KR101319743B1 - 포토마스크 기판, 포토마스크 기판의 제조 방법, 포토마스크의 제조 방법 및 패턴 전사 방법 - Google Patents

포토마스크 기판, 포토마스크 기판의 제조 방법, 포토마스크의 제조 방법 및 패턴 전사 방법 Download PDF

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Abstract

미세화한 전사용 패턴이라도, 패턴 설계값에 충실하게, 정밀도 높게 전사한다. 주표면에 전사용 패턴을 형성하고, 프록시미티 노광 장치에 장착하여, 노광 장치의 스테이지에 재치한 피전사체와의 사이에 프록시미티 갭을 형성하여 노광하고, 전사하는 데 이용하는 포토마스크로 이루기 위한, 포토마스크 기판으로서, 주표면 상의 1 또는 복수의 특정 영역에 있어서, 특정 영역 외의 주변 영역과 다른 제거량의 형상 가공이 행해져 오목 형상, 볼록 형상, 또는 요철 형상이 형성됨으로써, 포토마스크 기판을 노광 장치에 장착하였을 때 생기는, 프록시미티 갭의 위치에 의한 변동이 저감되고, 또한, 형상 가공은 프록시미티 갭의 위치에 의한 변동으로부터 추출된, 노광 장치에 고유의 변동을 저감하는 것이다.

Description

포토마스크 기판, 포토마스크 기판의 제조 방법, 포토마스크의 제조 방법 및 패턴 전사 방법{PHOTOMASK SUBSTRATE, PHOTOMASK SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, PHOTOMASK MANUFACTURING METHOD AND PATTERN TRANSFER METHOD}
본 발명은, 액정 표시 장치용 포토마스크 등에 이용되는 포토마스크(photomask) 기판에 관한 것이다. 특히, 프록시미티(proximity) 노광 장치를 이용하여 패턴(pattern) 전사를 행할 때, 피전사체 상에 형성되는 패턴의 형상 정밀도(선폭 정밀도, 좌표 정밀도 등)를 향상시키는 포토마스크 기판 및 그것을 이용한 포토마스크 블랭크(photomask blank) 및 포토마스크의 제법, 또한 패턴 전사 방법 등에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, 포토마스크와 피전사체를 근접시켜 배치하여 노광하는 프록시미티 노광기에 있어서, 포토마스크의 자체 중량에 의한 휨을 경감하기 위한 휨 보정 기구로서, 포 토마스크의 양측 2변을 각각 보유 지지(保持)하는 마스크 홀더(mask holder)와, 이 마스크 홀더로 보유 지지되는 포토마스크의 양측의 연부를 각각 상방으로부터 압압하는 2개의 휨 보정 바(bar)를 갖는 것이 기재되어 있다(도 1의 (a), (b) 참조).
특허 문헌 2에는, 프록시미티 노광 장치에 있어서, 포토마스크의 휨을 보정하는 마스크 보유 지지 장치가 기재되어 있다. 여기서는, 마스크와 거의 동일 사이즈(size)의 프레임형 형상의 마스크 홀더로 마스크를 보유 지지하고, 포토마스크의 상방에 기밀실(氣密室)을 형성하고, 기밀실의 기압과 외기압과의 차에 의해서 포토마스크의 자체 중량과 균형을 잡도록 포토마스크를 부상시켜, 휨을 보정하는 방법이 기재되어 있다(도 2 참조).
특허 문헌 3에는, 대(大) 사이즈의 포토마스크 기판을 노광 장치 내에서 수평하게 보유 지지하는, 실제의 사용시에, 기판이 휘어 버려, 바람직한 평탄도가 얻어지지 않는다고 하는 과제에 대하여, 이와 같은 기판을 고평탄화하는 글래스 기판이 기재되어 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 출원 공개 제2009-260172 공보 [특허 문헌 2] 일본 특허 출원 공개 제2003-131388 공보 [특허 문헌 3] 특허 제4362732호
최근, 액정 표시 장치 등, 표시 장치의 제조에 있어서는, 사용하는 포토마스크의 대형화에 의한 생산 효율 향상과 함께, 높은 전사 정밀도가 요구되고 있다. 액정 표시 장치는, TFT(박막 트랜지스터(thin film transistor)) 어레이(array)를 형성한 TFT 기판과, RGB 패턴을 형성한 CF(컬러 필터(color filter))가 접합되고, 그 사이에 액정이 봉입된 구조를 구비하고 있다. 이러한 TFT 기판이나 CF는, 복수의 포토마스크를 사용하여, 포토리소그래피(photolithography) 공정을 적용하여 제조된다. 최근, 최종 제품인 액정 표시 장치의 밝기, 동작 속도 등의 사양의 고도화에 수반하여, 포토마스크의 패턴은 미세화하고, 전사 결과로서의 선 폭 정밀도나 좌표 정밀도의 요구는 점점더 엄격해져 있다.
따라서, 본 발명은, 미세화한 전사용 패턴이라도, 패턴 설계값에 충실하게, 정밀도 높게 전사하는 것을 가능하게 하는 포토마스크 기판, 그것을 이용한 포토마스크 블랭크와 포토마스크의 제조 방법, 그것을 이용한 패턴 전사 방법 등을 제안하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 양태는,
주표면에 전사용 패턴을 형성하고, 프록시미티 노광 장치에 장착하여, 상기 프록시미티 노광 장치의 스테이지에 재치(載置)한 피전사체와의 사이에 프록시미티 갭(proximity gap)을 형성하여 노광하고, 상기 전사용 패턴을 전사하는 데 이용하는 포토마스크로 이루기 위한, 포토마스크 기판으로서,
상기 주표면 상의 1 또는 복수의 특정 영역에 있어서, 그 특정 영역 외의 주변 영역과 다른 제거량의 형상 가공이 행해져 오목 형상, 볼록 형상, 또는 요철 형상이 형성됨으로써, 상기 포토마스크 기판을 상기 프록시미티 노광 장치에 장착하였을 때 생기는, 상기 프록시미티 갭의 위치에 의한 변동이 저감되고, 또한,
상기 형상 가공은, 상기 프록시미티 갭의 위치에 의한 변동으로부터 추출된, 상기 프록시미티 노광 장치에 고유의 변동을 저감하는 것인 포토마스크 기판이다.
본 발명의 제2 양태는,
상기 형상 가공이 행해진 주표면은, 상기 추출된 상기 프록시미티 노광 장치에 고유의 변동에 기초하여 결정된 보정 형상을 갖는 제1 양태에 기재된 포토마스크 기판이다.
본 발명의 제3 양태는,
상기 형상 가공은, 상기 주표면 상에 있어서, 상기 추출된 상기 프록시미티 노광 장치에 고유의 변동이, 소정의 갭(gap) 변동 허용값을 초과하는 영역을 포함하는, 특정 영역만에 대하여 행해진 것인 제1 또는 제2 양태에 기재된 포토마스크 기판이다.
본 발명의 제4 양태는,
상기 형상 가공은, 상기 주표면에, 1 또는 복수의 오목부를 형성하는 것인 제1 내지 제3 중 어느 하나의 양태에 기재된 포토마스크 기판이다.
본 발명의 제5 양태는,
주표면에 전사용 패턴이 형성된 포토마스크로서, 프록시미티 노광 장치에 장착하여, 상기 프록시미티 노광 장치의 스테이지에 재치한 피전사체와의 사이에 프록시미티 갭을 형성하여 노광하고, 상기 전사용 패턴을 전사하는 데 이용하는 포토마스크로 이루기 위한, 포토마스크 기판의 제조 방법으로서,
상기 주표면 상의 복수 위치에 있어서의 프록시미티 갭을 측정하고,
상기 프록시미티 갭의 위치에 의한 변동 중, 상기 프록시미티 노광 장치에 고유의 변동을 추출하고,
추출된 상기 프록시미티 노광 장치에 고유의 변동과, 소정의 갭 변동 허용값에 기초하여, 상기 포토마스크 기판의 주표면의 보정 형상을 결정하고,
상기 포토마스크 기판의 주표면에, 상기 결정한 보정 형상으로 하는 형상 가공을 실시하는 포토마스크 기판의 제조 방법이다.
본 발명의 제6 양태는,
주표면에 전사용 패턴이 형성된 포토마스크로서, 프록시미티 노광 장치에 장착하여, 상기 프록시미티 노광 장치의 스테이지에 재치한 피전사체와의 사이에 프록시미티 갭을 형성하여 노광하고, 상기 전사용 패턴을 전사하는 데 이용하는 포토마스크로 이루기 위한, 포토마스크 기판의 제조 방법으로서,
샘플 마스크(sample mask) 기판을 상기 프록시미티 노광 장치에 장착하고, 샘플 글래스(sample glass) 기판을 상기 프록시미티 노광 장치의 스테이지(stage)에 재치하고, 상기 샘플 마스크 기판의 주표면의 복수 위치에 있어서의 프록시미티 갭을 측정함으로써, 위치에 의한 프록시미티 갭의 변동을 나타내는 갭 데이터를 얻는 공정과,
상기 갭 데이터(gap data)로부터, 상기 프록시미티 노광 장치에 고유의 변동 성분을 추출하여, 고유 갭 데이터를 얻는 공정과,
상기 고유 갭 데이터와, 소정의 갭 변동 허용값을 이용하여, 상기 포토마스크 기판에 실시하는 형상 가공 데이터를 얻는 공정과,
상기 형상 가공 데이터를 이용하여, 상기 포토마스크 기판의 주표면에 형상 가공을 행하는 공정
을 포함하는 포토마스크 기판의 제조 방법이다.
본 발명의 제7 양태는,
상기 고유 갭 데이터를 얻는 공정에 있어서, 상기 복수 위치에 있어서의 프록시미티 갭의 변동 중, 상기 샘플 마스크 기판에 기인하는 프록시미티 갭 변동의 성분을 제거하는 제6 양태에 기재된 포토마스크 기판의 제조 방법이다.
본 발명의 제8 양태는,
상기 고유 갭 데이터를 얻는 공정에 있어서, 상기 복수 위치에 있어서의 프록시미티 갭의 변동 중, 상기 샘플 글래스 기판에 기인하는 프록시미티 갭 변동의 성분을 제거하는 제6 또는 제7 양태에 기재된 포토마스크 기판의 제조 방법이다.
본 발명의 제9 양태는,
상기 프록시미티 갭의 측정시, 샘플 마스크 기판의 자체 중량에 의한 휨을 억제하기 위해, 상기 프록시미티 노광 장치가 구비하는 휨 억제 수단을 이용하는 제6 내지 제8 중 어느 하나의 양태에 기재된 포토마스크 기판의 제조 방법이다.
본 발명의 제10 양태는,
상기 형상 가공 데이터를 얻는 공정에 있어서, 상기 고유 갭 데이터에 나타내어지는, 상기 프록시미티 노광 장치에 고유의 위치에 의한 프록시미티 갭 변동 중, 상기 갭 변동 허용값을 초과하는 부분을 특정하고, 상기 특정한 부분을 포함하는 특정 영역에 대하여, 형상 가공을 행하는 제6 내지 제9 중 어느 하나의 양태에 기재된 포토마스크 기판의 제조 방법이다.
본 발명의 제11 양태는,
상기 고유 갭 데이터 중, 프록시미티 갭이 최대값이 되는 위치의 상기 주표면의 높이를 Z1로 하고, 상기 갭 변동 허용값을 T로 할 때, 상기 주표면 상에 있어서의 높이가 (Z1-T)보다 낮은 부분을 특정하고, 상기 특정한 부분을 포함하는 특정 영역에 대하여 형상 가공을 행하는 제6 내지 제10 중 어느 하나의 양태에 기재된 포토마스크 기판의 제조 방법이다.
본 발명의 제12 양태는,
상기 형상 가공은, 상기 포토마스크 기판의 주표면에, 1 또는 복수의 오목부를 형성하는 것인 제5 내지 제11 중 어느 하나의 양태에 기재된 포토마스크 기판의 제조 방법이다.
본 발명의 제13 양태는,
제1 내지 제4 중 어느 하나의 양태에 기재된 포토마스크 기판 또는 제5 내지 제12 중 어느 하나의 양태에 기재된 제조 방법에 의한 포토마스크 기판의 주표면에, 상기 전사용 패턴을 형성하기 위한 광학 박막이 형성된 포토마스크 블랭크이다.
본 발명의 제14 양태는,
제13 양태에 기재된 포토마스크 블랭크의 주표면에 형성된 광학 박막을, 포토리소그래피법에 의해 패터닝(patterning)함으로써, 상기 전사용 패턴이 형성된 포토마스크이다.
본 발명의 제15 양태는,
액정 표시 장치의 제조에 이용되는 제14 양태에 기재된 포토마스크이다.
본 발명의 제16 양태는,
제15 양태에 기재된 포토마스크를, 상기 프록시미티 갭의 측정에 이용한 상기 프록시미티 노광 장치에 장착하고, 노광함으로써, 상기 포토마스크에 형성된 전사용 패턴을 피전사체 상에 전사하는 패턴 전사 방법이다.
본 발명의 제17 양태는,
제16 양태에 기재된 패턴 전사 방법을 이용하는 액정 표시 장치의 제조 방법이다.
본 발명의 제18 양태는,
프록시미티 노광 장치의 프록시미티 갭 평가 방법에 있어서,
샘플 마스크 기판을 상기 프록시미티 노광 장치에 장착하고, 샘플 글래스 기판을 상기 프록시미티 노광 장치의 스테이지에 재치하고, 상기 샘플 마스크 기판의 주표면의 복수 위치에 있어서의 프록시미티 갭을 측정함으로써, 위치에 의한 프록시미티 갭의 변동을 나타내는 갭 데이터를 얻는 공정과,
상기 갭 데이터로부터, 상기 프록시미티 노광 장치에 고유의 변동 성분을 추출하여, 고유 갭 데이터를 얻는 공정과,
상기 고유 갭 데이터와, 소정의 갭 변동 허용값을 이용하여, 변동 허용값을 초과하는 프록시미티 갭이 생기는 위치와, 그 초과량을 구하는 프록시미티 갭 평가 방법이다.
본 발명에 따르면, 프록시미티 노광을 이용하여, 포토마스크가 갖는 전사용 패턴을 피전사체에 전사할 때에, 프록시미티 갭을 일정한 수치 범위 내로 제어함으로써, 전사 정밀도를 향상시킬 수 있다. 특히, 사용하는 노광 장치에 따르는 프록시미티 갭의 변동을, 대폭 경감할 수 있다.
도 1은 특허 문헌 1에 기재된 노광 장치의 휨 보정 기구를 설명하는 개략도이다.
도 2는 특허 문헌 2에 기재된 노광 장치의 휨 보정 기구를 설명하는 개략도이다.
도 3은 포토마스크 기판의 휨에 대한 보정의 시뮬레이션(simulation)을 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 실시 형태에 따른 포토마스크 기판의 제조 공정의 일 공정을 도시하는 개략도이며, 프록시미티 갭의 측정 및 노광 장치에 고유의 갭 변동을 파악하는 모습을 도시하는 도면이다.
도 5는 본 실시 형태에 따른 포토마스크 기판의 제조 공정의 일 공정을 도시하는 개략도이며, (a)는 프록시미티 갭이 생기는 모습을, (b)는 노광 장치 고유의 갭 데이터를, (c)는 갭 데이터를 상쇄하도록 형성된 포토마스크 기판의 표면 형상을 각각 예시하고 있는 도면이다.
도 6은 노광 장치에 고유의 갭 데이터에, 변동 허용값을 적용시켜, 포토마스크 기판의 보정 형상을 결정하는 공정을 나타내는 개략도이다.
(프록시미티 갭 균일화의 중요성)
상기 TFT 기판이나 CF를 제조할 때에, 프록시미티 노광을 채용한 패턴 전사 방법이 유리하게 사용된다. 프록시미티 노광에 있어서는, 레지스트(resist)막이 형성된 피전사체(이하, 글래스 기판이라고도 함)와 포토마스크의 패턴면을 대향시켜 보유 지지하고, 패턴면을 하방으로 향하고, 포토마스크의 이면(패턴 형성면의 반대측의 면)측으로부터 광을 조사함으로써, 레지스트막에 패턴을 전사한다. 이때, 포토마스크와 전사체 사이에는 소정의 미소(微小) 간격(프록시미티 갭)을 형성한다. 프록시미티 갭은, 예를 들면, 30 내지 300㎛ 정도, 보다 바람직하게는, 50 내지 180㎛ 정도로 할 수 있다. 또한, 포토마스크는, 투명 기판의 주표면에 형성된 광학막(차광막 또는, 노광광을 일부 투과하는 반투광막 등)에 소정의 패터닝이 행해져 이루어지는 전사용 패턴을 구비하고 있다. 이 전사용 패턴을 형성하는 주표면이 패턴면이 된다.
프록시미티 노광 방식에 따르면, 패턴면 전체에 있어서, 상기 프록시미티 갭이 균일하게 유지되면, 전사 정밀도가 높게 패턴 전사를 행할 수 있는 점, 또한, 프록시미티 갭이 균일하게 유지되는 보증이 있으면, 프록시미티 갭을 작게 설정함으로써, 해상도가 더 높은 전사 패턴이 얻어진다고 하는 점으로부터, 프록시미티 갭의 면 내 변동(즉, 위치에 의한 프록시미티 갭 변동)을 제어하는 중요성이 증가하고 있다. 그러나, 이 프록시미티 갭을 면 내에서 균일하게 유지하는 것은 용이하지 않다.
예를 들면, 본 발명의 포토마스크 기판은, 액정 표시 장치 등의 표시 장치 제조용의 포토마스크에 유리하게 적용할 수 있고, 그 주표면의 사이즈는, 예를 들면 긴 변 L1이 600 내지 1400㎜, 짧은 변 L2가 500 내지 1300㎜, 두께 T가 5 내지 13㎜ 정도로 할 수 있다. 이러한 포토마스크의 대형화, 중량 증대화 경향에 따라, 전사시의 프록시미티 갭의 변동을 억제하는 것은 점점 큰 과제가 되어 왔다.
(노광 장치의 보유 지지 방식)
프록시미티 노광 장치에는, 포토마스크를 장착(장치 내에 보유 지지)하는 방식이 복수 존재한다.
일반적으로, 포토마스크를 프록시미티 노광 장치에 장착하는 경우, 패턴면의, 전사용 패턴이 형성된 영역(패턴 영역이라고도 함)의 외측을, 노광 장치의 보유 지지 부재에 의해 보유 지지한다. 예를 들면, 도 1에 도시하는 특허 문헌 1에 기재된 장치에서는, 포토마스크(1)의 사각형의 주표면의, 대향하는 2변의 각각의 근방의 영역을 보유 지지 영역으로 하였을 때(2변 보유 지지), 이 보유 지지 영역에, 노광 장치의 보유 지지 부재인 마스크 홀더(2)가 아래로부터 당접하여(하면 보유 지지), 포토마스크를 보유 지지할 수 있다. 포토마스크와 보유 지지 부재와의 해당 접촉면은 감압으로서 흡착해도 되고(일본 특허 출원 공개 제2010-2571 참조), 또는 도 1의 (b)에 도시하는 바와 같이, 접선에 의한 접촉으로 해도 된다. 이와 같은 하면 보유 지지의 경우, 포토마스크는 2개의 보유 지지 부재에 의해 하방으로부터 보유 지지됨으로써, 글래스 기판과의 소정의 프록시미티 갭을 유지하면서, 대략 수평 자세로 노광 장치에 배치된다. 혹은, 상기 주표면의 4변의 근방을 각각 아래로부터 보유 지지(4변 보유 지지)할 수도 있다.
또한, 예를 들면 도 2에 도시하는 특허 문헌 2에 기재된 장치에서는, 포토마스크 M의 패턴 영역의 외측이며 이면(패턴면과는 반대측의 면)측을 보유 지지 영역으로 하고, 여기에 보유 지지 부재인 마스크 홀더(1)를 접촉시키고(상면 보유 지지), 이들의 접촉면을 마스크 흡착로(1a)를 통하여 흡인하여 흡착시킴으로써, 포토마스크 M을 상면측으로부터 지지할 수 있다.
(노광 장치의 휨 억제 수단과 그 효과)
포토마스크 기판을 프록시미티 노광 장치(이하, 간단히 노광 장치라고도 부름)에 장착하면, 포토마스크 기판은, 자체 중량에 의해 휘는 것이 상기 문헌 1 내지 3에 의해 알려져 있다. 따라서, 노광 장치에 장착한 포토마스크 기판의 휨을 억제하는 휨 억제 수단을 형성한 노광 장치가 제공되어 있다.
예를 들면, 도 1에 도시한 특허 문헌 1의 장치에 있어서는, 포토마스크(1)를 하면 보유 지지하고 있고, 여기서 포토마스크의 2변을 보유 지지하는 마스크 홀더(2)와, 포토마스크(1)의 양측의 연부를 상방으로부터 압압하는 2개의 휨 보정 바(3)에 의해, 지레의 원리로 휨 보정을 행하고 있다.
또한, 도 2에 도시한 특허 문헌 2의 장치에서는, 포토마스크 M을 상면 보유 지지(흡착)하여 보유 지지할 때에, 포토마스크 M의 상방에 기밀실 SA를 형성하고, 기밀실 SA 내를 에어 흡인로(1b)를 통하여 배기하고, 기밀실 SA의 부압을 이용함으로써 중력 방향과 반대 방향으로 포토마스크 M을 부상시켜, 포토마스크 M의 휨을 보정하는 방식을 채용하고 있다.
따라서, 발명자들은, 휨 억제 수단과 포토마스크 기판의 휨의 상관에 대해, 시뮬레이션을 행하였다. 상기 2변 보유 지지의 보유 지지 부재와, 지레의 원리로 휨 억제를 행하는 휨 억제 수단을 적용한 시뮬레이션을 도 3에 나타낸다. 도 3의 (a)는, 포토마스크 기판을 프록시미티 노광 장치에 장착한 상황을 도시하고 있다. 포토마스크 기판은, 그 대향하는 2변(800㎜ 이격한 2변)의 근방에서 하방으로부터 지지하는 보유 지지 부재에 의해 각각 하방으로부터 지지되어 있다. 그리고, 보유 지지 부재의 외측에 있어서, 상방으로부터 압압하는 힘을 서서히 변화시켰을 때의 포토마스크 기판의 휨 거동을 산출하였다. 도 3의 (b)의 횡축은 포토마스크 기판 상에 있어서의 위치(㎜)를, 종축은 휨량(㎛)을 각각 나타내고 있다. 또한, 도면 중의 각 선분은 압력을 변화시켰을 때의 휨 거동을 나타내고 있고, 압압은 휨이 제로가 될 때의 압력을 기준 1로 하고 있다.
도 3의 (b)에 도시되는 바와 같이, 상방으로부터 부여하는 압력을 점차로 증가시켜 가면, 이에 수반하여 포토마스크 기판의 중앙부의 휨량이 점차로 작아지고, 어느 시점에서, 실질적으로 휨이 해소된다. 압력을 더 증가시키면, 포토마스크 기판은 반대로 상방향으로 휘게 된다.
이와 같이, 노광 장치가 구비하는 휨 억제 수단을 적절하게 이용하면, 포토마스크 기판의 휨에 의한 프록시미티 갭의 면 내 불균일성은, 경감되는 것을 알 수 있다. 즉, 프록시미티 갭의 위치에 의한 변동의 주원인이, 포토마스크 기판의 자체 중량에 의한 휨이면, 노광 장치의 휨 억제 수단에 의해, 이 변동을 어느 정도 억제할 수 있다고 생각된다.
본 발명자들은, 이 지견을 더 발전시켜, 프록시미티 갭의 위치에 의한 변동을 보다 정밀도 높게 관리하여, 점점더 난이도가 높아지는 고정세(高精細)인 패턴 전사를 가능하게 하는 포토마스크 기판을 검토하였다. 즉, 전사 정밀도를 향상시키기 위해서는, 상술한 바와 같은 포토마스크 기판의 자체 중량에 의한 휨을 억제하는 수단을 강구하는 것만으로는 불충분하다는 지견을 얻어, 예의 검토를 행하였다.
(휨 억제 수단만으로는 불충분하다고 생각되는 근거)
이러한 노광 장치의 포토마스크 보유 지지 방식이나 휨 억제 수단의 방식이나 형상은 복수개가 있으므로, 이들의 상위(相違)에 따라, 포토마스크 기판이 수용하는 힘의 방향이나 크기, 면적당의 압력은, 동일하지 않다. 따라서, 예로 들어 휨 억제 수단에 의해 완전하게 자체 중량 휨이 해소되었다고 해도, 포토마스크 기판은 노광 장치의 보유 지지 부재와의 접점(또는 접면, 접선) 및 휨 억제 수단과의 접점(또는 접면, 접선)에 의해 다른, 여러 가지의 종류의 힘을 받고 있다고 생각된다. 그리고, 포토마스크 기판이 수용하는 힘의 방향이나 크기, 면적당의 압력은 노광 장치가 갖는 포토마스크의 보유 지지 방식이나 휨 억제 수단의 방식에 의해 상위하다고 추정된다. 또한, 더욱이 동일한 보유 지지 방식 등을 채용하고 있어도, 포토마스크 기판의 사이즈나, 개개의 노광 장치의 보수 방법 등에 의해 다르다고 추정된다. 또한, 피전사체를 구성하는 글래스 기판을 재치하는 노광 장치의 스테이지도, 완전한 평탄면이 아니므로, 프록시미티 갭에 대하여 영향을 주는 요인을 갖는다. 이들의 요인은, 프록시미티 갭의 위치에 의한 변동을 발생시켜, 전사 정밀도에 영향을 발생시킨다고 생각된다. 특히, 전사용 패턴의 미세화에 수반하여, 선 폭 2 내지 15㎛, 또는 3 내지 10㎛ 정도의 패턴의 정밀한 전사에 있어서는, 노광 장치의 여러 가지의 요인에 의한 프록시미티 갭 변동을 무시할 수 없게 되어 있다.
상기를 감안하면, 특허 문헌 1이나 특허 문헌 2에 기재된 휨 억제 수단만으로는, 프록시미티 갭의 제어로는 불충분하다. 또한, 특허 문헌 3에 기재된 「머더 글래스(mother glass)에 대향하는 쪽의 표면이 오목해진 단면 원호 형상」의 기판에 의해서도, 자체 중량 휨 이외의 요인에 의한 프록시미티 갭의 변동을 확실하게 억제할 수 있는 것은 아니다.
따라서, 본 발명자는, 프록시미티 갭의 면 내 변동을 억지하기 위해, 예의 검토하여, 이하의 해결 수단을 얻었다. 이하에, 본 발명의 일 실시 형태에 대해서 설명한다.
(본 실시 형태에 따른 포토마스크 기판을 얻기 위한 프로세스(process))
본 실시 형태에 적용하는 포토마스크 기판의 재료로서는, 글래스 재료를 이용할 수 있다. 예를 들면, 석영 글래스(silica glass), 무알카리 유리(alkali-free glass), 붕소 규소산 글래스(borosilicate glass), 알루미노 규산 글래스(aluminosilicate glass), 소다라임 글래스(soda-lime glass)를 사용할 수 있다.
또한, 본원에 있어서 「포토마스크 기판」이란, 포토마스크 블랭크의 재료로 하는 것으로, 글래스 등의 평판의 표리를 소정의 형상, 평탄도에 가공한 투명 기판의 상태를 말한다. 단, 이 상태의 포토마스크 기판에 박막을 형성하고, 또는 레지스트를 더 도포한 상태(포토마스크 블랭크), 그 박막을 패터닝한 상태(포토마스크)의 것에 대해서도, 포토마스크 기판 부분은 실질적으로 동일하므로, 적절히, 포토마스크 기판이라고 하는 경우가 있다.
본 실시 형태의 포토마스크 기판은, 이하의 공정에 의해 얻을 수 있다.
1. 갭 데이터 및 고유 갭 데이터의 취득 공정
우선, 소정의 노광 장치가 갖는, 프록시미티 갭의 위치에 의한 변동량을 파악한다. 프록시미티 갭의 측정은, 노광 장치의 포토마스크 보유 지지부에 샘플 마스크 기판을 장착하고, 노광 장치의 피전사체를 재치하는 스테이지에 샘플 글래스 기판을 재치하고, 그 사이의 거리를 측정함으로써 실시할 수 있다. 즉, 샘플 마스크 기판의 주표면 상에 있어서의 복수 위치에 있어서, 샘플 마스크 기판과 샘플 글래스 기판 사이의 거리인 프록시미티 갭을 파악한다. 구체적으로는, 샘플 마스크 기판의 주표면 상의 복수의 측정점에 있어서의 프록시미티 갭을 각각 측정한다. 예를 들면, 샘플 마스크 기판의 주표면 중 패턴 영역에 상당하는 영역 내에 있어서, 소정의 일정 간격(예를 들면 10㎜ 내지 300㎜의 범위 내의 소정값)의 격자점을 설정하고, 각 격자점을 측정점으로 할 수 있다. 격자점의 거리는, 예를 들면 50㎜ 내지 250㎜의 범위 내에서 선택하는 것이 보다 바람직하다.
패턴 영역이란, 예를 들면, 샘플 마스크 기판의 주표면 중, 외연을 이루는 4변으로부터 50㎜ 이내의 영역을 제외한 영역으로 할 수 있다.
프록시미티 갭의 측정은, 예를 들면 샘플 마스크 기판의 경사 상방(또는 하방)으로부터 광 조사하고, 샘플 마스크 기판의 마스크 패턴면(주표면)으로부터의 반사광과, 글래스 기판으로부터의 반사광을 검출하여 행할 수 있다. 또는, 특허 제3953841호에 기재되는 바와 같이, 기밀실을 구성하는 글래스판의 반사를 이용하여 측정하는 방법을 적용해도 된다.
여기서는, 2변 보유 지지 또한 하면 보유 지지의 노광 장치로서, 보유 지지 부재의 외측을 위로부터 압압하는 휨 억제 수단을 구비한 장치를 이용한 경우를 예로 설명한다.
프록시미티 갭의 측정시에 있어서는, 노광 장치가 갖는 휨 억제 수단을 이용하여 행하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상술한 도 3에 나타내는 시뮬레이션에서 얻어진 최적의 조건(휨이 거의 제로가 되는 조건)을 적용하면서, 프록시미티 갭의 측정을 행하는 것이 바람직하다.
이와 같이 하여 얻어진 각 측정점에 있어서의 프록시미티 갭은, 위치에 의해 다르기(변동되기) 때문에, 프록시미티 갭의 위치에 의한 변동을 나타낸다. 이와 같이 변동을 갖는 프록시미티 갭의 데이터를, 갭 데이터 A로 한다.
또한, 상기에서 얻어지는 갭 데이터 A는, 실제로는, 샘플 마스크 기판의 평탄도(패턴면, 상면 보유 지지의 경우는 패턴면 및 이면)나 샘플 글래스 기판이 갖는 평탄도(피전사면 및 그 이면) 등의 영향을 받은 프록시미티 갭을 의미한다. 그러나, 본 실시 형태의 목적을 위해서는, 노광 장치에 고유의 프록시미티 갭 변동 이외의 변동을 포함하지 않는 갭 데이터를 얻는 것이 바람직하다.
프록시미티 갭의 위치에 의한 변동 중 노광 장치에 고유의 변동이란, 소정의 노광 장치에 있어서 재현성(再現性)이 있는 변동이며, 이하의 (1) 내지 (3)이 포함된다.
(1) 그 노광 장치에 포토마스크 기판을 장착하였을 때의, 포토마스크 자체 중량 휨에 의한 갭 변동
(2) 그 노광 장치가 포토마스크를 보유 지지하는 기구(보유 지지부의 형상, 접촉 면적 등)나, 휨 억제 수단의 방식(압압 위치, 압력)에 의한 갭 변동
(3) 그 노광 장치의, 피전사체(글래스 기판)를 재치하는 스테이지의 평탄도 불균일에 의한 갭 변동
한편, 노광 장치에 고유의 변동 이외의 변동에는, 이하의 (4), (5)가 포함된다.
(4) 포토마스크 기판의 패턴면의 평탄도 불균일에 의한 갭 변동(상면 보유 지지의 경우는, 이면의 평탄도 불균일에 의한 갭 변동도 포함됨)
(5) 그 노광 장치의 스테이지에 재치된 피전사체(글래스 기판)의 피전사면 및 그 이면의 평탄도 불균일에 의한 갭 변동
본 실시 형태에서는, 소정의 노광 장치를 사용하는 한, 재현성이 있고, 정량적인 보정량을 산정할 수 있는 갭 변동에 대하여 유효한 대책을 강구하기 위한 수단을 얻는 것을 목적으로 한다. 따라서, 보정량 산정이 기초가 되는 프록시미티 갭의 측정은, 평탄도에 불균일이 없는 이상적인 샘플 마스크 기판과, 마찬가지로 구성된 이상적인 샘플 글래스 기판을 이용하여 행해야만 한다. 따라서, 상기 이상에 가까운 상태의 샘플 마스크 기판과 샘플 글래스 기판을 준비하여 해석을 행해야만 한다.
또한, 그와 같은 이상적인 기판을 수작업하는 것이 곤란한 경우에는 이하와 같이 하면 된다. 즉, 상기 갭 데이터 A를 기초로, 노광 장치에 고유의 변동을 추출한 데이터를 얻는 것이 바람직하다. 즉, 노광 장치에 고유의 변동 이외의 변동에 의한 성분을 제거하는 것이 바람직하다. 따라서, 이하에서는, 우선 갭 데이터 A로부터, 사용한 샘플 글래스 기판의 평탄도에 의한 갭 변동 성분을 제거할 수 있다.
구체적으로는, 샘플 글래스 기판을 복수개 준비하여 순차적으로 프록시미티 갭을 측정하고, 각각을 사용하여 얻어진 갭 데이터 A의 각 측정점마다의 값을 평균화함으로써, 샘플 글래스 기판이 갖는 개체차를 소거한다. 이에 의해, 샘플 글래스 기판에 기인하는 프록시미티 갭 변동(상기 (5))을 제거할 수 있다. 이것이, 도 4의 (a)에 도시하는 갭 데이터이다(이것을 갭 데이터 B라고 함).
다음으로, 샘플 마스크 기판의 패턴면 평탄도에 기인하는 갭 변동 성분을 제거한다. 여기서는, 샘플 마스크 기판의 패턴면에 대하여 별도의 평탄도 측정을 행하고, 얻어진 평탄도 데이터(도 4의 (b)에 도시함)를, 대응하는 측정점마다, 상기 도 4의 (a)에 도시하는 갭 데이터 B로부터 감할 수 있다.
평탄도 측정에 이용하는 측정 장치로서는, 예를 들면 구로다 세이꼬(黑田精工)사제의 평면도 측정기나, 일본 특허 출원 공개 제2007-46946호 공보에 기재된 것을 적용할 수 있다. 구체적으로는, 샘플 마스크의 패턴면 상에, 상기 프록시미티 갭의 측정과 마찬가지로, 소정 간격으로 복수의 격자점을 형성하고, 이 격자점을 평탄도 측정의 측정점으로 한다. 그리고, 샘플 마스크 기판의 주표면에 대략 평행한 기준면을 결정하였을 때, 이 기준면에 대한 각 측정점의 높이 정보를 얻고, 이것을 평탄도 데이터로 할 수 있다. 평탄도의 측정 시에서는, 중력의 영향을 극력 받지 않도록, 피검체인 기판을 연직으로 보유 지지하여 측정하는 것이 바람직하다.
따라서, 도 4의 (a)에 도시하는 갭 데이터 B로부터 도 4의 (b)에 도시하는 평탄도 데이터를 감하여 얻어진 도 4의 (c)에 도시하는 갭 데이터 C가, 노광 장치에 고유의 프록시미티 갭 변동을 나타내는 데이터(이를 고유 갭 데이터라고 부름)가 된다.
또한, 상기 (4), (5)의 변동 성분의 제거에 대해서는, 다른 방법을 이용해도 된다. 예를 들면, (4)에 대해서는 샘플 마스크 기판을 복수개 준비하고, 각각을 사용하여 얻어진 갭 데이터 A의 각 측정점마다의 값을 평균화함으로써, 사용한 샘플 마스크에 대한 상기 (4)를 제거할 수 있다.
(5)에 대해서는, 샘플 글래스 기판의 2개의 주표면에 대해, 미리 평탄도 측정을 행해 두고, 얻어진 측정점마다의 평탄도 데이터(실제로는, 양쪽 주표면이 대응하는 측정점마다의 평탄도 데이터의 차, 즉 평행도 데이터가 됨)를, 기초로 되는 갭 데이터 B가 대응하는 측정점마다의 수치로부터 감하면 된다.
상술한 바와 같이, 얻어진 고유 갭 데이터는, 사용하는 노광 장치에 고유의 위치에 의한 갭 변동을 나타내는 것이므로, 이것을 기초로, 본 실시 형태의 포토마스크 기판의 형상 결정을 행한다.
2. 형상 가공 데이터의 취득 공정
상기에서 얻어진 고유 갭 데이터는, 노광 장치에, 이상적으로 평탄한 포토마스크 기판과, 이상적으로 평탄한 글래스 기판을 세트(set)하였을 때에, 그 노광 장치에 기인하여 생기게 되는 갭 변동을 나타낸다. 따라서, 이 갭 변동을 발생시키지 않도록 하기 위해서는, 미리, 포토마스크 기판의 패턴면에 대하여 이 변동을 반전한 형상의 가공을 실시해 두면, 갭 변동을 실질적으로 제로(zero)로 할 수 있다. 이 상태를, 도 4의 (d)에 도시한다. 도 4의 (d)에는, 도 4의 (c)에 도시하는 갭 변동을 기초로, 반전하는 형상의 패턴면을 형성하기 위한 형상 가공 데이터를 나타낸다. 또한, 여기서, 도 4의 (d)에서는, 도 4의 (c)에 도시하는 갭 변동을 상쇄하기 위해 보정된 포토마스크 기판의 면 형상을, 포토마스크 기판을 뒤집어 패턴면측에서 본 상태를 나타내고 있기 때문에, 대응하는 위치가 좌우 대칭 위치로 이동하고 있다.
도 4의 (d)에는, 도 4의 (c)에 도시하는 갭 변동을 기초로, 반전하는 형상의 패턴면을 형성하기 위한 형상 가공 데이터를 나타낸다. 즉, 도 4의 (d)에 도시하는 패턴면 형상을 갖는 포토마스크 기판을 준비하고, 이를 기초로 포토마스크를 제작하면, 실제의 노광 장치에 있어서, 갭 변동의 잔류는 실질적으로 없어진다. 이것을, 도 4의 (e)에 도시한다.
상기를, 도 5를 이용하여 측면도에서 설명한다.
도 5의 (a)에는, 현실의 노광 장치에, 이상적인 평탄도를 갖는 포토마스크 기판 및 이상적인 평탄도를 갖는 패널 기판을 세트해도, 면 내의 위치에 따라서, 프록시미티 갭의 변동이 생기게 되는 상태를 나타낸다. 즉, 포토마스크 기판과 패널 기판과의 거리가 최대가 되는 부분은, 갭 값이 최대가 된다(도 5의 (b)). 이것이 전술한 고유 갭 데이터(갭 데이터 C)에 상당하다.
실제의 노광 장치에 의해서, 갭 변동 폭(갭의 최대와 최소의 차)은 다르지만, 20 내지 70㎛의 범위 내의 수치인 것이 일반적이다. 예를 들면, 갭 변동 폭이 50㎛인 노광 장치에 대하여, 이것을 제로로 하기 위해서는, 이 50㎛분을, 포토마스크 기판의 패턴면의 형상 가공에 의해 상쇄할 수 있다. 이때의 포토마스크 기판의 면 형상을, 도 5의 (c)에 도시한다. 도 5의 (c)는, 곡선이 패턴면으로 하였을 때, 이 상측이 공간측, 하측이 포토마스크 기판측이 된다.
전사 정밀도의 관점에서 말하면, 갭 변동은 극력이 작은 쪽이 바람직하다. 그러나, 프록시미티 노광에 있어서, 면 내의 위치에 의한 갭 변동이 어느 정도 허용되는가 하는 점에 대해서는, 얻고자 하는 제품의 용도나 사양에 의해서 상위하므로, 목표 정밀도에 따라서 변동 허용값을 설정하는 것이 보다 바람직하다. 이 이유로서는, 갭 변동을 제로로 하기 위한 포토마스크 기판의 형상 가공은, 제거 가공(연마 등)의 제거량이 많아지거나, 가공 곤란한 형상이 필요하게 되거나 하는 등, 현실의 생산 효율과 수율의 점에서 반드시 유리하지 않는 것을 들 수 있다.
따라서, 프록시미티 갭의 면 내 균일화를 도모할 때에, 적용 제품이나 사양에 따른 갭 변동 허용값을 감안하는 경우를 이하에 설명한다. 예를 들면, 얻고자 하는 제품에 있어서, 허용되는 최대의 갭 변동값(이하, 변동 허용값 T(㎛)로 함)은, 40 내지 10(㎛) 사이의 소정의 수치로 할 수 있다. 즉, 얻고자 하는 액정 표시 장치가 요구되는 정밀도에 따라, 매우 고정세인 것은 10㎛, 약간 사양이 느슨한 것은 40㎛로 하고, 중간인 것은 적절히 20㎛, 또는 30㎛로 하는 것 등이 가능하다.
도 6에, 갭 데이터 C에 변동 허용값 T의 값을 적용시켜, 포토마스크 기판의 보정 형상을 결정하는 공정을 나타낸다.
도 6의 (a)에서는, 갭 데이터 C에 대하여, 최대값(갭이 최대가 되는 부분)을 기준으로 하여, 보정 형상을 결정하고 있다. 즉, 최대 갭이 되는 위치 P를, 형상 가공 후의 패턴면에 있어서의 변동 허용값 T의 상한에 맞췄을 때, 변동 허용값 T를 충족할 수 없는 부분(갭이 허용 범위를 초과하여 작아지는 부분. 도 6의 (a)의 사선 부분)을, 형상 가공에 의해 보정한다. 바꿔 말하면, 최대 갭이 되는 위치 P의 높이를 Z1로 할 때, (Z1-T)보다 낮아지는 부분을 특정하고, 적어도 이 부분을 제거하는 형상 가공을 행한다. 이 방법을 최대값 기준 방식으로 한다.
또한, 여기서 말하는 높이란, 포토마스크 주표면(이상적인 주표면을 상정하였을 때)에 대한 수직 방향의 거리이며, 그 이상적인 주표면에 대한 높이로 생각할 수 있다.
예를 들면, 최대값 기준 방식을 채용하면, 포토마스크 기판의 패턴면에, 도 6의 (b)의 점선으로 나타내는 오목 형상을 형성하면 된다. 또한, 이 오목 부분은, 갭이 지나치게 작아지는 부분의 보정이므로, 점선의 형상에 이르기까지 제거 가공이 필요하지만, 이것을 초과하여 제거 가공을 더 계속해도 되고, 실선에 이르기까지의 제거 가공은 허용된다. 즉, 점선과 실선 사이가, 제거 가공의 마진(margin)이라고 말할 수 있다. 그리고, 이 양자간의 가공 대상이 되는 영역이, 본 발명에서 말하는 특정 영역이 된다. 또한, 최대값 기준 방식에 따르면, 포토마스크 기판 재료에 대한 형상 가공은, 오목 형상을 형성하는 것이 된다.
도 6의 (c)에서는, 갭 데이터 C에 대해, 그 최대값과 최소값의 중심값을 기준으로 하여, 보정 형상을 결정하고 있다. 즉, 갭 중심값에 대하여, T/2를 초과하여 갭이 커지는 부분, T/2를 초과하여 갭이 작아지는 부분을, 형상 가공에 의해서 보정한다. 바꿔 말하면, 프록시미티 갭이 중간값을 나타내는 위치의 높이를 Z2로 하면, 상기 주표면 상에 있어서의 높이가 (Z2+T/2)를 초과하여 높아지는 부분과, (Z2-T/2)보다 낮아지는 부분을 각각 특정하고, 이 부분을 특정하여 형상 가공을 행한다. 이 방법을 중심 기준 방식으로 한다.
중심 기준 방식을 채용하면, 도 6의 (d)에 도시하는 바와 같이, 제거 가공은, 점선과 같이 행하면 되고, 또한, 제거 가공의 마진으로서, 점선과 실선 사이가 허용된다.
또한 도 6의 (e)에서는, 갭 데이터 C에 대해, 최소값(갭이 최소가 되는 부분)을 기준으로 하여, 보정 형상을 결정하고 있다. 즉, 최소 갭이 되는 위치 B를, 형상 가공 후의 패턴면에 있어서의 변동 허용값 T의 하한에 맞출 때, 변동 허용값 T를 충족할 수 없는 부분(갭이 허용 범위를 초과하여 커지는 부분, 도 6의 (e)의 사선 부분)을, 형상 가공에 의해서 보정한다. 즉, 최소 갭이 되는 위치 B의 높이를 Z3으로 할 때, (Z3+T)보다 높아지는 부분을 특정하고, 적어도 이 부분을 남겨서 다른 것을 제거하는 형상 가공을 행한다. 이 방법을 최소값 기준 방식으로 한다.
최소값 기준 방식을 채용하면, 도 6의 (f)에 도시하는 보정 형상으로 하면 된다. 구체적으로는, 점선으로 나타내는 볼록 형상을 패턴면에 형성하면 되고, 또한, 마진으로서, 점선과 실선 사이의 영역이 허용된다.
중심값 기준 방식 또는 최소값 기준 방식에 있어서도, 도 6의 (d), (f)의 점선과 실선 사이이며, 가공의 대상이 되는 영역이 특정 영역이 된다.
상기 3개의 방식 중 어느 하나를 채용할지에 의해서, 보정 형상이 다르다. 그 때문에, 가공에 이용하는 장치나 공정에 따라서, 가장 적절한 방식을 선택할 수 있다.
예를 들면, 최대값 기준 방식에 따르면, 대략 평탄한 포토마스크 기판 재료로부터의 제거량(작업량)을 작게 할 수 있으므로 바람직하다. 또한, 제거 가공을 연마 가공으로 하고, 또한 표면에 오목 형상을 형성할 때에는, 그 부분의 연마 부하를 크게 함으로써 국소적으로 제거량을 크게 한다. 이와 같은 방법을 이용하는 경우, 국소적으로 볼록부를 형성하는(볼록부로 하는 위치의 주변을 제거하는) 것보다도, 국소적으로 오목부를 형성하는 것이 효율이 좋으므로, 최대값 기준 방식이 유리하다.
상기의 고찰을 행하고, 변동 허용값 T를 적용하였을 때의 보정 형상을 결정한다. 도 4의 (f) 내지 (n)은, 이것을 평면도로 나타낸 것이다.
도 4의 (c) 내지 (e)가, 변동 허용값 T를 제로로 하고, 형상 가공된 포토마스크 기판을 이용하였을 때의 갭 변동이 없어지는 보정 형상의 결정이었던 것에 대해, 도 4의 (f) 내지 (h)는 최대값 기준 방식으로 보정 형상 결정을 행한 경우를 나타낸다. 이 경우, 도 4의 (c)에 도시하는 갭 데이터를 그대로 이용하여, 그것을 역전시킨 표면 형상을 갖는 포토마스크 기판을 형성하는 것이 아니라, 도 4의 (c)에 있어서의 최대값 위치를 기준으로 하고, 변동 허용값(여기서는 35㎛로 한)을 충족할 수 없는 부분만을, 형상 가공의 대상으로 하였다. 도 4의 (g)로부터 명백한 바와 같이, 형상 가공은 오목 형성만으로 좋은 것을 알 수 있다. 또한, 도 4의 (h)에 의하면, 형상 가공 후에도 갭 변동이 잔류되어 있지만, 변동 폭은 변동 허용값 T의 35㎛ 이하가 되어 있는 것을 알 수 있다.
마찬가지로, 도 4의 (i) 내지 (k)에서는, 중앙 기준 방식을 채용하였을 때의, 형상 가공 데이터 및 형상 가공 후에 잔류하는 갭 변동을 나타낸다. 또한, 도 4의 (l) 내지 (n)은, 최소값 기준 방식을 채용하였을 때의, 마찬가지의 데이터를 나타낸다.
3. 포토마스크 기판에 형상 가공을 행하는 공정
일반적으로, 포토마스크 기판은 포토마스크용의 글래스 기판 재료를 준비하고, 2개의 주표면을 연마에 의해 평탄화하여 얻을 수 있다. 예를 들면, 패턴면 및 패턴면의 이면의 각각에 있어서, 평탄도를 5 내지 30㎛로 한 글래스 기판 재료를 이용할 수 있다. 이렇게 하여 얻어진 글래스 기판 재료를 포토마스크 기판 재료로서 이용하고, 또한 형상 가공하여, 본 실시 형태의 포토마스크 기판을 얻을 수 있다.
가공하는 형상에 대해서는, 상술한 방법에 의해서 결정하고 있다. 예를 들면, 도 4의 (g)에 도시하는 형상 가공 데이터를 이용하여, 공지의 가공 장치에 의해서 형상 가공할 수 있다.
예를 들면, 회전 가능한 연마 정반과, 연마 정반 상에 설치된 연마 패드(pad)와, 연마 패드의 표면에 연마제를 공급하는 연마제 공급 수단을 구비한 연마 장치를 이용하여 형상 가공을 행할 수 있다. 연마 패드 상에 글래스 기판 재료를 보유 지지하고, 형상 보정에 의해서 오목부를 형성하고자 할 때에는, 다른 영역보다도 기판에 대한 연마 패트의 압력이 커지도록 압압하여, 글래스 기판 재료를 한쪽 면에 연마할 수 있다. 압압을 행할 때에는, 복수의 가압체를 구비하고, 개개의 가압체에 독립적으로 압력 가압 제어가 가능한 제어 수단을 갖는 장치가 바람직하다. 볼록부를 형성하는 경우에는, 볼록부의 주변 영역에 대하여, 보다 큰 제거량이 되도록 가압의 제어를 행할 수 있다.
또는, 종형 프라이스반(milling machine)을 이용한 형상 가공을 행해도 된다. 장치의 가공부에 연마포를 접착한 연마용의 컵 헤드(cup head)를 부여하고, 연마제 액을 공급하고, 높이 방향의 제어를 하면서 가공을 행할 수 있다.
또한, 연마 공정은 거친 연마 및 정밀 연마를 행한 글래스 기판 재료에 대하여, 상기의 형상 가공을 실시해도 되고, 또는, 거친 가공 후, 정밀 가공을 행함과 동시에, 상기 형상 가공 데이터를 반영한 형상 가공을 행해도 된다.
사용하는 연마제의 종류나 입경은, 기판 재료나 얻고자 하는 평탄도에 따라서 적절히 선정할 수 있다. 연마제로서는, 산화 세륨(cerium oxide), 산화 지르코늄(zirconium oxide), 콜로이드 실리카(colloidal silica) 등을 들 수 있다. 연마제의 입경은, 수십㎚ 내지 수㎛로 할 수 있다.
4. 포토마스크 기판의 구성
본 실시 형태에 따른 포토마스크 기판은, 이하와 같이 구성되어 있다.
즉, 주표면에 전사용 패턴을 형성하고, 프록시미티 노광 장치에 장착하여, 상기 프록시미티 노광 장치의 스테이지에 재치한 피전사체와의 사이에 프록시미티 갭을 형성하여 노광하고, 상기 전사용 패턴을 전사하는 데 이용하는 포토마스크로 이루기 위한, 포토마스크 기판으로서,
상기 주표면 상의 1 또는 복수의 특정 영역에 있어서, 그 특정 영역 외의 주변 영역과 다른 제거량의 형상 가공이 행해져 오목 형상, 볼록 형상, 또는 요철 형상이 형성됨으로써, 상기 포토마스크 기판을 상기 프록시미티 노광 장치에 장착하였을 때 생기는, 상기 프록시미티 갭의 위치에 의한 변동이 저감되고, 또한,
상기 형상 가공은, 상기 프록시미티 갭의 위치에 의한 변동으로부터 추출된, 상기 노광 장치에 고유의 변동을 저감하는 것인 포토마스크 기판으로서 구성되어 있다.
상기에서 말하는 오목 형상, 볼록 형상, 또는 요철 형상이란, 상기 포토마스크 기판으로부터 중력의 영향을 배제하였을 때의 형상을 의미한다. 또한, 주변 영역이란, 상기 특정 영역의 외측이며, 상기 특정 영역에 인접하는 주변의 영역을 말한다. 이 특정 영역이란, 포토마스크 기판의 주표면 상의 임의의 영역이며, 형상 가공의 대상이 되는 영역이다. 상기 도 6의 (b), (d), (f)에 있어서의 점선이나 실선에 의해 나타내어진, 형상 가공 영역으로 할 수 있다. 이 특정 영역은, 주표면 상에 1 또는 복수 설정된다. 복수 설정되는 경우에는, 볼록 형상, 오목 형상, 요철 형상의 종류나, 그 조합에 제약은 없다.
가공 방법으로서는, 예를 들면 연마 등에 의해서 표면 부분을 제거하는 제거 가공을 적용할 수 있다. 연마 이외에는, 샌드블러스트(sandblasting) 등의 방법을 적용하는 것도 가능하다. 주변 영역과 다른 제거량이란, 주변보다 깊은 제거, 또는 얕은 제거로서의 형상 가공을 의미한다. 제거량(예를 들면 연마량)을 증감함으로써, 상대적으로 다른 영역보다 높이가 높은, 또는 낮은 부분을 형성할 수 있다. 혹은, 특정 영역만을 제거 가공함으로써, 상대적으로 다른 영역보다 높이가 낮아져도 된다.
또한, 형상 가공은 노광 장치에 고유의 갭 변동이, 그 제품에 있어서의 허용 범위 내(변동 허용값 T 이하임)가 되도록 상쇄되는 것일 수 있다. 이 변동 허용값 T는, 본 실시 형태의 포토마스크를 이용하여 제조하고자 하는 디바이스(device)의 용도나 사양에 기초하여 결정한다. 따라서, 본 실시 형태의 포토마스크 기판은 노광 장치에 장착하였을 때에 형성되는 프록시미티 갭 변동이, 이상적인 글래스 기판에 대하여, 갭 변동 허용값 T 이하가 되는 것이다.
또한, 본 발명에 있어서는, 포토마스크 기판의 주표면의 외연을 이루는 4변으로부터 50㎜ 이내의 영역을 제외한 영역을 패턴 영역으로 할 때, 그 패턴 영역에 있어서, 상기 형상 가공이 실시된 것인 것이 바람직하다. 한편, 4변으로부터 50㎜ 이내의 영역(패턴 영역 외)에 있어서는, 상기 형상 가공을 실시하지 않는 것으로 할 수 있고, 그 경우는, 이하의 점에서 유리하다.
포토마스크 기판을, 상술한 2변 보유 지지, 또한, 하면 보유 지지의 노광 장치에 장착하여 사용하는 것을 고려하였을 때, 포토마스크 기판은 패턴면의 대향하는 2변(포토마스크 기판의 패턴면이 직사각형일 때, 바람직하게는 대향하는 긴 변)으로부터 50㎜ 이내의 영역에 대해서는, 노광 장치의 보유 지지 부재가 접촉하는, 보유 지지 영역으로 되므로, 포토마스크 기판 표면은 평탄도가 높은 것이 바람직하다.
예를 들면, 이 영역 내의, P㎜(5≤P≤15) 이격한 임의의 2점의 고저차가 Z㎛일 때, Z/P가 0.08 이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 포토마스크 기판을, 4변 보유 지지, 또한, 하면 보유 지지의 노광 장치에 장착하여 사용하는 것을 고려하면, 패턴면의 4변으로부터 50㎜ 이내의 영역에 대해서는, 노광 장치의 보유 지지 부재가 접촉하는 보유 지지 영역으로 되므로, 포토마스크 기판 표면은 평탄도가 높은 것이 바람직하고, 상기와 마찬가지의 Z/P가 0.08 이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 포토마스크 기판을, 4변 보유 지지, 상면 보유 지지의 노광 장치에 장착하여 사용하는 것을 고려하였을 때, 패턴면의 이면의 4변으로부터, 50㎜ 이내의 영역에 대해서는, 노광 장치의 보유 지지 부재가 접촉하는 보유 지지 영역으로 되므로, 포토마스크 기판 표면은 평탄도가 높은 것이 바람직하고, 이 영역에 있어서 상기 마찬가지의 Z/P가 0.08 이하인 것이 바람직하다.
평탄도 측정 방법에 있어서는, 상기에 있어서 샘플 마스크 기판의 평탄도 측정에 대해서 설명한 것과 마찬가지로 할 수 있다.
5. 포토마스크를 제조하는 공정
본 실시 형태의 포토마스크 기판의 용도에 특별히 제약은 없다. 예를 들면, 이하에 예시하는 종류의 포토마스크에 적용할 수 있다. 특히, 액정 표시 장치 제조용의 포토마스크로서, CF(컬러 필터)나 TFT(박막 트랜지스터) 기판의 제조에 이용하는 포토마스크에 이용하면, 본 발명의 효과가 현저하게 얻어진다.
예를 들면, 상기 공정에 의해서 얻어진 포토마스크 기판의 주표면에, 광학 박막으로서의 차광막을 형성함으로써, 포토마스크 제조용의 바이너리 마스크 블랭크(binary mask blank)를 얻을 수 있다. 차광막으로서는, 크롬(chromium), 또는 크롬에 산소, 질소, 탄소 중으로부터 선택된 1종 이상이 포함된 크롬 화합물 등을 포함하는 막이나, 실리콘(silicon), 탄탈(tantalum), 몰리브덴(molybdenum) 및 텅스텐(tungsten) 등으로부터 선택된 금속 원소 등을 주성분으로 하는 금속, 금속 산화물, 금속질화물, 금속산질화물, 금속산화탄화물, 금속질화탄화물, 또는 금속산질화탄화물 등을 포함하는 막을 이용할 수 있다.
혹은, 광학 박막으로서, 노광시에, 노광광을 일부 투과하는 반투광막을 이용할 수도 있다. 복수의 박막을 적층해도 된다. 반투광막의 소재도, 상기 차광막과 마찬가지의 소재로부터 선택할 수 있고, 조성과 막 두께에 의해서, 노광광 투과율을 5 내지 80％로 조정하여 이용할 수 있다.
나아가서는, 상기 차광막 또는 반투광막을 적절히 이용하여 패터닝함으로써, 다계조(멀티 톤(multi-tone)) 마스크를 얻을 수 있다. 즉, 노광광을 차광하는 차광부와, 노광광을 일부 투과하는 반투광부와, 투명 기판이 노출됨으로써 노광광을 실질적으로 투과하는 투광부를 포함하는, 전사용 패턴을 갖는 다계조 포토마스크를 얻을 수 있다. 이것은, 피전사체 상에 형성된 레지스트 패턴을, 위치에 의해서 잔막량(높이)이 다른 입체 형상으로 가공하는 마스크이며, 1매의 포토마스크를 이용하여 피전사체 상에 2회 이상의 패터닝을 행할 수 있는 효과가 얻어지는 마스크이다. 예를 들면, 높이가 다른 복수의 포토 스페이서(photo spacer)를 구비한 컬러 필터의 제조 등에 유리하게 이용할 수 있다.
상기 광학 박막의 성막 방법으로서는, 스퍼터(sputtering)법, 진공 증착법 등, 공지의 것을 적용할 수 있다.
포토마스크의 제조 공정에 있어서는, 공지의 포토그래피(photography)법을 적용할 수 있다. 상기 공정에 의해서 얻어진 포토마스크 기판의 주표면(패턴면)에, 상기 광학 박막을 필요한 횟수로 성막하고, 또한 포토레지스트를 도포하여 포토마스크 블랭크를 제조한다. 그리고, 레이저(laser)나 전자선에 의한 묘화 장치를 이용하여 레지스트막에 패턴을 묘화한다. 그리고, 묘화된 레지스트막을 현상하고, 형성된 레지스트 패턴을 마스크로서 광학 박막을 웨트 에칭(wet etching), 또는 드라이 에칭(dry etching)함으로써, 박막 패턴이 형성된다. 필요한 횟수로, 상기 포토그래피 프로세스(photography process)를 반복함으로써, 원하는 전사용 패턴을 구비한 포토마스크를 제조할 수 있다.
6. 패턴 전사를 행하는 공정
노광 장치는, 공지의 프록시미티 노광용의 것을 이용할 수 있다. 노광 광원으로서는, i선, h선, g선을 포함하는 파장 영역의 광원을 이용할 수 있다.
본 실시 형태의 포토마스크 기판에 의해서 얻어지는 포토마스크는, 상기의 프록시미티 갭의 측정에 이용한 노광 장치에 장착하여 사용하기 위한 포토마스크이다. 프록시미티 갭의 측정에 이용한 노광 장치와 동일한 한, 포토마스크 기판을 보유 지지하기 위한 노광 장치의 기판 보유 지지 기구에는, 특별히 제약은 없다. 상술한 2변 보유 지지, 4변 보유 지지, 혹은, 하면 보유 지지, 상면 보유 지지 중 어느 것에도 적용할 수 있다. 프록시미티 갭의 측정시에, 휨 억제 수단 등을 작용시킨 경우에는, 패턴 전사시에도 마찬가지로 작용시켜 노광한다.
본 실시 형태의 포토마스크 기판을 상기 노광 장치에 장착할 때에는, 형상 가공을 행할 때에 결정한 포토마스크 기판의 방향을 참조하여 장착한다. 즉, 프록시미티 갭의 측정시와 패턴 전사시에서, 포토마스크 기판의 방향이 일치하도록 장착한다.
또한, 갭 변동 허용 범위(변동 허용값 T)의 적용의 방법에 의해서, 포토마스크 기판의 보정 형상이 다른 것으로 되는 것은 상술한 바와 같다. 즉, 포토마스크 기판의 오목 형상 가공으로 되는지, 볼록 형상 가공으로 되는지에 따라서, 패턴 전사시에 노광 장치에 설정하는 프록시미티 갭의 설정값이 다른 것으로 된다.
본 실시 형태에 따르면, 프록시미티 갭의 변동을 소정의 범위 내로 제어할 수 있으므로, 프록시미티 갭의 설정값 자체를, 종래 이상으로 작게 할 수 있다. 즉, 포토마스크의 패턴면과 피전사체의 레지스트막면의 거리를 작게 설정할 수 있어, 해상도를 올릴 수 있다. 예를 들면, 패턴 전사시에 노광 장치에 설정하는 프록시미티 갭의 설정값을 30 내지 180㎛로 할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 사용하는 노광기에 기인하는 프록시미티 갭의 변동 요인을 대폭 제거할 수 있다. 또한, 포토마스크 자체의 자체 중량에 의한 휨도, 사용하는 노광기의 구조에 따라서 생기는 프록시미티 갭의 변동 요인의 하나이지만, 발명자들의 검토에 따르면, 그 노광 장치가 발생하게 되는 변동 요인을 무시할 수 없을 정도로 존재할 때, 본 실시 형태에 따르면, 이러한 프록시미티 갭의 변동을 유효하게 억제하는 것이 가능하게 된다.
본 실시 형태에 따른 포토마스크의 적용 용도에는, 특별히 한정은 없다. 또한, 전술한 바와 같이, 액정 표시 장치 제조용의 포토마스크로서 이용하면, 현저한 효과가 얻어진다. 예를 들면, 본 실시 형태에 따른 포토마스크를 TFT 기판 제조용의 포토마스크로서 이용하면, 프록시미티 갭이 소정의 허용 범위 내로 제어 가능하므로, 패턴 선 폭이나 좌표의 정밀도를 크게 향상시킬 수 있다. 또한, CF 제조용의 포토마스크로서 이용하면, 예를 들면 블랙 매트릭스나 색판을 제조할 때에, 선 폭 정밀도나 좌표 정밀도를 크게 향상시킬 수 있다. 또한, TFT-CF간의 간극 정밀도를 담당하는 포토 스페이서를 제조할 때에, 그 스페이서의 형상(평면에서 보아 X 방향, Y 방향의 형상, Z 방향에서의 높이나 슬로프(slope) 형상) 정밀도의 향상에 있어서, 특필되는 효과가 얻어진다.
7. 프록시미티 갭의 평가 방법에 대해서
상술한 바와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 포토마스크를 노광 장치에 세트하였을 때의 프록시미티 갭을, 정확하고 또한 효율적으로 평가하는 것이 가능하다.
구체적으로는, 샘플 마스크 기판을 상기 프록시미티 노광 장치에 장착하고, 샘플 글래스 기판을 상기 프록시미티 노광 장치의 스테이지에 재치하고, 상기 샘플 마스크 기판의 주표면의 복수 위치에 있어서의 프록시미티 갭을 측정함으로써, 위치에 의한 프록시미티 갭의 변동을 나타내는 갭 데이터를 얻는 공정과,
이 갭 데이터로부터, 상기 프록시미티 노광 장치에 고유의 변동 성분을 추출하여, 고유 갭 데이터를 얻는 공정과,
상기 고유 갭 데이터와, 소정의 갭 변동 허용값을 이용하여, 변동 허용값을 초과하는 프록시미티 갭이 생기는 위치와, 그 초과량을 구함으로써, 포토마스크를 노광 장치에 세트하였을 때의 프록시미티 갭을, 정확하고 또한 효율적으로 평가할 수 있다.
<본 발명의 다른 실시 양태>
이상, 본 발명의 실시 형태를 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경 가능하다.

Claims (18)

  1. 주표면에 전사용 패턴을 형성하고, 프록시미티 노광 장치에 장착하여, 상기 프록시미티 노광 장치의 스테이지에 재치한 피전사체와의 사이에 프록시미티 갭을 형성하여 노광하고, 상기 전사용 패턴을 전사하는 데 이용하는 포토마스크로 이루기 위한, 포토마스크 기판으로서,
    상기 주표면 상의 1 또는 복수의 특정 영역에 있어서, 그 특정 영역 외의 주변 영역과 다른 제거량의 형상 가공이 행해져 오목 형상, 볼록 형상, 또는 요철 형상이 형성됨으로써, 상기 포토마스크 기판을 상기 프록시미티 노광 장치에 장착하였을 때 생기는, 상기 프록시미티 갭의 위치에 의한 변동이 저감되고, 또한,
    상기 형상 가공은, 상기 프록시미티 갭의 위치에 의한 변동으로부터 추출된, 상기 프록시미티 노광 장치에 고유한 변동을 저감하는 것인 것을 특징으로 하는 포토마스크 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 형상 가공이 행해진 주표면은, 상기 추출된 상기 프록시미티 노광 장치에 고유한 변동에 기초하여 결정된 보정 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 포토마스크 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 형상 가공은, 상기 주표면 상에 있어서, 상기 추출된 상기 프록시미티 노광 장치에 고유한 변동이, 소정의 갭 변동 허용값을 초과하는 영역을 포함하는, 특정 영역에 대해서만 행해진 것인 것을 특징으로 하는 포토마스크 기판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 형상 가공은, 상기 주표면에, 1 또는 복수의 오목부를 형성하는 것인 것을 특징으로 하는 포토마스크 기판.
  5. 주표면에 전사용 패턴이 형성된 포토마스크로서, 프록시미티 노광 장치에 장착하여, 상기 프록시미티 노광 장치의 스테이지에 재치한 피전사체와의 사이에 프록시미티 갭을 형성하여 노광하고, 상기 전사용 패턴을 전사하는 데 이용하는 포토마스크로 이루기 위한, 포토마스크 기판의 제조 방법으로서,
    상기 주표면 상의 복수 위치에 있어서의 프록시미티 갭을 측정하고,
    상기 프록시미티 갭의 위치에 의한 변동 중, 상기 프록시미티 노광 장치에 고유한 변동을 추출하고,
    추출된 상기 프록시미티 노광 장치에 고유한 변동과, 소정의 갭 변동 허용값에 기초하여, 상기 포토마스크 기판의 주표면의 보정 형상을 결정하고,
    상기 포토마스크 기판의 주표면에, 상기 결정한 보정 형상으로 하는 형상 가공을 실시하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 기판의 제조 방법.
  6. 주표면에 전사용 패턴이 형성된 포토마스크로서, 프록시미티 노광 장치에 장착하여, 상기 프록시미티 노광 장치의 스테이지에 재치한 피전사체와의 사이에 프록시미티 갭을 형성하여 노광하고, 상기 전사용 패턴을 전사하는 데 이용하는 포토마스크로 이루기 위한, 포토마스크 기판의 제조 방법으로서,
    샘플 마스크 기판을 상기 프록시미티 노광 장치에 장착하고, 샘플 글래스 기판을 상기 프록시미티 노광 장치의 스테이지에 재치하고, 상기 샘플 마스크 기판의 주표면의 복수 위치에 있어서의 프록시미티 갭을 측정함으로써, 위치에 의한 프록시미티 갭의 변동을 나타내는 갭 데이터를 얻는 공정과,
    상기 갭 데이터로부터, 상기 프록시미티 노광 장치에 고유한 변동 성분을 추출하여, 고유 갭 데이터를 얻는 공정과,
    상기 고유 갭 데이터와, 소정의 갭 변동 허용값을 이용하여, 상기 포토마스크 기판에 실시하는 형상 가공 데이터를 얻는 공정과,
    상기 형상 가공 데이터를 이용하여, 상기 포토마스크 기판의 주표면에 형상 가공을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 기판의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 고유 갭 데이터를 얻는 공정에 있어서, 상기 복수 위치에 있어서의 프록시미티 갭의 변동 중, 상기 샘플 마스크 기판에 기인하는 프록시미티 갭 변동의 성분을 제거하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 기판의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 고유 갭 데이터를 얻는 공정에 있어서, 상기 복수 위치에 있어서의 프록시미티 갭의 변동 중, 상기 샘플 글래스 기판에 기인하는 프록시미티 갭 변동의 성분을 제거하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 기판의 제조 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 프록시미티 갭의 측정시, 샘플 마스크 기판의 자체 중량에 의한 휨을 억제하기 위해, 상기 프록시미티 노광 장치가 구비하는 휨 억제 수단을 이용하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 기판의 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 형상 가공 데이터를 얻는 공정에 있어서, 상기 고유 갭 데이터에 나타내어지는, 상기 프록시미티 노광 장치에 고유한 위치에 의한 프록시미티 갭 변동 중, 상기 갭 변동 허용값을 초과하는 부분을 특정하고, 상기 특정한 부분을 포함하는 특정 영역에 대하여, 형상 가공을 행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 기판의 제조 방법.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 고유 갭 데이터 중, 프록시미티 갭이 최대값이 되는 위치의 상기 주표면의 높이를 Z1로 하고, 상기 갭 변동 허용값을 T로 할 때, 상기 주표면 상에 있어서의 높이가 (Z1-T)보다 낮은 부분을 특정하고, 상기 특정한 부분을 포함하는 특정 영역에 대하여 형상 가공을 행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 기판의 제조 방법.
  12. 제5항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 형상 가공은, 상기 포토마스크 기판의 주표면에, 1 또는 복수의 오목부를 형성하는 것인 것을 특징으로 하는 포토마스크 기판의 제조 방법.
  13. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 포토마스크 기판의 주표면에, 상기 전사용 패턴을 형성하기 위한 광학 박막이 형성된 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  14. 제13항에 기재된 포토마스크 블랭크의 주표면에 형성된 광학 박막을, 포토리소그래피법에 의해 패터닝함으로써, 상기 전사용 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  15. 제14항에 있어서,
    액정 표시 장치의 제조에 이용되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  16. 제15항에 기재된 포토마스크를, 상기 프록시미티 갭의 측정에 이용한 상기 프록시미티 노광 장치에 장착하고, 노광함으로써, 상기 포토마스크에 형성된 전사용 패턴을 피전사체 상에 전사하는 것을 특징으로 하는 패턴 전사 방법.
  17. 제16항에 기재된 패턴 전사 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  18. 프록시미티 노광 장치의 프록시미티 갭 평가 방법에 있어서,
    샘플 마스크 기판을 상기 프록시미티 노광 장치에 장착하고, 샘플 글래스 기판을 상기 프록시미티 노광 장치의 스테이지에 재치하고, 상기 샘플 마스크 기판의 주표면의 복수 위치에 있어서의 프록시미티 갭을 측정함으로써, 위치에 의한 프록시미티 갭의 변동을 나타내는 갭 데이터를 얻는 공정과,
    상기 갭 데이터로부터, 상기 프록시미티 노광 장치에 고유한 변동 성분을 추출하여, 고유 갭 데이터를 얻는 공정과,
    상기 고유 갭 데이터와, 소정의 갭 변동 허용값을 이용하여, 변동 허용값을 초과하는 프록시미티 갭이 생기는 위치와, 그 초과량을 구하는 것을 특징으로 하는 프록시미티 갭 평가 방법.
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