KR101373370B1 - 유기발광다이오드소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기발광다이오드 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 유기발광다이오드 소자는 제 1 전하수송층 및 유기발광층사이에 보조발광층을 더 구비하여, 보조발광층과 유기발광층의 계면으로 주된 발광영역을 이동시킴으로써, 유기발광다이오드 소자의 발광효율 및 수명을 향상시킬뿐만 아니라 색좌표를 향상시킬 수 있었다.
발광 효율, 수명, 색좌표, 보조 발광층, 호스트

Description

유기발광다이오드소자 및 이의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 소자를 도시한 단면도이다.
도 2는 제 1 실험예에 따른 유기발광다이오드 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 제 1 실험예에 따른 제조 방법을 통해 제조된 여러 유기발광다이오드 소자들 중 도핑층의 형성위치를 나타낸 유기발광층의 단면도들이다.
도 4는 유기발광층내에서 도핑층의 위치를 변경한 유기발광다이오드 소자들의 발광 효율들을 나타낸 도면이다.
도 5는 제 2 내지 제 4 실험예 및 비교예에 따라 제조된 유기발광다이오드 소자의 발광 스펙트럼을 나타낸 도면이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
100 : 기판 110 : 제 1 전극
120 : 제 1 전하주입층 130 : 제 1 전하수송층
140 : 보조 발광층 150 : 유기발광층
160 : 제 2 전하수송층 170 : 제 2 전하주입층
180 : 제 2 전극
본 발명은 유기발광다이오드 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로 특성을 향상시킬 수 있는 유기발광다이오드 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 표시장치의 대형화에 따라 공간 점유가 적은 평면표시소자의 요구가 증대되고 있는데, 이러한 평면표시소자 중 하나로서 유기발광다이오드 소자의 기술이 빠른 속도로 발전하고 있다.
유기발광다이오드 소자는 기본적으로 양극 및 음극사이에 유기발광층이 개재되어 있다. 이때, 유기발광다이드 소자에 순방향의 전압을 가하면 양극과 음극에서 유기발광층으로 각각 정공과 전자가 주입된다. 유기발광층에서 주입된 정공과 전자는 재결합하여 높은 에너지를 갖는 여기자(exciton)를 형성하고, 상기 여기자가 기저상태(즉,낮은 에너지)상태로 떨어지면서 광을 발생한다.
따라서, 유기발광다이오드 소자는 액정표시장치와 달리 백라이트가 필요없이 자체적으로 광을 발생하여 사용자에게 영상을 제공한다. 이로써, 유기발광다이오드는 경량 박형으로 제조할 수 있으며, 제조 단가를 낮출 수 있다. 또한, 유기발광다 이오드 소자는 플렉서블 디스플레이에 적용할 수 있다.
그러나, 유기발광다이오드 소자는 상기 액정표시장치에 비해 낮은 발광 효율, 짧은 수명 및 낮은 색좌표와 같은 개선해야 할 점이 많다.
본 발명의 목적은 발광 효율, 수명 및 색좌표를 동시에 향상시킬 수 있는 유기 발광다이오드 소자를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 유기발광다이오드 소자의 제조 방법을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 유기 발광다이오드 소자를 제공한다. 유기 발광다이오드 소자는 제 1 전극, 상기 제 1 전극상에 배치된 제 1 전하 주입층, 상기 제 1 전하 주입층상에 배치된 제 1 전하 수송층, 상기 제 1 전하 수송층상에 배치된 보조 발광층, 상기 보조발광층상에 배치되며 상기 보조발광층보다 발광 효율이 큰 유기발광층 및 상기 유기발광층상에 배치된 제 2 전극을 포함한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면은 유기 발광다이오드 소자의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법은 제 1 전극을 기판상에 형성하는 단계, 상기 제 1 전극상에 제 1 전하주입층을 형성하는 단계, 상기 제 1 전하 주입층상에 제 1 전하수송층을 형성하는 단계, 상기 제 1 전하수송층상에 보조 발광층을 형성하는 단계, 상기 보조발광층상에 상기 보조발광층보다 발광 효율이 큰 유기발광층을 형성하는 단계 및 상기 유기발광층상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
이하, 본 발명에 의한 유기 발광다이오드 소자의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 소자를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 유기발광다이오드 소자는 제 1 전극(110), 제 2 전극(180) 및 제 1 및 제 2 전극사이에 개재된 유기발광층(150)을 포함한다.
제 1 전극(110)은 양극이고 제 2 전극(180)은 음극일 수 있다. 이로써, 제 1 전극(110)은 제 2 전극(180)에 비해 일함수가 높은 도전물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 제 1 전극(110)은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide;ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide;IZO)로 이루어질 수 있다. 제 2 전극(180)은 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 은(Ag)등으로 이루어질 수 있다.
유기발광층(150)은 제 1 전극(110) 및 제 2 전극(120)으로부터 각각 제공받 은 제 1 및 제 2 전하가 재결합하여 형성된 여기자가 기저 상태로 떨어지면서 제 1 광을 방출한다.
유기발광층(150)은 호스트 및 도판트의 혼합물질로 이루어질 수 있다. 이때, 제 1 및 제 2 전하의 재결합이 상기 호스트 분자에서 발생하여 상기 호스트가 먼저 여기상태가 되고, 상기 여기 상태의 에너지가 상기 도판트 분자로 전이된다. 이로써, 상기 도판트 분자는 여기 상태가 된 후에 안정한 기저상태로 떨어지면서 광을 발생한다. 즉, 호스트는 도판트가 발광할 수 있도록 에너지를 전이함에 따라, 호스트보다 높은 발광효율을 갖는 도판트가 발광하게 되어, 결국 발광효율을 향상시킬 수 있다.
유기발광층(150)은 상기 호스트 및 상기 도판트의 재료에 따라 청색, 녹색 및 청색등과 같이 여러 색상으로 발광할 수 있다. 예를 들면, 유기발광층(150)이 청색으로 발광할 경우, 상기 도판트는 2,5,8,11-테트라-3-부틸페릴렌일 수 있다. 또한, 상기 호스트는 상기 도판트의 고유의 색상을 침범하지 않는 물질들로 이루어질 수 있다. 따라서, 상기 호스트는 4,4'-비스(2,2-다이페닐-에텐-1-일)-다이 페닐(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-diphenyl;DPVBi), 스피로-DPVBi, DPVBi 유도체등일 수 있다.
또한, 유기발광층(150)이 녹색으로 발광할 경우, 상기 도판트는 퀴나크리돈(quinaacridone) 또는 쿠마린(coumarin)등일 수 있다. 또한, 상기 호스트는 알루미늄 트리스(8-하이드록시퀴롤린)(Aluminum tris(8-hydroxyquinoline;Alq3)일 수 있다.
또한, 유기발광층(150)이 적색으로 발광할 경우, 상기 도판트는 2-메틸-6-(2-(2,3,6,7,테트라 하드로-1H,5H-벤조 퀴놀리진-9-일)에테닐)-4H-피란-4-일리덴)프로판-다니트릴)(2-metyle-6-(20(2,3,6,7-tetrahydro-1H, 5H-benzo quinolizin-9-yl)ethenyl)-4H-pyran-4-ylidene)propane-dinitrile;DCM2) 또는 루브렌(Rubrene)등일 수 있다. 상기 호스트 물질은 (N,N-비스(나프탈렌-1-일)페닐-N,N'-비스(페닐)벤지디인(N,N'-bis(naphthanlen-1-yl-phenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine;NPB)일 수 있다.
이때, 제 1 전극(110)과 유기발광층(150)사이에 제 1 전하주입층(120) 및 제 1 전하수송층(130)을 더 개재한다. 여기서, 제 1 전하주입층(120)은 제 1 전극(110)으로부터 제 1 전하를 용이하게 방출하여 제 1 전하수송층(130)으로 제공하는 역할을 한다. 이때, 제 1 전하주입층(120)은 제 1 전극(110)으로 정공을 용이하게 방출하기 위해, 제 1 전하주입층(120)은 제 1 전극(110)와의 일함수 차이가 작은 물질로 이루어진다. 이때, 제 1 전하주입층(120)을 형성하는 물질의 예로서는 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐-N-페닐아미노)트리페닐아민)(4,4',4"-tris(3-methylphenyl-N-phenylamino)triphenylamine;m-MTDATA) 또는 구리 프탈로시아닌(CuPc)등으로 이루어질 수 있다.
또한, 제 1 전하수송층(130)은 제 1 전극(110)에서 제공된 제 1 전하를 유기발광층(150)으로 수송하는 역할을 한다. 제 1 전하수송층(130)을 형성하는 물질의 예로서는 N,N-비스(나프탈렌-1-일)페닐-N,N-비스(페닐)벤지딘(N,N'-bis(naphthalen-1-ul)phenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine;NPB)등의 벤지지딘 유도 체등으로 이루어질 수 있다.
이로써, 제 1 전하가 유기발광층(150)으로 원활하게 제공되어 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
그러나, 유기발광다이오드 소자의 발광 효율을 향상시킴에 한계가 있었으며, 또한 색순도 및 수명이 저하되는 문제점이 있었다.
이와 같은 문제점은 실험예 1을 통하여 원인을 파악할 수 있었다.
실험예 1
도 2는 제 1 실험예에 따른 유기발광다이오드 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 유기발광다이오드 소자는 기본적으로 기판(200)상에 양극(210), 정공주입층(220), 정공수송층(230), 유기발광층(240), 전자수송층(250), 전자주입층(260) 및 음극(270)을 순차적으로 형성하였다.
이때, 유기발광층(240)을 형성하기 위해, 먼저 정공수송층(230)상에 250Å의 두께로 호스트를 증착한다. 이후, 상기 호스트 중 일부 영역에 도판트를 도핑하여 도핑층(240b)을 형성한다. 여기서, 도핑층(240b)은 120Å의 두께로 형성하였다. 따라서, 유기발광층(240)은 호스트층(240b)과 도핑층(240a)으로 구분된다.
도 3은 제 1 실험예에 따른 제조 방법을 통해 제조된 여러 유기발광다이오드 소자들 중 도핑층의 형성위치를 나타낸 유기발광층의 단면도들이다.
도 3에서와 같이, 정공수송층(230) 및 유기발광층(240)의 계면(300)을 기준으로 한다. 이때, 유기발광층(240)의 두께는 250Å으로 형성되었다.
즉, 제 1 유기발광다이오드 소자(a)의 유기발광층은 도핑층(240a)으로만 형성된다. 제 2 유기발광다이오드 소자(b)는 정공수송층(230) 및 유기발광층(240)의 계면(300)에서부터 도핑층(240a)이 형성되고, 상기 도핑층(240a)상에 호스트층(240b)이 형성된다. 제 3 내지 제 5 유기발광다이오드 소자(c, d, e)는 유기발광층 중 상기 계면(300)으로부터 각각 40Å, 80Å, 120Å의 간격을 두고 도핑층(240a)이 형성된다.
도 4는 유기발광층내에서 도핑층의 위치를 변경한 유기발광다이오드 소자들의 발광 효율들을 나타낸 도면이다.
도 4에서와 같이, 도핑층이 정공수송층과 유기발광층의 계면에서 멀어질 수록 발광효율이 저하되는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 제 1 유기발광다이오드 소자(a) 및 제 2 유기발광다이오드 소자(b)의 발광 효율을 비교해보면, 정공수송층과 유기발광층의 계면에서 전체 발광 중 약 70%가 발광하는 것을 확인할 수 있었다.
이는 정공수송층(230)과 유기발광층(240)의 계면에서 주로 제 1 전하 및 제 2 전하가 재결합되면서 광이 발생되기 때문이다. 이때 정공수송층(230)과 유기발광층(240)의 계면에서 유기발광층(240)에서의 여기 에너지가 정공수송층(230)으로 전이되어 정공수송층(230)이 발광하게 되어 발광 효율 및 색좌표가 저하될 수 있으며, 이와 더불어 정공수송층(150)이 열화되어 유기발광다이오드 소자의 수명을 단축시킬 수 있다.
따라서, 실험예 1을 통해, 정공수송층(230)과 유기발광층(240)의 계면에서 주로 제 1 전하 및 제 2 전하가 재결합되어 광이 발생되기 때문에 발광효율, 색좌 표 및 수명이 저하되는 것을 확인할 수 있었다.
이로써, 도 1에서와 같이, 제 1 전하수송층(130)과 유기발광층(150)사이에 유기발광층(150)에 비해 발광 효율이 작은 보조 발광층(140)을 개재한다. 이로써, 제 1 전하수송층(130)과 보조 발광층(140)의 계면에서는 발광을 최소화시킴에 따라, 제 1 전하수송층(130)이 발광하는 것을 감소시킬 수 있다.
이때, 보조 발광층(140)은 색순도를 감소시키지 않기 위해 유기발광층(150)과 동일한 색상의 광을 방출해야 한다. 또한, 보조 발광층(140)은 유기발광층(150)과의 계면 안정성이 뛰어난 물질로 선택되어야 한다. 보조 발광층(140)은 유기발광층(150)을 이루는 상기 호스트 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
예를 들면, 유기발광층(150)이 청색으로 발광할 경우, 보조 발광층(140)의 형성물질은 4,4'-비스(2,2-다이페닐-에텐-1-일)-다이 페닐(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-diphenyl;DPVBi), 스피로-DPVBi, DPVBi 유도체등일 수 있다. 또한, 유기발광층(150)이 녹색으로 발광할 경우, 보조 발광층(140)의 형성물질은 알루미늄 트리스(8-하이드록시퀴롤린)(Aluminum tris(8-hydroxyquinoline;Alq3)일 수 있다. 또한, 유기발광층(150)이 적색으로 발광할 경우, 보조 발광층(140)의 형성물질은 (N,N-비스(나프탈렌-1-일)페닐-N,N'-비스(페닐)벤지디인(N,N'-bis(naphthanlen-1-yl-phenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine;NPB)일 수 있다.
보조 발광층(140)의 두께는 유기발광층(150) 두께의 1/2 이하일 수 있다. 이는 보조 발광층(140)의 두께가 유기발광층(150) 두께의 1/2이상일 경우, 발광효율이 급격하게 저하되기 때문이다.
이때, 보조발광층(140)과 유기발광층(150)의 두께는 100 내지 500Å으로 형성된다. 여기서, 100Å이하로 형성할 경우에는 소자의 안정성이 저하되고, 반면 500Å이상으로 형성할 경우에는 구동전압이 문제가 되기 때문이다. 그러므로, 보조 발광층(140)의 두께는 50 내지 250Å로 형성할 수 있다.
이에 더하여, 유기발광다이오드 소자는 유기발광층(150) 및 제 2 전극(180)사이에 개재되는 제 2 전하수송층(160) 및 제 2 전하 주입층(170)을 더 포함할 수 있다. 여기서, 제 2 전하 주입층(170)은 제 2 전극(180)으로부터 제 2 전하를 용이하게 방출하여 제 2 전하수송층(160)에 제공한다. 제 2 전하 주입층(170)을 형성하는 물질의 예로서는 리듐플로라이드(LiF)등으로 이루어질 수 있다. 제 2 전하 수송층(160)은 상기 제 2 전하를 원활하게 유기 발광층(150)으로 수송하는 역할을 한다. 제 2 전하 수송층(160)을 형성하는 물질의 예로서는 (2-(4-바이페닐)-5-(4-터트-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸)(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole;PBD) 또는 알루미늄 트리스(8-하이드록시퀴롤린)(Aluminum tris(8-hydroxyquinoline;Alq3)등일 수 있다.
이하, 하기의 실험예 2 내지 4에서는 보조 발광층의 두께에 대한 유기발광다이오드 소자의 색좌표 특성을 검토하기 위해 상기 도 1 과 같은 형태의 유기발광다이오드 소자를 제작하였다.
실험예 2
기판(100)상에 ITO를 증착하여 양극(110)을 형성하였다. 여기서, 양극(110)은 스퍼터링법을 이용하여 형성할 수 있었다. 이후, 양극(110)상에 정공 주입 층(120)을 형성하였다. 정공 주입층(120)은 m-MTDATA를 진공증착하여 형성하였다. 이후, 정공 주입층(120)상에 정공 수송층(130)을 형성하였다. 정공 수송층(130)은 NPB를 진공증착하여 형성하였다. 이후, 정공 수송층(130)상에 보조발광층(140)을 형성하였다. 보조발광층(140)은 4,4'-비스(2,2-다이페닐-에텐-1-일)-다이 페닐(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-diphenyl;DPVBi)를 진공증착하여 형성하였다. 여기서, 보조발광층(140)은 40Å의 두께로 형성하였다. 이후, 보조발광층(140)상에 청색 호스트인 DPVBi와 청색 도판트인 2,5,8,11-테트라-3-부틸페릴렌을 공증착하여 유기발광층(150)을 형성하였다. 이때, 도판트의 도핑량은 호스트의 중량대비 9%였다. 이때, 유기발광층(150)은 250Å의 두께로 형성하였다. 이후, 유기발광층(150)상에 전자 수송층(160)을 형성하였다. 전자 수송층(160)은 Alq3를 진공증착하여 형성하였다. 이후, 전자 수송층(160)상에 전자 주입층(170)을 형성하였다. 전자 주입층(170)은 LiF를 진공증착하여 형성하였다. 이후, 전자 주입층(170)상에 음극(180)을 형성하였다. 음극(180)은 Al을 진공증착하여 유기발광다이오드 소자를 완성하였다.
실험예 3
제 3 실험예에서는 보조발광층의 두께를 제외하고, 제 2 실험예와 동일한 재료 및 제조방법을 통해 유기발광다이오드 소자를 완성하였다.
이때, 보조 발광층(140)은 80Å으로 형성하였다.
실험예 4
제 4 실험예에서는 보조발광층의 두께를 제외하고, 제 2 실험예와 동일한 재 료 및 제조방법을 통해 유기발광다이오드 소자를 완성하였다.
이때, 보조 발광층(140)은 120Å으로 형성하였다.
비교예
비교예에서는 보조발광층을 형성하지 않는 것을 제외하고, 제 2 실험예와 동일한 재료 및 제조방법을 통해 유기발광다이오드 소자를 완성하였다.
도 5는 제 2 내지 제 4 실험예 및 비교예에 따라 제조된 유기발광다이오드 소자의 발광 스펙트럼을 나타낸 도면이다.
도 5에서와 같이, 보조 발광층(140)의 두께가 증가할수록 발광 피크가 단파장으로 쉬프트하여, 색좌표가 향상되는 것을 확인할 수 있었다.
종래에는 정공수송층 및 유기발광층간의 계면에서 광이 발생하여 색좌표를 저하시켰으나, 본 실시예에서는 발광영역대가 보조발광층과 유기발광층간의 계면으로 이동하기 때문에 호스트로 이루어진 보조발광층에서 광이 발생되어 색재현율을 향상시킬 수 있다. 이는 호스트는 도판트에 비해 색 재현율이 뛰어나기 때문이다.
따라서, 본 발명의 실시예에서 제 1 전하수송층 및 유기발광층사이에 호스트 물질로 이루어진 보조 발광층을 더 구비하여, 보조발광층과 유기발광층의 계면으로 주된 발광영역을 이동시켰다. 이로써, 유기발광다이오드 소자의 발광효율 및 수명을 향상시킬뿐만 아니라 색좌표를 향상시킬 수 있었다.
상기에서는 본 발명의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해 할 수 있을 것이다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따르는 유기발광다이오드 소자는 제 1 전하수송층 및 유기발광층사이에 보조발광층을 구비하여, 보조발광층과 유기발광층의 계면으로 주된 발광영역을 이동시킴으로써, 유기발광다이오드 소자의 발광효율 및 수명을 향상시킬뿐만 아니라 색좌표를 향상시킬 수 있었다.

Claims (13)

  1. 제 1 전극;
    상기 제 1 전극상에 배치된 제 1 전하 주입층;
    상기 제 1 전하 주입층상에 배치된 제 1 전하 수송층;
    상기 제 1 전하 수송층상에 배치된 보조 발광층;
    상기 보조발광층상에 배치되며 상기 보조발광층보다 발광 효율이 큰 유기발광층; 및
    상기 유기발광층상에 배치된 제 2 전극을 포함하며,
    상기 보조 발광층은 상기 유기발광층을 이루는 호스트 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기발광층은 도판트 및 호스트의 혼합물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조 발광층은 상기 유기발광층과 동일한 색상으로 발광하는 발광물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조 발광층은 4,4'-비스(2,2-다이페닐-에텐-1-일)-다이 페닐(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-diphenyl;DPVBi), 스피로-DPVBi, DPVBi 유도체, 알루미늄 트리스(8-하이드록시퀴롤린)(Aluminum tris(8-hydroxyquinoline;Alq3) 및 (N,N-비스(나프탈렌-1-일)페닐-N,N'-비스(페닐)벤지디인(N,N'-bis(naphthanlen-1-yl-phenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine;NPB)중에서 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조 발광층의 두께는 상기 유기발광층 두께의 1/2 이하로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 보조 발광층의 두께는 50 내지 250Å인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 전극 및 상기 유기발광층사이에 개재되는 제 2 전하 수송층 및 제 2 전하 주입층 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자.
  9. 제 1 전극을 기판상에 형성하는 단계;
    상기 제 1 전극상에 제 1 전하주입층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 전하주입층상에 제 1 전하수송층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 전하수송층상에 보조 발광층을 형성하는 단계;
    상기 보조발광층상에 상기 보조발광층보다 발광 효율이 큰 유기발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기발광층상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 보조 발광층은 상기 유기발광층을 형성하기 위한 호스트 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 유기발광층은 도판트 및 호스트를 공증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자의 제조 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 보조 발광층은 상기 유기발광층과 동일한 색상으로 발광하는 발광물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자의 제조 방법.
  12. 삭제
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 유기발광층을 형성하는 단계 및 상기 제 2 전극을 형성하는 단계사이에는 상기 유기발광층상에 제 2 전하 수송층을 형성하는 단계; 및
    상기 제 2 전하 수송층상에 제 2 전하 주입층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자의 제조 방법.
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