 높은 확산판을 이용하면, 이 확산판에 다른 광학 시트를 유지시킬 수 있고, 이 경우 파장 변환 시트(5)는 확산판과 휘도 상승 시트(6)의 사이에 배치되면 좋다.
또한, 휘도 상승 시트(6)는, 입사광의 일부를 후방으로 반사함과 아울러, 일부를 투과하여 출사면의 법선 방향을 향해서 집광하여 출사함으로써, 출사광의 정면 휘도를 상승시키도록 구성했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 입사광의 일부를 후방으로 반사하는 것이면, 다른 것이더라도 무방하다. 또한, 액정 표시 장치를 구성한 경우에, 액정 패널(7)에서 흡수되는 편광 성분만을 반사하고, 나머지의 광을 투과시키는 구성이더라도 좋다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 파장 변환 시트(5)는, 청색의 광을 황색의 광으로 변환하는 형광체막을 설치한 구성으로 했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 청색의 광을 적색의 광으로 변환하는 형광체막과, 청색의 광을 녹색의 광으로 변환하는 형광체막을 갖고 있더라도 좋다. 이 구성에 의하면, 발광 수단인 LED(2)로부터의 청색의 광과, 파장 변환 시트(5)에서 파장 변환된 적색의 광 및 녹색의 광을 혼색시켜 백색광을 생성할 수도 있다.
또한, LED(2)로서, 발광 주파장이 350nm 내지 400nm의 자외광을 발광하는 LED를 이용하고, 그리고 파장 변환 시트(5)로서, 도 17에 나타내는 바와 같이, 자외광의 LED에 의해서 여기되고 또한 적색, 청색, 녹색의 광을 발광하는 특성을 갖는 형광체 R, G, B의 막을 형성한 것을 이용하여, 청색, 녹색, 적색의 혼색에 의해 백색을 실현하는 구성으로 해도 좋다. 이 자외광의 LED를 이용하여 구성하면, 자외광은 백색의 일부로서 이용되지 않기 때문에, 색 얼룩이 LED의 색도 변화의 영향을 받지 않고, 형광체의 여기 효율만이 영향받기 때문에, 색 얼룩이 더 적은 백라이트 장치를 실현할 수 있다.
또한, LED 칩(8)의 광확산층(21)에 관해서는, p형 콘택트층(16)의 일부의 면에, 예컨대, 에칭 등에 의해 랜덤한 요철 구조를 형성하고, 요철 구조의 표면에 SiO2로 이루어지는 층을 형성하여 광확산층(21)으로 해도 좋다.
다음에, 다른 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 18은 다른 실시 형태에 있어서의 직하형 백라이트 장치를 이용한 액정 표시 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
본 실시 형태에 있어서는, 파장 변환 수단으로서, 강도의 극대치를 갖는 각도 근방에 있어서 두께가 두껍게 되도록 구성한 파장 변환 시트(25)를 이용한 것이다.
즉, 도 18에 나타내는 바와 같이, 파장 변환 시트(25)는, LED(2)의 광축상에 있어서의 두께 t1보다도 LED(2)의 광축 외부에서, LED(2)의 강도의 극대치를 갖는 각도 근방에 있어서의 두께 t2 쪽이 두껍게 되도록 구성한 것이다. LED(2)의 광축상에 있어서의 파장 변환 시트(25)의 두께가 t1이며, 광축으로부터 멀어짐에 따라서 그 두께가 얇아진다. 그리고, 색도 변화의 가장 큰 각도에 있어서 그 두께가 t1보다도 두꺼운 t2로 된다. LED(2)의 광축상에 있어서의 두께 t1은, 각 LED(2)에서 일치하며, 파장 변환 시트(25)의 막 두께 변화는 LED(2)의 광축을 중심으로 하여 동심원 형상으로 변화되어 있다.
본 실시 형태에 있어서의 LED(2)에 있어서, 제 1 반사층(17)을 유전체 다층막으로 구성하면, 광의 간섭 효과에 의해서 강화된 파장과 약화된 파장이 존재하고, 또한, LED(2)의 출사각이 상이하면, 도 14에 나타내는 바와 같이 광의 스펙트럼이 상이하게 되어 버려, 형광체의 여기 효율이 저하되므로, 색 얼룩이 발생되어 버린다.
본 실시 형태의 구성으로 하는 것에 의해, LED(2)의 청색의 광의 발광 강도에 대한 황색의 형광체막의 발광 강도를 거의 동등하게 하는 것이 가능해져, 색 얼룩이 적은 백라이트 장치로 할 수 있다.
(산업상의 이용가능성)
이상과 같이 본 발명은, 저렴하고 고 효율의 백라이트 장치를 제공함과 아울러, 액정 표시 장치의 화질을 향상시키는 데에 있어서 유용한 발명이다.
1 : 직하형 백라이트 장치
2 : LED
3 : 반사판
4 : 확산 시트
5, 25 : 파장 변환 시트
6 : 휘도 상승 시트
7 : 액정 패널
8 : LED 칩
9 : LED 패키지
10 : 수지
11 : 기판
12 : n형 콘택트층
13 : n형 클래드층
14 : 발광층
15 : p형 클래드층
16 : p형 콘택트층
17 : 제 1 반사층
17a 내지 17g : 고굴절률층
17h 내지 17m : 저굴절률층
18 : 제 2 반사층
18a : 고반사 금속층
18b : 저굴절률층
18c : 다층막 반사층
19 : n형 전극
20 : p형 전극
21 : 광확산층

Claims (23)

  1. 특정의 색의 광을 발광하는 발광 수단을 구비하되,
    상기 발광 수단은, 투명한 기판상에 설치되고 특정의 파장의 광을 발광하는 발광층과, 상기 발광층에 대하여 광의 출사측에 형성되고 또한 상기 발광층으로부터 발광되는 광을 반사하는 기능을 갖는 제 1 반사층과, 상기 제 1 반사층과의 사이에 상기 발광층을 개재하도록 상기 기판측에 설치한 제 2 반사층을 구비한 발광 다이오드로서, 상기 제 1 반사층 및 제 2 반사층의 사이에 상기 발광층으로부터 발광되는 광을 확산시키는 광확산층을 배치하고, 또한 상기 제 2 반사층은, 반사율이 높은 금속막으로 이루어지는 고반사 금속층과, 굴절률이 1.5 이하의 재료막으로 이루어지는 저굴절률층과, 반사율이 상이한 재료막을 적층한 다층막 반사층에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 백라이트 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 수단으로부터의 광 중의 일부의 광을 투과함과 아울러, 상기 투과한 광과 혼색함으로써 백색의 광으로 되는 특정의 색의 광으로 변환하는 파장 변환 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 백라이트 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 반사층은, 상기 고반사 금속층상에 상기 저굴절률층을 배치하고, 상기 저굴절률층상에 상기 다층막 반사층을 배치한 것을 특징으로 하는 백라이트 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 반사층의 저굴절률층의 막 두께는, 발광 다이오드의 발광 중심 파장(λ)에 대하여 λ/2 이상의 광학막 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 백라이트 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 반사층의 다층막 반사층은, 고굴절률 재료와 저굴절률 재료를 적층하는 것에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 백라이트 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 고굴절률 재료는, 이산화티타늄, 질화규소, 삼산화이탄탈, 오산화니오븀, 이산화지르코늄 중에서 선택된 재료이며, 상기 저굴절률 재료는, 이산화규소인 것을 특징으로 하는 백라이트 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 반사층은, 유전체 다층막으로 구성한 것을 특징으로 하는 백라이트 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 광확산층은, 제 1 반사층과 발광층의 사이에 설치한 것을 특징으로 하는 백라이트 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 반사층의 고반사 금속층은, 알루미늄, 금, 은 중에서 선택된 금속에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 백라이트 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 다이오드의 제 1 반사층은, 출사각이 65도 이상에 투과율의 피크가 존재하도록 구성한 것을 특징으로 하는 백라이트 장치.
  11. 제 2 항에 있어서,
    상기 발광 수단은, 발광 주파장(dominant emission wavelength)이 430nm 내지 480nm의 청색의 광을 발광하는 청색의 발광 다이오드이며, 상기 파장 변환 수단은, 상기 청색의 발광 다이오드에 의해서 여기되고 또한 청색의 광과 혼색함으로써 백색의 광으로 되는 특정색의 광을 발광하는 형광체막을 갖는 것인 백라이트 장치.
  12. 제 2 항에 있어서,
    상기 발광 수단은, 발광 주파장이 350nm 내지 400nm의 자외(紫外)의 광을 발광하는 발광 다이오드이며, 상기 파장 변환 수단은, 상기 자외의 발광 다이오드에 의해서 여기되고 또한 적색, 청색, 녹색의 광을 발광하는 형광체막을 갖는 것인 백라이트 장치.
  13. 특정의 색의 광을 발광하는 발광 수단을 구비한 백라이트 장치와, 상기 백라이트 장치로부터의 출사광을 배면측으로부터 입사하여 화상을 표시하는 액정 패널을 구비한 액정 표시 장치로서,
    상기 발광 수단은, 투명한 기판상에 설치되고 특정의 파장의 광을 발광하는 발광층과, 상기 발광층에 대하여 광의 출사측에 형성되고 또한 상기 발광층으로부터 발광되는 광을 반사하는 기능을 갖는 제 1 반사층과, 상기 제 1 반사층과의 사이에 상기 발광층을 개재하도록 상기 기판측에 설치한 제 2 반사층을 구비한 발광 다이오드로서, 상기 제 1 반사층 및 제 2 반사층의 사이에 상기 발광층으로부터 발광되는 광을 확산시키는 광확산층을 배치하고, 또한 상기 제 2 반사층은, 반사율이 높은 금속막으로 이루어지는 고반사 금속층과, 굴절률이 1.5 이하의 재료막으로 이루어지는 저굴절률층과, 반사율이 상이한 재료막을 적층한 다층막 반사층에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 백라이트 장치는, 상기 발광 수단으로부터 발광되는 광 중 일부의 광을 투과함과 아울러, 상기 투과한 광과 혼색함으로써 백색의 광으로 되는 특정의 색의 광으로 변환하는 파장 변환 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  15. 투명한 기판상에 설치되고 특정의 파장의 광을 발광하는 발광층과, 상기 발광층에 대하여 광의 출사측에 형성되고 또한 상기 발광층으로부터 발광되는 광을 반사하는 기능을 갖는 제 1 반사층과, 상기 제 1 반사층과의 사이에 상기 발광층을 개재하도록 상기 기판측에 설치한 제 2 반사층을 구비한 발광 다이오드로서,
    상기 제 1 반사층 및 제 2 반사층의 사이에 상기 발광층으로부터 발광되는 광을 확산시키는 광확산층을 배치하고, 또한 상기 제 2 반사층은, 반사율이 높은 금속막으로 이루어지는 고반사 금속층과, 굴절률이 1.5 이하의 재료막으로 이루어지는 저굴절률층과, 반사율이 상이한 재료막을 적층한 다층막 반사층에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 2 반사층은, 상기 고반사 금속층상에 상기 저굴절률층을 배치하고, 상기 저굴절률층상에 상기 다층막 반사층을 배치한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 2 반사층의 저굴절률층의 막 두께는, 발광 다이오드의 발광 중심 파장(λ)에 대하여 λ/2 이상의 광학막 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 2 반사층의 다층막 반사층은, 고굴절률 재료와 저굴절률 재료를 적층하는 것에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 고굴절률 재료는, 이산화티타늄, 질화규소, 삼산화이탄탈, 오산화니오븀, 이산화지르코늄 중에서 선택된 재료이며, 상기 저굴절률 재료는, 이산화규소인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  20. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 반사층은, 유전체 다층막으로 구성한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  21. 제 15 항에 있어서,
    상기 광확산층은, 제 1 반사층과 발광층의 사이에 설치한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  22. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 2 반사층의 고반사 금속층은, 알루미늄, 금, 은 중에서 선택된 금속에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  23. 제 15 항에 있어서,
    상기 발광 다이오드의 제 1 반사층은, 상기 발광층으로부터의 광의 주파장에 대해, 출사각이 65도 이상에 투과율의 피크가 존재하도록 구성한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
KR1020127013711A 2010-09-14 2011-09-14 백라이트 장치, 및 그 백라이트 장치를 이용한 액정 표시 장치, 및 그들에 이용하는 발광 다이오드 KR101384052B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-205123 2010-09-14
JP2010205123 2010-09-14
PCT/JP2011/005158 WO2012035760A1 (ja) 2010-09-14 2011-09-14 バックライト装置、およびそのバックライト装置を用いた液晶表示装置、およびそれらに用いる発光ダイオード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120080644A KR20120080644A (ko) 2012-07-17
KR101384052B1 true KR101384052B1 (ko) 2014-04-09

Family

ID=45831246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127013711A KR101384052B1 (ko) 2010-09-14 2011-09-14 백라이트 장치, 및 그 백라이트 장치를 이용한 액정 표시 장치, 및 그들에 이용하는 발광 다이오드

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8860907B2 (ko)
JP (1) JP5877347B2 (ko)
KR (1) KR101384052B1 (ko)
CN (1) CN102640308B (ko)
WO (1) WO2012035760A1 (ko)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014057591A1 (ja) * 2012-10-12 2014-04-17 エルシード株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP2014086533A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Showa Denko Kk 発光ダイオードおよびその製造方法
JP6119490B2 (ja) * 2013-07-31 2017-04-26 ソニー株式会社 光源装置、および表示装置
JP6324683B2 (ja) * 2013-08-09 2018-05-16 日亜化学工業株式会社 直下型光源装置
WO2015092696A1 (en) * 2013-12-19 2015-06-25 Koninklijke Philips N.V. Led module with uniform phosphor illumination
US10031275B2 (en) * 2014-03-20 2018-07-24 Sony Corporation Light-emitting device and display device
KR102182023B1 (ko) * 2014-06-30 2020-11-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
WO2016185805A1 (ja) * 2015-05-15 2016-11-24 ソニー株式会社 発光装置、表示装置および照明装置
CN106322225B (zh) * 2015-06-16 2019-05-10 群创光电股份有限公司 显示装置的背光源
GB201518371D0 (en) * 2015-10-16 2015-12-02 Isis Innovation Optical Device
WO2017191714A1 (ja) * 2016-05-06 2017-11-09 シャープ株式会社 バックライト装置およびそれを備えた表示装置
TWI677116B (zh) * 2017-03-29 2019-11-11 宏齊科技股份有限公司 半導體發光模組及其半導體發光二極體晶片
CN107121841B (zh) * 2017-05-04 2018-09-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种用于背光模组的光转换膜、背光模组及显示设备
CN107065050A (zh) * 2017-06-16 2017-08-18 张岩 非金属镀层平面镜
KR102459728B1 (ko) * 2017-10-20 2022-10-31 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR102451309B1 (ko) * 2017-10-31 2022-10-05 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR102513512B1 (ko) 2017-10-31 2023-03-22 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR102522945B1 (ko) 2017-10-31 2023-04-17 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
CN108134005B (zh) * 2017-12-13 2023-12-22 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管芯片及其制备方法
CN108878616A (zh) * 2018-07-17 2018-11-23 佛山市国星半导体技术有限公司 一种用于背光的倒装led芯片及其制作方法
US11282985B2 (en) 2018-07-17 2022-03-22 Foshan Nationstar Semiconductor Co., Ltd Flip-chip LED chip used in backlight and production method thereof
CN109461376B (zh) * 2018-11-23 2022-12-02 合肥京东方光电科技有限公司 一种背光模组及其制作方法和显示装置
TWI688805B (zh) * 2018-12-14 2020-03-21 友達光電股份有限公司 背光模組
CN110007536A (zh) * 2019-04-01 2019-07-12 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及显示面板
WO2021066329A1 (ko) * 2019-09-30 2021-04-08 삼성전자주식회사 디스플레이 장치, 디스플레이 장치 제조방법 및 백 라이트 유닛
KR20210059553A (ko) * 2019-11-15 2021-05-25 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 그를 포함하는 표시장치
KR20220083909A (ko) * 2020-12-11 2022-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2022188474A1 (zh) * 2021-03-11 2022-09-15 海信视像科技股份有限公司 一种显示装置
CN113253528A (zh) * 2021-05-14 2021-08-13 绵阳惠科光电科技有限公司 阵列基板、反射式显示面板和反射式显示装置
CN116964520A (zh) 2021-06-29 2023-10-27 三星电子株式会社 显示装置
CN113594146A (zh) * 2021-08-26 2021-11-02 华玻视讯(珠海)科技有限公司 一种液晶显示模组的直下式背光灯板的制作方法
EP4328638A1 (en) * 2021-10-27 2024-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and manufacturing method therefor
JP2024075290A (ja) * 2022-11-22 2024-06-03 恵和株式会社 光拡散シート、バックライトユニット、液晶表示装置、及び情報機器
CN116224650A (zh) * 2022-12-15 2023-06-06 安徽立光电子材料股份有限公司 一种用于Mini LED背光模组的光源组件及其制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311973A (ja) * 2003-03-27 2004-11-04 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子および照明装置
KR100752696B1 (ko) * 2006-02-16 2007-08-29 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
JP2007288195A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh 放射線放出体、及び放射線放出体を製造するための方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3260358B2 (ja) * 1990-08-20 2002-02-25 株式会社東芝 半導体発光装置
JP2001007399A (ja) 1999-06-23 2001-01-12 Toshiba Corp 半導体発光素子
CN1666579A (zh) 2002-05-08 2005-09-07 泽奥勒克斯公司 使用反馈增强型发光二极管的照明器件
US7078735B2 (en) 2003-03-27 2006-07-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Light-emitting device and illuminator
JP4604488B2 (ja) * 2003-12-26 2011-01-05 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
TW200419832A (en) * 2004-04-16 2004-10-01 Uni Light Technology Inc Structure for increasing the light-emitting efficiency of a light-emitting device
JP2006286906A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Sony Corp 発光ダイオード装置とこれを用いたバックライト装置及び液晶表示装置
KR20070120510A (ko) 2005-04-01 2007-12-24 소니 가부시끼 가이샤 백 라이트 장치, 액정 표시 장치 및 광 편향 시트
CN101175946A (zh) * 2005-04-01 2008-05-07 索尼株式会社 背光装置、液晶显示装置和光偏转片
JP5048960B2 (ja) * 2006-03-20 2012-10-17 パナソニック株式会社 半導体発光素子
DE102007025092A1 (de) 2007-05-30 2008-12-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
JP2009094199A (ja) * 2007-10-05 2009-04-30 Sharp Corp 発光装置、面光源、表示装置と、その製造方法
JP5186259B2 (ja) * 2008-03-26 2013-04-17 パナソニック株式会社 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置
US7973332B2 (en) 2008-05-26 2011-07-05 Rohm Co., Ltd. Lamp and method of making the same
JP2009289772A (ja) * 2008-05-27 2009-12-10 Rohm Co Ltd Ｌｅｄランプ
JP5617916B2 (ja) * 2010-09-14 2014-11-05 パナソニック株式会社 バックライト装置、およびそのバックライト装置を用いた液晶表示装置、およびそれらに用いる発光ダイオード

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311973A (ja) * 2003-03-27 2004-11-04 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子および照明装置
KR100752696B1 (ko) * 2006-02-16 2007-08-29 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
JP2007288195A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh 放射線放出体、及び放射線放出体を製造するための方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012035760A1 (ja) 2012-03-22
CN102640308A (zh) 2012-08-15
US8860907B2 (en) 2014-10-14
US20120147295A1 (en) 2012-06-14
JPWO2012035760A1 (ja) 2014-01-20
CN102640308B (zh) 2015-05-27
KR20120080644A (ko) 2012-07-17
JP5877347B2 (ja) 2016-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101384052B1 (ko) 백라이트 장치, 및 그 백라이트 장치를 이용한 액정 표시 장치, 및 그들에 이용하는 발광 다이오드
KR101373422B1 (ko) 백라이트 장치, 그 백라이트 장치를 이용한 액정 표시 장치 및 그들에 이용하는 발광 다이오드
JP6831801B2 (ja) 分布ブラッグ反射器を有する発光ダイオードチップ
TWI377320B (ko)
US6833565B2 (en) White-light led with dielectric omni-directional reflectors
US20100277887A1 (en) Polarized white light emitting diode
CN110828699B (zh) 显示面板及电子设备
WO2018120711A1 (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板
US10767833B2 (en) Optical device, method for manufacturing same, and display device
JP2024028434A (ja) 発光ダイオードパッケージ及びそれを有する表示装置
JP7270384B2 (ja) 表示装置
US8152319B2 (en) Backlight module and liquid crystal display
WO2019127728A1 (zh) 用于背光模块的量子点膜、背光模块及液晶显示器
KR20120031581A (ko) 도광판 및 그를 이용한 백라이트 유닛
EP3935423B1 (en) Display optical film and backlight unit
CN116682838A (zh) 显示装置
WO2019144557A1 (zh) 液晶显示装置
KR102242660B1 (ko) 발광 다이오드 소자 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 이의 제조 방법
CN101097974A (zh) 白光发光二极管
US12007646B2 (en) LED display device
CN117976795A (zh) 发光元件、发光器件及显示装置
CN115440130A (zh) 光源模块及显示设备
JP2013135031A (ja) 発光ダイオード
JPWO2020183260A5 (ko)
JP2018036459A (ja) 波長選択素子、光源装置及び表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170221

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180316

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee