KR101135023B1 - vacuum chuck structure - Google Patents

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Abstract

본 발명은 진공 척 구조에 관한 것으로, 피흡착체를 흡착 보유 지지하기 위하여, 다공질 세라믹으로 이루어지는 흡착층; 저면이 환형의 요철을 형성하고, 중심부 관통공이 형성된 상기 흡착층을 지지하는 하우징; 상기 하우징의 중심부 관통공에 부착되고, 중심에 흡입공이 형성되는 하부 도전체 및 상기 하우징의 최 외곽 측면 상부에 접착되는 링형의 상부 도전체를 포함하여 구성하되, 상기 상부 도전체 및 하부 도전체가 상기 하우징 및 상기 흡착층 사이에 적어도 하나의 도선을 통해 연결되는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명을 제공하면, 전체적인 조립이 용이하고, 대면적의 진공 척 구조를 용이하게 제작할 수 있을 뿐만 아니라, 다공질 세라믹 판의 교체가 용이하여 웨이퍼 가공 안정적으로 수행하고, 공정시간을 단축시킬 수 있는 장점이 있다. The present invention relates to a vacuum chuck structure, comprising: an adsorption layer made of porous ceramics for adsorption holding of an adsorbed body; A housing having a bottom surface forming an annular unevenness and supporting the adsorption layer having a central through hole formed therein; And a lower conductor attached to a central through hole of the housing and having a suction hole formed at the center thereof, and a ring-shaped upper conductor bonded to an uppermost side of the outer side of the housing. It is characterized in that connected between the housing and the adsorption layer through at least one conductive wire.
Providing the present invention as described above, the overall assembly is easy, and not only the large-area vacuum chuck structure can be easily manufactured, but also the porous ceramic plate can be easily replaced to perform wafer processing stably and shorten the process time. There is an advantage.

Description

진공 척 구조{vacuum chuck structure}Vacuum chuck structure

본 발명은 반도체 웨이퍼 가공시 사용하는 진공 척 구조에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다이싱 머신에 적용하는 제조 및 수리가 용이한 진공 척 구조에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum chuck structure for use in semiconductor wafer processing, and more particularly, to a vacuum chuck structure that is easy to manufacture and repair in a dicing machine.

일반적으로 반도체를 제조하는 공정에서 반도체 웨이퍼의 노광, CVD(화학 기상 증착), 스퍼터링 등의 성막 공정이나 미세가공, 에칭, 다이싱과 같은 공정에는 반도체 웨이퍼를 가공기의 소정 부위에 고정 및 유지시키기 위한 유지수단이 필요하다. Generally, in the process of manufacturing a semiconductor, in order to fix and hold a semiconductor wafer to a predetermined part of a processing machine in a film forming process such as exposure of a semiconductor wafer, chemical vapor deposition (CVD), sputtering, or a process such as microfabrication, etching, or dicing, Maintenance means are needed.

반도체 생산에 필수적인 다이싱머신은 매우 정밀한 장비로서 가공소재는 주로 취성이 강한 실리콘(Si)을 사용하고 있다.Dicing machine, which is essential for semiconductor production, is a very precise equipment, and the processing material mainly uses brittle silicon (Si).

반도체 제조공정상에서 실리콘 웨이퍼는 매우 얇은(1~0.05mm) 소재로 되어 있으며, 그 크기는 일반적으로 6', 8', 12'의 외경을 갖는 원판 형태를 취하고 있다.In the semiconductor manufacturing process, the silicon wafer is made of a very thin (1 ~ 0.05mm) material, and its size generally takes the form of a disc having an outer diameter of 6 ', 8', 12 '.

과거에는 8'까지의 크기로 이 제품을 잡아주는 진공 척도 소형이었으나 현재는 12' 웨이퍼를 많이 사용하기 때문에 그 추세에 따라 진공 척의 크기도 커지게 되었다. 이에 따라 지금까지는 척 재료를 SUS와 다공질 세라믹을 사용하였으나 웨이퍼 크기가 커짐에 따라 변형이 적은 세라믹과 세라믹 소재를 사용하는 것이 일반적이다.In the past, the vacuum chuck that held the product to a size of 8 'was also small, but nowadays it uses a lot of 12' wafers. Accordingly, chuck materials and porous ceramics have been used so far, but it is common to use ceramics and ceramic materials with less deformation as the wafer size increases.

그러나 다이싱머신 특성상 진공 척 테이블의 본체가 도전체이어야 하는데, 세라믹은 부도체이므로 세라믹의 표면에 도전체를 코팅하여 도전체로 만들어야 한다. 그러므로 현재는 세라믹 소재에 티타늄을 용사코팅하여 도전체로 만들어 진공 척 테이블 소재로 사용하고 있으며 이 제품은 상당한 고가로 판매되고 있다.However, due to the nature of the dicing machine, the main body of the vacuum chuck table should be a conductor. Since the ceramic is an insulator, the conductor must be coated on the surface of the ceramic to form a conductor. Therefore, titanium is thermally coated on ceramics to form a conductor and used as a vacuum chuck table material. This product is sold at a considerable price.

이러한 기술을 다공질 세라믹이 수명을 다하여 교체할 시기에 신제품을 구입해야 한다는 점에서 수리가 불가능한 단점이 있다. 또한 다공질 세라믹 교체시 본체도 상당한 양을 연삭하게 되는데 이때에 코팅된 도전체의 두께가 얇기 때문에 재연삭에 어려움이 있다.This technology is not repairable because of the need to purchase new products at the time of replacement of porous ceramics at the end of their lifetime. In addition, when the porous ceramic is replaced, the main body is also ground a considerable amount, which is difficult to regrind because the thickness of the coated conductor is thin.

도 1은 종래의 척 테이블 구조를 단면과 평면으로 나타낸 도면이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 하우징은 다공질 세라믹을 감싸고 있는 외곽부분으로 다공질 세라믹을 고정시켜 주고, 척 테이블과 장비의 본체를 결합시키는 역할 하는 것으로, 부식성이 적고 단단한 스텐렌스 스틸(SUS) 등을 사용한다.1 is a cross-sectional view and a plan view of a conventional chuck table structure. As shown in FIG. 1, the housing fixes the porous ceramic to the outer portion surrounding the porous ceramic, and serves to couple the main body of the equipment with the chuck table. do.

그러나, 상술한 바와 같이, 다이싱 머신의 특성상 척 테이블은 도전성을 띄어야 하기 때문에 상술한 하우징에 금속을 용사코팅하여 전체적으로 도전성을 띄도록 하였으나, 이러한 용사코팅이 용이하지 않고, 제품단가가 높아질 뿐만 아니라, 다공질 세라믹을 교체하는 경우 다시 연삭가공을 하는데 상당한 어려움이 있다.
However, as described above, the chuck table has to be electrically conductive due to the characteristics of the dicing machine, so that the metal is sprayed on the housing so as to be electrically conductive. However, the thermal spray coating is not easy and the product cost is increased. However, there is considerable difficulty in regrinding when replacing the porous ceramics.

상술한 문제를 해결하려는 본 발명의 과제는 전체적인 조립이 용이하고, 대면적의 진공 척 구조를 용이하게 제작할 수 있을 뿐만 아니라, 다공질 세라믹 판의 교체가 용이하여 웨이퍼 가공 안정적으로 수행하고, 수리시간을 단축시킬 수 있는 진공 척 구조를 제공하고자 함에 있다.The problem of the present invention is to solve the above problems, the overall assembly is easy, and not only the large-area vacuum chuck structure can be easily manufactured, but also the porous ceramic plate can be easily replaced to perform wafer processing stably, and the repair time is improved. An object of the present invention is to provide a vacuum chuck structure that can be shortened.

상술한 문제를 해결하기 위한 본 발명의 특징은 피흡착체를 흡착 보유 지지하기 위하여, 다공질 세라믹으로 이루어지는 흡착층; 저면이 환형의 요철을 형성하고, 중심부 관통공이 형성된 상기 흡착층을 지지하는 하우징; 상기 하우징의 중심부 관통공에 부착되고, 중심에 흡입공이 형성되는 하부 도전체 및 상기 하우징의 최 외곽 측면 상부에 접착되는 링형의 상부 도전체를 포함하여 구성하되, 상기 상부 도전체 및 하부 도전체가 상기 하우징 및 상기 흡착층 사이에 적어도 하나의 도선을 통해 연결되는 것이다.A feature of the present invention for solving the above problems is an adsorption layer made of porous ceramics for adsorption holding of the adsorbed body; A housing having a bottom surface forming an annular unevenness and supporting the adsorption layer having a central through hole formed therein; And a lower conductor attached to the central through hole of the housing and having a suction hole formed at the center thereof, and a ring-shaped upper conductor bonded to an uppermost side surface of the housing, wherein the upper conductor and the lower conductor include It is connected through the at least one conductor between the housing and the adsorption layer.

여기서, 상기 하우징은 세라믹을 재질로 하는 것이 바람직하고, 상기 상부 및 하부 도전체는 SUS, 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴, 니켈, 금, 은, 백금으로 선택된 군 중 어느 하나인 것이 바람직하다.Here, the housing is preferably made of a ceramic material, the upper and lower conductors are preferably any one of the group selected from SUS, aluminum, tungsten, molybdenum, nickel, gold, silver, platinum.

더하여, 바람직하게는 상기 상부 도전체를 상기 하우징에 에폭시 수지를 통해 부착되는 것일 수 있고, 상기 도선은 상기 하우징 및 상기 흡착층 사이에서 금속 라인 코팅되어 형성된 것일 수 있다.
In addition, preferably, the upper conductor may be attached to the housing through an epoxy resin, and the conductive wire may be formed by coating a metal line between the housing and the adsorption layer.

이와 같은 본 발명을 제공하면, 전체적인 조립이 용이하고, 대면적의 진공 척 구조를 용이하게 제작할 수 있을 뿐만 아니라, 다공질 세라믹 판의 교체가 용이하여 웨이퍼 가공 안정적으로 수행하고, 공정시간을 단축시킬 수 있는 장점이 있다. 또한, 진공 척 테이블의 제조 단가가 낮고, 다양한 공정을 위한 진공 척에 알맞게 변형 또는 설계 변경이 용이한 장점이 있다.
Providing the present invention as described above, the overall assembly is easy, and not only the large-area vacuum chuck structure can be easily manufactured, but also the porous ceramic plate can be easily replaced to perform wafer processing stably and shorten the process time. There is an advantage. In addition, the manufacturing cost of the vacuum chuck table is low, there is an advantage that it is easy to modify or change the design to suit the vacuum chuck for various processes.

도 1은 종래의 척 테이블 구조를 단면과 평면으로 나타낸 도면,
도 2는 본 발명에 따른 진공 척 구조의 평면도, 측면도 및 저면도를 예시한 도면,
도 3은 본 발명에 따른 진공 척 구조의 단면 분해도를 예시한 도면이다.1 is a cross-sectional view and a plan view of a conventional chuck table structure;
Figure 2 illustrates a plan view, side view and bottom view of a vacuum chuck structure according to the present invention,
3 is a diagram illustrating a cross-sectional exploded view of a vacuum chuck structure according to the present invention.

이하 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 진공 척 구조의 평면도, 측면도 및 저면도를 예시한 도면이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 진공 척 구조는, 피흡착체를 흡착 보유 지지하기 위하여, 다공질 세라믹으로 이루어지는 흡착층(20); 저면이 환형의 요철을 형성하고, 중심부 관통공이 형성된 상기 흡착층을 지지하는 하우징(10); 상기 하우징의 중심부 관통공에 부착되고, 중심에 흡입공이 형성되는 하부 도전체(30) 및 상기 하우징의 최 외곽 측면 상부에 접착되는 링형의 상부 도전체(40)를 포함하여 구성하되, 상기 상부 도전체 및 하부 도전체가 상기 하우징 및 상기 흡착층 사이에 적어도 하나의 도선(45)을 통해 연결되는 것을 특징으로 한다.2 is a diagram illustrating a plan view, a side view and a bottom view of a vacuum chuck structure according to the present invention. As shown in Fig. 2, the vacuum chuck structure of the present invention comprises: an adsorption layer 20 made of porous ceramic for adsorption holding of an adsorbed body; A housing (10) having a bottom surface forming an annular irregularity and supporting the adsorption layer having a central through hole formed therein; And a lower conductor 30 attached to a central through hole of the housing and having a suction hole at a center thereof, and a ring-shaped upper conductor 40 adhered to an uppermost outer side of the housing. A sieve and a lower conductor are connected between the housing and the adsorption layer through at least one conductive wire 45.

여기서, 흡착층(20)은 다공질 세라믹으로 형성된 것으로,웨이퍼를 위치시키고 척의 하부에서 진공펌프를 통해 공기를 빨아들이면 척 테이블위에 위치된 웨이퍼면이 진공상태가 되어 웨이퍼가 척 테이블에서 떨어지지 않고 진공으로 흡착하기 위한 흡착공 구조층이다.Here, the adsorption layer 20 is formed of porous ceramics. When the wafer is positioned and the air is sucked through the vacuum pump at the bottom of the chuck, the wafer surface placed on the chuck table becomes a vacuum state, and the wafer does not fall off the chuck table. Adsorption hole structure layer for adsorption.

다공질 세라믹이라 함은 대개의 경우 SiC 분말을 주 원료로 하여 고온에서 소결한 제품으로 그 형상은 마치 딱딱한 스폰지와 흡사하다. 그 분말의 입도에 따라 기공의 차이가 있는데 보통 메쉬 사이즈라고 하여 그 치수가 높으면 높을수록 기공이 작아지고 작으면 작을수록 기공이 커지게 된다.Porous ceramic is usually a product sintered at high temperature using SiC powder as a main raw material and its shape is similar to a hard sponge. There is a difference in porosity depending on the particle size of the powder, which is usually referred to as a mesh size, the higher the dimension, the smaller the pores, and the smaller, the larger the pores.

통상 사용되는 메쉬사이즈는 70-300 정도이고, 기공이 너무 클 경우 제품에 손상이 있을 수 있고, 기공이 너무 작을 경우 진공 흡착율이 떨어지게 되므로, 척의 크기 웨이퍼의 크기 등을 고려해 웨이퍼 손상이 적고 흡착율이 높은 가장 적적한 싸이즈를 채택하는 것이 바람직하다.Generally, the mesh size is about 70-300, and if the pore is too large, there may be damage to the product. If the pore is too small, the vacuum adsorption rate will drop. It is desirable to adopt the highest and most suitable size.

하우징(10)은 상기 흡착층(20)인 다공질 세라믹을 감싸고 있는 외곽부분으로 다공질 세라믹을 고정시켜 주고, 척 테이블 본체를 결합시키는 역할을 하는 것으로, 산화 알루미나(AL203) 와 같은 세라믹을 재질로 하는 것이 바람직하다. 종래에는 스텐레스 스틸(SUS)와 같은 부식이 잘되지 않은 제품이 사용되기도 하였으나, 웨이퍼의 크기가 커지기 때문에 변형이 적은 세라믹 재질을 사용하는 것이 바람직하다.The housing 10 serves to fix the porous ceramic to the outer portion surrounding the porous ceramic, which is the adsorption layer 20, and to bind the chuck table body, and to form a ceramic such as alumina (AL 2 O 3 ). It is preferable to set it as a material. Conventionally, products having poor corrosion such as stainless steel (SUS) have been used, but it is preferable to use a ceramic material with less deformation since the size of the wafer is increased.

또한, 상기 다공질 세라믹으로서는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 질화 알루미늄, 질화 규소, 질화 붕소, 질화 티탄 등의 질화물 세라믹, 탄화 규소, 탄화 지르코늄, 탄화 티탄, 탄화 탄탈, 탄화 텅스텐 등의 탄화물 세라믹, 알루미나, 지르코니아, 코듀라이트, 무라이트 등의 산화물 세라믹 등을 들 수 있지만, 이들 중에서는 높은 열전도율을 갖는 동시에, 염산, 초산, 황산, 불산, 불초산 및 수산화 나트륨 등에 대한 내약품성이 우수한 탄화 규소가 바람직하다. 또한, 다공질 세라믹으로서 탄화 규소를 이용한 경우에는, 연마 시에 발생하는 마찰열을 신속하게 릴리프할 수 있다.The porous ceramic is not particularly limited, and examples thereof include nitride ceramics such as aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, and titanium nitride, carbide ceramics such as silicon carbide, zirconium carbide, titanium carbide, tantalum carbide, and tungsten carbide, alumina, and zirconia. Although oxide ceramics, such as cordurolite and a lite, etc. are mentioned, Silicon carbide which has high thermal conductivity and excellent chemical-resistance to hydrochloric acid, acetic acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, hydrofluoric acid, sodium hydroxide, etc. is preferable. In addition, when silicon carbide is used as the porous ceramic, the frictional heat generated during polishing can be quickly released.

다공질 세라믹으로 이루어진 흡착층의 두께는 진공 척을 구성하는 재료의 열전도율이나 영률 등을 고려하여 적절하게 결정되지만, 예컨대 상기 흡착층이 탄화 규소로 구성되어 있는 경우, 15 내지 60 ㎜인 것이 바람직하다. 흡착판의 두께가 너무 얇으면, 그 지름에 대하여 지나치게 얇아져 흡착층에 휘어짐이 발생하기 쉽고, 또한 강도가 저하되어 파손되기 쉬워진다. 한편, 흡착층의 두께가 너무 두꺼우면, 중량이 증가하여 진공 척의 대형화를 초래한다.The thickness of the adsorption layer made of porous ceramics is appropriately determined in consideration of thermal conductivity, Young's modulus, etc. of the material constituting the vacuum chuck. However, when the adsorption layer is made of silicon carbide, for example, the thickness is preferably 15 to 60 mm. If the thickness of the adsorption plate is too thin, it becomes too thin with respect to the diameter and warpage easily occurs in the adsorption layer, and the strength is lowered and the breakage tends to occur. On the other hand, if the thickness of the adsorption layer is too thick, the weight increases, resulting in the enlargement of the vacuum chuck.

상기 흡착층(20)(다공질 세라믹)의 기공률은 특별히 한정되지 않지만, 20 내지 50% 정도인 것이 바람직하다. 기공률이 20%미만이면, 피흡착체(웨이퍼)의 흡인력이 약해져, 연마 처리 등을 할 때에 반도체 웨이퍼 등의 피흡착체가 이동되거나, 박리되거나 한다. 한편, 기공률이 50%를 넘으면, 흡착판의 강도가 저하하기 때문에 파괴되기 쉽고, 그것을 방지하기 위해서는 흡착층(20)의 두께를 두껍게 할 필요가 생겨 진공 척이 대형화되는 동시에, 고가가 된다.The porosity of the adsorption layer 20 (porous ceramic) is not particularly limited, but is preferably about 20 to 50%. If the porosity is less than 20%, the suction force of the object to be absorbed (wafer) is weakened, and an object to be adsorbed, such as a semiconductor wafer, is moved or peeled off during polishing. On the other hand, if the porosity exceeds 50%, the strength of the adsorption plate decreases, so that it is easily broken, and in order to prevent it, the thickness of the adsorption layer 20 needs to be thickened, and the vacuum chuck becomes large and expensive.

보유 지지면의 흡착력을 균일하게 유지하기 위해서는, 흡착층(20)의 기공 지름이 다 일치하고 있는 것이 바람직하며, 상기 흡착층(20)의 세공 분포를 수은 압입법에 의해 측정했을 때, 평균 기공 지름이 10 내지 40 ㎛이고, 상기 평균 기공 지름의 0.7 내지 1.2배인 기공 지름을 갖는 세공의 전 세공 용적에 대한 비율이 75% 이상인 것이 바람직하다.In order to maintain the adsorption force of the holding surface uniformly, it is preferable that the pore diameters of the adsorption layer 20 all coincide. When the pore distribution of the adsorption layer 20 is measured by mercury porosimetry, the average pore It is preferable that the ratio with respect to the total pore volume of the pore whose diameter is 10-40 micrometers, and has a pore diameter of 0.7-1.2 times the said average pore diameter is 75% or more.

또, 상기 기공률은 수은 압입법 외에, 아르키메데스법, 주사형 전자 현미경(SEM)에 의한 측정 등, 종래 공지의 방법에 의해 측정할 수 있다. 상기 다공질 탄화 규소로 이루어지는 흡착층의 평균 입경은 30 내지 70 ㎛인 것이 바람직하다. 이와 같이 평균 입경이 30내지 70 ㎛로 비교적 큰 입자가 바람직한 것은 일반적으로, 열이 입자의 내부를 전도하는 효율은 열이 입자 사이를 전도하는 효율과 비교하여 높기 때문에, 평균 입경이 클수록 열전도율이 높아지고, 또한 기공 지름이 일치되기 쉽기 때문이다.In addition, the said porosity can be measured by a conventionally well-known method, such as the measurement by the Archimedes method and a scanning electron microscope (SEM), in addition to a mercury intrusion method. It is preferable that the average particle diameter of the adsorption layer which consists of said porous silicon carbide is 30-70 micrometers. As such, particles having a relatively large average particle diameter of 30 to 70 µm are preferable. In general, the efficiency of heat conducting inside the particles is high compared to the efficiency of heat conducting between the particles. Therefore, the larger the average particle diameter, the higher the thermal conductivity. This is because the pore diameters are easy to match.

한편, 하우징(10)은 저면은 환형의 요철구조로 이루어지는 것이 바람직한데, 이는 척 테이블 본체와의 결합을 용이하게 하고 안정된 지지가 가능하도록 하기 위함이다. 그리고 하우징(10)의 중앙부는 관통공이 형성되어 있다. 이것은 관통공에 본 발명의 특징인 하부 도전체(30)를 끼워 삽입하기 위한 공간이다. 또한 하우징(10)의 측면은 단턱을 형성하여 일정 깊이의 공간을 형성하여 상술한 다공질 세라믹(20)을 삽입 부착한다.On the other hand, the housing 10 is preferably the bottom surface is formed of an annular concave-convex structure, to facilitate the coupling with the chuck table body and to enable a stable support. And the through-hole is formed in the center part of the housing 10. This is a space for inserting the lower conductor 30 which is a feature of the present invention into the through hole. In addition, the side surface of the housing 10 forms a step to form a space of a predetermined depth to insert the porous ceramic 20 described above.

그리고, 하우징(10)의 측면에는 원둘레를 둘러싸는 링형의 상부 도전체(40)를 에폭시 수지를 이용하여 부착하고, 중심 하부에 위치한 하부 도전체(30)와 도선(45)으로 연결하게 되면 척 테이블 전체가 도전성을 띄게 된다. 도선(45)은 하우징(20) 둘레 상면에 위치한 상부 도전체(40)에서 내벽을 따라 하부 도전체(30)로 연결하고 나서 상기 다공질 세라믹(20)을 삽입하면, 별도의 가공 없이도 쉽게 설치할 수 있게 된다.In addition, the ring-shaped upper conductor 40 surrounding the circumference is attached to the side of the housing 10 by using an epoxy resin, and when the lower conductor 30 located below the center is connected to the conductor 45 by the chuck, The whole table becomes conductive. When the conductive wire 45 is connected to the lower conductor 30 along the inner wall of the upper conductor 40 located on the upper surface of the housing 20, and then the porous ceramic 20 is inserted, it can be easily installed without additional processing. Will be.

또한, 상.하부 도전체(30,40)를 하나의 도선(45)으로 연결하는 것도 가능하나, 척 테이블이 자주 사용하게 되면 예기치 못하게 도선(45)이 끊어질 수 있고 손상을 입게 될 수 있으므로, 복수개의 도선(45)으로 연결하면 단선으로 인한 도전성 상실을 막을 수 있을 뿐만 아니라, 내구성을 높일 수 있게 된다. 도선(45)의 배치는 중심부를 가로지르는 일직선 형태로 양쪽을 연결하는 것도 가능하고, 대칭적인 십자형으로 4곳을 연결하는 것도 가능하다. In addition, it is also possible to connect the upper and lower conductors 30 and 40 with one conductive wire 45, but if the chuck table is frequently used, the conductive wire 45 may be unexpectedly broken and may be damaged. When connected to the plurality of conductive wires 45, not only can prevent loss of conductivity due to disconnection, but also increase durability. The arrangement of the conductive wires 45 may be connected to each other in a straight line form across the center portion, or may be connected to four locations in a symmetrical cross shape.

더하여, 도선(45)은 일반적인 와이어를 이용하여 납땜 연결하는 것도 가능하나, 상부 도전체(40)와 하부 도전체(30)를 하우징(10) 내벽을 따라 라인 코팅하는 것도 가능하다. 라인코팅은 열융착 방법으로 손쉽게 코팅하는 것이 가능할 뿐만 아니라, 일반 와이어 보다 두께를 작게 형성할 수 있으며, 고정시킬 수 있다는 점에서 보다 안정적인 도전 연결이 가능한 장점이 있다.In addition, although the conductive wire 45 may be soldered and connected using a general wire, the upper conductor 40 and the lower conductor 30 may be line coated along the inner wall of the housing 10. Line coating is not only able to be easily coated by a thermal fusion method, but also has a merit that a more stable conductive connection can be made in that the thickness can be made smaller and fixed than a general wire.

즉, 도 2에 나타낸 바와 같이, 상면에 다공질 세라믹(20)이 위치하고 그 측면과 하부는 하우징(10)이 지지하게 되고, 하우징(10)의 중심 하부에 SUS 재질의 도전체(30)가 위치시켜 상.하부 도전체(30,40)를 도선(45)으로 연결하는 구조이다. 이는 앞서 설명한 바와 같이 종래에 웨이퍼 면적이 커지면서 하우징(10) 자체를 보다 안정적이고 변형이 적은 세라믹 재질로 사용하고, 척 테이블이 도전성을 띄도록 하기 위해서 사용했던 코팅 가공이 어려움과 보수교체의 어려움을 극복할 수 있는 본 발명의 특징적 구조이다.That is, as shown in Figure 2, the porous ceramic 20 is located on the upper surface and the housing 10 is supported on the side and the lower portion, the conductor 30 made of SUS material is located in the lower center of the housing 10 The upper and lower conductors 30 and 40 are connected to each other by the conductive wire 45. This is because, as described above, the coating 10 used to make the housing 10 itself a more stable and less deformable ceramic material with a larger wafer area, and to make the chuck table conductive, has a difficulty in processing and repairing. It is a characteristic structure of the present invention that can be overcome.

그리고, 하부 도전체(SUS)(30)의 하부면은 일정한 홈이 형성되고, 그 중심부는 흡입공(35)이 형성되어 있다. 이는 척 테이블 본체를 통해 연결되는 진공펌프와 연결되기 위함이고, 흡입공(35)을 통해 공기를 흡입하게 되면, 상부에 위치한 다공질 세락믹(20)의 기공을 통해 척의 상부에 위치하는 웨이퍼를 흡착할 수 있게 된다. 물론, 흡입공(35)은 척 중심부에 하나만 형성할 수 있지만, 보다 균일하고 흡착률을 높이기 위해 상기 하우징(10)의 하부면에 다수의 흡입공을 형성하여 진공펌프와 연결할 수 있음은 물론이다.
The lower surface of the lower conductor SUS 30 is provided with a constant groove, and a central portion thereof has a suction hole 35 formed therein. This is to be connected to the vacuum pump connected through the chuck table main body, and when the air is sucked through the suction hole 35, the wafer located in the upper part of the chuck through the pores of the porous ceramic ceramic 20 located above the suction. You can do it. Of course, only one suction hole 35 may be formed at the center of the chuck, but a plurality of suction holes may be formed in the lower surface of the housing 10 to be connected to the vacuum pump in order to increase the adsorption rate more uniformly. .

도 3은 본 발명에 따른 진공 척 구조의 단면 분해도를 예시한 도면이다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 진공 척 구조는 중심부가 관통되어 있고, 상면의 측면에 일정 높이의 단턱이 존재하는 원형 링 형상의 하우징(10)과, 상기 하우징(10)의 중심부의 관통공에 삽입되는 하부 도전체(30)와, 상기 하우징(10)의 측면 단턱 상부에 접합되는 원형 링 형태의 상부 도전체(40)와, 상기 상부 도전체(40) 및 하부 도전체(30)를 연결하는 도선(45) 및 상기 하우징(10)의 상부에 삽입되는 다공질 세라믹(20)을 포함하여 구성된다.3 is a diagram illustrating a cross-sectional exploded view of a vacuum chuck structure according to the present invention. As shown in FIG. 3, the vacuum chuck structure of the present invention has a circular ring-shaped housing 10 having a central portion penetrating therethrough, and a stepped portion having a predetermined height on the side surface of the upper surface, and a penetration of the central portion of the housing 10. A lower conductor 30 inserted into a ball, an upper conductor 40 having a circular ring shape joined to an upper side lateral step of the housing 10, and the upper conductor 40 and the lower conductor 30. It comprises a conductive wire 45 for connecting the porous ceramic 20 is inserted into the upper portion of the housing 10.

보다 상세하게 각 구성의 결합을 살펴보면, 중심부가 관통되어 있고, 저면의 환형의 복수개의 요철 구조로 되어 있고, 상면의 측면에 일정 높이의 단턱이 존재하는 원형 링 형상의 하우징(10)의 중심부에 하부 도전체(SUS)(30)를 삽입장착하고, 상기 하우징(10) 단턱 상부면에 원형 링의 상부 도전체(40)를 에폭시 수지로 부착하고, 상기 상부 도전체(40)와 하부 도전체(30)를 상기 하우징(10)의 내벽을 따라 도선(45)으로 연결하고, 그 위에 다공질 세라믹(20) 판을 삽입하는 구조이다. Looking at the combination of each configuration in more detail, in the center of the circular ring-shaped housing 10 in which the central portion is penetrated, a plurality of annular uneven structures of the bottom surface, and a stepped height is present on the side surface of the upper surface. Insert the lower conductor (SUS) 30, and attach the upper conductor 40 of the circular ring to the upper surface of the housing 10 step with an epoxy resin, the upper conductor 40 and the lower conductor 30 is connected to the conductive wire 45 along the inner wall of the housing 10, and the porous ceramic 20 plate is inserted thereon.

이와 같은 구조를 형성하는 본 발명은 전체적인 조립이 용이하고, 대면적의 진공 척 구조를 용이하게 제작할 수 있을 뿐만 아니라, 다공질 세라믹 판의 교체가 용이하여 웨이퍼 가공 안정적으로 수행하고, 공정시간을 단축시킬 수 있는 장점이 있다. 또한, 진공 척 테이블의 제조 단가가 낮고, 다양한 공정을 위한 진공 척에 알맞게 변형 또는 설계 변경이 용이한 장점이 있다.
The present invention forming such a structure is not only easy to assemble the whole, can easily manufacture a large-area vacuum chuck structure, but also easy to replace the porous ceramic plate to perform a stable wafer processing, shorten the process time There are advantages to it. In addition, the manufacturing cost of the vacuum chuck table is low, there is an advantage that it is easy to modify or change the design to suit the vacuum chuck for various processes.

이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시 예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 특허청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능 하다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.
While the invention has been shown and described with respect to the specific embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Anyone with it will know easily.

10: 하우징, 20: 흡착층 또는 다공질 세라믹, 30: 하부 도전체,
35: 흡입공, 40: 상부 도전체, 45: 도선10 housing, 20 adsorption layer or porous ceramic, 30 lower conductor,
35: suction hole, 40: upper conductor, 45: lead wire

Claims (5)

피흡착체를 흡착 보유 지지하기 위하여, 다공질 세라믹으로 이루어지는 흡착층;
저면이 환형의 요철을 형성하고, 중심부 관통공이 형성된 상기 흡착층을 지지하는 하우징;
상기 하우징의 중심부 관통공에 부착되고, 중심에 흡입공이 형성되는 하부 도전체 및
상기 하우징의 최 외곽 측면 상부에 접착되는 링형의 상부 도전체를 포함하여 구성하되,
상기 상부 도전체 및 하부 도전체가 상기 하우징 및 상기 흡착층 사이에 적어도 하나의 도선을 통해 연결되는 것을 특징으로 하는 진공척 구조.
An adsorption layer made of porous ceramics for adsorbing and holding the adsorbed body;
A housing having a bottom surface forming an annular unevenness and supporting the adsorption layer having a central through hole formed therein;
A lower conductor attached to the central through hole of the housing and having a suction hole in the center;
It comprises a ring-shaped upper conductor is bonded to the uppermost outer side of the housing,
And the upper conductor and the lower conductor are connected between the housing and the adsorption layer through at least one conductor.
제1항에 있어서,
상기 하우징은 세라믹을 재질로 하는 것을 특징으로 하는 진공척 구조.
The method of claim 1,
The housing is a vacuum chuck structure, characterized in that the ceramic material.
제1항에 있어서,
상기 상부 및 하부 도전체는 SUS, 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴, 니켈, 금, 은, 백금으로 선택된 군 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 진공척 구조.
The method of claim 1,
The upper and lower conductors are any one of a group selected from SUS, aluminum, tungsten, molybdenum, nickel, gold, silver, and platinum.
제3항에 있어서,
상기 상부 도전체를 상기 하우징에 에폭시 수지를 통해 부착되는 것을 특징으로 하는 진공척 구조.
The method of claim 3,
And the upper conductor is attached to the housing through an epoxy resin.
제1항에 있어서,
상기 도선은 상기 하우징 및 상기 흡착층 사이에서 금속 라인 코팅되어 형성된 것을 특징으로 하는 진공척 구조.

The method of claim 1,
The conductive wire is a vacuum chuck structure, characterized in that formed by coating a metal line between the housing and the adsorption layer.

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