KR101378864B1 - Organic Light Emitting Display and Method for Manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판 상에 위치하는 복수의 게이트, 소오스 및 드레인을 덮는 제1보호막을 포함하는 트랜지스터 어레이를 형성하는 단계; 트랜지스터 어레이 상에 색변환부를 형성하는 단계; 트랜지스터 어레이 및 색변환부 상에 코팅막을 형성하고 게이트 및 소오스 또는 드레인이 위치하는 영역과 대응하는 영역에서 코팅막의 여분이 남도록 코팅막을 패턴하는 단계; 코팅막 상에 제2보호막을 형성하고 게이트 및 소오스 또는 드레인이 노출되도록 코팅막과 제2보호막을 일괄 패턴하는 단계; 제2보호막 상에 제1전극을 형성하고 게이트 및 소오스 또는 드레인에 구분되어 연결되도록 제1전극을 패턴하는 단계; 제2보호막 및 제1전극 상에 뱅크층을 형성하고 색변환부가 위치하는 영역과 대응하는 영역에서 제1전극이 노출되도록 뱅크층을 패턴하는 단계; 및 제1전극 상에 유기 발광층을 형성하고 유기 발광층 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법를 제공한다.The present invention provides a method of forming a transistor array including: forming a transistor array including a first passivation layer covering a plurality of gates, sources, and drains on a substrate; Forming a color conversion unit on the transistor array; Forming a coating film on the transistor array and the color conversion part and patterning the coating film so that an excess of the coating film remains in a region corresponding to the region where the gate and the source or the drain are located; Forming a second passivation layer on the coating layer and collectively patterning the coating layer and the second passivation layer to expose the gate and the source or the drain; Forming a first electrode on the second passivation layer and patterning the first electrode to be connected to the gate and the source or the drain separately; Forming a bank layer on the second passivation layer and the first electrode and patterning the bank layer to expose the first electrode in a region corresponding to the region where the color conversion unit is located; And forming an organic light emitting layer on the first electrode and forming a second electrode on the organic light emitting layer.

유기전계발광표시장치, 코팅막, 색변환 Organic light emitting display, coating film, color conversion

Description

유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법{Organic Light Emitting Display and Method for Manufacturing the same}[0001] The present invention relates to an organic light emitting display, and more particularly,

본 발명은 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display and a method of manufacturing the same.

유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 기판 상에 위치하는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자였다.An organic light emitting display device used in an organic light emitting display device is a self-light emitting device having a light emitting layer formed between two electrodes positioned on a substrate.

또한, 유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식 등이 있다. 그리고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어져 있다.In addition, the organic light emitting display device may include a top emission type, a bottom emission type, or a dual emission type depending on a direction in which light is emitted. It is divided into a passive matrix and an active matrix depending on the driving method.

이러한 유기전계발광표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀에 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있다.In the organic light emitting display device, when a scan signal, a data signal, and a power are supplied to a plurality of subpixels arranged in a matrix form, the selected subpixels emit light to display an image.

한편, 유기전계발광표시장치는 서로 다른 색을 발광하는 서브 픽셀의 조합으로 영상을 표현할 수 있는 표시장치 외에 백색을 발광하는 서브 픽셀에 색변환부를 적용하여 색 변환을 하고 변환된 색을 조합하여 영상을 표현할 수 있는 백색 유기 전계발광표시장치에 대한 연구도 계속되고 있다.Meanwhile, the organic light emitting display device converts colors by applying a color converter to a subpixel emitting white color in addition to a display device capable of representing an image by combining subpixels emitting different colors, and converts the converted colors into an image. Research into white organic electroluminescent display devices capable of expressing is continued.

종래, 색변환부가 적용된 백색 유기전계발광표시장치의 경우, 색변환부 상에 형성되는 코팅막의 공정 단차에 의해 전극이 단선되는 현상이 발생하여 특정 서브 픽셀이 영상을 표현할 수 없는 문제가 있어 이의 개선이 요구된다.Conventionally, in the white organic light emitting display device to which the color conversion unit is applied, there is a problem in that the electrode is disconnected due to the process step of the coating film formed on the color conversion unit, so that a specific sub-pixel cannot express an image. Is required.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 색변환부와 코팅막 간의 공정 단차에 의해 전극이 단선되는 문제와 단차가 형성된 영역에서 색변환부의 아웃개싱에 의한 유기물 열화 문제를 해결할 수 있음은 물론 개구율을 확보할 수 있는 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention for solving the above problems of the background art is to solve the problem of disconnection of the electrode by the process step between the color conversion part and the coating film and the problem of deterioration of organic material by the outgassing of the color conversion part in the stepped area. Of course, to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same that can ensure the aperture ratio.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은, 기판 상에 위치하는 복수의 게이트, 소오스 및 드레인을 덮는 제1보호막을 포함하는 트랜지스터 어레이를 형성하는 단계; 트랜지스터 어레이 상에 색변환부를 형성하는 단계; 트랜지스터 어레이 및 색변환부 상에 코팅막을 형성하고 게이트 및 소오스 또는 드레인이 위치하는 영역과 대응하는 영역에서 코팅막의 여분이 남도록 코팅막을 패턴하는 단계; 코팅막 상에 제2보호막을 형성하고 게이트 및 소오스 또는 드레인이 노출되도록 코팅막과 제2보호막을 일괄 패턴하는 단계; 제2보호막 상에 제1전극을 형성하고 게이트 및 소오스 또는 드레인에 구분되어 연결되도록 제1전극을 패턴하는 단계; 제2보호막 및 제1전극 상에 뱅크층을 형성하고 색변환부가 위치하는 영역과 대응하는 영역에서 제1전극이 노출되도록 뱅크층을 패턴하는 단계; 및 제1전극 상에 유기 발광층을 형성하고 유기 발광층 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법를 제공한다.The present invention provides a transistor array including a first passivation layer covering a plurality of gates, sources, and drains on a substrate; Forming a color conversion unit on the transistor array; Forming a coating film on the transistor array and the color conversion part and patterning the coating film so that an excess of the coating film remains in a region corresponding to the region where the gate and the source or the drain are located; Forming a second passivation layer on the coating layer and collectively patterning the coating layer and the second passivation layer to expose the gate and the source or the drain; Forming a first electrode on the second passivation layer and patterning the first electrode to be connected to the gate and the source or the drain separately; Forming a bank layer on the second passivation layer and the first electrode and patterning the bank layer to expose the first electrode in a region corresponding to the region where the color conversion unit is located; And forming an organic light emitting layer on the first electrode and forming a second electrode on the organic light emitting layer.

코팅막 형성단계에서, 코팅막은 색변환부의 상부와 적어도 하나 이상의 측벽 에지를 덮도록 형성할 수 있다.In the coating film forming step, the coating film may be formed to cover the top of the color conversion portion and at least one sidewall edge.

코팅막 형성단계에서, 코팅막의 두께는 1㎛ ~ 4㎛ 범위를 갖도록 형성할 수 있다.In the coating film forming step, the thickness of the coating film may be formed to have a range of 1㎛ ~ 4㎛.

트랜지스터 어레이는, 기판 상에 위치하는 게이트와, 게이트 상에 위치하는 절연막과, 절연막 상에 위치하는 반도체층과, 반도체층에 접촉하는 소오스 및 드레인을 포함할 수 있다.The transistor array may include a gate positioned on the substrate, an insulating layer positioned on the gate, a semiconductor layer positioned on the insulating layer, and a source and a drain contacting the semiconductor layer.

유기 발광층은, 백색을 발광할 수 있다.The organic light emitting layer can emit white light.

유기 발광층은, 적색, 녹색 및 청색을 포함하는 발광층이 스택구조로 적층될 수 있다.In the organic light emitting layer, a light emitting layer including red, green, and blue may be stacked in a stack structure.

한편, 다른 측면에서 본 발명은, 기판 상에 위치하는 게이트, 소오스 및 드레인을 덮는 제1보호막을 포함하는 트랜지스터 어레이; 트랜지스터 어레이 상에 위치하는 색변환부; 트랜지스터 어레이 및 색변환부 상에 위치하는 코팅막; 코팅막 상에 위치하며 게이트 및 소오스 또는 드레인이 노출되도록 위치하는 제2보호막; 제2보호막 상에 위치하며 제2보호막 상에 노출된 게이트 및 상기 소오스 또는 드레인에 구분되어 연결된 제1전극; 제2보호막 및 제1전극 상에 위치하며 색변환부가 위치하는 영역과 대응하는 영역에 제1전극이 노출되도록 위치하는 뱅크층; 제1전극 상에 위치하는 유기 발광층; 및 유기 발광층 상에 위치하는 제2전극을 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.On the other hand, in another aspect, the present invention, a transistor array including a first protective film covering a gate, a source and a drain disposed on a substrate; A color conversion unit positioned on the transistor array; A coating layer on the transistor array and the color conversion unit; A second passivation layer on the coating layer and positioned to expose the gate and the source or the drain; A first electrode disposed on the second passivation layer and separated from the gate and the source or drain exposed on the second passivation layer; A bank layer on the second passivation layer and the first electrode and positioned to expose the first electrode in a region corresponding to the region where the color conversion unit is located; An organic light emitting layer disposed on the first electrode; And a second electrode on the organic light emitting layer.

코팅막은, 색변환부의 상부와 적어도 하나 이상의 측벽 에지를 덮도록 형성 될 수 있다.The coating layer may be formed to cover the top of the color conversion unit and at least one sidewall edge.

코팅막의 두께는 1㎛ ~ 4㎛ 범위를 가질 수 있다.The thickness of the coating film may have a range of 1 μm to 4 μm.

트랜지스터 어레이는, 기판 상에 위치하는 게이트와, 게이트 상에 위치하는 절연막과, 절연막 상에 위치하는 반도체층과, 반도체층에 접촉하는 소오스 및 드레인을 포함할 수 있다.The transistor array may include a gate positioned on the substrate, an insulating layer positioned on the gate, a semiconductor layer positioned on the insulating layer, and a source and a drain contacting the semiconductor layer.

본 발명은, 색변환부와 코팅막 간의 공정 단차에 의해 전극이 단선되는 문제와 단차가 형성된 영역에서 색변환부의 아웃개싱에 의한 유기물 열화 문제를 해결할 수 있음은 물론 개구율을 확보할 수 있는 효과가 있다.The present invention can solve the problem that the electrode is disconnected by the process step between the color conversion unit and the coating film, and the organic deterioration problem due to the outgassing of the color conversion unit in the stepped area, as well as securing the aperture ratio. .

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 공정별 단면도이다.1A to 1H are cross-sectional views schematically illustrating processes of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법은 다음과 같은 공정에 의해 형성될 수 있다.A method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention may be formed by the following process.

먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 위치하는 복수의 게이트(111a, 111b), 소오스 및 드레인(114a, 114b)을 덮는 제1보호막(115)을 포함하는 트랜지스터 어레이를 형성하는 단계를 실시한다.First, as illustrated in FIG. 1A, a transistor array including a plurality of gates 111a and 111b and a first passivation layer 115 covering a source and a drain 114a and 114b on a substrate 110 is formed. To perform the steps.

기판(110)은 소자를 형성하기 위한 부재로 기계적 강도나 치수 안정성이 우수한 것을 선택할 수 있다.The substrate 110 may be selected as a member for forming an element having excellent mechanical strength and dimensional stability.

기판(110)의 재료로는, 유리판, 금속판, 세라믹판 또는 플라스틱판(폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 염화비닐 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 불소수지 등) 등을 예로 들 수 있으나 이에 한정되지 않는다.As a material of the substrate 110, a glass plate, a metal plate, a ceramic plate, or a plastic plate (polycarbonate resin, acrylic resin, vinyl chloride resin, polyethylene terephthalate resin, polyimide resin, polyester resin, Resin, etc.), but are not limited thereto.

기판(110) 상에 위치하는 트랜지스터 어레이는 다음과 같이 형성할 수 있다.The transistor array located on the substrate 110 may be formed as follows.

기판(110) 상에 게이트(111a, 111b)를 형성할 수 있다. 또한, 게이트(111a, 111b)를 포함하는 기판(110) 상에 절연막(112)을 형성할 수 있다. 또한, 절연막(112) 상에 반도체층(113)을 형성할 수 있다. 또한, 반도체층(113)에 접촉하는 소오스(114a) 및 드레인(114b)을 형성할 수 있다. 또한, 소오스(114a) 및 드레인(114b) 등을 덮도록 제1보호막(115)을 형성할 수 있다.Gates 111a and 111b may be formed on the substrate 110. In addition, the insulating layer 112 may be formed on the substrate 110 including the gates 111a and 111b. In addition, the semiconductor layer 113 may be formed on the insulating layer 112. In addition, the source 114a and the drain 114b may be formed in contact with the semiconductor layer 113. In addition, the first passivation layer 115 may be formed to cover the source 114a, the drain 114b, and the like.

트랜지스터 어레이를 형성하는 과정에서, 선택된 게이트(111a)는 노출되도록 절연막(112)을 패턴할 수 있으며, 소오스(114a) 및 드레인(114b)을 형성할 때는 전원배선(114c)을 함께 형성할 수 있다.In the process of forming the transistor array, the insulating layer 112 may be patterned to expose the selected gate 111a, and the power line 114c may be formed together when the source 114a and the drain 114b are formed. .

여기서, 반도체층(113)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 그리고 반도체층(113)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 소오스 영역 및 드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑될 수 있다.Here, the semiconductor layer 113 may include amorphous silicon or polycrystalline silicon crystallized therefrom. The semiconductor layer 113 may include a channel region, a source region, and a drain region, and P-type or N-type impurities may be doped in the source region and the drain region.

여기서, 절연막(112)은 실리콘 산화물(SiO2) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등을 선택적으로 형성할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Here, the insulating layer 112 may selectively form silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), but is not limited thereto.

여기서, 게이트(111a, 111b)는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 티타늄(Ti), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W), 텅스텐 실리사이드(WSi2) 중 어느 하나를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Here, the gates 111a and 111b include aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), titanium (Ti), silver (Ag), molybdenum (Mo), molybdenum alloy (Mo alloy), tungsten (W), tungsten silicide It may include any one of (WSi 2 ), but is not limited thereto.

여기서, 소오스(114a), 드레인(114b) 및 전원배선(114c)은 배선 저항을 낮추기 위해 저저항 물질을 포함할 수 있다. 소오스(114a), 드레인(114b) 및 전원배선(114c)은, 몰리브덴(Mo), 몰리 텅스텐(MoW), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy)으로 이루어진 다층막일 수 있다. 다층막으로는 티타늄/알루미늄/티타늄(Ti/Al/Ti) 또는 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 또는 몰리 텅스텐/알루미늄/몰리 텅스텐(MoW/Al/MoW)의 적층구조가 사용될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Here, the source 114a, the drain 114b, and the power supply wiring 114c may include a low resistance material to lower the wiring resistance. The source 114a, the drain 114b, and the power supply wiring 114c may be a multilayer film made of molybdenum (Mo), molybdenum tungsten (MoW), titanium (Ti), aluminum (Al), or an aluminum alloy (Al alloy). . As the multilayer film, a laminated structure of titanium / aluminum / titanium (Ti / Al / Ti) or molybdenum / aluminum / molybdenum (Mo / Al / Mo) or molybdenum tungsten / aluminum / molly tungsten (MoW / Al / MoW) may be used. It is not limited to this.

여기서, 제1보호막(115)은 유기막 또는 무기막일 수 있으며, 이들의 복합막일 수도 있다. 제1보호막(115)이 무기막인 경우 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 SOG(silicate on glass)일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 반면, 유기막인 경우 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first passivation layer 115 may be an organic layer or an inorganic layer, or may be a composite layer thereof. When the first protective layer 115 is an inorganic layer, the first protective layer 115 may be silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), or SOG (silicate on glass), but is not limited thereto. On the other hand, the organic film may be an acrylic resin, a polyimide resin, or a benzocyclobutene (BCB) resin, but is not limited thereto.

다음, 도 1b에 도시된 바와 같이, 트랜지스터 어레이 상에 색변환부(116)를 형성하는 단계를 실시할 수 있다.Next, as shown in FIG. 1B, the forming of the color converter 116 on the transistor array may be performed.

색변환부(116) 형성시, 게이트(111b)와 전원배선(114c) 사이에 색변환부(116)이 위치하도록 형성할 수 있다. 색변환부(116)는 입사된 광을 적색, 녹색 또는 청색으로 변환할 수 있다.When the color converter 116 is formed, the color converter 116 may be positioned between the gate 111b and the power line 114c. The color converter 116 may convert the incident light into red, green, or blue.

다음, 도 1c에 도시된 바와 같이, 트랜지스터 어레이 및 색변환부(116) 상에 코팅막(117a)을 형성하고 게이트(111a, 111b) 및 소오스(114a) 또는 드레인(114b)이 위치하는 영역과 대응하는 영역에서 코팅막(117a)의 여분이 남도록 코팅막(117a)을 패턴하는 단계를 실시할 수 있다.Next, as illustrated in FIG. 1C, a coating film 117a is formed on the transistor array and the color conversion unit 116 and corresponds to an area where the gates 111a and 111b and the source 114a or the drain 114b are located. The coating film 117a may be patterned so that an excess of the coating film 117a remains in the region.

코팅막(117a)의 재료는 포토아크릴과 같은 수지계를 사용할 수 있으며, 코팅막(117a)은 색변환부(116)보다 두껍게 형성하는 것이 유리하다. 여기서, 코팅막(117a)의 두께는 1㎛ ~ 4㎛ 범위를 갖도록 형성할 수 있다. 코팅막(117a)의 두께를 1㎛ 이상으로 형성하면, 색변환부(116)를 덮을 수 있으며 색변환 특성을 향상시킬 수 있다. 코팅막(117a)의 두께를 4㎛ 이하로 형성하면, 굴절율이 증가하거나 특정 영역의 파장이 길어짐으로 인해 녹색 또는 청색의 색순도가 저하되는 문제를 방지할 수 있다.The material of the coating film 117a may be a resin system such as photoacrylic, and the coating film 117a may be formed thicker than the color conversion part 116. Here, the thickness of the coating film 117a may be formed to have a range of 1㎛ ~ 4㎛. When the thickness of the coating film 117a is formed to be 1 μm or more, the color conversion unit 116 may be covered and color conversion characteristics may be improved. If the thickness of the coating film 117a is formed to be 4 μm or less, a problem in which green or blue color purity is lowered due to an increase in refractive index or a longer wavelength in a specific region can be prevented.

또한, 코팅막(117a) 형성시, 색변환부(116)의 상부와 적어도 하나 이상의 측벽 에지를 덮도록 코팅막(117a)을 형성할 수 있다. 이와 같이 코팅막(117a)을 형성하면, 패턴 공정에 의해 색변환부(116)가 역 페이퍼 형태로 패턴되어 색변환부(116)와 코팅막(117a) 간에 단차가 발생하는 문제를 방지할 수 있다.In addition, when the coating layer 117a is formed, the coating layer 117a may be formed to cover the upper portion of the color conversion unit 116 and at least one sidewall edge. When the coating film 117a is formed in this way, the color conversion part 116 is patterned in a reverse paper form by a pattern process, thereby preventing a problem that a step occurs between the color conversion part 116 and the coating film 117a.

트랜지스터 어레이 및 색변환부(116) 상에 코팅막(117a)을 형성하고 코팅막(117a)을 패턴할 때는 "G1" 및 "G2" 영역과 같이 코팅막(117a)의 여분이 남도록 패턴할 수 있다. "G1" 및 "G2" 영역과 같이, 코팅막(117a)의 여분이 남도록 패턴하면 이후 제2보호막을 형성하고 패턴할 때보다 좁은 영역을 차지하도록 홀을 형성할 수 있다. 이와 같이 홀을 좁게 형성하면 색변환부(116) 상에 형성되는 뱅크층의 개구율이 좁아지는 문제를 방지할 수 있다.When the coating film 117a is formed on the transistor array and the color conversion unit 116 and the coating film 117a is patterned, the coating film 117a may be patterned such that an excess of the coating film 117a remains, such as the regions "G1" and "G2". If the pattern of the coating layer 117a is left to remain, such as the regions "G1" and "G2", a hole may be formed so as to form a second protective layer and occupy a narrower area than when patterning. If the holes are narrowed in this way, it is possible to prevent the problem that the aperture ratio of the bank layer formed on the color conversion unit 116 is narrowed.

여기서, 코팅막(117a)은 무기막 또는 유기막을 이용할 수 있다. 코팅막(117a)의 재료가 무기막인 경우 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 SOG(silicate on glass)일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 반면, 코팅막(117a)의 재료가 유기막인 경우 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Here, the coating film 117a may use an inorganic film or an organic film. When the material of the coating layer 117a is an inorganic layer, the coating layer 117a may be silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), or SOG (silicate on glass), but is not limited thereto. On the other hand, when the material of the coating film 117a is an organic film, it may be an acrylic resin, a polyimide resin, or a benzocyclobutene (BCB) resin, but is not limited thereto.

다음, 도 1d 및 도 1e에 도시된 바와 같이, 코팅막(117a) 상에 제2보호막(117b)을 형성하고 게이트(111a, 111b) 및 소오스(114a) 또는 드레인(114b)이 노출되도록 코팅막(117a)과 제2보호막(117b)을 일괄 패턴하는 단계를 실시할 수 있다.Next, as shown in FIGS. 1D and 1E, the second passivation layer 117b is formed on the coating layer 117a and the coating layer 117a is exposed so that the gates 111a and 111b and the source 114a or the drain 114b are exposed. ) And the second protective film 117b may be collectively performed.

코팅막(117a)과 제2보호막(117b)을 일괄 패턴할 때는 에싱(ashing) 시간을 다소 길게 하여, 도 1d에 도시된 "G1" 및 "G2" 영역이 도 1e에 도시된 "H1" 및 "H2" 영역과 같이 게이트(111a, 111b) 및 소오스(114a) 또는 드레인(114b)이 노출 되도록 패턴할 수 있다.When the coating film 117a and the second protective film 117b are collectively patterned, the ashing time is slightly longer, so that the regions "G1" and "G2" shown in FIG. 1D are "H1" and "shown in FIG. 1E. Like the H2 ″ region, the gates 111a and 111b and the source 114a or the drain 114b may be exposed.

여기서, 제2보호막(117b)은 제1보호막(115)과 같이 유기막 또는 무기막일 수 있으며, 이들의 복합막일 수도 있다. 제2보호막(117b)이 무기막인 경우 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 SOG(silicate on glass)일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 반면, 유기막인 경우 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The second passivation layer 117b may be an organic layer or an inorganic layer, like the first passivation layer 115, or may be a composite layer thereof. When the second protective layer 117b is an inorganic layer, the second protective layer 117b may be silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), or SOG (silicate on glass), but is not limited thereto. On the other hand, the organic film may be an acrylic resin, a polyimide resin, or a benzocyclobutene (BCB) resin, but is not limited thereto.

다음, 도 1f에 도시된 바와 같이, 제2보호막(117b) 상에 제1전극(118)을 형성하고 게이트(111a, 111b) 및 소오스(114a) 또는 드레인(114b)에 구분되어 연결되도록 제1전극(118)을 패턴하는 단계를 실시할 수 있다.Next, as shown in FIG. 1F, the first electrode 118 is formed on the second passivation layer 117b and the first electrode 118 is divided into the gates 111a and 111b and the source 114a or the drain 114b. Patterning the electrode 118 may be performed.

제2보호막(117b) 상에 형성된 제1전극(118)은 애노드 또는 캐소드 일 수 있다. 여기서, 제1전극(118)이 애노드인 경우, 제1전극(118)의 재료는 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명도전층을 포함하거나 ITO/Ag/ITO와 같은 다층구조로 형성될 수도 있다. 반면, 제1전극(118)이 캐소드인 경우, 제1전극(118)의 재료는 마스네슘(Mg), 은(Ag), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first electrode 118 formed on the second passivation layer 117b may be an anode or a cathode. Here, when the first electrode 118 is an anode, the material of the first electrode 118 includes a transparent conductive layer such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) or a multilayer such as ITO / Ag / ITO. It may be formed into a structure. In contrast, when the first electrode 118 is a cathode, the material of the first electrode 118 may include magnesium (Mg), silver (Ag), calcium (Ca), aluminum (Al), or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto.

다음, 도 1g에 도시된 바와 같이, 제2보호막(117b) 및 제1전극(118) 상에 뱅크층(119)을 형성하고 색변환부(116)가 위치하는 영역과 대응하는 영역에서 제1전 극(118)이 노출되도록 뱅크층(119)을 패턴하는 단계를 실시할 수 있다.Next, as shown in FIG. 1G, the bank layer 119 is formed on the second passivation layer 117b and the first electrode 118, and the first layer is formed in the region corresponding to the region where the color conversion unit 116 is located. The bank layer 119 may be patterned to expose the electrode 118.

제2보호막(117b) 및 제1전극(118) 상에 형성된 뱅크층(119)은 서브 픽셀의 개구 영역을 설정할 수 있음은 물론 서브 픽셀과 서브 픽셀 간의 구분을 용이하게 하는 역할 등을 할 수 있다.The bank layer 119 formed on the second passivation layer 117b and the first electrode 118 may not only set an opening area of the subpixel, but also may facilitate a distinction between the subpixel and the subpixel. .

여기서, 뱅크층(119)의 재료로는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Here, the material of the bank layer 119 may include organic materials such as benzocyclobutene (BCB) resin, acrylic resin, or polyimide resin, but is not limited thereto.

다음, 도 1h에 도시된 바와 같이, 제1전극(118) 상에 유기 발광층(120)을 형성하고 유기 발광층(120) 상에 제2전극(121)을 형성하는 단계를 실시할 수 있다.Next, as illustrated in FIG. 1H, an organic emission layer 120 may be formed on the first electrode 118, and a second electrode 121 may be formed on the organic emission layer 120.

제1전극(118) 상에 형성되는 유기 발광층(120)은 백색을 발광할 수 있다. 이때, 유기 발광층(120)은, 적색, 녹색 및 청색을 포함하는 발광층이 스택구조로 적층될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The organic emission layer 120 formed on the first electrode 118 may emit white light. In this case, the organic light emitting layer 120 may include a light emitting layer including red, green, and blue stacked in a stack structure, but is not limited thereto.

여기서, 제2전극(121)은 애노드 또는 캐소드로 선택될 수 있으며, 제1전극(118)이 애노드인 경우, 제2전극(121)은 캐소드로 선택될 수 있다. 그리고 제2전극(121)의 재료는 앞서 설명한 제1전극(118)의 예시를 따를 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Here, the second electrode 121 may be selected as an anode or a cathode, and when the first electrode 118 is an anode, the second electrode 121 may be selected as a cathode. The material of the second electrode 121 may follow the example of the first electrode 118 described above, but is not limited thereto.

이하에서는, 제1전극(118), 유기 발광층(120) 및 제2전극(121)을 포함하는 유기 발광다이오드의 계층별 구조에 대해 더욱 자세히 설명한다.Hereinafter, the hierarchical structure of the organic light emitting diode including the first electrode 118, the organic emission layer 120, and the second electrode 121 will be described in more detail.

도 2는 유기 발광다이오드의 계층별 구조도 이다.2 is a structural diagram of each layer of an organic light emitting diode.

도 2에 도시된 바와 같이, 유기 발광다이오드는 제1전극(118), 유기 발광층(120) 및 제2전극(121)을 포함할 수 있다. 여기서, 유기 발광층(120)의 경우 정공주입층(120a) 및 정공수송층(120b)을 포함하는 하부 공통층과, 발광층(120c)과, 전자수송층(120d) 및 전자주입층(120e)을 포함하는 상부 공통층을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, the organic light emitting diode may include a first electrode 118, an organic light emitting layer 120, and a second electrode 121. Here, the organic light emitting layer 120 includes a lower common layer including a hole injection layer 120a and a hole transport layer 120b, a light emitting layer 120c, an electron transport layer 120d, and an electron injection layer 120e. It may include an upper common layer.

여기서, 발광층(120c)은 적색, 녹색, 청색 및 백색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다.Here, the light emitting layer 120c may be formed of a material emitting red, green, blue, and white light, and may be formed using phosphorescent or fluorescent materials.

발광층(120c)이 적색인 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.When the light emitting layer 120c is red, it includes a host material including CBP (carbazole biphenyl) or mCP (1,3-bis (carbazol-9-yl), and PIQIr (acac) (bis (1-phenylisoquinoline) acetylacetonate Phosphorescent light containing a dopant including any one or more selected from the group consisting of iridium), PQIr (acac) (bis (1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (tris (1-phenylquinoline) iridium) and PtOEP (octaethylporphyrin platinum) It may be made of a material, alternatively may be made of a fluorescent material including PBD: Eu (DBM) 3 (Phen) or perylene, but is not limited thereto.

발광층(120c)이 녹색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.When the light emitting layer 120c is green, it includes a host material including CBP or mCP, and may be made of a phosphor including a dopant material including Ir (ppy) 3 (fac tris (2-phenylpyridine) iridium). Alternatively, the composition may be made of a fluorescent material including Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), but is not limited thereto.

발광층(120c)이 청색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다. When the light emitting layer 120c is blue, the light emitting layer 120c may include a host material including CBP or mCP and may be formed of a phosphor including a dopant material including (4,6-F2ppy) 2Irpic.

이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Alternatively, the fluorescent material may include any one selected from the group consisting of spiro-DPVBi, spiro-6P, distyrylbenzene (DSB), distyrylarylene (DSA), PFO polymer, and PPV polymer. It is not limited.

정공주입층(121a)은 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The hole injection layer 121a may play a role of smoothly injecting holes. CuPc (cupper phthalocyanine), PEDOT (poly (3,4) -ethylenedioxythiophene), PANI (polyaniline), and NPD (N, N-dinaphthyl) -N, N'-diphenyl benzidine) may be composed of any one or more selected from the group consisting of, but is not limited thereto.

앞서 설명한, 정공주입층(121a)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The hole injection layer 121a described above may be formed using an evaporation method or a spin coating method, but is not limited thereto.

정공수송층(121b)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The hole transport layer 121b plays a role of facilitating the transport of holes and includes a hole transporting material such as NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine), TPD (N, N'- , N'-bis- (phenyl) -benzidine), s-TAD and MTDATA (4,4 ', 4 "-tris (N-3-methylphenyl-N-phenylamino) But is not limited thereto.

정공수송층(121b)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The hole transport layer 121b may be formed using an evaporation method or a spin coating method, but is not limited thereto.

전자수송층(121d)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The electron transport layer 121d serves to facilitate the transport of electrons, and may be made of any one or more selected from the group consisting of Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, and SAlq. However, the present invention is not limited thereto.

전자수송층(121d)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있다.The electron transport layer 121d may be formed using an evaporation method or a spin coating method.

전자주입층(121e)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 전자주입층(121e)은 전자주입층을 이루는 유기물과 무기물을 진공증착법으로 형성할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The electron injection layer 121 e may be used to facilitate the injection of electrons and may include Alq 3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq or SAlq. The electron injection layer 121e may form an organic material and an inorganic material constituting the electron injection layer by vacuum deposition, but is not limited thereto.

한편, 정공주입층(121a) 또는 전자주입층(121e)은 무기물을 더 포함할 수 있으며, 무기물은 금속화합물을 더 포함할 수 있다. 금속화합물은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함할 수 있다. 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함하는 금속화합물은 LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The hole injection layer 121a or the electron injection layer 121e may further include an inorganic material, and the inorganic material may further include a metal compound. The metal compound may include an alkali metal or an alkaline earth metal. Metal compound including an alkali metal or alkaline earth metal LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF 2, MgF 2, CaF 2, SrF 2, BaF any one selected from the group consisting of 2 and RaF 2 or more But is not limited thereto.

여기서, 본 발명에 따른 유기 발광다이오드의 계층 구조는 도 2에 한정되는 것은 아니며, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 중 적어도 어느 하나가 생략될 수도 있다.Here, the hierarchical structure of the organic light emitting diode according to the present invention is not limited to FIG. 2, and at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer may be omitted.

한편, 앞서 설명한 서브 픽셀이 백색을 발광하기 위해서는 다음과 같은 구조로 형성될 수 있다.Meanwhile, in order to emit white light, the above-described subpixels may have the following structure.

도 3은 서브 픽셀의 적층 구조도 이다.3 is a diagram illustrating a laminated structure of subpixels.

도 3에 도시된 바와 같이, 서브 픽셀이 백색을 발광하기 위해서는 (a) 또는 (b)의 구조로 발광층이 형성될 수 있다.As shown in FIG. 3, in order for the subpixels to emit white light, the light emitting layer may be formed in the structure of (a) or (b).

(a)의 구조는 유기 발광층이 적색(150)과 녹색(160)을 포함하여 스택 구조로 형성된 것을 일례로 설명한 것이다. 그러나, 유기 발광층은 적색, 녹색, 청색 및 황색 중 두 개를 포함하면 백색을 발광할 수 있다.The structure of (a) is described as an example that the organic light emitting layer has a stack structure including red 150 and green 160. However, when the organic light emitting layer includes two of red, green, blue and yellow, the organic light emitting layer may emit white light.

(b)의 구조는 유기 발광층이 적색(150), 녹색(160) 및 청색(170)을 포함하여 스택 구조로 형성된 것을 일례로 설명한 것이다. 그러나, 유기 발광층은 적색, 녹색, 청색 및 황색 중 세 개를 포함하면 백색을 발광할 수 있다.The structure of (b) is an example in which the organic light emitting layer is formed as a stack structure including red 150, green 160, and blue 170. However, when the organic light emitting layer includes three of red, green, blue, and yellow, the organic light emitting layer may emit white light.

이상 본 발명은 색변환부와 코팅막 간의 공정 단차에 의해 전극이 단선되는 문제를 해결함은 물론 단차가 형성된 영역에서 색변환부의 아웃개싱에 의한 유기물 열화 문제를 해결할 수 있는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공하는 효과가 있다.The present invention solves the problem of disconnection of the electrode due to the step difference between the color conversion unit and the coating layer, as well as the manufacture of an organic light emitting display device that can solve the problem of deterioration of organic matter by the outgassing of the color conversion unit in the stepped area. It has the effect of providing a method.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법에 의해 개선된 구조 및 효과에 대해 개략적으로 설명한다. 단, 설명의 중복을 피하기 위해 도면에 도시된 부호와 이의 설명은 생략한다.Hereinafter, the structure and the effects improved by the method of manufacturing the organic light emitting display device according to the embodiment of the present invention will be described. However, in order to avoid duplication of description, reference numerals and descriptions thereof are omitted.

도 4a 및 도 4b는 공정 개선 효과를 설명하기 위한 비교 도면이다.4A and 4B are comparative views for explaining the process improvement effect.

먼저, 도 4a의 "A"는 색변환부(116) 상에 형성된 코팅막(117a)의 공정 단차에 의해 제1전극(118)에 단선이 발생하는 영역을 나타낸 것이다. 다음, 도 4b의 "B"는 색변환부(116)의 상부와 적어도 하나 이상의 측벽을 모두 덮도록 코팅막(117a)이 형성된 영역을 나타낸 것이다.First, “A” of FIG. 4A illustrates a region where disconnection occurs in the first electrode 118 due to a process step of the coating film 117a formed on the color conversion unit 116. Next, “B” of FIG. 4B illustrates a region in which the coating layer 117a is formed to cover both the top of the color conversion unit 116 and at least one sidewall.

여기서, 코팅막(117a)에 형성된 홀(H2)은 도 1c 내지 도 1e에 설명한 바와 같이 코팅막(117a)의 여분이 남도록 1차 패턴을 실시하고 제2보호막(117b) 패턴시 하부에 위치하는 게이트(미도시) 및 소오스(114a) 또는 드레인(114b)이 노출되도록 일괄적으로 2차 패턴을 실시하여 형성된 것이다.Here, the hole H2 formed in the coating film 117a is subjected to the first pattern so that an excess of the coating film 117a remains as described with reference to FIGS. 1C to 1E, and the gate (H2) formed at the bottom of the second protective film 117b pattern ( Not shown) and formed by performing a secondary pattern collectively so that the source 114a or the drain 114b is exposed.

이와 같이 1차 패턴을 실시하고 2차 패턴을 재차 실시함으로써 콘택 영역인 홀(H2)의 면적을 최소화함으로써 개구율을 확보할 수도 있다.As described above, by performing the primary pattern and performing the secondary pattern again, the aperture ratio can be secured by minimizing the area of the hole H2 as the contact region.

따라서, 본 발명은 전극이 단선되는 문제와 단차가 형성된 영역에서 색변환부의 아웃개싱에 의한 유기물 열화 문제를 해결할 수 있음은 물론 개구율을 확보할 수 있는 효과가 있다.Accordingly, the present invention can solve the problem of disconnection of the electrode and the deterioration of organic matters due to the outgassing of the color conversion unit in the stepped region, as well as securing the aperture ratio.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법에 의해 제조된 유기전계발광표시장치에 대해 설명한다. 단, 설명의 이해를 돕기 위해 앞서 도시한 도 1h를 참조하여 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting display device manufactured by a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention will be described. However, in order to help the understanding of the description will be described with reference to Figure 1h shown above.

도 1h에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 기판(110) 상에 위치하는 게이트(111a, 111b), 소오스(114a), 드레인(114b), 전원배선(114c)을 덮는 제1보호막(115)을 포함하는 트랜지스터 어레이를 포함할 수 있다. 또한, 트랜지스터 어레이 상에 위치하는 색변환부(116)를 포함할 수 있다. 또한, 트랜지스터 어레이 및 색변환부(116) 상에 위치하는 코팅막(117a)을 포함할 수 있다. 또한, 코팅막(117a) 상에 위치하며 게이트(111a, 111b), 소오스(114a) 및 드레인(114b)이 노출되도록 위치하는 제2보호막(117b)을 포함할 수 있다. 또한, 제2보호막(117b) 상에 위치하며 제2보호막(117b) 상에 노출된 게이트(111a, 111b), 소오스(114a) 및 드레인(114b)에 구분되어 연결된 제1전극(118)을 포함할 수 있다. 또한, 제2보호막(117b) 및 제1전극(118) 상에 위치하며 색변환부(116)가 위치하는 영역과 대응하는 영역에 제1전극(118)이 노출되도록 위치하는 뱅크층(119)을 포함할 수 있다. 또한, 제1전극(118) 상에 위치하는 유기 발광층(120)을 포함할 수 있다. 또한, 유기 발광층(120) 상에 위치하는 제2전극(121)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1H, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes gates 111a and 111b, a source 114a, a drain 114b, and a power supply wiring (on a substrate 110). The transistor array may include a first passivation layer 115 covering 114c. In addition, the color conversion unit 116 may be disposed on the transistor array. In addition, the transistor array and the color conversion unit 116 may include a coating film 117a. In addition, the second protective layer 117b may be disposed on the coating layer 117a and positioned to expose the gates 111a and 111b, the source 114a, and the drain 114b. In addition, the first electrode 118 is disposed on the second passivation layer 117b and is connected to the gates 111a and 111b, the source 114a, and the drain 114b exposed on the second passivation layer 117b. can do. In addition, the bank layer 119 disposed on the second passivation layer 117b and the first electrode 118 and positioned to expose the first electrode 118 in a region corresponding to the region where the color conversion unit 116 is located. It may include. In addition, the organic light emitting layer 120 may be disposed on the first electrode 118. In addition, the organic light emitting diode may include a second electrode 121 positioned on the organic emission layer 120.

여기서, 트랜지스터 어레이는, 기판(110) 상에 위치하는 게이트(111a, 111b)와, 게이트(111a, 111b) 상에 위치하는 절연막(112)과, 절연막(112) 상에 위치하는 반도체층(113)과, 반도체층(113)에 접촉하는 소오스(114a) 및 드레인(114b)을 포함할 수 있다.Here, the transistor array includes gates 111a and 111b disposed on the substrate 110, insulating films 112 positioned on the gates 111a and 111b, and semiconductor layers 113 positioned on the insulating films 112. ) And a source 114a and a drain 114b in contact with the semiconductor layer 113.

여기서, 코팅막(117a)의 재료는 포토아크릴과 같은 수지계를 사용할 수 있으며, 코팅막(117a)은 색변환부(116)보다 두껍게 형성하는 것이 유리하다. 코팅막(117a)의 두께는 1㎛ ~ 4㎛ 범위를 갖도록 형성할 수 있다. 코팅막(117a)의 두께를 1㎛ 이상으로 형성하면, 색변환부(116)를 덮을 수 있으며 색변환 특성을 향상시킬 수 있다. 코팅막(117a)의 두께를 4㎛ 이하로 형성하면, 굴절율이 증가하거나 특정 영역의 파장이 길어짐으로 인해 녹색 또는 청색의 색순도가 저하되는 문제를 방지할 수 있다. 또한, 코팅막(117a)은 색변환부(116)의 상부와 적어도 하나 이상의 측벽 에지를 덮도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 색변환부(116)가 역 테이퍼 형상 으로 패턴되어도 제1전극(118)에 단차가 발생하는 문제를 저지할 수 있다.Herein, the material of the coating film 117a may use a resin system such as photoacrylic, and the coating film 117a may be formed thicker than the color conversion part 116. The thickness of the coating film 117a may be formed to have a range of 1 μm to 4 μm. When the thickness of the coating film 117a is formed to be 1 μm or more, the color conversion unit 116 may be covered and color conversion characteristics may be improved. If the thickness of the coating film 117a is formed to be 4 μm or less, a problem in which green or blue color purity is lowered due to an increase in refractive index or a longer wavelength in a specific region can be prevented. In addition, the coating layer 117a may be formed to cover the top of the color conversion unit 116 and at least one sidewall edge. Accordingly, even when the color conversion unit 116 is patterned in an inverse tapered shape, it is possible to prevent a problem that a step occurs in the first electrode 118.

여기서, 색변환부(116)는 일측에 위치하는 게이트(111b)와 전원배선(114c) 사이에 위치하여 유기 발광층(120)으로부터 출사된 백색의 빛을 적색, 녹색 또는 청색으로 변환할 수 있다.Here, the color converter 116 may be disposed between the gate 111b and the power line 114c positioned at one side to convert the white light emitted from the organic light emitting layer 120 into red, green, or blue.

이상, 본 발명은 색변환부와 코팅막 간의 공정 단차에 의해 전극이 단선되는 문제와 단차가 형성된 영역에서 색변환부의 아웃개싱에 의한 유기물 열화 문제를 해결할 수 있음은 물론 개구율을 확보할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention can solve the problem of disconnection of the electrode due to the step difference between the color conversion part and the coating film, and the problem of deterioration of organic matter by the outgassing of the color conversion part in the stepped area, as well as securing the aperture ratio. have.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 공정별 단면도.1A to 1H are cross-sectional views schematically illustrating processes of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 유기 발광다이오드의 계층별 구조도.2 is a structural diagram of each layer of an organic light emitting diode.

도 3은 서브 픽셀의 적층 구조도.3 is a laminated structure diagram of a subpixel;

도 4a 및 도 4b는 공정 개선 효과를 설명하기 위한 비교 도면.4A and 4B are comparative views for explaining the process improvement effect.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

110: 기판 111a, 111b: 게이트110: substrate 111a, 111b: gate

113: 반도체층 115: 제1보호막113: semiconductor layer 115: first protective film

116: 색변환부 117a: 코팅막116: color conversion unit 117a: coating film

117b: 제2보호막 118: 제1전극117b: second protective film 118: first electrode

119: 뱅크층 120: 유기 발광층119: bank layer 120: organic light emitting layer

121: 제2전극121: second electrode

Claims (10)

기판 상에 위치하는 복수의 게이트, 소오스 및 드레인을 덮는 제1보호막을 포함하는 트랜지스터 어레이를 형성하는 단계;Forming a transistor array including a first passivation layer covering a plurality of gates, sources, and drains on the substrate; 상기 트랜지스터 어레이 상에 색변환부를 형성하는 단계;Forming a color conversion unit on the transistor array; 상기 트랜지스터 어레이 및 상기 색변환부 상에 코팅막을 형성하고 상기 게이트 및 상기 소오스 또는 드레인이 위치하는 영역과 대응하는 영역에서 상기 코팅막의 여분이 남도록 상기 코팅막을 패턴하는 단계;Forming a coating film on the transistor array and the color conversion part and patterning the coating film so that an excess of the coating film remains in a region corresponding to a region where the gate and the source or drain are located; 상기 코팅막 상에 제2보호막을 형성하고 상기 게이트 및 상기 소오스 또는 드레인이 노출되도록 상기 코팅막과 상기 제2보호막을 일괄 패턴하는 단계;Forming a second protective film on the coating film and collectively patterning the coating film and the second protective film to expose the gate and the source or drain; 상기 제2보호막 상에 제1전극을 형성하고 상기 게이트 및 상기 소오스 또는 드레인에 구분되어 연결되도록 상기 제1전극을 패턴하는 단계;Forming a first electrode on the second passivation layer and patterning the first electrode to be separately connected to the gate and the source or drain; 상기 제2보호막 및 상기 제1전극 상에 뱅크층을 형성하고 상기 색변환부가 위치하는 영역과 대응하는 영역에서 상기 제1전극이 노출되도록 상기 뱅크층을 패턴하는 단계; 및Forming a bank layer on the second passivation layer and the first electrode and patterning the bank layer to expose the first electrode in a region corresponding to a region where the color conversion unit is located; And 상기 제1전극 상에 유기 발광층을 형성하고 상기 유기 발광층 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1전극은 홀을 통하여 상기 소오스 또는 상기 드레인에 연결되고, 상기 홀에서 상기 코팅막은 상기 색변환부의 상부와 적어도 하나 이상의 측벽 에지를 덮도록 형성하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.Forming an organic light emitting layer on the first electrode and forming a second electrode on the organic light emitting layer, wherein the first electrode is connected to the source or the drain through a hole; A method of manufacturing an organic light emitting display device to cover an upper portion of the color conversion unit and at least one sidewall edge. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 코팅막 형성단계에서,In the coating film forming step, 상기 코팅막의 두께는 1㎛ ~ 4㎛ 범위를 갖도록 형성하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.The thickness of the coating film is a manufacturing method of an organic light emitting display device formed to have a range of 1㎛ ~ 4㎛. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 4 has been abandoned due to the setting registration fee. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 트랜지스터 어레이는,The transistor array, 상기 기판 상에 위치하는 상기 게이트와, 상기 게이트 상에 위치하는 절연막과, 상기 절연막 상에 위치하는 반도체층과, 상기 반도체층에 접촉하는 상기 소오스 및 드레인을 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.A method for manufacturing an organic light emitting display device, comprising: the gate located on the substrate, an insulating film located on the gate, a semiconductor layer located on the insulating film, and the source and drain contacting the semiconductor layer. . 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기 발광층은,The organic light- 백색을 발광하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.A method of manufacturing an organic light emitting display device emitting white light. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기 발광층은,The organic light- 적색, 녹색 및 청색을 포함하는 발광층이 스택구조로 적층된 유기전계발광표시장치의 제조방법.A method of manufacturing an organic light emitting display device in which a light emitting layer including red, green, and blue layers is stacked in a stack structure. 기판 상에 위치하는 게이트, 소오스 및 드레인을 덮는 제1보호막을 포함하는 트랜지스터 어레이;A transistor array including a first passivation layer covering a gate, a source, and a drain on the substrate; 상기 트랜지스터 어레이 상에 위치하는 색변환부;A color converter positioned on the transistor array; 상기 트랜지스터 어레이 및 상기 색변환부 상에 위치하는 코팅막;A coating layer on the transistor array and the color conversion unit; 상기 코팅막 상에 위치하며 상기 게이트 및 상기 소오스 또는 드레인이 노출되도록 위치하는 제2보호막;A second passivation layer on the coating layer and positioned to expose the gate and the source or drain; 상기 제2보호막 상에 위치하며 상기 제2보호막 상에 노출된 상기 게이트 및 상기 소오스 또는 드레인에 구분되어 연결된 제1전극;A first electrode disposed on the second passivation layer and separately connected to the gate and the source or drain exposed on the second passivation layer; 상기 제2보호막 및 상기 제1전극 상에 위치하며 상기 색변환부가 위치하는 영역과 대응하는 영역에 상기 제1전극이 노출되도록 위치하는 뱅크층;A bank layer on the second passivation layer and the first electrode and positioned to expose the first electrode in an area corresponding to an area in which the color conversion unit is located; 상기 제1전극 상에 위치하는 유기 발광층; 및An organic light emitting layer disposed on the first electrode; And 상기 유기 발광층 상에 위치하는 제2전극을 포함하고, 상기 제1전극은 홀을 통하여 상기 소오스 또는 상기 드레인에 연결되고, 상기 홀에서 상기 코팅막은 상기 색변환부의 상부와 적어도 하나 이상의 측벽 에지를 덮도록 형성하는 유기전계발광표시장치.A second electrode on the organic light emitting layer, wherein the first electrode is connected to the source or the drain through a hole, in which the coating layer covers an upper portion of the color conversion part and at least one sidewall edge; An organic light emitting display device is formed so that. 삭제delete 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 코팅막의 두께는,The thickness of the coating film, 1㎛ ~ 4㎛ 범위를 갖는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device having a range of 1 μm to 4 μm. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 10 has been abandoned due to the setting registration fee. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 트랜지스터 어레이는,The transistor array, 상기 기판 상에 위치하는 상기 게이트와, 상기 게이트 상에 위치하는 절연막과, 상기 절연막 상에 위치하는 반도체층과, 상기 반도체층에 접촉하는 상기 소오스 및 드레인을 포함하는 유기전계발광표시장치.And a gate disposed on the substrate, an insulating layer disposed on the gate, a semiconductor layer disposed on the insulating layer, and the source and drain in contact with the semiconductor layer.
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