KR101263082B1 - 사파이어 잉곳 성장장치 - Google Patents
사파이어 잉곳 성장장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101263082B1 KR101263082B1 KR1020100113238A KR20100113238A KR101263082B1 KR 101263082 B1 KR101263082 B1 KR 101263082B1 KR 1020100113238 A KR1020100113238 A KR 1020100113238A KR 20100113238 A KR20100113238 A KR 20100113238A KR 101263082 B1 KR101263082 B1 KR 101263082B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ingot
- heat
- crucible
- growth apparatus
- sapphire
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
실시예는 사파이어 잉곳 성장장치에 관한 것이다.
실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치는 키로풀러스 방식으로 잉곳을 성장시키는 사파이어 잉곳 성장장치에 있어서, 챔버; 상기 챔버 내에 구비되어 알루미나 융액을 수용하는 도가니; 상기 도가니 외측에 구비되어 상기 도가니를 가열하는 히터; 및 상기 도가니로부터 성장되는 잉곳 상측에 구비되어 상기 잉곳에 열을 가하는 열공급부;를 포함하고, 상기 열공급부는, 내주단에서 외주단으로 갈수록 상기 알루미나 융액 표면을 기준으로 상향 경사지도록 배치된다.
실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치는 키로풀러스 방식으로 잉곳을 성장시키는 사파이어 잉곳 성장장치에 있어서, 챔버; 상기 챔버 내에 구비되어 알루미나 융액을 수용하는 도가니; 상기 도가니 외측에 구비되어 상기 도가니를 가열하는 히터; 및 상기 도가니로부터 성장되는 잉곳 상측에 구비되어 상기 잉곳에 열을 가하는 열공급부;를 포함하고, 상기 열공급부는, 내주단에서 외주단으로 갈수록 상기 알루미나 융액 표면을 기준으로 상향 경사지도록 배치된다.
Description
실시예는 사파이어 잉곳 성장장치에 관한 것이다.
종래기술에 의하면 사파이어 웨이퍼는 고순도 알루미나(Al2O3) 원료를 장입한 성장로를 약 2100℃ 이상에서 가열하여 원료를 용용한 후, 초크랄스키법(Czochralski Method, 이하 "CZ법"이라 함), 키로풀러스법(Kyropoulos Method), EFG(Edge-defined Film-fed Growth)법, 수직수평온도구배법(VHGF) 등 다양한 방법으로 단결정으로 성장시킨 잉곳 봉(Ingot Boule)을 코어링(Coring), 그라인딩(Grinding), 슬라이싱(Slicing), 래핑(Lapping), 열처리, 폴리싱(Polishing) 등 일련의 연삭 및 연마공정을 거쳐 제작된다.
한편, 사파이어 단결정을 생산하는 데 있어 기포(Bubble) 제어와 전위(Dislocation) 제어가 품질에 큰 영향을 미친다.
전위는 결정성장 후 식각(Etching)법을 이용해 측정할 수 있으며, 이러한 전위 생성은 결정 성장 시 발생하는 결정 내외부의 온도 차, 즉 열응력에 의해 발생되며, 이러한 열응력을 제어함으로써 발생되는 전위의 농도를 제어할 수 있다.
한편, 종래기술에 의한 키로풀러스법은 측부와 하부에서의 히팅(Heating)으로 결정상부는 차가우며, 하부는 뜨거워 결정의 상부와 하부 사이에 온도구배가 발생되는 구조이다. 이러한 온도구배로 인해 열응력이 발생하게 되고, 열응력에 의해 전위가 생성되게 된다. 따라서 이러한 열응력을 제어할 수 있는 추가적인 장치가 필요하다.
실시예는 사파이어(Sapphire) 단결정의 품질 중 전위 품질을 제어할 수 있는 사파이어 잉곳 성장장치를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치는 키로풀러스 방식으로 잉곳을 성장시키는 사파이어 잉곳 성장장치에 있어서, 챔버; 상기 챔버 내에 구비되어 알루미나 융액을 수용하는 도가니; 상기 도가니 외측에 구비되어 상기 도가니를 가열하는 히터; 및 상기 도가니로부터 성장되는 잉곳 상측에 구비되어 상기 잉곳에 열을 가하는 열공급부;를 포함하고, 상기 열공급부는, 내주단에서 외주단으로 갈수록 상기 알루미나 융액 표면을 기준으로 상향 경사지도록 배치된다.
실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치에 의하면, 사파이어 단결정 잉곳의 상부에 히터(Heater)나 리플렉터(Reflector) 등과 같은 열공급부를 구비함으로써 사파이어 단결정의 상부와 하부의 온도편차를 줄임으로써 열응력을 감소시키고, 이를 통해 전위 발생을 억제할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 열응력의 제어에 의해 사파이어 단결정 성장시의 스트럭쳐 로스(Structure loss)와 같은 문제를 해결할 수 있을 뿐만 아니라, 열응력에 의해 발생되는 전위농도를 제어함으로써 고품질의 사파이어단결정을 성장시킬 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치의 예시도.
도 2는 실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치의 부분 확대 예시도.
도 3은 실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치의 평면도 예시도.
도 4는 비교예의 결정 내외부의 온도편차 예시도.
도 5 및 도 6은 실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치 적용시 결정 내외부의 온도편차 예시도.
도 7은 비교예의 열응력 분포 예시도.
도 8 및 도 9는 실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치 적용시 열응력 분포 예시도.
도 2는 실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치의 부분 확대 예시도.
도 3은 실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치의 평면도 예시도.
도 4는 비교예의 결정 내외부의 온도편차 예시도.
도 5 및 도 6은 실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치 적용시 결정 내외부의 온도편차 예시도.
도 7은 비교예의 열응력 분포 예시도.
도 8 및 도 9는 실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치 적용시 열응력 분포 예시도.
실시 예의 설명에 있어서, 각 웨이퍼, 장치, 척, 부재, 부, 영역 또는 면 등이 각 웨이퍼, 장치, 척, 부재, 부, 영역 또는 면등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 "상" 또는 "아래"에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
(실시예)
도 1은 실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치(100)의 예시도이며, 도 2는 실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치(100)의 부분 확대 예시도이고, 도 3은 실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치(100)의 평면도 예시도이다.
실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치(100)는 초크랄스키법(Czochralski Method) 또는 키로풀러스법(Kyropoulos Method)이 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치(100)는 챔버(110)와, 상기 챔버(110) 내에 구비되어 알루미나 융액(M)을 수용하는 도가니(120)와, 상기 도가니(120) 외측에 구비되어 상기 도가니(120)를 가열하는 히터(130) 및 상기 도가니(120)로부터 성장되는 잉곳(IG) 상측에 구비되어 상기 잉곳(IG)에 열을 가하는 열공급부(150)를 포함할 수 있다.
상기 챔버(110)는 사파이어 잉곳(IG)을 성장시키기 위한 소정의 공정들이 수행되는 공간을 제공한다.
상기 도가니(120)는 알루미나 융액을 담을 수 있도록 상기 챔버(110)의 내부에 구비되며, 텅스텐(W) 또는 몰리브덴(Mo) 등의 재질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 히터(130)는 측면 히터(132)와 하부 히터(134)를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 히터(130)는 저항 가열히터 또는 유도 가열 히터일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 히터(130)가 저항 가열 히터인 경우 상기 히터(130)는 그라파이트(C), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 등으로 제조될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 상기 히터(130)가 유도 가열히터인 경우 RF-코일(coil)(미도시)을 구비하고, 상기 도가니(120)는 이리듐(Iridium:Ir) 도가니일 수 있다. 상기 RF-코일은 고전압의 전류의 흐름 방향이 무선주파수(Radio Frequency)로 바뀌면서 Ir-도가니 표면에 유도전류를 발생시킨다. 상기 Ir-도가니는 유도전류의 흐름방향 변화에 의한 도가니 표면의 스트레스(Stress)에 기인한 열을 발생시키며, 용융된 고온의 알루미나(Al2O3)를 담고 있는 용탕으로 역할을 할 수 있다.
실시예는 상기 챔버(110) 내측에 히터(130)의 열이 방출되지 못하도록 복사 단열재(140)를 구비할 수 있다. 상기 단열재(140)는 도가니(120)의 측면에 배치되는 측면 단열재(142)와 도가니(120)의 하측에 배치되는 하부 단열재(144)를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 단열재(140)는 히터(130) 및 도가니(120)에서 최적의 열적 분포를 내고 그 에너지를 최대한 손실 없이 활용 가능하도록 재질과 형상으로 설계될 수 있다.
일반적으로, 고온의 사파이어 융액(Melt)(M)에서 단결정을 성장시키는 방법에서는 잉곳 내부에 온도편차가 발생하게 되고, 이로 인해 열응력이 발생하게 된다.
실시예는 이러한 열응력을 제어하기 위해서는 온도편차를 작게 하기 위해 사파이어 잉곳(IG) 상부에 상부 히터(Upper Heater)나 리플렉터(Reflector) 등과 같은 열공급부(150)를 설치함으로써 사파이어 잉곳(IG)의 온도편차를 줄일 수 있다.
실시예에서 열공급부(150)가 상부 히터인 경우, 상부 히터의 사이즈(size)는 잉곳 사이즈(size)에 비례해서 증가할 수 있으며, 이에 따라 최대 직경은 잉곳의 직경일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 상부 히터의 재질은 텅스텐이나 그라파이트(Graphite) 재질일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 상부 히터는 저항 가열식일 수 있으며, 이에 따라 전극(152)에서의 전기가 가해짐에 따라 상부 히터 자체에서 발열할 수 있다.
한편, 상기 열공급부(150)가 상기 챔버(110)로부터 발생되는 열을 상기 잉곳(IG)의 상측에 반사하는 리플렉터(reflector)를 구비하는 경우, 상기 리플렉터는 몰리브덴 등과 같은 반사율이 높은 물질로 제조될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 상기 열공급부(150)는, 상기 알루미나 융액(M) 표면에 대해 수평하거나 약 +30°의 각도로 배치됨으로써 잉곳에 대해 열공급을 효율적으로 진행할 수 있다.
도 4는 비교예의 결정 내외부의 온도편차 예시도이며, 도 5 및 도 6은 실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치 적용시 결정 내외부의 온도편차 예시도이다.
예를 들어, 도 5는 리플렉터(Reflector)를 설치한 경우의 잉곳 내외부의 온도편차이며, 도 6은 상부 히터를 설치하고, 약 5KW의 파워(Power)를 가했을 경우 잉곳 내외부의 온도편차를 나타낸 것이다.
실시예에 의하면, 리플텍터와 상부 히터를 설치하였을 경우 축 방향의 온도구배인 ΔTy 값 및 수평 방향의 온도 구배인 ΔTx 값이 줄어드는 것을 알 수 있다.
도 7은 비교예의 열응력 분포 예시도이며, 도 8 및 도 9는 실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치 적용시 열응력 분포 예시도이다.
예를 들어, 도 8은 리플렉터를 설치한 경우의 열응력 분포 예시도이며, 도 9는 상부 히터를 설치한 경우의 열응력 분포 예시도이다.
상술한 바와 같이, 열공급부(150)의 채용에 따른 온도구배의 감소는 도 8 및 도 9와 같은 열응력의 차이로 나타난다. 도 7의 비교예(Reference) 값에 비해 도 8 및 도 9의 조건에서 열응력 값이 줄어드는 것을 확인할 수 있으며, 이를 통해 전위 농도를 제어할 수 있다.
실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장장치에 의하면, 사파이어 단결정 잉곳의 상부에 히터(Heater)나 리플렉터(Reflector) 등과 같은 열공급부를 구비함으로써 사파이어 단결정의 상부와 하부의 온도편차를 줄임으로써 열응력을 감소시키고, 이를 통해 전위 발생을 억제할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 열응력의 제어에 의해 사파이어 단결정 성장시의 스트럭쳐 로스(Structure loss)와 같은 문제를 해결할 수 있을 뿐만 아니라, 열응력에 의해 발생되는 전위농도를 제어함으로써 고품질의 사파이어단결정을 성장시킬 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (5)
- 키로풀러스 방식으로 잉곳을 성장시키는 사파이어 잉곳 성장장치에 있어서,
챔버;
상기 챔버 내에 구비되어 알루미나 융액을 수용하는 도가니;
상기 도가니 외측에 구비되어 상기 도가니를 가열하는 히터; 및
상기 도가니로부터 성장되는 잉곳 상측에 구비되어 상기 잉곳에 열을 가하는 열공급부;를 포함하고,
상기 열공급부는,
내주단에서 외주단으로 갈수록 상기 알루미나 융액 표면을 기준으로 상향 경사지도록 배치되는 사파이어 잉곳 성장장치. - 제1 항에 있어서,
상기 열공급부는, 상기 알루미나 융액 표면을 기준으로 +30°의 각도 범위 내에 배치되는 사파이어 잉곳 성장장치. - 제1 항에 있어서,
상기 열공급부는,
발열하는 상부 히터를 포함하는 사파이어 잉곳 성장장치. - 제3 항에 있어서,
상기 상부 히터는,
저항 가열 상부 히터를 구비하는 사파이어 잉곳 성장장치. - 제1 항에 있어서,
상기 열공급부는,
상기 챔버로부터 발생되는 열을 상기 잉곳의 상측에 반사하는 리플렉터를 포함하는 사파이어 잉곳 성장장치.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100113238A KR101263082B1 (ko) | 2010-11-15 | 2010-11-15 | 사파이어 잉곳 성장장치 |
JP2013538638A JP2013542169A (ja) | 2010-11-15 | 2011-11-09 | サファイアインゴットの成長装置 |
CN201180053669.1A CN103201415B (zh) | 2010-11-15 | 2011-11-09 | 蓝宝石锭生长机 |
EP11841249.3A EP2640875A4 (en) | 2010-11-15 | 2011-11-09 | DEVICE FOR GROWING A SAPPHIRE BAG |
PCT/KR2011/008507 WO2012067372A2 (en) | 2010-11-15 | 2011-11-09 | Sapphire ingot grower |
US13/297,023 US20120118228A1 (en) | 2010-11-15 | 2011-11-15 | Sapphire ingot grower |
TW100141645A TWI458865B (zh) | 2010-11-15 | 2011-11-15 | 藍寶石單晶錠長晶器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100113238A KR101263082B1 (ko) | 2010-11-15 | 2010-11-15 | 사파이어 잉곳 성장장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120051894A KR20120051894A (ko) | 2012-05-23 |
KR101263082B1 true KR101263082B1 (ko) | 2013-05-09 |
Family
ID=46046637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100113238A KR101263082B1 (ko) | 2010-11-15 | 2010-11-15 | 사파이어 잉곳 성장장치 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120118228A1 (ko) |
EP (1) | EP2640875A4 (ko) |
JP (1) | JP2013542169A (ko) |
KR (1) | KR101263082B1 (ko) |
CN (1) | CN103201415B (ko) |
TW (1) | TWI458865B (ko) |
WO (1) | WO2012067372A2 (ko) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
TW201350632A (zh) * | 2012-06-12 | 2013-12-16 | Wcube Co Ltd | 藍寶石製造裝置及鏡頭保護玻璃 |
US9221289B2 (en) * | 2012-07-27 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Sapphire window |
TWI460319B (zh) * | 2012-12-28 | 2014-11-11 | Sino American Silicon Prod Inc | 長晶裝置及晶體製造方法 |
US9232672B2 (en) | 2013-01-10 | 2016-01-05 | Apple Inc. | Ceramic insert control mechanism |
CN105051267B (zh) * | 2013-01-23 | 2018-07-06 | Lg矽得荣株式会社 | 单晶体生长设备 |
TW201435158A (zh) | 2013-03-15 | 2014-09-16 | Saint Gobain Ceramics | 帶狀藍寶石以及用以產生複數個具有改良尺寸穩定性之帶狀藍寶石之設備以及方法 |
KR101472351B1 (ko) * | 2013-03-20 | 2014-12-12 | 주식회사 엘지실트론 | 사파이어 단결정 성장의 해석 방법 및 사파이어 단결정의 성장 방법 |
US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
US9154678B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-10-06 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
US9225056B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
CN208557082U (zh) | 2014-08-27 | 2019-03-01 | 苹果公司 | 一种电子设备和用于电子设备的盖 |
CN104451879A (zh) * | 2014-11-24 | 2015-03-25 | 河南晶格光电科技有限公司 | 一种蓝宝石晶棒生产工艺 |
EP3042986A1 (en) * | 2015-01-09 | 2016-07-13 | Forschungsverbund Berlin e.V. | Method for growing beta phase of gallium oxide (ß-Ga2O3) single crystals from the melt contained within a metal crucible by controlling the partial pressure of oxygen. |
US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
AT524600B1 (de) | 2020-12-29 | 2023-05-15 | Fametec Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen Kristalls, insbesondere eines Saphirs |
AT524602B1 (de) | 2020-12-29 | 2023-05-15 | Fametec Gmbh | Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6046998A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶引上方法及びそのための装置 |
JPH0261965U (ko) * | 1988-10-27 | 1990-05-09 | ||
JPH04170388A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-18 | Nec Corp | 結晶育成装置 |
JPH0754290Y2 (ja) * | 1992-11-30 | 1995-12-18 | 日本鋼管株式会社 | 単結晶の製造装置 |
JP3662962B2 (ja) * | 1994-12-22 | 2005-06-22 | Tdk株式会社 | 単結晶の製造方法及び装置 |
EP1774069B1 (en) * | 2004-08-05 | 2010-07-14 | Amosov, Vladimir Iljich | Apparatus for growing single crystals from melt |
JP2006176359A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Tdk Corp | 単結晶の製造装置及び製造方法 |
JP2007223830A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物単結晶の育成方法 |
US20090130415A1 (en) * | 2007-11-21 | 2009-05-21 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | R-Plane Sapphire Method and Apparatus |
JP5163101B2 (ja) * | 2007-12-25 | 2013-03-13 | 信越半導体株式会社 | 単結晶製造装置および製造方法 |
KR20100056640A (ko) * | 2008-11-20 | 2010-05-28 | 주식회사 실트론 | 단결정 성장장치 |
WO2012170124A2 (en) * | 2011-06-06 | 2012-12-13 | Gtat Corporation | Heater assembly for crystal growth apparatus |
TW201350632A (zh) * | 2012-06-12 | 2013-12-16 | Wcube Co Ltd | 藍寶石製造裝置及鏡頭保護玻璃 |
-
2010
- 2010-11-15 KR KR1020100113238A patent/KR101263082B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-11-09 CN CN201180053669.1A patent/CN103201415B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-11-09 EP EP11841249.3A patent/EP2640875A4/en not_active Withdrawn
- 2011-11-09 WO PCT/KR2011/008507 patent/WO2012067372A2/en active Application Filing
- 2011-11-09 JP JP2013538638A patent/JP2013542169A/ja active Pending
- 2011-11-15 TW TW100141645A patent/TWI458865B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-11-15 US US13/297,023 patent/US20120118228A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013542169A (ja) | 2013-11-21 |
CN103201415A (zh) | 2013-07-10 |
EP2640875A2 (en) | 2013-09-25 |
EP2640875A4 (en) | 2014-05-07 |
TWI458865B (zh) | 2014-11-01 |
WO2012067372A3 (en) | 2012-09-20 |
US20120118228A1 (en) | 2012-05-17 |
WO2012067372A2 (en) | 2012-05-24 |
TW201224226A (en) | 2012-06-16 |
CN103201415B (zh) | 2016-10-26 |
KR20120051894A (ko) | 2012-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101263082B1 (ko) | 사파이어 잉곳 성장장치 | |
US9068277B2 (en) | Apparatus for manufacturing single-crystal silicon carbide | |
KR101997608B1 (ko) | 실리콘 단결정 육성장치 및 실리콘 단결정 육성방법 | |
US8597756B2 (en) | Resistance heated sapphire single crystal ingot grower, method of manufacturing resistance heated sapphire single crystal ingot, sapphire single crystal ingot, and sapphire wafer | |
KR101574749B1 (ko) | 단결정 제조용 상부히터, 단결정 제조장치 및 단결정 제조방법 | |
KR101048831B1 (ko) | 단결정 제조용 흑연 히터 및 단결정 제조장치와 단결정 제조방법 | |
KR101680215B1 (ko) | 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 실리콘 단결정 잉곳 | |
JP5464429B2 (ja) | 四角形の断面を有する単結晶シリコンの育成方法 | |
US9938633B2 (en) | System for manufacturing a crystalline material by directional crystallization provided with an additional lateral heat source | |
JP2010070404A (ja) | シリコン融液形成装置 | |
KR101403800B1 (ko) | 잉곳 성장 방법 및 잉곳 | |
JPH09221380A (ja) | チョクラルスキー法による結晶製造装置、結晶製造方法、およびこの方法から製造される結晶 | |
KR20100015251A (ko) | 커스프 자기장을 이용한 반도체 단결정 잉곳 제조장치 및제조방법 | |
KR101333791B1 (ko) | 단결정 성장장치 | |
US10844513B2 (en) | Method for producing a semiconductor wafer of monocrystalline silicon, device for producing a semiconductor wafer of monocrystalline silicon and semiconductor wafer of monocrystalline | |
JP4148060B2 (ja) | 単結晶製造用黒鉛ヒーター及び単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法 | |
KR20100092174A (ko) | 비저항 특성이 균일한 단결정 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 단결정 | |
JP2004217504A (ja) | 単結晶製造用黒鉛ヒーター及び単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法 | |
KR100868192B1 (ko) | 가변 자기장을 이용한 반도체 단결정 제조 방법, 그 장치및 반도체 단결정 잉곳 | |
KR101339151B1 (ko) | 단결정 실리콘 잉곳 제조 장치 및 방법 | |
RU2531514C1 (ru) | Нагреватель устройства для выращивания монокристаллов из расплава методом чохральского | |
JP2013193942A (ja) | 単結晶製造装置およびそれを用いた単結晶製造方法 | |
KR20140101538A (ko) | 사파이어 잉곳의 성장 장치 | |
JP2004217502A (ja) | 単結晶製造用黒鉛ヒーター及び単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法 | |
JP2018193277A (ja) | 結晶育成装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160401 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170328 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180319 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190325 Year of fee payment: 7 |