KR101351419B1 - 평판 표시장치의 제조 장비와 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 평판 표시장치의 제조 과정 중 투명성 박막(Transparent Thin film)이나 패턴(Pattern) 형성시 그 불량률을 감소시키면서도 보다 정밀한 두께 및 폭으로 형성될 수 있도록 하는 평판 표시장치의 제조 장비와 그 제조 방법에 관한 것으로, 외부로부터의 기판을 로딩 또는 언로딩하는 로딩/언로딩부; 상기 기판상에 투명 도전성 금속층을 형성하는 코팅 라인; 상기 투명 도전성 금속층을 흑화 처리하는 흑화 처리 라인; 상기 흑화된 금속층을 노광하는 노광 라인; 상기 흑화된 금속층이 노광된 기판을 제공받아 현상 공정을 수행하는 현상 라인; 및 어닐링 공정으로 상기 현상 공정에 의해 패터닝된 흑화 금속층의 패턴을 투명성 금속패턴으로 복원하는 어닐링 라인을 구비한 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 평판 표시장치의 제조 장비 및 방법에 관한 것으로, 특히 평판 표시장치의 제조 과정 중 투명성 박막(Transparent Thin film)이나 패턴(Pattern) 형성시 그 불량률을 감소시키면서도 보다 정밀한 두께 및 폭으로 형성될 수 있도록 하는 평판 표시장치의 제조 장비와 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 퍼스널 컴퓨터, 휴대용 단말기, 및 각종 정보기기의 모니터 등에 사용되는 영상 표시장치로 경량 박형의 평판 표시장치(Flat Panel Display)가 주로 이용되고 있다. 이러한, 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 발광 표시장치(Light Emitting Display), 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel), 전계방출 표시장치(Field Emission Display) 등이 대두되고 있다.
이 중, 발광 표시장치로는 유기 전계 발광소자가 주로 이용되는데, 유기 전계 발광소자는 유기 박막층과, 유기 박막층을 사이에 두고 형성되는 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함한다. 발광 표시장치는 이러한 유기 발광소자들의 발광량을 조절하여 영상을 표시한다.
액정 표시장치의 경우에는 일정 공간을 갖고 합착된 한 쌍의 기판과, 각 기판 사이에 주입된 액정층으로 구성된 액정패널을 이용한다. 여기서, 액정패널에는 게이트 라인들과 데이터 라인들에 의해 매트릭스 형태(Matrix Type)로 정의되는 화소 영역들이 구비되어, 각 화소 영역들을 통해 광 투과율을 조절함으로써 영상을 표시한다.
상술한 평판 표시장치들을 제조하기 위해서는 적어도 하나의 기판에 각종 패턴이나 전극 등을 포함한 금속 박막(Thin Film)들을 형성해야 하는데, 이러한 각종 패턴이나 전극 및 금속 박막 등은 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 통해 형성된다.
포토리소그래피 공정은 기판을 세정하는 공정, 세정이 이루어진 기판상에 포토 래지스트(PhotoResist)나 각종 도전성 금속층을 형성하는 공정, 포토 마스크를 이용하여 포토 래지스트나 도전성 금속층을 노광시키는 공정 및 상기 노광된 포토 래지스트나 금속층을 현상하는 공정 등을 포함한다.
하지만, 종래의 포토리소그래피 공정은 광 투과율이 높은 투명성 전극(Transparent Electrode)이나 박막 형성시 노광량을 조절하기가 어려운 단점이 있다. 예를 들어, ITO(Induim Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Al- dopped Zinc Oxide) 등의 투명 도전성 금속으로 박막이나 패턴을 형성하는 경우, 기판으로 인가된 광이 투명한 금속층과 기판을 투과하여 노광기 등에 반사된 후 다시 기판과 투명 금속층으로 인가되기 때문에 노광량을 조절하기가 어려웠다. 이에, 종래에는 투명성 패턴이나 전극의 경우 그 두께나 폭을 줄여 정밀하게 제조하기엔 한계가 있었고, 또한 불량률이 높아 공정 효율이 저하되었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 평판 표시장치의 제조 과정 중 투명성 박막이나 패턴 형성시 그 불량률을 감소시키면서도 보다 정밀한 두께 및 폭으로 형성될 수 있도록 한 평판 표시장치의 제조 장비와 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치의 제조 장비는 외부로부터의 기판을 로딩 또는 언로딩하는 로딩/언로딩부; 상기 기판상에 투명 도전성 금속층을 형성하는 코팅 라인; 상기 투명 도전성 금속층을 흑화(黑化) 처리하는 흑화 처리 라인; 상기 흑화된 금속층을 노광하는 노광 라인; 상기 흑화된 금속층이 노광된 기판을 제공받아 현상 공정을 수행하는 현상 라인; 및 어닐링 공정으로 상기 현상 공정에 의해 패터닝된 흑화 금속층의 패턴을 투명성 금속패턴으로 복원하는 어닐링 라인을 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 흑화 처리 라인은 상기 투명 도전성 금속층이 형성된 기판을 플라즈마 화학기상성장법으로 수소 플라즈마 처리하여 상기 투명 도전성 금속층이 흑화되도록 하는 것을 특징으로 한다.
상기 노광 라인은 상기 흑화 처리되어 광 투과율이 저하된 흑화 금속층 상에 원하는 패턴에 대응하는 포토 마스크를 배치하고, 상기 포토 마스크를 포함한 기판의 전면에 자외선을 조사하는 것을 특징으로 한다.
상기 어닐링 라인은 하드 베이크 플레이트를 이용하여 20℃ 내지 150℃ 정도의 온도로 상기 흑화 금속층의 패턴들이 형성된 기판을 경화시켜 상기 흑화 상태였던 금속 패턴들의 저항이 감소하고 다시 투명하게 복원되도록 한 것을 특징으로 한다.
상기 로딩/언로딩부로부터의 기판을 세정한 후 상기 코팅 라인으로 공급하는 세정라인, 상기 노광 라인에서 노광된 기판에 식별코드를 형성하여 상기 현상라인으로 공급하는 타이틀링 라인, 상기 흑화된 금속층이 형성된 기판을 상기의 노광 라인으로 반송하거나 상기 노광된 기판을 상기의 타이틀링 라인으로 반송하는 반송라인, 상기의 세정라인이나 코팅라인, 타이틀링 라인, 현상 라인 및 어닐링 라인간에 이동 가능하게 구비되어 상기 기판을 각각의 제조 라인들로 이송시키는 적어도 하나의 이송 로더부를 더 구비한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치의 제조 방법은 외부로부터의 기판을 로딩 또는 언로딩하는 단계; 상기 기판상에 투명 도전성 금속층을 형성하는 단계; 상기 투명 도전성 금속층을 흑화 처리하는 단계; 상기 흑화된 금속층을 노광하는 단계; 상기 흑화된 금속층이 노광된 기판을 제공받아 현상 공정을 수행하는 단계; 및 어닐링 공정으로 상기 현상 공정에 의해 패터닝된 흑화 금속층의 패턴을 투명성 금속패턴으로 복원하는 단계를 포함한 것을 특징으로 한다.
상기 흑화 처리 단계는 상기 투명 도전성 금속층이 형성된 기판을 플라즈마 화학기상성장법으로 수소 플라즈마 처리하여 상기 투명 도전성 금속층이 흑화되도록 하는 것을 특징으로 한다.
상기 노광 단계는 상기 흑화 처리되어 광 투과율이 저하된 흑화 금속층 상에 원하는 패턴에 대응하는 포토 마스크를 배치하는 단계 및 상기 포토 마스크를 포함한 기판의 전면에 자외선을 조사하는 단계를 포함한 것을 특징으로 한다.
상기 어닐링 단계는 하드 베이크 플레이트를 이용하여 20℃ 내지 150℃ 정도의 온도로 상기 흑화 금속층의 패턴들이 형성된 기판을 경화시켜 상기 흑화 상태였던 금속 패턴들의 저항이 감소하고 다시 투명하게 복원되도록 한 것을 특징으로 한다.
상기 로딩/언로딩부로부터의 기판을 세정하는 단계, 상기 노광 라인에서 노광된 기판에 식별코드를 형성하는 단계, 상기 흑화된 금속층이 형성된 기판을 상기의 노광 라인으로 반송하거나 상기 노광된 기판을 상기의 타이틀링 라인으로 반송하는 단계 및 상기의 세정라인이나 코팅라인, 타이틀링 라인, 현상 라인 및 어닐링 라인간에 이동 가능하게 구비된 적어도 하나의 이송 로더부를 이용하여 상기 기판을 상기 각각의 제조 라인들로 이송시키는 단계를 더 포함한 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 다양한 특징들을 갖는 본 발명에 따른 평판 표시장치의 제조 장비와 그 제조 방법은 평판 표시장치의 제조 과정 중 투명성 박막이나 패턴 형성시 투명 도전성 금속층을 흑화(黑化) 처리한 이 후에 노광 공정이 이루어지도록 한다. 이에, 본 발명은 투명성 박막이나 패턴이 보다 정밀한 두께 및 폭으로 형성될 수 있도록 함과 아울러 그 불량률을 감소시켜 평판 표시장치의 제조 공정 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치의 제조 공정을 위한 레이아웃 구조를 나타낸 블록도.
도 2a 내지 도 2d는 기판상에 투명성 금속 패턴이 생성되는 과정의 변화를 나타낸 구성도.
도 3은 도 1의 노광 라인 상에 기판이 배치된 구성을 도시한 평면도.
도 4는 도 3의 A-A' 단면을 구체적으로 도시한 단면도.
도 5는 흑화 처리되지 않은 투명 도전성 금속층이 형성된 기판이 노광 유닛 상에 로딩된 예를 나타낸 단면도.
도 2a 내지 도 2d는 기판상에 투명성 금속 패턴이 생성되는 과정의 변화를 나타낸 구성도.
도 3은 도 1의 노광 라인 상에 기판이 배치된 구성을 도시한 평면도.
도 4는 도 3의 A-A' 단면을 구체적으로 도시한 단면도.
도 5는 흑화 처리되지 않은 투명 도전성 금속층이 형성된 기판이 노광 유닛 상에 로딩된 예를 나타낸 단면도.
이하, 상기와 같은 특징을 갖는 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치의 제조 장비와 그 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
평판 표시장치들을 제조하기 위해서는 적어도 하나의 기판에 각종 패턴이나 박막 및 전극 등이 불투명하거나 투명하게 형성되어야 하는데, 이러한 패턴이나 박막 전극 등은 포토리소그래피 공정과 에칭 공정 및 스트립 공정 등을 통해 형성된다.
본 발명에서 투명하게 형성되는 각종 패턴이나 박막 및 전극 등은 기판 세정 공정이나 투명 도전성 금속층을 도포하는 공정 외에, 투명 도전성 금속층을 흑화(黑化) 처리하는 공정, 흑화 처리된 투명 도전성 금속층을 노광시키는 공정, 상기의 노광된 투명 도전성 금속층을 현상(Devolop)하는 공정, 및 현상 공정 후의 패터닝된 투명 금속층을 복원시키는 어닐링(Annealing) 공정 등을 통해 형성된다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치의 제조 공정을 위한 레이아웃 구조를 나타낸 블록도이다.
도 1에 도시된 평판 표시장치의 제조 장비는 외부로부터의 기판을 로딩 또는 언로딩하는 로딩/언로딩부(4); 로딩된 기판을 세정하는 세정라인(5); 세정된 기판상에 투명 도전성 금속층을 형성하는 코팅 라인(6); 투명 도전성 금속층을 흑화 처리하는 흑화 처리 라인(2); 흑화된 금속층을 노광하는 노광 라인(8); 노광된 기판에 식별코드를 형성하는 타이틀링 라인(9); 흑화된 금속층이 형성된 기판을 상기의 노광 라인(8)으로 반송하거나 노광된 기판을 타이틀링 라인(9)으로 반송하는 반송라인(7); 타이틀링 라인(9)을 경유한 기판을 제공받아 현상(Devolop) 공정을 수행하는 현상 라인(10); 및 어닐링 공정으로 현상 공정에 의해 패터닝된 흑화 금속 패턴을 투명성 금속패턴으로 복원하는 어닐링 라인(11)을 구비한다.
아울러, 본 발명에 따른 평판 표시장치의 제조 장비는 도면으로 도시하진 않았지만, 상기의 세정라인(5)이나 코팅라인(6), 타이틀링 라인(9), 현상 라인(10) 및 어닐링 라인(11)간에 이동 가능하게 구비되어 상기 기판을 각각의 제조 라인들로 이송시키는 적어도 하나의 이송 로더부를 더 구비하기도 한다.
로딩/언로딩부(4)는 외부의 반송장치에 의해 반송된 카세트에서 기판을 인출하여 세정라인(5)에 로딩시키거나, 어닐링 라인(11)으로부터의 기판을 카세트에 언로딩시킬 수 있다. 이러한, 로딩/언로딩부(4)는 기판을 로딩/언로딩시키기 위한 도시하지 않은 적어도 하나의 로봇 암을 포함하여 구성된다.
한편, 로딩/언로딩부(4)는 세정라인(5)에 기판을 로딩시키는 로봇 암을 가지는 로딩부 및 어닐링 라인(11)에서 투명성 금속패턴이 형성된 기판을 인출하여 외부로 언로딩시키는 로봇 암을 가지는 언로딩부로 분리되어 설치될 수 있다. 이렇게, 로딩/언로딩부(4)를 로딩부와 언로딩부로 분리하여 설치하는 경우 로딩/언로딩 택 타임을 감소시킬 수 있다.
세정 라인(5)은 상기의 이송 로더부 등을 통해 로딩/언로딩부(4)로부터 공급된 기판들을 세척하고, 세척된 기판이 코팅라인(6)으로 이송되도록 한다. 구체적으로, 세정 라인(5)은 기판을 코팅 라인(6) 쪽으로 반송시키는 세정용 컨베이어 및 세정용 컨베이어에 의해 반송되는 기판에 세정액을 분사하여 기판을 세정하는 적어도 하나의 세정 유닛들을 포함하여 구성된다. 여기서, 상기의 기판은 액정 표시장치를 제조하는 경우, 게이트 및 데이터 라인들이 형성되는 기판 특히, 투명 도전성 금속 패턴이나 박막 등이 형성되는 하부기판이 될 수 있다. 그리고 발광 표시장치를 제조하는 경우에는 유기 박막층이나 투명성의 애노드나 캐소드 전극들이 형성되는 기판이 될 수 있다.
코팅 라인(6)은 세정 라인(5)으로부터 세척된 기판들을 제공받아 미리 설정된 소정의 두께로 투명 도전성 금속층을 형성한다. 여기서, 코팅 라인(6)은 PPECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposion) 또는 스퍼터링 등의 증착 방법으로 투명 도전성 금속층을 기판의 전 면적으로 고르게 코팅한다.
흑화 처리 라인(2)은 투명 도전성 금속층이 형성된 기판을 플라즈마 화학기상성장법(Plasma Chemical Vapor Deposition)으로 처리하여 투명 도전성 금속층이 흑화되도록 한다. 예를 들어, ITO(Induim Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명 도전성 금속층이 기판에 형성된 경우, 수소 플라즈마 처리시 산소 결핍으로 인한 비 다량결합(non-stochiometry)에 의해 인듐(In)이 석출되어 흑화 현상이 일어나게 된다. 따라서, 투명 도전성 금속층은 흑화 처리시 공정 조건과 장비여건에 따라 불투명하게 변하여 광 투과율 또한 저하된다.
노광 라인(8)은 흑화 처리되어 광 투과율이 저하된 금속층 상에 원하는 패턴에 대응하는 포토 마스크를 배치하고, 포토 마스크를 포함한 기판의 전면에 자외선을 조사함으로써 노광 공정을 수행한다. 이를 위해 노광 라인(8)은 흑화된 금속층이 형성된 기판의 온도를 노광 공정에 적합한 온도로 유지시키는 온도 조절 유닛과 포토 마스크를 이용하여 흑화된 금속층이 형성된 기판을 노광하는 적어도 하나의 노광 유닛을 포함하여 구성된다.
타이틀링 라인(9)은 노광 공정이 완료된 기판을 이동시키는 컨베이어 및 이동되는 기판에 식별코드를 형성하는 타이틀러 등을 포함하여 구성된다. 여기서, 타이틀러는 컨베이어 등을 통해 이동하는 각 기판들의 일측에 기판 식별코드를 형성한다.
반송 라인(7)은 적어도 하나의 반송 컨베이어와 투명 도전성 금속층 형성 기판 및 노광된 기판들을 각각 임시 보관하는 스태커, 그리고 각각의 반송 컨베이어와 스태커 간의 기판들을 반송하는 반송유닛(AGV)을 포함하여 구성된다. 여기서, 반송유닛은 적어도 하나의 반송 컨베이어와 스태커 간에 정해진 이동 경로를 따라 이동하면서 복수의 기판이 수납된 카세트를 스태커에 보관하거나 노광된 복수의 기판이 수납된 카세트를 타이틀링 라인으로의 반송 컨베이어에 공급하기도 한다.
현상 라인(10)은 타이틀링 라인(9)에서 식별코드가 형성된 기판을 이송시키며, 이송되는 기판상에 현상액을 분사시킴으로써 기판을 현상하는 복수의 현상유닛을 포함하여 구성된다. 구체적으로, 복수의 현상 유닛 각각은 식별코드가 형성된 기판을 어닐링 라인(11)으로 이송시키는 이송 컨베이어 및 이송 컨베이어에 의해 이송되는 기판에 현상액을 분사하는 복수의 분사장치를 구비한다. 이러한 각각의 현상유닛들은 각각의 현상용 컨베이어를 거쳐 기판이 일렬로 이송되도록 다시 말해, 각 기판들이 인라인 상태로 배치되어 연속적으로 이송되도록 하여 이송되는 기판상에 현상액을 분사한다. 이에 따라, 복수의 현상유닛을 순차적으로 거쳐서 이송되는 노광 기판들은 복수의 현상유닛들로부터 분사되는 현상액에 의해 현상된다.
어닐링 라인(11)은 현상 라인(10)의 후공정 위치에 구비되어, 현상 공정에 의해 패터닝이 완료된 흑화 금속 패턴들이 투명성 금속패턴으로 복원되도록 어닐링 공정을 수행한다. 여기서, 어닐링 공정은 하드 베이크 플레이트(Hardbake Hot Plate)를 이용하여 20℃ 내지 150℃ 정도의 온도로 상기 기판을 경화시키는 공정이다. 이러한 어닐링 공정에 의해 흑화 되었던 ITO나 IZO 등은 다 결정화(poly)되면서 저항이 감소하고 다시 투명하게 복원된다.
도시되지 않은 이송 로더부는 세정 라인(5)과 코팅 라인(6) 및 흑화 처리라인(2) 그리고, 현상 라인(10)과 어닐링 라인(11) 간에 이동 가능하게 구비되어, 상기 각 기판들을 상기 각각의 공정 장치들로 이송 및 반입/반출시킨다. 이때, 이송 로더부는 로봇암이나 컨베이어 등이 포함될 수 있으며 특히, 적어도 하나 이상의 핑거를 가지는 로봇 암으로 이루어짐이 바람직하다.
도 2a 내지 도 2d는 기판상에 투명성 금속 패턴이 생성되는 과정의 변화를 나타낸 구성도이다.
세정라인(2)으로부터의 기판이 코팅 라인(6)으로 전달되면, 도 2a로 도시된 바와 같이 코팅 라인(6)에서는 미리 설정된 소정의 두께로 기판(P)상에 투명 도전성 금속층(TC)을 전면적으로 고르게 코팅한다.
이 후, 흑화 처리 라인(2)에서 투명 도전성 금속층(TC)이 형성된 기판(P)을 플라즈마 화학기상성장법으로 처리하면 투명 도전성 금속층은 도 2b에 도시된 바와 같이 산소 결핍으로 인한 비 다량결합(non-stochiometry)에 의해 인듐(In)이 석출되어 흑화 현상이 일어난다. 그리고 금속층이 흑화된 상태의 기판은 노광 라인(8)으로 이송되어, 흑화된 금속층 상에는 포토 마스크가 배치된 상태로 노광 공정이 수행된다.
다음으로, 현상 라인(10)에서 노광 공정이 수행된 기판상에 현상액을 분사시켜 현상 공정을 수행하면 도 2c에 도시된 바와 같이 흑화되었던 금속층이 패터닝된다. 그리고 어닐링 라인(11)에서는 패터닝이 완료된 흑화 금속 패턴들이 투명성 금속패턴으로 복원되도록 어닐링 공정을 수행함으로써 도 2d와 같이, 흑화 되었던 ITO나 IZO 등이 다시 투명하게 복원되도록 한다.
도 3은 도 1의 노광 라인 상에 기판이 배치된 구성을 도시한 평면도이다. 그리고, 도 4는 도 3의 A-A' 단면을 구체적으로 도시한 단면도이다.
도 3 및 도 4에 도시된 노광 라인(8)의 노광 유닛에는 기판(P)을 이송시키기 위한 트레이(Tra)와 기판(P)이 안착되어 고정되도록 하는 복수의 지지 척(Ch) 및 복수의 홈들이 형성되어 있다. 이러한 노광 유닛의 지지 척(Ch) 상에 흑화 금속층(TC)이 형성된 기판(P)을 로딩되면 흑화 금속층(TC) 상에는 포토 마스크가 정렬된다. 그리고 포토 마스크를 포함한 기판의 전면에 자외선을 조사하면 포토마스크가 위치하지 않은 흑화된 금속층(TC)에는 다수의 화살표로 도시된 바와 같이 자외선이 인가된다.
상술한 바와 같이, 흑화된 금속층(TC)은 광 투과율이 저하된바, 예를 들어 광 투과율이 약 40% ~ 60%로만 저하되었더라도 기판(P)을 투과해 노광 유닛의 트레이(Tra)나 복수의 지지 척(Ch)까지 인가되는 자외선 또한 40% ~ 60%가량 감소하게 된다. 이 경우, 노광 유닛에 의해 다시 반사되어 기판(P)이나 흑화된 금속층(TC)의 배면으로 인가되는 자외선 또한 40% ~ 60%가량 감소될 수 있다.
이 후, 상술한 바와 같이 노광된 기판들은 현상 라인(10)을 통해 패터닝되고 어닐링 라인(11)의 어닐링 공정에 의해 흑화 되었던 금속 패턴들은 다 결정화(poly)되면서 저항이 감소하고 다시 투명하게 복원된다.
도 5는 흑화 처리되지 않은 투명 도전성 금속층이 형성된 기판이 노광 유닛 상에 로딩된 예를 나타낸 단면도이다.
도 5와 같이, 투명 도전성 금속층(TC)이 흑화 처리되지 않고 투명한 상태인 기판(P)을 노광 유닛의 지지 척(Ch) 상에 안착시킨 후, 기판의 전면에 자외선을 조사하면 투명한 금속층(TC)과 기판에는 다수의 화살표로 도시된 바와 같이 자외선이 인가된다.
이 경우에는 투명한 금속층(TC)의 광 투과율이 높기 때문에 투명한 금속층(TC)으로 투과된 자외선은 기판(P)을 투과해 노광 유닛의 트레이(Tra)나 복수의 지지 척(Ch)까지 인가된다. 그리고 노광 유닛에 의해 반사된 자외선들은 다양한 화살표들로 도시한 바와 같이 다시 기판(P)과 투명한 금속층(TC)의 배면으로 인가될 수 있다. 이 경우에는 자외선의 반사 방향이 자양하게 변화되기 때문에 포토 마스크가 형성된 금속층(TC)의 배면까지 자외선이 조사될 수 있다. 따라서, 흑화 처리가 되지 않은 금속층(TC)의 경우는 노광량을 조절하기가 어렵기 때문에 투명성 패턴이나 전극의 경우 그 두께나 폭을 줄여 정밀하게 제조하기엔 한계가 있다.
하지만, 본 발명에서 설명한 바와 같이, 패터닝될 투명 도전성 금속층(TC)을 흑화처리한 후 노광 공정을 수행하면 노광 유닛의 트레이(Tra)나 복수의 지지 척(Ch)까지 인가되는 자외선을 감소시켜 노광 유닛에 의해 다시 반사되어 기판(P)이나 흑화된 금속층(TC)의 배면으로 인가되는 자외선을 감소시킬 수 있다. 이에, 본 발명은 투명성 박막이나 패턴이 보다 정밀한 두께 및 폭으로 형성될 수 있도록 함과 아울러 그 불량률을 감소시켜 평판 표시장치의 제조 공정 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
2: 흑화 처리 라인 4: 로딩/언로딩부
5: 세정 라인 6: 코팅라인
7: 반송 라인 8: 노광 라인
9: 타이틀링 라인 10: 현상 라인
11: 어닐링 라인 P: 기판
5: 세정 라인 6: 코팅라인
7: 반송 라인 8: 노광 라인
9: 타이틀링 라인 10: 현상 라인
11: 어닐링 라인 P: 기판
Claims (10)
- 외부로부터의 기판을 로딩 또는 언로딩하는 로딩/언로딩부;
상기 기판상에 투명 도전성 금속층을 형성하는 코팅 라인;
상기 투명 도전성 금속층을 흑화 처리하는 흑화 처리 라인;
상기 흑화된 금속층을 노광하는 노광 라인;
상기 흑화된 금속층이 노광된 기판을 제공받아 현상 공정을 수행하는 현상 라인; 및
어닐링 공정으로 상기 현상 공정에 의해 패터닝된 흑화 금속층의 패턴을 투명성 금속패턴으로 복원하는 어닐링 라인을 구비하며,
상기 노광 라인은
상기 흑화된 금속층이 형성된 기판이 안착되는 복수의 지지척 및 상기 복수의 지지척 간에 복수의 홈이 구성된 노광 유닛을 구비하며,
상기 흑화 처리 라인은
상기 투명 도전성 금속층이 형성된 기판을 플라즈마 화학기상성장법으로 수소 플라즈마 처리함으로써 상기 투명 도전성 금속층을 흑화 처리한 후 상기 노광 유닛으로 공급하되, 상기 흑화된 금속층과 기판을 투과하여 상기 복수의 홈까지 인가되는 자외선의 투과율이 40% 내지 60% 중 어느 한 %로 감소되도록 흑화 처리하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치의 제조장비. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 노광 라인은
상기 흑화 처리되어 광 투과율이 저하된 흑화 금속층 상에 원하는 패턴에 대응하는 포토 마스크를 배치하고, 상기 포토 마스크를 포함한 기판의 전면에 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치의 제조장비. - 제 3 항에 있어서,
상기 어닐링 라인은
하드 베이크 플레이트를 이용하여 20℃ 내지 150℃ 정도의 온도로 상기 흑화 금속층의 패턴들이 형성된 기판을 경화시켜 상기 흑화 상태였던 금속 패턴들의 저항이 감소하고 다시 투명하게 복원되도록 한 것을 특징으로 하는 평판 표시장치의 제조장비. - 제 1 항에 있어서,
상기 로딩/언로딩부로부터의 기판을 세정한 후 상기 코팅 라인으로 공급하는 세정라인,
상기 노광 라인에서 노광된 기판에 식별코드를 형성하여 상기 현상라인으로 공급하는 타이틀링 라인,
상기 흑화된 금속층이 형성된 기판을 상기의 노광 라인으로 반송하거나 상기 노광된 기판을 상기의 타이틀링 라인으로 반송하는 반송라인,
상기의 세정라인이나 코팅라인, 타이틀링 라인, 현상 라인 및 어닐링 라인간에 이동 가능하게 구비되어 상기 기판을 각각의 제조 라인들로 이송시키는 적어도 하나의 이송 로더부를 더 구비한 것을 특징으로 하는 평판 표시장치의 제조장비. - 외부로부터의 기판을 로딩 또는 언로딩하는 단계;
상기 기판상에 투명 도전성 금속층을 형성하는 단계;
상기 투명 도전성 금속층을 흑화 처리하는 단계;
상기 흑화된 금속층을 노광하는 단계;
상기 흑화된 금속층이 노광된 기판을 제공받아 현상 공정을 수행하는 단계; 및
어닐링 공정으로 상기 현상 공정에 의해 패터닝된 흑화 금속층의 패턴을 투명성 금속패턴으로 복원하는 단계를 포함하며,
상기 흑화된 금속층을 노광하는 단계는
복수의 지지척 및 상기 복수의 지지척 간에 복수의 홈이 구성된 노광 유닛을 준비하고 상기 복수의 지지척 상에 상기 흑화된 금속층이 형성된 기판을 안착시키는 단계를 포함하고,
상기 흑화 처리 단계는
상기 투명 도전성 금속층이 형성된 기판을 플라즈마 화학기상성장법으로 수소 플라즈마 처리함으로써 상기 투명 도전성 금속층을 흑화 처리한 후 상기의 노광 단계가 이루어지는 노광 라인으로 공급하되, 상기 흑화된 금속층과 기판을 투과하여 상기 복수의 홈까지 인가되는 자외선의 투과율이 40% 내지 60% 중 어느 한 %로 감소되도록 흑화 처리하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치의 제조방법. - 삭제
- 제 6 항에 있어서,
상기 노광 단계는
상기 흑화 처리되어 광 투과율이 저하된 흑화 금속층 상에 원하는 패턴에 대응하는 포토 마스크를 배치하는 단계, 및
상기 포토 마스크를 포함한 기판의 전면에 자외선을 조사하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 평판 표시장치의 제조방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 어닐링 단계는
하드 베이크 플레이트를 이용하여 20℃ 내지 150℃ 정도의 온도로 상기 흑화 금속층의 패턴들이 형성된 기판을 경화시켜 상기 흑화 상태였던 금속 패턴들의 저항이 감소하고 다시 투명하게 복원되도록 한 것을 특징으로 하는 평판 표시장치의 제조방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 기판을 세정하는 단계,
상기 노광 라인에서 노광된 기판에 식별코드를 형성하는 단계,
상기 흑화된 금속층이 형성된 기판을 상기의 노광 라인으로 반송하거나 상기 노광된 기판을 타이틀링 라인으로 반송하는 단계, 및
세정라인이나 코팅라인, 상기 타이틀링 라인, 현상 라인 및 어닐링 라인간에 이동 가능하게 구비된 적어도 하나의 이송 로더부를 이용하여 상기 기판을 상기 각각의 제조 라인들로 이송시키는 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 평판 표시장치의 제조방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100112694A KR101351419B1 (ko) | 2010-11-12 | 2010-11-12 | 평판 표시장치의 제조 장비와 그 제조 방법 |
US13/292,901 US9310655B2 (en) | 2010-11-12 | 2011-11-09 | Apparatus for fabricating a flat panel display device and method thereof |
TW100140918A TWI476852B (zh) | 2010-11-12 | 2011-11-09 | 平板顯示裝置之製造設備及其製造方法 |
CN201110365333.0A CN102569127B (zh) | 2010-11-12 | 2011-11-11 | 一种制造平板显示装置的设备和方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100112694A KR101351419B1 (ko) | 2010-11-12 | 2010-11-12 | 평판 표시장치의 제조 장비와 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120051313A KR20120051313A (ko) | 2012-05-22 |
KR101351419B1 true KR101351419B1 (ko) | 2014-01-15 |
Family
ID=46048185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100112694A KR101351419B1 (ko) | 2010-11-12 | 2010-11-12 | 평판 표시장치의 제조 장비와 그 제조 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9310655B2 (ko) |
KR (1) | KR101351419B1 (ko) |
CN (1) | CN102569127B (ko) |
TW (1) | TWI476852B (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101408379B1 (ko) * | 2012-11-30 | 2014-06-18 | 주식회사 나래나노텍 | 합착 시트를 이용한 패턴 형성 장치 및 방법, 및 이를 구비한 평판디스플레이 제조 장치 및 방법 |
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2010
- 2010-11-12 KR KR1020100112694A patent/KR101351419B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-11-09 US US13/292,901 patent/US9310655B2/en active Active
- 2011-11-09 TW TW100140918A patent/TWI476852B/zh active
- 2011-11-11 CN CN201110365333.0A patent/CN102569127B/zh active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI476852B (zh) | 2015-03-11 |
US20120122366A1 (en) | 2012-05-17 |
CN102569127B (zh) | 2014-09-03 |
TW201220420A (en) | 2012-05-16 |
US9310655B2 (en) | 2016-04-12 |
CN102569127A (zh) | 2012-07-11 |
KR20120051313A (ko) | 2012-05-22 |
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191212 Year of fee payment: 7 |