KR101372356B1 - 플라즈마 처리 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 기판 에지 영역에 퇴적되는 박막 또는 파티클을 제거할 수 있는 플라즈마 처리 방법에 관한 것으로서, 플라즈마 처리 장치 내의 기판 지지대 상에 기판의 중심 영역을 안착시키는 단계; 상기 플라즈마 처리 장치 내에 공정 가스를 유입하는 단계; 상기 플라즈마 처리 장치 내에 플라즈마를 형성시켜 상기 기판의 외주 영역상의 피처리 원소종을 처리하는 단계;를 포함하고, 상기 플라즈마를 형성시키기 이전에 상기 기판을 가열하는 것을 특징으로 하여, 챔버내측에 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있고, 균일한 고밀도 플라즈마를 기판의 에지 영역에 집중시켜 기판 단부의 식각 능력을 향상시킬 수 있다.
식각, 기판 에지, 웨이퍼, 플라즈마 처리
Description
본 발명은 플라즈마 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판 에지 영역에 퇴적되는 박막 또는 파티클을 제거할 수 있는 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 기판의 에지 영역은 기판의 이송을 위해 별도의 소자 또는 회로 패턴을 제작하지 않는 영역이다. 반도체 기판상에 반도체 소자와 회로 패턴의 제작을 위해 공정 중 상기의 반도체 기판의 에지 영역에 원치 않는 막이 증착되거나 파티클들이 퇴적되는 현상이 발생하였다. 이때, 기판 에지 영역의 막과 파티클들을 제거하지 않은 상태에서 반도체 소자와 회로 패턴의 제작을 위한 공정을 계속적으로 진행하게 되는 경우 기판이 휘어지거나, 후속으로 진행되는 공정상의 결함으로 작용하여 수율을 감소시키거나, 기판 정렬이 어려워지는 등의 많은 문제점이 발생한다.
이에 소정의 후처리 공정을 통해 기판의 에지 영역에 형성된 막 및 파티클들을 제거해주어야 한다. 이를 위해 종래에는 케미컬을 이용한 습식 식각을 통해 기판 에지 영역의 막 또는 파티클을 제거하였다. 그러나, 최근에는 기판의 에지 영역 에만 국부적으로 플라즈마를 발생시켜 에지 영역의 막 또는 파티클을 제거하였다.
이러한 종래의 플라즈마를 이용한 반도체 에지 식각 장치는 기판의 비식각부 즉, 기판 중심부와 상응되는 형상으로 그 상부에 배치된 절연판의 주변으로 반응 가스를 공급하고, 기판 지지부 내에 마련된 전극부에 RF 전원(RF power)를 인가하여 기판 주변의 반응 가스를 플라즈마로 변환시켜 기판이 에지 영역의 막 또는 파티클을 제거한다. 상술한 종래 방법에서는 비식각부인 기판의 중심부에 플라즈마가 발생 또는 침투하거나 아킹(Arcing)이 발생하는 등의 문제 그리고, 중심부(즉, 비식각부)의 박막이 식각되는 문제가 발생하였다. 또한, 종래에는 낮은 플라즈마 밀도(Plasma Density)로 인하여 식각률이 높지 않으며, 이에 따라 공정 시간이 길어지거나, 일부 막질은 식각되지 않는 문제가 발생하였다.
이러한 어려움에 더하여 종래의 플라즈마를 이용한 기판 에지 식각 장치의 경우에는 공정 진행 온도가 낮아 기판 에지 영역의 금속막의 제거가 용이하지 않을 뿐만 아니라 Cu막 등의 경우 식각이 되지 않는 문제가 있다.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 높은 밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있으며, 기판 에지 영역에 플라즈마를 집중시킬 수 있고, 기판 지지대를 포함한 챔버 내의 온도를 상승시켜 기판 에지 영역의 Cu 막, 또는 여타의 금속박막들을 용이하게 제거할 수 있는 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리 방법은, 플라즈마 처리 장치 내의 기판 지지대 상에 기판의 중심 영역을 안착시키는 단계; 상기 플라즈마 처리 장치 내에 공정 가스를 유입하는 단계; 및 상기 플라즈마 처리 장치 내에 플라즈마를 형성시켜 상기 기판의 외주 영역상의 피처리 원소종을 처리하는 단계;를 포함하고, 상기 플라즈마를 형성시키기 이전에 상기 기판을 가열하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 기판과 상기 플라즈마 처리 장치 내의 차폐부와의 간극을 0.1 내지 10 ㎜로 조정하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판의 가열은 350℃ 이하로 수행될 수 있으며, 상기 기판의 가열은, 상기 피처리 원소종이 Cu일 때 250~350℃로 수행되고, 상기 피처리 원소종이 Al일 때 40~80℃로 수행되며, 상기 피처리 원소종이 W일 때 30~50℃로 수행될 수 있다.
이때, 상기 기판의 가열은 상기 기판 지지대에 마련된 가열 수단으로 수행될 수 있다.
여기서, 상기 기판의 가열은 상기 플라즈마 처리 장치의 챔버 내부를 100℃ 이하로 가열하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 공정 가스는 18족 원소 및 질소로 구성되는 일 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 불활성 가스 및 17족 원소 또는 산소계로 구성되는 일 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 반응 가스를 포함할 수 있으며, 상기 반응 가스는 상기 피처리 원소종이 Cu일 때 Cl2 및 BCl3 중 적어도 하나 이상을 포함하고, 상기 피처리 원소종이 Al일 때 Cl2, BCl3 및 O2 중 적어도 하나 이상을 포함하고, 상기 피처리 원소종이 W일 때 SF6 및 NF3 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 플라즈마 처리 장치내 공정 압력은 5 내지 500 mTorr이다.
여기서, 상기 기판의 외주 영역은 상기 기판 지지부 상에서 측방향으로 0.1 내지 5 ㎜의 돌출된다.
그리고, 상기 플라즈마 처리 장치는, 상기 기판 지지부 상부에 위치하여 상기 기판의 중심영역을 차폐하는 차폐부; 상기 기판 지지부와 상기 차폐부를 수납하고, 그 벽면에 가열 수단이 마련된 챔버; 상기 기판 지지부 및 상기 차폐부와 상기 챔버의 측벽면 사이 공간에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성부; 및 상기 챔버 내측에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 플라즈마 처리 장치는, 반응 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버에 구 비된 플라즈마 생성부; 상기 반응 공간에 마련되며, 상기 기판 지지부 상측에 배치되는 차폐부; 및 상기 반응 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함할 수 있다.
어느 경우에나 상기 플라즈마 생성부는, 상기 챔버 내측의 상기 차폐부 둘레 영역에 마련된 안테나부와, 상기 안테나부에 플라즈마 전원을 공급하는 플라즈마 전원 공급부를 포함할 수 있으며, 상기 챔버에 분리 공간을 형성하는 실드부를 포함하고, 상기 실드부의 외주면 둘레에 마련된 패러데이 실드를 포함할 수도 있다.
여기서, 상기 피처리 원소종을 처리하는 단계 이후에, 상기 피처리 원소종의 처리 부산물을 제거하는 단계가 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리 방법은, 챔버내측에 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있고, 균일한 고밀도 플라즈마를 기판의 에지 영역에 집중시켜 기판 단부의 식각 능력을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 방법에 사용되는 장치의 개 념 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 방법의 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치는 챔버(100)와, 챔버(100) 내부를 반응 공간(A)과 분리 공간(D)으로 분할하는 실드부(200)와, 상기 실드부(200) 내측의 상기 반응 공간(A)에 마련된 차폐부(300)와, 상기 실드부(200) 외측의 상기 분리 공간(D)에 마련된 플라즈마 생성부(400)와, 상기 차폐부(300) 하측에 마련된 기판 지지부(500)를 포함한다. 차폐부(300)와 플라즈마 생성부(400) 사이에 마련된 패러데이 실드(600)를 더 포함할 수 있다. 상기의 차폐부(300)와 기판 지지부(500)에 의해 기판(10)의 중심 영역은 차폐되고 에지 영역은 노출된다.
상술한 챔버(100)는 가열 수단(112, 122)을 구비하는 하부 및 상부 챔버부(110, 120)를 포함한다.
먼저, 하부 챔버부(110)는 내부가 비어 있는 대략 육면체 형태의 하측 몸체(111)와, 적어도 하측 몸체(111)의 측벽에 마련된 하측 가열 수단(112) 그리고, 하측 몸체(111)의 상측벽에 마련된 원형상의 관통홀(113)을 구비할 수 있다. 하측 몸체(111)의 내부 빈 공간은 기판(10)을 지지하는 기판 지지부(500)가 승강할 수 있도록 형성된다. 하측 몸체(111)의 일측에는 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 위한 게이트 밸브(130)와, 챔버(100) 내부의 불순물을 배기하기 위한 배기부(140)가 마련된다. 게이트 밸브(130)를 통해 하부 챔버부(110)가 다른 공정을 수행하는 챔버(미도시)에 연결될 수도 있다.
하측 몸체(111)의 적어도 측벽의 일부 영역에는 챔버(100)를 가열하기 위하 여 전기 히터 등과 같은 하측 가열 수단(112)이 마련된다. 하측 가열 수단(112)은 이를 통해 하측 몸체(111)를 가열하고, 온도를 제어하여 외부 영향에 의해 하측 몸체(111) 내측의 온도가 급격하게 변화하는 것을 방지할 수 있다. 전기 히터는 하측 몸체(111) 내부 또는 측부에 마련된 복수의 열선(112a)과 상기 열선(112a)에 전원을 공급하여 발열시키는 전원 공급부(112b)를 구비한다. 이와 같이 하측 몸체(111) 내부 즉, 몸체의 측벽 내부 또는 측부에 가열 수단(112)을 위치시켜 기판(10)의 로딩 단계에서부터 기판(10)의 에지 영역을 집중적으로 가열할 수 있다. 이를 통해 기판 에지 영역 식각시 반응성을 향상시킬 수 있다. 더욱이 기판(10)의 에지 영역에 금속막이 형성된 경우 기판 에지 영역의 가열을 통해 금속막과 반응 가스 사이의 식각 반응을 향상시키며 식각반응으로 발생하는 식각 반응 부산물이 다시 퇴적되지 않고 용이하게 배기될 수 있게 하여 플라즈마 공정으로 금속막을 용이하게 제거시킬 수 있게 된다. 하측 가열 수단(112)은 하측 몸체(111)의 상측벽 및/또는 하측벽에도 마련될 수 있다.
하측 몸체(111)의 상측벽에 마련된 관통홀(113)의 직경은 기판(10)의 직경 보다 큰 것이 바람직하다. 이를 통해 기판 지지부(500)가 관통홀(113)을 통해 하측 몸체(111) 내측으로 승강할 수 있다.
이어서, 상부 챔버부(120)는 대략 육면체 형태의 상측 몸체(121)와, 상측 몸체(121)에 마련된 상측 가열 수단(122)과, 상측 몸체(121)에 마련된 오목홈부(123)를 구비한다. 상측 몸체(121)의 형태는 이에 한정되지 않고, 하부 챔버부(110)의 하측 몸체(111)와 유사한 형상으로 제작될 수 있다. 상측 몸체(121)는 하측 몸 체(111)의 관통홀 영역을 덮을 수 있는 형상으로 제작되는 것이 효과적이다. 즉, 상측 몸체(121)의 하부면이 하측 몸체(111)의 상부면에 밀착된다. 오목홈부(123)는 하측 몸체(111)의 관통홀(113)과 연통된다. 본 실시예에서는 기판 지지부(500)의 승강을 통해 기판(10)이 상부 챔버부(120)의 오목홈부(123) 내측에 위치하게 된다. 이때, 오목홈부(123) 내측 영역에서 플라즈마를 집중 발생시켜 기판 에지 영역의 막 및 파티클을 제거할 수 있게 된다.
상측 몸체(121)의 오목홈부(123)의 주변 영역의 일부에 상측 가열 수단(122)이 마련된다. 상측 가열 수단(122)은 상측 몸체(121)의 상측벽 영역의 일부에 위치되는 것이 바람직하다. 상측 가열 수단(122)은 하측 몸체(111)에 마련된 하측 가열 수단(112)과 동일하게 기판(10)을 가열시켜 기판 에지 영역에서의 플라즈마 반응을 향상시킨다. 하측 및 상측 가열 수단(112, 122)의 가열 온도는 대략 80도 부근에서 수행되는 것이 바람직하다. 물론 이에 한정되지 않고, 30 내지 350도 온도 범위 내에서 가열이 수행되는 것이 효과적이다. 하측 및 상측 가열 수단(112, 122)은 기판 에지 영역과 대응하는 영역에 집중적으로 전열선이 배치될 수 있다.
상술한 챔버(100)는 상부 영역과 하부 영역으로 분리되었지만, 챔버(100)를 단일 몸체, 즉 챔버(100)로 내부가 비어 있는 다면체 또는 원통 형상으로 제작할 수도 있다.
실드부(200)는 하부 챔버부(110)의 상측벽에서 상부 챔버부(120)의 오목홈부(123) 내측을 거쳐 상부 챔버부(120)의 상측벽으로 연장된 링 형상으로 제작된다. 실드부(200)는 하부 챔버부(110)의 관통홀(113)의 가장 자리 둘레 영역에 배치 되어 상부 챔버부(120)와 하부 챔버부(110)를 포함하는 챔버(100)를 분리 공간(D)과 반응 공간(A)으로 분리한다. 상기 반응 공간(A)은 기판(10)이 위치하고, 공간 내에 플라즈마가 발생되어 기판(10)의 에지 영역을 식각하는 공정이 수행되는 공간이고, 분리 공간(D)은 플라즈마 발생을 위한 플라즈마 생성부(400)의 일부가 위치하는 공간이다. 상기 분리 공간(D)과 반응 공간(A)은 실드부(200)에 의해 서로 고립되는 것이 바람직하다. 예를 들어 분리 공간(D)은 대기압 상태를 유지하고, 반응 공간(A)은 진공을 유지할 수 있다.
상기 반응 공간(A)은 상부 챔버부(120)의 상측벽과 실드부(200)에 의해 둘러쌓인 실드부(200) 내측 영역과, 하부 챔버부(110)의 내부 공간을 포함한다. 분리 공간(D)은 상부 챔버부(120)의 상측벽 및 측벽, 하부 챔버부(110)의 상측벽 그리고, 실드부(200)에 의해 둘러 쌓인 실드부(200) 외측 영역을 포함한다. 실드부(200)는 고주파 에너지를 투과시켜 그 내측에 플라즈마를 발생시킬 수 있는 물질로 제작하는 것이 바람직하다. 예를 들어 절연체 즉, 알루미나(Al2O3)로 제조할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 기판(10)이 기판 지지부(500)에 의해 실드부(200)의 내측 영역으로 상승되고, 실드부(200)의 내측 영역 즉, 실드부(200)와 기판 지지수단(500) 사이 공간에서 플라즈마를 발생시켜 기판(10)의 에지 영역을 식각할 수 있다.
실드부(200)는 내부가 비어 있는 링 형상의 링 몸체부(210)와, 상기 링 몸체 부(210)의 상하측에 각기 마련된 상측 및 하측 연장부(220, 230)를 구비한다. 이때, 상기 상측 연장부(220)는 상부 챔버부(120)의 상측벽과 결합하고, 상기 하부 연장부(230)는 하부 챔버부(110)의 상측벽과 결합한다. 링 몸체부를 기판(10)의 형상과 유사한 형상을 갖는 링 형상으로 제작한다. 이를 통해 실드부(200)와 기판(10) 사이의 거리를 일정하게 유지할 수 있다. 기판 에지 영역에 플라즈마를 균일하게 분포시킬 수 있다. 여기서, 상기 링 몸체부(210)는 원형 링 형상으로 제작하는 것이 바람직하다.
상기 하측 연장부(230)는 링 몸체부(210)의 하측 영역에 마련되어 링 몸체부(210)의 외측 영역으로 연장되고, 상측 연장부(220)는 링 몸체부(210)의 상측 영역에 마련되어 링 몸체부(210)의 내측 영역으로 연장되는 것이 바람직하다. 물론 이에 한정되지 않고, 상기 하측 연장부(230)는 링 몸체부(210)의 내측 영역으로 연장될 수 있고, 상측 연장부(220)는 링 몸체부(210)의 외측 영역으로 연장될 수도 있다. 이와 같이 링 몸체부(210)의 상하측 영역에서 연장된 하측 및 상측 연장부(220, 230)가 하부 챔버부(110) 및 상부 챔버부(120)에 밀착되어 반응 공간과 분리 공간 간의 기압차를 다르게 유지할 수 있다. 즉, 하측 연장부(230)와 상측 연장부(220)는 반응 공간을 밀봉하는 밀봉부재 역할을 한다.
그리고, 실드부(200)는 하측 연장부(230) 또는 상측 연장부(220)를 통해 하부 챔버부(110) 또는 상부 챔버부(120)에 고정될 수도 있다. 도시되지는 않았지만, 실드부(200)와 접하는 하부 챔버부(110) 및 상부 챔버부(120)에는 반응 공간의 밀봉을 위한 오링과 같은 밀봉 부재가 더 마련될 수도 있다. 도 1에서는 실드부(200) 가 하부 및 상부 챔버부(110, 120)의 표면에 위치함이 도시되어있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 상기 실드부(200)와 접하는 하부 및 상부 챔버부(110, 120)의 표면 영역에 소정의 오목홈이 형성될 수 있다. 실드부(200)가 상기 오목홈 내측으로 인입되어 반응 공간의 밀봉 능력을 더 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 설명에서는 상기 실드부(200)가 상부 및 하부 챔버부(110, 120)와 분리 제작됨을 설명하였다. 그러나 실드부(200)는 상부 또는 하부 챔버부(110, 120)와 일체로 제작될 수도 있다.
차폐부(300)는 기판 지지부(500) 상에 위치한 기판(10)의 비식각 영역 즉, 기판(10)의 중심영역에서의 플라즈마 발생을 차폐하여 비식각 영역에서의 기판(10)의 식각을 방지한다. 차폐부(300)는 기판(10)의 에지 영역을 제외한 영역을 차폐한다. 이로인해 차폐부(300)는 기판(10)의 형상과 유사한 형상으로 제작되며, 본 실시예에서는 원형 판 형상으로 제작된다. 차폐부(300)는 기판(10)의 사이즈보다 작은 사이즈를 갖는 것이 바람직하다. 이를 통해 차폐부(300)에 의해 기판(10)의 에지 영역을 선택적으로 노출시킬 수 있다. 차폐부(300)에 의해 노출되는 기판 에지 영역은 기판(10) 끝단을 기준으로 0.1 내지 5mm 일 수 있다. 상기 범위보다 작을 경우에는 기판 에지 영역의 노출되는 면적이 줄어들게 되고, 상기 범위보다 클 경우에는 기판 중심 영역(즉, 비식각 영역)의 막 또는 패턴이 노출되는 문제가 발생할 가능성이 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 차폐부(300)의 사이즈가 기판(10)의 사이즈와 같거나 기판(10)의 사이즈보다 더 클 수도 있다. 그리고, 차폐부(300)의 내부 영역에서 비활성 가스가 분사되어 플라즈마화된 식각 가스가 차폐부(300) 내의 기판 중심 영역으로 침투하는 것을 방지할 수도 있다.
차폐부(300)는 실드부(200) 내측의 반응 공간에 위치한다. 차폐부(300)는 도면에서와 같이 상부 챔버부(120)의 상측벽의 내부면에 마련된다. 차폐부(300)는 별도의 부재를 통해 제작된 다음 결합부재를 통해 상부 챔버부(120)의 상측벽의 내부면에 부착되는 것이 바람직하다. 물론 이에 한정되지 않고, 차폐부(300)는 상부 챔버부(120)와 일체로 제작될 수 있다.
차폐부(300)의 단부에는 도면에 도시된 바와 같이 상측 전극부(310)가 마련될 수 있다. 이때, 상측 전극부(310)에는 접지 전원이 인가된다. 물론 이에 한정되지 않고, 차폐부(300) 내측에 상측 전극부가 마련될 수 있다. 그리고, 차폐부(300)를 상부 전극으로 사용할 수도 있다. 이때, 차폐부(300)의 일측에는 절연층이 마련된다. 이러한 상측 전극부(310)는 기판 지지부(500)에 인가되는 바이어스 전원의 커플링을 유도하여 플라즈마 밀도를 증가시키고, 이로인하여 기판 가장자리 둘레의 식각율을 향상시킨다.
상술한 플라즈마 생성부(400)는 안테나부(410) 및 전원 공급부(420)를 포함한다. 상기 안테나부(410)는 실드부(200)와, 상부 챔버부(120) 및 하부 챔버부(110)에 의해 둘러쌓인 분리 공간(D) 내에 마련된다. 안테나부(410)는 적어도 하나의 코일을 구비하고, 코일이 실드부(200)를 N번 감싸는 형상으로 마련된다. 기판(10)과 기판에 가장 근접한 안테나 간의 거리는 2 내지 10cm일 때, 기판의 가장자리부에 효과적으로 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 그러나 2cm 미만일 경우, 플라즈마가 웨이퍼 중심부까지 생성되어 불필요한 식각을 발생시킬 수 있고, 10cm를 초과하는 경우에는 기판 가장자리 부근에 밀도있는 플라즈마 형성이 어렵다.
전원 공급부(420)는 RF 등과 같은 전원을 공급하는 수단으로 안테나부(410)에 고주파를 공급할 수 있다. 이때, 전원 공급부(420)는 챔버(100)의 외측 영역에 위치하는 것이 바람직하다. 플라즈마 생성부(400) 중 안테나부(410) 만이 상기 챔버(100) 내측의 분리 공간에 위치하고 나머지 요소들은 챔버(100) 외측에 배치되는 것이 바람직하다. 이와 같이 본 실시예에서는 안테나부(410)를 챔버(100) 내측 즉, 반응 공간(A)과 인접한 분리 공간(D)에 위치시켜 고밀도의 플라즈마를 안테나부(410)에 인접한 반응 공간에 발생시키고 집중시킬 수 있다. 원형 링 형태의 실드부(200) 내측의 반응 공간에 원형 링 형상으로 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 또한, 안테나부(410)를 챔버(100)와 일체로 형성하여 장비를 단순화 및 소형화시킬 수 있다. 전원 공급부(420)를 통해 3.0KW 이하의 전력을 공급하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 전원의 주파수는 2 내지 13.56MHz인 것이 바람직하다.
안테나부(410)에 상기의 플라즈마용 전원(고주파 전원)이 인가되면 실드부(200) 내측의 반응 공간에서 플라즈마가 발생하게 된다. 이러한 안테나부(410)에 의해 실드부(200) 내측 영역에 고밀도의 플라즈마가 발생하게 된다. 실드부(200)의 내측 영역에는 차폐부(300)가 마련되어 있기 때문에 차폐부(300)와 실드부(200) 사이 영역, 실드부(200)와 상승한 기판 지지부(500)의 사이 영역에 플라즈마가 집중 발생하게 된다.
이와 같이 본 실시예에서는 기판 지지부(500)에 의해 상승된 기판(10)의 측면 영역에 안테나부(410)를 위치시키고, 그 상하부에 접지 전극을 두어 기판 에지 영역에 고밀도의 플라즈마를 균일하게 분포시킬 수 있고, 기판 에지 영역에 플라즈 마를 집중시킬 수 있어 기판 에지 영역의 식각능력을 향상시킬 수 있다.
플라즈마 생성부(400)는 이에 한정되지 않고, 용량성 결합에 의한 플라즈마 발생장치(CCP; Capacitively coupled plasma), 하이브리드 타입의 플라즈마 발생장치, ECR(Electron cyclotorn resonance)플라즈마 발생장치, SWP(Surface wave plasma)발생장치 등을 사용할 수 있다.
상부 챔버부(120)에는 전원 공급부(420)와 안테나부(410)를 연결하기 위한 소정의 연결구(미도시)가 마련된다. 상기 연결구를 통해 전원 공급부(420)가 연장되어 상부 챔버부(120) 내측의 반응 공간 내의 안테나부(410)에 접속될 수 있다. 물론 이와 반대의 경우도 가능하다. 그리고, 상기 전원 공급부(420)와 안테나부(410) 사이에 임피던스 매칭을 위한 매칭 수단(미도시)을 더 포함할 수도 있다. 그리고, 본 실시예의 챔버(100)는 그 내측 또는 측면에 가열 수단(112, 122)이 마련되어 있다. 따라서, 이러한 가열 수단(112, 122)에 의한 안테나부(410)의 손상을 막기 위한 소정의 냉각 부재가 상기 안테나부(410)의 일측 영역에 마련될 수도 있다.
패러데이 실드(600)는 실드부(200) 외측면에 위치하여 실드부(200) 내측에 형성되는 플라즈마를 기판 에지 영역에 집중시킨다. 본 실시예에서는 실드부(200)와 안테나부(410) 사이 공간에 패러데이 실드(600)가 마련되는 것이 바람직하다. 이때, 패러데이 실드(600)는 패러데이 효과를 이용하여 안테나부에 위치한 코일 위치로 플라즈마의 형성이 집중되는 것을 방지하여 챔버 내부에 균일한 플라즈마가 형성되도록 돕는 역할을 하고, 실드부(200)의 내측벽면에 코일이 위치하는 부분에 만 식각 부산물과 폴리머(polymer)들이 쌓이지 못하도록 스퍼터링(sputtering)되는 현상을 방지하여 공정 챔버 내측 전면에 골고루 최소량의 식각 부산물과 폴리머들이 쌓이도록 작용하여, 장비사용시간을 늘리고 공정진행 중 챔버 내측에 퇴적된 불순물들이 불규칙하게 떨어져 나와 파티클을 생성하는 문제가 발생하는 것을 막아 줄 수 있다.
패러데이 실드(600)는 도시되지 않았지만 링형상의 몸체와, 상기 몸체 내에 마련된 복수의 슬릿을 포함할 수 있다. 슬릿은 챔버(100) 상측벽을 기준으로 세로 방향으로 마련된다. 이때, 상기 슬릿의 폭 그리고, 슬릿들 간의 간격을 조절하여 플라즈마의 균일도를 조절할 수 있다. 패러데이 실드(600)는 플라즈마 발생시에 안테나 코일부와 플라즈마 사이에 발생되는 원치않는 전압을 최소화하고, 실드부(200) 전면에 골고루 분포시키는 역할을 위하여 장비의 접지부에 접지시킨다.
도시되지 않았지만, 패러데이 실드(600)와 안테나부(410) 사이에는 절연을 위한 절연부재가 마련될 수도 있다. 상기의 패러데시 실드(600)는 실드부(600)의 외측면에 접촉되어 플라즈마 형성을 위한 안테나 코일과 일정한 간격을 유지하게 하는 것이 바람직하다.
상술한 기판 지지부(500)는 챔버(100)의 반응 공간 내에 위치하여 기판(10)을 지지하고, 하부 챔버부(110)를 통해 로딩된 기판(10)을 차폐부(300)와 실드부(200)가 위치한 상부 챔버부(120)의 오목홈부(123) 내측 영역으로까지 상승시키거나, 오목홈부(123) 내측까지 상승한 기판(10)을 하부 챔버부(110) 영역으로 하강시킨다.
기판 지지부(500)는 기판(10)을 지지하는 기판 지지척(520)과, 기판 지지척(520)을 승강시키는 구동부(540) 및 기판 지지척(520)에 바이어스 전원을 공급하는 바이어스 전원 공급부(550)를 구비한다.
기판 지지척(520)은 기판(10)과 유사한 형상을 갖고, 기판(10)의 사이즈보다 더 작은 사이즈를 갖는 판 형상으로 제작된다. 이를 통해 기판 지지척(520) 상에 위치하는 기판(10)은 그 하측 에지 영역이 플라즈마 생성 공간에 노출될 수 있다. 기판 지지척(520) 내에는 기판 지지척(520)을 가열하기 위한 기판 가열 수단(530)이 마련된다. 기판 가열 수단(530)은 기판 지지척(520) 내에 마련된 열선(531)과, 상기 열선(531)에 전원을 공급하는 열선 전원 공급 장치(532)를 구비한다. 그리고, 기판 가열 수단(530)의 열선이 기판 지지척(520)의 에지 영역에 집중 배치되는 것이 바람직하다. 기판 지지척(520) 상에 위치하는 기판 에지 영역을 가열하여 기판 에지 영역의 반응성을 향상시킬 수 있다.
바이어스 전원 공급부(550)는 1000W 이하의 전력을 공급하는 것이 바람직하다. 그리고, 바이어스 전원의 주파수는 2 내지 13.56MHz인 것이 바람직하다. 이와 같이 바이어스 전원 공급부(550)는 바이어스 전원을 기판 지지척(520)에 인가하고, 이를 통해 기판 지지척(520) 상의 기판(10)에 바이어스 전원이 제공된다. 이러한 바이어스 전원에 의해 기판 지지척(520)과 차폐부(300) 외측으로 노출된 기판 에지 영역으로 플라즈마가 이동하도록 할 수 있다.
기판 지지척(520)의 단부에는 도면에 도시된 바와 같이 하측 전극부(510)가 마련될 수 있다. 하측 전극부(510)는 접지 전원과 접속된다. 하측 전극부(510)는 기판 지지부(500)에 인가되는 바이어스 전원의 커플링을 유도하여 플라즈마 밀도를 증가시키고, 이로인하여 기판 가장자리 둘레의 식각율을 향상시킨다.
기판 지지척(520)에는 바이어스 전원이 제공되기 때문에 기판 지지척(520)과 하측 전극부(510) 사이에는 절연층(511)이 마련된다. 도 1에서는 기판 지지척(520)의 측면 둘레를 따라 절연층(511)이 마련됨이 도시되었다. 이 경우, 기판 지지부(500)의 사이즈는 기판 지지척(520)과 절연층(511)을 포함하게 된다. 따라서, 기판 지지부(500) 상에 위치하게 되는 기판(10)은 절연층(511)의 끝단으로부터 0.1 내지 5mm 돌출된다. 물론 절연층(511)이 기판 지지척(520)과 하측 전극부(510) 사이 영역에만 위치하는 경우, 즉, 절연층(511)이 기판(10)과 접하지 않는 경우에는 기판 지지척(520)의 끝단에서부터 기판이 0.1 내지 5mm 돌출되는 것이 바람직하다. 또한, 기판 지지척(520)의 측면에 하측 전극부(510)를 생략할 수 있고, 이에 따라 절연층(511) 또한 생략할 수 있다.
구동부(540)는 챔버(100) 내측으로 연장되어 기판 지지척(520)을 승강시키는 구동축부(541)와, 상기 구동축부(541)를 이동시키는 구동부재(542)를 포함한다.
상술한 플라즈마 식각 장치는 플라즈마 발생 영역(즉, 실드부(200)와 차폐부(300) 및 기판 지지부(500) 사이 공간)에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부(700)를 더 포함한다. 가스 공급부(700)는 챔버(100) 내의 반응 공간으로 공정 가스를 분사하는 분사부(710)와, 분사부(710)에 공정 가스를 공급하는 가스 파이프(720) 및 상기 가스 파이프(720)에 공정 가스를 제공하는 가스 저장부(730)를 포함한다. 상기 분사부(710)는 복수의 노즐 형태로 제작되어 차폐부(300) 둘레를 따 라 상부 챔버부(120)에 마련된다. 이를 통해 차폐부(300) 둘레에 균일한 공정 가스를 제공할 수 있다. 이때, 앞서 설명한 바와 같이 본 실시예의 챔버(100) 내에는 가열 수단(112, 122)들이 마련되어 있다. 따라서, 이러한 가열 수단(112, 122)을 통해 챔버(100) 내부 공간에 공정 가스를 분사하기 전에 공정가스를 가열시킬 수 있다.
물론 이에 한정되지 않고, 다양하게 변경될 수 있으며, 예를 들어, 가스 공급부(700)는 실드부(200)를 통해 실드부(200) 내측으로 제공될 수도 있다. 즉, 실드부(200) 내측면에 균일하게 복수의 분사부(710)가 마련되고, 상부 챔버부(120)를 관통하여 가스 파이프(720)가 연장되어 공정 가스를 실드부(200) 내측 영역 즉, 플라즈마 발생 영역에 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리 방법의 실시예로서, 상술한 구조를 갖는 플라즈마 식각 장치의 식각 방법을 도 2를 참조하여 간략히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 방법의 순서도이다.
챔버(100)의 측벽에 마련된 게이트 밸브(130)가 개방되고, 상기 게이트 밸브를 통해 챔버(100) 내측 즉, 반응 공간(A)으로 기판(10)이 인입되며, 인입된 기판(10)은 기판 지지부(500) 상에 안착된다(S100). 이때, 챔버(100) 내부는 기판 지지부 및 챔버(100)내에 마련된 가열 수단(112, 122, 531)에 의해 일정 온도로 가열될 수도 있고, 기판(10) 인입과 동시에 가열될 수도 있다. 특히, 기판 에지 영역을 가열하여 상기 영역에서의 식각 반응성을 향상시킨다. 챔버(100)의 소재 등에 따라 달라질 수 있지만, 통상적으로 챔버(100)의 열변형 등을 감안하면 챔버(100)는 100 ℃ 이하까지 가열되는 것이 바람직할 것이다.
기판(10)을 기판 지지부(500)에 위치시킨 후 게이트 밸브(130)가 닫히고, 챔버(100) 내부의 반응 공간(A)의 압력을 목표로 하는 압력으로 조절한다. 상기 압력이 1×10-3torr이하가 되도록 한다. 그리고, 기판 지지부(500)를 상승시켜 상부 챔버부(120)의 오목홈부(123) 내측으로 이동시킨다. 이때, 기판 지지부(500)를 오목홈부(123) 내에 마련된 차폐부(300)에 근접 위치시킨다. 즉, 기판 지지부(500) 상에 안착된 기판(10)과 차폐부(300) 사이의 간극 거리가 0.1 내지 10mm를 유지하도록 한다(S200). 상기 범위를 유지하여 기판 지지부(500)와 차폐부(300) 사이 영역에서의 플라즈마 발생을 방지할 수 있다. 그리고, 기판(10), 기판 지지부(500) 및 차폐부(300)는 원형상으로 제작되고, 이들의 중심이 일치된다. 이를 통해 근접 배치된 기판 지지부(500)와 차폐부(300)에 의해 기판(10)의 에지 영역이 이들 외측 영역으로 노출된다. 차폐부(300)와 기판(10) 사이의 거리가 가까울 경우, 차폐부(300) 하측의 기판 영역에는 플라즈마가 발생하지 않는다.
이어서, 가스 공급부(700)를 통해 반응 공간(A)에 공정 가스를 공급하고(S300), 플라즈마 발생부(400)를 통해 공정 가스가 공급되는 반응 공간(A)에 플라즈마를 발생시킨다(S400). 이를 통해 플라즈마화된 공정 가스를 생성한다. 이때, 공정 압력은 5 내지 500mTorr인 것이 바람직하다. 공정 압력이 5 mTorr 미만일 경우에는 미미한 플라즈마 밀도로 인하여 공정 시간이 오래 걸리게 되어 효율이 저하된다. 만약, 플라즈마가 발생되지 않을 정도의 저압력이라면 전호방전 등에 의하여 기판(10) 또는 식각 장치가 손상될 수 있다. 공정 압력이 500 mTorr를 넘으면 공정 가스의 평균 자유 행로가 단축되어 플라즈마 생성이 용이하지 않을 수 있다.
플라즈마는 실드부 외측 공간(즉, 분리 영역(D))에 마련된 안테나부(410)에 고주파 전원을 인가하고, 차폐부(300) 측면의 상측 전극부(310)와, 기판 지지부(500) 측면의 하측 전극부(510)에 접지 전원을 인가하면 이들 사이 공간 즉, 실드부(200) 내측 공간에 생성된다. 즉, 예를 들어 안테나부(410)에 2MHz의 주파수를 갖고 1.5KW의 전력을 갖는 고주파 전원을 공급하여 기판 에지 영역에 플라즈마를 발생시킨다.
이때, 차폐부(300) 둘레를 따라 공정 가스가 균일하게 분사되게 되고, 상기 공정 가스는 플라즈마에 의해 활성화된다. 그리고, 실드부(200) 내측 표면에 마련된 패러데이 실드(600)에 의해 플라즈마화된 공정 가스가 기판(10)의 에지 영역에 집중된다. 이때, 차폐부(300) 둘레에 마련된 상부 전극부(310)와 기판 지지부(500) 둘레에 마련된 하부 전극부(510)에 바이어스 전원을 인가하여 기판 에지 영역의 막 및 파티클을 제거한다. 예를 들어 13.56MHz의 주파수를 갖고, 500W의 전력을 갖는 바이어스 전원을 기판 지지부(500)에 제공하면 바이어스 전원에 의해 플라즈마가 노출된 기판 에지 영역이 식각된다. 본 실시예에서는 기판 에지 영역에 금속막이 형성된 경우에도 챔버(100) 내측 또는 측면 및 기판 지지부(500) 내측에 마련된 가열 수단에 의해 기판에 층착된 금속막을 가열시킨 다음 활성화된 플라즈마로 기판 에지 영역을 식각하여 금속막을 제거할 수 있다.
경우에 따라서, 기판(10)은 식각이 수행되기 이전에 상온에서 350℃까지 가 열될 수 있다. 기판(10)의 가열 온도는 기판(10) 상의 식각 대상 원소종에 종속될 수 있다. 이를 테면, Cu를 식각하는 경우에는 250~350℃로, Al을 식각하는 경우에는 40~80℃로, W을 식각하는 경우에는 30~50℃로 가열된다. 어느 원소종을 식각하는 경우에나, 기판(10)의 가열 온도는 단일 원소종의 식각이 수행되는 동안 일정하게 유지되는 것이 바람직하며, 대상 원소종을 순차적으로 식각하는 경우 상기 온도 범위로 가열 또는 냉각되는 것이 바람직할 것이다.
여기서, 공정 가스는 불활성 가스 및 반응 가스가 사용된다. 불활성 가스는 Ar, He 등의 18족 원소종이나 기판(10) 또는 챔버(10) 내측과 화학적 활성을 이루지 않는 가스, 이를테면 질소 등이다. 반응 가스는 Cl계, F계를 포함한 17족 원소종이나, 산소계 가스가 사용될 수 있으며, 식각 대상 원소종에 따라 다른 가스가 사용될 수 있다. 여기서, F계 가스로는 CF4, CHF4, SF6, C2F6, NF3, F2, F2N2 및 C4F8 등이 사용될 수 있으며, Cl계 가스로는 BCl3 및 Cl2 등이 사용될 수 있다. 식각 대상 원소종에 따라 예시하자면, Cu를 식각하는 경우에는 반응 가스로서 Cl2 및 BCl3과 불활성 가스로서 Ar이, Al을 식각하는 경우에는 반응 가스로서 Cl2, BCl3 및 O2와 불활성 가스로서 Ar이, W을 식각하는 경우에는 반응 가스로서 SF6 또는 NF3과 불활성 가스로서 Ar이 사용될 수 있다. 상기 반응 가스들은 Cu를 식각하는 경우에는 250~350℃, Al을 식각하는 경우에는 40~80℃, W을 식각하는 경우에는 30~50℃의 온도에서 식각 대상 원소종에 대하여 큰 활성을 가져 식각을 용이하게 한다.
상기 기판 에지 영역의 식각을 완료한 다음 공급 전원과 공정 가스 주입을 차단하고, 챔버(100) 내부의 잔류 가스를 배기한다(S500). 그리고, 기판 지지부(500)는 하부 챔버부(110)의 하측벽 영역으로 하강한다. 이때 필요에 따라 필요한 가스를 주입하고 안테나와 바이어스 고주파 전력을 천천히 줄여서, 잔류 가스가 배기될때 까지 또는 기판 지지부(500)가 하강할 때까지 공정 플라즈마를 유지하여 천천히 꺼지도록 유도하는 것이 파티클 문제와 결함(defect)을 줄여주는데 바람직할 수 있다. 이후, 게이트 밸브(130)가 개방되고, 공정이 완료된 기판(10)을 챔버(100) 외부로 인출시킨다(S600).
이와 같은 각 공정 단계별 구성요소의 구동을 도 3에 나타내었다.
먼저, 플라즈마 식각 장치는 대기 상태에서, 기판 지지부(500)는 차폐부(300)와 소정의 간격을 가지고 위치되어 있다(S1). 이후, 퍼지 밸브(미도시)를 통하여 챔버(100) 내에 공기를 주입하면서 기판 지지부(500)가 하강하고(S2) 대기압 분위기가 형성된 뒤 게이트 밸브(130)를 통하여 기판(10)이 인입된다(S3).
게이트 밸브(130)가 폐쇄되면 기판 지지부(500)를 상승시키고(S4), 진공 분위기가 형성되면 불활성 가스가 인입되며(S5), 기판 지지부(500) 상에 안착된 기판(10)과 차폐부(300) 사이의 간극 조정이 수행되고(S6) 간극이 고정된다(S7).
이후, 반응 가스가 유입되어(S8) 요구되는 공정 분위기가 조성된 뒤(S9), 고주파 전력을 인가하여 공정을 수행한다(S10).
공정이 종료되면 공급 전력 및 반응 가스와 불활성 가스의 유입이 차단되고(S11), 유지된 간극이 재조정을 통하여 이격된다(S12). 경우에 따라서, 불활성 가스 등이 전력이 공급되지 않는 상태에서 챔버(100) 내부로 공급되어 가열된 기판(10) 및 챔버(100) 내부를 냉각시킬 수도 있다.
간극의 이격이 종료되면(S13) 퍼지 밸브가 열려(S14) 챔버(100)는 대기압 분위기로 되고 게이트 밸브(130)를 통하여 기판(10)을 인출시킨 뒤(S15), 챔버(100)의 진공을 형성하고(S16) 기판 지지부(500)를 대기 위치로 상승시킨다.
이와 같은 전체적인 공정 압력을 제어하기 위하여 별도의 압력 조절 수단이 더 구비될 수도 있다.
플라즈마 영역의 한정을 위하여 별도의 구속 자계를 더 형성할 수 있으며, 이 구속 자계는 영구 자석, 전자석 또는 유도자계 등으로 형성될 수 있다. 경우에 따라서, 자력으로 플라즈마 내 이온들의 진동을 야기시켜 플라즈마 발생 효율을 더욱 향상시킬 수도 있다. 이 경우 형성되는 자계는 장치 등의 형상에 따라서 다르게 형성될 수 있다.
또한, 전극에 전력을 인가하는 전원은 고주파 전원 이외에 직류, 교류 등이 사용될 수 있으며, 단극 또는 양극 펄스 전원이 사용될 수도 있다. 이 경우 사용되는 전원에 따라서 각 부재의 전기적 연결이 달라질 수 있으며, 전력인가를 위한 별도의 부재가 더 구비될 수도 있다.
식각이 종료되면 전력 공급을 중단하고 반응성 가스 및 비반응성 가스의 공급을 차단하며, 진공 배기를 통하여 식각 부산물을 챔버 내에서 제거한다. 이때의 식각 부산물은 플라즈마의 라디칼과 반응한 기체형태이므로 진공 배기만으로 충분히 제거가능할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 방법에 사용되는 장치의 개념 단면도,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 방법의 순서도.
도 3은 각 공정 단계별 구성요소의 구동을 나타내는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 챔버 110 : 하부 챔버부
120 : 상부 챔버부 112, 122 : 가열 수단
200 : 실드부 300 : 차폐부
310, 510 : 전극부 400 : 플라즈마 생성부
410 : 안테나부 500 : 기판 지지부
600 : 패러데이 실드 700 : 가스 공급부
Claims (24)
- 챔버와 상기 챔버에 구비된 플라즈마 생성부, 기판 지지부 및 상기 기판 지지부 상측에 배치되는 차폐부를 포함하는 플라즈마 처리 장치 내의 상기 기판 지지부 상에 기판의 중심 영역을 안착시키는 단계;상기 플라즈마 처리 장치 내에 공정 가스를 유입하는 단계;상기 플라즈마 처리 장치 내에 플라즈마를 형성시켜 상기 기판의 외주 영역상의 피처리 원소종을 처리하는 단계;를 포함하고,상기 플라즈마를 형성시키기 이전에 상기 기판을 가열하며,상기 플라즈마 생성부는 상기 챔버 내측의 상기 차폐부 둘레 영역에 마련된 안테나부와, 상기 안테나부에 플라즈마 전원을 공급하는 플라즈마 전원 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제1항에 있어서,상기 기판과 상기 플라즈마 처리 장치 내의 차폐부와의 간극을 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제2항에 있어서,상기 간극은 0.1 내지 10 ㎜인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제1항에 있어서,상기 기판의 가열은 350℃ 이하로 수행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처 리 방법.
- 제4항에 있어서,상기 기판의 가열은, 상기 피처리 원소종이 Cu일 때 250~350℃로 수행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제4항에 있어서,상기 기판의 가열은, 상기 피처리 원소종이 Al일 때 40~80℃로 수행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제4항에 있어서,상기 기판의 가열은, 상기 피처리 원소종이 W일 때 30~50℃로 수행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제1항에 있어서,상기 기판의 가열은 상기 기판 지지부에 마련된 가열 수단으로 수행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제1항에 있어서,상기 기판의 가열은 상기 플라즈마 처리 장치의 챔버 내부를 가열하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제9항에 있어서,상기 플라즈마 처리 장치의 챔버는 100℃ 이하로 가열되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제1항에 있어서,상기 공정 가스는 불활성 가스 및 반응 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제11항에 있어서,상기 불활성 가스는 18족 원소 및 질소로 구성되는 일 군에서 선택되는 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제11항에 있어서,상기 반응 가스는 17족 원소 또는 산소계로 구성되는 일 군에서 선택되는 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제13항에 있어서,상기 반응 가스는 상기 피처리 원소종이 Cu일 때 Cl2 및 BCl3 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제13항에 있어서,상기 반응 가스는 상기 피처리 원소종이 Al일 때 Cl2, BCl3 및 O2 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제13항에 있어서,상기 반응 가스 상기 피처리 원소종이 W일 때 SF6 및 NF3 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리 장치내 공정 압력은 5 내지 500 mTorr인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제1항에 있어서,상기 기판의 외주 영역은 상기 기판 지지부 상에서 측방향으로 0.1 내지 5 ㎜의 돌출되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리 장치는 상기 챔버 내측에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부를 더 포함하며,상기 차폐부는 상기 기판의 중심영역을 차폐하고,상기 챔버는 상기 기판 지지부와 상기 차폐부를 수납하고, 그 벽면에 가열 수단이 마련되고,상기 플라즈마 생성부는 상기 기판 지지부 및 상기 차폐부와 상기 챔버의 측벽면 사이 공간에 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리 장치는 상기 챔버 내의 반응 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부를 더 포함하며,상기 차폐부는 상기 반응 공간에 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 삭제
- 제19항 또는 제20항에 있어서,상기 챔버에 분리 공간을 형성하는 실드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제22항에 있어서,상기 실드부의 외주면 둘레에 마련된 패러데이 실드를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제1항에 있어서,상기 피처리 원소종을 처리하는 단계 이후에, 상기 피처리 원소종의 처리 부산물을 제거하는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
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