CN111628274B - 天线装置及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本申请提供的天线方案，通过在电子设备(如手机)的地板上方架设激励单元，对该激励单元馈电，来有效激励起地板产生辐射。这样，因地板的辐射能力不受显示屏和地板之间的净空大小影响，本申请提供的天线方案可适用全面屏这种天线空间被急剧缩减的电子设备。另外，地板作为电子设备(如手机)的主要的辐射口径之一，激励地板产生辐射可以显著提升天线性能。

Description

天线装置及电子设备
技术领域
本发明涉及天线技术领域，特别涉及应用在电子设备中的天线装置。
背景技术
为了给用户带来更为舒适的视觉感受，全面屏工业设计(industry design，ID)已成为手机等便携式电子设备的设计趋势。全面屏意味着极大的屏占比(通常在90％以上)。全面屏的边框宽度大幅缩减，需要对手机内部器件，如前置摄像头、受话器、指纹识别器、天线等，进行重新布局。尤其对于天线设计来说，净空区域缩减，天线空间进一步被压缩。而天线的尺寸、带宽、效率是相互关联、相互影响的，减小天线尺寸(空间)，天线的效率带宽积(efficiency-bandwidth product)势必减小。因此，全面屏ID给手机的天线设计带来了极大的挑战。
现有手机等电子设备中常用的天线设计形式可以为平面倒F(planer invertedF)天线、倒F(inverted F)天线、单极子(monopole)天线、T型天线、环型(loop)天线等。这些天线设计，其天线长度至少要满足低频波长的四分之一到二分之一，对天线空间要求较高。
如何在有限空间内设计天线又能满足天线性能要求，为业界的研究方向。
发明内容
本发明实施例提供了一种天线装置及电子设备，可有效激励起地板产生辐射，因地板的辐射能力不受显示屏和地板之间的净空大小影响，可适用全面屏这种天线空间被急剧缩减的电子设备。
第一方面，本申请提供了一种天线装置，如图2A-图2F所示，该天线装置可以包括：电子设备的地板15、激励单元23。其中：
地板15包括相对的第一边(如侧边21-1)和第二边(如侧边21-5)，以及相对的第三边(如底边21-7)和第四边(如顶边21-3)。
激励单元23可具有第一枝节29-2和两个第二枝节(29-1、29-3)。第二枝节29-1和第二枝节29-3可分别连接在第一枝节29-2的两端。第二枝节29-1远离第一枝节29-2的一端连接地板15，第二枝节29-3远离第一枝节29-2的一端连接地板15。第二枝节29-1和第二枝节29-3可用于将第一枝节29-2架设于地板15上，第一枝节29-2与地板15之间形成空隙。
激励单元23可以邻近地板15的第一边架设在地板15上。这里，该邻近可以是指激励单元23和第一边之间的距离小于特定距离，如4毫米。不限于4毫米，该特定距离还可以为3毫米、2毫米、1毫米等数值。此时，激励单元23到第一边的距离L1，小于，激励单元23到第二边的距离L2。
激励单元23的第一端到第三边的距离p1，和，激励单元23的第二端到第四边的距离p2，之间的差值小于第一值，如15毫米。不限于15毫米，第一值还可以为12毫米、20毫米等数值。第一端为激励单元23的靠近第三边的一端，第二端为激励单元23的靠近第四边的一端。
激励单元23上可设置有馈电端口27，信号源位于馈电端口27中。激励单元23的第一枝节29-2上可开设有第一缝隙，第一缝隙两侧的两部分第一枝节之间可串联第一电容。第一电容可用于实现激励单元23上分布的同向电流。
可以看出，第一方面提供的天线装置，通过在电子设备(如手机)的地板上方架设激励单元，对该激励单元馈电，来有效激励起地板产生辐射。这样，因地板的辐射能力不受显示屏和地板之间的净空大小影响，本申请提供的天线方案可适用全面屏这种天线空间被急剧缩减的电子设备。另外，地板作为电子设备(如手机)的主要的辐射口径之一，激励地板产生辐射可以显著提升天线性能。
结合第一方面，在一些实施例中，激励单元23可以平行于地板15的第一边(如侧边21-1)，或者，激励单元23和地板15的第一边(如侧边21-1)之间可以呈现较小的夹角，即二者之间可以接***行。该较小的夹角可以小于第一角度，如5°。不限于5°，第一角度还可以是3°、7°等角度。此时，激励单元23和第一边之间的夹角α，小于，激励单元23和第三边之间的夹角β。激励单元23可以平行于地板15的第一边，即夹角α等于0°，此时激励单元23可以激励起地板15在第一边处产生更强的电流，激励单元23更容易激励起地板15产生谐振。
结合第一方面，在一些实施例中，第一缝隙可以开设于第一枝节29-2的中间，这样激励单元23上的同向电流更强，更容易激励起地板15产生辐射。第一电容可以是集总电容，或者分布式电容(例如在激励单元23上开设缝隙所形成的分布式电容)。
结合第一方面，在一些实施例中，馈电端口27处的馈电形式可以包括但不限于下述两种方式：
在一种实现方式中，如图2E所示，馈电端口27可具体设置在第一枝节29-2上，具体可通过在第一枝节29-2上开设缝隙1来实现。缝隙1把第一枝节29-2分成两部分(29-2-A、29-2-B)，第一枝节29-2-A、第一枝节29-2-B之间可串联信号源。
在另一种实现方式中，如图2F所示，馈电端口27可具体设置在第二枝节29-1或第二枝节29-3上，具体可通过在第二枝节上开设缝隙2来实现。图2F中串联的电感L可用来实现阻抗匹配，后续内容中会介绍馈电端处集成的匹配网络，这里先不赘述。
结合第一方面，在一些实施例中，第一枝节29-2可以是水平枝节，平行于地板15。可选的，第二枝节29-1、第二枝节29-3可以是垂直枝节，垂直于地板15，用于将第一枝节29-2悬空架设于地板15上。
结合第一方面，在一些实施例中，激励单元23可平行于第一边，此时夹角α＝0、夹角β＝90°，此时激励单元23更容易激励起地板15产生辐射。
结合第一方面，在一些实施例中，激励单元23可架设于地板的第一边处，此时L1等于0，此时激励单元23更容易激励起地板15产生辐射。也即是说，激励单元23离第一边越近，越容易激励起地板15产生辐射。
结合第一方面，在一些实施例中，距离p1和距离p2可以相等，都等于(Lg-Le)/2。此时，激励单元23可邻近第一边架设于地板的中间，激励单元23更容易激励地板15产生谐振。
结合第一方面，在一些实施例中，馈电端口处集成有匹配网络可包括电容C和电感L，该电容C串联于馈电端口，该电感L并联于馈电端口。该电容C可以称为第二电容，该电感L可以称为第一电感。
结合第一方面，在一些实施例中，本申请提供的天线装置还可实现双频段或宽频带或多频段，可以通过匹配网络或者增加更多的磁环来实现。下面展开说明。
1.基于匹配网络的双频段天线方案
为了实现双频段匹配，匹配网络可以为在串联电容C1之后，串联一个LC并联电路(由并联的L2和C2构成)，最后再并联电感L2。即，馈电端口处集成的匹配网络可包括：串联电容C1、LC并联电路、电感L2，电容C1、LC并联电路一次串联于馈电端口，电感L2并联于馈电端口。电容C1可以称为第三电容，电感L2可以称为第二电感，LC并联电路中的电容C2可以称为第四电容，LC并联电路中的电感L2可以称为第三电感。可选的，双频段可以是低频段(如800MHz处)和GPS L1频段(1.5GHz处)，针对该双频段的匹配网络的配置可以如下：C1＝1pF，L1＝6nH，C2＝2.2pF，L2＝4.5nH。
2.基于多磁环的双频段或宽频带或多频段天线方案
为了实现双频段或宽频段，可以在地板15上架设一个寄生单元(又可称为寄生磁环)。也即是说，本申请提供的天线装置还可以进一步包括寄生单元。在地板15上，和激励单元23相同，该寄生单元可架设于地板的第一边(如侧边21-1)附近。这里，附近可以是指寄生单元与地板的第一边(如侧边21-1)之间的距离小于特定距离(如4毫米)。此时，寄生单元到地板的第一边的距离L3，小于，寄生单元到地板的第二边的距离L4。
激励单元23在激励起地板15产生辐射的同时，地板15会耦合该寄生单元产生辐射，从而可实现双频段辐射。
在一些实施例中，寄生单元的结构和激励单元23的结构可以相同。寄生单元可具有第三枝节和两个第四枝节。第三枝节类似激励单元23中的第一枝节29-2，第四枝节类似激励单元23中的第二枝节29-1、29-3。类似激励单元23的结构，寄生单元中的两个第四枝节可分别连接在第三枝节的两端。第四枝节远离第一枝节的一端连接地板15。两个第四枝节可用于将第三枝节架设于地板15上，以使第三枝节与地板15形成空隙。和激励单元23一样，该寄生单元上可串联电容。该电容可以称为第五电容。为了串联第五电容，可以在第三枝节上开设缝隙，该缝隙两侧的两部分第三枝节之间可以串联第五电容。该缝隙可以称为第二缝隙。
不限于和激励单元23结构相同的寄生磁环，为了实现多频段或宽频段，寄生单元还可以是其他天线，如支架天线、悬浮天线等。支架天线可以包括IFA天线、ILA天线等。
结合第一方面，在一些实施例中，为了实现MIMO，本申请提供的天线装置可以包括多个天线单元，一个天线单元可具有一个激励单元23，或者可具有一个激励单元23和M(M是正整数)个寄生单元。这多个天线单元可以设置于地板15的各个边的附近。即，在一个天线单元中，激励单元23邻近于地板的边缘架设，寄生单元也邻近于地板的边缘架设。
第二方面，本申请提供了一种电子设备，该电子设备包括非金属后盖，以及上述第一方面描述的天线装置。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图进行说明。
图1是电子设备内部环境的示意图；
图2A为本申请提供的天线装置的整体模型示意图；
图2B为本申请提供的天线结构在X-Z平面的平面视图；
图2C为本申请提供的天线结构中的环状激励单元的细节视图；
图2D为本申请提供的天线结构中的馈电端口处的馈电形式的示意图；
图2E本申请提供的天线装置的一种馈电形式的示意图；
图2F为本申请提供的天线装置的另一种馈电形式的示意图；
图3A为本申请提供的天线结构在几种匹配网络下的S11仿真示意图；
图3B为本申请提供的天线结构在几种匹配网络下的效率仿真图；
图3C为本申请提供的天线结构的一种匹配网络的示意图；
图4A为本申请提供的天线结构的仿真的矢量电流分布图；
图4B为本申请提供的天线结构工作在900MHz处的三位辐射方向图的前视图；
图4C为本申请提供的天线结构工作在900MHz处的三位辐射方向图的俯视图；
图5A为本申请提供的天线结构在整机模型中的应用示意图；
图5B为本申请提供的天线结构在几种p值下的S11仿真示意图；
图5C为本申请提供的天线结构在几种p值下的效率仿真示意图；
图6A为本申请提供的天线结构在几种Le值下的S11仿真示意图；
图6B为本申请提供的天线结构在几种Le值下的效率仿真示意图；
图7A为本申请提供的天线结构在几种h值下的S11仿真示意图；
图7B为本申请提供的天线结构在几种h值下的效率仿真示意图；
图8A为本申请提供的天线结构在几种w值下的S11仿真示意图；
图8B为本申请提供的天线结构在几种w值下的效率仿真示意图；
图9A为本申请提供的天线结构在d＝4mm,w＝2mm时的S11仿真示意图；
图9B为本申请提供的天线结构在d＝0mm,w＝2mm时的效率仿真示意图；
图10A为本申请提供的天线结构在几种p值下的S11仿真示意图；
图10B为本申请提供的天线结构在几种p值下的效率仿真示意图；
图10C为本申请提供的天线结构在几种p值下的天线辐射方向图；
图11A为本申请提供的天线结构在几种Lg值下的S11仿真示意图；
图11B为本申请提供的天线结构在几种Lg值下的效率仿真示意图；
图11C为本申请提供的天线结构在几种Wg值下的S11仿真示意图；
图11D为本申请提供的天线结构在几种Wg值下的效率仿真示意图；
图12A为实现双频段的匹配网络的示意图；
图12B为本申请提供的天线结构配置有图12A所示的匹配网络时的S11仿真图；
图13A为一种基于多磁环的多频段或宽频带天线结构的示意图；
图13B为图13A所示的天线结构的鸟瞰简化图；
图13C为图13A所示的天线结构在两种匹配网络参数下的S11仿真图；
图13D为图13A所示的天线结构在两种匹配网络参数下的效率仿真图；
图14为另一种基于多磁环的多频段或宽频带天线结构的示意图；
图15A为本申请中的激励单元和寄生单元在地板上的一种布局示意图；
图15B为本申请中的激励单元和寄生单元在地板上的另一种布局示意图；
图16为实现MIMO的励单元和寄生单元在地板上的布局示意图；
图17A示出了IFA作为寄生单元的天线装置的示意图；
图17B示出了ILA作为寄生单元的天线装置的示意图；
图17C示出了悬浮天线作为寄生单元的天线装置的示意图。
具体实施方式
下面结合本发明实施例中的附图对本发明实施例进行描述。
本申请提供的技术方案适用于采用以下一种或多种通信技术的电子设备：蓝牙(bluetooth，BT)通信技术、全球定位***(global positioning system，GPS)通信技术、无线保真(wireless fidelity，Wi-Fi)通信技术、全球移动通讯***(global system formobile communications，GSM)通信技术、宽频码分多址(wideband code divisionmultiple access，WCDMA)通信技术、长期演进(long term evolution，LTE)通信技术、5G通信技术、SUB-6G通信技术以及未来其他通信技术等。本申请中，电子设备可以是手机、平板电脑、个人数码助理(personal digital assistant，PDA)等等。
图1示例性示出了本申请提供的天线设计方案所基于的电子设备内部环境。如图1所示，电子设备10可包括：显示屏11、印刷电路板PCB13、地板15、边框17和后盖19。显示屏11、印刷电路板PCB13、地板15和后盖19可以分别设置于不同的层，这些层可以相互平行，各层所在的平面可以称为X-Z平面，垂直于X-Z平面的方向为Y方向。也即是说，显示屏11、印刷电路板PCB13、地板15和后盖19可以在Y方向上分层分布。
其中，印刷电路板PCB13可以采用FR-4介质板，也可以采用罗杰斯(Rogers)介质板，也可以采用Rogers和FR-4的混合介质板，等等。这里，FR-4是一种耐燃材料等级的代号，Rogers介质板一种高频板。
其中，后盖19是非导电材料制成的后盖，如玻璃后盖、塑料后盖等非金属后盖。
其中，地板15接地，可设置于印刷电路板PCB13与后盖19之间。地板15又可以称为PCB底板。具体的，地板15可以是蚀刻在PCB13表面的一层金属，这层金属还可以通过一系列金属弹片接在金属中框(未示出)上，跟金属中框成为一体。地板15可用于印刷电路板PCB13上承载的电子元件接地。具体的，印刷电路板PCB13上承载的电子元件可以通过接线到地板15来实现接地，以防止用户触电或设备损坏。
其中，边框17可以环设于地板15的边缘，可以从侧边包覆后盖19与显示屏11之间的印刷电路板PCB13、地板15，以达到防尘、防水的目的。边框17可以是金属边框，也可以是非金属边框。边框17可以包括：电子设备10顶部的边框(可称为顶部边框)27-3，电子设备10底部的边框(可称为底部边框)27-7，以及电子设备10侧边的边框(可称为侧边边框)27-1和27-5。电子设备10顶部可设置有前置摄像头(未示出)、听筒(未示出)、接近光传感器(未示出)以及环境光传感器(未示出)等。电子设备10底部可设置有USB充电接口(未示出)、麦克风(未示出)等。电子设备10侧边可设置有音量调节按键(未示出)、电源键(未示出)。
图1仅示意性的示出了电子设备10包括的各个部分，各个部分的实际形状、实际大小和实际构造不受图1限定。电子设备10的显示屏11可以是大尺寸显示屏，屏占比可以达到90％以上。
基于图1所示的电子设备内部环境，本申请将提供基于磁环馈电的地板辐射天线方案。本申请提供的天线方案，通过在地板15上方架设激励单元，对该激励单元馈电，来有效激励起地板15产生辐射。这样，因地板15的辐射能力不受显示屏11和地板15之间的净空大小影响，本申请提供的天线方案可适用全面屏ID这种天线空间被急剧缩减的电子设备。另外，地板15作为电子设备10的主要的辐射口径之一，激励地板15产生辐射可以显著提升天线性能。
图2A-图2C示出了本申请提供的天线装置。其中，图2A为该天线装置的整体模型示意图，图2B为该天线结构在X-Z平面的平面视图，图2C为该天线结构中的环状激励单元的细节视图。如图2A-图2C所示，该天线装置可包括地板(ground plane)15、激励单元(excitingelement)23。其中：
地板15可以具有相对的侧边21-1和侧边21-5，以及相对的顶边21-3和底边21-7。地板15这几个边分别紧挨着边框17的几个边框。具体的，侧边21-1紧挨着侧边边框17-1、顶边21-3紧挨着顶部边框17-3、侧边21-5紧挨着侧边边框17-5、底边21-7紧挨着底部边框17-7。可选的，地板15可以为矩形，侧边21-1和侧边21-5可为两个相对的长边，顶边21-3和底边21-7可以为两个相对的短边。
激励单元23可以邻近地板15的某条边架设在地板15上。该条边可以称为地板15的第一边。这里，该邻近可以是指激励单元23和地板15的第一边之间的距离小于特定距离，如4毫米。激励单元23离与地板15的第一边之间的距离越小，越容易激励起地板15产生辐射，后续内容会进行分析，这里先不赘述。可选的，地板15的第一边可以是地板15的长边。
激励单元23可以平行于地板15的第一边，或者，激励单元23和地板15的第一边之间也可以呈现较小的夹角。即激励单元23和第一边之间可以平行或者接***行。该较小的夹角可以小于第一角度，如5°。不限于5°，第一角度还可以是3°、7°等角度。
激励单元23可具有第一枝节29-2和两个第二枝节(29-1、29-3)。第二枝节29-1和第二枝节29-3可分别连接在第一枝节29-2的两端。第一枝节29-2的两端可以包括靠近顶边21-3的一端22-1和靠近底边21-7的一端22-3。第二枝节29-1远离第一枝节29-2的一端连接地板15，第二枝节29-3远离第一枝节29-2的一端连接地板15。第二枝节29-1和第二枝节29-3可用于将第一枝节29-2架设于地板15上，第一枝节29-2与地板15之间形成空隙，即第一枝节29-2不接触地板15。可选的，第一枝节29-2可以是水平枝节，平行于地板15。可选的，第二枝节29-1、第二枝节29-3可以是垂直枝节，垂直于地板15，用于将第一枝节29-2悬空架设于地板15上。
图2B和图2C还示例性示出了地板15的尺寸、激励单元23的尺寸，以及激励单元23在地板15上的位置。具体的，地板15的长度Lg可以是140毫米，地板15的宽度Wg可以是70毫米。这里，地板15的宽度Wg即地板15的短边(如图2B中的21-3、21-7)的长度，地板15的长度Lg即地板15的长边(如图2B中的21-1、21-5)的长度。激励单元23的长度Le可以是40毫米，激励单元23的高度h可以是4毫米。这里，激励单元23的长度Le即第一枝节29-2的长度，激励单元23的高度h即第二枝节的长度。激励单元23和地板15的第一边(如侧边21-1)的之间的距离w可以为2毫米，激励单元23的一端22-3与地板15的底边21-7之间的距离p可以为50毫米。不限于附图所示，Lg、Wg、Le、h、w、p还可以为其他值，后面内容中将详细介绍其值对天线性能的影响。
如图2D所示，激励单元23上可设置有馈电端口27，信号源位于馈电端口27中。在一种实现方式中，如图2E所示，馈电端口27可具体设置在第一枝节29-2上，具体可通过在第一枝节29-2上开设缝隙1来实现。缝隙1把第一枝节29-2分成两部分(29-2-A、29-2-B)，第一枝节29-2-A、第一枝节29-2-B之间可串联信号源。在另一种实现方式中，如图2F所示，馈电端口27可具体设置在第二枝节29-1或第二枝节29-3上，具体可通过在第二枝节上开设缝隙2来实现。图2F中串联的电感L可用来实现阻抗匹配，后续内容中会介绍馈电端处集成的匹配网络，这里先不赘述。
如图2D所示，激励单元23上还可串联有电容C1，电容可C1以称为第一电容。第一电容可用于实现激励单元23上分布的同向电流。为了串联第一电容，如图2E和图2F所示，第一枝节29-2上可开设有缝隙1。缝隙1可把第一枝节29-2分成两个部分(29-2-A、29-2-B)，第一枝节29-2-A、第一枝节29-2-B之间可串联第一电容。第一电容所处的缝隙1可以称为第一缝隙。可选的，第一缝隙可以开设于第一枝节29-2的中间，这样激励单元23上的同向电流更强，更容易激励起地板15产生辐射。第一电容可以是集总电容，或者分布式电容(例如在激励单元23上开设缝隙所形成的分布式电容)。
在一种实施例中，如图2E所示，激励单元23上可以仅开设一个缝隙，如缝隙1，在缝隙1中，第一电容和信号源可组成串联电路，然后该串联电路可以整体串联在缝隙1两侧的两部分第一枝节(即第一枝节29-2-A、第一枝节29-2-B)之间。也即是说，第一电容所处的缝隙和馈电端口所处的缝隙可以是同一个缝隙，不限于此，第一电容所处的缝隙和馈电端口所处的缝隙也可以是两个不同的缝隙。
馈电端口27处可集成有匹配网络，该匹配网络可以用于(通过调节天线发射系数、阻抗等)调节本申请提供的天线装置所覆盖的频段范围。该匹配网络可包括阻抗变换线或集总元件网络等各种能够实现阻抗匹配的结构。集总元件可包括电容或电感等元件。具体的，可以通过改变阻抗变换线的线宽、改变集总元件网络中元器件的电特性参数(如电容值、电感值等)，调整天线输入阻抗，从而实现阻抗匹配。
下面说明激励单元23的匹配原理。当没有使用任何匹配元件(即没有匹配网络)时，输入阻抗在期望频段(如690MHz-960MHz)主要位于感性区域。此时，该天线装置的S11仿真可如图3A中的曲线a1所示，该天线装置的***效率、辐射效率可如图3B中的曲线b1、c1所示。当在馈电端口处仅串联电容C(如C＝1pF)时，输入阻抗在期望频段(如690MHz-2700MHz)表现为：在低频段(如690MHz-960MHz)位于容性区域、在高频段(如1700MHz-2700MHz)位于感性区域。此时该天线装置的S11仿真可如图3A中的曲线a2所示，该天线装置的***效率、辐射效率可如图3B中的曲线b2、c2所示。如图3C所示，当馈电端口处的匹配网络为先串联电容C(如C＝1pF)再并联电感L(如L＝4.5nH)时，该天线装置的S11仿真可如图3A中的曲线a3所示，该天线装置的***效率、辐射效率可如图3B中的曲线b3、c3所示。
可以看出，曲线a1没有谐振，曲线a2有一个较浅的谐振，曲线a3有一个较深的谐振。另外，曲线b3表示的天线效率也明显优于曲线b1、b2表示的天线效率。也即是说，可以通过在馈电端口处先串联电容C再并联电感L来对激励单元23进行良好的阻抗匹配，使得激励单元23可有效激励起地板15产生辐射。即，馈电端口处集成有匹配网络可包括电容C和电感L，该电容C串联于馈电端口，该电感L并联于馈电端口。该电容C可以称为第二电容，该电感L可以称为第一电感。
下面以900MHz工作频段为例说明本申请提供的天线装置的工作原理。假设馈电端口处集成的匹配网络为先串联一个1pF的电容，再并联一个4.5nH的电感。本申请提供的天线装置工作在900MHz处的电流分布可以如图4A所示，激励单元23上分布有同向电流31，分布在环状的激励单元23上的同向电流31可等效为磁流，故激励单元23可称为“磁环”。同向电流31可以激励起地板15产生纵向电流33，从而激励起地板15产生谐振，激励起地板15产生辐射。图4B和图4C分别为本申请提供的天线装置工作在900MHz处仿真的三维辐射方向图的前视图、鸟瞰图。如图4B-图4C所示，三维辐射方向图的形状类似于1/2波长偶极子的辐射方向图，因地板15的电流主要集中在地板15的侧边21-1一侧，故三维辐射方向图主要向一侧倾斜。
可以看出，通过在地板15上方架设激励单元23，对激励单元23馈电，并在馈电端口处设置合适的匹配网络，可有效激励起地板15产生辐射。这样，可降低对天线空间的要求，适用全面屏ID这种天线空间被急剧缩减的电子设备，而且可以显著提升天线性能。
下面说明本申请提供的天线设计方案在实际整机模型中的应用。
例如，图5A所示的激励单元23与地板15的底边21-7之间的距离p为激励单元23在实际整机模型中的重要参数。假设Lg＝140毫米，Wg＝70毫米，Le＝40毫米，h＝4毫米，以GPSL5工作频段为例，图5B和图5C示出了p为两种不同取值时天线装置的S11仿真、天线效率。其中，当p＝65毫米时，该天线装置的S11仿真可如图5B中的曲线a1所示，该天线装置的***效率、辐射效率可如图5C中的曲线b1、c1所示。当p＝45毫米时，该天线装置的S11仿真可如图5C中的曲线a2所示，该天线装置的***效率、辐射效率可如图5C中的曲线b2、c2所示。
可以看出，p＝65毫米和p＝45毫米这两种情况下，S11仿真的谐振位置、谐振深度基本相同，***效率峰值都在-6dB左右。其实，p＝65毫米时的***效率略高于p＝45毫米时的***效率，后续内容中会分析原因。另外，p＝65毫米时的上半球占比约为45.18％，p＝65毫米时的上半球占比约为55.88％。上半球占比越高，天线的纵向向上的辐射更强，即在Z向上的辐射更强。
不限于激励单元23与地板15的底边21-1之间的距离p，地板15的尺寸、激励单元23的尺寸，以及激励单元23与地板15的侧边21-1之间的距离w，也可以为本申请提供的天线装置在实际整机模型中的重要参数。这些参数的取值会影响天线性能。下面将以单变量为原则(即单个参数改变，其他参数不变)详细说明某个参数对天线性能的影响。
(1)激励单元23的尺寸对天线性能的影响
激励单元23的长度Le增加，天线的谐振在更低的频段，谐振深度变深；激励单元23的长度Le减小，天线的谐振在更高的频段，谐振深度变浅。
例如，以900MHz工作频段为例，图6A和图6B示出了Le为几种不同取值时天线装置的S11仿真、天线效率。其中，当Le＝35毫米时，该天线装置的S11仿真可如图6A中的曲线a1所示，该天线装置的***效率、辐射效率可如图6B中的曲线b1、c1所示。当Le＝40毫米时，该天线装置的S11仿真可如图6A中的曲线a2所示，该天线装置的***效率、辐射效率可如图6B中的曲线b2、c2所示。当Le＝45毫米时，该天线装置的S11仿真可如图6A中的曲线a3所示，该天线装置的***效率、辐射效率可如图6B中的曲线b3、c3所示。
这几种不同Le下的天线性能中，Le＝45毫米时，该天线装置的谐振频率最低(最接近850MHz)，谐振深度最深(达到了-8dB)。Le＝35毫米时，该天线装置的谐振频率最高(最接近1GHz)，谐振深度最浅(约-4dB)。可以看出，随着长度Le从45毫米变短为40毫米、35毫米，天线的谐振向高频移动，且谐振深度变浅。
针对因激励单元23的长度Le减小导致谐振变浅的情况，可以通过减小并联电感来拉深谐振深度。例如，如图6A和图6B所示，曲线a4表示Le＝35毫米、L＝3.5nH时天线装置的S11仿真，曲线b4、c4表示Le＝35毫米、L＝3.5nH时天线装置的***效率、辐射效率。可以看出，将并联电感L从L＝4.5nH减小为L＝3.5nH，可以拉深谐振深度，从-4dB变为-6dB。
激励单元23的高度h降低，天线的谐振往高频移动，谐振深度变浅。
例如，以900MHz工作频段为例，图7A和图7B示出了h为几种不同取值时天线装置的S11仿真、天线效率。其中，当h＝4毫米时，该天线装置的S11仿真可如图7A中的曲线a1所示，该天线装置的***效率、辐射效率可如图7B中的曲线b1、c1所示。当h＝3毫米时，该天线装置的S11仿真可如图7A中的曲线a2所示，该天线装置的***效率、辐射效率可如图7B中的曲线b2、c2所示。当h＝2毫米时，该天线装置的S11仿真可如图7A中的曲线a3所示，该天线装置的***效率、辐射效率可如图7B中的曲线b3、c3所示。
这几种不同h下的天线性能中，h＝4毫米时，该天线装置的谐振频率最低(约900MHz)，谐振深度最深(达到了-7dB)。h＝2毫米时，该天线装置的谐振频率最高(接近1GHz)，谐振深度最浅(约-4dB)。可以看出，随着高度h从4毫米降低到3毫米、2毫米，天线的谐振向高频移动，且谐振深度变浅。
针对因激励单元23的高度h减小导致谐振向高频偏移的情况，可以通过增大长度Le来使谐振重回低频。例如，如图7A和图7B所示，曲线a4表示h＝2毫米、Le＝(40+10)毫米时天线装置的S11仿真，曲线b4、c4表示h＝2毫米、Le＝(40+10)毫米时天线装置的***效率、辐射效率。可以看出，将激励单元23的长度从40毫米加长到(40+10)毫米，可以使得天线谐振重回低频(900MHz)，此时天线的峰值效率仅降低了约0.6dB，没有明显恶化，天线带宽也稍微降低了，天线性能对激励单元23的高度不是非常敏感。
(2)激励单元23在地板15上的位置对天线性能的影响
激励单元23的位置可以通过两个维度的参数来体现：激励单元23与地板的第一边(如侧边21-1)之间的距离w、激励单元23与地板的第三边(如底边21-7)之间的距离p。第一边和第三边可以是地板15的相连接的两条边，二者可以相互垂直。
2-A.距离w对天线性能的影响
距离w越小，表示激励单元23越接近地板15的侧边21-1。当w＝0毫米时，表示激励单元23架设于侧边21-1处。距离w越大，表示是激励单元23沿着Y方向越接近地板15的中间。
减小距离w，可导致天线的谐振往低频移动，谐振深度变深；增大距离w，可使得天线的谐振往高频移动，谐振深度变浅。这是因为，地板15的本征电流由于趋边效应主要集中在地板15的，当激励单元23向地板15的中间移动(即w变大)时，激励单元23上的同向电流难以和地板15的本征电流耦合，从而很难激励起地板15产生辐射。
例如，以900MHz工作频段为例，图8A和图8B示出了w为几种不同取值时天线装置的S11仿真、天线效率。图8A和图8B中的d＝0毫米(d表示金属边框的高度)，表示地板15的侧边处没有设置金属边框，即边框27为非金属边框。其中，当w＝0毫米时，该天线装置的S11仿真可如图8A中的曲线a1所示，该天线装置的***效率、辐射效率可如图8B中的曲线b1、c1所示。当w＝2毫米时，该天线装置的S11仿真可如图8A中的曲线a2所示，该天线装置的***效率、辐射效率可如图8B中的曲线b2、c2所示。当w＝4毫米时，该天线装置的S11仿真可如图8A中的曲线a3所示，该天线装置的***效率、辐射效率可如图8B中的曲线b3、c3所示。
这几种不同w下的天线性能中，w＝0毫米时，该天线装置的谐振频率最低(约900MHz)，谐振深度最深(达到了-6dB)。w＝4毫米时，该天线装置的谐振频率最高(接近1GHz)，谐振深度最浅(约-3dB)。可以看出，随着高度w从0毫米增大到2毫米、4毫米，天线的谐振向高频移动，且谐振深度变浅，***效率峰值和带宽也明显减小。
另外，地板15的侧边处设置金属边框(d不等于0)会使得天线的谐振往高频移动，谐振深度变浅。这是因为，金属边框可相当于地板15的外延，地板15的本征电流由于趋边效应主要集中在该金属边框的，相当于地板15的向外扩张。此时，天线的***效率峰值和带宽也会减小。
例如，以900MHz工作频段为例，如图9A和图9B所示，当d＝4毫米(d表示金属边框的高度)，w＝2毫米时，天线装置的S11仿真可如图9A中的曲线a3所示，该天线装置的***效率、辐射效率可如图9B中的曲线b3、c3所示。而d＝0毫米(d表示金属边框的高度)，w＝2毫米时，天线装置的S11仿真可如图9A中的曲线a2所示，该天线装置的***效率、辐射效率可如图9B中的曲线b2、c2所示。可以看出，在w都为2毫米的情况下，d＝4毫米时的天线性能明显弱于d＝0毫米时的天线性能，谐振向高频移动，谐振深度变浅，***效率峰值和带宽明显减小。
2-B.距离p对天线性能的影响
距离p越小，表示激励单元23越接近地板15的底边21-7。距离p越大，表示是激励单元23沿着Z方向越远离地板15的底边21-7。
假设地板15的长度Lg为140毫米，激励单元23的长度为40毫米，那么，当p＝50毫米时，此时p＝(Lg-Le)/2，可表示激励单元23在Z方向上设置于地板15的中间。增大p(例如p＝50毫米+10毫米)或减小p(例如p＝50毫米-10毫米)会使得激励单元23偏离地板15的中间，可导致天线的谐振深度变浅、***效率峰值和带宽变小。这是因为，在Z方向上的地板15的中间，地板15的本征电流最强，远离该中间的位置处的本征电流变弱。当激励单元23在Z方向上远离地板15的中间时，激励单元23上的同向电流和地板15的本征电流耦合变弱，不容易激励起地板15产生辐射，导致天线性能变差。
例如，以900MHz工作频段为例，图10A和图10B示出了p为几种不同取值时天线装置的S11仿真、天线效率。可以看出，p＝50毫米时，天线的谐振深度最深，***效率峰值和带宽最大；而p＝40毫米、p＝60毫米，以及p＝30毫米、p＝70毫米时，天线的谐振深度变浅，***效率峰值和带宽变小。
另外，激励单元23越接近地板15的底边21-7(即p越小)，天线辐射方向图的上半球占比越大，天线的纵向向上的辐射更强，即在Z向上的辐射更强。激励单元23越远离地板15的底边21-7(即p越大)，天线辐射方向图的上半球占比越小，天线的纵向向上的辐射更弱，即在Z向上的辐射更弱。
例如，以900MHz工作频段为例，图10C是p为几种不同取值时天线装置的天线辐射方向图。如图10C所示，p＝50毫米时，上半球占比为50％；p＝40毫米时，上半球占比为51.9％；p＝30毫米时，上半球占比为53.7％；p＝60毫米时，上半球占比为48.2％；p＝70毫米时，上半球占比为46.4％。
(3)地板15的尺寸对天线性能的影响
地板15的尺寸可以通过两个维度的参数来体现：地板15的长度Lg、地板15的宽度Wg。
3-A.长度Lg对天线性能的影响
假设Wg＝70毫米，如图11A和图11B所示，当Lg基于140毫米加长12毫米或缩短12毫米时，天线的谐振位置基本不变，这是因为地板15的宽度很大，地板15的特征阻抗很小。本申请提供的天线装置的谐振受激励单元23的长度Le的影响更大，因为激励单元23的特征阻抗较大。
3-B.宽度Wg对天线性能的影响
如图11C和图11D所示，当Wg基于70毫米加宽10毫米或者缩窄10毫米时，天线的谐振位置基本不变。但当地板15变窄(即Wg减小)时，天线的谐振变深，***效率峰值和带宽变大。这是因为，地板15越窄，地板15的本征电流越集中在地板15的，这样架设于地板5的附近的激励单元23和地板15的耦合越强，更容易激励起地板15产生辐射。
激励单元23、地板15的尺寸，可以根据本申请提供的天线装置实际所应用于的整机模型的尺寸来确定。为实现激励单元23有效激励起地板15辐射，激励单元23和地板15的相对位置关系可如下：
1.激励单元23可以平行于地板15的第一边(如侧边21-1)，或者，激励单元23和地板15的第一边(如侧边21-1)之间可以呈现较小的夹角，即二者之间可以接***行。该较小的夹角可以小于第一角度，如5°。不限于5°，第一角度还可以是3°、7°等角度。此时，激励单元23和第一边之间的夹角α，小于，激励单元23和第三边之间的夹角β。特别的，当夹角α＝0、夹角β＝90°时，激励单元23平行于第一边，此时激励单元23更容易激励起地板15产生辐射。
2.激励单元23可以邻近地板15的第一边(如侧边21-1)架设在地板15上。这里，该邻近可以是指激励单元23和第一边之间的距离小于特定距离，如4毫米。不限于4毫米，该特定距离还可以为3毫米、2毫米、1毫米等数值。此时，激励单元23到第一边的距离L1，小于，激励单元23到第二边(如侧边21-5)的距离L2。第一边和第二边是地板15的相对的两个边。L1可以等于0，此时激励单元23架设于地板的第一边处，激励单元23更容易激励起地板15产生辐射。也即是说，激励单元23离第一边越近，越容易激励起地板15产生辐射。
可以理解的，当激励单元23和第一边平行时，激励单元23和第一边之间的距离是唯一的；当激励单元23和第一边接***行时，激励单元23和第一边之间的距离可以是激励单元23上的某个点(如中心点)到第一边的距离，或者是激励单元23上的多个点各自到第一边的多个距离的平均值。
3.激励单元23的第一端到地板15的第三边(如底边21-7)的距离p1，和，激励单元23的第二端到地板15的第四边(如顶边21-3)的距离p2，之间的差值小于第一值，如15毫米。不限于15毫米，第一值还可以为12毫米、20毫米等数值。除相对的第一边(如侧边21-1)和第二边(如侧边21-5)外，第三边和第四边为地板15的相对的另外两条边。第一端为激励单元23的靠近第三边的一端，第二端为激励单元23的靠近第四边的一端。当激励单元23平行于第一边时，p1+p2+Le＝Lg；当激励单元23和第一边不平行，二者之间存在夹角α(α≠0)时，p1+p2+Le＞Lg。p1与p2的差值为0时，激励单元23更容易激励地板15产生谐振，此时p1、p2相等，都等于(Lg-Le)/2。
上述内容描述的是工作在单频段的天线设计方案，该单频段可以是900MHz低频频段、GPS L5或者GPS L1等等。不限于单频段，本申请提供的天线装置还可实现双频段或宽频带或多频段，可以通过匹配网络或者增加更多的磁环来实现。下面展开说明。
1.基于匹配网络的双频段天线方案
如图12A所示，为了实现双频段匹配，匹配网络可以为在串联电容C1之后，串联一个LC并联电路(由并联的L2和C2构成)，最后再并联电感L2。即，馈电端口处集成的匹配网络可包括：串联电容C1、LC并联电路、电感L2，电容C1、LC并联电路一次串联于馈电端口，电感L2并联于馈电端口。电容C1可以称为第三电容，电感L2可以称为第二电感，LC并联电路中的电容C2可以称为第四电容，LC并联电路中的电感L2可以称为第三电感。可选的，双频段可以是低频段(如800MHz处)和GPS L1频段(1.5GHz处)，针对该双频段的匹配网络的配置可以如下：C1＝1pF，L1＝6nH，C2＝2.2pF，L2＝4.5nH。通过在馈电端口处设置该双频段的匹配网络，本申请提供的天线装置的天线性能可以如图12B，图12B示出的是该天线装置的S11仿真。
2.基于多磁环的双频段或宽频带或多频段天线方案
如图13A-图13B所示，为了实现双频段或宽频段，可以在地板15上架设一个寄生单元(又可称为寄生磁环)。也即是说，本申请提供的天线装置还可以进一步包括寄生单元。在地板15上，和激励单元23相同，该寄生单元可架设于地板的第一边(如侧边21-1)附近。这里，附近可以是指寄生单元与地板的第一边(如侧边21-1)之间的距离小于特定距离(如4毫米)。此时，寄生单元到地板的第一边的距离L3，小于，寄生单元到地板的第二边的距离L4。
寄生单元的结构和激励单元23的结构可以相同。寄生单元可具有第三枝节和两个第四枝节。第三枝节类似激励单元23中的第一枝节29-2，第四枝节类似激励单元23中的第二枝节29-1、29-3。类似激励单元23的结构，寄生单元中的两个第四枝节可分别连接在第三枝节的两端。第四枝节远离第一枝节的一端连接地板15。两个第四枝节可用于将第三枝节架设于地板15上，以使第三枝节与地板15形成空隙。和激励单元23一样，该寄生单元上可串联电容。该电容可以称为第五电容。为了串联第五电容，可以在第三枝节上开设缝隙，该缝隙两侧的两部分第三枝节之间可以串联第五电容。该缝隙可以称为第二缝隙。
激励单元23在激励起地板15产生辐射的同时，地板15会耦合该寄生单元产生辐射，从而可实现双频段辐射。
图13C和图13D示出了两种匹配网络参数下的天线性能。其中，当激励单元23串联电容C＝2.0pF，并联电感L＝3.5nH，且激励单元23的长度为20毫米，寄生单元的长度为50毫米时，天线装置的S11仿真可如图13C中的曲线a1所示，天线装置的效率仿真可如图13D中的曲线b1、c1所示。可以看出，天线装置工作在双频段：800MHz频段和960MHz频段，这两个频段的天线效率基本一致，且无效率凹坑。当激励单元23串联电容C＝3.0pF，并联电感L＝3.5nH，且激励单元23的长度为12毫米，寄生单元的长度为60毫米时，天线装置的S11仿真可如图13C中的曲线a2所示，天线装置的效率仿真可如图13D中的曲线b2、c2所示。可以看出，天线装置工作在双频段：800MHz频段和1.1GHz频段，这两个频段的天线效率基本一致，且无效率凹坑。
为了覆盖更多频段或者更宽频带，可以在地板15上设置更多寄生磁环，可如图14所示。具体的，使用两个寄生磁环，可以实现三个谐振频点；使用三个寄生磁环，可以实现四个谐振频点；使用N(N是正整数)个寄生磁环，可以实现N+1个谐振频点。每个寄生磁环上都有一个串联电容。
不限于图15A所示的设置在地板15的侧边附近，激励单元23和寄生单元，或者仅激励单元23，也可以设置在地板15的底边21-7或者顶边21-3附近，可如图15B所示。即，地板的第一边可以是地板15的侧边，如侧边21-1或者侧边21-5，也可以是地板15的底边21-7或者顶边21-3。
为了实现多输入多输出(multi input multi output，MIMO)，本申请提供的天线装置可以包括多个天线单元，一个天线单元可具有一个激励单元23，或者可具有一个激励单元23和M(M是正整数)个寄生单元。这多个天线单元可以设置于地板15的各个边的附近。例如，如图16所示，4个天线单元可以分别设置于地板15的4个附近，此时可实现4×4MIMO。若移除图16中的两个天线单元，则可以实现2×2MIMO。若在图16中的地板附近再增加一些天线单元，则可以实现高阶的MIMO。
不限于和激励单元23结构相同的寄生磁环，为了实现多频段或宽频段，寄生单元还可以是其他天线，如支架天线、悬浮天线等。支架天线可以包括倒F天线(inverted Fantenna，IFA)、倒L天线(inverted L antenna，ILA)等。图17A示例性示出了寄生的IFA天线，图17B示例性示出了寄生的ILA天线，图17C示例性示出了寄生的悬浮金属天线(floating metal antenna，FLM)。寄生的悬浮金属天线可以粘贴或印制于非金属后盖(如玻璃后盖)的内表面或外表面。
在一些实施例中，IFA天线也可以作为激励单元，即对IFA进行馈电，IFA天线可以将能量耦合到和激励单元23结构相同的磁环。然后，磁环可以将能量耦合给地板，激励起地板产生辐射。此时，作为激励单元的IFA天线的匹配网络可以是先串联1pF电容，然后再并联4nH电感；作为寄生单元的磁环上可以串联0.8pF的电容。
同样的，ILA也可以作为激励单元，即对ILA进行馈电，ILA天线可以将能量耦合到和激励单元23结构相同的磁环。然后，磁环可以将能量耦合给地板，激励起地板产生辐射。
本申请以上内容中提及的电容、电感，可以通过集总元件实现，也可以通过分布式元件实现。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (30)

1.一种电子设备的天线装置，其特征在于，所述天线装置包括：所述电子设备的地板、激励单元，其中：
所述激励单元具有第一枝节和两个第二枝节，所述两个第二枝节分别连接在所述第一枝节的两端；所述第二枝节远离所述第一枝节的一端连接所述地板；所述两个第二枝节用于将所述第一枝节架设于所述地板上，所述第一枝节与所述地板之间形成空隙；
所述地板包括相对的第一边和第二边，以及相对的第三边和第四边，其中L1小于L2，所述L1为所述激励单元到所述地板的第一边的距离，所述L2为所述激励单元到所述地板的第二边的距离，所述激励单元到所述第一边的距离L1小于特定距离，所述特定距离小于或等于所述地板的宽度的1/2；所述激励单元平行于所述第一边，或所述激励单元和所述地板的第一边之间的夹角小于第一角度；p1等于p2，所述p1为所述激励单元的第一端到所述第三边的距离，所述p2为所述激励单元的第二端到所述地板的第四边的距离；所述第一端为所述激励单元的靠近所述第三边的一端，所述第二端为所述激励单元的靠近所述第四边的一端；
所述激励单元上设置有馈电端口；所述第一枝节上开设有第一缝隙，所述第一缝隙开设于所述第一枝节的中间且所述第一缝隙形成分布式电容；所述激励单元上分布有同向电流。
2.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述特定距离为4毫米、3毫米、2毫米、或者为1毫米。
3.如权利要求1-2中任一项所述的天线装置，其特征在于，所述第一角度为7°、5°或为3°。
4.如权利要求1-2中任一项所述的天线装置，其特征在于，所述馈电端口处集成有匹配网络，所述匹配网络包括第二电容和第一电感，所述第二电容串联于所述馈电端口，所述第一电感并联于所述馈电端口。
5.如权利要求3所述的天线装置，其特征在于，所述馈电端口处集成有匹配网络，所述匹配网络包括第二电容和第一电感，所述第二电容串联于所述馈电端口，所述第一电感并联于所述馈电端口。
6.如权利要求1-5中任一项所述的天线装置，其特征在于，所述馈电端口处集成有匹配网络，所述匹配网络包括第三电容、第一并联电路和第二电感，所述第一并联电路包括并联的第四电容和第三电感，所述第三电容、所述第一并联电路依次串联于所述馈电端口，所述第二电感并联于所述馈电端口。
7.如权利要求1-5中任一项所述的天线装置，其特征在于，所述天线装置还包括：一个或多个寄生单元，所述寄生单元架设于所述地板上，所述寄生单元到所述第一边的距离L3小于所述寄生单元到所述第二边的距离L4。
8.如权利要求6所述的天线装置，其特征在于，所述天线装置还包括：一个或多个寄生单元，所述寄生单元架设于所述地板上，所述寄生单元到所述第一边的距离L3小于所述寄生单元到所述第二边的距离L4。
9.如权利要求7所述的天线装置，其特征在于，所述寄生单元具有第三枝节和两个第四枝节，所述两个第四枝节分别连接在所述第三枝节的两端；所述第四枝节远离所述第三枝节的一端连接所述地板；所述两个第四枝节用于将所述第三枝节架设于所述地板上，所述第三枝节与所述地板之间形成空隙；所述第三枝节上开设有第二缝隙，所述第二缝隙两侧的两个第三枝节部分之间串联第五电容。
10.如权利要求8所述的天线装置，其特征在于，所述寄生单元具有第三枝节和两个第四枝节，所述两个第四枝节分别连接在所述第三枝节的两端；所述第四枝节远离所述第三枝节的一端连接所述地板；所述两个第四枝节用于将所述第三枝节架设于所述地板上，所述第三枝节与所述地板之间形成空隙；所述第三枝节上开设有第二缝隙，所述第二缝隙两侧的两个第三枝节部分之间串联第五电容。
11.如权利要求7所述的天线装置，其特征在于，所述寄生单元包括以下任一项：倒F天线、倒L天线、设置于所述电子设备的非金属后盖的内表面或外表面的悬浮金属天线。
12.如权利要求8所述的天线装置，其特征在于，所述寄生单元包括以下任一项：倒F天线、倒L天线、设置于所述电子设备的非金属后盖的内表面或外表面的悬浮金属天线。
13.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述馈电端口设置于所述第一枝节或者设置于所述两个第二枝节中的一个。
14.一种电子设备的天线装置，其特征在于，所述天线装置包括：所述电子设备的地板以及设置在所述地板上的多个天线单元；其中，所述天线单元具有一个激励单元，或者所述天线单元具有一个激励单元和M个寄生单元，M是正整数；其中：
所述激励单元具有第一枝节和两个第二枝节，所述两个第二枝节分别连接在所述第一枝节的两端；所述第二枝节远离所述第一枝节的一端连接所述地板；所述两个第二枝节用于将所述第一枝节架设于所述地板上，所述第一枝节与所述地板之间形成空隙；
所述地板包括相对的第一边和第二边，以及相对的第三边和第四边，其中L1小于L2，所述L1为所述激励单元到所述地板的第一边的距离，所述L2为所述激励单元到所述地板的第二边的距离，所述激励单元到所述第一边的距离L1小于特定距离，所述特定距离小于或等于所述地板的宽度的1/2；所述激励单元平行于所述第一边，或所述激励单元和所述地板的第一边之间的夹角小于第一角度；p1等于p2，所述p1为所述激励单元的第一端到所述第三边的距离，所述p2为所述激励单元的第二端到所述地板的第四边的距离；所述第一端为所述激励单元的靠近所述第三边的一端，所述第二端为所述激励单元的靠近所述第四边的一端；
所述激励单元上设置有馈电端口；所述第一枝节上开设有第一缝隙，所述第一缝隙开设于所述第一枝节的中间且所述第一缝隙形成分布式电容；所述激励单元上分布有同向电流；
所述寄生单元架设在所述地板上，所述寄生单元到所述第一边的距离L3小于所述寄生单元到所述第二边的距离L4。
15.如权利要求14所述的天线装置，其特征在于，所述特定距离为4毫米、3毫米、2毫米、或者为1毫米。
16.如权利要求14所述的天线装置，其特征在于，所述第一角度为7°、5°或为3°。
17.如权利要求15所述的天线装置，其特征在于，所述第一角度为7°、5°或为3°。
18.如权利要求14所述的天线装置，其特征在于，所述馈电端口设置于所述第一枝节或者设置于所述两个第二枝节中的一个。
19.如权利要求15所述的天线装置，其特征在于，所述馈电端口设置于所述第一枝节或者设置于所述两个第二枝节中的一个。
20.如权利要求16所述的天线装置，其特征在于，所述馈电端口设置于所述第一枝节或者设置于所述两个第二枝节中的一个。
21.如权利要求17所述的天线装置，其特征在于，所述馈电端口设置于所述第一枝节或者设置于所述两个第二枝节中的一个。
22.如权利要求14-21中任一项所述的天线装置，其特征在于，所述馈电端口处集成有匹配网络，所述匹配网络包括第二电容和第一电感，所述第二电容串联于所述馈电端口，所述第一电感并联于所述馈电端口。
23.如权利要求14-21中任一项所述的天线装置，其特征在于，所述馈电端口处集成有匹配网络，所述匹配网络包括第三电容、第一并联电路和第二电感，所述第一并联电路包括并联的第四电容和第三电感，所述第三电容、所述第一并联电路依次串联于所述馈电端口，所述第二电感并联于所述馈电端口。
24.如权利要求14-21中任一项所述的天线装置，其特征在于，所述寄生单元具有第三枝节和两个第四枝节，所述两个第四枝节分别连接在所述第三枝节的两端；所述第四枝节远离所述第三枝节的一端连接所述地板；所述两个第四枝节用于将所述第三枝节架设于所述地板上，所述第三枝节与所述地板之间形成空隙；所述第三枝节上开设有第二缝隙，所述第二缝隙两侧的两个第三枝节部分之间串联第五电容。
25.如权利要求22所述的天线装置，其特征在于，所述寄生单元具有第三枝节和两个第四枝节，所述两个第四枝节分别连接在所述第三枝节的两端；所述第四枝节远离所述第三枝节的一端连接所述地板；所述两个第四枝节用于将所述第三枝节架设于所述地板上，所述第三枝节与所述地板之间形成空隙；所述第三枝节上开设有第二缝隙，所述第二缝隙两侧的两个第三枝节部分之间串联第五电容。
26.如权利要求23所述的天线装置，其特征在于，所述寄生单元具有第三枝节和两个第四枝节，所述两个第四枝节分别连接在所述第三枝节的两端；所述第四枝节远离所述第三枝节的一端连接所述地板；所述两个第四枝节用于将所述第三枝节架设于所述地板上，所述第三枝节与所述地板之间形成空隙；所述第三枝节上开设有第二缝隙，所述第二缝隙两侧的两个第三枝节部分之间串联第五电容。
27.如权利要求14-21中任一项所述的天线装置，其特征在于，所述寄生单元包括以下任一项：倒F天线、倒L天线、设置于所述电子设备的非金属后盖的内表面或外表面的悬浮金属天线。
28.如权利要求22所述的天线装置，其特征在于，所述寄生单元包括以下任一项：倒F天线、倒L天线、设置于所述电子设备的非金属后盖的内表面或外表面的悬浮金属天线。
29.如权利要求23所述的天线装置，其特征在于，所述寄生单元包括以下任一项：倒F天线、倒L天线、设置于所述电子设备的非金属后盖的内表面或外表面的悬浮金属天线。
30.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备的后盖是绝缘材料制成的，所述电子设备包括：权利要求1至29中任意一项所述的天线装置。
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