KR101372359B1 - 스퍼터링 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 스퍼터링 장치 관한 것으로서, 챔버; 상기 챔버 내부에 배치되는 스퍼터링 타겟; 피처리체가 안착되는 안착 플레이트와, 상기 안착 플레이트에 안착된 상기 피처리체를 가열하는 가열 플레이트를 갖는 피처리체 지지부; 및 상기 피처리체가 안착되는 제1 회동 위치와 상기 스퍼터링 타겟과 대향하게 배치되는 제2 회동 위치로 상기 피처리체 지지부를 회동시키는 회동 이동 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 스퍼터링 공정의 진행시 스퍼터링 타겟과 피처리체가 모두 수직 방향으로 세워진 상태로 반응하게 되어, 박막 형성에 영향을 미치는 파티클들은 챔버 바닥면으로 떨어져 피처리체에 영향을 미치지 않게 된다.
Description
본 발명은 스퍼터링 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 피처리체가 스퍼터링 타겟의 판면 방향으로 수평 이동하는 구조를 갖는 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
일반적으로 스퍼터링(Sputtering) 공정은 반도체 직접회로, LCD(Liquid Crystal Display), 태양 전지 등을 구성하는 도체나 부도체의 소재로 박막을 증착하는 주된 방법으로 널리 사용되고 있다. 특히, 대면적의 박막을 증착하기 위한 평면 마그네트론 스퍼터링 방식이 일반적으로 사용되고 있다.
평면 마그네트론 스퍼터링 방식은 평판 형상의 스퍼터링 타겟(Target) 후방에 한 쌍의 자극들을 가진 마그네트를 배치시켜 스퍼터링 타겟의 전면에 평행한 자계가 형성되도록 한다. 이러한 자계에 의해 마그네트에 인접한 영역에 고밀도의 플라즈마가 형성되어 스퍼터링 공정 속도가 향상된다.
근래에는 스퍼터링 공정 중 발생하는 파티클에 의한 제품 불량을 최소화하기 위해, 한국공개특허 제2006-0128496호에 개시된 '스퍼터 시스템'과 같이, 반도체 웨이퍼, LCD(Liquid Crystal Display) 기판, 태양 전지와 같은 피처리체와 스퍼터링 타겟을 수직으로 세워 스퍼터링 공정을 진행하는 기술이 제안되고 있다.
본 발명은 스퍼터링 공정에 있어, 박막의 질, 예컨대 막의 균일성이나 투과성 등을 향상시킬 수 있는 스퍼터링 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적은 본 발명에 따라, 챔버; 상기 챔버 내부에 배치되는 스퍼터링 타겟, 피처리체가 안착되는 안착 플레이트와, 상기 안착 플레이트에 안착된 상기 피처리체를 가열하는 가열 플레이트를 갖는 피처리체 지지부; 및 상기 피처리체가 안착되는 제1 회동 위치와 상기 스퍼터링 타겟과 대향하게 배치되는 제2 회동 위치로 상기 피처리체 지지부를 회동시키는 회동 이동 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치에 의해서 달성된다.
여기서, 상기 피처리체 지지부를 상기 제2 회동 위치에서 상기 스퍼터링 타겟의 판면 방향으로 수평 이동시키는 수평 이동 어셈블리를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 목적은 본 발명의 다른 실시 형태에 따라, 챔버; 상기 챔버 내부에 배치되는 스퍼터링 타겟; 피처리체가 안착되는 피처리체 지지부; 상기 피처리체가 안착되는 제1 회동 위치와 상기 스퍼터링 타겟과 대향하게 배치되는 제2 회동 위치로 상기 피처리체 지지부를 회동시키는 회동 이동 어셈블리; 및 상기 피처리체 지지부를 상기 제2 회동 위치에서 상기 스퍼터링 타겟의 판면 방향으로 수평 이동시키는 수평 이동 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치에 의해서도 달성된다.
여기서, 상기 회동 이동 어셈블리는 상기 피처리체 지지부의 수평 이동 방향을 따라 설치되는 LM 샤프트; 상기 LM 사프트의 일측에 축 결합하여 상기 LM 샤프트를 회전시키는 샤프트 구동부; 상기 LM 사프트의 회전에 따라 회전 가능하게 상기 LM 샤프트와 연결되며, 상기 LM 샤프트를 따라 수평 이동 가능하게 연결되는 적어도 하나의 리니어 부시; 및 상기 리니어 부시의 회전에 따라 상기 피처리체 지지부가 상기 제1 회동 위치와 상기 제2 회동 위치 간을 회동하도록 상기 리니어 부시와 상기 피처리체 지지부를 결합하는 결합 모듈을 포함할 수 있다.
그리고, 상기 결합 모듈은 상기 피처리체 지지부의 상기 피처리체의 반대측 면에 대향하게 결합되는 결합 플레이트 및 상기 각 리니어 부시에 대응하여 상기 결합 플레이트의 가장자리 영역으로부터 돌출되어 상기 각 리니어 부시에 체결되는 체결 부재를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 제2 회동 위치에서 상기 피처리체 지지부에 안착된 상기 피처리체와 상기 스퍼터링 타겟 간의 간격이 조절되도록 상기 결합 플레이트와 상기 피처리체 지지부 간의 간격을 조절하는 간격 조절부를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 간격 조절부는 상기 피처리체 지지부에 형성되며 내부에 나사산이 형성된 너트부 및 상기 결합 플레이트에 회전 가능하게 설치되어 상기 결합 플레이트와 상기 피처리체 지지부 간의 간격이 조절되도록 상기 너트부에 체결되는 볼트부를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 수평 이동 어셈블리는 상기 회동 이동 어셈블리와 연결되어 상기 피처리체 지지부가 수평 이동하도록 상기 회동 이동 어셈블리를 수평 이동 시킬 수 있다.
여기서, 상기 수평 이동 어셈블리는 상기 피처리체 지지부가 상기 제1 회동 위치와 제2 회동 위치 간을 회동 가능하게 상기 회동 이동 어셈블리 및 상기 피처리체 지지부를 지지하는 지지 플레이트; 상기 피처리체 지지부의 수평 이동 방향을 따라 설치되어 상기 지지 플레이트의 수평 이동을 안내하는 적어도 하나의 가이드 레일; 및 상기 지지 플레이트가 상기 가이드 레일을 따라 수평 이동하도록 상기 지지 플레이트를 수평 이동시키는 수평 구동부를 포함할 수 있다.
상기 구성에 의해 본 발명에 따르면, 스퍼터링 공정의 진행시 스퍼터링 타겟과 피처리체가 모두 소정의 기울기로 세워진 상태로 반응하게 되어, 박막 형성에 영향을 미치는 파티클들은 챔버 바닥면으로 떨어져 피처리체에 영향을 미치지 않게 된다.
또한, 피처리체의 가열 온도 제어가 용이하게 진행될 수 있어, 피처리체에 형성되는 박막의 질을 향상시킬 수 있게 된다.
그리고, 피처리체 지지부에 안착된 피처리체와 스퍼터링 타겟의 간격이 조절 가능하게 됨으로써, 박막 형성의 다양성을 확보할 수 있게 된다.
도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 스퍼터링 장치의 작동 과정을 설명하기 위한 사시도이고,
도 4는 본 발명에 따른 스퍼터링 장치의 회동 이동 어셈블리와 수평 이동 어셈블리의 구성의 예를 설명하기 위한 도면이고,
도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ 선에 따른 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 스퍼터링 장치의 회동 이동 어셈블리와 수평 이동 어셈블리의 구성의 예를 설명하기 위한 도면이고,
도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ 선에 따른 단면도이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다.
도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 스퍼터링 장치(1)의 작동 과정을 설명하기 위한 사시도이다. 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치(1)는 챔버(10), 스퍼터링 타겟(20), 피처리체 지지부(30), 회동 이동 어셈블리(60) 및 수평 이동 어셈블리(50)를 포함한다.
챔버(10)는 스퍼터링 공정의 대상물인 피처리체(W)를 외부와 격리시켜 스퍼터링 공정이 수행되는 진공된 밀폐 공간을 제공한다. 여기서, 챔버(10)에는 피처리체(W)가 챔버(10) 내부로 유입 및 반출되기 위한 도어(미도시), 공정 가스의 유입 및 배출을 위한 유입구(미도시) 및 배기구(미도시)가 마련될 수 있다. 이외에도, 챔버(10)의 구성은 기 공지된 다양한 형태로 구성될 수 있는 바, 본 발명에서에서는 그 상세한 설명을 생략한다. 여기서, 도 1 내지 3에서는 챔버(10)의 상부 벽, 측면의 두 벽을 제거한 상태로 도시하고 있다.
피처리체 지지부(30)에는 피처리체(W)가 안착된다. 본 발명에 따른 피처리체 지지부(30)는 회동 이동 어셈블리(60)에 의해 제1 회동 위치와 제2 회동 위치 간을 회동한다. 여기서, 피처리체 지지부(30)의 제1 회동 위치는, 도 1에 도시된 바와 같이 피처리체(W)가 안착되는 위치를 의미하며, 제2 회동 위치는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 피처리체 지지부(30)가 스퍼터링 타겟(20)과 대향하게 배치되는 위치를 의미한다.
스퍼터링 타겟(20)은 챔버(10) 내부에 설치된다. 본 발명에서는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 스퍼터링 타겟(20)이 챔버(10)의 일측 벽면에 설치된다. 보다 구체적으로 설명하면, 본 발명에서는 피처리체 지지부(30)에 안착된 피처리체(W)가 회동 이동 어셈블리(60) 및 수평 이동 어셈블리(50)의 작동에 의해, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 수직으로 세워진 상태에서 스퍼터링 타겟(20)으로부터의 스퍼터링 물질에 의해 박막이 형성될 수 있도록, 스퍼터링 타겟(20)이 챔버(10) 내부의 일측 벽면에 타측 벽면과 대향하게 설치된다.
여기서, 본 발명에서는 한 쌍의 스퍼터링 타겟(20)이 피처리체 지지부(30)의 수평 이동 방향을 따라 순차적으로 배치되는 것을 예로 한다. 이에 따라, 피처리체(W)에 박막을 형성하는 시간을 단축시킬 수 있고, 스퍼터링 타겟(20)의 교체 주기를 감소시켜 전체 공정 시간을 단축시킬 수 있게 된다.
한편, 회동 이동 어셈블리(60)는 상술한 바와 같이, 피처리체 지지부(30)를 제1 회동 위치와 제2 회동 위치로 회동시킨다. 그리고, 수평 이동 어셈블리(50)는 피처리체 지지부(30)를 제2 회동 위치에서 스퍼터링 타겟(20)의 판면 방향으로 수평 이동시킨다.
도 1 내지 도 3을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면, 도 1에 도시된 바와 같이, 피처리체 지지부(30)가 제1 회동 위치에 위치한 상태에서 외부로부터 피처리체(W)가 챔버(10) 내부로 반입되어 피처리체 지지부(30)에 안착된다.
그런 다음, 회동 이동 어셈블리(60)의 작동에 따라, 피처리체 지지부(30)가 도 1에 도시된 제1 회동 위치에서 도 2에 도시된 제2 회동 위치로 회동하게 된다. 그리고, 피처리체 지지부(30)가 도 2에 도시된 제2 회동 위치에 위치한 상태에서 수평 이동 어셈블리(50)의 작동에 따라, 피처리체 지지부(30)가 도 3에 도시된 바와 같이, 스퍼터링 타겟(20)의 판면 방향으로 수평 이동하게 되어 한 쌍의 스퍼터링 타겟(20)에 의해 피처리체 지지부(30)에 안착된 피처리체(W)에 박막이 형성된다.
상기와 같은 구성에 따라, 스퍼터링 공정의 진행시 스퍼터링 타겟(20)과 피처리체(W)가 모두 수직 방향으로 세워진 상태, 즉 소정의 기울기 또는 수직으로 세워진 상태로 반응하게 되어, 박막 형성에 영향을 미치는 파티클들은 챔버(10) 바닥면으로 떨어져 피처리체(W)에 영향을 미치지 않게 된다.
또한, 한 쌍의 스퍼터링 타겟(20)에 대해 피처리체(W)가 스퍼터링 타겟(20)의 판면 방향을 따라 이동하면서 반응하게 되어, 피처리체(W)에 형성되는 박막의 균일성을 향상시킬 수 있게 된다.
이하에서는, 도 도 2 및 도 4를 참조하여 본 발명에 따른 회동 이동 어셈블리(60)의 구성의 예에 대해 상세히 설명한다. 본 발명에 따른 회동 이동 어셈블리(60)는, 도 도 2 및 4에 도시된 바와 같이, LM 샤프트(61), 샤프트 구동부(62), 리니어 부시(63), 및 결합 모듈(64,65)을 포함할 수 있다.
LM 샤프트(61)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 피처리체 지지부(30)의 수평 이동 방향을 따라 설치된다. 그리고, 샤프트 구동부(62)는 LM 샤프트(61)의 일측에 축 결합하여 LM 샤프트(61)를 회전시킨다. 본 발명에서는 샤프트 구동부(62)가 모터 등과 같은 회전 수단을 마련되는 것을 예로 하며, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 챔버(10) 외부에 설치되는 것을 예로 한다.
리니어 부시(63)는 LM 샤프트(61)의 회전에 따라 회전 가능하게 LM 샤프트(61)와 연결되어, 샤프트 구동부(62)의 구동에 따른 LM 샤프트(61)의 회전에 동기되어 회전한다. 그리고, 리니어 부시(63)는 LM 샤프트(61)를 따라 수평 이동 가능하게 LM 샤프트(61)와 연결됨으로써, 수평 이동 어셈블리(50)의 작동에 따라 피처리체 지지부(30)가 수평 이동할 때 리니어 부시(63)가 LM 샤프트(61)에 의해 안내되어 수평 이동 가능하게 된다.
결합 모듈(64,65)은 리니어 부시(63)의 회전에 따라 피처리체 지지부(30)가 제1 회동 위치와 제2 회동 위치 간을 회동하도록 리니어 부시(63)와 피처리체 지지부(30)를 결합한다. 본 발명에서는 결합 모듈(64,65)이 결합 플레이트(64)와 체결 부재(65)로 구성되는 것을 예로 한다.
여기서, 결합 플레이트(64)는 피처리체 지지부(30)의 피처리체(W)의 반대측 면에 대향하게 결합된다. 그리고, 체결 부재(65)는 결합 플레이트(64)의 가장자리 영역으로부터 돌출되어 리니어 부시(63)에 체결된다. 이에 따라, 체결 부재(65)는 리니어 부시(63)의 회전에 따라 함께 회전하는데, 체결 부재(65)가 결합 플레이트(64)의 가장자리 영역에 형성됨에 따라 결합 플레이트(64)는 리니어 부시(63)의 회전축을 중심으로, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 회동 위치와 제2 회동 위치 간을 회동하게 된다.
본 발명에서는, 도 4에 도시된 바와 같이, 체결 부재(65)가 피처리체 지지부(30)의 수평 이동 방향으로 한 쌍이 마련되고, 이에 대응하여 리니어 부시(63)도 한 쌍으로 마련되는 것을 예로 하고 있으며, 본 발명의 기술적 사항이 그 개수에 국한되지 않음은 물론이다.
한편, 본 발명에서는 수평 이동 어셈블리(50)가 회동 이동 어셈블리(60)와 연결되어 피처리체 지지부(30)가 수평 이동 하도록 회동 이동 어셈블리(60)를 수평 이동시키는 것을 예로 한다. 도 4를 참조하여 보다 구체적으로 설명하면, 본 발명에 따른 수평 이동 어셈블리(50)는 지지 플레이트(52), 적어도 하나의 가이드 레일(51) 및 수평 구동부(미도시)를 포함할 수 있다.
지지 플레이트(52)는 피처리체 지지부(30)가 제1 회동 위치와 제2 회동 위치 간을 회동 가능하게 회동 이동 어셈블리(60) 및 피처리체 지지부(30)를 지지한다. 여기서, 본 발명에서는 지지 플레이트(52)로부터 피처리체 지지부(30)를 향해 돌출되고, LM 샤프트(61)가 통과하는 샤프트 안내부(52a)가 마련되는 것을 예로 한다.
도 4를 참조하여 보다 구체적으로 설명하면, LM 샤프트(61)가 샤프트 안내부(52a)를 통과하는데, LM 샤프트(61)와 샤프트 안내부(52a)는 볼 베어링(66)을 통해 상호 연결됨으로써, LM 샤프트(61)가 샤프트 안내부(52a)의 내부에서 회전할 수 있게 된다.
그리고, 볼 베어링(66)와 리니어 부시(63)가 결합 플레이트(64)에 형성된 체결 부재(65)와 체결됨으로써, 샤프트 구동부(62)의 작동에 따라 LM 샤프트(61)가 회전할 때, 리니어 부시(63), 결함 부재 및 볼 베어링(66)이 함께 회전하여 결합 플레이트(64)를 회동시킴으로써, 피처리체 지지부(30)가 제1 회동 위치와 제2 회동 위치 간을 회동하게 된다. 반면, 체결 부재(52a)는 볼 베어링(66)을 통해 샤프트 안내부(52a)와 결합됨으로써, 지지 플레이트(52)로 그 LM 샤프트(61)의 회전력이 전달되지 않게 된다.
한편, 가이드 레일(51)은 피처리체 지지부(30)의 수평 이동 방향을 따라 설치되는데, 본 발명에서는 한 쌍의 가이드 레일(51)이 피처리체 지지부(30)의 수평 이동 방향을 따라 설치되어 지지 플레이트(52)의 수평 이동을 안내한다. 본 발명에서는 가이드 레일(51)이 LM 가이드 형태로 마련되는 것을 예로 한다.
그리고, 수평 구동부는 지지 플레이트(52)가 가이드 레일(51)을 따라 수평 이동하도록 지지 플레이트(52)를 수평 이동시킨다. 본 발명에서는 수평 구동부가 모터와 같은 회전 수단에 의해 회전하는 볼 스크루 형태로 마련되어, 지지 플레이트(52)에 설치된 가이드 유닛과 볼 스크루가 상호 체결되어 회전 수단의 구동에 따른 볼 스크루의 회전에 따라 가이드 유닛이 볼 스크루를 따라 수평 이동하는 것을 예로 한다.
상기와 같은 구성을 통해, 피처리체 지지부(30)가, 도 2에 도시된 제2 회동 위치로 회동한 상태에서, 수평 구동부의 구동에 따라 볼 스크루가 회전하게 되면, 가이드 유닛과 결합된 지지 플레이트(52)가 볼 스크루의 회전에 따라 수평 이동하게 되어, 지지 플레이트(52)의 샤프트 안내부(52a)가 볼 스크루와 결합되고, 볼 스크루가 리니어 부시(63) 및 채결 부재와 체결된 상태이므로 지지 플레이트(52)의 수평 이동이 채결 부재를 통해 결합 플레이트(64)로 전달됨으로써, 결합 플레이트(64)의 수평 이동에 따라 피처리체 지지부(30)가 수평 이동하게 된다.
한편, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치(1)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 결합 플레이트(64)와 피처리체 지지부(30) 간의 간격을 조절하는 간결 조절부를 포함할 수 있다. 본 발명에서는 간격 조절부(70)가 피처리체 지지부(30)에 형성되는 너트부(71)와, 너트부(71)에 체결되는 볼트부(73)를 포함하는 것을 예로 한다.
여기서, 너트부(71)의 내부에는 나사산(72)이 형성되는데, 볼트부(73)가 결합 플레이트(64)에 회전 가능하게 설치된 상태로 너트부(71)에 체결됨으로써, 볼트부(73)를 정방향과 역방향으로 회전시키면 볼트부(73)가 너트부(71)에 체결 또는 체결 해제되어 결합 플레이트(64)와 피처리체 지지부(30) 간의 간격이 조절된다.
따라서, 피처리체 지지부(30)가 결합 플레이트(64)로부터 이격되거나 접근하게 되어, 결과적으로 피처리체 지지부(30)에 안착된 피처리체(W)와 스퍼터링 타겟(20)의 간격이 조절 가능하게 됨으로써, 박막 형성의 다양성을 확보할 수 있게 된다.
한편, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치(1)의 피처리체 지지부(30)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 피처리체(W)가 안착되는 안착 플레이트(31)와, 안착 플레이트(31)에 안착된 피처리체(W)를 가열하기 위한 가열 플레이트(32)를 포함하는 것을 예로 한다.
가열 플레이트(32)의 내부에는, 도 4에 도시된 바와 같이, 가열 수단(53), 예를 들어 전열선이 배설됨으로써, 안착 플레이트(31)의 배면을 가열하여 안착 플레이트(31)에 안착된 피처리체(W)를 스퍼터링 공정 진행 중, 즉 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 피처리체 지지부(30)의 회동 및 수평 이동 과정에서도 지속적을 가열할 수 있게 된다.
따라서, 피처리체(W)의 가열 온도 제어가 용이하게 진행될 수 있어, 피처리체(W)에 형성되는 박막의 질을 향상시킬 수 있게 된다.
전술한 실시예에서는 본 발명에 따른 스퍼터링 장치(1)가 회동 이동 어셈블리(60)와 수평 이동 어셈블리(50)를 구비하여, 피처리체(W)가 회동 이동 및 수평 이동하면서 스퍼터링 공정이 진행되고, 가열 플레이트(32)에 의해 회동 이동 및 수평 이동 중에도 피처리체(W)의 가열이 가능한 것을 예로 설명하였다.
이외에도, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치(1)가 회동 이동 어셈블리(60) 만을 구비하고, 가열 플레이트(32)가 피처리체(W)를 제1 회동 위치와 제2 회동 위치에서 피처리체(W)를 가열하도록 마련될 수 있음은 물론이다.
비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
1 : 스퍼터링 장치 10 : 챔버
20 : 스퍼터링 타겟 30 : 피처리체 지지부
31 : 안착 플레이트 32 : 가열 플레이트
33 : 가열 수단 50 : 수평 이동 어셈블리
51 : 가이드 레일 52 : 지지 플레이트
60 : 회동 이동 어셈블리 61 : LM 샤프트
62 : 샤프트 구동부 63 : 리니어 부시
64 : 결합 플레이트 65 : 체결 부재
66 : 볼 베어링 70 : 간격 조절부
71 : 너트부 72 : 볼트부
20 : 스퍼터링 타겟 30 : 피처리체 지지부
31 : 안착 플레이트 32 : 가열 플레이트
33 : 가열 수단 50 : 수평 이동 어셈블리
51 : 가이드 레일 52 : 지지 플레이트
60 : 회동 이동 어셈블리 61 : LM 샤프트
62 : 샤프트 구동부 63 : 리니어 부시
64 : 결합 플레이트 65 : 체결 부재
66 : 볼 베어링 70 : 간격 조절부
71 : 너트부 72 : 볼트부
Claims (9)
- 챔버;
상기 챔버 내부에 배치되는 스퍼터링 타겟;
피처리체가 안착되는 안착 플레이트와, 상기 안착 플레이트에 안착된 상기 피처리체를 가열하는 가열 플레이트를 갖는 피처리체 지지부;
상기 피처리체가 안착되는 제1 회동 위치와 상기 스퍼터링 타겟과 대향하게 배치되는 제2 회동 위치로 상기 피처리체 지지부를 회동시키는 회동 이동 어셈블리; 및
상기 피처리체 지지부를 상기 제2 회동 위치에서 상기 스퍼터링 타겟의 판면 방향으로 수평 이동시키는 수평 이동 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치. - 삭제
- 챔버,
상기 챔버 내부에 배치되는 스퍼터링 타겟;
피처리체가 안착되는 피처리체 지지부;
상기 피처리체가 안착되는 제1 회동 위치와 상기 스퍼터링 타겟과 대향하게 배치되는 제2 회동 위치로 상기 피처리체 지지부를 회동시키는 회동 이동 어셈블리; 및
상기 피처리체 지지부를 상기 제2 회동 위치에서 상기 스퍼터링 타겟의 판면 방향으로 수평 이동시키는 수평 이동 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치. - 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 회동 이동 어셈블리는
상기 피처리체 지지부의 수평 이동 방향을 따라 설치되는 LM 샤프트;
상기 LM 사프트의 일측에 축 결합하여 상기 LM 샤프트를 회전시키는 샤프트 구동부;
상기 LM 사프트의 회전에 따라 회전 가능하게 상기 LM 샤프트와 연결되며, 상기 LM 샤프트를 따라 수평 이동 가능하게 연결되는 적어도 하나의 리니어 부시; 및
상기 리니어 부시의 회전에 따라 상기 피처리체 지지부가 상기 제1 회동 위치와 상기 제2 회동 위치 간을 회동하도록 상기 리니어 부시와 상기 피처리체 지지부를 결합하는 결합 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치. - 제4항에 있어서,
상기 결합 모듈은
상기 피처리체 지지부의 상기 피처리체의 반대측 면에 대향하게 결합되는 결합 플레이트 및
상기 리니어 부시에 대응하여 상기 결합 플레이트의 가장자리 영역으로부터 돌출되어 상기 리니어 부시에 체결되는 체결 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치. - 제5항에 있어서,
상기 제2 회동 위치에서 상기 피처리체 지지부에 안착된 상기 피처리체와 상기 스퍼터링 타겟 간의 간격이 조절되도록 상기 결합 플레이트와 상기 피처리체 지지부 간의 간격을 조절하는 간격 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치. - 제6항에 있어서,
상기 간격 조절부는
상기 피처리체 지지부에 형성되며 내부에 나사산이 형성된 너트부 및
상기 결합 플레이트에 회전 가능하게 설치되어 상기 결합 플레이트와 상기 피처리체 지지부 간의 간격이 조절되도록 상기 너트부에 체결되는 볼트부를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치. - 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 수평 이동 어셈블리는 상기 회동 이동 어셈블리와 연결되어 상기 피처리체 지지부가 수평 이동하도록 상기 회동 이동 어셈블리를 수평 이동시키는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치. - 제8항에 있어서,
상기 수평 이동 어셈블리는
상기 피처리체 지지부가 상기 제1 회동 위치와 제2 회동 위치 간을 회동 가능하게 상기 회동 이동 어셈블리 및 상기 피처리체 지지부를 지지하는 지지 플레이트;
상기 피처리체 지지부의 수평 이동 방향을 따라 설치되어 상기 지지 플레이트의 수평 이동을 안내하는 적어도 하나의 가이드 레일; 및
상기 지지 플레이트가 상기 가이드 레일을 따라 수평 이동하도록 상기 지지 플레이트를 수평 이동시키는 수평 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
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KR1020110136933A KR101372359B1 (ko) | 2011-12-19 | 2011-12-19 | 스퍼터링 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020110136933A KR101372359B1 (ko) | 2011-12-19 | 2011-12-19 | 스퍼터링 장치 |
Publications (2)
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KR20130069894A KR20130069894A (ko) | 2013-06-27 |
KR101372359B1 true KR101372359B1 (ko) | 2014-03-13 |
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KR1020110136933A KR101372359B1 (ko) | 2011-12-19 | 2011-12-19 | 스퍼터링 장치 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9934950B2 (en) | 2015-10-16 | 2018-04-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Sputtering apparatuses and methods of manufacturing a magnetic memory device using the same |
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KR101861950B1 (ko) * | 2017-01-18 | 2018-05-28 | 김재용 | 선형 도금체 거치장치 |
CN117568771B (zh) * | 2023-12-08 | 2024-07-02 | 成都国泰真空设备有限公司 | 一种磁控溅射镀膜传动装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07258839A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-09 | Hitachi Ltd | スパッタリング装置 |
-
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- 2011-12-19 KR KR1020110136933A patent/KR101372359B1/ko active IP Right Grant
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JPH07258839A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-09 | Hitachi Ltd | スパッタリング装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9934950B2 (en) | 2015-10-16 | 2018-04-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Sputtering apparatuses and methods of manufacturing a magnetic memory device using the same |
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