KR101315198B1 - 액정 표시장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 목적은 러빙 처리에 의해 발생하는 암(暗) 상태에서의 광 누설을 억제하는데 있다. 0 wt% 초과 1.0 wt% 이하의 농도로 자외선 경화형 액정성 모노머를 함유하는 액정 재료를 액정층에 사용하고, 이 액정층에 자외선을 조사한다. 그러한 액정층을 액정 표시장치에 적용함으로써, 암 상태에서의 광 누설을 억제할 수 있고, 흑(黑) 표시를 향상시킬 수 있다. 따라서, 콘트라스트가 우수하고 표시 품질이 높은 액정 표시장치를 얻을 수 있다.
액정 표시장치, 자외선 경화형 액정성 모노머, 광 누설, 전압 보유율

Description

액정 표시장치의 제조방법{Manufacturing method of liquid crystal display device}
본 발명은 액정 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
액정 표시장치는 경량박형의 표시장치로서 널리 사용되고 있다. 액정 표시장치는, 전계의 인가에 의해 액정 분자의 배열 상태가 변화함에 따라 액정의 굴절률이 변화하는 성질을 이용하여 화상 표시를 행한다.
액정 재료는 원래 복굴절성을 가지고 있고, 분자의 단축 방향의 굴절률과 장축 방향의 굴절률을 각각 no, ne라고 표시한다. 직선 편광이 액정에 입사하면, 초기 편광 상태로부터 no과 ne의 차이에 상응하는 위상차가 발생하고, 타원 편광이 얻어진다. 액정을 투과한 광이 진행하는 곳에 편광판이 배치되면, 편광판의 투과축과 일치한 광만이 투과하고, 입사광의 각도와 다른 각도의 직선 편광이 된다. 액정에 전계가 인가되면 배향이 변화함에 따라 액정의 굴절률이 변화하므로, 다른 편광 상태가 얻어질 수 있다. 액정의 배향과 편광판의 각도를 적절히 선택하면, 명암의 변화가 가능하다. 액정의 전기광학 효과를 이용하여 표시하기 위해서는, 기판 면에 대하여 배향 처리가 필요하고, 초기 배향에 따라 여러 가지 동작 모드가 가능해진다.
대표적인 모드로서, TN(twisted nematic) 모드가 널리 이용되고 있다. TN 모드의 경우, 전계가 없는 상태에서는 액정 분자의 장축이 기판에 평행하고, 기판들 사이에 배치된 분자들이 서로에 대하여 꼬인(twisted) 배향을 취한다. 여기에 전계를 인가하면, 액정 분자의 배향 상태는, 분자의 장축이 기판 평면에 평행한 상태로부터 분자의 장축이 기판 평면에 수직인 상태로 변한다. 그러나, 액정 분자의 초기 배향이 기판에 평행한 경우, 기판 면에 가까운 곳에 있는 분자는 그 분자와 기판과의 상호작용에 기인하여 배향력이 강해지므로 전계를 인가하더라도 쉽게 동작하지 않아, 이들 분자는 거의 초기 상태를 그대로 유지한다. 따라서, 그 부분에서는 액정의 복굴절성이 잔류하고, 이러한 복굴절성에 의한 위상차 때문에 약간의 광 누설이 발생하고, 이 때문에, 이상적인 암(暗) 상태를 얻는 것이 어려웠다.
명(明) 상태의 휘도와 암 상태의 휘도의 비(比)인 콘트라스트에 관해서는, 그 비율이 높을 수록 화질이 향상될 수 있다. 콘트라스트는 표시 성능을 결정하는 요소 중의 하나이다.
따라서, 콘트라스트 비를 향상시키는 방법으로서, 종래의 TN 모드 대신에 수직 배향 모드를 이용한 액정 표시장치가 제안되어 있다(예를 들어, 문헌 1 참조).
수직 배향 모드에서는, 액정 분자가 미리 액정 표시장치의 기판 면에 수직으로 배향되므로, TN 모드에서 발생했던 복굴절이 발생하지 않고, 투과광이 편광판에 의해 차단된다. 이 때문에, 광 누설이 적고, 암 상태가 쉽게 얻어질 수 있다. 또한, 구동 시에는, 액정 분자가 전계에 의해 수직 방향으로부터 기울어지게 되어, 액정 재료의 복굴절에 의한 광 투과성이 얻어질 수 있다.
수직 배향의 액정에 전계를 인가하면, 기판에 대한 분자의 경사각이 전계 강도, 액정 재료, 및 배향 모드의 특성에 의해 결정되고, 특별한 처리를 행하지 않는 한 분자의 방위각은 임의의 값을 취할 수 있다.
이와 같은 분자 방위각의 임의성은 배향 순서가 국소적으로 혼란될 가능성을 나타내는 것이다. 수직 배향의 액정을 사용한 실제의 표시장치를 관찰하면, 이러한 혼란에 의해 야기된 표시 결함을 종종 볼 수 있다. 이러한 표시 결함은 슐리렌(Schlieren) 구조라 불리고, 슐리렌 구조가 나타나면 화소의 투과율이 저하한다. 또한, 화상의 전환에 따라 슐리렌 구조가 이동하여 잔상이 되어, 디스플레이의 표시 품질을 저하시킨다.
이러한 결점은, 미리 분자의 방위각을 규정할 수 있는 처리인 러빙(rubbing)법을 행함으로써 방지될 수 있다.
[문헌 1] K. Ohmuro, S. Kataoka, T. Sasaki, 및 Y. Koike, Society For Information Display '97 Digest of Technical Papers, (1997) 845
러빙법이 유효한 방법이지만, 프리틸트(pre-tilt)가 발생하고, 암 표시 상태에서 광 누설이 발생한다. 본 발명은 이와 같은 광 누설에 의한 표시 품질의 저하를 개선하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 액정 표시장치 제조방법의 한가지 특징은, 한 쌍의 기판 각각의 한쪽 면 위에 전극을 형성하는 공정; 그 전극들 위에 배향막을 형성하는 공정; 및 배향막들이 대향하도록 하여 상기 한 쌍의 기판 사이에 액정층을 끼우는 공정을 포함하고, 상기 액정층은 자외선 경화형 액정성 모노머를 함유하는 액정 재료를 포함하고, 상기 액정층에 자외선을 조사하여 상기 자외선 경화형 액정성 모노머를 반응시키는 것에 있다.
본 발명의 액정 표시장치 제조방법의 다른 특징은, 한 쌍의 기판 각각의 한쪽 면 위에 전극을 형성하는 공정; 그 전극들 위에 배향막을 형성하는 공정; 및 배향막들이 대향하도록 하여 상기 한 쌍의 기판 사이에 액정층을 끼우는 공정을 포함하고, 상기 액정층은 0 wt% 초과 1.0 wt% 이하의 농도로 자외선 경화형 액정성 모노머를 함유하는 액정 재료를 포함하고, 상기 액정층에 자외선을 조사하여 상기 자외선 경화형 액정성 모노머를 반응시키는 것에 있다.
본 발명의 액정 표시장치 제조방법의 또 다른 특징은, 한 쌍의 기판 각각의 한쪽 면 위에 전극을 형성하는 공정; 그 전극들 위에 배향막을 형성하는 공정; 및 배향막들이 대향하도록 하여 상기 한 쌍의 기판 사이에 액정층을 끼우는 공정을 포함하고, 상기 액정층은 0.1 wt% 이상 1.0 wt% 이하의 농도로 자외선 경화형 액정성 모노머를 함유하는 액정 재료를 포함하고, 상기 액정층에 자외선을 조사하여 상기 자외선 경화형 액정성 모노머를 반응시키는 것에 있다.
본 발명의 액정 표시장치 제조방법의 또 다른 특징은, 상기한 구성에서, 배향막들 중 적어도 하나에 배향 처리를 행하는 것에 있다. 상기 배향 처리로서는, 러빙법을 이용할 수도 있다.
본 발명의 액정 표시장치 제조방법의 또 다른 특징은, 상기한 구성에서, 한 쌍의 기판 위에, 편광축이 직교하는 한 쌍의 편광판이 배치되는 것에 있다.
자외선 경화형 액정성 모노머는 액정 골격에 결합된 아크릴로일옥시(acryloyloxy)기(基)에 상응한다.
또한, 액정 골격으로서는, 비페닐(biphenyl)계 골격, 톨란(tolan)계 골격, 에스터(ester)계 골격, 알케닐(alkenyl)계 골격, 사이클로헥센(syclohexene)계 골격, 아진(azine)계 골격, 불소 함유 축합환(fluorine-containing condensed ring)계 골격, 및 나프탈렌(naphthalene)계 골격 중 어느 하나를 사용할 수 있다.
또한, 액정층은 수직 배향을 나타내는 것이 바람직하다. 또한, 액정 재료란, 액정층을 형성하는 액정 재료 전체를 가리키고, 이러한 액정 재료 전체에 대하여 자외선 경화형 액정성 모노머가 상기한 범위로 함유된다.
자외선 경화형 액정성 모노머를 함유하는 액정층에 자외선을 조사함으로써, 프리틸트에 의해 야기되는 암 상태에서의 광 누설을 억제할 수 있고, 흑(黑) 표시를 향상시킬 수 있다. 따라서, 콘트라스트가 우수하고 표시 품질이 높은 액정 표시장치를 얻을 수 있다.
도 1은 액정 표시장치에 사용되는 액정 셀(cell)의 단면을 설명하는 도면.
도 2는 액정 표시장치에 사용되는 액정 셀의 단면을 설명하는 도면.
도 3(A) 및 도 3(B)는 본 발명을 이용한 액정 표시장치를 나타내는 도면.
도 4(A)∼도 4(F)는 본 발명을 이용한 전자 기기를 나타내는 도면.
도 5는 실시예 1에서 제조한 액정 셀의 단면도.
도 6은 실시예 1에서 제조한 액정 셀의 투과광의 휘도의 측정 결과를 나타내는 도면.
도 7은 실시예 1에서 제조한 액정 셀의 전압 보유율의 측정 결과를 나타내는 도면.
본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 이하에 설명한다. 그러나, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 당업자라면 본 발명의 취지 및 범위로부터 벗어남이 없이 그의 형태 및 상세를 다양하게 변경할 수 있다는 것을 쉽게 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 이하에 나타낸 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것이 아니다.
[실시형태 1]
본 발명에 따른 액정 표시장치의 실시형태를 도면을 참조하여 설명한다. 도 1에, 본 발명의 일 실시형태인 액정 표시장치에 사용되는 액정 셀의 단면이 도시되어 있다. 여기서 말하는 액정 셀이란, 액정이 한 쌍의 기판 사이에 끼어지고 봉지(封止)까지 행해진 상태의 것을 가리킨다. 이와 같은 액정 셀에 구동용 배선을 부착하고 편광판 등의 광학 소자를 배치하고 구동회로를 접속하고 광원을 배치함으로써 액정 표시장치를 제조할 수 있다.
도 1에서, 부호 101, 102는 기판을 나타내고, 103, 104는 전극을 나타내고, 105, 106은 배향막을 나타내고, 107은 액정층을 나타내고, 108은 액정성 모노머를 나타내고, 109는 스페이서를 나타내고, 110은 시일(seal)재를 나타낸다.
제1 기판(101) 및 제2 기판(102)은 가시광 투과성을 가진 재료로 만들어지고, 예를 들어, 유리, 플라스틱, 석영 등이 사용될 수 있다. 액정 재료의 광학 변조를 전기 신호로 제어하는 경우에는, 후술하는 전극 등을 소망의 사양으로 형성하고 가공하기 때문에, 각 공정에서 내열성 및 내약액성을 만족하는 기판 재료를 선택할 필요가 있다. 또한, 기판의 두께에 대해서는, 가공 공정에서의 손상이나 표시장치를 완성한 후의 물리적 충격에 의한 손상이 발생하지 않는 정도의 두께인 것이 바람직하다. 예를 들어, 유리 기판의 경우, 2 mm 이하의 두께를 가지는 재료가 바람직하다. 또한, 플라스틱 기판의 경우에는, 유리 기판의 경우보다도 박판화할 수 있다. 또한, 액정 표시장치를 투과형으로 사용하는 경우에는 제1 기판(101)과 제2 기판(102) 모두가 광 투과성을 가질 필요가 있고, 반사형의 경우에는 제1 기판(101)과 제2 기판(102) 중 적어도 어느 하나가 광 투과성을 가진다.
또한, 굴절률에 이방성이 없는 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 이것은, 액정층 이외에 편광을 부여하는 요소가 기판에 함유되는 경우 시야각에 따라 색조가 다르게 표시되는 것과 같이 표시 특성이 열화(劣化)되는 것을 막기 위한 것이다.
제1 전극(103) 및 제2 전극(104)으로서, 인듐 주석 산화물(약칭: ITO, indium tin oxide)과 같이 가시광 투과성이 우수한 도전성 재료가 사용된다. 그러나, 제1 전극(103)과 제2 전극(104) 중 적어도 하나가 가시광 투과성을 가지고 있으면, 다른 하나의 전극은 반드시 가시광 투과성을 가지지 않아도 좋다.
또한, 표시에 기여하지 않는 부분 또는 전기 신호를 공급하기 위한 배선은 반드시 광 투과성을 가진 전극일 필요는 없다.
또한, 도 1에는 액정이 채워진 영역 내에 화소 전극이 하나만 존재하는 구조를 가진 소자를 나타내었지만, 본 발명이 반드시 이 구조에 한정되는 것은 아니고, 액정이 채워진 영역의 기판 위에 복수의 화소가 형성되어 있어도 문제가 없다.
배향막(105, 106)으로서는, 폴리이미드 등의 유기물이나 산화규소(SiOx, X = 1∼2) 등의 무기물을 사용할 수 있다. 배향막으로서는, 수직 배향용으로 시판되고 있는 재료를 사용할 수 있다. 배향막의 두께는 100 nm 이하가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 40 nm 이상 100 nm 이하이다.
액정층(107)의 액정으로서 네마틱 재료를 사용할 수 있다. 이러한 액정의 유전률 이방성은 부(負)인 것이 바람직하지만, 이것에 특별히 한정되지 않는다.
또한, 액정층(107) 중에는 액정성 모노머(108)가 함유된다. 액정성 모노머(108)는 단량체(모노머) 상태에서도 통상의 액정 배향법에 의해 배향될 수 있는 재료이다. 액정성 모노머(108)로서는, 자외선 조사에 의해 반응을 일으키는 자외선 경화형 액정성 모노머가 사용된다. 또한, 액정성 모노머는, 배향된 상태에서 반응이 일어나면 배향 상태는 그대로 유지하면서 액정 골격의 분자 배열을 고정화하는 재료이다. 액정성 모노머로서는, 액정 골격에 결합된 아크릴로일옥시기가 사용될 수 있다. 액정 골격에는, 비페닐계 액정, 톨란계 액정, 에스터계 골격, 알케닐계 골격, 사이클로헥센계 골격, 아진계 골격, 불소 함유 축합환계 골격, 및 나프탈렌 골격 중 어느 하나가 결합되어 있다. 이들은 어디까지나 예에 불과하고, 액 정성을 나타내는 다른 모노머도 사용될 수 있으나 이들에 한정되는 것은 아니다.
암 상태에서의 광 누설 억제효과는, 액정성 모노머의 함유량이 액정층을 형성하는 액정 재료 전체에 대하여 0 wt%를 초과하고 액정층에 자외선을 조사하는 경우에 얻어질 수 있다. 한편, 표시의 깜박임(flickering), 색조 변화 등에 영향을 미치는 전압 보유율을 고려하면, 액정성 모노머의 함유량은 1.0 wt% 이하인 것이 바람직하다. 그 때문에, 액정성 모노머는 액정 재료에 대하여 0 wt% 초과 1.0 wt% 이하의 농도로 혼합되는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 액정성 모노머는 액정 재료에 대하여 0.1 wt% 이상 1.0 wt% 이하의 농도로 혼합된다.
스페이서(109)는 제1 기판(101)과 제2 기판(102) 사이의 간격을 일정하게 유지하는 물질이고, 소망의 기판 간격을 유지할 수 있는 물질을 스페이서(109)로서 사용할 수 있다. 그의 형상에 대해서는, 구형, 기둥형, 사다키꼴형의 단면을 가진 구성물 등을 들 수 있다.
시일재(110)는 기판들을 접합하고 액정층이 시일재의 외측으로 유출되지 않도록 하는 것을 목적으로 하기 때문에, 액정 재료를 둘러싸도록 형성된다. 시일재는 접착재이어도 좋고, 열 경화형 또는 광 경화형의 재료를 사용할 수 있다. 또한, 에폭시 수지나 아크릴 수지 등도 사용할 수 있다.
다음에, 본 실시형태에서 나타낸 액정 표시장치의 액정 셀의 제조방법을 설명한다. 제1 기판(101) 및 제2 기판(102) 위에 각각 형성된 제1 전극(103) 및 제2 전극(104) 위에 각각 수직 배향용 배향막(105, 106)을 형성한다. 수직 배향의 경우, 상기한 바와 같이 분자 방위각의 임의성에 의해 배향 결함이 일어날 가능성이 있기 때문에, 배향막(105, 106)의 표면에는 방위각을 규정하도록 필요에 따라 배향 처리를 행한다. 또한, 배향 처리 방법으로서는 러빙법을 사용할 수 있다.
러빙법을 사용하는 경우, 배향막(105)에 대한 러빙 처리의 방향과 배향막(106)에 대한 러빙 처리의 방향은 동일 방향이어도 좋고 역방향이어도 좋고, 또는 상부 배향막의 방향과 하부 배향막의 방향이 직각으로 교차하도록 두 방향을 설정하여도 좋다. 또한, 어느 한쪽의 배향막에만 러빙 처리를 행할 수도 있다. 또한, 화소의 내부를 복수의 영역으로 분할하여 각각의 영역에서 상이한 방향으로 러빙 처리를 행할 수도 있다.
또한, 액티브 매트릭스 구동의 경우, 액정의 번인(brun-in)을 방지하도록 교류 파형을 사용하여 장치를 구동하는 것이 일반적이고, 화소들 사이에서 신호의 위상이 반전하도록 구동할 수도 있다. 액티브 매트릭스 구동의 경우, 소스선 반전 구동과 게이트선 반전 구동이 있다. 액정의 배향은 화소들 사이의 전계의 방향에 의해 영향을 받기 때문에, 반전 구동 방식에 따른 배향 방향을 선택할 수도 있다. 예를 들어, 소스선 반전 구동의 경우, 러빙 방향을 소스선에 대하여 평행하게 한다.
다음에, 배향막이 형성된 기판 위에, 기판 간격을 유지하는 스페이서(109)를 배치한다. 구형의 비드(bead) 스페이서를 사용하는 경우에는, 캐리어 가스로서 불활성 가스를 사용하여 스페이서를 제1 기판(101) 또는 제2 기판(102) 위에 산포한다. 스페이서의 산포는 어느 한쪽 기판에 대해서만 행할 수 있다. 또한, 미리 기판 위에 간격 유지용 구성물을 형성해 두어도 좋고, 이 경우에는 특별히 비드 스페 이서를 산포할 필요가 없다.
다음에, 제1 기판(101) 또는 제2 기판(102) 위에 시일재(110)를 도포한다. 시일재의 도포는 디스펜서법이나 스크린 인쇄법에 의해 행하면 좋다. 배향막이 형성된 기판 면들이 대향하도록 하여 두 기판을 서로 부착한 다음, 시일재(110)를 경화시킨다.
다음에, 액정층(107)을 제1 기판(101)과 제2 기판(102) 사이에 배치한다. 액정층(107)에 사용되는 액정 재료에는 상기한 액정성 모노머가 미리 함유되어 있다. 액정층(107)은, 예를 들어, 진공 주입법을 이용하여 액정성 모노머(108)를 함유한 액정 재료를 주입함으로써 제1 기판(101)과 제2 기판(102) 사이에 배치될 수 있다.
또는, 제1 기판(101) 위에 시일재(110)를 형성한 후 액정성 모노머(108)를 함유한 액정 재료를 적하한 다음, 제2 기판(102)을 부착시키는 방법을 이용할 수도 있다. 또한, 대면적 기판을 사용하는 경우에는, 액정 재료를 주입하는 방법보다는 액정 재료를 적하하는 방법이 더 바람직하다.
액정 재료를 주입한 후, 서로 부착된 기판들의 밀봉부 외측의 부분을 유리 스크라이버(scriber)로 절단하고, 구동 신호를 입력하기 위한 전극을 취출한다. 전극을 취출한 후, 수지로 봉지(封止)한다. 또한, 액정 주입시 발생한 액정의 배향 불균일성을 없애기 위해, 액정의 상(相)전이 온도보다 5∼10℃ 높은 온도로 제어된 가열장치에서 액정 재료를 등방상으로 변화시키고 30초간 유지한 후 실온으로 온도를 저하시킨다.
이어서, 액정층(107)에 자외선을 조사하여, 액정 재료에 함유된 액정성 모노머(108)를 반응시킨다. 자외선 조사에는 자외선 조사 장치를 사용한다. 예를 들어, 중심 파장이 365 nm인 자외선을 사용할 수 있다. 또한, 파장, 강도 및 조사 시간 등의 조사 조건은 액정 재료가 열화하지 않는 정도로 적절히 선택한다. 또한, 제1 기판(101) 및 제2 기판(102) 위에, 편광축이 직교하는 한 쌍의 편광판을 설치한다.
반응한 액정성 모노머(108)는, 액정 재료 중에 산포되거나 망상으로 배치된 상태가 된다. 자외선 조사에 의해 액정성 모노머가 경화된 때, 러빙 처리에 의해 기판 면과 액정 분자 사이에 형성된 프리틸트가 변하여 액정 분자가 기판에 대하여 수직으로 배향되는 것으로 고려된다.
상기한 바와 같이, 자외선 경화형 액정성 모노머를 함유하는 액정층에 자외선을 조사함으로써, 프리틸트에 의한 암 상태에서의 광 누설을 억제할 수 있고, 흑 표시를 향상시킬 수 있다. 따라서, 콘트라스트가 우수하고 표시 품질이 높은 액정 표시장치를 얻을 수 있다.
본 실시형태에서는 수직 배향 모드에 대하여 설명하였지만, 동작 모드는 이것에 특별히 한정되지 않고, 프리틸트에 의해 광 누설이 발생하는 경우에 본 발명이 효과적이다.
[실시형태 2]
본 발명의 일 실시형태인 액정 표시장치에 사용되는 액정 셀의 단면을 도 2에 나타낸다. 돌기부(120) 이외의 구조는 실시형태 1과 동일하기 때문에, 동일 부 분에 대하여 동일 부호를 사용하여 나타내고, 그의 설명을 생략한다. 본 실시형태에서도, 제1 기판(101) 및 제2 기판(102) 위에, 편광축이 직교하는 한 쌍의 편광판이 설치되어 있다.
제1 전극(103) 위에 돌기부(120)를 형성한다. 돌기부(120)의 형상은 특별히 한정되지 않고, 원통형이어도 좋고 기둥 형상이나 원추 형상이어도 좋다. 돌기부는 제2 전극(104)에 도달하여도 좋고 도달하지 않아도 좋다. 또한, 돌기부(120)를 형성하는 재료로서는 무기물이나 유기물을 사용할 수 있다. 무기물로서는, 산화규소(SiO2), 질화규소(SiN) 또는 산화질화규소(SiON) 등을 사용할 수 있고, 유기물로서는, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 레지스트, 디비닐벤젠 등을 사용할 수 있다. 그러나, 돌기부(120)는 절연성을 가질 필요가 있다. 또한, 돌기부(120)는 제2 전극(104) 위에 형성할 수도 있다.
상기한 돌기부(120)는 액정 재료 중에 함유된 액정성 모노머(108)의 분포가 불균일하게 되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 실시형태 1과 마찬가지로, 액정성 모노머(108)를 함유한 액정층(107)을 제1 기판(101)과 제2 기판(102) 사이에 배치한다. 그리고, 암 상태에서의 광 누설 억제 및 전압 보유율의 관점에서, 액정성 모노머(108)는 액정층에 사용되는 액정 재료 전체에 대하여 0 wt% 초과 1.0 wt% 이하의 농도로 함유된다. 또한, 액정성 모노머는 액정 재료에 대하여 0.1 wt% 이상 1.0 wt% 이하의 농도로 함유되는 것이 더 바람직하다.
그 후, 액정층(107)에 자외선을 조사하여, 액정 재료에 함유된 액정성 모노머(108)를 반응시킨다.
이와 같은 액정층을 가진 표시장치는 암 상태에서의 광 누설을 억제할 수 있고, 흑 표시를 향상시킬 수 있다. 또한, 돌기부(120) 때문에 전압 인가시 액정의 복수의 틸트 방향이 얻어질 수 있으므로, 명 표시 시의 시야각을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 실시형태의 액정 셀을 사용함으로써, 표시 품질이 더욱 우수한 액정 표시장치를 얻을 수 있다.
[실시형태 3]
본 실시형태에서는, 본 발명을 적용한 액티브형 액정 표시장치에 대하여 도 3(A) 및 도 3(B)를 참조하여 설명한다. 도 3(A)는 발광장치를 나타내는 상면도이고, 도 3(B)는 도 3(A)의 A-A'선에 따른 단면도(A-A'선의 절단면의 도면)이다. 도 3(A) 및 도 3(B)에서, 대응하는 것을 동일한 부호를 사용하여 나타내었다. 부호 200은 기판이고, 점선으로 나타낸 201은 구동회로부(소스측 구동회로)이고, 202는 화소부이고, 203은 구동회로부(게이트측 구동회로)이다. 또한, 부호 204는 대향 기판이고, 205는 시일재이다.
다음에, 단면 구조에 대하여 도 3(B)를 참조하여 설명한다. 기판(200) 위에는 구동회로부 및 화소부가 형성되어 있고, 여기서는 구동회로부로서의 소스측 구동회로(201)와 화소부(202)가 나타내어져 있다. 또한, 기판(200) 위에는 하지막(209)이 제공되어 있다.
기판(200)으로서는, 바륨 붕규산 유리나 알루미노 붕규산 유리와 같은 유기 기판, 석영 기판, 스테인리스 강 기판 등이 사용될 수 있다. 또한, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에테르 설폰(PES)으로 대표되는 플라스틱 및 아크릴과 같은 가요성 합성 수지로 된 기판은 일반적으로 다른 기판보다 내열 온도가 낮은 경향이 있지만 제조 공정에서의 처리 온도에 견딜 수 있는 한 사용될 수도 있다.
또한, 소스측 구동회로(201)에는 n채널형 박막트랜지스터(211)와 p채널형 박막트랜지스터(212)를 조합시킨 CMOS 회로가 형성되어 있다. 또한, 박막트랜지스터로 형성된 구동회로는 공지의 CMOS 회로, PMOS 회로 또는 NMOS 회로로 형성할 수도 있다. 본 실시형태에서는, 기판 위에 구동회로를 형성한 드라이버 일체형을 나타내지만, 반드시 그럴 필요는 없고, 구동회로를 기판 위가 아니라 기판 외부에 형성할 수도 있다.
또한, 화소부(202)에는 스위칭용 박막트랜지스터(213)와 용량 소자(214)가 형성되어 있다. 스위칭용 박막트랜지스터(213)는 층간절연막(221)으로 덮여 있고, 스위칭용 박막트랜지스터(213)의 소스 전극 또는 드레인 전극이 콘택트 홀을 통해 화소 전극(222)에 전기적으로 접속되어 있다.
다음에, 스위칭용 박막트랜지스터(213)의 배선, 화소 전극(222), n채널형 박막트랜지스터(211) 및 p채널형 박막트랜지스터(212)의 배선을 덮도록 보호막(223)이 형성된다. 보호막(223)에 의해 박막트랜지스터의 활성층이나 층간절연막(221) 등에의 불순물의 침입을 방지할 수 있다.
보호막(223) 위에 배향막(224)이 형성된다. 또한, 배향막(224)에는 러빙 처 리가 행해진다.
다음에, 대향 기판(230)을 준비한다. 대향 기판(230)에는, 컬러 필터(231) 및 블랙 매트릭스(BM)(232)가 제공된다. 컬러 필터(231) 및 블랙 매트릭스(BM)(232)는 특별히 한정되지 않지만 액적 토출법(대표적으로는 잉크젯법)에 의해 형성하면, 재료의 손실을 방지할 수 있다. 또한, 컬러 필터(231)는 스위칭용 박막트랜지스터(213)가 배치되지 않은 영역에 제공된다. 컬러 필터(231) 등은, 액정 표시장치를 풀 컬러 표시장치로 하는 경우 적색(R), 녹색(G), 청색(B)을 나타내는 재료들로 형성될 수 있고, 단색 표시장치로 하는 경우에는 적어도 하나의 색을 나타내는 재료로 형성될 수 있다. 또한, 컬러 필터(231)는 색 변환층을 적층한 구성으로 할 수도 있다. 블랙 매트릭스(232)는 스위칭용 박막트랜지스터(213)나 그 밖의 트랜지스터 등의 배선에 의한 외광의 반사를 감소시키기 위해 제공된다. 그 때문에, 블랙 매트릭스(232)는 스위칭용 박막트랜지스터(213), n채널형 박막트랜지스터(211) 및 p채널형 박막트랜지스터(212) 위에 배치되도록 제공될 수도 있다.
이어서, 대향 전극(233) 및 배향막(234)이 제공된다. 배향막(234)에는 러빙 처리를 실시한다. 러빙 방향은 반(反)평행 러빙(anti-parallel rubbing)으로 하였다.
이와 같은 대향 기판(230)을 시일재(205)를 사용하여 기판(200)에 부착한다. 또한, 시일재(205)는 디스펜서법 등을 사용하여 기판(200) 위에 선택적으로 도포될 수 있다. 기판(200)과 대향 기판(230) 사이의 간격을 유지하기 위해, 화소부(202) 및 구동회로부에 스페이서(235)를 제공한다. 스페이서(235)는 기둥 형상 또는 구 형상 등일 수 있다.
다음에, 서로 부착된 기판(200)과 대향 기판(230) 사이에 자외선 경화형 액정성 모노머를 함유하는 액정 재료를 주입하여 액정층(240)을 형성한다. 액정을 주입할 때, 액정 주입은 진공 중에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 액정층은 주입법 이외의 방법에 의해 형성할 수도 있다. 예를 들어, 액정 재료를 적하한 다음, 대향 기판(230)을 부착할 수도 있다. 이와 같은 적하법은 대형 기판을 처리할 때 바람직하다. 또한, 암 상태에서의 광 누설 억제 및 전압 보유율의 관점에서, 자외선 경화형 액정성 모노머는 액정 재료에 대하여 0 wt% 초과 1.0 wt% 이하의 농도로 함유된다. 더욱 바람직하게는, 자외선 경화형 액정성 모노머는 액정 재료에 대하여 0.1 wt% 이상 1.0 wt% 이하의 농도로 함유되는 것이 바람직하다.
액정 재료를 주입한 후, 액정층(240)에 자외선을 조사하여, 액정 재료에 함유된 자외선 경화형 액정성 모노머를 반응시킨다. 또한, 파장, 강도 및 조사 시간 등의 조사 조건은, 액정 재료를 열화시키지 않고 또한 스위칭용 박막트랜지스터(213), n채널형 박막트랜지스터(211) 및 p채널형 박막트랜지스터(212)에 영향을 미치지 않는 정도 내에서 임의로 선택된다. 액티브 매트릭스형 표시장치의 경우, 조사한 자외선이 배선이나 블랙 매트릭스에 의해 차단되기 때문에, 실시형태 1 및 2의 액정 셀에 대한 조사 시간보다도 길게 조사할 필요가 있다.
그 후, 제1 기판(101) 및 제2 기판(102)에, 편광축이 직교하는 한 쌍의 편광판이 제공된다.
또한, 부호 210은 소스측 구동회로(201) 또는 게이트측 구동회로(203)에 입 력되는 신호를 전송하기 위한 배선이고, 이 배선은 외부 입력 단자가 되는 FPC(가요성 인쇄 회로)(208)로부터 비디오 신호, 클록 신호, 스타트 신호, 리셋 신호 등을 받는다. 또한, 여기서는 FPC만 도시되어 있지만, 이 FPC에는 프린트 배선 기판(PWB)이 부착될 수도 있다. 본 발명의 표시장치에는, 표시장치 본체만인 경우는 물론 여기에 FPC 또는 PWB이 부착된 상태도 포함하는 것으로 한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 액정 표시장치는, 자외선 경화형 액정성 모노머를 함유하는 액정층에 자외선을 조사함으로써 암 상태에서의 광 누설을 억제할 수 있고 흑 표시를 향상시킬 수 있다. 따라서, 콘트라스트가 우수하고 표시 품질이 높은 액정 표시장치를 얻을 수 있다.
본 실시형태에서는 액정에 인가되는 전압을 스위칭용 박막트랜지스터(213)에 의해 제어하는 액티브형의 표시장치에 대하여 설명하였지만, 각각의 화소에 박막트랜지스터를 설치하지 않은 패시브형 표시장치일 수도 있다.
또한, 본 실시형태는 다른 실시형태들 및 실시예들과 자유롭게 조합하여 사용될 수 있다.
[실시형태 4]
본 발명의 액정 표시장치를 구비한 전자기기로서는, 텔레비젼 장치(간단히, 텔레비젼 또는 텔레비젼 수신기라고도 함), 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라 등의 카메라, 휴대 전화 장치(간단히, 휴대 전화기, 휴대 전화라고도 함), PDA(Personal Digital Assistant) 등의 휴대형 정보 단말기, 휴대형 게임기, 컴퓨터용 모니터, 컴퓨터, 카 오디오 시스템 등의 음향 재생 장치, 가정용 게임기 등과 같은 기록 매체를 구비한 화상 재생 장치 등을 들 수 있다. 그의 구체적인 예에 대하여 도 4(A)∼도 4(F)를 참조하여 설명한다.
도 4(A)에 나타낸 휴대형 정보 단말기는 본체(301), 표시부(302) 등을 포함하고 있다. 표시부(302)에 본 발명의 액정 표시장치를 적용함으로써, 암 상태에서의 광 누설을 억제할 수 있다. 따라서, 콘트라스트가 우수하고 표시 품질이 높은 표시부를 가진 휴대형 정보 단말기를 얻을 수 있다.
도 4(B)에 나타낸 디지털 비디오 카메라는 본체(311), 표시부(312) 등을 포함하고 있다. 표시부(312)에 본 발명의 액정 표시장치를 적용함으로써, 암 상태에서의 광 누설을 억제할 수 있다. 따라서, 콘트라스트가 우수하고 표시 품질이 높은 표시부를 가진 디지털 비디오 카메라를 얻을 수 있다.
도 4(C)에 나타낸 휴대 전화기는 본체(321), 표시부(322) 등을 포함하고 있다. 표시부(322)에 본 발명의 액정 표시장치를 적용함으로써, 암 상태에서의 광 누설을 억제할 수 있다. 따라서, 콘트라스트가 우수하고 표시 품질이 높은 표시부를 가진 휴대 전화기를 얻을 수 있다.
도 4(D)에 나타낸 휴대형 텔레비젼 장치는 본체(331), 표시부(332) 등을 포함하고 있다. 표시부(332)에 본 발명의 액정 표시장치를 적용함으로써, 암 상태에서의 광 누설을 억제할 수 있다. 따라서, 콘트라스트가 우수하고 표시 품질이 높은 휴대형 텔레비젼 장치를 얻을 수 있다. 또한, 휴대 전화기 등의 휴대형 단말기에 탑재하는 소형의 것으부터 가지고 다닐 수 있는 중형의 것, 또한 대형의 것(예를 들어, 40 인치 이상)에 이르기까지 넓은 범위의 텔레비젼 장치에 본 발명의 액 정 표시장치를 적용할 수 있다.
도 4(E)에 나타낸 휴대형 컴퓨터는 본체(341), 표시부(342) 등을 포함하고 있다. 표시부(342)에 본 발명의 액정 표시장치를 적용함으로써, 암 상태에서의 광 누설을 억제할 수 있다. 따라서, 콘트라스트가 우수하고 표시 품질이 높은 휴대형 컴퓨터를 얻을 수 있다.
도 4(F)에 나타낸 텔레비젼 장치는 본체(351), 표시부(352) 등을 포함하고 있다. 표시부(352)에 본 발명의 액정 표시장치를 적용함으로써, 암 상태에서의 광 누설을 억제할 수 있다. 따라서, 콘트라스트가 우수하고 표시 품질이 높은 텔레비젼 장치를 얻을 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 액정 표시장치를 사용함으로써, 암 상태에서의 광 누설을 억제할 수 있고 흑 표시를 향상시킬 수 있다. 따라서, 콘트라스트가 우수하고 표시 품질이 높은 전자기기를 제공할 수 있다.
[실시예 1]
자외선 경화형 액정성 모노머를 함유하는 액정 재료의 광학 특성을 평가하기 위해, 도 5에 나타낸 액정 셀을 제작하였다.
제1 기판(401) 및 제2 기판(402) 각각에 2 cm×2 cm, 두께 0.7 mm의 유리 기판을 사용하고, 제1 기판(401) 및 제2 기판(402) 위에 투명 전극인 ITO 막으로 형성된 제1 전극(403) 및 제2 전극(404)을 각각 형성하였다. 또한, 제1 전극(403) 및 제2 전극(404)은 외부로부터 액정에 전계를 인가하기 위한 취출 전극으로서 사용된다. 또한, 제1 전극(403) 및 제2 전극(404) 각각의 사이즈는 7 mm×7 mm이다.
제1 기판(401) 및 제2 기판(402) 위에 형성된 제1 전극(403) 및 제2 전극(404) 각각 위에, 액정 재료를 배향시키는 수직 배향용 배향막(405, 406)을 60 nm의 막 두께로 형성하였다. 또한, 수직 배향용 배향막으로서는, SE―5300(Nissan Chemical Industries, Ltd. 제조)을 사용하였다.
다음에, 배향막(405, 406)에 러빙 처리를 실시하였다. 러빙 조건은 스테이지 이송 속도 10 mm/s, 롤 회전수 300 rpm, 롤 압압 깊이 0.3 mm로 하고, 반평행 러빙을 행하였다.
다음에, 배향막이 형성된 제1 기판(401) 위에 스페이서(409)를 배치하였다. 스페이서(409)로서는 구 형상의 비드 스페이서를 사용하였다. 그후, 전극이 형성되어 있는 부분이 대향하도록 제1 기판(401)과 제2 기판(402)을 접합하기 위해, 제1 기판(401) 위에 시일재(410)를 도포하고, 양 기판을 서로 부착하였다. 또한, 시일재로서는, SiO2를 주성분으로 하는 원통형의 섬유가 혼합된 에폭시 수지를 사용하였다.
다음에, 액정층(407)을 형성하였다. 형성 방법에 대하여 아래에 설명한다. 먼저, 진공 주입법을 사용하여 제1 기판(401)과 제2 기판(402) 사이에 액정 재료를 배치하였다. 액정 재료로서는, 유전 이방성이 부(負)인 네마틱 액정인 MLC2038(Merck Ltd. 제조)과, 액정성 모노머(408)에 상응하는 UCL003(Dainippon Ink and Chemicals, Incorporated 제조)을 사용하였다. 그리고, 전극을 취출한 후, 수지로 봉지(封止)를 행하였다. 또한, 액정을 주입할 때 발생한 액정의 배향 불균일성을 제거하기 위해, 액정층을 액정의 상(相)전이 온도보다 5∼10℃ 높은 온도로 제어한 가열 장치에 30초간 유지한 후, 그 온도를 실온으로 저하시켰다.
이어서, 액정 셀에 자외선을 조사하였다. 중심 파장이 365 nm이고 조사 강도가 6.0 mW/cm2인 자외선을 사용하였고, 조사 시간은 1분이었다. 이상과 같이 하여, 액정층(407)이 형성되었다. 계속하여, 제1 기판(401) 및 제2 기판(402)에, 편광축이 직교하는 한 쌍의 편광판을 설치하였다.
이와 같이 제작한 액정 셀에 대하여, 자외선 조사 전과 후의 액정성 모노머 함유량에 대한 투과광 휘도를 조사하였다. 그 결과를 도 6에 나타낸다. 또한, 액정성 모노머의 함유량을 액정 재료에 대하여 0∼5 wt%의 범위 내로 하여 측정하였다. 또한, 투과광 휘도는 광 누설을 의미한다. 도 6으로부터, 액정층에 자외선을 조사함으로써 투과광 휘도가 감소된다는 것을 볼 수 있었다. 따라서, 자외선 조사에 의해 광 누설을 억제할 수 있다는 것이 밝혀졌다. 또한, 액정층에 자외선을 조사한 경우, 액정성 모노머의 함유량이 증가함에 따라 광 누설 억제 효과는 향상하고, 함유량 1 wt% 이상에서는 투과광 휘도를 거의 0 cd/m2로 할 수 있었다. 또한, 액정성 모노머를 약간만 함유한 경우에도, 액정성 모노머가 0 wt%인 경우와 비교하여 광 누설 억제 효과를 볼 수 있었다. 이상의 내용으로부터, 광 누설 억제 효과는 액정성 모노머 함유량이 액정 재료에 대하여 0 wt%를 초과하고 액정층에 자외선을 조사하는 경우에 얻어질 수 있다는 것이 밝혀졌다.
또한, 액정 표시장치에 상기 액정 셀을 사용하는 경우, 전압 보유율도 고려 할 필요가 있다. 전압 보유율이 낮으면, 표시의 깜박임, 색조 변화 등의 원인이 된다. 따라서, 자외선 조사후 액정성 모노머 함유량에 대한 액정 셀의 전압 보유율을 조사하였다. 그 결과를 도 7에 나타낸다. 또한, 액정성 모노머의 함유량을 액정 재료에 대하여 0∼5 wt%의 범위 내로 하여 측정하였다. 인가 전압은 5 V이었고, 전압 보유율 100%란, 인가 전압에 대해 전압 저하가 전혀 일어나지 않은 상태를 말한다.
도 7로부터, 자외선 조사 후의 액정 셀의 전압 보유율은 액정성 모노머의 함유량이 증가할 수록 저하하는 것으로 밝혀졌다. 액정성 모노머를 함유한 액정층을 표시장치에 적용한 경우, 목표로서 80%의 전압 보유율을 확보하는 것이 바람직하다고 한다면, 액정성 모노머의 함유량은 액정 재료에 대하여 1.0 wt% 이하인 것이 바람직한 것으로 밝혀졌다.
상기한 바와 같이, 광 누설 억제 및 전압 보유율의 관점에서, 액정성 모노머의 함유량은 액정 재료에 대하여 0 wt% 초과 1.0 wt% 이하인 것이 바람직하다는 것이 밝혀졌다. 더욱 바람직하게는 0.1 wt% 이상 1.0 wt% 이하이었다.
상기한 범위에서 자외선을 조사한 액정성 모노머를 함유한 액정층을 표시장치에 적용함으로써, 암 상태에서의 광 누설을 억제할 수 있고 흑 표시를 향상시킬 수 있다. 따라서, 콘트라스트가 우수하고 표시 품질이 높은 액정 표시장치를 얻을 수 있다.

Claims (38)

  1. 한 쌍의 기판 각각의 한쪽 면 위에 전극을 형성하는 공정;
    각각의 상기 전극 위에 배향막을 형성하는 공정; 및
    상기 배향막들이 대향하도록 하여 상기 한 쌍의 기판 사이에 액정층을 끼우는 공정을 포함하고,
    상기 액정층은 0.5 wt% 초과 5.0 wt% 이하의 농도로 자외선 경화형 액정성 모노머와 액정 분자를 함유하는 액정 재료를 포함하고,
    상기 액정층에 자외선을 조사하여 상기 자외선 경화형 액정성 모노머를 반응시키고,
    상기 액정 분자는 프리틸트를 억압하도록 상기 기판에 수직으로 배향되는, 액정 표시장치 제조방법.
  2. 한 쌍의 기판 각각의 한쪽 면 위에 전극을 형성하는 공정;
    각각의 상기 전극 위에 배향막을 형성하고, 상기 배향막 중 적어도 하나에 배향 처리를 행하는 공정; 및
    상기 배향막들이 대향하도록 하여 상기 한 쌍의 기판 사이에 액정층을 끼우는 공정을 포함하고,
    상기 액정층은 0.5 wt% 초과 5.0 wt% 이하의 농도로 자외선 경화형 액정성 모노머와 액정 분자를 함유하는 액정 재료를 포함하고,
    상기 액정층에 자외선을 조사하여 상기 자외선 경화형 액정성 모노머를 반응시키고,
    상기 액정 분자는 프리틸트를 억압하도록 상기 기판에 수직으로 배향되는, 액정 표시장치 제조방법.
  3. 삭제
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 배향 처리로서 러빙(rubbing)법을 사용하는, 액정 표시장치 제조방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 액정층이 수직 배향을 나타내는, 액정 표시장치 제조방법.
  9. 한 쌍의 기판 위에 각각 제공된 한 쌍의 전극;
    상기 한 쌍의 전극 위에 각각 제공된 한 쌍의 배향막; 및
    상기 한 쌍의 배향막 사이에 끼어진 액정층을 포함하고,
    상기 액정층은 0.5 wt% 초과 5.0 wt% 이하의 농도로 자외선 경화형 액정성 모노머와 액정 분자를 포함하고,
    상기 액정층에 자외선을 조사하여 상기 자외선 경화형 액정성 모노머를 반응시키고,
    상기 액정 분자는 프리틸트를 억압하도록 상기 기판에 수직으로 배향되는, 액정 표시장치.
  10. 삭제
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 한 쌍의 배향막에 러빙 처리가 부여된, 액정 표시장치.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 액정층이 수직 배향을 나타내는, 액정 표시장치.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 한 쌍의 기판 각각의 한쪽 면 위에 전극을 형성하는 공정;
    각각의 상기 전극 위에 배향막을 형성하는 공정;
    상기 배향막들이 서로 대향하도록 하여 상기 한 쌍의 기판 사이에 액정층을 끼우는 공정을 포함하고,
    상기 액정층은 액정 분자와, 0.5 wt% 초과 5.0 wt% 이하의 농도로 자외선 경화형 액정성 모노머를 포함하고,
    상기 액정층에 자외선을 조사하여 상기 자외선 경화형 액정성 모노머를 반응시키고,
    상기 반응한 자외선 경화형 액정성 모노머의 일부를 상기 배향막 위에 위치시키고,
    상기 액정 분자는 프리틸트를 억압하도록 상기 기판에 수직으로 배향되는, 액정 표시장치 제조방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 배향막 중의 적어도 하나에 배향 처리를 행하는 공정을 더 포함하는, 액정 표시장치 제조방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 배향 처리가 러빙(rubbing)법인, 액정 표시장치 제조방법.
  23. 제 1 항, 제 2 항 및 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    편광축이 직교하는 한 쌍의 편광판이 상기 한 쌍의 기판 위에 배치되는 공정을 더 포함하는, 액정 표시장치 제조방법.
  24. 제 1 항, 제 2 항 및 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 자외선 경화형 액정성 모노머는 액정 골격에 결합된 아크릴로일옥시(acryloyloxy)기(基)인, 액정 표시장치의 제조방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 액정 골격이, 비페닐계 골격, 톨란계 골격, 에스터계 골격, 알케닐계 골격, 사이클로헥센계 골격, 아진계 골격, 불소 함유 축합환계 골격 및 나프탈렌계 골격 중 어느 하나인, 액정 표시장치 제조방법.
  26. 제 20 항에 있어서,
    상기 전극들의 적어도 하나 위에 돌기부를 형성하는 공정을 더 포함하는, 액정 표시장치 제조방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 돌기부는 상기 배향막 중의 하나로 덮여 있는, 액정 표시장치 제조방법.
  28. 제 26 항에 있어서,
    상기 돌기부의 재료는 산화 규소, 질화 규소, 산화질화 규소, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 레지스트, 디비닐벤젠으로 이루어진 군에서 선택되는, 액정 표시장치 제조방법.
  29. 삭제
  30. 한 쌍의 기판 사이에 각각 제공된 한 쌍의 전극;
    상기 한 쌍의 전극 사이에 각각 제공된 한 쌍의 배향막; 및
    상기 한 쌍의 배향막 사이에 끼어진 액정층을 포함하고,
    상기 액정층은 액정 분자와, 0.5 wt% 초과 5.0 wt% 이하의 농도로 자외선 경화형 액정성 모노머를 포함하고,
    상기 액정층에 자외선을 조사하여 상기 자외선 경화형 액정성 모노머를 반응시키고,
    상기 반응한 자외선 경화형 액정성 모노머의 일부는 각각 상기 한 쌍의 배향막 중의 하나 위에 있고,
    상기 액정 분자는 프리틸트가 억압되도록 상기 기판에 수직으로 배향된, 액정 표시장치.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 한 쌍의 배향막에 배향 처리가 부여된, 액정 표시장치.
  32. 제 31 항에 있어서,
    상기 배향 처리는 러빙 처리인, 액정 표시장치.
  33. 제 9 항 또는 제 30 항에 있어서,
    편광축이 직교하는 한 쌍의 편광판이 상기 한 쌍의 기판 위에 배치되어 있는, 액정 표시장치.
  34. 제 9 항 또는 제 30 항에 있어서,
    상기 자외선 경화형 액정성 모노머는 액정 골격에 결합된 아크릴로일옥시기인, 액정 표시장치.
  35. 제 34 항에 있어서,
    상기 액정 골격이, 비페닐계 골격, 톨란계 골격, 에스터계 골격, 알케닐계 골격, 사이클로헥센계 골격, 아진계 골격, 불소 함유 축합환계 골격 및 나프탈렌계 골격 중 어느 하나인, 액정 표시장치.
  36. 제 9 항 또는 제 30 항에 있어서,
    상기 한 쌍의 전극 중 적어도 하나 위에 제공된 돌기부를 더 포함하는, 액정 표시장치.
  37. 제 36 항에 있어서,
    상기 돌기부가 상기 한 쌍의 배향막 중 하나로 덮여 있는, 액정 표시장치.
  38. 제 37 항에 있어서,
    상기 돌기부의 재료가, 산화 규소, 질화 규소, 산화질화 규소, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 레지스트 및 디비닐벤젠으로 이루어진 군에서 선택되는, 액정 표시장치.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007032292A1 (en) * 2005-09-15 2007-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of liquid crystal display device
KR101172667B1 (ko) * 2005-11-12 2012-08-08 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
US8591694B2 (en) * 2007-03-23 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing liquid crystal display device
US8105458B2 (en) * 2007-03-23 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing liquid crystal display device
KR101490482B1 (ko) * 2008-04-23 2015-02-06 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법
CN102326119A (zh) * 2009-02-18 2012-01-18 夏普株式会社 液晶显示装置及其制造方法
US20110299018A1 (en) * 2009-02-25 2011-12-08 Masatoshi Itoh Liquid crystal display device and manufacturing method therefor
WO2010098063A1 (ja) * 2009-02-25 2010-09-02 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR101603315B1 (ko) * 2009-09-25 2016-03-15 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20120042169A (ko) 2010-10-22 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2013115130A1 (ja) 2012-01-30 2013-08-08 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
TWI522701B (zh) * 2013-08-28 2016-02-21 群創光電股份有限公司 顯示面板及顯示裝置
CN104298005B (zh) * 2014-10-11 2017-02-22 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板的制作方法
CN108780250B (zh) 2016-07-27 2022-03-08 株式会社Lg化学 透射率可变膜、其制造方法和用途
CN112666759A (zh) * 2020-12-30 2021-04-16 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示面板及曲面显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010110666A (ko) * 2000-01-21 2001-12-13 오쿠무라 고조 액정상을 나타내는 중합성 조성물 및 이것을 이용한광학이방체
JP2002023199A (ja) * 2000-07-07 2002-01-23 Fujitsu Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP2005024927A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Seiko Epson Corp 液晶装置、その製造方法、電子機器、及びプロジェクタ
JP2005128160A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Seiko Epson Corp 液晶表示装置および電子機器

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0261712A1 (en) * 1986-09-04 1988-03-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Picture display cell, method of forming an orientation layer on a substrate of the picture display cell and monomeric compounds for use in the orientation layer
JP2649856B2 (ja) 1990-04-13 1997-09-03 松下電器産業株式会社 非線形光学材料
US5680185A (en) * 1990-11-26 1997-10-21 Seiko Epson Corporation Polymer dispersed liquid crystal (PDLC) display apparatus
US5186985A (en) * 1991-04-04 1993-02-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Liquid crystal displays of high tilt bias angles
US5473450A (en) 1992-04-28 1995-12-05 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with a polymer between liquid crystal regions
DE69306201T2 (de) * 1992-09-01 1997-05-28 Philips Electronics Nv Einrichtung zur optischen Modulation
JPH06160801A (ja) * 1992-09-22 1994-06-07 Asahi Glass Co Ltd スーパーツイステッドネマチック液晶表示素子
JP2933805B2 (ja) 1992-09-30 1999-08-16 シャープ株式会社 高分子分散型液晶複合膜および液晶表示素子並びにその製造方法
JP3520376B2 (ja) * 1993-06-11 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 液晶表示素子およびその製造方法
FR2724941A1 (fr) 1994-09-22 1996-03-29 Asulab Sa Composition cristal liquide et cellules la contenant
JPH08278488A (ja) 1995-04-04 1996-10-22 Sharp Corp 液晶表示素子およびその製造方法
KR100236256B1 (ko) 1995-04-24 1999-12-15 가네꼬 히사시 액정 표시 장치, 그 제조 방법 및 그 구동 방법
US5730900A (en) * 1995-06-08 1998-03-24 Fuji Photo Film Co., Ltd. Film and process for preparation of the same and liquid crystal display
US5739180A (en) 1996-05-02 1998-04-14 Lucent Technologies Inc. Flat panel displays and methods and substrates therefor
US6583838B1 (en) 1996-05-10 2003-06-24 Kent State University Bistable liquid crystal display device using polymer stabilization
US6821457B1 (en) 1998-07-29 2004-11-23 Science Applications International Corporation Electrically switchable polymer-dispersed liquid crystal materials including switchable optical couplers and reconfigurable optical interconnects
US6221443B1 (en) 1996-09-13 2001-04-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Macromolecular dispersion type liquid crystal display element and method of manufacturing the same
US6452650B1 (en) 1996-09-25 2002-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Polymer dispersion type liquid crystal display element, producing method therefor and apparatus for use in the producing method
US6344883B2 (en) * 1996-12-20 2002-02-05 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for producing the same
JPH10186372A (ja) 1996-12-20 1998-07-14 Kao Corp 液晶表示装置用スペーサ及びこれを用いる液晶表示装置
KR19980070467A (ko) * 1997-01-17 1998-10-26 오오자와 슈지로 광학필름
TW523621B (en) * 1997-06-11 2003-03-11 Koninkl Philips Electronics Nv Multi-domain liquid-crystal display device
JPH11212093A (ja) * 1998-01-22 1999-08-06 Stanley Electric Co Ltd 液晶表示素子およびその製造方法
JP4028633B2 (ja) 1998-03-17 2007-12-26 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
JP4303333B2 (ja) * 1998-08-21 2009-07-29 新日本石油株式会社 光学素子用フィルム
JP2000162581A (ja) 1998-12-01 2000-06-16 Sharp Corp 反射型液晶表示装置とその製造方法
JP3982146B2 (ja) * 1999-03-26 2007-09-26 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及びその製造方法並びにそれを用いた電子機器
TW459275B (en) * 1999-07-06 2001-10-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of fabricating the same
JP3566893B2 (ja) * 1999-12-08 2004-09-15 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
DE60034869T2 (de) * 2000-03-27 2008-02-14 Hewlett-Packard Co. (N.D.Ges.D.Staates Delaware), Palo Alto Bistabile nematische Flüssigkristallvorrichtung
KR100776701B1 (ko) * 2000-10-04 2007-11-16 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 중합 가능한 액정 디옥세탄 화합물, 및 상기 화합물을 포함하는 조성물 및 액정 디바이스
KR100685944B1 (ko) 2000-12-05 2007-02-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 광배향성 물질 및 이를 이용한 액정표시소자
JP3937835B2 (ja) 2000-12-27 2007-06-27 キヤノン株式会社 液晶素子
US6977704B2 (en) 2001-03-30 2005-12-20 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display
US6778229B2 (en) 2001-10-02 2004-08-17 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display device and method of fabricating the same
JP2003167235A (ja) * 2001-12-03 2003-06-13 Nec Kagoshima Ltd 液晶表示装置の組み立て構造及びその組み立て方法
JP4108432B2 (ja) * 2002-10-03 2008-06-25 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US7153548B2 (en) * 2003-01-10 2006-12-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Compound, retardation plate and method for forming optically anisotropic layer
JP2004220889A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 面光源装置
JP2004302297A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示パネル
JP4504626B2 (ja) * 2003-03-31 2010-07-14 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP4437408B2 (ja) * 2004-02-04 2010-03-24 富士通株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US7563490B2 (en) 2004-12-06 2009-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR101201306B1 (ko) * 2005-06-29 2012-11-14 엘지디스플레이 주식회사 백 라이트 유닛
WO2007032292A1 (en) * 2005-09-15 2007-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of liquid crystal display device
KR101313125B1 (ko) * 2005-11-24 2013-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정표시장치의 제조방법
US7976914B2 (en) * 2006-06-16 2011-07-12 Fujifilm Corporaton Resin film, production method thereof, polarizing plate and liquid crystal display device
KR101384213B1 (ko) 2007-03-30 2014-04-10 디아이씨 가부시끼가이샤 고분자 안정화 액정 조성물, 액정 표시 소자, 액정 표시 소자의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010110666A (ko) * 2000-01-21 2001-12-13 오쿠무라 고조 액정상을 나타내는 중합성 조성물 및 이것을 이용한광학이방체
JP2002023199A (ja) * 2000-07-07 2002-01-23 Fujitsu Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP2005024927A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Seiko Epson Corp 液晶装置、その製造方法、電子機器、及びプロジェクタ
JP2005128160A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Seiko Epson Corp 液晶表示装置および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US8456607B2 (en) 2013-06-04
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KR20080056164A (ko) 2008-06-20
TW200722830A (en) 2007-06-16
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US20100134739A1 (en) 2010-06-03
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