KR101139323B1 - Method of fabricating the shadow mask for fabricating the organic electroluminescent device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다수의 서로 이격하는 개구부를 갖는 유기전계 발광소자 제작 용 쉐도우 마스크를 제작 시, 상기 개구부에 의해 증착되는 패턴이 증착되지 않는 데드존을 줄임으로써 고해상도를 구현할 수 있도록 하기 위해, 제 1 식각과 제 2 식각을 진행하는 것을 특징으로 하며, 더욱이 제 1 식각은 금속기판의 양면 중 어느 한면에 대해서 진행하여 개구부가 형성될 영역에 홈을 형성하며, 제 2 식각은 상기 금속 기판의 양면 모두에 대해서 진행함으로써 상기 개구부와 개구부 사이의 프레임 구조에 있어, A높이를 줄이며 나아가 A높이를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 쉐도우 마스크 제조 방법을 제안하고 있다.According to the present invention, when fabricating a shadow mask for fabricating an organic light emitting device having a plurality of spaced apart openings, the first etching may be performed to reduce the dead zone in which the pattern deposited by the openings is not deposited. And a second etching, wherein the first etching proceeds with respect to one of both sides of the metal substrate to form a groove in an area where an opening is to be formed, and the second etching is performed on both sides of the metal substrate. Proposing a shadow mask manufacturing method characterized by reducing the height of A and further adjusting the height of A in the frame structure between the opening and the opening.

쉐도우 마스크, 고해상도, 고정세, 개구부, 데드존 Shadow mask, high resolution, high definition, opening, dead zone

Description

유기전계 발광소자 제조 용 쉐도우 마스크 제조 방법{Method of fabricating the shadow mask for fabricating the organic electroluminescent device}Method of fabricating the shadow mask for fabricating the organic electroluminescent device {Method of fabricating the shadow mask for fabricating the organic electroluminescent device}

도 1은 다수의 개구부 갖는 유기 발광층 형성을 위한 쉐도우 마스크의 평면도.1 is a plan view of a shadow mask for forming an organic light emitting layer having a plurality of openings.

도 2는 도 1을 절단선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1. FIG.

도 3a 내지 도 3d는 전술한 구조를 갖는 쉐도우 마스크를 제조하는 방법을 단계별로 도시한 제조 단면도.3A to 3D are sectional views showing, step by step, a method of manufacturing a shadow mask having the above-described structure.

도 4a 내지 4d는 본 발명에 따는 쉐도우 마스크 제조 방법에 따른 제조 단계별 단면도.4A to 4D are cross-sectional views of manufacturing steps according to the method of manufacturing a shadow mask according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명><Brief description of the main parts of the drawing>

110 : 금속기판(쉐도우 마스크) 110: metal substrate (shadow mask)

115 : 개구부115: opening

120 : 프레임120: frame

161, 163 : 제 1, 2 포토레지스트 패턴161 and 163: first and second photoresist pattern

d3, d4 : 제 1, 2 포토레지스트 패턴 각각의 폭d3, d4: width of each of the first and second photoresist patterns

A : 프레임의 밑면부터 최대로 볼록한 부분까지의 두께A: thickness from the bottom of the frame to the most convex

t : 금속패턴의 두께t: thickness of metal pattern

본 발명은 유기전계 발광층 형성을 위한 쉐도우 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing a shadow mask for forming an organic electroluminescent layer.

양극과 음극으로 구성되는 한 쌍의 전극을 포함하는 유기전계발광 소자가 기판 상에 제공되며, 유기 발광 물질로써 상기 한 쌍의 전극 사이에 형성된 유기 발광층이 전극 사이에 전류를 통과시킴으로써 상기 유기 발광층으로부터 광을 방출할 수 있는 소자인 유기전계 발광소자게 최근 평판표시장치로 제안되고 있다. An organic electroluminescent device comprising a pair of electrodes composed of an anode and a cathode is provided on a substrate, and an organic light emitting layer formed between the pair of electrodes as an organic light emitting material passes current between the electrodes from the organic light emitting layer. Recently, organic light emitting diodes, which emit light, have been proposed as flat panel displays.

통상적으로, 유기전계발광 소자의 유기 발광층은 복수의 기능층들(홀 주입층, 홀 전달층, 발광층, 전자 전달층, 전자 주입층 등)을 포함하고, 이러한 기능층의 조합 및 배열 등을 통해 발광 성능을 더욱 발현하게 된다. Typically, the organic light emitting layer of the organic light emitting device includes a plurality of functional layers (hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, electron transport layer, electron injection layer, etc.), and through the combination and arrangement of such functional layers The luminescence performance is further expressed.

전술한 구성을 갖는 유기 발광층 중 저분자 재료의 유기전계발광 소자에 대해, 진공 증착 프로세스를 이용하여 유기 발광 물질이 기판 상에 증착되어 유기층을 형성하는 것이 일반적이다. For the organic electroluminescent device of the low molecular material among the organic light emitting layers having the above-described configuration, it is common that an organic light emitting material is deposited on the substrate to form an organic layer using a vacuum deposition process.

진공 증착 프로세스에서, 유기 발광층을 형성하는 유기 발광 물질은 배출구를 갖는 증착원에 놓여지고, 증착원은 진공이 유지되는 챔버에서 가열되어 배출구 를 통해 증발된 유기 발광 물질을 방출하며, 방출된 유기 발광 물질은 증착원에서 떨어져 기판 상에 증착된다.In the vacuum deposition process, the organic light emitting material forming the organic light emitting layer is placed in a deposition source having an outlet, and the deposition source is heated in a chamber in which a vacuum is maintained to release the organic light emitting material evaporated through the outlet, and the emitted organic light emission The material is deposited on the substrate away from the deposition source.

이러한 유기전계발광 소자의 제조에서, 원하는 패턴을 갖는 유기 발광층들이 다수일 경우 다수의 개구부 패턴을 갖는 마스크를 이용하는 쉐도우마스크(shadow mask)법이 알려져 있다.In the manufacture of such an organic electroluminescent device, a shadow mask method using a mask having a plurality of opening patterns when there are a plurality of organic light emitting layers having a desired pattern is known.

다수의 개부를 갖는 쉐도우 마스크를 기판과 근접하여 위치시킨 후, 상기 유기 발광물질을 상기 쉐도우 마스크 통해 기판에 증착시킴으로써 소정의 패턴형태로 다수의 이격하는 패턴을 갖는 유기 발광층을 형성할 수 있다.After the shadow mask having a plurality of openings is positioned close to the substrate, the organic light emitting material may be formed on the substrate through the shadow mask to form an organic light emitting layer having a plurality of spaced apart patterns in a predetermined pattern.

도 1은 다수의 패턴형태를 갖는 유기 발광층 형성을 위한 쉐도우 마스크의 평면도이며, 도 2는 도 1을 절단선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도이다.FIG. 1 is a plan view of a shadow mask for forming an organic light emitting layer having a plurality of pattern shapes, and FIG. 2 is a cross-sectional view of FIG. 1 taken along a cutting line II-II.

도시한 바와 같이, 유기 발광층 형성을 위한 쉐도우 마스크(10)는 평판 형태로 소정의 두께(t)를 가지며, 다수의 소정 패턴형상의 개구부(OA)와, 상기 개구부(OA)와 개구부(OA) 사이의 프레임(15)를 가지며 금속재질로써 구성되고 있다. 이때, 상기 쉐도우 마스크(10)의 두께(t)는 30㎛ 내지 50㎛정도가 되고 있다. As shown in the drawing, the shadow mask 10 for forming the organic light emitting layer has a predetermined thickness t in the form of a flat plate, and includes a plurality of predetermined pattern openings OA, the openings OA and the openings OA. It has a frame 15 between and is comprised by metal material. At this time, the thickness t of the shadow mask 10 is about 30 μm to 50 μm.

또한, 상기 개구부(OA) 또는 프레임(15)의 단면구조를 살펴보면, 그 단면모양이 직선형태로 이루어진 것이 아니라 식각 특성에 의해 상기 프레임(15)의 경우 중앙부분이 볼록한 형태로 이루어지고 있으며, 따라서 개구부(OA)는 그 중앙이 오목한 형태가 되고 있음을 알 수 있다. 이러한 구조적 특징은 상기 쉐도우 기판의 제조 시, 양면 식각을 진행함으로써 형성되며, 제조 방법을 통해 구조적 특징을 더욱 상세히 설명한다. In addition, when looking at the cross-sectional structure of the opening OA or the frame 15, the cross-sectional shape of the opening OA or the frame 15 is not formed in a straight line, but the center portion of the frame 15 is convex due to an etching characteristic. It can be seen that the opening portion OA has a concave shape in the center thereof. Such structural features are formed by performing double-sided etching during the manufacture of the shadow substrate, and the structural features will be described in more detail through the manufacturing method.

도 3a 내지 도 3d는 전술한 구조를 갖는 쉐도우 마스크를 제조하는 방법을 단계별로 도시한 제조 단면도이다.3A to 3D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a shadow mask having the above-described structure step by step.

우선, 도 3a에 도시한 바와 같이, 소정의 두께(t)를 갖는 금속재질의 기판(10)을 표면 산화물 또는 이물을 제거하는 전처리를 실시한 후, 상기 기판(10)의 양면에 포토레지스트를 도포하여 제 1 및 제 2 포토레지스트층(51, 52)을 형성한다.First, as shown in FIG. 3A, after performing a pretreatment to remove surface oxides or foreign substances from a metal substrate 10 having a predetermined thickness t, photoresist is applied to both surfaces of the substrate 10. Thus, the first and second photoresist layers 51 and 52 are formed.

다음, 도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트층(도 3a의 51, 52) 위로 각각 또는 연속하여 투과영역과 차단영역을 갖는 포토 마스크(미도시)를 통한 노광을 실시하고, 상기 노광된 제 1 및 제 2 포토레지스트층(도 3a의 51, 52)을 현상함으로써 상기 기판(10)의 상하면에 서로 대응되는 위치에 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴(55, 58)을 형성한다. 이때 상기 기판(10)을 기준으로 상하에 위치한 제 1 포토레지스트 패턴(55)과 제 2 포토레지스트 패턴(58)은 그 폭(d1, d2)이 소정간격 차이가 나도록 형성한다. 이는 상기 제 1, 2 포토레지스트 패턴(55, 58)을 식각 마스크로 하여 상기 기판(10)을 식각할 경우, 식각되어 개구부(OA)를 형성하는데 상기 개구부(OA)의 측면을 특정 모양이 되도록 형성하기 위함이다.Next, as shown in FIG. 3B, exposure is performed through a photomask (not shown) having a transmission region and a blocking region, respectively or continuously over the first and second photoresist layers 51 and 52 of FIG. 3A. The first and second photoresist patterns 55 and 58 are formed at positions corresponding to the top and bottom surfaces of the substrate 10 by developing the exposed first and second photoresist layers 51 and 52 of FIG. 3A. To form. At this time, the first photoresist pattern 55 and the second photoresist pattern 58 disposed on the upper and lower sides of the substrate 10 are formed such that widths d1 and d2 are different from each other by a predetermined interval. When the substrate 10 is etched using the first and second photoresist patterns 55 and 58 as an etch mask, the first and second photoresist patterns 55 and 58 are etched to form an opening OA, so that the side surface of the opening OA has a specific shape. To form.

다음, 도 3c에 도시한 바와 같이, 상기 이격하는 다수의 제 1, 2 포토레지스트 패턴(55, 58)이 양면에 형성된 금속 기판(10)을 염화철(FeCl3) 용액에 담구거나 또는 스프레이 함으로써 상기 제 1, 2 포토레지스트 패턴(55, 58) 외부로 노출된 금속 기판(10) 영역을 상기 기판(10)의 양면에서 동시에 식각한다.Next, as illustrated in FIG. 3C, the metal substrate 10 having the plurality of spaced apart first and second photoresist patterns 55 and 58 formed on both surfaces is immersed in or sprayed with iron chloride (FeCl 3 ) solution. The regions of the metal substrate 10 exposed to the outside of the first and second photoresist patterns 55 and 58 are simultaneously etched on both surfaces of the substrate 10.

다음, 도 3d에 도시한 바와 같이, 식각 후 상기 기판(10)상에 남아있는 포토레지스트 패턴(도 3c의 55, 58)을 스트립(strip)함으로써 다수의 개구부(OA)를 갖는 쉐도우 마스크(10)를 완성한다.Next, as shown in FIG. 3D, the shadow mask 10 having a plurality of openings OA is formed by stripping the photoresist patterns (55 and 58 of FIG. 3C) remaining on the substrate 10 after etching. To complete).

하지만, 전술한 바와 같이 제조 된 쉐도우 마스크(10)는 그 프레임(15)의 단면 형태를 살펴보면, 그 측면에 있어, 기판(10)의 상하면에서 동시에 식각이 진행됨으로써 기판 두께(t)의 중앙 또는 도면에서는 상하부의 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 영역의 크기에 의해 중앙부분에서 볼록한 부분이 생기게 된다. 이는 기판(10)을 식각을 진행하면 포토레지스트 패턴 외측으로 노출된 부분 그대로 동일한 비율로 식각되는 것이 아니라, 처음에는 동일한 속도로 진행하지만, 점점 표면에서 내부로 식각해 들어가며 점점 표면을 기준으로 기판을 녹이며 내부로 들어갈수록 상기 포토레지스트 패턴의 에지면에 가까운 영역일수록 식각이 덜되고 상기 포토레지스트 패턴으로 둘러싸인 영역의 중앙부가 식각이 상대적으로 빨리 진행되기 때문이다.However, in the shadow mask 10 manufactured as described above, when the cross-sectional shape of the frame 15 is examined, the shadow mask 10 is etched from the upper and lower surfaces of the substrate 10 at the side thereof, and thus the center of the substrate thickness t is increased. In the drawing, convex portions are formed in the center portion by the size of the region exposed by the upper and lower photoresist patterns. When etching the substrate 10, the portion exposed to the outside of the photoresist pattern is not etched at the same ratio, but at the same speed at first, the substrate 10 is gradually etched from the surface to the inside to gradually etch the substrate relative to the surface. This is because the less the etched, the closer to the edge surface of the photoresist pattern, the less etched, and the central portion of the region surrounded by the photoresist pattern is etched relatively faster.

또한, 상기 개구부(OA)와 개구부(OA) 사이의 프레임(15)의 단면 모양은 상부에서 그 중앙부로 갈수록 볼록한 형태가 되며, 최대로 볼록한 부분에서 하부로는 다시 그 폭이 좁아지거나 또는 비슷한 단면 폭을 가지며 형성되고 있다.In addition, the cross-sectional shape of the frame 15 between the opening OA and the opening OA becomes convex as it goes from the upper part to the center part thereof, and the width thereof becomes narrower or the similar cross section from the maximum convex part to the lower part again. It is formed with a width.

따라서, 이러한 프레임(15) 구조를 갖는 쉐도우 마스크(10)의 개구부(OA)는 반대로 상부가 가장 넓고 기판 두께(t)의 중앙부로 갈수록 좁아지는 형태가 되며 프레임(15)의 가장 볼록한 부분에서 가장 좁은 폭을 이루고 그 하부로는 다시 좁아 지고 있다.Accordingly, the opening OA of the shadow mask 10 having the structure of the frame 15 is conversely the widest at the top and narrower toward the center of the substrate thickness t, and the most at the most convex portion of the frame 15. It has a narrow width and is narrowing down again.

이때, 설명의 편의를 위해 상기 쉐도우 마스크(10)의 몇몇 부분을 정의한다. 프레임(15)에 있어 밑면으로부터 상기 가장 볼록한 부분까지의 높이를 A, 상기 프레임(15)의 단면 중 가장 볼록하게 나온 부분과 상기 프레임 상면을 이은 선이 밑면 또는 밑면상의 연장선 이루는 각, 즉 상기 프레임의 테이퍼 각을 B라 정의하면, 유기 발광물질을 전술한 쉐도우 마스크를 통해 증착할 경우, A의 높이가 낮을수록, 그리고, 테이터 각 B가 작을수록 증착 시 증착이 안 되는 부분을 최소화할 수 있으며, 고정세의 패턴 형성이 가능하다.In this case, for convenience of description, some portions of the shadow mask 10 are defined. In the frame 15, the height from the bottom to the most convex portion is A, the angle of which the most convex portion of the cross section of the frame 15 and the line connecting the upper surface of the frame forms an extension line on the bottom or bottom surface, that is, the frame If the taper angle of is defined as B, when the organic light emitting material is deposited through the above-described shadow mask, the lower the height of A and the smaller the data angle B, the less the undeposited portion during deposition. It is possible to form a high-definition pattern.

하지만, 전술한 종래의 방법에 의해 제작된 쉐도우 마스크는 상기 A값이 쉐도우 마스크 두께의 중앙부분에서 형성되고 있는 바, 그 값이 비교적 크게 형성되고 이러한 A값의 크기 조절이 거의 불가능하다. However, in the shadow mask manufactured by the above-described conventional method, since the A value is formed at the center of the shadow mask thickness, the value is formed relatively large and such A value is almost impossible to adjust.

또한, 도면으로 제시하지 않았지만, 또 다른 마스크 제조 방법으로 한면만을 계속 식각하여 개구부를 형성하는 방법도 있으나, 이러한 방법의 경우, 생성되는 개구부의 크기가 매우 커야 하며, 그 해상도가 매우 낮은 경우에 실시되는 방법이며, 최근 점점 고해상도를 요구하는 유기전계 발광소자의 유기 발광층을 한면만을 식각하는 방법에 의해 제작된 쉐도우 마스크를 이용하여 형성하기에는 무리가 있으며, 전술한 바와같은 양면 식각방법에 의해 제작된 쉐도우 마스크를 이용하여 유기 발광층을 형성하고 있지만, A값을 조절하기 어려우며, 비교적 테이퍼 각도 커 고해상도를 요구하는 유기전계 발광 소자의 유기 발광층을 형성하기에는 무리가 있다. In addition, although not shown in the drawings, there is also a method of forming an opening by continuously etching only one surface as another mask manufacturing method, but in this case, the size of the opening to be generated must be very large and the resolution is very low. Recently, the organic light emitting layer of the organic light emitting device which requires a higher resolution is not suitable to be formed by using a shadow mask manufactured by a method of etching only one surface, and the shadow produced by the double-sided etching method as described above. Although the organic light emitting layer is formed using a mask, it is difficult to control the A value, and it is unreasonable to form the organic light emitting layer of the organic EL device which requires a relatively high taper angle and high resolution.

상술한 문제를 해결하고자 본 발명은 고해상의 유기전계 발광소자의 형성이 가능한 고정세의 쉐도우 마스크를 제조할 수 있는 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다. In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a manufacturing method capable of manufacturing a high-definition shadow mask capable of forming a high resolution organic EL device.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기전계발광 소자용 쉐도우 마스크 제조 방법은 제 1 두께를 갖는 금속재질의 기판의 상면에, 이격하며 제 1 폭을 갖는 다수의 제 1 포토레지스트 패턴과, 하면 전체에 포토레지스트층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 포토레지스트 패턴 외측으로 노출된 상기 기판을 제 1 식각하여 제 1 깊이를 갖는 홈을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트층을 패터닝하여 상기 제 1 포토레지스트 패턴과 중첩하며 제 2 폭을 갖는 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 제 2 식각하여 다수의 개구부를 형성하는 단계를 포함한다.A shadow mask manufacturing method for an organic light emitting display device according to the present invention for achieving the above object is a plurality of first photoresist patterns having a first width and spaced apart from an upper surface of a metal substrate having a first thickness, Forming a photoresist layer on the entire bottom surface; First etching the substrate exposed to the outside of the first photoresist pattern to form a groove having a first depth; Patterning the photoresist layer to form a second photoresist pattern overlapping the first photoresist pattern and having a second width; And etching the substrate on which the first and second photoresist patterns are formed to form a plurality of openings.

이때, 상기 제 1 식각은 상기 홈의 제 1 깊이가 상기 제 1 두께의 2/3 내지 4/5가 되도록 진행하는 것이 특징이다. In this case, the first etching is characterized in that the first depth of the groove proceeds to be 2/3 to 4/5 of the first thickness.

또한, 상기 제 2 폭은 상기 제 1 폭보다 크게 형성하는 것이 바람직하다. In addition, the second width is preferably larger than the first width.

상기 제 1, 2 식각에 이용하는 식각액은 염화철(FeCl3) 용액인 것이 특징이며, 상기 제 1, 2 식각은 식각액 내에 디핑(dipping)하거나 또는 식각액을 분사하 는 방법에 의해 진행되는 것이 바람직하다.The etchant used for the first and second etching is characterized in that the iron chloride (FeCl 3 ) solution, the first and second etching is preferably carried out by a method of dipping (dipping) or spraying the etchant in the etchant.

또한, 상기 제 2 식각 진행 후에는 상기 제 1, 2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 더욱 포함한다. The method may further include removing the first and second photoresist patterns after the second etching process.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 가장 큰 특징은 다수의 서로 이격하는 개구부를 갖는 쉐도우 마스크를 제작 시, 상기 개구부에 의해 증착되는 패턴이 증착되지 않는 데드존을 줄임으로써 고해상도를 구현할 수 있도록 하기 위해, 제 1 식각과 제 2 식각을 진행하는 것을 특징으로 하며, 더욱이 제 1 식각은 금속기판의 양면 중 어느 한면에 대해서 진행하여 개구부가 형성될 영역에 홈을 형성하며, 제 2 식각은 상기 금속 기판의 양면 모두에 대해서 진행함으로써 상기 개구부와 개구부 사이의 프레임 구조에 있어, A높이를 줄이며 나아가 A높이를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 쉐도우 마스크 제조 방법을 제안하고 있다.The first feature of the present invention is to produce a shadow mask having a plurality of spaced apart openings, in order to implement a high resolution by reducing the dead zone in which the pattern deposited by the opening is not deposited, the first etching and the first And the second etching, wherein the first etching proceeds with respect to one of both sides of the metal substrate to form grooves in the region where the opening is to be formed, and the second etching proceeds with respect to both sides of the metal substrate. As a result, in the frame structure between the opening and the opening, the shadow mask manufacturing method is characterized in that the height of A can be reduced and the height of A can be adjusted.

도 4a 내지 4d는 본 발명에 따는 쉐도우 마스크 제조 방법에 따른 제조 단계별 단면도이다.4A to 4D are cross-sectional views of manufacturing steps according to the method of manufacturing a shadow mask according to the present invention.

우선, 도 4a에 도시한 바와 같이, 소정의 두께(t)를 갖는 금속 기판(110) 상하면에 모두에 포토레지스트를 도포하여 제 1 및 제 2 포토레지스트층(미도시, 153)을 형성한다.First, as shown in FIG. 4A, photoresist is applied to both upper and lower surfaces of the metal substrate 110 having a predetermined thickness t to form first and second photoresist layers (not shown) 153.

이후, 상기 기판(110) 상하에 형성된 제 1 및 제 포토레지스트층(미도시, 153) 중 어느 하나의 포토레지스트층(도면에 있어서는 제 1 포토레지스트층(미도시)) 위로 투과영역과 반사영역을 갖는 마스크(미도시)를 위치시키고 상기 마스크(미도시)를 통한 노광을 실시하고, 상기 노광된 제 1 포토레지스트층(미도시)을 현상함으로써 소정 폭(d3)을 가지며, 일정간격 이격하는 제 1 포토레지스트 패턴(161)을 형성한다. 도면에 있어서는 금속기판(110)의 상면에 제 1 포토레지스트 패턴(161)을 형성한 것을 보이고 있다.Subsequently, a transmissive region and a reflective region are disposed on any one photoresist layer (not shown in the drawing) of the first and the first photoresist layers (not shown) 153 formed above and below the substrate 110. By placing a mask having a (not shown) and performing an exposure through the mask (not shown), and developing the exposed first photoresist layer (not shown) having a predetermined width (d3), spaced apart The first photoresist pattern 161 is formed. In the drawing, the first photoresist pattern 161 is formed on the upper surface of the metal substrate 110.

다음, 도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 포토레지스트층(153) 및 일정간격 이격하는 제 1 포토레지스트 패턴(161)이 형성된 금속기판(110)을 염화철(FeCl3) 등의 식각액에 노출시킴으로써 상기 제 1 포토레지스트 패턴(161) 외부로 노출된 기판(110) 상면을 식각한다(제 1 식각).Next, as shown in FIG. 4B, the metal substrate 110 on which the second photoresist layer 153 and the first photoresist pattern 161 are spaced apart from each other is exposed to an etchant such as iron chloride (FeCl 3 ). By etching the upper surface of the substrate 110 exposed to the outside of the first photoresist pattern 161 (first etching).

이때, 상기 금속기판(110)이 염화철(FeCl3) 용액에 노출되는 시간을 적절히 조절함으로써 상기 금속기판(110) 두께(t)의 2/3 내지 4/5 정도까지 식각되도록 한다. 따라서, 상기 제 1 식각에 의해서는 상기 금속기판(110)에 개구부가 형성되지 않고, 다수의 홈(113)이 형성되는 것이 특징이다. In this case, the metal substrate 110 is etched to about 2/3 to 4/5 of the thickness t of the metal substrate 110 by appropriately adjusting the time exposed to the iron chloride (FeCl 3 ) solution. Therefore, the opening is not formed in the metal substrate 110 by the first etching, and a plurality of grooves 113 are formed.

다음, 도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 식각에 의해 상기 금속기판(110) 상부에 다수의 홈(113)이 형성된 상기 금속기판(110) 하부에 형성된 제 2 포토레지스층(도 4b의 153)에 마스크(미도시)를 통한 노광을 실시하고, 현상함으로써 상기 금속기판(110) 상면에 형성된 제 1 포토레지스트 패턴(161)에 대응하여 상기 금속기판(110) 하면에서 서로 일정간격 이격하는 다수의 제 2 포토레지스트 패턴 (163)을 형성한다. 이때, 상기 제 2 포토레지스트 패턴(163)은 상기 제 1 포토레지스트 패턴(161)과 중첩되도록 형성하며, 대응되는 상기 제 1 포토레지스트 패턴(161)보다는 넓은 폭(d4)을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다. Next, as shown in FIG. 4C, a second photoresist layer formed below the metal substrate 110 having a plurality of grooves 113 formed on the metal substrate 110 by the first etching (see FIG. 4B). 153 is exposed through a mask (not shown) and developed so as to be spaced apart from each other on the lower surface of the metal substrate 110 in correspondence to the first photoresist pattern 161 formed on the upper surface of the metal substrate 110. A plurality of second photoresist patterns 163 are formed. In this case, the second photoresist pattern 163 may be formed to overlap the first photoresist pattern 161, and may be formed to have a wider width d4 than the corresponding first photoresist pattern 161. Do.

다음, 도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴(161, 163)이 형성된 금속기판(110)을 염화철(FeCl3) 등의 식각액에 담구거나 또는 상기 염화철(FeCl3) 용액을 상기 금속기판(110)의 상하면에 분사시킴으로써 상기 금속기판(110)의 제 2 식각을 진행한다.Next, as illustrated in FIG. 4D, the metal substrate 110 on which the first and second photoresist patterns 161 and 163 are formed is immersed in an etching solution such as iron chloride (FeCl 3 ), or the iron chloride (FeCl 3 ). The second etching of the metal substrate 110 is performed by spraying a solution on the upper and lower surfaces of the metal substrate 110.

이 경우, 상기 금속기판(110)의 상면에 상기 제 1 식각을 통해 형성된 홈(도 4c의 113)은 상기 제 2 식각에 의해 더욱 식각이 진행되어 그 깊이가 깊어지게 되고, 상기 금속기판(110)의 하면에는 상기 제 2 포토레지스트 패턴(163) 외부로 노출된 부분이 식각이 진행되며, 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴(161, 163)에 의해 노출된 부분이 상기 금속기판(110)의 상하면에 중첩되므로 어느 정도 제 2 식각이 진행되면 도시한 바와 같이 개구(115)가 형성된다. 이후 상기 제 1, 2 포토레지스트 패턴을 스트립(strip)하여 제거함으로써 쉐도우 마스크(110)를 완성한다.In this case, the groove (113 in FIG. 4C) formed on the upper surface of the metal substrate 110 through the first etching is further etched by the second etching to deepen the depth, and the metal substrate 110 is deepened. ), Portions exposed to the outside of the second photoresist pattern 163 are etched, and portions exposed by the first and second photoresist patterns 161 and 163 are exposed to the metal substrate 110. Since the first and second etching proceeds to some extent, the opening 115 is formed as shown in FIG. Thereafter, the shadow mask 110 is completed by stripping and removing the first and second photoresist patterns.

이때, 상기 제 1 포토레지스트 패턴(161) 사이로 노출된 영역을 제 1 식각하여 홈(도 4c의 113)을 형성한 부분은 상기 제 2 식각에 의해 그 홈(도 4c의 113)이 더욱 깊어지게 되고, 상기 금속기판(110)의 하면이 식각되어 상기 홈(도 4c의 113) 부분이 개구(115)가 됨으로써 이러한 개구부(115)와 개구부(115) 사이에 형성된 프레임(120)의 단면 구조에 있어, 밑면으로부터 최대로 볼록한 부분까지의 높이 (A)가 기판 두께(t)의 중앙 부분에 형성되는 종래와는 달리 기판 두께(t)의 중앙부분보다는 더욱 아래로 치우쳐 형성됨을 알 수 있다. In this case, the groove (113 in FIG. 4C) formed by first etching the regions exposed between the first photoresist pattern 161 so as to deepen the groove (113 in FIG. 4C) by the second etching. The bottom surface of the metal substrate 110 is etched so that the groove 113 (in FIG. 4C) becomes the opening 115, thereby forming a cross-sectional structure of the frame 120 formed between the opening 115 and the opening 115. Therefore, it can be seen that the height (A) from the bottom to the most convex portion is formed more biased than the center portion of the substrate thickness (t), unlike the prior art formed in the center portion of the substrate thickness (t).

따라서, 이렇게 형성된 쉐도우 마스크(110)를 이용하여 유기 발광물질을 증착 시는 밑면부터 프레임(120)의 개구부(115)로의 돌출된 부분까지의 높이인 A높이가 매우 낮아지게 되어 상기 쉐도우 마스크의 밑면이 유기전계발광 소자 제조 시 유기 발광층이 형성될 면과 대응되도록 한 후, 증착을 진행하면 유기 발광물질이 증착되지 않는 데드 존(dead zone)이 작게 형성됨으로써 유기 발광층을 더욱 촘촘히 형성할 수 있게 됨을 알 수 있다. 따라서, 고해상도의 유기전계 발광 소자 제조를 가능하게 함은 자명하다. Therefore, when the organic light emitting material is deposited using the shadow mask 110 formed as described above, the height A, which is the height from the bottom to the protruding portion of the opening 115 of the frame 120, becomes very low, and thus the bottom of the shadow mask. When the organic light emitting device is manufactured, the organic light emitting device is made to correspond to the surface on which the organic light emitting layer is to be formed, and when the deposition is performed, a dead zone in which the organic light emitting material is not deposited is formed to be smaller, thereby forming the organic light emitting layer more closely. Able to know. Therefore, it is apparent that the high-resolution organic electroluminescent device can be manufactured.

특히, 본 발명에 있어서는 금속기판의 한면만을 식각하는 제 1 식각의 시간을 조절함으로써 개구부와 개구부 사이의 프레임에 있어 밑면으로부터 돌출부까지의 높이를 조절할 수 있게 됨으로써 유기전계 발광소자의 모델에 따라 증착 마진의 폭을 조절할 수 있게 되는 것이 특징이 된다. In particular, in the present invention, by adjusting the time of the first etching to etch only one surface of the metal substrate, the height from the bottom to the protrusion in the frame between the opening and the opening can be adjusted, so that the deposition margin according to the model of the organic light emitting device. It is characterized by being able to adjust the width of.

본 발명에 따른 유기전계 발광 소자용 쉐도우 마스크 제조 방법에 의해 제조 된 쉐도우 마스크는 개구부과 개구부 사이의 프레임 구조에 있어, 밑면으로부터 개구부로의 돌출부 즉, 최대로 볼록한 부분까지의 높이를 종래대비 최소로 함으로써 증착이 안되는 데드 존(dead zone)을 작게함으로써 고해상도의 유기전계 발광소자 구현을 가능하도록 하는 효과가 있다.The shadow mask manufactured by the method of manufacturing a shadow mask for an organic light emitting device according to the present invention has a frame structure between the opening and the opening, and the height of the protrusion from the bottom to the opening, that is, the most convex portion, is minimized. There is an effect of enabling a high resolution organic electroluminescent device by reducing a dead zone that cannot be deposited.

또한, 기판의 일면만을 식각하는 제 1 식각을 적절히 조절함으로써 상기 밑면으로부터 개구부로의 돌출 부분까지의 높이를 조절함으로써 유기 발광층의 증착 마진을 확보할 수 있는 장점이 있다.In addition, by appropriately adjusting the first etching for etching only one surface of the substrate, there is an advantage that the deposition margin of the organic light emitting layer can be secured by adjusting the height from the bottom surface to the protruding portion to the opening.

Claims (6)

제 1 두께를 갖는 금속재질의 기판의 상면에, 이격하며 제 1 폭을 갖는 다수의 제 1 포토레지스트 패턴과, 상기 기판의 하면 전체에 포토레지스트층을 형성하는 단계와;Forming a plurality of first photoresist patterns on a top surface of the metal substrate having a first thickness and having a first width and a photoresist layer on the entire bottom surface of the substrate; 상기 제 1 포토레지스트 패턴 외측으로 노출된 상기 기판을 제 1 식각하여 상기 제 1 두께의 2/3 내지 4/5의 크기인 제 1 깊이를 갖는 다수의 홈을 형성하는 단계와;First etching the substrate exposed outside the first photoresist pattern to form a plurality of grooves having a first depth having a size of 2/3 to 4/5 of the first thickness; 상기 포토레지스트층을 패터닝하여 상기 제 1 포토레지스트 패턴과 완전 중첩하며 상기 제 1 폭보다 큰 제 2 폭을 갖는 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와; Patterning the photoresist layer to form a second photoresist pattern completely overlapping the first photoresist pattern and having a second width greater than the first width; 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 제 2 식각하여 상기 기판의 상면에는 제 3 폭을 가지며, 상기 기판의 하면에는 상기 제 3 폭보다 작은 제 4 폭을 갖는 다수의 개구부를 형성하는 단계Second etching the substrate on which the first and second photoresist patterns are formed to form a plurality of openings having a third width on an upper surface of the substrate and a fourth width smaller than the third width on the lower surface of the substrate; step 를 포함하며, 상기 다수의 각 개구부는 그 각각의 내측면의 상기 기판의 상면으로부터 상기 제 1 깊이보다 더 큰 제 2 깊이 지점은 상기 제 4 폭보다 작은 제 5 폭을 갖는 것이 특징인 유기전계발광 소자용 쉐도우 마스크 제조 방법. Wherein each of the plurality of openings has a fifth width less than the fourth width, the second depth point greater than the first depth, from the top surface of the substrate on its respective inner surface. Method for manufacturing shadow mask for device. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1, 2 식각에 이용하는 식각액은 염화철(FeCl3) 용액인 유기전계발광 소자용 쉐도우 마스크 제조 방법. The method of manufacturing a shadow mask for an organic light emitting display device, wherein the etchant used for the first and second etching is iron chloride (FeCl 3 ) solution. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1, 2 식각은 식각액 내에 디핑(dipping)하거나 또는 식각액을 분사하는 방법에 의해 진행되는 유기전계발광 소자용 쉐도우 마스크 제조 방법. The first and second etching is a method of manufacturing a shadow mask for an organic light emitting device is performed by dipping (dipping) in the etching solution or spraying the etching solution. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 식각 진행 후에는 상기 제 1, 2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 더욱 포함하는 유기전계발광 소자용 쉐도우 마스크 제조 방법. After the second etching process, further comprising the step of removing the first and second photoresist pattern shadow mask manufacturing method for an organic light emitting device.
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