KR101372309B1 - 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비 및 원자층 증착 방법 - Google Patents

롤투롤 방식의 원자층 증착 장비 및 원자층 증착 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 원자층 증착 장비 및 원자층 증착 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 장비 구성을 단순화할 수 있고, 매우 높은 효율의 박막 두께의 균일성을 달성할 수 있으며, 생산성 또한 향상시킬 수 있는 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비 및 원자층 증착 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 진공 챔버; 상기 진공 챔버 내부를 복수의 병렬의 구획 챔버로 구획하는 구획 수단; 상기 진공 챔버의 각 구획 챔버 내에 각각 회전가능하게 설치되며, 증착 대상물을 이동시키는 롤러 부재; 상기 롤러 부재를 회전시키기 위한 회전 유닛; 상기 진공 챔버에 필요한 공정 온도를 제공하기 위한 히터 유닛; 상기 진공 챔버에 박막 증착을 위한 공정가스를 제공하기 위한 공정가스 제공유닛; 상기 공정가스 제공유닛으로부터 제공되는 공정가스를 각각의 구획 챔버로 공급하기 위한 개별 공급 라인; 및 상기 진공 챔버 내부를 진공화시키며, 공정가스를 배기시키기 위한 진공/배기 유닛을 포함하며, 상기 구획 수단은 이웃하는 구획 챔버 간에 증착 대상물을 안내하는 안내구와 상기 안내구를 기밀하게 유지시키는 기밀 부재를 포함하는 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비를 제공한다.

Description

롤투롤 방식의 원자층 증착 장비 및 원자층 증착 방법{ALD EQUIPMENT FOR ROLL TO ROLL TYPE AND ALD METHOD}
본 발명은 원자층 증착 장비 및 원자층 증착 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 장비 구성을 단순화할 수 있고, 매우 높은 효율의 박막 두께의 균일성을 달성할 수 있으며, 생산성 또한 향상시킬 수 있는 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비 및 원자층 증착 방법에 관한 것이다.
지금까지는 반도체 소자용 박막의 제조에 물리기상 증착법(PVD: Physical Vapor Deposition) 또는 화학기상 증착법(CVD: Chemical Vapor Deposition) 기술이 이용되었으나, 이러한 기존의 기술은 선폭 90nm 이하의 나노급 초고집적 소자 제조에 적용하기에는 한계가 있다.
잘 알려져 있는 바와 같이, 원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition)의 경우, 복잡한 형상의 3차원 구조에서도 뛰어난 균일도를 가지는 나노 두께의 박막 증착이 가능하기 때문에 나노급 반도체 소자 제조의 필수적인 증착 기술로 주목받고 있다. 이러한 원자층 증착은 우수한 단차 피복성과 고품질의 박막의 성장이 가능하다는 장점을 갖는 반면, 낮은 생산성이라는 한계를 가지고 있다.
원자층 증착의 낮은 생산성이라는 한계를 극복하기 위해 사이클릭(Cyclic) CVD, PEALD(Plasma Enhanced ALD), 배치타입(Batch Type) ALD, 롤투롤(Roll-to-Roll) ALD 등 많은 연구가 진행되고 있다.
이러한 많은 연구들 중 롤투롤 ALD는 롤에서 롤로 이동되는 증착 대상물(통상적으로 예를 들면, 연성의 기판)의 안정적인 이동을 통하여 연성 기판 위에 연속적인 공정을 통하여 박막을 성장시킴으로써 대량의 박막을 성장시키는 방법이다.
일반적으로 ALD의 성장되는 박막의 두께는 공정이 진행되는 사이클(cycle)에 따라 두께가 결정된다. 사이클은 주기라는 뜻 그대로 ALD 공정이 주기적으로 반복되는 것을 일컫는 말이다.
ALD는 주기적으로 소스/퍼지/반응/퍼지(source/purge/reactant/purge)의 4 공정이 주기적으로 반복되는 이러한 4공정을 1주기의 사이클이라고 한다. 이러한 사이클의 주기를 컨트롤하는 방법은 시간적인 측면과 공간적인 측면으로 나눠진다.
시간분할적인 ALD 시스템은 동일한 공간 영역 하에 펄스(pulse) 시간과 퍼지(purge) 시간의 조정을 통하여 시간적인 분할로써 사이클을 컨트롤하여 성장되는 박막의 두께를 조절할 수 있다. 시간분할적인 ALD 시스템은 대부분의 보통의 ALD 시스템에서 사용되어 진다.
반면에 공간분할적인 ALD 시스템은 소스와 반응 그리고 퍼지의 공정이 일어나는 공간을 분할하여 주기적으로 공간의 이동에 의해 사이클이 컨트롤 되어 박막의 두께를 조절하는 방법을 말한다. 이러한 공간분할적인 ALD 시스템은 보통 롤투롤 ALD 시스템에서 사용되어 진다. 그 이유는 롤투롤 ALD 시스템의 특성 상(이동되는 연성 기판의 동일한 이동도가 요구됨) 시간적인 분할을 통하여 사이클을 컨트롤하는데 다소 어려움이 존재한다. 이 때문에 펄스 공정의 공간과 퍼지 공정의 공간을 분할함(unit)으로써 사이클을 컨트롤하는 방법을 사용하게 된다.
그러나 기존의 롤투롤 ALD 시스템의 경우 연성 기판의 이동을 위해서 연성 기판의 이동경로에 많은 수의 롤러들을 위치시켜 연성기판의 이동 경로를 유도하였다. 이와 같이 롤러들은 연성기판의 공정 주기의 수가 증가하면 증가할수록 롤러의 수 또한 이에 따라 증가하기 때문에 장치의 구성이 복잡해지는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 장비 구성을 단순화할 수 있고, 매우 높은 효율의 박막 두께의 균일성을 달성할 수 있으며, 생산성 또한 향상시킬 수 있는 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비 및 원자층 증착 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 해결과제는 이상에서 언급한 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어질 수 있을 것이다.
상기 목적 및 다른 특징들을 달성하기 위한 본 발명의 제1 관점에 따르면, 진공 챔버; 상기 진공 챔버 내부를 복수의 병렬의 구획 챔버로 구획하는 구획 수단; 상기 진공 챔버의 각 구획 챔버 내에 각각 회전가능하게 설치되며, 증착 대상물을 이동시키는 롤러 부재; 상기 롤러 부재를 회전시키기 위한 회전 유닛; 상기 진공 챔버에 필요한 공정 온도를 제공하기 위한 히터 유닛; 상기 진공 챔버에 박막 증착을 위한 공정가스를 제공하기 위한 공정가스 제공유닛; 상기 공정가스 제공유닛으로부터 제공되는 공정가스를 각각의 구획 챔버로 공급하기 위한 개별 공급 라인; 및 상기 진공 챔버 내부를 진공화시키며, 공정가스를 배기시키기 위한 진공/배기 유닛을 포함하며, 상기 구획 수단은 이웃하는 구획 챔버 간에 증착 대상물을 안내하는 안내구와 상기 안내구를 기밀하게 유지시키는 기밀 부재를 포함하는 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비를 제공한다.
본 발명에서, 상기 구획 수단은 상기 진공 챔버를 제1 구획 챔버, 제2 구획 챔버 및 제3 구획 챔버로 구획하고; 상기 공정가스 제공유닛은 제1 소스 가스원, 퍼지 가스원 및 제2 소스 가스원을 포함하며, 상기 개별 공급 라인은 상기 제1 소스가스원으로부터의 제1 소스 가스를 상기 제1 구획 챔버로 공급하는 공급 라인과, 상기 퍼지 가스원으로부터 퍼지 가스를 상기 제2 구획 챔버로 공급하는 공급 라인, 및 상기 제2 소스 가스원으로부터 제2 소스 가스를 제3 구획 챔버로 공급하는 공급 라인을 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 히터 유닛은 히터 및 상기 히터를 제어하는 히터 컨트롤러를 포함하며, 상기 롤러 부재와 일체로 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 히터는 상기 롤러 부재의 외연에 형성되는 원통형 히터로 이루어지거나, 상기 롤러 부재의 외연에 일정 간격을 갖고 배치되는 복수의 환형 히터로 이루어질 수 있다.
본 발명에서, 상기 공급 라인은 상기 롤러 부재에 평행하게 진공 챔버 내로 연장하는 연장 라인을 더 포함하며, 상기 연장 라인에는 상기 롤러 부재 측으로 공정 가스를 배출하기 위한 복수의 가스 배출구가 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 공급 라인의 연장 라인은 상기 롤러 부재를 중심으로 그 롤러 부재의 둘레에 대칭되게 배치되는 둘 이상의 연장 라인으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제2 관점에 따르면, 롤투롤 방식의 원자층 증착 방법에 있어서, 병렬로 복수 구획된 구획 챔버 내에서 롤러 부재를 통해 증착 대상물을 이송시키고; 상기 복수 구획된 구획 챔버 중 해당하는 구획 챔버 내에 각각 소스 가스와 퍼지 가스의 공정 가스를 개별적으로 연속 공급하여 증착 대상물이 이송되는 흐름 상에서 박막 증착이 순차적으로 연속하여 이루어지는 것을 포함하는 롤투롤 방식의 원자층 증착 방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 각 구획 챔버 내에서 상기 롤러 부재에 평행하게 연장되는 연장 라인을 통해 증착 대상물에 대해 상기 공정 가스를 공급할 수 있다.
본 발명에 의한 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비 및 방법에 따르면, 장비 구성을 단순화할 수 있고, 매우 높은 효율의 박막 두께의 균일성을 달성할 수 있으며, 생산성 또한 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어 질 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비를 구성하는 일 실시 형태의 히터 유닛을 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비를 구성하는 다른 실시 형태의 히터 유닛을 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 롤투롤 방식의 원자층 증착 설비에서 공정가스가 롤러 부재 측으로 공급되는 형태를 설명하기 위한 개념도이다.
본 발명의 추가적인 목적들, 특징들 및 장점들은 다음의 상세한 설명 및 첨부도면으로부터 보다 명료하게 이해될 수 있다.
본 발명의 상세한 설명에 앞서, 본 발명은 다양한 변경을 도모할 수 있고, 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는바, 아래에서 설명되고 도면에 도시된 예시들은 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 명세서에 기재된 "...부", "...유닛", "...모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
이하 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이고, 도 2는 본 발명에 따른 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비를 구성하는 일 실시 형태의 히터 유닛을 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비는 진공 챔버(100); 상기 진공 챔버(100) 내부를 복수의 병렬의 구획 챔버(110, 120, 130)로 구획하는 구획 수단(미도시); 상기 진공 챔버(100)의 각 구획 챔버 내에 각각 회전가능하게 설치되며, 증착 대상물을 이동시키는 복수의 롤러 부재(200); 상기 롤러 부재(200)를 회전시키기 위한 회전 유닛(300); 상기 진공 챔버(100)에 필요한 공정 온도를 제공하기 위한 히터 유닛; 상기 진공 챔버(100)에 박막 증착을 위한 공정가스를 제공하기 위한 공정가스 제공유닛(500); 상기 공정가스 제공유닛(500)으로부터 제공되는 공정가스를 각각의 구획 챔버로 공급하기 위한 개별 공급 라인(610, 620, 630); 및 상기 진공 챔버(100) 내부를 진공화시키며, 공정가스를 배기시키기 위한 진공/배기 유닛(700)을 포함하며, 상기 구획 수단은 이웃하는 구획 챔버 간에 증착 대상물을 안내하는 안내구와 상기 안내구를 기밀하게 유지시키는 기밀 부재를 포함한다.
미설명부호 800은 공정가스 제공유닛(500)으로부터 개별 공급 라인(610, 620, 630)을 통해 진공 챔버(100)로 제공되는 각 공정가스의 유량을 제어하는 질량유량 컨트롤러(MFC)이다.
상기 진공 챔버(100)는 각각의 롤러 부재(200)에 대응하는 개수에 따라 복수의 구획 챔버를 형성하는데, 도면에 도시된 예에서는 세 개의 롤러 부재(200)가 설치되고, 왼쪽으로부터 제1 구획 챔버(110), 제2 구획 챔버(120) 및 제3 구획 챔버(130)를 형성한다. 도면에서 이들 챔버에 대해서 간략히 도시하고 있지만, 실질적으로 챔버는 그 챔버 내부를 통과하는 증착 대상물이 공정 가스와 퍼지 가스에 의해 충분히 증착될 수 있는 체적이나 이송 방향으로의 폭을 갖는다.
상기 진공 챔버(100)는 롤러 부재(200)를 회전시키기 위하여 회전 유닛(300)의 샤프트가 통과하는 부위는 샤프트를 회전가능하게 지지하면서도 진공 상태를 확보 및 유지하기 위한 기밀 수단이 설치된다.
상기 구획 수단에 형성되는 안내구는 증착 대상물(예를 들면, 연성 기판)이 이동될 수 있는 슬롯(slot) 형태로 형성되며, 상기 기밀 수단은 이동중의 증착 대상물의 이동을 허용하면서도 이웃하는 구획 챔버 간의 기밀을 유지할 수 있는 실(seal) 부재로 이루어질 수 있다.
상기 롤러 부재(200)는 원통형 또는 원기둥 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 도면에 나타낸 실시 예에서 상기 롤러 부재(200)는 회전 유닛(300) 측의 샤프트에 의해 회전가능하게 지지되는 형태를 나타내고 있지만, 그 롤러 부재(200)의 양단이 회전가능하게 지지될 수 있음을 알 수 있다. 이하에서는 제1 구획 챔버(110)에 위치되는 롤러 부재를 제1 롤러 부재, 제2 구획 챔버(120)에 위치되는 롤러 부재를 제2 롤러 부재, 그리고 제3 구획 챔버(130)에 위치되는 롤러 부재를 제3 롤러 부재로 칭한다.
상기 회전 유닛(300)은 상기 롤러 부재(200)를 소정 속도를 회전시키고 그 회전 속도를 제어하기 위한 것으로서, 모터 등의 회전 구동 부재 및 상기 회전 구동 부재의 회전을 제어하기 위한 회전 제어 수단을 포함한다.
상기 히터 유닛은 증착 대상물과 공정 가스의 반응을 촉진시키기 위한 것으로서, 히터(400)(도 2 참조) 및 상기 히터(400)를 제어하는 히터 컨트롤러(미도시)를 포함한다.
상기 히터 유닛의 히터(400)는 상기 롤러 부재(200)와 일체로 형성될 수 있다. 도 2에 나타낸 바와 같이 상기 롤러 부재(200)의 외연에 일체로 형성되는 원통형 히터로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 히터 유닛의 히터(400)는 도 3과 같이 구성될 수 있다. 도 3은 본 발명에 따른 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비를 구성하는 다른 실시 형태의 히터 유닛을 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 히터 유닛의 히터(400)는 롤러 부재(200)의 외연에 일체로 형성되되, 일정 간격을 갖고 배치되는 복수의 환형 히터로 이루어질 수 있다.
상기 공정가스 제공유닛(500)은 개별 공급 라인(610, 620, 630)을 통해 진공 챔버(100)의 내부로 각각 공정에 필요한 공정가스를 제공하기 위한 것으로, 도 1에서는 제1 구획 챔버(110) 측으로 제1 소스 가스를 제공하기 위한 제1 소스 가스원(510), 제2 구획 챔버(120) 측으로 퍼지 가스를 제공하기 위한 퍼지 가스원(520), 및 제3 구획 챔버(130) 측으로 제2 소스 가스를 제공하기 위한 제2 소스 가스원(530)으로 이루어지는 예를 도시하고 있다.
상기 개별 공급 라인(610, 620, 630)에 있어서, 공급 라인 610은 제1 소스 가스원(510)으로부터의 제1 소스 가스를 제1 롤러 부재가 위치되는 제1 구획 챔버(110)로 공급하도록 설치되고, 공급 라인 620은 퍼지 가스원(520)으로부터의 퍼지 가스를 제2 롤러 부재가 위치되는 제2 구획 챔버(120)로 공급하도록 설치되며, 공급 라인 630은 제2 소스 가스원(530)으로부터의 제2 소스 가스를 제3 롤러 부재가 위치되는 제3 구획 챔버(130)로 공급하도록 설치된다.
여기에서, 상기 각 개별 공급 라인(610, 620, 630)은 도 1에 도시된 바와 같이 롤러 부재(200)에 평행하게 진공 챔버(100) 내로 연장하는 연장 라인을 더 포함하며, 상기 연장 라인에는 상기 롤러 부재 측으로 공정 가스를 배출하기 위한 복수의 가스 배출구가 형성된다.
상기 개별 공급 라인(610, 620, 630)의 연장 라인은 롤러 부재(200)를 중심으로 그 롤러 부재의 둘레에 대칭되게 배치되는 둘 이상의 연장 라인으로 이루어질 수 있다.
이 경우, 상기 둘 이상의 연장 라인의 배치는 롤러 부재(200)에 의해 이송되는 증착 대상물이 이동되는 이동 경로를 확보할 수 있는 배치 관계를 갖고 설치되는 것임은 충분히 이해할 수 있다.
다음으로, 상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비의 동작에 대해서 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다. 도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 롤투롤 방식의 원자층 증착 설비에서 공정가스가 롤러 부재 측으로 공급되는 형태를 설명하기 위한 개념도이다.
공정가스 제공유닛(500)에서 주입되는 공정가스들은 각각 각각의 개별 공급 라인(610, 620, 630)을 통해 진공 챔버(100)의 해당 구획 챔버들(110, 120, 130)에 연속적으로 공급된다.
이와 같이 각각의 공정가스가 각 구획 챔버들(110, 120, 130)에 공급되는 상태에서, 회전 유닛(300)의 구동에 의해 롤러 부재(200)는 회전하게 되고, 이에 따라 증착 대상물(예를 들면, 연성 기판)은 이 롤러 부재(200)에 의해 이동하게 된다.
상기 롤러 부재(200)에 의해 증착 대상물이 이동하는 동안 각 구획 챔버(110, 120, 130)로 공급되는 공정가스들에 의해 증착 대상물은 해당 구획 챔버(110, 120, 130)를 통과하면서 증착 대상물에는 순차적인 화학반응(pulse/Purge/Pulse/Purge)에 의해 박막이 성장되게 된다.
이때 성장되는 박막의 두께는 이동되는 증착 대상물의 이동 속도와 주입되는 가스의 양에 따라 결정 되어지게 되는데, 이동되는 증착 대상물의 이동 속도는 회전 유닛(300)의 회전 제어 수단을 제어를 통해 롤러 부재의 회전 속도를 제어함으로써 조절이 가능하다. 또한 주입되는 가스의 양은 개별 공급 라인(610, 620, 630) 상에 위치한 질량유량 컨트롤러(800)에 의해 제어가 가능하다.
본 발명에서 제안하는 롤투롤 원자층 증착 설비는 각 구획 챔버(110, 120, 130)에 설치된 롤러 부재(200)에 의해 도 1과 같은 공정 경로로 유도함으로써 기존 롤투롤 장치와 비교하여 매우 단순한 장치를 구성할 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 롤러 부재(200)는 외연에 히터(400)를 구비하고 있어 증착 대상물의 이동과 증착 대상물의 온도 제어의 두 가지 기능을 수행한다.
다시 말해서, 상기 롤러 부재(200)는 증착 대상물을 이동시키는 역할뿐만 아니라 그 롤러 부재(200)에 히터(400)가 일체로 형성되어 증착 대상물의 가스의 반응을 촉진시키기 위한 온도제어 기능을 함께 수행할 수 있다. 상기 롤러 부재(200)의 외연에 위치한 히터(400)는 롤러 부재(200)에 의해 이동되는 증착 대상물의 온도를 제어하여 반응을 촉진시킨다.
한편, 본 발명에 있어서, 상기 개별 공급 라인(610, 620, 630)은 롤러 부재(200)에 평행하게 위치되는 연장 라인을 구비하며, 그에 형성된 가스 배출구를 통해 각 구획 챔버 내부에서 롤러 부재(200) 측으로 공정 가스를 제공함으로써 균일한 두께의 박막의 성장을 가능하게 한다.
기존의 원자층 증착 장비의 가스 주입 장치는 반응이 일어나는 영역에 가스 주입구를 위치시킴으로써 챔버 내부의 영역에 따라 가스의 양의 차이가 발생함으로써 실제 연성기판의 균일한 두께의 박막성장의 한계가 존재한다. 본 발명은 이러한 기존의 롤투롤 원자층 증착 장비의 단점을 극복한 것으로서, 각 구획 챔버(110, 120, 130) 공간 전체 영역에서 연장 라인의 가스 배출구를 통하여 구획 챔버 내부로 가스를 주입하게 된다. 이에 따라 연장 라인의 가스 배출구는 증착 대상물의 이동 경로와 간섭되는 위치에 존재하여 가스의 손실을 최소한으로 억제한다.
다시 말해서, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 개별 공급 라인(610, 620, 630)의 연장 라인의 가스 배출구는 증착 대상물이 이동하는 경로 상과 간섭이 가능한 위치에 존재하게 된다. 이로 인하여 증착 대상물에 직접적으로 가스를 제공함으로써 손실되는 가스의 양의 최소화하게 된다. 상기 연장 라인이 분지되어 롤러 부재(200)의 주위에 다수 형성되는 경우, 도 5와 같이 롤러 부재(200)에 대하여 360도 전면에 가스를 제공함으로써 이동되는 증착 대상물에 보다 동일한 두께의 박막을 성장 가능하도록 한다.
도면에 도시한 실시 예에서는 한 주기의 공정이 3개의 구획 챔버에서 진행되는 것을 도시하고 있는 것으로, 이 3개의 구획 챔버는 제1 구획 챔버(제1 펄스 챔버)(110), 제2 구획 챔버(퍼지 챔버), 제3 구획 챔버(제2 펄스 챔버)로 구성되는 예를 도시하고 있다. 각각의 구획 챔버에서는 독립적으로 가스와 증착 대상물의 반응이 일어난다.
초기 제1 소스 가스가 주입되는 펄스 공정은 제1 구획 챔버(110)에서 진행된다. 제1 구획 챔버(110)에 제1 소스 가스가 주입되면 제1 구획 챔버(110) 내에서 롤러 부재(200)에 의해 이동되는 증착 대상물(예를 들면, 연성 기판)은 이동 중에 제1 소스 가스와 반응을 일으키게 된다.
이후 제2 구획 챔버(120)로 이동되는 증착 대상물은 제2 챔버(120) 내에서 미반응 가스(퍼지 가스) 및 반응부가물 등을 제거하는 공정을 거친 후 제3 구획 챔버(130)로 이동하여 제2 소스 가스와 반응을 하게 된다. 제3 구획 챔버(130)에서 제2 소스 가스와 반응 후 다시 제2 구획 챔버(120)로 이동하여 잔류 가스등을 제거하는 공정을 거치게 되는데, 이렇게 4 단계의 연속적인 공정을 진행함으로써 증착 대상물 위에 박막이 형성되며, 이러한 4단계의 공정을 1주기(cycle)라고 한다.
이하에서는 본 발명에 따른 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비를 통한 구체적인 박막 성장 과정에 대한 실시 예들을 설명한다.
실시 예1: Al 2 O 3 박막 성장
이하 본 발명에 따른 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비를 통한 Al2O3 박막의 성장에 대해서 설명한다.
초기 제1 소스 가스(소스)로는 Al을 성장을 위한 전구체로서 TMA(Trimethylalluminum)를, 퍼스 가스로는 질소를 사용한다. 그리고 Al2O3의 성장을 위한 제2 소스 가스(반응물질)로는 H2O 또는 O3를 사용하여 원자층 증착 공정을 진행하게 된다.
초기 제1 소스가스원(510)에서 해당 공급 라인(610)을 통하여 제1 구획 챔버(110)로 Al의 성장을 위한 TMA가 연속적으로 주입되게 된다. 그리고 퍼지 가스원(520)으로부터 해당 공급 라인(620)을 통하여 제2 구획 챔버(120)로 퍼지 공정을 위한 질소 가스가 연속적으로 주입되며, 제3 구획 챔버(130)로 제2 소스 가스(반응 가스)인 H2O 혹은 O3가 연속적으로 주입되게 된다.
이와 같이 연속적인 공정가스들의 주입으로 인해 각 구획 챔버(110, 120, 130) 내부는 증착 대상물(연성 기판)과 공정가스들의 반응이 일어날 수 있는 분위기가 조성된다.
증착 대상물은 각 롤러 부재(200)에 의해 제1 구획 챔버(110)→제2 구획 챔버(120)→제3 구획 챔버(130)→제2 구획 챔버(120)로 연속적으로 이동하게 된다.
초기 제1 구획 챔버(110)로 이동하게 되는 증착 대상물은 제1 구획 챔버(110)에 공급된 TMA와 반응하게 된다. 그리고 TMA와 반응이 일어난 증착 대상물은 제2 구획챔버(120)에서 퍼지 공정을 거친 후 제3 구획 챔버(130)로 들어가 그 제3 구획챔버(130) 내부의 H2O 혹은 O3와 반응하여 Al2O3 박막을 형성하게 된다.
제3 구획 챔버(130)에서의 공정을 거친 후 박막이 성장된 증착 대상물은 잔류가스 및 불순물을 제거하기 위해서 다시 제2 구획 챔버(120)로 이동하여 퍼지 공정을 진행하게 된다. 이러한 1주기의 공정을 통하여 Al2O3의 유전체 박막의 성장이 이루어진다.
실시 예2: TiN 금속막 성장
이하 본 발명에 따른 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비를 통한 TiN 박막의 성장에 대해서 설명한다.
초기 제1 소스 가스(소스)로는 Ti의 성장을 위한 전구체로써 TiCl4를, 퍼지 가스로는 Ar를 사용한다. 그리고 TiN 금속막의 성장을 위한 제2 소스 가스(반응물질)로는 질소의 전구체인 NH3를 사용하여 원자층 증착 공정을 진행하게 된다.
초기 제1 소스가스원(110)으로부터 해당 공급 라인(610)을 통하여 제1 구획 챔버(110)로 Ti의 성장을 위한 TiCl이 연속적으로 주입되게 된다. 그리고 퍼지 가스원(120)으로부터 해당 공급 라인(620)을 통하여 제2 구획 챔버(120)로 퍼지 공정을 위한 Ar 가스가 연속적으로 주입되며, 제3 구획 챔버(130)로 반응 가스인 NH3가 연속적으로 주입된다.
이와 같이 연속적인 공정 가스의 주입으로 인해 각 구획 챔버(110, 120, 130) 내부는 증착 대상물과 주입가스의 반응이 일어날 수 있는 분위기를 조성하게 된다.
증착 대상물은 각 롤러 부재(200)에 의해 제1 구획 챔버(110)→제2 구획 챔버(120)→제3 구획 챔버(130)→제2 구획 챔버(120)로 연속적으로 이동하게 된다.
초기 제1 구획 챔버(110)로 이동되는 증착 대상물은 제1 구획 챔버(110) 내부의 TiCl와 반응하게 된다. 그리고 TiCl와 반응이 일어난 증착 대상물은 제2 구획 챔버(120)로 이동되어 퍼지 공정을 거친 후 제3 구획 챔버(130)로 들어가 내부의 NH3와 반응하여 TiN 금속막을 형성하게 된다.
제3 구획 챔버(130)의 공정이 거친 후 박막이 성장된 증착 대상물은 잔류가스 및 불순물을 제거하기 위해서 제2 구획 챔버(120)로 이동하여 퍼지 공정을 진행하게 된다. 이러한 1주기의 공정을 통하여 TiN의 금속의 성장이 가능하게 된다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따른 롤루톨 방식의 원자층 증착 장비는 기존의 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비에 비하여 장비 구성을 매우 단순화할 수 있고, 롤러 부재에 의해 이동되는 증착 대상물의 전체적인 면에 대하여 공정가스를 제공할 수 있어 매우 높은 효율의 박막 두께의 균일성을 달성할 수 있다.
또한, 본 발명은 각 공정가스들이 연속적인 주입되는 각 구획 챔버를 이동하는 과정에서 연속적으로 박막을 성장시킬 수 있어 생산성을 매우 향상시킬 수 있다.
본 명세서에서 설명되는 실시 예와 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 예시적으로 설명하는 것에 불과하다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술적 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아님은 자명하다. 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형 예와 구체적인 실시 예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 진공 챔버
110, 120, 130: 구획 챔버
200: 롤러 부재
300: 회전 유닛
400: 히터
500: 공정가스 제공유닛
510: 제1 소스가스원
520: 퍼지 가스원
530: 제2 소스가스원
610, 620, 630: 개별 공급 라인
700: 진공/배기 유닛
800: 질량유량 컨트롤러

Claims (8)

  1. 진공 챔버;
    상기 진공 챔버 내부를 복수의 병렬의 구획 챔버로 구획하는 구획 수단;
    상기 진공 챔버의 각 구획 챔버 내에 각각 회전가능하게 설치되며, 증착 대상물을 이동시키는 롤러 부재;
    상기 롤러 부재를 회전시키기 위한 회전 유닛;
    상기 진공 챔버에 필요한 공정 온도를 제공하기 위한 히터 유닛;
    상기 진공 챔버에 박막 증착을 위한 공정가스를 제공하기 위한 공정가스 제공유닛;
    상기 공정가스 제공유닛으로부터 제공되는 공정가스를 각각의 구획 챔버로 공급하기 위한 개별 공급 라인; 및
    상기 진공 챔버 내부를 진공화시키며, 공정가스를 배기시키기 위한 진공/배기 유닛을 포함하며,
    상기 구획 수단은 이웃하는 구획 챔버 간에 증착 대상물을 안내하는 안내구와 상기 안내구를 기밀하게 유지시키는 기밀 부재를 포함하고,
    상기 히터 유닛은 히터 및 상기 히터를 제어하는 히터 컨트롤러를 포함하며, 상기 롤러 부재와 일체로 형성되고,
    상기 히터는 상기 롤러 부재의 외연에 형성되는 원통형 히터로 이루어지거나, 상기 롤러 부재의 외연에 일정 간격을 갖고 배치되는 복수의 환형 히터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구획 수단은 상기 진공 챔버를 제1 구획 챔버, 제2 구획 챔버 및 제3 구획 챔버로 구획하고;
    상기 공정가스 제공유닛은 제1 소스 가스원, 퍼지 가스원 및 제2 소스 가스원을 포함하며,
    상기 개별 공급 라인은 상기 제1 소스가스원으로부터의 제1 소스 가스를 상기 제1 구획 챔버로 공급하는 공급 라인과, 상기 퍼지 가스원으로부터 퍼지 가스를 상기 제2 구획 챔버로 공급하는 공급 라인, 및 상기 제2 소스 가스원으로부터 제2 소스 가스를 제3 구획 챔버로 공급하는 공급 라인을 포함하는
    롤투롤 방식의 원자층 증착 장비.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제2항에 있어서,
    상기 공급 라인은 상기 롤러 부재에 평행하게 진공 챔버 내로 연장하는 연장 라인을 더 포함하며, 상기 연장 라인에는 상기 롤러 부재 측으로 공정 가스를 배출하기 위한 복수의 가스 배출구가 형성되는
    롤투롤 방식의 원자층 증착 장비.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 공급 라인의 연장 라인은 상기 롤러 부재를 중심으로 그 롤러 부재의 둘레에 대칭되게 배치되는 둘 이상의 연장 라인으로 이루어지는
    롤투롤 방식의 원자층 증착 장비.
  7. 롤투롤 방식의 원자층 증착 방법에 있어서,
    병렬로 복수 구획된 구획 챔버 내에서 롤러 부재를 통해 증착 대상물을 이송시키고;
    상기 복수 구획된 구획 챔버 중 해당하는 구획 챔버 내에 각각 소스 가스와 퍼지 가스의 공정 가스를 개별적으로 연속 공급하여 증착 대상물이 이송되는 흐름 상에서 박막 증착이 순차적으로 연속하여 이루어지고,
    상기 각 구획 챔버 내에서 상기 롤러 부재에 평행하게 연장되고, 상기 롤러 부재 측으로 공정 가스를 배출하기 위해 복수의 가스 배출구가 형성되는 연장 라인을 통해 증착 대상물에 대해 상기 공정 가스를 공급하는
    롤투롤 방식의 원자층 증착 방법.
  8. 삭제
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20080106555A (ko) * 2006-03-26 2008-12-08 로터스 어플라이드 테크놀로지, 엘엘씨 원자층 증착 시스템 및 연성 기판을 코팅하기 위한 방법
KR20090043474A (ko) * 2006-06-05 2009-05-06 제너럴 일렉트릭 캄파니 연속적으로 공급되는 물체 상에 롤-투-롤 원자층 증착을 위한 시스템 및 방법
KR20110100618A (ko) * 2008-12-05 2011-09-14 로터스 어플라이드 테크놀로지, 엘엘씨 향상된 장벽 층 특성을 갖는 얇은 막의 고속 증착
KR20120085260A (ko) * 2009-10-14 2012-07-31 로터스 어플라이드 테크놀로지, 엘엘씨 원자 층 증착 시스템에서 개별적인 선구체 존들 사이의 여분의 선구체 운송의 방지

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080106555A (ko) * 2006-03-26 2008-12-08 로터스 어플라이드 테크놀로지, 엘엘씨 원자층 증착 시스템 및 연성 기판을 코팅하기 위한 방법
KR20090043474A (ko) * 2006-06-05 2009-05-06 제너럴 일렉트릭 캄파니 연속적으로 공급되는 물체 상에 롤-투-롤 원자층 증착을 위한 시스템 및 방법
KR20110100618A (ko) * 2008-12-05 2011-09-14 로터스 어플라이드 테크놀로지, 엘엘씨 향상된 장벽 층 특성을 갖는 얇은 막의 고속 증착
KR20120085260A (ko) * 2009-10-14 2012-07-31 로터스 어플라이드 테크놀로지, 엘엘씨 원자 층 증착 시스템에서 개별적인 선구체 존들 사이의 여분의 선구체 운송의 방지

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