KR101318704B1 - 기판 지지장치, 이를 구비하는 플라즈마 처리장치 및플라즈마 처리방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 기판 지지장치는 전극부와, 상기 전극부의 상부에 마련되어 기판의 가장자리를 지지하는 기판 홀더와, 상기 전극부와 기판 홀더 사이에 위치하여 기판을 전극부에 결합시키는 완충 부재와, 상기 전극부의 하부에 연결되어 전극부와 기판 홀더를 승하강시키는 승강 부재를 포함한다.
상기와 같은 발명은 승강 부재가 전극부와 기판 홀더를 동시에 승하강시키도록 구성함으로써, 장치를 단순화시킬 수 있으며, 이에 의해 장치 내부의 공간을 효율적으로 활용할 수 있는 효과가 있다.
챔버, 플라즈마, 차폐 부재, 전극부, 완충 부재

Description

기판 지지장치, 이를 구비하는 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법{SUBSTRATE SUPPORTING APPARATUS, PLASMA PROCESSING APPARATUS HAVING THE SEME AND PLASMA PROCESSING METHOD}
본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 장치를 단순화시켜 공정 효율을 높이기 위한 기판 지지장치, 이를 구비하는 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치 및 평판 표시 장치는 기판의 전면에 다수의 박막을 증착하고 식각하여 소정 패턴의 소자들을 형성하여 제작한다. 즉, 소정의 증착 장비를 이용하여 기판의 전면에 박막을 증착하고, 식각 장비를 이용하여 박막의 일부를 식각하여 박막이 소정의 패턴을 갖도록 제작하였다.
특히, 박막 증착 공정 및 식각 공정은 기판의 전면에 대하여 동일하게 수행되는 특성으로 인하여, 기판의 후면에는 박막 증착 공정 시 증착된 박막과 파티클 등의 이물질이 제거되지 않은 채 잔류하게 되고, 기판의 후면에 증착된 이물질은 후속 공정에서 기판이 휘어지거나 기판의 정렬이 어려워지는 등의 많은 문제점을 야기시킨다. 따라서, 이러한 박막 및 파티클을 제거하기 위해 주로 건식 세정을 통 해 기판의 후면에 증착된 박막과 파티클 등의 이물질을 반복적으로 제거한 후 후속 공정을 진행함으로써, 반도체 소자 수율을 높이고 있다.
종래 기판의 후면을 세정하기 위한 건식 세정 공정은 밀폐된 챔버 내에 차폐 부재 및 하부 전극을 대향하도록 이격 배치하고, 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 차폐 부재 및 하부 전극 사이에 마련한다. 이어서, 기판을 공정 위치에 배치시키기 위해 기판을 상승시키고, 차폐 부재와 하부 전극 사이의 플라즈마 간극을 조절하도록 하부 전극을 상승시킨다. 이어서, 고진공 상태로 형성된 챔버에 반응 가스를 투입하게 된다. 이와 같이 투입된 가스는 차폐 부재 및 하부 전극 사이에 고주파 파워가 인가됨에 따라 플라즈마 상태로 변하고, 이러한 플라즈마에 의해 기판 후면의 불필요한 이물질을 제거하게 된다.
하지만, 기판 홀더를 상승시키는 구동부는 하부 전극을 상승시키는 구동부와 별도로 마련되기 때문에 장치가 복잡해지고, 이에 의해 챔버 내의 공간을 활용하기 어려운 문제점이 발생된다.
또한, 기판 홀더를 구동시키는 구동부와 하부 전극을 구동시키는 구동부를 각각 제어해야하기 때문에 공정을 위한 작업 효율이 떨어지는 문제점이 발생된다.
또한, 기판 홀더를 상승시키는 구동부는 기판을 챔버의 바닥면으로부터 상당히 높은 위치까지 이동시키기 때문에 기판이 하부 전극과 수평을 유지하기가 매우 어려운 문제점을 발생시킨다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 장치를 단순화시키고 공정 효율을 높이기 위한 기판 지지장치, 이를 구비하는 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법을 그 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 기판 지지장치는 전극부와, 상기 전극부의 상부에 마련되어 기판의 가장자리를 지지하는 기판 홀더와, 상기 전극부와 기판 홀더 사이에 위치하여 기판을 전극부에 결합시키는 완충 부재와, 상기 전극부의 하부에 연결되어 전극부와 기판 홀더를 승하강시키는 승강 부재를 포함한다.
상기 완충 부재는 상부가 개방되도록 내부 공간이 마련된 몸체와, 상기 내부 공간에 마련된 탄성 부재와, 상기 탄성 부재의 상부에 마련되어 몸체의 상부로 돌출되도록 연장 형성된 홀더 지지대를 포함할 수 있다. 상기 전극부는 전극과, 전극의 하부에 결합된 절연 플레이트를 포함하고, 상기 완충 부재는 전극의 외주연 또는 절연 플레이트의 외주연에 결합될 수 있다. 상기 홀더 지지대의 상부면에 기판 홀더의 하부면이 지지될 수 있다.
상기 기판 홀더는 기판의 가장자리를 지지하는 링 형상의 안착부와, 상기 안착부의 하부면에 연결되어 안착부의 하부면을 지지하는 측벽부와, 상기 측벽부에 형성된 배기 구멍을 포함할 수 있다.
또한, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 플라즈마 처리장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 마련된 차폐 부재와, 상기 차폐 부재와 대향하여 마련된 전극부와, 상기 차폐 부재와 전극부 사이에 마련되어 기판의 가장자리를 지지하는 기판 홀더와, 상기 전극부와 기판 홀더를 연결하는 완충 부재와, 상기 전극부의 하부에 연결되는 승강 부재를 포함한다.
상기 완충 부재는 상부가 개방되도록 내부 공간이 마련된 몸체와, 상기 내부 공간에 마련된 탄성 부재와, 상기 탄성 부재의 상부에 마련되어 몸체의 상부로 돌출되도록 연장 형성된 홀더 지지대를 포함할 수 있다.
상기 차폐 부재의 하부에는 차폐 부재의 하부를 향해 돌출 형성된 하드 스토퍼가 더 마련될 수 있다. 상기 하드 스토퍼와 대응하여 안착부의 상부에는 홈이 더 형성될 수 있다.
또한, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 플라즈마 처리방법은 기판을 챔버 내로 인입하는 단계와, 기판을 기판 홀더에 로딩하는 단계와, 기판 홀더와 기판 홀더 하방의 전극부를 동시에 상승시키는 단계와, 기판을 처리하는 단계와, 기판을 인출하는 단계를 포함한다.
상기 기판 홀더와 기판 홀더 하방의 전극부를 동시에 상승시키는 단계 이후 기판 홀더가 정지된 상태에서 전극부를 더욱 상승시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 기판 홀더가 정지된 상태에서 기판 홀더와 전극부 사이에 연결된 완충 부재가 수축하여 전극부를 더욱 상승시킬 수 있다.
본 발명은 승강 부재가 전극부와 기판 홀더를 동시에 승하강시키도록 구성함으로써, 장치를 단순화시킬 수 있으며, 이에 의해 장치 내부의 공간을 효율적으로 활용할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 전극부와 기판 홀더를 하나의 승강 부재를 사용하여 승하강시킴으로써, 승강 부재를 제어하기가 용이하며, 이에 의해 공정 효율을 상승시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 기판 홀더와 전극부 사이에 완충 부재를 마련함으로써, 기판 홀더가 고정되더라도 기판 홀더와 별도로 전극부를 승하강시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 기판 홀더를 전극부에 연결된 승강 부재에 의해 상승시킴으로써, 기판의 수평을 유지하기가 용이한 효과가 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 기판 지지장치가 구비된 플라즈마 처리장치를 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 발명의 플라즈마 처리장치에 구비된 기판 홀더를 나타낸 사시도 이고, 도 3은 본 발명의 플라즈마 처리장치에 구비된 기판 홀더의 변형예를 나타낸 사시도이고, 도 4는 본 발명의 기판 지지장치의 변형예를 나타낸 단면도이고, 도 5 및 도 6은 본 발명의 플라즈마 처리장치의 동작을 나타낸 단면도이고, 도 7은 본 발명에 따른 플라즈마 처리방법을 나타낸 순서도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내의 상부에 마련된 차폐 부재(200)와, 상기 차폐 부재(200)와 대향 마련된 기판 지지장치(1000)를 포함한다.
챔버(100)는 통상 원통형 또는 사각 박스 형상으로 형성되고, 내부에는 기판(S)을 처리할 수 있도록 소정 공간이 마련된다. 상기에서는 챔버(100)를 원통형 또는 사각 박스 형상으로 형성하였으나, 이에 한정되지 않으며 기판(S)의 형상에 대응되는 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 챔버(100)의 일측벽에는 기판(S)이 인입 및 인출되는 기판 출입구(Gate, 110)가 형성되며, 챔버(100)의 하부면에는 식각 공정 시 발생되는 파티클 등의 반응 부산물을 챔버 외부로 배기하기 위한 배기부(120)가 마련된다. 이때, 배기부(120)에는 챔버(100) 내의 불순물을 챔버(100) 외부로 배기하기 위한 배기 수단(130), 예를 들어 진공 펌프가 연결된다. 상기에서는 챔버(100)를 일체형으로 설명하였지만, 챔버(100)를 상부가 개방된 하부 챔버와, 상기 하부 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드로 분리하여 구성할 수 있음은 물론이다.
차폐 부재(200)는 챔버(100)의 상부 내측면에 원형의 플레이트 형상으로 형성되고, 이러한 차폐 부재(200)는 차폐 부재(200)의 하부에 수 mm 간격 이하 예를 들어, 0.5mm 이하의 간격으로 배치되는 기판(S)의 상부면에 플라즈마가 발생되는 것을 방지하는 역할을 한다. 차폐 부재(200)의 하부 중심 영역에는 차폐 부재(200)의 하부면을 향해 돌출 형성된 돌출부(202)가 형성될 수 있다. 돌출부(202)의 직경은 통상 기판(S)의 상부면이 이격 배치되도록 기판(S)과 대응하는 형상으로 형성되고, 기판(S)의 크기보다 약간 더 크게 형성될 수 있다. 또한, 돌출부(202)가 형성되지 않은 차폐 부재(200)의 하부면에는 하부 방향으로 즉, 기판 지지장치(1000)를 향해 돌출 형성된 원기둥 형상의 하드 스토퍼(210)가 형성되며, 하드 스토퍼(210)의 하부 끝단은 차폐 부재(200)의 하부면에 형성된 돌출부(202) 하부면의 수평면보다 낮은 위치에 배치되도록 연장 형성된다. 즉, 하드 스토퍼(210)는 상승하는 기판 홀더(400)의 상부와 접촉하게 되며, 이에 의해 기판 홀더(400)에 지지된 기판(S)은 차폐 부재(200)의 하부면에 형성된 돌출부(202)의 하부면과 미리 정해 놓은 간격으로 정확하게 유지할 수 있다. 이때, 하드 스토퍼(210)는 차폐 부재(200)의 하부면에 폐곡선을 이루는 원형의 링 형상으로 형성될 수 있으며, 분할된 링 형상으로 형성될 수도 있다. 또한, 차폐 부재(200)의 내측에는 차폐 부재(200)의 온도를 조절하기 위한 냉각 부재(미도시)가 더 마련될 수 있으며, 냉각 부재는 챔버(100) 내에 형성된 플라즈마에 의해 차폐 부재(200)가 소정 온도 이상으로 올라가는 것을 방지하여 차폐 부재(200)를 보호할 수 있다. 또한, 차폐 부재(200)에는 기판(S)의 상부면에 비반응 가스를 분사하기 위해 가스공급유닛(미도시)이 연결될 수 있으며, 이에 의해 차폐 부재(200)의 하부면에는 가스공급유닛에서 공급된 비반응 가스를 기판(S)의 상부로 분사할 수 있도록 다수의 분사홀(미도시)이 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 기판 지지장치(1000)는 차폐 부재(200)와 대향 마련되며, 전극부(300)와, 상기 전극부(300)의 상부에 마련된 기판 홀더(400)와, 상기 전극부(300)와 기판 홀더(400) 사이에 연결된 완충 부재(500)와, 상기 전극부(300)의 하부에 연결되어 전극부(300)와 기판 홀더(400)를 동시에 승하강시키는 승강 부재(600)를 포함한다.
전극부(300)는 전극(310)과, 전극(310)의 하부에 마련된 절연 플레이트(320)를 포함한다. 전극(310)은 원형의 플레이트 형상으로 형성되고, 통상 기판(S)에 대응하는 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 전극(310)의 상부면에는 기판(S)의 하부 공간에 반응 가스를 분사하기 위한 다수의 분사홀(312)의 형성되고, 전극(310)의 하부에는 다수의 분사홀(312)에 반응 가스를 공급하도록 가스 공급부(330)가 분사홀(312)과 연통되도록 연결된다. 여기서, 전극(310)의 상부면에 형성된 분사홀(312)은 원형, 다각형 등의 다양한 형상으로 형성될 수 있음은 물론이다. 또한, 전극(310)의 하부에는 전극(310)에 고주파 신호를 인가하기 위한 고주파 전원(340)이 마련되고, 고주파 전원(340)에서 인가된 고주파 신호는 전극(310)에서 분사된 반응 가스를 활성화시켜 기판(S)의 하부 공간에 플라즈마를 발생시킨다. 전극(310)의 하부에는 절연 플레이트(320)가 마련되며, 절연 플레이트(320)는 전극(310)을 지지하는 역할을 한다.
챔버(100) 내부에는 챔버(100)의 하부 내측에 고정 설치되어 전극(310)의 내측을 상하로 관통하여 전극(310)의 상부로 돌출되도록 연장 형성된 리프트 핀(350)이 더 마련될 수 있다. 리프트 핀(350)은 챔버(100) 내로 인입된 기판(S)을 받는 역할을 하며, 안정적으로 기판(S)의 후면을 지지하도록 다수개, 바람직하게는 3개 이상으로 형성될 수 있다. 상기에서는 리프트 핀(350)을 챔버(100) 내부에 고정하였지만, 승하강하도록 이동시킬 수 있음은 물론이다.
기판 홀더(400)는 차폐 부재(200)와 전극부(300) 사이에 마련되며, 리프트 핀(350)의 상부에 안착된 기판(S) 가장자리의 거의 전체를 지지하여 기판(S)을 공정 위치로 배치시키는 역할을 한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 홀더(400)는 기판(S)이 안착되는 안착부(410)와, 상기 안착부(410)의 하부를 지지하는 측벽부(420)를 포함한다. 안착부(410)는 상하부가 개방된 원형의 링 형상으로 형성되고, 안착부(410)의 상부면에는 기판(S)의 하부면 가장자리의 거의 전체가 안착된다. 또한, 안착부(410)의 상부에는 내측으로 오목하게 형성된 다수의 홈(412)이 형성될 수 있으며, 이러한 홈(412)에는 기판(S)을 공정 위치에 배치시키기 위해 기판 홀더(400)를 상승시킬 경우, 차폐 부재(200)의 하부면에 형성된 하드 스토퍼(210)와 접촉될 수 있다. 이때, 안착부(410)의 상부에 형성된 다수의 홈(412)은 생략될 수 있음은 물론이다. 여기서, 안착부(410)는 원형의 링 형상으로 형성되었지만, 기판(S)의 형상에 따라 변경될 수 있음은 물론이다. 측벽부(420)는 중심부가 상하 관통 형성된 원통형으로 형성되고, 측벽부(420)의 상부면은 안착부(410)의 하부면과 결합된다. 여기서, 측벽부(420)는 별도의 결합 부재에 의해 안착부(410)와 결합될 수 있고, 접착 부재에 의해 접착될 수 있음은 물론이다. 또한, 측벽부(420)에는 좌우로 관통 형성된 배기 구멍(422)이 다수개 형성되고, 이러한 배기 구멍(422)은 전극(310)으로부터 분사되는 반응 가스를 배기시키는 역할을 한다. 여기서, 배기 구멍(422)은 원형, 또는 다각 형상으로 형성될 수 있으며, 원형 및 다각 형상의 배기 구멍(422)이 조합되어 사용될 수 있음은 물론이다. 또한, 측벽부(420)의 하부면에는 측벽부(420)의 외측으로 돌출되도록 지지부(430)가 더 형성될 수 있으며, 이러한 지지부(430)는 기판 홀더(400)와 전극부(300) 사이에 연결되는 완충 부재(500)의 상부와 연결된다.
또한, 기판 홀더는 다음과 같이 구성될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 기판 홀더(400)는 상부면에 다수의 홈(412)이 형성된 링 형상의 안착부(410)와, 상기 안착부(410)의 내주연에 형성된 돌출부(414)와, 상기 안착부(410)의 하부면과 결합되어 다수의 배기 구멍(422)이 형성된 측벽부(420)를 포함한다. 돌출부(414)는 안착부(410)의 내주연을 따라 돌출되어 형성되고, 구체적으로 돌출부(414)의 상부면은 안착부(410)의 상부면과 단차를 가지도록 형성된다. 즉, 기판(S)의 하부 가장자리의 거의 전체는 돌출부(414)의 상부면에 안착되고, 기판(S)의 측부는 안착부(410)의 내주연과 이격 배치된다. 따라서, 기판(S)은 안정적으로 안착부(410)에 안착될 수 있다. 이때, 돌출부(414)는 도 3a에 도시된 바와 같이, 안착부(410)의 내주연을 따라 폐곡선을 이루도록 연장 형성될 수 있으며, 도 3b에 도시된 바와 같이, 안착부(410)의 내주연을 따라 분할 형성될 수 있다. 이에 의해 기판(S)의 하부면 가장자리는 돌출부(414)의 상부면과 부분 접촉 또는 점 접촉하여 안착될 수 있다. 상기에서는 안착부(410)와 측벽부(420)를 분리하여 설명하였지만, 일체로 형성될 수 있음은 물론이다. 또한, 기판 홀더(400)는 일체형으로 형성하였지만, 다수개로 분할하여 형성할 수 있음은 물론이다.
완충 부재(500)는 전극부(300)와 기판 홀더(400) 사이에 마련되어 기판 홀더(400)를 전극부(300)에 연결시키는 역할을 하며, 몸체(510)와, 상기 몸체(510) 내에 마련된 탄성 부재(520)와, 상기 탄성 부재(520)의 상부에 마련된 홀더 지지대(530)를 포함한다.
몸체(510)는 원통형 또는 다각 형상으로 형성되고, 몸체(510)의 내부에는 상부가 개방된 소정 공간이 마련된다. 소정 공간의 내측에는 탄성 부재(520)가 마련되며, 탄성 부재(520)는 소정 공간이 형성된 몸체(510)의 내측 바닥면에 고정된다. 이러한 탄성 부재(520)로는 스프링과 같은 부재가 사용될 수 있다. 탄성 부재(520)의 상부에는 홀더 지지대(530)가 마련되고, 홀더 지지대(530)는 소정 공간이 형성된 몸체(510)의 내측에 일부가 삽입되어 몸체(510)의 상부로 돌출되도록 연장 형성된다. 여기서, 완충 부재(500)는 전극부(300)의 외주연에 고정되도록 몸체(510)의 외주연이 절연 플레이트(320)의 외주연에 결합되고, 홀더 지지대(530)의 상부는 기판 홀더(400)의 하부와 결합된다. 여기서, 완충 부재(500)는 전극부(300)의 외주면에 이격되도록 다수개가 마련될 수 있으며, 다수개의 완충 부재(500)는 절연 플레이트(320)의 외주면을 따라 결합될 수 있다.
기판 홀더(400)의 상부면에 지지되는 기판(S)이 차폐 부재(200)와 소정 간격을 이루도록 전극부(300) 및 기판 홀더(400)가 상승하면, 기판 홀더(400)의 상부에 형성된 홈(412)에 차폐 부재(200)의 하부면에 형성된 하드 스토퍼(210)가 결합되며, 이에 의해 기판 홀더(400)의 상부에 안착된 기판(S)은 차폐 부재(200)와 소정 간격을 유지하게 된다. 이어서, 차폐 부재(200)와 전극부(300) 사이에 플라즈마 간 극을 조절하기 위해 전극부(300)가 더욱 상승하면, 완충 부재(500)의 몸체(510) 내에 형성된 탄성 부재(520)는 수축하게 되어 기판 홀더(400)가 고정된 상태에서 전극부(300)만 상승하게 된다.
승강 부재(600)는 전극부(300)의 하부에 연결되며, 전극부(300)와 전극부(300)에 연결된 기판 홀더(400)를 동시에 상승시키는 역할을 한다. 승강 부재(600)는 전극부(300)의 하부 구체적으로는 절연 플레이트(320)의 하부에 연결되며, 승강 부재(600)를 승하강시키기 위해 승강 부재(600)에 구동력을 제공하도록 승강 부재(600)에는 모터와 같은 구동부(미도시)가 더 연결될 수 있다.
본 발명에 따른 기판 지지장치(1000)는 다음과 같이 구성될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 지지장치(1000)는 전극부(300)와, 상기 전극부(300)의 상부에 마련된 기판 홀더(400)와, 상기 전극부(300)와 기판 홀더(400) 사이에 마련되어 전극부(300)와 기판 홀더(400)를 연결하는 완충 부재(500)와, 상기 전극부(300)의 하부에 연결되어 전극부(300)와 기판 홀더(400)를 동시에 승하강시키는 승강 부재(600)를 포함한다. 여기서, 도 1에 도시된 기판 지지장치와 중복되는 설명은 생략한다.
전극부(300)는 전극(310)과, 전극(310)의 하부면에 결합되는 절연 플레이트(320)로 구성되고, 전극부(300)의 상부에는 기판(S)의 가장자리의 거의 전체를 지지하는 기판 홀더(400)가 마련된다. 또한, 전극부(300)와 기판 홀더(400) 사이에는 전극부(300)와 기판 홀더(400)를 연결하는 완충 부재(500)가 마련된다. 완충 부재(500)의 몸체(510) 내측에는 상부가 개방된 소정 공간이 형성되며, 소정 공간에 는 탄성 부재(520)와, 탄성 부재(520)의 상부에 마련되어 기판 홀더(400)의 지지부(430)에 결합되는 홀더 지지대(530)가 마련된다. 여기서, 완충 부재(500)의 몸체(510)는 전극(310)의 외주연에 이격되어 마련되며, 연결부에 의해 전극(310)의 외주연에 결합된다. 여기서, 완충 부재(500)는 전극(310)의 외주연을 따라 다수개가 이격되어 배치될 수 있으며, 다수개의 완충 부재(500)는 전극(310)의 외주연에 각각 또는 일체로 결합될 수 있다. 또한, 전극부(300)의 하부에는 전극부(300)와 기판 홀더(400)를 동시에 승하강시키기 위한 승강 부재(600)가 연결된다. 여기서, 전극(310)의 하부에 마련된 절연 플레이트(320)는 생략될 수 있음은 물론이다.
종래에는 기판 홀더를 상승시키는 구동부와 전극부를 상승시키는 승강 부재가 별도로 마련되어 있었기 때문에 장치가 복잡해지고, 각각의 구동부를 제어해야 하기 때문에 공정 효율이 떨어지는 문제점이 발생되었다. 또한, 기판 홀더를 지지하는 승강 부재는 기판을 챔버의 바닥면으로부터 상당히 높은 위치까지 이동시켜야 하기 때문에 기판과 하부 전극 사이에 수평을 유지하기가 매우 어려웠다.
이와 대조적으로, 본 발명은 기판 홀더와 전극부를 동시에 상승시키도록 하나의 승강 부재를 마련하고, 기판 홀더를 전극부의 일측에 연결시킴으로써, 장치를 단순화시킬 수 있으며, 이에 의해 챔버 내부의 공간을 충분히 활용할 수 있다. 또한, 기판 홀더는 전극부와 동시에 승하강하기 때문에 기판과 전극부의 사이 간격을 균일하게 일정하게 수평으로 유지할 수 있다. 또한, 기판 홀더와 전극부 사이에 완충 부재를 마련함으로써, 기판 홀더가 고정된 상태에서 전극부를 승하강시킬 수 있어 전극부와 차폐 부재 사이의 플라즈마 간극을 정밀하고 용이하게 조절할 수 있 다.
이하에서는 본 발명에 따른 플라즈마 처리방법을 살펴본다. 여기서, 플라즈마 처리방법은 도 1, 도 5 및 도 6의 플라즈마 처리장치를 참조하여 설명한다.
도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 처리방법은 기판을 챔버 내로 인입하는 단계(S10)와, 기판을 기판 홀더에 로딩하는 단계(S20)와, 기판 홀더와 기판 홀더 하방의 전극부를 동시에 상승시키는 단계(S30)와, 기판 홀더가 정지된 상태에서 전극부를 더욱 상승시키는 단계(S40)와, 기판을 처리하는 단계(S50)와, 기판을 인출하는 단계(S60)를 포함한다.
외부 로봇암(미도시)은 챔버(100) 외부에 마련되어 전처리를 마친 기판(S)을 챔버(100) 내로 수평 이동하여 기판(S)을 챔버(100) 내로 이송한다. 챔버(100) 내로 이송된 기판(S)은 챔버(100) 내의 하부에 설치된 리프트 핀(350)의 상부면과 이격되도록 배치되고, 로봇암은 하부로 이동하여 기판(S)을 리프트 핀(350)의 상부면에 안착시켜 기판을 챔버 내로 인입하는 단계(S10)를 수행한다. 이때, 기판 홀더(400)의 상부면은 리프트 핀(350)의 상부면 보다 아래쪽에 배치되도록 대기한다.
이어서, 전극부(300)의 하부에 연결된 승강 부재(600)에 의해 전극부(300) 및 이에 연결된 기판 홀더(400)는 차폐 부재(200)를 향해 상승하게 되고, 전극부(300) 및 기판 홀더(400)가 상승하는 동안 리프트 핀(350)의 상부에 안착된 기판(S)은 기판 홀더(400)의 상부면에 안착되어 기판을 기판 홀더에 로딩하는 단계(S20)를 수행한다.
이어서, 기판(S)의 가장자리의 거의 전체가 안착된 기판 홀더(400)는 더욱 상승하게 되고, 도 5에 도시된 바와 같이, 차폐 부재(200)의 하부면에 형성된 하드 스토퍼(210)가 기판 홀더(400)의 안착부(410)의 상부면에 형성된 홈(412)에 끼워지면, 전극부(300) 및 기판 홀더(400)의 상승을 멈춰 기판 홀더와 기판 홀더 하방의 전극부를 동시에 상승시키는 단계(S30)를 수행한다. 여기서, 기판 홀더(400)의 상부에 안착된 기판(S)의 상부면은 차폐 부재(200)의 하부에 돌출 형성된 돌출부(202)의 하부면과 약 0.5mm 이하의 간격을 유지한다.
이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 전극부(300)의 하부에 연결된 승강 부재(600)에 의해 전극부(300)는 차폐 부재(200)와 플라즈마 간극을 조절하도록 더욱 상승한다. 이때, 전극부(300)와 기판 홀더(400) 사이에 연결된 완충 부재(500)의 몸체(510) 내에 마련된 탄성 부재(530)가 수축되면서, 전극부(300)에 연결된 기판 홀더(400)는 차폐 부재(200)의 하부에 형성된 하드 스토퍼(210)에 의해 고정된 상태를 유지하고, 전극부(300)만이 상승하게 되어 기판 홀더가 정지된 상태에서 전극부를 더욱 상승시키는 단계(S40)를 수행한다.
이어서, 전극(310)에 연결된 가스 공급부(330)로부터 반응 가스가 전극(310)에 형성된 분사홀(312)을 거쳐 기판(S)의 하부로 분사되고, 분사된 반응 가스는 기판(S)의 하부면에 균일하게 분포된다. 이때, 반응 가스가 기판(S)의 하부에 분사되는 동안 기판 홀더(400)의 측벽부(420)에 형성된 배기 구멍(422)은 전극(310)으로부터 분사되는 반응 가스를 거의 모든 방향으로 균일하게 배기시킴으로써, 기판(S) 하부에 분사된 반응 가스를 균일하게 분포시킨다. 이후, 전극(310)에 연결된 고주파 전원(340)으로부터 전극(310)에 고주파 신호가 인가되고, 이에 의해 전극(310) 과 차폐 부재(200) 사이 구체적으로는 기판(S)의 하부 공간에 균일한 플라즈마가 형성된다. 이후, 기판(S)의 하부 공간에 형성된 균일한 플라즈마는 기판(S)의 하부면에 형성된 박막 및 파티클 등의 이물질을 식각하여 기판을 처리하는 단계(S50)를 수행한다.
이어서, 전극부(300)의 하부에 연결된 승강 부재(600)에 의해 전극부(300)가 하강하기 시작하고, 기판 홀더(400)는 완충 부재(500)의 몸체(510) 내에 마련된 탄성 부재(530)가 수축된 상태에서 팽창된 상태로 바뀌면서 전극부(300)와 동시에 기판 홀더(400)가 하강하게 된다. 이후, 기판 홀더(400)가 하강하는 동안 기판 홀더(400)의 상부면에 안착된 기판(S)은 대기하던 리프트 핀(350)의 상부에 안착되고, 전극부(300) 및 기판 홀더(400)는 더욱 하강하게 되어 기판 홀더(400)의 상부면이 리프트 핀(350)의 상부면보다 낮은 위치에 배치되도록 초기 위치로 복귀한다. 이후, 리프트 핀(350)의 상부에 안착된 기판(S)은 외부 로봇암에 의해 챔버(100)의 외부로 인출되어 기판을 인출하는 단계(S60)를 마치게 된다.
상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 기판 지지장치가 구비된 플라즈마 처리장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 플라즈마 처리장치에 구비된 기판 홀더를 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 발명의 플라즈마 처리장치에 구비된 기판 홀더의 변형예를 나타낸 사시도이다.
도 4는 본 발명의 기판 지지장치의 변형예를 나타낸 단면도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 플라즈마 처리장치의 동작을 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 플라즈마 처리방법을 나타낸 순서도이다.
< 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100: 챔버 200: 차폐 부재
210: 하드 스토퍼 300: 전극부
400: 기판 홀더 500: 완충 부재
600: 승강 부재 1000: 기판 지지장치

Claims (12)

  1. 챔버와,
    상기 챔버 내에 마련된 차폐 부재와,
    상기 차폐 부재와 대향하여 마련된 전극부와,
    상기 차폐 부재와 전극부 사이에 마련되어 기판의 가장자리를 지지하는 기판 홀더와,
    상기 전극부와 기판 홀더를 연결하는 완충 부재와,
    상기 전극부의 하부에 연결되어 상기 전극부와 기판 홀더를 승하강시키는 승강 부재와,
    상기 차폐 부재의 하부에 상기 차폐 부재의 하부를 향해 돌출 형성된 하드 스토퍼를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 완충 부재는 상부가 개방되도록 내부 공간이 마련된 몸체와, 상기 내부 공간에 마련된 탄성 부재와, 상기 탄성 부재의 상부에 마련되어 몸체의 상부로 돌출되도록 연장 형성된 홀더 지지대를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 전극부는 전극과, 전극의 하부에 결합된 절연 플레이트를 포함하고, 상기 완충 부재는 전극의 외주연 또는 절연 플레이트의 외주연에 결합되는 플라즈마 처리장치.
  4. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서, 상기 홀더 지지대의 상부면에 기판 홀더의 하부면이 지지되는 플라즈마 처리장치.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 기판 홀더는 기판의 가장자리를 지지하는 링 형상의 안착부와, 상기 안착부의 하부면에 연결되어 안착부의 하부면을 지지하는 측벽부와, 상기 측벽부에 형성된 배기 구멍을 포함하는 플라즈마 처리장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 하드 스토퍼와 대응하여 상기 안착부의 상부에는 홈이 더 형성되는 플라즈마 처리장치.
  10. 챔버와, 상기 챔버 내에 마련된 서로 대향되도록 마련된 차폐 부재 및 전극부와, 상기 차폐 부재와 전극부 사이에 마련되어 기판의 가장자리를 지지하는 기판 홀더와, 상기 전극부와 기판 홀더를 연결하는 완충 부재와, 상기 전극부의 하부에 연결되어 상기 전극부와 기판 홀더를 승하강시키는 승강 부재와, 상기 차폐 부재의 하부에 상기 차폐 부재의 하부를 향해 돌출 형성된 하드 스토퍼를 포함하는 플라즈마 처리장치를 이용하고,
    상기 기판을 상기 챔버 내로 인입하는 단계와,
    상기 기판을 상기 기판 홀더에 로딩하는 단계와,
    상기 기판 홀더와 상기 전극부를 동시에 상승시키는 단계와,
    상기 기판을 처리한 후 기판을 인출하는 단계를 포함하고,
    상기 기판 홀더와 전극부가 상승하여 상기 하드 스토퍼에 의해 정지되는 플라즈마 처리방법.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 기판 홀더와 기판 홀더 하방의 전극부를 동시에 상승시키는 단계 이후 기판 홀더가 정지된 상태에서 전극부를 더욱 상승시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 처리방법.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 기판 홀더가 정지된 상태에서 기판 홀더와 전극부 사이에 연결된 완충 부재가 수축하여 전극부를 더욱 상승시키는 플라즈마 처리방법.
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KR102346064B1 (ko) 2014-03-12 2021-12-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 챔버에서의 웨이퍼 회전
KR102427159B1 (ko) * 2015-11-11 2022-08-01 삼성전자주식회사 테이프 필름의 라미네이션 장치 및 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 설비
CN116798931A (zh) * 2022-03-14 2023-09-22 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 薄膜沉积装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175162A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Hitachi Ltd ドライエッチング装置
KR20070080768A (ko) * 2006-02-08 2007-08-13 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
JP2007242474A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP4313528B2 (ja) * 2001-12-14 2009-08-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175162A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Hitachi Ltd ドライエッチング装置
JP4313528B2 (ja) * 2001-12-14 2009-08-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置
KR20070080768A (ko) * 2006-02-08 2007-08-13 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
JP2007242474A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

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