KR101187090B1 - 발광 다이오드 조립체 - Google Patents

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KR101187090B1
KR101187090B1 KR1020077002118A KR20077002118A KR101187090B1 KR 101187090 B1 KR101187090 B1 KR 101187090B1 KR 1020077002118 A KR1020077002118 A KR 1020077002118A KR 20077002118 A KR20077002118 A KR 20077002118A KR 101187090 B1 KR101187090 B1 KR 101187090B1
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조지 보그너
스테판 그로트치
군터 와이틀
마리오 완닌저
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오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 조립체에 관한 것이다. 상기 발광 다이오드 조립체는 발광 다이오드 칩(1)에서 발생한 전자기 방사선(electromagnetic radiation)(13)의 대부분이 주방사방향에서 나타나는 방사선 이탈면(2)을 구비한 적어도 하나의 발광 다이오드 칩(1); 상기 발광 다이오드 칩(1)을 측방향으로 에워싸는 하우징(5); 및 상기 주방사방향에서 상기 방사선 이탈면(2) 하류에 위치한 반사렌즈(6)를 포함한다. 상기 발광 다이오드 조립체는 특히, 카메라 핸드폰, 디지털 카메라 또는 비디오 카메라와 같은 장치에 사용되는 것이 적합하다.
발광 다이오드, 캐리어, 반사 렌즈, 하우징, 집

Description

발광 다이오드 조립체{Light-emitting diode assembly}
본 발명은 발광 다이오드 조립체에 관한 것이다.
특허명세서 US 6,657,375 B2는 발광 다이오드의 측면 및 표면으로부터 발생하는 광을 방출하는 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하는 발광 다이오드 조립체를 개시한다. 여기서, 방출된 빛은 상기 발광 다이오드의 주 방사선으로 노출되는 발광물질에 의하여 부분적이거나 완전히 장파장의 방사선으로 전환된다. 상기 발광 다이오드 칩은 하우징의 제거부에 배치된다. 상기 하우징의 벽은 반사적으로 형성되고, 상기 제거부는 주물 성분으로 채워지며, 상기 주물 성분은 상기 발광 다이오드 칩을 완전히 덮는다. 상기 발광 다이오드 칩으로부터 방출된 광을 전환하기 위한 발광물질은 상기 주물 성분과 혼합된다.
본 발명의 목적은 특히 높은 광출력을 갖는 발광 다이오드 조립체를 제공하는 데에 있다. 상기 목적은 특허청구범위 1항에 따른 발광 다이오드 조립체에 의하여 해결된다. 본 발명의 바람직한 실시예들은 종속항들의 주제이다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 바람직하게는 적어도 하나의 발광 다이오드 칩을 포함하는 발광 다이오드 조립체가 제공된다. 바람직하게는, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 발광 다이오드 칩에서 발생한 전자기 방사선의 대부분이 나타나는 방사선 이탈면을 포함한다.
바람직하게는, 상기 방사선은 주방사방향으로 나타난다. 특히 바람직하게는, 상기 발광 다이오드 칩에서 발생한 방사선은 단지 상기 방사선 이탈면만을 지나서 나타난다. 이때, 상기 방사선 이탈면은 바람직하게는, 상기 발광 다이오드 칩의 주 평면 중의 하나에 의하여 제공된다. 상기 주 평면에 대해 가로질러 진행하는 발광 다이오드 칩의 측면은 바람직하게는, 광선이 투과하지 못하게 형성된다. 이때, 상기 칩 면은 예를 들어, 방사선을 반사하거나 흡수하도록 형성될 수 있다.
또한, 바람직하게는, 상기 발광 다이오드 조립체는 상기 발광 다이오드 칩을 측방향으로 에워싸는 하우징을 포함한다. 즉, 상기 발광 다이오드 칩의 측면은 상기 하우징에 의해 에워싸인다. 상기 측면은 바람직하게는, 수직으로 또는 실질적으로 상기 발광 다이오드 칩의 방사선 이탈면에 대해 수직으로 진행한다.
또한, 바람직하게는, 상기 발광 다이오드 조립체는 반사렌즈를 포함한다. 상기 반사렌즈는 바람직하게는, 상기 방사선 이탈면 하류에 주방사방향에서 위치한다. 즉, 상기 발광 다이오드 칩으로부터 방출된 방사선의 적어도 일부가 상기 반사렌즈 위에서 나타나며 상기 반사렌즈에 의해 반사된다.
바람직하게는, 상기 발광 다이오드 조립체는, 상기 발광 다이오드 칩에서 발생한 전자기 방사선의 대부분이 주방사방향으로 나타나는 방사선 이탈면을 구비한 발광 다이오드 칩, 상기 발광 다이오드 칩을 측방향으로 에워싸는 하우징, 및 상기 주방사방향에서 상기 방사선 이탈면 하류에 위치한 반사렌즈를 포함한다.
바람직하게는, 상기 발광 다이오드 칩은 에피택셜 성장한 층 스택(stack)을 포함한다. 상기 층 스택은 예를 들어, 에피택셜 성장한 층의 연속물이다. 바람직하게는, 상기 층 스택은 전자기 방사선을 발생하는 데에 적합한 적어도 하나의 활성영역을 포함한다. 바람직하게는, 상기 활성영역은 청색 또는 자외선 스펙트럼 영역 안의 전자기 방사선을 발생하는 데에 적합하다.
이를 위해, 상기 활성영역은 예를 들어, pn 접합, 이중 헤테로 구조, 단일 양자우물구조(single quantum well) 또는 특히 바람직하게는, 다중 양자우물구조(multiple quantum well; MQW)를 포함할 수 있다. 이러한 구조들은 당업자에게 잘 알려져 있으므로 여기서는 보다 상세하게 설명되지 않는다. 예를 들어, MQW 구조들은 특허명세서 WO 01/39282, WO 98/31055, US 5,831,277, EP 1 017 113 및 US 5,684,309에 개시되어 있으며, 그 개시내용은 상기 MQW 구조들과 관련하여 재귀적 방법에 의하여 포함된다.
상기 층 스택은 특히 바람직하게는, 성장기판이 상기 에피택셜 성장이 종료된 후에 이격되는 에피택셜 성장한 층의 연속물이다. 특히 바람직하게는, 상기 최초의 성장기판에 대해 전향한 상기 층 스택의 표면에 캐리어가 배치된다. 상기 성장기판을 에피택셜 성장한 층 연속물로부터 이격할 때 제조되는 구성요소들은 종종 상위개념에 따른 박막층-구성요소들로도 특징지워진다.
박막층-구성요소들의 기본원칙은 예를 들어, 아이. 슈니쳐(I. Schnitzer) 등에 의해 개시된 Appl. Phys. Lett. 63(16), 1993년 10월 18일, p.2174 - p.2176에 개시되어 있다. 그 개시내용은 박막층-구성요소들의 기본원칙과 관련하여 재귀적방법에 의하여 포함된다.
박막 발광 다이오드 칩은 바람직하게는, 람베르트 표면 광선 방사기이며, 이로부터 특히 양호하게 예를 들어, 전조등에 적용하는 데에 적합하다.
특히 바람직하게는, 상기 캐리어는 상기 성장기판과 비교하여 상대적으로 자유롭게 선택될 수 있다. 따라서, 상기 캐리어는 대략 전도성 또는 안정성과 같은 많은 특성과 관련하여, 고가의, 에피택셜 성장한 층 연속물을 제조하기 위해서 약간의 제한성을 갖는 사용가능한 성장기판보다 더 양호하게 상기 구성요소에 적합화될 수 있다. 따라서, 고가의, 에피택셜 성장한 층을 얻기 위해서, 상기 에피택셜 분리된 물질은 예를 들어, 상기 성장기판에 격자적합화되어야 한다.
바람직하게는, 상기 층 스택에 배치된 캐리어는 상기 층 스택에 적합화된 열 팽창계수에 의하여 특징지워진다. 예를 들어, 상기 캐리어는 게르마늄, 갈륨-비화물, 갈륨-질화물, 실리콘-탄화물, 및 사파이어, 몰리브덴 또는 금속과 같은 또다른 물질과 같은 반도체 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 캐리어는 바람직하게는, 특히 양호한 열 전도성에 의하여 특징지워지므로, 상기 활성영역에서 전자기 방사선이 발생할 때 발생하는 열이 적어도 부분적으로 상기 캐리어에 의하여 주변으로 방출될 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 캐리어와 상기 층 스택 사이에 거울층이 배치된다. 상기 거울층은 예를 들어, 브래그(Bragg) 거울 또는 금속을 포함하는 거울층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 금, 금-게르마늄, 은, 알루미늄 또는 백금을 포함할 수 있는 금속을 포함하는 층은 브래그 거울에 비해서 예를 들어, 반사의 작은 방향의존성에 의하여 특징지워진다. 또한, 금속을 포함하는 거울을 사용함으로써, 브래그 거울을 사용하는 것보다 높은 반사에 도달할 수 있다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에서, 상기 발광 다이오드 칩은 특히 짧은 광 임펄스를 발생하는 데에 적합하다. 예를 들어, 상기 발광 다이오드 칩은 최대 200 밀리초의 조명기간을 갖는 섬광(photoflash)을 발생하는 데에 적합하다. 바람직하게는, 상기 조명기간은 최대 120 밀리초, 특히 바람직하게는, 100 밀리초이다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에서, 상기 발광 다이오드 칩은 연속동작중 전자기 방사선을 발생하는 데에 적합하다. 바람직하게는, 상기 발광 다이오드 칩은 적어도 5분 동안 대략 일정한 세기의 광을 제공하는 데에 적합하다. 대략 일정한 세기에서, 이는, 전류공급에서의 변동 또는 열적 효과에 의해서 대략적으로 제한되어 상기 광 세기가 약간 변동할 수 있는 것을 의미한다. 그러나, 이러한 변동은 육안으로 관찰할 수 없을 정도로 매우 미약하다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 상기 발광 다이오드 칩은, 최대 200 밀리초의 조명기간을 갖는 섬광, 바람직하게는 최대 120 밀리초, 특히 더욱 바람직하게는, 100 밀리초의 조명기간을 갖는 섬광을 발생하는 데에 적합하며, 상기 연속동작중 적어도 5분 동안 대략 일정한 세기의 전자기 방사선을 방출하는 데에 적합하다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에 상응하게, 상기 반사렌즈는 입사개구부를 포함하고, 상기 입사개구부를 통하여 상기 발광 다이오드 칩 에서 발생한 전자기 방사선의 대부분이 진입한다. 이때, 바람직하게는, 상기 반사렌즈의 입사개구부는 주방사방향으로 상기 발광 다이오드 칩의 방사선 이탈면 하류에 위치한다. 바람직하게는, 상기 입사개구부는 상기 발광 다이오드 칩의 방사선 이탈면과 같은 크기의 최대 2배, 특히 바람직하게는, 최대 1.05배 내지 1.20배인 평면을 구비한다. 상기 반사렌즈의 이와 같은 작은 입사개구부는 상기 발광 다이오드 조립체의 중요한 소형화를 가능케하므로, 특히 바람직한 것으로 입증된다.
상기 발광 다이오드 조립체가 상기 반사렌즈가 하류에 위치한 하나 이상의 발광 다이오드 칩을 구비하면, 상기 입사개구부는 상기 발광 다이오드 칩의 방사선 이탈면의 합의 최대 2배, 특히 바람직하게는, 최대 1.05배 내지 1.20배인 평면을 구비한다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 상기 반사렌즈는 출사개구부를 포함한다. 상기 출사개구부를 통하여 상기 반사렌즈로 진입한 전자기 방사선은 상기 출사개구부를 통하여 상기 반사렌즈를 떠난다. 바람직하게는, 상기 출사개구부는 상기 발광 다이오드 칩에서 발생한 전자기 방사선의 주방사방향에서 상기 입사개구부 하류에 위치한다.
특히 바람직하게는, 상기 반사렌즈는 상기 입사개구부와 상기 출사개구부 사이에서 반사하는 측벽들을 포함한다. 바람직하게는, 상기 반사하는 측벽들은 상기 입사개구부를 통하여 진입하는 전자기 방사선의 적어도 하나의 부분이 상기 출사개구부의 방향으로 반사하도록 형성된다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 상기 반사렌즈는, 하나의 층 또는 층 결과물, 바람직하게는, 반도체 칩에서 방출된 광에 대해서 반사되는 금속층을 구비하는 측벽들을 포함한다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에서, 상기 반사렌즈는 상기 발광 다이오드 칩을 측방향으로 에워싸는 하우징에 일체화된다. 이는, 상기 반사렌즈의 측벽들이 예를 들어, 상기 발광 다이오드 칩으로 향한 상기 하우징의 내벽들에 의하여 제공되는 것을 의미한다. 이는, 예를 들어, 상기 내부의 하우징 벽들이 반사하면서 코팅됨으로써 실현된다. 이때, 상기 하우징 벽들의 코팅은 다시 금속층 또는 층 결과물로 이루어지는 것이 바람직하다.
대안적으로, 바람직하게는, 상기 반사렌즈의 기본 몸체는 적합한 굴절률을 갖는 절연물질로 형성된다. 이와 같이, 상기 입사개구부에 의하여 결합된 광은 상기 입사개구부를 상기 출사개구부에 연결하는 하우징의 벽들로의 전반사에 의하여 반사된다. 이는, 상기 반사렌즈에서 실제로 반사로 인해 광 손실이 없는 장점을 갖는다. 상기 발광 다이오드 조립체의 실시예에서, 또한 바람직하게는, 상기 하우징은 상기 반사렌즈의 기본 몸체에 의하여 형성되는 가능성이 발생한다. 바람직하게는, 상기 발광 다이오드 조립체는 이와 같이, 특히 비용적합하게 생산될 수 있다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에서, 상기 반사렌즈는 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 방사선의 발산을 감소하도록 형성된다. 이는, 상기 입사개구부를 통하여 상기 반사렌즈로 진입하는 전자기 방사선이 상기 반사렌즈의 출사개구부를 통한 광 발생에서보다 큰 발산을 갖는다는 것을 의미한다. 바람직하게는, 상기 반사렌즈는 촬상하지 않은(non-imaging) 렌즈이다.
적어도 하나의 실시예에 따르면, 상기 반사렌즈는 광학 집광기(optical concentrator)이며, 여기서, 상기 렌즈의 입사개구부는 상기 집광기의 실제적인 출사개구부이다. 특히 바람직하게는, 상기 반사렌즈는 촬상하지 않은 광학 집광기이다. 집광을 위한 광학 집광기의 일반적인 적용과 비교할 때, 상기 광은 반대방향으로 상기 광학 집광기에 의하여 집광되지 않고, 상기 출사개구부를 통하여 감소된 발산을 갖는 집광기를 떠난다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에서, 상기 반사렌즈는 적어도 부분적으로 복합 포물선 집광기(Compound Parabolic Concentrator; CPC), 복합 타원 집광기(Compound Elliptic Concentrator; CEC), 복합 쌍곡선 집광기(Compound Hyperbolic Concentrator; CHC) 또는 전내부반사(Total Internal Reflection) 렌즈의 형태로 형성된다. 즉, 상기 반사렌즈의 반사측벽들은 적어도 부분적으로 CPC, CEC, CHC 또는 TIR의 형태로 형성된다. 또한, 바람직하게는, 상기 반사렌즈는 이러한 광학부재의 조합으로 형성될 수 있다. 바람직하게는, 이렇게 형성된 반사렌즈는 상기 발광 다이오드 칩에서 발생한 전자기 방사선의 발산을 효율적으로 감소케하고 상기 발광 다이오드 조립체의 소정의 방사특성이 잘 정의될 수 있게 한다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에서, 상기 반사렌즈는 상기 발광 다이오드 칩에서 발생한 전자기 방사선의 대부분이 상기 반사렌즈로부터 나타나는 출사개구부를 포함한다. 이때, 상기 반사렌즈의 출사개구부 하류에는 상기 주방사방향으로 덮개몸체가 위치한다. 바람직하게는, 덮개몸체는 적어도 부분적으로 상기 전자기 방사선에 대해서 투과할 수 있다. 바람직하게는, 상기 덮개몸체는 먼지 및 오염 입자들 및 기계적인 작용으로부터 상기 반사렌즈 및 상기 발광 다이오드 칩을 보호하기 위한 보호물로 사용된다. 특히 바람직하게는, 상기 덮개몸체는 상기 발광 다이오드 조립체의 하우징 덮개로 형성된다. 이때, 바람직하게는, 상기 덮개몸체는 상기 발광 다이오드 조립체를 시스템 하우징에 설치할 때 안내부 또는 멈춤쇠(detent)로 사용할 수 있으므로, 상기 발광 다이오드 조립체를 상기 시스템 하우징에 간단하게 그리고 기계적으로 안정적으로 설치할 수 있게 한다. 특히 바람직하게는, 상기 덮개몸체는 안내부 및 멈춤쇠로 사용된다.
다시 말해서, 상기 발광 다이오드 조립체는 예를 들어, 시스템 하우징의 제거부를 하강되도록 하기 위해서 구비될 수 있다. 상기 덮개몸체 및 상기 제거부는 상기 발광 다이오드 조립체를 설치할 때 상기 덮개몸체를 안내부 및/또는 멈춤쇠로 작용하도록 서로 적합화된다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 상기 덮개몸체는 광학부재를 포함한다. 즉, 상기 반사렌즈의 출사개구부로부터 나타나는 전자기 방사선을 굴절하기 위해 사용되는 렌즈가 상기 덮개몸체에 일체화된다. 특히 바람직하게는, 상기 광학부재는 적어도 두 개의 상기 과제를 달성한다. 바람직하게는, 상기 광학부재는 촬상하지 않은 렌즈이다.
적어도 하나의 실시예에서, 상기 광학부재는 예를 들어, 구면 또는 비구면으로 아치형으로 형성될 수 있는 출사면을 포함한다. 이에 따라, 상기 발광 다이오드 조립체로부터 발생하는 전자기 방사선의 발산의 또다른 감소가 실현될 수 있다.
바람직하게는, 상기 출사면은 비구면 렌즈의 형태로 아치형으로 형성된다. 다시 말해서, 상기 출사개구부는 상기 발생하는 광 다발을 굴절하기 위해 사용되는 평면이며, 상기 평면은 원추형도 아니고 편평하지도 않다. 특히 바람직하게는, 이렇게 형성된 광학부재는 다수의 형태 파라미터를 포함할 수 있다. 이에 따라, 대략적으로 상기 발광 다이오드 칩의 방사선 이탈면의 크기 및/또는 상기 반사렌즈의 출사개구부의 크기가 운반될 수 있다. 이와는 달리, 점 형태의 광원의 구면 렌즈들이 최적이며, 상기 발생하는 광 다발의 발산의 감소와 관련하여 점 형태가 아닌 광원에서 현저하게 더 나쁜 특성들을 가질 수 있다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에서, 상기 광학부재는 프레넬(Fresnel) 렌즈 형태로 형성된다. 상기 프레넬 렌즈도 상기 발생하는 방사선의 발산을 감소시키는 데에 적합하다. 특히 바람직하게는, 상기 프레넬 렌즈는 특히 비용적합한 제조방식에 의하여 특징지워진다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에서, 상기 발광 다이오드 칩 하류에는 주방사방향으로 발광-전환물질이 위치하며, 상기 발광-전환물질은 상기 발광 다이오드 칩으로부터 방출된 전자기 방사선의 적어도 일부를 파장변환한다. 바람직하게는, 상기 발광-전환물질은 발광물질 입자의 적어도 하나의 형태를 포함한다. 상기 발광-전환물질로 예를 들어, 희토 도핑된 석류석(예를 들면, YAG:Ce)와 같은 무기 발광물질 또는 페릴린 발광물질과 같은 유기 발광물질이 적합하다. 또다른 적합한 발광물질은 예를 들어, 특허명세서 WO 98/12757에서 실현되며, 상기 발광물질에 관한 내용은 재귀적 방법에 의하여 포함된다.
상기 발광-전환물질을 사용하여, 상기 발광 다이오드 칩의 주 방사선이 폭넓게 완전하게 전환되거나 원하는 부분으로 전환되고, 주 방사선과 전환된 방사선이 혼합됨으로써, CIE-색소판, 특히 백색광에서의 원하는 색 부분의 가시광선이 발생할 수 있다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 상기 발광-전환물질은 얇은 층으로 상기 발광 다이오드 칩의 방사선 이탈면 위에 배치된다. 특히 바람직하게는, 상기 층의 두께는 최대 50㎛이다. 상기 발광-전환층의 최소두께는 대략 5㎛이다. 이때, 상기 발광-전환층은 바람직하게는 발광-전환물질-매트릭스 혼합물을 포함한다. 상기 매트릭스는 예를 들어, 듀로플라스틱(duroplastic) 폴리머 또는 실리콘으로 형성된다. 상기 발광-전환물질의 성분은 바람직하게는 높다.
상기 발광 다이오드 조립체의 실시예에서, 상기 발광 다이오드 칩에서 발생한 전자기 방사선의 대부분이 상기 방사선 이탈면에 의하여 발생하는 것이 바람직하다. 상기 발광-전환층이 상기 방사선 이탈면에 직접 배치되므로, 상기 조립체는 상기 발생하는 방사선의 특히 효율적이며 소정의 전환을 가능케한다. 다시 말해서, 상기 발광 다이오드 칩에서 발생하는 전자기 방사선의 대부분이 소정의 색소의 광으로 파장변환된다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에서, 상기 발광 다이오드 칩의 방사선 이탈면 하류에는 주방사방향으로 발광-전환물질을 포함하는 플레이트가 위치한다. 상기 플레이트의 두께는 바람직하게는, 최대 200㎛이다. 상기 플레이트의 최소두께는 바람직하게는, 대략 10㎛이다. 상기 플레이트는 예를 들어, 발광-전환물질이 삽입되는 플라스틱 물질을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 플레이트는 발광-전환물질로 이루어진 층으로 코팅될 수도 있다. 상기 플레이트는 예를 들어, 유리로 형성될 수 있다. 특히 바람직하게는, 발광 다이오드 조립체는 이러한 플레이트를 사용하여 특히 간단하고 비용적합하게 제조될 수 있다. 이외에도, 상기 플레이트를 교체함으로써 특히 간단한 방식으로 상기 발광 다이오드 조립체에서 방출된 광의 색 부분을 변경할 수 있는 가능성이 존재한다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에서, 상기 광학부재는 발광-전환물질을 포함하는데, 즉, 상기 광학부재는 상기 발생하는 방사선의 발산을 감소시키며 동시에 상기 방사선의 파장변환에 기여한다. 바람직하게는, 상기 발광 다이오드 조립체의 실시예는 특히 비용적합한 발광 다이오드 조립체의 제조를 가능케한다. 상기 광학부재가 플라스틱을 포함하면, 상기 발광-전환물질은 바람직하게는 상기 플라스틱에 삽입될 수 있다. 그러나, 상기 광학부재는 발광-전환물질로 코팅될 수도 있다. 특히 바람직하게는, 상기 광학부재는 유리로 형성될 수 있다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 상기 반사렌즈는 발광-전환물질을 포함한다. 다시 말해서, 상기 반사렌즈는 상기 발생하는 광의 발산을 감소시키며 동시에, 상기 발광 다이오드 칩에서 방출되는 전자기 방사선의 파장변환에 기여한다. 상기 발광 다이오드 조립체에서 방출된 광에 대한 요구에 따라서, 상기 반사렌즈에서 발광-전환물질의 다양한 농도 배치가 가능하다. 따라서, 발광-전환물질의 특히 높은 농도는 예를 들어, 상기 발광 다이오드로 향한 반사렌즈의 영역에 구비될 수 있다. 그러나, 상기 반사렌즈의 방사선 방출영역의 중앙에서 상기 발광-전환물질의 농도가 높을 수도 있다. 전체적으로, 상기 발광-전환물질-농도의 변화에 의하여 상기 발생하는 방사선의 소정의 전환이 가능해진다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 상기 발광 다이오드 조립체의 출사부, 예를 들어, 상기 광학부재의 출사면에서 발생하는 광 원추(light cone)의 개구각은 최대 35°이다. 특히 바람직하게는, 상기 개구각은 25°와 35°사이이다. 이와 관련하여, 광 원추는 상기 발광 다이오드 조립체의 출사부에서 방출된 광에 의하여 조명된 체적을 의미한다. 이때, 하나 이상의 크기 배열 의 밝기는 출사부에 대한 동일한 간격에서 최대 밝기보다 작은 영역들이 제외된다. 이러한 의미에서, 광 원추는 수학적인 의미에서 원추의 형태에 관한 것이 아니므로 하나 이상의 개구부를 포함할 수 있다. 이러한 경우이면, 상기 개구각의 상기 과제는 상기 최대 개구각과 관련이 있다. 특히 바람직하게는, 상기 발광 다이오드 조립체는 적어도 10 럭스(Lux)의 대략 5 내지 6 평방미터 크기의 대략 3 미터 간격으로 존재하는 평면을 방사하는 데에 적합하다. 이때, 하나 또는 그 이상의 발광 다이오드 칩은 대략 1 평방밀리미터의 전체 방사선 이탈면을 구비한 발광 다이오드 조립체에 사용된다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에서, 상기 발광 다이오드 조립체에 의해 방사된 평면은 직사각형 형태를 갖는다. 바람직하게는, 상기 직사각형 평면의 측면들은 4대 3의 비율로 작용한다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 방사선 이탈면에 대향하는 표면과 함께 냉각체 위에 배치된다. 상기 냉각체는 예를 들어, 세라믹, 반도체 물질, 금속 중의 하나의 물질을 포함한다. 바람직하게는, 상기 냉각체는 높은 열전도성을 가지며 자체의 열적 팽창계수에서 상기 발광 다이오드 칩의 물질에 적합화된다. 상기 발광 다이오드 칩은 바람직하게는 상기 냉각체에 납땜되거나 접착된다. 상기 접착연결은 바람직하게는 높은 열전도성에 의하여 특징지워진다. 바람직하게는, 상기 발광 다이오드 칩에 대해 전향한 상기 냉각체의 표면들 위에서 전기적인 접촉면들이 서로 절연되어 존재한다. 상기 전기적인 접촉면들은 바람직하게는, 상기 발광 다이오드 칩의 각각의 접속부들에 연결된다. 상기 전기적인 접촉면들 위에서 상기 발광 다이오드 칩은 전기적으로 접촉될 수 있다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 상기 냉각체는 상기 발광 다이오드 칩에 대해 전향한 상기 냉각체의 표면은 접촉면을 포함한다. 특히 바람직하게는, 캐리어와 냉각체 사이에는 상기 발광 다이오드 칩에 대해 전향한 상기 냉각체의 표면 위에서 상기 접촉면들과 연결된 접촉 스프링들이 배치된다.
바람직하게는, 상기 접촉 스프링들은 예각으로 상기 캐리어 주위에서 휘어진다. 상기 접촉 스프링들의 휨은 바람직하게는, 휨력이 냉각체와 캐리어 사이의 설치 연결에 부하를 가하지 않도록 형성된다. 바람직하게는, 상기 스프링들은 냉각체와 캐리어 위에서 납땜된다.
상기 발광 다이오드 조립체의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 상기 발광 다이오드 조립체의 직경은 적어도 공간방향에서 최대 4 밀리초이다. 특히 바람직하게는, 상기 발광 다이오도 조립체의 외경은 모든 세 개의 공간방향에서 최대 4 밀리초이다. 바람직하게는, 이는 상기 발광 다이오드 조립체를 상대적으로 작은 장치에 삽입하는 것을 가능케한다.
특히 바람직하게는, 상기 발광 다이오드 조립체는 핸드폰, 비디오 카메라, 사진기와 같은 장치 중의 하나에 사용된다. 이러한 장치들에서, 상기 발광 다이오드 조립체는 섬광뿐만 아니라 예를 들어, 영화장면을 지속적으로 비추는 데에도 사용될 수 있다. 특히 바람직하게는, 상기 발광 다이오드 조립체는 상기 발광 다이오드 칩의 특히 효율적인 냉각을 가능케하는 것이 입증되었다. 따라서, 상기 발광 다이오드 칩은 높은 출력으로 작동될 수 있다. 이는, 상기 발광 다이오드 조립체의 과열이 발생하지 않으면서 높은 세기를 갖는 조명이 장시간동안 가능케한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 조립체의 개략적인 3차원 단면도를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 조립체의 개략적인 3차원 단면도를 나타낸다.
도 3은 상기 발광 다이오드 조립체의 실시예를 나타내는 3차원 도면을 나타 낸다.
도 4는 상기 발광 다이오드 조립체의 실시예를 나타내는 개략적인 단면도를 나타낸다.
도 5는 상기 발광 다이오드 조립체의 또 다른 실시예를 나타내는 개략적인 단면도를 나타낸다.
이하, 여기에 기재된 발광 다이오드 조립체는 실시예들 및 이에 속하는 도면들을 참조로 하여 보다 상세히 설명될 것이다.
실시예들 및 도면들에서, 동일하거나 동일하게 작용하는 구성요소들은 각각 동일한 참조부호들을 갖는다. 상기 도시한 구성요소들 및 상기 구성요소들의 크기비율은 정확한 것으로 간주되지 않는다. 오히려, 상기 도면들의 몇 가지 세부사항들은 보다 양호한 이해를 위해서 과장되어 크게 도시하였다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 조립체의 개략적인 3차원 단면도를 나타낸다.
상기 발광 다이오드 조립체의 발광 다이오드 칩(1)에서, 바람직하게는, 설명부의 대부분에서 기재된 바와 같은 박막구조의 발광 다이오드 칩(1)이 중요하다. 상기 발광 다이오드 칩(1)은 무엇보다도 자체의 바람직한 작은 너비(etendue)에 의하여 특징지워진다.
상기 발광 다이오드 칩(1)의 활성영역에서 발생한 전자기 방사선은 대부분 방사선 이탈면(2)을 통하여 나타난다. 상기 방사선 이탈면(2)의 크기는 대략 1 평 방밀리미터이다.
상기 발광 다이오드 칩(1)의 주방사방향으로 상기 방사선 이탈면(2) 하류에는 예를 들어, 발광-전환물질로 이루어진 층이 위치한다. 상기 층은 상기 방사선 이탈면(2) 위에 배치된다(도시되지 않음). 상기 발광-전환물질에 의하여, 상기 방사선 이탈면(2)으로부터 발생하는 광이 적어도 부분적으로 파장변환된다. 바람직하게는, 상기 발광 다이오드 칩(1)에서 방출된 주 방사선 및 상기 파장변환된 상기 방사선의 부분의 광 혼합에 의하여 백색광이 발생한다.
상기 발광-전환층은 바람직하게는 발광-전환물질-매트릭스 혼합물을 포함한다. 상기 매트릭스는 예를 들어, 에폭시 물질 또는 실리콘 물질과 같은 듀로플라스틱(duroplastic) 폴리머로 형성된다. 상기 발광-전환물질의 성분은 바람직하게는, 높다. 특히 바람직하게는, 상기 매트릭스는 30과 50 사이의 체적 퍼센트로 혼합된다.
예를 들어, 상기 방사선 이탈면(2) 위의 측면으로 본드 패드(3)가 배치된다. 상기 본드 패드(3)에 의하여 상기 발광 다이오드 칩(1)이 전기적으로 접촉될 수 있다.
상기 방사선 이탈면(2)에 대향하는 자체의 주 평면과 함께, 상기 발광 다이오드 칩(1)은 상기 냉각체(4) 위에 배치된다. 상기 냉각체(4)는 바람직하게는, 열 함몰부로 사용된다. 상기 냉각체(4)는 예를 들어, AlN과 같은 세라믹 물질, 예를 들어 실리콘과 같은 반도체 물질 또는 금속 화합물을 포함한다. 바람직하게는, 상기 냉각체(4)는 상기 물질들의 조합도 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드 칩(1) 은 상기 냉각체(4) 위에서 바람직하게는 납땜되거나 높은 열전도성으로 접착된다.
상기 냉각체(4) 위에는 상기 발광 다이오드 칩(1)을 측면으로 에워싸는 하우징(5)이 배치된다. 바람직하게는, 상기 하우징(5)은 상기 발광 다이오드 칩(1)을 측면으로 완전하게 에워싼다. 상기 하우징(5)은 Al2O3, AlN, ZO, FeNi, Kovar, Cu, 몰리브덴, LCP, PPA, PEEK와 같은 물질 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 하우징(5)의 내벽들 위에 배치되거나 상기 하우징(5)의 내벽들에 의하여 형성되는 상기 하우징의 내벽들에 반사렌즈(6)가 위치한다. 상기 반사렌즈(6)는 상기 발광 다이오드 칩(1)에서 발생하고 마찬가지로 파장변환된 광을 반사하고 상기 발생하는 방사선의 발산을 감소시키는 데에 적합하다. 바람직하게는, 상기 반사렌즈(6)는 CPC, CEC, CHC, TIR(Total Internal Reflection) 렌즈 또는 이러한 광학부재의 조합의 형태로 형성된다. 바람직하게는, 상기 반사렌즈(6)는 촬상하지 않은 렌즈이다.
상기 하우징(5) 하류에는 덮개몸체(7)가 위치하며, 상기 덮개몸체(7)에는 광학부재(8)가 일체화되며, 상기 광학부재(8)는 촬상하지 않은 렌즈에 의하여 형성된다. 상기 광학부재(8)는 마찬가지로, 상기 발광 다이오드 조립체로부터 발생하는 방사선의 발산을 감소시키는 데에 적합하다.
상기 발광 다이오드 칩(1)에 대해 전향된 상기 냉각체(4)의 표면 위에는 캐리어(9) 및 접촉 스프링(10)이 배치된다. 상기 캐리어(9)도 동작중 상기 발광 다이오드 칩(1)에서 발생한 열을 방출하는 데에 사용되며, 높은 열전도성에 의하여 특징지워진다. 바람직하게는, 상기 발광 다이오드 칩(1)은 0.5 암페어 및 1.0 암페어 사이의 전류로 동작할 수 있다. 효율적인 냉각으로 인해, 상기 발광 다이오드 칩(1)은 상기 조립체의 과열이 발생하지 않으면서 장시간 동안 높은 세기의 전자기 방사선을 방출할 수 있다. 상기 캐리어(9)는 바람직하게는, 전기절연물질을 포함하거나 이러한 물질로 이루어진다. 특히 바람직하게는, 상기 캐리어(9)는 예를 들어, 플라스틱 또는 탄소 섬유 채워진 플라스틱을 포함한다.
상기 접촉 스프링(10)은 예를 들어, CuFe2P 또는 CuBe를 포함하고, 예를 들어, 동작중 상기 발광 다이오드 칩(1)에서 발생한 열을 방전하기 위한 열 전도부재로 사용된다. 또한, 상기 발광 다이오드 칩(1)은 상기 접촉 스프링(10)을 사용하여 전기적으로 접촉될 수 있다. 캐리어(9) 및 스프링(10)은 시스템 하우징에 상기 발광 다이오드 조립체를 설치할 때 부가적으로 높이 오프셋(height offset)을 허용한다. 다시 말해서, 예를 들어, 상기 캐리어(9)의 두께 및/또는 상기 스프링(10)을 상기 캐리어(9) 주위로 휜 각도 또는 상기 스프링(10)의 길이에 적합화함으로써, 상기 발광 다이오드 조립체는 상기 시스템 하우징에서의 제거부의 깊이에 적합화될 수 있다.
도 2는 하나의 발광 다이오드 조립체를 도시한다. 상기 발광 다이오드 조립체는, 상기 발광 다이오드 칩(1)의 방사선 이탈면(2)의 전환층 대신에 플레이트(11)가 상기 방사선 이탈면(2) 하류에 위치하는 점이 상기 기재된 실시예와 구분되는 점이다. 상기 플레이트(11)는 예를 들어, 발광-전환물질이 혼합되는 플라스틱 물질을 포함하거나 유리판으로 이루어질 수 있다. 상기 유리판은 상기 방사선 이탈면(2)에 평행하게 진행하는 두 개의 주 평면 중의 하나에 발광-전환물질로 코팅된다. 상기 플레이트(11)는 상기 발광 다이오드 칩(2)에서 방출되는 전자기 방사선의 적어도 하나를 파장변환하는 데에 사용된다.
도 3은 모든 네 개의 측벽들로 폐쇄된 발광 다이오드 조립체를 도시한다. 상기 발광 다이오드 조립체의 직경은 바람직하게는, 대략 4x4x4 밀리미터이다. 이러한 작은 직경으로 인해, 상기 발광 다이오드 조립체는 바람직하게는, 예를 들어, 카메라 핸드폰 또는 디지털 카메라와 같은 상대적으로 작은 전자장치들에도 사용될 수 있다.
도 4는 상기 발광 다이오드 조립체의 실시예를 나타내는 단면도이다. 상기 방사선 이탈면(2)으로부터 상기 발광 다이오드 칩(1)에 발생한 전자기 방사선(13)이 상기 반사렌즈(6)로 진입한다. 상기 전자기 방사선(13)은 CPC 형태의 광학 집광기(optical concentrator)로 형성된다. 상기 CPC 형태의 광학 집광기는 포물선으로 형성된 측면들에 의하여 특징지워진다. 상기 광학 집광기는 반대방향에서 상기 발광 다이오드 칩(1)에서 방출된 방사선(13)의 발산을 감소하는 데에 사용된다. 다시 말해서, 상기 반사렌즈(6)의 입사개구부(12)는 상기 광학 집광기의 실제적인 출사개구부인데 반하여, 상기 반사렌즈(6)의 출사개구부(14)는 상기 광학 집광기의 실제적인 입사개구부이다. 여기서, 상기 반사렌즈(6)는 반사코팅에 의하여 형성된다. 상기 반사코팅은 예를 들어, 은으로 이루어진 금속층으로 이루어진 층 또는 층 결과물로 형성된다.
도 5는 상기 발광 다이오드 조립체의 또다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
상기 반사렌즈(6)는 측벽들을 포함한다. 상기 측벽들은 상기 반사렌즈(6)의 상기 입사개구부(12)로부터 상기 반사렌즈(6)의 출사개구부(14)로의 직선으로 진행한다.
상기 반사렌즈(6)의 측벽들은 예를 들어, 반사하면서 코팅된다. 상기 발광 다이오드 조립체의 본 실시예에서, 상기 반사렌즈(6)의 측벽들은 피라미드 부분 또는 원추부분을 형성한다. 상기 반사렌즈(6)의 측벽들은 예를 들어, 반사적으로 코팅될 수 있다.
또한, 상기 반사렌즈(6)의 출사개구부(14)에는 제2 광학부재(8)가 배치된다. 상기 제2 광학부재(8)는 구면 또는 비구면 렌즈의 형태에 따라 외부를 향해 아치형태로 형성되며, 또한, 상기 발생하는 전자기 방사선의 발산을 감소시키는 데에 적합하다.
상기 반사적으로 코팅된 측벽들에 대한 대안으로서, 상기 반사렌즈(6)는 절연물질을 포함하는 완전몸체(full body)일 수 있다. 상기 완전몸체의 물질은 예를 들어, 굴절률을 가지므로, 상기 입사개구부(12)를 통하여 결합된 전자기 방사선은 상기 완전몸체의 측면 한계면에서의 전반사에 의하여 에워싸는 매체에 대해 반사된다. 이때, 특히, 상기 제2 광학부재(8)는 외부를 향해 아치형태로 형성된 상기 완전몸체의 한계면에 의하여 형성될 수도 있다. 본 실시예에서, 특히, 상기 발광 다이오드 칩(1)은 상기 절연물질에 의해 주조될 수 있다.
본 특허출원은 독일 특허출원 102004031686.4 및 102004045947.9-33의 우선 권을 청구하며, 그 개시내용은 재귀적 방법에 의하여 포함된다.
본 발명은 상기 실시예들을 참조로 한 설명부에 의하여 제한되지 않는다. 오히려, 본 발명은 특허청구범위 또는 실시예들에 명백하지 않게 제공되지 않더라도 각각의 새로운 특징뿐만 아니라, 특허청구범위의 특징들의 각각의 조합을 포함하는 특징들의 각각의 조합을 포함한다.

Claims (28)

  1. 발광 다이오드 칩(1)에서 발생한 전자기 방사선(electromagnetic radiation)(13)의 대부분이 주방사방향에서 나타나는 방사선 이탈면(2)을 구비한 적어도 하나의 발광 다이오드 칩(1);
    상기 발광 다이오드 칩(1)을 측방향으로 에워싸는 하우징(5); 및
    상기 주방사방향에서 상기 방사선 이탈면(2) 하류에 위치한 반사렌즈(6)를 포함하며,
    상기 발광 다이오드 칩(1)은 상기 방사선 이탈면(2)에 대향하는 표면과 함께 냉각체(4) 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩(1)은 박막 발광 다이오드 칩인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩(1)은 최대 200 ms의 조명기간을 갖는 섬광(photoflash)을 발생시키는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩(1)은 연속동작중 적어도 5분 동안 비추는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 반사렌즈(6)는 입사개구부(12)를 포함하고,
    상기 입사개구부(12)를 통하여 상기 발광 다이오드 칩(1)에서 발생한 전자기 방사선(13)의 대부분이 진입하고,
    상기 입사개구부(12)는, 상기 발광 다이오드 칩(1)의 방사선 이탈면(2)의 크기의 최대 2배인 평면을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반사렌즈(6)는 상기 발광 다이오드 칩(1)으로부터 방출된 전자기 방사선(13)의 발산을 감소시키는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 반사렌즈(6)는 촬상하지 않은(non-imaging) 렌즈인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 반사렌즈(6)가 광학 집광기(optical concentrator)인 경우에, 상기 반사렌즈(6)의 입사개구부(12)는 상기 광학 집광기의 출사개구부의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 반사렌즈(6)는 적어도 부분적으로 CPC, CEC, CHC, TIR과 같은 광학부재 중의 적어도 하나의 광학부재의 형태에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 반사렌즈(6)는 출사개구부(14)를 포함하고,
    상기 출사개구부(14)를 통하여 상기 발광 다이오드 칩(1)에서 발생한 전자기 방사선(13)의 대부분이 상기 반사렌즈(6)로부터 나타나고,
    상기 출사개구부(14) 하류에는 상기 주방사방향에서 덮개몸체(7)가 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 덮개몸체(7)는 광학부재(8)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 광학부재(8)는 출사면을 포함하고, 상기 출사면은 비구면 렌즈의 형태에 따라 아치형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 광학부재(8)는 프레넬(Fresnel) 렌즈의 형태에 따라형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  14. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 덮개몸체(7)는 상기 발광 다이오드 조립체를 시스템 하우징에 설치할 때 안내부, 멈춤쇠(detent), 또는 안내부와 멈춤쇠로 사용되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩(1) 하류에는 주방사방향으로 발광-전환물질이 위치하며,
    상기 발광-전환물질은 상기 발광 다이오드 칩(1)으로부터 방출된 전자기 방사선의 적어도 일부를 파장변환하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 발광-전환물질은 상기 방사선 이탈면(2) 위에 층으로서 배치되며,
    상기 층의 두께는 최대 50㎛인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 발광-전환물질을 포함하는 플레이트(11)는 상기 방사선 이탈면(2) 하류에 위치하며,
    상기 플레이트(11)의 두께는 최대 200㎛인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 광학부재(8)는 발광-전환물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 조립체로부터 발생하는 광 원추(light cone)의 개구각은 최대 35°인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  20. 삭제
  21. 제1항에 있어서,
    상기 냉각체(4)는 관통 접촉부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  22. 제1항 또는 제21항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩(1)에 대해 전향한 상기 냉각체(4)의 표면은 접촉면을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  23. 제1항 또는 제21항에 있어서,
    상기 냉각체(4)는 상기 발광 다이오드 칩(1)에 대해 전향한 표면과 함께 캐리어(9) 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  24. 제23항에 있어서,
    접촉 스프링(10)이 상기 캐리어(9)에 고정되며, 상기 접촉 스프링(10)은 CuFeP 및 CuBe 물질 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  25. 제24항에 있어서,
    접촉 스프링(10)의 적어도 부분들이 냉각체(4)와 캐리어(9) 사이에 배치되며,
    상기 접촉 스프링(10)은 예각으로 상기 캐리어(9) 주위로 굽어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  26. 제1항에 있어서,
    상기 하우징(5)은 상기 냉각체(4) 위에 고정되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  27. 제1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 조립체의 최외직경은 최대 4x4x4mm인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조립체.
  28. 제1항에 따른 발광 다이오드 조립체를 사용하는 휴대전화, 비디오 카메라 및 사진기 중 하나의 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101834087B1 (ko) * 2016-09-30 2018-04-13 조성은 리플렉터 및 렌즈 일체형 하우징을 포함하는 패키지 및 그 제조방법
KR20190067896A (ko) * 2016-11-25 2019-06-17 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전자 부품을 갖는 컴포넌트

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7726844B2 (en) 2005-03-31 2010-06-01 Neobulb Technologies, Inc. Illuminating equipment using high power LED with high efficiency of heat dissipation
DE102006036544A1 (de) * 2006-08-04 2008-02-07 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Optoelektronisches Modul
WO2009000106A1 (fr) * 2007-06-25 2008-12-31 Jenshyan Chen Dispositif électroluminescent
DE102007039291A1 (de) 2007-08-20 2009-02-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines solchen
JP5125437B2 (ja) * 2007-11-15 2013-01-23 豊田合成株式会社 照明体
DE102008013028A1 (de) 2008-03-07 2009-09-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil, Gerät zur Aufzeichnung von Bildinformation und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
WO2010029872A1 (ja) * 2008-09-09 2010-03-18 昭和電工株式会社 発光装置、発光モジュール、表示装置
DE102009022682A1 (de) * 2009-05-26 2010-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode
WO2011027267A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system and luminaire
DE102009042479A1 (de) 2009-09-24 2011-03-31 Msg Lithoglas Ag Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit einem Bauelement auf einem Trägersubstrat und Anordnung sowie Verfahren zum Herstellen eines Halbzeuges und Halbzeug
KR20120024104A (ko) * 2010-09-06 2012-03-14 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자
US8624482B2 (en) * 2011-09-01 2014-01-07 Toshiba Techno Center Inc. Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED
US8845115B2 (en) 2012-02-16 2014-09-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Flash illumination system
US8979347B2 (en) 2012-04-24 2015-03-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination systems and methods
US9223080B2 (en) 2012-04-24 2015-12-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light guide with narrow angle light output and methods
US8727567B1 (en) 2012-12-18 2014-05-20 Jds Uniphase Corporation Semiconductor light source having a reflector
DE102013207111B4 (de) * 2013-04-19 2021-07-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement
EP3001466B1 (en) 2013-05-23 2019-07-03 LG Innotek Co., Ltd. Light-emitting module
KR102086359B1 (ko) * 2013-08-23 2020-03-10 삼성전자주식회사 발광모듈
DE102019218203A1 (de) * 2019-11-25 2021-05-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Led-hintergrundbeleuchtungssystem

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299698A (ja) 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP2003298117A (ja) 2002-04-05 2003-10-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード
US20040070337A1 (en) 2002-10-09 2004-04-15 Goh Kee Siang Light emitting diode based light source emitting collimated light

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5130531A (en) * 1989-06-09 1992-07-14 Omron Corporation Reflective photosensor and semiconductor light emitting apparatus each using micro Fresnel lens
NL8901523A (nl) * 1989-06-16 1991-01-16 Philips Nv Laserdiode module.
JPH0391911A (ja) 1989-09-05 1991-04-17 Mitsubishi Petrochem Co Ltd 電解コンデンサ用電解液
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US5684309A (en) * 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
CA2529996C (en) * 1997-01-09 2014-08-26 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
US5831277A (en) * 1997-03-19 1998-11-03 Northwestern University III-nitride superlattice structures
JP3091911B2 (ja) 1997-10-09 2000-09-25 株式会社ジェッター コイン研磨装置
US6095661A (en) * 1998-03-19 2000-08-01 Ppt Vision, Inc. Method and apparatus for an L.E.D. flashlight
DE19813650A1 (de) * 1998-03-27 1999-07-22 Transit Media Gmbh Lumineszenzdiode, Matrixanzeige und Kippsegmentanzeige
DE19955747A1 (de) * 1999-11-19 2001-05-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optische Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Quantentopf-Struktur
JP2003526121A (ja) * 2000-03-06 2003-09-02 テレダイン ライティング アンド ディスプレイ プロダクツ， インコーポレイテッド 視界調節光学系を有するｌｅｄ光源
US7319247B2 (en) * 2000-04-26 2008-01-15 Osram Gmbh Light emitting-diode chip and a method for producing same
JP2004518247A (ja) * 2001-01-15 2004-06-17 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 蛍光ランプ及びその製造方法
US7019335B2 (en) * 2001-04-17 2006-03-28 Nichia Corporation Light-emitting apparatus
US7001058B2 (en) * 2001-05-16 2006-02-21 Ben-Zion Inditsky Ultra-thin backlight
KR100419611B1 (ko) * 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
DE10138204B4 (de) * 2001-08-03 2004-04-22 Ami Doduco Gmbh Elektrischer Kontakt
DE10137641A1 (de) * 2001-08-03 2003-02-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Hybrid-LED
TW581847B (en) 2001-11-15 2004-04-01 Elumina Technology Inc Electric light which uses light emitting diodes to generate light
US6641284B2 (en) * 2002-02-21 2003-11-04 Whelen Engineering Company, Inc. LED light assembly
JP4053926B2 (ja) * 2002-05-27 2008-02-27 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子とそれを用いた発光装置
US6827475B2 (en) * 2002-09-09 2004-12-07 Steven Robert Vetorino LED light collection and uniform transmission system
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
KR100495215B1 (ko) * 2002-12-27 2005-06-14 삼성전기주식회사 수직구조 갈륨나이트라이드 발광다이오드 및 그 제조방법
JP4504662B2 (ja) 2003-04-09 2010-07-14 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄランプ
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
DE10319274A1 (de) * 2003-04-29 2004-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle
KR100586944B1 (ko) 2003-12-26 2006-06-07 삼성전기주식회사 고출력 발광다이오드 패키지 및 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299698A (ja) 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP2003298117A (ja) 2002-04-05 2003-10-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード
US20040070337A1 (en) 2002-10-09 2004-04-15 Goh Kee Siang Light emitting diode based light source emitting collimated light

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101834087B1 (ko) * 2016-09-30 2018-04-13 조성은 리플렉터 및 렌즈 일체형 하우징을 포함하는 패키지 및 그 제조방법
KR20190067896A (ko) * 2016-11-25 2019-06-17 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전자 부품을 갖는 컴포넌트
KR102220824B1 (ko) 2016-11-25 2021-02-25 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전자 부품을 갖는 컴포넌트

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JP2008505504A (ja) 2008-02-21

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