KR101244760B1 - 안테나 장치 및 이를 포함하는 전자 기기 - Google Patents

안테나 장치 및 이를 포함하는 전자 기기 Download PDF

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Abstract

본 발명은 안테나 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 의하면 무선신호 송수신을 위한 제 1 방사체를 갖춘 제 1 안테나; 및 무선신호 송수신을 위한 제 2 방사체와, 상기 제 2 방사체의 방사 효율을 조절하여 상기 제 1 방사체 및 상기 제 2 방사체 사이의 간섭을 억제하는 전도성 패턴을 갖춘 제 2 안테나를 포함하는 안테나 장치가 제공된다. 이를 통해 다수의 안테나 상호간의 간섭을 억제할 수 있는 효과가 있다.

Description

안테나 장치 및 이를 포함하는 전자 기기{ANTENNA DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 발명은 안테나 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 관한 것으로서, 특히 안테나 사이의 간섭을 억제하기 위한 기술에 관한 것이다.
최근 전자산업의 발달에 따라 통신기술이 비약적으로 발전하게 되었다. 특히 이동통신을 비롯한 무선통신 기술의 발전에 따라 언제 어디서나 누구와도 음성 및 데이터 통신을 수행할 수 있는 다양한 전자 기기가 보급되었다.
이러한 전자 기기의 휴대성을 향상하기 위해 전자 기기는 소형화를 거듭하였고, 이에 따라 전자 기기의 내부에 포함되는 각종 부품들도 소형화되어 왔다. 특히 무선 통신을 위해서 필수적인 부품인 안테나도 소형화를 거듭하였다.
전자 기기와 안테나가 소형화됨에 따라, 안테나가 다른 부품에 의해 간섭을 받아 그 성능이 열화되는 문제가 발생되었다. 특히 최근에는 다이버시티 안테나(Diversity Antenna) 또는 MIMO 안테나(Multi In Multi Out Antenna)가 등장하면서 안테나와 안테나 사이의 간섭에 의한 성능의 열화가 문제되고 있다.
또한 전자 기기의 성능이 다양해짐에 따라, 각종 성능을 구현하기 위해 다양한 주파수 대역을 만족하는 여러 안테나가 하나의 전자 장치에 포함되는 경우가 흔해졌다. 이에 따라 안테나와 안테나 사이의 간섭에 의한 성능의 열화는 점점 더 중요한 문제로 대두되고 있으며, 이를 해결하기 위한 기술이 필요하게 되었다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 적어도 2개의 안테나를 포함하는 안테나 장치에 있어서, 안테나 상호간의 간섭을 억제하기 위한 기술을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 무선신호 송수신을 위한 제 1 방사체를 갖춘 제 1 안테나; 및 무선신호 송수신을 위한 제 2 방사체와, 상기 제 2 방사체의 방사 효율을 조절하여 상기 제 1 방사체 및 상기 제 2 방사체 사이의 간섭을 억제하는 전도성 패턴을 갖춘 제 2 안테나를 포함하는 안테나 장치가 제공된다.
여기서, 상기 전도성 패턴은 CRLH-TL(Composite Right/Left Handed Transmission Line) 구조일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 접지면과 비접지면이 형성된 기판; 무선신호 송수신을 위한 제 1 방사체를 갖추고, 상기 기판에 결합되는 제 1 안테나; 및 무선신호 송수신을 위한 제 2 방사체와, 상기 제 2 방사체의 방사 효율을 조절하여 상기 제 1 방사체 및 상기 제 2 방사체 사이의 간섭을 억제하는 전도성 패턴을 갖추고, 상기 기판에 결합되는 제 2 안테나를 포함하는 안테나 장치가 제공된다.
여기서, 상기 기판의 상면 일부에 상기 제 2 방사체의 급전부가 형성되고,
상기 전도성 패턴은 상기 제 2 방사체의 급전부의 배면에 형성되어 커플링 급전되고, 상기 전도성 패턴과 상기 접지면 사이에 인덕터가 개재될 수 있다.
한편, 상기 전도성 패턴의 길이 방향의 유도성 성분이 직렬 인덕터가 되고, 상기 전도성 패턴과 상기 접지면 사이에 형성되는 용량성 성분이 병렬 커패시터가 되고, 상기 전도성 패턴과 상기 접지면 사이에 개재된 인덕터의 유도성 성분이 병렬 인덕터가 되고, 상기 전도성 패턴과 상기 제 2 방사체의 급전부 사이에 형성되는 용량성 성분이 직렬 커패시터가 되어, 상기 전도성 패턴은 CRLH-TL(Composite Right/Left Handed Transmission Line) 구조가 될 수도 있다.
한편, 상기 제 2 방사체의 길이 방향의 유도성 성분이 직렬 인덕터가 되고, 상기 제 2 방사체와 상기 접지면 사이에 형성되는 용량성 성분이 병렬 커패시터가 되고, 상기 전도성 패턴과 상기 접지면 사이에 개재된 인덕터의 유도성 성분이 병렬 인덕터가 되고, 상기 전도성 패턴과 상기 제 2 방사체의 급전부 사이에 형성되는 용량성 성분이 직렬 커패시터가 되어, 상기 제 2 안테나는 CRLH-TL(Composite Right/Left Handed Transmission Line) 구조가 될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상술한 안테나 장치를 포함하는 전자 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 의하면 적어도 2개의 안테나를 포함하는 안테나 장치에 있어서, 안테나 상호간의 간섭을 억제할 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명의 일 실시예에 의하면 CRLH-TL(Composite Left/Right Handed Transmission Line)구조를 갖는 전도성 패턴의 0차 공진을 통해 안테나 상호간의 간섭을 억제할 수 있는데, 0차 공진을 이용할 경우 전도성 패턴의 길이와 무관하게 공진 주파수를 용이하게 조절할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 CRLH-TL(Composite Left/Right Handed Transmission Line)구조의 등가회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 안테나 장치의 상면을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 안테나 장치의 배면을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 안테나 장치의 제 2 안테나를 확대한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 안테나 장치의 제 2 안테나를 확대한 도면으로서, 배면에 형성된 전도성 패턴이 투시되도록 도시된 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 안테나 장치의 전도성 패턴을 확대한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 안테나 장치에 있어서 전도성 패턴의 유무에 따른 안테나 효율 변화를 나타낸 그래프이다.
이하, 발명에 따른 다양한 실시예들을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 다만, 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 공지기술 및 그 구성에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 상하좌우 등의 기준은 절대적인 것이 아니며 본 발명을 용이하게 설명하기 위해 도면을 기준으로 설명하는 것에 불과하다. 그리고 본 명세서에서 사용된 '평행' 또는 '수직' 등과 같은 수학적 표현은 이론적으로 엄밀한 평행 또는 수직을 의미하는 것은 아니며, 실제로 구성가능한 범위의 실질적인 평행 또는 수직을 의미하는 것으로 이해되어야 할 것이다. 또한, 도면을 참조하여 본 발명을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대하여는 동일한 부호를 부여하여 설명하기로 한다.
CRLH - TL ( Composite Right / Left Handed Transmission Line )구조
이하, CRLH-TL(Composite Right/Left Handed Transmission Line) 구조에 대해 설명하기로 한다. CRLH-TL 구조는 메타머티리얼(Metamaterial) 이론으로도 알려져 있는데, 최근에는 이를 안테나의 공진 구조와 관련하여 연구되고 있다.
메타머티리얼이란 자연에서 일반적으로 찾을 수 없는 특수한 전자기적 특성을 갖도록 인공적으로 설계된 물질 또는 전자기적 구조를 의미하는 것으로서, 본 기술 분야에서 일반적으로, 그리고 본 명세서에 있어서 메타머티리얼이라 함은 유전율(permitivity) 과 투자율(permeability)이 모두 음수인 물질 또는 그러한 전자기적 구조를 의미한다.
이러한 물질은 두 개의 음수 파라미터를 가진다는 의미에서 더블 네거티브 (Double Negative; DNG) 물질이라 불리기도 한다. 또한, 메타머티리얼은 음의 유전율 및 투자율에 의하여 음의 반사계수를 가지며, 그에 따라 NRI(Negative Refractive Index) 물질이라고도 불린다. 메타머티리얼은 1967년 소련의 물리학자 베젤라고(V.Veselago)에 의해 처음 연구되었으나, 최근에 이르러서 구체적 구현 방법이 연구되어 응용이 시도되고 있다.
메타머티리얼을 이용하여 0차 공진기(ZOR)를 구현하는 것이 가능하다. 0차 공진기는 종래의 공진 구조와 달리 공진 주파수가 공진 구조의 전기적 길이와는 무관하게 결정된다. 0차 공진기는 실질적으로 LC 공진 회로와 동일한 공진 구조를 가짐으로써, 회로에 포함되는 인덕터 및 커패시터의 인덕턴스와 커패시턴스가 공진 주파수를 결정한다. 따라서, 공진 주파수는 인덕턴스와 커패시턴스를 조정함으로써 변화될 수 있으며, 공진 주파수가 낮아지더라도 안테나의 크기가 대형화되지 않는다.
도 1은 CRLH-TL 구조 중 DNG 유닛 셀의 등가회로도를 나타낸다. 도 1에 도시되는 바와 같이, DNG 유닛 셀은 직렬 인덕터(LR)와 병렬 커패시터(CR)를 통해 RH(Right Handed) 특성이 나타나고, 직렬 커패시터(CL)와 병렬 인덕터(LL)를 통해 LH(Left Handed) 특성이 나타난다. RH 특성과 LH 특성이 결합하여 CRLH-TL의 특성을 갖게 되는 것이다. 즉, 일반적인 전송선로는 RH 특성을 갖는데 이러한 전송선로에 직렬 커패시터(CL)와 병렬 인덕터(LL)를 추가 삽입하여 LH 특성을 갖게 함으로써 CRLH-TL 회로로서 동작할 수 있게 되는 것이다.
안테나 장치 및 이를 포함하는 전자 기기
이하, 도 2 내지 도 7을 참조하여 본 발명이 일 실시예에 의한 안테나 장치를 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 안테나 장치의 상면을 나타낸 도면이다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 무선신호 송수신을 위한 제 1 방사체(11)를 갖춘 제 1 안테나와, 무선신호 송수신을 위한 제 2 방사체(21)를 갖춘 제 2 안테나가 포함된다. 제 1 안테나와 제 2 안테나는 서로 독립적으로 동작할 수도 있으나, 다이버시티 안테나 또는 MIMO 안테나로 동작할 수도 있다. 여기서 제 1 안테나를 메인 안테나로 사용하고 제 2 안테나를 서브 안테나로 사용하도록 설계할 수도 있고, 그 역할이 서로 바뀌도록 설계할 수도 있을 것이다.
한가지 예로써, 제 1 안테나를 메인 안테나로 사용하여 LTE(Rx/Tx) 대역, DCN(Rx/Tx) 대역, WCDMA 대역을 모두 만족하도록 설계하고, 제 2 안테나를 서브 안테나로 사용하여 DCN 단일 밴드에서만 동작되도록 설계할 수 있다. 그러나 제 2 안테나를 DCN 단일 밴드에서만 동작되도록 설계하더라도 다른 대역에서 방사가 일어날 수 있으므로 제 1 안테나의 성능에 영향을 미칠 수 있다. 즉, 예를 들어 제 2 안테나를 DCN 단일 밴드에서 동작하도록 설계하더라도 LTE 대역에서 방사가 일어날 수 있기 때문에, 제 1 안테나의 LTE 대역에 영향을 미치게 된다.
이러한 문제를 해결하기 위해 제 2 안테나에 전도성 패턴(22)을 포함할 수 있다. 전도성 패턴(22)은 제 2 방사체(21)의 방사 효율을 조절하여, 제 1 방사체(11)와 제 2 방사체(21) 사이의 간섭을 억제한다. 전도성 패턴(22)은 전자파를 방사할 수도 있는데, 전도성 패턴(22)에서 방사되는 전자파는 제 2 방사체(21)에서 방사되는 전자파와 상쇄 간섭을 일으켜 제 2 방사체(21)의 방사 효율을 떨어트리게 된다. 이때 상쇄 간섭을 일으키는 대역은 제 2 방사체(21)에서 의도하지 않음에도 불구하고 방사되는 대역이다. 즉, 상술한 예에 따를 경우, 제 2 방사체(21)는 DCN 단일 밴드에서만 동작되도록 설계했음에도 불구하고 LTE 대역에서 방사가 일어나기 때문에, 의도하지 않은 LTE 대역에서 상쇄 간섭을 일으키게 한다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 의한 안테나 장치에 따르면, 하나의 기판(30)에 제 1 안테나와 제 2 안테나가 각각 결합되는 안테나 장치가 제공될 수 있다. 기판(30)에는 접지면(32, 32)과 비접지면(31)이 형성된다. 접지면(32, 32)은 도전성을 띠도록 금속 성분으로 형성될 수 있다. 또한 기판(30)에는 전자 기기의 각종 기능을 구현하기 위한 회로 등(미도시)이 포함될 수 있다.
제 1 안테나는 제 1 방사체(11)와 제 1 방사체(11)를 지지하는 베이스 프레임(13)을 갖추고, 제 2 안테나는 제 2 방사체(21)와 제 2 방사체(21)를 지지하는 베이스 프레임(23)을 갖출 수 있다. 제 1 안테나와 제 2 안테나는 기판(30) 상면에 결합될 수 있지만, 제 1 안테나와 제 2 안테나가 항상 상면에 형성되어야만 하는 것은 아니다. 그리고 제 1 안테나와 제 2 안테나가 각각 상이한 면에 형성될 수도 있다.
이하, 도 3 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 안테나 장치에 포함되는 제 2 방사체(21)와 전도성 패턴(22)의 구조에 대해 상세히 설명하겠다.
제 2 방사체(21)는 상면 일부에 형성된 급전부에 전기적으로 접속된다. 급전부는 급전점(24)만으로 구성될 수도 있고, 급전점(24)과 연결된 급전패드(27a)를 포함하여 구성될 수도 있다. 급전패드(27a)가 포함될 경우 제 2 방사체(21)의 일단에 형성된 급전측 단자(28a)는 급전패드(27a)와 전기적으로 접속되어 전류가 전달된다. 제 2 방사체(21)가 역 F형 안테나로 동작할 경우 제 2 방사체(21)에는 접지측 단자(28b)가 더 형성되는데, 접지측 단자(28b)가 접지패드(27b)에 전기적으로 접속되고, 접지패드(27b)가 기판의 상면에 형성된 접지면(32)과 연결되되, 접지패드(27b)와 접지면(32) 사이에는 임피던스 매칭을 위한 소자(26)가 개재될 수도 있다. 여기서 제 2 방사체(21)의 구조를 역 F형 안테나를 기준으로 설명하였으나, 제 2 방사체(21)는 역 F형 안테나가 아닌 다른 방사체 구조가 되어도 무방하다.
전도성 패턴(22)은 CRLH-TL(Composite Right/Left Handed Transmission Line) 구조가 될 수 있다. 전도성 패턴(22)이 CRLH-TL 구조가 되면 전도성 패턴(22)의 형상 및 길이와 무관하게 전도성 패턴(22)의 공진 주파수를 용이하게 조절할 수 있는 이점이 있다.
전도성 패턴(22)을 CRLH-TL 구조로 형성하기 위한 일 예를 설명하면 다음과 같다.
제 2 방사체(21)의 급전부의 배면에 전도성 패턴(22)을 형성한다. 급전부는 급전점(24) 및 급전패드(27a)를 포함한 개념일 수도 있고, 급전점(24)만 의미하는 것일 수도 있다. 그리고 전도성 패턴(22)이 형성되는 영역은 기판(30)의 배면에 형성된 비접지면(31)이다. 전도성 패턴(22)이 급전부의 배면에 형성되면, 이들이 전기적으로 직접 접속되지는 않지만, 커플링 급전되어 전자기적으로 접속될 수 있다. 이러한 구조에 따르면 전도성 패턴(22)과 제 2 방사체(21) 사이에는 용량성 성분, 즉 커패시턴스 성분이 형성될 수 있다.
그리고 전도성 패턴(22)과 접지면(32) 사이에는 인덕터(25)가 개재된다. 이를 통해 유도성 성분, 즉 인덕턴스 성분이 형성될 수 있다.
전술한 구조를 통해 LH특성을 띠는 전송선로가 구현되는데, 도 1을 통해 설명한 CRLH-TL 구조와 이를 대응시켜 살펴보면 다음과 같은 2가지 관점의 구조로 설명할 수 있다.
첫번째 관점의 구조로서, 전도성 패턴(22)의 길이 방향의 유도성 성분이 직렬 인덕터가 되고, 전도성 패턴(22)과 접지면(32) 사이에 형성되는 용량성 성분이 병렬 커패시터가 되고, 전도성 패턴(22)과 접지면 사이(32)에 개재된 인덕터(25)의 유도성 성분이 병렬 인덕터가 되고, 전도성 패턴(22)과 제 2 방사체(21)의 급전부 사이에 형성되는 용량성 성분이 직렬 커패시터가 되어, 전도성 패턴(22)은 CRLH-TL 구조가 될 수 있다.
두번째 관점의 구조로서, 제 2 방사체(21)의 길이 방향의 유도성 성분이 직렬 인덕터가 되고, 제 2 방사체(21)와 접지면(32) 사이에 형성되는 용량성 성분이 병렬 커패시터가 되고, 전도성 패턴(22)과 접지면(32) 사이에 개재된 인덕터(25)의 유도성 성분이 병렬 인덕터가 되고, 전도성 패턴(22)과 제 2 방사체(21)의 급전부 사이에 형성되는 용량성 성분이 직렬 커패시터가 되어, 제 2 안테나는 CRLH-TL 구조가 될 수 있다.
한편, 첫번째 관점의 구조와 두번째 관점의 구조가 조합되어 그 결과로서 CRLH-TL 구조가 된다고 해석할 수도 있을 것이다.
전술한 안테나 장치에 의하면 전도성 패턴(22)과 제 2 방사체(21)의 간섭에 의한 방사 효율 조절에 따라 제 2 방사체(21)와 제 1 방사체(11) 사이의 간섭을 억제할 수 있는 효과가 있다. 도 7을 참조하여, 전도성 패턴(22)의 유무에 따른 안테나 효율 변화를 설명하면 다음과 같다.
도 7에 의하면, 제 1 안테나의 평균이득과 제 2 안테나의 평균이득이 전도성 패턴(22)의 유무에 따라 각각 도시된다. 도 7에 도시된 그래프의 X축은 주파수를 나타낸 것으로서 그 단위는(MHz)이고, Y축은 평균이득을 나타낸 것으로서 그 단위는(dBi)이다. 전도성 패턴(22)이 없을 때의 제 1 안테나 평균이득(Main wo ZOR)은, 전도성 패턴(22)이 있을 때의 제 1 안테나 평균이득(Main w ZOR)과 큰 차이가 없다. 그러나 전도성 패턴(22)이 없을 때의 제 2 안테나의 평균이득(Sub wo ZOR)은, 전도성 패턴(22)이 있을 때의 제 2 안테나 평균이득(Sub w ZOR)과 차이가 있다. 특히 746~794 MHz 대역에서는 전도성 패턴(22)이 있을 때의 제 2 안테나 평균이득(Sub w ZOR)이 저하되기 때문에 746~794 MHz 대역에서 제 1 안테나와 제 2 안테나 사이의 간섭을 억제하는 효과가 있음이 증명된다. 물론, 사용자에 의도에 따라 주파수 대역을 조절할 수 있음은 당연하다.
한편, 전술한 안테나 장치는 이동통신단말기를 비롯하여 무선통신이 적용되는 전자 기기라면 어떤 장치이든 포함될 수 있다. 특히 여러가지 대역을 만족해야 하는 안테나가 포함되는 장치에 적합하다. 또한 4G MIMO 안테나에서 각광 받는 LTE 서비스 대역과 기존의 이동통신 서비스를 같이 사용하는 장치에서 그 효과는 배가된다.
그리고 대역저지 필터와 같은 능동 소자를 구현하여 제 2 안테나의 LTE 대역 효율을 저하시키는 구조를 사용하지 않고, 전도성 패턴(22)과 같은 수동 소자를 포함시켜 그러한 효과를 구현할 수 있다는 장점도 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조로 설명하였다. 여기서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
11: 제 1 방사체 13: 제 1 안테나의 베이스 프레임
21: 제 2 방사체 22: 전도성 패턴
23: 제 2 안테나의 베이스 프레임 24: 제 2 안테나의 급전점
25: 인덕터 26: 임피던스 매칭용 소자
27a: 급전패드 27b: 접지패드
28a: 급전단자 28b: 접지단자
30: 기판
31: 비접지면 32: 접지면

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 접지면과 비접지면이 형성된 기판;
    무선신호 송수신을 위한 제 1 방사체를 갖추고, 상기 기판에 결합되는 제 1 안테나; 및
    무선신호 송수신을 위한 제 2 방사체와, 상기 제 2 방사체의 방사 효율을 조절하여 상기 제 1 방사체 및 상기 제 2 방사체 사이의 간섭을 억제하는 전도성 패턴을 갖추고, 상기 기판에 결합되는 제 2 안테나를 포함하되,
    상기 기판의 상면 일부에 상기 제 2 방사체의 급전부가 형성되고,
    상기 전도성 패턴은 상기 제 2 방사체의 급전부의 배면에 형성되어 커플링 급전되고,
    상기 전도성 패턴과 상기 접지면 사이에 인덕터가 개재되는 안테나 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 전도성 패턴의 길이 방향의 유도성 성분이 직렬 인덕터가 되고,
    상기 전도성 패턴과 상기 접지면 사이에 형성되는 용량성 성분이 병렬 커패시터가 되고,
    상기 전도성 패턴과 상기 접지면 사이에 개재된 인덕터의 유도성 성분이 병렬 인덕터가 되고,
    상기 전도성 패턴과 상기 제 2 방사체의 급전부 사이에 형성되는 용량성 성분이 직렬 커패시터가 되어,
    상기 전도성 패턴은 CRLH-TL(Composite Right/Left Handed Transmission Line) 구조가 되는 안테나 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 방사체의 길이 방향의 유도성 성분이 직렬 인덕터가 되고,
    상기 제 2 방사체와 상기 접지면 사이에 형성되는 용량성 성분이 병렬 커패시터가 되고,
    상기 전도성 패턴과 상기 접지면 사이에 개재된 인덕터의 유도성 성분이 병렬 인덕터가 되고,
    상기 전도성 패턴과 상기 제 2 방사체의 급전부 사이에 형성되는 용량성 성분이 직렬 커패시터가 되어,
    상기 제 2 안테나는 CRLH-TL(Composite Right/Left Handed Transmission Line) 구조가 되는 안테나 장치.
  7. 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 안테나 장치를 포함하는 전자 기기.
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