KR101129058B1 - Spin nozzle unit having gas distribution hole arranged helically and upright type deposition apparatus having the spin nozzle unit - Google Patents

Spin nozzle unit having gas distribution hole arranged helically and upright type deposition apparatus having the spin nozzle unit Download PDF

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Abstract

PURPOSE: A spin nozzle unit in which a spray hole is spirally arranged and a standing erect mode deposition apparatus including the same are provided to improve productivity by evaporating a thin film on tow substrates at the same time and improving throughput. CONSTITUTION: Housing(131) has the size corresponding to a substrate. A plurality of spin nozzle units successively sprays deposition gas of different kinds. A gas supply unit(104) offers the deposition gas to the spin nozzle unit. A gas separation aperture unit(313) is formed inside an acceptance buffer unit(135). A driving unit(335) offers rotation driving power to the spin nozzle unit. Valve units(142,144,146) open and close a supply line connected between gas sources(141,143,145) and the spin nozzle unit. A partition wall is included in the inner side of the gas separation aperture unit in order to control the horizontal direction flow of the deposition gas.

Description

분사홀이 나선형으로 배치된 스핀노즐 유닛 및 이를 구비하는 직립방식 증착장치{SPIN NOZZLE UNIT HAVING GAS DISTRIBUTION HOLE ARRANGED HELICALLY AND UPRIGHT TYPE DEPOSITION APPARATUS HAVING THE SPIN NOZZLE UNIT}SPIN NOZZLE UNIT HAVING GAS DISTRIBUTION HOLE ARRANGED HELICALLY AND UPRIGHT TYPE DEPOSITION APPARATUS HAVING THE SPIN NOZZLE UNIT}

본 발명은 평판 디스플레이 장치용 기판의 증착장치에 관한 것으로, 평판 디스플레이 장치용 기판과 같이 대면적 기판에 균일하게 박막을 형성하기 위한 가스분사 모듈 및 이를 구비하는 직립방식 증착장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a deposition apparatus for a substrate for a flat panel display apparatus, and to a gas injection module for uniformly forming a thin film on a large area substrate, such as a substrate for a flat panel display apparatus, and an upright deposition apparatus having the same.

평판 디스플레이 장치(Flat Panel Display, FPD)는 액정 디스플레이 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 플라즈마 디스플레이 장치(Plasma Display Panel, PDP), 유기발광 디스플레이 장치(Organic Light Emitting Diodes, OLED) 등이 있다. 이 중에서, 자발광(self emission), 광 시야각, 고속 응답, 낮은 소비 전력 등의 특성과 초박형으로 만들 수 있다는 특성에서 유기발광 디스플레이 장치가 차세대 디스플레이 장치로써 주목 받고 있다. 유기발광 디스플레이 장치는 통상적으로 유리 기판 상에 애노드(anode)에 해당하는 제1 전극, 정공 주입층 (hole injection layer), 정공 수송층(hole transfer layer), 발광층(emitting layer), 전자 수송층(electron transfer layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)의 다층으로 이루어지는 유기막 및 캐소드(cathode)에 해당하는 제2 전극으로 이루어진다.Flat panel displays (FPDs) include liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), organic light emitting diodes (OLEDs), and the like. Among them, an organic light emitting display device is attracting attention as a next generation display device because of its characteristics such as self emission, wide viewing angle, high-speed response, low power consumption, and ultra-thin characteristics. An organic light emitting display device typically includes a first electrode, a hole injection layer, a hole transfer layer, an emitting layer, and an electron transfer layer corresponding to an anode on a glass substrate. a second electrode corresponding to an organic film and a cathode formed of a multilayer of a layer and an electron injection layer.

유기박막 형성방법에는 진공증착(vacuum deposition), 스퍼터링(sputtering), 이온빔 증착(Ion-beam Deposition), Pulsed-laser 증착, 분자선 증착, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD), 스핀 코터(spin coater) 등의 방법을 사용할 수 있다.Organic thin film formation methods include vacuum deposition, sputtering, ion-beam deposition, pulsed-laser deposition, molecular beam deposition, chemical vapor deposition, spin coater ) Can be used.

한편, 유기박막을 수분으로부터 보호하기 위한 봉지박막이 필요한데, 이러한 봉지박막을 형성하기 위한 방법으로는 진공증착, 스퍼터링, 화학기상증착, 원자층증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 등의 방법을 사용할 수 있다.
Meanwhile, an encapsulation thin film is required to protect the organic thin film from moisture. As a method for forming the encapsulating thin film, methods such as vacuum deposition, sputtering, chemical vapor deposition, and atomic layer deposition (ALD) can be used. have.

본 발명의 실시예들은 대면적 기판에 균일하게 박막을 증착할 수 있는 스핀노즐 유닛을 구비하는 가스분사 모듈 및 이를 구비하는 직립방식 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
Embodiments of the present invention are to provide a gas injection module having a spin nozzle unit capable of uniformly depositing a thin film on a large area substrate and an upright deposition apparatus having the same.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 직립방식 증착장치용 가스분사 모듈은, 직립으로 세워진 기판이 양측에 구비되고, 상기 양쪽 기판에 증착가스를 제공하기 위한 다수의 분사홀이 형성된 하우징, 상기 하우징 내부에 구비되어 축을 중심으로 자전 가능하게 구비되고, 외주면 둘레를 따라 서로 다른 복수의 증착가스를 분사하는 분사구가 나선형으로 배치된 스핀노즐 유닛을 포함하여 구성된다.According to embodiments of the present invention for achieving the above object of the present invention, the gas injection module for the upright deposition apparatus, the substrate is standing upright is provided on both sides, a plurality for providing the deposition gas to both substrates The housing is formed with a spray hole, the housing is provided inside the housing rotatably around the axis, the injection nozzle for injecting a plurality of different deposition gases along the outer circumferential surface is configured to include a spin nozzle unit arranged in a spiral.

일 측면에 따르면, 상기 스핀노즐 유닛은 상기 분사홀이 90° 간격으로 배치될 수 있다. 또한, 상기 분사구는 상기 스핀노즐 유닛의 외주면 둘레를 따라 한 줄 또는 여러 줄의 나선형으로 배치될 수 있다.According to one aspect, the spin nozzle unit may be disposed in the injection hole 90 ° intervals. In addition, the injection hole may be arranged in a spiral of one line or several lines along the circumference of the outer peripheral surface of the spin nozzle unit.

일 측면에 따르면, 상기 하우징 내부에는 상기 스핀노즐 유닛이 개별적으로 수용되는 수용 버퍼부가 형성되고, 상기 수용 버퍼부 내부에는 상기 각 분사홀에 대응되는 높이에 가스분리 개구부가 형성될 수 있다. 또한, 상기 가스분리 개구부는 상기 수용 버퍼부 내부에서 요입 형성되어, 상기 수용 버퍼부 내부에서 상하 방향을 따라 격벽을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 가스분리 개구부 내부에는 상기 가스분리 개구부 내부에서 증착가스의 유동을 제한하는 격벽이 구비될 수 있다.According to one aspect, the housing may be formed in the receiving buffer portion for receiving the spin nozzle unit individually, the interior of the receiving buffer portion gas separation opening may be formed at a height corresponding to each injection hole. In addition, the gas separation opening may be recessed in the accommodation buffer to form a partition wall in the up and down direction in the accommodation buffer. Here, a partition wall may be provided inside the gas separation opening to limit the flow of the deposition gas in the gas separation opening.

일 측면에 따르면, 상기 분사구는 상기 스핀노즐 유닛의 외주면 둘레를 따라 한 줄 또는 여러 줄의 나선형으로 배치될 수 있다.According to one aspect, the injection port may be arranged in a spiral of one line or several lines along the circumference of the outer peripheral surface of the spin nozzle unit.

한편, 상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 직립방식 증착장치는, 수직 방향으로 양측면에 분사면이 형성되고, 상기 분사면에 대향되게 수용된 2장의 기판에 대해 서로 다른 복수의 증착가스를 순차적으로 제공하는 가스분사 모듈 및상기 기판의 후방에 구비되는 각각 히터 유닛을 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 상기 가스분사 모듈은, 상기 양쪽 기판에 증착가스를 제공하기 위한 다수의 분사홀이 형성된 하우징 및 상기 하우징 내부에 구비되어 축을 중심으로 자전 가능하게 구비되고, 외주면 둘레를 따라 서로 다른 복수의 증착가스를 분사하는 분사구가 나선형으로 배치된 스핀노즐 유닛을 포함하여 구성될 수 있다.On the other hand, according to the embodiments of the present invention for achieving the above object of the present invention, in the upright deposition apparatus, the spray surface is formed on both sides in the vertical direction, with respect to the two substrates accommodated opposite to the spray surface It may be configured to include a gas injection module for sequentially providing a plurality of different deposition gas and a heater unit provided at the rear of the substrate. Here, the gas injection module, the housing is provided with a plurality of injection holes for providing the deposition gas to the both substrate and the inside of the housing is provided so as to be able to rotate around the axis, a plurality of different deposition along the outer peripheral surface circumference Injection nozzles for injecting gas may be configured to include a spin nozzle unit arranged in a spiral.

일 측면에 따르면, 상기 가스분사 모듈의 양측 하부에는 상기 기판을 직립으로 세워진 상태로 이송하고 위치를 유지시키는 기판 이송 유닛이 구비될 수 있다.
According to one aspect, the lower portion of both sides of the gas injection module may be provided with a substrate transfer unit for transferring the substrate in an upright position and maintaining the position.

본 발명의 실시예들에 따르면, 스핀노즐 유닛의 둘레를 따라 나선형으로 분사홀이 배치되므로 가스분사 모듈에서 위치에 따라 서로 다른 증착가스가 분사되도록 할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, since the injection holes are arranged in a spiral along the circumference of the spin nozzle unit, different deposition gases may be injected according to positions in the gas injection module.

또한, 기판에 대해 평행하게 직립으로 세워진 스핀노즐 유닛이 자전함에 따라 기판에 서로 다른 종류의 증착가스가 순차적으로 제공되므로, 기판에 균질한 박막을 형성할 수 있다.In addition, different types of deposition gases are sequentially provided to the substrate as the spin nozzle unit erected upright in parallel with the substrate may form a homogeneous thin film on the substrate.

또한, 기판을 직립으로 세운 상태에서 증착을 수행하고, 기판에 균일하게 증착가스를 분사할 수 있어서 균일한 박막을 형성할 수 있다.In addition, the deposition may be performed in a state in which the substrate is upright, and the deposition gas may be uniformly sprayed onto the substrate to form a uniform thin film.

또한, 2장의 기판을 동시에 처리할 수 있으므로 스루풋을 향상시키고 생산성을 향상시킬 수 있다.
In addition, since two substrates can be processed simultaneously, throughput can be improved and productivity can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 직립방식 증착장치를 간략하게 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 직립방식 증착장치에서 가스분사 모듈을 설명하기 위해 일부분을 확대 도시한 사시도이다.
도 3은 도 1 및 도 2의 가스분사 모듈의 동작을 설명하기 위한 대략적으로 도시한 도면이다.1 is a perspective view briefly showing an upright deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged perspective view illustrating a gas injection module in the upright deposition apparatus of FIG. 1.
3 is a view schematically illustrating the operation of the gas injection module of FIGS. 1 and 2.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략될 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to or limited by the embodiments. In describing the present invention, a detailed description of well-known functions or constructions may be omitted for clarity of the present invention.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 직립방식 증착장치(100) 및 가스분사 모듈(103)에 대해 상세하게 설명한다. 참고적으로, 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 직립방식 증착장치(100)를 간략하게 도시한 사시도이다. 도 2는 도 1의 증착장치(100)에서 가스분사 모듈(103)의 구성을 설명하기 위한 요부 사시도이고, 도 3은 도 2의 가스분사 모듈(103)의 동작을 설명하기 위한 구성도이다.Hereinafter, the upright deposition apparatus 100 and the gas injection module 103 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3. For reference, Figure 1 is a perspective view briefly showing an upright deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view illustrating main parts of the gas injection module 103 in the deposition apparatus 100 of FIG. 1, and FIG. 3 is a configuration diagram illustrating the operation of the gas injection module 103 of FIG. 2.

도면을 참조하면, 직립방식 증착장치(100)는 수직 방향으로 세워서 지지되는 2장의 기판(10)에 대해 동시에 박막을 형성하도록 가스분사 모듈(103)을 사이에 두고 2장의 기판(10)이 서로 마주보도록 수용된다. 그리고 상기 기판(10)의 양측 후방에는 기판(10)의 가열을 위한 히터 유닛(113)이 구비된다. 그리고 증착장치(100)의 하부에는 기판(10)의 이송을 위한 기판 이송 유닛(substrate moving unit)(111)과 미반응 증착가스를 포함하는 배기가스를 배출시키기 위한 메인 배기 배플부(main vacuum baffle)(115)가 구비된다.Referring to the drawings, the upright deposition apparatus 100 includes two substrates 10 interposed therebetween with a gas injection module 103 therebetween so as to simultaneously form a thin film on two substrates 10 supported in a vertical direction. Accepted to face. In addition, heater units 113 for heating the substrate 10 are provided at both rear sides of the substrate 10. In addition, a main exhaust baffle for discharging exhaust gas including a substrate moving unit 111 for transferring the substrate 10 and an unreacted deposition gas is disposed below the deposition apparatus 100. 115 is provided.

여기서, 본 실시예에서 '기판(10)'은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치(flat panel display device, FPD)용 글라스를 포함하는 투명 기판일 수 있다. 그러나 본 발명의 기판(10)이 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 장치(semiconductor device) 제조용 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 또한, 기판(10)의 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.In this embodiment, the substrate 10 may be a transparent substrate including a glass for a flat panel display device (FPD), such as a liquid crystal display (LCD) and a plasma display panel (PDP). However, the substrate 10 of the present invention is not limited thereto, and may be a silicon wafer for manufacturing a semiconductor device. In addition, the shape and size of the substrate 10 is not limited by the drawings, and may have substantially various shapes and sizes, such as a circle and a rectangle.

또한, 설명의 편의를 위해 이하에서는 기판(10)에서 박막이 증착될 면을 '증착면'이라 하고, 상기 증착면의 배면을 '배면'이라 한다.In addition, for convenience of description, hereinafter, the surface on which the thin film is to be deposited on the substrate 10 is referred to as a 'deposition surface', and the back surface of the deposition surface is referred to as a 'back surface'.

가스분사 모듈(103)은 수직으로 세워진 기판(10)에 증착가스를 분사할 수 있도록 기판(10)에 대응되는 크기를 갖고, 기판(10)과 평행한 수직면인 분사면 상에 증착가스를 분사하는 복수의 분사홀(311)이 형성된다.The gas injection module 103 has a size corresponding to that of the substrate 10 so as to inject the deposition gas onto the vertically placed substrate 10, and sprays the deposition gas onto an injection surface that is a vertical plane parallel to the substrate 10. A plurality of injection holes 311 are formed.

히터 유닛(113)은 기판(10)의 후방에 구비되어 기판(10) 및 증착장치(100) 내부의 온도를 증착에 필요한 온도로 가열하고 유지한다. 여기서, 히터 유닛(113)은 기판(10)을 균일하게 가열할 수 있도록 기판(10)에 대응되는 면적에 균일하게 배치된 형태를 가질 수 있으며, 예를 들어, 와이어 히터를 사용할 수 있다. 그러나 히터 유닛(113)이 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며 히터 유닛(113)의 형태 및 종류는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.The heater unit 113 is provided at the rear of the substrate 10 to heat and maintain the temperature inside the substrate 10 and the deposition apparatus 100 to a temperature necessary for deposition. Here, the heater unit 113 may have a form uniformly disposed in an area corresponding to the substrate 10 so as to uniformly heat the substrate 10, for example, a wire heater may be used. However, the present invention is not limited to the heater unit 113 by the drawings, and the shape and type of the heater unit 113 may be changed in various ways.

기판 이송 유닛(111)은 기판(10)을 수직으로 세워진 상태에서 지지하고, 증착 공정이 진행되는 동안 증착장치(100) 내부에서 기판(10)을 지지하고, 이송한다. 예를 들어, 기판 이송 유닛(111)은 2장의 기판(10)을 각각 이송하도록 롤러 일 수 있다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 기판 이송 유닛(111)은 기판(10)을 수직으로 세워서 지지하고 이송할 수 있는 실질적으로 다양한 수단일 수 있다.The substrate transfer unit 111 supports the substrate 10 in a vertically standing state, and supports and transfers the substrate 10 inside the deposition apparatus 100 during the deposition process. For example, the substrate transfer unit 111 may be a roller to transfer the two substrates 10, respectively. However, the present invention is not limited by the drawings, and the substrate transfer unit 111 may be substantially various means capable of vertically supporting and transporting the substrate 10.

한편, 기판(10)은 기판(10)의 배면에 셔틀부(shuttle)(20)가 구비되어 지지될 수 있다. 또한, 기판(10)은 단독으로 증착장치(100)에 투입되거나, 소정 패턴의 박막을 형성하기 위한 마스크(미도시)가 장착된 상태로 투입되어 박막이 형성될 수 있다. 예를 들어, 각 기판(10)의 증착면에는 형성하고자 하는 소정의 패턴이 형성된 마스크가 장착되고, 가스분사 모듈(103)에서 분사되는 증착가스를 선택적으로 차단시킴으로써 기판(10)에 상기 마스크에 형성된 패턴에 따라 박막이 증착된다.Meanwhile, the substrate 10 may be supported by a shuttle 20 provided on the rear surface of the substrate 10. In addition, the substrate 10 may be added to the deposition apparatus 100 alone, or may be input while a mask (not shown) for forming a thin film having a predetermined pattern is mounted, thereby forming a thin film. For example, a mask having a predetermined pattern to be formed is mounted on the deposition surface of each substrate 10, and the mask is applied to the substrate 10 by selectively blocking the deposition gas injected from the gas injection module 103. A thin film is deposited according to the formed pattern.

메인 배기 배플부(115)는 증착장치(100) 하부에 구비되어 공정 중에 발생하는 배기가스를 배출시키기 위한 메인 배기부 역할을 수행한다. 예를 들어, 메인 배기 배플부(115)는 증착장치(100)의 바닥면을 관통하여 배기가스를 증착장치(100) 외부로 배출시키기 위한 복수의 배기구로 이루어질 수 있다. 여기서, 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며 메인 배기 배플부(115)의 위치와 형태는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.The main exhaust baffle 115 is provided under the deposition apparatus 100 to serve as a main exhaust for discharging the exhaust gas generated during the process. For example, the main exhaust baffle unit 115 may be formed of a plurality of exhaust ports for penetrating the bottom surface of the deposition apparatus 100 to discharge the exhaust gas to the outside of the deposition apparatus 100. Here, the present invention is not limited by the drawings, and the position and shape of the main exhaust baffle 115 may be changed in various ways.

가스분사 모듈(103)은 양측에 대향 구비된 2장의 기판(10)에 서로 다른 적어도 2종 이상의 증착가스를 순차적으로 제공할 수 있도록 형성된다.The gas injection module 103 is formed to sequentially provide at least two different deposition gases different from each other on the two substrates 10 provided on both sides thereof.

여기서, 본 실시예에서 '증착가스'는 기판(10)에 박막을 증착하기 위해서 제공되는 적어도 1종 이상의 가스를 포함하며, 기판(10)에 형성하고자 하는 박막의 구성 물질을 포함하는 프리커서 가스(precursor gas)(S1), 상기 프리커서 가스(S1)와 화학적으로 반응하는 리액턴스 가스(reactance gas)(S2), 및 프리커서 가스(S1)와 리액턴스 가스(S2)를 퍼지 시키기 위한 퍼지 가스(purge gas)(P)를 포함한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 증착가스의 종류는 증착하고자 하는 박막의 종류에 따라 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.Here, in the present embodiment, the 'deposition gas' includes at least one gas provided to deposit a thin film on the substrate 10, and a precursor gas including a constituent material of the thin film to be formed on the substrate 10. (precursor gas) S1, a reactance gas S2 chemically reacting with the precursor gas S1, and a purge gas for purging the precursor gas S1 and the reactance gas S2. purge gas) (P). However, the present invention is not limited thereto, and the type of deposition gas may be changed in various ways depending on the type of thin film to be deposited.

상세하게는, 가스분사 모듈(103)은 증착가스를 분사하는 복수의 분사홀(311)이 형성되고 기판(10)에 대응되는 크기를 갖는 하우징(131)과, 상기 하우징(131) 내부에 구비되어 회전함에 따라 서로 다른 종류의 증착가스를 순차적으로 분사하는 복수의 스핀노즐 유닛(spin nozzle unit)(133) 및 상기 스핀노즐 유닛(133)에 증착가스를 제공하는 가스공급부(104)로 이루어진다.In detail, the gas injection module 103 includes a housing 131 having a plurality of injection holes 311 for injecting deposition gas and having a size corresponding to the substrate 10, and provided inside the housing 131. And a plurality of spin nozzle units 133 sequentially spraying different types of deposition gases as they rotate, and a gas supply unit 104 providing deposition gases to the spin nozzle units 133.

가스분사 모듈(103)은 기판(10)을 향한 면에 복수의 분사홀(311)이 형성된 대략 박스 형태의 하우징(131)을 포함하여 구성되고, 하우징(131)은 기판(10)에 대응되는 양쪽 측면이 상기 기판(10)에 평행한 평면으로 형성되며, 상기 기판(10)에 대응되는 크기를 갖는다. 또한, 가스분사 모듈(103)은 복수의 분사홀(311)이 수직선 상을 따라 배치되며, 서로 소정 간격 이격된 수직선 상을 따라 배치될 수 있다. 여기서, 가스분사 모듈(103)은 내부에 증착가스를 순차적으로 분사하기 위한 스핀노즐 유닛(133)이 구비되고, 분사홀(311)은 스핀노즐 유닛(133)과 연통되도록 형성된다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 분사홀(311)의 배치 형태나 크기, 간격 등은 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.The gas injection module 103 includes a substantially box-shaped housing 131 having a plurality of injection holes 311 formed on a surface facing the substrate 10, and the housing 131 corresponds to the substrate 10. Both sides are formed in a plane parallel to the substrate 10 and have a size corresponding to the substrate 10. In addition, the gas injection module 103 may have a plurality of injection holes 311 disposed along a vertical line, and may be disposed along a vertical line spaced apart from each other by a predetermined interval. Here, the gas injection module 103 is provided with a spin nozzle unit 133 for sequentially injecting a deposition gas therein, the injection hole 311 is formed to communicate with the spin nozzle unit 133. However, the present invention is not limited by the drawings, and the arrangement, size, spacing, etc. of the injection holes 311 may be changed in various ways.

스핀노즐 유닛(133)은 소정 크기의 단면적을 갖고 상기 기판(10)의 높이에 대응되는 높이를 갖는 로드(rod) 또는 원기둥 형태를 갖고 가스분사 모듈(103)의 너비 방향을 따라 복수개의 스핀노즐 유닛(133)이 나란하게 일정 간격으로 배치된다.The spin nozzle unit 133 has a cross-sectional area having a predetermined size and has a rod or cylinder shape having a height corresponding to the height of the substrate 10, and has a plurality of spin nozzles along the width direction of the gas injection module 103. Units 133 are arranged side by side at regular intervals.

스핀노즐 유닛(133)은 바디부(331)의 중심 축을 기준으로 가스분사 모듈(103) 내부에서 자전하도록 하우징(131) 내부에 회전 가능하게 수용되고, 바디부(331)의 외주면 둘레를 따라 복수의 분사구(333)가 형성된다. 예를 들어, 분사구(333)는 소정 직경을 갖는 원형 홀일 수 있다. 또한, 스핀노즐 유닛(133)은 분사되는 증착가스의 궤적이 기판(10)과 직선 형태로 만날 수 있도록 분사구(333)가 바디부(331)의 외주면에서 외측 방향을 향해 수직 방향으로 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 분사구(333)의 형상 및 크기는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.The spin nozzle unit 133 is rotatably received inside the housing 131 to rotate inside the gas injection module 103 based on the central axis of the body portion 331, and a plurality of spin nozzle units 133 along the circumference of the outer circumferential surface of the body portion 331. The injection hole 333 is formed. For example, the injection hole 333 may be a circular hole having a predetermined diameter. In addition, the spin nozzle unit 133 may be formed in the vertical direction toward the outer direction from the outer peripheral surface of the body portion 331 so that the injection hole 333 so that the trace of the deposition gas to be sprayed in a linear form with the substrate 10 have. However, the present invention is not limited by the drawings, and the shape and size of the injection hole 333 may be changed in various ways.

가스분사 모듈(103)은 스핀노즐 유닛(133)의 회전에 의해 서로 다른 증착가스를 기판(10)에 순차적으로 제공한다. 여기서, 스핀노즐 유닛(133)은 서로 다른 3종의 증착가스를 분사하되, 프리커서 가스(S1), 퍼지 가스(P), 리액턴스 가스(S2) 및 퍼지 가스(P)의 순서대로 증착가스를 분사한다. 그리고 스핀노즐 유닛(133)은 상기 증착가스를 분사하는 순서에 따라 분사구(333)가 바디부(331) 둘레를 따라 90° 간격으로 배치된다. 또한, 분사구(333)는 서로 이웃하는 분사구(333)가 서로 바디부(331)의 길이 방향을 따라 일정 간격으로 이격되어 배치되며, 바디부(331) 둘레를 따르는 소정 피치의 나선형으로 배치된다.The gas injection module 103 sequentially supplies different deposition gases to the substrate 10 by the rotation of the spin nozzle unit 133. Here, the spin nozzle unit 133 injects three different deposition gases, and in order of the precursor gas S1, the purge gas P, the reactance gas S2, and the purge gas P, respectively. Spray. In the spin nozzle unit 133, the injection holes 333 are disposed at 90 ° intervals along the circumference of the body part 331 in the order of spraying the deposition gas. In addition, the injection holes 333 are disposed to be spaced apart from each other by a predetermined interval along the longitudinal direction of the body portion 331, the adjacent injection holes 333 are arranged in a spiral of a predetermined pitch along the circumference of the body portion 331.

이하에서는, 설명의 편의를 위해 분사구(333)는 상기 증착가스를 분사하는 순서에 따라 프리커서 가스(S1)를 분사하는 분사구(333)를 제1 분사구(3331)라 하고, 순서대로 제2 내지 제4 분사구(3332, 3333, 3334)로 구분하여 설명한다. 또한, 스핀노즐 유닛(133)은 서로 다른 증착가스를 각각 분사할 수 있도록 분사구(333)에 각각 서로 다른 공급원(141, 143, 145)이 연결된다.Hereinafter, for convenience of explanation, the injection hole 333 is called a first injection hole 3331 in order to inject the precursor gas S1 in the order of injecting the deposition gas, and the second to third in order. The description will be made by dividing into fourth injection holes 3332, 3333, and 3334. In addition, the spin nozzle unit 133 has different sources 141, 143, and 145 connected to the injection holes 333 so as to inject different deposition gases, respectively.

스핀노즐 유닛(133)은 바디부(331)의 축을 중심으로 자전함에 따라 증착가스가 교번적으로 기판(10)에 제공되도록 형성되고, 상기 스핀노즐 유닛(133)이 자전함에 따라 제1 내지 제4 분사구(3331, 3332, 3333, 3334)가 순차적으로 기판(10)을 통과하도록 배치된다.The spin nozzle unit 133 is formed such that the deposition gas is alternately provided to the substrate 10 as the spin nozzle unit 133 rotates about the axis of the body part 331. Four injection holes 3331, 3332, 3333, and 3334 are arranged to sequentially pass through the substrate 10.

한편, 도면에서는 스핀노즐 유닛(133)이 분사구(333)가 한 줄의 나선형을 따라 배치된 것으로 예시하였으나, 본 발명이 도면에 의해 한정된 것은 아니며, 한 줄 또는 여러 줄의 나선형으로 형성되는 것도 가능하다.On the other hand, the spin nozzle unit 133 is illustrated that the injection hole 333 is arranged along a spiral of a line, the present invention is not limited by the drawings, it is also possible to be formed in a single line or a multi-line spiral Do.

여기서, 도 3에서 미설명 도면부호 142, 144, 146은 가스공급부(104)에서 각 공급원(141, 143, 145)를 각각 개폐하는 밸브부(142, 144, 146)이다. 여기서 상기 밸브부(142, 144, 146)는 본 발명의 요지가 아니므로 상세한 설명 및 도시는 생략하였으며, 공지의 기술로부터 이해 가능하다. 밸브부(142, 144, 146)은 기판(10)에 증착가스를 교번적으로 제공하기 위해서 각 가스 공급원(141, 143, 145)과 스핀노즐 유닛(133) 사이에 연결된 공급 라인을 개폐하는 역할을 한다.Here, in FIG. 3, reference numerals 142, 144, and 146 denote valve parts 142, 144, and 146 that open and close the respective sources 141, 143, and 145 in the gas supply part 104, respectively. Here, since the valve parts 142, 144, and 146 are not the gist of the present invention, detailed descriptions and illustrations are omitted and may be understood from a known technology. The valve parts 142, 144, and 146 open and close supply lines connected between the gas supply sources 141, 143, and 145 and the spin nozzle unit 133 to alternately provide deposition gas to the substrate 10. Do it.

또는, 도 2에서 각 가스분리 개구부(313) 내부에는 가로 방향을 따라 증착가스(S1, S2, P)가 지속적으로 분사되는 것을 방지하기 위한 격벽(314)이 구비될 수 있다. 또는, 가스분리 개구부(313)는 증착가스를 단속적으로 분사할 수 있도록 가스분리 개구부(313)가 연속된 원형 또는 환형 고리 형상을 갖는 것이 아니라 불연속적으로 단절된 형태를 가질 수 있다.Alternatively, in FIG. 2, a partition wall 314 may be provided in each gas separation opening 313 to prevent continuous deposition of deposition gases S1, S2, and P along the horizontal direction. Alternatively, the gas separation opening 313 may have a shape in which the gas separation opening 313 is discontinuously disconnected instead of having a continuous circular or annular ring shape so as to inject the deposition gas intermittently.

그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 스핀노즐 유닛(133)에서 증착가스를 교번적으로 제공하기 위한 밸브 또는 격벽과 같은 구조물이 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.However, the present invention is not limited by the drawings, and a structure such as a valve or a partition wall for alternately providing deposition gas in the spin nozzle unit 133 may be changed in various ways.

가스분사 모듈(103)은 하우징(131) 내부에 각 분사구(333) 위치에 대응되도록 가스분리 개구부(313)가 형성되고, 상기 가스분리 개구부(313)와 연통되는 분사홀(311)이 각각 형성된다. 여기서, 가스분리 개구부(313)는 스핀노즐 유닛(133)에서 분사되는 증착가스를 분사홀(311)을 통해 기판(10)에 제공하기 위한 유로 및 버퍼 공간 역할을 한다.The gas injection module 103 has a gas separation opening 313 formed in the housing 131 so as to correspond to the location of each injection hole 333, and the injection holes 311 communicating with the gas separation opening 313 are formed, respectively. do. Here, the gas separation opening 313 serves as a flow path and a buffer space for providing the deposition gas injected from the spin nozzle unit 133 to the substrate 10 through the injection hole 311.

여기서, 스핀노즐 유닛(133)은 제1 내지 제4 분사구(3331, 3332, 3333, 3334)가 서로 다른 증착가스를 분사하고, 가스분리 개구부(313)는 각 분사구(3331, 3332, 3333, 3334)에서 분사되는 증착가스가 서로 혼합되는 것을 방지할 수 있도록 형성된다. 즉, 가스분리 개구부(313)는 수용 버퍼부(135) 내부에서 상하 방향을 따라 서로 다른 증착가스(특히, 프리커서 가스(S1)와 리액턴스 가스(S2))가 서로 혼합되는 것을 물리적으로 방지하기 위한 격벽 역할을 한다. 예를 들어, 가스분리 개구부(313)는 상하 방향으로 서로 분리된 격벽을 형성할 수 있도록 상기 하우징(131) 내벽이 소정 깊이 요입된 형태를 가질 수 있다. 또한, 가스분리 개구부(313)는 해당 가스분리 개구부(313)에 대응되는 위치의 분사구(333)에서 분사되는 증착가스의 버퍼 공간을 형성할 수 있도록 일정 체적을 갖는 홈 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 수용 버퍼부(135)는 스핀노즐 유닛(133)을 둘러싸는 원통형 공간으로 형성되고, 가스분리 개구부(313)는 수용 버퍼부(135) 내측을 일주하는 소정 너비 및 깊이를 갖는 환형 홈 형태를 가질 수 있다.Here, the spin nozzle unit 133, the first to fourth injection holes (3331, 3332, 3333, 3334) to inject different deposition gas, the gas separation opening 313 is each injection hole (3331, 3332, 3333, 3334) It is formed to prevent the deposition gas injected from the) to be mixed with each other. That is, the gas separation opening 313 may physically prevent mixing of different deposition gases (in particular, precursor gas S1 and reactance gas S2) in the up and down direction in the accommodation buffer unit 135. Serves as a bulkhead for For example, the gas separation opening 313 may have a shape in which an inner wall of the housing 131 is recessed to a predetermined depth so as to form partition walls separated from each other in the vertical direction. In addition, the gas separation opening 313 may have a groove shape having a predetermined volume to form a buffer space of the deposition gas injected from the injection hole 333 at a position corresponding to the gas separation opening 313. For example, the accommodating buffer unit 135 is formed as a cylindrical space surrounding the spin nozzle unit 133, and the gas separation opening 313 has an annular shape having a predetermined width and depth that circumscribes the accommodating buffer unit 135. It may have a groove shape.

그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 가스분리 개구부(313)의 형태와 크기는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.However, the present invention is not limited by the drawings, and the shape and size of the gas separation opening 313 may be changed in various ways.

본 실시예에 따르면, 수용 버퍼부(135) 내부에 가스분리 개구부(313)를 형성하였으나, 도면과는 달리, 스핀노즐 유닛(133)은 분사구(333)가 나선형으로 배치되어 있으므로, 프리커서 가스(S1)와 리액턴스 가스(S2)가 분사되는 분사구(3331, 3333) 사이의 간격이 일정 거리 이격되므로, 스핀노즐 유닛(133)의 둘레를 따라 분사구(333)가 나선형으로 배치하는 것 만으로도 증착가스의 분리 효과를 가질 수 있다. 이 경우, 상술한 실시예와는 달리, 수용 버퍼부(135) 내부에서 가스분리 개구부(313)를 생략하는 것도 가능하다.According to the present exemplary embodiment, although the gas separation opening 313 is formed in the accommodation buffer unit 135, unlike the drawing, the spin nozzle unit 133 has a spray hole 333 arranged in a spiral shape, and thus the precursor gas is formed. Since the interval between S1 and the injection holes 3331 and 3333 through which the reactance gas S2 is injected is spaced apart by a predetermined distance, the deposition gas may be formed only by helically arranging the injection holes 333 around the spin nozzle unit 133. It can have a separation effect. In this case, unlike the embodiment described above, the gas separation opening 313 may be omitted in the accommodation buffer unit 135.

스핀노즐 유닛(133)은 지속적으로 또는 단속적으로 증착가스가 분사되는데, 하우징(131) 내부에서 서로 다른 증착가스가 혼합되는 것을 방지할 수 있도록 가스분사 모듈(103)은 각 스핀노즐 유닛(133)을 개별적으로 수용하도록 수용 버퍼부(135)가 형성된다. 즉, 가스분사 모듈(103)은 스핀노즐 유닛(133)이 각각 수용되는 공간으로 형성되고, 이웃하는 스핀노즐 유닛(133)을 수용하는 수용 버퍼부(135)끼리는 서로 연통되지 않고 분리된 공간으로 형성된다. 그리고 수용 버퍼부(135)는 스핀노즐 유닛(133)에서 분사되는 증착가스를 일정한 양으로 기판(10)에 제공하기 위한 버퍼 역할을 한다. 예를 들어, 가스분사 모듈(103)은 스핀노즐 유닛(133)이 자전가능하도록 수용 버퍼부(135)는 상기 스핀노즐 유닛(133)의 크기에 대응되는 원통형 공간으로 형성될 수 있다.The spin nozzle unit 133 is continuously or intermittently injected with the deposition gas, the gas injection module 103 is each spin nozzle unit 133 to prevent the different deposition gas is mixed in the housing 131 The accommodation buffer unit 135 is formed to individually accommodate each other. That is, the gas injection module 103 is formed as a space in which the spin nozzle unit 133 is accommodated, and the accommodation buffer units 135 accommodating neighboring spin nozzle units 133 are separated from each other without being communicated with each other. Is formed. In addition, the accommodation buffer 135 serves as a buffer for providing the deposition gas injected from the spin nozzle unit 133 to the substrate 10 in a predetermined amount. For example, the gas injection module 103 may be formed in a cylindrical space corresponding to the size of the spin nozzle unit 133 so that the spin nozzle unit 133 can rotate.

또한, 가스분사 모듈(103)은 상기 수용 버퍼부(135) 내부에 분사되는 증착가스를 배출시키기 위해서 수용 버퍼부(135)의 하부 또는 상부에서 배기부(미도시)와 연통된다. 예를 들어, 수용 버퍼부(135)는 증착장치(100)의 하부 내측을 통해 메인 배기 배플부(115)와 연통되어, 상기 수용 버퍼부(135) 내부의 증착가스를 배출시킬 수 있다.In addition, the gas injection module 103 communicates with an exhaust unit (not shown) at the bottom or the top of the accommodation buffer unit 135 to discharge the deposition gas injected into the accommodation buffer unit 135. For example, the accommodation buffer unit 135 may communicate with the main exhaust baffle unit 115 through the lower inner side of the deposition apparatus 100 to discharge the deposition gas inside the accommodation buffer unit 135.

또한, 가스분사 모듈(103)은 상기 스핀노즐 유닛(133)은 회전 시 동일 위치에서 동일한 증착가스가 분사되도록 복수의 스핀노즐 유닛(133)이 서로 동일한 분사구가 동일 위치에 위치하도록 회전한다.In addition, the spin nozzle unit 133 rotates the plurality of spin nozzle units 133 so that the same injection holes are positioned at the same position so that the same spraying gas is injected at the same position when the spin nozzle unit 133 is rotated.

또한, 가스분사 모듈(103)은 각 스핀노즐 유닛(133)에서 분사되는 증착가스가 동일한 종류의 증착가스가 분사될 수 있도록 상기 스핀노즐 유닛(133)의 회전 각도 및 속도가 조절된다. 즉, 가스분사 모듈(103)은 복수의 스핀노즐 유닛(133)에서 동일한 증착가스가 분사되는 분사구(333)가 상기 기판(10)에 대해 동일한 위치에 정렬되도록 상기 복수의 스핀노즐 유닛(133)의 위치와 회전 각도 및 회전 속도를 일정하게 유지시킨다. 그리고 이와 같이 스핀노즐 유닛(133)의 회전 각도와 속도를 조절하고 상기 스핀노즐 유닛(133)에 회전 구동력을 제공하는 구동부(335)가 상기 스핀노즐 유닛(133) 일측에 구비될 수 있다. 여기서, 구동부(335)는 스핀노즐 유닛(133)이 일정한 속도로 회전하도록 구동되며, 복수의 스핀노즐 유닛(133)이 서로 동일한 각속도로 회전할 수 있도록 모든 스핀노즐 유닛(133)이 하나의 구동부(335)에 연결될 수 있다. 또는 각 스핀노즐 유닛(133)에는 각각 일대일로 구동부(335)가 구비되고, 각 구동부(335)는 서로 동일하게 스핀노즐 유닛(133)을 회전시킬 수 있도록 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
In addition, the gas injection module 103 adjusts the rotation angle and speed of the spin nozzle unit 133 so that the deposition gas injected from each spin nozzle unit 133 may be injected with the same kind of deposition gas. That is, the gas injection module 103 includes the plurality of spin nozzle units 133 such that the injection holes 333 through which the same deposition gas is injected from the plurality of spin nozzle units 133 are aligned at the same position with respect to the substrate 10. Keep the position and rotation angle and rotation speed constant. In addition, the driving unit 335 that adjusts the rotation angle and the speed of the spin nozzle unit 133 and provides the rotation driving force to the spin nozzle unit 133 may be provided at one side of the spin nozzle unit 133. Here, the driving unit 335 is driven so that the spin nozzle unit 133 rotates at a constant speed, and all the spin nozzle unit 133 is one driving unit so that the plurality of spin nozzle units 133 may rotate at the same angular speed. 335 may be connected. Alternatively, each spin nozzle unit 133 may be provided with a driving unit 335 in a one-to-one manner, and each driving unit 335 may be electrically connected to each other so as to rotate the spin nozzle unit 133 in the same manner.

상술한 실시예에 따른 가스분사 모듈(103)은 스핀노즐 유닛(133)이 연속적으로 회전함에 따라 기판(10)에 복수의 증착가스가 교번적으로 분사되면서 박막이 형성된다. 이하에서는 설명의 편의를 위해, 2장의 기판을 제1 기판(11)과 제2 기판(12)으로 구별하여 설명하지만, 상기 2장의 기판이 상술한 실시예들에 따른 기판(10)과 다른 것은 아니며, 단지 설명의 편의를 위한 구분일 뿐이다.In the gas injection module 103 according to the above-described embodiment, as the spin nozzle unit 133 rotates continuously, a plurality of deposition gases are alternately sprayed onto the substrate 10 to form a thin film. In the following description, for convenience of description, two substrates are divided into a first substrate 11 and a second substrate 12, and the two substrates are different from the substrate 10 according to the above-described embodiments. It is merely a division for convenience of description.

제1 및 제2 기판(11, 12)에는 서로 다른 증착가스가 순차적으로 제공되어 박막이 형성된다. 예를 들어, 프리커서 가스(S1), 퍼지 가스(P), 리액턴스 가스(S2) 및 퍼지 가스(P)의 순서에 따라 증착가스가 제공되며, 이러한 증착가스의 1 주기가 상기 제1 및 제2 기판(11, 12)에 한 층의 단원자층을 형성하는 증착 공정의 한 사이클이 된다. 그리고 스핀노즐 유닛(133)이 연속적으로 회전함에 따라 상술한 사이클에 따른 증착가스가 반복적으로 제공되고, 상기 스핀노즐 유닛(133)의 회전 수에 대응되는 두께로 박막을 형성할 수 있다.Different deposition gases are sequentially provided to the first and second substrates 11 and 12 to form a thin film. For example, the deposition gas is provided according to the order of the precursor gas S1, the purge gas P, the reactance gas S2, and the purge gas P, and one cycle of the deposition gas is performed in the first and the second stages. It becomes one cycle of the vapor deposition process of forming one monolayer layer on the two substrates 11 and 12. As the spin nozzle unit 133 rotates continuously, the deposition gas according to the above-described cycle may be repeatedly provided to form a thin film having a thickness corresponding to the number of rotations of the spin nozzle unit 133.

우선, 스핀노즐 유닛(133)에서 제1 분사구(3331)를 통해 제1 기판(11)에 프리커서 가스(S1)가 제공된다. 제2 기판(12)에는 제1 분사구(3331)와 180° 반대 방향에 배치된 제3 분사구(3333)를 통해 리액턴스 가스(S2)가 제공된다.First, the precursor gas S1 is provided to the first substrate 11 through the first injection hole 3331 in the spin nozzle unit 133. The reactant gas S2 is provided to the second substrate 12 through a third injection hole 3333 disposed in a direction opposite to the first injection hole 3331 by 180 °.

다음으로, 스핀노즐 유닛(133)이 90° 회전함에 따라 제1 및 제2 기판(11, 12)에는 각각 퍼지 가스(P)가 제공된다.Next, as the spin nozzle unit 133 rotates 90 °, the purge gas P is provided to the first and second substrates 11 and 12, respectively.

다음으로, 스핀노즐 유닛(133)이 180° 회전하면, 제1 기판(11)은 제3 분사구(3333)가 향하므로 리액턴스 가스(S2)가 제공되고, 제2 기판(12)에는 제1 분사구(3331)가 향하므로 프리커서 가스(S1)가 제공된다.Next, when the spin nozzle unit 133 is rotated by 180 °, the reactant gas S2 is provided to the first substrate 11 toward the third injection hole 3333, and the first injection hole is provided to the second substrate 12. 3331 is directed so that the precursor gas S1 is provided.

그리고 스핀노즐 유닛(133)이 270° 회전하면, 제1 및 제2 기판(11, 12)에는 각각 퍼지 가스(P)가 제공된다.When the spin nozzle unit 133 rotates 270 °, the purge gas P is provided to the first and second substrates 11 and 12, respectively.

이와 같이, 스핀노즐 유닛(133)이 회전함에 따라 제1 기판(11)과 제2 기판(12)은 프리커서 가스(S1)와 리액턴스 가스(S2)가 서로 교번적으로 분사되며, 다만, 제2 기판(12)이 제1 기판(11)보다 1/2 사이클 지연되어 증착 사이클이 수행된다.As described above, as the spin nozzle unit 133 rotates, the precursor gas S1 and the reactance gas S2 are alternately sprayed on the first substrate 11 and the second substrate 12. The deposition cycle is performed by delaying the second substrate 12 by a half cycle from the first substrate 11.

여기서, 상술한 실시예는 설명의 편의를 위한 것으로, 제1 및 제2 기판(11, 12) 분사되는 증착가스의 순서가 반드시 상술한 순서에 한정되는 것은 아니다.Here, the above-described embodiment is for convenience of description, and the order of the deposition gases injected into the first and second substrates 11 and 12 is not necessarily limited to the above-described order.

본 실시예에 따르면, 스핀노즐 유닛(133)의 분사구(333)를 나선형으로 배치함으로써 하나의 분사구(333)에서 한 종류의 증착가스만 분사되므로 상하 방향을 따라 증착가스가 물리적으로 분리되는 효과가 있다. 또한, 수용 버퍼부(135) 내부에 가스분리 개구부(313)를 형성함으로써 서로 다른 분사구(333) 사이에서 증착가스가 서로 혼합되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 스핀노즐 유닛(133)은 프리커서 가스(S1)와 리액턴스 가스(S2)가 분사되는 제1 및 제3 분사구(3331, 3333) 사이에 퍼지 가스(P)가 분사되는 제2 및 제4 분사구(3332, 3334)를 배치함으로써, 프리커서 가스(S1)와 리액턴스 가스(S2)가 서로 혼합되는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 스핀노즐 유닛(133)에서 퍼지 가스(P)가 수용 버퍼부(135) 내부로 제공되므로, 수용 버퍼부(135) 내부에 잔류하는 프리커서 가스(S1) 및 리액턴스 가스(S2)를 제거하고, 잔류 증착가스의 혼합에 의한 파티클이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 기판(10)에 복수의 증착가스를 순차적으로 제공하여 반응시키므로 증착가스의 반응성을 향상시키고, 박막의 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 기판(10)이 대면적화 되더라도 증착장치(100) 및 가스분사 모듈(103)의 크기 증가를 효과적으로 억제할 수 있으며, 증착장치(100) 전체의 크기를 줄이고 설비를 간소화할 수 있다.According to the present embodiment, since only one type of deposition gas is injected from one injection hole 333 by arranging the injection holes 333 of the spin nozzle unit 133 in a spiral manner, the deposition gas is physically separated along the vertical direction. have. In addition, by forming the gas separation openings 313 inside the accommodation buffer unit 135, it is possible to effectively prevent the deposition gases from being mixed between the different injection holes 333. In addition, the spin nozzle unit 133 is the second and fourth in which the purge gas (P) is injected between the first and third injection ports (3331, 3333) to which the precursor gas (S1) and the reactance gas (S2) is injected By arranging the injection ports 3332 and 3334, it is possible to more effectively prevent the precursor gas S1 and the reactance gas S2 from mixing with each other. In addition, since the purge gas P is provided in the accommodation buffer unit 135 in the spin nozzle unit 133, the precursor gas S1 and the reactance gas S2 remaining in the accommodation buffer unit 135 are removed. In addition, it is possible to effectively prevent generation of particles due to mixing of the residual deposition gas. In addition, since a plurality of deposition gases are sequentially provided and reacted on the substrate 10, the reactivity of the deposition gases may be improved and the quality of the thin film may be improved. In addition, even if the substrate 10 has a large area, an increase in the size of the deposition apparatus 100 and the gas injection module 103 may be effectively suppressed, and the size of the entire deposition apparatus 100 may be reduced and the equipment may be simplified.

이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것이다. 또한, 본 발명이 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and variations are possible to those skilled in the art to which the present invention pertains. Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, and all the things that are equivalent to or equivalent to the scope of the claims as well as the claims to be described later belong to the scope of the present invention.

10, 11, 12: 기판
20: 셔틀부(shuttle)
100: 증착장치
103: 가스분사 모듈
104, 141, 143, 145: 가스공급부
142, 144, 146: 밸브
111: 기판 이송 유닛(substrate moving unit)
113: 히터 유닛
115: 메인 배기 배플부(main vacuum baffle)
131: 하우징
311: 분사홀
313: 가스분리 개구부
314: 격벽
133: 스핀노즐 유닛
331: 바디부
333, 3331, 3332, 3333, 3334: 분사구
335: 스핀노즐 구동부
135: 버퍼부10, 11, 12: substrate
20: shuttle
100: deposition apparatus
103: gas injection module
104, 141, 143, 145: gas supply unit
142, 144, 146: valve
111: substrate moving unit
113: heater unit
115: main exhaust baffle
131: housing
311: injection hole
313: gas separation opening
314: bulkhead
133: spin nozzle unit
331: body part
333, 3331, 3332, 3333, 3334: nozzle
335: spin nozzle drive unit
135: buffer section

Claims (8)

직립으로 세워진 기판이 양측에 구비되고, 상기 양쪽 기판에 증착가스를 제공하기 위한 다수의 분사홀이 형성된 하우징; 및
상기 하우징 내부에 구비되어 축을 중심으로 자전 가능하게 구비되고, 외주면 둘레를 따라 서로 다른 복수의 증착가스를 분사하는 분사구가 나선형으로 배치된 스핀노즐 유닛;
를 포함하는 직립방식 증착장치용 가스분사 모듈.
A housing having upright substrates on both sides, the housing having a plurality of injection holes for providing deposition gases to both substrates; And
A spin nozzle unit provided inside the housing so as to be rotatable about an axis and having spirally arranged injection holes for injecting a plurality of different deposition gases along a circumference of an outer circumferential surface thereof;
Gas injection module for upright deposition apparatus comprising a.
제1항에 있어서,
상기 스핀노즐 유닛은 상기 분사홀이 90° 간격으로 배치된 직립방식 증착장치용 가스분사 모듈.
The method of claim 1,
The spin nozzle unit is a gas injection module for the upright deposition apparatus in which the injection holes are arranged at intervals of 90 °.
제1항에 있어서,
상기 하우징 내부에는 상기 스핀노즐 유닛이 개별적으로 수용되는 수용 버퍼부가 형성되고,
상기 수용 버퍼부 내부에는 상기 각 분사홀에 대응되는 높이에 가스분리 개구부가 형성된 직립방식 증착장치용 가스분사 모듈.
The method of claim 1,
In the housing is formed a receiving buffer portion for receiving the spin nozzle unit individually,
And a gas separation opening formed at a height corresponding to each injection hole in the accommodation buffer unit.
제3항에 있어서,
상기 가스분리 개구부(313)는 상기 수용 버퍼부 내부에서 요입 형성된 다수의 홈으로 구성되어, 상기 수용 버퍼부 내부에서 상하 방향을 따라 격벽의 역할을 하는 직립방식 증착장치용 가스분사 모듈.
The method of claim 3,
The gas separation opening 313 is composed of a plurality of grooves formed in the receiving buffer portion, the gas injection module for an upright type deposition apparatus serving as a partition wall in the up and down direction in the receiving buffer portion.
제4항에 있어서,
상기 가스분리 개구부(313) 내부에는 상기 가스분리 개구부 내부에서 증착가스의 수평 방향 유동을 제한하는 격벽(314)이 구비된 직립방식 증착장치용 가스분사 모듈.
The method of claim 4, wherein
And a partition wall 314 for limiting horizontal flow of the deposition gas in the gas separation opening in the gas separation opening 313.
제2항에 있어서,
상기 분사구는 상기 스핀노즐 유닛의 외주면 둘레를 따라 한 줄 또는 여러 줄의 나선형으로 배치된 직립방식 증착장치용 가스분사 모듈.
The method of claim 2,
The injection hole is a gas injection module for an upright deposition apparatus is arranged in a spiral of one or several lines along the outer circumference of the spin nozzle unit.
수직 방향으로 양측면에 분사면이 형성되고, 상기 분사면에 대향되게 수용된 2장의 기판에 대해 서로 다른 복수의 증착가스를 순차적으로 제공하는 가스분사 모듈; 및
상기 기판의 후방에 구비되는 각각 히터 유닛;
을 구비하고,
상기 가스분사 모듈은,
상기 양쪽 기판에 증착가스를 제공하기 위한 다수의 분사홀이 형성된 하우징; 및
상기 하우징 내부에 구비되어 축을 중심으로 자전 가능하게 구비되고, 외주면 둘레를 따라 서로 다른 복수의 증착가스를 분사하는 분사구가 나선형으로 배치된 스핀노즐 유닛;
을 포함하는 직립방식 증착장치.
A gas injection module having injection surfaces formed on both sides in a vertical direction, and sequentially providing a plurality of different deposition gases to two substrates received opposite to the injection surfaces; And
Heater units provided at the rear of the substrate;
And
The gas injection module,
A housing in which a plurality of injection holes are formed to provide deposition gases to both substrates; And
A spin nozzle unit provided inside the housing so as to be rotatable about an axis and having spirally arranged injection holes for injecting a plurality of different deposition gases along a circumference of an outer circumferential surface thereof;
Upright deposition apparatus comprising a.
제7항에 있어서,
상기 가스분사 모듈의 양측 하부에는 상기 기판을 직립으로 세워진 상태로 이송하고 위치를 유지시키는 기판 이송 유닛이 구비된 직립방식 증착장치.The method of claim 7, wherein
And a substrate transfer unit configured to transfer the substrate in an upright position and maintain a position at both lower sides of the gas injection module.
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