KR101128267B1 - 가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버 - Google Patents

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Abstract

가스 분사판의 변형 및 파손을 방지할 수 있는 가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버가 개시되어 있다. 가스분사장치는 가스 유입구가 형성된 지지판, 가스 분사판, 다수의 연결 블록들 및 차단막을 포함한다. 가스 분사판은 지지판으로부터 일정 거리 이격되게 배치되며, 가스 유입구를 통해 유입된 가스를 피처리 기판 방향으로 분사하기 위한 다수의 가스 분사홀들을 포함한다. 연결 블록들은 가스 분사판의 가장자리를 따라 서로 이격되게 배치되며, 일단부는 가스 분사판에 결합 고정되고 타단부는 가스 분사판의 열변형에 따라 유동되도록 지지판에 의해 지지된다. 차단막은 가스 분사판의 가장자리를 따라 상기 연결 블록들 사이에 형성되어 지지판과 가스 분사판 사이의 공간을 밀폐시킨다. 따라서, 가스 분사판의 열 변형에 따른 파손을 방지하고 증착 균일성을 향상시킬 수 있다.

Description

가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버{GAS DISTRIBUTION APPARATUS AND PROCESS CHAMBER HAVING THE SAME}
본 발명은 가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 대면적의 피처리 기판 상에 공정 가스를 균일하게 분사하는 가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치, 태양전지 등의 제품을 제조함에 있어서는 유리 기판 등의 피처리 기판 상에 여러 종류의 박막을 증착하는 공정과 증착된 박막을 식각하는 공정 등의 다양한 제조 공정을 거쳐야 하며, 이러한 공정들은 해당 공정의 진행에 최적의 조건을 제공하는 기판처리장치에서 이루어진다. 특히, 피처리 기판 상에 박막을 형성하는 공정은 플라즈마를 이용한 화학기상증착(Camical Vapor Deposition : CVD) 장치를 통해 주로 이루어진다.
통상적으로, CVD 장치는 공정 챔버의 내부 공간에 형성되어 피처리 기판을 지지 및 가열하기 위한 기판 지지부 및 기판 지지부의 상부에 형성되어 피처리 기판을 향해 공정 가스를 분사하는 가스분사장치를 포함한다. 가스분사장치는 가스 주입구가 형성된 지지판과, 지지판과 일정 거리 이격되도록 지지판에 결합되고 가 스의 분사를 위해 다수의 분사홀들이 형성된 가스 분사판을 포함한다. 지지판에 형성된 가스 유입구를 통해 유입된 가스는 지지판과 가스 분사판 사이의 공간에서 확산된 후, 가스 분사판의 분사홀들을 통해 피처리 기판으로 균일하게 분사된다.
한편, 박막증착의 효율을 향상시키기 위해 약 200℃ 이상의 고온 하에서 공정이 진행되므로, 공정 중에 가스 분사판 역시 가열되어 온도가 상승하게 된다. 지지판이나 챔버 몸체에 고정되어 있는 가스 분사판이 가열되면 열 팽착 및 수축에 의해 가스 분사판의 열 변형이 발생되는 문제가 있다. 특히, 피처리 기판의 대형화에 따라 가스 분사판 역시 대형으로 제작되기 때문에, 대형 가스 분사판의 경우 열에 의한 변형이 심해져 증착되는 박막의 두께 균일성을 떨어뜨릴 수 있으며, 심할 경우 가스 분사판이 찌져지는 등의 문제가 발생된다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명은 가스 분사판의 열 변형에 따른 파손을 방지하고 증착 균일성을 향상시킬 수 있는 가스분사장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기한 가스분사장치를 갖는 공정 챔버를 제공한다.
본 발명의 일 특징에 따른 가스분사장치는 가스 유입구가 형성된 지지판, 가스 분사판, 다수의 연결 블록들 및 차단막을 포함한다. 상기 가스 분사판은 상기 지지판으로부터 일정 거리 이격되게 배치되며, 상기 가스 유입구를 통해 유입된 가스를 피처리 기판 방향으로 분사하기 위한 다수의 가스 분사홀들을 포함한다. 상기 연결 블록들은 상기 가스 분사판의 가장자리를 따라 서로 이격되게 배치되며, 일단부는 상기 가스 분사판에 결합 고정되고 타단부는 상기 가스 분사판의 열변형에 따라 유동되도록 상기 지지판에 의해 지지된다. 상기 차단막은 상기 가스 분사판의 가장자리를 따라 상기 연결 블록들 사이에 형성되어 상기 지지판과 상기 가스 분사판 사이의 공간을 밀폐시킨다.
상기 지지판의 측면에는 내측으로 오목하게 홈부가 형성되며, 상기 연결 블록의 타단부에는 측면으로부터 돌출되어 상기 지지판에 의해 유동 가능하게 지지되도록 상기 홈부에 삽입되는 삽입부가 형성된다.
상기 연결 블록은 상기 삽입부가 형성된 측면의 수직한 측면에 형성되어 상 기 차단막의 단부가 삽입되는 결합홈을 포함할 수 있다.
상기 연결 블록과 상기 지지판 중 어느 하나에는 상기 지지판에 상기 삽입부가 지지되는 부분에 열팽창 방향을 규제하기 위한 방향규제 돌기가 형성되며, 상기 연결 블록과 상기 지지판 중 다른 하나에는 상기 방향규제 돌기가 삽입되는 방향규제 홈이 형성된다. 일 예로, 상기 방향규제 돌기는 상기 연결 블록의 상기 삽입부로부터 상기 일단부 방향으로 돌출되게 형성된다. 상기 방향규제 돌기가 형성된 상기 연결 블록은 상기 지지판의 4변 각각에 적어도 하나가 배치된다.
상기 연결 블록의 삽입부와 상기 지지판의 홈부 사이에는 마찰을 감소시키는 슬라이딩 패드가 형성될 수 있다.
상기 가스분사장치는 고주파 전원이 인가되는 상기 지지판과 상기 연결 블록을 전기적으로 연결하는 도전 부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버는 챔버 몸체, 상기 챔버 몸체의 내부에 설치되어 피처리 기판을 지지하는 기판 지지부 및 상기 챔버 몸체의 내부에 상기 기판 지지부와 대향하게 설치되어 상기 피처리 기판 방향으로 가스를 분사하는 가스분사장치를 포함한다. 상기 가스분사장치는 가스 유입구가 형성된 지지판, 가스 분사판, 다수의 연결 블록들 및 차단막을 포함한다. 상기 가스 분사판은 상기 지지판으로부터 일정 거리 이격되게 배치되며, 상기 가스 유입구를 통해 유입된 가스를 피처리 기판 방향으로 분사하기 위한 다수의 가스 분사홀들을 포함한다. 상기 연결 블록들은 상기 가스 분사판의 가장자리를 따라 서로 이격되게 배치되며, 일단부는 상기 가스 분사판에 결합 고정되고 타단부는 상기 가스 분사판의 열변형 에 따라 유동되도록 상기 지지판의 측면에 형성된 홈부에 삽입되어 지지된다. 상기 차단막은 상기 가스 분사판의 가장자리를 따라 상기 연결 블록들 사이에 형성되어 상기 지지판과 상기 가스 분사판 사이의 공간을 밀폐시킨다.
상기 연결 블록과 상기 지지판 중 어느 하나에는 상기 지지판에 상기 연결 블록이 지지되는 부분에 열팽창 방향을 규제하기 위한 방향규제 돌기가 형성되며, 상기 연결 블록과 상기 지지판 중 다른 하나에는 상기 방향규제 돌기가 삽입되는 방향규제 홈이 형성된다.
이와 같은 가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버에 따르면, 가스 분사판의 열 팽창에 따라 자유롭게 유동되도록 가스 분사판에 결합된 연결 블록들을 통해 지지판에 매달아 줌으로써, 가스 분사판의 변형에 따른 파손을 방지하고, 가스 분사판과 피처리 기판간의 간격을 일정하게 유지하여 증착 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 가스 분사판의 열 팽창이 균일한 방향으로 일어날 수 있도록 방향성을 부여함으로써, 가스 분사판의 두께 방향으로의 열 변형을 최소화시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 상술한 본 발명의 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명은 하기의 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 보다 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 기술적 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공된다. 도면들에 있어서, 각 장치 또는 막(층) 및 영역들의 두께는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 과장되게 도시되었으며, 또한 각 장치는 본 명세서에서 설명되지 아니한 다양한 부가 장치들을 구비할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버를 개략적으로 나타낸 도면이며, 도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 확대도이며, 도 3은 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 가스분사장치의 단면도이다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버(100)는 챔버 몸체(110), 챔버 몸체(110)의 내부에 설치되어 피처리 기판(122)을 지지하는 기판 지지부(120) 및 챔버 몸체(110)의 내부에 기판 지지부(120)와 대향하게 설치되어 피처리 기판(122) 방향으로 가스를 분사하는 가스분사장치(200)를 포함한다.
챔버 몸체(110)는 하부 몸체부(112) 및 하부 몸체부(112)의 상부에 개폐가능하게 결합되는 상부 몸체부(114)를 포함할 수 있다. 하부 몸체부(112)와 상부 몸체부(114)의 결합에 의해 챔버 몸체(110)의 내부에는 피처리 기판(122)에 대한 공정을 수행할 수 있는 공간이 마련된다. 챔버 몸체(110)의 바닥에는 챔버 몸 체(110)의 내부 공간을 진공으로 만들기 위한 배기구(116)가 형성된다.
기판 지지부(120)는 피처리 기판(122)을 지지하기 위한 것으로서, 챔버 몸체(110) 내부의 하부 공간에 설치된다. 기판 지지부(120)의 내부에는 공정 조건에 따라 피처리 기판(122)을 가열하기 위한 히터(미도시)가 형성될 수 있다.
가스분사장치(200)는 챔버 몸체(110) 내부의 상부 공간에 기판 지지부(120)와 대향하게 설치되어, 피처리 기판(122)을 향해 공정 가스를 균일하게 분사한다.
가스분사장치(200)는 지지판(210), 지지판(210)과 일정 거리 이격되게 배치된 가스 분사판(220), 지지판(210)과 가스 분사판(220)을 연결하는 다수의 연결 블록들(230) 및 연결 블록들(230) 사이에 배치된 차단막(240)을 포함한다.
지지판(210)은 챔버 몸체(110)의 상부 몸체부(114)에 고정되게 설치되어 챔버 몸체(110)의 내부 공간을 밀폐시킨다. 지지판(210)은 가스분사장치(200)와 기판 지지부(120) 사이의 공간에 플라즈마를 발생시키기 위한 전극의 기능을 가질 수 있다. 이를 위해, 지지판(210)은 전기 전도성을 갖는 알루미늄 등의 금속 재질로 형성되며, 지지판(210)에는 플라즈마의 발생을 위한 고주파 전원(RF 전원)이 인가된다. 금속으로 이루어진 지지판(210)과 상부 몸체부(114) 사이에는 전기적 절연을 위한 절연체(270)가 형성된다. 지지판(210)의 특정 영역 예를 들어, 중앙 부분에는 반응 가스, 원료 가스 등의 박막 증착에 필요한 공정 가스가 유입되는 적어도 하나의 가스 유입구(212)가 형성된다.
한편, 지지판(210)의 측면에는 연결 블록들(230)과의 연결을 위한 홈부(214)가 형성되어 있다. 홈부(214)는 지지판(210)의 모든 측면을 둘러싸게 형성되거나, 또는 연결 블록들(230)이 배치되는 영역에만 한정적으로 형성될 수 있다.
가스 분사판(220)은 지지판(210)의 하부에 일정 거리 이격되게 배치된다. 가스 분사판(220)은 가스 유입구(212)를 통해 유입된 가스를 피처리 기판(122) 방향으로 분사하기 위한 다수의 가스 분사홀들(222)을 포함한다. 가스 분사홀들(222)은 가스 분사판(220)의 전체 면적에 걸쳐 균일한 밀도로 형성되어 피처리 기판(122)으로 분사되는 가스의 양이 전체 영역에 걸쳐 일정하게 되도록 구성될 수 있다. 가스 분사판(220)은 전기 전도성을 갖는 알루미늄 등의 금속 재질로 형성될 수 있다. 가스 분사판(220)은 연결 블록들(230)과 전기적으로 연결되어 있으므로, 지지판(210)에 인가된 고주파 전원은 연결 블록들(230)을 통해 가스 분사판(220)에도 인가될 수 있다.
가스 분사판(220)은 연결 블록들(230)과의 결합을 통해 지지판(210)의 하부에 배치된다. 연결 블록들(230)은 가스 분사판(220) 및 지지판(210)의 가장자리를 따라 서로 이격되게 배치된다. 예를 들어, 지지판(210) 및 가스 분사판(220)이 사각형 형상을 가질 경우, 연결 블록들(230)은 가스 분사판(220)의 각 변에 대응하여 적어도 하나 이상이 배치된다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 연결 블록을 구체적으로 나타낸 사시도이다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 연결 블록(230)은 가스 분사판(220) 측에 위치하는 일단부(232) 및 지지판(210) 측에 위치하는 타단부(234)를 포함한다. 연결 블록(230)의 일단부(232)는 나사 등의 결합 수단을 통해 가스 분사판(220)에 결합 고 정된다. 이를 위해, 연결 블록(230)의 일단부(232)에는 가스 분사판(220)과의 나사 결합을 위한 적어도 하나의 제1 결합공(233)이 형성될 수 있다.
연결 블록(230)의 타단부(234)는 가스 분사판(220)의 열변형에 따라 유동되도록 지지판(210)에 의해 지지된다. 이를 위해, 연결 블록(230)의 타단부(234)에는 측면으로부터 돌출되어 지지판(210)에 의해 유동 가능하게 지지되도록 지지판(210)의 홈부(214)에 삽입되는 삽입부(236)가 형성된다. 이에 따라, 연결 블록(230)은 실질적으로 "ㄱ"자의 형상을 갖는다. 연결 블록(230)의 타단부(234)에 형성된 삽입부(236)는 지지판(210)의 홈부(214)에 삽입되어 지지판(210)에 의해 지지될 뿐, 별도의 결합 수단에 의해 고정되지 않는다. 따라서, 연결 블록(230)은 가스 분사판(220)의 열팽창에 따라 평면 방향으로 자유롭게 유동될 수 있다.
한편, 가스분사장치(200)는 도 1에 도시된 바와 같이, 연결 블록(230)의 삽입부(236)와 지지판(210)의 홈부(214) 사이에 형성된 슬라이딩 패드(250)를 더 포함할 수 있다. 슬라이딩 패드(250)는 연결 블록(230)과 지지판(210) 사이의 마찰력을 감소시켜, 연결 블록(230)이 열 팽창에 의해 늘어날 경우, 자유롭게 슬라이딩될 수 있도록 돕는다.
이와 같이, 연결 블록들(230)의 일단부(232)를 가스 분사판(220)에 고정시킨 상태에서 타단부(234)를 유동 가능하게 지지판(210)에 매달아 두게 되면, 가스 분사판(220)의 열 팽창이 발생되어도 연결 블록들(230)의 슬라이딩을 통해 가스 분사판(220)의 변형을 최소화시킬 수 있다. 이에 따라, 가스 분사판(220)의 파손을 방지하고, 가스 분사판(220)과 피처리 기판(122)간의 간격을 일정하게 유지하여 증착 균일성을 향상시킬 수 있다.
한편, 연결 블록(230)은 차단막(240)과의 연결을 위한 결합홈(235)을 포함할 수 있다. 결합홈(235)은 삽입부(236)가 형성된 측면의 수직한 양측면에 형성되며, 결합홈(235)에는 차단막(240)의 단부가 삽입되어 결합된다. 또한, 연결 블록(230)은 삽입부(236)가 형성된 측면에 형성된 제2 결합공(237)을 포함할 수 있다. 제2 결합공(237)은 이후에 설명된 도전 부재(260, 도 6에 도시됨)와의 결합을 위한 것이다.
도 5는 도 3에 도시된 연결 블록과 차단막을 구체적으로 나타낸 도면이며, 도 6은 도 5의 B 부분을 확대한 확대도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 차단막(240)은 가스 분사판(220)의 가장자리를 따라 연결 블록들(230) 사이에 형성되어 가스 분사판(220)과 지지판(210) 사이의 공간을 밀폐시킨다. 차단막(240)은 가스 분사판(220)과 지지판(210) 사이의 공간을 밀폐시키기 위하여 실질적으로 연결 블록(230)과 동일한 높이로 형성되며, 상면은 지지판(210)에 밀착되며, 하면은 가스 분사판(220)에 밀착된다.
이와 같이, 연결 블록들(230) 및 차단막(240)을 통해 지지판(210)과 가스 분사판(220) 사이의 가장자리를 둘러싸면, 지지판(210)과 가스 분사판(220) 사이에는 가스 확산을 위한 밀폐된 공간이 마련된다. 이에 따라, 가스 유입구(212)를 통해 유입된 공정 가스는 지지판(210)과 가스 분사판(220) 사이의 공간에서 전 영역으로 확산된 후 가스 분사판(220)을 통해 피처리 기판(122)으로 균일하게 분사된다.
한편, 연결 블록(230)의 결합홈(235)과 차단막(240)의 단부가 결합되는 부분 에는 어느 정도의 유격이 존재하므로, 차단막(240)이 열 팽창하여도 특별한 변형없이 자유롭게 늘어날 수 있다.
연결 블록들(230)은 지지판(210) 및 가스 분사판(220)과 마찬가지로, 전기 전도성을 갖는 알루미늄 등의 금속 재질로 형성될 수 있다. 이에 따라, 지지판(210)에 인가된 고주파 전원은 연결 블록들(230)을 통해 가스 분사판(220)에 인가된다. 그러나, 연결 블록들(230)이 가스 분사판(220)과는 완전히 전기적으로 연결되는 반면, 지지판(210)에는 단순히 얹어져 지지되고 그 사이에 슬라이딩 부재(250) 등이 배치될 수 있으므로, 지지판(210)과 연결 블록들(230) 간의 전기적 연결이 불안할 수 있다. 따라서, 가스분사장치(200)는 지지판(210)과 연결 블록들(230) 간의 안전한 전기적 연결을 위해 도전 부재(260)를 더 포함할 수 있다.
도전 부재(260)는 전기 전도성을 갖는 금속 재질로 이루어지고, 얇은 판 형상으로 형성되어 지지판(210)과 연결 블록(230)을 전기적으로 연결한다. 예를 들어, 도전 부재(260)의 일단부는 연결 블록(230)의 측면에 나사 고정되며, 타단부는 지지판(210)의 하면에 나사 고정된다. 이와 같이, 별도의 도전 부재(260)를 이용하여 지지판(210)과 연결 블록(230)을 전기적으로 연결함으로써, 지지판(210)에 인가된 고주파 전원을 가스 분사판(220)에 안정적으로 인가할 수 있다.
한편, 가스 분사판(220)이 열 팽창함에 있어, 가스 분사판(220)의 열 팽창은 모든 방향으로 일어난다. 이때, 열 팽창의 방향성을 규제하여 줌으로써, 가스 분사판(220)의 열 변형을 최소화시킬 수 있다. 이를 위해, 가스 분사판(220)의 열 팽창에 의해 유동되는 연결 부재(230)에 유동의 방향성을 규제할 수 있는 수단이 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 연결 블록을 나타낸 사시도이며, 도 8은 도 7에 도시된 연결 블록과 지지판과의 결합 관계를 나타낸 도면이다. 도 7에 도시된 연결 블록은 돌기가 형성된 것을 제외하고 도 4에 도시된 연결 블록과 실질적으로 동일한 구성을 가지므로, 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 그 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 3, 도 7 및 도 8을 참조하면, 연결 블록(230a)은 가스 분사판(220)의 열 팽창 방향을 규제하기 위해 지지판(210)에 지지되는 부분에 형성된 방향규제 돌기(238)를 포함한다. 구체적으로, 방향규제 돌기(238)는 연결 블록(230a)의 타단부(234)에 형성된 삽입부(236)로부터 일단부(232) 방향으로 돌출되게 형성된다. 한편, 지지판(210)의 홈부(214) 내에는 연결 블록(230a)의 방향규제 돌기(238)가 삽입되는 방향규제 홈(216)이 형성된다. 이와 달리, 연결 블록(230a)에 방향규제 홈이 형성되고, 지지판(210)에 방향규제 돌기가 형성될 수 있다.
방향규제 돌기(238)와 방향규제 홈(216)의 결합에 의해, 연결 블록(230a)의 길이 방향에 대한 유동이 제한되며, 방향규제 돌기(238)과 방향규제 홈(216)의 결합 방향으로만의 유동이 가능해 진다.
방향규제 돌기(238)가 형성된 연결 블록(230a)은 도 3에 도시된 바와 같이, 지지판(210)의 4변 각각에 대하여 적어도 하나가 배치되며, 바람직하게, 각 변의 중앙 부분에 배치된다. 이에 따라, 가스 분사판(220)의 열 팽창은 방향규제 돌기(238)가 형성된 연결 블록(230a)에 의해 방향성이 규제되며, 각 변에 수직한 방 향으로만 열 팽창이 일어나게 된다.
이와 같이, 가스 분사판(220)의 열 팽창이 4 방향으로 균일하게 일어날 수 있도록 방향성을 부여함으로써, 가스 분사판(220)의 두께 방향으로의 열 변형을 최소화시킬 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 확대도이다.
도 3은 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 가스분사장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 연결 블록을 구체적으로 나타낸 사시도이다.
도 5는 도 3에 도시된 연결 블록과 차단막을 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 도 5의 B 부분을 확대한 확대도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 연결 블록을 나타낸 사시도이다.
도 8은 도 7에 도시된 연결 블록과 지지판과의 결합 관계를 나타낸 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 공정 챔버 110 : 챔버 몸체
120 : 기판 지지부 200 : 가스분사장치
210 : 지지판 214 : 홈부
216 : 방향규제 홈 220 : 가스 분사판
230 : 연결 블록 236 : 삽입부
238 : 방향규제 돌기 240 : 차단막

Claims (10)

  1. 가스 유입구가 형성된 지지판;
    상기 지지판으로부터 일정 거리 이격되게 배치되며, 상기 가스 유입구를 통해 유입된 가스를 피처리 기판 방향으로 분사하기 위한 다수의 가스 분사홀들이 형성된 가스 분사판;
    상기 가스 분사판의 가장자리를 따라 서로 이격되게 배치되며, 일단부는 상기 가스 분사판에 결합 고정되고 타단부는 상기 가스 분사판의 열변형에 따라 유동되도록 상기 지지판의 측면에 형성된 홈부에 삽입되어 지지되는 다수의 연결 블록들; 및
    상기 가스 분사판의 가장자리를 따라 상기 연결 블록들 사이에 형성되어 상기 지지판과 상기 가스 분사판 사이의 공간을 밀폐시키는 차단막을 포함하는 가스분사장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 연결 블록의 타단부에는 측면으로부터 돌출되어 상기 지지판에 의해 유동 가능하게 지지되도록 상기 홈부에 삽입되는 삽입부가 형성된 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 연결 블록은 상기 삽입부가 형성된 측면의 수직한 측면에 형성되어 상기 차단막의 단부가 삽입되는 결합홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 연결 블록과 상기 지지판 중 어느 하나에는 상기 지지판에 상기 삽입부가 지지되는 부분에 열팽창 방향을 규제하기 위한 방향규제 돌기가 형성되며, 상기 연결 블록과 상기 지지판 중 다른 하나에는 상기 방향규제 돌기가 삽입되는 방향규제 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 방향규제 돌기는 상기 연결 블록의 상기 삽입부로부터 상기 일단부 방향으로 돌출된 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 방향규제 돌기가 형성된 상기 연결 블록은 상기 지지판의 4변 각각에 적어도 하나가 배치되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 연결 블록의 삽입부와 상기 지지판의 홈부 사이에 형성되어 마찰을 감 소시키는 슬라이딩 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
  8. 제2항에 있어서,
    고주파 전원이 인가되는 상기 지지판과 상기 연결 블록을 전기적으로 연결하는 도전 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
  9. 챔버 몸체;
    상기 챔버 몸체의 내부에 설치되어 피처리 기판을 지지하는 기판 지지부; 및
    상기 챔버 몸체의 내부에 상기 기판 지지부와 대향하게 설치되어 상기 피처리 기판 방향으로 가스를 분사하는 가스분사장치를 포함하며,
    상기 가스분사장치는,
    가스 유입구가 형성된 지지판,
    상기 지지판으로부터 일정 거리 이격되게 배치되며, 상기 가스 유입구를 통해 유입된 가스를 피처리 기판 방향으로 분사하기 위한 다수의 가스 분사홀들이 형성된 가스 분사판,
    상기 가스 분사판의 가장자리를 따라 서로 이격되게 배치되며, 일단부는 상기 가스 분사판에 결합 고정되고 타단부는 상기 가스 분사판의 열변형에 따라 유동되도록 상기 지지판의 측면에 형성된 홈부에 삽입되어 지지되는 다수의 연결 블록들; 및
    상기 가스 분사판의 가장자리를 따라 상기 연결 블록들 사이에 형성되어 상 기 지지판과 상기 가스 분사판 사이의 공간을 밀폐시키는 차단막을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 연결 블록과 상기 지지판 중 어느 하나에는 상기 지지판에 상기 연결 블록이 지지되는 부분에 열팽창 방향을 규제하기 위한 방향규제 돌기가 형성되며, 상기 연결 블록과 상기 지지판 중 다른 하나에는 상기 방향규제 돌기가 삽입되는 방향규제 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 공정 챔버.
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Families Citing this family (247)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
EP2905807B1 (en) 2014-02-11 2019-03-13 Suss MicroTec Lithography GmbH Method and apparatus for preventing the deformation of a substrate supported at its edge area
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR101855654B1 (ko) * 2016-12-23 2018-05-08 주식회사 테스 대면적 샤워헤드 어셈블리
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102627584B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 주기적 증착 방법 및 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
CN111330043B (zh) * 2020-03-10 2020-09-18 江苏苏云医疗器材有限公司 消毒气体均布式喷射装置
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
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KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
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TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
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TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
KR102567507B1 (ko) * 2020-12-31 2023-08-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 가스 분배 어셈블리
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002045683A (ja) 2000-08-08 2002-02-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2004149917A (ja) 2002-10-11 2004-05-27 Sharp Corp 薄膜製造装置およびその装置を用いた薄膜製造方法
KR100718643B1 (ko) 2005-11-28 2007-05-15 주식회사 유진테크 샤워헤드의 체결구조
KR20090120770A (ko) * 2008-05-20 2009-11-25 주식회사 테스 가스 공급 어셈블리

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1177830A (zh) * 1996-09-23 1998-04-01 三星电子株式会社 半导体晶片热处理设备
KR100203780B1 (ko) * 1996-09-23 1999-06-15 윤종용 반도체 웨이퍼 열처리 장치
JP2007046141A (ja) * 2005-08-12 2007-02-22 Ngk Insulators Ltd 加熱装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002045683A (ja) 2000-08-08 2002-02-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2004149917A (ja) 2002-10-11 2004-05-27 Sharp Corp 薄膜製造装置およびその装置を用いた薄膜製造方法
KR100718643B1 (ko) 2005-11-28 2007-05-15 주식회사 유진테크 샤워헤드의 체결구조
KR20090120770A (ko) * 2008-05-20 2009-11-25 주식회사 테스 가스 공급 어셈블리

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