KR101267466B1 - 지지 링 조립체 - Google Patents

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KR101267466B1
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케이스 에이. 밀러
일야 라비트스카이
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

주변 에지를 갖는 기판 지지부를 위한 기판 링 조립체가 제공된다. 상기 조립체는 상기 기판 지지부의 상기 주변 에지를 에워싸며 적어도 부분적으로 덮고 있는 내측 둘레를 갖는 환형 밴드를 갖는다. 상기 조립체는 또한 상기 환형 밴드를 상기 기판 지지부의 상기 주변 에지에 고정시키는 클램프를 갖는다.

Description

지지 링 조립체 {SUPPORT RING ASSEMBLY}
도 1a는 클램핑된 환형 밴드를 갖는 기판 링 조립체의 실시예의 부분 측단면도.
도 1b는 도 1a의 기판 링 조립체를 갖는 기판 지지부의 일 실시예의 부분 평면도.
도 1c는 회전식(swiveling) 패스너를 갖는 도 1a의 기판 링 조립체의 일 실시예의 부분 측단면도.
도 2a는 방사상 스프링을 포함하는 클램프를 갖는 기판 링 조립체의 일 실시예의 부분 측단면도.
도 2b는 연장되는 스프링을 포함하는 클램프를 갖는 기판 링 조립체의 일 실시예의 부분 측단면도.
도 3은 기판 링 조립체를 갖는 프로세스 챔버의 일 실시예의 부분 측단면도.
※ 도면의 주요 부분에 대한 도면 부호의 설명 ※
20 : 기판 링 조립체 22 : 기판 지지부
24 : 수용 표면 26 : 밴드
30 : 지지부의 에지 34 :클램프
44 : 브래킷 70 : 커버 링
104 : 기판 105 : 기판의 표면
118 : 외장 벽 119 : 온도 제어 시스템
127 : 냉각 플레이트 130 : 지지 링
본 발명의 실시예는 프로세스 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지 링 조립체에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 및 디스플레이와 같은 기판의 프로세싱에서, 기판은 프로세스 챔버 내에 위치되며 기판 상에 재료를 증착하거나 기판상의 재료를 에칭하도록 전력 인가된(energized) 가스에 노출된다. 통상적인 프로세스 챔버는 프로세스 영역을 에워싸는 외장 벽, 챔버 내에 가스를 제공하는 가스 공급원, 기판을 프로세싱하도록 프로세스 가스에 전력을 인가하는 가스 에너자이저, 기판 지지부 및 가스 배출기를 포함하는 프로세스 구성요소들을 포함한다. 프로세스 챔버 구성요소들은, 예를 들어 증착 링, 커버 링 및 섀도 링과 같은, 기판의 주변(periphery) 주위에 위치되는 링인 기판 링과 같이, 프로세싱 중에 기판의 고정 및 보호를 도울 수 있는 하나 또는 그보다 많은 부품을 통상적으로 포함하는 프로세스 키트를 포함할 수도 있다.
물리 기상 증착(PVD) 프로세스에서, 증착 링을 포함하는 기판 링은 기판의 주변 주위에 제공된다. 증착 링은 통상적으로, 기판을 에워싸며, 기판 지지부 상에 놓이는 립(lip) 또는 릿지(ledge)를 갖는다. 증착 링은 기판 지지부의 측벽 표면 및 주변 에지를 프로세스 잔여물의 증착으로부터 차폐하며, 이들은 그렇지 않은 경우 챔버 내의 전력 인가된 가스에 노출될 것이다. 따라서, 증착 링은 결국 박리되어 기판을 오염시키는, 지지부 상의 프로세스 잔여물의 축적을 감소시킨다. 증착 링은 전력 인가된 가스에 의한 지지 구조물의 부식을 감소시킬 수도 있다. 증착 링을 제공하는 것은 또한 지지부 조립체가 세정을 필요로 하는 빈도수를 낮추는데, 이는 증착 링 자체가 기판 프로세스 사이클 중에 링 상에 축적되는 프로세스 잔여물을 제거하기 위해서 챔버로부터 주기적으로 제거되며, 예를 들어 HF 및 HNO3로 세정될 수 있기 때문이다.
그러나, 프로세싱 중에 챔버 내에서 전력 인가된 가스에의 노출을 동반하는, 예를 들어 탄탈 PVD 프로세스와 같은 특정 프로세스가 증착 링을 가열시킨다. 통상적으로, 예를 들어 알루미늄 산화물 증착 링과 같은 증착 링은, 수용할 수 있는 수준으로 링의 온도를 떨어뜨리도록 진공 환경에서 증착 링의 주변과 충분한 양의 열을 교환하지 않는다. 증착 링의 과도한 가열은 유해한데, 이는 증착 링과 증착 링 위에 축적되는 프로세스 잔여물 사이의 열 응력이 증착 링으로부터 프로세스 잔여물의 필링 또는 스폴링을 야기하며, 이에 따른 기판의 오염을 야기하기 때문이다. 또한, 고온 증착 링은 기판의 주변으로부터 발생되는 온도 구배를 야기할 수 있으며, 이는 프로세싱 중에 기판의 온도 또는 전력 인가된 가스의 온도를 변경시킨다. 알루미늄 산화물 증착 링과 같은 종래 링이 갖는 또 다른 문제는 상기 링이 세정 및 재정비(refurbishment) 프로세스 중에 부식되어 그 수명이 감소된다는 점이다. 이는 특히, 예를 들어 알루미늄 산화물 링 상에 형성되는 탄탈 증착물과 같은, 화학적으로 제거하기 어려운 프로세스 잔여물을 세정할 때에도 해당된다(true).
따라서, 기판의 프로세싱 중에 온도가 과도하게 올라가지 않는, 증착 링과 같은 기판 링을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 링의 세정 중에 과도하게 부식되지 않는 기판 링을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 기판 프로세싱 중에 과도하게 높은 온도 구배의 형성을 감소시킬 수 있는 기판 링을 갖는 것이 바람직하다.
일 실시예에서, 주변 에지를 갖는 기판 지지부를 위한 기판 링 조립체가 제공된다. 상기 조립체는 기판 지지부의 주변 에지를 에워싸고 적어도 부분적으로 덮고 있는 내측 둘레(inner perimeter)를 갖는 환형 밴드를 갖는다. 상기 조립체는 또한 기판 지지부의 주변 에지에 환형 밴드를 고정시키는 클램프를 갖는다.
다른 실시예에서, 상기 기판 링 조립체는 기판 지지부의 주변 에지를 적어도 부분적으로 에워싸고 적어도 부분적으로 덮고 있는 내측 둘레를 갖는 환형 밴드를 갖는다. 환형 밴드는 최상부 표면 위에서 프로세스 가스의 유동을 방지하도록 구성되는, 환형 밴드의 최상부 표면상의 하나 이상의 돌출부를 갖는다. 최하부(foot)는 환형 밴드로부터 하향 연장하며 기판 지지부의 표면을 압박하도록 구성된다.
다른 실시예에서, 기판 링 조립체는 기판 지지부의 주변 에지를 에워싸고 적어도 부분적으로 덮고 있는 내측 둘레를 갖는 환형 밴드, 및 환형 밴드로부터 하향 연장하는 최하부를 갖는다. 최하부는 밴드가 기판 지지부에 대해 유지될 경우에, 밴드가 기판 지지부 상에 압축 응력을 실질적으로 가하도록 형상화되고, 크기가 정해지며 위치된다.
본 발명의 이들 특징들, 양태 및 장점들은 본 발명의 실시예들을 설명하는 다음의 상세한 설명, 첨부된 청구범위 및 첨부 도면과 관련하여 더 잘 이해될 것이다. 그러나, 이러한 각각의 특징들은 특정 도면에 관하여서만이 아니라 본 발명에서 전체적으로 사용될 수 있으며, 본 발명은 이들 특징의 임의의 조합을 포함하는 것이 이해될 것이다.
기판 프로세싱 환경에 있어서 기판 지지부(22)의 적어도 일 부분을 덮거나 보호하는데 이용될 수 있는 기판 링 조립체(20)의 예시적 실시예가 도 1a 및 도 1b에 도시되어 있다. 예를 들어, 정전 척(23)을 포함할 수 있는 기판 지지부(22)는 프로세싱 중에 기판(104)을 수용하며 지지하는 기판 수용 표면(24)을 갖는다. 기판 링 조립체(20)는 지지부(22)의 적어도 일 부분을 덮음으로써 지지부(22)의 적어도 일 부분을 보호하도록 제공된다. 기판 링 조립체(20)는 기판 수용 표면(24) 및 기판(104)의 주변을 에워싸도록 구성되는 내측 둘레(28)를 갖는 환형 밴드(26)를 포함한다. 내측 둘레(28)는 또한 지지부(22)의 기판 수용 표면(24)을 에워싸며, 환형 밴드(26)는 프로세싱 중에 기판(104)에 의해 덮이지 않는 지지부(22)의 영역을 보호한다. 예를 들어, 환형 밴드(26)는 지지부(22)의 주변 에지(30)를 둘러싸고 적어도 부분적으로 덮을 수 있는데, 이 주변 에지(30)는 그렇지 않으면 프로세싱 환경에 노출될 것이다. 도 1a에 도시된 실시예에서, 기판 링 조립체(20)는 주변 에지(30)를 보호하도록 지지부(22)의 주변 에지(30) 위로 연장하는 최상부 부분(32) 및 주변 에지(30)의 측면에 인접하며 하향 연장하는 바닥 부분(35)을 갖는 환형 밴드(26)를 포함한다. 환형 밴드(26)는 지지부의 덮인 표면을, 예를 들어 전력 인가된 프로세스 가스에 의한 부식 또는 이들 표면상의 프로세스 잔여물의 과도한 증착으로부터 보호할 수 있다.
일 실시예에서, 기판 링 조립체(20)는 환형 밴드(26)의 일 부분을 기판 지지부(22)에 클램핑하는 클램프(34)를 포함한다. 지지부(22)에 대한 환형 밴드(26)의 클램핑은, 클램핑된 밴드(26)와 지지부(22) 사이에 보다 양호한 열 교환이 발생할 수 있기 때문에, 적어도 부분적으로 개선된 프로세싱 결과를 제공한다. 환형 밴드(26)의 일부는 예를 들어, 프로세스 가스의 전력 인가된 플라즈마에 노출되는 환형 밴드(26)의 최상부 표면(36)과 같이 기판 프로세싱 중에 과도하게 가열되게 될 수 있다. 최상부 표면(36)의 과도한 가열은 환형 밴드(26)와 이 밴드(26)의 최상부 표면(36) 위에 증착되는 임의의 프로세스 잔여물 사이의 열 팽창 부조화(mismatch)를 야기할 수 있으며, 이는 프로세스 잔여물이 최상부 표면(36)으로부터 박리되게 할 수 있으며, 잠재적으로 기판(104)을 오염시킬 수 있다. 지지부(22)에 환형 밴드(26)를 클램핑하는 것은 밴드(26)와 지지부(22) 사이에 보다 양호한 열 교환을 또한 허용하여, 환형 밴드(26)의 온도 제어를 개선한다. 예를 들어, 지지부(22)는 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 예를 들면 냉각 도관(123)을 포함하는 온도 제어식 냉각 플레이트(127)를 지지부(22)에 제공함으로써 온도 제어될 수 있어서, 클램핑된 환형 밴드(26)의 양호한 냉각을 허용한다. 지지부(22)에 대한 환형 밴드(26)의 클램핑은 지지부(22)의 보호 및 보다 안전한 적용범위(coverage)를 제공할 수도 있다. 밴드(26)의 개선된 온도 제어는 또한, 예를 들어 스테인리스 스틸, 티타늄 또는 알루미늄과 같은 더 많은 내식성 금속 재료로부터의 밴드의 제조를 허용한다.
클램프(34)를 포함하는 기판 링 조립체(20)의 일 실시예가 도 1a 및 도 1b에 도시되어 있다. 이번 실시예에서, 환형 밴드(26)는 예를 들어, 환형 밴드(26)의 최상부 표면(36)으로부터 밴드의 바닥 표면(42)으로 연장하는 실질적으로 수직인 개구와 같은, 환형 밴드를 통해 연장하는 하나 이상의 개구(38)를 포함한다. 클램프(34)는 지지부(22)에 환형 밴드를 고정시키기 위해 개구(38)를 통과하도록 크기가 정해지고 형상화되는 패스너(40)를 포함한다. 도 1a에 도시된 실시예에서, 클램프(34)는 패스너(40)를 수용하며 환형 밴드(26)를 지지부(22)에 고정시키도록 구성되는 브래킷(44)을 더 포함한다. 브래킷(44)은 지지부(22)에 대해 환형 밴드(26)를 클램핑하기 위해 기판 지지부(22)에 대해 브레이싱되거나(braced) 그렇지 않으면 기판 지지부(22)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 브래킷(44)은 예를 들면 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 지지부(22)에 대해 환형 밴드(26)를 클램핑하기 위해 주변 에지(30)의 바닥 표면(48)과 같은, 지지부(22)의 표면에 대해 압박되는 클램핑 표면(46)을 포함할 수 있다. 클램핑 표면(46)은 환형 밴드(26)의 바닥 표면(42)을 압박할 수도 있다.
패스너(40)는 예를 들어 스크류, 클립, 스프링 또는 다른 연결 구조물 중 하나 이상과 같은 환형 밴드(26) 내의 개구(38)를 통과하며 브래킷(44)에 연결하는데 적합한 구조물을 포함한다. 예를 들어, 일 실시예에서, 패스너(40)는 환형 밴드(26) 내의 개구(38)를 통해 그리고 적어도 부분적으로 브래킷(44) 내의 개구(39)를 통해 끼워지는(fit through) 나사식 스크류를 포함할 수 있으며, 이 경우 브래킷(44)의 개구(39)는 스크류를 돌릴(turning) 때 브래킷(44)이 지지부(22)에 대해 조여질 수 있게 하는 상호 보완적인 나사산을 포함한다. 또한, 환형 밴드(26)를 지지부(22)에 고정하기 위해 원하는 수의 개구(38) 및 패스너(40)가 제공될 수 있다. 예를 들어, 지지 링 조립체(20)는 약 3개 내지 약 24개의 개구(38), 예를 들어 약 8개의 개구(38)를 포함할 수 있으며 상기 개구는 환형 밴드(26) 주변에 원하는 구성으로 위치된다. 도 1a 및 1b에 도시된 실시예에서, 개구(38)는 환형 밴드(26)의 주변(50)을 향해 위치된다. 개구(38)는 밴드(26)를 기판 지지부(22)에 클램핑하도록 환형 밴드(26)의 최상부 부분(32) 및 바닥 부분(42)을 통해 연장한다. 또한, 브래킷(44)은 밴드(26)를 더 잘 고정할 수 있도록 브래킷이 환형 밴드(26)에 "로킹"될 수 있게 하는 피쳐(features)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 브래킷(44)은 환형 밴드의 주변 측벽(63)을 압박하도록 구성되는 상승된 벽(59)을 포함하여, 원하는 클램핑된 위치로 환형 밴드를 로킹시킬 수 있다.
또 다른 실시예에서, 클램프(34)는 예를 들어, 도 1c에 도시된 바와 같이, 지지부(22)에 대해 환형 밴드(26)를 클램핑하기 위해 원하는 위치로 브래킷(44)을 회전(rotate)시키도록 구성되는 회전식(swiveling) 패스너(41)를 포함한다. 예를 들어, 회전식 패스너(41)는 지지부(22)에 대해 적소로 브래킷(44)이 회전되도록 하는 회전식(swivel) 너트(43)를 포함할 수 있다. 회전식 패스너(41)는 예를 들어, 패스너(41)를 단순히 회전시킴으로써, 예를 들어 패스너(41)의 최상부(47)를 돌림으로써 클램핑 위치로 또는 클램핑 위치 밖으로 브래킷이 회전될 수 있도록, 회전식 패스너(41)를 돌림으로써 브래킷(44)이 패스너(41)의 축(45)을 중심으로 회전하게 할 수 있다. 따라서, 회전식 패스너(41)는 브래킷(44)으로부터 패스너(41)의 제거를 실질적으로 필요로 하지 않고, 심지어 링 조립체(20)의 일 부분 또는 지지부(22)의 주변 에지(30) 아래의 다른 요소로의 접근을 실질적으로 필요로 하지 않으면서, 예를 들어 조립체의 세정을 위해 기판 링 조립체(20)의 용이한 제거를 가능하게 한다.
일 실시예에서, 환형 밴드의 최상부 표면(36)은 지지부(22) 및 지지부 조립체(20)의 원하지 않은 영역에 프로세스 증착물의 증착을 감소시키도록 구성되는 텍스쳐링된(textured) 표면을 포함한다. 바람직하게, 최상부 표면(36)은 표면(36)의 적어도 일부분에 프로세스 잔여물의 증착을 감소시킬 수 있도록 형상화되고, 크기가 정해지며, 위치되는 피쳐(52)를 포함한다. 예를 들어, 최상부 표면(36)은 환형 밴드의 주변(50)의 환형 밴드 내의 하나 또는 그보다 많은 개구(38)쪽으로의 프로세스 잔여물의 이동 또는 유동을 방지할 수 있다. 최상부 표면(36)은 이 표면(36) 내의 함몰부에 프로세스 잔여물을 모을 수 있으며, 기판(104)의 오염을 감소시키도록 기판(104) 쪽으로의 이러한 잔여물의 이동을 방지할 수 있다. 일 실시예에서, 최상부 표면(36)은 기판 쪽으로의 프로세스 잔여물의 이동 또는 유동을 감소시키도록 크기가 정해지고 형상화될 뿐 아니라, 상부 표면(36) 상에 위치되는 돌출부(51)를 포함하는 하나 이상의 피쳐(52)를 포함한다. 돌출부(51)는 표면(36) 상에 형성될 수 있는, 예를 들어 상승된 링 또는 다른 피쳐(52)를 포함할 수 있다. 표면(36) 상의 텍스쳐링된 피쳐(52)는 예를 들어, 표면(36) 내의 하나 또는 그보다 많은 홈(53) 또는 다른 함몰부를 포함할 수도 있다. 텍스쳐링된 피쳐(52)는 당업자들에게 공지된 방법에 의해 형성될 수 있는데, 가령 예를 들어 피쳐(52)의 최상부 표면(36)에의 기계 가공, 널링, 또는 에칭 중 하나 이상에 의해 형성될 수 있다. 텍스쳐링된 피쳐를 갖는 표면의 실시예는 예를 들어, 본원에 전체가 참조로 편입되는, 2004년 6월 28일에 출원되고 어플라이드 머티어리얼즈 사(Applied Materials, Inc.)에 양도된, 차이(Tsai) 등의 미국 특허 출원 번호 제 10/880,235호에 기재되어 있다.
일 실시예에서, 링 조립체(20)는 기판 지지부(22)를 압박하도록 환형 밴드(26)로부터 하향 연장하는 최하부(54)를 포함한다. 최하부(54)는 바람직하게 지지부(20) 내의 균열 또는 파손(fractures)을 실질적으로 유발하지 않으면서 기판 지지부(20)를 압박하도록 형상화되고 크기가 정해지며, 따라서 지지부에 대해 밴드(26)를 브레이싱하기 위한 개선된 구조물을 제공한다. 예를 들어, 도 1a에 도시된 바와 같이, 최하부(54)는 주변 에지(30)의 최상부 표면(56)을 압박하도록 환형 밴드(26)의 최상부 부분(32)으로부터 하향 연장하는 실질적으로 수직인 기둥을 포함할 수 있다. 최하부(54)는 바람직하게, 지지부(20)의 주변 에지(30) 상에 실질적으로 압축 응력만을 가하며, 실질적으로, 주변 릿지의 균열 또는 파손을 발생시킬 수 있는 전단 응력 또는 다른 수평 방향 응력은 가하지 않는다. 최하부(54)는 또한 바람직하게, 균열 또는 치핑(chipping)에 민감할 수 있는 주변 에지(30) 상의 최상부 모서리(58a) 또는 주변 에지(30)의 다른 부분을 실질적으로 압박하지 않도록 위치된다. 일 실시예에서, 최하부(54)는 주변 에지(30)의 최상부 표면(56)과만 실질적으로 접촉하며, 이러한 주변 에지 표면(56)의 약 70 %를 초과하여 덮지 않는다.
환형 밴드(26)는 바람직하게, 지지부(22)의 주변 에지(30) 상에 밴드(26)의 응력을 감소시키기 위해, 지지부(22)의 주변 에지(30)와 실질적으로 접촉하지 않는 하향 연장 최하부(54) 주변에 리세스된 표면 영역(60)을 또한 포함한다. 예를 들어, 하나 또는 그보다 많은 리세스된 영역(60)은 최상부 모서리(58a)에 가해지는 응력의 양을 감소시키기 위해, 주변 에지(30)의 최상부 모서리(58a) 주변에 있을 수 있다. 기판 링 조립체(20)의 다른 부분은 지지부(22)의 주변 에지(30)에 가해지는 압력 및/또는 응력의 양을 감소시키도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 브래킷(44)은 실질적으로 압축력만을 이용해 주변 에지(30)를 압박하는 상승된 립(62), 및 바닥 모서리(58b) 상의 압력을 감소시키기 위한 주변 에지의 바닥 모서리(58b) 주변의 인접한 리세스(64)를 포함할 수 있다. 브래킷(44) 및 환형 밴드 최하부(54)는 주변 에지(30)에 대한 하나의 클램핑력이 다른 하나의 클램핑력에 의해 적어도 부분적으로 반작용되도록 상호 보완적으로 위치될 수도 있다. 예를 들어, 브래킷(44)은 최하부(54)가 압박하는 곳의 실질적으로 바로 아래에서 주변 에지(30)를 압박할 수 있으며, 그에 따라 주변 에지(30) 상의 힘은 주변 에지(30)의 위와 아래에서 실질적으로 동일하다. 따라서, 기판 링 조립체(20)는 주변 에지(30)의 모서리(58a, 58b)와 같은 쉽게 균열되거나 치핑되는 지지부(22)의 일부분을 실질적으로 압박하지 않으면서 지지부의 주변 에지(30) 상에 수직한 압축 응력만을 실질적으로 가함으로써, 기판 지지부(22)의 균열 및 파손을 감소시키도록 구성된다.
일 실시예에서, 기판 링 조립체(20)는 예를 들어, 도 1a, 도 1b 및 도 1c에 도시된 바와 같이, 환형 밴드(26)의 주변(50)을 적어도 부분적으로 에워싸며 적어도 부분적으로 덮고 있는 커버 링(70)을 포함한다. 커버 링(70)은 밴드(26)의 일부분을 덮고 보호하도록 환형 밴드(26)의 적어도 일부분을 가로질러 연장하는 방사상 내부로 연장하는 릿지(72)를 포함한다. 일 실시예에서, 커버 링(70)은 환형 밴드(26)의 최상부 표면(36)의 적어도 일부에 프로세스 증착물의 증착을 방지하도록, 예를 들어, 표면(36) 위에 프로세스 가스 및 프로세스 증착물 중 하나 이상의 유동을 방지하도록 크기가 정해지고 형상화되는 하향 연장 돌출부(74)를 포함한다. 돌출부(74)는 예를 들어, 내부로 연장하는 릿지(72)의 내경(79)에 환형 립(78)을 포함할 수 있으며, 상기 환형 립은 커버 링(70)의 바닥 표면(76)으로부터 약 2 mm 내지 약 5 mm 하향 연장한다. 일 실시예에서, 돌출부(74)는 돌출부(74)가 환형 밴드(26)의 텍스쳐링된 최상부 표면(36)을 상호 보완하도록 크기가 정해지고, 형상화되며, 위치된다. 예를 들어, 돌출부(74)는 환형 밴드(26)의 최상부 표면(36)으로부터 발생하는 상승된 돌출부(51)에 인접하여 하향 연장할 수 있어서, 돌출부(74)를 지나는 프로세스 증착물의 유동을 방지하는 커버 링(70)과 환형 밴드(26) 사이의 나선형 및 압축형 유동 경로(75)를 형성한다. 돌출부(74)는 밴드(26)의 최상부 표면(36) 내의 홈(53)과 같은 함몰된 피쳐 내측으로 연장할 수도 있어서, 표면(26)을 가로지르는 프로세스 증착물의 유동 또는 이동을 더 차단한다(block). 커버링(70)은 바람직하게, 예를 들어, 스테인리스 스틸 및 티타늄 중 하나 이상과 같은 금속 재료일 수 있는 내식성 재료로 제조된다. 커버 링(70)은 예를 들어, 알루미늄 산화물과 같은 세라믹 재료로 제조될 수도 있다. 커버 링(70)은 프로세스 잔여물이 점착될 수 있는 텍스쳐링된 최상부 표면을 포함할 수도 있다.
또 다른 실시예에서, 기판 링 조립체(20)는 예를 들면 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 환형 밴드(26)를 기판 지지부(22)에 대해 유지하도록 스프링(80)을 갖는 클램프(34)를 포함한다. 도 2a에 도시된 실시예에서, 클램프(34)는 예를 들어, 코일 스프링과 같은, 환형 밴드(26)와 지지부(22) 사이에서 압축되도록 구성되는 방사상 스프링(80a)을 포함한다. 예를 들어, 방사상 스프링(80a)은 환형 밴드(26)의 바닥 부분(35)의 내측 표면(82)과 지지부(22)의 주변 에지(30)의 측벽(84) 사이에서 압축될 수 있다. 도 2a에 도시된 실시예에서, 방사상 스프링(80a)은 또한 주변 에지(30)를 지나 연장하는 지지 릿지(86)에 의해 하부에서 지지된다. 압축되는 방사상 스프링(80a)은 밴드(26)를 적소에 고정시키도록 환형 밴드(26)의 미끄럼 운동 및 다른 운동을 방해하는 힘을 환형 밴드(26) 및 지지부(22) 상에 가한다.
클램프(34)는 환형 밴드(26)를 고정시키기 위해 압축력을 가하도록, 방사상 스프링(80a, 80b) 중 하나 또는 그보다 많은 단부(89a, 89b)에 볼 베어링(88)을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 밴드(26)와 접촉하는 클램프 표면적을 증가시키기 위해, 환형 밴드(26)와 접촉하는 스프링(80a)의 제 1 단부(89a)에 볼 베어링이 있을 수 있다. 볼 베어링(88)은, 예를 들면 밴드(26)의 세정을 허용하도록, 정상(steady) 힘이 밴드(26) 상에 위로 가해지는 경우에 밴드가 지지부(22)에서 "롤링하도록(roll)" 함으로써, 환형 밴드(26)의 제거를 용이하게 할 수도 있다. 방사상 스프링(80a)의 제 2 단부(89b)는 압축 클램핑에 대해 보다 큰 표면적을 제공하기 위해서, 지지부(22)의 주변 에지(30)를 압박하도록 구성되는 표면적을 갖는 압축 플레이트(92)를 포함할 수 있다. 환형 밴드(26)는 환형 밴드(26)가 지지부(22) 상에 고정되는 경우에 방사상 스프링(80a) 아래에 위치되는 내측 표면(82) 상에 상승된 리지(90) 또는 범프를 포함할 수도 있다. 상승된 리지(90)는 리지(90) 위에서 볼 베어링을 롤링시키는데 필요한 스프링 수축 거리를 증가시킴으로써 밴드(26)를 상향 이동시키는데 요구되는 힘을 증가시킨다. 따라서, 상승된 리지(90) 및 방사상 스프링 클램프(34)는 프로세싱 중에 환형 밴드(26)를 지지부(22)에 고정시키면서, 또한 충분한 리프트 오프(lift off) 압력을 가함으로써 밴드(26)를 효율적으로 제거할 수 있게 한다.
또 다른 실시예에서, 클램프(34)는 예를 들면 도 2b에 도시된 바와 같이, 밴드(26)를 지지부(22) 상에 유지하기 위해서 환형 밴드(26)와 지지부(22)의 일 부분 사이에서 연장되도록 구성되는 스프링(80b)을 포함한다. 스프링(80b)은 수직으로, 방사상으로, 또는 그렇지 않으면 원하는 지지부 구성에 따라서 연장될 수 있다. 도 2b에 도시된 실시예에서, 스프링(80b)은 예를 들어, 환형 밴드(26)의 바닥 부분(35) 내의 틈(96)과 같은 환형 밴드(26)의 일 부분에 부착되는 제 1 단부(94a)를 포함한다. 예를 들어, 틈(96)은 스프링(80b)의 제 1 단부(94a)를 고정시키는, 환형 밴드(26) 상의 후크(98)를 제공하도록 형상화되고 크기가 정해질 수 있다. 스프링(80b)의 제 1 단부(94a)는 당업자에게 공지되어 있는 다른 수단에 의해 환형 밴드(26)에 부착될 수도 있다. 지지부(22)는 하부로부터 환형 밴드(26)를 지지하기 위해 주변 에지(30)를 지나 연장하는 지지 릿지(86)를 포함할 수 있다. 스프링(80b)의 제 2 단부(94b)는 지지부(22)의 클램핑 부분(99)에 부착되도록 연장된다. 따라서, 스프링(80b)은 지지부(22)에 대해 환형 밴드(26)를 당기도록 지지부(22)의 클램핑 부분(99)과 환형 밴드(26) 사이에서 신장될(stretched) 수 있다. 스프링(80b)의 제 2 단부(94b)는 지지부(22)의 클램핑 부분(99) 상에 후크로 채워짐으로써 부착될 수 있다.
일 실시예에서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 스프링(80b)의 제 2 단부(94b)는 제 2 단부(94b)를 지지부(22)에 실질적으로 고정하는 수단에 의해, 예를 들어 지지부(22) 상의 부착 로드(97) 주변에 제 2 단부(94b)를 감쌈으로써 부착되며, 제 1 단부(94a)는 밴드(26)에 분리가능하게 고정된다. 예를 들어, 지지부(22) 상에 환형 밴드(26)를 고정시키기 위해, 스프링(80b)의 제 1 단부(94a)가 환형 밴드(26) 상의 후크(98) 위에서 신장되며 적소로 회전될 수 있도록, 제 2 단부(94b)가 지지부(22) 상에 고정될 수 있다. 환형 밴드(26)를 제거하기 위해서, 제 1 단부(94a)는 지지부(22)로부터 밴드(26)를 해제하도록 후크(98) 상에서 위로 들어 올려지며, 밴드(26)로부터 당겨진다. 이와 달리, 스프링(80b)은 환형 밴드(26) 상에 실질적으로 고정될 수 있으며, 기판 프로세싱 중에 지지부(22)에 분리가능하게 고정될 수 있다. 일 실시예에서, 환형 밴드(26)와 지지부(22) 사이에서 연장하는 스프링(80b)은 래치 클립을 포함하며, 래치 클립은 스트립의 직선화에 저항하도록 충분히 높은, 큰 스프링 상수를 갖는 금속의 구부러진 스트립을 포함할 수 있으며, 따라서 지지부(22) 쪽으로 밴드(26) 상에 힘을 가한다. 다른 실시예에서, 스프링(80b)은 밴드(26)와 지지부(22) 사이에서 연장되는 코일 스프링을 포함한다.
지지부(22) 상에 환형 밴드(26)를 갖춘 기판 링 조립체를 구비한 적합한 프로세스 챔버(106)의 일 예가 도 3에 도시되어 있다. 챔버(106)는 챔버(106)들 사이에서 기판(104)을 이송하는 로봇 암 메커니즘에 의해 연결되는 상호 연결된 챔버들의 클러스터(cluster)를 갖는 다중-챔버 플랫폼(도시되지 않음)의 일부일 수 있다. 도시된 실시예에서, 프로세스 챔버(106)는 탄탈, 탄탈 질화물, 티타늄, 티타늄 질화물, 구리, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 및 알루미늄 중 하나 또는 그 이상(one or more)과 같은, 기판(104) 상에 재료를 스퍼터 증착할 수 있는, 물리 기상 증착 또는 PVD 챔버로 또한 지칭되는 스퍼터 증착 챔버를 포함한다. 챔버(106)는 프로세스 영역(109)을 에워싸는 외장 벽(118)을 포함하며, 측벽(164), 바닥 벽(166), 및 천장(168)을 포함한다. 지지링(130)은 천장(168)을 지지하도록 측벽(164)과 천장(168) 사이에 배열될 수 있다. 다른 챔버 벽은 스퍼터링 환경으로부터 외장 벽(118)을 차폐하는 하나 또는 그보다 많은 실드(120)를 포함할 수 있다.
챔버(106)는 스퍼터 증착 챔버(106) 내에서 기판(104)을 지지하도록 기판 지지부(22)를 포함한다. 기판 지지부(22)는 전기적으로 플로팅(floating)될 수 있으며, 또는 RF 전력 공급원과 같은, 전력 공급원(172)에 의해 바이어싱되는(biased) 전극(170)을 포함할 수 있다. 기판 지지부(22)는 기판(104)이 존재하지 않는 경우에 지지부(22)의 상부 표면(134)을 보호할 수 있는 이동성 셔터 디스크(133)를 포함할 수도 있다. 작동 중에, 기판(104)은 챔버(106)의 측벽(164) 내의 기판 로딩 입구(도시되지 않음)를 통해 챔버(106) 내측으로 도입되며 지지부(22) 상에 위치된다. 지지부(22)는 지지 리프트 벨로우즈에 의해 상승 또는 하강될 수 있으며 리프트 핑거 조립체(도시되지 않음)가 챔버(106)로, 그리고 챔버(106)로부터의 기판(104)의 이송 중에 지지부(22) 상에서 기판을 상승 및 하강시키는데 이용될 수 있다.
챔버(106)는 지지부(22)의 온도와 같은, 챔버(106) 내의 하나 또는 그보다 많은 온도를 제어하기 위해 온도 제어 시스템(119)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 온도 제어 시스템(119)은 유체 소오스(121)로부터 지지부(22)에 열 교환 유체를 제공하도록 구성되는 유체 공급원을 포함한다. 하나 또는 그보다 많은 도관(123)은 유체 소오스(121)로부터 지지부(22)로 열 교환 유체를 전달한다. 지지부(22)는 예를 들어, 금속 냉각 플레이트(127) 내의 채널(125)과 같은 하나 또는 그보다 많은 채널(125)을 내부에 포함할 수 있으며, 이들 채널을 통해, 예를 들어 지지부(22)를 가열 또는 냉각시킴으로써, 지지부(22)의 온도를 제어하고 지지부(22)와 열을 교환하도록 열 교환 유체가 유동한다. 적합한 열 교환 유체는 예를 들어, 물일 수 있다. 지지부(22)의 온도를 제어하는 것은 예를 들어, 지지부(22)의 표면(134) 상의 기판(104)과 같은, 지지부(22)와 양호한 열 접촉을 하는 요소, 및 또한 기판 링 조립체(20)의 클램핑된 부분의 양호한 온도를 제공할 수도 있다.
지지부(22)는 커버링(70) 및 환형 밴드(26)와 같은, 하나 또는 그보다 많은 링을 포함하는 기판 링 조립체(20)를 포함할 수도 있으며, 이들 링은 증착 링으로 지칭될 수 있으며, 지지부(22)의 부식을 방지하기 위해서, 예컨대 지지부(22)의 주변 에지(30)의 일 부분, 그리고 지지부(22)의 상부 표면(134)의 적어도 일부분을 덮고 있다. 환형 밴드(26)는 기판(104)에 의해 덮이지 않는 지지부(22)의 일부분을 보호하도록 기판(104)을 적어도 부분적으로 에워싼다. 커버 링(70)은 환형 밴드(26)의 적어도 일 부분을 에워싸고 덮으며, 환형 밴드(26)와 하부에 놓인 지지부(22) 모두 상의 입자의 증착을 감소시킨다. 기판 링 조립체(20)는 기판 지지부(22) 상에 환형 밴드(26)를 클램핑하기 위해 클램프(34)를 더 포함한다.
스퍼터링 가스와 같은 프로세스 가스는 가스 전달 시스템(112)을 통해 챔버(106) 내측으로 유입되며, 상기 시스템은 하나 또는 그보다 많은 가스 소오스(174)를 포함하는 프로세스 가스 공급원을 포함하며, 상기 공급원은 정해진(set) 유동률의 가스를 통과시키도록 질량 유동 제어기와 같은 가스 유동 제어 밸브(178)를 갖는 도관(176)에 각각 급송한다(feed). 도관(176)은 가스가 원하는 프로세스 가스 조성물로/조성물로부터 혼합되는 혼합 다기관(도시되지 않음)으로 가스를 급송할 수 있다. 혼합 다기관은 챔버(106)에 하나 또는 그보다 많은 가스 출구(182)를 갖는 가스 분배기(180)로 급송한다. 프로세스 가스는 아르곤 또는 크세논과 같은, 비-반응성 가스를 포함할 수 있으며, 이는 타켓에 재료와 활동적으로 충돌하여 이 타겟으로부터 재료를 스퍼터링시킬 수 있다. 프로세스 가스는 하나 또는 그보다 많은 산소 함유 가스 및 질소 함유 가스와 같은 반응성 가스를 포함할 수도 있으며, 기판(104) 상에 층을 형성하도록 스퍼터링된 재료와 반응할 수 있다. 사용된 프로세스 가스 및 부산물은 챔버(106)로부터 배출기(122)를 통해 배출되며, 배출기는 하나 또는 그보다 많은 배출 포트(184)를 포함하며, 배출 포트는 챔버(106) 내의 가스의 압력을 제어하도록 드로틀 밸브(188)가 배치되는 배출 도관(186)으로 사용된 가스를 통과시키며 사용된 프로세스 가스를 수용한다. 배출 도관(186)은 하나 또는 그보다 많은 배출 펌프(190)로 급송한다. 통상적으로, 챔버(106) 내의 스퍼터링 가스의 압력은 대기보다 낮은 수준으로 설정된다.
스퍼터링 챔버(106)는 기판(104)의 표면(105)을 향하는 스퍼터링 타겟(124)을 더 포함하며, 스퍼터링 타겟은, 예를 들어 탄탈 및 탄탈 질화물 중 하나 이상과 같이, 기판(104) 상에 스퍼터링될 재료를 포함한다. 타겟(124)은 환형 절연체 링(132)에 의해 챔버(106)로부터 전기적으로 절연되며, 전력 공급원(192)에 연결된다. 스퍼터링 챔버(106)는 또한 스퍼터링된 재료로부터 챔버(106)의 벽(118)을 보호하기 위해 실드(120)를 갖는다. 실드(120)는 상부 및 하부 실드 구역(120a, 120b)을 갖는 벽과 같은 원통 형상을 포함할 수 있으며, 상기 실드 구역은 챔버(106)의 상부 및 하부 영역을 차폐한다. 도 3에 도시된 실시예에서, 실드(120)는 커버 링(70)에 끼워지는 하부 구역(120b) 및 지지 링(130)에 장착되는 상부 구역(120a)을 갖는다. 상부 실드 구역(120a) 및 하부 실드 구역(120b)을 함께 클램핑하기 위해 클램핑 링을 포함하는 클램프 실드(141)가 제공될 수도 있다. 내측 및 외측 실드와 같은 대안적인 실드 구성이 제공될 수도 있다. 일 실시예에서, 전력 공급원(192), 타겟(124), 실드(120) 중 하나 또는 그 이상은 타겟(124)으로부터 재료를 스퍼터링시키도록 스퍼터링 가스에 전력을 인가할 수 있는 가스 에너자이저(116)로서 작동한다. 전력 공급원(192)은 실드(120)에 대해 타겟(124)으로 바이어스 전압을 인가한다. 인가된 전압으로부터 발생되는 챔버(106) 내의 전기장은 스퍼터링 가스에 전력을 인가하여 플라즈마를 형성하는데 이는 타겟(124)에 활동적으로 충돌하고 충격을 가해서 타겟(124)으로부터 기판(104) 상에 재료를 스퍼터링시킨다. 지지 전극 전력 공급원(172) 및 전극(170)을 갖는 지지부(22)는 타겟(124)으로부터 기판(104) 쪽으로 스퍼터링되는 이온화된 재료에 전력을 인가하고 속력을 가함으로써 가스 에너자이저(116)의 일부로서 작용할 수도 있다. 게다가, 개선된 전력 인가된 가스 밀도와 같이 강화된 전력 인가된 가스 특징을 제공하도록 챔버(106) 내에 위치되며, 전력 공급원(192)에 의해 전력이 공급되는 가스 전력 인가 코일(135)이 제공될 수 있다. 가스 전력 인가 코일(135)은 실드(120) 또는 챔버(106) 내의 다른 벽에 부착되는 코일 지지부(137)에 의해 지지될 수 있다.
챔버(106)는 제어기(194)에 의해 제어될 수 있으며, 상기 제어기는 챔버(106) 내의 기판(104)을 프로세싱하도록 챔버(106)의 구성요소들을 작동시키는 명령어 세트를 구비한 프로그램 코드를 포함한다. 예를 들어, 제어기(194)는 기판(104)을 챔버(106)에 위치시키기 위해 기판 지지부(22) 및 기판 운반장치(transport) 중 하나 또는 그 이상을 작동시키는 기판 위치결정 명령어 세트; 챔버(106)로의 스퍼터링 가스의 유동을 설정하도록 유동 제어 밸브(178)를 작동시키는 가스 유동 제어 명령어 세트; 챔버(106) 내의 압력을 유지하도록 배출 드로틀 밸브(188)를 작동시키는 가스 압력 제어 명령어 세트; 가스 전력 인가 전력 수준을 설정하도록 가스 에너자이저(116)를 작동시키는 가스 에너자이저 제어 명령어 세트; 챔버(106) 내의 온도를 제어하도록 온도 제어 시스템(119)을 제어하는 온도 제어 명령어 세트; 및 챔버(106) 내의 프로세스를 모니터링하는 프로세스 모니터링 명령어 세트를 포함할 수 있다.
본 발명은 그 바람직한 특정 실시예와 관련하여 기재되었으나; 다른 실시예도 가능하다. 예를 들어, 클램프(34) 및 환형 밴드(26)를 포함하는 기판 링 조립체(20)는 예를 들어 에칭, CVD, 및 프로세싱된 세정과 같이 당업자에게 명백한 바와 같은 다른 형태의 응용 분야에 사용될 수 있다. 기판 링 조립체(20) 및 클램프(34)의 다른 구성이 이용될 수도 있다. 예를 들어, 환형 밴드(26)를 지지부(22)에 클램핑하기 위한 다른 방법 및 구성이 제공될 수 있다. 따라서, 첨부된 청구범위의 사상 및 범위는 본원에 포함된 바람직한 실시예의 설명으로 제한되어서는 안 된다.
기판의 프로세싱 중에 온도가 과도하게 올라가지 않고, 링의 세정 중에 과도하게 부식되지 않으며, 그리고 기판 프로세싱 중에 과도하게 높은 온도 변화를 감소시킬 수 있는 기판 링을 갖는 기판 링 조립체가 제공된다.

Claims (15)

  1. 기판 지지부용 기판 링 조립체로서,
    상기 기판 지지부가 최상부 표면을 갖는 주변 에지 및 주변부를 갖는 기판 수용 표면을 구비하고,
    상기 기판 링 조립체가,
    (a) 환형 밴드; 및
    (b) 기판 지지부의 주변 에지에 상기 환형 밴드를 고정시키기 위한 클램프; 를 포함하며,
    상기 환형 밴드가,
    (i) 둘레, 돌출부 및 복수의 동심 홈을 갖는 최상부 표면으로서, 상기 동심 홈이 상기 환형 밴드의 둘레에 대해 동심이고, 각각의 동심 홈이 둥근 바닥 정점을 가지는, 최상부 표면;
    (ii) 상기 기판 지지부의 기판 수용 표면의 주변부를 에워싸는 내측 둘레;
    (iii) 상기 기판 지지부의 주변 에지의 최상부 표면의 70 % 이하인 일부에 접촉하여 이를 압박하기 위해 상기 환형 밴드로부터 하향 연장하는, 최하부(foot);
    (iv) 상기 기판 지지부의 주변 에지에 접촉하지 아니하면서, 상기 주변 에지의 최상부 모서리에 걸쳐 그리고 상기 하향 연장 최하부로부터 외측으로 연장하는, 리세스된 표면 영역; 및
    (v) 상기 환형 밴드를 통해 연장하는 개구; 를 구비하고,
    상기 클램프가,
    (i) 상기 개구를 통과하는 패스너; 및
    (ii) 상기 환형 밴드 아래에 배치되는 로킹 브래킷으로서, 상기 기판 지지부의 주변 에지로 상기 클램프를 로킹하기 위하여 상기 패스너를 수용하도록 제공되는, 로킹 브래킷; 을 포함하는,
    기판 지지부용 기판 링 조립체.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 환형 밴드를 통해 연장하는 개구가 하나 이상의 수직 개구를 포함하는,
    기판 지지부용 기판 링 조립체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 패스너가 상기 기판 지지부에 대해 상기 브래킷을 브레이싱하도록 상기 브래킷을 회전시킬 수 있는 회전식 패스너를 포함하는,
    기판 지지부용 기판 링 조립체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 환형 밴드의 주변 위에서 내측으로 연장하는 릿지를 가지며 상기 환형 밴드의 주변부를 에워싸는 커버 링을 더 포함하며,
    상기 릿지는 상기 환형 밴드의 최상부 표면의 적어도 일부 상에 프로세스 증착물의 증착을 감소시키도록 크기 및 형태가 정해지는 하향 연장 돌출부를 포함하는,
    기판 지지부용 기판 링 조립체.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 클램프는,
    (a) 상기 환형 밴드를 상기 기판 지지부에 대해 유지시키도록 상기 기판 지지부의 주변 에지와 상기 환형 밴드의 내측 사이에서 압축되는, 방사상 스프링; 또는
    (b) 상기 환형 밴드를 상기 기판 지지부의 주변 에지에 대해 유지시키도록 상기 기판 지지부의 일부와 상기 환형 밴드의 사이에서 연장되도록 구성되는 스프링; 을 포함하는,
    기판 지지부용 기판 링 조립체.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 환형 밴드가 스테인리스 스틸, 티타늄 및 알루미늄 중 하나 이상을 포함하는,
    기판 지지부용 기판 링 조립체.
  8. 제 1 항에 따른 기판 링 조립체를 포함하며,
    기판 지지부, 가스 전달 시스템, 가스 에너자이저 및 가스 배출기를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버.
  9. 기판 지지부용 기판 링 조립체로서,
    상기 기판 지지부가 최상부 표면을 갖는 주변 에지 및 주변부를 갖는 기판 수용 표면을 구비하고,
    상기 기판 링 조립체가,
    (a) 환형 밴드; 및
    (b) 기판 지지부의 주변 에지에 상기 환형 밴드를 고정시키기 위한 클램프; 를 포함하며,
    상기 환형 밴드가,
    (i) 둘레, 돌출부 및 복수의 동심 홈을 갖는 최상부 표면으로서, 상기 동심 홈이 상기 환형 밴드의 둘레에 대해 동심이고, 각각의 동심 홈이 둥근 바닥 정점을 가지는, 최상부 표면;
    (ii) 상기 기판 지지부의 기판 수용 표면의 주변부를 에워싸는 내측 둘레;
    (iii) 상기 기판 지지부의 주변 에지의 최상부 표면에 접촉하기 위해 상기 환형 밴드로부터 하향 연장하는, 최하부;
    (iv) 상기 기판 지지부의 주변 에지에 접촉하지 아니하면서, 상기 주변 에지의 최상부 모서리에 걸쳐 그리고 상기 하향 연장 최하부로부터 외측으로 연장하는, 리세스된 표면 영역; 및
    (v) 상기 환형 밴드를 통해 연장하는 개구; 를 구비하고,
    상기 클램프가,
    (i) 상기 개구를 통과하는 패스너; 및
    (ii) 상기 환형 밴드 아래에 배치되는 로킹 브래킷으로서, 상기 기판 지지부의 주변 에지로 상기 클램프를 로킹하기 위하여 상기 패스너를 수용하도록 제공되는, 로킹 브래킷; 을 포함하는,
    기판 지지부용 기판 링 조립체.
  10. 삭제
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 패스너는 상기 기판 지지부에 대해 상기 브래킷을 브레이싱하도록 상기 브래킷을 회전시킬 수 있는 회전식 패스너를 포함하는,
    기판 지지부용 기판 링 조립체.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 환형 밴드의 주변부 위에서 내측으로 연장하는 릿지를 가지며 상기 환형 밴드의 주변부를 에워싸는 커버 링을 더 포함하며,
    상기 릿지는 상기 환형 밴드의 최상부 표면의 적어도 일부 상에 프로세스 증착물의 증착을 감소시키도록 크기 및 형태가 정해지는 하향 연장 돌출부를 포함하는,
    기판 지지부용 기판 링 조립체.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 최하부가, 상기 주변 에지 내의 균열을 유발하지 아니하면서 상기 기판 지지부의 주변 에지의 최상부 표면을 압박하도록 크기 및 형태가 정해지며, 상기 주변 에지와 접촉하지 아니하는, 리세스된 표면 영역을 가지는,
    기판 지지부용 기판 링 조립체.
  14. 기판 지지부용 기판 링 조립체로서,
    상기 기판 지지부가 주변 에지 및 주변부를 갖는 기판 수용 표면을 구비하고,
    상기 기판 링 조립체가,
    (a) 환형 밴드; 및
    (b) 기판 지지부의 주변 에지에 상기 환형 밴드를 고정시키기 위한 클램프; 를 포함하며,
    상기 환형 밴드가,
    (i) 둘레, 돌출부 및 복수의 동심 홈을 갖는 최상부 표면으로서, 상기 동심 홈이 상기 환형 밴드의 둘레에 대해 동심이고, 각각의 동심 홈이 둥근 바닥 정점을 가지는, 최상부 표면;
    (ii) 상기 기판 지지부의 기판 수용 표면의 주변부를 에워싸는 내측 둘레;
    (iii) 상기 기판 지지부의 주변 에지의 최상부 표면에 접촉하기 위해 상기 환형 밴드로부터 하향 연장하는, 최하부;
    (iv) 상기 기판 지지부의 주변 에지에 접촉하지 아니하면서, 상기 주변 에지의 최상부 모서리에 걸쳐 그리고 상기 하향 연장 최하부로부터 외측으로 연장하는, 리세스된 표면 영역; 및
    (v) 상기 환형 밴드를 통과하는 하나 이상의 수직 개구; 를 구비하고,
    상기 클램프가,
    (i) 상기 환형 밴드 내의 수직 개구를 통과하도록 구성되는 하나 이상의 패스너; 및
    (ii) 상기 환형 밴드 아래에 배치되는 브래킷으로서, 상기 패스너를 수용하고 상기 기판 지지부에 상기 환형 밴드를 고정시키도록 구성되는, 브래킷; 을 포함하며,
    상기 브래킷이, 원하는 클램핑된 위치로 상기 환형 밴드를 로킹하기 위하여 상기 환형 밴드의 주변 측벽을 압박하는 상승된 벽, 상기 기판 지지부의 주변 에지를 압박하는 상승된 립, 및 상기 주변 에지의 바닥 모서리 주위의 인접 리세스를 구비하는,
    기판 지지부용 기판 링 조립체.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 환형 밴드가, 상기 기판 지지부의 상기 주변 에지와 접촉하지 아니하는 상기 최하부 주위의 리세스된 표면 영역을 포함하는,
    기판 지지부용 기판 링 조립체.
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