KR101128468B1

KR101128468B1 - Organic Light Emitting Display Device

Info

Publication number: KR101128468B1
Application number: KR1020090105122A
Authority: KR
Inventors: 이세희
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2009-11-02
Filing date: 2009-11-02
Publication date: 2012-04-12
Also published as: KR20110048358A

Abstract

본 발명은, 기판; 기판 상에 위치하는 제1전극; 제1전극 상에 위치하는 유기 발광층; 및 유기 발광층 상에 위치하는 제2전극을 포함하며, 유기 발광층은, 무기물과 정공수송물질로 이루어진 계면버퍼층을 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.The present invention, a substrate; A first electrode on the substrate; An organic light emitting layer on the first electrode; And a second electrode positioned on the organic light emitting layer, wherein the organic light emitting layer includes an interface buffer layer made of an inorganic material and a hole transport material.

유기전계발광표시장치, 버퍼층, 계면 Organic light emitting display, buffer layer, interface

Description

유기전계발광표시장치{Organic Light Emitting Display Device}Organic Light Emitting Display Device

본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device.

유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자이다. 유기전계발광소자는 전자(electron) 주입전극(cathode)과 정공(hole) 주입전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.The organic light emitting display device used in the organic light emitting display device is a self-light emitting device having a light emitting layer formed between two electrodes. In the organic light emitting display device, electrons and holes are injected into the light emitting layer from an electron injection electrode and a hole injection electrode, respectively, and an exciton in which the injected electrons and holes combine is excited. The device emits light when it falls from the ground state to the ground state.

유기전계발광소자를 이용한 유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 상부발광(Top-Emission) 방식, 하부발광(Bottom-Emission) 방식 및 양면발광(Dual-Emission) 등이 있고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어진다.An organic light emitting display device using an organic light emitting display device includes a top emission type, a bottom emission type, and a dual emission type according to a direction in which light is emitted. According to this, it is divided into passive matrix type and active matrix type.

유기전계발광표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀에 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있다.When the scan signal, the data signal, and the power are supplied to the plurality of subpixels arranged in a matrix form, the organic light emitting display device may display an image by emitting light of the selected subpixel.

서브 픽셀은 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 트랜지스터부와 트랜지스터부에 포함된 구동 트랜지스터에 연결된 제1전극, 유기 발광층 및 제2전극을 포함하는 유기 발광다이오드를 포함한다. 유기 발광층은 전자와 정공의 주입과 이동을 돕는 공통층과 발광층을 포함한다. 종래 구조의 유기 발광다이오드는 공통층에 포함된 정공수송층의 계면을 통한 밴드갭(band gap) 차이로 차지 밸런스(charge balance)가 불균형을 이루고 정공의 수송능력 저하를 유발함은 물론 수명 저하를 유발하는 문제가 있어 계면 안정화를 위한 방안이 모색되어야 할 것이다.The subpixel includes a transistor unit including a switching transistor, a driving transistor, and a capacitor, and an organic light emitting diode including a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode connected to the driving transistor included in the transistor unit. The organic light emitting layer includes a common layer and a light emitting layer that help injection and movement of electrons and holes. Conventional organic light emitting diodes have an unbalanced charge balance due to the difference in the band gap through the interface of the hole transport layer included in the common layer, leading to a decrease in the transport capacity of the hole and a decrease in the lifetime. There is a problem that must be sought to find a way to stabilize the interface.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 정공의 주입을 원활하게 하고 제1전극과 인접하는 정공수송층 간의 계면 안정성을 유도하며 정공 주입시 발생하는 스트레스를 저지하고 내전압을 안정화하여 소자의 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다.The present invention for solving the above problems of the background, facilitates the injection of the hole, induces interfacial stability between the first electrode and the adjacent hole transport layer, to prevent the stress generated during the hole injection and to stabilize the breakdown voltage of the device It is to provide an organic light emitting display device that can improve the life.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은, 기판; 기판 상에 위치하는 제1전극; 제1전극 상에 위치하는 유기 발광층; 및 유기 발광층 상에 위치하는 제2전극을 포함하며, 유기 발광층은, 무기물과 정공수송물질로 이루어진 계면버퍼층을 포함하며, 계면버퍼층은 정공수송층과 제1전극 사이에 위치하며, 정공수송물질은 유기 발광층에 포함된 정공수송층과 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.The present invention as a problem solving means described above, the substrate; A first electrode on the substrate; An organic light emitting layer on the first electrode; And a second electrode on the organic light emitting layer, wherein the organic light emitting layer includes an interface buffer layer made of an inorganic material and a hole transport material, and the interface buffer layer is positioned between the hole transport layer and the first electrode, and the hole transport material is organic. Provided is an organic light emitting display device which is made of the same material as a hole transport layer included in a light emitting layer.

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무기물과 정공수송물질은, 1 : 3 ~ 5의 혼합비를 가질 수 있다.The inorganic material and the hole transport material may have a mixing ratio of 1: 3 to 5.

무기물은, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF 및 MgF₂ 중 선택된 어느 하나 또는 Li₂O, Na₂O, K₂O, BeO, MgO, CaO, B₂O₃, Al₂O₃ 및 SiO₂ 중 선택된 어느 하나일 수 있다.The inorganic material may be any one selected from LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF and MgF ₂ or Li ₂ O, Na ₂ O, K ₂ O, BeO, MgO, CaO, B ₂ O ₃ , Al ₂ O ₃ and It may be any one selected from SiO ₂ .

정공수송물질은, 아로마틱 아민 유도체, 플루오렌 유도체 및 안트라센 유도체 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The hole transport material may include any one of an aromatic amine derivative, a fluorene derivative and an anthracene derivative.

계면버퍼층의 두께는, 5Å ~ 300Å일 수 있다.The thickness of the interface buffer layer may be 5 kPa to 300 kPa.

계면버퍼층의 두께는, 20Å ~ 100Å일 수 있다.The thickness of the interface buffer layer may be 20 kPa to 100 kPa.

유기 발광층은, 계면버퍼층 상에 위치하는 정공수송층과, 정공수송층 상에 위치하는 발광층과, 발광층 상에 위치하는 전자수송층과, 전자수송층 상에 위치하는 전자주입층을 포함할 수 있다.The organic light emitting layer may include a hole transport layer on the interface buffer layer, a light emitting layer on the hole transport layer, an electron transport layer on the light emitting layer, and an electron injection layer on the electron transport layer.

본 발명은, 정공의 주입을 원활하게 하고 제1전극과 인접하는 정공수송층 간의 계면 안정성을 유도하며 정공 주입시 발생하는 스트레스를 저지하는 열화 방지층 역할을 하는 계면버퍼층을 개재하여 내전압 안정화를 도모하고 소자의 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명에 따른 소자는 광도 특성을 향상시킴은 물론 수명 특성 중 잔상을 좌우하는 초기 수명 연장 특성을 향상시키는 효과가 있다.The present invention facilitates stabilization of voltage through an interfacial buffer layer that facilitates the injection of holes, induces interfacial stability between the first electrode and the adjacent hole transport layer, and acts as a deterioration prevention layer that prevents stress generated during hole injection. There is an effect of providing an organic light emitting display device that can improve the life of the. In addition, the device according to the present invention has the effect of improving the brightness characteristics as well as the initial life extension characteristics that influence afterimages among the life characteristics.

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the specific content for the practice of the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 회로구성 예시도 이다.FIG. 1 is a schematic block diagram of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an exemplary circuit diagram of a subpixel shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 매트릭스형태로 배치된 서브 픽셀(SP)을 포함하는 패널(PNL), 서브 픽셀(SP)의 스캔배선(SL1..SLm)에 스캔신호를 공급하는 스캔구동부(SDRV) 및 서브 픽셀(SP)의 데이터배선(DL1..DLn)에 데이터신호를 공급하는 데이터구동부(DDRV)를 포함한다.1 and 2, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a panel PNL including sub pixels SP arranged in a matrix form, and scan wirings of the sub pixels SP. A scan driver SDRV for supplying a scan signal to SL1..SLm and a data driver DVR for supplying a data signal to the data wiring DL1..DLn of the subpixel SP.

서브 픽셀(SP)은 수동매트릭스형(Passive Matrix) 또는 능동매트릭스형(Active Matrix)으로 형성된다. 서브 픽셀(SP)이 능동매트릭스형으로 형성된 경우, 이는 스위칭 트랜지스터(S1), 구동 트랜지스터(T1), 커패시터(Cst) 및 유기 발광다이오드(D)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되거나 트랜지스터 및 커패시터가 더 추가된 구조로 구성될 수도 있다.The subpixel SP is formed of a passive matrix type or an active matrix type. When the sub-pixel SP is formed in an active matrix type, it has a 2T (Capistor) 1C (Capacitor) structure including a switching transistor S1, a driving transistor T1, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode D. Or a structure in which transistors and capacitors are further added.

2T1C 구조의 경우, 서브 픽셀(SP)에 포함된 소자들은 다음과 같이 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(S1)는 스캔신호가 공급되는 스캔배선(SL1)에 게이트가 연결되고 데이터신호가 공급되는 데이터배선(DL1)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된다. 구동 트랜지스터(T1)는 제1노드(A)에 게이트가 연결되고 제2노드(B)에 일단이 연결되며 저 전위의 전원이 공급되는 제2전원 배선(VSS)에 연결된 제3노드(C)에 타단이 연결된다. 커패시터(Cst)는 제1노드(A)에 일단이 연결되고 제3노드(C)에 타단이 연결된다. 유기 발광다이오드(D)는 고 전위의 전원이 공급되는 제1전원 배선(VDD)에 애노드가 연결되고 제2노드(B) 및 구동 트랜지스터(T1)의 일 단에 캐소드가 연결된다.In the case of the 2T1C structure, elements included in the subpixel SP may be connected as follows. The switching transistor S1 has a gate connected to the scan line SL1 supplied with the scan signal, one end connected to the data line DL1 supplied with the data signal, and the other end connected to the first node A. The driving transistor T1 has a gate connected to the first node A, one end connected to the second node B, and a third node C connected to the second power supply line VSS supplied with a low-voltage power supply. The other end is connected. One end of the capacitor Cst is connected to the first node A, and the other end thereof is connected to the third node C. In the organic light emitting diode D, an anode is connected to the first power line VDD to which a high potential power is supplied, and a cathode is connected to one end of the second node B and the driving transistor T1.

위의 설명에서는 서브 픽셀(SP)에 포함된 트랜지스터들(S1, T1)이 N-Type으로 구성된 것을 일례로 설명하였으나 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않는다. 그리고 제1전원 배선(VDD)을 통해 공급되는 고 전위의 전원은 제2전원 배선(VSS)을 통해 공급되는 저 전위의 전원보다 높을 수 있으며, 제1전원 배선(VDD) 및 제2전원 배선(VSS)을 통해 공급되는 전원의 레벨은 구동방법에 따라 스위칭이 가능하다.In the above description, the transistors S1 and T1 included in the sub-pixel SP have been configured as N-types as an example, but embodiments of the present invention are not limited thereto. The high potential power supplied through the first power line VDD may be higher than the low potential power supplied through the second power line VSS, and the first power line VDD and the second power line ( The level of power supplied through VSS) can be switched according to the driving method.

앞서 설명한 서브 픽셀(SP)은 다음과 같이 동작할 수 있다. 스캔배선(SL1)을 통해 스캔신호가 공급되면 스위칭 트랜지스터(S1)가 턴온된다. 다음, 데이터배선(DL1)을 통해 공급된 데이터신호가 턴온된 스위칭 트랜지스터(S1)를 거쳐 제1노드(A)에 공급되면 데이터신호는 커패시터(Cst)에 데이터전압으로 저장된다. 다음, 스캔신호가 차단되고 스위칭 트랜지스터(S1)가 턴오프되면 구동 트랜지스터(T1)는 커패시터(Cst)에 저장된 데이터전압에 대응하여 구동된다. 다음, 제1전원 배선(VDD)을 통해 공급된 고 전위의 전원이 제2전원 배선(VSS)을 통해 흐르게 되면 유기 발광다이오드(D)는 빛을 발광하게 된다. 그러나 이는 구동방법의 일례에 따른 것일 뿐, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않는다.The subpixel SP described above may operate as follows. When the scan signal is supplied through the scan line SL1, the switching transistor S1 is turned on. Next, when the data signal supplied through the data line DL1 is supplied to the first node A through the switching transistor S1 turned on, the data signal is stored as a data voltage in the capacitor Cst. Next, when the scan signal is blocked and the switching transistor S1 is turned off, the driving transistor T1 is driven in response to the data voltage stored in the capacitor Cst. Next, when the high potential power supplied through the first power line VDD flows through the second power line VSS, the organic light emitting diode D emits light. However, this is only an example of the driving method, the embodiment of the present invention is not limited thereto.

이하, 앞서 설명한 유기전계발광표시장치의 구조에 대해 설명한다.Hereinafter, the structure of the organic light emitting display device described above will be described.

도 3은 유기전계발광표시장치의 평면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 I-II 영역의 단면도이며, 도 5는 서브 픽셀의 단면도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광층의 구조도 이다.3 is a plan view of an organic light emitting display device, FIG. 4 is a cross-sectional view of an I-II region shown in FIG. 3, FIG. 5 is a cross-sectional view of a subpixel, and FIG. 6 is an organic light emitting layer according to an embodiment of the present invention. It is a schematic diagram.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 능동매트릭스형태로 형성된 서브 픽셀들에 의해 표시영역(AA)이 정의된 기판(110)과 기판(110) 상에 형성된 서브 픽셀들을 수분이나 산소로부터 보호하기 위한 밀봉기판(140)을 포함한다.3 and 4, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate 110 and a substrate 110 in which a display area AA is defined by subpixels formed in an active matrix shape. And a sealing substrate 140 to protect the sub pixels formed on the substrate from moisture or oxygen.

기판(110)과 밀봉기판(140)은 표시영역(AA)의 외곽에 위치하는 비표시영역(NA)에 형성된 접착부재(180)에 의해 합착 밀봉된다. 도시된 유기전계발광표시장치는 외부로부터 각종 신호나 전원을 공급받도록 기판(110)의 외곽에 패드부(170)가 마련되고, 하나의 칩으로 구성된 구동장치(160)에 의해 기판(110)과 밀봉기판(140)에 형성된 소자들이 구동되는 것을 일례로 한 것이다. 여기서, 구동장치(160)는 도 1에 설명된 데이터구동부와 스캔구동부 등을 포함한다. 이상 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 상부발광(Top-Emission) 방식, 하부발광(Bottom-Emission) 방식 및 양면발광(Dual-Emission) 중 어느 하나로 구현될 수 있다.The substrate 110 and the encapsulation substrate 140 are bonded and sealed by the adhesive member 180 formed in the non-display area NA positioned outside the display area AA. In the illustrated organic light emitting display device, a pad unit 170 is provided at an outer side of the substrate 110 to receive various signals or power from the outside, and the substrate 110 and the substrate 110 are formed by a driving device 160 composed of one chip. For example, the devices formed on the sealing substrate 140 are driven. In this case, the driving device 160 includes a data driver, a scan driver, and the like described with reference to FIG. 1. The organic light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present invention may be implemented by any one of a top emission type, a bottom emission type, and a dual emission.

이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 서브 픽셀의 구조에 대해 설명하면 다음과 같을 수 있다.Hereinafter, the structure of a subpixel will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

기판(110) 상에는 버퍼층(111)이 위치한다. 버퍼층(111)은 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막 트랜지스터를 보호하기 위해 형성할 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘 산화물(SiO₂), 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용할 수 있다.The buffer layer 111 is positioned on the substrate 110. The buffer layer 111 may be formed to protect the thin film transistor formed in a subsequent process from impurities such as alkali ions flowing out of the substrate 110. The buffer layer 111 may use silicon oxide (SiO ₂ ), silicon nitride (SiNx), or the like.

버퍼층(111) 상에는 게이트(112)가 위치한다. 게이트(112)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트(112)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. 또한, 게이트(112)는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다.The gate 112 is positioned on the buffer layer 111. The gate 112 is selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be made of one or an alloy thereof. In addition, the gate 112 is formed of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be a multilayer made of any one or alloys thereof. In addition, the gate 112 may be a bilayer of molybdenum / aluminum-neodymium or molybdenum / aluminum.

게이트(112) 상에는 제1절연막(113)이 위치한다. 제1절연막(113)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first insulating layer 113 is positioned on the gate 112. The first insulating layer 113 may be, but is not limited to, a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof.

제1절연막(113) 상에는 액티브층(114)이 위치한다. 액티브층(114)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 액티브층(114)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 소오스 영역 및 드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑될 수 있다. 또한, 액티브층(114)은 접촉 저항을 낮추기 위한 오믹 콘택층을 포함할 수도 있다.The active layer 114 is positioned on the first insulating layer 113. The active layer 114 may include amorphous silicon or polycrystalline silicon crystallized therefrom. Although not illustrated, the active layer 114 may include a channel region, a source region, and a drain region, and the source region and the drain region may be doped with P-type or N-type impurities. In addition, the active layer 114 may include an ohmic contact layer to lower the contact resistance.

액티브층(114) 상에는 소오스(115a) 및 드레인(115b)이 위치한다. 소오스(115a) 및 드레인(115b)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 소오스(115a) 및 드레인(115b)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군 에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 소오스(115a) 및 드레인(115b)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.The source 115a and the drain 115b are positioned on the active layer 114. The source 115a and the drain 115b may be formed of a single layer or multiple layers. When the source 115a and the drain 115b are a single layer, molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), and gold may be used. (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu) may be made of any one or an alloy thereof selected from the group consisting of. In addition, when the source 115a and the drain 115b are multiple layers, the double layer of molybdenum / aluminum-neodymium and the triple layer of molybdenum / aluminum / molybdenum or molybdenum / aluminum-neodymium / molybdenum may be used.

소오스(115a) 및 드레인(115b) 상에는 제2절연막(116)이 위치한다. 제2절연막(116)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2절연막(116)은 패시베이션막일 수 있다.The second insulating layer 116 is positioned on the source 115a and the drain 115b. The second insulating layer 116 may be a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto. The second insulating layer 116 may be a passivation layer.

제2절연막(116) 상에는 제3절연막(117)이 위치한다. 제3절연막(117)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제3절연막(117)은 평탄화막일 수 있다.The third insulating layer 117 is positioned on the second insulating layer 116. The third insulating layer 117 may be a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or multiple layers thereof, but is not limited thereto. The third insulating layer 117 may be a planarization layer.

이상은 기판(110) 상에 위치하는 바탐 게이트형 구동 트랜지스터에 대한 설명이다. 이하에서는 구동 트랜지스터 상에 위치하는 유기 발광다이오드에 대해 설명한다.The above is the description of the batam gate type driving transistor located on the substrate 110. Hereinafter, the organic light emitting diode on the driving transistor will be described.

제3절연막(117) 상에는 제1전극(119)이 위치한다. 제1전극(119)은 애노드 또는 캐소드로 선택될 수 있다. 애노드로 선택된 제1전극(119)은 투명한 재료 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first electrode 119 is positioned on the third insulating layer 117. The first electrode 119 may be selected as an anode or a cathode. The first electrode 119 selected as the anode may be made of a transparent material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), but is not limited thereto.

제1전극(119) 상에는 제1전극(119)의 일부를 노출하는 개구부를 갖는 뱅크층(120)이 위치한다. 뱅크층(120)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물을 포함할 수 있으나 이에 한 정되지 않는다.The bank layer 120 having an opening exposing a part of the first electrode 119 is positioned on the first electrode 119. The bank layer 120 may include an organic material such as benzocyclobutene (BCB) -based resin, acrylic resin, or polyimide resin, but is not limited thereto.

뱅크층(120)의 개구부 내에는 유기 발광층(121)이 위치한다. 도 6을 참조하면, 유기 발광층(121)은 계면버퍼층(121a), 정공수송층(121b), 발광층(121c), 전자수송층(121d) 및 전자주입층(121e)을 포함한다.The organic emission layer 121 is positioned in the opening of the bank layer 120. Referring to FIG. 6, the organic light emitting layer 121 includes an interface buffer layer 121a, a hole transport layer 121b, a light emitting layer 121c, an electron transport layer 121d, and an electron injection layer 121e.

계면버퍼층(121a)은 정공의 주입을 원활하게 하는 역할함과 아울러 제1전극(119)과 정공수송층(121b)의 사이에 위치여 이들 간의 계면 안정성을 유도한다. 계면버퍼층(121a)은 정공 주입시 발생하는 스트레스를 저지하는 역할을 할 수 있으며, 무기물과 유기물의 혼합으로 이루어진다. 무기물은 LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF 및 MgF₂ 중 선택된 어느 하나 또는 Li₂O, Na₂O, K₂O, BeO, MgO, CaO, B₂O₃, Al₂O₃ 및 SiO₂ 중 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있다. 유기물은 정공수송물질로 이루어진 것으로 정공수송층(121b)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.The interface buffer layer 121a facilitates the injection of holes and is positioned between the first electrode 119 and the hole transport layer 121b to induce interfacial stability therebetween. The interfacial buffer layer 121a may play a role of preventing stress generated during hole injection, and is made of a mixture of inorganic and organic materials. The inorganic material is any one selected from LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF and MgF ₂ or Li ₂ O, Na ₂ O, K ₂ O, BeO, MgO, CaO, B ₂ O ₃ , Al ₂ O ₃ and SiO _It may be made of any one selected from _two . The organic material is made of a hole transport material and may be made of the same material as the hole transport layer 121b.

정공수송층(121b)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine), 아로마틱 아민 유도체, 플루오렌 유도체 및 안트라센 유도체 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 정공수송층(121b)의 경우 두 개의 층으로 구성될 수도 있다.The hole transport layer 121b serves to facilitate the transport of holes, NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine), TPD (N, N'-bis- (3-methylphenyl) -N , N'-bis- (phenyl) -benzidine), s-TAD and MTDATA (4,4 ', 4 "-Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine), aromatic amine derivatives, flu It may include any one of an orene derivative and an anthracene derivative, and the hole transport layer 121b may be composed of two layers.

발광층(121c)은 호스트와 도펀트를 포함한다. 발광층(121c)은 적색, 녹색, 청색 및 백색을 발광하는 물질을 포함할 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하 여 형성할 수 있다. 발광층(121c)이 적색을 발광하는 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층(121c)이 녹색을 발광하는 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층(121c)이 청색을 발광하는 경우, CBP, 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The light emitting layer 121c includes a host and a dopant. The emission layer 121c may include a material emitting red, green, blue, and white light, and may be formed using phosphorescent or fluorescent materials. When the light emitting layer 121c emits red, it includes a host material including CBP (carbazole biphenyl) or mCP (1,3-bis (carbazol-9-yl), and PIQIr (acac) (bis (1-phenylisoquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (acac) (bis (1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (tris (1-phenylquinoline) iridium) and PtOEP (octaethylporphyrin platinum) It may be made of a phosphor material, otherwise it may be made of a fluorescent material including PBD: Eu (DBM) 3 (Phen) or Perylene, but is not limited thereto.When the light emitting layer 121c emits green, CBP or mCP It may include a host material comprising a, and a phosphor containing a dopant material including Ir (ppy) 3 (fac tris (2-phenylpyridine) iridium), alternatively, Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum) fluorescent material When the light emitting layer 121c emits blue, the light emitting layer 121c may include a host material including CBP or mCP and may be formed of a phosphor including a dopant material including (4,6-F2ppy) 2Irpic. Alternatively, it may be made of a fluorescent material including any one selected from the group consisting of spiro-DPVBi, spiro-6P, distilbenzene (DSB), distriarylene (DSA), PFO-based polymer and PPV-based polymer. However, the present invention is not limited thereto.

전자수송층(121d)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않 는다.The electron transport layer 121d serves to facilitate the transport of electrons, and may be made of any one or more selected from the group consisting of Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, and SAlq. However, it is not limited thereto.

전자주입층(121e)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, LiF, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 실시예는 도 6에 한정되는 것은 아니며, 정공수송층(121b), 전자수송층(121d) 및 전자주입층(121e) 중 적어도 어느 하나가 생략될 수도 있다.The electron injection layer 121e serves to facilitate the injection of electrons, and may be Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, LiF, spiro-PBD, BAlq or SAlq, but is not limited thereto. . The embodiment of the present invention is not limited to FIG. 6, and at least one of the hole transport layer 121b, the electron transport layer 121d, and the electron injection layer 121e may be omitted.

유기 발광층(121) 상에는 제2전극(122)이 위치한다. 제2전극(122)은 캐소드 또는 애노드로 선택될 수 있다. 캐소드로 선택된 제2전극(122)은 알루미늄(Al) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The second electrode 122 is positioned on the organic emission layer 121. The second electrode 122 may be selected as a cathode or an anode. The second electrode 122 selected as the cathode may use aluminum (Al) or the like, but is not limited thereto.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광다이오드의 실험 예에 대해 설명한다.Hereinafter, an experimental example of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention will be described.

도 7 내지 도 12는 종래 구조 대비 실시예의 발광색별 광도 및 내전압 특성 그래프이다.7 to 12 are graphs showing luminous intensity and breakdown voltage characteristics of light emitting colors according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 의해 구현된 유기 발광다이오드는 애노드로 선택된 제1전극(119)과 캐소드로 선택된 제2전극(122) 사이에 위치하는 계면버퍼층(121a), 정공수송층(121b), 발광층(121c) 전자수송층(121d) 및 전자주입층(121e)을 포함한다. 반면, 비교예 1과 비교예 2의 구조는 계면버퍼층의 유무와 정공주입층의 유무만 다를 뿐 실시예의 구조와 동일하다.As described with reference to FIGS. 5 and 6, the organic light emitting diode implemented by an embodiment of the present invention is an interface positioned between the first electrode 119 selected as an anode and the second electrode 122 selected as a cathode. A buffer layer 121a, a hole transport layer 121b, an emission layer 121c, an electron transport layer 121d, and an electron injection layer 121e are included. On the other hand, the structure of Comparative Example 1 and Comparative Example 2 is the same as the structure of the embodiment except that only the presence or absence of the interface buffer layer and the hole injection layer.

하기 표 1은 비교예의 구조들과 실시예의 구조에서 측정된 전압(V), 광 도(cd/A), 전류(Im/W) 및 색좌표(CIE_x, XIE_y)를 나타낸다. 표 1에서 "BUFFER"은 계면버퍼층, "HIL"은 정공주입층, "HTL"은 정공수송층을 나타낸다. 이 밖에 "-"는 층이 없음을 나타낸다.Table 1 below shows the voltage (V), light intensity (cd / A), current (Im / W) and color coordinates (CIE_x, XIE_y) measured in the structures of the comparative example and the structure of the example. In Table 1, "BUFFER" represents an interface buffer layer, "HIL" represents a hole injection layer, and "HTL" represents a hole transport layer. In addition, "-" indicates no layer.

구조
rescue
BUFFER
BUFFER
HILHIL HTL
HTL
색
color
광학 특성Optical properties VV cd/Acd / A Im/WIm / W CIE_xCIE_x CIE_yCIE_y
비교예
1
Comparative example
One
-

-

100Å

100Å
1100Å
1100 yen
적enemy 3.33.3 15.115.1 14.614.6 0.6790.679 0.3190.319 녹rust 3.23.2 26.326.3 26.026.0 0.2740.274 0.6570.657 700Å700Å 청blue 3.53.5 4.54.5 4.14.1 0.1420.142 0.1260.126
비교예
2
Comparative example
2
50Å

50Å

100Å

100Å
1100Å
1100 yen
적enemy 3.13.1 14.714.7 14.714.7 0.6790.679 0.3190.319 녹rust 3.13.1 26.026.0 26.326.3 0.2750.275 0.6570.657 700Å700Å 청blue 3.33.3 4.44.4 4.14.1 0.1420.142 0.1260.126
실시예

Example

50Å

50Å

-

-
1100Å
1100 yen
적enemy 3.13.1 15.215.2 15.315.3 0.6780.678 0.3190.319 녹rust 3.13.1 25.725.7 26.226.2 0.2730.273 0.6580.658 700Å700Å 청blue 3.33.3 4.34.3 4.14.1 0.1420.142 0.1270.127

상기 표 1의 실험 예에서, 계면버퍼층(121a)은 마그네슘 플로라이드(MgF₂)로 선택된 무기물과 아로마틱 아민류 중 NPD로 이루어진 유기물을 일례로 한다. 이하, 제1전극(119)과 제2전극(122) 사이에 위치하는 각 층의 개략적인 조건은 표 1 및 앞서 설명한 바와 같다.In the experimental example of Table 1, the interface buffer layer 121a is an example of an inorganic material selected from magnesium fluoride (MgF ₂ ) and an organic material consisting of NPD among aromatic amines. Hereinafter, the rough conditions of each layer positioned between the first electrode 119 and the second electrode 122 are as described in Table 1 and described above.

상기 표 1을 참조하면, 실시예에 따른 유기 발광다이오드로 구현된 소자는 광학적 특성 면에서 비교예 1 및 2보다 향상되었음을 알 수 있다. 이와 아울러, 도 7 내지 도 12를 참조하면, 실시예(Emb)로 구현된 청색(Blue), 녹색(Green) 및 적색(Red)의 소자는 비교예 1(Ref1) 및 2(Ref2)보다 광도 특성(intensity)이 향상됨은 물론 내전압 특성(Delta voltage)이 안정되었음을 알 수 있다.Referring to Table 1, it can be seen that the device implemented with the organic light emitting diode according to the embodiment is improved compared to Comparative Examples 1 and 2 in terms of optical properties. In addition, referring to FIGS. 7 to 12, the blue, green, and red devices implemented in the embodiment Emb have higher luminance than those of Comparative Examples 1 and 2. It can be seen that the intensity (Delta voltage) is stable as well as the intensity is improved.

실시예에 따른 유기 발광다이오드에는 무기물과 정공수송층과 동일한 유기물의 혼합으로 이루어진 계면버퍼층(121a)이 제1전극(119)과 정공수송층(121b) 사이에 개재된다. 계면버퍼층(121a)은 정공의 주입을 원활하게 하고 제1전극(119)과 정공수송층(121b) 간의 계면 안정성을 유도하여 정공 주입시 발생하는 스트레스를 저지하는 열화 방지층 역할을 한다. 설명을 덧붙이면, 계면버퍼층(121a)은 제1전극(119)에 플라즈마 처리시 발생하는 문제나 공정시 발생하는 오염원으로 인한 문제 등에 의해 손상된 제1전극(119)의 계면을 활성화(안정화) 시키는 역할을 한다. 실시예의 계면버퍼층(121a)의 경우, 정공수송층과 동일한 유기물이 무기물에 혼합되는 구조이므로 유기물 혼합을 위해 증착 챔버 수를 늘리지 않아도 된다. 그러므로, 실시예는 계면버퍼층(121a) 형성시 챔버의 이동 및 유기물 추가 증착에 따른 공정 불량이나 제조 공정 시간 증가를 피할 수 있다.In the organic light emitting diode according to the embodiment, an interface buffer layer 121a formed of a mixture of an inorganic material and the same organic material as the hole transport layer is interposed between the first electrode 119 and the hole transport layer 121b. The interface buffer layer 121a serves as a deterioration prevention layer that facilitates the injection of holes and induces interfacial stability between the first electrode 119 and the hole transport layer 121b to prevent stress generated during hole injection. In addition, the interface buffer layer 121a activates (stabilizes) the interface of the first electrode 119 that is damaged due to a problem occurring during plasma treatment or a problem caused by a pollution source during the process. Play a role. In the embodiment of the interface buffer layer 121a, since the same organic material as the hole transport layer is mixed with the inorganic material, it is not necessary to increase the number of deposition chambers for mixing the organic material. Therefore, the embodiment can avoid the process failure or the increase in the manufacturing process time due to the movement of the chamber and the additional deposition of organic materials when the interface buffer layer 121a is formed.

계면버퍼층(121a)의 두께는 5 Å ~ 300 Å로 형성할 수 있으며, 무기물과 유기물은 10 : 1 ~ 1 : 10의 혼합비를 가질 수 있다. 바람직하게, 계면버퍼층(121a)의 두께는 20 Å ~ 100 Å로 형성되고 무기물과 유기물은 1 : 3 ~ 5의 혼합비를 갖는다.The interface buffer layer 121a may be formed in a thickness of 5 kPa to 300 kPa, and the inorganic material and the organic material may have a mixing ratio of 10: 1 to 1:10. Preferably, the thickness of the interface buffer layer 121a is 20 kPa to 100 kPa, and the inorganic material and the organic material have a mixing ratio of 1: 3-5.

계면버퍼층(121a)을 형성할 때, 유기물의 경우 무기물의 비율 대비 3 ~ 5를 차지할 수 있다. 그런데, 무기물의 경우 유기물의 비율 대비 1 이하를 차지하게 되면 무기물의 함량에 의한 버퍼의 특성 상실을 방지할 수가 있고 제1전극(119)과의 계면 활성화가 저하되는 문제를 방지할 수 있다. 그리고 유기물의 경우 무기물의 비율 대비 3 ~ 5 이하를 차지하게 되면 계면 활성화 기능을 수행할 수 있다. 설명을 덧붙이면, 무기물과 유기물의 비율에 따른 계면버퍼층(121a)의 기능 및 효과는 다음과 같다. (1) 무기물과 유기물의 비율이 1 : 1인 경우, 비교예1 및 2 대비 턴온 전압 상승, 효율 소폭 감소, 내전압 우수, 수명 향상 효과를 나타낼 수 있다. (2) 무기물과 유기물의 비율이 1 : 3인 경우, 비교예1 및 2 대비 턴온 전압 동등, 효율 동등, 내전압 우수, 수명 향상 효과를 나타낼 수 있다. (3) 무기물과 유기물의 비율이 1 : 5인 경우, 비교예1 및 2 대비 턴온 전압 동등, 효율 동등, 내전압 우수, 수명 향상 효과를 나타내나 (2)의 구조 대비 향상도가 저하되는 것으로 나타났다. 그러므로, 계면버퍼층(121a) 형성시 무기물의 비율이 증가하게 되면 턴온 전압 상승에 의해 소비전력 저감 효과가 저하될 수 있다. 한편, 계면버퍼층(121a)의 두께를 20 Å 이상으로 형성하면, 제1전극(119)과의 계면을 활성화하는 역할을 함과 동시에 정공을 원활히 주입할 수 있게 되고 내전압을 안정화할 수 있게 된다. 이와 달리, 계면버퍼층(121a)의 두께를 100 Å 이하로 형성하면, 구동 전압 상승을 방지하며 제1전극(119)과의 계면을 활성화하는 역할을 함과 동시에 정공을 원활히 주입할 수 있게 되고 내전압을 안정화할 수 있게 된다. 따라서, 실시예와 같은 조건으로 제1전극(119)과 정공수송층(121b) 사이에 계면버퍼층(121a)을 구성하면, 계면버퍼층(121a)에 의한 정공 주입 특성 상승과 정공수송층(121b) 간의 장벽을 해소할 수 있게 되고 내전압을 안정화시킬 수 있게 된다.When the interface buffer layer 121a is formed, the organic material may occupy 3 to 5 compared to the ratio of the inorganic material. However, when the inorganic material occupies 1 or less than the ratio of the organic material, the loss of the characteristics of the buffer due to the content of the inorganic material may be prevented, and the problem that the surface activation with the first electrode 119 is reduced may be prevented. In the case of organic materials, when the organic materials occupy 3 to 5 or less than the ratio of inorganic materials, the surface active function may be performed. In addition to the description, the functions and effects of the interface buffer layer 121a according to the ratio of the inorganic material and the organic material are as follows. (1) In the case where the ratio of the inorganic material and the organic material is 1: 1, the turn-on voltage increase, the efficiency decrease slightly, the withstand voltage excellent, and the life improvement effect can be obtained compared to Comparative Examples 1 and 2. (2) When the ratio of the inorganic substance and the organic substance is 1: 3, the turn-on voltage equivalent, the efficiency equivalent, the excellent withstand voltage, and the life improvement effect can be exhibited compared to the comparative examples 1 and 2. (3) When the ratio of inorganic matter and organic matter was 1: 5, it showed turn-on voltage equality, efficiency equality, excellent withstand voltage, and lifespan improvement compared to Comparative Examples 1 and 2, but the degree of improvement compared to the structure of (2) was shown to be reduced. . Therefore, when the ratio of the inorganic material is increased when the interface buffer layer 121a is formed, the power consumption reduction effect may be lowered due to the increase in the turn-on voltage. On the other hand, if the thickness of the interfacial buffer layer 121a is formed to be 20 Å or more, it serves to activate the interface with the first electrode 119 and to smoothly inject holes and stabilize the withstand voltage. On the other hand, if the thickness of the interface buffer layer 121a is 100 100 or less, the driving voltage is prevented from rising and the interface with the first electrode 119 is activated, and holes can be smoothly injected, and the withstand voltage is increased. It can be stabilized. Therefore, when the interface buffer layer 121a is formed between the first electrode 119 and the hole transport layer 121b under the same conditions as in the embodiment, the hole injection characteristic is increased by the interface buffer layer 121a and the barrier between the hole transport layer 121b is obtained. It is possible to solve the problem and to stabilize the withstand voltage.

이상 본 발명은 정공의 주입을 원활하게 하고 제1전극과 인접하는 정공수송층 간의 계면 안정성을 유도하며 정공 주입시 발생하는 스트레스를 저지하는 열화 방지층 역할을 하는 계면버퍼층을 개재하여 내전압 안정화를 도모하고 소자의 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명에 따른 소자는 광도 특성을 향상시킴은 물론 수명 특성 중 잔상을 좌우하는 초기 수명 연장 특성을 향상시키는 효과가 있다.The present invention aims to stabilize the breakdown voltage through an interfacial buffer layer that facilitates the injection of holes, induces interfacial stability between the first electrode and the adjacent hole transport layer, and acts as a deterioration prevention layer that prevents stress generated during hole injection. There is an effect of providing an organic light emitting display device that can improve the life of the. In addition, the device according to the present invention has the effect of improving the brightness characteristics as well as the initial life extension characteristics that influence afterimages among the life characteristics.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is shown by the claims below, rather than the above detailed description. Also, it is to be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 블록도.1 is a schematic block diagram of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;

도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 회로구성 예시도.FIG. 2 is an exemplary circuit diagram of a subpixel illustrated in FIG. 1. FIG.

도 3은 유기전계발광표시장치의 평면도.3 is a plan view of an organic light emitting display device;

도 4는 도 3에 도시된 I-II 영역의 단면도.4 is a cross-sectional view of the region I-II shown in FIG.

도 5는 서브 픽셀의 단면도.5 is a cross-sectional view of a subpixel.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광층의 구조도.6 is a structural diagram of an organic light emitting layer according to an embodiment of the present invention.

도 7 내지 도 12는 비교예들의 구조 대비 실시예에 따른 발광색별 광도 및 내전압 특성 그래프.7 to 12 are graphs of luminous intensity and breakdown voltage characteristics of emission colors according to the embodiment compared to the structure of the comparative examples.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>

110: 기판 112: 게이트110: substrate 112: gate

119: 제1전극 121: 유기 발광층119: first electrode 121: organic light emitting layer

121a: 계면버퍼층 122: 제2전극121a: interface buffer layer 122: second electrode

170: 접착부재 180: 밀봉기판170: adhesive member 180: sealing substrate

SP: 서브 픽셀SP: subpixel

Claims

기판;Board;

상기 기판 상에 위치하는 제1전극;A first electrode on the substrate;

상기 제1전극 상에 위치하는 유기 발광층; 및An organic light emitting layer on the first electrode; And

상기 유기 발광층 상에 위치하는 제2전극을 포함하며,A second electrode on the organic light emitting layer,

상기 유기 발광층은,The organic light emitting layer,

무기물과 정공수송물질로 이루어진 계면버퍼층을 포함하고,Including an interface buffer layer consisting of an inorganic material and a hole transport material,

상기 계면버퍼층은 정공수송층과 상기 제1전극 사이에 위치하며,The interface buffer layer is located between the hole transport layer and the first electrode,

상기 정공수송물질은 상기 유기 발광층에 포함된 정공수송층과 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The hole transport material is an organic light emitting display device, characterized in that made of the same material as the hole transport layer included in the organic light emitting layer.

삭제delete

제1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 무기물과 상기 정공수송물질은,The inorganic material and the hole transport material,

1 : 3 ~ 5의 혼합비를 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.1: an organic light emitting display device having a mixing ratio of 3 to 5.

제1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 무기물은,The mineral is,

LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF 및 MgF₂ 중 선택된 어느 하나 또는 Li₂O, Na₂O, K₂O, BeO, MgO, CaO, B₂O₃, Al₂O₃ 및 SiO₂ 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.Any one selected from LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF and MgF ₂ or among Li ₂ O, Na ₂ O, K ₂ O, BeO, MgO, CaO, B ₂ O ₃ , Al ₂ O ₃ and SiO ₂ An organic light emitting display device, characterized in that any one selected.

제1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 정공수송물질은,The hole transport material,

아로마틱 아민 유도체, 플루오렌 유도체 및 안트라센 유도체 중 어느 하나를 포함하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device comprising any one of an aromatic amine derivative, a fluorene derivative, and an anthracene derivative.

제1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 계면버퍼층의 두께는,The thickness of the interface buffer layer,

5Å ~ 300Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device, characterized in that 5 ~ 300 Å.

제1항에 있어서,The method of claim 1,

20Å ~ 100Å 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device having a range of 20 Hz to 100 Hz.

제1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 유기 발광층은,The organic light emitting layer,

상기 계면버퍼층 상에 위치하는 정공수송층과,A hole transport layer on the interface buffer layer;

상기 정공수송층 상에 위치하는 발광층과,A light emitting layer on the hole transport layer;

상기 발광층 상에 위치하는 전자수송층과,An electron transport layer on the light emitting layer;

상기 전자수송층 상에 위치하는 전자주입층을 포함하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device comprising an electron injection layer on the electron transport layer.