KR101210164B1 - Solar cell apparatus and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 태양전지는 지지기판; 상기 지지기판의 일부를 관통하여 형성된 홀을 포함하는 하나 이상의 그루브; 상기 지지기판 상에 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 윈도우층;을 포함한다.The solar cell according to the embodiment includes a support substrate; At least one groove including a hole formed through a portion of the support substrate; A back electrode layer on the support substrate; A light absorbing layer on the back electrode layer; A buffer layer on the light absorbing layer; And a window layer on the buffer layer.

Description

태양전지 및 이의 제조방법{SOLAR CELL APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF {SOLAR CELL APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.An embodiment relates to a solar cell and a manufacturing method thereof.

최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지에 대한 개발이 진행되고 있다.Recently, as the demand for energy increases, development of solar cells for converting solar energy into electrical energy is in progress.

특히, 유리지지기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 버퍼층, n형 투명전극층 등을 포함하는 지지기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.In particular, a CIGS-based solar cell, which is a pn heterojunction device having a support substrate structure including a glass support substrate, a metal back electrode layer, a p-type CIGS-based light absorbing layer, a buffer layer, an n-type transparent electrode layer, and the like, is widely used.

또한, 이러한 태양전지의 효율을 증가시키기 위해서 다양한 연구가 진행 중이다.In addition, various studies are underway to increase the efficiency of such solar cells.

실시예는 지지기판의 표면에 그루브가 형성되므로 지지기판의 휘어짐을 증가시켜 활용도를 증가시킬 수 있다.In the embodiment, since the groove is formed on the surface of the support substrate, the utilization of the support substrate may be increased by increasing the bending of the support substrate.

실시예에 따른 태양전지는 지지기판; 상기 지지기판의 일부를 관통하여 형성된 홀을 포함하는 하나 이상의 그루브; 상기 지지기판 상에 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 윈도우층;을 포함한다.The solar cell according to the embodiment includes a support substrate; At least one groove including a hole formed through a portion of the support substrate; A back electrode layer on the support substrate; A light absorbing layer on the back electrode layer; A buffer layer on the light absorbing layer; And a window layer on the buffer layer.

실시예에 따르면, 지지기판의 표면에 그루브가 형성되므로 지지기판의 휘어짐을 증가시켜 활용도를 증가시킬 수 있다.According to the embodiment, since the groove is formed on the surface of the support substrate, it is possible to increase the utilization by increasing the bending of the support substrate.

도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1 에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 8 및 도 9는 다른 실시예에 따른 태양전지의 지지기판을 도시한 단면도이다.1 is a plan view showing a solar cell according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along AA ′ in FIG. 1.
3 to 7 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment.
8 and 9 are cross-sectional views showing a supporting substrate of a solar cell according to another embodiment.

실시예의 설명에 있어서, 각 지지기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 지지기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, when each support substrate, layer, film, or electrode is described as being formed "on" or "under" of each support substrate, layer, film, or electrode, etc. As used herein, “on” and “under” include both “directly” or “indirectly” other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1에서 A-A`선을 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.1 is a plan view illustrating a solar cell according to an embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along a line A-A 'of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 실시예에 따른 태양전지는 지지기판(100), 상기 지지기판(100) 상에 이면전극층(200), 상기 이면전극층(200) 상에 광 흡수층(300), 상기 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500), 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 윈도우층(600)을 포함한다.2, a solar cell according to an embodiment includes a support substrate 100, a back electrode layer 200 on the support substrate 100, a light absorbing layer 300 on the back electrode layer 200, and the light absorbing layer. A buffer layer 400 and a high resistance buffer layer 500 on the 300 and a window layer 600 on the high resistance buffer layer 500 are included.

상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 이면전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 윈도우층(600)을 지지한다.The support substrate 100 has a plate shape and supports the back electrode layer 200, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, the high resistance buffer layer 500, and the window layer 600.

상기 지지기판(100)은 투명할 수 있고, 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다.The support substrate 100 may be transparent and may be an insulator. The support substrate 100 may be a glass substrate, a plastic substrate, or a metal substrate.

이외에, 상기 지지기판(100)은 플렉서블할 수 있다. 상기 지지기판(100)의 재질로 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인레스 스틸, 유연성이 있는 고분자, 폴리이미드(Polyimide)등이 사용될 수 있다.In addition, the support substrate 100 may be flexible. As a material of the support substrate 100, a ceramic substrate such as alumina, stainless steel, a flexible polymer, polyimide, or the like may be used.

상기 지지기판(100)의 일부 영역에는 그루브(groove)(110)가 형성될 수 있다. Grooves 110 may be formed in some regions of the support substrate 100.

상기 그루브(110)는 복수개의 태양전지 셀들(C1, C2...)과 평행하게 형성되는 것이 바람직하다.The groove 110 is preferably formed in parallel with the plurality of solar cells (C1, C2 ...).

상기 그루브(110)는 상기 지지기판(100)의 표면에 직선으로 형성될 수 있다. The groove 110 may be formed in a straight line on the surface of the support substrate 100.

도 8 및 도 9는 상기 지지기판(100)에 형성된 그루브(110)의 다른 실시예를 나타낸 도면으로, 상기 그루브(110)는 상기 지지기판(100)의 상면과 하면에 번갈아 형성될 수 있고, 상기 그루브(110)가 상면에 형성되고, 홀을 형성하며, 하면에 형성될 수도 있다. 8 and 9 are views showing another embodiment of the groove 110 formed on the support substrate 100, the groove 110 may be alternately formed on the upper and lower surfaces of the support substrate 100, The groove 110 may be formed on the upper surface, form a hole, and may be formed on the lower surface.

상기 그루브(110)가 상기 지지기판(100)의 상면과 하면에 교대로 형성되는 경우, 상기 지지기판(100)의 상면 또는 하면을 향한 휘어짐이 증가할 수 있다.When the grooves 110 are alternately formed on the top and bottom surfaces of the support substrate 100, the bending toward the top or bottom surface of the support substrate 100 may increase.

상기 그루브(110)의 폭은 300μm 내지 1000 μm의 범위로 형성될 수 있다. 상기 그루브(110)의 폭이 300μm 이하로 형성되면 상기 지지기판(100)의 휘어짐을 향상시키는 효과가 미비하고 1000μm 이상으로 형성되면 상기 그루브(110)에 의해 지지기판(100)이 분리될 수 있으므로, 태양전지의 신뢰성이 저하될 수 있다.The width of the groove 110 may be formed in the range of 300 μm to 1000 μm. When the width of the groove 110 is formed to be 300μm or less, the effect of improving the bending of the support substrate 100 is insufficient. The reliability of the solar cell may be degraded.

상기 그루브(110)는 일정한 간격으로 형성될 수 있고, 불규칙하게 형성될 수도 있다. 상기 그루브(110)의 일부는 상기 지지기판(100)을 관통하여 홀(Hole)을 형성할 수 있다. 또한 상기 그루브(110)는 상기 지지기판(100)을 관통하는 복수의 홀이 동일한 직선내에 형성될 수 있다. The groove 110 may be formed at regular intervals, or may be irregularly formed. A portion of the groove 110 may pass through the support substrate 100 to form a hole. In addition, the groove 110 may have a plurality of holes penetrating the support substrate 100 in the same straight line.

상기 이면전극층(200)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 이면전극층(200)의 일부는 상기 그루브(110)의 일부를 메우도록 형성될 수 있다.The back electrode layer 200 is disposed on the support substrate 100. A portion of the back electrode layer 200 may be formed to fill a portion of the groove 110.

상기 이면전극층(200)은 도전층이다. 상기 이면전극층(200)은 태양전지 중 상기 광 흡수층(300)에서 생성된 전하가 이동하도록 하여 태양전지의 외부로 전류를 흐르게 할 수 있다. 상기 이면전극층(200)은 이러한 기능을 수행하기 위하여 전기 전도도가 높고 비저항이 작아야 한다.The back electrode layer 200 is a conductive layer. The back electrode layer 200 may allow electric current generated in the light absorbing layer 300 of the solar cell to move so that current flows to the outside of the solar cell. The back electrode layer 200 should have high electrical conductivity and low specific resistance in order to perform this function.

또한, 상기 이면전극층(200)은 CIGS 화합물 형성시 수반되는 황(S) 또는 셀레늄(Se) 분위기 하에서의 열처리 시 고온 안정성이 유지되어야 한다. 또한, 상기 이면전극층(200)은 열팽창 계수의 차이로 인하여 상기 지지기판(100)과 박리현상이 발생되지 않도록 상기 지지기판(100)과 접착성이 우수하여야 한다.In addition, the back electrode layer 200 must maintain high temperature stability during heat treatment in a sulfur (S) or selenium (Se) atmosphere accompanying the formation of the CIGS compound. In addition, the back electrode layer 200 should be excellent in adhesion with the support substrate 100 so that the backing layer and the support substrate 100 are not peeled due to a difference in thermal expansion coefficient.

이러한 이면전극층(200)은 몰리브덴(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 구리(Cu)중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이 가운데, 특히 몰리브덴(Mo)은 다른 원소에 비해 상기 지지기판(100)과 열팽창 계수의 차이가 작기 때문에 접착성이 우수하여 박리현상이 발생하는 것을 방지할 수 있고 상술한 이면전극층(200)에 요구되는 특성을 전반적으로 충족시킬 수 있다.The back electrode layer 200 may be formed of any one of molybdenum (Mo), gold (Au), aluminum (Al), chromium (Cr), tungsten (W), and copper (Cu). Among them, in particular, molybdenum (Mo) has a small difference between the support substrate 100 and the coefficient of thermal expansion compared to other elements, and thus excellent adhesion can be prevented from occurring in the peeling phenomenon. Overall required properties can be met.

상기 이면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.The back electrode layer 200 may include two or more layers. In this case, each of the layers may be formed of the same metal, or may be formed of different metals.

상기 이면전극층(200)에는 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지기판(100) 상면의 일부를 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다.First through holes TH1 are formed in the back electrode layer 200. The first through holes TH1 are open regions exposing a portion of an upper surface of the support substrate 100. The first through holes TH1 may have a shape extending in one direction when viewed in a plan view.

상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해 노출된 지지기판(100)의 폭은 약 80㎛ 내지 200㎛ 일 수 있다.The width of the support substrate 100 exposed by the first through holes TH1 may be about 80 μm to 200 μm.

상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 이면전극층(200)은 다수 개의 이면전극들로 구분된다. 즉, 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 이면전극들이 정의된다.The back electrode layer 200 is divided into a plurality of back electrodes by the first through holes TH1. That is, back electrodes are defined by the first through holes TH1.

상기 이면전극들은 스트라이프 형태로 배치된다. 이와는 다르게, 상기 이면전극들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 격자 형태로 형성될 수 있다.The back electrodes are arranged in a stripe shape. Alternatively, the back electrodes may be arranged in a matrix form. At this time, the first through grooves TH1 may be formed in a lattice form when viewed from a plane.

상기 이면전극층(200) 상에는 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다. 상기 광 흡수층(300)은 p형 반도체 화합물을 포함한다. 더 자세하게, 상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.The light absorbing layer 300 may be formed on the back electrode layer 200. The light absorbing layer 300 includes a p-type semiconductor compound. In more detail, the light absorbing layer 300 includes a group I-III-VI compound. For example, the light absorbing layer 300 is copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based) crystal structure, a copper-indium-selenide-based or copper-gallium-selenide Crystal structure.

상기 광 흡수층(300) 상에는 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)이 형성될 수 있다. CIGS 화합물을 광 흡수층(300)으로 갖는 태양전지는 p형 반도체인 CIGS 화합물 박막과 n형 반도체인 윈도우층(600) 박막간에 pn 접합을 형성한다. 하지만 두 물질은 격자상수와 밴드갭 에너지의 차이가 크기 때문에 양호한 접합을 형성하기 위해서는 밴드갭이 두 물질의 중간에 위치하는 버퍼층이 필요하다.The buffer layer 400 and the high resistance buffer layer 500 may be formed on the light absorbing layer 300. The solar cell having the CIGS compound as the light absorbing layer 300 forms a pn junction between the CIGS compound thin film as the p-type semiconductor and the window layer 600 thin film as the n-type semiconductor. However, since the two materials have a large difference in lattice constant and band gap energy, a buffer layer having a band gap in between the two materials is required to form a good junction.

상기 버퍼층(400)을 형성하는 물질로는 CdS, ZnS등이 있고 태양전지의 발전 효율 측면에서 CdS가 상대적으로 우수하다.Materials for forming the buffer layer 400 include CdS, ZnS and the like, and CdS is relatively excellent in terms of power generation efficiency of the solar cell.

상기 고저항 버퍼층(500)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(500)의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV이다.The high resistance buffer layer 500 includes zinc oxide (i-ZnO) that is not doped with impurities. The energy bandgap of the high resistance buffer layer 500 is about 3.1 eV to 3.3 eV.

상기 고저항 버퍼층(500) 상에 윈도우층(600)이 형성된다. 상기 윈도우층(600)은 투명하며, 도전층이다. 또한, 상기 윈도우층(600)의 저항은 상기 이면전극층(200)의 저항보다 높다.The window layer 600 is formed on the high resistance buffer layer 500. The window layer 600 is transparent and is a conductive layer. In addition, the resistance of the window layer 600 is higher than the resistance of the back electrode layer 200.

상기 윈도우층(600)은 산화물을 포함한다. 예를 들어, 상기 윈도우층(600)은 징크 옥사이드(zinc oxide), 인듐 틴 옥사이드(induim tin oxide;ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(induim zinc oxide;IZO) 등을 포함할 수 있다.The window layer 600 includes an oxide. For example, the window layer 600 may include zinc oxide, indium tin oxide (ITO), or indium zinc oxide (IZO).

또한, 상기 산화물은 알루미늄(Al), 알루미나(Al2O3), 마그네슘(Mg) 또는 갈륨(Ga) 등의 도전성 불순물을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 윈도우층(600)은 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(Al doped zinc oxide;AZO) 또는 갈륨 도핑된 징크 옥사이드(Ga doped zinc oxide;GZO) 등을 포함할 수 있다.In addition, the oxide may include conductive impurities such as aluminum (Al), alumina (Al 2 O 3 ), magnesium (Mg), or gallium (Ga). In more detail, the window layer 600 may include aluminum doped zinc oxide (AZO), gallium doped zinc oxide (GZO), or the like.

실시예에 따르면, 상기와 같이 지지기판(100)의 표면에 그루브(110)가 형성되므로 지지기판(100)의 휘어짐을 증가시켜 활용도를 증가시킬 수 있다.
According to the embodiment, since the groove 110 is formed on the surface of the support substrate 100 as described above, it is possible to increase the utilization by increasing the bending of the support substrate 100.

도 3 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도들이다. 본 제조방법에 관한 설명은 앞서 설명한 태양전지에 대한 설명을 참고한다.3 to 7 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment. For a description of the present manufacturing method, refer to the description of the solar cell described above.

도 3을 참고하면, 지지기판(100)의 표면에 그루브(110)가 형성된다. 상기 그루브(110)는 프레스를 이용하여 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지 않는다.Referring to FIG. 3, the groove 110 is formed on the surface of the support substrate 100. The groove 110 may be formed using a press, but is not limited thereto.

상기 그루브(110)는 상기 지지기판(100)의 표면에 직선으로 형성될 수 있다. 상기 그루브(110)는 상기 지지기판(100)의 상면 또는/및 하면에 형성될 수 있다.The groove 110 may be formed in a straight line on the surface of the support substrate 100. The groove 110 may be formed on an upper surface and / or a lower surface of the support substrate 100.

상기 그루브(110)가 형성되는 깊이는 각각 상이한 값을 가질 수 있으며, 상기 그루브(110)의 일부는 상기 지지기판(100)을 관통하여 홀(Hole)을 형성할 수 있다.Depths in which the grooves 110 are formed may have different values, and a part of the grooves 110 may pass through the support substrate 100 to form a hole.

도 4를 참고하면, 상기 지지기판(100) 상에 이면전극층(200)이 형성되고, 상기 이면전극층(200)의 일부는 상기 그루브(110)의 일부를 메우도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, a back electrode layer 200 may be formed on the support substrate 100, and a part of the back electrode layer 200 may be formed to fill a part of the groove 110.

상기 이면전극층(200)은 패터닝되어 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 이에 따라서, 상기 지지기판(100) 상에 다수 개의 이면전극들이 형성된다. 상기 이면전극층(200)은 레이저에 의해서 패터닝된다.The back electrode layer 200 is patterned to form first through holes TH1. Accordingly, a plurality of back electrodes are formed on the support substrate 100. The back electrode layer 200 is patterned by a laser.

상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하며, 약 80㎛ 내지 약 200㎛의 폭을 가질 수 있다.The first through holes TH1 expose the upper surface of the supporting substrate 100 and may have a width of about 80 mu m to about 200 mu m.

또한, 상기 지지기판(100) 및 상기 이면전극층(200) 사이에 확산방지막 등과 같은 추가적인 층이 개재될 수 있고, 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 추가적인 층의 상면을 노출하게 된다.In addition, an additional layer, such as a diffusion barrier, may be interposed between the support substrate 100 and the back electrode layer 200, wherein the first through holes TH1 expose the top surface of the additional layer. .

상기 제 1 관통홈들(TH1)은 예를 들어, 약 200 내지 600㎚의 파장을 가지는 레이저에 의해서 형성될 수 있다.The first through holes TH1 may be formed by, for example, a laser having a wavelength of about 200 to 600 nm.

도 5를 참고하면, 상기 이면전극층(200) 상에 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)이 형성된다. Referring to FIG. 5, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the high resistance buffer layer 500 are formed on the back electrode layer 200.

상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.The light absorption layer 300 may be formed by a sputtering process or an evaporation process.

예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.For example, a copper-indium-gallium-selenide (Cu (In, Ga) Se 2 ; CIGS system) is formed while simultaneously evaporating copper, indium, gallium, and selenium to form the light absorption layer 300. A method of forming a light absorbing layer 300 of a metal precursor film and a method of forming a metal precursor film by a selenization process are widely used.

금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.After the metal precursor film is formed and then subjected to selenization, a metal precursor film is formed on the back electrode 200 by a sputtering process using a copper target, an indium target, and a gallium target.

이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.Then, the metal precursor film is formed with a light absorbing layer 300 of copper-indium-gallium-selenide (Cu (In, Ga) Se 2, CIGS system) by a selenization process.

이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.Alternatively, the copper target, the indium target, the sputtering process using the gallium target, and the selenization process may be performed simultaneously.

이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.Alternatively, the CIS-based or CIG-based optical absorption layer 300 can be formed by using only a copper target and an indium target, or by a sputtering process and a selenization process using a copper target and a gallium target.

이후, 황화 카드뮴이 스퍼터링 공정 또는 용액성장법(chemical bath depositon;CBD) 등에 의해서 증착되고, 상기 버퍼층(400)이 형성된다.Thereafter, cadmium sulfide is deposited by a sputtering process or a chemical bath depositon (CBD) or the like, and the buffer layer 400 is formed.

이후, 상기 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)의 일부가 제거되어 제 2 관통홈들(TH2)이 형성된다.Thereafter, a portion of the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the high resistance buffer layer 500 is removed to form second through holes TH2.

상기 제 2 관통홈들(TH2)은 팁 등의 기계적인 장치 또는 레이저 장치 등에 의해서 형성될 수 있다.The second through grooves TH2 may be formed by a mechanical device such as a tip or a laser device.

예를 들어, 약 40㎛ 내지 약 180㎛의 폭을 가지는 팁에 의해서, 상기 광 흡수층(300) 및 상기 버퍼층(400)은 패터닝될 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 약 200 내지 600㎚의 파장을 가지는 레이저에 의해서 형성될 수 있다.For example, the light absorbing layer 300 and the buffer layer 400 may be patterned by a tip having a width of about 40 μm to about 180 μm. In addition, the second through holes TH2 may be formed by a laser having a wavelength of about 200 to 600 nm.

이때, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 100㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다.In this case, the width of the second through holes TH2 may be about 100 μm to about 200 μm.

또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 이면전극층(200)의 상면의 일부를 노출하도록 형성된다.In addition, the second through holes TH2 are formed to expose a portion of the top surface of the back electrode layer 200.

도 6을 참고하면, 상기 광 흡수층(300) 상 및 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 윈도우층(600)이 형성된다. 즉, 상기 윈도우층(600)은 상기 버퍼층(400) 상 및 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 투명한 도전물질이 증착되어 형성된다.Referring to FIG. 6, a window layer 600 is formed on the light absorbing layer 300 and inside the second through holes TH2. That is, the window layer 600 is formed by depositing a transparent conductive material on the buffer layer 400 and inside the second through holes TH2.

이때, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 상기 투명한 도전물질이 채워지고, 상기 윈도우층(600)은 상기 이면전극층(200)에 직접 접촉하게 된다.In this case, the transparent conductive material is filled in the second through holes TH2, and the window layer 600 is in direct contact with the back electrode layer 200.

이때, 상기 윈도우층(600)은 무산소 분위기에서, 상기 투명한 도전물질이 증착되어 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 윈도우층(600)은 산소를 포함하지 않는 불활성 기체 분위기에서 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드가 증착되어 형성될 수 있다.In this case, the window layer 600 may be formed by depositing the transparent conductive material in an oxygen-free atmosphere. In more detail, the window layer 600 may be formed by depositing zinc oxide doped with aluminum in an inert gas atmosphere containing no oxygen.

상기 접속부들(700)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 배치된다. 상기 접속부들(700)은 상기 윈도우층(600)으로부터 하방으로 연장되며, 상기 이면전극층(200)에 접속된다. 예를 들어, 상기 접속부들(700)은 상기 제 1 셀의 윈도우로부터 연장되어, 상기 제 2 셀의 이면전극에 접속된다.The connection parts 700 are disposed inside the second through holes TH2. The connection parts 700 extend downward from the window layer 600 and are connected to the back electrode layer 200. For example, the connection parts 700 extend from the window of the first cell and are connected to the back electrode of the second cell.

따라서, 상기 접속부들(700)은 서로 인접하는 셀들을 연결한다. 더 자세하게, 상기 접속부들(700)은 서로 인접하는 셀들(C1, C2...)에 각각 포함된 윈도우층(6000과 이면전극을 연결한다.Thus, the connection parts 700 connect adjacent cells to each other. In more detail, the connection parts 700 connect the window layer 6000 and the back electrode included in the cells C1, C2... Adjacent to each other.

상기 접속부(700)는 상기 윈도우층(600)과 일체로 형성된다. 즉, 상기 접속부(700)로 사용되는 물질은 상기 윈도우층(600)으로 사용되는 물질과 동일하다. The connection part 700 is formed integrally with the window layer 600. That is, the material used as the connection part 700 is the same as the material used as the window layer 600.

도 7을 참조하면, 상기 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 상기 윈도우층(600)의 일부가 제거되어 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다. 이에 따라서, 상기 윈도우층(600)은 패터닝되어, 다수 개의 윈도우들 및 다수 개의 셀들(C1, C2...)이 정의된다. 상기 제 3 관통홈들(TH3)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다.Referring to FIG. 7, a portion of the buffer layer 400, the high resistance buffer layer 500, and the window layer 600 is removed to form third through holes TH3. Accordingly, the window layer 600 is patterned to define a plurality of windows and a plurality of cells C1, C2... The width of the third through holes TH3 may be about 80 μm to about 200 μm.

상기 제 3 관통홈들(TH3)과 상기 그루브(110)가 수직방향으로 중첩되도록 형성하면 상기 그루브(110)에 의해 광 흡수 영역이 감소하는 것을 최소화할 수 있다. When the third through holes TH3 and the groove 110 are formed to overlap each other in the vertical direction, the reduction of the light absorption region by the groove 110 may be minimized.

즉, 상기 그루브(110) 위에는 박막이 원할하게 증착되기 어렵고, 이에 따라 상기 광 흡수층(300)이 제대로 동작하지 않는다. 따라서 상기 그루브(110)와 상기 제 3 관통홈들(TH3)이 수직방향으로 중첩되도록 형성하면 광 흡수 영역이 감소하는 문제를 최소화할 수 있다.That is, a thin film is not easily deposited on the groove 110, and thus the light absorbing layer 300 does not operate properly. Therefore, when the groove 110 and the third through holes TH3 are formed to overlap each other in the vertical direction, the problem of reducing the light absorption area can be minimized.

다음으로 태양전지에 진공압착(Lamination) 공정 시, EVA(에틸렌비닐아세테이트 공중합체 수지) 시트가 상기 그루브(110)의 내부에 형성될 수 있으므로, 상기 EVA 시트가 더욱 견고하게 고정되어 태양전지의 신뢰성이 향상될 수 있다.Next, during the vacuum lamination process on the solar cell, an EVA (ethylene vinyl acetate copolymer resin) sheet can be formed inside the groove 110, the EVA sheet is more firmly fixed to the reliability of the solar cell This can be improved.

이와 같이, 실시예에 따르면 지지기판(100)의 표면에 그루브(110)가 형성되므로 지지기판(100)의 휘어짐을 증가시켜 활용도를 증가시킬 수 있다.As such, according to the embodiment, since the groove 110 is formed on the surface of the support substrate 100, the bending of the support substrate 100 may be increased to increase utilization.

또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

Claims (8)

복수개의 그루브들이 형성된 지지기판;
상기 지지기판 상에 형성된 후면전극층;
상기 후면전극층 상에 형성된 광 흡수층;
상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층; 및
상기 버퍼층 상에 형성된 윈도우층;을 포함하고,
상기 그루브들은 상기 지지기판의 상면과 하면에 교대로 형성되고, 상기 지지기판보다 얇은 두께로 형성되며, 적어도 일부가 상기 버퍼층 및 상기 윈도우층을 관통하도록 형성된 관통홈들에 수직방향으로 중첩되는 태양전지.A support substrate on which a plurality of grooves are formed;
A back electrode layer formed on the support substrate;
A light absorbing layer formed on the back electrode layer;
A buffer layer formed on the light absorbing layer; And
And a window layer formed on the buffer layer.
The grooves are alternately formed on an upper surface and a lower surface of the support substrate, and are formed to have a thickness thinner than that of the support substrate, and at least a portion of the grooves vertically overlaps the through grooves formed to penetrate the buffer layer and the window layer. . 제1항에 있어서,
상기 그루브들은 상기 지지기판의 상면또는 하면의 적어도 일부에 형성되는 태양전지.The method of claim 1,
The grooves are formed on at least a portion of the upper or lower surface of the support substrate. 제1항에 있어서,
상기 그루브들의 폭은 300 μm 내지 1000 μm의 범위로 형성되는 태양전지. The method of claim 1,
The grooves have a width of 300 μm to 1000 μm. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 그루브들은 상기 관통홈들과 평행하게 형성되는 태양전지.The method of claim 1,
The grooves are formed in parallel with the through grooves. 제1항에 있어서,
상기 그루브들의 일부를 메우도록 형성되는 EVA 시트;를 포함하는 태양전지.The method of claim 1,
And a EVA sheet formed to fill some of the grooves. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 지지기판은 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인레스 스틸, 유연성이 있는 고분자, 폴리이미드(Polyimide) 중 적어도 하나를 포함하는 태양전지.The method of claim 1,
The support substrate is a solar cell comprising at least one of a ceramic substrate such as alumina, stainless steel, a flexible polymer, polyimide (Polyimide).
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Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005197537A (en) 2004-01-09 2005-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Integrated thin film solar battery and method for manufacturing the same
JP2007305876A (en) 2006-05-12 2007-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Solar cell module
KR100946683B1 (en) 2008-02-28 2010-03-12 주식회사 티지솔라 Solar Cell And Method For Manufacturing The Same

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