KR101339147B1

KR101339147B1 - 잉곳 제조 장치

Info

Publication number: KR101339147B1
Application number: KR1020120000063A
Authority: KR
Inventors: 차현호; 이상준
Original assignee: 주식회사 엘지실트론
Priority date: 2012-01-02
Filing date: 2012-01-02
Publication date: 2013-12-09
Also published as: KR20130078911A

Abstract

실시예의 잉곳 제조 장치는 용융액을 담는 도가니; 도가니의 외부면을 감싸는 제1 실드; 제1 실드의 외부면을 감싸는 적어도 하나의 제2 실드; 제2 실드를 관통하여 제1 실드의 표면을 노출시키는 홀에 삽입된 홀 가이드 부재; 및 홀 가이드 부재가 형성하는 루트를 통해 제1 실드의 표면의 밝기 변화를 측정하는 온도 측정부를 포함하고, 온도 측정부에서 측정된 밝기 변화를 이용하여 용융액의 온도가 측정된다.

Description

잉곳 제조 장치{Apparatus for manufacturing ingot}

실시예는 잉곳 제조 장치에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼는 원료 물질을 다결정 실리콘으로 형성시킨 후, 쵸크랄스키(Czochralski)법 등으로 단결정 잉곳(Ingot)으로 결정 성장시킨다. 그리고, 성장된 실리콘 단결정 잉곳은 슬라이싱(Slicing), 래핑(Lapping), 폴리싱(Polishing), 클리닝(Cleaning) 등의 가공 공정을 거쳐서 실리콘 단결정 웨이퍼가 되어 반도체 디바이스 기판으로 사용하게 된다.

도 1은 일반적인 잉곳 제조 장치의 평면도를 나타낸다.

전술한 공정 중 실리콘 단결정 잉곳을 제조하는 기존의 장치는, 내부에 실리콘 단결정 잉곳의 생성을 위한 공간이 형성되는 챔버(chamber)(미도시)와, 실리콘 단결정 잉곳의 생성을 위한 기본 재료가 되는 실리콘 용융액(Si melt)이 수용되기 위하여 챔버 내부에 구비되는 도가니(60)를 포함한다. 또한, 도가니(60)의 외부면에는 흑연(graphite) 실드(210), 내부 실드(222, 224, 226) 및 외부 실드(230)가 겹겹히 형성된다. 그리고, 도가니(60)의 측방에는 도가니(60)를 가열하기 위한 가열부(20)가 구비된다.

기존의 실리콘 단결정 잉곳의 제조 장치에서, 실리콘 단결정 잉곳의 원재료가 도가니(60)에 수용되고, 가열부(20)가 작동하여 도가니(60)를 가열하여 도가니(60) 내부의 실리콘 재료가 용융된다.

이때, 실리콘 용융액(Si melt)은 고온이므로 직접적인 온도 측정 및 제어가 어렵다. 따라서, 내부 및 외부 실드(220, 230)을 관통하여 흑연 실드(210)의 표면을 노출시키는 홀(300)을 형성하고, 온도 측정 센서(302)를 이용하여 홀(300)을 통해 흑연 실드(210)의 표면의 밝기 변화를 측정하며, 측정된 결과를 이용하여 실리콘 용융액(Si melt)의 온도를 간접적으로 측정한다.

도 2는 도 1에 도시된 잉곳 제조 장치에서 홀(300) 및 그(300)의 주변을 국부적으로 나타낸 도면이다.

일반적으로 런(run) 종료 후, 세척(cleaning) 과정에서 실드(210, 220, 230)를 모두 꺼내고 재 셋업(set up)을 진행한다. 이와 같이 실드(210, 220, 230)를 재 셋업하거나 신규 장착할 때, 실드(210, 220, 230)는 해체 분해된 후 다시 결합된다. 이 과정에서 도 2에 도시된 바와 같이 홀(300)의 내부의 실드(210, 220, 230)의 정렬이 틀어질 수 있다. 이렇게 홀(300) 내부의 실드 정렬이 틀어질수록, 온도 측정 센서(302)로부터 발생된 빛이 간섭을 받게 되어, 온도 측정 센서(302)는 흑연 실드(210)의 표면의 밝기 변화를 정확하게 측정할 수 없는 문제점이 있다.

게다가, 잉곳을 성장하는 도중 발생된 옥사이드(oxide) 등의 이물질이 공정 중 증착되어 공정이 진행될수록 온도 측정 센서(302)의 측정 경로에 오염도가 심각해질 수 있다.

실시예는 도가니에 가장 인접한 실드의 표면의 밝기 변화를 이용하여 용융액의 온도를 정확하게 측정할 수 있는 잉곳 제조 장치를 제공한다.

실시예의 잉곳 제조 장치는, 용융액을 담는 도가니; 상기 도가니의 외부면을 감싸는 제1 실드; 상기 제1 실드의 외부면을 감싸는 적어도 하나의 제2 실드; 상기 제2 실드를 관통하여 상기 제1 실드의 표면을 노출시키는 홀에 삽입된 홀 가이드 부재; 및 상기 홀 가이드 부재가 형성하는 루트를 통해 상기 제1 실드의 표면의 밝기 변화를 측정하는 온도 측정부를 포함하고, 상기 온도 측정부에서 측정된 상기 밝기 변화를 이용하여 상기 용융액의 온도가 측정된다.

또한, 상기 홀 가이드 부재는 상기 실드 사이로 플로우하는 가스의 침투를 막을 수 있고, 상기 도가니의 온도를 견딜 수 있는 재질로 이루어질 수 있다.

또한, 상기 잉곳 제조 장치는 상기 홀 가이드 부재의 개구부를 오픈시키면서 상기 제2 실드의 외부면에 부착되는 브라켓; 및 상기 홀 가이드 부재의 개구부와 상기 온도 측정부 사이에 배치되는 투명창을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 브라켓 및 상기 투명창 중 적어도 하나는 탈착 가능할 수 있다.

또한, 잉곳 제조 장치는, 상기 도가니를 가열하는 가열부를 더 포함하고, 상기 온도 측정부는 상기 투명창과 상기 가열부의 사이에 배치될 수 있다.

또한, 브라켓은 상기 제2 실드의 외부면에 부착되는 몸체를 포함하고, 상기 몸체는 오염 방지 가스가 유입되는 유입 터널; 및 상기 유입 터널로부터 유출된 후 상기 홀 가이드 부재의 개구부와 상기 투명창 사이의 공간에 오염 방지막을 형성하면서 통과한 오염 방지 가스를 배출하는 배출 터널을 포함할 수 있다. 예를 들어, 오염 방지 가스는 아르곤 가스일 수 있고, 상기 제1 실드의 재질은 흑연일 수 있다.

또한, 상기 제2 실드는 제1 실드의 외부면을 감싸는 적어도 하나의 내부 실드; 및 상기 내부 실드의 외부면을 감싸는 복수의 외부 실드를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 홀 가이드 부재는 튜브 형상을 가질 수 있고, 온도 측정부는 ATC(Automatic Temperature Calibrator) 센서일 수 있고, 상기 홀 가이드 부재는 상기 홀에 탈착 가능할 수 있다.

실시예에 따른 잉곳 제조 장치는 실드의 재 셋업 후 또는 실드를 신규 장착할 때 홀 내부의 실드의 정렬이 틀어진다고 하더라도, 도가니를 둘러싸고 있는 실드를 관통하는 홀에 튜브형 홀 가이드 부재를 삽입하기 때문에, 온도 측정부로부터 발생된 빛이 홀의 내부 구조에 간섭 받지 않고, 홀 가이드 부재가 형성하는 루트를 통해 진행하여 도가니에 가장 가까운 실드의 표면에 도달할 수 있어, 그 실드 표면의 온도를 정확하게 측정할 수 있고, 오염 방지 가스를 이용하여 투명창의 안쪽에 오염 방지막을 형성하기 때문에 투명창의 안쪽이 오염되는 것을 막을 수 있어 흑연 실드의 표면의 온도를 보다 정확하게 측정할 수 있는 효과를 갖는다.

도 1은 일반적인 잉곳 제조 장치의 평면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 잉곳 제조 장치에서 홀 및 그 홀의 주변을 국부적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 실시예에 의한 잉곳 제조 장치의 개략적인 단면도를 나타낸다.
도 4는 일 실시예에 따른 도 3에 도시된 'A' 부분을 확대 도시한 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 홀에 홀 가이드 부재가 삽입되는 과정을 나타내는 도면이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 도 3에 도시된 'A' 부분을 확대한 부분 단면도이다.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.

도 3은 실시예에 의한 잉곳 제조 장치의 개략적인 단면도를 나타낸다.

실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 제조 장치(100)는, 내부에 실리콘 용융액(Si)으로부터 실리콘 단결정 잉곳(IG)이 성장하기 위한 공간이 형성되는 챔버(10)와, 실리콘 용융액(Si)이 수용되기 위한 도가니(60)와, 도가니(60)를 가열하기 위한 가열부(20)와, 실리콘 단결정 잉곳(IG)을 향한 가열부(20)의 열을 차단하기 위하여 도가니(60)의 상방에 위치되는 상방 단열부(32)와, 실리콘 단결정 잉곳(IG)의 성장을 위한 시드(미도시)를 고정하기 위한 시드척(41)과, 실리콘 단결정 잉곳(IG)을 상방으로 이동시키는 이동 수단(미도시)을 포함한다.

그리고, 실리콘 단결정 잉곳 제조 장치(100)는, 도가니(60)를 지지하고 회전 및 상승시키기 위한 지지수단(50)과, 챔버(10)의 내벽을 향한 가열부(20)의 열을 차단하기 위한 측방 단열부(31)와, 실리콘 단결정 잉곳(IG)의 상태를 감지하기 위한 감지부(미도시)와, 실리콘 단결정 잉곳(IG)을 냉각하기 위한 냉각관(70)을 더 포함할 수 있다.

챔버(10)는 내부에 캐비티(cavity)가 형성된 원통 형상일 수 있고, 챔버(10)의 중앙 영역에 도가니(60)가 위치된다. 도가니(60)는 실리콘 용융액(Si)이 수용될 수 있도록 전체적으로 오목한 그릇의 형상이다. 도가니(60)는 실리콘 용융액(Si)과 직접 접촉되며, 그의 재질은 석영일 수 있다.

또한, 실시예의 잉곳 제조 장치는, 석영 도가니(60)의 외부면을 감싸는 제1 실드(shield)(또는, 단열부)(210) 및 제1 실드(210)의 외부면을 감싸는 적어도 하나의 제2 실드(220, 230)를 더 포함할 수도 있다.

도 3의 경우, 제2 실드는 제1 실드(210)의 외부면을 감싸는 내부 실드(220) 및 내부 실드(210)의 외부면을 감싸는 적어도 하나의 외부 실드(230)를 포함한 것으로 도시되어 있지만, 본 실시예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 외부 실드(230)의 외부면을 감싸는 다른 외부 실드가 더 배치될 수 있음은 물론이다. 또한, 외부 실드(230)는 복수 개일 수 있으며, 제1 실드(210)의 재질은 흑연(graphite)일 수 있다.

또한, 도가니(60)의 측면에는 도가니(60)를 향하여 열을 방출하기 위한 가열부(20)가 위치하고, 측방 단열부(31)는 가열부(20)와 챔버(10)의 내벽 사이에 구비된다.

그리고, 상방 단열부(32)는 챔버(10)의 내벽으로부터 실리콘 용융액(Si)과 실리콘 용융액(Si)으로부터 성장된 단결정 잉곳(IG)의 경계면을 향하여 연장된다. 다만, 상방 단열부(32)의 단부와 경계면 사이를 통하여 아르곤(Ar) 가스가 유동할 수 있도록, 상방 단열부(32)의 단부가 경계면과 이격되는 범위 내에서 연장된다.

그리고, 실리콘 단결정 잉콧(IG)의 이동 수단(미도시)은 시드척(41)에 연결되는 시드 케이블(42)과, 단결정 잉곳(IG)을 상승시키기 위한 동력을 제공하는 구동모터(미도시)를 포함한다. 구동모터에 의하여 시드 케이블(42)이 당겨짐으로써, 시드척(41)이 인상될 수 있다.

또한, 지지수단(50)은 도가니(60)를 지지하는 지지부와, 도가니(60)를 회전 및 승강시키기 위한 동력을 제공하는 구동모터(미도시)를 포함한다. 지지부는 도가니(60)의 하방에서 도가니(60)의 저면을 지지하고, 구동모터는 지지부를 회전 및 승강시킴으로써 도가니(60)가 회전 및 승강되도록 한다.

그리고, 냉각관(70)은 전체적으로 상하 방향으로 긴 중공형의 원통 형상이다. 그리고, 냉각관(70)은 단결정 잉곳(IG)의 상방에 해당하는 챔버(10)의 상면에 고정된다.

그리고, 냉각관(70)의 내부에는 단결정 잉곳(IG)의 냉각을 위한 물이 유동하기 위한 유로가 형성된다. 단결정 잉곳(IG)의 쿨링(cooling) 과정이 수행되는 동안, 단결정 잉곳(IG)은 냉각관(70)의 내측에 위치되고 냉각관(70)을 통하여 물이 유동하는 방식으로 단결정 잉곳(IG)이 냉각될 수 있다.

전술한 구조를 갖는 잉곳 제조 장치는 가열부(20)를 작동시켜, 도가니(60)에 수용되는 실리콘을 가열하여 실리콘 용융액(Si)을 만든다.

다음, 실시예에 의한 잉곳 제조 장치에서는 실리콘 용융액의 온도는 다음과 같이 측정된다. 본 실시예의 이해를 돕기 위해, 도 3에 도시된 잉곳 제조 장치를 이용하여 설명하지만 이에 국한되지 않고 다양한 형태의 잉곳 제조 장치에 본 실시예가 적용될 수 있음은 물론이다.

도 4는 일 실시예에 따른 도 3에 도시된 'A' 부분을 확대 도시한 단면도이다.

도 4의 경우, 내부 실드(220)는 3 개의 실드(22, 224, 226)를 포함하지만, 실시예는 이에 국한되지 않는다.

도 4를 참조하면, 실시예에 의한 잉곳 제조 장치에서, 내부 실드(220) 및 외부 실드(230)를 관통하여 제1 실드(210)의 표면을 노출시키는 홀(300)이 형성되어 있다. 따라서, 홀(300)의 외부로부터 제1 실드(210)의 표면이 보일 수 있다. 이와 같이, 제1 실드(210)의 표면이 보이도록 홀(300)을 형성하는 이유는, 도가니(60) 내의 실리콘 용융액(Si)의 온도를 직접 측정하기 어렵기 때문에, 실리콘 용융액(Si)과 가장 가깝게 배치된 실드인 제1 실드(210)의 표면의 밝기 변화를 이용하여 실리콘 용융액(Si)의 온도를 간접적으로 측정하기 위해서이다.

다음, 홀(300)에 홀 가이드 부재(320)가 삽입되어 있다. 예를 들어, 홀 가이드 부재(320)는 튜브 형상을 가질 수 있으며 이에 국한되지 않고 다양한 모양을 가질 수 있음은 물론이다. 또한, 홀 가이드 부재(320)는 홀(300)에 탈착 가능할 수 있다. 따라서, 재 셋업시 또는 신규 장착할 때, 실드(210, 220, 230)를 해체하기 이전에 홀 가이드 부재(320)가 홀(300)로부터 분리될 수 있다.

도 5a 내지 도 5c는 홀(300)에 홀 가이드 부재(320)가 삽입되는 과정을 나타내는 도면이다.

도 5a에 도시된 바와 같이, 제2 실드(220, 230)를 관통하여 제1 실드(210)를 노출시키는 홀(300)이 형성된다. 이때, 도 5b 및 도 5c에 도시된 바와 같이 튜브 형상의 홀 가이드 부재(320)를 홀(300)에 끼운다.

도 4에 도시된 온도 측정부(302)는 홀 가이드 부재(320)가 형성하는 루트를 통해 제1 실드(210)의 표면의 밝기 변화를 측정한다. 여기서, 온도 측정부(302)에서 측정된 제1 실드(210)의 표면의 밝기 변화를 이용하여 실리콘 용융액(Si)의 온도가 간접적으로 측정될 수 있다. 여기서, 제1 실드(210)의 표면의 밝기 변화를 이용하여 실리콘 용융액(Si)의 온도를 측정하는 이유는, 제1 실드(210)가 도가니(60)에 가장 가까운 실드이므로, 용융액(Si)의 온도를 보다 정확히 측정할 수 있기 때문이다.

예를 들어, 온도 측정부(302)는 ATC(Automatic Temperature Calibrator) 센서로 구현될 수 있다.

도 4를 참조하면, 잉곳 제조 장치는 투명창(또는, viewport)(310)을 더 포함할 수 있다.

여기서, 투명창(310)은 홀 가이드 부재(320)의 개구부와 온도 측정부(302) 사이에 배치되며, 탈착 가능하다. 따라서, 재 셋업시에 실드(210, 220, 230)를 해체하기 이전에 투명창(310)이 외부 실드(230)으로부터 분리될 수 있다.

이 경우, 온도 측정부(302)는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 도가니(60)를 가열하는 가열부(20)와 투명창(310)의 사이에 배치될 수 있다. 따라서, 온도 측정부(302)는 투명창(310)을 통해 노출되는 제1 실드(210)의 표면의 밝기 변화를 측정할 수 있다.

일반적으로 런(run)이 종료된 후, 제1 및 제2 실드(210, 220, 230)를 분해 해체하여 세척(cleaning)한 후 재 셋업될 때 도는 제1 및 제2 실드(210, 220, 230)를 신규 장착할 때, 도 2에 도시된 바와 같이 홀(300)의 내부에서 실드(210, 220, 230)가 바르게 정렬(alignment)되지 않아 틀어질 수 있다. 이 경우, 온도 측정부(302)로부터 발생되어 제1 실드(210)로 향하는 빛의 간섭이 발생하여 온도 측정부(302)는 제1 실드(210)의 표면의 온도를 정확하게 측정할 수 없다.

그러나, 실시예에 의한 잉곳 제조 장치는, 재 셋업 후 또는 신규 장착시에 홀(300)의 내부의 실드(220, 230)의 정렬이 틀어진다고 하더라도, 이 홀(300)에 홀 가이드 부재(320)를 삽입한 후 홀 가이드 부재(320)가 형성하는 루트를 통해 제1 실드(210)의 표면의 온도를 측정하기 때문에, 온도 측정부(302)로부터 발생되어 제1 실드(210)의 표면으로 향하는 빛이 간섭을 받지 않는다. 따라서, 온도 측정부(302)는 실리콘 용융액(Si)의 온도를 정확하게 측정할 수 있다.

부가하여, 재 셋업 후 또는 신규 장착시에, 홀 가이드 부재(320)가 홀(300)에 끼워지기 때문에, 제2 실드(220, 230)의 틀어진 정렬을 체크할 수도 있고 나아가 제2 실드(220, 230)의 틀어진 정렬을 바도 잡는데 기여할 수도 있다.

일반적으로, 잉곳을 형성하는 공정 중 가스가 존재하며, 이 가스는 각 실드(210, 220, 230)의 사이로 플로우되거나 반응하여 부산물을 형성할 수 있다. 따라서, 전술한 홀 가이드 부재(320)는 이러한 가스가 침투하는 것을 막을 수 있고, 도가니(60)의 온도를 견딜 수 있는 재질로 이루어질 수 있다.

도 6은 다른 실시예에 따른 도 3에 도시된 'A' 부분을 확대한 부분 단면도이다.

도 6을 참조하면, 실시예에 의한 잉곳 제조 장치는 브라켓(bracket)(330)을 더 포함할 수도 있다. 이 경우, 투명창(310)은 도 6에 도시된 바와 같이 브라켓(330)과 결합될 수도 있지만 브라켓(330)과 이격되어 배치될 수도 있다.

브라켓(330)은 홀 가이드 부재(320)가 형성하는 개구부를 오픈시키면서 제2 실드(230)의 외부면에 부착되며, 온도 측정부(302)가 부착되는 받침대의 역할도 할 수 있다. 여기서, 브라켓(330) 및 투명창(310) 중 적어도 하나는 탈착 가능하다. 따라서, 재 셋업시에 실드(210, 220, 230)를 해체하기 이전에 브라켓(330) 및 투명창(310)이 제2 실드(230)로부터 분리될 수 있다.

실시예에 의하면, 브라켓(330)은 몸체(334)를 포함하고, 몸체(334)에는 유입 터널(332) 및 배출 터널(336)이 형성되어 있다. 여기서, 유입 터널(332)은 오염 방지 가스(예:purge gas)가 유입되는 터널이다. 유입 터널(332)로 유입된 오염 방지 가스는 홀 가이드 부재(320)의 개구부와 투명창(310) 사이의 공간에 오염 방지막을 형성하면서 배출 터널(336) 쪽으로 플로우된다. 이후, 오염 방지막을 형성하면서 플로우된 오염 방지 가스는 배출 터널(336)로 들어가서 외부로 배출된다.

예를 들어, 유입 터널(332)로 유입되고 오염 방지막을 형성하며 배출 터널(336)로 배출되는 오염 방지 가스로서, 아르곤(Ar) 가스가 사용될 수 있으나 이에 국한되지 않는다. 일반적으로 잉곳 제조 장치는 아르곤 가스 분위기 상태이며, 아르곤 가스는 챔버의 외부에서 내부로 공급될 수 있다.

일반적으로, 잉곳 형성 공정이 계속해서 진행되는 동안에 투명창(310)의 안쪽이 옥사이드(oxide) 등에 의해 오염원이 증착될 수 있다. 즉, 잉곳을 형성하는 공정 중 발생하는 가스가 존재하며, 이 가스는 각 실드(210, 220, 230)의 사이로 플로우되거나 반응하여 부산물을 형성할 수 있다.

따라서, 실시예에 의하면, 오염 방지 가스를 이용하여 투명창(310)의 안쪽에 오염 방지막을 형성하므로, 투명창(310)의 안쪽에 오염원이 증착되는 현상이 방지될 수 있어, 제1 실드(210)의 표면의 온도를 더욱 정확하게 지속적으로 측정할 수 있다.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

10: 챔버 20: 가열부
41: 시드 척 42: 시드 케이블
50: 지지수단 60: 도가니
70: 냉각관 210: 제1 실드
220: 내부 실드 230: 외부 실드
300: 홀 302: 온도 측정부
310: 투명창 320: 홀 가이드 부재
330: 브라켓 332: 유입 터널
334: 몸체 336: 배출 터널

Claims

용융액을 담는 도가니;
상기 도가니의 외부면을 감싸는 제1 실드;
상기 제1 실드의 외부면을 감싸는 적어도 하나의 제2 실드;
상기 제2 실드를 관통하여 상기 제1 실드의 표면을 노출시키는 홀에 삽입된 홀 가이드 부재; 및
상기 홀 가이드 부재가 형성하는 루트를 통해 상기 제1 실드의 표면의 밝기 변화를 측정하는 온도 측정부를 포함하고,
상기 온도 측정부에서 측정된 상기 밝기 변화를 이용하여 상기 용융액의 온도가 측정되는 잉곳 제조 장치.
제1 항에 있어서, 상기 홀 가이드 부재는 상기 실드 사이로 플로우하는 가스의 침투를 막을 수 있고, 상기 도가니의 온도를 견딜 수 있는 재질로 이루어진 잉곳 제조 장치.
제1 항에 있어서, 상기 잉곳 제조 장치는
상기 홀 가이드 부재의 개구부를 오픈시키면서 상기 제2 실드의 외부면에 부착되는 브라켓; 및
상기 홀 가이드 부재의 개구부와 상기 온도 측정부 사이에 배치되는 투명창을 더 포함하는 잉곳 제조 장치.
제3 항에 있어서, 상기 브라켓 및 상기 투명창 중 적어도 하나는 탈착 가능한 잉곳 제조 장치.
제3 항에 있어서, 상기 도가니를 가열하는 가열부를 더 포함하고,
상기 온도 측정부는 상기 투명창과 상기 가열부의 사이에 배치되는 잉곳 제조 장치.
제3 항에 있어서, 상기 브라켓은
상기 제2 실드의 외부면에 부착되는 몸체를 포함하고,
상기 몸체는
오염 방지 가스가 유입되는 유입 터널; 및
상기 유입 터널로부터 유출된 후 상기 홀 가이드 부재의 개구부와 상기 투명창 사이의 공간에 오염 방지막을 형성하면서 통과한 오염 방지 가스를 배출하는 배출 터널을 포함하는 잉곳 제조 장치.
제6 항에 있어서, 상기 오염 방지 가스는 아르곤 가스인 잉곳 제조 장치.
제1 항에 있어서, 상기 제1 실드의 재질은 흑연인 잉곳 제조 장치.
제1 항에 있어서, 상기 제2 실드는
제1 실드의 외부면을 감싸는 적어도 하나의 내부 실드; 및
상기 내부 실드의 외부면을 감싸는 복수의 외부 실드를 포함하는 잉곳 제조 장치.
제1 항에 있어서, 상기 홀 가이드 부재는 튜브 형상을 갖는 잉곳 제조 장치.
제1 항에 있어서, 상기 온도 측정부는 ATC(Automatic Temperature Calibrator) 센서인 잉곳 제조 장치.
제1 항에 있어서, 상기 홀 가이드 부재는 상기 홀에 탈착 가능한 잉곳 제조 장치.