KR101201204B1 - Ultra wide band system-on-package and method of manufacturing the same - Google Patents
Ultra wide band system-on-package and method of manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101201204B1 KR101201204B1 KR1020080131439A KR20080131439A KR101201204B1 KR 101201204 B1 KR101201204 B1 KR 101201204B1 KR 1020080131439 A KR1020080131439 A KR 1020080131439A KR 20080131439 A KR20080131439 A KR 20080131439A KR 101201204 B1 KR101201204 B1 KR 101201204B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- package
- line
- signal
- integrated circuit
- present
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Abstract
본 발명은 초광대역 시스템 온 패키지에 관한 것이다. 본 발명의 시스템 온 패키지는, 패키지 본체, 패키지 본체에 실장되는 제 1 집적회로, 제 1 집적회로와 연결되는 제 1 신호전달수단, 제 1 신호전달수단과 연결되며, 슬랩(slap) 선로 및 트로프(trough) 선로로 구성되는 신호 비아 및 신호 비아와 연결되는 제 2 신호전달수단을 포함한다. 본 발명에 의하면 외부 회로와의 신호 전송 과정에서 일어나는 수직 천이(vertical transition)시에 나타나는 신호의 불연속을 최소화하여 초고주파 신호와 고속 대용량 신호의 전송이 가능한 시스템 온 패키지를 제조할 수 있는 효과가 있다.
초광대역, 시스템 온 패키지(System on Package), 집적회로, 슬랩(slap) 선로, 트로프(trough) 선로, SMCPW (Shielded Multilayer CoPlanar Waveguide) 선로, GCPW(Grounded CoPlanar Waveguide) 선로
The present invention relates to an ultra-wideband system on package. The system-on-package of the present invention includes a package main body, a first integrated circuit mounted on the package main body, a first signal transmitting means connected to the first integrated circuit, and a first signal transmitting means, and a slap line and a trough. and a second signal transmission means connected to the signal via and consisting of a trough line. According to the present invention, it is possible to manufacture a system-on-package capable of transmitting ultra-high frequency signals and high-speed large-capacity signals by minimizing discontinuities of signals occurring during vertical transitions occurring in a signal transmission process with an external circuit.
Ultra Wideband, System on Package, Integrated Circuits, Slap Lines, Trough Lines, Shielded Multilayer CoPlanar Waveguide (SMCPW) Lines, Grounded CoPlanar Waveguide (GCPW) Lines
Description
본 발명은 초광대역 시스템 온 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to an ultra-wideband system on package.
본 발명은 지식경제부의 IT성장동력기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호: 2006-S-020-03, 과제명: 고속 이동체 인터넷 위성 무선 연동 기술개발].The present invention is derived from the research conducted as part of the IT growth engine technology development project of the Ministry of Knowledge Economy [Task Management Number: 2006-S-020-03, Task name: Development of high-speed mobile Internet satellite radio linkage technology].
이동통신, 반도체, 네트워크 등 IT 기술의 눈부신 발달에 힘입어 무선통신, 데이터 통신, 멀티미디어, 게임 등 여러 가지 기능이 하나의 단말기에 통합된 IT-컨버전스(Convergence) 제품에 대한 시장 수요가 급격하게 팽창하고 있다. 이러한 IT-컨버전스 제품에는 여러 가지 기능을 가진 다수의 부품을 단일 패키지로 집약시키는 시스템 온 패키지(System-on-Package : SoP) 기술이 필수적이다. Thanks to the remarkable development of IT technologies such as mobile communication, semiconductor, and network, the market demand for IT-convergence products in which various functions such as wireless communication, data communication, multimedia, and games are integrated into one terminal is rapidly expanding. Doing. These IT-convergence products require System-on-Package (SoP) technology that aggregates multiple, multifunctional components into a single package.
시스템 온 패키지는 수동 소자를 기판 내에 내장하고, 능동 소자는 기판 위에 적층하여 하나의 패키지로 시스템을 구현하는 기술이다. 이는 반도체 다이, 수 동 소자, 필터 및 안테나, 배터리 등 이미 하드웨어 반도체 설계 자산(Intellectual Property : IP) 으로 개발되어 있는 기존 부품들을 3차원 패키지 내에 집적하는 것으로, 이미 개발된 칩의 구조적, 공정적 변화 없이 제품을 구현할 수 있다. 따라서 수천만 개 이상의 상이한 능동·수동 소자를 하나의 실리콘 단일 공정 위에서 구현하는 수평 구조의 시스템 온 칩(System on Chip : SoC) 기술보다 실현이 용이하고 개발 소요 시간을 단축할 수 있는 장점이 있다.System-on-package is a technology in which passive devices are embedded in a substrate, and active devices are stacked on a substrate to implement a system in one package. It integrates existing components, such as semiconductor dies, passive components, filters, antennas, and batteries, which are already developed as hardware semiconductor design assets (IPs) in a three-dimensional package. You can implement the product without it. As a result, it is easier to realize and shorter development time than a horizontal System on Chip (SoC) technology that implements tens of millions of different active and passive devices on a single silicon process.
최근에는 밀리미터파 차량 충돌 방지 레이다, 밀리미터파 WPAN(Wireless Personal Area Networking) 등 초고주파 활용 분야가 개척됨에 따라, 초고주파 신호와 고속 대용량 신호의 전송이 가능한 초광대역 시스템 온 패키지가 요구되고 있다.Recently, with the development of ultra-high frequency applications such as millimeter wave anti-collision radar and millimeter wave Wireless Personal Area Networking (WPAN), an ultra-wideband system-on-package capable of transmitting ultra-high frequency signals and high-speed large signals is required.
본 발명은 외부 회로와의 신호 전송 과정에서 일어나는 수직 천이(vertical transition)시에 나타나는 신호의 불연속성을 최소화하여 초고주파 신호와 고속 대용량 신호의 전송이 가능한 초광대역 시스템 온 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 데 목적이 있다.The present invention provides an ultra-wideband system-on-package and a method of manufacturing the same, which are capable of transmitting ultra-high frequency signals and high-speed large-capacity signals by minimizing signal discontinuities during vertical transitions occurring in a signal transmission process with an external circuit. There is a purpose.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장 점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects and advantages of the present invention, which are not mentioned above, can be understood by the following description, and more clearly by the embodiments of the present invention. It will also be appreciated that the objects and advantages of the present invention may be realized by the means and combinations thereof indicated in the claims.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 시스템 온 패키지에 있어서, 패키지 본체, 패키지 본체에 실장되는 제 1 집적회로, 제 1 집적회로와 연결되는 제 1 신호전달수단, 제 1 신호전달수단과 연결되며, 슬랩(slap) 선로 및 트로프(trough) 선로로 구성되는 신호 비아 및 신호 비아와 연결되는 제 2 신호전달수단을 포함하는 것을 일 특징으로 한다.In accordance with another aspect of the present invention, a system on package includes a package main body, a first integrated circuit mounted on the package main body, a first signal transmitting means connected to the first integrated circuit, and a first signal transmitting means. It characterized in that it comprises a signal via consisting of a slap line and a trough line and a second signal transmission means connected to the signal via.
또한 본 발명은 시스템 온 패키지의 제조 방법에 있어서, 패키지 본체를 제공하는 단계, 패키지 본체에 제 1 집적회로를 실장하는 단계, 제 1 집적회로와 제 1 신호전달수단을 연결하는 단계, 슬랩 선로 및 트로프 선로로 구성되는 신호 비아를 제 1 신호전달수단과 연결하는 단계 및 신호 비아와 제 2 신호전달수단을 연결하는 단계를 포함하는 것을 다른 특징으로 한다.In another aspect, the present invention provides a method of manufacturing a system on package, comprising the steps of: providing a package body, mounting a first integrated circuit in the package body, connecting the first integrated circuit and the first signal transmission means, a slab line and And connecting the signal via consisting of the trough line with the first signal transmitting means and connecting the signal via with the second signal transmitting means.
전술한 바와 같은 본 발명에 의하면, 외부 회로와의 신호 전송 과정에서 일어나는 수직 천이(vertical transition)시에 나타나는 신호의 불연속성을 최소화하여 초고주파 신호와 고속 대용량 신호의 전송이 가능한 시스템 온 패키지를 제조할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention as described above, it is possible to manufacture a system-on-package capable of transmitting ultra-high frequency signals and high-speed large-capacity signals by minimizing the discontinuity of the signal appearing during the vertical transition occurring in the signal transmission process with the external circuit. It has an effect.
전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소를 가리키는 것으로 사용된다.The above objects, features, and advantages will be described in detail with reference to the accompanying drawings, whereby those skilled in the art to which the present invention pertains may easily implement the technical idea of the present invention. In describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the known technology related to the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In the drawings, the same reference numerals are used to denote the same or similar elements.
최근 각종 전자기기 분야에서 초고주파 신호의 이용도가 증가됨에 따라, 이러한 초고주파 신호를 이용하는 시스템 온 패키지의 개발이 또한 요구되고 있다. 종래에 초고주파 신호 집적 도파로(Integrated Waveguide)를 이용해 밀리미터파용 시스템 온 패키지를 구현하고자 하는 시도가 있었다. 그러나 이러한 방법은 집적 도파로를 사용하므로 사용 주파수가 밀리미터파에 한정되며, 밀리미터파 이하의 주파수 신호는 전송하지 못하는 단점이 있으므로 초광대역 시스템 온 패키지로는 적합하지 않다.In recent years, as the availability of ultra-high frequency signals in various electronic devices increases, development of a system on package using such ultra-high frequency signals is also required. In the past, attempts have been made to implement a system-on-package for millimeter wave using an ultra-high frequency integrated waveguide. However, this method uses an integrated waveguide, so the frequency of use is limited to millimeter waves, and frequency signals below the millimeter wave cannot be transmitted.
본 발명은 초고주파 신호를 이용하는 초광대역 시스템 온 패키지에 관한 것으로서, 신호 전달 과정에서 신호의 손실이 적으며 수직 천이(vertical transition) 구조를 갖는 초광대역 시스템 온 패키지 및 그 제조 방법을 제공한다. The present invention relates to an ultra-wideband system-on-package using an ultra-high frequency signal, and provides an ultra-wideband system-on-package having a low signal loss and a vertical transition structure in a signal transmission process, and a method of manufacturing the same.
본 발명에서, 패키지 본체에 실장된 집적회로는 신호전달수단과 이 신호전달수단을 연결하는 신호 비아를 포함한다. 여기서 신호 비아는 트로프(trough) 선로 및 슬랩(slap) 선로로 구성됨으로써, 수직 천이에서 나타나는 신호의 불연속성을 최소화한다. 그리고 신호전달수단은 SMCPW (Shielded Multilayer CoPlanar Waveguide) 선로로 구성됨으로써, 신호 전달시 나타날 수 있는 방사 손실(radiation loss) 및 상호 결합(cross talk)을 줄일 수 있다. 신호 비아와 신호전달수단은 반 정사각형 비아 패드(half square via pad) 형태로 연결되는데, 이러한 형태는 신호전달수단들간의 원하지 않는 결합(coupling)을 줄이는 효과를 갖는다. In the present invention, the integrated circuit mounted on the package body includes a signal transmitting means and a signal via connecting the signal transmitting means. The signal vias here consist of a trough line and a slap line, thereby minimizing the discontinuity of the signal in the vertical transition. And the signal transmission means is composed of a SMCPW (Shielded Multilayer CoPlanar Waveguide) line, it is possible to reduce the radiation loss and cross talk that can appear during signal transmission. Signal vias and signaling means are connected in the form of a half square via pad, which has the effect of reducing unwanted coupling between the signaling means.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 구조를 나타낸다.1 shows a structure of a system on package according to a preferred embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명에 의한 시스템 온 패키지는 패키지 본체(10), 패키지 커버(11) 및 집적회로(23)를 포함한다. 집적회로(23)는 초고주파 단일 집적회로(MMIC), 광 집적회로(Opto IC) 혹은 디지털 집적회로(Digital IC) 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 집적회로(23)의 하부에는 방열 비아(27)를 배치하여 집적회로(23)에서 발생되는 열을 충분히 방열한다.Referring to FIG. 1, a system on package according to the present invention includes a
한편, 패키지 본체(10)와 패키지 커버(11)에는 각각 높은 유전율을 갖는 유전체(28, 29)가 채워져 있다.On the other hand, the
패키지 본체(10)는 하우징(12)에 실장되며, 동축 커넥터 비드(13)를 통해 패키지 외부의 회로와 연결되어 신호를 주고받는다. 패키지 커버(11)는 집적회로(23)의 상부에 위치하며, 집적회로(23)의 실장을 위한 공동(Cavity)을 형성한다. 이 공동은 집적회로(23)에 전자기 간섭으로부터의 차폐를 제공하며, 외부 환경으로부터 내부의 집적회로(23)를 보호하는 밀봉(Hermetic) 기능도 제공한다. 패키지 본체(10)와 패키지 커버(11)는 다층의 유전체로 구성될 수 있다. 도 1에서, 패키지 본체(10)는 L1층 내지 L6층의 다층으로 구성된 유전체로 이루어져 있다. 패키지 커버(11) 또한 다층으로 구성되어 있으며, 도금으로 구성되는 것이 바람직하다. The
집적회로(23)는 제 1 신호전달수단(19, 20, 21), 신호 비아(Signal Via, 16), 제 2 신호전달수단(14, 15), 그리고 동축 커넥터 비드로 구성된 제 3 신호전달수단(13)을 통해 외부 회로와 연결되어 신호를 주고 받는다.The integrated circuit 23 is a third signal transmission means composed of first signal transmission means 19, 20, 21,
집적회로(23)는 먼저 와이어 본딩 또는 리본 본딩 등의 접합 수단(22)을 통해 GCPW(Grounded CoPlanar Waveguide) 선로(21)와 연결된다. GCPW 선로(21)는 SMCPW 선로(20)에 연결되고, SMCPW 선로(20)는 다시 SMCPW 선로(19)에 연결된다. SMCPW 선로(19, 20)를 사용함으로써, 신호 전달과정에서 나타나는 방사 손실 및 상호 결합을 줄일 수 있다.The integrated circuit 23 is first connected to a grounded coplanar waveguide (GCPW)
SMCPW 선로(19)는 신호 비아(16)와 연결된다. 이 때 SMCPW 선로(19)는 반 정사각형 비아 패드의 형태로 신호 비아(16)와 연결되는데, 이에 대해서는 후술한다. 신호 비아(16)는 슬랩 선로(17)와 트로프 선로(18)로 구성된다. 신호 비아(16)를 통해 외부 회로와 집적회로(23) 간 신호의 수직 천이가 일어나게 되는데, 도 1과 같이 신호 비아(16)를 슬랩 선로(17) 및 트로프 선로(18)로 구성함으로써 수직 천이시 일어나는 신호의 불연속을 최소화하는 효과를 얻을 수 있다.The SMCPW
신호 비아(16)의 다른 쪽은 제 2 신호전달수단(14, 15)과 연결되는데, 이 때 SMCPW 선로(19)와 신호 비아(16)의 연결 형태와 마찬가지로 신호 비아(16)와 제 2 신호전달수단(14, 15)의 GCPW 선로(15) 또한 반 정사각형 비아 패드의 형태로 연결된다. GCPW 선로(15)는 GCPW 선로(14)와 연결되어 있다. 그리고 GCPW 선로(14)는 다시 동축 커넥터 비드(13)와 연결됨으로써 외부와의 신호 전달을 수행할 수 있다.The other side of the signal via 16 is connected to the second signal transmission means 14 and 15, in which case the signal via 16 and the second signal are similar to the connection form of the
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 제 2 신호전달수단 중 GCPW 선로(14)의 구조를, 도 3은 GCPW 선로(15)의 구조를 각각 나타낸다.2 shows the structure of the
도 2 및 도 3에 나타난 바와 같이, 선로의 하부는 고유전율의 유전체(28)로 채워져 있고 유전체(28) 주변에는 그라운드(25, 26)가 형성되어 있으며, 선로의 상부는 유전체(28)와는 다른 공기와 접촉하고 있는 구조를 GCPW 선로 구조라고 한다. 참고로 도 8 또한 동일한 구조를 갖고 있으므로 GCPW 선로 구조로 볼 수 있다.As shown in FIGS. 2 and 3, the lower part of the line is filled with a high dielectric constant dielectric 28, and
GCPW 선로(14)와 GCPW 선로(15)는 외부 회로와 패키지 내부의 수직 천이 사이를 연결하는 전송 선로 역할을 수행한다. 도 2 및 도 3을 참조하면, GCPW 선로(14)와 GCPW 선로(15)의 선폭은 각각 w1과 w2이며, 측면 접지면 사이의 거리는 s1으로 서로 동일하다. GCPW 선로(14)와 GCPW 선로(15)의 선폭이 w1과 w2 로 각각 다른 이유는 하단 접지면까지의 거리가 서로 다르기 때문이다. The
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 슬랩 선로(17)의 구조를, 도 5는 트로프 선로(18)의 구조를 각각 나타낸다.4 shows the structure of the
먼저 도 4를 참조하면, 신호 비아(16) 주위에 유전체(28)가 채워져 있고, 이 유전체(28) 주변에는 동일 평면 상의 그라운드(25, 26)가 평행하게 형성되어 있다. 이러한 구조를 슬랩 선로(17) 구조라고 한다. 그리고 도 5를 참조하면, 신호 비아(16) 주위에 유전체(28)가 채워져 있고, 이 유전체(28) 주변에는 동일 평면 상의 그라운드(25, 26)가 말 구유 형상, 또는 'ㄷ'자 형상으로 형성되어 있다. 이러한 구조를 트로프 선로(18) 구조라고 한다.Referring first to FIG. 4, a dielectric 28 is filled around the signal via 16, and
도 4 및 도 5에 나타난 바와 같이, 슬랩 선로(17)와 트로프 선로(18)는 신호 비아(16)와 접지로 구성된다. 그리고 접지는 접지면(25)과 접지 비아(26)로 구성된다. 도 1에서, 트로프 선로(18)는 L4 층에, 슬랩 선로(17)는 L5 층과 L6층에 각각 해당된다. 트로프 선로와 슬랩 선로의 특성 임피던스는 각각 수학식 1과 수학식 2로 주어진다.As shown in FIGS. 4 and 5, the
신호 비아(16)의 직경은 d2이며, 접지 비아(26)의 직경은 d1이다. 접지 비아(26)와 접지면(25) 끝단까지의 이격 거리는 c1이며, 접지 비아(26) 간의 피치는 d1의 3배인 3×d1이다. 접지면(25) 간의 이격 거리 s1은 도 5에 나타난 s3의 2배이다.The diameter of the signal via 16 is d2 and the diameter of the ground via 26 is d1. The separation distance between the ground via 26 and the end of the
이처럼 슬랩 선로(17)와 트로프 선로(18)가 적용된 신호 비아를 통해 일어나는 수직 천이는, 종래의 비아 홀을 사용할 때 일어나는 수직 천이의 불연속성을 최소화하여 신호의 저손실 특성을 나타내는 시스템 온 패키지의 제조를 가능하게 한다. 종래에는 신호 비아(16) 주변에 도 4 또는 도 5와 같이 그라운드가 형성되어 있지 않았고, 신호 비아(16)는 인덕터로서 작용하게 되는데, 이러한 경우 고주파신호가 통과하기 어렵다. 또한 종래와 같은 경우 삽입 손실이 증가하며 반사 손실이 열화된다. 하지만 본 발명의 슬랩 선로(17) 및 트로프 선로(18)와 같이 신호 비아(16) 주변에 그라운드를 배치하게 되면, 신호 비아(16)를 통과하는 전송 선로의 특성 임피던스를 정합할 수 있으므로, 종래 기술에 따라 나타나는 수직 천이의 불연속을 최소화할 수 있는 것이다.The vertical transitions occurring through the signal vias to which the
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 제 1 신호전달수단 중 SMCPW 선로(19)의 구조를, 도 7은 SMCPW 선로(20)의 구조를 나타낸다.6 shows the structure of the
도 6 및 도 7에 나타난 바와 같이, 선로 주변을 유전체(28)가 채우고 있고, 이 유전체 주변에 그라운드(25, 26)가 형성되어 있는 구조를 SMCPW 선로(19, 20) 구조라고 한다.As shown in Figs. 6 and 7, the structure in which the dielectric 28 fills the periphery of the line and the
도 6의 SMCPW 선로(19)와 도 7의 SMCPW 선로(20)는 접지면(25)들과 접지 비아(26)들로 둘러싸인 차폐된 구조이다. 이러한 구조에서, 전자기장은 선로와 인접한 바닥면과 양측면의 그라운드면 사이에서 주로 형성된다. SMCPW 선로(19, 20)의 상부에는 패키지 본체의 유전체(28)와는 다른 공기층이므로 상면으로 방사되는 전자기장은 거의 존재하지 않는다.The
도 6 및 도 7과 같이 선로가 유전체(28) 및 그라운드(25, 26)로 차폐된 구조에서는 내부 신호가 외부로 방사되지 않으므로, 신호 전달시 방사 손실이 작게 되며, 외부의 신호가 내부로 침입하지 못하므로 상호 결합을 줄일 수 있는 효과도 있다.In the structure in which the line is shielded with the dielectric 28 and the
도 6 및 도 7의 SMCPW 선로(19, 20)와 같은 다층의 구조는 주로 전자기 해석법을 통해 그 특성을 해석한다. 전자기 해석 결과로부터 특성 임피던스 50 ohm을 갖는 SMCPW 선로(19, 20)의 선로 폭 w3, w4를 구할 수 있다.The multi-layered structure, such as the SMCPW lines 19 and 20 of Figs. 6 and 7, analyzes its characteristics mainly through electromagnetic analysis. From the electromagnetic analysis results, the line widths w3 and w4 of the SMCPW lines 19 and 20 having a characteristic impedance of 50 ohms can be obtained.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 제 1 신호전달수단 중 GCPW 선로(21)의 구조를 나타낸다.8 shows the structure of the
도 1 및 도 8을 참고하면, GGPW 선로(21)의 h1은 집적회로(23)로부터 패키지 커버(11)까지의 높이이다. 만약 h1을 작게 하면 보다 작은 시스템 온 패키지를 만들 수 있다. 그러나, h1을 감소시키면 패키지 내부의 상호 결합이 증가할 수 있으며, 패키지 내부에 실장되는 집적회로(23)의 이득과 격리가 열화될 수 있다. 따라서, 이러한 점들을 고려하여 적절한 h1을 선택하는 것이 필요한데, 본 발명의 실시예에서 집적회로(23)의 성능 열화가 일어나지 않는 바람직한 높이 h1은 600 um이다.1 and 8, h1 of the
한편 도 1에 나타난 바와 같이, 본 발명의 실시예에서는 패키지 커버(11), 접지면(25)들과 접지 비아(26)들로 집적회로(23)의 실장을 위한 공동(cavity, 30)을 만들어 전자기 간섭으로부터의 차폐를 제공한다. 이 공동(30)은 패키지 본체(10) 및 패키지 커버의 유전체(28, 29)와는 다른 공기 혹은 집적회로의 산화를 방지하는 헬륨가스가 채워져 있다. 패키지 커버(11)는 외부 환경으로부터 패키지 내부의 집적회로(23)를 보호하는 밀봉(hermetic) 기능도 제공한다. 도 1에 나타난 공동(30)에는 공진(resonance)이 발생할 수 있다. 이 공동(30) 내부에 있는 집적회로(23)가 동작하기 위해서는, 공동(30)이 비어 있을 때의 최저 공진 주파수와 공동(30) 내부에 GCPW(21) 선로가 존재할 때의 공진 주파수를 고려해야 한다. 공동(30)이 비어 있을 때의 최저 공진 주파수인 TE101 모드 주파수 f c 와, 공동(30) 내부에 마이크로스트립 선로가 존재하는 경우의 공진 주파수 f r 은 각각 수학식 3과 수 학식 4로부터 구할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 1, in the exemplary embodiment of the present invention, a
수학식 4는 마이크로스트립 선로가 존재하는 경우의 공진 주파수이지만, 이를 통해 본 발명의 실시예와 같이 GCPW 선로(21)가 공동(30)에 존재하는 경우의 동작 주파수를 결정할 수 있다.Equation 4 is a resonance frequency when the microstrip line is present, but through this, it is possible to determine an operating frequency when the
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지에 사용될 수 있는 스트립 선로의 구조를 나타낸다.9 shows a structure of a strip line that can be used in a system on package according to a preferred embodiment of the present invention.
도 9에 나타난 바와 같이, 스트립(strip) 선로는 상하로 평행하게 놓여진 두개의 그라운드 평면(25) 사이에 유전체(28)가 채워져 있고, 그 유전체(28)의 중간에 일정한 폭과 두께를 가지고 있는 선로(24)가 그라운드 평면과 평행하게 놓여 있는 형태로써 전송 선로의 일종이다.As shown in FIG. 9, the strip line is filled with a dielectric 28 between two
도 1을 참조하면, 패키지 커버(11)가 덮인 집적회로(23)의 오른쪽에는 또 다른 집적회로(23)가 실장될 수 있다. 이 때, 왼쪽의 집적회로(23)와 오른쪽의 집적회로(22)간 신호 교환을 위하여 양 집적회로는 제 4 신호전달수단(21, 24)으로 연결될 수 있다. 여기서 제 4 신호전달수단은 GCPW 선로(21)와 도 9에 나타난 스트립 선로(24)로 구성될 수 있다. 양 집적회로 사이에는 결합기(coupler)나 결합 선로 여파기(coupled line filter) 등이 설치될 수 있는데, 도 1 및 도 9의 스트립 선로(24)는 이러한 결합기나 결합 선로 여파기에 사용될 수 있다. 왼쪽의 집적회로(23)에도 오른쪽 집적회로(22)와 마찬가지로 패키지 커버(11)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1, another integrated circuit 23 may be mounted on the right side of the integrated circuit 23 covered with the
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 신호전달수단과 신호 비아간의 반 정사각형 비아 패드 형태의 결합 구조를 나타낸다.FIG. 10 illustrates a coupling structure in the form of a semi-square via pad between a signal delivery means and a signal via of a system on package according to a preferred embodiment of the present invention.
앞서 언급한 바와 같이, GCPW 선로(15)와 신호 비아(16), 그리고 신호 비아(16)과 SMCPW 선로(19)는 반 정사각형 비아 패드 형태(32)로 결합된다. 도 10은 이러한 반 정사각형 비아 패드 형태(32)의 결합 구조를 보여준다. As mentioned above, the
일반적인 경우 GCPW 선로(15)와 SMCPW 선로(19)는 각각 신호 비아(16)의 원형 단면 전체를 덮도록 설계된다. 어떠한 경우에는 신호 비아(16)의 단면 경계를 넘어서까지 덮도록 설계되기도 하는데, 이렇게 되면 GCPW 선로(15)와 SMCPW 선로(19)가 신호 비아(16)의 단면을 덮고 남는 부분끼리 서로 평행하게 마주보게 되 고, 그러면 마주보는 부분에 의하여 선로 사이의 결합(coupling)이 발생하게 된다. In general, the
하지만 도 1과 도 10을 참조하면, 본 발명에서는 신호 비아(16)를 중심으로 GCPW 선로(15)와 SMCPW 선로(19)가 각각 절반씩만 신호 비아(16)를 덮도록 되어 있다. 이렇게 되면 공간상에서 GCPW 선로(15)와 SMCPW 선로(19)가 서로 평행하게 만나는 부분이 생기지 않게 되고, 따라서 종래 기술에 의해 발생하는 결합도 최소화 된다. 이러한 구조를 본 발명에서는 반 정사각형(half square) 비아 패드(via pad) 형태(32)로 정의한다. However, referring to FIGS. 1 and 10, the
이러한 반 정사각형 비아 패드 형태(32)를 사용함으로써, GCPW 선로(15)와 SMCPW 선로(19) 사이의 원하지 않는 결합을 줄일 수 있고, 이로써 신호의 손실이 적은 초광대역 시스템 온 패키지를 구현할 수 있다.By using this semi-square via
도 11은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 반사 손실 특성을 나타내는 그래프이다. 11 is a graph illustrating return loss characteristics of a system on package according to a preferred embodiment of the present invention.
도 11에서는 컴퓨터 프로그램을 이용한 시뮬레이션 결과와 실제 반사 손실 측정 결과를 비교함으로써 본 발명에 의한 시스템 온 패키지의 반사 손실 특성을 나타낸다. 시뮬레이션 결과는 Ansoft사의 전자기 해석 툴인 HFSS에 의한 것으로, 도 11상에 "HFSS"로 표시되어 있다. 그리고 실제 반사 손실 측정 결과는 "Measurement"로 나타나 있다. 도 11에 나타난 바와 같이, 실제 반사 손실 측정 결과는 시뮬레이션 결과와 유사하며, DC부터 70GHz 까지의 주파수 범위에서 반사 손실이 -13 dB 이하로 나타나는 것을 알 수 있다. 이는 본 발명에 의한 시스템 온 패 키지의 신호 정합이 매우 우수함을 나타낸다.11 shows the reflection loss characteristics of the system-on-package according to the present invention by comparing a simulation result using a computer program with an actual return loss measurement result. The simulation results are based on Ansoft's electromagnetic analysis tool HFSS, which is indicated by " HFSS " The actual return loss measurement results are shown as "Measurement". As shown in FIG. 11, the actual return loss measurement result is similar to the simulation result, and it can be seen that the return loss is represented by -13 dB or less in the frequency range from DC to 70 GHz. This indicates that the signal matching of the system on package according to the present invention is very good.
도 12는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 삽입 손실 특성을 나타내는 그래프이다. 12 is a graph illustrating insertion loss characteristics of a system on package according to a preferred embodiment of the present invention.
도 12 또한 컴퓨터 프로그램을 이용한 시뮬레이션 결과와 실제 삽입 손실 측정 결과를 비교함으로써 본 발명에 의한 시스템 온 패키지의 삽입 손실 특성을 나타낸다. 시뮬레이션 결과는 Ansoft사의 전자기 해석 툴인 HFSS에 의한 것으로, 도 12상에 "HFSS"로 표시되어 있다. 그리고 실제 삽입 손실 측정 결과는 "Measurement"로 나타나 있다. 도 12에 나타난 바와 같이, 실제 삽입 손실 측정 결과는 시뮬레이션 결과와 유사하며, DC부터 70GHz 까지의 주파수 범위에서 삽입 손실이 0.7 dB 이하로 나타나는 것을 알 수 있다. 이는 본 발명에 의한 시스템 온 패키지의 삽입 손실이 매우 적음을 나타낸다.12 also shows the insertion loss characteristics of the system-on-package according to the present invention by comparing the simulation results using a computer program with the actual insertion loss measurement results. The simulation results are based on Ansoft's electromagnetic analysis tool HFSS, which is indicated by " HFSS " The actual insertion loss measurement results are shown as "Measurement". As shown in FIG. 12, the actual insertion loss measurement result is similar to the simulation result, and it can be seen that the insertion loss is 0.7 dB or less in the frequency range from DC to 70 GHz. This indicates that the insertion loss of the system on package according to the present invention is very small.
지금까지 설명한 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지는 트로프 선로 및 슬랩 선로로 구성된 신호 비아를 사용함으로써 수직 천이시 나타나는 신호의 불연속성을 감소시킬 수 있다. 또한 SMCPW 선로의 사용으로 방사 손실과 상호 결합을 줄일 수 있으며, 반 정사각형 비아 패드 형태의 결합은 전송 선로들 간의 원하지 않는 결합을 줄이는 효과를 나타낸다. 여기에 낮은 반사 손실과 삽입 손실 특성을 나타내므로, 본 발명에 의한 시스템 온 패키지는 초광대역 시스템에 매우 적합하다. The system-on-package according to the preferred embodiment of the present invention described above can reduce signal discontinuity during vertical transition by using signal vias composed of a trough line and a slab line. In addition, the use of SMCPW lines can reduce radiation losses and cross-coupling, while the semi-square via pad-shape coupling reduces the unwanted coupling between transmission lines. Since low return loss and insertion loss are shown here, the system-on-package according to the present invention is well suited for ultra-wideband systems.
전술한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다.The present invention described above is capable of various substitutions, modifications, and changes without departing from the spirit of the present invention for those skilled in the art to which the present invention pertains. It is not limited by.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 구조.1 is a structure of a system on package according to a preferred embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 제 2 신호전달수단 중 GCPW 선로(14)의 구조.2 is a structure of a
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 제 2 신호전달수단 중 GCPW 선로(15)의 구조.3 is a structure of a
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 슬랩 선로(17)의 구조.4 is a structure of a
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 트로프 선로(18)의 구조.5 is a structure of a
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 제 1 신호전달수단 중 SMCPW 선로(19)의 구조. 6 is a structure of the
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 제 1 신호전달수단 중 SMCPW 선로(20)의 구조.7 is a structure of the
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 제 1 신호전달수단 중 GCPW 선로(21)의 구조.8 is a structure of a
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지에 사용될 수 있는 스트립 선로의 구조.9 is a structure of a strip line that may be used in a system on package according to a preferred embodiment of the present invention.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 신호전달수단과 신호 비아간의 반 정사각형 비아 패드 형태의 결합 구조.10 is a coupling structure in the form of a semi-square via pad between the signal delivery means and the signal via of a system on package according to a preferred embodiment of the present invention.
도 11은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 반사 손실 특성을 나타내는 그래프.11 is a graph showing return loss characteristics of a system on package according to a preferred embodiment of the present invention.
도 12는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 시스템 온 패키지의 삽입 손실 특성을 나타내는 그래프.12 is a graph showing insertion loss characteristics of a system on package according to a preferred embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10 : 패키지 본체10 : package body
11 : 패키지 커버11: package cover
12 : 하우징(housing)12: housing
13 : 동축 커넥터 비드(coaxial connector bead)13: coaxial connector bead
14 : GCPW(ground coplanar waveguide line) 선로14: GCPW (ground coplanar waveguide line)
15 : GCPW(ground coplanar waveguide line) 선로 15: GCPW (ground coplanar waveguide line)
16 : 신호 비아(Signal Via)16: Signal Via
17 : 슬랩 선로(Slab Line)17: Slab Line
18 : 트로프 선로(Trough Line) 18: Trough Line
19 : SMCPW(shielded multilayer coplanar waveguide) 선로 19: SMCPW (shielded multilayer coplanar waveguide) track
20 : SMCPW(shielded multilayer coplanar waveguide) 선로 20: SMCPW (shielded multilayer coplanar waveguide) track
21 : GCPW(Grounded CoPlanar Waveguide) 선로21: Grounded CoPlanar Waveguide (GCPW) Track
22 : 와이어 본딩 혹은 리본 본딩22: wire bonding or ribbon bonding
23 : 초고주파 단일 집적회로 (MMIC), 광 집적회로 (Opto IC) 혹은 디지털 집적회로(Digital IC)23: Microwave Single Integrated Circuit (MMIC), Optical Integrated Circuit (Opto IC) or Digital Integrated Circuit (Digital IC)
24 : 스트립 선로(strip line) 24: strip line
25 : 접지면(Ground Plane)25: Ground Plane
26 : 접지 비아(Ground Via)26: Ground Via
27 : 방열 비아(Thermal Via) 27: Thermal Via
28 : 패키지 본체의 유전체28: dielectric of the package body
29 : 패키지 커버의 유전체 29: dielectric of the package cover
30 : 공동(Cavity)30: Cavity
31 : 외부 DC 패드31: External DC Pad
32 : 반 정사각형 (Half square) 비아 패드 (via pad)32: half square via pad
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/604,354 US8049319B2 (en) | 2008-10-24 | 2009-10-22 | Ultra wideband system-on-package |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080104872 | 2008-10-24 | ||
KR20080104872 | 2008-10-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100045887A KR20100045887A (en) | 2010-05-04 |
KR101201204B1 true KR101201204B1 (en) | 2012-11-15 |
Family
ID=42273473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080131439A KR101201204B1 (en) | 2008-10-24 | 2008-12-22 | Ultra wide band system-on-package and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101201204B1 (en) |
-
2008
- 2008-12-22 KR KR1020080131439A patent/KR101201204B1/en active IP Right Grant
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
IEEE Transactions on Microwave Theory and Tech., vol. 51, pp.2589-2596 (2003.12) |
Proc. of the 37th European Microwave Conf., pp.1361-1364 (2007.10) |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100045887A (en) | 2010-05-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6674347B1 (en) | Multi-layer substrate suppressing an unwanted transmission mode | |
US7884682B2 (en) | Waveguide to microstrip transducer having a ridge waveguide and an impedance matching box | |
US9774076B2 (en) | Compact millimeter-wave radio systems and methods | |
JP5616338B2 (en) | Waveguides and transmission lines in the gap between parallel conducting surfaces. | |
Ponchak et al. | The use of metal filled via holes for improving isolation in LTCC RF and wireless multichip packages | |
KR100870134B1 (en) | Ultra wide band hermetic surface mount technology microwave monolithic integrated circuit package | |
US8106721B2 (en) | Multilayer complementary-conducting-strip transmission line structure with plural interlaced signal lines and mesh ground planes | |
Byun et al. | 40 GHz Vertical Transition with a Dual‐Mode Cavity for a Low‐Temperature Co‐fired Ceramic Transceiver Module | |
US8022784B2 (en) | Planar transmission line-to-waveguide transition apparatus having an embedded bent stub | |
US8049319B2 (en) | Ultra wideband system-on-package | |
EP1081989A2 (en) | High frequency wiring board and its connecting structure | |
Lee et al. | A fully embedded 60-GHz novel BPF for LTCC system-in-package applications | |
Li et al. | Analysis of wideband multilayer LTCC vertical via transition for millimeter-wave System-in-package | |
US20060125575A1 (en) | Transceiver using low temperature co-fired ceramic method | |
KR100739382B1 (en) | Non-Radiative Microstrip Line | |
KR100764604B1 (en) | Non-Radiative Microstrip Line with Ground Pattern | |
KR101201204B1 (en) | Ultra wide band system-on-package and method of manufacturing the same | |
KR101323841B1 (en) | Transition structure including patch antenna and waveguide | |
CN112993505B (en) | Terahertz wire-jumping-free coplanar waveguide single chip and system-level circuit low-insertion-loss packaging structure | |
Lee et al. | A novel CPW-to-stripline vertical via transition using a stagger via structure and embedded air cavities for V-band LTCC SiP applications | |
Simon et al. | Design of passive components for K-band communication modules in LTCC environment | |
JP2011172173A (en) | Millimeter wave circuit module and millimeter wave transceiver employing the same | |
Lee et al. | A very compact 62‐GHz transmitter LTCC SiP module for wireless terminals applications | |
JP2011010242A (en) | High-frequency substrate and high-frequency module | |
JP4058381B2 (en) | Connection structure between dielectric waveguide line and waveguide, and antenna substrate and filter substrate using the structure |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151028 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161027 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171027 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191028 Year of fee payment: 8 |