KR101292225B1 - An appararus of polishing an edge of a wafer - Google Patents

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Abstract

실시 예는 웨이퍼가 장착되는 진공 플레이트, 상기 진공 플레이트를 지지하고, 상기 진공 플레이트를 회전시키는 척 샤프트, 상기 진공 플레이트 외주면 주위에 배치되고, 상기 웨이퍼의 에지를 연마하는 패드부, 및 상기 진공 플레이트 상부에 이격하여 배치되고, 상기 웨이퍼의 일면에 슬러리를 공급하는 제1 노즐을 포함하며, 상기 진공 플레이트는 상기 웨이퍼의 다른 일면에 인접하는 에지 부분에 슬러리를 분사한다.Embodiments include a vacuum plate on which a wafer is mounted, a chuck shaft for supporting the vacuum plate and rotating the vacuum plate, a pad portion disposed around the outer circumferential surface of the vacuum plate, for polishing an edge of the wafer, and an upper portion of the vacuum plate. And a first nozzle disposed to be spaced apart from each other to supply the slurry to one surface of the wafer, wherein the vacuum plate sprays the slurry to an edge portion adjacent to the other surface of the wafer.

Description

웨이퍼 에지 연마 장치{An appararus of polishing an edge of a wafer}An appararus of polishing an edge of a wafer

실시 예는 웨이퍼 에지 연마 장치에 관한 것이다.Embodiments relate to a wafer edge polishing apparatus.

실리콘 단결정 잉곳으로부터 슬라이싱에 의해 형성된 웨이퍼는 그라인딩과 랩핑공정을 거쳐서 외형이 형성될 수 있다. 이와 같은 그라인딩과 랩핑은 웨이퍼 에지에 대한 그라인딩과 랩핑공정을 포함하며, 이 과정에서는 웨이퍼 양측 표면뿐 아니라 웨이퍼의 에지에도 손상이 발생될 수 있다. 웨이퍼 에지의 손상은 연마 패드가 부착된 에지 폴리싱(edge polishing) 장치에 의해 제거될 수 있다.Wafers formed by slicing from a silicon single crystal ingot may be shaped by going through grinding and lapping processes. Such grinding and lapping includes grinding and lapping of wafer edges, and damage may occur not only on both sides of the wafer but also on the edges of the wafer. Damage to the wafer edge can be removed by an edge polishing apparatus with a polishing pad attached.

도 8은 일반적인 에지 폴리싱 장치(1)의 구성도를 나타낸다.8 shows a configuration diagram of a general edge polishing apparatus 1.

도 8을 참조하면, 에지 폴리싱 장치(1)는 척 샤프트(2)에 의하여 지지되는 진공 척(vacuum plate, 3) 상에 웨이퍼(4)를 장착하고, 장착된 웨이퍼(4)를 회전시킨다. 그리고 에지 폴리싱 장치(1)는 노즐(5)을 통하여 슬러리(slurry, 8)를 회전하는 웨이퍼(4)에 분사하고, 패드(6,7)를 통하여 웨이퍼(4)의 에지를 연마한다.Referring to FIG. 8, the edge polishing apparatus 1 mounts the wafer 4 on a vacuum plate 3 supported by the chuck shaft 2 and rotates the mounted wafer 4. The edge polishing apparatus 1 then injects a slurry 8 through the nozzle 5 onto the rotating wafer 4, and polishes the edge of the wafer 4 through the pads 6, 7.

실시 예는 웨이퍼 품질을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 에지 연마 장치를 제공한다.The embodiment provides a wafer edge polishing apparatus that can improve wafer quality.

실시 예에 따른 웨이퍼 에지 연마 장치는 웨이퍼가 장착되는 진공 플레이트, 상기 진공 플레이트를 지지하고, 상기 진공 플레이트를 회전시키는 척 샤프트, 상기 진공 플레이트 외주면 주위에 배치되고, 상기 웨이퍼의 에지(edge)를 연마하는 패드부, 및 상기 진공 플레이트 상부에 이격하여 배치되고, 상기 웨이퍼의 일면에 슬러리를 공급하는 제1 노즐을 포함하며, 상기 진공 플레이트는 상기 웨이퍼의 다른 일면에 인접하는 에지 부분에 슬러리를 분사한다.A wafer edge polishing apparatus according to an embodiment is disposed around a vacuum plate on which a wafer is mounted, a chuck shaft for supporting the vacuum plate and rotating the vacuum plate, and an outer circumferential surface of the vacuum plate, and polishing the edge of the wafer. And a first nozzle configured to be spaced apart from the upper portion of the vacuum plate and to supply the slurry to one surface of the wafer, wherein the vacuum plate injects the slurry to an edge portion adjacent to the other surface of the wafer. .

상기 패드부는 상기 웨이퍼 에지의 제1 베벨(bevel)을 연마하는 제1 패드; 및 상기 웨이퍼 에지의 제2 베벨을 연마하는 제2 패드를 포함하며, 상기 제1 베벨은 상기 웨이퍼의 상기 일면 가장 자리로부터 상기 웨이퍼 에지의 뾰족한 부분까지의 영역일 수 있으며, 상기 제2 베벨은 상기 웨이퍼의 상기 다른 일면 가장 자리로부터 상기 뾰족한 부분까지의 영역일 수 있다.The pad portion may include a first pad for polishing a first bevel of the wafer edge; And a second pad for polishing the second bevel of the wafer edge, wherein the first bevel may be an area from the one edge of the wafer to a pointed portion of the wafer edge, the second bevel It may be an area from the other edge of the wafer to the pointed portion.

상기 진공 플레이트는 상기 제2 베벨에 상기 슬러리를 분사할 수 있다. 상기 진공 플레이트는 상기 웨이퍼 아래에 위치하는 상기 제2 패드의 하단 부분에 상기 슬러리를 분사할 수 있다.The vacuum plate may spray the slurry on the second bevel. The vacuum plate may inject the slurry to a lower portion of the second pad positioned below the wafer.

상기 진공 플레이트는 측면에 마련되는 적어도 하나의 제2 노즐 및 상기 적어도 하나의 제2 노즐에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급관을 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 제2 노즐은 슬러리의 분사 각도가 조절될 수 있다.The vacuum plate may include at least one second nozzle provided on a side surface and a slurry supply pipe supplying a slurry to the at least one second nozzle. The at least one second nozzle may be controlled to the injection angle of the slurry.

상기 적어도 하나의 제2 노즐로부터 분사되는 슬러리의 압력은 20Mpa ~ 30MPa일 수 있다. 상기 적어도 하나의 제2 노즐은 서로 다른 방향으로 슬러리를 분사하는 복수의 분사구들을 포함할 수 있다.The pressure of the slurry injected from the at least one second nozzle may be 20 MPa to 30 MPa. The at least one second nozzle may include a plurality of injection holes for spraying the slurry in different directions.

상기 제2 노즐은 복수 개이고, 복수의 제2 노즐들은 상기 진공 플레이트의 중심을 기준으로 서로 대칭적으로 배치될 수 있다. 상기 슬러리 공급관 내부로 기설정된 압력의 슬러리를 공급하는 펌프를 더 포함할 수 있다. 상기 슬러리 공급관은 상기 진공 플레이트의 내부에 위치하고, 상기 복수의 제2 노즐들 각각에 연결될 수 있다.The plurality of second nozzles may be plural, and the plurality of second nozzles may be symmetrically disposed with respect to the center of the vacuum plate. It may further include a pump for supplying a slurry of a predetermined pressure into the slurry supply pipe. The slurry supply pipe may be located inside the vacuum plate and connected to each of the plurality of second nozzles.

실시 예는 웨이퍼 에지의 제1 베벨 및 제2 베벨에 대한 연마 가공력의 차이를 줄여 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The embodiment has the effect of improving the quality of the wafer by reducing the difference in the polishing processing force for the first bevel and the second bevel of the wafer edge.

도 1은 실시 예에 따른 웨이퍼 에지 연마 장치를 위에서 바라본 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 에지 연마 장치 AB방향의 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 진공 플레이트의 상면도를 나타낸다.
도 4는 도 2에 도시된 진공 플레이트의 상면도를 나타낸다.
도 5는 도 2 및 도 3에 도시된 제2 노즐들의 제1 실시 예를 나타낸다.
도 6은 도 2 및 도 3에 도시된 제2 노즐들의 제2 실시 예를 나타낸다.
도 7은 웨이퍼의 에지 베벨을 나타낸다.
도 8은 일반적인 에지 폴리싱 장치의 구성도를 나타낸다.1 is a perspective view from above of a wafer edge polishing apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the wafer edge polishing apparatus AB direction shown in FIG. 1.
3 shows a top view of the vacuum plate shown in FIG. 2.
4 shows a top view of the vacuum plate shown in FIG. 2.
FIG. 5 shows a first embodiment of the second nozzles shown in FIGS. 2 and 3.
6 illustrates a second embodiment of the second nozzles illustrated in FIGS. 2 and 3.
7 shows the edge bevel of the wafer.
8 shows a configuration diagram of a general edge polishing apparatus.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 웨이퍼 에지 연마 장치를 설명한다.In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, a wafer edge polishing apparatus according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 웨이퍼 에지 연마 장치를 위에서 바라본 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 에지 연마 장치 AB방향의 단면도이다.1 is a perspective view from above of a wafer edge polishing apparatus according to an embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the wafer edge polishing apparatus AB direction shown in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 웨이퍼 에지 연마 장치(100)는 몸체(body, 10)와, 몸체 (10) 상에 위치하는 척 샤프트(chuck shaft, 20)와, 척 샤프트(20) 상에 위치하는 하부 플레이트(30)와, 하부 플레이트(30) 상에 위치하는 진공 플레이트(40)와, 진공 플레이트(40) 상에 위치하는 제1 노즐(50)과, 진공 플레이트(40) 주위에 서로 이격하는 위치하는 패드부(90)를 포함한다.1 and 2, the wafer edge polishing apparatus 100 includes a body 10, a chuck shaft 20 located on the body 10, and a chuck shaft 20. A lower plate 30 positioned, a vacuum plate 40 positioned on the lower plate 30, a first nozzle 50 positioned on the vacuum plate 40, and a vacuum plate 40 around each other. And a pad portion 90 that is spaced apart.

몸체(10)는 척 샤프트(20) 및 패드 홀더 지지부(80-1 내지 80-4)를 지지한다.The body 10 supports the chuck shaft 20 and the pad holder supports 80-1 to 80-4.

척 샤프트(20)는 일정한 방향으로 회전할 수 있으며, 상부에 위치하는 하부 플레이트(30)와 연결될 수 있다.The chuck shaft 20 may rotate in a predetermined direction and may be connected to the lower plate 30 positioned above.

하부 플레이트(30)는 척 샤프트(20)에 의하여 회전할 수 있으며, 진공 플레이트(40)를 지지할 수 있다.The lower plate 30 may rotate by the chuck shaft 20 and may support the vacuum plate 40.

진공 플레이트(40)는 하부 플레이트(30) 상에 위치하고, 하부 플레이트(30)가 회전함에 따라 함께 회전할 수 있다. 진공 플레이트(40)는 연마하고자 하는 웨이퍼(4)를 장착할 수 있다. 진공 플레이트(40)는 흡착 방식에 의하여 웨이퍼(4)를 장착할 수 있다. The vacuum plate 40 is positioned on the lower plate 30 and may rotate together as the lower plate 30 rotates. The vacuum plate 40 may mount the wafer 4 to be polished. The vacuum plate 40 can mount the wafer 4 by an adsorption method.

예컨대, 진공 플레이트(40)는 하면(301)이 하부 플레이트(30)에 접촉되며, 진공 플레이트(40)는 상면(302)에 웨이퍼(4)의 전면(101)이 접촉되도록 웨이퍼(4)를 장착할 수 있다.For example, the vacuum plate 40 has a lower surface 301 in contact with the lower plate 30, and the vacuum plate 40 holds the wafer 4 so that the front surface 101 of the wafer 4 contacts the upper surface 302. I can attach it.

패드부(90)는 진공 플레이트(40)의 외주면 주위에 배치되며, 진공 플레이트(40) 상에 장착되는 웨이퍼의 전면(101)에 인접하는 에지 부분을 연마할 수 있다.The pad portion 90 is disposed around the outer circumferential surface of the vacuum plate 40, and can polish the edge portion adjacent to the front surface 101 of the wafer mounted on the vacuum plate 40.

패드부(90)는 복수의 패드 홀더들(61 내지 64)과, 패드 홀더들(61 내지 64)에 부착되는 패드들(71 내지 74)과, 패드 홀더 지지부(80-1 내지 80-4)를 포함할 수 있다.The pad unit 90 includes a plurality of pad holders 61 to 64, pads 71 to 74 attached to the pad holders 61 to 64, and pad holder supports 80-1 to 80-4. It may include.

복수의 패드 홀더들(61 내지 64)은 진공 플레이트(40)의 외주면 주위에 배치될 수 있다. 패드 홀더 지지부(80-1 내지 80-4)는 몸체(10) 상에 배치되고, 패드 홀더들(61 내지 64)을 지지하며, 지지하는 패드 홀더를 상하로 이동시킬 수 있다. 예컨대, 패드 홀더 지지부(80-1 내지 80-4)는 패드 홀더들(61 내지 64)을 개별적으로 전후, 및 상하로 이동시킬 수 있다.The plurality of pad holders 61 to 64 may be disposed around the outer circumferential surface of the vacuum plate 40. The pad holder supports 80-1 to 80-4 may be disposed on the body 10, support the pad holders 61 to 64, and move the supporting pad holder up and down. For example, the pad holder supports 80-1 to 80-4 may move the pad holders 61 to 64 individually back and forth and up and down.

도 1에 도시된 실시 예는 4개의 패드 홀더들(61,62,63,64)을 포함할 수 있다. 4개의 패드 홀더들(61,62,63,64)은 진공 플레이트(40)의 외주면에 인접하여 서로 이격하여 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 패드 홀더(71)와 제3 패드 홀더(73)는 서로 마주 보도록 배치되고, 제2 패드 홀더(72)와 제4 패드 홀더(74)는 서로 마주 보도록 배치될 수 있다.The embodiment shown in FIG. 1 may include four pad holders 61, 62, 63, and 64. The four pad holders 61, 62, 63, and 64 may be disposed to be spaced apart from each other adjacent to the outer circumferential surface of the vacuum plate 40. For example, the first pad holder 71 and the third pad holder 73 may be disposed to face each other, and the second pad holder 72 and the fourth pad holder 74 may be disposed to face each other.

각각의 패드 홀더들(61 내지 64)는 진공 플레이트(40)에 대향하고, 패드(71 내지 74)가 부착되는 패드 부착 면(61-1 내지 64-1)을 가질 수 있다. 패드 부착면(61-1 내지 64-1)은 진공 플레이트의 상부면(302)을 기준으로 기울어진 경사면일 수 있다. 또한 패드 부착면(61-1 내지 64-1)은 일정한 곡률을 갖는 곡면일 수 있다. 서로 마주보는 패드 부착면(예컨대, 61과 63, 및 62와 64)의 경사도는 동일할 수 있다.Each pad holder 61-64 may have a pad attaching surface 61-1-64-1 opposite the vacuum plate 40 and to which the pads 71-74 are attached. The pad attachment surfaces 61-1 to 64-1 may be inclined surfaces inclined with respect to the upper surface 302 of the vacuum plate. In addition, the pad attaching surfaces 61-1 to 64-1 may be curved surfaces having a constant curvature. The slopes of the pad attachment surfaces facing each other (eg, 61 and 63, and 62 and 64) may be the same.

제1 패드(71)는 제1 패드 홀더(61)의 제1 패드 부착면(61-1)에 부착되고, 제2 패드(72)는 제2 패드 홀더(62)의 제2 패드 부착면(62-1)에 부착되고, 제3 패드(73)는 제3 패드 홀더(63)의 제3 패드 부착면(63-1)에 부착되고, 제4 패드(74)는 제4 패드 홀더(64)의 제4 패드 부착면(64-1)에 부착될 수 있다.The first pad 71 is attached to the first pad attaching surface 61-1 of the first pad holder 61, and the second pad 72 is attached to the second pad attaching surface of the second pad holder 62 ( 62-1), the third pad 73 is attached to the third pad attaching surface 63-1 of the third pad holder 63, and the fourth pad 74 is the fourth pad holder 64. ) May be attached to the fourth pad attaching surface 64-1.

패드들(71 내지 74)은 진공 플레이트(40)에 장착되는 웨이퍼(4)의 에지 부분을 연마할 수 있다.The pads 71-74 may polish the edge portion of the wafer 4 mounted to the vacuum plate 40.

도 7은 웨이퍼(4)의 에지 베벨(bevel)을 나타낸다. 도 7을 참조하면, 웨이퍼의 에지는 베벨(A1, A2) 및 뽀족한 부분(Apex, 503)를 포함할 수 있다. 7 shows the edge bevel of the wafer 4. Referring to FIG. 7, the edges of the wafer may include bevels A1 and A2 and pointed portions Apex 503.

웨이퍼의 에지 베벨은 제1 베벨(A1) 및 제2 베벨(A2)로 구분될 수 있다. 제1 베벨(A1)은 웨이퍼(4)의 후면(102) 가장 자리(501)로부터 웨이퍼 에지의 뾰족한 부분(Apex, 503)까지의 영역일 수 있으며, 제2 베벨(A2)은 웨이퍼(4)의 전면(101) 가장 자리(502)로부터 웨이퍼 에지의 뾰족한 부분(503)까지의 영역일 수 있다. The edge bevel of the wafer may be divided into a first bevel A1 and a second bevel A2. The first bevel A1 may be an area from the edge 102 of the backside 102 of the wafer 4 to the pointed portions Apex 503 of the wafer edge, the second bevel A2 being the wafer 4. May be an area from the front edge 101 of the edge 502 to the pointed portion 503 of the wafer edge.

패드들(71 내지 74) 중 어느 하나(예컨대, 71)는 웨이퍼(4) 에지의 제1 베벨(A1)을 연마할 수 있다. 패드들(71 내지 74) 중 다른 어느 하나(예컨대, 73)는 웨이퍼(4) 에지의 제2 베벨(A2)을 연마할 수 있다.Any one of the pads 71-74 (eg, 71) may polish the first bevel A1 of the wafer 4 edge. Another one of the pads 71-74 (eg, 73) may polish the second bevel A2 at the edge of the wafer 4.

예컨대, 웨이퍼 에지 연마 공정시, 제1 패드 홀더(61)에 부착되는 제1 패드(71)는 웨이퍼(4) 에지의 제1 베벨(A1)에 접촉하고, 제3 패드 홀더(63)에 부착되는 제3 패드(73)는 웨이퍼(4) 에지의 제2 베벨(A2)에 접촉할 수 있다. For example, in the wafer edge polishing process, the first pad 71 attached to the first pad holder 61 contacts the first bevel A1 at the edge of the wafer 4 and attaches to the third pad holder 63. The third pad 73 may contact the second bevel A2 at the edge of the wafer 4.

패드들(71 내지 74) 중 나머지(예컨대, 72,74)는 웨이퍼(4) 에지의 뾰족한 부분(503)을 연마할 수 있다.The remaining (eg, 72, 74) of the pads 71-74 may polish the sharp portion 503 of the wafer 4 edge.

예컨대, 웨이퍼 에지 연마 공정시, 제2 패드 홀더(62)에 부착되는 제2 패드(72) 및 제4 패드 홀더(62)에 부착되는 제4 패드는 웨이퍼(4) 에지의 뾰족한 부분(503)에 접촉할 수 있다.For example, in the wafer edge polishing process, the second pad 72 attached to the second pad holder 62 and the fourth pad attached to the fourth pad holder 62 may have a sharp portion 503 at the edge of the wafer 4. Can be contacted.

제1 노즐(50)은 진공 플레이트(40) 상에 위치하며, 연마 공정 시 진공 플레이트(40) 상에 장착되는 웨이퍼의 후면(102)에 자유 낙하 방식에 의하여 슬러리(52)를 공급한다.The first nozzle 50 is positioned on the vacuum plate 40, and supplies the slurry 52 to the rear surface 102 of the wafer mounted on the vacuum plate 40 by a free fall method during the polishing process.

연마 공정시 진공 플레이트(40)는 회전하며, 주위에 배치되는 패드 홀더들(61 내지 64)에 부착되는 패드(71 내지 74) 및 웨이퍼(4)의 에지에 슬러리를 분사한다. 예컨대, 진공 플레이트(40)는 웨이퍼(4) 에지의 제2 베벨(A2) 및 웨이퍼(4) 아래에 위치하는 패드(예컨대, 71,73)의 하단 부분에 슬러리(54)를 공급할 수 있다.In the polishing process, the vacuum plate 40 rotates and injects slurry to the edges of the wafers 4 and the pads 71 to 74 attached to the pad holders 61 to 64 disposed around. For example, the vacuum plate 40 may supply the slurry 54 to the second bevel A2 at the edge of the wafer 4 and to the bottom portion of the pads (eg, 71, 73) positioned below the wafer 4.

진공 플레이트(40)는 슬러리 공급관(35) 및 적어도 하나의 제2 노즐(예컨대, 41, 42,43, 44)을 포함할 수 있다. 슬러리 공급관(35)은 적어도 하나의 제2 노즐(예컨대, 41, 42,43, 44)에 슬러리를 공급하며, 적어도 하나의 제2 노즐(예컨대, 41, 42,43, 44)은 슬러리를 패드(71, 73)에 분사한다.The vacuum plate 40 may include a slurry supply pipe 35 and at least one second nozzle (eg, 41, 42, 43, 44). The slurry supply pipe 35 supplies the slurry to at least one second nozzle (eg 41, 42, 43, 44), and the at least one second nozzle (eg 41, 42, 43, 44) pads the slurry. Spray to (71, 73).

예컨대, 실시 예는 슬러리 공급관(35)과 연결되는 압력 펌프(37)를 더 포함하며, 압력 펌프(37)는 슬러리 공급관(35) 내부로 기설정된 압력의 슬러리를 공급할 수 있다. 즉 압력 펌프(37)에 의하여 슬러리 공급관(35)은 기설정된 압력의 슬러리를 제2 노즐들(예컨대,41, 42,43, 44)에 공급할 수 있으며, 제2 노즐들(예컨대,41, 42,43, 44)은 기설정된 압력으로 슬러리를 패드(71 내지 74)로 분사할 수 있다. For example, the embodiment may further include a pressure pump 37 connected to the slurry supply pipe 35, and the pressure pump 37 may supply a slurry having a predetermined pressure into the slurry supply pipe 35. That is, by the pressure pump 37, the slurry supply pipe 35 may supply a slurry having a predetermined pressure to the second nozzles (eg, 41, 42, 43, and 44), and the second nozzles (eg, 41, 42). 43 and 44 may spray the slurry to the pads 71 to 74 at a predetermined pressure.

웨이퍼 에지 연마시 진공 플레이트(40)는 고속 회전하기 때문에 제2 노즐들(예컨대,41, 42,43, 44)이 분사하는 슬러리의 압력이 너무 높으면 슬러리가 비산되어 슬러리가 낭비될 수 있다. 반대로 분사되는 슬러리의 압력이 너무 낮으면 원하는 부위에 슬러리를 분사하지 못할 수 있다. 슬러리의 비산 방지 및 적절한 슬러리 공급을 위하여 슬러리의 압력은 20Mpa ~ 30MPa일 수 있다. 여기서 MPa는 압력의 단위로 메가파스칼(Mega Pascal)을 나타낸다.Since the vacuum plate 40 rotates at high speed during wafer edge polishing, if the pressure of the slurry sprayed by the second nozzles (eg, 41, 42, 43, 44) is too high, the slurry may be scattered and the slurry may be wasted. On the contrary, if the pressure of the slurry to be injected is too low, it may not be possible to spray the slurry to the desired site. The pressure of the slurry may be 20Mpa ~ 30MPa to prevent the scattering of the slurry and to supply a suitable slurry. Where MPa represents Mega Pascal in units of pressure.

도 4는 도 2에 도시된 진공 플레이트(40)의 상면도를 나타낸다. 도 4를 참조하면, 진공 플레이트(40)의 하면(301)과 상면(302) 사이에 위치하는 측면(303)에는 복수의 제2 노즐들(예컨대, 41, 42,43, 44)이 형성될 수 있다. 복수의 제2 노즐들(예컨대, 41, 42,43, 44)은 서로 이격하여 배치될 수 있으며, 진공 플레이트(40)의 중심(center)을 기준으로 서로 대칭적으로 배치될 수 있다. 예컨대, 인접하는 제2 노즐들 간의 각도는 서로 동일할 수 있으나, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.4 shows a top view of the vacuum plate 40 shown in FIG. 2. Referring to FIG. 4, a plurality of second nozzles (eg, 41, 42, 43, and 44) may be formed on the side surface 303 positioned between the lower surface 301 and the upper surface 302 of the vacuum plate 40. Can be. The plurality of second nozzles (eg, 41, 42, 43, 44) may be spaced apart from each other, and may be symmetrically disposed with respect to the center of the vacuum plate 40. For example, angles between adjacent second nozzles may be the same, but embodiments are not limited thereto.

슬러리 공급관(35)은 진공 플레이트(40) 내부에 위치하며, 적어도 하나의 제2 노즐(예컨대, 41, 42,43, 44)과 연결되고, 제2 노즐(예컨대, 41, 42,43, 44)에 슬러리를 공급할 수 있다. 슬러리 공급관(35)은 제2 노즐들(예컨대, 41, 42,43, 44)에 연결되는 일체형의 하나의 슬러리 공급관(35)을 도시하였지만, 실시 예는 이에 한정되는 것은 아니며, 슬러리 공급관(35)은 다양한 형태로 구현될 수 있다. 예컨대, 다른 실시 예는 복수의 제2 노즐들(예컨대, 41, 42,43, 44)에 개별적으로 연결되는 복수의 슬러리 공급관들을 포함할 수 있다. The slurry feed pipe 35 is located inside the vacuum plate 40 and is connected to at least one second nozzle (eg, 41, 42, 43, 44), and the second nozzle (eg, 41, 42, 43, 44). ) Can be supplied with a slurry. Although the slurry supply pipe 35 shows one integrated slurry supply pipe 35 connected to the second nozzles (eg, 41, 42, 43, 44), the embodiment is not limited thereto, and the slurry supply pipe 35 is not limited thereto. ) May be implemented in various forms. For example, another embodiment may include a plurality of slurry feed lines that are individually connected to a plurality of second nozzles (eg, 41, 42, 43, 44).

제2 노즐들(예컨대, 41, 42,43, 44)은 진공 플레이트(40) 상에 장착되는 웨이퍼(4)의 에지 및 진공 플레이트(40) 주위에 위치하는 패드부(90)에 슬러리 공급관(35)으로부터 공급된 슬러리를 분사할 수 있다. 예컨대, 제2 노즐들(예컨대, 41, 42,43, 44)은 슬러리를 진공 플레이트(40) 상에 장착되는 웨이퍼(4)의 에지 및 진공 플레이트(40) 주위에 위치하는 패드들(71 내지 74)에 분사할 수 있다.The second nozzles (eg, 41, 42, 43, 44) are provided at the edge of the wafer 4 mounted on the vacuum plate 40 and at the pad portion 90 positioned around the vacuum plate 40. The slurry supplied from 35 can be sprayed. For example, the second nozzles (e.g., 41, 42, 43, 44) may be pads 71 to about the edge of the wafer 4 on which the slurry is mounted on the vacuum plate 40 and around the vacuum plate 40. 74).

예컨대, 연마 공정시 제2 노즐들(예컨대, 41, 42,43, 44)은 웨이퍼(4) 에지의 제2 베벨(A2) 및 웨이퍼(4) 아래에 위치하는 패드(예컨대, 71,73)의 하단 부분에 슬러리(54)를 분사할 수 있다.For example, in the polishing process, the second nozzles (eg, 41, 42, 43, 44) are the second bevel A2 at the edge of the wafer 4 and the pads (eg, 71,73) located below the wafer 4. The slurry 54 may be sprayed on the lower portion of the.

도 5는 도 2 및 도 3에 도시된 제2 노즐들(예컨대, 41, 42,43, 44)의 제1 실시 예를 나타낸다. 도 5를 참조하면, 제2 노즐들(예컨대, 41, 42,43, 44)은 슬러리가 분사되는 적어도 하나의 분사구를 포함할 수 있다. 예컨대, 제2 노즐들(예컨대, 41, 42,43, 44)은 제1 방향으로 슬러리(54)를 분사하는 제1 분사구(410)를 구비할 수 있다. 이때 제1 방향은 진공 플레이트(40)의 상면(302)과 평행한 방향일 수 있다. FIG. 5 illustrates a first embodiment of the second nozzles (eg, 41, 42, 43, 44) illustrated in FIGS. 2 and 3. Referring to FIG. 5, the second nozzles (eg, 41, 42, 43, and 44) may include at least one injection hole through which a slurry is injected. For example, the second nozzles (eg, 41, 42, 43, 44) may include a first injection hole 410 for spraying the slurry 54 in the first direction. In this case, the first direction may be a direction parallel to the upper surface 302 of the vacuum plate 40.

또한 제2 노즐들(예컨대, 41, 42,43, 44)은 제2 방향으로 슬러리(54)를 분사하는 제2 분사구(420, 430)를 구비할 수 있다. 제1 방향과 제2 방향은 서로 다른 방향일 수 있다. 예컨대, 제2 방향은 제1 방향과 수직인 방향일 수 있다. 제1 분사구(410) 및 제2 분사구(520,430)는 복수일 수 있다.In addition, the second nozzles 41, 42, 43, and 44 may include second injection holes 420 and 430 for spraying the slurry 54 in the second direction. The first direction and the second direction may be different directions. For example, the second direction may be a direction perpendicular to the first direction. The first injection holes 410 and the second injection holes 520 and 430 may be plural.

도 6은 도 2 및 도 3에 도시된 제2 노즐들(예컨대, 41, 42,43, 44)의 제2 실시 예를 나타낸다. 도 6을 참조하면, 제2 노즐들(예컨대, 41, 42,43, 44)은 분사되는 각도가 조절될 수 있다. 예컨대, 제2 노즐들(예컨대, 41, 42,43, 44)은 진공 플레이트(40)에 연결되는 제1 부분(201), 분사구(510)가 마련되는 제2 부분(202) 및 제1 부분(201)과 제2 부분(202)을 연결하는 관절 부분(203)을 포함하며, 관절 부분(203)에 의하여 제1 부분(201)과 제2 부분(202)이 이루는 각도(θ)가 조절될 수 있다. 따라서 각도(θ)를 조절하여 제2 노즐들(예컨대, 41, 42,43, 44)의 슬러리 분사 각도를 조절할 수 있다.FIG. 6 illustrates a second embodiment of the second nozzles (eg, 41, 42, 43, and 44) illustrated in FIGS. 2 and 3. Referring to FIG. 6, the angles at which the second nozzles (eg, 41, 42, 43, and 44) are injected may be adjusted. For example, the second nozzles (eg, 41, 42, 43, 44) may include a first portion 201 connected to the vacuum plate 40, a second portion 202 and a first portion provided with the injection hole 510. And a joint portion 203 connecting the 201 and the second portion 202, and the angle θ formed by the first portion 201 and the second portion 202 is adjusted by the joint portion 203. Can be. Therefore, the slurry spray angles of the second nozzles (eg, 41, 42, 43, and 44) may be adjusted by adjusting the angle θ.

도 8에 도시된 일반적인 에지 폴리싱 장치(1)는 슬러리를 웨이퍼의 일면(예컨대, 후면)에만 공급하기 때문에, 슬러리와 접촉이 원활한 웨이퍼 에지의 제1 베벨(A1)은 연마가 잘 되는 반면에, 슬러리와의 접촉이 상대적으로 적은 웨이퍼 에지의 제2 베벨(A2)은 연마가 잘 되지 않을 수 있다.Since the general edge polishing apparatus 1 shown in FIG. 8 supplies the slurry to only one side (eg, the back side) of the wafer, the first bevel A1 of the wafer edge which is in contact with the slurry is well polished, The second bevel A2 of the wafer edge with less contact with the slurry may not be polished well.

그러나 실시 예는 진공 플레이트(40)의 측면(303)에 구비되는 제2 노즐들(예컨대, 41, 42,43, 44)에 의하여 웨이퍼 에지 연마 공정시 웨이퍼(4) 에지의 제2 베벨(A2)에 직접 슬러리를 분사함으로써, 웨이퍼(4) 에지의 제2 베벨(A2)에 대한 연마를 향상시킬 수 있다. 즉 실시 예는 웨이퍼(4) 에지의 제1 베벨(A1) 및 제2 베벨(A2)에 대한 연마 가공력의 차이를 줄여 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있다.However, the embodiment has a second bevel A2 of the edge of the wafer 4 during the wafer edge polishing process by the second nozzles (eg, 41, 42, 43, 44) provided on the side surface 303 of the vacuum plate 40. By spraying the slurry directly onto the wafer), polishing of the second bevel A2 at the edge of the wafer 4 can be improved. That is, according to the embodiment, the quality of the wafer may be improved by reducing the difference in the polishing processing force of the first bevel A1 and the second bevel A2 at the edge of the wafer 4.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

10: 몸체 20: 척 샤프트
30: 하부 플레이트 35: 슬러리 공급관
37: 압력 펌프 40: 진공 플레이트
41 내지 44: 제2 노즐 50: 제1 노즐
52, 54: 슬러리 61 내지 64: 패드 홀더
71 내지 74: 패드 80-1 내지 80-4: 패드 홀더 지지부.10: body 20: chuck shaft
30: lower plate 35: slurry feed pipe
37: pressure pump 40: vacuum plate
41 to 44: second nozzle 50: first nozzle
52, 54: slurry 61 to 64: pad holder
71 to 74: pads 80-1 to 80-4: pad holder support.

Claims (11)

웨이퍼가 장착되는 진공 플레이트;
상기 진공 플레이트를 지지하고, 상기 진공 플레이트를 회전시키는 척 샤프트(chuck shaft);
상기 진공 플레이트 외주면 주위에 배치되고, 상기 웨이퍼의 에지(edge)를 연마하는 패드부; 및
상기 진공 플레이트 상부에 이격하여 배치되고, 상기 웨이퍼의 일면에 슬러리를 공급하는 제1 노즐을 포함하며,
상기 진공 플레이트는 상기 웨이퍼의 다른 일면에 인접하는 에지 부분에 슬러리를 분사하는 웨이퍼 에지 연마 장치.A vacuum plate on which the wafer is mounted;
A chuck shaft supporting the vacuum plate and rotating the vacuum plate;
A pad portion disposed around the outer circumferential surface of the vacuum plate and polishing the edge of the wafer; And
A first nozzle disposed on the vacuum plate and spaced apart from each other, and supplying a slurry to one surface of the wafer;
The vacuum plate is a wafer edge polishing apparatus for injecting a slurry to the edge portion adjacent to the other side of the wafer. 제1항에 있어서, 상기 패드부는,
상기 웨이퍼 에지의 제1 베벨(bevel)을 연마하는 제1 패드; 및
상기 웨이퍼 에지의 제2 베벨을 연마하는 제2 패드를 포함하며,
상기 제1 베벨은 상기 웨이퍼의 상기 일면 가장 자리로부터 상기 웨이퍼 에지의 뾰족한 부분까지의 영역이며, 상기 제2 베벨은 상기 웨이퍼의 상기 다른 일면 가장 자리로부터 상기 뾰족한 부분까지의 영역인 웨이퍼 에지 연마 장치.The method of claim 1, wherein the pad unit,
A first pad for polishing the first bevel of the wafer edge; And
A second pad polishing the second bevel of the wafer edge,
And the first bevel is an area from the one edge of the wafer to the pointed portion of the wafer edge, and the second bevel is an area from the other one edge of the wafer to the pointed portion. 제2항에 있어서,
상기 진공 플레이트는 상기 제2 베벨에 상기 슬러리를 분사하는 웨이퍼 에지 연마 장치. The method of claim 2,
And the vacuum plate sprays the slurry onto the second bevel. 제2항에 있어서,
상기 진공 플레이트는 상기 제2 베벨, 및 상기 웨이퍼 아래에 위치하는 상기 제2 패드의 하단 부분에 상기 슬러리를 분사하는 웨이퍼 에지 연마 장치.The method of claim 2,
And the vacuum plate sprays the slurry onto the second bevel and a lower portion of the second pad positioned below the wafer. 제1항에 있어서, 상기 진공 플레이트는,
측면에 마련되는 적어도 하나의 제2 노즐; 및
상기 적어도 하나의 제2 노즐에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급관을 포함하는 웨이퍼 에지 연마 장치.The method of claim 1, wherein the vacuum plate,
At least one second nozzle provided at a side surface; And
Wafer edge polishing apparatus comprising a slurry supply pipe for supplying a slurry to the at least one second nozzle. 제5항에 있어서,
상기 적어도 하나의 제2 노즐은 슬러리의 분사 각도가 조절되는 웨이퍼 에지 연마 장치.The method of claim 5,
The at least one second nozzle is a wafer edge polishing apparatus that the injection angle of the slurry is adjusted. 제5항에 있어서,
상기 적어도 하나의 제2 노즐로부터 분사되는 슬러리의 압력은 20Mpa ~ 30MPa인 웨이퍼 에지 연마 장치.The method of claim 5,
The pressure of the slurry sprayed from the at least one second nozzle is 20Mpa ~ 30MPa wafer edge polishing apparatus. 제5항에 있어서,
상기 적어도 하나의 제2 노즐은 서로 다른 방향으로 슬러리를 분사하는 복수의 분사구들을 포함하는 웨이퍼 에지 연마 장치.The method of claim 5,
And said at least one second nozzle comprises a plurality of jets for injecting slurry in different directions. 제5항에 있어서,
상기 제2 노즐은 복수 개이고, 복수의 제2 노즐들은 상기 진공 플레이트의 중심을 기준으로 서로 대칭적으로 배치되는 웨이퍼 에지 연마 장치.The method of claim 5,
And a plurality of second nozzles, and the plurality of second nozzles are symmetrically disposed with respect to the center of the vacuum plate. 제5항에 있어서,
상기 슬러리 공급관 내부로 기설정된 압력의 슬러리를 공급하는 펌프를 더 포함하는 웨이퍼 에지 연마 장치.The method of claim 5,
Wafer edge polishing apparatus further comprises a pump for supplying a slurry of a predetermined pressure into the slurry supply pipe. 제9항에 있어서,
상기 슬러리 공급관은 상기 진공 플레이트의 내부에 위치하고, 상기 복수의 제2 노즐들 각각에 연결되는 웨이퍼 에지 연마 장치.10. The method of claim 9,
And the slurry supply pipe is located inside the vacuum plate and connected to each of the plurality of second nozzles.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110181389A (en) * 2019-05-28 2019-08-30 西安奕斯伟硅片技术有限公司 A kind of grinding wafer component and milling apparatus

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101540855B1 (en) * 2013-11-07 2015-07-30 주식회사 엘지실트론 Apparutus for polishing wafer edge
CN113400176A (en) * 2021-06-21 2021-09-17 西安奕斯伟硅片技术有限公司 Silicon wafer edge polishing device and method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002110593A (en) * 2000-09-27 2002-04-12 Sony Corp Method and apparatus for removing remaining film on wafer edge
KR20060125402A (en) * 2005-06-02 2006-12-06 삼성전자주식회사 A polishing table, a chemical mechanical polishing apparatus having the polishing table and, chemical mechanical polishing method using the apparatus
JP2010021273A (en) * 2008-07-09 2010-01-28 Seiko Epson Corp Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus
KR20100034733A (en) * 2007-07-13 2010-04-01 램 리서치 아게 Apparatus and method for wet treatment of disc-like articles

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002110593A (en) * 2000-09-27 2002-04-12 Sony Corp Method and apparatus for removing remaining film on wafer edge
KR20060125402A (en) * 2005-06-02 2006-12-06 삼성전자주식회사 A polishing table, a chemical mechanical polishing apparatus having the polishing table and, chemical mechanical polishing method using the apparatus
KR20100034733A (en) * 2007-07-13 2010-04-01 램 리서치 아게 Apparatus and method for wet treatment of disc-like articles
JP2010021273A (en) * 2008-07-09 2010-01-28 Seiko Epson Corp Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110181389A (en) * 2019-05-28 2019-08-30 西安奕斯伟硅片技术有限公司 A kind of grinding wafer component and milling apparatus

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