KR101155268B1 - Plasma display panel filter - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A plasma display panel filter is provided to manufacture a high refractive transparent thin film layer through a pulsed DC sputtering, thereby stably performing a deposition process without an arcing generation. CONSTITUTION: A repetition film(202) includes a first high refractive transparent thin film layer(210), a first oxide layer, and a metal thin film layer(214). A second high refractive transparent thin film layer(204) is arranged on the repetition film. The first high refractive transparent thin film layer is comprised of titanium dioxide(TiO2). The first high refractive transparent thin film layer is vapor deposited on a transparent substrate(200) or the corresponding metal thin film layer through a pulse DC sputtering using a TiOX target with a X range of 1.5 to 1.99.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 필터{PLASMA DISPLAY PANEL FILTER}Plasma Display Panel Filter {PLASMA DISPLAY PANEL FILTER}

본 발명은 PDP 필터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 추가적인 산화물층이 필요하지 않도록 TiOX 타겟을 사용하여, 특히 펄스 직류 스퍼터링 공정을 통하여 고굴절 투명박막층을 증착하는 PDP 필터에 관한 것이다. The present invention relates to a PDP filter, and more particularly, to a PDP filter for depositing a high refractive transparent thin film layer using a TiO X target, in particular through a pulsed direct current sputtering process so that no additional oxide layer is required.

플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP)은 현재 널리 사용되고 있는 디스플레이 소자로서, 기술 특성상 전자파 및 근적외선 등을 방출한다. 따라서, 이러한 전자파 등을 차단하기 위하여 PDP 패널 위에 아래의 도 1에 도시된 바와 같은 구조의 PDP 필터가 부착된다. Plasma Display Panels (PDPs) are widely used display devices and emit electromagnetic waves and near infrared rays due to their technical characteristics. Therefore, in order to block such electromagnetic waves, a PDP filter having a structure as shown in FIG. 1 below is attached to the PDP panel.

도 1은 일반적인 PDP 필터를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a general PDP filter.

도 1을 참조하면, PDP 필터는 순차적으로 형성된 투명 기판(100), 제 1 반복막(102-1), 제 2 반복막(102-2) 및 제 2 고굴절 투명박막층(Nb2O5, 104)으로 이루어진다. Referring to FIG. 1, a PDP filter may include a transparent substrate 100, a first repeating film 102-1, a second repeating film 102-2, and a second high refractive index thin film layer Nb 2 O 5 , 104 sequentially formed. )

제 1 반복막(102-1)은 투명 기판(100) 위에 형성되며, 제 1-1 고굴절 투명박막층(Nb2O5, 110-1), 제 1-1 산화물층(ITO, 112-1), 제 1-1 금속박막층(Ag, 114-1) 및 제 2-1 산화물층(ITO, 116-1)으로 이루어진다.The first repeating film 102-1 is formed on the transparent substrate 100, and the first-refractive refractive thin film layers Nb 2 O 5 and 110-1 and the first-first oxide layer ITO 112-1 are formed. , 1-1 metal thin film layers (Ag, 114-1) and 2-1 oxide layers (ITO, 116-1).

제 2 반복막(102-2)은 제 2-1 산화물층(116-1) 위에 형성되며, 제 1-2 고굴절 투명박막층(Nb2O5, 110-2), 제 1-2 산화물층(ITO, 112-2), 제 1-2 금속박막층(Ag, 114-2) 및 제 2-2 산화물층(ITO, 116-2)으로 이루어진다. The second repeating film 102-2 is formed on the 2-1 oxide layer 116-1, the 1-2 high refractive index thin film layers Nb 2 O 5 , 110-2, and the 1-2 oxide layer ( ITO, 112-2), 1-2 metal thin film layers (Ag, 114-2) and 2-2 oxide layers (ITO, 116-2).

이러한 구조의 PDP 필터에서 고굴절 투명박막층(110-2 또는 104) 성막시 반응성 성막법이 사용되며, 이 과정에서 Nb2O5 특성상 다량의 산소 가스가 사용된다. 여기서, 산화물층(116-1 또는 116-2)이 형성되지 않아서 다량의 산소 가스가 금속박막층(114-1 또는 114-2)에 직접적으로 접촉되면, 금속박막층(114-1 또는 114-2)이 금속으로 이루어지므로 상기 산소 가스에 의해 그의 전기 전도도가 열화될 수 있다. In the PDP filter having such a structure, a reactive film formation method is used to form the high refractive index transparent film layer 110-2 or 104. In this process, a large amount of oxygen gas is used due to Nb 2 O 5 characteristics. Here, when the oxide layer 116-1 or 116-2 is not formed and a large amount of oxygen gas is in direct contact with the metal thin film layer 114-1 or 114-2, the metal thin film layer 114-1 or 114-2. Since it is made of this metal, its electrical conductivity may be degraded by the oxygen gas.

따라서, 종래의 PDP 필터는 고굴절 투명박막층(110-2 또는 104)과 해당 금속박막층(114-1 또는 114-2) 사이에 제 2 산화물층(116-1 또는 116-2)을 형성하여 상기 산소 가스로 인한 금속박막층(114-1 또는 114-2)의 전기 전도도 열화를 방지시킨다. Therefore, the conventional PDP filter forms the second oxide layer 116-1 or 116-2 between the high refractive index transparent film layer 110-2 or 104 and the metal thin film layer 114-1 or 114-2 to form the oxygen. It prevents the electrical conductivity deterioration of the metal thin film layer 114-1 or 114-2 by a gas.

즉, 금속박막층(114-1 또는 114-2)의 전기 전도도의 열화를 방지하기 위하여 제 2 산화물층(116-1 또는 116-2)을 반드시 필요로 하며, 그 결과 상기 PDP 필터의 두께가 두꺼워질 수밖에 없어서 상기 PDP 필터의 광투과율이 저하될 수 있고, 제조 비용 및 제조 공정 시간이 증가될 수 있다.That is, in order to prevent deterioration of the electrical conductivity of the metal thin film layer 114-1 or 114-2, the second oxide layer 116-1 or 116-2 is necessary. As a result, the thickness of the PDP filter is thick. Inevitably, the light transmittance of the PDP filter may be reduced, and manufacturing cost and manufacturing process time may be increased.

또한, 고굴절 투명박막층(110-2 또는 104)을 반응성 성막 공정을 통하여 성막하면, 고굴절 투명박막층(110-2 또는 104)으로 사용되는 재료(Nb2O5)의 특성상 증착 속도가 느린 단점이 있었다. In addition, when the high refractive index transparent film layer 110-2 or 104 is formed through a reactive film formation process, there is a disadvantage that the deposition rate is slow due to the characteristics of the material (Nb 2 O 5 ) used as the high refractive index transparent film layer 110-2 or 104. .

게다가, 도 1의 PDP 필터의 구조는 저반사 특성 및 반사색상 특성을 저하시키는 문제점이 발생할 수 있다. 상세하게는, 도 1에 도시된 바와 같이 모두 동일한 두께의 고굴절 투명박막층들(110-1, 110-2 및 104)을 사용하면, 저반사 영역(반사율 약 8% 이하)의 파장 구간이 상당히 좁게 형성되어서 PDP 패널의 경사에 따라 반사색상이 많이 변화될 수 있었다. In addition, the structure of the PDP filter of FIG. 1 may cause a problem of lowering low reflection characteristics and reflection color characteristics. Specifically, when the high refractive transparent thin film layers 110-1, 110-2, and 104 having the same thickness are all used as shown in FIG. As a result, the reflection color could be changed according to the inclination of the PDP panel.

본 발명의 목적은 증착 속도를 향상시키면서 그의 두께를 감소시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 필터를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a plasma display panel filter capable of reducing its thickness while improving the deposition rate.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 필터는 투명 기판; 상기 투명 기판 위에 배열되며, 제 1 고굴절 투명박막층, 제 1 산화물층 및 금속박막층을 가지는 적어도 하나의 반복막; 및 상기 반복막 위에 배열된 제 2 고굴절 투명박막층을 포함한다. 여기서, 상기 제 1 고굴절 투명박막층은 이산화티타늄(TiO2)로 이루어지며, TiOX (x=1.5~1.99) 타겟을 사용하는 펄스 직류 스퍼터링(Pulsed DC Sputtering)을 통하여 상기 투명 기판 또는 해당 금속박막층 위에 증착된다.In order to achieve the above object, the plasma display panel filter according to an embodiment of the present invention comprises a transparent substrate; At least one repeating layer arranged on the transparent substrate and having a first high refractive index transparent thin film layer, a first oxide layer and a metal thin film layer; And a second high refractive index transparent thin film layer arranged on the repeating film. The first high refractive index transparent thin film layer is made of titanium dioxide (TiO 2 ), and is formed on the transparent substrate or the corresponding metal thin film layer through pulsed DC sputtering using a TiO X (x = 1.5 to 1.99) target. Is deposited.

본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 필터의 고굴절 투명박막층이 TiOX (x=1.5~1.99) 타겟을 사용함에 의해 소량의 산소 분위기에서 증착되므로, 해당 금속박막층의 전기 전도도가 상기 산소 가스로 인하여 열화되지 않으므로 상기 고굴절 투명박막층과 해당 금속층 사이에 별도의 산화물층이 형성되지 않을 수 있다. 결과적으로, 상기 PDP 필터의 두께가 얇아질 수 있어서 광투과율이 향상되고, 상기 PDP 필터의 제조 단가 및 제조 시간이 감소할 수 있는 장점이 있다. Since the high refractive index transparent thin film layer of the PDP filter according to the embodiment of the present invention is deposited in a small amount of oxygen atmosphere by using a TiO X (x = 1.5 to 1.99) target, the electrical conductivity of the metal thin film layer is deteriorated due to the oxygen gas. Therefore, a separate oxide layer may not be formed between the high refractive index transparent thin film layer and the metal layer. As a result, the thickness of the PDP filter can be reduced, so that the light transmittance is improved, and the manufacturing cost and manufacturing time of the PDP filter can be reduced.

또한, 상기 고굴절 투명박막층이 펄스 직류 스퍼터링 공정을 통하여 제조되므로, 증착 속도가 향상되면서도 아킹 발생없이 증착 공정이 안정적으로 수행될 수 있다. In addition, since the high refractive index thin film layer is manufactured through a pulsed DC sputtering process, the deposition process may be stably performed without any arcing while improving the deposition rate.

본 발명의 다른 실시예에 따른 PDP 필터에서 고굴절 투명박막층들 중 중간에 위치하는 고굴절 투명박막층의 두께가 최하부의 고굴절 투명박막층의 두께와 최상부의 고굴절 투명박막층의 두께의 합보다 크게 형성되므로, 상기 PDP 필터의 저반사 특성 및 반사색상 특성이 개선될 수 있는 장점이 있다. In the PDP filter according to another embodiment of the present invention, since the thickness of the high refractive transparent thin film layer positioned in the middle of the high refractive transparent thin film layers is formed to be greater than the sum of the thickness of the lowermost high refractive transparent thin film layer and the uppermost high refractive transparent thin film layer, the PDP There is an advantage that the low reflection characteristics and the reflection color characteristics of the filter can be improved.

도 1은 일반적인 PDP 필터를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 필터를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 펄스 직류 스퍼터링 과정을 도시한 도면이다.
도 4는 쉴드에 인가되는 전압의 파형을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 4개의 금속박막층들을 포함하는 PDP 필터를 도시한 단면도이다.
도 6은 도 5의 PDP 필터에 대한 광투과율 그래프를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 PDP 필터를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a general PDP filter.
2 is a cross-sectional view showing a PDP filter according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating a pulsed DC sputtering process according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating a waveform of a voltage applied to a shield.
5 is a cross-sectional view illustrating a PDP filter including four metal thin layers according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram illustrating a light transmittance graph of the PDP filter of FIG. 5.
7 is a cross-sectional view showing a PDP filter according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. As the invention allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the written description. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 필터를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a PDP filter according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 실시예의 PDP 필터는 PDP 패널로부터 발생되는 전자파 및 근적외선 등을 차단하는 소자로서, 순차적으로 배열된 투명 기판(200), 적어도 하나의 반복막(202) 및 제 2 고굴절 투명박막층(204)을 포함한다. Referring to FIG. 2, the PDP filter according to the present embodiment is an element that blocks electromagnetic waves and near infrared rays generated from a PDP panel, and includes a transparent substrate 200, at least one repeating film 202, and a second high refractive index transparent array. The thin film layer 204 is included.

투명 기판(200)은 가시광선에 대한 투과율이 우수한 물질로 이루어지며, 예를 들어 폴리에틸렌텔레프탈레이트(Poly ethylene terephthalate, PET) 등과 같은 플라스틱 필름층, 아크릴 수지 등으로 이루어진 플라스틱 시트 또는 디스플레이용으로 사용되는 반강화 유리 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 투명 기판(200)은 80% 이상의 가시광선 투과율을 가지며, 내열성을 가지는 것이 바람직하다. The transparent substrate 200 is made of a material having excellent transmittance to visible light, for example, a plastic film layer such as polyethylene terephthalate (PET), a plastic sheet made of acrylic resin, or the like used for display Semi-tempered glass; The transparent substrate 200 has a visible light transmittance of 80% or more, and preferably has heat resistance.

반복막(202)은 실질적으로 전자파 및 근적외선 등을 차단하는 막으로서, 투명 기판(200) 위에 배열된다. 다만, 복수의 반복막들(202), 예를 들어 4개의 반복막들(202)이 투명 기판(200) 위에 순차적으로 배열될 수 있다. The repeating film 202 is a film that substantially blocks electromagnetic waves, near infrared rays, and the like, and is arranged on the transparent substrate 200. However, a plurality of repeating layers 202, for example four repeating layers 202, may be sequentially arranged on the transparent substrate 200.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 하나의 반복막(202)은 제 1 고굴절 투명박막층(210), 산화물층(212) 및 금속박막층(214)으로 이루어진다. According to one embodiment of the present invention, one repeating film 202 includes a first high refractive index transparent thin film layer 210, an oxide layer 212 and a metal thin film layer 214.

제 1 고굴절 투명박막층(210)은 투명 기판(200) 위에 배열되며, 고굴절 특징을 가지면서 가시광선에 대한 투과율이 우수한 산화물로 이루어진다. 바람직하게는, 제 1 고굴절 투명박막층(210)은 지구상에 많이 존재하고 값이 싸면서 우수한 광학 특성을 가지는 이산화티타늄(TiO2)으로 이루어진다. 여기서, TiO2는 rutile, anatase, broookite의 세가지 결정 형태를 가지는 소재로서, 가시광선 및 적외선 영역에서 높은 투과율 특성을 가진다. The first high refractive index transparent thin film layer 210 is arranged on the transparent substrate 200 and is made of an oxide having high refractive index and excellent transmittance to visible light. Preferably, the first high refractive index transparent thin film layer 210 is made of titanium dioxide (TiO 2 ), which exists a lot on the earth and is inexpensive and has excellent optical properties. Here, TiO 2 is a material having three crystal forms of rutile, anatase, and broookite, and has high transmittance characteristics in the visible and infrared regions.

물론, 제 1 고굴절 투명박막층(210)은 고굴절 특징을 가지면서 높은 투명성을 가지는 한 TiO2로서 제한되지 않고 Nb2o5, SnO2 등과 같은 물질로 이루어질 수도 있으나, 후술하는 바와 같이 펄스 직류 스퍼터링 공정 및 광학 특성 등을 모두 고려할 때 TiO2로 이루어지는 것이 바람직하다. Of course, the first high refractive transparent thin film layer 210 is not limited to TiO 2 as long as it has high refractive characteristics and high transparency, but may be made of a material such as Nb 2 o 5 , SnO 2 , but as described below, a pulsed DC sputtering process And TiO 2 in consideration of both optical characteristics and the like.

본 발명의 일 실시예에 따르면, TiO2로 이루어진 제 1 고굴절 투명박막층(210)은 약 10㎚ 내지 약 35㎚의 두께를 가질 수 있으며, 산화물 타겟(target), 바람직하게는 TiOX (x=1.5~1.99) 타겟을 사용하여 기판(100) 또는 직전막인 제 2 고굴절 투명박막층(204) 위에 증착될 수 있다. 특히, 제 1 고굴절 투명박막층(210)은 저산소 분위기에서 펄스 직류 스퍼터링 공정(Pulsed DC Sputtering Process)을 통하여 성막될 수 있으며, 이 경우 조밀하면서도 표면 경도가 우수한 제 1 고굴절 투명박막층(210)이 형성될 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술하겠다. According to an embodiment of the present invention, the first high refractive index transparent thin film layer 210 formed of TiO 2 may have a thickness of about 10 nm to about 35 nm, and an oxide target, preferably TiO X (x = 1.5 to 1.99) using the target can be deposited on the substrate 100 or the second high refractive index transparent thin film layer 204, which is the previous film. In particular, the first high refractive index transparent thin film layer 210 may be formed through a pulsed DC sputtering process in a low oxygen atmosphere, in which case the first high refractive index transparent thin film layer 210 having a high surface hardness and a dense surface may be formed. Can be. Detailed description thereof will be described later.

산화물층(212)은 금속박막층(214)과 소정 굴절률 차이를 가지는 물질로 이루어지며, 상기 굴절률 차에 따라 금속박막층(214)의 가시광 반사가 방지될 수 있다. 또한, 광이 잘 투과해야 하므로, 산화물층(212)은 가시광에 대한 높은 투명도를 가지는 물질, 예를 들어 인듐, 티탄, 지르코늄, 알루미늄, 주석, 아연 등의 금속 산화물 또는 이들 금속 산화물들의 혼합물 등으로 이루어질 수 있다. The oxide layer 212 is made of a material having a predetermined refractive index difference from the metal thin film layer 214, and the visible light reflection of the metal thin film layer 214 may be prevented according to the difference in refractive index. In addition, since the light must be well transmitted, the oxide layer 212 may be formed of a material having high transparency to visible light, for example, a metal oxide such as indium, titanium, zirconium, aluminum, tin, zinc, or a mixture of these metal oxides. Can be done.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 산화물층(212)은 성막 속도가 빠르고 금속박막층(214)과의 밀착성 등이 우수한 AZO 또는 ITO로 이루어질 수 있다. 다만, ITO의 원료물질인 인듐(In)의 생산단가가 높고 플라즈마에 노출되는 경우 열화되어 특성이 변화되므로, 단가가 저렴하면서 플라즈마에 대한 내구성이 우수한 AZO가 산화물층(212)의 재료로 사용되는 것이 바람직하다. According to an embodiment of the present invention, the oxide layer 212 may be made of AZO or ITO having a high film forming speed and excellent adhesion to the metal thin film layer 214. However, since the production cost of indium (In), which is a raw material of ITO, is high and deteriorated when exposed to plasma, AZO is used as the material of the oxide layer 212 because it is inexpensive and has excellent durability against plasma. It is preferable.

이러한 산화물층(212)은 제 1 고굴절 투명박막층(210)보다 얇은 두께인 약 3㎚ 내지 약 7㎚의 두께를 가질 수 있다. The oxide layer 212 may have a thickness of about 3 nm to about 7 nm, which is thinner than the first high refractive index transparent thin film layer 210.

금속박막층(214)은 접지 역할을 수행하는 커버(미도시) 등에 전기적으로 연결되어 PDP 패널로부터 발생되는 전자파 등을 차단시키며, 이를 위하여 전도성이 우수한 은(Ag) 또는 은을 함유한 합금으로 이루어진다. 즉, 상기 PDP 패널로부터 발생된 전자파는 금속박막층(214)을 통하여 커버로 방전된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 금속박막층(214)은 약 10㎚ 내지 약 13㎚의 두께를 가질 수 있다. The metal thin film layer 214 is electrically connected to a cover (not shown), which serves as a ground, to block electromagnetic waves generated from the PDP panel, and is made of silver (Ag) or an alloy containing silver having excellent conductivity. That is, electromagnetic waves generated from the PDP panel are discharged to the cover through the metal thin film layer 214. According to an embodiment of the present invention, the metal thin film layer 214 may have a thickness of about 10 nm to about 13 nm.

제 2 고굴절 투명박막층(204)은 금속박막층(214) 상에 형성되며, TiO2로 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, TiO2로 이루어진 제 2 고굴절 투명박막층(204)은 TiOX (x=1.5~1.99) 타겟을 사용하여 성막되며, 특히 펄스 직류 스퍼터링 공정을 통하여 저산소 분위기에서 형성될 수 있다. 결과적으로, 후술하는 바와 같이 금속박막층(214)과 제 2 고굴절 투명박막층(204) 사이에 별도의 산화물층을 필요로 하지 않는다. The second high refractive index transparent thin film layer 204 is formed on the metal thin film layer 214 and may be made of TiO 2 . According to one embodiment of the invention, the second high refractive index transparent thin film layer 204 made of TiO 2 is formed using a TiO X (x = 1.5 ~ 1.99) target, in particular to be formed in a low oxygen atmosphere through a pulsed DC sputtering process Can be. As a result, a separate oxide layer is not required between the metal thin film layer 214 and the second high refractive transparent thin film layer 204 as described later.

이러한 제 2 고굴절 투명박막층(204)은 약 10㎚ 내지 약 35㎚의 두께를 가질 수 있다. The second high refractive index transparent thin film layer 204 may have a thickness of about 10 nm to about 35 nm.

이하, 본 발명의 고굴절 투명박막층을 성막하는 공정과 종래의 고굴절 투명박막층을 성막하는 공정을 비교하겠다. Hereinafter, the process of forming a high refractive index transparent thin film layer of this invention and the process of forming a conventional high refractive index transparent thin film layer are compared.

종래 PDP 필터를 제조하는 공정에서는, 고굴절 투명박막층(Nb2O5)을 코팅하는 동안 대량의 산소 가스가 사용되었으며, 그 결과 상기 산소 가스로 인하여 금속박막층(Ag)의 전기 전도도가 열화될 수 있어서 고굴절 투명박막층(Nb2O5)을 형성하기 전에 금속박막층(Ag) 위에 산화물층(ITO)을 더 형성한다. 즉, 상기 산소 가스가 상기 금속박막층에 직접적으로 접촉하지 않도록 상기 금속박막층과 고굴절 투명박막층(Nb2O5) 사이에 산화물층(ITO)을 형성한다. In the process of manufacturing a conventional PDP filter, a large amount of oxygen gas was used during the coating of the high refractive index transparent thin film layer (Nb 2 O 5 ), and as a result, the electrical conductivity of the metal thin film layer (Ag) may be degraded due to the oxygen gas. Before forming the high refractive transparent thin film layer Nb 2 O 5 , an oxide layer ITO is further formed on the metal thin film layer Ag. That is, an oxide layer ITO is formed between the metal thin film layer and the high refractive transparent thin film layer Nb 2 O 5 so that the oxygen gas does not directly contact the metal thin film layer.

반면에, 본 발명의 PDP 필터를 제조하는 공정에서는, 산화 상태를 유지하지만 전기가 통할 수 있는 수준의 전도도를 가지는 타켓, 즉 TiOX (x=1.5~1.99) 타겟을 사용하며, 그 결과 대량의 산소 가스를 투입하지 않고 소량의 산소 가스만 투입하고도 제 2 고굴절 투명박막층(204)을 성막할 수 있다. 상세하게는, 종래의 고굴절 투명박막층을 성막할 때에는 아르곤 가스와 산소 가스가 각기 약 200sccm 사용되는 반면에, 본 발명의 제 2 고굴절 투명박막층(204) 성막시에는 아르곤 가스가 약 200sccm 이 사용될 때 산소 가스는 약 5sccm(아르곤 대비 약 2.5%)만이 사용된다. 다시 말하면, 종래 기술에서는 약 200sccm의 산소 가스가 요구되는 반면에, 본 발명에서는 약 5sccm의 산소 가스만이 요구된다. 여기서, 약 5sccm의 산소 가스가 제 2 고굴절 투명박막층(204)에 직접적으로 접촉한다고 하여도, 금속박막층(Ag)의 전기 전도도가 거의 열화되지 않을 수 있다. 따라서, 종래 기술에서와 달리 금속박막층(214)과 제 2 고굴절 투명박막층(204) 사이에 별도의 산화물층을 필요로 하지 않는다. 특히, TiOX (x=1.5~1.99) 타겟을 사용할 때 사용되는 산소 가스의 양이 Nb2o5 등과 같은 고굴절 물질을 사용할 때에 비하여 상당히 적게 요구되므로, 금속박막층(Ag)의 전기 전도도가 더 잘 유지될 수 있다. On the other hand, in the process of manufacturing the PDP filter of the present invention, a target that maintains an oxidized state but has a conductivity level that is electrically conductive, that is, a TiO X (x = 1.5 to 1.99) target is used, and as a result, The second high refractive index transparent thin film layer 204 can be formed even if only a small amount of oxygen gas is added without introducing oxygen gas. Specifically, when the conventional high refractive index transparent film layer is formed, argon gas and oxygen gas are respectively used at about 200 sccm, whereas when the second high refractive index transparent film layer 204 is formed, the oxygen is used when about 200 sccm is used. Only about 5 sccm of gas (about 2.5% of argon) is used. In other words, in the prior art, about 200 sccm of oxygen gas is required, while in the present invention, only about 5 sccm of oxygen gas is required. Here, even if the oxygen gas of about 5 sccm is in direct contact with the second high refractive transparent thin film layer 204, the electrical conductivity of the metal thin film layer Ag may hardly deteriorate. Therefore, unlike the prior art, a separate oxide layer is not required between the metal thin film layer 214 and the second high refractive index transparent thin film layer 204. In particular, since the amount of oxygen gas used when using a TiO X (x = 1.5 to 1.99) target is significantly smaller than that when using a high refractive material such as Nb 2 o 5 , the electrical conductivity of the metal thin film layer (Ag) is better. Can be maintained.

위에서는, 제 2 고굴절 투명박막층(204)을 형성하기 위하여 TiOX (x=1.5~1.99) 타겟이 사용되었으나, TiO2 타켓이 대신 사용될 수도 있다. 그러나, TiO2 타켓을 사용하면, TiO2 타켓이 높은 저항, 즉 낮은 전도도 특성을 가지기 때문에 TiO2 타켓에 인가되는 전력을 높게 하면 아킹(arcing)이 발생될 수 있다. 따라서, TiO2 타켓 사용시 TiO2 타켓에 인가되는 전력을 낮게 유지하여야 하나, 이것은 증착 속도를 느리게 하는 원인이 된다. 또한, TiO2 타켓을 사용할 경우에는 많은 양의 산소 가스를 필요로 한다. 따라서, 증착 속도, 산소 가스의 양 등을 고려할 때 제 2 고굴절 투명박막층(204) 성막시 TiOX (x=1.5~1.99) 타겟을 사용하는 것이 바람직하다. In the above, although the TiO X (x = 1.5 to 1.99) target was used to form the second high refractive transparent thin film layer 204, a TiO 2 target may be used instead. However, when the TiO 2 target, it can be when the power applied to the TiO 2 target a highly arcing (arcing) because it has caused a TiO 2 target with the high resistance, that is, low conductivity properties. Therefore, to be kept low, the power applied to the TiO 2 target using a TiO 2 target, and this causes to slow the evaporation rate. In addition, when using a TiO 2 target, a large amount of oxygen gas is required. Therefore, in consideration of the deposition rate and the amount of oxygen gas, it is preferable to use a TiO X (x = 1.5 to 1.99) target when forming the second high refractive index transparent thin film layer 204.

요컨대, 본 발명의 PDP 필터는 TiOX (x=1.5~1.99) 타겟을 사용하여 고굴절 투명박막층(210 또는 204)을 형성한다. 결과적으로, 직전 금속박막층(214)과 제 2 고굴절 투명박막층(204) 사이에 별도의 산화물층이 형성되지 않아도 된다. 따라서, 본 발명의 PDP 필터의 두께가 종래의 PDP 필터보다 얇게 형성될 수 있으며, 그 결과 상기 PDP 필터의 광투과율이 향상될 수 있다. 또한, 추가적인 산화물층이 요구되지 않으므로, 타켓 비용, 즉 제조 비용이 절감될 뿐만 아니라 증착 공정도 간소화될 수 있다. In short, the PDP filter of the present invention forms a high refractive transparent thin film layer 210 or 204 using a TiO X (x = 1.5 to 1.99) target. As a result, a separate oxide layer does not need to be formed between the immediately preceding metal thin film layer 214 and the second high refractive index transparent thin film layer 204. Therefore, the thickness of the PDP filter of the present invention can be formed thinner than the conventional PDP filter, and as a result, the light transmittance of the PDP filter can be improved. In addition, since no additional oxide layer is required, not only the target cost, that is, the manufacturing cost, but also the deposition process can be simplified.

위에서는, 투명 기판(200) 위에 제 1 고굴절 투명박막층(210)을 성막할 때에도 TiOX (x=1.5~1.99) 타겟을 사용하는 것으로 설명하였으나, 열화될 금속박막층이 형성되어 있지 않으므로 TiO2 타켓 등이 사용될 수도 있다. 그러나, 일반적으로 대량 생산을 위하여 하나의 챔버 안에서 복수의 고굴절 투명박막층들이 형성될 것이므로, 저산소 분위기를 유지하기 위하여 투명 기판(200) 위에 제 1 고굴절 투명박막층(210)을 성막할 때에도 TiOX (x=1.5~1.99) 타겟을 사용하는 것이 바람직하다. In the above description, the TiO X (x = 1.5 to 1.99) target is also used to form the first high refractive index transparent thin film layer 210 on the transparent substrate 200. However, since the metal thin film layer to be degraded is not formed, the TiO 2 target is used. Or the like may be used. However, in general, since a plurality of high refractive index transparent thin films will be formed in one chamber for mass production, even when the first high refractive index transparent thin film layer 210 is deposited on the transparent substrate 200 to maintain a low oxygen atmosphere, TiO X (x = 1.5 ~ 1.99) It is preferable to use a target.

위 도 2에서는, 하나의 반복막(202)만을 도시하였으나, 복수의 반복막들(202)이 투명 기판(200) 위에 순차적으로 배열될 수 있다. 이 경우에도 고굴절 투명박막층 형성시 TiOX (x=1.5~1.99) 타겟을 사용하며, 따라서 반복막(202) 내에서 상기 고굴절 투명박막층과 그 하부의 금속박막층 사이에 별도의 산화물층을 형성하지 않을 수 있다. In FIG. 2, only one repeating film 202 is illustrated, but a plurality of repeating films 202 may be sequentially arranged on the transparent substrate 200. Even in this case, a TiO X (x = 1.5 to 1.99) target is used to form the high refractive transparent thin film layer, and thus, a separate oxide layer is not formed between the high refractive transparent thin film layer and the lower metal thin film layer in the repeating film 202. Can be.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 반복막들(202) 중 일부 고굴절 투명박막층은 반사 특성 등을 고려하여 다른 고굴절 투명박막층 또는 제 2 고굴절 투명박막층(204)의 두께와 다른 두께를 가질 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 첨부된 도면을 참조하여 후술하겠다. According to an embodiment of the present invention, some of the high refractive index transparent thin film layers of the repeating layers 202 may have a thickness different from that of the other high refractive index thin film layer or the second high refractive index transparent thin film layer 204 in consideration of reflection characteristics. Detailed description thereof will be described later with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 고굴절 투명박막층 형성시 증착 속도의 향상을 위하여 펄스 직류 스퍼터링 공정을 사용할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, a pulsed direct current sputtering process may be used to improve the deposition rate when forming a high refractive index transparent thin film layer.

이하, 펄스 직류 스퍼터링을 통한 고굴절 투명박막층 성막 과정을 첨부된 도면들을 참조하여 상술하겠다. Hereinafter, a process of forming a high refractive index transparent thin film through pulsed DC sputtering will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 펄스 직류 스퍼터링 과정을 도시한 도면이고, 도 4는 쉴드에 인가되는 전압의 파형을 도시한 도면이다.3 is a diagram illustrating a pulsed DC sputtering process according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram illustrating a waveform of a voltage applied to a shield.

우선 스퍼터링 장치를 살펴보면, 도 3에 도시된 바와 같이 챔버(300) 내에서 TiOX 타겟(302)이 배면판(Backing Plate, 304)에 고정되고, 기판(306)이 챔버(300)의 하부에 위치된다. 도시하지는 않았지만, 기판(306)은 기판 홀더 위에 놓여진다. First, referring to the sputtering apparatus, as shown in FIG. 3, the TiO X target 302 is fixed to the backing plate 304 in the chamber 300, and the substrate 306 is disposed below the chamber 300. Is located. Although not shown, the substrate 306 is placed on the substrate holder.

또한, 쉴드들(Shieds, 308a 및 308b)이 도 3에 도시된 바와 같이 TiOX 타겟(302)에 수직한 방향으로 하여 TiOX 타겟(302)의 외곽에 배열된다. 여기서, 쉴드들(308a 및 308b)은 애노드 특성을 가진다. Further, as in the shield (Shieds, 308a and 308b) shown in Figure 3 in a direction perpendicular to the X TiO target 302 is arranged in the periphery of TiO X target (302). Here, the shields 308a and 308b have an anode characteristic.

이러한 구조의 직류 스퍼터링 장치를 사용한 고굴절 투명박막층 성막 공정을 살펴보면, TiOX 타겟(302)이 장착되고 기판(306)이 놓여진 후, 진공 펌프(322)에 의해 챔버(300)가 진공상태로 변화된다. 여기서, 기판(306) 위에는 금속박막층이 형성되어 있다고 가정한다. Referring to the high refractive index thin film layer formation process using the DC sputtering apparatus having such a structure, after the TiO X target 302 is mounted and the substrate 306 is placed, the chamber 300 is changed into a vacuum state by the vacuum pump 322. . Here, it is assumed that a metal thin film layer is formed on the substrate 306.

이어서, 소정 비율로 혼합된 불활성 가스(예를 들어 아르곤 가스(Ar))와 산소 가스(O2)가 챔버(300) 내로 주입된다. 여기서, 산소 가스는 불활성 가스의 2.5% 비율로 혼합될 수 있다. Subsequently, an inert gas (eg argon gas Ar) and oxygen gas O 2 mixed at a predetermined ratio are injected into the chamber 300. Here, the oxygen gas may be mixed at a rate of 2.5% of the inert gas.

계속하여, 캐소드로서 동작하는 TiOX 타겟(302)과 애노드로서 동작하는 쉴드들(308a 및 308b)에 각기 특정 전압이 인가된다. 예를 들어, TiOX 타겟(302)에는 특정 직류 전압이 인가되고, 쉴드들(308a 및 308b)에는 도 4에 도시된 바와 같은 구형파 형태의 전압들이 인가될 수 있다. 여기서, 상기 구형파들 중 하나는 초기에 양의 전압(V1)으로 시작하여 극성을 전환하면서 변화되고, 나머지 구형파는 초기에 음의 전압(-V1)으로 시작하여 극성을 전환하면서 변화될 수 있다. 다만, 상기 구형파들은 상호 반대 극성을 가지면서 변화된다. Subsequently, a specific voltage is applied to the TiO X target 302 acting as a cathode and the shields 308a and 308b acting as an anode, respectively. For example, a specific DC voltage may be applied to the TiO X target 302, and voltages having a square wave shape as illustrated in FIG. 4 may be applied to the shields 308a and 308b. Here, one of the square waves may be changed while initially switching to a polarity starting with a positive voltage V1 and the remaining square waves may be changed while initially switching to a polarity starting with a negative voltage (-V1). However, the square waves are changed while having opposite polarities.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 펄스 직류 전원부(310)가 상기 전압들을 TiOX 타겟(302) 및 쉴드들(308a 및 308b)로 제공하며, 이러한 구형파 형태의 전압을 제공하기 위하여 직류 전원(320) 및 분배 제어부(322)를 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the pulsed DC power supply 310 provides the voltages to the TiO X target 302 and the shields 308a and 308b, and the DC power supply 320 to provide such a square wave voltage. And a distribution controller 322.

직류 전원(320)은 일정한 직류 전압을 발생시키며, 분배 제어부(322)는 상기 직류 전압을 그대로 또는 펄스 형태로 변형한 후 TiOX 타겟(302) 및 쉴드들(308a 및 308b)로 적절하게 분배시킨다. 여기서, 상기 구형파들의 주파수는 TiOX 타겟(302)이 높은 전기 저항을 가지므로 약 20㎑ 내지 150㎑로서 구동될 수 있다. The DC power source 320 generates a constant DC voltage, and the distribution controller 322 appropriately distributes the DC voltage to the TiO X target 302 and the shields 308a and 308b after the DC voltage is deformed as it is or in the form of a pulse. . Here, the frequency of the square waves may be driven as about 20 kHz to 150 kHz since the TiO X target 302 has a high electrical resistance.

이와 같이 전압이 인가되면, 아르곤 가스(Ar)가 글로우(glow) 방전되어 Ar+ 이온이 발생하며, 즉 플라즈마 상태로 변화된다. 여기서, Ar+ 이온은 도 3에 도시된 바와 같이 TiOX 타겟(302)에 충돌하며(도시하지는 않았지만 자기력을 이용하여 충돌을 활성화시킬 수 있음), 상기 충돌에 의해 TiOX 타겟(302)이 스퍼터(sputter)된다. 이렇게 스퍼터된 TiOX는 O2와 반응하여 TiO2로서 기판(306) 위에 증착된다. 예를 들어, 기판에 형성된 금속박막층 위에 TiO2가 증착되어 제 2 고굴절 투명 박막층이 형성된다. When the voltage is applied in this way, the argon gas Ar is glow discharged to generate Ar + ions, that is, change into a plasma state. Here, Ar + ions collide with the TiO X target 302 as shown in FIG. 3 (not shown, but may activate the collision by using magnetic force), and the collision causes the TiO X target 302 to sputter. is sputtered. This sputtered TiO X reacts with O 2 and is deposited on the substrate 306 as TiO 2 . For example, TiO 2 is deposited on the metal thin film layer formed on the substrate to form a second high refractive transparent thin film layer.

일반적으로, TiOX 타겟(302)의 저항이 높아서 단순 스퍼터링 방법을 사용하는 경우에는 아킹(arcing) 현상 등이 발생할 수 있으므로, 본 발명에서는 위에 언급한 바와 같이 펄스 직류 스퍼터링 방법을 사용하여 아킹 현상을 방지시킨다. 상세하게는, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 구형파들이 상호 반대 극성을 가지면서 변화되므로 쉴드들(308a 및 308b) 사이의 전기장이 계속적으로 변화되며, 그 결과 TiOX 타겟(302)의 저항이 높을지라도 아킹이 발생되지 않을 수 있다. 즉, 구형파의 전압들을 인가하여 고굴절 투명박막층을 기판 또는 금속박막층 위에 안정적으로 증착시킬 수 있다. In general, in the case of using the simple sputtering method due to the high resistance of the TiO X target 302, arcing may occur. In the present invention, as described above, the arcing phenomenon may be performed using a pulsed DC sputtering method. Prevent it. Specifically, as shown in FIG. 4, since the square waves are changed while having opposite polarities, the electric field between the shields 308a and 308b is continuously changed, so that the resistance of the TiO X target 302 is high. Even arcing may not occur. That is, by applying the voltages of the square wave, the high refractive transparent thin film layer can be stably deposited on the substrate or the metal thin film layer.

위에서는, 쉴드들(308a 및 308b)로 인가되는 각 전압의 듀티비가 1이었으나, 목적에 따라 듀티비가 다른 비율로 가변될 수 있다. 또한, TiOX 타겟(302)으로 전압을 공급하는 회로가 펄스 직류 전원부(310)와 별도로 존재할 수도 있다. In the above, the duty ratio of each voltage applied to the shields 308a and 308b was 1, but the duty ratio may vary at different ratios according to the purpose. In addition, a circuit for supplying a voltage to the TiO X target 302 may exist separately from the pulsed DC power supply 310.

요컨대, 본 발명의 고굴절 투명박막층의 증착은 증착 속도 향상을 위하여 직류 스퍼터링을 사용하며, 특히 TiOX 타겟(302)의 높은 저항으로 인한 아킹을 방지하기 위하여 펄스 직류 스퍼터링을 사용한다. In short, the deposition of the high refractive transparent thin film layer of the present invention uses direct current sputtering to improve the deposition rate, and in particular pulse direct current sputtering is used to prevent arcing due to the high resistance of the TiO X target 302.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 4개의 금속박막층들을 포함하는 PDP 필터를 도시한 단면도이고, 도 6은 도 5의 PDP 필터에 대한 광투과율 그래프를 도시한 도면이다. FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a PDP filter including four metal thin film layers according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a diagram illustrating a light transmittance graph of the PDP filter of FIG. 5.

도 5를 참조하면, 본 실시예의 PDP 필터는 순차적으로 적층된 투명 기판(500), 제 1 반복막(502-1), 제 2 반복막(502-2), 제 3 반복막(502-3), 제 4 반복막(502-4) 및 제 2 고굴절 투명박막층(504)을 포함한다. Referring to FIG. 5, the PDP filter according to the present embodiment may include a transparent substrate 500, a first repeating film 502-1, a second repeating film 502-2, and a third repeating film 502-3 sequentially stacked. ), A fourth repeating film 502-4 and a second high refractive index transparent thin film layer 504.

제 1 반복막(502-1)은 투명 기판(500) 위에 순차적으로 적층된 제 1-1 고굴절 투명박막층(510-1), 제 1-1 산화물층(512-1) 및 제 1-1 금속박막층(514-1)으로 이루어진다. The first repeating film 502-1 is a 1-1 high refractive index transparent film layer 510-1, a 1-1 oxide layer 512-1, and a 1-1 metal sequentially stacked on the transparent substrate 500. The thin film layer 514-1 is formed.

제 2 반복막(502-2)은 제 1-1 금속박막층(514-1) 위에 순차적으로 적층된 제 1-2 고굴절 투명박막층(510-2), 제 1-2 산화물층(512-2) 및 제 1-2 금속박막층(514-2)으로 이루어진다. The second repeating film 502-2 is a first 1-2 high refractive transparent thin film layer 510-2 and a second oxide layer 512-2 sequentially stacked on the 1-1 metal thin film layer 514-1. And the first 1-2 metal thin film layer 514-2.

제 3 반복막(502-3)은 제 1-2 금속박막층(514-2) 위에 순차적으로 적층된 제 1-3 고굴절 투명박막층(510-3), 제 1-3 산화물층(512-3) 및 제 1-3 금속박막층(514-3)으로 이루어진다. The third repeating film 502-3 is a first high refractive index transparent film layer 510-3 and a first oxide layer 512-3, which are sequentially stacked on the 1-2 metal thin film layer 514-2. And the first metal thin film layer 514-3.

제 4 반복막(502-4)은 제 1-3 금속박막층(514-3) 위에 순차적으로 적층된 제 1-4 고굴절 투명박막층(510-4), 제 1-4 산화물층(512-4) 및 제 1-4 금속박막층(514-4)으로 이루어진다. The fourth repeating film 502-4 is the first-4 high refractive index transparent film layer 510-4 and the first-4 oxide layer 512-4 sequentially stacked on the first 1-3 metal thin film layer 514-3. And a first-4 metal thin film layer 514-4.

이러한 구조의 PDP 필터에서, 제 1-1 고굴절 투명박막층(510-1)은 25㎚의 두께를 가지고, 제 1-1 산화물층(512-1)은 5㎚의 두께를 가지며, 제 1-1 금속박막층(514-1)은 10㎚의 두께를 가지도록 설정된다. 또한, 제 1-2 고굴절 투명박막층(510-2)은 55㎚의 두께를 가지고, 제 1-2 산화물층(512-2)은 5㎚의 두께를 가지며, 제 1-2 금속박막층(514-2)은 10㎚의 두께를 가지도록 설정된다. 게다가, 제 1-3 고굴절 투명박막층(510-3)은 55㎚의 두께를 가지고, 제 1-3 산화물층(512-3)은 5㎚의 두께를 가지며, 제 1-3 금속박막층(514-3)은 10㎚의 두께를 가지도록 설정된다. 더욱이, 제 1-4 고굴절 투명박막층(510-4)은 55㎚의 두께를 가지고, 제 1-4 산화물층(512-4)은 5㎚의 두께를 가지며, 제 1-4 금속박막층(514-4)은 10㎚의 두께를 가지고, 제 2 고굴절 투명박막층(504)은 25㎚의 두께를 가지도록 설정된다. In the PDP filter having such a structure, the 1-1 high refractive index transparent thin film layer 510-1 has a thickness of 25 nm, the 1-1 oxide layer 512-1 has a thickness of 5 nm, and the 1-1 The metal thin film layer 514-1 is set to have a thickness of 10 nm. In addition, the 1-2 high refractive index thin film layer 510-2 has a thickness of 55 nm, the 1-2 oxide layer 512-2 has a thickness of 5 nm, and the 1-2 metal thin film layer 514-. 2) is set to have a thickness of 10 nm. In addition, the 1-3 high refractive index thin film layer 510-3 has a thickness of 55 nm, the 1-3 oxide layer 512-3 has a thickness of 5 nm, and the 1-3 metal thin film layer 514-. 3) is set to have a thickness of 10 nm. Furthermore, the 1-4th high refractive index thin film layer 510-4 has a thickness of 55 nm, the 1-4 oxide layer 512-4 has a thickness of 5 nm, and the 1-4 metal thin film layer 514-. 4) has a thickness of 10 nm, and the second high refractive index transparent thin film layer 504 is set to have a thickness of 25 nm.

이러한 두께로 설정한 후 광투과율을 측정한 결과 도 6에 도시된 바와 같이 가시광선 영역, 특히 약 500㎚ 파장 부근에서 높은 광투과율을 획득하였다. As a result of measuring the light transmittance after setting to such a thickness, as shown in FIG. 6, a high light transmittance was obtained in the visible light region, particularly around the wavelength of about 500 nm.

종래와 비교할 때, 종래의 PDP 필터에서는 550㎚ 파장에서 약 80%의 광투과율이 획득되는 반면에, 본 실시예의 PDP 필터에서는 550㎚ 파장에서 약 85%의 광투과율을 획득하였다. 즉, 본 실시예의 PDP 필터의 광투과율이 종래의 PDP 필터의 광투과율보다 높아질 수 있다. Compared with the prior art, about 80% light transmittance is obtained at 550 nm wavelength in the conventional PDP filter, while about 85% light transmittance is obtained at the 550 nm wavelength in the PDP filter of this embodiment. That is, the light transmittance of the PDP filter of the present embodiment can be higher than the light transmittance of the conventional PDP filter.

위의 PDP 필터 구조를 다시 살펴보면, 제 1-2 고굴절 투명박막층(510-2), 제 1-3 고굴절 투명박막층(510-3) 또는 제 1-4 고굴절 투명박막층(510-4)의 두께(55㎚)는 제 1-1 고굴절 투명박막층(501-1)의 두께(25㎚)와 제 2 고굴절 투명박막층(504)의 두께 합(㎚)보다 크다는 것이 확인된다. 이렇게 두께를 설정하면, 저반사 영역(반사율 약 8% 이하)의 파장 구간이 더 넓어지고 PDP 패널의 경사와 관계없이 반사색상의 변화가 거의 일어나지 않는다. 즉, PDP 필터의 저반사 특성 및 반사색상 특성이 개선될 수 있다. Looking back at the above PDP filter structure, the thickness of the 1-2 high refractive index transparent thin film layer 510-2, 1-3 high refractive index transparent thin film layer 510-3 or 1-4 high refractive index transparent thin film layer 510-4 ( 55 nm) is confirmed to be larger than the thickness (25 nm) of the 1-1 high refractive index transparent thin film layer 501-1 and the thickness (nm) of the 2nd high refractive index transparent thin film layer 504. When the thickness is set in this way, the wavelength range of the low reflection region (reflectance of about 8% or less) becomes wider and the change of the reflection color hardly occurs regardless of the inclination of the PDP panel. That is, the low reflection characteristic and the reflection color characteristic of the PDP filter can be improved.

위의 도 2 및 도 5에서 도시하지는 않았지만, 투명 기판(200 또는 500)의 하부에 색보정막, 근적외선 차폐막 및 반사방지막 등이 더 형성될 수도 있다. Although not shown in FIGS. 2 and 5 above, a color correction film, a near infrared shielding film, an antireflection film, and the like may be further formed under the transparent substrate 200 or 500.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 PDP 필터를 도시한 단면도이다. 7 is a cross-sectional view showing a PDP filter according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 실시예의 PDP 필터는 순차적으로 적층된 투명 기판(700), 제 1 반복막(702-1), 제 2 반복막(702-2) 및 제 2 고굴절 투명박막층(704)을 포함한다. Referring to FIG. 7, the PDP filter according to the present embodiment may include a transparent substrate 700, a first repeating film 702-1, a second repeating film 702-2, and a second high refractive transparent thin film layer 704 sequentially stacked. It includes.

제 1 반복막(702-1)은 제 1-1 고굴절 투명박막층(710-1), 제 1-1 산화물층(712-1), 제 1-1 금속박막층(714-1) 및 제 2-1 산화물층(716-1)으로 이루어진다. The first repeating film 702-1 includes the 1-1 high refractive index transparent thin film layer 710-1, the 1-1 oxide layer 712-1, the 1-1 metal thin film layer 714-1, and the 2-second. 1 oxide layer 716-1.

제 2 반복막(702-2)은 제 1-2 고굴절 투명박막층(710-2), 제 1-2 산화물층(712-2), 제 1-2 금속박막층(714-2) 및 제 2-2 산화물층(716-2)으로 이루어진다. The second repeating film 702-2 includes the 1-2 high refractive index thin film layer 710-2, the 1-2 oxide layer 712-2, the 1-2 metal thin film layer 714-2, and the second layer 2-2. 2 oxide layer 716-2.

즉, 금속박막층(714-1 또는 714-2)과 고굴절 투명박막층(710-2 또는 704) 사이에 제 2 산화물층(716-1 또는 716-2)이 형성될 수 있다. 여기서, 고굴절 투명박막층(710-1, 710-2 또는 704) 형성시 TiOX (x=1.5~1.99) 타겟을 사용하므로, 제 2 산화물층(716-1 또는 716-2)은 형성되더다도 최대한 얇게 형성될 수 있다.That is, the second oxide layer 716-1 or 716-2 may be formed between the metal thin film layer 714-1 or 714-2 and the high refractive index transparent thin film layer 710-2 or 704. Here, since the TiO X (x = 1.5 to 1.99) target is used to form the high refractive index thin film layer 710-1, 710-2, or 704, the second oxide layer 716-1 or 716-2 is formed as much as possible. It can be formed thin.

상기한 본 발명의 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다. The embodiments of the present invention described above are disclosed for purposes of illustration, and those skilled in the art having ordinary knowledge of the present invention may make various modifications, changes, and additions within the spirit and scope of the present invention. Should be considered to be within the scope of the following claims.

Claims (7)

투명 기판;
상기 투명 기판 위에 배열되며, 제 1 고굴절 투명박막층, 제 1 산화물층 및 금속박막층을 가지는 적어도 하나의 반복막; 및
상기 반복막 위에 배열된 제 2 고굴절 투명박막층을 포함하되,
상기 제 1 고굴절 투명박막층은 이산화티타늄(TiO2)로 이루어지며, TiOX (x=1.5~1.99) 타겟을 사용하는 펄스 직류 스퍼터링(Pulsed DC Sputtering)을 통하여 상기 투명 기판 또는 해당 금속박막층 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 필터. A transparent substrate;
At least one repeating layer arranged on the transparent substrate and having a first high refractive index transparent thin film layer, a first oxide layer and a metal thin film layer; And
Including a second high refractive index transparent thin film layer arranged on the repeating film,
The first high refractive index transparent thin film layer is made of titanium dioxide (TiO 2 ), and is deposited on the transparent substrate or the corresponding metal thin film layer through pulsed DC sputtering using a TiO X (x = 1.5 to 1.99) target. Plasma display panel (PDP) filter, characterized in that. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 고굴절 투명박막층은 저산소 분위기에서 증착되며, 상기 펄스 직류 스퍼터링에 사용되는 직류 펄스의 주파수는 20㎑ 내지 150㎑인 것을 특징으로 하는 PDP 필터. The PDP filter according to claim 1, wherein the first high refractive index transparent thin film layer is deposited in a low oxygen atmosphere, and the frequency of the DC pulse used for the pulse DC sputtering is 20 Hz to 150 Hz. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 고굴절 투명박막층 증착을 위한 펄스 직류 스퍼터링은 불활성 가스와 산소 가스가 혼합된 분위기에서 수행되되, 상기 산소 가스는 상기 불활성 가스의 2% 내지 5%에 해당하는 것을 특징으로 하는 PDP 필터. The method of claim 2, wherein the pulsed direct current sputtering for the deposition of the first high refractive transparent thin film layer is performed in an atmosphere in which an inert gas and oxygen gas is mixed, wherein the oxygen gas corresponds to 2% to 5% of the inert gas. PDP filter. 제 1 항에 있어서, 상기 펄스 직류 스퍼터링에 2개의 쉴드들이 사용되고, 상기 쉴드들에 각기 구형파 형태의 전압들이 인가되며, 상기 쉴드들에 인가되는 전압들은 상호 반대 극성을 가지는 것을 특징으로 하는 PDP 필터. The PDP filter according to claim 1, wherein two shields are used for the pulsed DC sputtering, voltages in the form of square waves are applied to the shields, and voltages applied to the shields have opposite polarities. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 산화물층은 산화 아연(AZO)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 PDP 필터. The PDP filter according to claim 1, wherein the first oxide layer is made of zinc oxide (AZO). 제 1 항에 있어서, 상기 반복막은,
상기 투명 기판 위에 순차적으로 배열된 제 1-1 고굴절 투명박막층, 제 1-1 산화물층 및 제 1-1 금속박막층; 및
상기 제 1-1 금속박막층 위에 순차적으로 배열된 제 1-2 고굴절 투명박막층, 제 1-2 산화물층 및 제 1-2 금속박막층을 포함하되,
상기 제 1-2 고굴절 투명박막층의 두께는 상기 제 1-1 고굴절 투명박막층의 두께와 상기 제 2 고굴절 투명 박막층의 두께의 합보다 큰 것을 특징으로 하는 PDP 필터. The method of claim 1, wherein the repeating film,
A 1-1 high refractive index transparent thin film layer, a 1-1 oxide layer and a 1-1 metal thin film layer sequentially arranged on the transparent substrate; And
Including the 1-2 high refractive index thin film layer, the 1-2 oxide layer and the 1-2 metal thin film layer sequentially arranged on the 1-1 metal thin film layer,
The thickness of the 1-2 high refractive index transparent thin film layer is a PDP filter, characterized in that greater than the sum of the thickness of the 1-1 high refractive index transparent thin film layer and the thickness of the second high refractive index transparent thin film layer. 제 1 항에 있어서, 상기 반복막은 상기 제 1 고굴절 투명박막층, 상기 제 1 산화물층 및 상기 금속박막층 외에 상기 금속박막층 위에 배열되는 제 2 산화물층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 PDP 필터. The PDP filter according to claim 1, wherein the repeating film further comprises a second oxide layer arranged on the metal thin film layer in addition to the first high refractive index transparent thin film layer, the first oxide layer, and the metal thin film layer.
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