KR101173845B1 - Chemical vapor deposition apparatus - Google Patents

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KR101173845B1
KR101173845B1 KR1020120031027A KR20120031027A KR101173845B1 KR 101173845 B1 KR101173845 B1 KR 101173845B1 KR 1020120031027 A KR1020120031027 A KR 1020120031027A KR 20120031027 A KR20120031027 A KR 20120031027A KR 101173845 B1 KR101173845 B1 KR 101173845B1
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이창엽
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엘아이지에이디피 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A chemical vapor deposition apparatus is provided to easily control an interval between a susceptor and a gas injection unit by arranging an interval control unit inside a chamber. CONSTITUTION: A chamber(100) includes a chamber wall(110) and a chamber lid(120) limiting an inner reaction chamber(140). A gas injection unit(200) injects process gas to the inside of the reaction chamber. A heater unit(360) heats a substrate(S) and the reaction chamber. A shaft(370) transfers torque delivered by a drive unit to a susceptor(300). An interval control unit(340) controls an interval(D1) between a substrate support unit(310) and the gas injection unit.

Description

화학기상증착장치 {CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}Chemical Vapor Deposition Equipment {CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}

본 발명은 증착장치에 대한 것으로서, 보다 자세하게는 화학기상증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a vapor deposition apparatus, and more particularly to a chemical vapor deposition apparatus.

화학기상증착장치는 반도체 기판의 표면에 박막을 증착하기 위하여 사용되고 있다. 가스분사유닛에 의하여 챔버 내부로 분사된 공정가스는 소정 온도에서 화학반응을 거치게 되며, 이러한 화학반응을 통하여 생성된 반응물질이 서셉터에 적재된 기판에 증착되어 박막을 형성한다. 가스분사유닛과 서셉터 사이의 거리, 또는 서셉터 상면부와 서셉터 내부에 위치하는 히터유닛사이의 거리는 박막증착공정에 중요한 영향을 미친다. 따라서, 그러한 거리는 정밀하고도 견고하게 조절될 필요가 있다.Chemical vapor deposition apparatus is used to deposit a thin film on the surface of the semiconductor substrate. The process gas injected into the chamber by the gas injection unit undergoes a chemical reaction at a predetermined temperature, and reactants generated through the chemical reaction are deposited on a substrate loaded on the susceptor to form a thin film. The distance between the gas injection unit and the susceptor, or the distance between the susceptor top surface and the heater unit located inside the susceptor, has an important effect on the thin film deposition process. Therefore, such distance needs to be adjusted precisely and firmly.

기판지지부와 서셉터 사이 간격, 또는 기판지지부와 히터유닛 사이의 간격을 조절할 수 있는 화학기상증착장치가 필요하다. 또한, 간격을 신속하게 조절하는 구성과 간격을 정밀하게 조절하는 구성을 포함하는 화학기상증착장치가 필요하다. 또한, 상기 간격 뿐만 아니라 가스분사유닛과 서셉터 사이의 평행도까지 조절할 수 있는 화학기상증착장치가 필요하다. 또한, 상기 간격을 조절한 다음에 조절된 간격을 유지 또는 고정할 수 있는 화학기상증착장치가 필요하다. 또한, 상기 간격을 조절하면서도 공정가스가 서셉터 내부로 침입하는 것을 방지할 수 있는 화학기상증착장치가 필요하다. 또한, 서셉터를 해체하지 않고도 간편하게 간격을 조절할 수 있는 화학기상증착장치가 필요하다. 또한, 간격조절을 한 다음에 조절된 간격이 견고하게 유지될 수 있는 화학기상증착장치가 필요하다.There is a need for a chemical vapor deposition apparatus that can adjust the distance between the substrate support and the susceptor, or the distance between the substrate support and the heater unit. In addition, there is a need for a chemical vapor deposition apparatus that includes a configuration for quickly adjusting the gap and a configuration for precisely adjusting the gap. In addition, there is a need for a chemical vapor deposition apparatus that can adjust not only the gap but also the parallelism between the gas injection unit and the susceptor. In addition, there is a need for a chemical vapor deposition apparatus that can maintain or fix the adjusted interval after adjusting the interval. In addition, there is a need for a chemical vapor deposition apparatus that can prevent the ingress of process gas into the susceptor while adjusting the gap. In addition, there is a need for a chemical vapor deposition apparatus that can easily adjust the gap without removing the susceptor. In addition, there is a need for a chemical vapor deposition apparatus that can maintain the adjusted gap firmly after adjusting the gap.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자가 명확하게 이해할 수 있을 것이다.
Technical problems of the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 화학기상증착장치는, 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되고 기판이 적재되는 서셉터; 및 상기 기판을 향하여 공정가스를 공급하는 가스분사유닛;을 포함하며, 상기 서셉터는 상면에 적재되는 기판을 지지하는 제1하우징; 상기 제1하우징의 하부에 위치하며 상기 제1하우징과 함께 상기 서셉터의 외관을 형성하는 제2하우징; 및 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이에 설치되며 상기 제2하우징을 기준으로 상기 제1하우징을 승강시킴으로써 상기 가스분사유닛과 상기 제1하우징 사이의 간격을 조절하는 간격조절유닛;을 포함한다. Chemical vapor deposition apparatus according to the present invention for solving the above problems, the chamber; A susceptor installed inside the chamber and loaded with a substrate; And a gas injection unit supplying a process gas toward the substrate, wherein the susceptor includes: a first housing supporting a substrate loaded on an upper surface; A second housing positioned below the first housing to form an exterior of the susceptor together with the first housing; And an interval adjusting unit installed between the first housing and the second housing and adjusting the distance between the gas injection unit and the first housing by lifting the first housing relative to the second housing. .

또한, 상기 간격조절유닛은 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이에 위치하는 지지유닛과, 상기 제2하우징과 접하도록 상기 지지유닛과 결합되며 상기 제2하우징을 기준으로 상기 제1하우징을 승강시키는 조절유닛을 포함할 수 있다. In addition, the gap adjusting unit is coupled to the support unit to be in contact with the second housing and the support unit positioned between the first housing and the second housing, the lifting the first housing on the basis of the second housing. It may include a control unit.

또한, 상기 조절유닛은 나사산이 형성된 볼트를 포함할 수 있다.In addition, the control unit may include a threaded bolt.

또한, 상기 챔버의 상면이 개방되었을 때에 상기 서셉터가 상기 챔버 내부에 설치된 상태로 상기 제1하우징을 승강시킬 수 있도록 상기 조절유닛의 직상방에 장애물이 없는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, when the upper surface of the chamber is open, the susceptor may be characterized in that there is no obstacle directly above the control unit to lift the first housing in a state installed in the chamber.

또한, 상기 조절유닛은 상기 서셉터와 상기 가스분사유닛의 평행도를 조절할 수 있도록 복수개일 수 있다.In addition, the control unit may be a plurality of so as to adjust the parallelism of the susceptor and the gas injection unit.

또한, 상기 조절유닛은 상기 서셉터의 중심을 기준으로 등간격으로 3개가 배치될 수 있다.In addition, three control units may be arranged at equal intervals based on the center of the susceptor.

또한, 상기 조절유닛은 무두렌치볼트일 수 있다.In addition, the control unit may be a wrenchless bolt.

또한, 상기 제1하우징이 승강하더라도 상기 제2하우징과 상기 간격조절유닛 사이로 공정가스로 출입하지 못하도록 상기 지지유닛은 차단부를 더 포함할 수 있다.In addition, the support unit may further include a blocking unit to prevent entry and exit of the process gas between the second housing and the gap adjusting unit even when the first housing is elevated.

또한, 상기 지지유닛으로부터 하방으로 연장되며 상기 제2하우징의 측면부와 면접(面接)하는 하방연장부를 포함할 수 있다.In addition, it may include a downward extension portion extending downward from the support unit and in contact with the side portion of the second housing.

또한, 상기 제2하우징을 기준으로 상기 제1하우징의 승강된 높이를 고정하기 위하여 상기 간격조절유닛과 상기 제2하우징 사이의 거리를 고정시키거나 상기 간격조절유닛과 상기 제1하우징 사이의 거리를 고정시키는 고정유닛을 더 포함할 수 있다.The distance between the gap adjusting unit and the second housing may be fixed or the distance between the gap adjusting unit and the first housing may be fixed to fix the elevated height of the first housing based on the second housing. It may further include a fixing unit for fixing.

또한, 상기 고정유닛은 머리부를 포함하는 볼트이거나, 머리부가 없는 볼트 및 상기 머리부가 없는 볼트에 결합되는 너트일 수 있다.In addition, the fixing unit may be a bolt including a head, or a bolt without a head and a nut coupled to the headless bolt.

또한, 상기 간격조절유닛은 상기 제2하우징 상면에 위치하는 제1지지유닛; 상기 제1지지유닛 상면에 위치하고 상기 제1하우징을 지지하는 제2지지유닛; 상기 제2하우징을 기준으로 상기 제1지지유닛을 승강시키는 제1조절유닛; 및 상기 제1지지유닛을 기준으로 상기 제2지지유닛을 승강시키는 제2조절유닛;을 포함할 수 있다.In addition, the gap adjusting unit includes a first support unit located on the upper surface of the second housing; A second support unit positioned on an upper surface of the first support unit to support the first housing; A first adjustment unit for elevating the first support unit based on the second housing; And a second adjusting unit for elevating the second supporting unit based on the first supporting unit.

또한, 정밀승강을 위하여 상기 제1조절유닛과 상기 제2조절유닛 중에서 어느 하나는 다른 하나보다 승강속도 또는 승강비율이 작은 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, any one of the first control unit and the second control unit for the precision lifting may be characterized in that the lifting speed or the lifting ratio is smaller than the other one.

또한, 상기 제1조절유닛과 상기 제2조절유닛은 나사산이 형성된 볼트를 포함할 수 있다.In addition, the first control unit and the second control unit may include a threaded bolt.

또한, 상기 제1조절유닛의 볼트와 상기 제2조절유닛의 볼트 중에서 어느 하나는 다른 하나보다 나사산의 간격이 좁은 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, any one of the bolt of the first control unit and the bolt of the second control unit may be characterized in that the spacing of the threads narrower than the other.

또한, 상기 제1하우징이 승강하더라도 상기 제2하우징과 상기 간격조절유닛 사이로 또는 상기 제1지지유닛과 상기 제2지지유닛 사이로 공정가스로 출입하지 못하도록 상기 제1지지유닛 또는 상기 제2지지유닛은 차단부를 더 포함할 수 있다.In addition, the first support unit or the second support unit is prevented from entering or exiting the process gas between the second housing and the gap adjusting unit or between the first support unit and the second support unit even if the first housing is elevated. It may further include a blocking unit.

또한, 상기 제1지지유닛으로부터 하방으로 연장되며 상기 제2하우징의 측면부와 면접(面接)하는 제1하방연장부를 포함할 수 있다.In addition, it may include a first downward extension extending downward from the first support unit and in contact with the side portion of the second housing.

또한, 상기 제1지지유닛으로부터 상방으로 연장되며 상기 제2지지유닛의 측면부와 면접(面接)하는 제1상방연장부를 포함할 수 있다.In addition, it may include a first upward extension extending upward from the first support unit and in contact with the side portion of the second support unit.

또한, 상기 제2지지유닛으로부터 하방으로 연장되며 상기 제1지지유닛의 측면부와 면접(面接)하는 제2하방연장부를 포함할 수 있다.In addition, it may include a second downward extension portion extending downward from the second support unit and in contact with the side portion of the first support unit.

간격조절유닛에 의하여 가스분사유닛과 서셉터 사이의 간격을 조절할 수 있는 효과가 있다. 또한, 지지유닛과 조절유닛을 포함하는 구성에 의하여 간격조절을 위한 복잡한 장치가 필요 없게 되는 효과가 있다. 또한, 조절유닛으로 볼트를 사용함에 따라 간단한 장치로 간격조절이 가능한 효과가 있다. 또한, 서셉터를 해체하지 않고도 외부에서 드라이버 등을 이용하여 간편하게 높이를 조절할 수 있는 효과가 있다. 또한, 간격조절 뿐만 아니라 서셉터와 가스분사유닛 사이의 평행도를 조절할 수 있는 효과가 있다. 또한, 간격조절을 하더라도 공정가스가 서셉터 내부로 침입하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 고정유닛에 의하여 간격을 조절한 다음에 견고하게 고정할 수 있는 효과가 있다. 또한, 제1,제2조절유닛에 의하여 신속하고도 정밀한 간격조절이 가능한 효과가 있다. The gap adjusting unit has an effect of adjusting the gap between the gas injection unit and the susceptor. In addition, the configuration including the support unit and the adjustment unit has the effect that no complicated device for adjusting the gap is required. In addition, by using the bolt as a control unit there is an effect that can be adjusted by a simple device. In addition, there is an effect that the height can be easily adjusted using a driver or the like from the outside without removing the susceptor. In addition, there is an effect that can adjust the degree of parallelism between the susceptor and the gas injection unit as well as the gap adjustment. In addition, even if the spacing is adjusted, there is an effect that can prevent the process gas from entering the susceptor. In addition, there is an effect that can be fixed firmly after adjusting the interval by the fixing unit. In addition, the first and second control unit has the effect that can be adjusted quickly and precisely.

본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
The technical effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other technical effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착장치의 개략적인 구성도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착장치의 간격조절유닛의 개략적인 단면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착장치의 간격조절유닛의 동작을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착장치의 서셉터에 대한 개략적인 평면도이다.1 is a schematic configuration diagram of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 is a schematic cross-sectional view of the gap control unit of the chemical vapor deposition apparatus according to the embodiment of the present invention.
4 and 5 is a schematic cross-sectional view for explaining the operation of the gap control unit of the chemical vapor deposition apparatus according to the embodiment of the present invention.
6 is a schematic plan view of the susceptor of the chemical vapor deposition apparatus according to the embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예는 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present embodiment is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various forms, and only this embodiment makes the disclosure of the present invention complete, and the scope of the invention to those skilled in the art. It is provided for complete information. Shapes of the elements in the drawings may be exaggerated parts for a more clear description, elements denoted by the same reference numerals in the drawings means the same element.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착장치의 개략적인 구성도이다. 1 is a schematic configuration diagram of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 화학기상증착장치는 챔버(100), 가스분사유닛(200), 서셉터(300)를 포함한다. As shown in FIG. 1, the chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment includes a chamber 100, a gas injection unit 200, and a susceptor 300.

챔버(100)는 내부의 반응실(140)을 한정하는 챔버 벽체(110)와, 챔버 벽체(110) 상부에 개폐가능하도록 설치되는 챔버리드(120)를 포함한다. 가스분사유닛(200)에서 분사된 공정가스를 반응실(140) 외부로 배출하기 위하여 챔버 벽체(110)에는 배기구(130)가 형성되어 있다. 반응실(140)에서는 화학기상증착공정이 수행될 수 있다. 화학기상증착공정은 기판(S) 상면에 원하는 재질의 박막을 형성하는 공정일 수 있다.The chamber 100 includes a chamber wall 110 defining a reaction chamber 140 therein, and a chamber lead 120 installed on the chamber wall 110 to be opened and closed. An exhaust port 130 is formed in the chamber wall 110 in order to discharge the process gas injected from the gas injection unit 200 to the outside of the reaction chamber 140. In the reaction chamber 140, a chemical vapor deposition process may be performed. The chemical vapor deposition process may be a process of forming a thin film of a desired material on the upper surface of the substrate (S).

가스분사유닛(200)은 반응실(140) 내부로 공정가스를 분사하는 유닛이다. 본 실시예가 유기금속화학기상증착공정(MOCVD)에 사용되는 경우에는 3족 가스와 5족 가스를 서셉터(300) 상면에 적재된 기판(S)에 분사하는 구성일 수 있다. The gas injection unit 200 is a unit for injecting a process gas into the reaction chamber 140. When the present embodiment is used in an organometallic chemical vapor deposition process (MOCVD) it may be configured to spray a group 3 gas and a Group 5 gas to the substrate (S) mounted on the susceptor 300 upper surface.

서셉터(300)는 상면에 기판(S)이 적재되는 구성요소로서, 분사된 공정가스가 균질하게 기판(S) 표면으로 분사될 수 있도록 서셉터(300)가 회전할 수 있다. 서셉터(300)는 상면에 적재되는 기판을 지지하는 제1하우징과, 상기 제1하우징의 하부에 위치하며 상기 제1하우징과 함께 서셉터(300)의 외관을 형성하는 제2하우징과, 제1하우징과 제2하우징 사이에 설치되며 제2하우징을 기준으로 제1하우징을 승강시킴으로써 가스분사유닛(200)과 제1하우징 사이의 간격을 조절하는 간격조절유닛(340)을 포함한다. 제1하우징은 기판지지부(310)이거나, 기판지지부(310)와 서셉터 측면부(320)일 수 있다. 제2하우징은 서셉터 하면부(330)이거나, 서셉터 측면부(320)와 서셉터 하면부(330)일 수 있다. 또한, 서셉터는 히터유닛(360), 샤프트(370)를 포함할 수 있다.The susceptor 300 is a component in which the substrate S is loaded on the upper surface, and the susceptor 300 may rotate so that the injected process gas may be uniformly sprayed onto the substrate S surface. The susceptor 300 may include a first housing supporting a substrate loaded on an upper surface, a second housing positioned below the first housing and forming an exterior of the susceptor 300 together with the first housing, It is installed between the first housing and the second housing and includes a gap adjusting unit 340 for adjusting the interval between the gas injection unit 200 and the first housing by lifting the first housing relative to the second housing. The first housing may be the substrate support 310 or the substrate support 310 and the susceptor side part 320. The second housing may be the susceptor bottom part 330, or the susceptor side part 320 and the susceptor bottom part 330. In addition, the susceptor may include a heater unit 360 and a shaft 370.

기판지지부(310)는 표면에 기판(S)이 적재되는 영역을 포함하는 구성요소이다. 가스분사유닛(200)에 의하여 분사된 공정가스는 서셉터(300) 내부의 히터유닛(360)에 의한 고온분위기에서 화학반응을 일으키게 되며, 화학반응의 생성물질이 기판지지부(310)에 지지된 기판(S)에 증착된다. 기판지지부(310)에는 기판(S)이 고정되도록 소정 깊이의 오목부가 형성될 수 있다. The substrate support part 310 is a component including an area on which a substrate S is loaded. The process gas injected by the gas injection unit 200 causes a chemical reaction in a high temperature atmosphere by the heater unit 360 inside the susceptor 300, and the substance of the chemical reaction is supported by the substrate support 310. It is deposited on the substrate S. The substrate support part 310 may be formed with a recess having a predetermined depth so that the substrate S is fixed.

서셉터 측면부(320)는 기판지지부(310)를 지지하며, 아울러 서셉터(300)의 측면 외관을 형성한다. 기판지지부(310)는 서셉터 측면부(320)에 끼움 방식에 의하여 결합될 수 있다. 서셉터 측면부(320)는 또한 서셉터 내부에 히터 유닛(360)이 설치될 수 있는 공간을 확보하게 한다. 다른 실시예로서, 기판지지부(310)와 서셉터 측면부(320)는 일체로 형성될 수도 있다.The susceptor side part 320 supports the substrate support part 310, and also forms the side appearance of the susceptor 300. The substrate support part 310 may be coupled to the susceptor side part 320 by a fitting method. The susceptor side portion 320 also provides a space for the heater unit 360 to be installed inside the susceptor. In another embodiment, the substrate support part 310 and the susceptor side part 320 may be integrally formed.

서셉터 하면부(330)는 기판지지부(310) 및 서셉터 측면부(320)와 함께 서셉터(300)의 외관을 형성한다. 외부의 부식성 공정가스가 서셉터(300) 내부로 침투하지 못하도록 서셉터(300) 내부는 퍼지가스로 채워질 수 있다. 또한, 서셉터 하면부(330)는 기판지지부(310) 또는 서셉터 측면부(320)를 지지할 수 있다. 또한, 서셉터 하면부(330)는 기판지지부(310) 및 서셉터 측면부(320)와 결합되어 샤프트(370)에 의하여 일체로 회전될 수 있다. 서셉터 하면부(330)는 간격조절유닛(340)에 의하여 서셉터 측면부(320)와 결합될 수 있다.The susceptor bottom part 330 forms the exterior of the susceptor 300 together with the substrate support 310 and the susceptor side part 320. The inside of the susceptor 300 may be filled with a purge gas to prevent external corrosive process gas from penetrating into the susceptor 300. In addition, the susceptor bottom part 330 may support the substrate support part 310 or the susceptor side part 320. In addition, the susceptor bottom part 330 may be combined with the substrate support part 310 and the susceptor side part 320 to be integrally rotated by the shaft 370. The susceptor bottom part 330 may be coupled to the susceptor side part 320 by the gap adjusting unit 340.

히터유닛(360)은 기판(S) 및 반응실(140)을 가열하는 구성요소로서, 공정가스의 화학반응에 필요한 열에너지를 공급한다. 히터유닛(360)은 서셉터(300) 내부에 설치될 수 있으며, 특히 기판지지부(310) 하부에 위치할 수 있다. 샤프트에 의하여 기판지지부(310), 서셉터 측면부(320) 및 서셉터 하면부(330)가 회전하는 동안 히터유닛(360)은 고정상태로 유지되도록 샤프트(370)는 서셉터 하면부(330)와 결합되는 외주부(미도시)와 상기 외주부 중심부에 위치하면서 히터유닛(360)과 결합되는 내주부(미도시)를 포함할 수 있다. 다른 실시예로서, 히터유닛은 기판지지부, 서셉터 측면부 및 서셉터 하면부와 함께 회전할 수도 있다. The heater unit 360 is a component for heating the substrate S and the reaction chamber 140, and supplies heat energy required for chemical reaction of the process gas. The heater unit 360 may be installed inside the susceptor 300, and in particular, may be positioned below the substrate support 310. The shaft 370 is the susceptor lower surface 330 so that the heater unit 360 is kept fixed while the substrate support 310, the susceptor side surface 320, and the susceptor lower surface 330 rotate by the shaft. And an outer circumferential portion (not shown) coupled to the inner circumference portion and an inner circumferential portion (not shown) coupled to the heater unit 360. In another embodiment, the heater unit may rotate together with the substrate support, the susceptor side and the susceptor bottom.

샤프트(370)는 구동장치(미도시)에 의하여 전달되는 회전력을 서셉터(300)에 전달한다.The shaft 370 transmits the rotational force transmitted by the driving device (not shown) to the susceptor 300.

간격조절유닛(340)은 가스분사유닛(200)과 기판지지부(310) 사이의 간격 D1과 기판지지부(310)와 히터 유닛(360) 사이의 간격 D2를 조절할 수 있다. 간격조절유닛(340)에 대하여 아래에서 자세하게 설명한다.The gap adjusting unit 340 may adjust the gap D1 between the gas injection unit 200 and the substrate support 310 and the gap D2 between the substrate support 310 and the heater unit 360. The spacing control unit 340 will be described in detail below.

도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착장치의 간격조절유닛의 개략적인 단면도이다.2 and 3 is a schematic cross-sectional view of the gap control unit of the chemical vapor deposition apparatus according to the embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 간격조절유닛(340)는 제1지지유닛(341), 제1조절유닛(342), 제2지지유닛(343), 제2조절유닛(344), 제1고정유닛(345), 제2고정유닛(346)을 포함한다.As shown in Figures 2 and 3, the interval adjusting unit 340 is a first support unit 341, the first adjustment unit 342, the second support unit 343, the second adjustment unit 344, It includes a first fixing unit 345, a second fixing unit 346.

제1지지유닛(341)은 서셉터 하면부(330)와 접하며, 제1조절유닛(342)에 의하여 승강될 수 있다. 제1지지유닛(341)은 제2지지유닛(343) 및 서셉터 측면부(320)의 하부에 위치하여 제2지지유닛(343) 및 서셉터 측면부(320)를 지지할 수 있다. 제1지지유닛(341)은 원형의 서셉터 하면부(330)에 결합될 수 있도록 링 형태로 형성될 수 있다.The first support unit 341 is in contact with the susceptor bottom surface 330 and may be lifted by the first adjustment unit 342. The first support unit 341 may be positioned below the second support unit 343 and the susceptor side part 320 to support the second support unit 343 and the susceptor side part 320. The first support unit 341 may be formed in a ring shape to be coupled to the circular susceptor bottom surface 330.

제1지지유닛(341) 또는 제2지지유닛(343)은 제1하우징이 승강하더라도 제2하우징과 간격조절유닛 사이로 공정가스가 출입하지 못하도록 차단부를 더 포함할 수 있다. 차단부는 면접촉부을 통하여 공정가스가 침입하지 못하도록 하는 구성일 수도 있고, 실링부재 또는 오링부재를 통하여 침입방지할 수도 있으며, 양쪽 부재에 각각 결합되면서도 탄성변형이 가능한 고무막 등일 수 있다. 도 2에서 보듯이, 제1지지유닛(341)이 상방으로 상승하는 경우에 서셉터 내부로 부식성 공정가스가 침입하지 못하도록 제1지지유닛(341)은 하방으로 연장된 하방연장부(341b)를 포함함에 따라 하방연장부(341b)의 내측면에는 서셉터 하면부(330)의 측면부와 접하는 제1접촉면(341a)이 형성된다. The first support unit 341 or the second support unit 343 may further include a blocking unit to prevent a process gas from entering and leaving the second housing and the gap adjusting unit even when the first housing is lifted up or down. The blocking part may be configured to prevent the process gas from entering through the surface contact part, may be prevented from entering through the sealing member or the O-ring member, and may be a rubber membrane or the like that is elastically deformable while being coupled to both members. As shown in FIG. 2, when the first support unit 341 rises upward, the first support unit 341 has a lower extension portion 341b extending downward to prevent the corrosive process gas from entering the susceptor. As included, a first contact surface 341a is formed on the inner surface of the lower extension portion 341b in contact with the side surface of the lower surface portion of the susceptor 330.

제1조절유닛(342)은 제1지지유닛(341)을 승강시킴으로써 가스분사유닛(200)과 기판지지부(310) 사이의 거리, 또는 기판지지부(310)와 히터유닛(360) 사이의 거리를 조절할 수 있다. 제1조절유닛(342)으로서 무두렌치볼트를 사용할 수 있다. 또는 일반적인 볼트가 사용될 수도 있고, 경우에 따라 표면에 나사산이 형성되지 않은 금속봉이 사용될 수도 있다. 제1조절유닛(342)으로서 무두렌치볼트가 사용되는 경우, 제1조절유닛은 제1지지유닛(341)과 나사결합된다. 제1조절유닛(342)을 회전시키면 회전방향에 따라 제1조절유닛(342)이 상승하거나 하강하게 된다. 제1조절유닛(342)은 서셉터 하면부(330)의 상면에 단순지지되므로 제1조절유닛(342)이 하강하면 제1지지유닛(341)은 상승하게 된다.The first adjusting unit 342 raises and lowers the first support unit 341 to adjust the distance between the gas injection unit 200 and the substrate support part 310 or the distance between the substrate support part 310 and the heater unit 360. I can regulate it. As the first adjustment unit 342, a boltless wrench bolt may be used. Alternatively, a general bolt may be used, and in some cases, a metal rod having no thread formed on its surface may be used. When a boltless wrench bolt is used as the first adjusting unit 342, the first adjusting unit is screwed with the first supporting unit 341. Rotating the first control unit 342 raises or lowers the first control unit 342 according to the rotation direction. Since the first adjusting unit 342 is simply supported on the upper surface of the lower surface of the susceptor 330, when the first adjusting unit 342 is lowered, the first supporting unit 341 is raised.

제2지지유닛(343)은 제1지지유닛(341)과 접하며, 제2조절유닛(344)에 의하여 승강될 수 있다. 제2지지유닛(343)은 서셉터 측면부(320)의 하부에 위치하여 서셉터 측면부(320)를 지지할 수 있다. 제2지지유닛(343)은 원형의 링 형태로 형성될 수 있다. 도 2에서 보듯이, 제2지지유닛(343)이 상방으로 상승하는 경우에 서셉터 내부로 부식성 공정가스가 침입하지 못하도록 제1지지유닛(341)은 상방으로 연장된 상방연장부(341c)를 포함함에 따라, 상방연장부(341c)의 내측면에는 제2지지유닛(343)의 측면부와 접하는 제2접촉면(341d)이 형성된다. The second support unit 343 is in contact with the first support unit 341 and may be lifted by the second control unit 344. The second support unit 343 may be positioned below the susceptor side part 320 to support the susceptor side part 320. The second support unit 343 may be formed in a circular ring shape. As shown in FIG. 2, when the second support unit 343 rises upward, the first support unit 341 includes an upper extension part 341c extending upward to prevent the corrosive process gas from entering the susceptor. As included, a second contact surface 341d is formed on an inner side surface of the upper extension portion 341c to be in contact with the side surface portion of the second support unit 343.

제2조절유닛(344)은 제2지지유닛(343)을 승강시킴으로써 가스분사유닛(200)과 기판지지부(310) 사이의 거리, 또는 기판지지부(310)와 히터유닛(360) 사이의 거리를 조절할 수 있다. 제2조절유닛(344)로서 무두렌치볼트를 사용할 수 있다. 또는 일반적인 볼트가 사용될 수도 있고, 경우에 따라 표면에 나사산이 형성되지 않은 금속봉이 사용될 수도 있다. 제2조절유닛(344)로서 무두렌치볼트가 사용되는 경우, 제2조절유닛은 제2지지유닛(343)과 나사결합된다. 제2조절유닛(344)을 회전시키면 회전방향에 따라 제2조절유닛(343)이 상승하거나 하강하게 된다. 제2조절유닛(344)은 제1조절유닛(341)의 상면에 단순지지되므로 제2조절유닛(344)이 하강하면 제2지지유닛(343)은 상승하게 된다. The second control unit 344 lifts the second support unit 343 to increase or decrease the distance between the gas injection unit 200 and the substrate support part 310 or the distance between the substrate support part 310 and the heater unit 360. I can regulate it. As the second adjusting unit 344, a boltless wrench bolt may be used. Alternatively, a general bolt may be used, and in some cases, a metal rod having no thread formed on its surface may be used. When the boltless wrench bolt is used as the second adjusting unit 344, the second adjusting unit is screwed to the second supporting unit 343. Rotating the second control unit 344 raises or lowers the second control unit 343 according to the rotation direction. Since the second adjusting unit 344 is simply supported on the upper surface of the first adjusting unit 341, when the second adjusting unit 344 is lowered, the second supporting unit 343 is raised.

제1조절유닛(342)을 1회전시킴에 따라 승강하는 거리와 제2조절유닛(344)을 1회전시킴에 따라 승강하는 거리는 서로 다를 수 있다. 즉, 제1조절유닛(342)은 1회전함에 따라 승강거리가 상대적으로 크도록 형성될 수 있고, 제2조절유닛(344)은 1회전함에 따라 승강거리가 상대적으로 작도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1조절유닛(342)은 1차적으로 대강의 높낮이를 조절하는데 사용될 수 있고, 제2조절유닛(344)은 2차적으로 정밀하게 높낮이를 조절하는데 사용될 수 있다. 제1조절유닛(342)에 형성된 나사산의 피치가 제2조절유닛(344)에 형성된 나사산의 피치보다 큰 경우에는 제1조절유닛(342)이 1회전함에 따라 승강거리가 상대적으로 클 수 있다. 또한, 그 반대의 경우도 가능하다. 이에 따라, 간격조절에 소요되는 시간이 절감되며, 조절의 정밀도가 높아지게 된다.The distance for elevating by rotating the first adjustment unit 342 one time and the distance for elevating by elevating the second adjusting unit 344 may be different. That is, the first adjustment unit 342 may be formed so that the lifting distance is relatively large as one rotation, the second adjustment unit 344 may be formed so that the lifting distance is relatively small as one rotation. Accordingly, the first control unit 342 can be used to primarily adjust the height of the rough, the second control unit 344 can be used to adjust the height of the second precisely. When the pitch of the thread formed in the first adjusting unit 342 is larger than the pitch of the thread formed in the second adjusting unit 344, the lifting distance may be relatively large as the first adjusting unit 342 rotates once. The reverse is also possible. Accordingly, the time required for adjusting the spacing is reduced, and the precision of the adjusting is increased.

챔버의 상면이 개방되었을 때에 서셉터가 챔버 내부에 설치된 상태로 제1하우징을 승강시킬 수 있도록 제1조절유닛(342)과 제2조절유닛(344)의 직상방에는 장애물이 없도록 구성된다. 이에 따라 서셉터를 해체하지 않고도 간격조절이 가능하다.When the upper surface of the chamber is opened, the first control unit 342 and the second control unit 344 are configured so that there is no obstacle so that the first housing can be lifted up and down while the susceptor is installed inside the chamber. Accordingly, the gap can be adjusted without removing the susceptor.

도 3에 도시된 바와 같이, 제1고정유닛(345)은 제1지지유닛(341)을 서셉터 하면부(330)에 고정시킬 수 있다. 제1고정유닛(345)으로는 제1지지유닛(341)을 서셉터 하면부(330)쪽으로 압박할 수 있도록 머리부를 포함하는 볼트, 또는 머리부가 없는 볼트와 너트, 또는 제1지지유닛(341)의 상면과 서셉터 하면부(330)의 하면을 압박하는 클램프(clamp)가 사용될 수 있다. 서셉터 하면부(330)에는 볼트가 체결될 수 있도록 제1볼트홀(330a)이 형성될 수 있다. As shown in FIG. 3, the first fixing unit 345 may fix the first support unit 341 to the lower surface portion 330 of the susceptor. As the first fixing unit 345, a bolt including a head to press the first support unit 341 toward the susceptor lower surface 330, or a bolt and nut without a head, or a first support unit 341. A clamp for pressing the upper surface of the upper surface and the lower surface of the lower surface of the susceptor 330 may be used. A first bolt hole 330a may be formed in the susceptor lower surface 330 to fasten the bolt.

제2고정유닛(346)은 제2지지유닛(343)을 제1지지유닛(345)에 고정시킬 수 있다. 제2고정유닛(346)으로는 제2지지유닛(343)을 제1지지유닛(341)쪽으로 압박할 수 있도록 머리가 있는 볼트가 사용될 수 있다. 제1지지유닛(341)에는 제2고정유닛(346)이 결합될 수 있도록 제2볼트홀(341e)이 형성될 수 있다. The second fixing unit 346 may fix the second support unit 343 to the first support unit 345. As the second fixing unit 346, a head bolt may be used to press the second support unit 343 toward the first support unit 341. A second bolt hole 341e may be formed in the first support unit 341 so that the second fixing unit 346 may be coupled thereto.

도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착장치의 간격조절유닛의 동작을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.4 and 5 is a schematic cross-sectional view for explaining the operation of the gap control unit of the chemical vapor deposition apparatus according to the embodiment of the present invention.

도 4에서 보듯이, 먼저 제1조절유닛(342)를 회전시킴에 따라 제1지지유닛(341)이 상승하거나 하강할 수 있다. 도 4에서는 제1지지유닛(341)이 D3만큼 상승한 모습을 도시하였다. 이렇게 상승하더라도 하방연장부(341b)의 제1접촉면(341a)에 의하여 공정가스가 서셉터 내부로 침입하지 못하게 된다. 제1조절유닛(342)의 측면에 형성된 나사산의 피치는 제2조절유닛(344)의 측면에 형성된 나사산의 피치보다 크다. 이에 따라, 제1조절유닛(342)를 회전시킴에 따라 제1지지유닛(341)이 큰 폭으로 상승하게 된다. 즉, 제1지지유닛(341)의 승강속도 또는 승강비율이 제2지지유닛(343)의 승강속도 또는 승강비율보다 더 크다. 이렇게 1차적으로 대강의 높이를 조절하게 되면 도 5에서 도시된 바와 같이 2차적으로 정밀 조절을 수행할 수 있다.As shown in FIG. 4, the first support unit 341 may be raised or lowered by rotating the first adjustment unit 342. In FIG. 4, the first support unit 341 is elevated by D3. Even if this rises, the process gas does not enter the susceptor by the first contact surface 341a of the lower extension portion 341b. The pitch of the thread formed on the side of the first adjustment unit 342 is greater than the pitch of the thread formed on the side of the second adjustment unit 344. Accordingly, as the first adjustment unit 342 is rotated, the first support unit 341 is greatly increased. That is, the lifting speed or the lifting rate of the first support unit 341 is greater than the lifting speed or the lifting rate of the second support unit 343. If the first adjustment of the rough height in this way can be performed as shown in Figure 5 precisely fine adjustment.

도 5에서 보듯이, 제2조절유닛(344)을 회전시킴에 따라 제2지지유닛(343)이 상승하거나 하강하게 된다. 도 5에서는 제2지지유닛(343)이 D4만큼 상승한 모습을 도시하였다. 이렇게 상승하더라도 상방연장부(341c)의 제2접촉면(341d)에 의하여 공정가스가 서셉터 내부로 침입하지 못하게 된다. 제1조절유닛(342)의 측면에 형성된 나사산의 피치는 제2조절유닛(344)의 측면에 형성된 나사산의 피치보다 크다. 이에 따라, 제2조절유닛(344)를 회전시킴에 따라 제2지지유닛(343)이 소폭으로 상승하게 됨에 따라 2차적으로 정밀 조절을 수행할 수 있다.As shown in FIG. 5, as the second adjustment unit 344 is rotated, the second support unit 343 is raised or lowered. In FIG. 5, the second support unit 343 is raised by D4. Even if this rises, the process gas does not enter the susceptor by the second contact surface 341d of the upper extension portion 341c. The pitch of the thread formed on the side of the first adjustment unit 342 is greater than the pitch of the thread formed on the side of the second adjustment unit 344. Accordingly, as the second support unit 343 is slightly raised as the second adjustment unit 344 is rotated, the second adjustment unit 344 may be precisely adjusted secondarily.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착장치의 서셉터에 대한 개략적인 평면도이다.6 is a schematic plan view of the susceptor of the chemical vapor deposition apparatus according to the embodiment of the present invention.

도 6에서 보듯이, 기판지지부(310) 상면에는 기판(S)이 복수개 지지될 수 있다. 제1지지유닛(341)에는 120도 간격으로 제1조절유닛(342) 3개가 배치될 수 있다. 제1조절유닛(342)을 3개 배치함에 따라 서셉터 하면부(330)가 가스분사유닛(200)에 대하여 수평을 이루고 있지 않더라도 독립적으로 수평을 조절할 수 있다. 다른 실시예로서, 제1조절유닛(342)을 3개 이상 포함할 수도 있다. As shown in FIG. 6, a plurality of substrates S may be supported on an upper surface of the substrate support 310. Three first adjusting units 342 may be disposed in the first support unit 341 at intervals of 120 degrees. By arranging three first control units 342, the susceptor bottom part 330 may be independently adjusted even if the susceptor bottom part 330 is not level with respect to the gas injection unit 200. In another embodiment, three or more first adjusting units 342 may be included.

제2조절유닛(344)도 역시 120도 간격으로 3개가 배치될 수 있다. 도 4에서는 제2조절유닛(344)이 제1조절유닛(342)과 인접하여 배치되었으나 이와 관계없이 배치될 수도 있다. 제1고정유닛(345)과 제2고정유닛(346)은 각각 9개씩 배치되어 있으나, 개수는 9개에 한정되는 것이 아니고 9개 이상 또는 9개 이하를 포함할 수도 있다.The second control unit 344 may also be arranged three at 120 degree intervals. In FIG. 4, the second control unit 344 is disposed adjacent to the first control unit 342, but may be disposed irrespective of this. The first fixing unit 345 and the second fixing unit 346 are each arranged nine, but the number is not limited to nine and may include nine or more or nine or less.

앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.An embodiment of the present invention described above and illustrated in the drawings should not be construed as limiting the technical idea of the present invention. The scope of protection of the present invention is limited only by the matters described in the claims, and those skilled in the art will be able to modify the technical idea of the present invention in various forms. Accordingly, such improvements and modifications will fall within the scope of the present invention as long as they are obvious to those skilled in the art.

Claims (11)

챔버;
상기 챔버 내부에 설치되고 기판이 적재되는 서셉터;
상기 서셉터 내부에 위치하는 히터유닛; 및
상기 기판을 향하여 공정가스를 공급하는 가스분사유닛;을 포함하며,
상기 서셉터는
상면에 적재되는 기판을 지지하는 제1하우징;
상기 제1하우징의 하부에 위치하며 상기 제1하우징과 함께 상기 서셉터의 외관을 형성하는 제2하우징; 및
상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이에 설치되며 상기 제2하우징을 기준으로 상기 제1하우징을 승강시킴으로써 상기 가스분사유닛과 상기 제1하우징 사이의 간격 및 상기 제1하우징과 상기 히터유닛 사이의 간격을 조절하는 간격조절유닛;을 포함하는 화학기상증착장치.
chamber;
A susceptor installed inside the chamber and loaded with a substrate;
A heater unit located inside the susceptor; And
And a gas injection unit supplying a process gas toward the substrate.
The susceptor is
A first housing supporting the substrate loaded on the upper surface;
A second housing positioned below the first housing to form an exterior of the susceptor together with the first housing; And
Installed between the first housing and the second housing and by lifting the first housing relative to the second housing, the interval between the gas injection unit and the first housing and between the first housing and the heater unit Chemical vapor deposition apparatus comprising a; gap adjusting unit for adjusting the interval.
제1항에 있어서,
상기 간격조절유닛은 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이에 위치하는 지지유닛과, 상기 제2하우징과 접하도록 상기 지지유닛과 결합되며 상기 제2하우징을 기준으로 상기 제1하우징을 승강시키는 조절유닛을 포함하는 화학기상증착장치.
The method of claim 1,
The interval adjusting unit is a control unit located between the first housing and the second housing, the control unit is coupled to the support unit so as to contact the second housing and the control to lift the first housing relative to the second housing Chemical vapor deposition apparatus comprising a unit.
제2항에 있어서,
상기 조절유닛은 나사산이 형성된 볼트를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
The method of claim 2,
The control unit is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that it comprises a threaded bolt.
제2항에 있어서,
상기 챔버의 상면이 개방되었을 때에 상기 서셉터가 상기 챔버 내부에 설치된 상태로 상기 제1하우징을 승강시킬 수 있도록 상기 조절유닛의 직상방에 장애물이 없는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
The method of claim 2,
Chemical vapor deposition apparatus characterized in that there is no obstacle directly above the control unit so that when the upper surface of the chamber is opened, the susceptor can be elevated in the first housing with the susceptor installed inside the chamber.
제2항에 있어서,
상기 조절유닛은 상기 서셉터와 상기 가스분사유닛의 평행도를 조절할 수 있도록 복수개인 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
The method of claim 2,
The control unit is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that a plurality of so as to adjust the parallelism of the susceptor and the gas injection unit.
제2항에 있어서,
상기 조절유닛은 상기 서셉터의 중심을 기준으로 등간격으로 3개가 배치된 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
The method of claim 2,
The chemical vapor deposition apparatus, characterized in that three control units are arranged at equal intervals based on the center of the susceptor.
제2항에 있어서,
상기 조절유닛은 무두렌치볼트인 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
The method of claim 2,
The control unit is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the boltless wrench.
제2항에 있어서,
상기 제1하우징이 승강하더라도 상기 제2하우징과 상기 간격조절유닛 사이로 공정가스로 출입하지 못하도록 상기 지지유닛은 차단부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
The method of claim 2,
And the support unit further includes a blocking unit to prevent entry and exit of the process gas between the second housing and the gap adjusting unit even when the first housing is moved up and down.
제2항에 있어서,
상기 지지유닛으로부터 하방으로 연장되며 상기 제2하우징의 측면부와 면접(面接)하는 하방연장부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
The method of claim 2,
And a downward extension portion extending downward from the support unit and in contact with the side portion of the second housing.
제1항에 있어서,
상기 제2하우징을 기준으로 상기 제1하우징의 승강된 높이를 고정하기 위하여 상기 간격조절유닛과 상기 제2하우징 사이의 거리를 고정시키거나 상기 간격조절유닛과 상기 제1하우징 사이의 거리를 고정시키는 고정유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
The method of claim 1,
Fixing the distance between the gap adjusting unit and the second housing or fixing the distance between the gap adjusting unit and the first housing in order to fix the elevated height of the first housing relative to the second housing. Chemical vapor deposition apparatus further comprises a fixed unit.
제10항에 있어서,
상기 고정유닛은 머리부를 포함하는 볼트이거나, 머리부가 없는 볼트 및 상기 머리부가 없는 볼트에 결합되는 너트인 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The method of claim 10,
The fixing unit may be a bolt including a head, or a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the head bolt and the nut coupled to the headless bolt.
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