KR101126961B1 - Light emitting diode and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

제1 n-형 반도체층, 상기 제1 n-형 반도체층에 형성된 활성층, 상기 활성층에 형성된 p-형 반도체층, 상기 적층된 제1 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층의 전 층을 선택적으로 부분 관통하도록 형성된 제2 n-형 반도체층 및 상기 제2 n-형 반도체층과 상기 적층된 제1 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층 사이에 절연층을 포함하는 발광다이오드를 개시한다.A first n-type semiconductor layer, an active layer formed on the first n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer formed on the active layer, the stacked first n-type semiconductor layer, an active layer and a p-type semiconductor layer A second n-type semiconductor layer formed to selectively partially pass through the layer, and an insulating layer between the second n-type semiconductor layer and the stacked first n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer. A light emitting diode is disclosed.

Description

발광다이오드 및 이의 제조방법{LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 백색 발광다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a white light emitting diode and a method of manufacturing the same.

일반적으로 발광다이오드는 전자와 홀의 재결합에 기초하여 발광하는 반도체 소자로서 광통신, 전자기기에서 여러 형태의 광원으로 널리 사용되고 있다. 질화갈륨(GaN)은 청색 발광다이오드 소자를 제조하는 화합물로 각광받고 있다.Generally, a light emitting diode is a semiconductor device that emits light based on recombination of electrons and holes, and is widely used as a light source in various forms in optical communication and electronic devices. Gallium nitride (GaN) has been in the spotlight as a compound for manufacturing blue light emitting diode devices.

반도체를 이용한 백색 발광다이오드는 수명이 길고, 소형화가 가능하며 저전압으로 구동이 가능하다는 특징으로 인해 기존의 발광소자를 대체할 수 있는 차세대 발광다이오드 중 하나로써 각광받고 있다.White light emitting diodes using semiconductors have been spotlighted as one of the next generation light emitting diodes that can replace existing light emitting devices due to their long lifespan, miniaturization, and low voltage operation.

이러한 백색 발광다이오드를 제조하는 기존의 방법으로는 삼색(적색, 녹색, 청색) 발광다이오드를 모두 사용하는 방법이 있으나, 이는 제조 비용이 고가이고, 구동회로가 복잡하기 때문에 제품의 크기가 커진다는 단점을 가진다.Conventional methods of manufacturing such white light emitting diodes include a method of using all three color (red, green, blue) light emitting diodes, but this is expensive because of the high manufacturing cost and complexity of the driving circuit. Has

종래 발광다이오드 칩을 제조하는 공정은, 식각한 후, 식각 데미지를 제거하고, 투명전극층을 증착한 후 n-metal 및 p-metal을 증착함으로써 이루어졌다. 이와 같이 식각 공정에 의하는 경우, 식각 깊이가 작은 경우에는 n 전극과 p 전극이 서로 쇼트를 일으키게 되고, 식각 깊이가 너무 깊은 경우에는 n-GaN 이후까지의 공정을 진행할 경우 전류가 통하지 않는 경우가 발생하게 된다.Conventionally, a process of manufacturing a light emitting diode chip is performed by etching, removing etch damage, depositing a transparent electrode layer, and then depositing n-metal and p-metal. In the etching process, when the etching depth is small, the n electrode and the p electrode short-circuit each other, and when the etching depth is too deep, the current does not pass through the process after n-GaN. Will occur.

뿐만 아니라, ICP를 이용하여 건식 식각을 하는 경우, 식각된 면이 고르지 않거나, 식각면의 플라즈마 데미지, PR의 잔류 여부에 따라 누설 전류가 발생할 수 있는 문제점이 있었고, 이는 발광다이오드의 신뢰성에 치명적인 약점이 되는 것이었다.In addition, when dry etching using ICP, there was a problem that the etched surface may be uneven or the leakage current may occur depending on the plasma damage of the etched surface and the presence of PR, which is a fatal weakness of the reliability of the light emitting diode. It was to be.

또한, 식각 후 식각의 단차로 인하여 이후 공정을 진행할 때 PR 코팅, 포토리소그래피 공정에 있어서 미스 얼라인(miss-align)이 발생할 수 있는 문제점이 있었다.In addition, there is a problem that miss-alignment may occur in the PR coating and photolithography process during the subsequent process due to the step of etching after etching.

본 발명은 발광다이오드를 식각 공정에 의해 발광다이오드를 제조하는 경우에 발생할 수 있는 상기와 문제점을 해결하기 위하여 식각 공정에 의하지 않는 발광다이오드의 제조방법을 제공한다.The present invention provides a method of manufacturing a light emitting diode that does not use an etching process in order to solve the above problems and problems that may occur when the light emitting diode is manufactured by etching the light emitting diode.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는 제1 n-형 반도체층, 상기 제1 n-형 반도체층에 형성된 활성층, 상기 활성층에 형성된 p-형 반도체층, 상기 적층된 제1 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층의 일부에 형성된 제2 n-형 반도체층 및 상기 제2 n-형 반도체층과 상기 적층된 제1 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층 사이에 절연층을 포함한다.A light emitting diode according to an embodiment of the present invention includes a first n-type semiconductor layer, an active layer formed on the first n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer formed on the active layer, and the stacked first n-type semiconductor. Between the second n-type semiconductor layer and the second n-type semiconductor layer and the stacked first n-type semiconductor layer, the active layer, and the p-type semiconductor layer formed on the layer, the active layer, and a portion of the p-type semiconductor layer. It includes an insulating layer.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 제조방법은, 사파이어 기판 상에 제1 n-형 반도체층을 성장시키는 단계, 상기 n-형 반도체층에 활성층을 성장시키는 단계, 상기 활성층에 p-형 반도체층을 성장시키는 단계, 상기 적층된 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층의 전 층을 선택적으로 부분 관통하는 제2 n-형 반도체층을 형성하는 단계 및 상기 제2 n-형 반도체층과 상기 적층된 제1 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층 사이에 절연층을 형성하는 단계를 포함한다.In a method of manufacturing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention, the method may include: growing a first n-type semiconductor layer on a sapphire substrate, growing an active layer on the n-type semiconductor layer, and p-type on the active layer. Growing a semiconductor layer, forming a second n-type semiconductor layer selectively passing through all layers of the stacked n-type semiconductor layer, the active layer, and the p-type semiconductor layer and the second n-type Forming an insulating layer between the semiconductor layer and the stacked first n-type semiconductor layer, the active layer, and the p-type semiconductor layer.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 제조방법은, 사파이어 기판 상에 제1 n-형 반도체층을 성장시키는 단계, 상기 n-형 반도체층에 활성층을 성장시키는 단계, 상기 활성층에 p-형 반도체층을 성장시키는 단계, 상기 적층된 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층의 전 층을 선택적으로 부분 관통하는 절연층을 형성하는 단계 및 상기 절연층의 내부에 상기 적층된 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층의 전 층을 선택적으로 부분 관통하도록 제2 n-형 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다.In a method of manufacturing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention, the method may include: growing a first n-type semiconductor layer on a sapphire substrate, growing an active layer on the n-type semiconductor layer, and p-type on the active layer. Growing a semiconductor layer, forming an insulating layer that selectively passes through all layers of the stacked n-type semiconductor layer, the active layer, and the p-type semiconductor layer; Forming a second n-type semiconductor layer to selectively partially penetrate all layers of the type semiconductor layer, the active layer, and the p-type semiconductor layer.

본 발명의 일 실시예 따른 발광 다이오드는, 상기 절연층 및 제2 n-형 반도체층의 형성이 이온주입에 의해 형성되는 것을 특징으로 하며, 상기 이온주입은 Si, Te, Zn, Mg, Ca, Ar, Be, O, Au, Ti, C, H 및 He 으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 이온을 주입함으로써 이루어진다.In the light emitting diode according to the embodiment of the present invention, the insulating layer and the second n-type semiconductor layer are formed by ion implantation, and the ion implantation is Si, Te, Zn, Mg, Ca, By implanting at least one ion selected from the group consisting of Ar, Be, O, Au, Ti, C, H and He.

상기 제1 및 제2 n-형 반도체층은 n-GaN을 포함하고, 상기 p-형 반도체층은 p-GaN을 포함하며, 상기 활성층은 MQW층일 수 있다.The first and second n-type semiconductor layers may include n-GaN, the p-type semiconductor layer may include p-GaN, and the active layer may be an MQW layer.

본 발명에 따르면, 식각 공정에 의해 발생할 수 있는 누설전류 발생 및 공정의 복잡화라는 단점을 극복할 수 있고, 적은 비용 및 단순화된 제조 공정을 통하여 효율적으로 발광다이오드를 제조할 수 있다.According to the present invention, it is possible to overcome the disadvantages of the leakage current generation and the complexity of the process that can be caused by the etching process, it is possible to manufacture the light emitting diode efficiently through a low cost and a simplified manufacturing process.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 본 발명은 실시예에 의하여 제한되거나 한정되는 것은 아니며, 본 설명에서 동일한 부호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited or limited by the embodiment, the same reference numerals in the present description refers to substantially the same element.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드의 측단면도이다.1 is a side cross-sectional view of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드는, 사파이어 기판(100), n-형 반도체층(200), 상기 n-형 반도체층(200)에 적층되는 활성층(300), 상기 활성층(300) 상에 적층되는 p-형 반도체층(400), 제2 n-형 반도체층(500) 및 절연층(600)을 포함한다. Referring to FIG. 1, a light emitting diode according to an embodiment of the present invention includes an sapphire substrate 100, an n-type semiconductor layer 200, an active layer 300 stacked on the n-type semiconductor layer 200, The p-type semiconductor layer 400, the second n-type semiconductor layer 500, and the insulating layer 600 are stacked on the active layer 300.

제2 n-형 반도체층(500)은 상기 적층된 n-형 반도체층(200), 활성층(300) 및 p-형 반도체층(400)의 일부에 형성되고, 절연층(600은) 상기 제2 n-형 반도체층(500)과 상기 적층된 제1 n-형 반도체층(200), 활성층(300) 및 p-형 반도체층(300) 사이에 형성된다. The second n-type semiconductor layer 500 is formed on a portion of the stacked n-type semiconductor layer 200, the active layer 300, and the p-type semiconductor layer 400, and the insulating layer 600 is formed of the second layer. It is formed between the 2 n- type semiconductor layer 500 and the stacked first n- type semiconductor layer 200, the active layer 300 and the p- type semiconductor layer (300).

본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드의 제조방법은 사파이어 기판 상(100)에 제1 n-형 반도체층(200)을 성장시키는 단계, 상기 n-형 반도체층(200)에 활성층(300)을 성장시키는 단계, 상기 활성층(300)에 p-형 반도체층(400)을 성장시키는 단계, 상기 적층된 n-형 반도체층(200), 활성층(300) 및 p-형 반도체층(400)으로 이루어진 발광구조물의 일부가 상기 p-형 반도체층(400)에서부터 상기 제1 n-형 반도체층(200)이 노출될 때까지 제거되고 제2 n-형 반도체층(500)을 형성하는 단계 및 상기 제2 n-형 반도체층(500)과 상기 적층된 제1 n-형 반도체층(200), 활성층(300) 및 p-형 반도체층(400) 사이에 절연층(600)을 형성하는 단계를 포함한다.In the method of manufacturing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention, the step of growing the first n-type semiconductor layer 200 on the sapphire substrate 100, the active layer 300 on the n- type semiconductor layer 200 Growing the p-type semiconductor layer 400 on the active layer 300, the stacked n-type semiconductor layer 200, the active layer 300, and the p-type semiconductor layer 400. A portion of the formed light emitting structure is removed from the p-type semiconductor layer 400 until the first n-type semiconductor layer 200 is exposed to form a second n-type semiconductor layer 500 and the Forming an insulating layer 600 between the second n-type semiconductor layer 500 and the stacked first n-type semiconductor layer 200, the active layer 300, and the p-type semiconductor layer 400. Include.

또한, 상기 적층된 제1 n-형 반도체층(200), 활성층(300) 및 p-형 반도체층(400)에 상기 적층된 전 층을 선택적으로 부분 관통하는 절연층(600)을 먼저 형성한 후에 그 내부에 제2 n-형 반도체층(500)을 형성할 수 있다.In addition, an insulating layer 600 may be formed first on the stacked first n-type semiconductor layer 200, the active layer 300, and the p-type semiconductor layer 400 to selectively partially penetrate all the stacked layers. Afterwards, the second n-type semiconductor layer 500 may be formed therein.

사파이어 기판(100) 상에 제1 n-형 반도체층(200)을 성장시키는 단계는, 사파이어 기판(100)에 제1 n-형 반도체층(200), 예컨대 n-GaN을 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)함으로써 이루어질 수 있다.Growing the first n-type semiconductor layer 200 on the sapphire substrate 100, the first n-type semiconductor layer 200, for example n-GaN on the sapphire substrate 100 MOCVD (Metal Organic Chemical) Vapor Deposition).

활성층(300)은 제1 n-형 반도체층(200)에 적층되며, 활성층(300)은 MQW층일 수 있다. The active layer 300 may be stacked on the first n-type semiconductor layer 200, and the active layer 300 may be an MQW layer.

상기 활성층(300) 상에 p-형 반도체층(400)을 적층하여 형성하며, p-형 반도체층(400)으로는 p-GaN을 포함한다. The p-type semiconductor layer 400 is formed by stacking the active layer 300, and the p-type semiconductor layer 400 includes p-GaN.

제2 n-형 반도체층(500)은 적층된 제1 n-형 반도체층(200), 활성층(300) 및 p-형 반도체층(400)으로 이루어진 상기 발광구조물의 일부에 상기 p-형 반도체층(400)에서부터 상기 제1 n-형 반도체층(200)이 노출될 때까지 이온 주입 방법을 통하여 형성하며, Si, Te, Zn, Mg, Ca, Ar, Be, O, Au, Ti, C, H 및 He 으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 이온을 주입함으로써 형성된다.The second n-type semiconductor layer 500 may include a p-type semiconductor on a portion of the light emitting structure including the first n-type semiconductor layer 200, the active layer 300, and the p-type semiconductor layer 400. It is formed through the ion implantation method from the layer 400 until the first n-type semiconductor layer 200 is exposed, Si, Te, Zn, Mg, Ca, Ar, Be, O, Au, Ti, C , H and He are formed by implanting at least one ion selected from the group consisting of.

절연층(600)은 제2 n-형 반도체층(500)과 상기 적층된 제1 n-형 반도체층(200), 활성층(300) 및 p-형 반도체층(400) 사이에 형성되며, 제2 n-형 반도체층(500)과 마찬가지로 이온주입에 의해 형성된다. 절연층(600) 역시 Si, Te, Zn, Mg, Ca, Ar, Be, O, Au, Ti, C, H 및 He 으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 이온을 주입함으로써 형성된다.The insulating layer 600 is formed between the second n-type semiconductor layer 500 and the stacked first n-type semiconductor layer 200, the active layer 300, and the p-type semiconductor layer 400. Like the 2 n-type semiconductor layer 500, it is formed by ion implantation. The insulating layer 600 is also formed by implanting at least one ion selected from the group consisting of Si, Te, Zn, Mg, Ca, Ar, Be, O, Au, Ti, C, H and He.

상기와 같이 제조된 발광다이오드는 조명용, 산업용 등 다양한 분야에 적용될 수 있다. 즉, 즉, 백색 나노 발광다이오드(10)는 모바일용 및 LCD 백라이트, 자동차, 조명에 이르기까지 다양한 분야에서 이용될 수 있다.The light emitting diode manufactured as described above may be applied to various fields such as lighting and industrial use. That is, the white nano light emitting diode 10 may be used in various fields such as mobile and LCD backlight, automobile, lighting.

또한, 종래에는 식각 공정을 이용하여 발광다이오드를 제조함으로써 식각된 면이 고르지 않거나, 식각면의 플라즈마 데미지, PR의 잔류 여부에 따라 누설 전류가 발생할 수 있는 문제점이 있었으나, 본원발명과 같이 이온주입에 의해 n-형 반도체층과 절연층을 형성함으로써 비용이 절감되고 제조공정이 획기적으로 단순화된 공정으로 발광다이오드를 제조할 수 있다.In addition, conventionally, a light emitting diode was manufactured by using an etching process, so that the etched surface was uneven, or there was a problem that leakage current may occur depending on whether the etching surface has plasma damage or PR. By forming an n-type semiconductor layer and an insulating layer, the light emitting diode can be manufactured in a process of reducing cost and greatly simplifying the manufacturing process.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드의 측단면도이다.1 is a side cross-sectional view of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

Claims (13)

제1 n-형 반도체층;A first n-type semiconductor layer; 상기 제1 n-형 반도체층에 형성된 활성층;An active layer formed on the first n-type semiconductor layer; 상기 활성층에 형성된 p-형 반도체층;A p-type semiconductor layer formed on the active layer; 상기 적층된 제1 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층으로 이루어진 발광구조물의 일부가 상기 p형 반도체층에서부터 상기 제1n형 반도체층이 노출될 때까지 제거되어 형성되는 제2 n-형 반도체층; 및The second n- is formed by removing a portion of the light emitting structure including the stacked first n-type semiconductor layer, the active layer, and the p-type semiconductor layer until the first n-type semiconductor layer is exposed from the p-type semiconductor layer. Type semiconductor layer; And 상기 제2 n-형 반도체층과 상기 적층된 제1 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층 사이에 절연층을 포함하는 발광다이오드.A light emitting diode comprising an insulating layer between the second n-type semiconductor layer and the stacked first n-type semiconductor layer, an active layer and a p-type semiconductor layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 절연층 및 상기 제2 n-형 반도체층은 이온주입에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.And the insulating layer and the second n-type semiconductor layer are formed by ion implantation. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 이온주입은, Si, Te, Zn, Mg, Ca, Ar, Be, O, Au, Ti, C, H 및 He 으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 이온을 주입하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드. The ion implantation is a light emitting diode, characterized in that for implanting at least one ion selected from the group consisting of Si, Te, Zn, Mg, Ca, Ar, Be, O, Au, Ti, C, H and He. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 및 제2 n-형 반도체층은 n-GaN을 포함하고, 상기 p-형 반도체층은 p-GaN을 포함하는 발광다이오드.The first and second n-type semiconductor layers include n-GaN, and the p-type semiconductor layer includes p-GaN. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 활성층은 MQW층인 발광다이오드.The active layer is a light emitting diode MQW layer. 삭제delete 사파이어 기판 상에 제1 n-형 반도체층을 성장시키는 단계;Growing a first n-type semiconductor layer on the sapphire substrate; 상기 제1 n-형 반도체층에 활성층을 성장시키는 단계;Growing an active layer on the first n-type semiconductor layer; 상기 활성층에 p-형 반도체층을 성장시키는 단계;Growing a p-type semiconductor layer on the active layer; 상기 적층된 제1 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층으로 이루어진 발광구조물의 일부에 대해 상기 p형 반도체층에서부터 상기 제1n형 반도체층이 노출될 때까지 제2 n-형 반도체층을 형성하는 단계; 및The second n-type semiconductor layer is exposed from the p-type semiconductor layer to the first n-type semiconductor layer with respect to a portion of the light emitting structure including the stacked first n-type semiconductor layer, the active layer, and the p-type semiconductor layer. Forming a; And 상기 제2 n-형 반도체층과 상기 적층된 제1 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층 사이에 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 제조방법.And forming an insulating layer between the second n-type semiconductor layer and the stacked first n-type semiconductor layer, the active layer, and the p-type semiconductor layer. 사파이어 기판 상에 제1 n-형 반도체층을 성장시키는 단계;Growing a first n-type semiconductor layer on the sapphire substrate; 상기 제1 n-형 반도체층에 활성층을 성장시키는 단계;Growing an active layer on the first n-type semiconductor layer; 상기 활성층에 p-형 반도체층을 성장시키는 단계;Growing a p-type semiconductor layer on the active layer; 상기 적층된 제1 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층으로 이루어진 발광구조물의 일부에 대해 상기 p형 반도체층에서부터 상기 제1 n-형 반도체층이 노출될 때까지 절연층을 형성하는 단계; 및Forming an insulating layer on a portion of the light emitting structure including the stacked first n-type semiconductor layer, the active layer, and the p-type semiconductor layer until the first n-type semiconductor layer is exposed from the p-type semiconductor layer; step; And 상기 절연층의 내부에 상기 적층된 제1 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층으로 이루어진 발광구조물의 일부에 대해 상기 p형 반도체층에서부터 상기 제1 n-형 반도체층이 노출될 때까지 제2 n-형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 제조방법.When the first n-type semiconductor layer is exposed from the p-type semiconductor layer to a portion of the light emitting structure including the first n-type semiconductor layer, the active layer, and the p-type semiconductor layer stacked inside the insulating layer. Method for manufacturing a light emitting diode comprising the step of forming a second n-type semiconductor layer. 제7항 또는 제8항에 있어서,9. The method according to claim 7 or 8, 상기 절연층 및 상기 제2 n-형 반도체층은 이온주입에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법.The insulating layer and the second n-type semiconductor layer is a method of manufacturing a light emitting diode, characterized in that formed by ion implantation. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 이온주입은, Si, Te, Zn, Mg, Ca, Ar, Be, O, Au, Ti, C, H 및 He 으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 이온을 주입하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법. The ion implantation of the light emitting diode, characterized in that to implant at least one ion selected from the group consisting of Si, Te, Zn, Mg, Ca, Ar, Be, O, Au, Ti, C, H and He Way. 제7항 또는 제8항에 있어서,9. The method according to claim 7 or 8, 상기 제1 및 제2 n-형 반도체층은 n-GaN을 포함하고, 상기 p-형 반도체층은 p-GaN을 포함하는 발광다이오드의 제조방법.Wherein the first and second n-type semiconductor layers comprise n-GaN, and the p-type semiconductor layer comprises p-GaN. 제7항 또는 제8항에 있어서,9. The method according to claim 7 or 8, 상기 활성층은 MQW층인 발광다이오드의 제조방법.The active layer is a light emitting diode manufacturing method of the MQW layer. 삭제delete
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