KR101364230B1 - magnetic tip for magnetic resonance force microscope and manufacturing method of the same - Google Patents

magnetic tip for magnetic resonance force microscope and manufacturing method of the same Download PDF

Info

Publication number
KR101364230B1
KR101364230B1 KR1020120083640A KR20120083640A KR101364230B1 KR 101364230 B1 KR101364230 B1 KR 101364230B1 KR 1020120083640 A KR1020120083640 A KR 1020120083640A KR 20120083640 A KR20120083640 A KR 20120083640A KR 101364230 B1 KR101364230 B1 KR 101364230B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
magnetic tip
mrfm
forming step
magnetic
membrane
Prior art date
Application number
KR1020120083640A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140016682A (en
Inventor
이상갑
채원식
Original Assignee
한국기초과학지원연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국기초과학지원연구원 filed Critical 한국기초과학지원연구원
Priority to KR1020120083640A priority Critical patent/KR101364230B1/en
Publication of KR20140016682A publication Critical patent/KR20140016682A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101364230B1 publication Critical patent/KR101364230B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N24/00—Investigating or analyzing materials by the use of nuclear magnetic resonance, electron paramagnetic resonance or other spin effects
    • G01N24/08—Investigating or analyzing materials by the use of nuclear magnetic resonance, electron paramagnetic resonance or other spin effects by using nuclear magnetic resonance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q70/00—General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
    • G01Q70/08—Probe characteristics
    • G01Q70/10—Shape or taper
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q70/00—General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
    • G01Q70/08—Probe characteristics
    • G01Q70/14—Particular materials
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q70/00—General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
    • G01Q70/16—Probe manufacture

Abstract

본 발명에 따른 MRFM용 자기팁은 원기둥 형상으로 이루어지며 표면에 산화 방지막이 코팅된 것을 특징으로 한다.MRFM magnetic tip according to the invention is made of a cylindrical shape is characterized in that the surface is coated with an antioxidant film.

Description

ＭＲＦＭ용 자기팁 및 이의 제조방법{magnetic tip for magnetic resonance force microscope and manufacturing method of the same}Magnetic tip for magnetic resonance force microscope and manufacturing method of the same

본 발명은 MRFM용 자기팁 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, MRFM에 장착되는 자기팁의 자기적 특성을 보호할 수 있는 MRFM용 자기팁 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a magnetic tip for MRFM and a manufacturing method thereof, and to a magnetic tip for MRFM and a method for manufacturing the same, which can protect the magnetic properties of the magnetic tip mounted on the MRFM.

자기공명력현미경(magnetic resonance force microscope, 이하 MRFM이라 한다)은 핵자기 공명현상으로 인해 받게 되는 힘을 광학적 간섭계를 이용하여 얻어지는 신호를 3차원적으로 분석하는 장비이다.
A magnetic resonance force microscope (hereinafter referred to as MRFM) is a device that analyzes a signal obtained by using an optical interferometer in three dimensions.

상기 MRFM은 캔틸레버(cantilever)의 진동 주파수 변화를 관찰하는 것을 기본 원리로 하는데, 상기 캔틸레버 끝에 장착된 자기팁과 물질의 스핀의 상호 작용에 의해 캔틸레버가 힘을 받게 되고, 이 힘은 캔틸레버의 진동 주파수의 변화를 야기하기 때문에 캔틸레버의 진동 주파수를 측정하면 스핀의 변화 특성을 알 수 있다.
The MRFM is based on observing the change in the frequency of the cantilever (cantilever), the cantilever is subjected to the interaction of the spin of the material and the magnetic tip mounted on the end of the cantilever, this force is the vibration frequency of the cantilever Since the oscillation frequency of the cantilever is measured, the change in spin can be known.

한편, 캔틸레버에 작용하는 자기력은 시료에 포함되어 있는 핵의 업 스핀과 다운 스핀의 수에 의해 결정되는데, 자기장 구배에 의한 캔틸레버의 진동을 관찰하면 캔틸레버에 작용하는 자기력의 변화를 알 수 있고 이 자기력의 변화로 스핀의 방향 변화를 알 수 있다.
On the other hand, the magnetic force acting on the cantilever is determined by the number of up and down spins of the nucleus contained in the sample. When the cantilever oscillation is observed by the magnetic field gradient, the magnetic force acting on the cantilever can be seen. The change in the direction of the spin can be seen.

예를 들어, 대한민국 특허출원번호 제10-2003-0062508호에서는 실리콘 질화막으로 형성된 캔틸레버 부와 실리콘 팁으로 구성된 캔틸레버를 제조하여 원자현미경 및 탐침형 정보저장장치용 캔틸레버의 두께 균일성을 향상시키고, 잔류 응력이 낮고 기계적 특성이 향상된 캔틸레버를 구현할 수 있는 캔틸레버 제조방법을 소개한 바 있다.
For example, Korean Patent Application No. 10-2003-0062508 manufactures a cantilever composed of a silicon tip and a cantilever portion formed of a silicon nitride film to improve the thickness uniformity of the cantilever for atomic force microscope and probe type information storage device, and to Introduced a cantilever manufacturing method that can implement a cantilever with low stress and improved mechanical properties.

도 1은 종래의 MRFM용 자기팁의 구성도이다.
1 is a block diagram of a magnetic tip for a conventional MRFM.

한편, 종래의 MRFM에 장착되는 자기팁은 리소그래피를 이용한 복잡한 제조 과정을 통해 제조됨으로써 고비용으로 소량 제조하는 문제점이 있었고, 또한, 상기 자기팁을 도 1에 도시된 바와 같이, 원뿔, 원뿔대, 직각기둥 형상으로 형성함으로써 정확한 점상 강도 분포 함수(PSF)를 제공하지 못함에 따라 MRFM 이미지 재구성시 이미지가 왜곡되는 문제점이 있었으며, 더불어, 상기 자기팁 표면에는 산화막이 형성되므로 동일 경사자기장을 획득하기 위해 상기 자기팁 표면을 시료 표면으로 접근시킴으로써 표면잡음이 증가하는 문제점이 있었다.
On the other hand, the magnetic tip mounted on the conventional MRFM has a problem of manufacturing a small amount at a high cost by being manufactured through a complex manufacturing process using lithography, and also, as shown in Figure 1, the magnetic tip, cone, truncated cone There was a problem that the image is distorted during reconstruction of the MRFM image because it does not provide an accurate point intensity distribution function (PSF) by forming a shape, and since the oxide film is formed on the surface of the magnetic tip, the magnetic field is obtained to obtain the same gradient magnetic field. There was a problem that the surface noise is increased by approaching the tip surface to the sample surface.

본 발명은 MRFM 이미지 재구성시 이미지가 왜곡되는 것을 방지할 수 있고, 표면잡음을 최소화시킬 수 있으며, 제조 비용을 절감시키면서 대량으로 제조할 수 있는 MRFM용 자기팁 및 이의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
An object of the present invention is to provide a magnetic tip for MRFM and a method of manufacturing the same, which can prevent distortion of an image when reconstructing an MRFM image, minimize surface noise, and can manufacture a large amount while reducing manufacturing cost. There is this.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 MRFM용 자기팁은 MRFM용 자기팁에 있어서, 상기 자기팁은 원기둥 형상으로 이루어지며 표면에 산화 방지막이 코팅된 것을 특징으로 한다.MRFM magnetic tip according to the present invention to achieve the object as described above in the MRFM magnetic tip, the magnetic tip is made of a cylindrical shape, characterized in that the surface is coated with an anti-oxidation film.

또한, 상기 자기팁은 코발트화 철(FeCo), 코발트화 이트륨(YCo), 코발트화 사마륨(SmCo), 백금화 철(FePt), 백금화 코발트(CoPt)를 포함하는 금속 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The magnetic tip may be made of a metal compound including iron cobalt (FeCo), yttrium cobalt (YCo), samarium cobalt (SmCo), iron platinum (FePt), and platinum cobalt (CoPt). do.

또한, 상기 산화 방지막은 루테늄(Ru), 탄탈럼(Ta), 금(Au), Ag(은), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 주석(Sn)을 포함하는 금속 또는 금속 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the antioxidant layer is made of a metal or a metal oxide including ruthenium (Ru), tantalum (Ta), gold (Au), Ag (silver), platinum (Pt), palladium (Pd), tin (Sn). It is characterized by.

또한, 상기 산화 방지막은 1 ~ 5nm의 두께로 코팅되는 것을 특징으로 한다.In addition, the antioxidant film is characterized in that the coating of 1 ~ 5nm thickness.

또한, 본 발명에 따른 MRFM용 자기팁 제조 방법은 복수개의 나노기공이 포함된 실린더형 멤브레인의 하단에 전극물질을 코팅하여 상기 멤브레인 하단에 전극을 형성하는 전극 형성 단계; 상기 전극 상에 금속 화합물을 증착하여 각각의 나노기공 내부에 나노막대를 형성하는 나노막대 형성 단계; 상기 멤브레인을 멤브레인 제거제로 제거하여 나노막대 집합체를 형성하는 나노막대 집합체 형성 단계; 상기 나노막대 집합체에 금속 또는 금속 산화물을 코팅하여 각각의 나노막대 표면에 산화 방지막을 형성하는 산화 방지막 형성 단계; 및 상기 나노막대 집합체에 포함된 전극을 전극 제거제로 제거하여 복수개의 자기팁을 형성하는 자기팁 형성 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the method for manufacturing a magnetic tip for MRFM according to the present invention comprises the steps of forming an electrode to form an electrode on the bottom of the membrane by coating an electrode material on the bottom of the cylindrical membrane containing a plurality of nanopores; Depositing a metal compound on the electrode to form a nanorod in each nanopore; Forming a nanorod assembly by removing the membrane with a membrane remover to form a nanorod assembly; Forming an antioxidant film on each nanorod surface by coating a metal or metal oxide on the nanorod assembly; And a magnetic tip forming step of forming a plurality of magnetic tips by removing an electrode included in the nanorod assembly with an electrode remover.

또한, 본 발명에 따른 MRFM용 자기팁 제조 방법은 복수개의 나노기공이 포함된 실린더형 멤브레인의 하단에 전극물질을 코팅하여 상기 멤브레인 하단에 전극을 형성하는 전극 형성 단계; 상기 전극 상에 금속물질을 증착하여 각각의 나노기공 내부에 금속층을 형성하는 금속층 형성 단계; 상기 금속층 상에 금속 화합물을 증착하여 각각의 나노기공 내부에 나노막대를 형성하는 나노막대 형성 단계; 상기 멤브레인을 멤브레인 제거제로 제거하여 나노막대 집합체를 형성하는 나노막대 집합체 형성 단계; 상기 나노막대 집합체에 금속 또는 금속 산화물을 코팅하여 각각의 나노막대 표면에 산화 방지막을 형성하는 산화 방지막 형성 단계; 및 상기 나노막대 집합체에 포함된 금속층을 금속층 제거제로 제거하여 복수개의 자기팁을 형성하는 자기팁 형성 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the method for manufacturing a magnetic tip for MRFM according to the present invention comprises the steps of forming an electrode to form an electrode on the bottom of the membrane by coating an electrode material on the bottom of the cylindrical membrane containing a plurality of nanopores; A metal layer forming step of depositing a metal material on the electrode to form a metal layer inside each of the nanopores; Depositing a metal compound on the metal layer to form a nanorod in each nanopore; Forming a nanorod assembly by removing the membrane with a membrane remover to form a nanorod assembly; Forming an antioxidant film on each nanorod surface by coating a metal or metal oxide on the nanorod assembly; And a magnetic tip forming step of forming a plurality of magnetic tips by removing the metal layer included in the nanorod assembly with a metal layer remover.

또한, 상기 전극 형성 단계에서, 상기 멤브레인은 산화알루미늄 나노기공성 멤브레인(AAO membrane)으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, in the electrode forming step, the membrane is characterized in that the aluminum oxide nanoporous membrane (AAO membrane).

또한, 상기 전극 형성 단계에서, 상기 전극물질은 백금(Pt) 또는 금(Au)으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, in the electrode forming step, the electrode material is characterized in that consisting of platinum (Pt) or gold (Au).

또한, 상기 나노막대 형성 단계에서, 상기 금속 화합물은 코발트화 철(FeCo), 코발트화 이트륨(YCo), 코발트화 사마륨(SmCo), 백금화 철(FePt), 백금화 코발트(CoPt)를 포함하는 것을 특징으로 한다.Further, in the nanorod forming step, the metal compound includes iron cobalt (FeCo), yttrium cobalt (YCo), samarium cobalt (SmCo), iron platinum (FePt), platinum cobalt (CoPt) It is characterized by.

또한, 상기 나노막대 집합체 형성 단계에서, 상기 멤브레인 제거제는 수산화나트륨(NaOH) 또는 염화수소(HCl)로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, in the nanorod assembly forming step, the membrane remover is characterized in that consisting of sodium hydroxide (NaOH) or hydrogen chloride (HCl).

또한, 상기 산화 방지막 형성 단계에서, 상기 금속 또는 금속 산화물은 루테늄(Ru), 탄탈럼(Ta), 금(Au), Ag(은), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 주석(Sn)을 포함하는 것을 특징으로 한다.Further, in the anti-oxidation film forming step, the metal or metal oxide is ruthenium (Ru), tantalum (Ta), gold (Au), Ag (silver), platinum (Pt), palladium (Pd), tin (Sn) Characterized in that it comprises a.

또한, 상기 산화 방지막 형성 단계에서, 상기 산화 방지막은 전기화학적 증착방법(electrochemical deposition)에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the antioxidant film forming step, the antioxidant film is characterized by being formed by electrochemical deposition (electrochemical deposition).

또한, 상기 산화 방지막 형성 단계에서, 상기 산화 방지막은 원자층 증착방법(atomic layer deposition)에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.Further, in the anti-oxidation film forming step, the anti-oxidation film is formed by atomic layer deposition.

또한, 상기 금속층 형성 단계에서, 상기 금속물질은 은(Ag)으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the forming of the metal layer, the metal material may be formed of silver (Ag).

더불어, 상기 자기팁 형성 단계에서, 상기 금속층 제거제는 질산(HNO3)으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
In addition, in the magnetic tip forming step, the metal layer remover is characterized in that made of nitric acid (HNO 3 ).

상기한 바와 같이 본 발명에 따른 MRFM용 자기팁 및 이의 제조방법에 의하면, MRFM용 자기팁이 원기둥 형상으로 이루어져 정확한 점상 강도 분포 함수(PSF)를 제공함에 따라 MRFM 이미지 재구성시 이미지가 왜곡되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the MRFM magnetic tip and the manufacturing method thereof, the MRFM magnetic tip has a cylindrical shape to provide accurate point image intensity distribution function (PSF) to prevent the image from being distorted during MRFM image reconstruction. It can work.

또한, 본 발명은 MRFM용 자기팁에 산화 방지막이 코팅되어 산화막이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 이에 따라 자기팁을 시료에 근접시키지 않아도 동일한 경사자기장을 획득할 수 있으므로 표면잡음 유발요인 중 자기팁 표면전하(또는 표면전기 쌍극자)로부터 기인하는 영향을 최소화시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention can prevent the oxide film is generated by coating the anti-oxidation film on the MRFM magnetic tip, and thus can obtain the same gradient magnetic field without having the magnetic tip close to the sample, so that the magnetic tip of the surface noise There is an effect that can minimize the effects resulting from surface charge (or surface electric dipole).

더불어, 본 발명은 제작 비용을 절감시키면서 대량으로 MRFM용 자기팁을 제조할 수 있는 효과가 있다.
In addition, the present invention has the effect of manufacturing a magnetic tip for MRFM in large quantities while reducing the manufacturing cost.

도 1은 종래의 MRFM용 자기팁의 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 MRFM용 자기팁의 구성도이다.
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 따른 MRFM용 자기팁 제조 방법의 블록도이다.
도 4는 본 발명의 제 1실시예에 따른 MRFM용 자기팁 제조 방법을 보여주는 도이다.
도 5는 본 발명의 제 2실시예에 따른 MRFM용 자기팁 제조 방법의 블록도이다.
도 6은 본 발명의 제 2실시예에 따른 MRFM용 자기팁 제조 방법을 보여주는 도이다.1 is a block diagram of a magnetic tip for a conventional MRFM.
2 is a block diagram of a magnetic tip for MRFM according to the present invention.
Figure 3 is a block diagram of a method for manufacturing a magnetic tip for MRFM according to the first embodiment of the present invention.
4 is a view showing a method for manufacturing a magnetic tip for MRFM according to a first embodiment of the present invention.
5 is a block diagram of a method for manufacturing a magnetic tip for MRFM according to a second embodiment of the present invention.
6 is a view showing a method for manufacturing a magnetic tip for MRFM according to a second embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다. 우선, 도면들 중 동일한 구성요소 또는 부품들은 가능한 한 동일한 참조부호를 나타내고 있음에 유의해야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하게 하지 않기 위해 생략한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First, it should be noted that the same components or parts among the drawings denote the same reference numerals whenever possible. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted so as not to obscure the subject matter of the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 MRFM용 자기팁의 구성도이다.
2 is a block diagram of a magnetic tip for MRFM according to the present invention.

본 발명에 따른 MRFM용 자기팁은 도 2에 도시된 바와 같이, 원기둥 형상으로 이루어지는데, 상기 자기팁(700)이 원기둥 형상으로 이루어짐으로써 정확한 점상 강도 분포 함수(PSF)를 제공함에 따라 MRFM 이미지 재구성시 이미지가 왜곡되는 것을 방지할 수 있다As shown in FIG. 2, the magnetic tip for the MRFM according to the present invention has a cylindrical shape, and the magnetic tip 700 has a cylindrical shape to provide an accurate point intensity distribution function (PSF) to reconstruct the MRFM image. Can prevent image distortion

여기서, 상기 자기팁(700)은 자성체로 이루어질 수 있는데, 예를 들어 코발트화 철(FeCo), 코발트화 이트륨(YCo), 코발트화 사마륨(SmCo), 백금화 철(FePt), 백금화 코발트(CoPt)를 포함하는 금속 화합물로 이루어질 수 있다.
Here, the magnetic tip 700 may be made of a magnetic material, for example, iron cobalt (FeCo), yttrium cobalt (YCo), samarium cobalt (SmCo), iron platinum (FePt), platinum cobalt ( CoPt) may be made of a metal compound.

한편, 상기 자기팁(700)은 표면에 산화 방지막(600)이 코팅되는데, 상기 자기팁(700)의 표면에 산화 방지막(600)이 코팅됨으로써 자기팁(700) 표면에 산화막, 즉 비자성막인 데드 레이어(dead layer)가 발생하는 것을 방지할 수 있다.On the other hand, the magnetic tip 700 is coated with an anti-oxidation film 600 on the surface, the anti-oxidation film 600 is coated on the surface of the magnetic tip 700 is an oxide film, that is, a non-magnetic film on the surface of the magnetic tip 700 The dead layer can be prevented from occurring.

즉, 상기 자기팁(700)은 표면에 산화 방지막(600)이 코팅됨으로써 상기 자기팁(700)을 시료의 표면에서 가급적 멀리 배치하더라도 동일한 경사자기장을 획득할 수 있고, 이에 따라 상기 자기팁(700)의 표면잡음을 최소화시킬 수 있다.That is, since the magnetic tip 700 is coated with an anti-oxidation film 600 on the surface, even if the magnetic tip 700 is disposed as far as possible from the surface of the sample, the same gradient magnetic field can be obtained, and accordingly, the magnetic tip 700 ) Surface noise can be minimized.

여기서, 상기 산화 방지막(600)은 루테늄(Ru), 탄탈럼(Ta), 금(Au), Ag(은), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 주석(Sn)을 포함하는 금속 또는 금속 산화물로 이루어질 수 있다.
Here, the antioxidant layer 600 is a metal or metal including ruthenium (Ru), tantalum (Ta), gold (Au), Ag (silver), platinum (Pt), palladium (Pd), tin (Sn) It may be made of an oxide.

한편, 상기 산화 방지막(600)은 상기 자기팁(700) 표면에 1 ~ 5nm의 두께로 코팅되는 것이 바람직한데, 예를 들어, 상기 산화 방지막(600)이 1nm 미만의 두께로 코팅되는 경우 상기 산화 방지막(600)이 쉽게 균열되어 산소 원자의 확산에 따라 자기팁(700) 표면에 산화막이 발생할 수 있고, 상기 산화 방지막(600)이 5nm 초과의 두께로 코팅되는 경우 동일 경사자기장을 획득하지 못하므로 동일 경사자기장을 획득하기 위해 상기 자기팁(700)을 시료 표면에 접근시킴에 따라 상기 자기팁(700) 표면전하로부터 기인하는 영향에 의해 표면잡음이 증가할 수 있다.
On the other hand, the antioxidant film 600 is preferably coated with a thickness of 1 ~ 5nm on the surface of the magnetic tip 700, for example, when the antioxidant film 600 is coated with a thickness of less than 1nm the oxidation Since the prevention film 600 is easily cracked and an oxide film may occur on the surface of the magnetic tip 700 according to the diffusion of oxygen atoms, when the antioxidant film 600 is coated with a thickness of more than 5 nm, the same gradient magnetic field may not be obtained. As the magnetic tip 700 approaches the surface of the sample to obtain the same gradient magnetic field, surface noise may increase due to the influence from the surface charge of the magnetic tip 700.

이하, 본 발명의 제 1실시예에 따른 MRFM용 자기팁 제조 방법을 상세히 설명한다.
Hereinafter, a method for manufacturing a magnetic tip for MRFM according to the first embodiment of the present invention will be described in detail.

도 3은 본 발명의 제 1실시예에 따른 MRFM용 자기팁 제조 방법의 블록도이다.
Figure 3 is a block diagram of a method for manufacturing a magnetic tip for MRFM according to the first embodiment of the present invention.

본 발명의 제 1실시예에 따른 MRFM용 자기팁 제조 방법은 도 3에 도시된 바와 같이, 전극 형성 단계(S10), 나노막대 형성 단계(S20), 나노막대 집합체 형성 단계(S30), 산화 방지막 형성 단계(S40) 및 자기팁 형성 단계(S50)를 포함한다.
Magnetic tip manufacturing method for MRFM according to the first embodiment of the present invention, as shown in Figure 3, the electrode forming step (S10), nano-rod forming step (S20), nano-rod assembly forming step (S30), the antioxidant film Forming step (S40) and magnetic tip forming step (S50).

도 4는 본 발명의 제 1실시예에 따른 MRFM용 자기팁 제조 방법을 보여주는 도이다.
4 is a view showing a method for manufacturing a magnetic tip for MRFM according to a first embodiment of the present invention.

상기 전극 형성 단계(S10)는 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 복수개의 나노기공(110)이 포함된 실린더형 멤브레인(100)의 하단에 전극물질을 코팅하여 상기 멤브레인(100) 하단에 전극(200)을 형성하는 단계이다.The electrode forming step (S10) is, as shown in Figure 4 (a), by coating an electrode material on the bottom of the cylindrical membrane 100 including a plurality of nano-pores 110, the bottom of the membrane 100 Forming the electrode 200.

구체적으로, 상기 멤브레인(100)은 직경이 20 ~ 250nm인 나노기공(110)을 포함하는 산화알루미늄 나노기공성 멤브레인(Anodic Aluminum Oxide membrane, AAO membrane)으로 이루어질 수 있는데, 여기서, 상기 멤브레인(100)의 하단에 코팅되는 전극물질은 백금(Pt) 또는 금(Au)으로 이루어질 수 있다.
Specifically, the membrane 100 may be made of an aluminum oxide nanoporous membrane (AAO membrane) including the nanopores 110 having a diameter of 20 ~ 250nm, wherein the membrane 100 The electrode material coated on the bottom may be made of platinum (Pt) or gold (Au).

상기 나노막대 형성 단계(S20)는 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 전극(200) 상에 금속 화합물을 증착하여 각각의 나노기공(110) 내부에 나노막대(400)를 형성하는 단계로, 여기서, 상기 금속 화합물은 코발트화 철(FeCo), 코발트화 이트륨(YCo), 코발트화 사마륨(SmCo), 백금화 철(FePt), 백금화 코발트(CoPt) 등의 자성체를 포함할 수 있다.The nanorod forming step (S20), as shown in Figure 4 (b), by depositing a metal compound on the electrode 200 to form a nanorod 400 in each nano-pores (110) In one step, the metal compound may include magnetic materials such as iron cobalt (FeCo), yttrium cobalt (YCo), samarium cobalt (SmCo), iron platinum (FePt), and platinum cobalt (CoPt). have.

즉, 상기 나노막대 형성 단계(S20)에서는 전극(200)이 코팅된 멤브레인(100)을 코발트화 철(FeCo), 코발트화 이트륨(YCo), 코발트화 사마륨(SmCo), 백금화 철(FePt), 백금화 코발트(CoPt)를 증착할 수 있는 전해질 용액에 담가 전기화학적 증착방법(electrochemical deposition)으로 상기 나노막대(400)를 형성할 수 있다.
That is, in the nanorod forming step (S20), the membrane 100 coated with the electrode 200 is made of cobalt iron (FeCo), yttrium cobalt (YCo), samarium cobalt (SmCo), and iron platinum (FePt). The nanorod 400 may be formed by immersing in an electrolyte solution capable of depositing platinum cobalt (CoPt) by electrochemical deposition.

상기 나노막대 집합체 형성 단계(S30)는 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 상기 멤브레인(100)을 멤브레인 제거제로 제거하여 나노막대 집합체(500)를 형성하는 단계이다.The nanorod assembly forming step (S30) is a step of forming the nanorod assembly 500 by removing the membrane 100 with a membrane remover, as shown in (c) of FIG.

여기서, 상기 멤브레인 제거제는 수산화나트륨(NaOH) 또는 염화수소(HCl)로 이루어질 수 있다.
Here, the membrane remover may be made of sodium hydroxide (NaOH) or hydrogen chloride (HCl).

상기 산화 방지막 형성 단계(S40)는 도 4의 (d)에 도시된 바와 같이, 상기 나노막대 집합체(500)에 금속 또는 금속 산화물을 코팅하여 각각의 나노막대(400) 표면에 산화 방지막(600)을 형성하는 단계이다.As shown in (d) of FIG. 4, the anti-oxidation film forming step (S40) may be performed by coating a metal or metal oxide on the nanorod assembly 500 to prevent oxidation of the anti-oxidation film 600 on the surface of each nanorod 400. Forming a step.

여기서, 상기 금속 또는 금속 산화물은 루테늄(Ru), 탄탈럼(Ta), 금(Au), Ag(은), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 주석(Sn)을 포함할 수 있는데, 여기서, 상기 금속 또는 금속 산화물은 상기 루테늄(Ru), 탄탈럼(Ta), 금(Au), Ag(은), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 주석(Sn) 이외에 각각의 나노막대(400) 표면에 산화 방지막(600)을 형성할 수 있는 금속이면 모두 사용가능하다.The metal or metal oxide may include ruthenium (Ru), tantalum (Ta), gold (Au), Ag (silver), platinum (Pt), palladium (Pd), and tin (Sn). The metal or metal oxide may be nanorods 400 in addition to ruthenium (Ru), tantalum (Ta), gold (Au), Ag (silver), platinum (Pt), palladium (Pd), and tin (Sn). Any metal that can form the antioxidant film 600 on the surface can be used.

즉, 상기 산화 방지막 형성 단계(S40)에서는 상기 나노막대 집합체(500)를 코팅 재질에 따라 루테늄(Ru), 탄탈럼(Ta), 금(Au), Ag(은), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 주석(Sn) 전구체 용액에 담궈 전기화학적으로 환원시킴으로써 상기 산화 방지막(600)을 형성할 수 있고, 이때, 상기 산화 방지막(600)을 1 ~ 5nm의 두께로 형성하여 상술한 바와 같이, 자기팁 표면에 산화막이 발생하는 것을 방지하면서 자기팁의 표면잡음을 최소화시킬 수 있다.
That is, in the anti-oxidation film forming step (S40), the nanorod aggregate 500 is made of ruthenium (Ru), tantalum (Ta), gold (Au), Ag (silver), platinum (Pt), and palladium depending on the coating material. (Pd) and tin (Sn) precursor solution can be formed by electrochemical reduction to form the antioxidant film 600, in this case, the antioxidant film 600 is formed to a thickness of 1 ~ 5nm as described above Therefore, the surface noise of the magnetic tip can be minimized while preventing the oxide film from occurring on the surface of the magnetic tip.

한편, 상기 산화 방지막(600)은 상술한 전기화학적 증착방법에 의해 형성되거나, 원자층 증착방법(atomic layer deposition)에 의해 형성될 수 있는데, 여기서, 상기 원자층 증착방법은 상기 나노막대 집합체(500)를 진공 챔버(미도시) 내에서 소량 주입되는 루테늄(Ru), 탄탈럼(Ta), 금(Au), Ag(은), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 주석(Sn) 전구체를 환원 또는 산화시킴으로써 상기 산화 방지막(600)을 형성하는 방법이다.
On the other hand, the antioxidant film 600 may be formed by the above-described electrochemical deposition method, or may be formed by atomic layer deposition (atomic layer deposition), wherein the atomic layer deposition method is the nanorod assembly 500 ), A small amount of ruthenium (Ru), tantalum (Ta), gold (Au), Ag (silver), platinum (Pt), palladium (Pd), and tin (Sn) precursors are injected into a vacuum chamber (not shown). It is a method of forming the antioxidant film 600 by reducing or oxidizing.

상기 자기팁 형성 단계(S50)는 도 4의 (e)에 도시된 바와 같이, 상기 나노막대 집합체(500)에 포함된 전극(200)을 전극 제거제로 제거하여 복수개의 자기팁(700)을 형성하는 단계이다.In the magnetic tip forming step S50, as illustrated in FIG. 4E, the plurality of magnetic tips 700 are formed by removing the electrode 200 included in the nanorod assembly 500 with an electrode remover. It's a step.

여기서, 상기 자기팁(700)은 원기둥 형상으로 이루어짐으로써 정확한 점상 강도 분포 함수(PSF)를 제공함에 따라 MRFM 이미지 재구성시 이미지가 왜곡되는 것을 방지할 수 있고, 또한, 표면에 산화 방지막(600)이 코팅됨으로써 자기팁(700) 표면에 산화막이 발생하는 것을 방지함에 따라 결과적으로 표면잡음 영향을 최소화시킬 수 있다.
Here, the magnetic tip 700 is formed in a cylindrical shape to provide an accurate point intensity distribution function (PSF) to prevent the image from being distorted during the reconstruction of the MRFM image. The coating prevents the occurrence of an oxide film on the surface of the magnetic tip 700, thereby minimizing the effect of surface noise.

이하, 본 발명의 제 2실시예에 따른 MRFM용 자기팁 제조 방법을 상세히 설명한다.
Hereinafter, a method for manufacturing a magnetic tip for MRFM according to a second embodiment of the present invention will be described in detail.

도 5는 본 발명의 제 2실시예에 따른 MRFM용 자기팁 제조 방법의 블록도이다.
5 is a block diagram of a method for manufacturing a magnetic tip for MRFM according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제 2실시예에 따른 MRFM용 자기팁 제조 방법은 도 5에 도시된 바와 같이, 전극 형성 단계(S10), 금속층 형성 단계(S15), 나노막대 형성 단계(S20), 나노막대 집합체 형성 단계(S30), 산화 방지막 형성 단계(S40) 및 자기팁 형성 단계(S50)를 포함한다.
Magnetic tip manufacturing method for MRFM according to a second embodiment of the present invention, as shown in Figure 5, the electrode forming step (S10), metal layer forming step (S15), nanorod forming step (S20), nanorod assembly formation Step S30, the anti-oxidation film forming step S40 and the magnetic tip forming step S50 are included.

도 6은 본 발명의 제 1실시예에 따른 MRFM용 자기팁 제조 방법을 보여주는 도이다.
6 is a view showing a method for manufacturing a magnetic tip for MRFM according to a first embodiment of the present invention.

상기 전극 형성 단계(S10)는 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 복수개의 나노기공(110)이 포함된 실린더형 멤브레인(100)의 하단에 전극물질을 코팅하여 상기 멤브레인(100) 하단에 전극(200)을 형성하는 단계이다.The electrode forming step (S10) is, as shown in Figure 6 (a), by coating an electrode material on the bottom of the cylindrical membrane 100 including a plurality of nanopores 110, the bottom of the membrane 100 Forming the electrode 200.

상기 전극 형성 단계(S10)는 본 발명의 제 1실시예에 따른 전극 형성 단계와 그 구성 및 내용이 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
The electrode forming step S10 is identical to the electrode forming step according to the first embodiment of the present invention and its configuration and contents thereof will be omitted.

상기 금속층 형성 단계(S15)는 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 전극(200) 상에 금속물질을 증착하여 각각의 나노기공(110) 내부에 금속층(300)을 형성하는 단계로, 여기서, 상기 금속물질은 은(Ag)으로 이루어질 수 있다.The metal layer forming step (S15) is a step of forming a metal layer 300 in each nano-pores 110 by depositing a metal material on the electrode 200, as shown in FIG. Here, the metal material may be made of silver (Ag).

즉, 상기 금속층 형성 단계(S15)에서는 전극(200)이 코팅된 멤브레인(100)을 은(Ag) 전구체 용액에 담궈 전기화학적 증착방법으로 상기 금속층(300)을 형성할 수 있다.
That is, in the forming of the metal layer (S15), the metal layer 300 may be formed by an electrochemical deposition method by dipping the membrane 100 coated with the electrode 200 in a silver (Ag) precursor solution.

상기 나노막대 형성 단계(S20)는 도 6의 (c)에 도시된 바와 같이, 상기 금속층(300) 상에 금속 화합물을 증착하여 각각의 나노기공(110) 내부에 나노막대(400)를 형성하는 단계이다.The nanorod forming step (S20), as shown in Figure 6 (c), by depositing a metal compound on the metal layer 300 to form a nanorod 400 in each nano-pores (110) Step.

상기 나노막대 형성 단계(S20)는 상기 나노막대(400)가 상기 금속층(300) 상에 형성되는 것을 제외하고, 본 발명의 제 1실시예에 따른 나노막대 형성 단계와 그 구성 및 내용이 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
The nanorod forming step (S20) is the same as the nanorod forming step according to the first embodiment of the present invention except that the nanorod 400 is formed on the metal layer 300, so the configuration and content are the same Detailed description will be omitted.

상기 나노막대 집합체 형성 단계(S30)는 도 6의 (d)에 도시된 바와 같이, 상기 멤브레인(100)을 멤브레인 제거제로 제거하여 나노막대 집합체(500)를 형성하는 단계이다.The nanorod assembly forming step (S30) is a step of forming the nanorod assembly 500 by removing the membrane 100 with a membrane remover as shown in (d) of FIG.

여기서, 상기 나노막대 집합체(500)는 상기 나노막대(400)와 전극(200) 사이에 금속층(300)을 포함하는 것을 제외하고, 본 발명의 제 1실시예에 따른 나노막대 집합체 형성 단계와 그 구성 및 내용이 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
Here, except that the nano-rod assembly 500 includes a metal layer 300 between the nano-rod 400 and the electrode 200, forming the nano-rod assembly according to the first embodiment of the present invention and its Since the configuration and content are the same, detailed description is omitted.

상기 산화 방지막 형성 단계(S40)는 도 6의 (e)에 도시된 바와 같이, 상기 나노막대 집합체(500)에 금속 또는 금속 산화물을 코팅하여 각각의 나노막대(400) 표면에 산화 방지막(600)을 형성하는 단계이다.The anti-oxidation film forming step (S40) is as shown in Figure 6 (e), by coating a metal or metal oxide on the nano-rod assembly 500, the antioxidant film 600 on the surface of each nano-rod 400 Forming a step.

상기 산화 방지막 형성 단계(S40)는 본 발명의 제 1실시예에 따른 산화 방지막 형성 단계와 그 구성 및 내용이 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
The anti-oxidation film forming step (S40) is the same as the configuration and content of the anti-oxidation film forming step according to the first embodiment of the present invention, detailed description thereof will be omitted.

상기 자기팁 형성 단계(S50)는 도 6의 (f)에 도시된 바와 같이, 상기 나노막대 집합체(500)에 포함된 금속층(300)을 금속층 제거제로 제거하여 복수개의 자기팁(700)을 형성하는 단계로, 여기서, 상기 금속층 제거제는 질산(HNO3)으로 이루어질 수 있다.In the magnetic tip forming step S50, as illustrated in FIG. 6F, the magnetic layer 700 is formed by removing the metal layer 300 included in the nanorod assembly 500 with a metal layer remover. In this step, the metal layer remover may be made of nitric acid (HNO 3 ).

상기 자기팁 형성 단계(S50)를 통해 형성된 자기팁(700)은 본 발명의 제 1실시예에 따른 자기팁 형성 단계(S50)를 통해 형성된 자기팁과 동일하게 원기둥 형상으로 이루어짐으로써 정확한 점상 강도 분포 함수(PSF)를 제공함에 따라 MRFM 이미지 재구성시 이미지가 왜곡되는 것을 방지할 수 있고, 또한, 표면에 산화 방지막(600)이 코팅됨으로써 자기팁(700) 표면에 산화막이 발생하는 것을 방지함에 따라 결과적으로 표면잡음 영향을 최소화시킬 수 있다.
Magnetic tip 700 formed through the magnetic tip forming step (S50) is made of the same cylindrical shape as the magnetic tip formed through the magnetic tip forming step (S50) according to the first embodiment of the present invention accurate point strength distribution Providing a function (PSF) can prevent the image from being distorted during the reconstruction of the MRFM image, and also prevents the oxide film from occurring on the surface of the magnetic tip 700 by coating the antioxidant film 600 on the surface thereof. This can minimize the effects of surface noise.

이상과 같이 본 발명에 따른 MRFM용 자기팁 및 이의 제조방법을 예시한 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상 범위 내에서 당업자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 물론이다.
As described above with reference to the drawings illustrating a magnetic tip for MRFM and a method of manufacturing the same according to the present invention, the present invention is not limited by the embodiments and drawings disclosed herein, the technical scope of the present invention Of course, various modifications can be made by those skilled in the art.

100:멤브레인 110:나노기공
200:전극 300:금속층
400:나노막대 500:나노막대 집합체
600:산화 방지막 700:자기팁
S10:전극 형성 단계
S15:금속층 형성 단계
S20:나노막대 형성 단계
S30:나노막대 집합체 형성 단계
S40:산화 방지막 형성 단계
S50:자기팁 형성 단계100: membrane 110: nanopore
200: electrode 300: metal layer
400: nanorod 500: nanorod assembly
600: antioxidant film 700: magnetic tip
S10: electrode formation step
S15: metal layer forming step
S20: nanorod forming step
S30: nanorod aggregate formation step
S40: antioxidant film forming step
S50: Magnetic tip forming step

Claims (15)

MRFM용 자기팁에 있어서,
상기 자기팁은 원기둥 형상으로 이루어지며 표면에 산화 방지막이 코팅된 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁.
In the magnetic tip for MRFM,
The magnetic tip is a magnetic tip for MRFM, characterized in that the cylindrical shape is coated with an anti-oxidation film on the surface.
제 1항에 있어서,
상기 자기팁은 코발트화 철(FeCo), 코발트화 이트륨(YCo), 코발트화 사마륨(SmCo), 백금화 철(FePt), 백금화 코발트(CoPt)를 포함하는 금속 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁.
The method of claim 1,
The magnetic tip is MRFM, characterized in that made of a metal compound containing iron cobalt (FeCo), yttrium cobalt (YCo), samarium cobalt (SmCo), iron platinum (FePt), platinum cobalt (CoPt) Magnetic tip for
제 1항에 있어서,
상기 산화 방지막은 루테늄(Ru), 탄탈럼(Ta), 금(Au), Ag(은), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 주석(Sn)을 포함하는 금속 또는 금속 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁.
The method of claim 1,
The anti-oxidation film is made of metal or metal oxide including ruthenium (Ru), tantalum (Ta), gold (Au), Ag (silver), platinum (Pt), palladium (Pd), tin (Sn). Magnetic tip for MRFM.
제 1항에 있어서,
상기 산화 방지막은 1 ~ 5nm의 두께로 코팅되는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁.
The method of claim 1,
The anti-oxidation film is a magnetic tip for MRFM, characterized in that the coating to a thickness of 1 ~ 5nm.
복수개의 나노기공이 포함된 실린더형 멤브레인의 하단에 전극물질을 코팅하여 상기 멤브레인 하단에 전극을 형성하는 전극 형성 단계;
상기 전극 상에 금속 화합물을 증착하여 각각의 나노기공 내부에 나노막대를 형성하는 나노막대 형성 단계;
상기 멤브레인을 멤브레인 제거제로 제거하여 나노막대 집합체를 형성하는 나노막대 집합체 형성 단계;
상기 나노막대 집합체에 금속 또는 금속 산화물을 코팅하여 각각의 나노막대 표면에 산화 방지막을 형성하는 산화 방지막 형성 단계; 및
상기 나노막대 집합체에 포함된 전극을 전극 제거제로 제거하여 복수개의 자기팁을 형성하는 자기팁 형성 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법.
Forming an electrode at the bottom of the membrane by coating an electrode material on a bottom of the cylindrical membrane including a plurality of nanopores;
Depositing a metal compound on the electrode to form a nanorod in each nanopore;
Forming a nanorod assembly by removing the membrane with a membrane remover to form a nanorod assembly;
Forming an antioxidant film on each nanorod surface by coating a metal or metal oxide on the nanorod assembly; And
A magnetic tip forming step of forming a plurality of magnetic tips by removing an electrode included in the nanorod assembly with an electrode remover;
Magnetic tip manufacturing method for an MRFM comprising a.
복수개의 나노기공이 포함된 실린더형 멤브레인의 하단에 전극물질을 코팅하여 상기 멤브레인 하단에 전극을 형성하는 전극 형성 단계;
상기 전극 상에 금속물질을 증착하여 각각의 나노기공 내부에 금속층을 형성하는 금속층 형성 단계;
상기 금속층 상에 금속 화합물을 증착하여 각각의 나노기공 내부에 나노막대를 형성하는 나노막대 형성 단계;
상기 멤브레인을 멤브레인 제거제로 제거하여 나노막대 집합체를 형성하는 나노막대 집합체 형성 단계;
상기 나노막대 집합체에 금속 또는 금속 산화물을 코팅하여 각각의 나노막대 표면에 산화 방지막을 형성하는 산화 방지막 형성 단계; 및
상기 나노막대 집합체에 포함된 금속층을 금속층 제거제로 제거하여 복수개의 자기팁을 형성하는 자기팁 형성 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법.
Forming an electrode at the bottom of the membrane by coating an electrode material on a bottom of the cylindrical membrane including a plurality of nanopores;
A metal layer forming step of depositing a metal material on the electrode to form a metal layer inside each of the nanopores;
Depositing a metal compound on the metal layer to form a nanorod in each nanopore;
Forming a nanorod assembly by removing the membrane with a membrane remover to form a nanorod assembly;
Forming an antioxidant film on each nanorod surface by coating a metal or metal oxide on the nanorod assembly; And
A magnetic tip forming step of forming a plurality of magnetic tips by removing the metal layer included in the nanorod assembly with a metal layer remover;
Magnetic tip manufacturing method for an MRFM comprising a.
제 5항 또는 제 6항에 있어서,
상기 전극 형성 단계에서,
상기 멤브레인은 산화알루미늄 나노기공성 멤브레인(AAO membrane)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법.
The method according to claim 5 or 6,
In the electrode forming step,
The membrane is a magnetic tip manufacturing method for MRFM, characterized in that the aluminum oxide nanoporous membrane (AAO membrane).
제 7항에 있어서,
상기 전극 형성 단계에서,
상기 전극물질은 백금(Pt) 또는 금(Au)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법.
8. The method of claim 7,
In the electrode forming step,
The electrode material is magnetic tip manufacturing method for MRFM, characterized in that consisting of platinum (Pt) or gold (Au).
제 5항 또는 제 6항에 있어서,
상기 나노막대 형성 단계에서,
상기 금속 화합물은 코발트화 철(FeCo), 코발트화 이트륨(YCo), 코발트화 사마륨(SmCo), 백금화 철(FePt), 백금화 코발트(CoPt)를 포함하는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법.
The method according to claim 5 or 6,
In the nano-rod forming step,
The metal compound is a magnetic tip for MRFM, characterized in that it comprises iron cobalt (FeCo), yttrium cobalt (YCo), samarium cobalt (SmCo), iron platinum (FePt), cobalt platinum (CoPt) Way.
제 5항 또는 제 6항에 있어서,
상기 나노막대 집합체 형성 단계에서,
상기 멤브레인 제거제는 수산화나트륨(NaOH) 또는 염화수소(HCl)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법.
The method according to claim 5 or 6,
In the nano-rod assembly forming step,
The membrane remover is a magnetic tip manufacturing method for MRFM, characterized in that consisting of sodium hydroxide (NaOH) or hydrogen chloride (HCl).
제 5항 또는 제 6항에 있어서,
상기 산화 방지막 형성 단계에서,
상기 금속 또는 금속 산화물은 루테늄(Ru), 탄탈럼(Ta), 금(Au), Ag(은), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 주석(Sn)을 포함하는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법.
The method according to claim 5 or 6,
In the antioxidant film forming step,
The metal or metal oxide is for MRFM, characterized in that it contains ruthenium (Ru), tantalum (Ta), gold (Au), Ag (silver), platinum (Pt), palladium (Pd), tin (Sn) How to make a magnetic tip.
제 11항에 있어서,
상기 산화 방지막 형성 단계에서,
상기 산화 방지막은 전기화학적 증착방법(electrochemical deposition)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법.
12. The method of claim 11,
In the antioxidant film forming step,
The anti-oxidation film is a magnetic tip manufacturing method for MRFM, characterized in that formed by electrochemical deposition (electrochemical deposition).
제 11항에 있어서,
상기 산화 방지막 형성 단계에서,
상기 산화 방지막은 원자층 증착방법(atomic layer deposition)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법.
12. The method of claim 11,
In the antioxidant film forming step,
The anti-oxidation film is a magnetic tip manufacturing method for MRFM, characterized in that formed by atomic layer deposition (atomic layer deposition).
제 6항에 있어서,
상기 금속층 형성 단계에서,
상기 금속물질은 은(Ag)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법.
The method according to claim 6,
In the metal layer forming step,
Magnetic material manufacturing method for MRFM, characterized in that the metal material is made of silver (Ag).
제 6항에 있어서,
상기 자기팁 형성 단계에서,
상기 금속층 제거제는 질산(HNO3)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법.
The method according to claim 6,
In the magnetic tip forming step,
The metal layer remover is a magnetic tip manufacturing method for MRFM, characterized in that made of nitric acid (HNO 3 ).
KR1020120083640A 2012-07-31 2012-07-31 magnetic tip for magnetic resonance force microscope and manufacturing method of the same KR101364230B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120083640A KR101364230B1 (en) 2012-07-31 2012-07-31 magnetic tip for magnetic resonance force microscope and manufacturing method of the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120083640A KR101364230B1 (en) 2012-07-31 2012-07-31 magnetic tip for magnetic resonance force microscope and manufacturing method of the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140016682A KR20140016682A (en) 2014-02-10
KR101364230B1 true KR101364230B1 (en) 2014-02-14

Family

ID=50265629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120083640A KR101364230B1 (en) 2012-07-31 2012-07-31 magnetic tip for magnetic resonance force microscope and manufacturing method of the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101364230B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030106998A1 (en) 1996-08-08 2003-06-12 William Marsh Rice University Method for producing boron nitride coatings and fibers and compositions thereof
JP2005114580A (en) 2003-10-08 2005-04-28 Jeol Ltd Magnetic chip and manufacturing method thereof
JP2005241539A (en) 2004-02-27 2005-09-08 Jeol Ltd Magnetic resonance force microscope (mrfm), and magnetic chip for magnetic resonance force microscope
KR20120059342A (en) * 2010-11-30 2012-06-08 한양대학교 산학협력단 Microfluidic filter using three dimensional carbon nanotube network and the fabrication method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030106998A1 (en) 1996-08-08 2003-06-12 William Marsh Rice University Method for producing boron nitride coatings and fibers and compositions thereof
JP2005114580A (en) 2003-10-08 2005-04-28 Jeol Ltd Magnetic chip and manufacturing method thereof
JP2005241539A (en) 2004-02-27 2005-09-08 Jeol Ltd Magnetic resonance force microscope (mrfm), and magnetic chip for magnetic resonance force microscope
KR20120059342A (en) * 2010-11-30 2012-06-08 한양대학교 산학협력단 Microfluidic filter using three dimensional carbon nanotube network and the fabrication method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140016682A (en) 2014-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7736753B2 (en) Formation of nanostructures comprising compositionally modulated ferromagnetic layers by pulsed ECD
Green et al. SERS substrates fabricated by island lithography: the silver/pyridine system
Wang et al. Highly ordered Au-Ag alloy arrays with tunable morphologies for surface enhanced Raman spectroscopy
KR101301953B1 (en) Sensor using metal oxide nanotube and preparing method of the same
KR20110081683A (en) Ambi-polar memory device based on reduced graphene oxide using metal nanoparticle and the method for preparation of ambi-polar memory device
JP4681939B2 (en) Method for producing nanostructure
Bustelo et al. Pulsed radiofrequency glow discharge time-of-flight mass spectrometry for nanostructured materials characterization
Aslam et al. Concentration gradient Co–Fe nanowire arrays: Microstructure to magnetic characterizations
Li et al. Graphene-coated Si nanowires as substrates for surface-enhanced Raman scattering
US20140193585A1 (en) Method for Modifying Probe Tip
US20140262433A1 (en) Nano electrode and manufacturing method thereof
JP4838201B2 (en) Method for producing anodized porous alumina
JP4708596B2 (en) Method for producing nanostructure
KR101364230B1 (en) magnetic tip for magnetic resonance force microscope and manufacturing method of the same
CN109072451A (en) Nano porous semiconductor material and its manufacture
JP2004217961A (en) Anodized porous alumina composite material and its producing method
Sanders et al. Facile fabrication of spherical nanoparticle-tipped AFM probes for plasmonic applications
Cohen-Pope et al. Morphology control of SERS-active 2D gold nanosnowflakes
Fusil et al. Nanolithography based contacting method for electrical measurements on single template synthesized nanowires
CN106350058B (en) The preparation method of fluorescence enhancement substrate based on nano-porous gold
CN105593405B (en) The method and copper electroplating bath of copper seed layer are deposited on barrier layer
JP2002004087A (en) Method for manufacturing nanostructure and nanostructure
JP2008157686A (en) Methods for manufacturing conductive probe and magnetic probe
Wen et al. Sub-5 nm nanobowl gaps electrochemically templated by SiO 2-coated Au nanoparticles as surface-enhanced Raman scattering hot spots
Tyagi Fabrication of tunnel junction-based molecular electronics and spintronics devices

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180202

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee