KR101149003B1 - 티탄, 알루미늄 금속 적층막 에칭액 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 티탄, 알루미늄 금속 적층막 에칭액 조성물에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 유리 등의 절연막 기판, 실리콘 기판 및 화합물 반도체 기판상에 스퍼터링법에 의해 성막한 티탄 또는 티탄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층과, 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층을 함유하는 금속 적층막을 하지 기판 등의 손상 없이, 나아가 테이퍼 각도를 30 ~ 90°로 제어하여, 적층막을 일괄 에칭할 수 있는, 불소 화합물의 농도(단, 불화수소산 제외)가 0.01 ~ 5 질량%, 특정 산화제의 농도가 0.1 ~ 50 질량%인 에칭액 조성물에 관한 것이다.

Description

티탄, 알루미늄 금속 적층막 에칭액 조성물{Etchant compositions for metal laminated films having titanium and aluminum layer}
본 발명은 액정디스플레이의 게이트, 소스 및 드레인 전극에 사용되는 금속 적층막의 에칭액 조성물에 관한 것이다.
알루미늄 또는 알루미늄에 네오듐, 실리콘, 구리 등의 불순물을 첨가한 합금은 저렴하고 저항이 매우 낮기 때문에, 액정디스플레이의 게이트, 소스 및 드레인 전극 재료에 사용된다.
그러나, 알루미늄 또는 알루미늄 합금은 하지막(下地膜)인 유리기판과의 밀착성이 약간 나쁘고, 약액이나 열에 의해 부식되기 쉽기 때문에, 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 상부 및/또는 하부에 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금막을 사용하고, 적층막으로서 전극재료에 사용되고, 인산 등을 사용한 에칭액으로 적층막의 일괄 에칭을 실시하여 왔다.
최근, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금의 가격이 상승하고, 약액이나 열에 의한 부식성을 더욱 개선시키기 위한 목적으로 티탄 또는 티탄 합금이 주목받고 있다. 몰리브덴 에칭용의 인산 등은 티탄 또는 티탄 합금을 에칭하는 것이 불가능하고, 반도체 기판에서는 티탄-알루미늄계의 금속 적층막의 에칭 방법으로서 할로겐계 가스를 이용한 반응성 이온 에칭(RIE) 등의 건식 에칭을 행하고 있다. RIE에서는 이방성 에칭에 의해 테이퍼 형상을 가질 정도로 제어하고 있으나, 고가의 진공 장치나 고주파 발생 장치가 필요하여 비용면에서 불리하기 때문에 보다 저렴하게 처리 시간도 감소시킬 수 있는 일괄 에칭액의 개발이 요망되고 있다.
한편, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서, 티탄을 주성분으로 하는 금속 박막을 에칭하는 경우, 일반적으로 불화수소산계 에칭액을 사용하는 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 : 일본공개특허소 59－124726호 공보). 또한, 암모니아수-과산화수소수를 사용한 에칭액으로 티탄 또는 티탄 합금의 에칭이 가능한 것도 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 2 : 일본공개특허평 6－310492호 공보).
그러나, 불화수소산계 에칭액을 이용했을 경우, 하지의 유리기판 및 실리콘기판, 화합물 반도체기판에 대해 손상을 주기 때문에 사용할 수 없다. 또한, 암모니아수-과산화수소수를 이용했을 경우, 과산화수소수의 분해에 의해 기포가 발생하고, 기포가 기판에 부착되어 에칭이 불완전하게 되거나, 수명이 짧아지기 때문에 사용이 곤란해진다.
이외, 유리기판 등의 에칭액으로서 사용되는 본 발명과 용도는 다르나, 장식품이나 전자부품에 사용되는 티탄 또는 티탄 합금의 표면스케일 제거 및 평활화를 목적으로 하는 에칭액으로서 과산화수소, 불화물, 무기산류 및 불소계 계면활성제를 필수성분으로 하는 조성물이 개시되어 있지만(특허 문헌 3 : 일본공개특허 2004－43850호 공보), 티탄 또는 티탄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층과 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층을 포함한 금속 적층막을 에칭하는 것에 대하여 밝히고 있는 것은 아니다. 또한, 티탄층과 구리층으로 이루어지는 금속 적층막 에칭액으로서 과산화이황산염과 불화물을 함유하는 수용액이 개시되어 있지만(특허 문헌 4 : 일본공개특허 2001－59191호 공보), 알루미늄층과 티탄층으로 이루어지는 금속 적층막에 대해 에칭하는 것은 아니다.
이와 같이, 티탄-알루미늄 금속 적층막을 일괄 에칭하는 적합한 수단은 개발되어 있지 않다.
이에, 본 발명자들은 상기의 문제를 해결하기 위한 연구를 수행하던 중, 불화수소산을 제외한 불소 화합물과 산화제를 조합시킨 에칭액이 티탄 또는 티탄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층과 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층을 포함한 금속 적층막을 매우 적합하게 일괄 에칭할 수 있는 것을 발견하고, 더욱 연구를 수행하여 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 상기 문제점을 해결한 티탄-알루미늄계 금속 적층막을 일괄 에칭할 수 있는 에칭액을 제공하는 데 있다.
본 발명은 티탄 또는 티탄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층과 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층을 포함하는 금속 적층막을 일괄 에칭하는 데 사용하는, 불소 화합물(단, 불화수소산 제외) 및 산화제를 포함하는 에칭액 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 상기 에칭액 조성물에 있어서, 상기 불소 화합물은 육불화규산(hexafluorosilicate); 및 불화수소산 또는 육불화규산과 금속 또는 암모니아와의 염 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상이다.
본 발명에 따른 상기 에칭액 조성물에 있어서, 상기 산화제는 질산, 질산암모늄, 황산암모늄, 과산화이황산암모늄, 과산화이황산칼륨, 과염소산, 과염소산암모늄, 과염소산나트륨, 과염소산칼륨, 과요드산, 과요드산나트륨, 과요드산칼륨, 메탄설폰산, 과산화수소수, 황산 및 황산에틸렌디아민 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상이다.
본 발명에 따른 상기 에칭액 조성물에 있어서, 상기 불소 화합물의 농도는 0.01 ~ 5 질량%, 상기 산화제의 농도는 0.1 ~ 50 질량%이다.
또한, 본 발명에 따른 상기 에칭액 조성물에 있어서, 상기 산화제는 질산 또는 메탄설폰산이다.
나아가, 본 발명에 따른 상기 에칭액 조성물에 있어서, 상기 산화제는 질산암모늄, 황산암모늄, 과산화이황산암모늄, 과산화이황산칼륨, 과염소산, 과염소산암모늄, 과염소산나트륨, 과염소산칼륨, 과요드산, 과요드산나트륨, 과요드산칼륨, 과산화수소수, 황산 및 황산에틸렌디아민 중에서 선택되는 1종 이상을 더 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 상기 에칭액 조성물에 있어서, 아미드황산, 아세트산 및 염산 중에서 선택되는 1종 이상을 더 포함한다.
본 발명에 따른 상기 에칭액 조성물에 있어서, 상기 금속 적층막의 하지 기판(下地 基板)은 액정 디스플레이용 유리 기판이다.
또한, 본 발명에 따른 상기 에칭액 조성물에 있어서, 상기 하지 기판은 반도체 장치용 실리콘 기판 또는 화합물 반도체 기판이다.
나아가, 본 발명에 따른 상기 에칭액 조성물은 티탄 또는 티탄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층과 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층을 포함한 금속 적층막의 에칭 후의 테이퍼(taper) 각도를 30~90°로 하는 데 사용된다.
본 발명의 에칭액은 하지 기판에 나쁜 영향을 미치지 않으며, 티탄 또는 티탄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층과 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층을 포함한 금속 적층막을 일괄 에칭할 수 있기 때문에 경제성이 특히 우수하다. 또한, 테이퍼 각도의 제어도 용이하게 실시할 수가 있기 때문에, 게이트 전극의 피복성을 향상시킴으로써 고품질의 제품의 제조를 가능하게 하는 것이다. 따라서, 본 발명의 에칭액은 반도체 장치 및 액정디스플레이 등의 전자 장치의 제조공정에 있어서, 배선 또는 전극 등을 형성할 때의 금속 적층막의 에칭액으로서 사용할 수 있다.
도 1은 절연성 기판상에 형성된 티탄 또는 티탄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층과 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층을 포함한 금속 적층막의 배선 공정을 나타낸 도면.
이하에서 본 발명의 실시형태에 대해 상술한다.
본 발명의 에칭액 조성물은 불소 화합물(다만 불화수소산을 제외함), 산화제 및 물로 구성되는 것을 요지로 한다.
본 발명의 에칭액에 사용되는 불소 화합물은 본 에칭액의 성분인 산화제에 의해 산화된 금속 적층막상의 산화티탄을 용해함으로써, 주로 에칭을 하는 것으로 여겨진다. 본 발명의 에칭액에 사용되는 불소 화합물은 불화수소산 이외의 불소 화합물이면 어느 것도 사용할 수 있으나, 육불화규산; 또는 불화수소산 또는 육불화규산과 금속 또는 암모니아와의 염 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상, 예를 들면, 불화암모늄, 불화칼륨, 불화칼슘, 불화수소암모늄, 불화수소칼륨, 불화나트륨, 불화마그네슘, 불화리튬, 육불화규산, 육불화규산암모늄, 육불화규산나트륨, 육불화규산칼륨이 바람직하고, 특히 불화암모늄, 불화수소암모늄이 바람직하다.
또한, 본 발명의 에칭액에 사용되는 산화제는 금속 적층막상의 티탄 또는 티탄 합금을 산화시킴으로써, 에칭 개시제로서의 역할을 담당한다. 본 발명의 에칭액에 사용되는 산화제는 질산, 질산암모늄, 황산암모늄, 과산화이황산암모늄, 과산화이황산칼륨, 과염소산, 과염소산암모늄, 과염소산나트륨, 과염소산칼륨, 과요드산, 과요드산나트륨, 과요드산칼륨, 메탄설폰산, 과산화수소수, 황산 및 황산에틸렌디아민으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상이며, 질산, 과산화이황산암모늄, 메탄설폰산이 바람직하다.
황산암모늄, 황산에틸렌디아민 이외의 질소함유 유기화합물 황산염, 예를 들면, 피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-아미노메틸피페라진 등의 황산염도 산화제로서 사용할 수 있으나, 입수성(入手性)의 면에서 황산암모늄, 황산에틸렌디아민이 바람직하다.
질산 또는 메탄설폰산은 저농도에서도 테이퍼 각도를 낮게 하고, 예를 들면, 40° 이하로 할 수가 있으므로 특히 바람직하다. 질산 및 메탄설폰산 이외의 산화제는 테이퍼 각도를 저감하는 효과가 낮기는 하지만, 레지스트의 손상이 작고, 사이드 에칭량을 제어할 수 있으므로 바람직하다. 상기 불소 화합물과 질산 또는 메탄설폰산을 포함한 에칭액은 테이퍼 각도를 40° 이하로 제어할 수 있고, 나아가 질산 및 메탄설폰산 이외의 산화제, 또는 아미드 황산, 아세트산, 염산으로부터 선택되는 1종 이상 이상을 첨가함으로써, 테이퍼 각도를 30 ~ 90°도의 사이로 제어할 수 있다.
본 발명의 에칭액 조성물의 바람직한 조성으로는 불화암모늄과 질산, 불화암모늄과 메탄설폰산 외에 산화제를 2종 이상 사용하는 조합으로 불화암모늄과 질산 및 과염소산, 불화암모늄과 질산 및 황산, 불화암모늄과 질산, 과염소산 및 메탄설폰산, 불화암모늄과 질산, 과염소산 및 황산이 바람직하다.
또한, 기판과 젖음성(wetting)을 높이기 위해, 상기 에칭액에 일반적으로 사용되고 있는 계면활성제나 유기용제를 첨가하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 에칭액은 유리기판 등으로 이루어지는 절연기판 위 및 실리콘, 화합물 반도체 기판 위에 스퍼터링법으로 형성된 티탄 또는 티탄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층과 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층을 포함한 금속 적층막, 예를 들면, 티탄/알루미늄, 알루미늄/티탄, 티탄/알루미늄/티탄으로 이루어지는 금속 적층막을 에칭하는데 적합하고, 상기 에칭액의 불소 화합물의 농도는 0.01 ~ 5 질량%, 바람직하게는 0.1 ~ 1 질량%, 산화제의 농도는 0.1 ~ 50 질량%, 바람직하게는 0.5 ~ 10 질량%이다.
불소 화합물 농도가 5 질량%보다 낮은 경우, 하지유리에 손상을 주지 않고, 또, 티탄 또는 티탄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층과 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층을 포함한 금속 적층막의 사이드 에칭량이 억제되고, 0.01 질량%보다 높은 경우, 티탄 또는 티탄 합금의 에칭 불균일이 적게 되어, 에칭 후의 형상이 양호해진다. 산화제의 함량이 50 질량%보다 낮은 경우, 티탄 또는 티탄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층과 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층을 포함한 금속 적층막의 사이드 에칭량이 억제되고, 또한 레지스트 손상도 발생시키지 않으며, 0.1 질량%보다 높은 경우, 티탄 또는 티탄 합금의 에칭 속도가 빠르게 효율적이다.
또한, 테이퍼 각도를 적당하게 제어하는 것은, 특히 30 ~ 90°로 하기 위해서는 질산 또는 메탄설폰산과 다른 산화제를 단독으로 사용함으로써 또는 적당하게 조합함으로써 수행한다. 이 경우, 질산 또는 메탄설폰산은 0.1 ~ 30 질량%, 특히 0.5 ~ 15 질량%인 것이 바람직하고, 다른 산화제는 0.1 ~ 20 질량%, 특히 0.5 ~ 15 질량%인 것이 바람직하다.
특히, 테이퍼 각도를 40°이하로 하기 위해서는 질산 또는 메탄설폰산을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 아미드황산, 아세트산 또는 염산으로부터 선택되는 1종 이상을 더 포함하는 경우, 이들의 농도는 0.01 ~ 10 질량%, 특히 0.5 ~ 5 질량%가 바람직하다.
본 발명의 에칭액이 에칭하는 금속 적층막의 하지 기판은 특히 제한되지 않지만, 티탄, 알루미늄 금속 적층막이 액정디스플레이에 사용되는 경우에는 유리기판이 바람직하고, 반도체 장치에 사용되는 경우에는 실리콘기판과 화합물 반도체기판이 바람직하다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예에 의해 더욱 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명의 내용을 예시하는 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
< 실시예 1~25>
도 1에 나타난 바와 같이, 유리기판(1) 상에 스퍼터링법으로 티탄(700Å)/알루미늄(2500Å)/티탄(200Å)을 성막한 기판을 준비하였다.
다음으로, 티탄/알루미늄/티탄 금속 적층막상에 레지스트(4)를 이용하여 패터닝하고, 표 1의 실시예 1 ~ 25의 에칭액에 침지(浸漬)하였다(에칭 온도 30 ℃). 그 후, 초순수(超純水)로 세정하고, 질소 블로(nitrogen blow)로 건조 후 기판 형상을 전자현미경에서 관찰하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.
< 비교예 1~2>
상기 실시예에 사용한 유리기판상에 스퍼터링법으로 형성된 티탄/알루미늄/티탄을 표 1의 비교예 1 ~ 2의 각 성분으로 이루어지는 에칭액에 침지하고, 상기 실시예와 동일하게 처리하였다. 그 결과를 표 1에 함께 나타내었다.
에칭액 조성물 테이퍼 각도
(°)		 유리
기판의
손상		 레지스트의 손상
실시예1 불화암모늄:질산=0.2질량%:3질량% 35 없음 없음
실시예2 불화암모늄:질산=0.2질량%:10질량% 30 없음 없음
실시예3 육불화규산:질산=2.0질량%:10질량% 30 없음 없음
실시예4 불화암모늄:과산화이황산암모늄=0.5질량%:20질량% 85 없음 없음
실시예5 불화암모늄:메탄설폰산=0.5질량%:20질량% 30 없음 없음
실시예6 불화암모늄:질산:과산화이황산암모늄=0.3질량%:5질량%:10질량% 40 없음 없음
실시예7 불화암모늄:질산:질산암모늄=0.3질량%:5질량%:10질량% 30 없음 없음
실시예8 불화암모늄:질산:과산화이황산암모늄=0.3질량%:1질량%:5질량% 80 없음 없음
실시예9 불화암모늄:질산:과산화이황산암모늄=0.3질량%:3질량%:5질량% 55 없음 없음
실시예10 불화암모늄:질산:과산화이황산암모늄=0.3질량%:5질량%:5질량% 40 없음 없음
실시예11 불화암모늄:질산:아미드황산=0.15질량%:2질량%:0.75질량% 35 없음 없음
실시예12 불화암모늄:질산:과염소산:아미드황산=0.15질량%:1질량%:1질량%:0.5질량% 35 없음 없음
실시예13 불화암모늄:질산:과염소산:아미드황산=0.2질량%:1질량%:1질량%:0.75질량% 40 없음 없음
실시예14 불화암모늄:질산:과염소산:메탄설폰산=0.2질량%:1질량%:1질량%:2질량% 40 없음 없음
실시예15 불화암모늄:질산:과염소산:메탄설폰산=0.15질량%:0.5질량%:0.5질량%:1질량% 45 없음 없음
실시예16 불화암모늄:과염소산:메탄설폰산=0.2질량%:4질량%:0.5질량% 55 없음 없음
실시예17 불화암모늄:과염소산:황산=0.2질량%:4질량%:1질량% 50 없음 없음
실시예18 불화암모늄:질산:과염소산:황산=0.2질량%:0.5질량%:4질량%:2질량% 50 없음 없음
실시예19 불화암모늄:질산:과염소산:황산=0.3질량%:0.5질량%:5질량%:2질량% 50 없음 없음
실시예 20 불화암모늄:질산:황산:아세트산=0.3질량%:2질량%:5질량%:5질량% 30 없음 없음
실시예21 불화암모늄:질산:황산:메탄설폰산=0.3질량%:1질량%:4질량%:1질량% 35 없음 없음
실시예22 불화암모늄:질산:황산암모늄=0.25질량%:0.5질량%:0.5질량% 45 없음 없음
실시예23 불화암모늄:질산:황산에틸렌디아민=0.2질량%:3.0질량%:0.5질량% 40 없음 없음
실시예24 불화암모늄:질산:과염소산:황산에틸렌디아민=0.2질량%:5.0질량%:1.0질량%:0.3질량% 35 없음 없음
실시예25 불화암모늄:질산:과염소산:황산암노늄=0.2질량%:5.0질량%:2.0질량%:0.5질량% 40
 없음
 없음
비교예1 불화수소산염:질산=0.2질량%:3질량% 25 있음 없음
비교예2 암모니아수:과산화수소수=5질량%:10질량% * 없음 있음
* : 3층 형상이 불균일하게 됨
표 1로부터 명백한 바와 같이, 본 발명의 에칭액을 사용하여 에칭함으로써, 스퍼터링법에 의해 형성된 티탄/알루미늄/티탄 적층막을 단시간에 일괄 에칭할 수 있었다.
1 : 유리 기판 2 : 티탄 또는 티탄 합금막
3 : 알루미늄 또는 알루미늄 합금막 4 : 레지스트
a : 본 발명의 에칭액으로 에칭한 후의 게이트 전극(대략 균일한 테이퍼 형상과 40°이하의 테이퍼 형상)
b : 본 발명의 에칭액으로 에칭한 후의 소스 또는 드레인 전극(90°의 테이퍼 각도)

Claims (12)

  1. 하지 기판위에 형성되며, 티탄 또는 티탄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층과 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층을 포함한 금속 적층막을 일괄 에칭 하고, 에칭 후의 테이퍼 각도를 30°~ 90°로 하는데 사용되는, 불소 화합물(단, 불화수소산을 제외); 질산에 더해, 질산암모늄, 황산암모늄, 과산화이황산암모늄, 과산화이황산칼륨, 과염소산, 과염소산암모늄, 과염소산나트륨, 과염소산칼륨, 과산화수소수, 황산 및 황산에틸렌디아민으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함하는 산화제; 및 물로 이루어지는 에칭액 조성물.
  2. 하지 기판 위에 형성되며, 티탄 또는 티탄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층과 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층을 포함한 금속 적층막을 일괄 에칭 하고, 에칭 후의 테이퍼 각도를 30°~ 90°로 하는데 사용되는, 불소 화합물(단, 불화수소산을 제외); 과산화이황산화암모늄의 산화제; 및 물로 이루어지는 에칭액 조성물.
  3. 하지 기판 위에 형성되며, 티탄 또는 티탄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층과 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층을 포함한 금속 적층막을 일괄 에칭하고, 에칭 후의 테이퍼 각도를 30°~ 90°로 하는데 사용되는, 불소 화합물(단, 불화수소산을 제외); 황산, 황산과 과염소산, 황산과 메탄설폰산, 및 황산과 과염소산과 메탄설폰산으로 이루어지는 군에서 선택되는 산화제; 및 물로 이루어지는 에칭액 조성물.
  4. 하지 기판 위에 형성되며, 티탄 또는 티탄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층과 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층을 포함한 금속 적층막을 일괄 에칭하는데 사용되는, 불소 화합물(단, 불화수소산을 제외); 질산과 과염소산과 황산의 산화제; 및 물로 이루어지는 에칭액 조성물.
  5. 하지 기판 위에 형성되며, 티탄 또는 티탄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층과 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층을 포함한 금속 적층막을 일괄 에칭하는데 사용되는, 불소 화합물(단, 불화수소산을 제외); 질산과 황산의 산화제; 및 물로 이루어지는 에칭액 조성물.
  6. 하지 기판 위에 형성되며, 티탄 또는 티탄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층과 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층을 포함한 금속 적층막을 일괄 에칭하는데 사용되는, 불소 화합물(단, 불화수소산을 제외); 질산과 아미드황산의 산화제; 및 물로 이루어지는 에칭액 조성물.
  7. 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 하지 기판은 액정 디스플레이용 유리 기판인 것을 특징으로 하는 에칭액 조성물.
  8. 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 하지 기판은 반도체 장치용 실리콘 기판 또는 화합물 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 에칭액 조성물.
  9. 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 불소 화합물은 육불화규산; 및 불화수소산 또는 육불화규산과 금속 또는 암모니아와의 염 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 에칭액 조성물.
  10. 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 불소 화합물의 농도는 0.01 ~ 5 질량% 이고 상기 산화제의 농도는 0.1 ~ 50 질량% 인 것을 특징으로 하는 에칭액 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 상기 산화제는 아미드 황산, 초산 및 염산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭액 조성물.
  12. 불소 화합물(단, 불화수소산을 제외); 질산, 질산암모늄, 황산암모늄, 과산화이황산암모늄, 과산화이황산칼륨, 과염소산, 과염소산암모늄, 과염소산나트륨, 과염소산칼륨, 메탄설폰산, 과산화수소수, 황산 및 황산에틸렌디아민으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 산화제; 및 물로 이루어지는 에칭액 조성물을 이용하여, 하지기판 위에 형성된 티탄 또는 티탄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층과 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 층을 포함한 금속 적층막을 일괄 에칭하는 방법.
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