KR101345346B1 - Apparatus for forming cigs layer - Google Patents

Apparatus for forming cigs layer Download PDF

Info

Publication number
KR101345346B1
KR101345346B1 KR1020110137205A KR20110137205A KR101345346B1 KR 101345346 B1 KR101345346 B1 KR 101345346B1 KR 1020110137205 A KR1020110137205 A KR 1020110137205A KR 20110137205 A KR20110137205 A KR 20110137205A KR 101345346 B1 KR101345346 B1 KR 101345346B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fan
wall
chamber
boat
door
Prior art date
Application number
KR1020110137205A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130070067A (en
Inventor
이경호
Original Assignee
주식회사 테라세미콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테라세미콘 filed Critical 주식회사 테라세미콘
Priority to KR1020110137205A priority Critical patent/KR101345346B1/en
Publication of KR20130070067A publication Critical patent/KR20130070067A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101345346B1 publication Critical patent/KR101345346B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Abstract

CIGS층 형성장치가 개시된다. 본 발명에 따른 CIGS층 형성장치는 챔버의 분위기 가스가 상승하여 하강하면서 순환할 때, 직선형태로 이동하면서 순환하므로, 챔버의 분위기 가스는 기판이 적재 저장된 보트의 내부를 균일하게 통과한다. 그러므로, 보트에 적재 저장된 기판들이 균일하게 처리되고, 하나의 기판을 기준으로 기판의 전체면이 균일하게 처리되는 효과가 있다.A CIGS layer forming apparatus is disclosed. Since the CIGS layer forming apparatus according to the present invention circulates while moving in a straight line when the atmosphere gas of the chamber rises and circulates, the atmosphere gas of the chamber passes uniformly through the inside of the boat in which the substrate is stored. Therefore, there is an effect that the substrates stored in the boat are uniformly processed, and the entire surface of the substrate is uniformly processed based on one substrate.

Description

ＣＩＧＳ층 형성장치 {APPARATUS FOR FORMING CIGS LAYER}CIS layer forming apparatus {APPARATUS FOR FORMING CIGS LAYER}

본 발명은 CIGS층 형성장치에 관한 것이다.The present invention relates to a CIGS layer forming apparatus.

오늘날, 고갈되어 가는 화석 연료에 대한 의존도를 줄이기 위해, 고갈될 염려가 없을 뿐만 아니라 친환경적인 태양에너지를 활용하는 태양전지(Solar Cell)에 대한 연구 개발이 활발히 진행 중이다.Today, in order to reduce the dependence on depleted fossil fuels, research and development on active solar cells that utilize not only the risk of depletion but also use environmentally friendly solar energy are in progress.

이러한 연구 개발의 일환으로, 태양광의 흡수율이 높고, 태양광 또는 방사선에 대한 열화 현상이 적으며, 박막화가 가능하고, 제작상 재료비를 절감할 수 있는 CIGS{Cu(In1-xGax)Se2} 층이 형성된 박막형 태양전지가 개발되었다.As part of this research and development, CIGS {Cu (In1-xGax) Se 2 } layer which has high absorption rate of solar light, little degradation of sunlight or radiation, thin film and low material cost. The formed thin film solar cell has been developed.

박막형 태양전지는 유리 등의 기판, 기판 상에 형성된 금속층으로 이루어진 (+)극인 전극층, 전극층 상에 형성되며 광을 흡수하는 p형의 CIGS층, CIGS층 상에 형성된 n형의 버퍼층 및 버퍼층 상에 형성된 (-)극인 투명 전극층을 포함하는 다층 적층 구조이다.The thin film solar cell includes a substrate such as a glass substrate, a (+) electrode layer formed of a metal layer formed on the substrate, a p-type CIGS layer formed on the electrode layer and absorbing light, an n-type buffer layer formed on the CIGS layer, Layered structure including a transparent electrode layer having a negative (-) polarity.

그리하여, 수광부인 투명 전극층을 통하여 태양광이 입사되면, p-n 접합 부근에서는 대략 1.04 eV 의 밴드갭 에너지를 갖는 여기된 한 쌍의 전자 및 정공이 생성된다. 그리고, 여기된 전자와 정공은 확산에 의해 p-n 접합부에 도달하고, 접합부의 내부 전계에 의해 전자가 n 영역에, 정공이 p 영역에 집합하여 분리된다.Thus, when sunlight is incident through the transparent electrode layer, which is a light receiving portion, a pair of excited electrons and holes having a band gap energy of about 1.04 eV are generated near the p-n junction. Then, the excited electrons and holes reach the p-n junction by diffusion, and electrons are collected in the n region and the holes are collected in the p region by the internal electric field of the junction.

그러면, n 영역은 마이너스로 대전되고, p 영역은 플러스로 대전되며, 각 영역에 형성된 전극 간에는 전위차가 생긴다. 그리고, 전위차를 기전력으로 하여 각 전극 사이를 도선으로 연결하면 광전류가 얻어진다. 이것이 태양전지의 원리이다.Then, the n region is negatively charged, the p region is positively charged, and a potential difference is generated between the electrodes formed in the respective regions. A photocurrent is obtained when the potential difference is used as an electromotive force and the respective electrodes are connected by a lead wire. This is the principle of solar cells.

박막형 태양전지의 CIGS층을 형성하는 방법은, 기판에 형성된 전극층 상에 구리, 인듐, 갈륨의 원소를 적정 비율로 진공 스퍼터링하여 전구체막을 형성하는 공정과, 증착된 전구체막에 셀렌화 수소(H2Se) 기체를 흘려주면서 기판을 가열하는 셀렌화(selenization) 공정을 거친다. 이러한 일련의 공정을 거쳐, 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se) 원소가 적정 조성비로 혼합된 CIGS층이 형성된다.The method for forming a CIGS layer of a thin-film solar cell includes a process of forming a precursor film by vacuum sputtering an element of copper, indium, and gallium in an appropriate ratio on an electrode layer formed on a substrate, and hydrogen selenide (H 2) in the deposited precursor film. Se) A selenization process is performed to heat the substrate while flowing the gas. Through this series of steps, a CIGS layer in which copper (Cu), indium (In), gallium (Ga), and selenium (Se) elements are mixed in an appropriate composition ratio is formed.

이러한 셀렌화 공정은 전구체막이 형성된 기판을 밀폐된 챔버에 로딩시키고, 챔버를 불활성가스로 치환한 다음, 챔버에 처리가스인 셀렌화 수소(H2Se)을 도입한 후, 챔버를 일정 온도로 승온시켜 일정 시간 유지하여, 셀렌화된 CIGS층을 형성하는 공정이다.In this selenization process, the substrate on which the precursor film is formed is loaded into a closed chamber, the chamber is replaced with an inert gas, hydrogen selenide (H 2 Se) as a process gas is introduced into the chamber, For a predetermined time to form a selenized CIGS layer.

기판을 균일하게 처리하기 위해서는 챔버의 온도가 부위별로 균일하여야 하고, 챔버의 온도가 부위별로 균일하기 위해서는 챔버의 분위기 가스가 챔버의 부위별로 균일하게 분포되어야 한다. 이를 위하여, 챔버의 분위기 가스를 강제로 순환시키기 위한 팬을 챔버에 설치한 CIGS층 형성장치가 개발되어 사용되고 있다.In order to process the substrate uniformly, the temperature of the chamber should be uniform for each part, and in order for the temperature of the chamber to be uniform for each part, the atmosphere gas of the chamber should be uniformly distributed for each part of the chamber. To this end, a CIGS layer forming apparatus in which a fan is installed in the chamber for forcibly circulating the atmosphere gas of the chamber has been developed and used.

상기와 같은 종래의 CIGS층 형성장치는 팬에 의하여 챔버의 분위기 가스가 상승하여 하강하면서 순환할 때, 소용돌이를 일으키며 순환하므로, 복수의 기판이 적재 저장된 보트의 부위별로 챔버의 분위기 가스가 불균일하게 분포된다.In the conventional CIGS layer forming apparatus as described above, when the atmospheric gas of the chamber is circulated by the fan as it descends and circulates, it forms a vortex and circulates. do.

상세히 설명하면, 470㎜ x 370㎜ x 1.8㎜인 기판 24장이 14㎜의 간격으로 기립되어 적재 저장된 보트를 챔버에 로딩하고, 상기 보트의 하측에 설치된 팬을 300rpm으로 회전시켜 상기 보트의 부위별로 유량을 측정하였다.In detail, 24 substrates of 470 mm x 370 mm x 1.8 mm stand up at intervals of 14 mm and load the stored boat into the chamber, and rotate the fan installed at the lower side of the boat at 300 rpm to flow rate for each part of the boat. Was measured.

종래의 CIGS층 형성장치에 설치된 보트의 부위별 유량Flow rate for each part of the boat installed in the conventional CIGS layer forming apparatus 측정 지점Measuring point L220L220 L165L165 L110L110 L55L55 중심center R55R55 R110R110 R165R165 R220R220 층별 유량Floor Flow 총 유량Total flow
상
Prize 전165All165 0.030.03 0.190.19 0.20.2 0.120.12 0.10.1 0.070.07 0.080.08 0.160.16 0.070.07 431.46431.46
1772.37
1772.37 전75All75 0.090.09 0.230.23 00 00 0.030.03 0.030.03 00 0.080.08 0.130.13 249.57249.57 중심center 0.260.26 0.130.13 00 00 0.050.05 0.040.04 00 0.180.18 0.230.23 376.47376.47 후7575 0.270.27 0.110.11 00 00 00 00 0.080.08 0.230.23 0.080.08 325.71325.71 후165165 0.060.06 0.080.08 0.10.1 0.090.09 0.070.07 0.150.15 0.20.2 0.150.15 0.020.02 389.16389.16
중
medium 전165All165 00 0.040.04 0.180.18 0.160.16 0.10.1 0.090.09 0.090.09 0.10.1 0.070.07 355.32355.32
1535.49
1535.49 전75All75 00 0.080.08 0.210.21 0.150.15 0.040.04 0.020.02 0.080.08 0.120.12 0.120.12 346.86346.86 중심center 0.020.02 0.180.18 0.120.12 0.050.05 00 0.030.03 0.070.07 0.120.12 0.030.03 262.26262.26 후7575 0.130.13 0.160.16 0.050.05 0.020.02 00 0.10.1 0.130.13 00 00 249.57249.57 후165165 0.040.04 0.090.09 0.090.09 0.080.08 0.140.14 0.160.16 0.160.16 00 00 321.48321.48
하
Ha 전165All165 00 0.040.04 0.150.15 0.160.16 0.160.16 0.150.15 0.130.13 0.120.12 0.030.03 397.62397.62
2174.22
2174.22 전75All75 0.010.01 0.110.11 0.150.15 0.160.16 0.170.17 0.170.17 0.180.18 0.150.15 00 465.3465.3 중심center 00 0.150.15 0.180.18 0.20.2 0.190.19 0.180.18 0.170.17 0.180.18 00 528.75528.75 후7575 00 0.140.14 0.160.16 0.160.16 0.180.18 0.160.16 0.150.15 0.130.13 0.020.02 465.3465.3 후165165 0.010.01 0.060.06 0.060.06 0.090.09 0.130.13 0.130.13 0.160.16 0.090.09 0.020.02 317.25317.25

(L=Left, R=Right, 전=전방, 후=후방.(L = Left, R = Right, Front = Front, Back = Rear.

측정 지점인 L220, L165, L110, L55, R55, R110, R165, R220, 전165, 전75, 후75, 후165는 보트의 중심에서부터의 거리로 단위는 ㎜.The measuring points L220, L165, L110, L55, R55, R110, R165, R220, before 165, before 75, after 75, and after 165 are the distance from the center of the boat, in mm.

"상"은 기판의 상측 부위로 246㎜ 보다 높은 부위, "중"은 기판의 중간측 부위로 대략 124㎜∼246㎜의 부위, "하"는 기판의 하측 부위로 대략 124㎜ 이하의 부위.)"Upper" is a portion higher than 246 mm as the upper portion of the substrate, "middle" is a portion of about 124 mm to 246 mm as the middle portion of the substrate, and "lower" is a portion of about 124 mm or less as the lower portion of the substrate. )

표 1에 표시된 바와 같이, L220 지점의 중간 부위 2군데와 하측 부위 3군데에서 유량이 "0" 이고, L110 지점의 상측 부위 3군데에서 유량이 "0" 이며, 150군데의 측정 지점 중, 총 23군데에서 유량이 "0"으로 측정되었다. 그리고, 각 층별의 유량의 소정 이상으로 불균일하다. 이로 인해, 각 기판이 불균일하게 처리되고, 하나의 기판을 기준으로 부위별로 불균일하게 처리되는 단점이 있었다.As shown in Table 1, the flow rate is "0" in two intermediate parts and three lower parts of the L220 point, and the flow rate is "0" in three upper parts of the L110 point, and among the 150 measuring points, The flow rate was measured as "0" in 23 places. And it is nonuniform to the predetermined | prescribed or more of the flow volume for each layer. For this reason, each substrate is treated non-uniformly, there is a disadvantage that the non-uniform treatment for each part based on one substrate.

CIGS층 형성장치와 관련된 기술은 한국공개특허공보 10-2010-0126854호 등에 개시되어 있다.The technology related to the CIGS layer forming apparatus is disclosed in Korea Patent Publication No. 10-2010-0126854.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 챔버의 분위기 가스가 직선형태로 이동하면서 순환되도록 구성하여, 기판을 균일하게 처리할 수 있는 CIGS층 형성장치를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems of the prior art, an object of the present invention is configured to circulate while moving the atmosphere gas of the chamber in a linear form, CIGS layer forming apparatus capable of uniformly treating the substrate In providing.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 CIGS층 형성장치는, 기판이 로딩되어 처리되는 공간인 챔버를 제공하고, 하면에는 출입구가 형성된 벽체(壁體); 상기 벽체의 하면에 승강가능하게 설치되어 상기 출입구를 개폐하는 도어; 상기 도어측에 탑재 지지되어 상기 도어와 함께 승강하고, 복수개의 상기 기판이 기립 설치되어 상호 간격을 가지면서 저장되며, 상하면이 개방된 보트; 상기 도어와 상기 보트 사이에 설치되어 상기 기판들의 하측에 위치되고, 상기 도어와 함께 승강하며, 상기 챔버의 분위기 가스를 상기 기판들의 하측과 대향하는 자신의 상면측으로 흡입한 다음 자신의 외면측으로 배출시켜 순환시키는 팬; 상기 벽체의 내부에 설치되며, 상기 팬의 외면에서 배출된 상기 챔버의 분위기 가스를 직선형태로 상승시켜 상기 보트의 상면으로 유입되도록 안내하는 수단을 포함한다.The CIGS layer forming apparatus according to the present invention for achieving the above object is provided with a chamber that is a space in which the substrate is loaded and processed, the lower surface of the wall is formed with an entrance; A door installed on a lower surface of the wall to open and close the door; A boat mounted and supported on the door side to move up and down with the door, the plurality of substrates standing up and being stored at a mutual interval, and having a top and bottom open; Installed between the door and the boat and positioned below the substrates, and lifted together with the door, and suck the atmospheric gas of the chamber to its upper side facing the lower side of the substrate and then discharge it to its outer surface side. A circulating fan; It is installed inside the wall, and includes a means for guiding the atmosphere gas of the chamber discharged from the outer surface of the fan in a straight line to flow into the upper surface of the boat.

본 발명에 따른 CIGS층 형성장치는, 챔버의 분위기 가스가 상승하여 하강하면서 순환할 때, 직선형태로 이동하면서 순환하므로, 챔버의 분위기 가스는 기판이 적재 저장된 보트의 내부를 균일하게 통과한다. 그러므로, 보트에 적재 저장된 기판들이 균일하게 처리되고, 하나의 기판을 기준으로 기판의 전체면이 균일하게 처리되는 효과가 있다.Since the CIGS layer forming apparatus according to the present invention circulates while moving in a straight line when the atmosphere gas of the chamber rises and circulates, the atmosphere gas of the chamber passes uniformly through the inside of the boat in which the substrate is stored. Therefore, there is an effect that the substrates stored in the boat are uniformly processed, and the entire surface of the substrate is uniformly processed based on one substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치의 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 CIGS층 형성장치의 일부 절개 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 내부벽체와 팬 부위의 발췌 사시도.
도 4는 도 3에 도시된 내부벽체의 평단면도.1 is a perspective view of a CIGS layer forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of the CIGS layer forming apparatus shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is an exploded perspective view of the inner wall and the fan portion shown in FIG. 2. FIG.
4 is a plan sectional view of the inner wall shown in FIG.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시하여 도시한 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분히 상세하게 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 상호 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 특정 구조 및 특성은 일 실시예와 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미가 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에 도시된 실시예들의 길이, 면적, 두께 및 형태는, 편의상, 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that illustrate specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are mutually exclusive, but need not be mutually exclusive. For example, certain features, specific structures, and features described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with one embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is to be limited only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled. The length, area, thickness, and shape of the embodiments shown in the drawings may be exaggerated for convenience.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, a CIGS layer forming apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 CIGS층 형성장치의 일부 절개 사시도이다.1 is a perspective view of a CIGS layer forming apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a partially cutaway perspective view of the CIGS layer forming apparatus shown in FIG.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 CIGS층 형성장치는 유리 등의 기판(50)이 로딩되어 처리되는 밀폐된 공간인 챔버(110a)를 제공하는 스테인리스 스틸로 형성된 벽체(壁體)(110)를 포함한다. 벽체(110)는 수직으로 기립 설치되며, 챔버(110a)가 형성된 내부벽체(111)와 내부벽체(111)의 상면과 측면을 감싸는 형태로 설치되며 내부벽체(111)의 외면과 간격을 가지는 외부벽체(115)를 가진다.As shown, the CIGS layer forming apparatus according to the present embodiment is a wall 110 formed of stainless steel that provides a chamber 110a, which is an enclosed space in which a substrate 50 such as glass is loaded and processed. It includes. The wall 110 is vertically installed and is installed in the form of surrounding the upper and side surfaces of the inner wall 111 and the inner wall 111 in which the chamber 110a is formed, and having an outer surface and an outer surface of the inner wall 111. It has a wall 115.

내부벽체(111)의 하면 테두리부측 및 외부벽체(115)의 하면 테두리부측에는 외측 및 내측으로 각각 돌출되어 상호 밀폐 결합되는 플랜지부(112, 116)가 각각 형성된다. 내부벽체(111)와 외부벽체(115) 사이의 공간에는 질소 가스가 유입될 수 있다. 질소 가스는 챔버(110a)로 유입된 후술할 셀렌화 수소(H2Se)가 내부벽체(111)와 외부벽체(115) 사이로 누설되었을 때, 셀렌화 수소를 희석시킨다.Flange portions 112 and 116 are formed at the lower edge portion of the inner wall 111 and the lower edge portion of the outer wall 115 to protrude outward and inward, respectively, to be hermetically coupled to each other. Nitrogen gas may flow into the space between the inner wall 111 and the outer wall 115. Nitrogen gas dilutes hydrogen selenide when hydrogen selenide (H 2 Se) to be introduced into the chamber 110a leaks between the inner wall 111 and the outer wall 115.

내부벽체(111)의 하면에는 출입구가 형성되고, 내부벽체(111)의 하면 하측에는 도어(121)가 승강가능하게 설치된다. 도어(121)는 내부벽체(111)의 하측에 설치된 모터 또는 실린더 등과 같은 승강수단(미도시)에 의하여 승강하면서 상기 출입구를 개폐하고, 이로 인해 챔버(110a)가 개방 또는 밀폐된다.An entrance is formed on a lower surface of the inner wall 111, and a door 121 is provided at an lower side of the lower surface of the inner wall 111 so as to be elevated. The door 121 opens and closes the entrance and exit while lifting by an elevating means (not shown) such as a motor or a cylinder installed under the inner wall 111, and thus the chamber 110a is opened or closed.

도어(121)에 의하여 상기 출입구가 완전하게 실링되도록 도어(121)의 테두리부측에는 실링부재(미도시)가 설치될 수 있다.A sealing member (not shown) may be installed at the edge of the door 121 so that the door is completely sealed by the door 121.

상기 실링부재가 내부벽체(111)의 하면에 더욱 밀착되도록 하기 위하여, 도어(121)의 하측에는 지지판(123)이 설치되고, 지지판(123)과 도어(121) 사이에는 스프링 또는 합성수지 등과 같은 탄성부재(125)가 개재된다.In order for the sealing member to be in close contact with the lower surface of the inner wall 111, a support plate 123 is installed on the lower side of the door 121, and elasticity such as a spring or synthetic resin is provided between the support plate 123 and the door 121. The member 125 is interposed.

상세히 설명하면, 지지판(123)은 상기 승강수단에 지지되고, 지지판(123)과 도어(121)는 탄성부재(125)를 매개로 상호 연결된다. 그러면, 상기 승강수단에 의하여 지지판(123)이 상승하면, 지지판(123)에 의하여 도어(121)가 상승하고, 도어(121)의 상승에 의하여 도어(121)에 지지된 실링부재(121a)가 내부벽체(111)의 하면에 접촉된다. 그런데, 지지판(123)이 상기 승강수단에 지지 고정되어 있으므로, 탄성부재(125)의 탄성력에 의하여, 도어(121)는 내부벽체(111)의 하면측으로 탄성 지지된다. 따라서, 상기 실링부재가 내부벽체(111)의 하면에 더욱 밀착되는 것이다.In detail, the support plate 123 is supported by the lifting means, and the support plate 123 and the door 121 are connected to each other through the elastic member 125. Then, when the support plate 123 is raised by the lifting means, the door 121 is raised by the support plate 123, and the sealing member 121a supported by the door 121 by the lift of the door 121 is lifted. It comes in contact with the lower surface of the inner wall 111. However, since the support plate 123 is fixed to the lifting means, the door 121 is elastically supported to the lower surface side of the inner wall 111 by the elastic force of the elastic member 125. Therefore, the sealing member is in close contact with the lower surface of the inner wall 111.

도어(121)의 상면에는 단열판(미도시) 열전달판(미도시) 및 복수의 히터가 설치될 수 있다. 상기 히터는 일측이 개방된 링형상을 이루며, 하나의 상기 열전달판에 직경이 상이한 상기 히터들이 동심을 이루면서 배치된다.The upper surface of the door 121 may be a heat insulating plate (not shown) heat transfer plate (not shown) and a plurality of heaters. The heater forms a ring shape with one side open, and the heaters having different diameters are arranged concentrically on one heat transfer plate.

상기 열전달판과 상기 히터는 기판(50)을 처리하기 위하여 챔버(110a)로 유입된 분위기 가스를 소정 온도로 가열하고, 상기 단열판은 상기 히터에 의하여 가열된 챔버(110a)의 분위기 가스의 열이 외부로 방출되는 것을 방지한다.The heat transfer plate and the heater heat the atmosphere gas introduced into the chamber 110a to a predetermined temperature in order to process the substrate 50, and the heat insulation plate has heat of the atmosphere gas of the chamber 110a heated by the heater. Prevents it from being released to the outside.

기판(50)은 상하로 기립된 형태로 복수개가 상호 간격을 가지면서 보트(140)에 지지되어 챔버(110a)에 로딩되어 처리된다. 보트(140)는 상하면이 개방되며 내면에는 기판(50)의 테두리부측이 삽입 지지되는 지지홈(미도시)이 형성된다.The substrate 50 is supported by the boat 140 while being spaced apart from each other in the form of standing up and down, and is loaded and processed in the chamber 110a. The boat 140 has an open top and bottom and a support groove (not shown) in which an edge of the substrate 50 is inserted and supported.

지지판(123), 도어(121) 및 보트(140)는 함께 승강한다.The support plate 123, the door 121 and the boat 140 are elevated together.

전극층과 적정 원소 비율로 형성된 구리, 인듐, 갈륨으로 이루어진 전구체막이 형성된 기판(50)을 보트(140)에 지지시킨 다음, 보트(140)를 상기 열전달판의 상측에 탑재 지지시킨다. 그 후, 지지판(123)을 상승시키면, 보트(140)가 챔버(110a)에 위치되고, 챔버(110a)는 밀폐된다. 이러한 상태에서, 챔버(110a)에 질소 가스를 유입한 다음, 셀렌화 가스(H2Se)를 주입하여 소정 온도에서 CIGS층을 형성하고, CIGS층 형성한 다음에는 또 다른 소정 온도에서 황화 가스(H2S)를 주입하여 기판(50)에 형성된 CIGS층을 처리한다.The substrate 50 on which the precursor layer made of copper, indium, and gallium formed at an appropriate element ratio is formed is supported on the boat 140, and then the boat 140 is mounted and supported on the upper side of the heat transfer plate. Then, when the support plate 123 is raised, the boat 140 is located in the chamber 110a and the chamber 110a is closed. In this state, nitrogen gas is introduced into the chamber 110a, and selenization gas (H 2 Se) is injected to form a CIGS layer at a predetermined temperature, and after forming the CIGS layer, a sulfide gas ( H 2 S) is injected to treat the CIGS layer formed on the substrate 50.

CIGS층을 형성할 때, 챔버(110a)의 분위기 가스가 복수의 기판(50)으로 균일하게 전달되도록 함과 동시에, 하나의 기판(50)의 전체면에 균일하게 전달되도록 하기 위하여 팬(151)과 확산판(155)이 설치된다.In forming the CIGS layer, the fan 151 is configured to uniformly transfer the atmosphere gas of the chamber 110a to the plurality of substrates 50 and simultaneously to the entire surface of one substrate 50. And diffusion plate 155 is provided.

더 구체적으로 설명하면, 팬(151)은 도어(121)의 상측에 설치되어 보트(140)의 개방된 하면 직하방에 위치된다. 그러므로, 팬(151)은 기판(50)들의 하면 직하방에 위치되어 기판(50)들의 하면과 대향한다. 그리고, 확산판(155)은 팬(151)과 보트(140) 사이에 설치된다.In more detail, the fan 151 is installed above the door 121 and is located directly below the open bottom surface of the boat 140. Therefore, the fan 151 is located directly below the bottom surface of the substrates 50 so as to face the bottom surface of the substrates 50. The diffusion plate 155 is installed between the fan 151 and the boat 140.

이때, 팬(151)의 외측 부위를 감싸는 상기 열전달판은 링 형상으로 형성되어, 팬(151)에서 배출되는 챔버(110a)의 분위기 가스가 내부벽체(111)의 측면측으로 배출되도록 허용한다. 상기 열전달판을 통과하여 내부벽체(111)의 측면측으로 배출된 챔버(110a)의 분위기 가스는 내부벽체(111)의 측면을 타고 상승한다.In this case, the heat transfer plate surrounding the outer portion of the fan 151 is formed in a ring shape, allowing the atmosphere gas of the chamber 110a discharged from the fan 151 to be discharged to the side of the inner wall 111. Atmospheric gas of the chamber 110a discharged through the heat transfer plate to the side of the inner wall 111 rises along the side of the inner wall 111.

내부벽체(111)의 내부에는 챔버(110a)의 분위기 가스를 소정 온도로 가열하는 복수의 히터(135)가 설치된다. 히터(135)는 바 형상으로 형성되며, 내부벽체(111)의 내면을 따라 보트(140)를 감싸는 형태로 설치된다.A plurality of heaters 135 are installed inside the inner wall 111 to heat the atmosphere gas of the chamber 110a to a predetermined temperature. The heater 135 is formed in a bar shape and is installed to surround the boat 140 along the inner surface of the inner wall 111.

내부벽체(111)의 내면은 챔버(110a)의 분위기 가스와 접촉하므로, 챔버(110a)의 분위기 가스에 의하여 내부벽체(111)의 내면이 손상될 수 있다. 이를 방지하기 위하여 내부벽체(111)의 내면은 코팅된다.Since the inner surface of the inner wall 111 contacts the atmospheric gas of the chamber 110a, the inner surface of the inner wall 111 may be damaged by the atmospheric gas of the chamber 110a. In order to prevent this, the inner surface of the inner wall 111 is coated.

도어(121)의 상면측에 설치된 상기 히터와 히터(135)에 의하여 챔버(110a)의 분위기 가스가 가열되면, 내부벽체(111)가 열팽창된다. 그런데, 내부벽체(111)의 외면과 내면이 상이하게 열팽창되면, 내부벽체(111)의 내면에 형성된 상기 코팅이 손상될 수 있으므로, 내부벽체(111)와 외부벽체(115)의 사이에도 히터(미도시)가 설치될 수 있다.When the atmosphere gas of the chamber 110a is heated by the heater and the heater 135 provided on the upper surface side of the door 121, the inner wall 111 is thermally expanded. However, when the outer surface and the inner surface of the inner wall 111 are differently thermally expanded, the coating formed on the inner surface of the inner wall 111 may be damaged, so that the heater (also between the inner wall 111 and the outer wall 115) may be damaged. Not shown) may be installed.

팬(151)은 레이디얼(Radial) 팬으로 마련되며, 외면이 내부벽체(111)의 내면과 대향되게 설치된다. 따라서, 팬(151)은 축방향인 자신의 상면측에서 챔버(110a)의 분위기 가스를 흡입하여 반경방향인 자신의 외면측으로 챔버(110a)의 분위기 가스를 배출한다.The fan 151 is provided as a radial fan, and the outer surface is installed to face the inner surface of the inner wall 111. Accordingly, the fan 151 sucks the atmospheric gas of the chamber 110a from its upper surface side in the axial direction and discharges the atmospheric gas of the chamber 110a to its outer surface side in the radial direction.

그러면, 회전하는 팬(151)의 외면측으로 배출된 챔버(110a)의 분위기 가스는 소용돌이 형태로 회전하면서 내부벽체(111)의 내면을 타고 상승한 다음, 챔버(110a)의 상측 중앙부에서 소용돌이 형태로 회전하면서 하강하여 보트(140)의 내부를 통과한다.Then, the atmosphere gas of the chamber 110a discharged to the outer surface side of the rotating fan 151 ascends on the inner surface of the inner wall 111 while rotating in a vortex form, and then rotates in a vortex form at the upper center of the chamber 110a. While descending to pass through the inside of the boat (140).

그런데, 보트(140)에는 복수의 기판(50)이 기립 설치되어 있으므로, 보트(140)의 내부를 통과하는 챔버(110a)의 분위기 가스는 보트(140)의 내부 전체 부위를 균일하게 통과하지 못하게 된다.However, since the plurality of substrates 50 are erected in the boat 140, the atmosphere gas of the chamber 110a passing through the boat 140 does not uniformly pass through the entire inner portion of the boat 140. do.

이를 방지하기 위하여, 본 실시예에 따른 CIGS층 형성장치에는 팬(151)의 외측으로 배출된 챔버(110a)의 분위기 가스가 직선형태로 상승한 후 하강하면서, 보트(140)의 상면으로 유입되도록 안내하는 수단이 내부벽체(111)의 내부에 마련된다.In order to prevent this, the CIGS layer forming apparatus according to the present embodiment guides the atmosphere gas of the chamber 110a discharged to the outside of the fan 151 to rise and fall in a straight line while flowing into the upper surface of the boat 140. Means for providing the inside of the inner wall (111).

상기 수단에 대하여 도 2, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다. 도 3은 도 2에 도시된 내부벽체와 팬 부위의 발췌 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 내부벽체의 평단면도이다.The above means will be described with reference to FIGS. 2, 3 and 4. 3 is a perspective view of the inner wall and the fan portion shown in Figure 2, Figure 4 is a plan sectional view of the inner wall shown in FIG.

도시된 바와 같이, 상기 수단은 팬(151)의 외측에 설치되어 팬(151)의 외면을 감싸는 형태로 상호 간격을 가지면서 내부벽체(111)에 기립 설치된 복수의 격벽(160)으로 마련된다.As shown, the means is provided on the outer side of the fan 151 is provided with a plurality of partition walls (160) standing on the inner wall 111 with a mutual gap in the form of surrounding the outer surface of the fan 151.

격벽(160)의 하면은 내부벽체(111)의 하면에 각각 결합 지지되고, 내부벽체(111)의 외측을 향하는 격벽(160)의 외측면은 내부벽체(111)의 내면에 각각 결합 지지되며, 내부벽체(111)의 내측을 향하는 격벽(160)의 내측면은 각각 팬(151)과 대향한다.The lower surface of the partition wall 160 is coupled to and supported by the lower surface of the inner wall 111, respectively, and the outer surface of the partition wall 160 facing the outer side of the inner wall 111 is coupled to and supported by the inner surface of the inner wall 111, respectively. The inner surface of the partition wall 160 facing the inside of the inner wall 111 faces the fan 151, respectively.

그러므로, 복수의 격벽(160)에 의하여 팬(151) 외측의 챔버(110a)의 공간은 복수개로 구획된다. 즉, 팬(151) 외측의 챔버(110a)의 공간은 하측에서 상측을 향하여 수직으로 복수의 통로가 형성된 형태로 구획된다.Therefore, the space of the chamber 110a outside the fan 151 is divided into a plurality of partitions 160. That is, the space of the chamber 110a outside the fan 151 is partitioned in a form in which a plurality of passages are formed vertically from the lower side toward the upper side.

그러면, 팬(151)의 외측으로 배출되어 소용돌이 형태로 회전하면서 내부벽체(111)의 측면으로 이동하는 챔버(110a)의 분위기 가스는 상호 인접하는 격벽(160)과 격벽(160) 사이로 각각 유입되고, 격벽(160)과 격벽(160) 사이로 유입된 챔버(110a)의 분위기 가스는 격벽(160)과 격벽(160) 사이의 공간에서 회전되지 못하고 내부벽체(111)의 내면을 타고 직선형태로 이동하면서 상승한다.Then, the atmosphere gas of the chamber 110a, which is discharged to the outside of the fan 151 and rotates in a vortex shape and moves to the side of the inner wall 111, is introduced between the partition walls 160 and the partition walls 160 adjacent to each other. , The atmosphere gas of the chamber 110a introduced between the partition wall 160 and the partition wall 160 does not rotate in the space between the partition wall 160 and the partition wall 160 and moves in a straight line on the inner surface of the inner wall 111. Ascends.

챔버(110a)의 상측으로 직선형태로 이동하여 상승한 챔버(110a)의 분위기 가스는 챔버(110a)의 중앙부측으로 이동한 다음, 직선형태로 이동하면서 하강하여, 보트(140)의 상면으로 유입되어 보트(140)를 통과한다.Atmospheric gas of the chamber 110a that moves upward in a straight line to the upper side of the chamber 110a moves to the center portion of the chamber 110a, and then descends while moving in a straight line, and flows into the upper surface of the boat 140 so as to flow into the boat. Pass 140.

즉, 챔버(110a)의 분위기 가스가 상승하여 하강하면서 순환할 때, 직선형태로 이동하므로, 챔버(110a)의 분위기 가스는 보트(140)의 내부를 균일하게 통과한다. 따라서, 보트(140)에 적재 저장된 기판(50)들이 균일하게 처리되고, 하나의 기판(50)을 기준으로 기판(50)의 전체면이 균일하게 처리된다.That is, when the atmospheric gas of the chamber 110a rises and circulates while descending, the atmospheric gas moves linearly, so the atmospheric gas of the chamber 110a uniformly passes through the inside of the boat 140. Therefore, the substrates 50 loaded and stored in the boat 140 are uniformly processed, and the entire surface of the substrate 50 is uniformly processed based on one substrate 50.

내부벽체(111)의 하면을 기준으로, 격벽(160)의 상면의 높이는 팬(151)의 높이와 동일하거나, 팬(151)의 높이 보다 높은 것이 바람직하다.Based on the lower surface of the inner wall 111, the height of the upper surface of the partition wall 160 is preferably the same as the height of the fan 151, or higher than the height of the fan 151.

470㎜ x 370㎜ x 1.8㎜인 기판 24장을 14㎜의 간격으로 보트(140)에 기립 저장한 다음, 보트(140)를 챔버(110a)에 로딩하고, 팬(151)을 300rpm으로 회전시켜 보트(140)의 부위별로 유량을 측정하였다.24 substrates of 470 mm x 370 mm x 1.8 mm are stored in the boat 140 at intervals of 14 mm, and then the boat 140 is loaded into the chamber 110a, and the fan 151 is rotated at 300 rpm. The flow rate was measured for each part of the boat 140.

본 발명의 일 실시예 따른 CIGS층 형성장치에 설치된 보트의 부위별 유량Flow rate for each part of the boat installed in the CIGS layer forming apparatus according to an embodiment of the present invention 측정 지점Measuring point L220L220 L165L165 L110L110 L55L55 중심center R55R55 R110R110 R165R165 R220R220 층별 유량Floor Flow 총 유량Total flow
상
Prize 전165All165 0.170.17 0.270.27 0.260.26 0.250.25 0.250.25 0.280.28 0.260.26 0.250.25 0.150.15 905.22905.22
4750.29
4750.29 전75All75 0.240.24 0.270.27 0.270.27 0.260.26 0.290.29 0.270.27 0.270.27 0.260.26 0.170.17 972.9972.9 중심center 0.190.19 0.280.28 0.270.27 0.270.27 0.290.29 0.280.28 0.280.28 0.280.28 0.190.19 985.59985.59 후7575 0.190.19 0.250.25 0.290.29 0.270.27 0.290.29 0.280.28 0.270.27 0.290.29 0.260.26 1010.971010.97 후165165 0.140.14 0.240.24 0.250.25 0.270.27 0.250.25 0.250.25 0.260.26 0.280.28 0.130.13 875.61875.61
중
medium 전165All165 0.10.1 0.230.23 0.250.25 0.280.28 0.30.3 0.270.27 0.260.26 0.220.22 0.080.08 841.77841.77
4483.8
4483.8 전75All75 0.160.16 0.240.24 0.260.26 0.280.28 0.290.29 0.30.3 0.280.28 0.230.23 0.120.12 913.68913.68 중심center 0.150.15 0.260.26 0.280.28 0.290.29 0.30.3 0.30.3 0.280.28 0.270.27 0.110.11 947.52947.52 후7575 0.110.11 0.260.26 0.280.28 0.290.29 0.310.31 0.280.28 0.290.29 0.250.25 0.160.16 943.29943.29 후165165 0.10.1 0.240.24 0.240.24 0.260.26 0.270.27 0.270.27 0.260.26 0.230.23 0.110.11 837.54837.54
하
Ha 전165All165 0.090.09 0.280.28 0.270.27 0.240.24 0.270.27 0.260.26 0.270.27 0.240.24 0.080.08 846846
4547.25
4547.25 전75All75 0.070.07 0.280.28 0.30.3 0.30.3 0.310.31 0.30.3 0.30.3 0.270.27 0.070.07 930.6930.6 중심center 0.110.11 0.280.28 0.310.31 0.290.29 0.310.31 0.290.29 0.310.31 0.30.3 0.060.06 955.98955.98 후7575 0.10.1 0.30.3 0.310.31 0.30.3 0.30.3 0.30.3 0.310.31 0.290.29 0.040.04 951.75951.75 후165165 0.150.15 0.240.24 0.260.26 0.250.25 0.270.27 0.250.25 0.270.27 0.260.26 0.090.09 862.92862.92

(L=Left, R=Right, 전=전방, 후=후방.(L = Left, R = Right, Front = Front, Back = Rear.

측정 지점인 L220, L165, L110, L55, R55, R110, R165, R220, 전165, 전75, 후75, 후165는 보트의 중심에서부터의 거리로 단위는 ㎜.The measuring points L220, L165, L110, L55, R55, R110, R165, R220, before 165, before 75, after 75, and after 165 are the distance from the center of the boat, in mm.

"상"은 기판의 상측 부위로 246㎜ 보다 높은 부위, "중"은 기판의 중간측 부위로 대략 124㎜∼246㎜의 부위, "하"는 기판의 하측 부위로 대략 124㎜ 이하의 부위.)"Upper" is a portion higher than 246 mm as the upper portion of the substrate, "middle" is a portion of about 124 mm to 246 mm as the middle portion of the substrate, and "lower" is a portion of about 124 mm or less as the lower portion of the substrate. )

표 2에 표시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 CIGS층 형성장치에 설치된 보트(140)는 그 부위별로 유량이 "0"인 지점이 존재하지 않는다.As shown in Table 2, the boat 140 installed in the CIGS layer forming apparatus according to the present embodiment does not have a point where the flow rate is "0" for each part.

그리고, 본 실시예에 따른 CIGS층 형성장치는 종래의 CIGS층 형성장치에 비하여, 각 부위별 및 각 층별로 통과하는 유량이 많고, 각 부위별 및 각 층별을 통과하는 유량이 거의 균일하다. 그러므로, 보트(140)에 적재 저장된 기판(50)들이 균일하게 처리되고, 하나의 기판(50)을 기준으로 기판(50)의 전체면이 균일하게 처리된다.In addition, the CIGS layer forming apparatus according to the present embodiment has a larger flow rate through each part and each layer than the conventional CIGS layer forming apparatus, and the flow rate through each part and each layer is almost uniform. Therefore, the substrates 50 loaded and stored in the boat 140 are uniformly processed, and the entire surface of the substrate 50 is uniformly processed based on one substrate 50.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 예로 들어 도시하여 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation, Various variations and modifications are possible. Such variations and modifications are to be considered as falling within the scope of the invention and the appended claims.

110: 벽체
121: 도어
151: 팬
160: 격벽110: wall
121: Door
151: fan
160: bulkhead

Claims (6)

기판이 로딩되어 처리되는 공간인 챔버를 제공하고, 하면에는 출입구가 형성된 벽체(壁體);
상기 벽체의 하면에 승강가능하게 설치되어 상기 출입구를 개폐하는 도어;
상기 도어측에 탑재 지지되어 상기 도어와 함께 승강하고, 복수개의 상기 기판이 기립 설치되어 상호 간격을 가지면서 저장되며, 상하면이 개방된 보트;
상기 도어와 상기 보트 사이에 설치되어 상기 기판들의 하측에 위치되고, 상기 도어와 함께 승강하며, 상기 챔버의 분위기 가스를 상기 기판들의 하측과 대향하는 자신의 상면측으로 흡입한 다음 자신의 외면측으로 배출시켜 순환시키는 팬;
일측면 및 하면은 상기 팬 외측의 상기 벽체의 내부에 지지되고 타측면은 상기 팬과 대향하며, 기립 설치되어 상기 팬 외측의 상기 챔버의 공간을 복수개로 구획하여 상기 팬의 외면에서 배출된 상기 챔버의 분위기 가스를 직선형태로 상승시켜 상기 보트의 상면으로 유입되도록 안내하는 상호 간격을 가지는 복수의 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.A chamber which is a space in which a substrate is loaded and processed, and a lower surface of which has an entrance and exit;
A door installed on a lower surface of the wall to open and close the door;
A boat mounted and supported on the door side to move up and down with the door, the plurality of substrates standing up and being stored at a mutual interval, and having a top and bottom open;
Installed between the door and the boat and positioned below the substrates, and lifted together with the door, and suck the atmospheric gas of the chamber to its upper side facing the lower side of the substrate and then discharge it to its outer surface side. A circulating fan;
One side and the lower surface is supported in the interior of the wall outside the fan and the other side is opposed to the fan, the standing side is divided into a plurality of spaces of the chamber of the outside of the fan in the chamber discharged from the outer surface of the fan CIGS layer forming apparatus, characterized in that it comprises a plurality of partitions having a mutual gap to guide the atmospheric gas to rise in a straight line to flow into the upper surface of the boat. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 벽체의 하면을 기준으로, 상기 격벽의 상면의 높이는 상기 팬의 높이와 동일한 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 1,
CIGS layer forming apparatus, characterized in that the height of the upper surface of the partition wall is the same as the height of the fan, based on the lower surface of the wall. 제1항에 있어서,
상기 벽체의 하면을 기준으로, 상기 격벽의 상면의 높이는 상기 팬의 높이 보다 더 높은 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 1,
The height of the upper surface of the partition wall relative to the lower surface of the wall, CIGS layer forming apparatus, characterized in that higher than the height of the fan. 제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 팬은 레이디얼(Radial) 팬인 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method according to claim 4 or 5,
CIGS layer forming apparatus, characterized in that the fan is a radial fan.
KR1020110137205A 2011-12-19 2011-12-19 Apparatus for forming cigs layer KR101345346B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110137205A KR101345346B1 (en) 2011-12-19 2011-12-19 Apparatus for forming cigs layer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110137205A KR101345346B1 (en) 2011-12-19 2011-12-19 Apparatus for forming cigs layer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130070067A KR20130070067A (en) 2013-06-27
KR101345346B1 true KR101345346B1 (en) 2013-12-30

Family

ID=48864961

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110137205A KR101345346B1 (en) 2011-12-19 2011-12-19 Apparatus for forming cigs layer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101345346B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080012658A (en) * 2006-08-04 2008-02-12 주식회사 탑 엔지니어링 Vaccum thermal evaporation apparatus
JP2010283336A (en) * 2009-05-01 2010-12-16 Hitachi Kokusai Electric Inc Heat treatment apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080012658A (en) * 2006-08-04 2008-02-12 주식회사 탑 엔지니어링 Vaccum thermal evaporation apparatus
JP2010283336A (en) * 2009-05-01 2010-12-16 Hitachi Kokusai Electric Inc Heat treatment apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130070067A (en) 2013-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101193034B1 (en) Method for forming light absorbing layer in CIS-based thin film solar battery
KR101157201B1 (en) Apparatus for forming a cigs layer
US20110269089A1 (en) Heat treatment apparatus for solar cells
KR101274095B1 (en) Apparatus for forming cigs layer
KR20160021026A (en) treating apparatus
KR101345346B1 (en) Apparatus for forming cigs layer
KR101274130B1 (en) Apparatus for forming cigs layer
KR101284131B1 (en) Apparatus for forming cigs layer
ES2400361T3 (en) High-rate electrochemical deposition procedures of a semiconductor compound on large surface substrates
KR101484552B1 (en) Heat treatment system
KR101452341B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR101385698B1 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment system having the same
KR101284126B1 (en) Apparatus for forming cigs layer
KR101274117B1 (en) Apparatus for forming cigs layer
KR101274103B1 (en) Apparatus for forming cigs layer
KR20130130287A (en) Apparatus for forming cigs layer
KR101365048B1 (en) Boat transferring system
KR101270440B1 (en) Apparaus for manufacturing thin film
CN113782635A (en) Annealing equipment and annealing method of silicon-based heterojunction battery
TW201340366A (en) Method for producing optimized solar cells
KR101334194B1 (en) Apparatus for transfering boat
KR101284117B1 (en) Layout of cigs layer forming equipmnet
CN116864423B (en) Solar cell grading system and application method thereof
KR101317299B1 (en) Heater and apparatus for forming cigs layer using the same
KR20130057197A (en) Apparatus for forming cigs layer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161111

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171208

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181206

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190128

Year of fee payment: 7