KR101215366B1 - Method for manufacturing contactor, method for manufacturing semiconductor inspection apparatus, contactor and semiconductor inspection apparatus including the same - Google Patents

Method for manufacturing contactor, method for manufacturing semiconductor inspection apparatus, contactor and semiconductor inspection apparatus including the same Download PDF

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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a contactor, a method for manufacturing a semiconductor inspection apparatus, a contactor and a semiconductor inspection apparatus including the same are provided to inspect a large scale integrated circuit or a non-memory semiconductor. CONSTITUTION: One end of a contactor(3) comes into contact with a semiconductor. The contactor is formed in a taper form or cutting edge shape by being wet etched through an alkali solution. An epoxy resin layer connects multiple contactors to a substrate(5).

Description

접촉자의 제조방법, 반도체 검사장치의 제조방법, 접촉자 및 이를 포함하는 반도체 검사장치{METHOD FOR MANUFACTURING CONTACTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INSPECTION APPARATUS, CONTACTOR AND SEMICONDUCTOR INSPECTION APPARATUS INCLUDING THE SAME}METHOD FOR MANUFACTURING CONTACTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INSPECTION APPARATUS, CONTACTOR AND SEMICONDUCTOR INSPECTION APPARATUS INCLUDING THE SAME}

본원은 접촉자의 제조방법, 반도체 검사장치의 제조방법, 접촉자 및 이를 포함하는 반도체 검사장치에 관한 것이다.The present invention relates to a manufacturing method of a contactor, a manufacturing method of a semiconductor inspection apparatus, a contactor and a semiconductor inspection apparatus including the same.

LSI(Large Scale Integrated circuit)와 같은 대규모 집적회로나 CPU와 같은 비메모리 반도체 등은 복수의 접촉자가 구비된 반도체 검사장치를 사용하여 검사를 수행한다. 이 검사는 대규모 집적회로나 비메모리 반도체 등에 구비된 복수의 전극 패드 각각에 접촉자를 접촉시켜, 접촉자가 각각의 전극 패드와 전기적 신호를 주고받음으로써 수행된다. A large scale integrated circuit such as a large scale integrated circuit (LSI) or a non-memory semiconductor such as a CPU performs inspection using a semiconductor inspection apparatus provided with a plurality of contacts. This inspection is performed by bringing a contactor into contact with each of a plurality of electrode pads provided in a large scale integrated circuit, a non-memory semiconductor, or the like, so that the contactor exchanges an electrical signal with each electrode pad.

이러한 접촉자는 신속하고 정확한 검사 결과 도출을 위하여 전극 패드와 전기적 신호를 빠르고 정확하게 주고받기 위한 낮은 전기저항성, 및 전극 패드와 접촉 시 마모를 줄이기 위한 높은 경도 등 안정성이 요구된다. 또한, 전극 패드에 접촉 시 전극 패드에 발생되는 스크래치를 줄이기 위한 높은 탄성, 미세 피치의 전극 패드를 갖는 대규모 집적회로 등의 검사가 가능하도록 이에 대응한 미세 피치의 접촉자를 만들기 위한 높은 가공성, 및 접촉자가 미세 피치의 전극 패드와 보다 용이하게 접촉될 수 있도록 접촉자의 단부를 첨단 형상 또는 테이퍼(taper) 형상 등으로 쉽게 만들기 위한 에칭의 용이성이 요구된다. The contactor requires stability such as low electrical resistance to quickly and accurately exchange electrical signals with the electrode pads and high hardness to reduce wear when contacted with the electrode pads for quick and accurate test results. In addition, a high elasticity to reduce scratches generated on the electrode pad when contacting the electrode pad, a high workability for making a contact with a fine pitch corresponding to the inspection of a large-scale integrated circuit having a fine pitch electrode pad, etc., and a contactor Ease of etching is required to easily make the end of the contact into a tip shape, a taper shape, or the like so that the contact can more easily contact the fine pitch electrode pad.

종래의 접촉자의 재료로는 텅스텐(W), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 니켈(Ni) 등을 많이 사용하였다. 그러나, 텅스텐은 낮은 탄성 및 높은 전기저항성을 가져 전극 패드에 스크래치가 잘 발생하고, 신속하고 정확한 검사를 할 수 없다는 문제점이 있었다. 또한, 은, 백금, 팔라듐 및 니켈은 에칭 용액으로 산성용액을 사용하여야 되므로 제조 공정 시 제조자가 위험하며, 에칭을 대신하여 호닝(honing)기술을 사용하는 경우 제조 공정의 비용이 높아지고, 공정이 복잡해진다는 문제점이 있었다.Tungsten (W), silver (Ag), platinum (Pt), palladium (Pd), nickel (Ni), and the like were used as a conventional contactor material. However, tungsten has low elasticity and high electrical resistance, so that scratches are easily generated on the electrode pads, and rapid and accurate inspection cannot be performed. In addition, silver, platinum, palladium, and nickel must be used as an etching solution, so the manufacturing process is dangerous for the manufacturing process, and when the honing technique is used instead of etching, the manufacturing process becomes expensive and the process is complicated. There was a problem.

본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 높은 탄성, 높은 경도와 낮은 전기저항성을 가지는 등 안정적이며, 제조 공정이 용이하고, 미세 피치의 전극패드를 갖는 대규모 집적회로 등의 검사가 가능한 접촉자와 이를 포함하는 반도체 검사장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present application is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and is stable, having high elasticity, high hardness, and low electrical resistance, and is easy to manufacture, and enables inspection of a large scale integrated circuit having a fine pitch electrode pad. An object of the present invention is to provide a contactor and a semiconductor inspection device including the same.

또한, 이러한 접촉자를 제조하는 방법과 이러한 방법으로 제조된 접촉자를 포함하는 반도체 검사장치를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a method of manufacturing such a contactor and a method of manufacturing a semiconductor inspection apparatus including a contactor manufactured by the method.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제1측면에 따른 접촉자의 제조방법은, 소정의 직경을 가지며 로듐(Rh) 100wt%로 이루어진 와이어를 제작하는 단계 및 상기 와이어의 일단부를 에칭하는 단계를 포함할 수 있다. As a technical means for achieving the above technical problem, the manufacturing method of the contact according to the first aspect of the present application, manufacturing a wire having a predetermined diameter and made of rhodium (Rh) 100wt% and etching one end of the wire It may include the step.

한편, 본원의 제2측면에 따른 반도체 검사장치의 제조방법은, 본원의 제1측면에 따른 접촉자의 제조방법을 통해 복수의 접촉자를 제조하는 단계 및 상기 복수의 접촉자를 기판에 접합시키는 단계를 포함할 수 있다.On the other hand, the method of manufacturing a semiconductor inspection apparatus according to the second aspect of the present application, the manufacturing method of the plurality of contacts through the manufacturing method of the contact according to the first aspect of the present application and the step of bonding the plurality of contacts to the substrate can do.

한편, 본원의 제3측면에 따른 접촉자는, 직경이 0.02mm이상 0.08mm이하이고, 로듐100wt%로 이루어질 수 있다.On the other hand, the contact according to the third aspect of the present application, the diameter is 0.02mm or more and 0.08mm or less, it may be made of rhodium 100wt%.

한편, 본원의 제4측면에 따른 반도체 검사장치는, 본원의 제3측면에 따른 접촉자 및 상기 접촉자와 전기적으로 연결되는 기판을 포함하되, 상기 접촉자는 복수개가 구비될 수 있다.Meanwhile, the semiconductor inspection apparatus according to the fourth aspect of the present application may include a contactor according to the third aspect of the present application and a substrate electrically connected to the contactor, and a plurality of the contactors may be provided.

전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 접촉자가 로듐(Rh) 100wt%로 이루어짐으로써 높은 탄성을 가질 수 있어, 대규모 집적회로나 비메모리 반도체 등의 검사를 수행할 때 전극 패드에 발생되는 스크래치를 줄일 수 있다. 또한, 접촉자가 높은 경도 및 낮은 전기저항성을 가질 수 있어 접촉자의 마모가 줄어들고, 전극 패드와 정확하고 빠르게 전기적 신호를 주고받을 수 있으므로 신속하고 정확한 검사가 가능하여 안정적이다. 또한, 알칼리성 용액으로 에칭이 가능하여 제조 공정이 용이하고 비용이 저렴해질 수 있다.According to the above-described problem solving means of the present application, the contact is made of rhodium (Rh) 100wt% can have a high elasticity, reducing the scratches generated in the electrode pad when inspecting a large-scale integrated circuit or non-memory semiconductor, etc. Can be. In addition, the contactor can have a high hardness and low electrical resistance to reduce the wear of the contactor, it is possible to send and receive an electrical signal with the electrode pad accurately and quickly, so that a quick and accurate inspection can be stable. In addition, it is possible to etch with an alkaline solution to facilitate the manufacturing process and low cost.

또한, 접촉자가 0.02mm이상 0.08mm이하의 직경을 가짐으로써 전극 패드가 미세 피치인 대규모 집적회로나 비메모리 반도체 등의 검사가 가능하고, 접촉자가 낮은 전기저항성을 가져 신속하고 정확한 검사를 수행할 수 있다.In addition, since the contactor has a diameter of 0.02mm or more and 0.08mm or less, it is possible to inspect a large-scale integrated circuit or a non-memory semiconductor, etc., in which the electrode pad is fine pitch, and the contactor has a low electrical resistance to perform a quick and accurate inspection. have.

도 1은 본원의 일 실시예에 따른 접촉자의 제조방법의 전체 순서도이다.
도 2는 본원의 일 실시예에 따른 도1의 S100 단계를 설명하기 위한 상세 순서도이다.
도 3의 (a) 및 (b)는 본원의 일 실시예에 따른 도2의 S110 단계를 설명하기 위한 공정 과정을 도시한 도면이다.
도 4는 본원의 일 실시예에 따른 반도체 검사장치의 제조방법의 전체 순서도이다.
도 5는 본원의 일 실시예에 따른 반도체 검사장치의 개략적인 단면도이다.1 is an overall flowchart of a manufacturing method of a contact according to an embodiment of the present application.
FIG. 2 is a detailed flowchart illustrating step S100 of FIG. 1 according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
3 (a) and 3 (b) illustrate a process for explaining the step S110 of FIG. 2 according to an embodiment of the present application.
4 is an overall flowchart of a method of manufacturing a semiconductor inspection apparatus according to an embodiment of the present application.
5 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor inspection apparatus according to an exemplary embodiment of the present disclosure.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. It should be understood, however, that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In the drawings, the same reference numbers are used throughout the specification to refer to the same or like parts.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. Throughout this specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it is not limited to a case where it is "directly connected" but also includes the case where it is "electrically connected" do.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is located "on" another member, this includes not only when one member is in contact with another member but also when another member exists between the two members.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.Throughout this specification, when an element is referred to as "including " an element, it is understood that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise. The terms "about "," substantially ", etc. used to the extent that they are used throughout the specification are intended to be taken to mean the approximation of the manufacturing and material tolerances inherent in the stated sense, Accurate or absolute numbers are used to help prevent unauthorized exploitation by unauthorized intruders of the referenced disclosure. As used throughout this specification, the term "step to" or "step of" does not mean "step for."

본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.Throughout this specification, the term "combination of these" included in the expression of the makushi form means one or more mixtures or combinations selected from the group consisting of constituents described in the expression of the makushi form, wherein the constituents It means to include one or more selected from the group consisting of.

본원의 일 실시예에 따른 접촉자의 제조방법(이하 '본 접촉자의 제조방법'이라 함)에 대해 설명한다.A method of manufacturing a contactor (hereinafter, referred to as a 'manufacturing method of the contactor') according to an embodiment of the present application will be described.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 접촉자의 제조방법은 소정의 직경을 가지며, 로듐(Rh) 100wt%로 이루어진 와이어를 제작하는 단계(S100)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the method for manufacturing the contactor has a predetermined diameter and includes manufacturing a wire made of rhodium (Rh) 100 wt% (S100).

종래의 접촉자의 재료로는 텅스텐(W), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 니켈(Ni) 등을 많이 사용하였으나, 텅스텐은 높은 전기저항성을 가져 반도체 집적회로 등을 신속하고 정확하게 검사할 수 없다는 문제점이 있었다. 또한, 은, 백금, 팔라듐 및 니켈은 에칭이 용이하지 않고, 에칭 용액으로 산성 용액을 사용하여야 하므로 제조 공정 시 제조자가 위험하다는 문제점이 있으며, 에칭을 대신하여 호닝(honing)기술을 사용하는 경우 제조 비용이 비싸지고 공정이 복잡해진다는 문제점이 있었다.Conventional contactor materials include tungsten (W), silver (Ag), platinum (Pt), palladium (Pd), nickel (Ni), etc. There was a problem that can not be accurately tested. In addition, silver, platinum, palladium and nickel are not easy to etch, and there is a problem that a manufacturer is dangerous during the manufacturing process because an acidic solution should be used as an etching solution, and when a honing technique is used instead of etching. There is a problem that the cost is expensive and the process is complicated.

전술한 문제점을 해결하기 위해 본 접촉자의 제조방법에서는 접촉자(3)를 로듐(Rh) 100wt%로 제조하였다. 특히, 순수한 로듐(Rh)(로듐 100wt%)은 텅스텐 및 로듐의 합금에 비해 높은 경도 및 낮은 전기저항성을 가지며, 높은 탄성을 가진다. 따라서, 로듐100wt%로 제조되는 접촉자(3)로 대규모 집적회로나 비메모리 반도체 등의 검사를 수행 시, 접촉자(3)가 잘 마모되지 않고 전극 패드와 정확하고 빠르게 전기적 신호를 주고받을 수 있으므로 검사가 정확하고 신속하게 이루어질 수 있어 보다 안정적인 검사가 가능하며, 전극 패드에 발생되는 스크래치를 줄일 수 있다. In order to solve the above problems, in the manufacturing method of the present contactor, the contactor 3 was manufactured at 100 wt% of rhodium (Rh). In particular, pure rhodium (Rh) (100 wt% rhodium) has a high hardness and low electrical resistance, and a high elasticity compared to the alloy of tungsten and rhodium. Therefore, when a large scale integrated circuit or a non-memory semiconductor is inspected with a contactor 3 made of rhodium 100wt%, the contactor 3 may not be worn well and may exchange electrical signals with the electrode pads accurately and quickly. Can be made accurately and quickly, allowing more stable inspection and reducing scratches on the electrode pads.

또한, 순수한 로듐(로듐100wt%)은 은, 백금, 팔라듐, 니켈 등과 달리 알칼리성 용액으로 에칭될 수 있다. 따라서, 로듐100wt%로 접촉자(3)를 제조하는 경우, 제조자의 안전을 도모함과 동시에 제조 공정이 용이하고 제조 공정에 사용되는 비용을 줄일 수 있다.In addition, pure rhodium (100 wt% rhodium) may be etched with an alkaline solution unlike silver, platinum, palladium, nickel and the like. Therefore, in the case of manufacturing the contactor 3 with rhodium 100wt%, the manufacturing process can be facilitated and the cost used for the manufacturing process can be reduced while at the same time improving the safety of the manufacturer.

또한, 순수한 로듐은 로듐의 합금에 비해 전기 저항성이 낮고 탄성이 좋을 뿐만 아니라 경도가 높다. 이에 본원의 발명자는 기존의 로듐의 합금보다 순수한 로듐이 전기 저항성이 낮고 탄성이 좋으며 에칭이 잘 된다는 점에 착안하여, 최근 요구되고 있는 접촉자의 성능에 대응할 수 있는 접촉자(3)를 개발하였다.Pure rhodium also has lower electrical resistance, better elasticity and higher hardness than alloys of rhodium. Accordingly, the inventors of the present application have developed a contactor 3 capable of coping with the performance of a recently required contactor, focusing on the fact that pure rhodium is lower in electrical resistance, better elasticity, and better etched than an existing alloy of rhodium.

소정의 직경은 0.02mm 이상 0.08mm 이하일 수 있다.The predetermined diameter may be 0.02 mm or more and 0.08 mm or less.

와이어의 직경이 0.08mm초과인 경우, 미세 피치를 갖는 전극 패드가 구비된 대규모 집적회로나 비메모리 반도체 등을 검사할 수 없어 최근 요구되고 있는 좁은 피치화에 대하여 대응할 수 없다. 또한, 이웃하는 접촉자(3)간에 단락현상이 발생할 수 있어 정확한 검사가 불가능하다.When the diameter of the wire exceeds 0.08 mm, it is impossible to inspect a large scale integrated circuit, a non-memory semiconductor, or the like provided with an electrode pad having a fine pitch, and thus cannot cope with the narrow pitch required in recent years. In addition, short circuiting may occur between neighboring contacts 3, so that accurate inspection is impossible.

또한, 와이어의 직경이 0.02mm 미만인 경우, 접촉자(3)의 전기저항성이 높아지고 이에 따라 검사 속도가 현저히 저하될 수 있고, 정확한 검사 결과를 도출할 수 없다. 이는 와이어의 단면적과 전기저항은 반비례 관계인바, 와이어의 단면적이 작아질수록 전기저항은 커지기 때문이다. 특히, 대규모 집적회로(LSI)나 비메모리 반도체 등은 일반 집적회로(IC)나 DRAM과 같은 메모리 반도체에 비해 전기적 특성이 민감하다. 따라서, 이를 검사하기 위해서는 접촉자(3)의 전기저항성이 메모리 반도체 등의 검사장치에 사용되는 접촉자에 비해 낮아야 하는데, 와이어의 직경이 0.02mm 미만인 경우 접촉자(3)가 높은 전기저항성을 가져 대규모 집적회로나 비메모리 반도체 등을 검사하기에 부적합하다.In addition, when the diameter of the wire is less than 0.02 mm, the electrical resistance of the contactor 3 becomes high, and thus the inspection speed may be significantly reduced, and accurate inspection results cannot be derived. This is because the cross-sectional area of the wire and the electrical resistance are inversely related, and as the cross-sectional area of the wire decreases, the electrical resistance increases. In particular, large scale integrated circuits (LSIs) and non-memory semiconductors, etc., are more sensitive to electrical characteristics than memory ICs such as integrated circuits (ICs) and DRAMs. Therefore, in order to inspect this, the electrical resistance of the contactor 3 should be lower than that of a contactor used in an inspection apparatus such as a memory semiconductor. When the diameter of the wire is less than 0.02 mm, the contactor 3 has a high electrical resistance and has a large integrated circuit. It is not suitable for testing non-memory semiconductors.

따라서, 메모리 반도체 등에 비해 전기적 특성이 민감하고 전극 패드가 미세 피치를 갖는 대규모 집적회로나 비메모리 반도체 등을 검사하기 위해서는 와이어의 직경이 0.02mm 이상 0.08mm 이하임이 바람직하다.Accordingly, the diameter of the wire is preferably 0.02 mm or more and 0.08 mm or less in order to inspect a large scale integrated circuit, a non-memory semiconductor, or the like whose electrical characteristics are more sensitive than that of the memory semiconductor and the electrode pads have a fine pitch.

도 2에 도시된 바와 같이, 와이어를 제작하는 단계(S100)는 로듐100wt%인 봉재(30)가 소정의 직경을 갖도록 인발 가공하는 단계(S110)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, the step (S100) of manufacturing the wire may include a step (S110) of drawing the rod 30 having rhodium 100 wt% to have a predetermined diameter.

도 3을 참조하면, 인발 가공(drawing)은 봉재(30)나 관재를 이것보다 작은 직경의 홀을 갖는 다이스(10)라는 틀에 소정의 열과 압력을 가하여 통과시켜, 다이스(10)의 홀과 같은 형상의 단면을 갖는 제품을 얻는 가공법을 말한다.Referring to FIG. 3, drawing is performed by applying a predetermined heat and pressure to a die, such as a die 10 having a hole having a diameter smaller than this, by applying a predetermined heat and pressure. The processing method of obtaining a product having a cross section of the same shape.

따라서, 로듐100wt%인 봉재(30)를 원하는 소정의 직경을 갖는 홀이 구비된 다이스(10)에 통과시킴으로써 소정의 직경을 갖는 와이어를 제작할 수 있다.Therefore, a wire having a predetermined diameter can be produced by passing the rod 30 having a rhodium of 100 wt% through the die 10 provided with a hole having a desired predetermined diameter.

또한, 와이어를 제작하는 단계에서 인발 가공은 서로 다른 직경의 홀을 갖는 복수의 다이스(10)를 통해 봉재(30)에 대해 반복적으로 이루어질 수 있다.In addition, the drawing process in the step of manufacturing the wire may be repeatedly performed for the bar 30 through a plurality of dice 10 having holes of different diameters.

원하는 와이어의 직경이 봉재(30)의 직경에 비해 아주 작은 경우, 봉재(30)를 한번의 인발 가공을 통해 원하는 직경의 와이어로 만들게 되면 봉재(30)에 스트레스가 가해져 봉재(30)가 파손될 수 있다.If the diameter of the desired wire is very small compared to the diameter of the bar 30, when the bar 30 is made of a wire of the desired diameter through one drawing process, the bar 30 is stressed and the bar 30 may be damaged. have.

따라서, 이러한 경우 봉재(30)를 서로 다른 직경의 홀을 갖는 복수의 다이스(10)에 순차적으로 통과시킴으로써 원하는 직경을 가지는 와이어로 제작할 수 있다.Therefore, in this case, the rod 30 can be made of a wire having a desired diameter by sequentially passing through the plurality of dice 10 having holes of different diameters.

이 때, 도 3의 (a)와 같이 봉재(30)를 상대적으로 큰 직경을 가지는 다이스(10)에 먼저 통과시킨 후, 도 3의 (b)와 같이 작은 직경을 가지는 다이스(10)에 통과시킬 수 있다. 다시 말해, 봉재(30)의 직경이 급격하게 변화됨으로써 봉재(30)에 과도한 응력이 가해져 로듐이 갖는 높은 취성으로 인해 파손되지 않도록 봉재(30)를 큰 직경을 가지는 다이스(10)에서 작은 직경을 가지는 다이스(10)의 순서로 통과시킴이 바람직하다.At this time, the rod 30 is first passed through the die 10 having a relatively large diameter as shown in FIG. 3A, and then passes through the die 10 having a small diameter as shown in FIG. 3B. You can. In other words, the diameter of the bar 30 is drastically changed so that excessive stress is applied to the bar 30 so that the bar 30 is not damaged due to the high brittleness of rhodium. It is preferable to pass the eggplant in the order of the dice 10.

또한, 와이어를 제작하는 단계(S100)에서 인발 가공은 봉재(30)가 소정의 직경을 가지게 될 때까지 반복적으로 이루어질 수 있다.In addition, the drawing process in the step (S100) of manufacturing the wire may be repeatedly performed until the bar 30 has a predetermined diameter.

도 3을 참조하면, 봉재(30)가 원하는 직경을 가지는 와이어로 될 때까지 봉재(30)를 점점 작은 직경을 갖는 다이스(10)에 통과시킬수 있다.Referring to FIG. 3, the bar 30 can be passed through a die 10 having a smaller diameter until the bar 30 becomes a wire having a desired diameter.

소정의 직경을 갖는 와이어를 제작하는 방법의 또다른 방법으로서, 봉재(30)가 특정 직경이 될 때까지만 인발 가공을 하고, 그 이후에는 에칭 용액을 사용하여 봉재(30)의 둘레를 따라 에칭시킴으로써 원하는 직경을 갖는 와이어를 만들 수 있다. 이 때, 에칭 공정은 건식 에칭, 습식 에칭 등이 있으나, 공정을 보다 단순화 시키기 위해 습식 에칭을 수행함이 바람직하다.As another method of manufacturing a wire having a predetermined diameter, drawing is performed only until the bar 30 has a specific diameter, and thereafter, by etching along the circumference of the bar 30 using an etching solution. You can make a wire with the desired diameter. At this time, the etching process is a dry etching, wet etching, etc., it is preferable to perform a wet etching to simplify the process.

로듐 100wt%이고 소정의 직경을 갖는 와이어를 제조할 수 있는 또 다른 예시로는, 인발 가공 시 봉재(30)의 파손이 일어나지 않게 하기 위해서 봉재(30)의 취성을 낮출 수 있으면서도 미량의 첨가물을 봉재(30)에 첨가하여 봉재(30)를 원하는 소정의 직경을 갖는 와이어가 될 때까지 한번 이상의 인발 가공을 수행시킬 수 있다. 이 때, 첨가물은 완성된 와이어의 조성 분석 시, 분석기를 통해 검출되지 않는 정도의 미량만을 첨가함이 바람직하다. As another example of producing a wire having a rhodium content of 100 wt% and having a predetermined diameter, in order to prevent breakage of the bar 30 during the drawing process, the brittleness of the bar 30 may be lowered, while a small amount of additives may be bared. It can be added to 30 to carry out one or more drawing operations until the bar 30 becomes a wire having a desired predetermined diameter. At this time, the additive is preferably added only a trace amount that is not detected through the analyzer when analyzing the composition of the finished wire.

도 2에 도시된 바와 같이, 인발 가공하는 단계(S110)를 거친 봉재(30)를 절단하여 와이어를 제작하는 단계(S120)를 포함할 수 있다. 이 때, 반도체 검사장치에 부착될 접촉자의 길이로 봉재(30)를 절단하여 와이어를 제작할 수 있다.As shown in Figure 2, it may include a step (S120) to produce a wire by cutting the bar material 30 passed through the step (S110) drawing. At this time, the bar 30 may be cut to the length of the contact to be attached to the semiconductor inspection device to produce a wire.

예시적으로, 봉재(30)는 미세 가공 또는 높은 정밀도의 가공을 필요로 하는 경우에 사용되는 방법인 와이어 방전가공(wire cut electrical discharge machining)을 통해 절단될 수 있다. 와이어 방전가공은 와이어에 방전스파크를 톱날처럼 사용하여 절단 가공하는 방법이다.For example, the bar 30 may be cut through wire cut electrical discharge machining, which is a method used when fine machining or high precision machining is required. Wire discharge machining is a method of cutting by using discharge spark as a saw blade on a wire.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 접촉자의 제조방법은 와이어의 일단부를 에칭하는 단계(S200)를 포함한다.As illustrated in FIG. 1, the method of manufacturing the contactor includes etching the one end of the wire (S200).

접촉자(3)는 최근 요구되는 좁은 피치화에 대응하여 미세한 크기의 전극 패드에 접촉될 수 있도록 일단부가 첨단 형상 또는 테이퍼(taper) 형상 등을 가질 수 있다. 이를 위해 와이어의 일단부를 에칭 용액에 담궈 와이어의 일단부가 결정 방향에 따라 에칭되도록 하여 첨단 형상 또는 테이퍼 형상 등을 가지도록 할 수 있다.The contactor 3 may have a tip shape, a taper shape, or the like at one end thereof so as to be in contact with an electrode pad of a minute size in response to a narrow pitch required recently. To this end, one end of the wire may be immersed in an etching solution so that one end of the wire may be etched along the crystal direction to have a tip shape or a tapered shape.

와이어의 일단부를 에칭하는 단계(S200)에서 와이어의 일단부는 알칼리성 용액을 통해 습식 에칭될 수 있다.In step S200 of etching one end of the wire, one end of the wire may be wet etched through the alkaline solution.

에칭에는 습식 에칭과 건식 에칭이 있으나, 앞서 설명한 바와 같이 공정을 보다 단순화시키기 위해 습식 에칭을 수행함이 바람직하다. 습식 에칭은 목표 금속만을 부식 용해하는 성질을 가지는 액체를 사용하여 금속을 에칭시키는 공정이다.Although etching includes wet etching and dry etching, it is preferable to perform wet etching to further simplify the process as described above. Wet etching is a process of etching a metal using a liquid having the property of corrosive dissolving only a target metal.

종래에는 접촉자가 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 니켈(Ni) 등으로 이루어져 이를 에칭시키기 위해서는 에칭 용액으로 산성 용액을 사용하였다. 그러나 산성 용액은 다소 위험하고 이러한 금속으로 만들어진 접촉자는 에칭이 용이하지 않다는 문제점이 있었다.Conventionally, a contactor is made of silver (Ag), platinum (Pt), palladium (Pd), nickel (Ni), etc., and an acidic solution is used as an etching solution to etch it. However, acidic solutions are rather dangerous and contacts made of such metals are not easy to etch.

이에 이러한 금속으로 만들어진 접촉자는 에칭 공정 대신 호닝(honing) 공정을 수행시켜 일단부가 첨단 형상 또는 테이퍼 형상 등을 갖도록 하였다. 호닝 공정이란, 숫돌로 공작물을 가볍게 문질러 정밀 다듬질을 하는 기계 가공법이다. 그러나 이러한 호닝 공정은 별도의 기계장비가 필요하여 제조 공정의 비용이 올라가고, 공정이 복잡해진다는 문제점이 있었다.Accordingly, the contactor made of such a metal performs a honing process instead of an etching process so that one end has a tip shape or a tapered shape. The honing process is a machining method in which a workpiece is lightly rubbed with a whetstone for fine finishing. However, this honing process requires a separate mechanical equipment, the cost of the manufacturing process increases, there is a problem that the process is complicated.

본 접촉자의 제조방법에는 와이어가 로듐 100wt%로 이루어져 별도의 기계장비가 필요없이 알칼리성 용액을 통해 에칭될 수 있어 산성 용액을 통해 에칭시킬 때 보다 에칭이 용이하고 안전하며, 제조 공정의 비용이 낮아지고, 제조 공정을 보다 단순화시킬 수 있다.In the manufacturing method of the contactor, the wire is made of 100wt% of rhodium and can be etched through the alkaline solution without the need for additional mechanical equipment, which makes etching easier and safer than etching through the acidic solution, and lowers the manufacturing process cost. The manufacturing process can be simplified further.

예시적으로, 습식 에칭에 사용되는 알칼리성 용액으로는 KOH, TMAH 등이 있다.By way of example, alkaline solutions used for wet etching include KOH, TMAH, and the like.

한편, 이하에서는 본원의 일 실시예에 따른 반도체 검사장치의 제조방법(이하 '본 반도체 검사장치의 제조방법'이라 함)에 대해 설명한다. 다만, 앞서 살핀 본원의 일 실시예에 따른 접촉자의 제조방법에서 설명한 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.In the following description, a method of manufacturing a semiconductor test apparatus (hereinafter, referred to as a method of manufacturing the semiconductor test apparatus) according to an exemplary embodiment will be described. However, the same reference numerals are used for the same or similar components as those described in the manufacturing method of the contactor according to an embodiment of the present invention, and the duplicate description will be briefly or omitted.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 반도체 검사장치의 제조방법은 본 접촉자의 제조방법을 통해 복수의 접촉자를 제조하는 단계(S1000)를 포함한다.As shown in FIG. 4, the method of manufacturing the semiconductor inspecting apparatus includes a step S1000 of manufacturing a plurality of contacts through the manufacturing method of the present contacts.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 반도체 검사장치의 제조방법은 복수의 접촉자(3)를 기판(5)에 접합시키는 단계(S2000)를 포함한다.As shown in FIG. 4, the method of manufacturing the semiconductor inspection apparatus includes bonding the plurality of contacts 3 to the substrate 5 (S2000).

이 때, 복수의 접촉자(3)는 기판(5)으로부터 전기적 신호를 전달받아 전극 패드에 전달하거나, 전극 패드로부터 전기적 신호를 전달받아 기판(5)으로 전달하는 역할을 한다. 따라서, 복수의 접촉자(3)를 기판(5)과 전기적으로 연결될 수 있도록 접합시킨다.In this case, the plurality of contacts 3 receive electrical signals from the substrate 5 and transmit the electrical signals to the electrode pads, or receive electrical signals from the electrode pads and transmit the electrical signals to the substrate 5. Thus, the plurality of contacts 3 are joined to be electrically connected to the substrate 5.

기판(5)은 예시적으로 다층 배선 기판일 수 있다. 다층 배선 기판이란 회로망이 복잡해짐에 따라, 여러 개의 패키지가 부착된 배선판은 하나의 층 내에서 패키지 간의 배선을 하는 것이 곤란하여 다층으로 제조한 후 스루 홀 도금(through hole plating)에 의해 각 층을 연결시킨 인쇄 회로 기판(PCB)을 말한다.The substrate 5 may be, for example, a multilayer wiring substrate. As a multi-layer wiring board becomes complicated, a wiring board with several packages is difficult to wire between packages in one layer. Therefore, a multilayer wiring board is manufactured in a multi-layer, and each layer is formed by through hole plating. It refers to the printed circuit board (PCB) connected.

복수의 접촉자(3)를 기판(5)에 접합시키는 단계(S2000)에서 복수의 접촉자(3)는 에폭시 수지를 통해 기판(5)과 접합될 수 있다.In the step S2000 of bonding the plurality of contacts 3 to the substrate 5, the plurality of contacts 3 may be bonded to the substrate 5 through an epoxy resin.

또한, 복수의 접촉자(3)를 기판(5)에 접합시키는 단계(S2000) 전에 전극 패드와의 접촉을 용이하게 하기 위해 복수의 접촉자(3)의 일단부를 소정의 각도로 절곡하는 공정을 수행할 수 있다.In addition, before the step of bonding the plurality of contacts 3 to the substrate 5 (S2000), a process of bending one end of the plurality of contacts 3 at a predetermined angle may be performed to facilitate contact with the electrode pads. Can be.

에폭시 수지는 굳기 등 기계적 성질이 우수하고 경화 시 큰 접착력을 가지므로, 복수의 접촉자(3)는 에폭시 수지를 통해 기판(5)과 확실히 접합될 수 있다. Since the epoxy resin has excellent mechanical properties such as hardening and has a large adhesive force upon curing, the plurality of contacts 3 can be surely bonded to the substrate 5 through the epoxy resin.

한편, 이하에서는 본원의 일 실시예에 따른 접촉자(이하 '본 접촉자 '라 함)(3)에 대해 설명한다. 다만, 앞서 살핀 본원의 일 실시예에 따른 접촉자의 제조방법에서 설명한 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.On the other hand, it will be described below for the contact (hereinafter referred to as the "main contact") (3) according to an embodiment of the present application. However, the same reference numerals are used for the same or similar components as those described in the manufacturing method of the contactor according to an embodiment of the present invention, and the duplicate description will be briefly or omitted.

본 접촉자(3)의 직경은 0.02mm 이상 0.08mm 이하이다.The diameters of the contactor 3 are 0.02 mm or more and 0.08 mm or less.

앞서 설명한 바와 같이, 접촉자(3)의 직경이 0.02mm 미만인 경우, 와이어의 단면적이 작아 이와 반비례 관계에 있는 전기저항은 높아지게 되므로, 전기적 특성에 민감한 대규모 집적회로나 비메모리 반도체 등을 신속하고 정확하게 검사할 수 없다. As described above, when the diameter of the contactor 3 is less than 0.02 mm, the cross-sectional area of the wire is small and the electrical resistance which is inversely related to this becomes high, so that a large-scale integrated circuit or a non-memory semiconductor, etc. sensitive to electrical characteristics can be inspected quickly and accurately. Can not.

또한, 접촉자(3)의 직경이 0.08mm초과인 경우, 미세한 전극 패드를 갖는 대규모 집적회로나 비메모리 반도체 등을 검사할 수 없어 최근 요구되고 있는 좁은 피치화에 대응될 수 없고, 이웃하는 접촉자(3) 간에 단락현상이 발생할 수 있어 정확한 검사가 불가능하다.In addition, when the diameter of the contactor 3 exceeds 0.08 mm, it is impossible to inspect a large scale integrated circuit or a non-memory semiconductor having a fine electrode pad, and thus cannot cope with the narrow pitch required in recent years. 3) Short-circuit may occur between them, making accurate inspection impossible.

따라서, 최근 요구되고 있는 좁은 피치화에 대응될 수 있고 신속하고 정확한 검사가 가능할 수 있도록 접촉자(3)의 직경은 0.02mm 이상 0.08mm 이하임이 바람직하다.Therefore, it is preferable that the diameter of the contactor 3 is 0.02 mm or more and 0.08 mm or less so that it can cope with the narrow pitch which is recently required and can enable quick and accurate inspection.

본 접촉자(3)는 로듐 100wt%로 이루어진다.The present contact 3 is made of rhodium 100wt%.

앞서 설명한 바와 같이, 순수한 로듐(로듐100wt%)은 텅스텐(W) 및 로듐의 합금에 비해 높은 경도, 낮은 전기저항성 및 높은 탄성을 가지고, 은(Ag), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 니켈(Ni) 등과 달리 알칼리성 용액을 사용하여 에칭될 수 있다.As described above, pure rhodium (100 wt% of rhodium) has higher hardness, lower electrical resistance and higher elasticity than alloys of tungsten (W) and rhodium, and includes silver (Ag), palladium (Pd), platinum (Pt), Unlike nickel (Ni) or the like, it can be etched using an alkaline solution.

따라서, 로듐100wt%로 이루어진 접촉자(3)는 비메모리 반도체 등의 검사시 마모가 잘 발생되지 않고 전극 패드와 빠르고 정확하게 전기적 신호를 주고받을 수 있어 신속하고 정확한 검사를 할 수 있어 안정적이다. 또한, 전극 패드에 발생되는 스크래치를 줄일 수 있고, 제조 공정이 단순화될 수 있으며 제조 공정에 사용되는 비용을 줄일 수 있으며, 좁은 피치화에 대응될 수 있는 접촉자(3)의 제조가 가능하다. Therefore, the contactor (3) made of rhodium 100wt% is stable because the wear and tear of the non-memory semiconductor and the like can be exchanged with the electrode pads quickly and accurately and quickly and accurately. In addition, scratches generated in the electrode pads can be reduced, the manufacturing process can be simplified, the cost used for the manufacturing process can be reduced, and the contact 3 can be manufactured which can cope with narrow pitch.

본 접촉자(3)의 일단부는 첨단 형상 또는 테이퍼(taper) 형상으로 형성될 수 있다.One end of the present contact 3 may be formed in a tip shape or a taper shape.

도 5를 참조하면, 접촉자(3)는 대규모 집적회로나 비메모리 반도체 등에 구비된 전극 패드와 접촉하여 전기적 신호를 주고 받음으로써 대규모 집적회로나 비메모리 반도체 등의 성능을 검사한다. 이 때, 전극 패드는 미세 피치를 가지므로 전극 패드와 접촉되는 접촉자(3)의 일단부는 원활한 접촉을 위해 첨단 형상 또는 테이퍼 형상 등으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 5, the contactor 3 checks the performance of a large scale integrated circuit, a non-memory semiconductor, or the like by contacting an electrode pad provided in a large scale integrated circuit or a non-memory semiconductor. At this time, since the electrode pad has a fine pitch, one end of the contactor 3 in contact with the electrode pad may be formed in a tip shape or a tapered shape for smooth contact.

첨단 형상 또는 테이퍼 형상은 접촉자(3)의 일단부를 에칭하여 형성될 수 있다.The tip shape or the tapered shape can be formed by etching one end of the contactor 3.

앞서 설명한 바와 같이, 공정을 보다 단순화시키기 위해 습식 에칭함이 바람직하다. 에칭 용액으로는 KOH, TMAH 등의 알칼리성 용액을 사용할 수 있다.As described above, wet etching is preferred to further simplify the process. Alkali solutions, such as KOH and TMAH, can be used as an etching solution.

한편, 이하에서는 본원의 일 실시예에 따른 반도체 검사장치(이하 '본 반도체 검사장치'라 함)(1)에 대해 설명한다. 다만, 앞서 살핀 본원의 일 실시예에 따른 접촉자의 제조방법에서 설명한 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.In the following description, a semiconductor inspection apparatus (hereinafter, referred to as a 'main semiconductor inspection apparatus') 1 according to an exemplary embodiment of the present application will be described. However, the same reference numerals are used for the same or similar components as those described in the manufacturing method of the contactor according to an embodiment of the present invention, and the duplicate description will be briefly or omitted.

본 반도체 검사장치(1)는 본 접촉자(3)를 포함한다. 본 접촉자(3)를 포함함으로써, 본 반도체 검사장치(1)는 앞서 설명한 바와 같이 높은 안정성을 가지며, 전극 패드에 발생되는 스크래치를 줄일 수 있고 및 좁은 피치화에 대응되는 접촉자(3)를 가질 수 있다. 또한, 대규모 집적회로나 비메모리 반도체 등을 정확하고 신속하게 검사할 수 있고, 제조 공정이 비교적 용이하고 단순하다. The semiconductor inspection apparatus 1 includes the main contact 3. By including the present contact 3, the present semiconductor inspection apparatus 1 has a high stability as described above, can reduce the scratches generated in the electrode pad, and can have the contact 3 corresponding to narrow pitching. have. In addition, large scale integrated circuits, non-memory semiconductors and the like can be inspected accurately and quickly, and the manufacturing process is relatively easy and simple.

본 반도체 검사장치(1)는 본 접촉자(3)와 전기적으로 연결되는 기판(5)을 포함한다.The present semiconductor inspection apparatus 1 includes a substrate 5 electrically connected to the present contact 3.

예시적으로, 기판(5)은 앞서 설명한 바와 같이 다층 배선 기판일 수 있다. In exemplary embodiments, the substrate 5 may be a multilayer wiring board as described above.

기판(5)은 전기적 신호를 접촉자(3)를 통해 전극 패드에 전달하거나, 다시 전극 패드로부터 접촉자(3)를 통해 전기적 신호를 전달받는다.The substrate 5 transmits an electrical signal to the electrode pad through the contactor 3 or again receives an electrical signal from the electrode pad through the contactor 3.

본 반도체 검사장치(1)는 본 접촉자(3)와 기판(5)을 연결시키는 에폭시 수지층(미도시)을 더 포함할 수 있다. The semiconductor inspection apparatus 1 may further include an epoxy resin layer (not shown) connecting the contactor 3 to the substrate 5.

접촉자(3)의 상부면에 에폭시 수지를 도포하여 기판(5)과 접착시킴으로써, 접촉자(3)가 기판(5)과 보다 확실하게 연결될 수 있다. By applying an epoxy resin to the upper surface of the contactor 3 and adhering it to the substrate 5, the contactor 3 can be more reliably connected to the substrate 5.

또한, 본 접촉자(3)를 기판(5)에 연결시키는 공정 전에 전극 패드와의 접촉을 용이하게 하기 위해 본 접촉자(3)의 일단부를 소정의 각도로 절곡하는 공정을 수행할 수 있다.In addition, before the step of connecting the main contactor 3 to the substrate 5, a step of bending one end of the main contactor 3 at a predetermined angle may be performed to facilitate contact with the electrode pad.

전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.It will be understood by those of ordinary skill in the art that the foregoing description of the embodiments is for illustrative purposes and that those skilled in the art can easily modify the invention without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

1: 반도체 검사장치 3: 접촉자
5: 기판 10: 다이스
30: 봉재1: semiconductor inspection device 3: contactor
5: substrate 10: dice
30: sewing

Claims (13)

반도체를 검사하기 위한 접촉자의 제조방법에 있어서,
소정의 직경을 가지며, 로듐(Rh) 100wt%로 이루어진 와이어를 제작하는 단계; 및
상기 와이어의 일단부를 알칼리성 용액을 통해 습식 에칭하여 첨단 형상 또는 테이퍼(taper) 형상으로 형성하는 단계를 포함하되,
상기 와이어의 일단부는 상기 반도체와 접촉하기 위한 것인 접촉자의 제조방법.In the manufacturing method of a contact for inspecting a semiconductor,
Preparing a wire having a predetermined diameter and made of 100 wt% of rhodium (Rh); And
And wet etching one end of the wire through an alkaline solution to form a tip shape or a taper shape.
Wherein one end of the wire is for contacting the semiconductor. 제 1 항에 있어서,
상기 와이어를 제작하는 단계는,
로듐100wt%인 봉재가 상기 소정의 직경을 갖도록 인발 가공하는 단계; 및
상기 인발 가공하는 단계를 거친 상기 봉재를 절단하여 상기 와이어를 제작하는 단계를 포함하는 것인 접촉자의 제조방법.The method of claim 1,
Producing the wire,
Drawing a rod having a rhodium of 100wt% to have the predetermined diameter; And
And manufacturing the wire by cutting the rod that has been subjected to the drawing process. 제 2 항에 있어서,
상기 와이어를 제작하는 단계에서,
상기 인발 가공은 서로 다른 직경의 홀을 갖는 복수의 다이스를 통해 상기 봉재에 대해 반복적으로 이루어지는 것인 접촉자의 제조방법.The method of claim 2,
In the step of manufacturing the wire,
The drawing process is a method for manufacturing a contactor that is repeatedly performed for the bar through a plurality of dice having holes of different diameters. 제 3 항에 있어서,
상기 와이어를 제작하는 단계에서,
상기 인발 가공은 상기 봉재가 상기 소정의 직경을 가지게 될 때까지 반복적으로 이루어지는 것인 접촉자의 제조방법.The method of claim 3, wherein
In the step of manufacturing the wire,
The drawing process is a method for producing a contact that is made repeatedly until the bar has the predetermined diameter. 제 1 항에 있어서,
상기 소정의 직경은 0.02mm이상 0.08mm이하인 접촉자의 제조방법.The method of claim 1,
And said predetermined diameter is 0.02 mm or more and 0.08 mm or less. 삭제delete 반도체 검사장치의 제조방법에 있어서,
청구항 1에 따른 접촉자의 제조방법을 통해 복수개의 접촉자를 제조하는 단계; 및
상기 복수개의 접촉자를 기판에 접합시키는 단계를 포함하는 것인 반도체 검사장치의 제조방법.In the manufacturing method of a semiconductor inspection device,
Manufacturing a plurality of contacts through the method of manufacturing a contact according to claim 1; And
And bonding the plurality of contacts to a substrate. 제 7 항에 있어서,
상기 복수개의 접촉자를 기판에 접합시키는 단계에서,
상기 복수개의 접촉자는 에폭시 수지를 통해 상기 기판과 접합되는 것인 반도체 검사장치의 제조방법.The method of claim 7, wherein
In the bonding of the plurality of contacts to a substrate,
And the plurality of contacts are bonded to the substrate through an epoxy resin. 반도체를 검사하기 위한 접촉자에 있어서,
직경은 0.02mm이상 0.08mm이하이고, 로듐100wt%로 이루어지되,
상기 접촉자의 일단부는 상기 반도체와 접촉하기 위한 것으로서, 알칼리성 용액을 통해 습식 에칭되어 첨단 형상 또는 테이퍼(taper) 형상으로 형성되는 것인 접촉자.In the contact for inspecting a semiconductor,
The diameter is 0.02mm or more and 0.08mm or less, and it is made of rhodium 100wt%,
One end of the contact is for contacting the semiconductor, wherein the contact is wet etched through an alkaline solution to form a tip shape or taper (taper) shape. 삭제delete 삭제delete 반도체 검사장치에 있어서,
청구항 9에 따른 접촉자; 및
상기 접촉자와 전기적으로 연결되는 기판을 포함하되,
상기 접촉자는 복수개가 구비되는 것인 반도체 검사장치.In the semiconductor inspection device,
A contact according to claim 9; And
Including a substrate electrically connected with the contact,
The contactor is provided with a plurality of contacts. 제 12 항에 있어서,
상기 복수개의 접촉자와 상기 기판을 연결시키는 에폭시 수지층을 더 포함하는 반도체 검사장치. 13. The method of claim 12,
And an epoxy resin layer connecting the plurality of contacts to the substrate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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