KR101221861B1 - 금속 전구체 및 이를 이용하여 제조된 금속 함유 박막 - Google Patents
금속 전구체 및 이를 이용하여 제조된 금속 함유 박막 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101221861B1 KR101221861B1 KR1020120030762A KR20120030762A KR101221861B1 KR 101221861 B1 KR101221861 B1 KR 101221861B1 KR 1020120030762 A KR1020120030762 A KR 1020120030762A KR 20120030762 A KR20120030762 A KR 20120030762A KR 101221861 B1 KR101221861 B1 KR 101221861B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- metal
- thin film
- metal precursor
- independently
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 83
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 19
- -1 dimethylamino, ethylmethylamino, diethylamino, ethylmethylamino, diethylamino, dipropylamino Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 12
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 11
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims abstract description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 17
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000004914 dipropylamino group Chemical group C(CC)N(CCC)* 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 abstract description 8
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 abstract description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 abstract 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 22
- 229910021482 group 13 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 13
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 8
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- FOJZPLNOZUNMJO-UHFFFAOYSA-M chloro(dimethyl)indigane Chemical compound [Cl-].C[In+]C FOJZPLNOZUNMJO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- PNZJBDPBPVHSKL-UHFFFAOYSA-M chloro(diethyl)indigane Chemical compound [Cl-].CC[In+]CC PNZJBDPBPVHSKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- JGHYBJVUQGTEEB-UHFFFAOYSA-M dimethylalumanylium;chloride Chemical compound C[Al](C)Cl JGHYBJVUQGTEEB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 4
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- DVSDBMFJEQPWNO-UHFFFAOYSA-N methyllithium Chemical compound C[Li] DVSDBMFJEQPWNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 4
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 4
- OLUQNHZGDAZRKM-UHFFFAOYSA-N [Li].CNC Chemical compound [Li].CNC OLUQNHZGDAZRKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 235000019988 mead Nutrition 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 3
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MEKOFIRRDATTAG-UHFFFAOYSA-N 2,2,5,8-tetramethyl-3,4-dihydrochromen-6-ol Chemical compound C1CC(C)(C)OC2=C1C(C)=C(O)C=C2C MEKOFIRRDATTAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZFFMLCVRJBZUDZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbutane Chemical group CC(C)C(C)C ZFFMLCVRJBZUDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 2
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- BDNKZNFMNDZQMI-UHFFFAOYSA-N 1,3-diisopropylcarbodiimide Chemical compound CC(C)N=C=NC(C)C BDNKZNFMNDZQMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940059260 amidate Drugs 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- BGRWYRAHAFMIBJ-UHFFFAOYSA-N diisopropylcarbodiimide Natural products CC(C)NC(=O)NC(C)C BGRWYRAHAFMIBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- BLHLJVCOVBYQQS-UHFFFAOYSA-N ethyllithium Chemical compound [Li]CC BLHLJVCOVBYQQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N ethylmethylamine Chemical compound CCNC LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPUKDXXFDDZOKR-LLVKDONJSA-N etomidate Chemical compound CCOC(=O)C1=CN=CN1[C@H](C)C1=CC=CC=C1 NPUKDXXFDDZOKR-LLVKDONJSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBEREOHJDYAKDA-UHFFFAOYSA-N lithium;propane Chemical compound [Li+].CC[CH2-] XBEREOHJDYAKDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N methoxycyclopentane Chemical compound COC1CCCC1 SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- NCFSDGWPAKOPOU-UHFFFAOYSA-N n-ethylethanamine;lithium Chemical compound [Li].CCNCC NCFSDGWPAKOPOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/305—Sulfides, selenides, or tellurides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H01L21/205—
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 금속 전구체 및 이를 이용하여 제조된 금속 함유 박막에 관한 것으로, 상기 금속 전구체는 하기 화학식 1의 구조를 가지며, 우수한 열 안정성을 가져 상온에서 분해의 우려 없이 액체 상태로 존재하며 그 결과로 우수한 보관 안정성을 나타내고, 수분과의 반응성이 적어 자연발화의 우려가 없기 때문에 취급이 용이하며, 높은 휘발성 및 충분한 증기압을 가져 증착 공정을 통한 차세대 PRAM용 In-Sb-Te(IST) 박막 및 LED용 InGaN 막의 제조에 유용한 유용하다:
[화학식 1]
상기 식에서, M, R1 내지 R4 및 X 는 명세서 중에서 정의한 바와 같다.
[화학식 1]
상기 식에서, M, R1 내지 R4 및 X 는 명세서 중에서 정의한 바와 같다.
Description
본 발명은 금속 전구체 및 이를 이용하여 제조된 금속 함유 박막에 관한 것이다.
반도체 메모리 소자는 휘발성 메모리 소자인 DRAM(dynamic random access memory)과 비휘발성 메모리 소자인 NVRAM(non-volatile random access memory) 소자로 구분된다. DRAM은 시장 규모가 크지만 기억된 정보가 휘발성이기 때문에 매우 짧은 주기로 동일한 정보를 다시 기억시켜야 하므로 많은 전력을 소모하는 문제점이 있다. 한편, 미세화 공정에 따른 기술적인 한계에 직면하면서 비휘발성 메모리로 DRAM의 저장 밀도와 SRAM(static RAM)의 동작 속도를 가지는 저가의 차세대 메모리가 대두되기 시작하였다. 또한, 현재 차세대 비휘발성 메모리에 대한 연구가 국내외적으로 활발하게 진행되고 있으며, 그 중에서도 상변화 메모리(phase change random access memory, PRAM)가 가장 주목받고 있다.
상변화 메모리는 비정질과 결정질 상태 간의 광학적, 전기적 스위칭 현상을 나타내는 칼코게나이드 재료를 이용한 것으로서, 전기저항도 차이에 의해 정보가 기록/소거/재생되는 메모리이다. 상변화 메모리는 빠른 동작속도와 높은 집적도 등 성능면에서 매우 우수하며, 소자구조 및 제작공정이 단순하기 때문에 적은 공정비용으로 제작이 가능하다.
현재 상변화 메모리 소자 재료로서 Ge/Sb/Te(이하 'GST'라 함)이 널리 사용되고 있지만, GST 재료는 트렌치 구조 증착시 사용되는 전구체보다 낮은 결정화 온도로 인해 단차 피복성(step coverage)이 현저히 떨어져 보이드(void)가 발생하는 문제점이 있다.
또한, 상변화 메모리 소자 재료로 인듐 전구체가 사용되는데, 인듐 전구체의 경우 대부분 고체이기 때문에 공정 조건이 까다롭고, 재현성이 낮다는 문제점이 있다. 또한, 낮은 열 안정성으로 인해 열을 가했을 때 분해가 촉진되고, 공기 중에 노출되었을 때는 자연 발화되는 등 여러 가지 문제점들이 있다.
본 발명의 목적은 우수한 열 안정성을 가져 상온에서 분해의 우려 없이 액체 상태로 존재하며 그 결과로 우수한 보관 안정성을 나타내며, 수분과의 반응성이 적어 자연발화의 우려가 없고 취급이 용이하며, 높은 휘발성 및 충분한 증기압을 가져 증착 공정을 통한 차세대 상변화 메모리(PRAM)용 In-Sb-Te(IST) 박막 및 발광 다이오드(light emitting diode, LED)용 InGaN 막의 제조에 유용한 신규 금속 전구체를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 금속 전구체를 이용하여 제조된 금속 함유 박막을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1의 구조를 갖는 금속 전구체를 제공한다:
상기 화학식 1에서,
M는 B, Al, Ga, In 및 Tl로 이루어진 군에서 선택되고,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기이고,
X는 C1 내지 C6의 알킬기 또는 -NR5R6(이때 R5 및 R6는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기임)이다.
바람직하게는 R1 및 R2는 각각 독립적으로 메틸기(methyl) 또는 에틸기(ethyl)이다.
바람직하게는 상기 X는 메틸기(methyl), 에틸기(ethyl), 이소프로필기(isopropyl), 디메틸아미노기(dimethylamino), 에틸메틸아미노기(ethylmethylamino), 디에틸아미노기(diethylamino), 디프로필아미노기(dipropylamino), 및 디이소프로필아미노기(diisopropylamino)로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
바람직하게는 상기 금속전구체는 디메틸 아미디네이트 인듐(dimethyl amidinate indium) 또는 디메틸 구아디네이트 인듐(dimethyl guadinate indium)이다.
본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 하기 화학식 2의 화합물을 알칼리 금속 함유 아미디네이트 또는 구아디네이트와 반응시키는 단계를 포함하는 상기 화학식 1의 금속 전구체의 제조방법을 제공한다:
상기 화학식 2에서,
M는 B, Al, Ga, In 및 Tl로 이루어진 군에서 선택되고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기이고,
Y는 할로겐 원자이다.
상기 화학식 2의 화합물은 13족 금속의 트리알킬 화합물과 13족 금속 트리할라이드를 반응시켜 제조될 수 있다.
상기 13족 금속의 트리알킬 화합물은 트리메틸인듐(trimethyl indium), 트리에틸인듐(triethyl indium), 트리메틸갈륨(trimethyl gallium), 트리메틸알루미늄(trimethyl aluminum) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.
상기 13족 금속 트리할라이드는 트리클로로인듐(trichloro indium), 트리클로로갈륨(trichloro gallium), 트리클로로알루미늄(trichloro aluminum) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1의 금속 전구체를 금속 박막 형성용 기판 위로 공급한 후 반응성 가스의 존재 하에서 열처리, 플라즈마 처리 또는 광 조사하는 단계를 포함하는 금속 함유 박막의 형성 방법을 제공한다.
상기 반응성 가스는 수증기, 산소, 오존, 수소, 암모니아, 히드라진, 및 실란으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1의 금속 전구체를 금속 박막 형성용 기판 위로 공급한 후 반응성 가스의 존재 하에서 열처리, 플라즈마 처리 또는 광 조사하여 제조된 금속 함유 박막을 제공한다.
기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
본 발명에 따른 금속 전구체는 우수한 열 안정성을 가져 상온에서 분해의 우려 없이 액체 상태로 존재하며 그 결과로 우수한 보관 안정성을 나타내고, 수분과의 반응성이 적어 자연발화의 우려가 없고 취급이 용이하며, 우수한 휘발성을 가져 낮은 온도에서 공정 실시가 가능하고, 충분한 증기압을 가져 증착 공정을 통한 차세대 PRAM용 In-Sb-Te(IST) 박막 및 LED용 InGaN 막의 제조에 유용하다.
도 1은 실시예 1, 2, 및 4 내지 6에서 제조된 금속 전구체에 대한 열중량 분석기(thermo-gravimetric analyzer, TGA)를 이용한 열중량 측정 결과를 나타낸 그래프이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한 '할로' 또는 '할로겐 원자'는 플루오린, 염소, 브롬 및 요오드로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한 '알킬기'는 직쇄 또는 분쇄의 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 의미하며, 상기 알킬기는 1차 알킬기, 2차 알킬기 및 3차 알킬기를 포함한다. 상기 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 헥실기, 이소헥실기 등을 들 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명은 종래 금속 함유 박막 형성용 전구체 물질과 비교하여 우수한 열 안정성을 가져 상온에서 분해의 우려 없이 액체 상태로 존재하며 그 결과로 우수한 보관 안정성을 나타내며, 수분과의 반응성이 적어 자연발화의 우려가 없고 취급이 용이하며, 높은 휘발성 및 충분한 증기압을 가져 증착 공정을 통한 차세대 PRAM용 IST박막과, LED용 InGaN 막의 제조에 유용한 신규 금속 전구체를 제공하는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명의 일 구현예에 따른 금속 전구체는 하기 화학식 1의 구조를 갖는 화합물일 수 있다:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
M는 B, Al, Ga, In 및 Tl로 이루어진 군에서 선택되고,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기이고,
X는 C1 내지 C6의 알킬기 또는 -NR5R6(이때 R5 및 R6는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기임)이다.
구체적으로 상기 화학식 1에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 헥실기 및 이소헥실기로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, 바람직하게는 R1 및 R2는 각각 독립적으로 메틸기 또는 에틸기일 수 있으며, R3 및 R4는 이소프로필기 일 수 있다.
또한 상기 X는 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 디메틸아미노기, 에틸메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디프로필아미노기, 및 디이소프로필아미노기로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, 바람직하게는 메틸기 또는 디메틸아미노기일 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1의 금속전구체는 디메틸 아미디네이트 인듐(dimethyl amidinate indium) 또는 디메틸 구아디네이트 인듐(dimethyl guadinate indium)인 것이 바람직하다.
상기 금속 전구체는 금속에 대한 치환기(R1 및 R2)로서 알킬기를 포함함으로써, 종래 금속의 치환기로서 아미드기를 포함하는 금속 전구체에 비해 우수한 안정성을 나타내며, 저온 증착이 가능하다.
본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 하기 화학식 2의 화합물을 알칼리 금속 함유 아미디네이트 또는 구아디네이트와 반응시켜 상기 화학식 1의 금속 전구체를 제조하는 방법이 제공된다:
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
M은 B, Al, Ga, In, 및 Tl로 이루어진 군에서 선택되고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기이고,
Y는 할로겐 원자이며, 바람직하게는 클로로기이다.
상기 화학식 1의 금속 전구체 화합물의 제조시, 상기 화학식 2의 화합물로는 13족 금속의 트리알킬 화합물과 13족 금속의 트리할라이드의 반응에 의해 제조된 것이 사용될 수 있다.
이때 상기 13족 금속의 트리알킬 화합물로는 13족 금속 함유 트리(C1 내지 C6의 알킬) 화합물이 사용될 수 있다. 구체적으로는 트리메틸인듐, 트리에틸인듐, 트리메틸갈륨, 또는 트리메틸알루미늄 등이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 이들 중 1종 단독 또는 2종 이상의 혼합물이 사용될 수 있다.
또한, 상기 13족 금속의 트리할라이드로는 트리클로로인듐, 트리클로로갈륨, 또는 트리클로로알루미늄 등이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 이들 중 1종 단독 또는 2종 이상의 혼합물이 사용될 수 있다.
상기 13족 금속의 트리알킬 화합물과 13족 금속 트리할라이드는 화학양론적으로 반응하기 때문에, 화학양론적 반응비에 따라 상기 13족 금속의 트리알킬 화합물과 13족 금속 트리할라이드의 사용량이 적절히 결정될 수 있다. 구체적으로는 상기 13족 금속의 트리알킬 화합물은 13족 금속 트리할라이드 1몰에 대하여 1.5 내지 2.5 몰로 사용되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 13족 금속의 트리알킬 화합물과 13족 금속의 트리할라이드의 반응은 헥산, 헵탄, 옥탄, 벤젠, 톨루엔, 에틸벤젠, 자일렌 등의 탄화수소계 유기용매 중에서 -20℃ 내지 실온에서 실시되는 것이 바람직하다.
구체적으로, 상기 화학식 2의 화합물로는 클로로디메틸인듐, 클로로디에틸인듐, 클로로디메틸갈륨, 또는 클로로디메틸알루미늄 등이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 이들 중 1종 단독 또는 2종 이상의 혼합물이 사용될 수 있다.
또한 상기 화학식 1의 금속 전구체 화합물의 제조시, 상기 알칼리 금속 함유 아미디네이트 또는 구아디네이트로는, 알킬리튬 또는 리튬-알킬아민을 알킬카르보이미드와 반응시켜 제조된 것이 사용될 수도 있다.
상기 알킬리튬 또는 리튬-알킬아민으로는 메틸리튬, 에틸리튬, 프로필리튬, 리튬 디메틸아민, 리튬 에틸메틸아민, 리튬 디에틸아민 등이 사용될 수 있으며, 상기 알킬카르보이미드로는 디이소프로필카르보이미드 등이 사용될 수 있다
상기 알킬리튬 또는 리튬-알킬아민과, 알킬카르보이미드와의 반응은 디에틸에테르 등의 에테르계 유기 용매 중에서 -40 내지 0℃의 온도 조건에서 실시될 수 있으며, 이때 상기 알킬리튬 또는 알킬-리튬아민과 알킬카르보이미드의 반응비는 화학양론비에 따라 적절히 결정될 수 있다. 구체적으로는 알킬리튬 또는 알킬-리튬아민 1몰에 대하여 알킬카르보이미드가 0.9 내지 1.1몰로 사용될 수 있다.
상기 화학식 2의 화합물과 알칼리 금속 함유 아미디네이트 또는 구아디네이트와의 반응은, 펜테인, 헥세인, 헵테인, 옥테인, 벤젠, 톨루엔, 에틸 벤젠, 자일렌 등의 탄화수소류; 또는 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 글라임, 디옥세인, 테트라히드로퓨란, 사이클로펜틸메틸에테르 등의 에테르류와 같은 유기 용매 중에서 실시될 수 있다.
상기 화학식 2의 화합물과 알칼리 금속 함유 아미디네이트 또는 구아디네이트와의 반응시, 알칼리 금속 함유 아미디네이트 또는 구아디네이트 1몰에 대해 상기 화학식 2의 화합물이 0.9 내지 1.1 몰로 사용되는 것이 바람직하다. 화학식 2의 화합물의 함량이 0.9몰 미만이면 불순물의 함량이 증가될 우려가 있고, 1.1몰을 초과하는 경우 수율이 낮아질 우려가 있어 바람직하지 않다.
상기와 같은 방법에 의해 제조된 화학식 1의 금속 전구체는 상온에서 액체 상태로 존재할 뿐만 아니라 보관안정성이 우수하며, 종래 금속 박막 형성용 전구체로 사용되는 트리메틸인듐과 비교하여 트리메틸인듐이 101℃ 이상에서 분해되기 시작하는데 반해 상기 화학식 1의 금속 전구체는 230℃ 이상에서 분해되기 때문에 우수한 열 안정성을 갖는다. 또한, 우수한 휘발성으로 인해 박막 형성시 낮은 온도에서도 공정 실시가 가능하여 공정 비용을 줄일 수 있다. 뿐만 아니라, 상기 화학식 1의 금속 전구체는 수분과의 반응성이 적어 자연발화의 우려가 없어 취급이 용이하며, 높은 증기압을 가져 화학증착법, 원자층 증착법 등의 증착 공정을 통한 박막 형성에 유용하다.
이에 본 발명의 다른 일 구현예에 따르면 상기 금속 전구체를 이용한 금속 함유 박막의 제조방법이 제공된다.
상기 제조방법은 금속 전구체로서 화학식 1의 화합물을 이용하는 것을 제외하고는 통상의 금속 박막의 제조방법, 예를 들면 화학증착법(chemical vapor deposition, CVD) 또는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)으로 실시될 수 있다.
구체적으로 금속 박막은 상기 화학식 1의 금속 전구체를 가스화하여 금속 박막층을 형성하고자 하는 기판, 예를 들면 TiN, SiO2, Si3N4 등의 기판 위로 공급한 후, 금속 전구체를 분해함으로써 형성될 수 있다.
이때 상기 금속 전구체의 가스화 방법으로는, 금속 전구체를 그대로 기화시켜 가스화하거나, 또는 항온조에 금속 전구체를 넣은 후, 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 제논 또는 질소 등의 불활성 가스를 공급하여 가스화하는 방법이 사용될 수 있다.
상기 금속 전구체의 분해공정은 가열처리, 플라즈마 처리 또는 광 조사 등의 방법으로 수행될 수 있으며, 이때 수증기, 산소, 오존, 수소, 암모니아, 히드라진, 실란 등의 반응성 가스 존재하에서 수행될 수도 있다. 수증기, 산소, 오존 등과 같은 반응성 가스 존재하에서 금속 전구체의 분해공정이 수행되는 경우, 금속 산화물 박막이 형성될 수 있고, 수소, 암모니아, 히드라진, 실란 등의 반응성 가스 존재하에서 금속 전구체의 분해공정이 수행되는 경우 금속 박막이 형성될 수 있다.
또한, 가열처리에 의한 금속 전구체의 분해시 상기 공정은 100 내지 1000℃에서 실시될 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따른 금속 함유 박막의 제조방법은, 열 안정성이 우수한 금속 전구체를 이용함으로써 증착 공정시 종래에 비해 낮은 온도에서 증착 공정 실시가 가능하고, 전구체의 열분해에 기인한 파티클 오염이나 탄소 등의 불순물 오염없이 고순도의 금속, 금속 산화물 또는 금속 질화물 박막을 형성할 수 있다.
이에 본 발명의 또 다른 일 구현예에 따르면 상기한 금속 함유 박막의 형성 공정에 의해 제조된 금속 함유 박막을 제공한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
제조예
1
250ml 슐렝크 플라스크에 무수 트리메틸인듐 10g(62.5mmol)과 톨루엔 200ml를 넣고 -20℃로 냉각시켜 제조한 용액에, 트리클로로인듐 6.91g(31.3mmol)을 천천히 적가하고 30분간 교반한 후, 서서히 온도를 올려 실온에서 교반하였다. 반응 종료 후 상온에서 진공을 이용하여 용매를 제거하여 흰색 고체로서 하기와 같은 구조를 갖는 클로로디메틸인듐(1-1) 16.9g (93.7mmol)을 얻었다.
1H-NMR(C6D6, 25℃) : 0.185(s, 6H)
제조예
2
250ml 슐렝크 플라스크에 무수 트리에틸인듐 10g(49.5mmol)과 톨루엔 200 ml를 넣고 -20℃로 냉각시켜 제조한 용액에, 트리클로로인듐 5.47g(24.8mmol)을 천천히 적가하고, 30분간 교반한 후 서서히 온도를 올려서 실온에서 교반하였다. 반응 종료 후 상온에서 진공을 이용하여 용매를 제거하여 흰색 고체로서 하기와 같은 구조를 갖는 클로로디에틸인듐(1-2) 15.4g(73.9mmol)을 얻었다.
1H-NMR(C6D6, 25℃) : 0.195(q, 4H), 0.91(t, 6H)
제조예
3
250ml 슐렝크 플라스크에 무수 트리메틸갈륨 10g(87.1mmol)과 헥산 200ml를 넣고 -20℃로 냉각시켜 제조한 용액에, 트리클로로갈륨 7.67g(43.6mmol)을 천천히 적가하고, 30분간 교반 후 서서히 온도를 올려서 실온에서 교반하였다. 반응 종료 후 상온에서 진공을 이용하여 용매를 제거하여 흰색 고체로서 하기와 같은 구조를 갖는 클로로디메틸갈륨(1-3) 17.6g(130.1mmol)을 얻었다.
1H-NMR(C6D6, 25℃) : 0.201(s, 6H)
제조예
4
250ml 슐렝크 플라스크에 무수 트리메틸알루미늄 10g(138.7mmol)과 헥산 200 ml를 넣고 -20℃로 냉각시켜 제조한 용액에, 트리클로로알루미늄 9.25g(69.4mmol)을 천천히 적가하고, 30분간 교반 후 서서히 온도를 올려서 실온에서 교반하였다. 반응 종료 후 상온에서 진공을 이용하여 용매를 제거하여 흰색 고체의 하기와 같은 구조를 갖는 클로로디메틸알루미늄(1-4) 19.2g(207.6mmol)을 얻었다.
1H-NMR(C6D6, 25℃) : -0.331(s, 6H)
실시예
1
500mL 슐렝크 플라스크에 무수 디에틸에테르를 300mL 넣고, -40℃로 냉각 시키면서 메틸리튬(1.6M in 디에틸에테르) 용액 49.3ml(78.9mmol)를 넣은 뒤, -40℃에서 디이소프로필카르보이미드 9.96g(78.9mmol)를 천천히 적가하고, 서서히 실온으로 올려서 4시간 교반하였다. 결과로 수득된 용액을 -40℃로 냉각한 후 상기 제조예 1에서 제조된 클로로디메틸인듐 15g(83.1mmol)을 천천히 투입하였다. 투입이 끝나면 결과로 수득된 반응물의 온도를 서서히 올려서 실온에서 교반하였다. 반응 종료 후 상온에서 진공을 이용하여 용매를 제거하여 옅은 노란색 액체를 얻었고, 상기 액체를 진공 증류하여 불순물을 제거한 뒤 투명한 무색의 액체 화합물(1)을 얻었다. 상기 화합물(1)는 대기에 노출 되어도 발화 되거나 분해되지 않았다.
1H-NMR(C6D6, 25℃) : 0.148(s, 6H), 0.92(d, 12H), 1.436(s, 3H), 3.38(s, 2H)
13C-NMR(C6D6, 25℃) : -6.269(s, 2C), 10.99(s, 1C), 25.774(s, 4C), 45.587(s, 2C), 167.59(s, 1C)
DSC : 230℃
실시예
2
500mL 슐렝크 플라스크에 무수 디에틸에테르를 300mL 넣고, -40℃로 냉각 시키면서 리튬디메틸아민 4.03g(78.95mmol)을 넣은 뒤, -40℃에서 디이소프로필카르보이미드 9.96g(78.95mmol)를 천천히 적가하고, 서서히 실온으로 올려서 4시간 교반하였다. 결과로 수득된 용액을 -40℃로 냉각한 후, 상기 제조예 1에서 제조한 클로로디메틸인듐 15g(83.1mmol)을 천천히 투입하였다. 투입이 끝나면 결과로 수득된 반응물의 온도를 서서히 올려서 실온에서 교반하였다. 반응 종료 후 상온에서 진공을 이용하여 용매를 제거하여 옅은 노란색 액체를 얻었고, 상기 액체를 진공 증류하여 불순물을 제거한 뒤 투명한 무색의 액체 화합물(2)를 얻었다. 제조된 화합물(2)은 대기에 노출되어도 발화되거나 분해되지 않았다.
1H-NMR(C6D6, 25℃) : 0.173(s, 6H), 0.97(d, 12H), 2.42(s, 6H), 3.50(s, 2H)
13C-NMR(C6D6, 25℃) : -5.804(s, 2C), 25.404(s, 4C), 39.234(s, 2C), 46.05(s, 2C), 167.081(s, 1C)
DSC : 250℃
실시예
3
500mL 슐렝크 플라스크에 무수 디에틸에테르를 300mL를 넣고, -40℃로 냉각 시키면서 리튬디메틸아민 3.49g(68.4mmol)을 넣은 뒤, -40℃에서 디이소프로필카르보이미드 8.63g(68.4mmol)를 천천히 적가하고, 서서히 실온으로 올려서 4시간 교반하였다. 결과로 수득된 용액을 -40℃로 냉각한 후, 상기 제조예 2에서 제조한 클로로디에틸인듐 15g(72mmol)을 천천히 투입하였다. 투입이 끝나면 결과로 수득된 반응물의 온도를 서서히 올려서 실온에서 교반하였다. 반응 종료 후 상온에서 진공을 이용하여 용매를 제거하여 옅은 노란색 액체를 얻었고, 상기 액체를 진공 증류하여 불순물을 제거한 뒤 투명한 무색의 액체 화합물(3)을 얻었다. 제조된 화합물(3)은 대기에 노출되어도 발화되거나 분해되지 않았다.
1H-NMR(C6D6, 25℃) : 0.158(q, 4H), 0.83(t, 6H), 0.99(d, 12H), 2.44(s, 6H), 3.57(s, 2H)
13C-NMR(C6D6, 25℃) : 0.037(s, 2H), 19.457(s, 2C), 26.521(s, 4C), 40.338(s, 2C), 46.511(s, 2C), 168.256(s, 1C)
실시예
4
500mL 슐렝크 플라스크에 무수 디에틸에테르를 300ml를 넣고, -40℃로 냉각 시키면서 메틸리튬(1.6M in 디에틸에테르) 용액 65.8ml(105.4mmol)를 넣은 뒤, -40℃에서 디이소프로필카르보이미드 13.3g(105.4mmol)를 천천히 적가하고, 서서히 실온으로 올려서 4시간 교반하였다. 결과로 수득된 용액을 -40℃로 냉각한 후, 상기 제조예 3에서 제조된 클로로디메틸갈륨 15g(110.9mmol)을 천천히 투입하였다. 투입이 끝나면 결과로 수득된 반응물의 온도를 서서히 올려서 실온에서 교반하였다. 반응 종료 후 상온에서 진공을 이용하여 용매를 제거하여 옅은 노란색 액체를 얻었고, 상기 액체를 진공 증류하여 불순물을 제거한 뒤 투명한 무색의 액체 화합물(4)을 얻었다. 제조된 화합물(4)은 대기에 노출되어도 발화되거나 분해되지 않았다.
1H-NMR(C6D6, 25℃) : 0.106(s, 6H), 0.96(d, 12H), 1.354(s, 3H), 3.289(s, 2H)
13C-NMR(C6D6, 25℃) : -5.544(s, 2C), 9.957(s, 1C), 25.115(s, 4C), 45.356(s, 2C), 167.63(s, 1C)
DSC : 232℃
실시예
5
500mL 슐렝크 플라스크에 무수 디에틸에테르를 300mL 넣고, -40℃로 냉각 시키면서 리튬디메틸아민 5.38g(105.4mmol)을 넣은 뒤, -40℃에서 디이소프로필카르보이미드 13.3g(105.4mmol)를 천천히 적가하고, 서서히 실온으로 올려서 4시간 교반하였다. 결과로 수득된 용액을 -40℃로 냉각한 후, 상기 제조예 3에서 제조한 클로로디메틸갈륨 15g(110.9mmol)을 천천히 투입하였다. 투입이 끝나면 결과로 수득된 반응물의 온도를 서서히 올려서 실온에서 교반하였다. 반응 종료 후 상온에서 진공을 이용하여 용매를 제거하여 옅은 노란색 액체를 얻었고, 상기 액체를 진공 증류하여 불순물을 제거한 뒤 투명한 무색의 액체 화합물(5)를 얻었다. 제조된 화합물(5)은 대기에 노출되어도 발화되거나 분해되지 않았다.
1H-NMR(C6D6, 25℃) : 0.147(s, 6H), 1.025(d, 12H), 2.341(s, 6H), 3.404(s, 2H)
13C-NMR(C6D6, 25℃) : -4.580(s, 2C), 24.348(s, 4C), 38.534(s, 2C), 45.523(s, 2C), 165.843(s, 1C)
DSC : 232℃
실시예
6
500mL 슐렝크 플라스크에 무수 디에틸에테르를 300ml를 넣고, -40℃로 냉각 시키면서 메틸리튬(1.6M in 디에틸에테르) 용액 96.3ml(154.1mmol)를 넣은 뒤, -40℃에서 디이소프로필카르보이미드 19.45g(154.1mmol)를 천천히 적가하고, 서서히 실온으로 올려서 4시간 교반하였다. 결과로 수득된 용액을 -40℃로 냉각한 후 상기 제조예 4에서 제조된 클로로디메틸알루미늄 15g(162.2mmol)을 천천히 투입하였다. 투입이 끝나면 결과로 수득된 반응물의 온도를 서서히 올려서 실온에서 교반하였다. 반응 종료 후 상온에서 진공을 이용하여 용매를 제거하여 옅은 노란색 액체를 얻었고, 상기 액체를 진공 증류하여 불순물을 제거한 뒤 투명한 무색의 액체 화합물(6)를 얻었다. 제조된 화합물(6)은 대기에 노출되어도 발화되거나 분해되지 않았다.
1H-NMR(C6D6, 25℃) : -0.264(s, 6H), 0.96(d, 12H), 1.286(s, 3H), 3.134(s, 2H)
13C-NMR(C6D6, 25℃) : -9.557(s, 2C), 9.974(s, 1C), 24.902(s, 4C), 45.533(s, 2C), 171.589(s, 1C)
DSC : 235℃
실시예
7
상기 실시예 1에서 제조된 금속 전구체를 원자층 증착법을 통해 인듐 금속 박막을 형성하였다. 이때 기판으로는 TiN를 사용하였으며, 기판을 200 내지 350℃로 가열하였으며, 금속 전구체는 스테인레스 스틸 재질의 버블러 용기에 담아 40 내지 60℃의 온도범위에서 가열하여 기화시켰다. 이때 반응 가스는 암모니아를 사용하여 ALD 공정을 통해 금속 박막을 형성하였다.
시험예
본 발명에 따른 금속 전구체의 휘발성 및 열안정성을 평가하기 위하여 하기와 같은 방법으로 열중량분석(TGA) 및 시차주사열량(DSC)을 측정하였다.
1) 상기 실시예 1, 2 및 4 내지 6에서 제조된 금속 전구체에 대해 아르곤 가스를 200ml/min으로 흘려주는 분위기에서 승온 속도 10℃/min의 조건으로 400℃까지 열중량분석(TGA)을 실시하였다. 비교를 위해 공지의 금속 박막 형성용 금속 전구체인 (N,N'-디이소프로필아세트아미디나토)비스(디메틸아미도)갈륨(Ga(dipma)(NMe)2)을 비교예1로 사용하였다. 그 측정 결과를 하기 표 1 및 도 1에 나타내었다.
도 1은 실시예 1, 2, 및 4 내지 6에서 제조된 금속 전구체에 대한 TGA 측정 결과를 나타낸 그래프이다.
| TGA(℃) | |
| 실시예 1 | 140 |
| 실시예 2 | 170 |
| 실시예 4 | 120 |
| 실시예 5 | 156 |
| 실시예 6 | 130 |
| 비교예 1 | 185 |
상기 표 1 및 도 1에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예 1, 2 및 4 내지 6의 금속 전구체는 비교예 1에 비해 현저히 개선된 휘발성을 나타내었다.
2) 상기 실시예 1, 2 및 4 내지 6에서 제조된 금속 전구체에 대해 밀폐된 용기에서 승온 속도 10℃/min의 조건으로 400℃까지 시차주사열량(DSC)을 측정하였다. 비교를 위해 종래 금속 박막 형성용 전구체로 사용되는 트리메틸인듐(TMIn)을 비교예 2로 사용하였다. 그 측정 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
| DSC(℃) | |
| 실시예 1 | 230 |
| 실시예 2 | 250 |
| 실시예 4 | 232 |
| 실시예 5 | 232 |
| 실시예 6 | 235 |
| 비교예 2 | 101℃ 이상에서 분해 |
상기 표 2에 나타난 바와 같이, 비교예 2의 트리메틸인듐이 101℃ 이상에서 분해되기 시작하는데 반해 실시예 1, 2 및 4~6의 금속 전구체는 230℃ 이상에서 분해되기 때문에 우수한 열 안정성을 가짐을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
Claims (11)
- 하기 화학식 1의 구조를 갖는 금속 전구체:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
M는 In이고,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기이고,
X는 -NR5R6(이때 R5 및 R6는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기임)이다. - 제1항에 있어서,
상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 메틸기(methyl) 또는 에틸기(ethyl)인 금속 전구체. - 제1항에 있어서,
상기 X는 디메틸아미노기(dimethylamino), 에틸메틸아미노기(ethylmethylamino), 디에틸아미노기(diethylamino), 디프로필아미노기(dipropylamino), 및 디이소프로필아미노기(diisopropylamino)로 이루어진 군에서 선택되는 것인 금속 전구체. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 하기 화학식 1의 금속 전구체를 금속 박막 형성용 기판 위로 공급한 후 반응성 가스의 존재 하에서 열처리, 플라즈마 처리 또는 광 조사하는 단계를 포함하는 금속 함유 박막의 형성방법:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
M는 In이고,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기이고,
X는 -NR5R6(이때 R5 및 R6는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기임)이다. - 제9항에 있어서,
상기 반응성 가스는 수증기, 산소, 오존, 수소, 암모니아, 히드라진 및 실란으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 금속 함유 박막의 형성방법. - 하기 화학식 1의 금속 전구체를 금속 박막 형성용 기판 위로 공급한 후 반응성 가스의 존재 하에서 열처리, 플라즈마 처리 또는 광 조사하여 제조된 금속 함유 박막:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
M는 In이고,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기이고,
X는 -NR5R6(이때 R5 및 R6는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기임)이다.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120030762A KR101221861B1 (ko) | 2012-03-26 | 2012-03-26 | 금속 전구체 및 이를 이용하여 제조된 금속 함유 박막 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120030762A KR101221861B1 (ko) | 2012-03-26 | 2012-03-26 | 금속 전구체 및 이를 이용하여 제조된 금속 함유 박막 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101221861B1 true KR101221861B1 (ko) | 2013-01-14 |
Family
ID=47841780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120030762A KR101221861B1 (ko) | 2012-03-26 | 2012-03-26 | 금속 전구체 및 이를 이용하여 제조된 금속 함유 박막 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101221861B1 (ko) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015024893A1 (de) * | 2013-08-22 | 2015-02-26 | Umicore Ag & Co. Kg | Verfahren zur herstellung von alkylindium-verbindungen und deren verwendung |
| KR20160137972A (ko) * | 2014-03-27 | 2016-12-02 | 인텔 코포레이션 | 광 지원형 금속 원자층 퇴적(ald) 및 화학 기상 퇴적(cvd)을 위한 전구체 및 프로세스 설계 |
| US9617284B2 (en) | 2013-08-22 | 2017-04-11 | Umicore Ag & Co. Kg | Method for producing alkyl-indium compounds and the use thereof |
| KR20180007815A (ko) * | 2016-07-14 | 2018-01-24 | 삼성전자주식회사 | 알루미늄 화합물과 이를 이용한 박막 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법 |
| WO2018021654A1 (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 주식회사 유진테크 머티리얼즈 | 박막 증착 방법 |
| KR20200083340A (ko) * | 2018-12-28 | 2020-07-08 | 솔브레인 주식회사 | 박막 형성용 전구체, 이의 제조방법, 이를 이용한 박막의 제조 방법 및 박막 |
| CN112409390A (zh) * | 2020-11-20 | 2021-02-26 | 清远先导材料有限公司 | 二甲基氯化铟的制备方法 |
| WO2021086006A1 (ko) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | 솔브레인 주식회사 | 인듐 전구체 화합물, 이를 이용한 박막의 제조 방법 및 이로부터 제조된 기판 |
| KR20210099949A (ko) | 2020-02-05 | 2021-08-13 | 솔브레인 주식회사 | 화합물 및 이를 포함하는 박막 형성용 조성물 |
| WO2021200218A1 (ja) | 2020-04-01 | 2021-10-07 | 株式会社Adeka | 原子層堆積法用薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 |
| WO2022076521A1 (en) * | 2020-10-06 | 2022-04-14 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Indium precursors for vapor depositions |
| CN114787168A (zh) * | 2019-11-27 | 2022-07-22 | 株式会社Adeka | 化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法 |
-
2012
- 2012-03-26 KR KR1020120030762A patent/KR101221861B1/ko active IP Right Grant
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Allison L. Brazeau et al. , Chem. Mater., Vol. 20, No. 23, 2008 * |
| Sarah L. Aeilts et al., Organometallics 1998, 17, 3265-3270 * |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10745421B2 (en) | 2013-08-22 | 2020-08-18 | Umicore Ag & Co. Kg | Method for producing alkyl-indium compounds and the use thereof |
| CN105473599A (zh) * | 2013-08-22 | 2016-04-06 | 优美科股份公司及两合公司 | 用于生产烷基铟化合物的方法及其用途 |
| US9540401B2 (en) | 2013-08-22 | 2017-01-10 | Umicore Ag & Co. Kg | Method for producing alkyl-indium compounds and the use thereof |
| US9617284B2 (en) | 2013-08-22 | 2017-04-11 | Umicore Ag & Co. Kg | Method for producing alkyl-indium compounds and the use thereof |
| WO2015024893A1 (de) * | 2013-08-22 | 2015-02-26 | Umicore Ag & Co. Kg | Verfahren zur herstellung von alkylindium-verbindungen und deren verwendung |
| CN105473599B (zh) * | 2013-08-22 | 2018-08-28 | 优美科股份公司及两合公司 | 用于生产烷基铟化合物的方法及其用途 |
| US10239892B2 (en) | 2013-08-22 | 2019-03-26 | Umicore Ag & Co. Kg | Method for producing alkyl-indium compounds and the use thereof |
| KR20160137972A (ko) * | 2014-03-27 | 2016-12-02 | 인텔 코포레이션 | 광 지원형 금속 원자층 퇴적(ald) 및 화학 기상 퇴적(cvd)을 위한 전구체 및 프로세스 설계 |
| KR102287787B1 (ko) * | 2014-03-27 | 2021-08-10 | 인텔 코포레이션 | 광 지원형 금속 원자층 퇴적(ald) 및 화학 기상 퇴적(cvd)을 위한 전구체 및 프로세스 설계 |
| KR20180007815A (ko) * | 2016-07-14 | 2018-01-24 | 삼성전자주식회사 | 알루미늄 화합물과 이를 이용한 박막 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법 |
| KR102592325B1 (ko) * | 2016-07-14 | 2023-10-20 | 삼성전자주식회사 | 알루미늄 화합물과 이를 이용한 박막 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법 |
| US10242877B2 (en) | 2016-07-14 | 2019-03-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Aluminum compound and methods of forming thin film and fabricating integrated circuit device by using the same |
| WO2018021654A1 (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 주식회사 유진테크 머티리얼즈 | 박막 증착 방법 |
| KR101840293B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2018-03-20 | 주식회사 유진테크 머티리얼즈 | 박막 증착 방법 |
| KR20200083340A (ko) * | 2018-12-28 | 2020-07-08 | 솔브레인 주식회사 | 박막 형성용 전구체, 이의 제조방법, 이를 이용한 박막의 제조 방법 및 박막 |
| KR102355133B1 (ko) * | 2018-12-28 | 2022-01-26 | 솔브레인 주식회사 | 박막 형성용 전구체, 이의 제조방법, 이를 이용한 박막의 제조 방법 및 박막 |
| WO2021086006A1 (ko) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | 솔브레인 주식회사 | 인듐 전구체 화합물, 이를 이용한 박막의 제조 방법 및 이로부터 제조된 기판 |
| CN114787168A (zh) * | 2019-11-27 | 2022-07-22 | 株式会社Adeka | 化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法 |
| CN114787168B (zh) * | 2019-11-27 | 2023-06-06 | 株式会社Adeka | 化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法 |
| KR20210099949A (ko) | 2020-02-05 | 2021-08-13 | 솔브레인 주식회사 | 화합물 및 이를 포함하는 박막 형성용 조성물 |
| KR20220161371A (ko) | 2020-04-01 | 2022-12-06 | 가부시키가이샤 아데카 | 원자층 퇴적법용 박막 형성용 원료 및 박막의 제조 방법 |
| CN115362282A (zh) * | 2020-04-01 | 2022-11-18 | 株式会社Adeka | 原子层沉积法用薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 |
| WO2021200218A1 (ja) | 2020-04-01 | 2021-10-07 | 株式会社Adeka | 原子層堆積法用薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 |
| CN115362282B (zh) * | 2020-04-01 | 2024-03-29 | 株式会社Adeka | 原子层沉积法用薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 |
| WO2022076521A1 (en) * | 2020-10-06 | 2022-04-14 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Indium precursors for vapor depositions |
| CN112409390A (zh) * | 2020-11-20 | 2021-02-26 | 清远先导材料有限公司 | 二甲基氯化铟的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101221861B1 (ko) | 금속 전구체 및 이를 이용하여 제조된 금속 함유 박막 | |
| US9240319B2 (en) | Chalcogenide-containing precursors, methods of making, and methods of using the same for thin film deposition | |
| JP2012532252A (ja) | 蓄電池用のＬｉｘＭｙＯｚ材料のためのリチウム前駆体 | |
| US20170117142A1 (en) | Organic Germanium Amine Compound and Method for Depositing Thin Film Using the Same | |
| KR101304753B1 (ko) | 상변화 물질 형성 방법 및 상변화 메모리 회로 형성 방법 | |
| KR102308644B1 (ko) | 실리콘 전구체 화합물, 제조 방법, 및 이를 이용하는 실리콘-함유 막 형성 방법 | |
| KR20110084517A (ko) | Ｃｖｄ 전구체 | |
| TW201934559A (zh) | 鑭系元素化合物、含鑭系元素之薄膜、及使用該鑭系元素化合物之含鑭系元素薄膜之成膜方法 | |
| JP7387892B2 (ja) | インジウム前駆体化合物、これを用いた薄膜の製造方法、及びこれから製造された基板 | |
| JP2022512155A (ja) | 希土類前駆体、その製造方法およびこれを用いて薄膜を形成する方法 | |
| KR20160082350A (ko) | 유기 13족 전구체 및 이를 이용한 박막 증착 방법 | |
| KR20200116839A (ko) | 인듐 전구체 화합물, 이를 포함하는 박막 및 그 박막의 제조 방법 | |
| JP2022551609A (ja) | リチウム含有層、アイレット、又はクラスターの堆積のためのリチウム前駆体 | |
| KR20200041237A (ko) | 박막의 제조 방법 및 박막 | |
| KR102286114B1 (ko) | 4족 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | |
| JP2019500497A (ja) | マンガン含有フィルム形成組成物、マンガン含有フィルム形成組成物の合成およびフィルム析出における使用 | |
| KR102355133B1 (ko) | 박막 형성용 전구체, 이의 제조방법, 이를 이용한 박막의 제조 방법 및 박막 | |
| KR20190128983A (ko) | 박막 형성용 전구체, 이의 제조방법, 이를 이용한 박막의 제조 방법 및 박막 | |
| KR102327450B1 (ko) | 4족 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 박막증착용 조성물 | |
| JP2000169966A (ja) | 化学蒸着からの銅膜堆積のための銅化合物の溶液およびその合成方法 | |
| KR100965270B1 (ko) | 새로운 전자 주개 리간드를 가지는 갈륨 착화합물 및 이의제조방법 | |
| KR20150097429A (ko) | 게르마늄 안티몬 텔루륨 합금 형성용 전구체 조성물 및 이를 이용한 게르마늄 안티몬 텔루륨 합금막 형성 방법 | |
| CN113454021B (zh) | 化合物和含锂膜的制造方法 | |
| US20220119939A1 (en) | Method of improving step coverage using an inhibitor molecule for high aspect ratio structures | |
| JP2023544202A (ja) | 蒸着用インジウム前駆体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151209 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161206 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171204 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181211 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191210 Year of fee payment: 8 |