JP2008010513A - Electrostatic chuck module - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To keep the expected attraction performance of wafers of an electrostatic chuck by adding a mask means for preventing a thin film from being generated in an unintended part, suppress the generation of particles, enable to adjust the height of the mask means, and minimize a vertical clearance between the mask means and a wafer supported by the electrostatic chuck. <P>SOLUTION: A platen ring 22 which is provided with a side surface 23 and an upper surface 24 and is formed like a nearly L-shaped cross-section is used to prevent the generation of a thin film in an unintended part. The upper surface is nearly in contact with an electrostatic chuck (chuck plate 15), and is on nearly the same plane as the chuck surface. The side surface is supported on its outer peripheral end of a base 12. A height adjusting screw 25 is inserted into a through-hole 12c formed in the base outer periphery end from the lower side, and the tip end of the screw 25 is brought into contact with the lower end of the side surface of the platen ring, so that the platen ring can be vertically adjusted. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は静電チャックモジュールに関する。   The present invention relates to an electrostatic chuck module.

静電チャックは、たとえば、半導体、ガラス、サファイア、セラミックなどのウェハ上に薄膜を生成する工程においてウェハの固定および温度コントロールを行うために使用されている。静電チャックの素材としては、アルミナ、窒化アルミ、炭化珪素、ＰＢＮ（熱分解窒化ホウ素）などが用いられている。このような静電チャックには各種の構成が提案されており、その一例を特許文献１に挙げておく。
特開２００６−０１３２５７ An electrostatic chuck is used for fixing a wafer and controlling a temperature in a process of forming a thin film on a wafer such as a semiconductor, glass, sapphire, or ceramic. As a material for the electrostatic chuck, alumina, aluminum nitride, silicon carbide, PBN (pyrolytic boron nitride), or the like is used. Various types of configurations have been proposed for such an electrostatic chuck, and an example thereof is given in Patent Document 1.
JP2006-013257

静電チャックにより固定したウェハ上に薄膜を生成するときの薄膜材料としては、主としてガス、スパッタ源、その他の蒸着材料などが使用されるが、これらの薄膜材料がウェハプロセスにおいて静電チャックの側面に回り込んでしまうと、静電チャックの該側面や裏面あるいはウェハの裏面などの意図しない部分に薄膜が生成されてしまう。この意図しない薄膜は、静電チャックによるウェハ吸着に支障を来し、またパーティクルの発生源となる。   As a thin film material for forming a thin film on a wafer fixed by an electrostatic chuck, mainly gas, a sputtering source, other vapor deposition materials, etc. are used. If it wraps around, a thin film is generated on an unintended portion such as the side surface or back surface of the electrostatic chuck or the back surface of the wafer. This unintended thin film interferes with wafer adsorption by the electrostatic chuck and becomes a source of particles.

したがって、本発明の課題は、このような意図しない部分に薄膜が生成されることを防止するためのマスク手段を静電チャックに付加して、静電チャックの所期のウェハ吸着性能を維持し、パーティクル発生を抑制することにある。   Therefore, an object of the present invention is to add a mask means for preventing the formation of a thin film in such an unintended portion to the electrostatic chuck, thereby maintaining the intended wafer adsorption performance of the electrostatic chuck. It is to suppress the generation of particles.

本発明のもう一つの課題は、上記マスク手段を静電チャックに付加するに際して、さらに該マスク手段の高さ調節を可能にして、静電チャックに支持されるウェハとの間の上下隙間を極小化させることにある。   Another object of the present invention is that when the mask means is added to the electrostatic chuck, the height of the mask means can be further adjusted to minimize the vertical gap between the wafer and the wafer supported by the electrostatic chuck. There is to make it.

上記課題を解決するため、請求項１にかかる本発明は、少なくともベースと該ベース上に積層される静電チャックとを備えた静電チャックモジュールにおいて、ウェハプロセス中に薄膜材料が静電チャックの側面に回り込んで静電チャック側面または裏面あるいはウェハ裏面などの意図しない部分に薄膜が生成されることを防止するためのマスク手段としてのプラテンリングが用いられ、該プラテンリングは側面部と上面部とを有して断面略Ｌ字形に形成され、該上面部は静電チャックに略密接すると共にそのチャック面と略面一であり、該側面部はベースの外周端上に支持されることを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problems, the present invention according to claim 1 is directed to an electrostatic chuck module including at least a base and an electrostatic chuck stacked on the base. A platen ring is used as a mask means for preventing a thin film from being formed on an unintended portion such as the side surface of the electrostatic chuck or the back surface of the electrostatic chuck or the back surface of the wafer. The upper surface portion is substantially in close contact with the electrostatic chuck and is substantially flush with the chuck surface, and the side surface portion is supported on the outer peripheral end of the base. Features.

請求項２にかかる本発明は、請求項１記載の静電チャックモジュールにおいて、プラテンリングが側面部と上面部とを有する一体成形品であることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the electrostatic chuck module according to the first aspect, the platen ring is an integrally molded product having a side surface portion and an upper surface portion.

請求項３にかかる本発明は、請求項１記載の静電チャックモジュールにおいて、側面部と上面部とが各々別部材として成形され、これらを組み合わせてプラテンリングが形成されることを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the electrostatic chuck module according to the first aspect, the side surface portion and the upper surface portion are formed as separate members, and a platen ring is formed by combining them.

請求項４にかかる本発明は、請求項１ないし３のいずれか記載の静電チャックモジュールにおいて、静電チャックの外周端上面側が切除されて突出縁部が形成され、この突出縁部において静電チャックがベースにネジ固着されることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the electrostatic chuck module according to any one of the first to third aspects, the upper surface side of the outer peripheral end of the electrostatic chuck is cut away to form a protruding edge, and the electrostatic discharge is performed at the protruding edge. The chuck is fixed to the base with screws.

請求項５にかかる本発明は、請求項１ないし４のいずれか記載の静電チャックモジュールにおいて、プラテンリングの側面部を支持するベース外周端部分を上下に貫通する貫通穴を形成し、この貫通穴に下から高さ調節ネジを通し、その先端をプラテンリング側面部の下端に当接させることにより、プラテンリングの上下調節を可能にしたことを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, in the electrostatic chuck module according to any one of the first to fourth aspects, a through hole is formed through the base outer peripheral end portion supporting the side surface portion of the platen ring in the vertical direction. A height adjusting screw is passed through the hole from below, and its tip is brought into contact with the lower end of the side surface portion of the platen ring, whereby the platen ring can be adjusted up and down.

請求項６にかかる本発明は、請求項５記載の静電チャックモジュールにおいて、ベース外周端の貫通穴の下方開口部に隣接して、高さ調節ネジを螺通するロックナットが固着されたことを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, in the electrostatic chuck module according to the fifth aspect, a lock nut for threading a height adjusting screw is fixed adjacent to a lower opening of the through hole at the outer peripheral end of the base. It is characterized by.

請求項７にかかる本発明は、請求項５または６記載の静電チャックモジュールにおいて、高さ調節ネジの先端が、プラテンリング側面部の下端に形成された凹部に嵌入されることを特徴とする。   According to a seventh aspect of the present invention, in the electrostatic chuck module according to the fifth or sixth aspect, the tip of the height adjusting screw is fitted into a recess formed at the lower end of the side surface portion of the platen ring. .

請求項８にかかる本発明は、請求項５ないし７のいずれか記載の静電チャックモジュールにおいて、１２０度間隔で３ヶ所に高さ調節ネジが用いられることを特徴とする。   The present invention according to claim 8 is the electrostatic chuck module according to any one of claims 5 to 7, characterized in that height adjusting screws are used at three positions at intervals of 120 degrees.

請求項９にかかる本発明は、請求項５ないし８のいずれか記載の静電チャックモジュールにおいて、高さ調節ネジにより、静電チャック上に支持されるウェハとプラテンリングとの間の上下隙間を０．２〜０．４ｍｍまたはそれ以下に調節可能であることを特徴とする。   According to a ninth aspect of the present invention, in the electrostatic chuck module according to any one of the fifth to eighth aspects, an upper and lower gap between the wafer supported on the electrostatic chuck and the platen ring is formed by a height adjusting screw. It can be adjusted to 0.2 to 0.4 mm or less.

本発明によれば、ウェハプロセス中に薄膜材料が静電チャックの側面に回り込んで静電チャック側面または裏面あるいはウェハ裏面などの意図しない部分に薄膜が生成されることを防止するためのマスク手段としてのプラテンリングが用いられているので、静電チャックの所期のウェハ吸着性能を維持し、パーティクル発生を抑制することができる。   According to the present invention, the mask means for preventing the thin film material from flowing around the side surface of the electrostatic chuck during the wafer process and forming a thin film on an unintended portion such as the side surface or back surface of the electrostatic chuck or the back surface of the wafer. Since the platen ring is used, the desired wafer chucking performance of the electrostatic chuck can be maintained and the generation of particles can be suppressed.

また、高さ調節ネジによってプラテンリングの上下調節を可能にしており、好ましくは静電チャック上に支持されるウェハとプラテンリングとの間の上下隙間を０．２ｍｍ以下に調節可能であるので、十分な寸法精度を得ることが困難であるＰＢＮなどを素材とした静電チャックを使用する場合であっても薄膜材料の回り込みを防止して上記効果を有効に発揮させることができ、また、静電チャックモジュールの部品の機械加工をそれほど高精度に行わなくても高さ調節ネジによる調節を介して上記効果を十分に発揮させることができるので、これらの製造コストを低く抑えることができる。   Further, the platen ring can be adjusted up and down by a height adjusting screw, and preferably the vertical gap between the wafer supported on the electrostatic chuck and the platen ring can be adjusted to 0.2 mm or less. Even when using an electrostatic chuck made of PBN or the like for which it is difficult to obtain sufficient dimensional accuracy, the thin film material can be prevented from wrapping around and the above effect can be effectively exhibited. Even if the machining of the parts of the electric chuck module is not performed with such a high degree of accuracy, the above-described effects can be sufficiently exerted through the adjustment by the height adjusting screw, so that the manufacturing cost can be kept low.

図１は本発明の一実施形態によるヒータ機能を併せ持つ静電チャックモジュール１０を示し、図２はそのＡ部拡大断面図である。この静電チャックモジュール１０は、所定径寸法を有するディスク状のトッププレート１１と、このトッププレート１１を中心で支持する中空のセンターシャフト３０とから構成されている。   FIG. 1 shows an electrostatic chuck module 10 having a heater function according to an embodiment of the present invention, and FIG. The electrostatic chuck module 10 includes a disk-shaped top plate 11 having a predetermined diameter and a hollow center shaft 30 that supports the top plate 11 at the center.

トッププレート１１は、内部に冷却水路を内蔵する金属製（ＳＵＳまたはアルミなど）のベース１２と、石英プレート１３と、ヒータエレメント１４ａと静電吸着用エレメント１４ｂを裏面及び表面に有するチャックプレート１５とから成る。   The top plate 11 includes a metal (SUS or aluminum) base 12 having a cooling water channel therein, a quartz plate 13, a heater element 14a, and a chuck plate 15 having an electrostatic adsorption element 14b on the back surface and the front surface. Consists of.

ベース１２はＳＵＳを素材としているが、その他アルミニウムなども使用可能である。石英プレート１３はヒータエレメントからの発熱を断熱するために用いているが、ヒータを有しない静電チャックや２００℃以下の用途など場合によっては割愛しても良い。   The base 12 is made of SUS, but aluminum or the like can also be used. The quartz plate 13 is used to insulate heat generated from the heater element, but may be omitted depending on cases such as an electrostatic chuck having no heater or an application of 200 ° C. or lower.

ヒータエレメント１４ａはタングステン、モリブデン、グラファイトなどの導電性材料による発熱抵抗体であり、任意数のヒータエレメント１４ａが所定のパターンで配置されている。   The heater element 14a is a heating resistor made of a conductive material such as tungsten, molybdenum, or graphite, and an arbitrary number of heater elements 14a are arranged in a predetermined pattern.

静電吸着用エレメント１４ｂはタングステン、モリブデン、グラファイトなどの導電性材料による電極であり、任意数のエレメント１４ｂが所定のパターンで配置されている。   The electrostatic adsorption element 14b is an electrode made of a conductive material such as tungsten, molybdenum, graphite, and an arbitrary number of elements 14b are arranged in a predetermined pattern.

チャックプレート１５はＰＢＮを素材としているが、前述したようにアルミナ、窒化アルミ、炭化珪素、窒化珪素などの絶縁性材料から適宜選択して使用しても良い。   The chuck plate 15 is made of PBN, but may be appropriately selected from insulating materials such as alumina, aluminum nitride, silicon carbide, and silicon nitride as described above.

符号１６は静電チャック用電極、符号１７はヒータ用電極であり、これら電極への給電線１８，１９がセンターシャフト３０の内部を通って外部電源（図示せず）に接続される。   Reference numeral 16 denotes an electrostatic chuck electrode, and reference numeral 17 denotes a heater electrode. Feed lines 18 and 19 to these electrodes pass through the center shaft 30 and are connected to an external power source (not shown).

以上に述べた構成は従来の静電チャックモジュールにおいて公知であり、あるいは本発明の主題に直接関連しないものであるので、これ以上の詳細な説明を省略する。また、静電チャックモジュールにヒータ機能を持たせる必要がない場合は、ヒータエレメント１４ａなどのヒータに関連する部材は割愛することができる。   The configurations described above are well known in conventional electrostatic chuck modules, or are not directly related to the subject matter of the present invention, and therefore will not be described in further detail. Further, when the electrostatic chuck module does not need to have a heater function, a member related to the heater such as the heater element 14a can be omitted.

この実施形態の静電チャックモジュール１０は、外径３００ｍｍのウェハＷを吸着固定するために設計されており、トッププレート１１の外径は３５０ｍｍとされている。ベース１２の外径も３５０ｍｍである。   The electrostatic chuck module 10 of this embodiment is designed for attracting and fixing a wafer W having an outer diameter of 300 mm, and the outer diameter of the top plate 11 is 350 mm. The outer diameter of the base 12 is also 350 mm.

チャックプレート１５は、その外周端の上部を切り欠いて段設された突出縁部１５ａを備えており、この突出縁部１５の数ヶ所（たとえば１２０度間隔で３ヶ所）に形成される貫通穴１５ｂに固定ネジ２０を通して、ベース１２に固定される。石英プレート１３には貫通穴１５ｂと整列する穴１３ａが形成されており、固定ネジ２０の挿通を許容している。符号１２ａはベース１２の外周端に貫通穴１５ｂおよび穴１３ａと整列する位置に設けられたネジ穴であり、固定ネジ２０を螺着する。符号２１はワッシャーリングである。   The chuck plate 15 includes projecting edges 15a stepped by cutting out the upper end of the outer peripheral end, and through holes formed at several locations (for example, three locations at intervals of 120 degrees) of the projecting edges 15. The fixing screw 20 is passed through 15b and fixed to the base 12. The quartz plate 13 is formed with a hole 13a aligned with the through hole 15b, and allows the fixing screw 20 to be inserted. Reference numeral 12 a denotes a screw hole provided at a position aligned with the through hole 15 b and the hole 13 a on the outer peripheral end of the base 12, and the fixing screw 20 is screwed thereon. Reference numeral 21 denotes a washer ring.

突出縁部１５ａを含めたチャックプレート１５の外径は３３４ｍｍであるが、ウェハＷに対するチャック面を与える表面の外径は２９６ｍｍである。石英プレート１３の外径も３３４ｍｍである。   The outer diameter of the chuck plate 15 including the protruding edge portion 15a is 334 mm, but the outer diameter of the surface that provides the chuck surface for the wafer W is 296 mm. The outer diameter of the quartz plate 13 is also 334 mm.

符号２２はプラテンリングであり、本発明の主要な特徴を構成している。このプラテンリング２２は、ベース１２外周端の上部を切り欠いて形成された凹部１２ｂ上に支持される側面部２３と、チャックプレート１５の上方外周端と略密接し且つそのチャック面と略面一となる表面を与える上面部２４とを有する断面略Ｌ字形の一体部品として構成されている。   Reference numeral 22 denotes a platen ring, which constitutes a main feature of the present invention. The platen ring 22 has a side surface portion 23 supported on a recess 12b formed by cutting out the upper portion of the outer peripheral end of the base 12, and an upper outer peripheral end of the chuck plate 15, and is substantially flush with the chuck surface. It is comprised as an integral part of the cross-sectional substantially L shape which has the upper surface part 24 which gives the surface used as.

プラテンリング２２の寸法は、これを図示のように配置したときにその外周面がベース１２と略同径となり且つその上面部２３の表面がチャックプレート１５と略面一となって、トッププレート１１の前記外形寸法に収まるように設定される。プラテンリング２２の上面部２４とチャックプレート１５との間の隙間はゼロであることが好ましいが、実際的には０．２〜０．４ｍｍ程度に抑えることができれば十分である。また、ベース１２の凹部１２ｂはチャックプレート１５および石英プレート１３の外周端より若干外側に形成されており、したがってこれらの外周端とプラテンリング２２の側面部２３の内周面との間には若干の隙間が与えられている。   When the platen ring 22 is arranged as shown in the drawing, the outer peripheral surface thereof is substantially the same diameter as the base 12, and the surface of the upper surface portion 23 is substantially flush with the chuck plate 15. Are set so as to be within the outer dimensions. The gap between the upper surface portion 24 of the platen ring 22 and the chuck plate 15 is preferably zero, but in practice it is sufficient if it can be suppressed to about 0.2 to 0.4 mm. Further, the concave portion 12 b of the base 12 is formed slightly outside the outer peripheral ends of the chuck plate 15 and the quartz plate 13, and therefore, slightly between these outer peripheral ends and the inner peripheral surface of the side surface portion 23 of the platen ring 22. The gap is given.

プラテンリング２２を設けることにより、この静電チャックモジュール１０上にウェハWを吸着固定してＰＶＤ（物理的気相蒸着法）、ＣＶＤ（化学的気相蒸着法）などの薄膜形成工程でウェハプロセス処理したときに、薄膜材料がチャックプレート１５の側面に回り込むことが防止されるので、チャックプレート１５の側面や裏面、あるいはウェハＷの裏面などの意図しない部分に薄膜が生成することを回避することができる。   By providing the platen ring 22, the wafer W is attracted and fixed on the electrostatic chuck module 10, and the wafer process is performed in a thin film forming process such as PVD (physical vapor deposition) or CVD (chemical vapor deposition). Since the thin film material is prevented from wrapping around the side surface of the chuck plate 15 when processed, it is avoided that a thin film is formed on an unintended portion such as the side surface or the back surface of the chuck plate 15 or the back surface of the wafer W. Can do.

さらに、この静電チャックモジュール１０は、プラテンリング２２の高さ調節機構を備えている。すなわち、高さ調節ネジ２５を用い、これをベース外周凹部１２ｂの下面に固着したロックナット２６に螺通させると共に、該ロックナット２６と同軸にベース外周凹部１２ｂを上下に貫通する貫通穴１２ｃに挿通させ、且つ、その先端（上端）をプラテンリング側面部２３の下端に形成した凹部２３ａに挿入して、高さ調節機構を構成している。この構成において、下方より高さ調節ネジ２５を回転させると、ロックナット２６との螺合を介して貫通穴１２ｃ内を上下移動するので、プラテンリング２２を高さ調節することができる。符号２７はワッシャーリングである。   Further, the electrostatic chuck module 10 includes a height adjusting mechanism for the platen ring 22. That is, the height adjusting screw 25 is screwed through a lock nut 26 fixed to the lower surface of the base outer peripheral recess 12b, and is inserted into a through hole 12c extending vertically through the base outer peripheral recess 12b coaxially with the lock nut 26. The height adjustment mechanism is configured by inserting the tip (upper end) into a recess 23 a formed at the lower end of the platen ring side surface portion 23. In this configuration, when the height adjusting screw 25 is rotated from below, the platen ring 22 can be adjusted in height because it moves up and down in the through hole 12c through screwing with the lock nut 26. Reference numeral 27 denotes a washer ring.

既述のように静電チャック（チャックプレート１５）の素材には様々な絶縁材料を使用可能であり、たとえばアルミナ、窒化アルミ、炭化珪素などのセラミックス素材を使用した場合には機械加工精度が高く、寸法公差を±０．０２ｍｍ程度に小さくすることができるが、静電チャックモジュールとして複数の部品と組み合わせて製造する場合には寸法公差が大きくなる。このため、プラテンリング２２を採用しただけでは、前述の意図しない部分への薄膜生成を完全に回避し切れないおそれがある。   As described above, various insulating materials can be used as the material of the electrostatic chuck (chuck plate 15). For example, when a ceramic material such as alumina, aluminum nitride, or silicon carbide is used, the machining accuracy is high. The dimensional tolerance can be reduced to about ± 0.02 mm. However, when the electrostatic chuck module is manufactured in combination with a plurality of parts, the dimensional tolerance is increased. For this reason, the adoption of the platen ring 22 may not completely avoid the formation of a thin film on the unintended portion described above.

また、ＰＢＮを素材とした静電チャックは、その材質特性や構造から良好な寸法精度を得ることが難しく、これを静電チャックモジュールとした場合にはさらに上記問題が顕在化することが懸念される。   In addition, it is difficult for an electrostatic chuck made of PBN to have good dimensional accuracy due to its material characteristics and structure, and there is a concern that the above problem will become more apparent when this electrostatic chuck module is used. The

上記のようにプラテンリング２２を用いても、チャック材質の寸法精度などの影響でウェハＷとの隙間が大きすぎると、結局は意図しない部分への薄膜生成を有効に防止することができない。そこで、前記のような構成の高さ調節機構によりプラテンリング２２を高さ調節可能とし、ウェハＷとの上下隙間を０．２〜０．４ｍｍ程度に抑えることによって、この問題を実質的に完全に解決し、ウェハプロセスを安定的に継続して稼働させることを可能にしたのである。また、プラテンリング２２を高さ調節可能とすることにより、静電チャックモジュール１０の部品である静電チャックや他の部品の機械加工をそれほど高精度に行う必要がなくなるため、これらの製造コストを低く抑えることができる。   Even if the platen ring 22 is used as described above, if the gap with the wafer W is too large due to the influence of the dimensional accuracy of the chuck material or the like, it is not possible to effectively prevent the formation of a thin film on an unintended portion. Therefore, the height of the platen ring 22 can be adjusted by the height adjusting mechanism having the above-described configuration, and the vertical gap with the wafer W is suppressed to about 0.2 to 0.4 mm, thereby substantially eliminating this problem. Thus, the wafer process can be stably and continuously operated. In addition, by making the platen ring 22 adjustable in height, it is not necessary to perform machining of the electrostatic chuck and other parts that are parts of the electrostatic chuck module 10 with such high accuracy. It can be kept low.

なお、プラテンリング２２および高さ調節ネジ２５は、熱膨張による寸法変化が小さい材料、すなわち石英、アルミナ、窒化珪素、炭化珪素などのセラミックス、カーボン、モリブデンなどの低熱膨張特性を有する材料で形成することが好ましい。   The platen ring 22 and the height adjusting screw 25 are formed of a material having a small dimensional change due to thermal expansion, that is, a material having low thermal expansion characteristics, such as ceramics such as quartz, alumina, silicon nitride, and silicon carbide, carbon, and molybdenum. It is preferable.

プラテンリング２２のための高さ調節ネジ２５は任意数用いることができるが、好ましくは１２０度間隔で３カ所に、ベース貫通穴１２ｃ，石英プレート穴１３ａおよびプラテンリング側面下端凹部を整列状態で形成し、これらに高さ調節ネジ２５を用いて、３ヶ所でプラテンリング２２を高さ調節可能とする。このような３点支持構成により、優れた平行度を実現することができる。   Any number of height adjusting screws 25 for the platen ring 22 can be used, but preferably, the base through hole 12c, the quartz plate hole 13a, and the platen ring side surface lower end recess are formed in alignment at three positions at intervals of 120 degrees. The height of the platen ring 22 can be adjusted at three locations by using height adjusting screws 25 for these. With such a three-point support configuration, excellent parallelism can be realized.

上記実施形態による静電チャックモジュール１０のプラテンリング２２は、側面部２３と上面部２４とから成る一体成形部品として構成されているが、図３に示すように、別部品として成形された側面部材２３’と上面部材２４’とを組み合わせてプラテンリング２２’としても良い。   The platen ring 22 of the electrostatic chuck module 10 according to the above-described embodiment is configured as an integrally molded part composed of the side surface part 23 and the upper surface part 24. However, as shown in FIG. The platen ring 22 'may be formed by combining the 23' and the upper surface member 24 '.

側面部材２３’と上面部材２４’の形状や組合せ形態などは任意であるが、図３に示す実施形態では、ベース１２外周端の上部を切り欠いて形成された凹部１２ｂ上に支持される側面部材２３’と、この側面部材２３’の上端に支持されると共にチャックプレート１５の上方外周端と略密接し且つそのチャック面と略面一となる表面を与える上面部材２４’とを有し、側面部材２３’の上端外側部分を切り欠いて形成された凹部２３ｂに、上面部材２４’の外周端下面側を切り欠いて形成された凸部２４ａを嵌合してプラテンリング２２’を構成している。この嵌合状態でさらに接着剤を用いて側面部材２３’と上面部材２４’とを接合固定して一体化しても良い。   The shape and combination form of the side member 23 ′ and the upper surface member 24 ′ are arbitrary, but in the embodiment shown in FIG. 3, the side surface supported on the recess 12b formed by cutting out the upper part of the outer peripheral end of the base 12. A member 23 ′, and an upper surface member 24 ′ that is supported on the upper end of the side member 23 ′ and that is substantially in close contact with the upper outer peripheral end of the chuck plate 15 and provides a surface that is substantially flush with the chuck surface; A platen ring 22 ′ is formed by fitting a convex portion 24 a formed by cutting out the lower surface side of the outer peripheral end of the upper surface member 24 ′ into a concave portion 23 b formed by cutting out the upper end outer portion of the side member 23 ′. ing. In this fitted state, the side surface member 23 ′ and the upper surface member 24 ′ may be further bonded and integrated using an adhesive.

本発明の一実施形態による静電チャックモジュールを示す一部破断正面図である。It is a partially broken front view showing an electrostatic chuck module according to an embodiment of the present invention. 図１中Ａ部の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the A section in FIG. プラテンリングの変形例を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view showing a modification of a platen ring.

符号の説明Explanation of symbols

１０ 静電チャックモジュール
１１ トッププレート
１２ ベース
１２ａ ネジ穴
１２ｂ 凹部
１２ｃ 貫通穴
１３ 石英プレート
１３ａ 穴
１４ａ ヒータエレメント
１４ｂ 静電吸着用エレメント
１５ チャックプレート（静電チャック）
１５ａ 突出縁部
１５ｂ 貫通穴
１６ 静電チャック用電極
１７ ヒータ用電極
１８，１９ 給電線
２０ 固定ネジ
２１ ワッシャーリング
２２，２２’ プラテンリング
２３ 側面部
２３’ 側面部材
２３ａ 下端凹部
２３ｂ 上端凹部
２４ 上面部
２４’ 上面部材
２４ａ 凸部
２５ 高さ調節ネジ
２６ ロックナット
２７ ワッシャーリング
３０ センターシャフト DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Electrostatic chuck module 11 Top plate 12 Base 12a Screw hole 12b Recess 12c Through hole 13 Quartz plate 13a Hole 14a Heater element 14b Electrostatic adsorption element 15 Chuck plate (electrostatic chuck)
15a Projecting edge 15b Through hole 16 Electrode for electrostatic chuck 17 Heater electrode 18, 19 Feed line 20 Fixing screw 21 Washer ring 22, 22 'Platen ring 23 Side surface 23' Side member 23a Lower end recess 23b Upper end recess 24 Upper surface 24 'upper surface member 24a convex part 25 height adjusting screw 26 lock nut 27 washer ring 30 center shaft

Claims (9)

少なくともベースと該ベース上に積層される静電チャックとを備えた静電チャックモジュールにおいて、ウェハプロセス中に薄膜材料が静電チャックの側面に回り込んで静電チャック側面または裏面あるいはウェハ裏面などの意図しない部分に薄膜が生成されることを防止するためのマスク手段としてのプラテンリングが用いられ、該プラテンリングは側面部と上面部とを有して断面略Ｌ字形に形成され、該上面部は静電チャックに略密接すると共にそのチャック面と略面一であり、該側面部はベースの外周端上に支持されることを特徴とする静電チャックモジュール。 In an electrostatic chuck module including at least a base and an electrostatic chuck stacked on the base, a thin film material wraps around the side surface of the electrostatic chuck during the wafer process, and the electrostatic chuck side surface or back surface or wafer back surface A platen ring is used as a mask means for preventing a thin film from being generated in an unintended portion, and the platen ring has a side surface portion and an upper surface portion, and is formed in a substantially L-shaped cross section. Is substantially in close contact with the electrostatic chuck and is substantially flush with the chuck surface, and the side surface portion is supported on the outer peripheral end of the base. プラテンリングが側面部と上面部とを有する一体成形品であることを特徴とする、請求項１記載の静電チャックモジュール。 2. The electrostatic chuck module according to claim 1, wherein the platen ring is an integrally molded product having a side surface portion and an upper surface portion. 側面部と上面部とが各々別部材として成形され、これらを組み合わせてプラテンリングが形成されることを特徴とする、請求項１記載の静電チャックモジュール。 The electrostatic chuck module according to claim 1, wherein the side surface portion and the upper surface portion are formed as separate members, and a platen ring is formed by combining them. 静電チャックの外周端上面側が切除されて突出縁部が形成され、この突出縁部において静電チャックがベースにネジ固着されることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか記載の静電チャックモジュール。 The static chuck according to any one of claims 1 to 3, wherein the upper surface side of the outer peripheral end of the electrostatic chuck is cut to form a protruding edge, and the electrostatic chuck is screwed to the base at the protruding edge. Electric chuck module. プラテンリングの側面部を支持するベース外周端部分を上下に貫通する貫通穴を形成し、この貫通穴に下から高さ調節ネジを通し、その先端をプラテンリング側面部の下端に当接させることにより、プラテンリングの上下調節を可能にしたことを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか記載の静電チャックモジュール。 Form a through-hole that passes vertically through the outer peripheral edge of the base that supports the side surface of the platen ring, and insert a height adjustment screw from below into the through-hole, with its tip abutting against the lower end of the platen ring side surface. The electrostatic chuck module according to claim 1, wherein the platen ring can be adjusted vertically. ベース外周端の貫通穴の下方開口部に隣接して、高さ調節ネジを螺通するロックナットが固着されたことを特徴とする、請求項５記載の静電チャックモジュール。 6. The electrostatic chuck module according to claim 5, wherein a lock nut for threading the height adjusting screw is fixed adjacent to a lower opening of the through hole at the outer peripheral end of the base. 高さ調節ネジの先端が、プラテンリング側面部の下端に形成された凹部に嵌入されることを特徴とする、請求項５または６記載の静電チャックモジュール。 The electrostatic chuck module according to claim 5 or 6, wherein the tip of the height adjusting screw is fitted into a recess formed at the lower end of the side surface portion of the platen ring. １２０度間隔で３ヶ所に高さ調節ネジが用いられることを特徴とする、請求項５ないし７のいずれか記載の静電チャックモジュール。 8. The electrostatic chuck module according to claim 5, wherein height adjustment screws are used at three positions at intervals of 120 degrees. 高さ調節ネジにより、静電チャック上に支持されるウェハとプラテンリングとの間の上下隙間を０．２〜０．４ｍｍまたはそれ以下に調節可能であることを特徴とする、請求項５ないし８のいずれか記載の静電チャックモジュール。 6. The height adjustment screw can adjust the vertical gap between the wafer supported on the electrostatic chuck and the platen ring to 0.2 to 0.4 mm or less. The electrostatic chuck module according to any one of 8.
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