KR101298398B1 - 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는, 표시패널; 및 표시패널에 위치하며 게이트, 소오스 및 드레인을 포함하는 트랜지스터와, 트랜지스터의 소오스 또는 드레인에 연결되며 산화구리계로 이루어진 화소전극을 포함하는 서브 픽셀을 포함하는 표시장치를 제공한다.
표시장치, 화소전극, 공통전극

Description

표시장치{Display}
본 발명은 표시장치에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Display; OLED) 및 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP) 등과 같은 평판 표시장치(Flat Panel Display: FPD)의 사용이 증가하고 있다.
이러한 평판 표시장치 중 액정표시장치와 유기전계발광표시장치는 표시패널에 위치하는 트랜지스터의 구동에 의해 서브 픽셀이 발광함으로써 영상을 표현할 수 있다.
액정표시장치는 수광형 표시장치로 분류된다. 이러한 액정표시장치는 표시패널의 하부에 위치하는 백라이트 유닛으로부터 광원을 제공받아 영상을 표현할 수 있다. 표시패널은 트랜지스터 어레이 기판과 컬러필터 기판으로 구성된다. 표시패널에는 매트릭스형태로 배치된 복수의 서브 픽셀이 위치한다. 하나의 서브 픽셀은 트랜지스터와 커패시터, 화소전극 및 공통전극을 포함할 수 있다. 또한, 서브 픽셀 은 각각의 서브 픽셀을 구분하는 블랙매트릭스와 액정층의 구동에 따라 출사된 광을 변환하는 컬러필터를 포함할 수 있다.
유기전계발광표시장치는 자발광형 표시장치로 분류된다. 이러한 유기전계발광표시장치는 액정표시장치와 달리 광을 생성함으로써 영상을 표현할 수 있다. 표시패널은 트랜지스터 어레이 기판과 트랜지스터 어레이 기판 상에 위치하는 유기발광다이오드로 구성된다. 표시패널에는 매트릭스형태로 배치된 복수의 서브 픽셀이 위치한다. 하나의 서브 픽셀은 트랜지스터와 커패시터, 화소전극, 유기 발광층 및 공통전극을 포함할 수 있다.
한편, 종래 액정표시장치와 유기전계발광표시장치는 화소전극 및 공통전극 중 하나 이상의 재료를 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명전극을 사용하였다. ITO와 같은 투명전극은 투과성은 우수하나 제조원가가 상승하게 된다. 이를 대체하기 위해 종래에는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 대체 재료들이 개발되고 있지만 코스트 이노베이션(cost innovation)을 할 수 있을 만큼의 매력은 없었다.
따라서, 투과성과 전도성을 가짐은 물론 제조원가를 낮추고 제조공정에 이점을 줄 수 있는 대체 전극 재료 마련의 필요성이 있다.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시예는, 투과성과 전도성이 우수한 산화구리계 전극을 제공하여 종래 전극 재료를 대체함은 물론 제조단가를 낮춰 제조공정에 코스트 이노베이션(cost innovation)을 가능하게 할 수 있는 표시장치를 제공하는 것이다.
상술한 과제 해결 수단으로 본 발명의 실시예는, 표시패널; 및 표시패널에 위치하며 게이트, 소오스 및 드레인을 포함하는 트랜지스터와, 트랜지스터의 소오스 또는 드레인에 연결되며 산화구리계로 이루어진 화소전극을 포함하는 서브 픽셀을 포함하는 표시장치를 제공한다.
서브 픽셀은, 산화구리계로 이루어진 공통전극을 포함할 수 있다.
산화구리계는, CuOx 또는 CuyOx로 이루어질 수 있으며, y는 불순물 원소일 수 있다.
불순물 원소는, 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 몰리(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 은(Ag), 금(Au), 플래티늄(Pt), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 게르마늄(Ge)을 포함할 수 있다.
게이트, 소오스 및 드레인 중 하나 이상은, 구리(Cu)로 이루어질 수 있다.
게이트, 소오스 및 드레인 중 구리(Cu)로 이루어진 전극의 하부에 위치하는 확산방지막을 더 포함할 수 있다.
확산방지막은, 몰리(Mo), 몰리 합금(Mo alloy), 티타늄(Ti) 또는 티타늄 합금(Ti alloy) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
표시패널은, IPS(In-Plane Switching) 모드, VA(Vertical Align) 모드, TN(Twisted Nematic) 모드 중 어느 하나로 구동하는 액정층을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예는, 투과성과 전도성이 우수한 산화구리계 전극을 제공하여 종래 전극 재료를 대체함은 물론 제조단가를 낮춰 제조공정에 코스트 이노베이션(cost innovation)을 가능하게 할 수 있는 표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 실시예는, 트랜지스터에 포함된 전극 또한 산화구리계 전극으로 대체하여 공정의 편의를 제공하는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 표시장치의 분해 사시도 이고, 도 2는 에지형 광원의 일 예시도 이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 표시장치는 광을 출사하는 광원(171)을 포함할 수 있다. 광원(171)의 경우 예를 들면, 냉음극관 형광램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp: CCFL), 열음극관 형광램프(Hot Cathode Fluorescent Lamp: HCFL), 외부전극 형광램프(External Electrode Fluorescent Lamp: EEFL) 및 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED) 중 어느 하나를 선택할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
또한, 광원(171)은 램프가 일 측면 외측에 위치하는 에지형, 램프가 양쪽 측면에 위치하는 듀얼형, 램프가 직선으로 다수 배열된 직하형 중 어느 하나를 선택할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 이와 같은 광원(171)은 인버터에 연결되어 전원을 공급받아 광을 출사할 수 있다.
도 1에 도시된 광원(171)은 직하형을 일례로 나타낸 것이다. 이와는 달리 도 2를 참조하면, 에지형 광원(171)이 도시되어 있다. 도시된 바와 같은 에지형 광원(171)은 일 측면 외측에 램프(171a)와 램프(171a)로부터 출사된 광을 안내하는 도광판(171b)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
또한, 표시장치는 광원(171)으로부터 출사되는 광을 인도하는 광학필름층(176)을 포함할 수 있다. 광학필름층(176)은 광원(171) 상에 위치하는 확산판(172), 확산시트(173), 광학시트(174) 및 보호시트(175)를 포함할 수 있다.
광학시트(174)의 경우, 도시된 바와 같이 프리즘 형상일 수 있으나, 렌티큘러 렌즈 또는 마이크로 렌즈 등과 같은 형상으로 위치할 수 있다. 그리고 이러한 광학시트(174)는 비드를 포함할 수도 있다.
또한, 표시장치는 화상을 표시하는 표시패널(183) 및 광원(171)이 수납되는 상부 케이스(190) 및 하부 케이스(170)를 포함할 수 있다.
하부 케이스(170)는 광원(171)을 수납할 수 있다. 광원(171) 상에는 표시패널(183)이 일정 간격을 두고 위치할 수 있다. 표시패널(183) 및 광원(171)은 하부 케이스(170)와 체결되는 상부 케이스(190)에 의해 고정 및 보호될 수 있다.
상부 케이스(190)의 상부 면에는 표시패널(183)의 화상 표시 영역을 노출시키는 개구부가 마련될 수 있다. 그리고 표시패널(183)과 광원(171) 사이에 위치하는 광학필름층(176)의 주변부가 안착 되는 몰드프레임(미도시)이 더 포함될 수도 있다.
한편, 표시패널(183)은 트랜지스터 어레이가 형성된 제1기판(110)과 컬러필터가 형성된 제2기판(180)이 액정층을 사이에 두고 합착된 구조를 가질 수 있다. 표시패널(183)은 액정층의 구동 모드에 따라 IPS(In-Plane Switching) 모드, VA(Vertical Align) 모드, TN(Twisted Nematic) 모드로 구분될 수 있다.
이러한 표시패널(183)은 트랜지스터에 의해 독립적으로 구동되는 서브 픽셀이 매트릭스 형태로 배열되고, 서브 픽셀 각각이 공통전극에 공급된 공통 전압과 트랜지스터에 연결된 화소전극에 공급된 데이터 신호와의 차전압에 따라 액정 배열을 제어하여 광 투과율을 조절함으로써 화상을 표시할 수 있다.
또한, 표시장치는 표시패널(183)의 제1기판(110)에는 접속된 구동부(189)를 포함할 수 있다. 구동부(189)는 표시패널(183)의 데이터 배선과 스캔 배선을 각각 구동하기 위한 데이터 구동부와 스캔 구동부를 실장하여 제1기판(110)과 일측부가 접속된 다수의 연성필름(120)과, 다수의 연성필름(120)의 타측부와 접속된 외부 회로기판(188)을 포함할 수 있다.
데이터 구동부와 스캔 구동부를 실장한 연성필름(120)은 COF(Chip On Film)나 TCP(Tape Carrier Package) 방식으로 위치할 수 있다. 그러나 데이터 구동부 또는 스캔 구동부 중 하나 이상은 COG(Chip On Glass) 방식으로 제1기판(110) 상에 직접 실장되거나, 트랜지스터 형성 공정에서 제1기판(110) 상에 형성되어 내장될 수도 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 IPS 모드 표시패널(183)에 대해 더욱 자세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 IPS 모드 표시패널의 개략적인 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시패널(183)은 제1기판(110)과 제2기판(180)을 포함할 수 있다. 제1기판(110)과 제2기판(180)은 소자를 형성하기 위한 재료로 기계적 강도나 치수 안정성이 우수한 것을 선택할 수 있다. 제1기판(110)과 제2기판(180)의 재료로는, 유리판, 금속판, 세라믹판 또는 플라스틱판(폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 염화비닐 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 불소수지 등) 등을 예로 들 수 있다.
제1기판(110) 상에는 게이트(101)가 위치할 수 있다. 게이트(101)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트(101)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. 또한, 게이트(101)는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다.
게이트(101) 상에는 제1절연막(102)이 위치할 수 있다. 제1절연막(102)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
제1절연막(102) 상에는 액티브층(103)이 위치할 수 있다. 액티브층(103)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 액티브층(103)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 이러한 액티브층(103)은 a-Si 또는 p-Si 등으로 형성될 수 있다.
액티브층(103) 상에는 전기 접촉저항을 줄이기 위해 오믹콘택층(104)이 위치할 수 있다.
액티브층(103) 상에는 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 위치할 수 있다. 소오스(105a) 및 드레인(105b)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.
소오스(105a) 및 드레인(105b) 상에는 제2절연막(106)이 위치할 수 있다. 제 2절연막(106)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2절연막(106)은 보호막일 수 있다.
제2절연막(106) 상에는 제2기판(180) 과의 셀갭을 유지할 수 있는 스페이서(116)가 위치할 수 있다. 스페이서(116)는 게이트(101)와 대응하는 제2절연막(106) 상에 위치할 수 있는데, 이 영역은 표시패널(183)의 하부에 위치하는 광원이 출사되지 않는 비 표시 영역에 해당할 수 있다.
제2절연막(106) 상에는 소오스(105a) 또는 드레인(105b)에 연결되며 산화구리계로 이루어진 화소전극(107)이 위치할 수 있다. 또한, 제2절연막(106) 상에는 화소전극(107)과 이격 배치되며 공통전압 배선에 연결된 공통전극(108)이 위치할 수 있다. 공통전극(108)은 화소전극(107)과 동일한 산화구리계로 이루어질 수 있다.
여기서, 산화구리계는 CuOx 또는 CuyOx로 이루어질 수 있으며, y는 불순물 원소일 수 있다. 불순물 원소는, 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 몰리(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 은(Ag), 금(Au), 플래티늄(Pt), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 게르마늄(Ge)을 포함할 수 있다.
화소전극(107) 및 공통전극(108) 중 하나 이상을 산화구리계로 형성하면, 종래 화소전극으로 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)를 대체할 수 있고 제조단가를 낮출 수 있어 공정 측면에 있어서 코스트 이노베이션(cost innovation)을 가능하게 할 수 있다. 산화구리계 전극은 반응성 스퍼터 링(reactive sputtering) 방법에 의해 형성될 수 있다. 산화구리계 전극은 트랜지션 산화물(transition oxide)로써 투과성과 전도성이 비교적 우수하다. 이러한 산화구리계 전극이 제1기판(110) 상에 위치하는 패드부의 노출 영역 표면에 위치하는 경우 보호막으로써의 역할을 할 수도 있다.
한편, 제1기판(110)과 대면하는 제2기판(180) 상에는 비 표시 영역에 블랙매트릭스(111)가 위치할 수 있다. 블랙매트릭스(111)는 검은색 안료가 첨가된 감광성 유기물질로 이루어져 있으며 검은색 안료로는 카본블랙이나 티타늄 옥사이드 등을 사용할 수 있다.
또한, 제2기판(180) 상에 위치하는 블랙매트릭스(111) 사이에는 적색, 녹색 및 청색을 포함하는 컬러필터(112)가 위치할 수 있다. 컬러필터(112)는 적색, 녹색 및 청색뿐만 아니라 다른 색을 가질 수도 있다.
또한, 블랙매트릭스(111) 및 컬러필터(112) 상에는 오버코팅층(113)이 위치할 수 있다. 그러나, 경우에 따라서는 오버코팅층(113)이 생략될 수도 있다.
이와 같이 구성된 제1기판(110)과 제2기판(180)은 접착부재(116)에 의해 합착될 수 있으며, 합착된 제1기판(110)과 제2기판(180)에는 IPS 모드 동작 조건에 맞는 액정층(115)이 위치할 수 있다.
이하, 도 4를 참조하여 도 3의 변형된 실시예에 대해 설명한다. 다만, 설명의 중복을 피하기 위해 도 4와 구분되는 부분에 대해서만 간략히 설명한다.
도 4는 도 3의 변형된 실시예에 따른 IPS 모드 표시패널의 개략적인 단면도 이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 IPS 모드 표시패널(183)은 트랜지스터를 구성하는 게이트(101), 소오스(105a) 및 드레인(105b) 중 하나 이상이 구리(Cu)로 이루어질 수 있다. 여기서, 게이트(101), 소오스(105a) 및 드레인(105b) 중 구리(Cu)로 이루어진 전극의 하부에는 확산방지막(109)이 위치할 수 있다. 다만, 본 실시예에서는 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 구리(Cu)로 이루어져 있는 것을 일례로 한다.
한편, 확산방지막(109)은 몰리(Mo), 몰리 합금(Mo alloy), 티타늄(Ti) 또는 티타늄 합금(Ti alloy) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
그러나, 재료의 통일에 따른 공정의 편의를 고려했을 때, 확산방지막(109)은 앞서 화소전극(107) 및 공통전극(108)의 재료로 사용되는 산화구리계로 이루어질 수도 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 VA 모드 표시패널(183)에 대해 더욱 자세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 VA 모드 표시패널의 개략적인 단면도이다.
도 5를 참조하면, 표시패널(183)은 제1기판(110)과 제2기판(180)을 포함할 수 있다. 제1기판(110)과 제2기판(180)은 소자를 형성하기 위한 재료로 기계적 강도나 치수 안정성이 우수한 것을 선택할 수 있다.
제1기판(110) 상에는 게이트(101)가 위치할 수 있다. 게이트(101)는 몰리브 덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트(101)는 다중층일 수 있다. 또한, 게이트(101)는 2중층일 수 있다.
게이트(101) 상에는 제1절연막(102)이 위치할 수 있다. 제1절연막(102)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
제1절연막(102) 상에는 액티브층(103)이 위치할 수 있다. 액티브층(103)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 액티브층(103)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 이러한 액티브층(103)은 a-Si 또는 p-Si 등으로 형성될 수 있다.
액티브층(103) 상에는 전기 접촉저항을 줄이기 위해 오믹콘택층(104)이 위치할 수 있다.
액티브층(103) 상에는 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 위치할 수 있다. 소오스(105a) 및 드레인(105b)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.
소오스(105a) 및 드레인(105b) 상에는 제2절연막(106)이 위치할 수 있다. 제2절연막(106)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2절연막(106)은 보호막일 수 있다.
제2절연막(106) 상에는 제2기판(180) 과의 셀갭을 유지할 수 있는 스페이서(116)가 위치할 수 있다. 스페이서(116)는 게이트(101)와 대응하는 제2절연 막(106) 상에 위치할 수 있는데, 이 영역은 표시패널(183)의 하부에 위치하는 광원이 출사되지 않는 비 표시 영역에 해당할 수 있다.
제2절연막(106) 상에는 소오스(105a) 또는 드레인(105b)에 연결되며 산화구리계로 이루어진 화소전극(107)이 위치할 수 있다.
한편, 제1기판(110)과 대면하는 제2기판(180) 상에는 비 표시 영역에 블랙매트릭스(111)가 위치할 수 있다. 블랙매트릭스(111)는 검은색 안료가 첨가된 감광성 유기물질로 이루어져 있으며 검은색 안료로는 카본블랙이나 티타늄 옥사이드 등을 사용할 수 있다.
또한, 제2기판(180) 상에 위치하는 블랙매트릭스(111) 사이에는 적색, 녹색 및 청색을 포함하는 컬러필터(112)가 위치할 수 있다. 컬러필터(112)는 적색, 녹색 및 청색뿐만 아니라 다른 색을 가질 수도 있다.
또한, 블랙매트릭스(111) 및 컬러필터(112) 상에는 오버코팅층(113)이 위치할 수 있다. 그러나, 경우에 따라서는 오버코팅층(113)이 생략될 수도 있다.
오버코팅층(113) 상에는 화소전극(107)과 대향 배치되며 공통전압 배선에 연결된 공통전극(108)이 위치할 수 있다. 공통전극(108)은 화소전극(107)과 동일한 산화구리계로 이루어질 수 있다.
한편, 화소전극(107) 및 공통전극(108)을 구성하는 산화구리계는 CuOx 또는 CuyOx로 이루어질 수 있으며, y는 불순물 원소일 수 있다. 불순물 원소는, 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 몰리(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 은(Ag), 금(Au), 플래티 늄(Pt), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 게르마늄(Ge)을 포함할 수 있다.
화소전극(107) 및 공통전극(108) 중 하나 이상을 산화구리계로 형성하면, 종래 화소전극으로 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)를 대체할 수 있고 제조단가를 낮출 수 있어 공정 측면에 있어서 코스트 이노베이션(cost innovation)을 가능하게 할 수 있다. 산화구리계 전극은 반응성 스퍼터링(reactive sputtering) 방법에 의해 형성될 수 있다. 산화구리계 전극은 트랜지션 산화물(transition oxide)로써 투과성과 전도성이 비교적 우수하다. 이러한 산화구리계 전극이 제1기판(110) 상에 위치하는 패드부의 노출 영역 표면에 위치하는 경우 보호막으로써의 역할을 할 수도 있다.
이와 같이 구성된 제1기판(110)과 제2기판(180)은 접착부재(116)에 의해 합착될 수 있으며, 합착된 제1기판(110)과 제2기판(180)에는 VA 모드 동작 조건에 맞는 액정층(115)이 위치할 수 있다.
이하, 도 6을 참조하여 도 5의 변형된 실시예에 대해 설명한다. 다만, 설명의 중복을 피하기 위해 도 5와 구분되는 부분에 대해서만 간략히 설명한다.
도 6은 도 5의 변형된 실시예에 따른 VA 모드 표시패널의 개략적인 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 VA 모드 표시패널(183)은 트랜지스터를 구성하는 게이트(101), 소오스(105a) 및 드레인(105b) 중 하나 이상이 구리(Cu)로 이루어질 수 있다. 여기서, 게이트(101), 소오스(105a) 및 드레 인(105b) 중 구리(Cu)로 이루어진 전극의 하부에는 확산방지막(109)이 위치할 수 있다. 다만, 본 실시예에서는 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 구리(Cu)로 이루어져 있는 것을 일례로 한다.
한편, 확산방지막(109)은 몰리(Mo), 몰리 합금(Mo alloy), 티타늄(Ti) 또는 티타늄 합금(Ti alloy) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
그러나, 재료의 통일에 따른 공정의 편의를 고려했을 때, 확산방지막(109)은 앞서 화소전극(107) 및 공통전극(108)의 재료로 사용되는 산화구리계로 이루어질 수도 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 TN 모드 표시패널(183)에 대해 더욱 자세히 설명한다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 TN 모드 표시패널의 개략적인 단면도이다.
도 7을 참조하면, 표시패널(183)은 제1기판(110)과 제2기판(180)을 포함할 수 있다. 제1기판(110)과 제2기판(180)은 소자를 형성하기 위한 재료로 기계적 강도나 치수 안정성이 우수한 것을 선택할 수 있다.
제1기판(110) 상에는 게이트(101)가 위치할 수 있다. 게이트(101)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트(101)는 다중층일 수 있다. 또한, 게이트(101)는 2중층일 수 있다.
게이트(101) 상에는 제1절연막(102)이 위치할 수 있다. 제1절연막(102)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
제1절연막(102) 상에는 액티브층(103)이 위치할 수 있다. 액티브층(103)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 액티브층(103)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 이러한 액티브층(103)은 a-Si 또는 p-Si 등으로 형성될 수 있다.
액티브층(103) 상에는 전기 접촉저항을 줄이기 위해 오믹콘택층(104)이 위치할 수 있다.
액티브층(103) 상에는 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 위치할 수 있다. 소오스(105a) 및 드레인(105b)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.
소오스(105a) 및 드레인(105b) 상에는 제2절연막(106)이 위치할 수 있다. 제2절연막(106)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2절연막(106)은 보호막일 수 있다.
제2절연막(106) 상에는 제2기판(180) 과의 셀갭을 유지할 수 있는 스페이서(116)가 위치할 수 있다. 스페이서(116)는 게이트(101)와 대응하는 제2절연막(106) 상에 위치할 수 있는데, 이 영역은 표시패널(183)의 하부에 위치하는 광원이 출사되지 않는 비 표시 영역에 해당할 수 있다.
제2절연막(106) 상에는 소오스(105a) 또는 드레인(105b)에 연결되며 산화구리계로 이루어진 화소전극(107)이 위치할 수 있다.
한편, 제1기판(110)과 대면하는 제2기판(180) 상에는 비 표시 영역에 블랙매트릭스(111)가 위치할 수 있다. 블랙매트릭스(111)는 검은색 안료가 첨가된 감광성 유기물질로 이루어져 있으며 검은색 안료로는 카본블랙이나 티타늄 옥사이드 등을 사용할 수 있다.
또한, 제2기판(180) 상에 위치하는 블랙매트릭스(111) 사이에는 적색, 녹색 및 청색을 포함하는 컬러필터(112)가 위치할 수 있다. 컬러필터(112)는 적색, 녹색 및 청색뿐만 아니라 다른 색을 가질 수도 있다.
또한, 블랙매트릭스(111) 및 컬러필터(112) 상에는 오버코팅층(113)이 위치할 수 있다. 그러나, 경우에 따라서는 오버코팅층(113)이 생략될 수도 있다.
오버코팅층(113) 상에는 화소전극(107)과 대향 배치되며 공통전압 배선에 연결된 공통전극(108)이 위치할 수 있다. 공통전극(108)은 화소전극(107)과 동일한 산화구리계로 이루어질 수 있다.
한편, 화소전극(107) 및 공통전극(108)을 구성하는 산화구리계는 CuOx 또는 CuyOx로 이루어질 수 있으며, y는 불순물 원소일 수 있다. 불순물 원소는, 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 몰리(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 은(Ag), 금(Au), 플래티늄(Pt), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 게르마늄(Ge)을 포함할 수 있다.
화소전극(107) 및 공통전극(108) 중 하나 이상을 산화구리계로 형성하면, 종래 화소전극으로 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)를 대체할 수 있고 제조단가를 낮출 수 있어 공정 측면에 있어서 코스트 이노베이 션(cost innovation)을 가능하게 할 수 있다. 산화구리계 전극은 반응성 스퍼터링(reactive sputtering) 방법에 의해 형성될 수 있다. 산화구리계 전극은 트랜지션 산화물(transition oxide)로써 투과성과 전도성이 비교적 우수하다. 이러한 산화구리계 전극이 제1기판(110) 상에 위치하는 패드부의 노출 영역 표면에 위치하는 경우 보호막으로써의 역할을 할 수도 있다.
이와 같이 구성된 제1기판(110)과 제2기판(180)은 접착부재(116)에 의해 합착될 수 있으며, 합착된 제1기판(110)과 제2기판(180)에는 TN 모드 동작 조건에 맞는 액정층(115)이 위치할 수 있다.
이하, 도 8을 참조하여 도 7의 변형된 실시예에 대해 설명한다. 다만, 설명의 중복을 피하기 위해 도 7과 구분되는 부분에 대해서만 간략히 설명한다.
도 8은 도 7의 변형된 실시예에 따른 TN 모드 표시패널의 개략적인 단면도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 TN 모드 표시패널(183)은 트랜지스터를 구성하는 게이트(101), 소오스(105a) 및 드레인(105b) 중 하나 이상이 구리(Cu)로 이루어질 수 있다. 여기서, 게이트(101), 소오스(105a) 및 드레인(105b) 중 구리(Cu)로 이루어진 전극의 하부에는 확산방지막(109)이 위치할 수 있다. 다만, 본 실시예에서는 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 구리(Cu)로 이루어져 있는 것을 일례로 한다.
한편, 확산방지막(109)은 몰리(Mo), 몰리 합금(Mo alloy), 티타늄(Ti) 또는 티타늄 합금(Ti alloy) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
그러나, 재료의 통일에 따른 공정의 편의를 고려했을 때, 확산방지막(109)은 앞서 화소전극(107) 및 공통전극(108)의 재료로 사용되는 산화구리계로 이루어질 수도 있다.
한편, 본 발명의 실시예는 표시장치가 액정표시장치인 것을 일례로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 유기전계발광표시장치에도 적용 가능하다.
일례로, 유기전계발광표시장치의 표시패널에 매트릭스형태로 배치된 서브 픽셀에 포함된 유기 발광다이오드가 화소전극(캐소드), 유기 발광층 및 공통전극(애노드) 형태로 형성된 인버티드 구조일 때, 화소전극을 산화구리계 전극으로 대체하면 종래 화소전극의 하부에 형성된 보조전극이나 반사전극을 생략할 수도 있다.
이상 본 발명의 실시예는, 산화구리계 전극을 제공하여 종래 전극 재료를 대체함은 물론 제조단가를 낮춰 제조공정에 코스트 이노베이션(cost innovation)을 가능하게 할 수 있는 표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 실시예는, 트랜지스터에 포함된 전극 또한 산화구리계 전극으로 대체하여 공정의 편의를 제공하는 효과가 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다 는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 표시장치의 분해 사시도.
도 2는 에지형 광원의 일 예시도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 IPS 모드 표시패널의 개략적인 단면도.
도 4는 도 3의 변형된 실시예에 따른 IPS 모드 표시패널의 개략적인 단면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 VA 모드 표시패널의 개략적인 단면도.
도 6은 도 5의 변형된 실시예에 따른 VA 모드 표시패널의 개략적인 단면도.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 TN 모드 표시패널의 개략적인 단면도.
도 8은 도 7의 변형된 실시예에 따른 TN 모드 표시패널의 개략적인 단면도.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
110: 제1기판 101: 게이트
103: 액티브층 104: 오믹콘택층
105a: 소오스 105b: 드레인
107: 화소전극 108: 공통전극
111: 블랙매트릭스 112: 컬러필터
113: 오버코팅층 115: 액정층
116: 스페이서 180: 제2기판

Claims (8)

  1. 표시패널; 및
    상기 표시패널에 위치하며 게이트, 소오스 및 드레인을 포함하는 트랜지스터와, 상기 트랜지스터의 소오스 또는 드레인에 연결되며 산화구리계로 이루어진 화소전극을 포함하는 서브 픽셀을 포함하는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 서브 픽셀은,
    상기 산화구리계로 이루어진 공통전극을 포함하는 표시장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 산화구리계는,
    CuOx 또는 CuyOx로 이루어질 수 있으며, 상기 y는 불순물 원소인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 불순물 원소는,
    티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 몰리(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 은(Ag), 금(Au), 플래티늄(Pt), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 게르마늄(Ge) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 게이트, 소오스 및 드레인 중 하나 이상은,
    구리(Cu)로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 게이트, 소오스 및 드레인 중 상기 구리(Cu)로 이루어진 전극의 하부에 위치하는 확산방지막을 더 포함하는 표시장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 확산방지막은,
    몰리(Mo), 몰리 합금(Mo alloy), 티타늄(Ti) 또는 티타늄 합금(Ti alloy) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 표시패널은,
    IPS(In-Plane Switching) 모드, VA(Vertical Align) 모드, TN(Twisted Nematic) 모드 중 어느 하나로 구동하는 액정층을 포함하는 표시장치.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11160735A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置およびその作製方法並びに電子機器
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KR20070088924A (ko) * 2006-02-27 2007-08-30 삼성전자주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
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Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11160735A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置およびその作製方法並びに電子機器
KR20070060174A (ko) * 2005-12-08 2007-06-13 삼성전자주식회사 화소전극, 그를 가지는 박막트랜지스터 기판 및 그박막트랜지스터 기판의 제조 방법
KR20070088924A (ko) * 2006-02-27 2007-08-30 삼성전자주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR20070093510A (ko) * 2006-03-14 2007-09-19 삼성전자주식회사 표시 기판의 제조 방법 및 표시 장치

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