KR101242470B1 - 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치 및 방법 - Google Patents

실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101242470B1
KR101242470B1 KR1020127012430A KR20127012430A KR101242470B1 KR 101242470 B1 KR101242470 B1 KR 101242470B1 KR 1020127012430 A KR1020127012430 A KR 1020127012430A KR 20127012430 A KR20127012430 A KR 20127012430A KR 101242470 B1 KR101242470 B1 KR 101242470B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
via hole
silicon wafer
wafer
reflected
Prior art date
Application number
KR1020127012430A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130010881A (ko
Inventor
진종한
김재완
김종안
강주식
Original Assignee
한국표준과학연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국표준과학연구원 filed Critical 한국표준과학연구원
Priority claimed from PCT/KR2011/004616 external-priority patent/WO2011162566A2/ko
Publication of KR20130010881A publication Critical patent/KR20130010881A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101242470B1 publication Critical patent/KR101242470B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/22—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring depth
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/08—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring diameters
    • G01B11/12—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring diameters internal diameters
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/02—Interferometers
    • G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
    • G01B9/02017—Interferometers characterised by the beam path configuration with multiple interactions between the target object and light beams, e.g. beam reflections occurring from different locations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/45—Interferometric spectrometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/45—Interferometric spectrometry
    • G01J2003/451—Dispersive interferometric spectrometry

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼를 손상시키지 않고 비아홀의 깊이를 정확하게 측정할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치 및 방법에 관한 것으로, 광 투과 특성이 우수한 실리콘 웨이퍼에 광대역 적외선 광을 조사하여 웨이퍼의 각 경계면으로부터 반사되는 빛과 기준광의 간섭 신호로부터 비아홀의 깊이를 측정할 수 있게 한 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 비아홀 측정 장치는 광대역의 적외선 광을 생성하는 광원부와 상기 광원부로부터 생성된 광을 실리콘 웨이퍼에 조사하여 상기 실리콘 웨이퍼로부터 반사된 빛의 간섭 신호의 스펙트럼 주기로부터 웨이퍼에 형성된 비아홀의 깊이를 측정하는 간섭계를 포함한다.

Description

실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치 및 방법{Apparatus and Method for measuring viahole of silicon wafer}
본 발명은 비아홀 측정 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼를 손상시키지 않고 비아홀의 깊이와 지름을 정확하게 측정할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치 및 방법에 관한 것이다.
고집적도의 반도체 회로를 구현하기 위해 노광을 통해 미세 선폭을 구현해 왔으나, 회절 한계로 인해 구현할 수 있는 선폭에 제한을 받게 되었다.
이를 극복하기 위해, 극자외선(EUV)과 같은 가시광 보다 짧은 파장의 광을 이용하여 회절 한계를 줄여가는 방법과, 공정이 완료된 다수의 웨이퍼 칩를 수직 적층하여 집적도를 높이는 3D 반도체 패키징(3D semi-conductor packaging) 공정이 제안되었다.
다수 개의 웨이퍼 칩을 수직으로 적층하는 3D 반도체 패키징 공정에서, 다수 적층 웨이퍼 칩들 사이에서 전기 신호를 주고 받는 회로를 구성하기 위해서는 각 웨이퍼 층의 회로가 전기적으로 서로 연결되어야 한다. 웨이퍼 층간의 전기적 연결을 위해 실리콘 웨이퍼에는 TSV(Through Silicon Via)라는 가늘고 긴 구멍(이하, "비아홀"이라 한다)을 형성하고 이 비아홀에 도전물질을 채워 웨이퍼 층간의 회로를 연결한다. 현재 TSV 공정은 딥 에칭(deep etching) 등을 통해 구현될 수 있다.
이러한 비아홀은 상기한 바와 같이 지름이 작고 깊이는 긴 구조, 즉 종횡비(aspect ratio)가 커서, 형성된 비아홀이 원하는 소정의 깊이와 지름을 가지도록 정상적으로 형성되었는지 확인하기에 어려움이 있다.
비아홀은 한 웨이퍼 상에서 모두 동일한 깊이와 지름을 가지도록 형성되어야하고, 서로 다른 지름이나 깊이로 형성될 경우에는 연삭 후 다른 웨이퍼 칩과 적층되었을 경우 일부 회로가 전기적으로 연결되지 않아 제품 불량이 생길 수 있다. 따라서, 웨이퍼에 형성된 비아홀이 소정의 깊이와 지름으로 만들어졌는지 여부를 검사하는 것은 3D 반도체 패키지의 제조 공정에서 중요한 과정의 하나라 할 수 있다.
실리콘 웨이퍼의 비아홀의 깊이와 지름을 검사하는 종래의 방법으로는 비아홀이 형성된 웨이퍼 면에 광을 조사하여 그 깊이와 지름을 측정하는 광학적 측정 방법과, 비아홀이 형성된 웨이퍼 단면을 절단하여 주사전자현미경(SEM, scanning electron microscope)으로 검사하는 방법 등이 있다. 종래의 광학적 측정 방법 중 공초점 현미경(confocal microscope)을 이용한 측정법은 비아홀 측면과 바닥면에서의 난반사 때문에 깊이 측정 오차가 심하여 정확한 깊이 판정이 곤란하고, 백색광 간섭계(white-light scanning interferometer)를 이용한 측정법은 측정 시편의 높은 종횡비로 빛이 비아홀의 바닥면까지 도달하지 못하거나, 비아홀 입구에서 생기는 회절 현상으로 인해 정확한 비아홀의 깊이 측정이 곤란하다.
주사전자주사현미경(SEM)을 이용한 방법은 시편을 손상시키는 단점이 있고, 따라서 반도체 패키징 공정에서 웨이퍼 전수 검사 등에 이용될 수 없다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 실리콘 웨이퍼를 손상시키지 않고 실리콘 웨이퍼에 형성된 비아홀의 깊이와 지름을 정확하게 측정할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 또한 실리콘 웨이퍼의 비아홀의 깊이를 고속으로 고해상도로 측정할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적 중 하나는 외부 진동으로 인한 측정 노이즈를 줄일 수 있는 실리콘 웨이퍼의 비아홀의 깊이 및 지름 측정 장치와 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 비아홀이 형성된 면의 반대면에 적외선 대역의 빛을 조사하여 비아홀 바닥면에서 반사된 빛의 간섭 신호를 감지하여 웨이퍼에 형성된 비아홀의 깊이와 지름을 측정함으로써, 비아홀의 지름이 작아도 고정밀도로 비아홀의 깊이와 지름을 측정할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치 및 방법을 제공함을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치는 광원부와, 상기 광원부로부터 생성된 광을 실리콘 웨이퍼에 조사하여 상기 실리콘 웨이퍼로부터 반사된 빛의 간섭 신호로부터 웨이퍼에 형성된 비아홀의 깊이를 측정하는 간섭계를 포함한다. 상기 광원부는 광대역의 적외선 광을 생성하고, 상기 간섭계는 상기 광대역 적외선 광이 상기 비아홀의 바닥면, 상기 실리콘 웨이퍼의 전면 또는 배면의 경계면에서 반사됨으로써 생성되는 간섭 신호를 감지하며, 상기 간섭 신호의 스펙트럼 주기 분석을 통해 다수 주파수 성분에 대한 광경로차를 동시에 획득함으로써 상기 비아홀의 깊이와 지름을 측정한다.
상기 간섭계는 상기 광원부로부터 출력되는 빛을 평행광으로 만들어 주는 시준렌즈와 상기 시준렌즈를 통과한 빛은 투과하고 웨이퍼에서 반사되어 오는 빛은 반사하여 빛의 경로를 분할하는 빔 분할기와 상기 웨이퍼(100)에서 반사되는 빛 중 웨이퍼의 일 표면으로부터 반사되는 빛을 기준광으로 하여 측정광과 기준광이 합쳐져 생성되는 간섭 신호를 검출하는 검출기를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 간섭계는 스펙트럼 분석기를 포함하여 각 주파수 성분에 따른 간섭 신호를 획득할 수 있다. 상기 검출기는 스펙트럼 분석기(optical spectrum analyzer)를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 간섭계는 상기 광원부로부터 출력되는 빛을 평행광으로 만들어 주는 시준렌즈와; 상기 시준렌즈를 통과한 빛은 투과하고 웨이퍼에서 반사되어 오는 빛은 반사하여 빛의 경로를 분할하는 빔 분할기와; 상기 웨이퍼에서 반사되는 빛 중 웨이퍼의 표면으로부터 반사되는 측정광과 기준광이 합쳐져 생성되는 간섭 신호를 검출하는 검출기와 상기 빔 분할기로부터 반사된 빛을 이용하여 상기 검출기에 기준광을 제공하는 기준 미러를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 간섭계는 상기 실리콘 웨이퍼의 비아홀이 형성된 면의 반대면에 대향되게 설치되어 상기 광원부로부터 조사되는 광대역 적외선이 상기 실리콘 웨이퍼를 투과하여 비아홀의 바닥면이나 웨이퍼의 반대측 표면과의 경계면에서 반사된 빛을 감지한다.
상기 광원부는 적외선 영역의 단일 파장 레이저 광을 생성하는 시드 레이저,상기 시드 레이저가 출력하는 적외선 영역의 단일 파장 레이저 광으로부터 광대역 적외선 광을 생성하는 주파수발생기 및 상기 주파수발생기에 의해 생성된 광대역 적외선 광을 상기 간섭계에 적용하기 충분한 광량이 되도록 증폭하는 증폭기를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 광원부가 생성하는 광대역 적외선 광은 주파수 간격이 1 kHz내지 100 GHz 이고, 대역폭이 0.1 nm에서 2000 nm일 수 있다.
상기 광원부가 생성하는 광대역 적외선 광은 반복율이 1 kHz내지 100 GHz 이고, 대역폭이 0.1 nm에서 2000 nm인 펄스 레이저인 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 간섭계는 또한 상기 광원부로부터 출력되는 광대역 적외선 광을 평행광으로 만들어 주는 시준렌즈, 상기 실리콘 웨이퍼를 사이에 두고 상기 시준 렌즈와 대향 배치되어, 상기 시준 렌즈를 지나 상기 실리콘 웨이퍼를 투과한 적외선 광을 집속하는 집속 렌즈, 상기 집속 렌즈에 대면 배치되어 상기 실리콘 웨이퍼에 형성된 비아홀을 통과한 적외선 광과 상기 실리콘 웨이퍼의 비아홀이 형성되지 않은 부분을 투과한 적외선 광의 광경로차로 인한 간섭 신호를 검출하는 검출기를 포함하는 구성인 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 의한 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치를 이용한 비아홀 측정 방법은 상기 광원부로부터 상기 광대역 적외선 광을 상기 실리콘 웨이퍼의 전면 또는 배면에 조사하여 상기 실리콘 웨이퍼의 양 표면과의 경계면, 비아홀 바닥면에서 반사되게 하고, 웨이퍼의 일 표면으로부터 반사되는 빛을 기준광으로 하여 상기 비아홀 바닥면에서 반사되는 적외선 광과의 간섭 신호를 측정하여 비아홀의 깊이를 측정하고, 상기 실리콘 웨이퍼를 상기 광대역 적외선 광에 대해 수직 방향으로 미세하게 이동시키면서 상기 실리콘 웨이퍼의 양 표면과의 경계면과 비아홀 바닥의 경계면에서 반사된 광과 상기 기준광의 간섭신호를 측정하여 상기 비아홀의 지름을 측정하는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의한 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치를 이용한 비아홀 측정 방법은 상기 광원부로부터 광대역 적외선 광을 실리콘 웨이퍼에 조사하여 상기 실리콘 웨이퍼의 양 표면과의 경계면과 비아홀 바닥의 경계면에서 반사되게 하고, 상기 반사된 광과 기준미러로부터 반사된 기준광의 간섭 신호를 측정하여 비아홀의 깊이를 측정한다.
상기 웨이퍼를 상기 광원부로부터 조사되는 상기 광대역 적외선 광에 대해 수직 방향으로 미세하게 이동시키면서 상기 실리콘 웨이퍼의 양 표면과의 경계면과 비아홀 바닥의 경계면에서 반사된 광과 기준광의 간섭신호를 측정하여 비아홀의 지름을 측정할 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 수단에 의하면, 실리콘 웨이퍼를 손상시키지 않고 실리콘 웨이퍼에 형성된 비아홀의 깊이와 지름을 정확히 측정할 수 있는 효과가 있다.
또한 실리콘 웨이퍼의 비아홀의 깊이와 지름을 고속으로 고정밀도로 측정할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 비아홀 측정 장치 및 측정 방법에 의하면, 비아홀 측정 분해능이 향상되며 펄스 폭이 짧은 펄스를 이용함으로써 신호/노이즈 비가 높은 효과가 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의한 비아홀 측정 장치 및 방법은 비파괴 방식으로 비아홀의 불량여부를 고속으로 정확히 확인할 수 있으므로 3D 반도체 패키징 공정에서의 활용도가 우수하고, 반도체 패키지의 수율이 향상되며, 기계진동이 측정 품질에 미치는 영향이 최소화된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치의 구성도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치를 실리콘 웨이퍼의 배면에 적용한 구성도,
도 3은 도 2의 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치를 이용하여 비아홀의 깊이와 지름을 측정할 때 빛의 반사 경로를 도시한 모식도,
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치의 구성도,
도 5는 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치의 간섭계의 또 다른 실시예의 구성도,
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치의 구성도,
도 7은 주파수 도메인으로 나타낸 mode locked pulse laser 광의 도면이다.
이하, 본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치는 실리콘 웨이퍼에 형성된 비아홀 바닥의 경계면(이하, 바닥면이라 함)에서 반사되는 빛의 간섭현상을 이용하여 비아홀의 깊이와 지름을 측정하는 장치이다.
반도체용 실리콘 웨이퍼는 매우 균일하게 결정이 형성되는 단결정 구조이므로 빛은 단일 매질인 실리콘 웨이퍼를 통과할 때 매질의 중간에서는 굴절되지 않게 되며, 이에 따라 비아홀 바닥의 경계면과 웨이퍼 전면 또는 배면의 외부 경계면으로부터 반사된 빛으로부터 비아홀의 깊이에 대한 정보를 얻을 수 있는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치는 도 1에 도시한 바와 같이, 광원부(1)와 간섭계(2)를 포함한다. 간섭계는 동일한 광원으로부터 나온 빛을 분할하여 진행 경로차가 생기도록 한 후 다시 합쳐진 빛에서 관측되는 간섭현상을 이용한 측정기이다. 상기 광원부(1)는 실리콘 웨이퍼에 조사되는 빛을 생성하며, 상기 간섭계(2)는 광원부(1)로부터 실리콘 웨이퍼에 조사되고 그로부터 반사된 빛의 간섭 신호로부터 웨이퍼에 형성된 비아홀의 깊이와 지름을 측정한다.
본 발명에 의하면, 상기 광원부(1)는 광대역의 적외선을 생성하는데, 적외선 광은 실리콘 웨이퍼(100)에 대해 투과 특성을 가지므로 실리콘 웨이퍼의 전면(비아홀이 형성된 면의 경계면, 이하 전면이라 함)과 배면(비아홀이 형성된 면의 반대쪽 경계면, 이하 배면이라 함) 중 어느 쪽으로 조사되어도 좋다. 이처럼 적외선 광을 실리콘 웨이퍼에 조사함으로써 비아홀 전면에서의 회절의 문제나 높은 종횡비로 인해 비아홀 바닥면에 도달하지 못하는 문제 없이, 비아홀 바닥면에서 반사되는 반사 적외선과 기준광의 간섭 신호를 획득하여 처리함으로써 비아홀의 깊이를 정확히 측정할 수 있다.
상기 간섭계(2)는 실리콘 웨이퍼의 비아홀이 형성된 면인 웨이퍼 전면 또는 그 반대면인 배면에 대향되게 설치되어, 광원으로부터 조사되는 빛이 실리콘 웨이퍼를 투과하여 비아홀의 바닥면이나 웨이퍼의 전면 또는 배면에서 반사되고 상호 간섭된 빛을 감지할 수 있게 한 것이다.
일반적으로 간섭계로부터 얻어진 간섭신호 I(L)은 광경로차 L의 함수로, 다음 식과 같이 표현된다.
I(L)=I0(1+γcos(2π/c·L·f)
여기서, I0는 배경과의 세기, γ는 가시도, c는 빛의 속도, L은 광경로차, f는 광원의 주파수이다.
일반적으로 단일광을 사용하는 경우, 정확한 위상을 구하기 위해 기준 거울을 일정 거리만큼 이동시켜 간섭무늬를 획득하고 이를 분석해야 거리 정보를 얻을 수 있다. 그러나, 본 발명은 대역폭이 넓은 적외선 광을 사용하므로, 광주파수 f에 따른 간섭 신호를 스펙트럼 영역에서 획득하여 그 주기를 구함으로써 광경로차 L을 구할 수 있다. 따라서 이러한 빛의 성질을 이용하여, 본 발명의 간섭계는 광대역 적외선을 실리콘 웨이퍼에 적용하여 기준 거울을 광경로 방향으로 이동하는 스캐닝 과정 없이도 광대역 적외선 간섭신호를 동시에 획득하고 스펙트럼 분석함으로써 실시간으로 다수의 광경로차를 동시에 얻을 수 있다. 이에 따라 고속으로 비아홀 깊이의 측정이 가능하며, 측정 정밀도도 우수하다.
상기 간섭계는 광 스펙트럼 분석기(optical spectrum analyzer)를 포함하여 각 주파수 성분에 따른 간섭 신호를 획득하는 것이 바람직하다.
도 1에는 실리콘 웨이퍼의 전면에 대향하는 위치에 간섭계가 설치되어 적외선 광이 비아홀로 바로 입사하고 비아홀 바닥면에서 반사되며, 일부는 그대로 투과하여 배면에서 반사되며, 이 두 반사 성분의 기준광과의 간섭 신호를 분석함으로써 비아홀의 깊이를 산정할 수 있다. 간섭신호의 스펙트럼 주기를 얻는 것은 푸리에 변환을 통해 가능하며, 푸리에 영역에서 보다 정확한 피크 위치를 얻기 위해서 원하는 피크만 필터링하여 역푸리에 변환하여 위상으로 측정하는 방법도 이용될 수 있다.
비아홀이 형성되지 않은 실리콘 웨이퍼의 부분에서는 실리콘 웨이퍼 전면과 배면 두 경계점으로부터 적외선 광이 반사되는데 이로부터 실리콘 웨이퍼의 두께 정보도 얻을 수 있다.
이하, 도 2 내지 4를 참조하여, 광대역 적외선 광을 실리콘 웨이퍼의 배면으로 조사하여 간섭신호를 얻는 본 발명의 일 실시예에 의한 비아홀 측정 장치 및 방법을 상세히 설명하겠다. 실리콘 웨이퍼의 전면으로 적외선 광을 조사하여 비아홀을 측정하는 장치와 배면에서 조사하는 장치는 그 구조가 동일하며, 다만 웨이퍼의 배치 방향이 상이하다.
이러한 본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치는 도 2에 도시한 바와 같이, 광대역 폭의 적외선 광을 조사하는 광원부(1)와 ; 상기 광원부(1)로부터 조사되고 실리콘 웨이퍼로부터 반사된 빛의 간섭 신호로부터 웨이퍼에 형성된 비아홀의 깊이와 지름을 측정하는 간섭계(2)를 포함하여 구성된 비아홀을 측정하는 장치로서, 상기 간섭계(2)는 실리콘 웨이퍼의 비아홀이 형성된 면의 반대면에 대향되게 설치되어 조사되는 빛이 웨이퍼를 투과하여 비아홀의 바닥면이나 웨이퍼의 반대측 표면과의 경계면에서 반사된 빛을 감지할 수 있게 한 것이다.
상기 광원부(1)는 웨이퍼(100)에 조사되는 빛이 웨이퍼를 구성하는 재질을 잘 투과할 수 있도록 조절하는 수단이 구비되어 있으며, 단일 주파수가 아닌 광대역 적외선 광을 생성한다.
상기 광원부(1)는 적외선 영역에 속하는 단일 파장의 시드 레이저(seed laser), 상기 시드 레이저로부터 출력되는 적외선 광으로부터 적외선 영역의 광대역 광을 발생하는 주파수 발생기 및 상기 주파수 발생기로부터 생성된 광대역 적외선 레이저 광을 증폭하는 증폭기를 포함한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 의한 광원부(1)는 중심파장이 1541 nm인 단일 파장의 시드 레이저를 발생시키는 DFB레이저(Distributed Feed Back laser)(11)와 ; 상기 DFB레이저로부터 출력되는 레이저 빛으로부터 광대역 빛을 생성하는 주파수발생기(12)와 ; 상기 주파수발생기에 의해 생성된 빛을 상기 간섭계(2)에 적용하기 충분한 광량이 되도록 증폭하는 증폭기(13)를 포함하여 구성된다.
상기 주파수발생기(12)에 의해 발생되는 광대역 빛은 반복률이 수 kHz내지 수백 GHz 이고, 대역폭이 수 nm내지 수백 nm인 스펙트럼의 광대역 빛이고, 바람직하게는 반복률이 1 kHz내지 100 GHz 이고, 대역폭이 0.1 nm에서 1000 nm이다.
상기와 같이 구성된 광원부(1)에 의해 조사되는 빛은 대역폭이 넓어 위상천이(phase shifting)없이도 광로차(optical path difference)를 얻을 수 있게 하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치는 상기한 바와 같이 조사되는 빛이 실리콘 웨이퍼(100)을 투과할 수 있어야하므로 상기 실리콘 웨이퍼(100)에 조사되는 빛으로는 적외선 대역의 빛을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 간섭계(2)는 하나의 광원으로부터 조사된 광을 둘 또는 그 이상으로 나누어 광로차(光路差)를 갖도록 하여 다시 파면(波面)을 중첩할 때 생기는 간섭을 관측하는 장치의 하나로 이는 형상측정장치 등에 많이 이용되는 것 중 하나이며, 이는 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 광원부(1)로부터 출력되는 빛을 평행광으로 만들어 주는 시준렌즈(21)와 ; 상기 시준렌즈(21)를 통과한 빛은 투과하고 웨이퍼(100)에서 반사되어 오는 빛은 반사하여 빛의 경로를 분할하는 빔분할기(22)와 ; 상기 웨이퍼(100)에서 반사되는 빛 중 웨이퍼의 표면으로부터 반사되는 빛을 기준광으로 하여 측정광과 기준광이 합쳐져 생성되는 간섭 신호를 검출하는 검출기(23)를 포함하여 구성된다. 상기 검출기는 광 스펙트럼 분석기(optical spectrum analyzer)를 포함하여, 광대역 적외선 광의 간섭 신호를 검출한다.
이렇게 구성된 간섭계(2)는 웨이퍼(100)로부터 반사된 측정광과 비교하기 위한 기준광이 요구되며, 이 기준광은 웨이퍼의 양 표면과의 경계면에서 반사되는 빛 중 하나의 표면과의 경계면으로부터 반사되는 빛을 기준광으로 정의하고, 이 기준광과 다른 측정광의 간섭 신호를 측정하여 비아홀의 깊이를 측정할 수 있다.
이렇게 웨이퍼(100)의 어느 일측의 경계면에서 반사된 측정광을 기준광으로 사용함으로써 후술하는 기준미러를 설치하였을 때 발생될 수 있는 기준광의 오차를 줄일 수 있다. 즉, 웨이퍼(100)가 흔들려도 기준광은 흔들리는 웨이퍼로부터 반사된 빛이 되고, 이렇게 기준광이 흔들릴 때 측정광 역시 같이 흔들리게 되므로 기준광을 웨이퍼(100)의 어느 일측의 경계면에서 반사된 빛으로 설정할 경우 기준광과 측정광 사이의 진동 오차를 완벽히 제거할 수 있는 것이다.
또한, 상기와 같이 구성된 본 발명의 측정장치는 비아홀(100a)의 지름이나 폭을 측정할 수 있으며, 비아홀(100a)의 지름이나 폭을 측정하는 방법은 상기 웨이퍼(100)를 광원부(1)로부터 조사되는 빛과 수직 방향으로 미세하게 이동시키면서 반사된 측정광과 기준광의 간섭신호를 측정하여 비아홀의 지름을 측정한다.
즉, 비아홀(100a) 바닥의 경계면으로부터 반사되는 측정광의 영역을 확인함으로서 비아홀(100a)의 지름이나 폭을 확인할 수 있는 것이다.
상기 간섭계(2)는 상기한 기준광을 생성하기 위한 수단으로 기준미러(24)를 더 설치할 수 있다.
상기 기준미러(24)는 상기 빔분할기(22)로부터 반사된 빛을 이용하여 기준광을 생성하는 수단으로 이 기준광과 측정광의 간섭 신호로부터 비아홀(100a)의 깊이와 지름이나 폭이 측정될 수 있다.
이렇게 기준미러(24)를 설치할 경우 상기한 바와 같이 기준미러의 흔들림에 의해 기준광의 오류가 발생될 수 있으므로 상기한 바와 같이 웨이퍼(100)의 어느 일측 경계면으로부터 반사된 빛을 기준광으로 설정하는 것이 바람직하다.
상기한 바와 같이, 기준미러(24)를 사용하지 않고, 웨이퍼(100)의 어느 일측의 경계면으로부터 반사되는 빛을 기준광으로 하여 측정광과의 간섭 신호로부터 깊이나 지름을 측정할 경우 웨이퍼(100)가 진동에 둔감한 특성까지 얻어낼 수 있어 공정 내 실시간 측정이 가능하다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치와 이를 이용한 측정 방법을 상세하게 설명한다.
먼저, 비아홀 측정 방법은 상기 광원부(1)로부터 조사되는 빛을 웨이퍼(100)에 조사하되 조사되는 빛이 웨이퍼에 형성된 비아홀(100a)의 반대면에 조사되게 하여 조사된 빛이 웨이퍼의 양 표면과의 경계면, 비아홀(100a) 바닥의 경계면에서 반사되게 하고, 반사된 빛과 기준광의 간섭 신호를 이용하여 비아홀의 깊이를 측정한다.
상기 간섭계(2)는 높은 측정 분해능뿐만 아니라 길이 표준 소급성도 확보할 수 있어 초정밀 측정에 널리 사용되는 것이지만 위상을 결정하기 위해 기준 미러(23)를 이동시키거나 위상 반전하여야 하는 문제가 있으므로 대역폭이 넓은 광원을 이용하여 스펙트럼 해석을 함으로써 기준 미러(24)를 이동시키거나 위상반전 없이 광로차를 얻을 수 있게 하였다.
도 2는 상기한 바와 같이 본 발명에 따른 측정 장치의 구성도로서, 실리콘 웨이퍼(100)의 투과 특성을 이용하기 위한 빛인 시드 레이저(seed laser)로 중심파장 1541 nm를 갖는 DFB레이저(11)를 사용하였고, 상기 DFB레이저(11)에서 나온 빛은 주파수발생기(12)로 입사되어 주파수가 20 GHz내지 30 GHz이고, 대역폭이 15 nm내지 25 nm인 스펙트럼을 생성한다.
상기 주파수발생기(12)의 반복률(repetition rate)은 기준클럭(Rb-reference clock)에 잠금되어 안정화되어 있고, 이렇게 생성된 광빗(optical comb)은 실제 간섭계에 적용하여 사용하기 충분한 광량이 되도게 하기 위해 증폭기(13)를 통해 증폭된다.
이렇게 증폭된 빛은 간섭계(2)로 입력되고, 상기 시준렌즈(21)를 거쳐 시준된 빛은 빔분할기(22)를 통과하여 웨이퍼(100)로 나뉘어 입사되고, 실리콘 웨이퍼(100)로부터 반사되어 되돌아온 빛 중 어느 일 측 표면의 경계면으로부터 반사된 빛을 기준광으로 하여 측정광과의 간섭 신호를 검출기(23)에서 검출 및 계산하여 비아홀(100a)의 깊이와 지름 또는 폭을 측정한다.
물론, 상기 광원부(1)에서 웨이퍼(100)에 조사되는 빛은 웨이퍼(100)의 비아홀(100a)이 형성된 면의 반대면에 조사하며, 웨이퍼(100)로부터 반사되는 빛의 반사면은 세 부분이 된다.
즉, 도 3에 도시한 바와 웨이퍼(100)의 배면(비아홀이 형성된 면을 정면으로 보았을 때), 정면, 및 비아홀(100a)의 바닥면의 경계면에서 빛의 반사가 이루어지므로, 이 세 개의 측정광(반사광)과 기준미러로부터 반사된 기준광 사이의 간섭 신호를 측정함으로써 비아홀(100a)의 깊이를 측정할 수 있다.
이렇게 기준미러를 사용하지 않을 경우에는 도 2에 도시한 바와 같이 배면을 기준면으로 설정하여 이 배면에서 반사된 빛을 기준광으로 설정하거나 도시하지는 않았으나 정면을 기준면으로하고 이로부터 반사된 빛을 기준광으로 설정할 수 있다.
물론 도 4에 도시한 바와 같이 기준미러(24)를 설치할 경우에는 기준미러로부터 반사된 빛을 기준광으로 설정하게 된다.
본 발명의 또 다른 실시예를 도 5를 참조하여 상세히 설명하겠다.
이 실시예는 간섭 현상을 이용하여 비아홀의 깊이와 지름을 측정하는 원리는 다른 실시예와 동일하며, 아래의 상이점을 제외한 구성도 동일하다.
도 5에 도시된 바와 같이, 광원으로부터 발생한 광대역 적외선 광은 실리콘 웨이퍼의 전면으로 조사되어, 비아홀의 바닥면을 일단 투과한 후 일부는 배면을 투과하고 나머지 일부는 배면에서 반사되고 그 중 일부는 다시 비아홀의 바닥면에서 재반사된다. 따라서, 반사없이 투과된 적외선 광과 비아홀 투과 후 2번에 걸쳐 반사된 적외선 광은 그 광경로차에 따라 간섭 신호를 생성하고 이를 검출기가 측정하여 비아홀과 배면의 거리를 측정할 수 있게 된다.
도 5와 동일한 구조의 간섭계의 경우 실리콘 웨이퍼와 검출기 사이에 집속렌즈를 설치하는 것도 가능하다. 이 경우 기준광은 비아홀이 형성되지 않은 실리콘 웨이퍼면을 투과한 광이 되고, 비아홀을 투과한 광은 굴절률 차이로 인해 광의 진행 속도가 달라지므로 결국 광경로차가 생기게 되며, 이 두 광을 집속 렌즈로 집속하여 간섭신호를 얻게 된다.
이하, 도 6 내지 7을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치를 설명하겠으며, 다른 실시예와 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.
광대역 적외선 광을 생성하는 광원부는 시드 레이저, 광변조기 및 광증폭기를 포함한다. 상기 시드 레이저는 중심 파장 1541nm를 갖는 단일 파장의 레이저 광을 생선하는 DFB레이저(11)이며, 상기 DFB 레이저에서 나온 단일 파장의 레이저 광은 위상변조 광 빗 발생기(comb generator)로 입사되어 반복률이 20 내지 30 GHz이고, 대역폭이 15 nm내지 25 nm인 스펙트럼을 생성한다. 바람직하기로 상기 반복률은 10 MHz 이상이고 대역폭은 10 nm 이상이다. 도 7에는 주파수 도메인으로 나타낸 광 빗을 도시한 것이다. 이러한 광 빗(optical comb)은 주파수 도메인에서 중심 주파수를 중심으로 일정 간격으로 잘 정의된 주파수 성분들로 표현되며, 시간 도메인 영역에서 볼 때는 여러 주파수 성분을 포함한 레이저 펄스가 일정한 주기로 반복되는데 일반적으로 이를 펄스 레이저라 한다. 이와 같이 광 빗을 형성한 펄스 레이저는 여러 주파수 성분을 가지나 동시에 각 주파수 성분이 매우 잘 정의되고 안정화되어 있어, 간섭 신호의 주기 분석 측면에서 유리하여 비아홀의 깊이 측정의 정밀도가 보다 향상된다.
상기 광 빗 발생기는 일종의 주파수 발생기로, 그에 의해 생성되는 광대역 레이저 펄스의 반복률(repetition rate)은 기준클럭(Rb-reference clock)에 잠금되어 안정화되어 있고, 이렇게 생성된 광 빗(optical comb)은 실제 간섭계에 적용하여 사용하기 충분한 광량이 되도록 하기 위해 증폭기(13)를 통해 증폭된다. 상기 증폭기로는 EDFA(Er doped fiber amplifier)가 사용될 수 있다.
이렇게 증폭된 빛은 간섭계(2)로 입력되고, 상기 시준렌즈(21)를 거쳐 시준된 빛은 빔분할기(22)를 통과하여 웨이퍼(100)로 나뉘어 입사되고, 실리콘 웨이퍼(100)로부터 반사되어 되돌아온 빛 중 어느 일측 표면의 경계면으로부터 반사된 빛 또는 기준 미러에서 반사된 빛을 기준광으로 하여 측정광과의 간섭 신호를 검출기(23)에서 검출 및 계산하여 비아홀(100a)의 깊이와 지름 또는 폭을 측정한다.
한편, 상기 광 빗 발생기에 스펙트럼을 생성한 펄스 레이저는 펨토 초 레이저 즉, 시간 도메인에서의 펄스 폭이 수 내지 수백 펨토 초인 것이 바람직하며, 이 경우 아주 짧은 시간 동안만 간섭이 생기기 때문에 측정 분해능이 향상되며 발진된 펄스의 첨두 광량이 매우 크기 때문에 신호/노이즈 비가 높은 효과가 있다.
펨토초 레이저 발진기(femto second laser oscillator)는 그 자체로서 광 빗을 형성한 펄스 레이저를 생성하므로 별도의 시드 레이저로부터 광 빗을 형성할 필요가 없다.
이와 같은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 비아홀 측정 장치 및 방법은 비파괴 방식으로 비아홀의 불량여부를 고속으로 정확히 확인할 수 있으므로 3D 반도체 패키징 공정에서의 활용도가 우수하고, 반도체 패키지의 수율이 향상되며, 기계진동이 측정 품질에 미치는 영향이 최소화된다.
산업상 이용가능성
이와 같은 본 발명의 비아홀 측정 장치 및 방법은 비파괴 방식으로 비아홀의 불량여부를 고속으로 정확히 확인할 수 있으므로 3D 반도체 패키징 공정 등에 적용될 경우 실리콘 웨이퍼의 비아홀의 불량여부를 확인할 수 있어, 그 활용도가 우수하고, 반도체 패키지의 수율이 향상된다. 또한 기계진동이 측정 품질에 미치는 영향이 최소화되므로 고속으로 정확히 비아홀의 깊이와 지름을 측정할 수 있다.
비아홀 뿐 아니라 실리콘 웨이퍼의 여러 미세 구조를 측정하는 장치로도 사용될 수 있다.

Claims (12)

  1. 광원부(1)와 상기 광원부(1)로부터 생성된 광을 실리콘 웨이퍼에 조사하여 상기 실리콘 웨이퍼로부터 반사된 빛의 간섭 신호로부터 웨이퍼에 형성된 비아홀의 깊이를 측정하는 간섭계(2)를 포함하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치에 있어서,
    상기 광원부(1)는 광대역의 적외선 광을 생성하고,
    상기 간섭계(2)는 상기 광대역 적외선 광이 상기 비아홀의 바닥면, 상기 실리콘 웨이퍼의 전면 또는 배면의 경계면에서 반사됨으로써 생성되는 간섭 신호를 감지하며,
    상기 간섭 신호의 스펙트럼 주기 분석을 통해 다수 주파수 성분에 대한 광경로차를 동시에 획득함으로써 상기 비아홀의 깊이와 지름을 측정하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 간섭계(2)는
    상기 광원부(1)로부터 출력되는 빛을 평행광으로 만들어 주는 시준렌즈(21)와 ;
    상기 시준렌즈(21)를 통과한 빛은 투과하고 웨이퍼(100)에서 반사되어 오는 빛은 반사하여 빛의 경로를 분할하는 빔분할기(22)와 ;
    상기 웨이퍼(100)에서 반사되는 빛 중 웨이퍼의 일 표면으로부터 반사되는 빛을 기준광으로 하여 측정광과 기준광이 합쳐져 생성되는 간섭 신호를 검출하는 검출기(23)를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 간섭계는 스펙트럼 분석기를 포함하여 각 주파수 성분에 따른 간섭 신호를 획득하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 간섭계(2)는
    상기 광원부(1)로부터 출력되는 빛을 평행광으로 만들어 주는 시준렌즈(21)와 ;
    상기 시준렌즈(21)를 통과한 빛은 투과하고 웨이퍼(100)에서 반사되어 오는 빛은 반사하여 빛의 경로를 분할하는 빔분할기(22)와 ;
    상기 웨이퍼(100)에서 반사되는 빛 중 웨이퍼의 표면으로부터 반사되는 측정광과 기준광이 합쳐져 생성되는 간섭 신호를 검출하는 검출기(23)와
    상기 빔분할기(22)로부터 반사된 빛을 이용하여 상기 검출기(23)에 기준광을 제공하는 기준미러(24)를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 간섭계는 상기 실리콘 웨이퍼의 비아홀이 형성된 면의 반대면에 대향되게 설치되어 상기 광원부로부터 조사되는 광대역 적외선이 상기 실리콘 웨이퍼를 투과하여 비아홀의 바닥면이나 웨이퍼의 반대측 표면과의 경계면에서 반사된 빛을 감지함을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원부(1)는
    적외선 영역의 단일 파장 레이저 광을 생성하는 시드 레이저(11);
    상기 시드 레이저가 출력하는 적외선 레이저 광으로부터 광대역 적외선 광을 생성하는 주파수발생기(12); 및
    상기 주파수발생기에 의해 생성된 광대역 적외선 광을 상기 간섭계(2)에 적용하기 충분한 광량이 되도록 증폭하는 증폭기(13);를
    포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광원부가 생성하는 광대역 적외선 광은 주파수 간격이 1 kHz내지 100 GHz 이고, 대역폭이 0.1 nm에서 2000 nm인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치.
  8. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광원부가 생성하는 광대역 적외선 광은 반복율이 1 kHz내지 100 GHz 이고, 대역폭이 0.1 nm에서 2000 nm인 펄스 레이저인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 간섭계(2)는
    상기 광원부(1)로부터 출력되는 광대역 적외선 광을 평행광으로 만들어 주는 시준렌즈(21) ;
    상기 실리콘 웨이퍼(100)를 사이에 두고 상기 시준 렌즈와 대향 배치되어, 상기 시준 렌즈를 지나 상기 실리콘 웨이퍼를 투과한 적외선 광을 집속하는 집속 렌즈;
    상기 집속 렌즈에 대면 배치되어 상기 실리콘 웨이퍼에 형성된 비아홀을 통과한 적외선 광과 상기 실리콘 웨이퍼의 비아홀이 형성되지 않은 부분을 투과한 적외선 광의 광경로차로 인한 간섭 신호를 검출하는 검출기(23);
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치.
  10. 제 1 항의 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치를 이용한 비아홀 측정 방법에 있어서,
    상기 광원부(1)로부터 상기 광대역 적외선 광을 상기 실리콘 웨이퍼의 전면 또는 배면에 조사하여 상기 실리콘 웨이퍼의 양 표면과의 경계면, 비아홀 바닥면에서 반사되게 하고, 웨이퍼의 일 표면으로부터 반사되는 빛을 기준광으로 하여 상기 비아홀 바닥면에서 반사되는 적외선 광과의 간섭 신호를 측정하여 비아홀의 깊이를 측정하고,
    상기 실리콘 웨이퍼를 상기 광대역 적외선 광에 대해 수직 방향으로 미세하게 이동시키면서 상기 실리콘 웨이퍼의 양 표면과의 경계면과 비아홀 바닥의 경계면에서 반사된 광과 상기 기준광의 간섭신호를 측정하여 상기 비아홀의 지름을 측정하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 방법.
  11. 제 4 항의 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치를 이용한 비아홀 측정 방법에 있어서,
    상기 광원부(1)로부터 광대역 적외선 광을 실리콘 웨이퍼(100)에 조사하여 상기 실리콘 웨이퍼의 양 표면과의 경계면과 비아홀 바닥의 경계면에서 반사되게 하고, 상기 반사된 광과 기준미러로부터 반사된 기준광의 간섭 신호를 측정하여 비아홀의 깊이를 측정함을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 웨이퍼(100)를 상기 광원부(1)로부터 조사되는 상기 광대역 적외선 광에 대해 수직 방향으로 미세하게 이동시키면서 상기 실리콘 웨이퍼의 양 표면과의 경계면과 비아홀 바닥의 경계면에서 반사된 광과 기준광의 간섭신호를 측정하여 비아홀의 지름을 측정하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 방법.
KR1020127012430A 2011-06-24 2011-06-24 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치 및 방법 KR101242470B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR2011/004616 WO2011162566A2 (ko) 2010-06-24 2011-06-24 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130010881A KR20130010881A (ko) 2013-01-29
KR101242470B1 true KR101242470B1 (ko) 2013-03-12

Family

ID=47845652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127012430A KR101242470B1 (ko) 2011-06-24 2011-06-24 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101242470B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016076626A1 (ko) * 2014-11-13 2016-05-19 주식회사 고영테크놀러지 회절 격자를 이용한 3차원 형상 측정 장치

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101456545B1 (ko) * 2013-02-08 2014-11-03 한국표준과학연구원 Fbg를 이용한 스펙트럼 영역 간섭 장치 및 스펙트럼 영역 간섭 방법
KR20150085956A (ko) 2014-01-17 2015-07-27 삼성전자주식회사 반도체 소자의 계측 방법, 반도체 계측 시스템, 및 이들을 이용한 반도체 소자의 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002122554A (ja) 2000-10-16 2002-04-26 Shashin Kagaku Co Ltd プリント配線基板のビアホール検査装置
JP2002228420A (ja) * 2001-01-31 2002-08-14 Matsushita Electric Works Ltd シリコン薄膜の膜厚測定方法並びにその方法によりシリコン薄膜の膜厚が測定される半導体素子及び半導体装置
JP2009036563A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Lasertec Corp 深さ測定装置及び深さ測定方法
US20100284027A1 (en) 2007-12-10 2010-11-11 David Scheiner Optical system and method for measurement of one or more parameters of via-holes

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002122554A (ja) 2000-10-16 2002-04-26 Shashin Kagaku Co Ltd プリント配線基板のビアホール検査装置
JP2002228420A (ja) * 2001-01-31 2002-08-14 Matsushita Electric Works Ltd シリコン薄膜の膜厚測定方法並びにその方法によりシリコン薄膜の膜厚が測定される半導体素子及び半導体装置
JP2009036563A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Lasertec Corp 深さ測定装置及び深さ測定方法
US20100284027A1 (en) 2007-12-10 2010-11-11 David Scheiner Optical system and method for measurement of one or more parameters of via-holes

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016076626A1 (ko) * 2014-11-13 2016-05-19 주식회사 고영테크놀러지 회절 격자를 이용한 3차원 형상 측정 장치
US10533844B2 (en) 2014-11-13 2020-01-14 Koh Young Technology Inc. Three-dimensional shape measuring apparatus using diffraction grating

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130010881A (ko) 2013-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5982482A (en) Determining the presence of defects in thin film structures
US10852246B2 (en) Pattern structure inspection device and inspection method
US7050178B2 (en) Method and apparatus for increasing signal to noise ratio in a photoacoustic film thickness measurement system
JP4897821B2 (ja) 光学ヘテロダインサンプリング装置
JP2002527770A (ja) 改良された膜厚測定の方法と装置
JP2014514559A (ja) Ｔｓｖ測定用干渉計及びこれを用いた測定方法
US9121696B2 (en) Device and method for measuring via hole of silicon wafer
JP2019526060A (ja) 音響共鳴分光測定方法及びシステム
KR101242470B1 (ko) 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치 및 방법
KR101398835B1 (ko) 콤 생성 및 검출 장치를 이용한 실시간 분광형 간섭 측정 장치 및 측정 방법
CN111712908B (zh) 载流子寿命测定方法及载流子寿命测定装置
KR101407482B1 (ko) 홀 형상 및 깊이 측정 장치 및 방법
CN105277131B (zh) 三维孔结构的测量装置与测量方法
TW202138750A (zh) 光學臨界尺寸與光反射組合裝置、系統及方法
TWI801500B (zh) 濃度測定方法及濃度測定裝置
WO2020240131A1 (fr) Systeme de mesure acoustique picoseconde a double faisceaux sondes
KR101533994B1 (ko) 광섬유를 이용한 미세 패턴의 선폭 및 깊이 측정 장치 및 측정 방법
KR101390749B1 (ko) 렌즈형 광섬유를 이용한 미세홀 깊이 측정 장치 및 방법
CN110118533A (zh) 一种三维检测方法及检测装置
JP2015206739A (ja) レーザ超音波測定装置
KR102583749B1 (ko) 비파괴 검사 및 제조 계측 시스템들 및 방법들
KR101135142B1 (ko) 주입잠금 레이저를 이용한 표면 진동 측정 장치
EP3467483A1 (en) Pattern structure inspection device and inspection method
JP2015203654A (ja) 分子数測定装置及び分子数測定方法
Jin et al. Performance evaluation on the diameter and depth measurements of through-silicon vias using a spectral-domain interferometer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160219

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170206

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180226

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190218

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191001

Year of fee payment: 8