KR101114518B1 - Etching apparatus for transparent conductor - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고전압에 의한 전기적인 방법으로 투명 전도체를 식각함으로써 화학적인 공해 배출을 방지하고 공정을 단축할 수 있도록 한 투명 전도체의 식각 장치에 관한 것으로, 투명 전도체를 식각하기 위한 식각전극을 갖는 식각부; 상기 식각부로 고전압 직류와 고전압 교류를 공급하는 고전압 공급부; 및 상기 식각부의 이동을 제어하여 식각영역을 조절하고, 상기 고전압 공급부의 고전압 직류와 고전압 교류의 공급을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an etching apparatus of a transparent conductor that can prevent chemical pollution emission and shorten the process by etching the transparent conductor by an electrical method by a high voltage, an etching portion having an etching electrode for etching the transparent conductor ; A high voltage supply unit supplying high voltage DC and high voltage AC to the etching unit; And controlling a movement of the etching unit to adjust an etching region, and controlling a supply of high voltage direct current and high voltage alternating current to the high voltage supply unit.

Description

투명 전도체의 식각 장치{ETCHING APPARATUS FOR TRANSPARENT CONDUCTOR}Etching device of transparent conductors {ETCHING APPARATUS FOR TRANSPARENT CONDUCTOR}

본 발명은 투명 전도체의 식각 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 고전압에 의한 전기적인 방법으로 투명 전도체를 식각(ETCHING)함으로써 화학적인 공해 배출을 방지하고 공정을 단축할 수 있도록 한 투명 전도체의 식각 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an apparatus for etching transparent conductors, and more particularly, to etching chemicals by etching the transparent conductors by an electrical method by a high voltage, to prevent chemical pollution emission and to shorten the process. It is about.

일반적으로 평판 디스플레이 패널은 그 소재가 되는 유리기판에 대하여 산화, 마스킹, 포토레지스트코팅, 식각, 확산 및 적층공정들과 이들 공정들의 전,후에서 보조적으로 세척, 건조 및 검사 등의 여러 공정들이 수행되어야 한다. In general, a flat panel display panel is subjected to various processes such as oxidation, masking, photoresist coating, etching, diffusion, and lamination processes and auxiliary cleaning, drying, and inspection before and after these materials. Should be.

특히, 식각 공정은 실질적으로 유리기판 상에 패턴을 형성시키는 중요한 공정의 하나로서, 감광성을 갖는 포토레지스트를 유리기판 상에 코팅하고, 패턴을 전사한 후, 그 패턴에 따라 식각을 수행하여 상기 패턴에 따라 적절한 소자의 물리적 특성을 부여하고 있다.In particular, the etching process is one of the important processes for substantially forming a pattern on a glass substrate. The photoresist having a photosensitive property is coated on the glass substrate, the pattern is transferred, and the etching is performed according to the pattern to perform the pattern. The physical characteristics of the device are given accordingly.

이러한 식각 공정은 일반적으로 화학적인 식각과 레이져 등을 이용한 열에 의한 식각이 있다. In general, such an etching process includes thermal etching using chemical etching and laser.

화학적인 식각은 식각을 위하여 식각을 위한 본을 만들고 여기에 식각액을 도포하고 식각 후에는 세정하는 등의 각종 공정이 존재하는데 공정 중에 화학적인 부수물이 발생하는 문제점이 있다. Chemical etching has various processes such as making a pattern for etching for etching, applying an etching solution to it, and cleaning after etching, but there is a problem that chemical accompaniment occurs during the process.

또한 레이져와 같은 식각은 열로 부분적인 가열을 함으로써 식각을 수행하는데 전도체 외에 필름에도 열이 가해져 필름에 변형이 발생하는 문제점이 있다.In addition, etching such as laser is performed by partially heating with heat, but heat is applied to the film in addition to the conductor, so that deformation occurs in the film.

상기한 기술구성은 본 발명의 이해를 돕기 위한 배경기술로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 널리 알려진 종래기술을 의미하는 것은 아니다.
The above technical configuration is a background art for helping understanding of the present invention, and does not mean a conventional technology well known in the art.

본 발명은 고전압에 의한 전기적인 방법으로 투명 전도체를 식각함으로써 화학적인 공해 배출을 방지하고 공정을 단축할 수 있도록 한 투명 전도체의 식각 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an etching apparatus of a transparent conductor, which can prevent chemical pollution emission and shorten a process by etching the transparent conductor by an electrical method by a high voltage.

본 발명에 의한 투명 전도체의 식각 장치는, 투명 전도체를 식각하기 위한 식각전극을 갖는 식각부; 상기 식각부로 고전압 직류와 고전압 교류를 공급하는 고전압 공급부; 및 상기 식각부의 이동을 제어하여 식각영역을 조절하고, 상기 고전압 공급부의 고전압 직류와 고전압 교류의 공급을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.An etching apparatus of a transparent conductor according to the present invention, the etching unit having an etching electrode for etching the transparent conductor; A high voltage supply unit supplying high voltage DC and high voltage AC to the etching unit; And controlling a movement of the etching unit to adjust an etching region, and controlling a supply of high voltage direct current and high voltage alternating current to the high voltage supply unit.

본 발명에서, 상기 식각부는 상기 고전압 공급부로부터 인가되는 고전압 직류와 고전압 교류 이용하여 상기 투명전극을 식각하는 식각전극; 및 상기 제어부의 제어에 의해 상기 식각전극을 이동시키는 이동부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the present invention, the etching unit includes an etching electrode for etching the transparent electrode using a high voltage direct current and a high voltage alternating current applied from the high voltage supply; And a moving unit which moves the etching electrode under the control of the controller.

본 발명에서, 상기 고전압 공급부는 상기 고전압 직류를 공급하는 고전압 직류원; 상기 고전압 교류를 공급하는 고전압 교류원; 상기 제어부의 제어에 따라 상기 고전압 직류를 단속하는 제1스위치; 및 상기 제어부의 제어에 따라 상기 고전압 교류를 단속하는 제2스위치를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the present invention, the high voltage supply unit is a high voltage DC source for supplying the high voltage DC; A high voltage AC source for supplying the high voltage AC; A first switch for controlling the high voltage direct current under control of the controller; And a second switch for controlling the high voltage alternating current under the control of the controller.

본 발명에서, 상기 제어부는 상기 투명전극의 식각 상태에 따라 상기 식각부를 이동시켜 식각영역을 조절하는 것을 특징으로 한다.
In the present invention, the controller is characterized in that for controlling the etching area by moving the etching unit in accordance with the etching state of the transparent electrode.

상술한 바와 같이, 본 발명은 별도의 화학적인 식각 액을 사용하지 않고도 식각이 가능하므로 비용을 절감하고 오염액체를 배출하지 않으며 생산시의 공정을 줄여줌으로써 생산 시간 등을 단축할 수 있다.As described above, the present invention can be etched without the use of a separate chemical etching solution, thereby reducing the cost, do not discharge the contaminated liquid, and can shorten the production time by reducing the process during production.

또한, 본 발명은 식각전극을 사용하여 식각을 할 경우 경비의 절감 및 식각 상태를 점검하며 식각이 가능하므로 일정한 값을 유지하여 생산성의 증대 및 제품의 질적 향상을 가져올 수 있다.In addition, the present invention can reduce the cost and check the etching state when etching using the etching electrode, so that the etching can be carried out to maintain a constant value can increase the productivity and quality of the product.

또한, 본 발명은 레이져 가공과 비교하여 시각적인 변위 저감 등을 향상시킨다.
In addition, the present invention improves visual displacement reduction and the like compared to laser processing.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전도체의 식각 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전도체의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전도체의 식각 부위를 확대한 측면도이다.1 is a view for explaining the configuration of the etching apparatus of the transparent conductor according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of a transparent conductor according to an embodiment of the present invention.
3 is an enlarged side view of an etching portion of a transparent conductor according to an embodiment of the present invention.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이들 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 권리 보호 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. These embodiments are only for illustrating the present invention, and the scope of rights of the present invention is not limited by these embodiments.

이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다. 또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In this process, the thickness of the lines or the size of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of description. In addition, the terms described below are defined in consideration of the functions of the present invention, which may vary depending on the intention or custom of the user, the operator. Therefore, definitions of these terms should be made based on the contents throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전도체의 식각 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전도체의 평면도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전도체의 식각 부위를 확대한 측면도이다.1 is a view for explaining the configuration of the etching apparatus of the transparent conductor according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a plan view of a transparent conductor according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is an embodiment of the present invention An enlarged side view of an etching portion of a transparent conductor according to an example.

투명 전도체(4)는 ITO, 전도성 폴리머, 탄소튜브와 같은 투명전극(41)의 성분이 투명필름(42)에 증착 혹은 도포되어 사용되는데, 필요시에 식각을 하여야 한다.The transparent conductor 4 is used by depositing or applying a component of the transparent electrode 41 such as ITO, conductive polymer, and carbon tube to the transparent film 42, which should be etched if necessary.

본 발명의 일 실시예에서는 투명전극(41)에서 식각이 필요한 부분에 고전압을 인가하여 식각을 수행함으로써 화학적인 공해 배출을 방지하고 공정을 단축할 수 있도록 한다.In one embodiment of the present invention by applying a high voltage to the portion that needs to be etched in the transparent electrode 41 to perform the etching to prevent chemical pollution emission and shorten the process.

도 1 내지 도 3을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전도체의 식각 장치는 식각부(1)와 고전압 공급부(2)와 제어부(3)를 포함한다.1 to 3, an etching apparatus of a transparent conductor according to an embodiment of the present invention includes an etching unit 1, a high voltage supply unit 2, and a controller 3.

식각부(1)는 고전압 공급부(2)로부터 인가되는 고전압 직류와 고전압 교류 이용하여 투명전극(41)를 식각하는 식각전극(12,13)과, 제어부(3)의 제어에 의해 식각전극(12,13)을 이동시키는 이동부(11)를 포함한다.The etching unit 1 includes the etching electrodes 12 and 13 for etching the transparent electrode 41 by using the high voltage DC and the high voltage AC applied from the high voltage supply unit 2, and the etching electrode 12 under the control of the controller 3. And a moving unit 11 for moving the 13.

여기서, 식각전극(12,13)은 투명전극(41)의 식각영역에 배치되어, 고전압 인가시 식각을 위한 투명전극 간의 전기적인 고전압을 도통하게 하여 투명전극을 산화 혹은 전기적인 변형을 유도하여 식각을 수행한다.Here, the etching electrodes 12 and 13 are disposed in an etching region of the transparent electrode 41 to conduct electrical high voltages between the transparent electrodes for etching when a high voltage is applied, thereby inducing oxidation or electrical deformation of the transparent electrodes to induce etching. Do this.

이러한 식각부(1)는 제어부(3)의 제어를 받아 투명전극(41) 위를 이동하면서 식각 영역을 식각한다.The etching unit 1 etches the etching region while moving on the transparent electrode 41 under the control of the controller 3.

고전압 공급부(2)는 고전압 직류를 공급하는 고전압 직류원(21)과, 고전압 교류를 공급하는 고전압 교류원(22)과, 제어부(3)의 제어에 따라 고전압 직류를 단속하는 제1스위치(23)와, 제어부(3)의 제어에 따라 고전압 교류를 단속하는 제2스위치(24)를 포함한다.The high voltage supply unit 2 includes a high voltage DC source 21 for supplying a high voltage DC, a high voltage AC source 22 for supplying a high voltage AC, and a first switch 23 for interrupting high voltage DC under the control of the controller 3. ) And a second switch 24 for controlling high voltage alternating current under the control of the controller 3.

이러한 고전압 공급부(2)는 제어부(3)의 제어를 받아 제1스위치(23)와 제2스위치(24)의 단속에 의해 식각부(1)의 식각전극(12,13)으로 고전압 직류와 고전압 교류를 공급한다. 여기서, 고전압 공급부(2)는 고전압을 사용하되 전류는 아주 작게 사용하여 전도성 물질에만 영향을 미치도록한다.The high voltage supply unit 2 is controlled by the controller 3 to control the high voltage DC and the high voltage to the etching electrodes 12 and 13 of the etching unit 1 by the interruption of the first switch 23 and the second switch 24. Supply AC. Here, the high voltage supply unit 2 uses a high voltage but uses a very small current to affect only the conductive material.

제어부(3)는 투명전극(41)의 식각 상태에 따라 식각부(1)의 이동을 제어하여 식각영역을 조절하고, 고전압 공급부(2)의 고전압 직류와 고전압 교류의 공급을 제어한다.The controller 3 controls the etching area by controlling the movement of the etching unit 1 according to the etching state of the transparent electrode 41, and controls the supply of the high voltage DC and the high voltage AC of the high voltage supply unit 2.

이러한 제어부(3)는 투명전극의 전기적 특성을 고려하여 식각영역(411)에 따라 시간 및 고전압 값을 조정하며 식각을 수행한다.The controller 3 performs etching by adjusting time and high voltage values according to the etching region 411 in consideration of electrical characteristics of the transparent electrode.

이와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전도체의 식각 장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the etching apparatus of the transparent conductor according to an embodiment of the present invention configured as described above are as follows.

제어부(3)는 제1스위치(23)와 제2스위치(24)를 단속하여 고전압 저전류를 식각부(1)의 식각전극(12,13)에 인가하여 투명전극(41)을 식각하고, 식각부(1)의 이동부(11)를 제어하여 식각전극(12,13)의 위치를 이동하면서 전체적으로 원하는 도형으로 식각 한다.The controller 3 controls the first switch 23 and the second switch 24 to etch the transparent electrode 41 by applying a high voltage low current to the etching electrodes 12 and 13 of the etching unit 1, The moving unit 11 of the etching unit 1 is controlled to etch the desired shape as a whole while moving the positions of the etching electrodes 12 and 13.

이때, 고전압이 식각전극(12,13)에 인가되면 투명전극(41)의 저항값이 존재하는 한 전류는 흐르며 이때 투명전극(41)은 식각전극(12,13) 사이의 저항값이 무한대로 될 때까지 자동적으로 식각을 수행하며 식각전극(12,13) 간의 거리는 이동부(11)에 의해 조절이 가능하다.At this time, when a high voltage is applied to the etching electrodes 12 and 13, current flows as long as there is a resistance value of the transparent electrode 41, and at this time, the resistance between the etching electrodes 12 and 13 is infinite. Etching is performed automatically until the distance between the etching electrodes 12 and 13 can be adjusted by the moving unit 11.

도형의 설정은 기구물의 형태에 맞도록 식각전극(12,13)을 모양별로 구성하고, 제어부(3)로 제어에 의해 식각전극(12,13)의 간격을 조절하면서 식각을 수행한다.In the setting of the figure, the etching electrodes 12 and 13 are configured by shapes to match the shape of the apparatus, and the etching is performed by controlling the distance between the etching electrodes 12 and 13 by controlling by the controller 3.

즉, 식각을 위한 전도체 간에 전기적인 고전압을 도통하게 하여 전도체를 산화 혹은 전기적인 변형을 유도하여 식각을 수행함으로써 가시적으로도 변화량을 적게하고 공정의 단축 및 일률적인 식각이 이루어지도록 한다.In other words, by conducting the electrical high voltage between the conductors for etching to induce the oxidation or electrical deformation of the conductor to perform the etching to reduce the amount of visible changes, shorten the process and uniform etching.

이와 같이 본 발명은 별도의 화학적인 식각 액을 사용하지 않고도 식각이 가능하므로 비용을 절감하고 오염액체를 배출하지 않으며 생산시의 공정을 줄여줌으로써 생산 시간 등을 단축할 수 있다.As described above, the present invention can be etched without using a separate chemical etching solution, thereby reducing the cost, discharging contaminated liquid, and shortening the production time by reducing the production process.

또한, 본 발명은 식각전극을 사용하여 식각을 할 경우 경비의 절감 및 식각 상태를 점검하며 식각이 가능하므로 일정한 값을 유지하여 생산성의 증대 및 제품의 질적 향상을 가져올 수 있다.In addition, the present invention can reduce the cost and check the etching state when etching using the etching electrode, so that the etching can be carried out to maintain a constant value can increase the productivity and quality of the product.

또한, 본 발명은 레이져 가공과 비교하여 시각적인 변위 저감 등을 향상시킨다.In addition, the present invention improves visual displacement reduction and the like compared to laser processing.

상술한 바와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It is understandable. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the claims below.

1 : 식각부 2 : 고전압 공급부
3 : 제어부 4 : 투명 전도체
11 : 이동부 12, 13 : 식각전극
21 : 고전압 직류원 22 : 고전압 교류원
23 : 제1스위치 24 : 제2스위치
41 : 투명전극 42 : 투명필름
61, 71 : 전기불출부 411 : 식각영역1: etching part 2: high voltage supply part
3: control unit 4: transparent conductor
11: moving part 12, 13: etching electrode
21: high voltage DC source 22: high voltage AC source
23: first switch 24: second switch
41: transparent electrode 42: transparent film
61, 71: electrical discharge part 411: etching area

Claims (4)

투명 전도체를 식각하기 위한 식각전극을 갖는 식각부;
상기 식각부로 고전압 직류와 고전압 교류를 공급하는 고전압 공급부; 및
상기 식각부의 이동을 제어하여 식각영역을 조절하고, 상기 고전압 공급부의 고전압 직류와 고전압 교류의 공급을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전도체의 식각 장치.
An etching unit having an etching electrode for etching the transparent conductor;
A high voltage supply unit supplying high voltage DC and high voltage AC to the etching unit; And
And controlling the movement of the etching unit to adjust the etching region, and controlling the supply of the high voltage DC and the high voltage AC of the high voltage supply unit.
제 1 항에 있어서, 상기 식각부는
상기 고전압 공급부로부터 인가되는 고전압 직류와 고전압 교류 이용하여 상기 투명 전도체를 식각하는 식각전극; 및
상기 제어부의 제어에 의해 상기 식각전극을 이동시키는 이동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전도체의 식각 장치.
The method of claim 1, wherein the etching portion
An etching electrode for etching the transparent conductor using a high voltage DC and a high voltage AC applied from the high voltage supply part; And
And a moving unit which moves the etching electrode under the control of the controller.
제 1 항에 있어서, 상기 고전압 공급부는
상기 고전압 직류를 공급하는 고전압 직류원;
상기 고전압 교류를 공급하는 고전압 교류원;
상기 제어부의 제어에 따라 상기 고전압 직류를 단속하는 제1스위치; 및
상기 제어부의 제어에 따라 상기 고전압 교류를 단속하는 제2스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전도체의 식각 장치.
The method of claim 1, wherein the high voltage supply unit
A high voltage direct current source supplying the high voltage direct current;
A high voltage AC source for supplying the high voltage AC;
A first switch for controlling the high voltage direct current under control of the controller; And
And a second switch for controlling the high voltage alternating current under control of the controller.
제 1 항에 있어서, 상기 제어부는
상기 투명 전도체의 식각 상태에 따라 상기 식각부를 이동시켜 식각영역을 조절하는 것을 특징으로 하는 투명 전도체의 식각 장치.

The apparatus of claim 1, wherein the control unit
Etching apparatus of the transparent conductor, characterized in that for controlling the etching area by moving the etching unit in accordance with the etching state of the transparent conductor.

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