KR101349411B1 - Solar cell apparatus and method of fabricating the same - Google Patents

Solar cell apparatus and method of fabricating the same Download PDF

Info

Publication number
KR101349411B1
KR101349411B1 KR1020120034002A KR20120034002A KR101349411B1 KR 101349411 B1 KR101349411 B1 KR 101349411B1 KR 1020120034002 A KR1020120034002 A KR 1020120034002A KR 20120034002 A KR20120034002 A KR 20120034002A KR 101349411 B1 KR101349411 B1 KR 101349411B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
holes
layer
electrode layer
back electrode
solar cell
Prior art date
Application number
KR1020120034002A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130111816A (en
Inventor
최철환
신민정
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020120034002A priority Critical patent/KR101349411B1/en
Publication of KR20130111816A publication Critical patent/KR20130111816A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101349411B1 publication Critical patent/KR101349411B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03923—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

발명의 실시예에 따른 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 형성되고 상기 기판의 일부가 노출되도록 제1 관통홀들을 포함하는 후면전극층; 및, 상기 후면전극층 상에 형성되는 광 흡수층;을 포함하고,상기 제1 관통홀들의 측벽은 경사지도록 형성된다.Solar cell according to an embodiment of the present invention; A back electrode layer formed on the substrate and including first through holes to expose a portion of the substrate; And a light absorbing layer formed on the back electrode layer, wherein the sidewalls of the first through holes are inclined.

Description

태양전지 및 이의 제조방법{SOLAR CELL APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a solar cell,

실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.An embodiment relates to a solar cell and a manufacturing method thereof.

최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지에 대한 개발이 진행되고 있다.Recently, as the demand for energy increases, development of solar cells for converting solar energy into electrical energy is in progress.

특히, 유리기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고저항 버퍼층, n형 투명전극층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.In particular, a CIGS solar cell which is a pn heterojunction device having a substrate structure including a glass substrate, a metal back electrode layer, a p-type CIGS-based light absorbing layer, a high resistance buffer layer, an n-type transparent electrode layer, and the like is widely used.

또한, 이러한 태양전지의 효율을 증가시키기 위해서 다양한 연구가 진행 중이다.In addition, various studies are underway to increase the efficiency of such solar cells.

CIGS계 태양전지에서 후면전극층에 형성되는 제 1 관통홈들(TH1)의 폭을 감소시키면, 광 흡수층의 면적이 증가하여 광-전 변환효율이 향상될 수 있으나, 인접하는 후면전극층 사이로 션트 패스(shunt pass)가 발생할 수 있고, 이에 따라 태양전지의 신뢰성 및 전기적 특성이 저하될 수 있다.In the CIGS solar cell, if the width of the first through holes TH1 formed in the rear electrode layer is reduced, the area of the light absorbing layer may be increased to improve the photo-electric conversion efficiency, but the shunt path between adjacent rear electrode layers may be improved. A shunt pass may occur, thereby degrading the reliability and electrical characteristics of the solar cell.

실시예는 향상된 광-전 변환 효율을 갖는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.Embodiments provide a solar cell having an improved photoelectric conversion efficiency and a method of manufacturing the same.

발명의 실시예에 따른 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 형성되고 상기 기판의 일부가 노출되도록 제1 관통홀들을 포함하는 후면전극층; 및, 상기 후면전극층 상에 형성되는 광 흡수층;을 포함하고,상기 제1 관통홀들의 측벽은 경사지도록 형성된다.Solar cell according to an embodiment of the present invention; A back electrode layer formed on the substrate and including first through holes to expose a portion of the substrate; And a light absorbing layer formed on the back electrode layer, wherein the sidewalls of the first through holes are inclined.

실시예에 따르면, 후면전극층에 형성되는 제 1 관통홈들(TH1)의 폭을 감소시킴으로써 비활성 영역이 감소함으로써 광-전 변환 효율이 향상될 수 있다.According to the embodiment, the photoelectric conversion efficiency may be improved by reducing the inactive region by reducing the width of the first through holes TH1 formed in the back electrode layer.

그리고 인접하는 후면전극층에서 발생하는 션트(shunt) 특성을 개선할 수 있으므로 소자의 신뢰성이 향상될 수 있다.And since the shunt (shunt) characteristics generated in the adjacent back electrode layer can be improved, the reliability of the device can be improved.

또한 저출력 레이저로 제 1 관통홈들(TH1)을 형성함으로써 생산성이 향상될 수 있다.In addition, productivity may be improved by forming the first through holes TH1 using a low power laser.

도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1 에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도이다.1 is a plan view showing a solar cell according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along AA ′ in FIG. 1.
3 to 7 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment.

실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
In the description of the embodiments, where each substrate, layer, film, or electrode is described as being formed "on" or "under" of each substrate, layer, film, or electrode, etc. , "On" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1에서 A-A`선을 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.1 is a plan view illustrating a solar cell according to an embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 1.

도 1 내지 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 태양전지는 지지기판(100), 후면전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 윈도우층(500)을 포함한다.1 to 2, a solar cell according to an embodiment includes a support substrate 100, a back electrode layer 200, a light absorbing layer 300, a buffer layer 400, and a window layer 500.

상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 후면전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 윈도우층(500)을 지지한다.The support substrate 100 has a plate shape and supports the back electrode layer 200, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the window layer 500.

상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.The support substrate 100 may be an insulator. The support substrate 100 may be a glass substrate, a plastic substrate, or a metal substrate. In more detail, the support substrate 100 may be a soda lime glass substrate. The supporting substrate 100 may be transparent. The support substrate 100 may be rigid or flexible.

상기 후면전극층(200)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 후면전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면전극층(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴 등의 금속을 들 수 있다.The rear electrode layer 200 is disposed on the supporting substrate 100. The rear electrode layer 200 is a conductive layer. Examples of the material used as the back electrode layer 200 include a metal such as molybdenum.

또한, 상기 후면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.In addition, the rear electrode layer 200 may include two or more layers. At this time, the respective layers may be formed of the same metal or may be formed of different metals.

상기 후면전극층(200)에는 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다.First through holes TH1 are formed in the back electrode layer 200. The first through holes TH1 are open regions that expose the top surface of the support substrate 100. The first through holes TH1 may have a shape extending in one direction when viewed in a plan view.

상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭은 하부에서 상부로 갈수록 증가할 수 있고, 최상부의 폭은 약 70㎛ 내지 100㎛ 일 수 있다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭이 작을수록 광 흡수층(300)의 면적이 증가하여 광-전 변환 효율이 향상될 수 있다.The width of the first through holes TH1 may increase from the bottom to the top, and the width of the first through grooves TH1 may be about 70 μm to 100 μm. As the width of the first through holes TH1 is smaller, the area of the light absorbing layer 300 may increase, thereby improving photoelectric conversion efficiency.

상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 후면전극층(200)은 다수 개의 후면전극들로 구분된다. 즉, 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 후면전극들이 정의된다.By the first through holes TH1, the back electrode layer 200 is divided into a plurality of back electrodes. That is, the back electrodes are defined by the first through holes TH1.

상기 후면전극들은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서 서로 이격된다. 상기 후면전극들은 스트라이프 형태로 배치된다.The back electrodes are spaced apart from each other by the first through holes TH1. The rear electrodes are arranged in a stripe shape.

상기 제 1 관통홈들(TH1)의 측벽(201, 202)은 경사를 갖도록 형성될 수 있다. 상기 측벽(201, 202)이 경사를 가짐으로써 상부의 폭이 하부의 폭보다 넓게 형성될 수 있다.Sidewalls 201 and 202 of the first through holes TH1 may be formed to have an inclination. As the sidewalls 201 and 202 have an inclination, an upper width thereof may be wider than a lower width thereof.

상기 측벽(201, 202)은 상호 동일한 각도로 형성될 수 있고, 다른 각도로 형성될 수도 있다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상부로 갈수록 단면이 벌어지는 형상으로 형성될 수 있다. 측벽(201, 202)이 상기 지지기판(100)과 각각 접하는 지점에서, 상기 측벽(201, 202)은 상호 접하도록 형성될 수 있다.  The side walls 201 and 202 may be formed at the same angle to each other, or may be formed at different angles. The first through holes TH1 may be formed in a shape in which a cross section opens toward an upper portion thereof. At the points where the side walls 201 and 202 are in contact with the support substrate 100, the side walls 201 and 202 may be formed to be in contact with each other.

상기 제 1 관통홈들(TH1)을 메우도록 절연체(250)가 형성될 수 있다. 상기 절연체(250)는 상기 후면전극층(200)의 형성물질과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 그리고 상기 절연체(250)는 산소(O)를 포함할 수 있다.An insulator 250 may be formed to fill the first through holes TH1. The insulator 250 may include the same material as the material of the back electrode layer 200. The insulator 250 may include oxygen (O).

예를 들어, 상기 후면전극층(200)이 몰리브덴(Mo)을 포함하여 형성되는 경우, 상기 절연체(250)는 MoO 또는 MoO3의 화학식으로 형성될 수 있다. 상기 절연체(250)가 몰리 옥사이드로 형성되는 경우, 광 흡수층(300)에 비해 저항이 10배 내지 1000배 큰 특성을 갖게 되므로, 션트 패스가 발생하는 현상을 개선할 수 있다.For example, when the back electrode layer 200 includes molybdenum (Mo), the insulator 250 may be formed of a chemical formula of MoO or MoO 3 . When the insulator 250 is formed of a molten oxide, since the resistance is 10 to 1000 times larger than that of the light absorbing layer 300, a phenomenon in which a shunt pass occurs may be improved.

상기 절연층(250)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)을 메우도록 형성되므로, 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 측벽에 의해 형상이 결정될 수 있다.Since the insulating layer 250 is formed to fill the first through holes TH1, the shape may be determined by sidewalls of the first through holes TH1.

이와는 다르게, 상기 후면전극들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 격자 형태로 형성될 수 있다.Alternatively, the rear electrodes may be arranged in a matrix. At this time, the first through grooves TH1 may be formed in a lattice form when viewed from a plane.

상기 광 흡수층(300)은 상기 후면전극층(200) 상에 배치된다.The light absorbing layer 300 is disposed on the back electrode layer 200.

상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.The light absorbing layer 300 includes a group I-III-VI compound. For example, the light absorbing layer 300 is copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based) crystal structure, a copper-indium-selenide-based or copper-gallium-selenide Crystal structure.

상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.The energy band gap of the light absorption layer 300 may be about 1 eV to 1.8 eV.

또한, 상기 광 흡수층(300)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 다수 개의 광 흡수부들을 정의한다. 즉, 상기 광 흡수층(300)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 상기 광 흡수부들로 구분된다.In addition, the light absorbing layer 300 defines a plurality of light absorbing portions by the second through holes TH2. That is, the light absorbing layer 300 is divided into the light absorbing portions by the second through holes TH2.

상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 본 발명과 같은 태양전지는 p형 반도체인 CIGS 또는 CIGSS 화합물 박막의 광 흡수층(300)과 n형 반도체인 윈도우층(500) 박막간에 pn 접합을 형성한다. 하지만 두 물질은 격자상수와 밴드갭 에너지의 차이가 크기 때문에 양호한 접합을 형성하기 위해서는 밴드갭이 두 물질의 중간에 위치하는 버퍼층이 필요하다. The buffer layer 400 is disposed on the light absorbing layer 300. The solar cell of the present invention forms a pn junction between the light absorbing layer 300 of the CIGS or CIGSS compound thin film of the p-type semiconductor and the window layer 500 thin film of the n-type semiconductor. However, since the two materials have a large difference between the lattice constant and the band gap energy, a buffer layer in which a band gap is located between two materials is required in order to form a good junction.

상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴(CdS)를 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 약 2.2eV 내지 2.4eV이다.The buffer layer 400 may include cadmium sulfide (CdS), and an energy band gap of the buffer layer 400 is about 2.2 eV to 2.4 eV.

상기 광 흡수층(300) 및 상기 버퍼층(400)에는 제 2 관통홈들(TH2)이 형성된다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 후면전극층(200)의 상면을 노출하는 오픈영역이다.Second through holes TH2 are formed in the light absorbing layer 300 and the buffer layer 400. The second through holes TH2 are open regions exposing the top surface of the back electrode layer 200.

상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 인접하여 형성된다. 즉, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 일부는 평면에서 보았을 때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 옆에 형성된다.The second through grooves TH2 are formed adjacent to the first through grooves TH1. That is, a part of the second through grooves TH2 is formed on the side of the first through grooves TH1 when viewed in plan.

상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다.The width of the second through holes TH2 may be about 80 μm to about 200 μm.

상기 윈도우층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 상기 윈도우층(500)은 투명하며, 도전층이다. 또한, 상기 윈도우층(500)의 저항은 상기 후면전극층(200)의 저항보다 높다. 예를 들어, 상기 윈도우층(500)의 저항은 상기 후면전극층(200)의 저항보다 약 10배 내지 200배 더 클 수 있다.The window layer 500 is disposed on the buffer layer 400. The window layer 500 is transparent and is a conductive layer. Also, the resistance of the window layer 500 is higher than the resistance of the rear electrode layer 200. For example, the resistance of the window layer 500 may be about 10 to 200 times greater than the resistance of the back electrode layer 200.

상기 윈도우층(500)은 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 윈도우층(500)은 징크 옥사이드(zinc oxide), 인듐 틴 옥사이드(induim tin oxide;ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(induim zinc oxide;IZO) 등을 포함할 수 있다. The window layer 500 may include an oxide. For example, the window layer 500 may include zinc oxide, indium tin oxide (ITO), or indium zinc oxide (IZO).

또한, 상기 산화물은 알루미늄(Al), 알루미나(Al2O3), 마그네슘(Mg) 또는 갈륨(Ga) 등의 도전성 불순물을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 윈도우층(500)은 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(Al doped zinc oxide;AZO) 또는 갈륨 도핑된 징크 옥사이드(Ga doped zinc oxide;GZO) 등을 포함할 수 있다.In addition, the oxide may include conductive impurities such as aluminum (Al), alumina (Al 2 O 3 ), magnesium (Mg), or gallium (Ga). In more detail, the window layer 500 may include aluminum doped zinc oxide (AZO), gallium doped zinc oxide (GZO), or the like.

상기 접속부(550)는 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 배치된다. 상기 접속부(550)는 상기 윈도우층(500)으로부터 하방으로 연장되며, 상기 후면전극층(200)에 접속된다. 예를 들어, 상기 접속부(550)는 상기 제 1 셀의 윈도우로부터 연장되어, 상기 제 2 셀의 후면전극에 접속된다.The connection part 550 is disposed inside the second through holes TH2. The connection part 550 extends downward from the window layer 500 and is connected to the back electrode layer 200. For example, the connection part 550 extends from the window of the first cell and is connected to the back electrode of the second cell.

따라서, 상기 접속부(550)는 서로 인접하는 셀들을 연결한다. 더 자세하게, 상기 접속부(550)는 서로 인접하는 셀들(C1, C2...)에 각각 포함된 윈도우와 후면전극을 연결한다.Thus, the connection unit 550 connects adjacent cells to each other. In more detail, the connection part 550 connects the window and the rear electrode included in the cells C1, C2, ... which are adjacent to each other.

상기 접속부(550)는 상기 윈도우층(500)과 일체로 형성된다. 즉, 상기 접속부(550)로 사용되는 물질은 상기 윈도우층(500)으로 사용되는 물질과 동일하다.The connection part 550 is integrally formed with the window layer 500. That is, the material used as the connection part 550 is the same as the material used as the window layer 500.

상기 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 윈도우층(500)에는 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다. 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 후면전극층(200)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 예를 들어, 상기 제 3 관통홈들(TH3)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛일 수 있다.Third through holes TH3 are formed in the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the window layer 500. The third through holes TH3 are open regions exposing the top surface of the back electrode layer 200. For example, the width of the third through holes TH3 may be about 80 μm to about 200 μm.

상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 인접하는 위치에 형성된다. 더 자세하게, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 옆에 배치된다. 즉, 평면에서 보았을 때, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 옆에 나란히 배치된다.The third through grooves TH3 are formed at positions adjacent to the second through grooves TH2. More specifically, the third through-holes TH3 are disposed beside the second through-holes TH2. That is, when viewed in plan, the third through grooves TH3 are arranged next to the second through grooves TH2.

상기 버퍼층(400)은 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 다수 개의 버퍼들로 구분된다.The buffer layer 400 is divided into a plurality of buffers by the third through holes TH3.

또한, 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 윈도우층(500)은 다수 개의 윈도우들로 구분된다. 즉, 상기 윈도우들은 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서 정의된다.In addition, the window layer 500 is divided into a plurality of windows by the third through holes TH3. That is, the windows are defined by the third through holes TH3.

상기 윈도우들은 상기 후면전극들과 대응되는 형상을 가진다. 즉, 상기 윈도우들은 스트라이프 형태로 배치된다. 이와는 다르게, 상기 윈도우들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.The windows have a shape corresponding to the rear electrodes. That is, the windows are arranged in a stripe shape. Alternatively, the windows may be arranged in a matrix form.

또한, 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 다수 개의 셀들(C1, C2...)이 정의된다. 더 자세하게, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 및 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 셀들(C1, C2...)이 정의된다. 즉, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 및 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 실시예에 따른 태양전지는 상기 셀들(C1, C2...)로 구분된다.
In addition, a plurality of cells C1, C2... Are defined by the third through holes TH3. In more detail, the cells C1, C2... Are defined by the second through holes TH2 and the third through holes TH3. That is, the solar cell according to the embodiment is divided into the cells C1, C2... By the second through holes TH2 and the third through holes TH3.

도 3 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도들이다. 본 제조방법에 관한 설명은 앞서 설명한 태양전지에 대한 설명을 참고한다.3 to 7 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment. For a description of the present manufacturing method, refer to the description of the solar cell described above.

도 3을 참조하면, 지지기판(100) 상에 후면전극층(200)이 형성되고, 상기 후면전극층(200)은 패터닝되어 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 이에 따라서, 상기 지지기판(100) 상에 다수 개의 후면전극들이 형성된다. 상기 후면전극층(200)은 레이저에 의해서 패터닝된다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 레이저를 3 내지 5w의 파워에서, 100 내지 400mm/s의 스크라이빙 속도로 패터닝하여 형성될 수 있다. 패터닝하는 과정에서 산소를 주입하여 절연체(250)를 형성할 수 있다. 상기 후면전극층(200)이 몰리브덴을 포함하여 형성하는 경우, 상기 절연체(250)는 몰리 옥사이드로 형성될 수 있다. 상기 레이저는 Nd:YAG 1064nm의 파장을 가질 수 있다.Referring to FIG. 3, the back electrode layer 200 is formed on the support substrate 100, and the back electrode layer 200 is patterned to form first through holes TH1. Accordingly, a plurality of back electrodes are formed on the support substrate 100. The rear electrode layer 200 is patterned by a laser. The first through holes TH1 may be formed by patterning the laser at a scribing speed of 100 to 400 mm / s at a power of 3 to 5 w. Oxygen may be injected in the process of patterning to form the insulator 250. When the back electrode layer 200 includes molybdenum, the insulator 250 may be formed of molybdenum oxide. The laser may have a wavelength of Nd: YAG 1064 nm.

상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 일부 노출할 수 있으며, 상부로 갈수록 폭이 넓어지는 형상으로 형성될 수 있다.The first through holes TH1 may partially expose an upper surface of the support substrate 100, and may be formed to have a width that is wider toward an upper portion thereof.

또한, 상기 지지기판(100) 및 상기 후면전극층(200) 사이에 확산방지막 등과 같은 추가적인 층이 개재될 수 있고, 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 추가적인 층의 상면을 노출하게 된다.An additional layer such as a diffusion barrier layer may be interposed between the supporting substrate 100 and the back electrode layer 200. The first through holes TH1 expose the upper surface of the additional layer .

도 4를 참조하면, 상기 후면전극층(200) 상에 광 흡수층(300) 및 버퍼층(400)이 형성된다.Referring to FIG. 4, a light absorbing layer 300 and a buffer layer 400 are formed on the back electrode layer 200.

상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.The light absorption layer 300 may be formed by a sputtering process or an evaporation process.

예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.For example, a copper-indium-gallium-selenide (Cu (In, Ga) Se 2 ; CIGS system) is formed while simultaneously evaporating copper, indium, gallium, and selenium to form the light absorption layer 300. A method of forming a light absorbing layer 300 of a metal precursor film and a method of forming a metal precursor film by a selenization process are widely used.

금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 후면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.When a metal precursor film is formed and then subjected to selenization, a metal precursor film is formed on the rear electrode 200 by a sputtering process using a copper target, an indium target, and a gallium target.

이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.Then, the metal precursor film is formed with a light absorbing layer 300 of copper-indium-gallium-selenide (Cu (In, Ga) Se 2, CIGS system) by a selenization process.

이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.Alternatively, the copper target, the indium target, the sputtering process using the gallium target, and the selenization process may be performed simultaneously.

이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.Alternatively, the CIS-based or CIG-based optical absorption layer 300 can be formed by using only a copper target and an indium target, or by a sputtering process and a selenization process using a copper target and a gallium target.

이후, 상기 광 흡수층(300) 상에 상기 버퍼층(400)이 형성된다. 상기 버퍼층(400)은 예를 들어, PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)의 방법으로 형성될 수 있다.Thereafter, the buffer layer 400 is formed on the light absorbing layer 300. The buffer layer 400 may be formed by, for example, a physical vapor deposition (PVD) or a metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method.

이후 가시광선 대역의 레이저를 비롯하여 상기 버퍼층(400)보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 레이저를 이용하여 상기 버퍼층(400)을 표면처리한다. Thereafter, the buffer layer 400 is surface-treated using a laser having an energy band gap larger than that of the buffer layer 400 including a laser in the visible light band.

상기 표면처리를 통하여 상기 버퍼층(400)이 비정질에서 결정질로 변화할 수 있으며, 밴드갭이 향상되어 보다 많은 빛을 집광할 수 있게 된다.Through the surface treatment, the buffer layer 400 may change from amorphous to crystalline, and a band gap may be improved to collect more light.

이러한 표면처리를 통해 상기 버퍼층(400)의 자체집광 특성이 향상될 수 있다. 상기와 같이 레이저 또는 열처리를 통한 표면처리를 실시하여도 상기 버퍼층(400)의 부피변화는 거의 없으며, 이러한 특성은 마이크로 렌즈와 구별될 수 있다.Through such surface treatment, the self-condensing property of the buffer layer 400 may be improved. Even when the surface treatment is performed through a laser or heat treatment as described above, there is almost no volume change of the buffer layer 400, and this characteristic can be distinguished from a micro lens.

도 5를 참조하면, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 버퍼층(400)의 일부가 제거되어 제 2 관통홈들(TH2)이 형성된다.Referring to FIG. 5, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and a portion of the buffer layer 400 are removed to form second through holes TH2.

상기 제 2 관통홈들(TH2)은 팁 등의 기계적인 장치 또는 레이저 장치 등에 의해서 형성될 수 있다.The second through grooves TH2 may be formed by a mechanical device such as a tip or a laser device.

예를 들어, 약 40㎛ 내지 약 180㎛의 폭을 가지는 팁에 의해서, 상기 광 흡수층(300) 및 상기 버퍼층(400)은 패터닝될 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 약 200 내지 600㎚의 파장을 가지는 레이저에 의해서 형성될 수 있다.For example, the light absorption layer 300 and the buffer layer 400 can be patterned by a tip having a width of about 40 占 퐉 to about 180 占 퐉. In addition, the second through holes TH2 may be formed by a laser having a wavelength of about 200 to 600 nm.

이때, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 100㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 후면전극층(200)의 상면의 일부를 노출하도록 형성된다.At this time, the width of the second through grooves TH2 may be about 100 mu m to about 200 mu m. In addition, the second through holes TH2 are formed to expose a portion of the top surface of the back electrode layer 200.

도 6을 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상 및 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 윈도우층(500)이 형성된다. 즉, 상기 윈도우층(500)은 상기 버퍼층(400) 상 및 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 투명한 도전물질이 증착되어 형성된다.Referring to FIG. 6, a window layer 500 is formed on the light absorbing layer 300 and inside the second through holes TH2. That is, the window layer 500 is formed by depositing a transparent conductive material on the buffer layer 400 and inside the second through holes TH2.

이때, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 상기 투명한 도전물질이 채워지고, 상기 윈도우층(500)은 상기 후면전극층(200)에 직접 접촉하게 된다.In this case, the transparent conductive material is filled in the second through holes TH2, and the window layer 500 is in direct contact with the back electrode layer 200.

이때, 상기 윈도우층(500)은 무산소 분위기에서, 상기 투명한 도전물질이 증착되어 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 윈도우층(500)은 산소를 포함하지 않는 불활성 기체 분위기에서 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드가 증착되어 형성될 수 있다.In this case, the window layer 500 may be formed by depositing the transparent conductive material in an oxygen-free atmosphere. In more detail, the window layer 500 may be formed by depositing zinc oxide doped with aluminum in an inert gas atmosphere containing no oxygen.

도 7을 참조하면, 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 윈도우층(500)의 일부가 제거되어 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다. 이에 따라서, 상기 윈도우층(500)은 패터닝되어, 다수 개의 윈도우들 및 다수 개의 셀들(C1, C2...)이 정의된다. 상기 제 3 관통홈들(TH3)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다.Referring to FIG. 7, portions of the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the window layer 500 are removed to form third through holes TH3. Accordingly, the window layer 500 is patterned to define a plurality of windows and a plurality of cells C1, C2... The width of the third through holes TH3 may be about 80 μm to about 200 μm.

이와 같이, 실시예에 따른 태양전지의 제조방법에 의해서, 후면전극층에 형성되는 제 1 관통홈들(TH1)의 폭을 감소시킴으로써 광-전 변환 효율이 향상될 수 있다.As described above, the photoelectric conversion efficiency may be improved by reducing the width of the first through holes TH1 formed in the rear electrode layer by the method of manufacturing the solar cell according to the embodiment.

그리고 인접하는 후면전극층에서 발생하는 션트(shunt) 특성을 개선할 수 있으므로 소자의 신뢰성이 향상될 수 있다.And since the shunt (shunt) characteristics generated in the adjacent back electrode layer can be improved, the reliability of the device can be improved.

또한 저출력 레이저로 제 1 관통홈들(TH1)을 형성함으로써 생산성이 향상될 수 있다.In addition, productivity may be improved by forming the first through holes TH1 using a low power laser.

또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

Claims (10)

기판;
상기 기판 상에 형성되고 상기 기판의 일부가 노출되도록 제1 관통홀들을 포함하는 후면전극층;
상기 제1 관통홀들을 메우도록 형성되는 절연체; 및
상기 후면전극층 상에 형성되는 광 흡수층;을 포함하고,
상기 제1 관통홀들의 측벽은 경사지며,
상기 절연체는 상기 후면전극층 물질과 동일한 물질을 포함하는 태양전지.Board;
A back electrode layer formed on the substrate and including first through holes to expose a portion of the substrate;
An insulator formed to fill the first through holes; And
And a light absorbing layer formed on the back electrode layer.
Sidewalls of the first through holes are inclined,
The insulator is a solar cell including the same material as the back electrode layer material. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 절연체는 MoO 또는 MoO3를 포함하는 태양전지.The method of claim 1,
The insulator comprises a MoO or MoO 3 solar cell. 제1항에 있어서,
상기 제1 관통홀들의 상부의 폭은 하부의 폭보다 넓게 형성되는 태양전지.The method of claim 1,
The width of the upper portion of the first through holes is wider than the width of the lower portion. 제5항에 있어서,
상기 제1 관통홀들의 상부의 폭은 70㎛ 내지 100㎛인 태양전지.The method of claim 5,
A solar cell having a width of an upper portion of the first through holes is 70㎛ to 100㎛. 기판 상에 후면전극층을 적층하는 단계; 및,
상기 후면전극층에 측벽이 경사지도록 제1 관통홀들을 형성하는 단계; 및
상기 제1 관통홀들을 메우는 절연체를 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 제1 관통홀들의 형성시 레이저를 조사하면서 산소를 주입하며,
상기 절연체는 상기 후면전극층 물질과 동일한 물질을 포함하는 태양전지의 제조방법.Stacking a back electrode layer on the substrate; And
Forming first through holes in the rear electrode layer such that sidewalls are inclined; And
And forming an insulator filling the first through holes.
Injecting oxygen while irradiating a laser when forming the first through holes,
The insulator is a solar cell manufacturing method comprising the same material as the back electrode layer material. 제7항에 있어서,
상기 제1 관통홀들은 레이저를 3 내지 5w의 파워에서, 100 내지 400mm/s의 스크라이빙 속도로 패터닝하여 형성하는 태양전지의 제조방법.The method of claim 7, wherein
The first through holes are formed by patterning the laser at a scribing speed of 100 to 400mm / s at a power of 3 to 5w. 제7항에 있어서,
상기 절연체는 MoO 또는 MoO3를 포함하는 태양전지의 제조방법.The method of claim 7, wherein
The insulator is a method of manufacturing a solar cell comprising MoO or MoO 3 . 기판;
상기 기판 상에 형성되고 상기 기판의 일부가 노출되도록 제1 관통홀들을 포함하는 후면전극층;
상기 후면전극층 상에 형성되는 광 흡수층; 및,
상기 제1 관통홀들을 메우도록 형성되는 절연체;를 포함하며,
상기 절연체는 상기 후면전극층 물질과 동일한 물질을 포함하는 태양전지.Board;
A back electrode layer formed on the substrate and including first through holes to expose a portion of the substrate;
A light absorbing layer formed on the back electrode layer; And
And an insulator formed to fill the first through holes.
The insulator is a solar cell including the same material as the back electrode layer material.
KR1020120034002A 2012-04-02 2012-04-02 Solar cell apparatus and method of fabricating the same KR101349411B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120034002A KR101349411B1 (en) 2012-04-02 2012-04-02 Solar cell apparatus and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120034002A KR101349411B1 (en) 2012-04-02 2012-04-02 Solar cell apparatus and method of fabricating the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130111816A KR20130111816A (en) 2013-10-11
KR101349411B1 true KR101349411B1 (en) 2014-01-10

Family

ID=49633044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120034002A KR101349411B1 (en) 2012-04-02 2012-04-02 Solar cell apparatus and method of fabricating the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101349411B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005101412A (en) * 2003-09-26 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd Method of manufacturing photovoltaic device
KR100656738B1 (en) * 2005-12-14 2006-12-14 한국과학기술원 Intergrated thin-film solar cells and method of manufacturing thereof
KR20110001797A (en) * 2009-06-30 2011-01-06 엘지이노텍 주식회사 Solar cell and method of fabricating the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005101412A (en) * 2003-09-26 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd Method of manufacturing photovoltaic device
KR100656738B1 (en) * 2005-12-14 2006-12-14 한국과학기술원 Intergrated thin-film solar cells and method of manufacturing thereof
KR20110001797A (en) * 2009-06-30 2011-01-06 엘지이노텍 주식회사 Solar cell and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130111816A (en) 2013-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101210168B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
US20120273039A1 (en) Solar Cell Apparatus and Method for Manufacturing the Same
KR100999797B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101168810B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101305619B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR20120012325A (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101114079B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101382880B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101091361B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101338610B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101055019B1 (en) Photovoltaic device and its manufacturing method
KR20130136739A (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR20120086447A (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101349429B1 (en) Photovoltaic apparatus
KR101338549B1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101349411B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101283302B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101220015B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101765922B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101273015B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR20130070461A (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR101806545B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101210104B1 (en) Solar cell apparatus
KR101144475B1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101349525B1 (en) Photovoltaic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161207

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee