KR101116375B1 - Method of manufacturing adhesive metal film and the metal film - Google Patents

Method of manufacturing adhesive metal film and the metal film Download PDF

Info

Publication number
KR101116375B1
KR101116375B1 KR1020100058338A KR20100058338A KR101116375B1 KR 101116375 B1 KR101116375 B1 KR 101116375B1 KR 1020100058338 A KR1020100058338 A KR 1020100058338A KR 20100058338 A KR20100058338 A KR 20100058338A KR 101116375 B1 KR101116375 B1 KR 101116375B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
adhesive
metal
thin film
metal film
Prior art date
Application number
KR1020100058338A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110138447A (en
Inventor
양민양
윤홍석
김지용
Original Assignee
한국과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국과학기술원 filed Critical 한국과학기술원
Priority to KR1020100058338A priority Critical patent/KR101116375B1/en
Publication of KR20110138447A publication Critical patent/KR20110138447A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101116375B1 publication Critical patent/KR101116375B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

본 발명은 금속 필름을 대형으로 형성하고 금속 필름을 접착성이 있는 물질로 전이시킨 후 금속필름 형성을 제외한 공정이 이루어진 전자소자에 접착시킬수 있는 접착성의 금속필름의 제조방법 및 그 금속필름을 제공함으로써, 진공이 필요한 스프터링공정 및 증착공정을 탈피하여 간편하게 전자소자에 금속전극을 형성할 수 있고 다양한 패턴 형성 및 제조비용을 절감할 수 있는 효과가 있다. 이를 위해 세정 및 표면 처리된 제 1기판(100)의 일면에 자기조립단분자막(110)을 형성하는 단계; 자기조립단분자막(110)의 상면에 금속박막(140)을 적층하는 단계; 적층된 금속박막(140)에 소정의 패턴을 형성하는 단계; 제 2기판(200)의 일면에 접착성 테이프 또는 접착성 물질로 이루어진 접착층(210)을 적층하는 단계; 제 1기판(100)의 금속박막(140)과 제 2기판(200)의 접착층(210)을 접촉시켜 가열 및 압착하는 단계; 및 제 1기판(100)을 금속박막(140)과 분리하여 제 1기판(100)의 금속박막(140)을 제 2기판(200)의 접착층(210)으로 전이시키는 단계;를 포함하는 금속필름의 제조방법이되, 패턴이 형성된 금속필름은 전자소자에 전사되어 금속전극을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름 제조방법 및 그 금속필름이 개시된다.The present invention provides a method for producing an adhesive metal film that can form a metal film in a large size, and transfer the metal film to an adhesive material, and then attach it to an electronic device having a process except for forming the metal film, and the metal film. In addition, by eliminating the sputtering process and the deposition process requiring a vacuum, it is possible to easily form a metal electrode on the electronic device, there is an effect that can reduce the various pattern formation and manufacturing costs. Forming a self-assembled monolayer 110 on one surface of the first substrate 100 that has been cleaned and surface-treated for this purpose; Stacking the metal thin film 140 on the upper surface of the self-assembled monolayer 110; Forming a predetermined pattern on the stacked metal thin film 140; Stacking an adhesive layer 210 made of an adhesive tape or an adhesive material on one surface of the second substrate 200; Contacting the metal thin film 140 of the first substrate 100 with the adhesive layer 210 of the second substrate 200 to be heated and pressed; And separating the first substrate 100 from the metal thin film 140 to transfer the metal thin film 140 of the first substrate 100 to the adhesive layer 210 of the second substrate 200. A method of manufacturing a metal film having a pattern formed thereon is transferred to an electronic device to form a metal electrode, and a method of manufacturing an adhesive metal film and a metal film thereof are disclosed.

Description

접착성의 금속필름 제조방법 및 그 금속필름{Method of manufacturing adhesive metal film and the metal film}Adhesive metal film manufacturing method and its metal film {Method of manufacturing adhesive metal film and the metal film}

본 발명은 접착성의 금속필름 제조방법 및 그 금속필름에 관한 것이다. 보다 상세하게는 일면에 자기조립단분자막을 형성한 후 금속박막을 적층하고 금속박막에 패턴을 형성한 제 1기판을 접착층을 적층한 제 2기판에 접착시켜 제 1기판의 금속박막을 제 2기판으로 전이시켜 형성된 접착성의 금속필름 제조방법 및 그 금속필름에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive metal film production method and a metal film thereof. More specifically, after forming a self-assembled monolayer on one surface, the metal thin film is laminated, and the first substrate on which the pattern is formed on the metal thin film is bonded to the second substrate on which the adhesive layer is laminated, so that the metal thin film of the first substrate is used as the second substrate. It relates to an adhesive metal film production method formed by transferring and a metal film thereof.

유기발광 표시장치는 정공 주입전극과 유기 발광층 및 전자 주입전극으로 구성되는 유기발광 소자들을 포함하며, 유기 발광층 내부에 전자와 정공이 결합하여 생성된 여기자(exciton)가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발생하는 에너지에 의해 발광이 이루어진다. 이러한 원리로 유기발광 표시장치는 자발광 특성을 가지며, 액정 표시장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기발광 표시장치는 낮은 소비전력, 높은 휘도 및 높은 반응속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 휴대용 전자 기기의 차세대 표시장치로 여겨지고 있다.The organic light emitting diode display includes organic light emitting devices including a hole injection electrode, an organic light emitting layer, and an electron injection electrode, and when an exciton generated by combining electrons and holes in the organic light emitting layer falls from an excited state to a ground state Light emission is caused by the generated energy. In this way, the organic light emitting diode display has a self-luminous property and, unlike a liquid crystal display, does not require a separate light source, thereby reducing thickness and weight. In addition, the organic light emitting display device has high quality characteristics such as low power consumption, high luminance, and high response speed, and thus is considered as a next generation display device of portable electronic devices.

일반적으로 금속 필름은 유기발광소자, 예를 들어 박막 트랜지스터, 발광다이오드, 태양전지 등의 전극으로 사용된다. 또한 다른 전자산업에도 폭넓게 사용된다. 이때, 금속 필름은 스퍼터링(sputtering)공정 또는 증착공정을 이용하여 박막트랜지스터, 발광다이오드, 태양전지 등의 상면에 직접 형성되는 것이 일반적이다. In general, the metal film is used as an electrode of an organic light emitting device, for example, a thin film transistor, a light emitting diode, a solar cell. It is also widely used in other electronics industries. In this case, the metal film is generally formed directly on the upper surface of the thin film transistor, the light emitting diode, the solar cell using a sputtering process or a deposition process.

도 1 내지 도 5는 종래의 전자소자에 금속패턴을 형성하는 공정을 나타낸 단면도이다. 진공증착법(도 1)은 고진공 상태에서 용기(40) 속에 피복될 기판(10)과 그 표면에 부착시키려는 금속 파우더(30) 등의 입자를 넣은 후 가열함으로써 그 금속 파우더(30) 등의 입자를 증발시켜 섀도우 마스크(20)에 가려지지 않은 차가운 기판(10) 표면에 증착시킴으로써 금속층(140)에 패턴을 형성하는 방법을 말한다. 1 to 5 are cross-sectional views illustrating a process of forming a metal pattern in a conventional electronic device. In the vacuum deposition method (FIG. 1), particles of the metal powder 30 and the like are heated by putting particles of the substrate 10 to be coated in the container 40 and the metal powder 30 to be attached to the surface thereof in a high vacuum state and then heating them. A method of forming a pattern on the metal layer 140 by evaporation and deposition on the surface of the cold substrate 10 that is not covered by the shadow mask 20.

레이저 유도 전사(laser Induced Forward Transfer; LIFT)방식(도 2)은 엑시머 레이저(50)나 램프를 포토마스크(60)로 가려지지 않은 금속층(140)의 일부에 주사하여 그 일부의 금속층(140)이 떨어져나가 피복될 기판(10)에 부착됨으로써 패턴을 형성하는 방법을 말한다. 직접적인 금속전사(Direct Metal Transfer, DMT)방식(도 3a 및 도 3b)은 돌출부가 형성된 몰드(70)에 적층된 금속층(140)을 피복될 기판(10)에 접착시켜 돌출부에 적층되어 있는 금속층(140)을 기판(10)에 접착시킨 후에 몰드(70)를 분리시켜 패턴을 형성하는 방법을 말한다. 콜드웰딩(Cold Welding)방식(도 4a 및 도 4b)은 DMT 방식과 반대로 금속층(140)이 적층된 기판(10)을 돌출부가 형성된 몰드(70)와 접착시켜 기판(10)의 돌출부에만 금속층(140)이 부착되도록 하여 패턴을 형성하는 방법을 말한다. 선택적 금속전사(Selective Metal Transfer; SMT)방식(도 5a 및 도 5b)은 패턴화된 발광부가 형성된 기판(10)에 금속층(140)이 적층된 도너 필름(80)을 접착시켜 발광부에만 금속층(140)을 전사시킨후에 도너 필름(80)을 분리하여 패턴을 형성하는 방법을 말한다. 여기서 금속층(140)은 금속과의 접착력이 강한 층(90)과는 접착을 이루지만 금속과의 접착력이 약한 층(95)과는 접착을 이루지 않아 패턴 형성이 가능하다.The laser induced forward transfer (LIFT) method (FIG. 2) scans an excimer laser 50 or a lamp to a part of the metal layer 140 which is not covered by the photomask 60, and thus part of the metal layer 140. The method of forming a pattern by attaching to the substrate 10 to be separated and covered is referred to. The direct metal transfer (DMT) method (FIGS. 3A and 3B) is a metal layer laminated on the protrusion by adhering the metal layer 140 stacked on the mold 70 having the protrusion to the substrate 10 to be coated ( After attaching the 140 to the substrate 10, the mold 70 is separated to form a pattern. In the cold welding method (FIGS. 4A and 4B), the substrate 10 having the metal layer 140 laminated thereon is bonded to the mold 70 having the protrusion, in contrast to the DMT method, so that the metal layer is formed only on the protrusion of the substrate 10. 140) is attached to form a pattern. The selective metal transfer (SMT) method (FIGS. 5A and 5B) adheres the donor film 80, in which the metal layer 140 is laminated, to the substrate 10 on which the patterned light emitting part is formed. The method of forming a pattern by separating the donor film 80 after transferring the 140 is referred to. Here, the metal layer 140 forms an adhesive with the layer 90 having strong adhesion to the metal, but does not form an adhesion with the layer 95 having low adhesion with the metal, thereby forming a pattern.

그러나 종래의 기술들은 고진공을 만들고 유지하는데 많은 시간과 비용이 필요하여 대량생산의 걸림돌이 되고 있다. 이를 해결하기 위한 방식으로서 금속의 막을 다른 기판(10)으로 전사하는 방식 및 라미네이션하는 방식이 많이 응용되고 있으나 이 방법 역시 금속막의 형성은 증착공정을 이용하고 있으므로 근본적으로 증착공정을 탈피하지 못하고 있다.However, the conventional techniques require a lot of time and money to create and maintain high vacuum, which is an obstacle to mass production. As a method for solving this problem, a method of transferring a metal film to another substrate 10 and a lamination method have been widely applied, but this method also does not deviate from the deposition process since the formation of the metal film uses a deposition process.

따라서, 공정에 사용되는 금속의 대부분이 사용되지 못하고 스퍼터링공정 또는 증착공정에 의해 낭비가 되는 문제점이 있다. 또한, 패턴(pattern)을 형성해야 할 때 패턴에 맞는 마스크(mask)를 각각 제조해야하는 문제점이 있었다.Therefore, there is a problem that most of the metal used in the process is not used and is wasted by the sputtering process or the deposition process. In addition, when a pattern should be formed, there has been a problem in that a mask suitable for a pattern must be manufactured.

또한, 종래의 금속필름 제조방법은 금속박막의 패터닝이 마스크 및 표면에너지 차이를 통한 패터닝의 한계를 가지게 된다. 표면에너지 조절을 통한 패터닝의 경우 미세한 크기의 패턴을 형성하는 데는 품질면에서 한계가 있는 문제점이 있었다.In addition, the conventional metal film manufacturing method has a limitation of the patterning of the metal thin film through the mask and the surface energy difference. In the case of patterning through surface energy control, there is a problem in that there is a limit in quality in forming a pattern having a fine size.

따라서, 전자 소자 상면에 스퍼터링공정 또는 증착공정을 이용하여 금속전극을 형성하는 기존 방법에 비해 스퍼터링공정 또는 증착공정을 이용하여 금속필름을 대형으로 미리 형성하고 이를 원하는 만큼 접착성이 있는 물질로 전이시켜 사용할 수 있는 방안의 필요성이 대두된다.Therefore, compared to the conventional method of forming a metal electrode on the upper surface of the electronic device by using a sputtering process or a deposition process, a metal film is formed in advance using a sputtering process or a deposition process and transferred to an adhesive material as desired. There is a need for a method that can be used.

또한, 금속필름을 접착성이 있는 물질로 전이하기 전에 패터닝 공정을 이용하여 다양한 패턴을 형성할 수 있는 방안의 필요성이 대두된다.In addition, there is a need for a method of forming various patterns using a patterning process before transferring the metal film to the adhesive material.

그리고, 진공이 필요한 스퍼터링공정 또는 증착공정을 이용하지 않고 용액공정을 이용한 금속필름을 제조함으로써 제조비용을 줄일 수 있는 방안의 필요성이 대두된다.In addition, there is a need for a method of reducing manufacturing cost by manufacturing a metal film using a solution process without using a sputtering process or a deposition process requiring vacuum.

본 발명은 상기와 같은 필요에 의해 창출된 것으로서, 본 발명의 제 1목적은 금속 필름을 대형으로 형성하고, 형성된 금속 필름을 접착성이 있는 물질로 전이시킨 후 금속필름 형성을 제외한 공정이 이루어진 전자소자에 접착시킬 수 있는 접착성의 금속필름 제조방법 및 그 금속필름을 제공하는 것이다.The present invention has been created by the above needs, the first object of the present invention is to form a metal film in a large size, transfer the formed metal film to an adhesive material, the process is performed except the metal film formation It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an adhesive metal film that can be adhered to a device, and a metal film thereof.

또한, 제 2목적은 금속필름을 접착성이 있는 물질로 전이하기 전에 패터닝 공정을 이용하여 다양한 패턴을 형성할 수 있는 접착성의 금속필름 제조방법 및 그 금속필름을 제공하는 것이다.In addition, a second object is to provide an adhesive metal film production method and a metal film which can form various patterns using a patterning process before the metal film is transferred to an adhesive material.

그리고, 제 3목적은 진공이 필요한 스퍼터링공정 또는 증착공정을 이용하지 않고 용액공정을 이용한 금속필름을 제조함으로써 제조비용을 줄일 수 있는 접착성의 금속필름 제조방법 및 그 금속필름을 제공하는 것이다.A third object of the present invention is to provide an adhesive metal film manufacturing method and a metal film, which can reduce manufacturing costs by manufacturing a metal film using a solution process without using a sputtering process or a deposition process requiring vacuum.

상기와 같은 본 발명의 목적은 세정 및 표면 처리된 제 1기판(100)의 일면에 자기조립단분자막(110)을 형성하는 단계; 자기조립단분자막(110)의 상면에 금속박막(140)을 적층하는 단계; 적층된 금속박막(140)에 소정의 패턴을 형성하는 단계; 제 2기판(200)의 일면에 접착성 테이프 또는 접착성 물질로 이루어진 접착층(210)을 적층하는 단계; 제 1기판(100)의 금속박막(140)과 제 2기판(200)의 접착층(210)을 접촉시켜 가열 및 압착하는 단계; 및 제 1기판(100)을 금속박막(140)과 분리하여 제 1기판(100)의 금속박막(140)을 제 2기판(200)의 접착층(210)으로 전이시키는 단계;를 포함하는 금속필름의 제조방법이되, 패턴이 형성된 금속필름은 전자소자에 전사되어 금속전극을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름 제조방법을 제공함으로써 달성될 수 있다.An object of the present invention as described above comprises the steps of forming a self-assembled monolayer 110 on one surface of the first substrate 100, which has been cleaned and surface treated; Stacking the metal thin film 140 on the upper surface of the self-assembled monolayer 110; Forming a predetermined pattern on the stacked metal thin film 140; Stacking an adhesive layer 210 made of an adhesive tape or an adhesive material on one surface of the second substrate 200; Contacting the metal thin film 140 of the first substrate 100 with the adhesive layer 210 of the second substrate 200 to be heated and pressed; And separating the first substrate 100 from the metal thin film 140 to transfer the metal thin film 140 of the first substrate 100 to the adhesive layer 210 of the second substrate 200. The method of manufacturing a metal film having a pattern is transferred to an electronic device can be achieved by providing an adhesive metal film manufacturing method, characterized in that to form a metal electrode.

또한, 제 1기판(100) 및 제 2기판(200)은 유리기판 또는 플라스틱 기판이고, 유리기판 또는 플라스틱 기판은 평면기판인 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the first substrate 100 and the second substrate 200 may be a glass substrate or a plastic substrate, the glass substrate or the plastic substrate may be characterized in that the flat substrate.

또한, 플라스틱 기판은 폴리비닐 클로라이드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리이스터 및 폴리에틸렌 나프탈레이트 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the plastic substrate may be characterized by consisting of any one of polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, polyester and polyethylene naphthalate.

또한, 표면처리는 자외선 오존 램프를 이용한 표면처리인 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the surface treatment may be characterized in that the surface treatment using an ultraviolet ozone lamp.

또한, 자기조립단분자막(110)은 SAM 공정에 의해 형성되고, 자기조립단분자막(110)은 옥타데실 트리클로로실란, 퍼플루오르옥틸 트리클로로실란 및 퍼플루오르데실 트리클로로실란 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the self-assembled monolayer 110 is formed by a SAM process, and the self-assembled monolayer 110 is formed of any one of octadecyl trichlorosilane, perfluorooctyl trichlorosilane, and perfluorodecyl trichlorosilane. can do.

또한, 금속박막(140)은 스퍼터링 공정, 증착 공정 및 용액 공정 중 어느 하나로 적층되는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the metal thin film 140 may be laminated with any one of a sputtering process, a deposition process, and a solution process.

또한, 금속박막(140)을 적층하는 단계와 패턴을 형성하는 단계는 동시에 또는 순차적으로 이루어지는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the step of stacking the metal thin film 140 and the step of forming a pattern may be characterized in that made at the same time or sequentially.

또한, 금속박막(140)을 적층하는 단계와 패턴을 형성하는 단계는 제 1기판(100)의 금속박막(140)을 제 2기판(200)의 접착층(210)에 전이시키기 전에 이루어지는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the step of stacking the metal thin film 140 and forming the pattern is characterized in that before the metal thin film 140 of the first substrate 100 is transferred to the adhesive layer 210 of the second substrate 200. can do.

또한, 패턴은 레이저 에칭 공정 또는 나노임프린팅 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the pattern may be formed by a laser etching process or a nanoimprinting process.

또한, 패턴은 스크린 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 롤프린팅 공정 및 스프레이 프린팅 공정 중 어느 하나의 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the pattern may be formed by any one of a screen printing process, an inkjet printing process, a roll printing process and a spray printing process.

또한, 접착성 테이프는 폴리이미드로 이루어진 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the adhesive tape may be characterized by consisting of polyimide.

또한, 접착성 물질은 PDMS, 폴리에스터, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리이미드 및 에틸비닐 아세테이트 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the adhesive material may be characterized by consisting of any one of PDMS, polyester, polyurethane, polyamide, polyimide and ethylvinyl acetate.

또한, 접착층(210)을 적층하는 단계는 제 2기판(200)에 접착성 물질을 코팅하는 단계; 또는, 제 2기판(200)에 접착성 물질로 이루어진 필름을 합지하는 단계;인 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the stacking of the adhesive layer 210 may include coating an adhesive material on the second substrate 200; Alternatively, the step of laminating a film made of an adhesive material to the second substrate 200;

또한, 가열 및 압착하는 단계에서 가열온도는 50℃ 내지 200℃이고, 압착은 롤러로 가압하여 압착시키는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the heating temperature in the heating and pressing step is 50 ℃ to 200 ℃, the pressing may be characterized in that the pressing by pressing with a roller.

그리고, 금속박막(140)을 접착층(210)에 전이시키는 단계에서, 금속박막(140) 및 접착층(210)을 냉각시킨 후에 제 1기판(100)을 금속박막(140)으로부터 분리하는 것을 특징으로 할 수 있다.In the transferring of the metal thin film 140 to the adhesive layer 210, after cooling the metal thin film 140 and the adhesive layer 210, the first substrate 100 is separated from the metal thin film 140. can do.

한편, 본 발명의 목적은 다른 카테고리로서, 제 2기판(200); 제 2기판(200)의 일면에 적층되고, 접착성 테이프 또는 접착성 물질로 이루어진 접착층(210); 및 접착층(210)의 상면에 적층된 금속박막(140);을 포함하는 금속필름이되, 금속필름은 전자소자에 접착되어 금속전극을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름을 제공함으로써 달성될 수 있다.On the other hand, an object of the present invention as another category, the second substrate 200; An adhesive layer 210 laminated on one surface of the second substrate 200 and made of an adhesive tape or an adhesive material; And a metal thin film 140 stacked on an upper surface of the adhesive layer 210, wherein the metal film is adhered to an electronic device to form a metal electrode, thereby providing an adhesive metal film. Can be achieved.

또한, 접착성 테이프는 폴리이미드로 이루어진 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the adhesive tape may be characterized by consisting of polyimide.

또한, 금속박막(140)은 소정의 패턴이 형성된 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the metal thin film 140 may be formed with a predetermined pattern.

또한, 접착성 물질은 PDMS, 폴리에스터, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리이미드 및 에틸비닐 아세테이트 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the adhesive material may be characterized by consisting of any one of PDMS, polyester, polyurethane, polyamide, polyimide and ethylvinyl acetate.

그리고, 금속박막(140)을 전자소자에 전사할 때에, 제 2기판(200)은 공기중의 수분과 산소의 주입을 막아주는 보호층으로 사용될 수 있는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, when transferring the metal thin film 140 to the electronic device, the second substrate 200 may be used as a protective layer to prevent the injection of moisture and oxygen in the air.

본 발명의 일실시예에 의하면, 금속 필름을 대형으로 형성하고 금속 필름을 접착성이 있는 물질로 전이시킨 후 금속필름 형성을 제외한 공정이 이루어진 전자소자에 접착시킬 수 있는 접착성의 금속필름을 제공함으로써 간편하게 전자소자에 금속전극을 형성할 수 있는 효과가 있다.According to one embodiment of the present invention, by forming a metal film in a large size and by transferring the metal film to an adhesive material, by providing an adhesive metal film capable of adhering to the electronic device is a process except for forming the metal film There is an effect that can easily form a metal electrode on the electronic device.

또한, 금속필름을 접착성이 있는 물질로 전이하기 전에 패터닝함으로써 다양한 패턴을 용이하게 형성할 수 있는 효과가 있다.In addition, by patterning the metal film before the transfer to the adhesive material there is an effect that can easily form a variety of patterns.

그리고, 진공이 필요한 스퍼터링공정 및 증착공정을 탈피하여 용액공정을 이용한 금속필름을 제조함으로써 제조비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.In addition, it is possible to reduce the manufacturing cost by manufacturing a metal film using a solution process by removing the sputtering process and the deposition process that requires vacuum.

도 1 내지 도 5는 종래의 전자소자에 금속패턴을 형성하는 공정을 나타낸 단면도,
도 6a 내지 도 6b는 본 발명의 일실시예에 따른 접착성의 금속필름 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정도,
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 접착성의 금속필름을 전자소자에 합지한 상태를 나타낸 단면도이다.
1 to 5 are cross-sectional views showing a process of forming a metal pattern in a conventional electronic device,
6a to 6b is a process chart sequentially showing a method for manufacturing an adhesive metal film according to an embodiment of the present invention,
7 is a cross-sectional view showing a state in which the adhesive metal film is laminated on the electronic device according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 다만, 첨부된 도면들은 본 발명의 내용을 보다 쉽게 개시하기 위한 것이며 본 발명의 범위가 첨부된 도면들의 범위로 한정되는 것이 아님은 본 발명의 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 알 수 있을 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the accompanying drawings are intended to more easily disclose the contents of the present invention and the scope of the present invention is not limited to the scope of the accompanying drawings will be readily understood by those of ordinary skill in the art. There will be.

<금속필름 제조방법><Metal Film Manufacturing Method>

도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 일실시예에 따른 접착성의 금속필름 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정도이다. 먼저, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 접착성의 금속필름의 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 6A to 6G are process diagrams sequentially illustrating a method of manufacturing an adhesive metal film according to an embodiment of the present invention. First, a method of manufacturing an adhesive metal film according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

우선, 세정 및 표면 처리된 제 1기판(100)의 일면에 자기조립단분자막(110)을 형성한다(도 6a). 이때, 제 1기판(100)은 유리기판 또는 플라스틱 기판일 수 있으며, 유리기판 또는 플라스틱 기판은 평면기판인 것이 바람직하다. 현재 유기발광소자용 기판의 경우 유리 기판과 플라스틱 기판이 주로 사용되고 있다. 유기재료의 접착력에 큰 영향을 미치는 열팽창 계수 면에서 볼 때는 플라스틱기판이 상대적으로 유리한 면이 있으나, 세정 및 표면처리를 용이하게 하기 위해 유리기판을 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 플라스틱 기판은 폴리비닐 클로라이드(polyvinyl chloride; PVC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET), 폴리이스터(polyester; PES) 및 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate; PEN) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.First, a self-assembled monolayer 110 is formed on one surface of the cleaned and surface-treated first substrate 100 (FIG. 6A). In this case, the first substrate 100 may be a glass substrate or a plastic substrate, and the glass substrate or the plastic substrate is preferably a flat substrate. Currently, in the case of an organic light emitting device substrate, a glass substrate and a plastic substrate are mainly used. In view of the coefficient of thermal expansion, which greatly affects the adhesion of organic materials, plastic substrates are relatively advantageous. However, glass substrates are preferably used to facilitate cleaning and surface treatment. The plastic substrate may be made of any one of polyvinyl chloride (PVC), polyethylene terephthalate (PET), polyester (PES), and polyethylene naphthalate (PEN).

제 1기판(100)의 세정 및 표면처리는 1차로 화학물질(Chemical)을 이용하여 파티클(Particle) 및 금속 불순물을 제거하는 세정공정과 2차로 잔류 화학물질을 제거하기 위한 UV 표면처리 공정으로 이루어질 수 있다. 화학물질을 이용한 제 1기판(100)의 세정은 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)가 2~4:1의 부피비로 혼합된 피라나 용액을 이용할 수 있다. 즉, 85~150℃의 피라나용액에 제 1기판(100)을 1~10초간 디핑하여 세정공정을 실시할 수 있다. 또한, 오존수(10~50ppm)에 제 1기판(100)을 2~10분간 디핑하여 세정공정을 실시함으로써 5~30Å 두께의 확산방지막을 형성할 수도 있다. 또한, 세정공정은 과산화수소가 함유된 용액을 사용하여 실시할 수도 있다. Cleaning and surface treatment of the first substrate 100 consists primarily of a cleaning process to remove particles and metal impurities using chemicals and a UV surface treatment process to remove residual chemicals secondly. Can be. The cleaning of the first substrate 100 using a chemical substance may use a Pirana solution in which sulfuric acid (H 2 SO 4 ) and hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) are mixed in a volume ratio of 2 to 4: 1. That is, the cleaning process may be performed by dipping the first substrate 100 in the piranha solution at 85 to 150 ° C. for 1 to 10 seconds. In addition, by diffusing the first substrate 100 in ozone water (10 to 50 ppm) for 2 to 10 minutes, a washing process may be performed to form a diffusion barrier film having a thickness of 5 to 30 µm. The washing step can also be carried out using a solution containing hydrogen peroxide.

한편, UV 표면처리 공정은 자외선 램프를 이용할 수 있다. 자외선에 의한 표면처리는 제 1기판(100)에 잔류하는 화학물질을 제거할 수 있다. 또한, 자외선 에너지에 의해 고분자화합물의 분자결합을 절단하여 "H" 원자를 뽑아내고 그 자리에 공기중의 산소가 결합하여 극성이 높은 -OH, >C=O, -C(O)OH 등의 라디칼 작용기가 형성되어 표면의 친수성이 향상되고 접착성, 부착성이 높아지게 할 수 있다. 이 때 조사되는 자외선 에너지는 분자결합에너지보다 높아야 하는 조건이 따른다. 한편, 유리 또는 플라스틱 기판은 표면에너지를 높여주기 위해 O2 플라즈마, N2플라즈마, Ar 플라즈마등을 이용하여 표면처리를 할 수도 있다. 제 1기판(100)의 표면에너지를 증가시킴으로써 제 2기판(200)으로 금속박막(140)을 전이시키는 효과를 높일 수 있다.On the other hand, the UV surface treatment process may use an ultraviolet lamp. Surface treatment by ultraviolet rays may remove chemicals remaining on the first substrate 100. In addition, the molecular bond of the polymer compound is cleaved by the ultraviolet energy to extract the "H" atom, and oxygen in the air is bonded to the place, such as -OH,> C = O, and -C (O) OH, which have high polarity. Radical functional groups may be formed to improve the hydrophilicity of the surface and to increase adhesion and adhesion. At this time, the ultraviolet energy to be irradiated is a condition that must be higher than the molecular binding energy. Glass or plastic substrates, on the other hand, use O 2 to increase the surface energy. Surface treatment may be performed using plasma, N 2 plasma, Ar plasma, or the like. By increasing the surface energy of the first substrate 100, the effect of transferring the metal thin film 140 to the second substrate 200 can be enhanced.

도 6a에 도시된 자기조립단분자막(110)은 SAM(self assembled monolayer) 공정에 의해 형성될 수 있다. 이때, 자기조립단분자막(110)은 옥타데실 트리클로로실란(octadecyl trichlorosilane; OTS), 퍼플루오르옥틸 트리클로로실란(perflurooctyl trichlorosilane; FOTS) 및 퍼플루오르데실 트리클로로실란(perflurodecyl trichlorosilane; FDTS) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 자기조립단분자막(110)은 기질과 반응할 수 있는 작용기를 갖는 탄화수소화합물(예:티올, 실록세인)이 기질표면에 화학흡착에 의해 정렬된 분자들의 집합체이며 두께는 탄소사슬의 길이와 표면과의 각도에 따라 다르지만 보통 2~3nm 정도이다. 자기조립단분자막(110)의 계면은 알칸족 사슬의 유기 또는 무기 작용기에 따라 변화되며 긴 탄화수소 사슬의 끝이 메틸(-CH3)과 다른 화합물과 결합할 수 있는 작용기(-CO2H, -OH, -CN 등)를 갖는다. 자기조립단분자막(110)을 형성하는 방법은 제 1기판(100)을 액체 상태의 자기조립단분자 물질에 담가두거나, 기체 상태의 자기조립단분자물질로 채워진 챔버에 넣어 자기조립단분자막(110) 분자 특성에 의해 제 1기판(100) 표면에 부착시켜 코팅하는 방법이 있다. 자기조립단분자막(110)은 주어진 제 1기판(100)의 표면에 나노미터(nm) 단위를 갖는 매우 얇은 유기 분자막을 이루므로 제 1기판(100)의 형상에 변화를 주지 않는다. 예를 들어, 자기조립단분자막(110)의 한 종류인 OTS는 길이가 2.7nm인 길쭉한 형태의 분자로서, 한쪽 끝(반응기)이 실란기 (-SiCl3)로 끝나며, 다른 한쪽(작용기)은메틸기 (-(CH3)3)으로 끝나고 중간은 18개의 탄소 체인으로 이루어져 있다. 이중 실란기로 끝나는 부분은 친수성 부분(120)에 잘 흡착되어 제 1기판(100)과 공유결합으로 이루며 분자들 간의 자발적인 정렬이 이루어지고, 반대편 메틸기로 끝나는 부분에 의해 OTS가 코팅된 표면은 소수성부분(130)으로 변한다. 이러한 원리를 이용하여, 자기조립 단분자막의 반응기와 작용기를 조절하면 박막을 형성하고자 하는 표면을 친수성 부분(120) 혹은 소수성 부분(130)으로 만들 수 있을 뿐 아니라, 자기조립단분자막(110) 자체도 특정 부분에만 흡착시킬 수 있다. 본 발명에서의 자기조립단분자막(110) 형성은 금속박막(140)이 제 1기판(100)으로부터 용이하게 분리되어 제 2기판(200)으로 전이될 수 있도록 하는 역할을 한다. The self-assembled monolayer 110 shown in FIG. 6A may be formed by a self assembled monolayer (SAM) process. In this case, the self-assembled monolayer 110 is formed of any one of an octadecyl trichlorosilane (OTS), a perflurooctyl trichlorosilane (FOTS), and a perfluorodecyl trichlorosilane (FDTS). Can be. The self-assembled monolayer 110 is a collection of molecules in which a hydrocarbon compound (eg, thiol and siloxane) having a functional group capable of reacting with a substrate is aligned by chemisorption on the surface of the substrate, and its thickness is the length of the carbon chain and its surface. Depending on the angle, it is usually about 2-3 nm. The interface of the self-assembled monolayer 110 is changed depending on the organic or inorganic functional group of the alkanes chain, and the functional group (-CO2H, -OH, -CN) in which the end of the long hydrocarbon chain can be combined with methyl (-CH3) and other compounds. And the like). The method of forming the self-assembled monolayer 110 includes immersing the first substrate 100 in a liquid self-assembled monolayer material in a liquid state or in a chamber filled with a self-assembled monolayer material in a gas state. There is a method of coating by attaching to the surface of the first substrate 100 by the characteristics. The self-assembled monolayer 110 does not change the shape of the first substrate 100 because it forms a very thin organic molecular film having nanometer (nm) units on the surface of a given first substrate 100. For example, OTS, which is a type of self-assembled monolayer 110, is an elongated molecule having a length of 2.7 nm. One end (reactor) ends with a silane group (-SiCl 3), and the other (functional group) is a methyl group ( Ends with-(CH3) 3) and the middle consists of 18 carbon chains. The end portion of the double silane group is well adsorbed on the hydrophilic portion 120 to form a covalent bond with the first substrate 100, spontaneous alignment between molecules, and the OTS-coated surface by the end portion of the opposite methyl group is a hydrophobic portion To 130. Using this principle, by controlling the reactor and the functional groups of the self-assembled monolayer, the surface to form a thin film can be made into the hydrophilic portion 120 or the hydrophobic portion 130, as well as the self-assembled monolayer 110 itself. It can only adsorb on the part. Formation of the self-assembled monolayer 110 in the present invention serves to allow the metal thin film 140 to be easily separated from the first substrate 100 and transferred to the second substrate 200.

다음으로, 자기조립단분자막(110)의 상면에 금속박막(140)을 적층한다(도 6b). 금속박막(140)은 스퍼터링 공정, 증착 공정 및 용액 공정 중 어느 하나의 공정으로 적층될 수 있다. 이때, 금속박막(140)에서의 금속은 금, 은, 알루미늄, 리튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 세슘, 나트륨, 칼륨 및 백금 중 어느 하나를 사용하거나 이들을 조합하여 사용할 수 있고 플루오르화리튬(LiF), 플루오르화세슘(CsF), 플루오르화나트륨(NaF), 세슘카보네이트(Cs2CO3)의 박막을 전자주입층으로 사용하는 이중구조의 음극을 형성할 수도 있다. 이러한 방법은 제 1기판(100)의 특정영역에만 금속박막(140)을 형성하는 것이 아니라 스퍼터링 공정, 증착 공정, 용액 공정 등에 의해 형성된 금속박막(140)을 모두 이용할 수 있기 때문에 금속필름의 제조비용이 절감되는 이점이 있다. 스퍼터링 공정, 증착 공정 및 용액공정은 본 발명의 기술분야의 당업자에게 자명하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. Next, a metal thin film 140 is laminated on the upper surface of the self-assembled monolayer 110 (FIG. 6B). The metal thin film 140 may be stacked in any one of a sputtering process, a deposition process, and a solution process. At this time, the metal in the metal thin film 140 may use any one of gold, silver, aluminum, lithium, calcium, barium, magnesium, cesium, sodium, potassium and platinum or a combination thereof and lithium fluoride (LiF) It is also possible to form a double-structure cathode using a thin film of cesium fluoride (CsF), sodium fluoride (NaF), cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ) as the electron injection layer. In this method, not only the metal thin film 140 is formed in a specific region of the first substrate 100 but also the metal thin film 140 formed by a sputtering process, a deposition process, a solution process, etc. can be used, so that the manufacturing cost of the metal film can be used. This has the benefit of being saved. The sputtering process, the deposition process, and the solution process will be apparent to those skilled in the art, so a detailed description thereof will be omitted.

다음으로, 적층된 금속박막(140)에 소정의 패턴을 형성한다(도 6c 및 도 6d). 이때, 금속박막(140)을 적층하는 단계와 패턴을 형성하는 단계는 동시에 또는 순차적으로 이루어지질 수 있다. 즉, 금속박막(140)을 적층한 후에 패턴을 형성하거나 또는 제 1기판(100)에 직접 일정한 패턴을 형성하면서 금속박막(140)을 적층할 수도 있다. 한편, 금속박막(140)을 적층하는 단계와 패턴을 형성하는 단계는 제 1기판(100)의 금속박막(140)을 제 2기판(200)의 접착층(210)에 전이시키기 전에 이루어진다. 금속박막(140)에 패턴을 형성하는 방법은 스크린 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 롤프린팅 공정 및 스프레이 프린팅 공정 중 어느 하나의 공정에 의할 수 있다(도 6c). 또한, 레이저(150) 에칭 공정 또는 나노임프린팅 공정을 이용해 금속박막(140)에 미세한 패턴을 형성할 수도 있다(도 6d). 특히, 레이저(150) 에칭 공정을 이용하면 선폭이 10㎛이하의 미세패턴을 형성할 수 있고, 이를 통해 광원 타일의 간격을 최소화하여 큰 면광원과 같은 효과를 얻을 수 있다. 또한,금속박막(140)을 형성할 때 패턴 형성을 위한 패터닝 공정이 동시에 또는 순차적으로 이루어짐으로써 전자소자에 패턴이 형성된 금속전극을 효율적으로 형성할 수 있는 이점이 있다. 스크린 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 롤프린팅 공정, 스프레이 프린팅 공정, 레이저 에칭 공정 및 나노임프린팅 공정은 본 발명의 기술분야의 당업자에게 자명한 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.  Next, a predetermined pattern is formed on the laminated metal thin film 140 (FIGS. 6C and 6D). In this case, the stacking of the metal thin film 140 and the step of forming the pattern may be performed simultaneously or sequentially. That is, the metal thin film 140 may be stacked by forming a pattern after laminating the metal thin film 140 or by forming a predetermined pattern directly on the first substrate 100. Meanwhile, the stacking of the metal thin film 140 and the forming of the pattern may be performed before the metal thin film 140 of the first substrate 100 is transferred to the adhesive layer 210 of the second substrate 200. The method of forming the pattern on the metal thin film 140 may be performed by any one of a screen printing process, an inkjet printing process, a roll printing process, and a spray printing process (FIG. 6C). In addition, a fine pattern may be formed on the metal thin film 140 using a laser 150 etching process or a nanoimprinting process (FIG. 6D). In particular, when the laser 150 etching process is used, a fine pattern having a line width of 10 μm or less may be formed, thereby minimizing the spacing of the light source tiles, thereby obtaining an effect such as a large surface light source. In addition, when the metal thin film 140 is formed, a patterning process for forming a pattern is performed simultaneously or sequentially, so that a metal electrode having a pattern formed on the electronic device can be efficiently formed. The screen printing process, inkjet printing process, roll printing process, spray printing process, laser etching process and nanoimprinting process are well known to those skilled in the art, and thus detailed description thereof will be omitted.

다음으로, 제 2기판(200)의 일면에 접착성 테이프 또는 접착성 물질로 이루어진 접착층(210)을 적층한다(도 6e). 제 2기판(200)은 유리기판 또는 플라스틱 기판일 수 있으며, 유리기판 또는 플라스틱 기판은 접착성 테이프나 접착성 물질에 금속박막(140)이 용이하게 접착되게 하기 위해 평면기판인 것이 바람직하다. 이때 평면기판은 공기중의 수분과 산소의 주입을 막는 보호층으로 사용이 가능하며, 평면기판을 다층으로 구성하여(미도시) 보호기능을 강화할 수도 있다. 한편, 플라스틱 기판은 폴리비닐 클로라이드(polyvinyl chloride, PVC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리이스터(polyester, PES) 및 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.Next, an adhesive layer 210 made of an adhesive tape or an adhesive material is laminated on one surface of the second substrate 200 (FIG. 6E). The second substrate 200 may be a glass substrate or a plastic substrate, and the glass substrate or the plastic substrate may be a flat substrate so that the metal thin film 140 may be easily adhered to the adhesive tape or the adhesive material. In this case, the flat substrate may be used as a protective layer to prevent the injection of moisture and oxygen into the air, and the flat substrate may be configured in multiple layers (not shown) to enhance the protection function. The plastic substrate may be made of any one of polyvinyl chloride (PVC), polyethylene terephthalate (PET), polyester (PES), and polyethylene naphthalate (PEN).

접착성 테이프는 폴리이미드로 이루어진 것을 사용하는 것이 바람직하다. 그리고 접착성 물질은 PDMS, 폴리에스터, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리이미드 및 에틸비닐 아세테이트 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 접착성 물질은 핫멜트 접착제로서 물이나 용제를 전혀 사용하지 않고 100% 열가소성 수지를 사용하여 고온에서 액상으로 제 2기판(200)에 적층 및 압착된 후 수초내에 냉각 및 고화되면서 접착력을 발휘하게 된다. 한편, 접착층(210)은 제 2기판(200)에 접착성 물질을 코팅하거나 제 2기판(200)에 접착성 물질로 이루어진 필름을 합지하는 방법에 의해 적층될 수 있다. It is preferable to use the adhesive tape which consists of polyimides. And the adhesive material may be made of any one of PDMS, polyester, polyurethane, polyamide, polyimide and ethylvinyl acetate. The adhesive material is a hot melt adhesive, without using water or a solvent at all, laminated and pressed onto the second substrate 200 in a liquid state at a high temperature using 100% thermoplastic resin, and then cooling and solidifying within a few seconds to exhibit the adhesive force. Meanwhile, the adhesive layer 210 may be laminated by coating an adhesive material on the second substrate 200 or laminating a film made of the adhesive material on the second substrate 200.

다음으로, 제 1기판(100)의 금속박막(140)과 제 2기판(200)의 접착층(210)을 접촉시켜 가열 및 압착한다(도 6f). 이때 가열 및 압착하는 단계에서의 가열온도는 50℃ 내지 200℃이고, 압착은 롤러로 가압하여 압착시킬 수 있다. 가열온도는 액상으로 변하는 접착성 물질의 종류에 따라 다를 수 있다. 제 1기판(100)의 금속박막(140)과 제 2기판(200)의 접착층(210)을 접착시켜 가열 및 압착함으로써 금속박막(140)이 액상으로 변한 접착층(210)에 융착하게 된다. Next, the metal thin film 140 of the first substrate 100 and the adhesive layer 210 of the second substrate 200 are brought into contact with each other to be heated and compressed (FIG. 6F). At this time, the heating temperature in the heating and pressing step is 50 ℃ to 200 ℃, the pressing may be compressed by pressing with a roller. The heating temperature may vary depending on the type of adhesive material that turns into a liquid phase. The metal thin film 140 of the first substrate 100 and the adhesive layer 210 of the second substrate 200 are bonded to each other to be heated and pressed to bond the metal thin film 140 to the adhesive layer 210 that is turned into a liquid phase.

마지막으로, 제 1기판(100)을 금속박막(140)과 분리하여 제 1기판(100)의 금속박막(140)을 제 2기판(200)의 접착층(210)으로 전이시킨다(도 6g). 이때, 금속박막(140) 및 접착층(210)을 냉각시킨 후에 제 1기판(100)을 금속박막(140)으로부터 분리한다. 금속박막(140) 및 접착층(210)을 냉각시키면 접착층(210)은 수초내에 고화되면서 제 1기판(100)의 금속박막(140)에 달라붙어 접착력을 발휘하게 된다.이 상태에서 제 1기판(100)을 분리시키면 자기조립단분자막(110)으로 인해 제 1기판(100)은 금속박막(140)과 쉽게 분리되고 금속박막(140)은 접착층(210)에 접착된 상태로 제 2기판(200)으로 전이하게 된다. Finally, the first substrate 100 is separated from the metal thin film 140 to transfer the metal thin film 140 of the first substrate 100 to the adhesive layer 210 of the second substrate 200 (FIG. 6G). At this time, after the metal thin film 140 and the adhesive layer 210 is cooled, the first substrate 100 is separated from the metal thin film 140. When the metal thin film 140 and the adhesive layer 210 are cooled, the adhesive layer 210 solidifies within a few seconds and sticks to the metal thin film 140 of the first substrate 100 to exert an adhesive force. In this state, the first substrate ( When the 100 is separated, the first substrate 100 is easily separated from the metal thin film 140 due to the self-assembled monolayer 110, and the metal thin film 140 is bonded to the adhesive layer 210. Transition to.

이러한 방법으로 제조된 패턴이 형성된 접착성의 금속필름은 금속전극이 형성되지 않은 트랜지스터, 발광다이오드, 태양전지 등의 전자소자에 직접 전사되어 금속전극으로 사용될 수 있다. 또한, 패턴이 형성된 접착성의 금속필름은 굴곡이 필요한 전자소자의 유연한 인쇄회로기판이나 유연한 전자소자에 부착되어 사용될 수 있으며, 나노임프린팅 또는 포토리소그래피의 응용시에 나노소재로서 사용이 가능하다. 한편, 접착성의 금속필름은 제 2기판(200)이 부착된 상태로 사용되거나, 제 2기판(200)을 제거하고 사용될 수도 있다.An adhesive metal film having a pattern formed in this manner may be directly transferred to an electronic device such as a transistor, a light emitting diode, or a solar cell in which the metal electrode is not formed, and used as the metal electrode. In addition, the patterned adhesive metal film may be used to be attached to a flexible printed circuit board or a flexible electronic device of the electronic device that needs to bend, it can be used as a nanomaterial in the application of nanoimprinting or photolithography. Meanwhile, the adhesive metal film may be used while the second substrate 200 is attached, or may be used after removing the second substrate 200.

<금속필름><Metal Film>

이하, 금속필름의 구성에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 이때 앞서 설명한 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, the configuration of the metal film will be described in detail. In this case, a description overlapping with the above description will be omitted.

금속필름은 제 2기판(200); 접착성 테이프 또는 접착성 물질로 이루어진 접착층(210); 및 접착층(210)의 일면에 적층된 금속박막(140);을 포함하여 구성되고(미도시), 금속필름은 전자소자에 접착되어 금속전극을 형성할 수 있다. 이때 금속박막(140)에서의 금속은 금, 은, 알루미늄, 리튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 세슘, 나트륨, 칼륨 및 백금 중 어느 하나를 사용하거나 이들을 조합한 것을 사용할 수 있고 플루오르화리튬(LiF), 플루오르화세슘(CsF), 플루오르화나트륨(NaF), 세슘카보네이트(Cs2CO3)의 박막을 전자주입층으로 사용하는 이중구조의 음극을 형성할 수도 있다. 제 2기판(200)은 유리기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 또한, 접착성 물질의 상면에 금속박막(140)이 접착하는 것을 용이하게 하기 위해 평면기판(미도시)이 사용될 수 있다. 제 2기판(140)은 공기 중의 수분과 산소의 주입을 막는 보호층으로 사용이 가능하다. 또한 제 2기판(140)은 다층으로 구성하여 보호기능을 강화할 수도 있다(미도시). The metal film may include a second substrate 200; An adhesive layer 210 made of adhesive tape or adhesive material; And a metal thin film 140 stacked on one surface of the adhesive layer 210 (not shown), and the metal film may be bonded to an electronic device to form a metal electrode. In this case, the metal in the metal thin film 140 may be any one of gold, silver, aluminum, lithium, calcium, barium, magnesium, cesium, sodium, potassium and platinum, or a combination thereof, and lithium fluoride (LiF). It is also possible to form a double-structure cathode using a thin film of cesium fluoride (CsF), sodium fluoride (NaF), cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ) as the electron injection layer. The second substrate 200 may be a glass substrate or a plastic substrate. In addition, a flat substrate (not shown) may be used to facilitate the adhesion of the metal thin film 140 to the upper surface of the adhesive material. The second substrate 140 can be used as a protective layer to prevent the injection of moisture and oxygen in the air. In addition, the second substrate 140 may be formed in a multi-layer to enhance the protection function (not shown).

접착성 테이프는 폴리이미드로 이루어질 수 있고, 접착성 물질은 PDMS, 폴리에스터, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리이미드 및 에틸비닐 아세테이트 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. The adhesive tape may be made of polyimide, and the adhesive material may be made of any one of PDMS, polyester, polyurethane, polyamide, polyimide and ethylvinyl acetate.

한편, 금속박막(140)은 소정의 패턴이 형성된 금속박막(140)일 수 있다. 금속박막(140)에의 패턴형성은 금속박막(140)을 접착층(210)으로 전이하기 전에 이루어지고, 금속필름의 제조방법에서 설명한 방법과 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 금속박막(140)을 적층할 때와 동시에 또는 순차적으로 금속박막(140)에 패턴을 형성하고, 이러한 패턴이 형성된 금속박막(140)을 전자소자에 직접 전사하여 사용할 수 있기 때문에 전자소자의 제조공정에 효율성을 기할 수 있다.The metal thin film 140 may be the metal thin film 140 on which a predetermined pattern is formed. The pattern formation on the metal thin film 140 may be performed before the metal thin film 140 is transferred to the adhesive layer 210, and may be formed by the same method as described in the method of manufacturing the metal film. At the same time or sequentially when the metal thin film 140 is laminated, a pattern is formed on the metal thin film 140, and the metal thin film 140 having such a pattern can be directly transferred to the electronic device to be used. Can increase efficiency.

한편, 접착성의 금속필름은 제 2기판(200)을 제거한 후 사용되거나, 보호기능을 강화하기 위해 제 2기판(200)을 제거하지 않고 사용될 수도 있다.On the other hand, the adhesive metal film may be used after removing the second substrate 200, or may be used without removing the second substrate 200 to enhance the protective function.

도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 접착성의 금속필름을 전자소자에 합지한 상태를 나타낸 단면도이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 전자소자는 투명전극층(300), 정공주입층(310), 발광층(320), 금속박막(140), 접착층(210) 및 제 2기판(200)으로 구성되어 있다. 이때, 금속박막(140)과 발광층(320) 사이에는 전자주입층, 전자수송층이 더 포함될 수 있고(미도시), 정공주입층(310)과 발광층(320) 사이에는 정공수송층이 더 포함될 수 있다(미도시). 본 발명인 접착성의 금속필름은 금속박막(140)을 전자소자에 접착 및 전사시켜 전자소자에 금속전극을 형성할 수 있다. 금속필름을 전사할 때에는 50℃ 내지 200℃의 온도로 가열할 수 있다. 여기서 가열온도는 접착층(210)을 이루는 접착성 물질에 따라 액상으로 변하는 온도가 다르기 때문에 금속필름의 전사시에 가해지는 가열온도도 다를 수 있다. 금속필름을 전자소자에 접착시킨 후 가열하면 금속필름의 접착층이 다시 액상으로 변하면서 전사소자에 접착되게 된다. 여기서, 전자소자는 금속전극을 형성할 금속필름을 필요로 하는 전자소자로서 트랜지스터, 발광다이오드, 태양전지 등이 해당될 수 있다. 금속필름 자체를 전자소자에 접착시켜 사용하면 금속필름의 제 2기판(200)은 전자소자의 상면을 덮어 보호층으로서의 역할을 하게 된다. 한편, 패턴이 형성된 금속필름을 미리 제조해 두었다가 금속전극이 형성되지 않은 전자소자에 필요할 때마다 접착하여 사용하면 전자소자의 제조공정의 효율성을 기할 수 있음을 물론 제조비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.7 is a cross-sectional view showing a state in which the adhesive metal film is laminated on the electronic device according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, the electronic device includes a transparent electrode layer 300, a hole injection layer 310, a light emitting layer 320, a metal thin film 140, an adhesive layer 210, and a second substrate 200. . In this case, an electron injection layer and an electron transport layer may be further included between the metal thin film 140 and the light emitting layer 320 (not shown), and a hole transport layer may be further included between the hole injection layer 310 and the light emitting layer 320. (Not shown). The adhesive metal film of the present invention may form a metal electrode on the electronic device by bonding and transferring the metal thin film 140 to the electronic device. When transferring the metal film may be heated to a temperature of 50 ℃ to 200 ℃. Here, the heating temperature may vary depending on the adhesive material constituting the adhesive layer 210, so that the heating temperature applied when the metal film is transferred may also be different. When the metal film is bonded to the electronic device and heated, the adhesive layer of the metal film is changed to a liquid state and then adhered to the transfer device. Here, the electronic device may correspond to a transistor, a light emitting diode, a solar cell, and the like as an electronic device requiring a metal film to form a metal electrode. When the metal film itself is adhered to the electronic device, the second substrate 200 of the metal film covers the upper surface of the electronic device to serve as a protective layer. On the other hand, if a metal film with a pattern is prepared in advance and then attached to an electronic device without a metal electrode whenever needed, the efficiency of the manufacturing process of the electronic device can be reduced and the manufacturing cost can be reduced. have.

10 : 기판
20 : 섀도우 마스크
30 : 금속 파우더
40 : 용기
50 : 엑시머 레이저
60 : 포토마스크
70 : 몰드
80 : 도너필름
90 : 금속과의 접착력이 강한 층
95 : 금속과의 접착력이 약한 층
100 : 제 1기판
110 : 자기조립단분자막
120 : 친수성 부분
130 : 소수성 부분
140 : 금속박막
150 : 레이저
200 : 제 2기판
210 : 접착층
300 : 투명전극층
310 : 정공주입층
320 : 발광층
10: substrate
20: shadow mask
30: metal powder
40: container
50: excimer laser
60: photomask
70: Mold
80: donor film
90: strong adhesion layer with metal
95: weak adhesion layer with the metal
100: first substrate
110: self-assembled monolayer
120: hydrophilic part
130: hydrophobic part
140: metal thin film
150: laser
200: second substrate
210: adhesive layer
300: transparent electrode layer
310: hole injection layer
320: light emitting layer

Claims (20)

세정 및 표면 처리된 제 1기판(100)의 일면에 자기조립단분자막(110)을 형성하는 단계;
상기 자기조립단분자막(110)의 상면에 금속박막(140)을 적층하는 단계;
상기 적층된 금속박막(140)에 소정의 패턴을 형성하는 단계;
제 2기판(200)의 일면에 접착성 테이프 또는 접착성 물질로 이루어진 접착층(210)을 적층하는 단계;
상기 제 1기판(100)의 금속박막(140)과 상기 제 2기판(200)의 접착층(210)을 접촉시켜 가열 및 압착하는 단계; 및
상기 제 1기판(100)을 상기 금속박막(140)과 분리하여 상기 제 1기판(100)의 금속박막(140)을 상기 제 2기판(200)의 접착층(210)으로 전이시키는 단계;를 포함하는 금속필름의 제조방법이되,
상기 패턴이 형성된 상기 금속필름은 전자소자에 전사되어 금속전극을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름 제조방법.
Forming a self-assembled monolayer 110 on one surface of the cleaned and surface-treated first substrate 100;
Stacking a metal thin film 140 on an upper surface of the self-assembled monolayer 110;
Forming a predetermined pattern on the laminated metal thin film 140;
Stacking an adhesive layer 210 made of an adhesive tape or an adhesive material on one surface of the second substrate 200;
Contacting the metal thin film 140 of the first substrate 100 with the adhesive layer 210 of the second substrate 200 to heat and compress the same; And
Separating the first substrate 100 from the metal thin film 140 to transfer the metal thin film 140 of the first substrate 100 to the adhesive layer 210 of the second substrate 200. How to make a metal film,
The metal film on which the pattern is formed is an adhesive metal film manufacturing method, characterized in that the transfer to the electronic device to form a metal electrode.
제 1항에 있어서,
상기 제 1기판(100) 및 상기 제 2기판(200)은 유리기판 또는 플라스틱 기판이고,
상기 유리기판 또는 상기 플라스틱 기판은 평면기판인 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름 제조방법.
The method of claim 1,
The first substrate 100 and the second substrate 200 is a glass substrate or a plastic substrate,
The glass substrate or the plastic substrate is an adhesive metal film manufacturing method, characterized in that the flat substrate.
청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 3 was abandoned when the setup registration fee was paid. 제 2항에 있어서,
상기 플라스틱 기판은 폴리비닐 클로라이드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리이스터 및 폴리에틸렌 나프탈레이트 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름 제조방법.
The method of claim 2,
The plastic substrate is an adhesive metal film manufacturing method, characterized in that made of any one of polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, polyester and polyethylene naphthalate.
제 1항에 있어서,
상기 표면처리는 자외선 오존 램프를 이용한 표면처리인 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름 제조방법.
The method of claim 1,
The surface treatment is an adhesive metal film production method, characterized in that the surface treatment using an ultraviolet ozone lamp.
제1항에 있어서,
상기 자기조립단분자막(110)은 SAM 공정에 의해 형성되고,
상기 자기조립단분자막(110)은 옥타데실 트리클로로실란, 퍼플루오르옥틸 트리클로로실란 및 퍼플루오르데실 트리클로로실란 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 접착성의 금속필름 제조방법.
The method of claim 1,
The self-assembled monolayer 110 is formed by a SAM process,
The self-assembled monolayer 110 is an adhesive metal film manufacturing method, characterized in that formed of any one of octadecyl trichlorosilane, perfluorooctyl trichlorosilane and perfluorodecyl trichlorosilane.
제 1항에 있어서,
상기 금속박막(140)은 스퍼터링 공정, 증착 공정 및 용액 공정 중 어느 하나로 적층되는 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름 제조방법.
The method of claim 1,
The metal thin film 140 is an adhesive metal film manufacturing method, characterized in that laminated in any one of a sputtering process, a deposition process and a solution process.
청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 7 was abandoned upon payment of a set-up fee. 제 1항에 있어서,
상기 금속박막(140)을 적층하는 단계와,
상기 패턴을 형성하는 단계는,
동시에 또는 순차적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름 제조방법.
The method of claim 1,
Stacking the metal thin film 140;
Forming the pattern,
Adhesive metal film production method characterized in that made simultaneously or sequentially.
청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 8 was abandoned when the registration fee was paid. 제 1항에 있어서,
상기 금속박막(140)을 적층하는 단계와,
상기 패턴을 형성하는 단계는,
상기 제 1기판(100)의 금속박막(140)을 상기 제 2기판(200)의 접착층(210)에 전이시키기 전에 이루어지는 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름 제조방법.
The method of claim 1,
Stacking the metal thin film 140;
Forming the pattern,
Adhesive metal film manufacturing method, characterized in that made before transferring the metal thin film 140 of the first substrate 100 to the adhesive layer 210 of the second substrate 200.
청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 9 was abandoned upon payment of a set-up fee. 제 1항, 제 7항 및 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 패턴은 레이저 에칭 공정 또는 나노임프린팅 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름 제조방법.
The method according to any one of claims 1, 7, and 8,
Said pattern is formed by a laser etching process or a nanoimprinting process.
청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 10 was abandoned upon payment of a setup registration fee. 제 1항, 제 7항 및 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 패턴은 스크린 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 롤프린팅 공정 및 스프레이 프린팅 공정 중 어느 하나의 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름 제조방법.
The method according to any one of claims 1, 7, and 8,
The pattern is an adhesive metal film manufacturing method, characterized in that formed by any one of a screen printing process, an inkjet printing process, a roll printing process and a spray printing process.
제 1항에 있어서,
상기 접착성 테이프는 폴리이미드로 이루어진 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름 제조방법.
The method of claim 1,
The adhesive tape is an adhesive metal film manufacturing method, characterized in that made of polyimide.
제 1항에 있어서,
상기 접착성 물질은 PDMS, 폴리에스터, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리이미드 및 에틸비닐 아세테이트 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름 제조방법.
The method of claim 1,
The adhesive material is a PDMS, polyester, polyurethane, polyamide, polyimide and ethyl vinyl acetate, characterized in that any one of the manufacturing method of the adhesive metal film.
청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 13 was abandoned upon payment of a registration fee. 제 1항에 있어서,
상기 접착층(210)을 적층하는 단계는,
상기 제 2기판(200)에 상기 접착성 물질을 코팅하는 단계; 또는,
상기 제 2기판(200)에 상기 접착성 물질로 이루어진 필름을 합지하는 단계;인 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름 제조방법.
The method of claim 1,
Laminating the adhesive layer 210,
Coating the adhesive material on the second substrate 200; or,
And laminating a film made of the adhesive material to the second substrate (200).
청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 14 was abandoned when the registration fee was paid. 제 1항에 있어서,
상기 가열 및 압착하는 단계에서,
가열온도는 50℃ 내지 200℃이고, 상기 압착은 롤러로 가압하여 압착시키는 것을 특징으로 접착성의 금속필름 제조방법.
The method of claim 1,
In the heating and pressing step,
Heating temperature is 50 ℃ to 200 ℃, the pressing is a method of producing an adhesive metal film, characterized in that the pressing by pressing with a roller.
제 1항에 있어서,
상기 금속박막(140)을 상기 접착층(210)에 전이시키는 단계에서,
상기 금속박막(140) 및 상기 접착층(210)을 냉각시킨 후에,
상기 제 1기판(100)을 상기 금속박막(140)으로부터 분리하는 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름 제조방법.
The method of claim 1,
In the step of transferring the metal thin film 140 to the adhesive layer 210,
After cooling the metal thin film 140 and the adhesive layer 210,
Adhesive metal film manufacturing method, characterized in that for separating the first substrate 100 from the metal thin film (140).
제 2기판(200);
상기 제 2기판(200)의 일면에 적층되고, 접착성 테이프 또는 접착성 물질로 이루어진 접착층(210); 및
상기 접착층(210)의 상면에 적층된 금속박막(140);을 포함하는 금속필름이되,
상기 금속필름은 전자소자에 접착되어 금속전극을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름.
Second substrate 200;
An adhesive layer 210 laminated on one surface of the second substrate 200 and made of an adhesive tape or an adhesive material; And
A metal film comprising; a metal thin film 140 laminated on the upper surface of the adhesive layer 210,
The metal film is an adhesive metal film, characterized in that can be bonded to the electronic device to form a metal electrode.
제 16항에 있어서,
상기 접착성 테이프는 폴리이미드로 이루어진 것을 특징으로 하는 접착성의금속필름.
17. The method of claim 16,
The adhesive tape is an adhesive metal film, characterized in that made of polyimide.
제 16항에 있어서,
상기 금속박막(140)은 소정의 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름.
17. The method of claim 16,
The metal thin film 140 is an adhesive metal film, characterized in that a predetermined pattern is formed.
제 16항에 있어서,
상기 접착성 물질은 PDMS, 폴리에스터, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리이미드 및 에틸비닐 아세테이트 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름.
17. The method of claim 16,
The adhesive material is an adhesive metal film, characterized in that made of any one of PDMS, polyester, polyurethane, polyamide, polyimide and ethylvinyl acetate.
청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 20 was abandoned upon payment of a registration fee. 제 16항에 있어서,
상기 금속박막(140)을 상기 전자소자에 전사할 때에,
상기 제 2기판(200)은 공기중의 수분과 산소의 주입을 막아주는 보호층으로 사용될 수 있는 것을 특징으로 하는 접착성의 금속필름.
17. The method of claim 16,
When transferring the metal thin film 140 to the electronic device,
The second substrate 200 is an adhesive metal film, characterized in that can be used as a protective layer to prevent the injection of moisture and oxygen in the air.
KR1020100058338A 2010-06-21 2010-06-21 Method of manufacturing adhesive metal film and the metal film KR101116375B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100058338A KR101116375B1 (en) 2010-06-21 2010-06-21 Method of manufacturing adhesive metal film and the metal film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100058338A KR101116375B1 (en) 2010-06-21 2010-06-21 Method of manufacturing adhesive metal film and the metal film

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110138447A KR20110138447A (en) 2011-12-28
KR101116375B1 true KR101116375B1 (en) 2012-03-16

Family

ID=45504254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100058338A KR101116375B1 (en) 2010-06-21 2010-06-21 Method of manufacturing adhesive metal film and the metal film

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101116375B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101198021B1 (en) 2011-04-06 2012-11-07 한국과학기술원 Method for manufacturing electronic device

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101154838B1 (en) * 2011-03-29 2012-06-18 한국과학기술원 Method for manufacturing electronic device
JP6400062B2 (en) * 2016-10-24 2018-10-03 日東電工株式会社 Electromagnetic wave transmitting metallic luster member, article using the same, and metallic thin film
KR102363262B1 (en) * 2017-03-23 2022-02-16 삼성디스플레이 주식회사 Manufacturing method of organic light emitting display device
US11961632B2 (en) 2020-12-04 2024-04-16 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Fabrication method of conductive nanonetworks using mastermold
KR102628299B1 (en) * 2020-12-04 2024-01-24 한국과학기술원 Fabrication method of conductive nanonetworks using mastermold

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060007503A (en) * 2004-07-20 2006-01-26 삼성코닝 주식회사 Method for forming highly conductive metal pattern on a flexible substrate and emi filter using the same
KR100731766B1 (en) 2006-07-04 2007-06-22 삼성에스디아이 주식회사 Donor substrate and method of fabricating oled using the same
KR20070115770A (en) * 2006-06-01 2007-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Manufacturing method of display device
KR20080023487A (en) * 2006-09-11 2008-03-14 엘지전자 주식회사 Metal patterning method using transfer printing

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060007503A (en) * 2004-07-20 2006-01-26 삼성코닝 주식회사 Method for forming highly conductive metal pattern on a flexible substrate and emi filter using the same
KR20070115770A (en) * 2006-06-01 2007-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Manufacturing method of display device
KR100731766B1 (en) 2006-07-04 2007-06-22 삼성에스디아이 주식회사 Donor substrate and method of fabricating oled using the same
KR20080023487A (en) * 2006-09-11 2008-03-14 엘지전자 주식회사 Metal patterning method using transfer printing

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101198021B1 (en) 2011-04-06 2012-11-07 한국과학기술원 Method for manufacturing electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110138447A (en) 2011-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101116375B1 (en) Method of manufacturing adhesive metal film and the metal film
JP4541402B2 (en) High-efficiency organic light-emitting device using substrate or electrode having nano-sized hemispherical protrusions and method for producing the same
TWI597178B (en) A substrate having a concavo-convex structure of a hydrophobic sol-gel material is used
JP5197617B2 (en) Donor film with pattern indicating layer
JP4316669B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and electronic device manufacturing method
KR20060046206A (en) Organic electroluminescent device, method for producing the same, and electronic apparatus
Aleksandrova Specifics and challenges to flexible organic light-emitting devices
KR20170038824A (en) Method for manufacturing member having irregular pattern
TW201029020A (en) Polymeric conductive donor and transfer method
KR20060046571A (en) Process for producing chemical adsorption film and chemical adsorption film
JP2005062356A (en) Method for forming pattern, method for forming wiring pattern, electro-optic apparatus and electronic appliance
TW201519962A (en) Application device for forming coating having discontinuous pattern onto strip-shaped film substrate, and method for manufacturing strip-shaped film substrate having uneven pattern
KR101175556B1 (en) Method of manufacturing patterned metal film
CN105552248A (en) Package structure for electroluminescent device and package method for electroluminescent device
KR20110025410A (en) Method for manufacturing display device substrate
Han et al. Recent Patterning Methods for Halide Perovskite Nanoparticles
KR101326127B1 (en) Method for forming pattern arrays and organic devices comprising the pattern arrays
JP2009158691A (en) Organic device and manufacturing method thereof
US8877298B2 (en) Printing using a structure coated with ultraviolet radiation responsive material
KR102173550B1 (en) Method for manufacturing quantum dot light-emitting diode using direct transfer
JP2004303528A (en) Organic electroluminescent element and its manufacturing method
JP2010067355A (en) Organic el element panel and method of manufacturing the same
JP2008108545A (en) Sealing substrate, its manufacturing method and manufacturing method for electroluminescent element panel
TW201001779A (en) Process for forming encapsulated electronic devices
JP2015011760A (en) Laminate for semiconductor light-emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light-emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160128

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190201

Year of fee payment: 8