KR101235699B1 - Process for Patterning Thin-film of Solution Type - Google Patents

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Abstract

본 발명에서는 알킬 케톤 다이머 또는 디알킬케톤과 같은 초소수성의 성질을 갖는 물질을 기판의 선택된 영역으로 적층한 뒤, 소자 물질이 분산되어 있는 용액 상태의 물질 사이의 표면반발력 또는 친화력에 따른 자기배열을 이용하여 직접적으로 기판 상에 금속 배선 등의 패턴을 형성하는 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면 초소수성을 갖는 물질의 극대화된 자기배열에 의하여 미세한 패턴을 균일하게 형성할 수 있을 뿐 아니라, 종래의 마스크 공정에 비하여 공정이 크게 단순화되어 제조비용의 절감 및 공정의 효율성을 이룰 수 있을 것으로 기대된다. According to the present invention, a superhydrophobic material such as an alkyl ketone dimer or a dialkyl ketone is laminated to a selected region of a substrate, and then the magnetic alignment according to the surface repulsion or affinity between the materials in a solution state in which the device material is dispersed. A method of forming a pattern such as metal wiring directly on a substrate is disclosed. According to the present invention, not only the fine pattern can be uniformly formed by the maximized self-arrangement of the material having super hydrophobicity, but also the process is greatly simplified as compared with the conventional mask process, thereby reducing the manufacturing cost and achieving the process efficiency. It is expected to be.

Description

초소수성 물질을 이용한 용액 타입의 패턴 형성 방법{Process for Patterning Thin-film of Solution Type}Process for Patterning Thin-film of Solution Type using Super Hydrophobic Material

도 1a 내지 도 1f는 종래 기판 상에 패턴을 형성하는 공정을 도시한 도면.1A to 1F illustrate a process of forming a pattern on a conventional substrate.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 기판 상에 금속 배선의 미세 패턴을 형성하는 공정을 단계별로 도시한 도면.2A through 2E are steps illustrating a step of forming a fine pattern of metal wires on a substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따라 기판 상에 금속 배선의 미세 패턴을 형성하는 공정을 단계별로 도시한 도면.3A to 3E are steps illustrating a step of forming a fine pattern of metal wiring on a substrate according to another preferred embodiment of the present invention.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 바람직한 실시예에 의하여 기판 상에 소수성 작용기를 갖는 단층막을 형성하는 데 사용될 수 있는 스탬프의 제조 과정을 개략적으로 도시한 도면.4A-4E schematically illustrate the manufacturing process of a stamp that can be used to form a monolayer film with hydrophobic functional groups on a substrate in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에 따라 금속 전극이 형성된 기판 상으로 유기 절연막의 미세 패턴을 형성하는 공정을 단계별로 도시한 도면. 5A through 5E are steps of a process of forming a fine pattern of an organic insulating layer on a substrate on which a metal electrode is formed, according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명에 따라 기판의 상면에 형성된 초소수성 단층막의 표면 형태를 개략적으로 도시한 도면.6 schematically illustrates the surface morphology of a superhydrophobic monolayer film formed on an upper surface of a substrate according to the present invention.

도 7a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 나노 파티클이 함유된 용매가 기판 상에 도포되어 패턴이 형상된 기판의 SEM 사진이고, 도 7b는 도 6a의 특정 영역을 확대한 SEM 사진이다. FIG. 7A is a SEM photograph of a patterned substrate in which a solvent containing nanoparticles is coated on a substrate according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 7B is an enlarged SEM photograph of a specific region of FIG. 6A.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100, 200, 300 : 기판 110, 210, 310 : 소수성 단층막100, 200, 300: substrate 110, 210, 310: hydrophobic monolayer

120 : 분산 용액 122 : 나노 파티클120: dispersion solution 122: nanoparticles

134 : 금속 패턴 150 : 마스터134: metal pattern 150: master

160 : 스탬프 220 : 절연체 조성물160: stamp 220: insulator composition

224 : 유기 절연막224: organic insulating film

본 발명은 기판 상에 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초소수성의 물질과 소자 물질이 분산되어 있는 용액 상태의 물질 사이의 표면반발력 또는 친화력에 따른 자기-배열을 이용하여 패턴을 기판 상에 금속 배선, 유기 절연막 등의 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of forming a pattern on a substrate, and more particularly, by using a self-arrangement according to the surface repulsion or affinity between the superhydrophobic material and the material in a solution state in which the device material is dispersed A method of forming a pattern such as a metal wiring or an organic insulating film on a substrate.

반도체 소자를 비롯하여 액정 표시 소자(Liquid crystal display device) 등의 평판표시소자에 있어서 패턴 공정은 제조된 소자의 성능에 크게 영향을 미치는 중요한 공정이다. 이에 따라 최근에는 소자의 성능을 향상시킬 수 있도록 연구가 진행되고 있는데, 특히 미세금속패턴을 형성하여 소자의 성능을 향상시키고자 하는 다양한 시도가 전개되고 있다. 현재까지 가장 일반적으로 사용되는 패턴 형성 공정은 감광성물질인 포토레지스트(photoresist, PR)를 이용한 공정으로서, 도 1a 내지 도 1e는 PR을 이용하여 금속 배선의 패턴을 형성하기 위한 공정을 단계별로 개략적으로 도시한 공정도이다. In flat panel display devices such as semiconductor devices and liquid crystal display devices, the pattern process is an important process that greatly affects the performance of the manufactured device. Accordingly, in recent years, research is being conducted to improve device performance. In particular, various attempts have been made to improve device performance by forming a fine metal pattern. The most commonly used pattern forming process up to now is a process using a photoresist (PR), which is a photosensitive material, and FIGS. 1A to 1E schematically illustrate a step for forming a pattern of a metal wiring using PR. The process chart shown.

우선, 도 1a에 도시된 것과 같이 산화실리콘 등의 반도체 물질 또는 유리와 같은 절연물질로 이루어진 기판(10)의 상면으로 금속 박막층(12)을 증착한 후, 예컨대 스핀-코팅 등의 방법을 사용하여 도 1b에 도시된 것과 같이 상기 금속 박막층(12)의 상면으로 감광성 고분자인 포토레지스트층(14)을 형성한다. 이어서 도 1c에 도시된 것과 같이 상기 포토레지스트층(14)의 상면에 마스크(16)를 위치시킨 뒤 자외선(UV) 광을 조사한다. 일반적으로 포토레지스트에는 포지티브 타입과 네거티브 타입으로 구분될 수 있는데, 본 도면에서는 그 일례로서 네거티브 타입의 포토레지스트를 사용한 경우를 도시하고 있다. First, as shown in FIG. 1A, the metal thin film layer 12 is deposited on the upper surface of the substrate 10 made of a semiconductor material such as silicon oxide or an insulating material such as glass, and then, for example, using a spin-coating method or the like. As shown in FIG. 1B, the photoresist layer 14, which is a photosensitive polymer, is formed on the upper surface of the metal thin film layer 12. Subsequently, as shown in FIG. 1C, the mask 16 is positioned on the upper surface of the photoresist layer 14 and irradiated with ultraviolet (UV) light. Generally, a photoresist may be classified into a positive type and a negative type. In this drawing, a negative type photoresist is used as an example.

UV 광이 조사되면 마스크(16)에 의하여 가리워진 영역을 제외하고 UV가 조사된 영역의 포토레지스트는 그 화학적 구조가 변하게 된다. 이에 따라 현상액을 조사하면, 도 1d에 도시된 것과 같이 자외선이 조사되지 않은 영역의 포토레지스트층(14)이 제거되고 자외선이 조사된 영역으로만 일정한 포토레지스트 패턴(14a)이 형성된다. 이와 같이 자외선이 조사된 영역으로만 형성된 포토레지스트 패턴(14a) 에 의하여 금속 박막층(12)이 블로킹 된 상태에서 식각액을 적용하면, 도 1e에 도시된 것과 같이 포토레지스트 패턴(14a)에 의하여 블로킹된 영역을 제외한 나머지 부분의 금속 박막층(12)이 제거된다. 그 후 도 1f에 도시된 것과 같이 스트리퍼를 적용하여 barrier로 작용하였던 상기 포토레지스트 패턴(14a)을 박리하면 기판(10) 상에는 소정의 금속 패턴(12a)만이 남게 되어 금속 배선이 완성된다. When the UV light is irradiated, the photoresist of the UV irradiated region except for the region covered by the mask 16 changes its chemical structure. Accordingly, when the developer is irradiated, the photoresist layer 14 in the region not irradiated with ultraviolet rays is removed as shown in FIG. 1D, and a constant photoresist pattern 14a is formed only in the region irradiated with ultraviolet rays. As such, when the etching solution is applied while the metal thin film layer 12 is blocked by the photoresist pattern 14a formed only in the region irradiated with ultraviolet rays, the etching solution is blocked by the photoresist pattern 14a as shown in FIG. 1E. The remaining metal thin film layer 12 except for the region is removed. Thereafter, as shown in FIG. 1F, when the photoresist pattern 14a that serves as a barrier is peeled off by applying a stripper, only a predetermined metal pattern 12a remains on the substrate 10, thereby completing the metal wiring.

그런데, 이와 같이 기존 공정을 이용하여 금속 배선을 형성하고자 하는 경우에는 금속 박막을 증착한 뒤에, 포토레지스트층의 형성 공정, UV 조사를 통한 노광 공정, UV 조사를 받은 부분을 제거하는 현상 공정, 감광 고분자가 open된 금속 박막 식각 공정 및 barrier로 기능하였던 포토레지스트층을 박리하는 공정 등을 거쳐야 하기 때문에 그 공정이 지나치게 복잡할 뿐만 아니라 복수개의 패턴이 형성된 전기 소자의 경우에는 각 패턴을 형성하기 위해서 별도로 포토레지스트 공정이 수행되어야 하기 때문에 제조비용이 상승하여 바람직하지 않다. By the way, in the case where the metal wiring is to be formed using the existing process as described above, after the metal thin film is deposited, the process of forming the photoresist layer, the exposure process through UV irradiation, the developing process of removing the part subjected to UV irradiation, and the photosensitive light Since the process of etching the metal thin film with the polymer open and the process of peeling off the photoresist layer functioning as a barrier, the process is not only too complicated but also in the case of an electric element having a plurality of patterns, it is necessary to separately form each pattern. The manufacturing cost rises because the photoresist process must be performed, which is undesirable.

이와 같이 종래의 photolithography 기술을 이용한 패턴 공정의 문제점을 해결하기 위하여 예컨대 대한민국 공개특허공보 제2003-38401호에서는 잉크층을 전사하는 인쇄 방식을 통하여 대면적의 표시소자에 패턴을 형성하는 방법을 제안하고 있다. 그러나, 위 공개특허공보의 명세서에서도 기술되어 있듯이 잉크와 피가공층의 접착력이 약하기 때문에 잉크 패턴이 쉽게 박리되는 문제가 있고 이를 해결하기 위해서는 프라이머 도포/플라즈마 처리/UV 처리 등의 화학적 처리 및 물리적인 처 리 공정이 수반되어야 하는 문제가 있다. In order to solve the problem of the pattern process using a conventional photolithography technique, for example, Korean Patent Laid-Open Publication No. 2003-38401 proposes a method of forming a pattern on a display device having a large area through a printing method of transferring an ink layer. have. However, as described in the specification of the above publication, there is a problem in that the ink pattern is easily peeled off because the adhesion between the ink and the layer to be processed is weak. To solve this problem, chemical treatment such as primer coating / plasma treatment / UV treatment and physical treatment are performed. There is a problem that must be accompanied by a treatment process.

이와 같은 문제점으로 인하여 용액 형태의 자기배열단층막(SAM)을 형성하여 기판 상에 특정 영역으로만 성막이 이루어지는 방법이 제안된 바 있다. 이와 같은 용액 타입을 이용한 패턴 방법의 경우, 노광 공정을 이용하면 재료의 물성이 변화되는 문제가 있고, 잉크젯 프린팅 방식을 이용하는 경우에는 접촉각의 저하 등으로 인하여 미세 패턴이 균일하게 형성되기 어렵기 때문에 별도로 격벽을 설치해야 하는 문제가 있다. Due to such a problem, a method of forming a self-aligned monolayer (SAM) in the form of a solution and forming a specific region on a substrate has been proposed. In the case of the pattern method using such a solution type, there is a problem in that the physical properties of the material are changed when the exposure process is used, and when the inkjet printing method is used, fine patterns are not uniformly formed due to a decrease in contact angle. There is a problem in that bulkheads must be installed.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 본 발명의 일 목적은 기판의 표면으로 초소수성의 성질을 갖는 물질을 형성하고, 이 물질과 소자 물질이 분산된 용매의 작용기 사이의 표면반발력을 이용하여 자기배열되는 패턴을 형성할 수 있는 방법을 제공하는 데 있다. The present invention has been proposed to solve the above problems, and an object of the present invention is to form a material having a superhydrophobic property on the surface of the substrate, the surface between the functional group of the solvent and the dispersion of the material and the device material It is to provide a method for forming a self-aligned pattern using a repulsive force.

본 발명의 다른 목적은 상술한 초소수성 물질과 다른 작용기 사이에 작용하는 큰 표면반발력에 기인하여 미세 패턴을 정교하게 형성할 수 있는 방법을 제공하고자 하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a method capable of precisely forming a fine pattern due to the large surface repulsion force acting between the superhydrophobic material and other functional groups described above.

본 발명의 또 다른 목적은 복잡한 공정을 거치지 않음으로써 경제적이고 효율적인 공정이 가능하고 특히 반응이 신속하게 이루어질 수 있는 패턴을 형성하는 방법을 제공하는 데 있다. Still another object of the present invention is to provide a method for forming a pattern in which an economical and efficient process is possible and in particular, a reaction can be made quickly by not undergoing a complicated process.

본 발명의 다른 목적 및 이점은 후술하는 발명의 구성 및 첨부하는 도면을 통하여 보다 분명해질 것이다. Other objects and advantages of the present invention will become more apparent from the accompanying drawings and the accompanying drawings.

상기와 같은 목적을 갖는 본 발명에 따르면, 기판의 선택된 영역으로 초소수성(super-hydrobicity)을 갖는 물질을 형성한 뒤, 이 물질과 친화적인 소수성 작용기 또는 친수성 작용기를 포함하는 물질을 도포하여 양 물질의 작용기 사이의 표면반발력에 따라 특정하게 선택된 영역으로만 패턴이 형성되는 방법을 개시한다. According to the present invention having the above object, by forming a material having a super-hydrobicity to a selected region of the substrate, and then by applying a material containing a hydrophobic functional group or a hydrophilic functional group friendly with the material both materials Disclosed is a method in which a pattern is formed only in a region specifically selected according to the surface repulsion force between functional groups of.

즉, 본 발명은 기판 상에 자기배열된 물질과 그 상부에 도포되는 용액 사이의 표면반발력을 이용한 패턴 형성 방법으로서, (a) 디아킬케톤, 알킬케톤다이머, 또는 이들 혼합물에서 선택되는 소수성 물질을 상기 기판의 선택된 영역으로 적용하여 소수성 단층막을 형성하는 단계; (b) 상기 소수성 단층막이 형성된 기판의 전면으로 소수성 작용기 또는 친수성 작용기를 갖는 용매에 분산된 소자 물질이 함유된 용액을 도포하는 단계; (c) 상기 소자 물질이 도포된 기판을 열처리하여 상기 기판 상으로 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다. That is, the present invention is a pattern formation method using the surface repulsion between the self-arranged material on the substrate and the solution applied thereon, (a) a hydrophobic material selected from dialkyl ketone, alkyl ketone dimer, or a mixture thereof Applying to a selected region of the substrate to form a hydrophobic monolayer film; (b) applying a solution containing a device material dispersed in a solvent having a hydrophobic functional group or a hydrophilic functional group to the entire surface of the substrate on which the hydrophobic monolayer film is formed; (c) heat treating the substrate to which the device material is applied to form a pattern on the substrate.

이때, 바람직하게는 상기 (a) 단계는 소수성 물질을 상기 기판 상면에 적용하는 단계와, 상기 소수성 물질을 용융시키는 단계와, 상온에서 냉각시키는 단계로 이루어질 수 있으며, 상기 (b) 단계는 기판을 용액에 침지하는 방법으로 수행될 수 있다. In this case, preferably, the step (a) may include applying a hydrophobic material to the upper surface of the substrate, melting the hydrophobic material, and cooling at room temperature. It may be carried out by a method of dipping in a solution.

바람직한 실시예에 다르면 용매는 말단에 아민기, 하이드록시기 등을 갖는 친수성 용매이고, 소자 물질과 용매의 작용기 사이의 표면장력을 감소시켜 용매의 작용기 외부로 돌출될 수 있도록 용액에 계면활성제가 더욱 포함될 수 있다. According to a preferred embodiment, the solvent is a hydrophilic solvent having an amine group, a hydroxyl group, or the like at the end, and the surfactant is further added to the solution so that the surface tension between the device material and the functional group of the solvent can be reduced to protrude out of the functional group of the solvent. May be included.

본 발명에 따라 사용되는 소자 물질로서는 나노 크기의 금속 파티클, 유기 분자, 또는 유무기 하이브리드 분자로서, 금속 물질로는 금, 은, 알루미늄, 니켈, 텅스텐, 몰리브덴, 알루미늄-네오디뮴 혼합물, ITO 등을 포함한다. Device materials used according to the present invention include nano-sized metal particles, organic molecules, or organic-inorganic hybrid molecules, and the metal materials include gold, silver, aluminum, nickel, tungsten, molybdenum, aluminum-neodymium mixtures, ITO, and the like. do.

유기 절연막을 형성하고자 하는 경우에 상기 용액은 절연체 조성물일 수 있으며, (a) 단계에서 소수성 물질을 용융하고자 하는 단계는 약 70 ~ 150 ℃, 바람직하게는 90 ~ 110 ℃의 온도 범위에서 수행될 수 있으며, (c) 단계의 열처리 공정은 100 ~ 110 ℃의 온도 범위에서 수행될 수 있다. When the organic insulating film is to be formed, the solution may be an insulator composition, and in step (a), the step of melting the hydrophobic material may be performed at a temperature range of about 70 to 150 ° C., preferably 90 to 110 ° C. And, the heat treatment process of step (c) may be performed at a temperature range of 100 ~ 110 ℃.

이하, 첨부하는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 보다 상세하게 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 초소수성(super-hydrophobic) 물질을 기판의 특정 영역에 형성한 뒤에 용액 타입의 용매를 도포하여 금속 패턴을 형성하는 공정을 단계별로 도시한 공정도이다. 우선, 도 2a에 도시된 것과 같이 산화실리콘, 유리, 플라스틱 등의 친수성 물질로 제조되는 기판(100)의 상면으로 소수성 단층막(110)을 형성할 수 있는 초소수성의 물질이 돌출 패턴에 부착되어 있는 스탬프(160)를 적용한다. 2A to 2E illustrate step by step of forming a metal pattern by forming a super-hydrophobic material in a specific region of a substrate and then applying a solvent-type solvent according to an exemplary embodiment of the present invention. It is a process chart. First, as shown in FIG. 2A, a superhydrophobic material capable of forming the hydrophobic monolayer 110 on the upper surface of the substrate 100 made of a hydrophilic material such as silicon oxide, glass, or plastic is attached to the protruding pattern. Apply a stamp 160.

도 2a에 도시되어 있는 스탬프(160)는 예를 들어 바람직하게는 PDMS(polydimethtylsiloxane), 실리콘 러버(silicon rubber), 폴리우레탄, 폴리우레탄아크릴레이트, 폴리이미드 등과 같은 탄성물질과 같은 '소프트 몰드' 방법에 의하여 제조되는데, 도 4a 내지 도 4f에서는 스탬프(160)의 제조하여 스탬프(160)의 돌출된 패턴으로 소수성 작용기를 갖는 물질이 접촉하기까지의 공정을 단계별로 도시한 도면이다. The stamp 160 shown in FIG. 2A is preferably a 'soft mold' method, for example, an elastic material such as polydimethtylsiloxane (PDMS), silicone rubber, polyurethane, polyurethane acrylate, polyimide, and the like. 4A to 4F illustrate a step by step of manufacturing the stamp 160 and contacting the material having the hydrophobic functional group in the protruding pattern of the stamp 160.

우선, 도 4a에 도시된 것과 같이 평평한 몰드(mold) 또는 베이스 기판(151) 상에 무기물질인 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiO2)을 증착하거나 또는 phtolithography 기술을 통한 포토레지스트층을 도포하는 방법을 이용하여 금속 또는 금속산화물이 적층되는 형태로 원하는 크기 및 높이를 갖는 패턴(152)을 형성하여 마스터(master, 150)를 제작한다. 마스터(150)를 이루는 상기 베이스 기판(151)은 예컨대 실리콘, 석영 등의 물질이 될 수 있다. First, as shown in FIG. 4A, silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO 2 ), which is an inorganic material, is deposited on a flat mold or base substrate 151, or a photoresist layer is applied through a phtolithography technique. By using a method to form a metal or metal oxide is laminated to form a pattern (152) having a desired size and height to produce a master (master, 150). The base substrate 151 constituting the master 150 may be, for example, a material such as silicon or quartz.

이어서, 도 4b에 도시된 것과 같이 패턴(152)이 형성된 마스터(150)의 전면으로 바람직하게는 PDMS, 폴리우레탄아크릴레이트와 같은 elastomer가 도포되어 있는 탄성물질층(162)을 형성한 뒤, 상온 또는 적절한 온도에서 탄성물질층(162)을 놓아 두어 경화(curing)되도록 한다. 다음에 경화된 탄성물질층(162)을 마스터(150)로부터 제거하면 도 4c에 도시된 것과 같이, 마스터 상부에 형성되어 있던 패턴(152)에 상응하는 돌출 패턴(164)을 갖는 스탬프(160)가 완성된다. 이어서 도 4d에 도시된 것과 같이, 돌출 패턴(164)을 갖는 스탬프(160)를 말단에 본 발명에 따라 사용되는 초소수성의 물질(110)이 스며들어 있는 레진(resin, 170), 예컨대 PDMS로 만들어지는 레진(170)으로 가압하면, 도 4e에 도시된 것과 같이 스탬프(160)의 돌출 패턴(164) 하단으로 소수성 단층막(110)을 형성할 수 있는 물질이 부착된다. Subsequently, as shown in FIG. 4B, an elastic material layer 162 having an elastomer such as PDMS and polyurethane acrylate is preferably applied to the entire surface of the master 150 on which the pattern 152 is formed. Alternatively, the elastic material layer 162 may be placed at an appropriate temperature to cure. Next, when the cured elastic material layer 162 is removed from the master 150, the stamp 160 having the protruding pattern 164 corresponding to the pattern 152 formed on the master as shown in FIG. 4C. Is completed. Then, as shown in FIG. 4D, a stamp 160 having a protruding pattern 164 is made into a resin 170, for example PDMS, which is infiltrated with a superhydrophobic material 110 used in accordance with the present invention at its distal end. When pressurized with the resin 170 to be made, a material capable of forming the hydrophobic monolayer 110 is attached to the lower end of the protruding pattern 164 of the stamp 160 as shown in FIG. 4E.

상술한 것과 같이 초소수성 물질이 돌출 패턴에 부착된 스탬프(160)를 기판에 적용하게 되면, 기판 영역 중에서 스탬프(160)에 돌출 패턴(164)에 대응되는 선택 영역으로 초소수성 물질이 전사되어, 도 2b에 도시된 것과 같이 분자수준의 자기배열단층막(self-assembled monolayer, SAM)을 이루는 소수성 단층막(110)이 형성된다. 일반적으로 표시 소자에 사용되는 기판(100)은 플라스틱, 유리 등의 친수성 물질로 만들어지므로, 소수성 단층막(110)이 형성됨에 따라 기판(100)은 소수 영역과 친수 영역으로 구분된다.As described above, when the stamp 160 having the superhydrophobic material attached to the protruding pattern is applied to the substrate, the superhydrophobic material is transferred from the substrate region to the selected region corresponding to the protruding pattern 164. As shown in FIG. 2B, a hydrophobic monolayer 110 is formed to form a molecular self-assembled monolayer (SAM). In general, since the substrate 100 used for the display element is made of a hydrophilic material such as plastic or glass, the substrate 100 is divided into a hydrophobic region and a hydrophilic region as the hydrophobic monolayer film 110 is formed.

본 발명에 따라 사용될 수 있는 초소수성의 물질로는 양 말단에 탄소수 1~20, 바람직하게는 3~20의 알킬기를 갖는 알킬케톤다이머(alkyl ketone dimer, AKD), 디알킬케톤(dialkyl ketone, DAK), 또는 이들 혼합물을 사용할 수 있다. 본 발명에 따라 형성되는 알킬케톤다이머와 디알킬케톤은 하기 화학식에 의하여 제조될 수 있다. Superhydrophobic materials that can be used according to the present invention include alkyl ketone dimers (AKDs) and dialkyl ketones (DAK) having alkyl groups of 1 to 20, preferably 3 to 20, carbon atoms at both ends. ), Or mixtures thereof. The alkyl ketone dimer and the dialkyl ketone formed according to the present invention may be prepared by the following formula.

화학식Chemical formula

Figure 112006042877244-pat00001
Figure 112006042877244-pat00001

상술한 것과 같이 본 발명에 따라 사용되는 DAK, AKD 등은 말단의 소수성 알킬기와 중앙의 역시 소수성인 케톤기를 함유하고 있어 초소수성을 가지게 되는데, 이와 같은 소수성 물질을 기판(100)의 상면으로 drop한 후에 바로 건조시켜 소수성 단층막을 형성하거나 또는 drop 후에 기판과 함께 소정의 온도로 용융(melting)한 뒤 상온에서 냉각(cooling down) 하는 방법을 이용하는 것이 바람직하다. 바로 건조시키는 경우에는 도 6의 우측에 도시된 것과 같이 평평한 표면 형태를 가지는 반면에, 용융 및 냉각 단계로 형성된 단층막은 도 6의 좌측에 도시된 것과 같이 rough한 표면 형태를 이루어 그 접촉각이 최대 170도까지 가능하게 되므로 미세한 패턴을 균일하게 형성할 수 있다.As described above, DAK, AKD, etc. used in accordance with the present invention contain a hydrophobic alkyl group at the end and also a hydrophobic ketone group in the center and thus have superhydrophobicity. The hydrophobic material is dropped onto the upper surface of the substrate 100. It is preferable to use a method of drying immediately to form a hydrophobic monolayer film or melting and dropping together with the substrate at a predetermined temperature after cooling and then cooling down at room temperature. In the case of drying immediately, a flat surface form as shown on the right side of FIG. 6 has a flat surface shape, whereas a monolayer film formed by the melting and cooling steps has a rough surface form as shown on the left side of FIG. Since it is possible to form, a fine pattern can be formed uniformly.

본 실시예에 따르면 탄소수 16의 알킬기를 말단에 가지는 AKD의 용융점이 67℃이고 DAK는 84℃이므로, 소수성 물질이 기판(100)의 상면으로 전사된 뒤에 용융 처리는 소수성 물질을 용융시킬 수 있는 온도 범위에서 수행되는데, 70 ~ 150 ℃, 바람직하게는 90 ~ 110 ℃에서 수행될 수 있다. 이와 같은 용융 온도는 유리 기판이 가지는 용융 온도인 약 550℃는 물론이고, 플라스틱 소재의 flexible 기판의 유리 전이 온도인 150 ~ 220℃보다 낮은 온도이므로, 본 발명에 따른 용융 처리는 실리콘, 유리 기판은 물론이고 플라스틱 기판에도 응용될 수 있다. According to this embodiment, since the melting point of AKD having an alkyl group having 16 carbon atoms at the end is 67 ° C. and the DAK is 84 ° C., after the hydrophobic material is transferred to the upper surface of the substrate 100, the melting process is a temperature at which the hydrophobic material can be melted. It is carried out in a range, it may be carried out at 70 ~ 150 ℃, preferably 90 ~ 110 ℃. Such a melting temperature is lower than about 550 ℃, which is a melting temperature of the glass substrate, and lower than the glass transition temperature of 150 to 220 ℃ of the flexible substrate of the plastic material, the melt treatment according to the present invention is a silicon, glass substrate Of course, it can also be applied to plastic substrates.

이어서, 도 2c에 도시된 것과 같이 친수 영역과 소수 영역으로 구분될 수 있도록 소수성 단층막(110)이 형성되어 있는 기판(100)의 전면으로, 예를 들어 유기 용매에 의하여 분산되어 있는 소자 물질이 함유되어 있는 용액(120)을 도포한다. 본 발명과 관련하여 소자 물질이 분산되어 있는 용액을 도포하는 방법으로서는 예를 들어 ink-jetting 방식으로서 노즐을 통하여 기판의 전면으로 용액을 도포하는 방법을 사용할 수 있다. Subsequently, an element material dispersed by, for example, an organic solvent is disposed on the entire surface of the substrate 100 on which the hydrophobic monolayer film 110 is formed so as to be divided into a hydrophilic region and a hydrophobic region, as shown in FIG. 2C. The solution 120 is applied. As a method of applying the solution in which the element material is dispersed in the context of the present invention, a method of applying the solution to the entire surface of the substrate through a nozzle may be used, for example, by ink-jetting.

한편, 본 발명과 관련하여 소수성 단층막(110)이 형성되어 있는 기판(100)의 상면으로 도포되는 용액에 함유되는 소자 물질로는 금속 전극의 원료로 사용될 수 있는 나노 금속 파티클, 나노 와이어, 유기 절연막 등의 유기 박막, 유무기 하이브리드 박막의 원료로 사용될 수 있는 유기 물질 및 무기 물질을 들 수 있다. 본 실시예에서는 이와 같이 다양한 소자 물질 중에서 TFT의 게이트 전극, 소스/드레인 전극, 데이터라인, 화소전극과 같은 전극의 금속 패턴을 형성할 수 있는 나노 파티 클이 친수성 작용기, 예를 들어 아민기(NH2)를 갖는 유기 용매에 분산된 경우를 일례로 설명한다. Meanwhile, as the device material contained in the solution applied to the upper surface of the substrate 100 on which the hydrophobic monolayer film 110 is formed in accordance with the present invention, nano metal particles, nano wires, and organic materials that can be used as raw materials for metal electrodes Organic materials and inorganic materials which can be used as a raw material of organic thin films, such as an insulating film, and an organic-inorganic hybrid thin film, are mentioned. In the present exemplary embodiment, nanoparticles capable of forming metal patterns of electrodes such as gate electrodes, source / drain electrodes, data lines, and pixel electrodes of TFTs may include hydrophilic functional groups such as amine groups (NH). The case where it is disperse | distributed to the organic solvent which has 2 ) is demonstrated as an example.

아민기를 갖는 유기 용매에 의하여 분산된 나노 파티클은 유기 용매와의 상호 작용에 따라 특정한 형태를 가지는데, 특히 도면에 도시된 것과 같이, 나노 파티클을 에워싸고 있는 유기 용매 중에서 나노 파티클과 친화력이 거의 없는 아민 작용기는 나노 파티클과 접촉하지 않기 위하여 나노 파티클의 외부로 돌출되는 형태의 미셀(micelle) 형태를 가지게 된다. 이러한 나노 파티클의 분산을 유도하기 위하여 용액 중에는 분산제가 포함될 수 있다. Nanoparticles dispersed by an organic solvent having an amine group have a specific shape depending on the interaction with the organic solvent, and in particular, as shown in the drawing, there is little affinity with the nanoparticles in the organic solvent surrounding the nanoparticles. The amine functional group has a micelle form that protrudes out of the nanoparticles so as not to contact the nanoparticles. In order to induce the dispersion of such nanoparticles, a dispersant may be included in the solution.

본 실시예에 따라 나노 파티클로 형성될 수 있는 금속 소자 물질로는 금, 은, 알루미늄, 니켈, 텅스텐, 몰리브덴, 알루미늄-네오디뮴 혼합물, ITO 등의 통상적인 금속 물질을 포함한다. 한편, 나노 파티클을 에워싸는 말단에 친수성 작용기를 가지는 유기 용매로는 말단에 하이드록시기를 갖는 이소프로필알코올, 부틸알코올, 2-메톡시에탄올(2-methoxy ethanol), 2-부톡시에탄올, 1-부탄올, 1-펜탄올, 이소부탄올, 에틸헥산올, 1-옥탄올, 사이클로헥산올, 옥탄올, 데칸올, 도데칸올,과 같은 알코올계 용매, 또는 피리미딘, 피롤리딘, 탄소수 1~20의 알킬아민 등과 같은 아민계 용매, 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트와 같은 아세테이트계 용매 등을 들 수 있다. Metal element materials that can be formed into nanoparticles according to this embodiment include conventional metal materials such as gold, silver, aluminum, nickel, tungsten, molybdenum, aluminum-neodymium mixtures, ITO, and the like. On the other hand, as an organic solvent having a hydrophilic functional group at the terminal surrounding the nanoparticles, isopropyl alcohol, butyl alcohol, 2-methoxy ethanol, 2-butoxyethanol, 1-butanol having a hydroxyl group at the terminal , Alcohol solvents such as 1-pentanol, isobutanol, ethylhexanol, 1-octanol, cyclohexanol, octanol, decanol, dodecanol, or pyrimidine, pyrrolidine, of 1 to 20 carbon atoms Amine solvents such as alkylamine, and acetate solvents such as ethyl acetate and butyl acetate.

한편, 나노 파티클을 에워싸고 있는 유기 용매 말단의 친수성 작용기, 예컨대 아민 작용기가 외부로 향하는 미셀 형태를 가지기 위해서는 나노 파티클과 아민기 사이의 표면 장력을 감소시키는 형태로 유도할 필요가 있는데, 이를 위하여 계면활성제(surfactant)가 유기 용매에 포함될 수 있다. 본 발명에 따라 사용될 수 있는 계면활성제로는 이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제가 사용될 수 있는데, 일례로서 아민기 또는 하이드록시기와 같은 친수성 작용기를 갖는 유기 용매를 사용하는 경우에는 이와 같은 친수성 작용기와 작용하지 않는 양이온성 계면활성제를 사용하는 것이 특히 바람직하다. On the other hand, in order to have a micelle form in which the hydrophilic functional groups, such as amine functional groups, at the end of the organic solvent surrounding the nanoparticles are directed to the outside, it is necessary to induce a form that reduces the surface tension between the nanoparticles and the amine groups. Surfactants may be included in the organic solvent. As the surfactant which can be used according to the present invention, an ionic surfactant or a nonionic surfactant may be used. For example, when using an organic solvent having a hydrophilic functional group such as an amine group or a hydroxy group, such a hydrophilic functional group may be used. Particular preference is given to using cationic surfactants which do not function.

본 발명에 따라 사용될 수 있는 계면활성제로는 알콕시 지방산, 알콕시 알콜, 알콕시 폴리실록산과 같은 비이온성 계면활성제를 들 수 있다. 한편, 이온성 계면활성제로는 알킬아민기로 치환되어 있는 N-(6-아미노헥실)-3-아미노프로필트리메톡시실란(N-(6-aminohexyl)-3-aminopropyl trimethoxy silane), 아미노헥실아미노메틸트리에톡시실란(aminohexyl aminomethyl triethoxy silane), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyl trimethoxy silane), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyl triethoxy silane), N-베타-(아미노에틸)-감마-아미노프로필메틸디메톡시실란(N-β-(aminoetyhl)-γ-aminopropyl methyl dimethoxy silane), N-[N'-(2-아미노에틸)아미노에틸]-3-아미노프로필트리메톡시실란(N-[N']-(2-aminoethyl) aminoethyl]-3-aminopropyl trimethoxy silane), N-[N'-(2-아미노에틸)아미노에틸]-3-아미노프로필트리에톡시실란(N-[N']-(2-aminoethyl) aminoethyl]-3- aminopropyl triethoxy silane), N-[N'-(2-아미노에틸)아미노에틸]-3-아미노프로필메틸디메톡시실란(N-[N']-(2-aminoethyl) aminoethyl]-3-aminopropyl methyl dimethoxy silane), N-[N'-(2-아미노에틸)아미노에틸]-3-아미노프로필 메틸 디에톡시실란(N-[N']-(2-aminoethyl) aminoethyl]-3-aminopropyl methyl dimethoxy silane), 3-(N-사이클로헥실아미노)프로필트리메톡시실란(3-(N-cyclohexyl amino) propyl trimethoxy silane), 아미노프로필트리메톡시실란(aminopropyl trimethoxy silane), 아미노프로필트리에톡시실란(aminopropyl triethoxy silane) 등의 실란계 물질을 포함하는데, 이와 같이 아민기를 가지고 있는 실란계 물질은 자체 용매로도 사용될 수 있거나 분산제로서의 기능 또한 수행할 수 있다. Surfactants that can be used according to the present invention include nonionic surfactants such as alkoxy fatty acids, alkoxy alcohols, alkoxy polysiloxanes. On the other hand, as the ionic surfactant, N- (6-aminohexyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane (N- (6-aminohexyl) -3-aminopropyl trimethoxy silane) substituted with an alkylamine group, aminohexylamino Methyltriethoxysilane (aminohexyl aminomethyl triethoxy silane), N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane (N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyl trimethoxy silane), N- (2- Aminoethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane (N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyl triethoxy silane), N-beta- (aminoethyl) -gamma-aminopropylmethyldimethoxysilane (N-β- (aminoetyhl) -γ-aminopropyl methyl dimethoxy silane), N- [N '-(2-aminoethyl) aminoethyl] -3-aminopropyltrimethoxysilane (N- [N']-(2-aminoethyl) aminoethyl ] -3-aminopropyl trimethoxy silane), N- [N '-(2-aminoethyl) aminoethyl] -3-aminopropyltriethoxysilane (N- [N']-(2-aminoethyl) aminoethyl] -3 aminopropyl triethoxy silane), N- [N '-(2-aminoethyl) aminoethyl] -3-aminopropylmethyldimethoxysilane (N- [N ']-(2-aminoethyl) aminoethyl] -3-aminopropyl methyl dimethoxy silane), N- [N'-(2-aminoethyl) aminoethyl] -3 -Aminopropyl methyl diethoxysilane (N- [N ']-(2-aminoethyl) aminoethyl] -3-aminopropyl methyl dimethoxy silane), 3- (N-cyclohexylamino) propyltrimethoxysilane (3- (N silane-based materials such as -cyclohexyl amino) propyl trimethoxy silane, aminopropyl trimethoxy silane, aminopropyl triethoxy silane, and the like. Silver can also be used as its own solvent or can also function as a dispersant.

상술한 것과 같이 말단에 친수성 작용기로서 아민기를 갖는 유기 용매에 의하여 분산된 나노 파티클이 기판의 상면으로 도포되면, 친수성 아민기는 소수성 단층막(110)이 형성된 소수성 작용기(알킬기, 케톤기)에 대해서는 표면반발력이 생성되기 때문에 소수성 단층막(110)이 형성되지 않은 기판(100)에 형성된 친수성 작용기와 직접 친화적으로 배열된다. 이에 따라 도 2d에 도시된 것과 같이, 친수성 작용기의 용매(도 2c의 120)에 함유되어 있는 나노 파티클(도 2c의 122) 또한 친수 영역인 기판(100)의 상부로 집중적으로 배열되어 분산 패턴(121)을 형성하게 된다.As described above, when nanoparticles dispersed by an organic solvent having an amine group as a hydrophilic functional group at the end are applied to the upper surface of the substrate, the hydrophilic amine group is surfaced on the hydrophobic functional group (alkyl group, ketone group) on which the hydrophobic monolayer film 110 is formed. Since the repelling force is generated, the hydrophobic monolayer film 110 is arranged to be directly friendly with the hydrophilic functional groups formed on the substrate 100 that are not formed. Accordingly, as shown in FIG. 2D, the nanoparticles (122 of FIG. 2C) contained in the solvent of the hydrophilic functional group (120 of FIG. 2C) may also be concentrated and arranged on top of the substrate 100, which is a hydrophilic region. 121).

이와 같이 친수 영역으로만 분산 패턴(121)이 형성되어 있는 기판을 소정의 온도로 열처리하는 소성(sintering) 공정을 거치면, 분산 패턴(121) 내에 형성되어 있는 나노 파티클이 부착된 영역에서 증착하고, 액상인 유기 용매 및 소수성 단층 막(110)은 거의 대부분 제거된다. 이에 따라, 도 2e에 도시된 것과 같이, 기판(100)의 친수 영역으로만 금속 패턴(124)이 형성되어 금속 배선이 완성된다. 본 단계에서 열처리는 사용되는 유기 용매, 나노 파티클의 종류에 따라 열처리 공정 온도는 달라질 수 있으나, 바람직하게는 100 ~ 150 ℃ 범위의 온도에서 수행된다. As described above, when the substrate in which the dispersion pattern 121 is formed only in the hydrophilic region is subjected to a sintering process of heat-treating at a predetermined temperature, the substrate is deposited in the region where the nanoparticles formed in the dispersion pattern 121 are attached. The liquid organic solvent and the hydrophobic monolayer film 110 are almost removed. Accordingly, as shown in FIG. 2E, the metal pattern 124 is formed only in the hydrophilic region of the substrate 100, thereby completing the metal wiring. In this step, the heat treatment may be performed according to the type of the organic solvent and the nanoparticles used, but the heat treatment process temperature is preferably performed at a temperature in the range of 100 to 150 ° C.

결국, 본 실시예에 따르면 소수성 단층막(110)을 이루는 작용기와 상반되는 극성의 친수성 아민기가 말단에 형성되는 용매에 분산되어 있는 나노 파티클을 도포함으로써, 기판(100)의 친수 영역으로 미세한 금속 패턴을 형성하여 최종적으로 금속 전극을 제조할 수 있다. As a result, according to the present exemplary embodiment, a fine metal pattern is applied to the hydrophilic region of the substrate 100 by applying nanoparticles dispersed in a solvent in which a hydrophilic amine group having a polarity opposite to that of the functional group constituting the hydrophobic monolayer film 110 is formed. To form a metal electrode can be finally made.

도 7a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 분산 용매를 잉크젯 프린팅 방식의 노즐을 통하여 기판에 분사함으로써 라인 패턴이 형성된 기판의 SEM 사진이고, 도 7b는 도 7a의 특정 영역을 확대한 SEM 사진이다. 도시된 것과 같이 미세한 선폭의 금속 패턴이 균일하게 형성되었음을 확인할 수 있다. FIG. 7A is a SEM photograph of a substrate on which a line pattern is formed by spraying a dispersion solvent onto a substrate through an inkjet printing nozzle according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 7B is an enlarged SEM photograph of a specific region of FIG. 7A. . As shown, it can be confirmed that the metal pattern having a fine line width is uniformly formed.

한편, 상술한 실시예에 따르면 친수성 작용기가 말단에 형성된 유기 용매를 사용함으로써, 초소수성의 물질이 적층되지 않은 기판 영역으로 유기 용매가 자기배열되도록 하여 금속 패턴을 형성하였으나, 소수성 유기 용매를 사용함으로써, 초소수성 물질이 형성된 영역으로만 금속 패턴이 형성될 수 있는데, 도 3a 내지 도 3b는 이와 같이 소수영역으로 금속 패턴이 형성되는 공정을 단계별로 도시한 공정도로서 상술한 실시예와 중복되는 내용에 대해서는 자세한 설명은 생략하기로 한 다. On the other hand, according to the above-described embodiment, by using an organic solvent in which the hydrophilic functional group is formed at the end, the organic solvent is self-arranged to the substrate region where the superhydrophobic material is not laminated to form a metal pattern, but by using a hydrophobic organic solvent The metal pattern may be formed only in a region in which the superhydrophobic material is formed, and FIGS. 3A to 3B are process diagrams illustrating a step of forming the metal pattern in the minority region in a step-by-step manner. Detailed description will be omitted.

우선 AKD, DAK 및 이들 혼합물이 적용된 돌출 패턴을 갖는 스탬프(160)를 기판(100)의 상면으로 적용하면(도 3a), 소정의 영역으로 초소수성 물질의 단층막(110)이 형성되고 기판은 소수영역과 친수영역으로 구분된다(도 3b). 이어서, 기판(100)의 전면으로 소수성 작용기(도면에서는 R로 표시됨)를 갖는 소수성 용매에 분산되어 있는 나노 파티클(122)을 함유하는 용액(120)을 도포한다(도 3c). First, when the stamp 160 having the protruding pattern to which AKD, DAK and these mixtures are applied is applied to the upper surface of the substrate 100 (FIG. 3A), a monolayer film 110 of a superhydrophobic material is formed in a predetermined region and the substrate is formed. It is divided into a minority region and a hydrophilic region (Fig. 3b). Subsequently, a solution 120 containing nanoparticles 122 dispersed in a hydrophobic solvent having a hydrophobic functional group (indicated by R in the drawing) is applied to the entire surface of the substrate 100 (FIG. 3C).

본 실시예에서는 따른 분산 용액(120)에는 알킬기와 같이 극성을 띠지 않는 소수성 용매가 포함되어 있고, 소수성 작용기(R)는 나노 파티클(120)을 중심으로 외부로 돌출되는 미셀 형태를 띠게 된다. 이에 따라 본 실시예에 따라 사용된 용매의 소수성 작용기(R)는 초기에는 기판(100)의 전면으로 도포됨에도 불구하고, 기판(100)의 친수 영역과는 반발하지만, 소수성 단층막(110)의 말단에 형성되는 소수성 작용기와 친화적으로 상호작용하게 된다. 이에 따라, 도 3d에 도시된 것과 같이 나노 파티클(122)이 분산되어 있는 용매는 소수성 단층막(110)이 형성되어 있는 소수영역으로 집중적으로 배열됨으로써, 분산 패턴(121)을 형성한다. 이어서 분산 패턴(121)이 형성된 기판(100)을 소정의 온도에서 열처리하면 미세한 금속 패턴(124)이 형성되어 금속 전극이 완성될 수 있다. In the present exemplary embodiment, the dispersion solution 120 includes a hydrophobic solvent having no polarity, such as an alkyl group, and the hydrophobic functional group R has a micelle shape that protrudes to the outside with respect to the nanoparticles 120. Accordingly, although the hydrophobic functional group R of the solvent used according to the present embodiment is initially applied to the entire surface of the substrate 100, the hydrophobic functional group R of the solvent repels the hydrophilic region of the substrate 100, but It will interact friendlyly with the hydrophobic functional groups formed at the ends. Accordingly, as shown in FIG. 3D, the solvent in which the nanoparticles 122 are dispersed is concentrated in the hydrophobic region where the hydrophobic monolayer film 110 is formed, thereby forming the dispersion pattern 121. Subsequently, when the substrate 100 on which the dispersion pattern 121 is formed is heat-treated at a predetermined temperature, a fine metal pattern 124 may be formed to complete the metal electrode.

본 실시예와 관련하여 나노 파티클(122)을 분산할 수 있는 소수성 작용기를 갖는 용매로는 헥산 등의 지방족 탄화수소 용매; 톨루엔, 자일렌, 니트로벤젠과 같은 방향족 용매; 메틸에틸케톤, 아세톤 등의 케톤계 용매; 사이클로헥산온, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르와 같은 에테르계 용매 등을 들 수 있다. As a solvent having a hydrophobic functional group capable of dispersing the nanoparticles 122 in connection with the present embodiment, an aliphatic hydrocarbon solvent such as hexane; Aromatic solvents such as toluene, xylene, nitrobenzene; Ketone solvents such as methyl ethyl ketone and acetone; Ether solvents such as cyclohexanone, tetrahydrofuran, ethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, and the like.

한편, 본 실시예에 있어서 나노 파티클(122)과 소수성 용매 사이의 표면장력을 감소시켜 미셀 형태를 유도할 수 있는 계면활성제가 사용될 수 있다. 본 실시예와 관련하여 바람직한 계면활성제로는 비이온성 계면활성제로서 상술한 실시예에서 기술한 바 있는 비이온성 계면활성제는 물론이고, 알킬기, 알콕시기, 에폭시기 등으로 치환되어 있는 실란 계열의 물질을 포함한다. 이와 같은 실란 계열의 비이온성 계면활성제로는 글리시독시프로필트리메톡시실란(glycidoxy propyl trimethoxy silane), 글리시독시프로필트리에톡시실란(glycidoxy propyl triethoxy silane), 글리시독시프로필메틸디메톡시실란(glycidoxy propyl methyl dimethoxy silane), 글리시독시프로필메틸디에톡시실란(glycidoxy propyl methyl diethoxy silane), 메타크릴록시프로필트리메톡시실란(methacryloxy proply trimethoxy silane), 메타크릴록시프로필트리에톡시실란(methacryloxy proply triethoxy silane), 비닐트리메톡시실란(vinyl trimethoxy silane), 비닐트리에톡시실란(vinyl triethoxy silane), 옥틸트리메톡시실란(octyl trimethoxy silane), 도데실트리메톡시실란(dodecyl trimethoxy silane), 도데실메틸디메톡시실란(dodecyl methyl dimethoxy silane), 옥타데실트리메톡시실란(octadecyl trimethoxy silane), 옥타데실트리에톡시실란(octadecyl triethoxy silane) 등을 포함할 수 있다. Meanwhile, in the present embodiment, a surfactant capable of inducing micelle form by reducing the surface tension between the nanoparticles 122 and the hydrophobic solvent may be used. Preferred surfactants in connection with this embodiment include silane-based materials substituted with alkyl groups, alkoxy groups, epoxy groups, as well as nonionic surfactants described in the above examples as nonionic surfactants. do. Such silane-based nonionic surfactants include glycidoxy propyl trimethoxy silane, glycidoxy propyl triethoxy silane, glycidoxy propyl methyl dimethoxy silane ( glycidoxy propyl methyl dimethoxy silane, glycidoxy propyl methyl diethoxy silane, methacryloxy proply trimethoxy silane, methacryloxypropyl triethoxy silane (methacryloxy proply triethoxy silane, vinyl trimethoxy silane, vinyl triethoxy silane, octyl trimethoxy silane, dodecyl trimethoxy silane, dodecyl Dodecyl methyl dimethoxy silane, octadecyl trimethoxy silane, octadecyl triethoxy si lanes) and the like.

한편, 상술한 실시예에서는 금속 전극을 형성하기 위하여 나노 크기의 금속 파티클이 분산되어 있는 유기 용매를 사용한 경우를 일례로 설명하였으나, 나노 파티클 대신에 유기 고분자, 유기 저분자 등을 포함하는 절연체 조성물을 적절한 용매에 분산시킴으로써 유기 절연막, 유무기 하이브리드 박막, 유기 반도체층 등과 같은 유기 박막을 형성할 수 있는데, 도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 유기 절연막을 형성하는 공정을 단계별로 도시한 공정도이다. Meanwhile, in the above-described embodiment, an example in which an organic solvent in which nano-sized metal particles are dispersed is used to form a metal electrode is described as an example. However, an insulator composition including an organic polymer, an organic low molecule, or the like may be appropriately used instead of the nano particles. By dispersing in a solvent, an organic thin film such as an organic insulating film, an organic-inorganic hybrid thin film, an organic semiconductor layer, or the like may be formed. FIGS. 5A to 5E illustrate steps of forming an organic insulating film according to a preferred embodiment of the present invention. It is a process chart.

도 5a에 도시된 것과 같이, AKD, DAK, 또는 이들 혼합물의 초소수성 물질이 돌출 패턴에 부착되어 있는 스탬프(160)를 금속 전극(202)이 형성된 기판(200)의 상면에 적용시킨다. 이에 따라, 도 5b에 도시된 것과 같이, 상기 스탬프(160)의 돌출 패턴에 접촉한 금속 전극(202)의 상면으로 소수성 단층막(210)이 형성되어 이 부분은 소수 영역을 이루고, 나머지 부분은 유리, 산화실리콘 부분으로서 친수 영역을 형성한다. As shown in FIG. 5A, a stamp 160 having AKD, DAK, or a superhydrophobic material of these mixtures attached to the protruding pattern is applied to the top surface of the substrate 200 on which the metal electrode 202 is formed. Accordingly, as shown in FIG. 5B, the hydrophobic monolayer film 210 is formed on the upper surface of the metal electrode 202 in contact with the protruding pattern of the stamp 160, and this portion forms a hydrophobic region, and the remaining portion is Hydrophilic regions are formed as glass and silicon oxide parts.

다음으로 금속 전극(202) 및 소수성 단층막(210)이 형성된 소수영역과 기판이 그대로 노출되어 있는 친수 영역으로 구분되는 기판(200)의 전면으로 유기 용매에 분산되어 있는 소자 물질인 절연체 조성물(220)을 도포하면, 초기에는 도 5c에 도시된 것과 같이, 소자 물질이 분산되어 있는 절연체 조성물(220)이 소수영역 및 친수영역을 모두 포함하는 기판(200)의 전면에 도포된다.Next, an insulator composition 220 which is an element material dispersed in an organic solvent on the entire surface of the substrate 200 divided into a hydrophobic region in which the metal electrode 202 and the hydrophobic monolayer film 210 are formed and a hydrophilic region in which the substrate is exposed. ), Initially, as shown in FIG. 5C, the insulator composition 220 in which the device material is dispersed is applied to the entire surface of the substrate 200 including both the hydrophobic region and the hydrophilic region.

본 실시예에 따른 절연체 조성물에는 일반적인 유기 단량체 및/또는 유기 고분자와 이들을 용해 또는 분산시키는 유기 용매를 포함하며, 유무기 하이브리드계 소자로 사용되는 경우에는 유무기 금속 하이브리드 물질과 같은 하이브리드 물질이 더욱 포함될 수 있다. The insulator composition according to the present embodiment includes a general organic monomer and / or an organic polymer and an organic solvent for dissolving or dispersing them, and, when used as an organic-inorganic hybrid device, further includes a hybrid material such as an organic-inorganic metal hybrid material. Can be.

이 때, 본 실시예에 따른 유기 절연체 조성물에 첨가될 수 있는 유기 고분자로서는 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리페닐렌비닐렌, PEDOT, 폴리카보네이트, 폴리비닐알코올, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리메타크릴아마이드, PEDOT/PSS 혼합물 등의 고분자 유기 화합물을 포함하지만, 이에 제한되는 것은 결코 아니다. At this time, as the organic polymer that can be added to the organic insulator composition according to the present embodiment, polythiophene, polyaniline, polyacetylene, polypyrrole, polyphenylenevinylene, PEDOT, polycarbonate, polyvinyl alcohol, polymethyl methacrylate Polymer organic compounds such as, but not limited to, polymethacrylamide, PEDOT / PSS mixtures.

또한, 유기 절연에 조성물에 포함되는 유기 단량체로는 메틸메타크릴레이트(methyl methacyrlate), 메틸아크릴레이트(methyl acrylate), 메타크릴산(methacrylic acid), 아크릴산(acrylic acid), 에틸렌글리콜디메타크릴레이트(ethylene glycol dimethacrylate), 에틸렌글리콜디아크릴레이트(ethylene glycol diacrylate), n-부틸메타크릴레이트(n-butyl methacrylate), n-부틸아크릴레이트(n-butyl acrylate), 스테아릴메타크릴레이트(stearyl methacrylate), 스테아릴아크릴레이트(stearyl acrylate), 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트(pentaerythritol triacrylate), 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트(diethylene glycol dimethacrylate), 디에틸렌글리콜디아크릴레이트(diethylene glycol diacrylate), 비닐아세테이트 등은 물론이고, 멜로시아닌, 프탈로시아닌, 페리센, 펜타센, C60, 티오펜 올리고머 등의 유기 활성물질을 포함한다. In addition, organic monomers included in the composition for organic insulation include methyl methacrylate, methyl acrylate, methacrylic acid, acrylic acid, ethylene glycol dimethacrylate. (ethylene glycol dimethacrylate), ethylene glycol diacrylate, n-butyl methacrylate, n-butyl acrylate, n-butyl acrylate, stearyl methacrylate ), Stearyl acrylate, pentaerythritol triacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol diacrylate, vinyl acetate, etc. Of course, it includes organic active materials such as melocyanine, phthalocyanine, ferricene, pentacene, C60, thiophene oligomer.

한편, 하이브리드 물질로서 구리 프탈로시아닌, 또는 실란계 화합물과 유기금속 화합물을 반응시켜 얻어지는 유무기 금속 하이브리드 물질을 포함한다. 한편, 유기 분자 및 유무기 하이브리드 물질의 분산을 유도하기 위하여 분산제가 포함될 수 있는데, On the other hand, the organic-inorganic metal hybrid material obtained by reacting copper phthalocyanine or a silane type compound with an organometallic compound as a hybrid material is included. Meanwhile, a dispersant may be included to induce dispersion of organic molecules and organic-inorganic hybrid materials.

특히, 유기 절연막 또는 유무기 하이브리드 박막을 형성하는 경우에 사용되는 유기 분자 또는 무기 분자를 분산시키기 위해서는 적절한 작용기를 갖는 용매가 사용될 수 있다. 본 실시예와 관련하여 사용될 수 있는 용매로는 헥산, 1,2-디클로로에탄, 1,2,3-트리클로로프로판 등의 치환되거나 치환되지 않은 탄화수수류; 톨루엔, 자일렌, 3-니트로-트리플루오로벤젠, 메틸나프탈렌, 메톡시나프탈렌, 디클로로벤젠, 디클로로톨루엔, 클로로나프탈렌, 디페닐에탄, 퀴놀린 등의 방향족 용매; 메틸에틸케톤, 아세톤 등의 케톤계 용매; 사이클로헥산온, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르와 같은 에테르계 용매를 포함하는 소극성 용매와, 이소프로필알코올, 부틸알코올, 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 2-부톡시에탄올, 1-부탄올, 1-펜탄올, 이소부탄올, 에틸헥산올, 1-옥탄올, 사이클로헥산올, 옥탄올, 데칸올, 도데칸올과 같은 알코올계 용매; 또는 N-메닐피롤리돈, 피리미딘, 피롤리딘, 탄소수 1~20의 알킬아민 등과 같은 아민계 용매, 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트와 같은 아세테이트계 용매; 디메틸 포름아미드, 디케닐설폭사이드와 같은 친수성 용매를 모두 포함할 수 있다. In particular, a solvent having an appropriate functional group can be used to disperse the organic molecules or inorganic molecules used in forming the organic insulating film or the organic-inorganic hybrid thin film. Solvents that can be used in connection with this embodiment include substituted or unsubstituted hydrocarbons such as hexane, 1,2-dichloroethane, 1,2,3-trichloropropane; Aromatic solvents such as toluene, xylene, 3-nitro-trifluorobenzene, methylnaphthalene, methoxynaphthalene, dichlorobenzene, dichlorotoluene, chloronaphthalene, diphenylethane and quinoline; Ketone solvents such as methyl ethyl ketone and acetone; A polar solvent including an ether solvent such as cyclohexanone, tetrahydrofuran, ethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, isopropyl alcohol, butyl alcohol, 2-methoxyethanol, Alcohol solvents such as 2-butoxyethanol, 1-butanol, 1-pentanol, isobutanol, ethylhexanol, 1-octanol, cyclohexanol, octanol, decanol, and dodecanol; Or amine solvents such as N-menylpyrrolidone, pyrimidine, pyrrolidine, alkylamine having 1 to 20 carbon atoms, and acetate solvents such as ethyl acetate and butyl acetate; Hydrophilic solvents such as dimethyl formamide, dikenylsulfoxide may be included.

상술한 절연체 조성물을 이루는 유기 화합물 또는 하이브리드 화합물을 소자 물질로 사용하는 경우에 소자 물질이 분산되어 있는 유기 용매의 극성에 따라 해당 물질은 소수성 단층막에 자기배열되거나 또는 친수성의 노출된 기판(200)의 상면에 친화적으로 자기배열되는데, 본 실시예에서는 예를 들어 친수성 유기 용매에 의하여 분산되어 있는 유무기 하이브리드 물질을 일례로 설명한다. When the organic compound or hybrid compound constituting the insulator composition described above is used as the device material, the material is self-arranged or hydrophilic exposed to the hydrophobic monolayer according to the polarity of the organic solvent in which the device material is dispersed. Although self-arranged in a friendly manner on the upper surface of the present invention, an organic-inorganic hybrid material dispersed by, for example, a hydrophilic organic solvent will be described as an example.

친수성 유기 용매에 의하여 절연체 조성물(220)이 이루어진 경우에, 절연체 조성물을 형성하는 유무기 하이브리드 물질은 친수성 유기 용매에 의하여 분산된다. 따라서 상술한 것과 같이 유무기 하이브리드 물질과 친수성 유기 용매는 그 표면장력을 감소시킬 수 있는 구조를 형성하는데, 바람직하게는 적절한 계면활성제를 용매 중에 혼합하게 되면 친수성 유기 용매와 유무기 하이브리드 물질의 주변에서 유기 용매의 친수성 작용기가 외부로 돌출된 형태의 미셀 구조를 이루게 된다. 이와 같은 유기 용매의 친수성 작용기와 유무기 하이브리드 물질 사이의 미셀 구조를 유도하기 위해서 상술한 바 있는 계면활성제, 바람직하게는 양이온성 계면활성제가 사용될 수 있다. When the insulator composition 220 is made of a hydrophilic organic solvent, the organic-inorganic hybrid material forming the insulator composition is dispersed by the hydrophilic organic solvent. Therefore, as described above, the organic-inorganic hybrid material and the hydrophilic organic solvent form a structure capable of reducing the surface tension. Preferably, when an appropriate surfactant is mixed in the solvent, the organic-inorganic hybrid material and the hydrophilic organic solvent are in the vicinity of the hydrophilic organic solvent and the organic-inorganic hybrid material. The hydrophilic functional groups of the organic solvent form a micelle structure in which they protrude to the outside. Surfactants as described above, preferably cationic surfactants, can be used to induce micelle structures between the hydrophilic functional groups of such organic solvents and organic-inorganic hybrid materials.

이와 달리 소수성의 작용기를 갖는 유기 용매에 유무기 하이브리드 물질이 분산되어 있는 경우에는 비이온성 계면활성제를 사용하는 것이 바람직한데, 상술한 바 있는 비이온성 계면활성제, 예컨대 실란 계열의 계면활성제를 사용할 수 있다. On the other hand, when an organic-inorganic hybrid material is dispersed in an organic solvent having a hydrophobic functional group, it is preferable to use a nonionic surfactant. A nonionic surfactant as described above, for example, a silane-based surfactant may be used. .

이에 따라, 유기 용매의 친수성 작용기는 친수영역인 노출된 기판에 형성된 친수성 작용기와 친화적으로 작용하여, 도 5d에 도시된 것과 같이 친수영역의 상단으로만 절연체 조성물이 친화적으로 배열된다. 이에 따라 친수성 용매를 갖는 절연체 조성물에 함유되어 있는 하이브리드 물질 역시 친수 영역인 기판(200)의 상면으로 직접 형성되어 분산 패턴(221)을 형성한다.Accordingly, the hydrophilic functional group of the organic solvent acts intimately with the hydrophilic functional group formed on the exposed substrate, which is a hydrophilic region, so that the insulator composition is only arranged on top of the hydrophilic region as shown in FIG. 5D. Accordingly, the hybrid material contained in the insulator composition having the hydrophilic solvent is also directly formed on the upper surface of the substrate 200 which is the hydrophilic region to form the dispersion pattern 221.

이어서, 분산 패턴(221)이 형성되어 있는 기판을 소정의 온도로 열처리하면 분산 패턴(221) 내에 있는 유무기 하이브리드 물질이 증착됨과 동시에 액상인 유기 용매 등이 제거된다. 따라서 도 5f에 도시된 것과 같이, 기판(200)의 친수영역의 상부, 즉 금속 전극(202)의 좌우에만 유기 절연막(224)이 완성된다. Subsequently, when the substrate on which the dispersion pattern 221 is formed is heat-treated at a predetermined temperature, an organic-inorganic hybrid material in the dispersion pattern 221 is deposited, and a liquid organic solvent and the like are removed. Therefore, as illustrated in FIG. 5F, the organic insulating layer 224 is completed only on the hydrophilic region of the substrate 200, that is, the left and right sides of the metal electrode 202.

본 실시예에서는 친수성 유기 용매에 분산된 하이브리드 물질을 도포하여 유기 절연막을 형성하는 것으로 설명하였다. AKD 등의 소수성의 물질을 금속 전극(202)의 좌우에 전사하여 기판(200)의 표면에 소수성 단층막(210)을 형성한 뒤, 소수성 유기 용매에 분산되어 있는 하이브리드 물질을 도포하면 소수성 단층막(210)이 형성된 부분으로만 유기 절연막을 형성할 수 있을 것이다. In the present embodiment, the hybrid insulating material dispersed in the hydrophilic organic solvent is applied to form an organic insulating film. A hydrophobic monolayer film is transferred to the left and right sides of the metal electrode 202 such as AKD to form a hydrophobic monolayer 210 on the surface of the substrate 200, and then a hybrid material dispersed in a hydrophobic organic solvent is applied. The organic insulating layer may be formed only at the portion where the 210 is formed.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 기술하였으나, 이는 어디까지나 본 발명을 예시하기 위한 것으로 본 발명이 이에 한정되는 것은 결코 아니다. 오히려 본 발명이 속하는 분야의 당업자라면 상술한 실시예에 기초하여 다양한 변형과 변경을 용이하게 추고할 수 있다는 점이 자명하다 할 것이다. 그러나 그와 같은 다양한 변형과 변경은 본 발명의 정신을 훼손하지 아니하는 범위 내에서 본 발명의 권리범위에 속한다는 사실은 첨부된 청구의 범위를 통하여 보다 분명해질 것이다. In the above, a preferred embodiment of the present invention has been described, but this is merely to illustrate the present invention, and the present invention is not limited thereto. Rather, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be easily made based on the embodiments described above. However, it will be apparent from the appended claims that such various modifications and changes fall within the scope of the present invention without departing from the spirit of the present invention.

본 발명에서는 초소수성을 갖는 물질의 적절한 처리를 통하여 접촉각이 크게 향상될 수 있는 소수성의 단층막을 형성한 뒤, 소자 물질이 분산된 용매에 형성되어 있는 작용기 사이의 표면반발력 또는 친화력을 이용하여 금속 전극 등의 미세 패턴이 균일하게 형성될 수 있도록 하였다. In the present invention, after forming a hydrophobic monolayer film in which the contact angle can be greatly improved through proper treatment of a material having superhydrophobicity, a metal electrode is used by using surface repulsion or affinity between functional groups formed in a solvent in which the device material is dispersed. The fine patterns such as can be formed uniformly.

특히, 본 발명에 따르면 종래 photolithography 공정과 같은 복잡한 제조 공정 없이 수행될 수 있어 제조단가의 절감 및 공정의 효율성, 경제성을 개선할 수 있게 된다. In particular, according to the present invention can be performed without a complicated manufacturing process, such as a conventional photolithography process it is possible to reduce the manufacturing cost and improve the efficiency and economics of the process.

한편, 기판이 변형될 수 있는 이하의 온도에서 용융 공정을 수행할 수 있기 때문에 유리 기판은 물론이고 유리전이온도가 낮은 각종의 flexible 기판에도 무리 없이 적용될 수 있다. On the other hand, since the melting process can be performed at a temperature below which the substrate can be deformed, it can be applied to various flexible substrates having a low glass transition temperature as well as glass substrates.

따라서 본 발명에 따른 기술은 예컨대 나노 파티클을 이용한 금속 전극, 유기 박막 형성, 유무기 하이브리드 물질을 이용한 유기 절연막 형성 및 나노 와이어에도 적용될 수 있을 것으로 기대된다. Therefore, the technology according to the present invention is expected to be applicable to, for example, metal electrodes using nanoparticles, organic thin film formation, organic insulating film formation using organic and inorganic hybrid materials, and nanowires.

Claims (10)

기판 상에 자기배열된 물질과 그 상부에 도포되는 용액 사이의 표면반발력을 이용한 패턴 형성 방법으로서, A pattern formation method using surface repulsion between a material self-aligned on a substrate and a solution applied thereon, (a) 디아킬케톤, 알킬케톤다이머, 또는 이들 혼합물에서 선택되는 소수성 물질을 상기 기판의 선택된 영역으로 적용하여 소수성 단층막을 형성하는 단계;(a) applying a hydrophobic material selected from dialkylketones, alkylketone dimers, or mixtures thereof to a selected region of the substrate to form a hydrophobic monolayer film; (b) 상기 소수성 단층막이 형성된 기판의 전면으로 소수성 작용기 또는 친수성 작용기를 갖는 용매에 분산된 소자 물질이 함유된 용액을 도포하여 상기 기판의 상면을 노출하는 소수성 단층막 상부 또는 상기 소수성 단층막에 의해 노출된 상기 기판 상부에 분산 패턴을 형성하는 단계;(b) by a hydrophobic monolayer film on the hydrophobic monolayer film or by applying a solution containing a device material dispersed in a solvent having a hydrophobic functional group or a hydrophilic functional group to the entire surface of the substrate on which the hydrophobic monolayer film is formed; Forming a dispersion pattern on the exposed substrate; (c) 상기 분산 패턴이 형성된 기판을 열처리하여 상기 기판 상으로 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법. (c) heat treating the substrate on which the dispersion pattern is formed to form a pattern on the substrate. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 (a) 단계는 소수성 물질을 상기 기판 상면에 적용하는 단계와, 상기 소수성 물질을 용융시키는 단계와, 상온에서 냉각시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법. The step (a) is a pattern forming method comprising applying a hydrophobic material to the upper surface of the substrate, melting the hydrophobic material, and cooling at room temperature. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 (b) 단계는 상기 기판을 상기 용액에 침지하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법. Step (b) is a pattern forming method characterized in that the method is performed by immersing the substrate in the solution. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 용매는 친수성 용매인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법.And said solvent is a hydrophilic solvent. 제 1항 또는 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 용매는 말단에 아민기, 하이드록시기를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법. The solvent is a method for forming a pattern on a substrate, characterized in that the terminal has an amine group, a hydroxyl group. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 (b) 단계에서 상기 용액에 계면활성제가 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법. Method of forming a pattern on a substrate, characterized in that in the step (b) the surfactant is contained in the solution. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 소자 물질은 나노 크기의 금속 파티클, 유기 분자, 또는 유무기 하이브 리드 분자인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법. And the device material is a nano-sized metal particle, organic molecule, or organic-inorganic hybrid molecule. 제 1항 또는 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 7, 상기 소자 물질은 금, 은, 알루미늄, 니켈, 텅스텐, 몰리브덴, 알루미늄-네오디뮴 혼합물, ITO에서 선택되는 물질인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법. And the device material is a material selected from gold, silver, aluminum, nickel, tungsten, molybdenum, aluminum-neodymium mixture, ITO. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 소자 물질이 함유된 용액은 절연체 조성물인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법.And the solution containing the device material is an insulator composition. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 (c) 단계는 100 ~ 150 ℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법. Step (c) is a method of forming a pattern on a substrate, characterized in that performed in a temperature range of 100 ~ 150 ℃.
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