KR101109919B1 - 플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 - Google Patents

Abstract

인접하는 방전셀 사이의 크로스토크를 저감하여 유지 방전을 안정하게 발생시킨다. 이를 위해, 주사 전극과 유지 전극의 위치 관계가 표시 전극쌍마다 교환되도록 주사 전극 및 유지 전극이 배열된 플라즈마 디스플레이 패널과, 화상 신호를 방전셀에 있어서의 서브필드마다의 발광ㆍ비발광을 나타내는 화상 데이터로 변환하는 화상 신호 처리 회로(41)를 구비하고, 주사 전극끼리 이웃하여 인접하는 2개의 방전셀에 있어서, 1필드를 구성하는 복수의 서브필드 중 하나의 서브필드에서 한쪽의 방전셀이 발광이 되고, 또한 다른 쪽의 방전셀이 비발광이 됨과 아울러, 동일 필드에 있어서의 상기 하나의 서브필드 이후의 서브필드에서 한쪽의 방전셀이 비발광이 되고, 또한 다른 쪽의 방전셀이 발광이 되는 화상 데이터의 조합이 발생하지 않도록 화상 데이터를 생성한다.

Description

플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법{PLASMA DISPLAY DEVICE AND DRIVE METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL}

본 발명은 벽걸이 텔레비전이나 대형 모니터에 이용되는 플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 관한 것이다.

플라즈마 디스플레이 패널(이하, 「패널」이라고 약기함)로서 대표적인 교류면 방전형 패널은 대향 배치된 전면판과 배면판 사이에 다수의 방전셀이 형성되어 있다. 전면판은 1쌍의 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍이 전면 유리 기판상에 서로 평행하게 복수 쌍 형성되어 있다. 그리고, 그들 표시 전극쌍을 덮도록 유전체층 및 보호층이 형성되어 있다. 배면판은, 배면 유리 기판상에 복수의 평행한 데이터 전극이 형성되고, 그들 데이터 전극을 덮도록 유전체층이 형성되고, 또한 그 위에 데이터 전극과 평행하게 복수의 격벽이 형성되어 있다. 그리고, 유전체층의 표면과 격벽의 측면에 형광체층이 형성되어 있다. 그리고, 표시 전극쌍과 데이터 전극이 입체 교차하도록 전면판과 배면판이 대향 배치되어 밀봉되어 있다. 밀봉된 내부의 방전 공간에는, 예컨대 분압비 5%의 제논을 포함하는 방전 가스가 봉입되어 있다. 여기서 표시 전극쌍과 데이터 전극이 대향하는 부분에 방전셀이 형성된다. 이러한 구성의 패널에 있어서, 각 방전셀 내에서 가스 방전에 의해 자외선을 발생시키고, 이 자외선으로 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 각 색의 형광체를 여기 발광시켜 컬러 표시를 행하고 있다.

패널을 구동하는 방법으로서는 일반적으로 서브필드법이 이용되고 있다(예컨대, 특허 문헌 1 참조). 서브필드법에서는, 1필드를 복수의 서브필드로 분할하고, 각각의 서브필드에서 각 방전셀을 발광 또는 비발광시킴으로써 계조 표시를 행한다. 각 서브필드는, 초기화 기간, 기입 기간 및 유지 기간을 갖는다.

초기화 기간에는, 각 주사 전극에 초기화 파형을 인가하여, 각 방전셀에서 초기화 방전을 발생시킨다. 그에 따라, 각 방전셀에 있어서, 다음 기입 동작을 위해 필요한 벽전하를 형성한다.

기입 기간에는, 주사 전극에 순차적으로 주사 펄스를 인가(이하, 이 동작을 「주사」라고도 적음)함과 아울러, 데이터 전극에는 표시해야 할 화상 신호에 대응한 기입 펄스를 인가한다(이하, 이들 동작을 총칭하여 「기입」이라고도 적음). 그에 따라, 주사 전극과 데이터 전극 사이에서 선택적으로 기입 방전을 발생시켜, 선택적으로 벽전하를 형성한다.

다음 유지 기간에는, 표시시켜야 할 휘도에 따른 소정수의 유지 펄스를 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍에 교대로 인가한다. 그에 따라, 기입 방전에 의한 벽전하 형성이 행해진 방전셀에서 선택적으로 유지 방전을 일으켜, 그 방전셀을 발광시킨다. 이에 따라 화상 표시를 행한다.

그리고, 복수의 주사 전극은 주사 전극 구동 회로에 의해 구동되고, 복수의 유지 전극은 유지 전극 구동 회로에 의해 구동되고, 복수의 데이터 전극은 데이터 전극 구동 회로에 의해 구동된다.

또한, 표시 전극쌍을 구성하는 주사 전극과 유지 전극을 표시 전극쌍마다 교대로 교번하여 배열한 플라즈마 디스플레이 장치가 제안되어 있다(예컨대, 특허 문헌 2 참조).

최근에는, 패널의 화면이 커지고, 해상도가 증가하여, 그에 따라 패널에 있어서의 전극간 용량이 증대되고 있다. 전극간 용량의 증대는, 패널을 구동할 때에 발광에 기여하지 못하고 효과적이지 못하게 소비되는 무효 전력을 증대시키므로, 소비 전력을 증가시키는 한 원인이 된다. 그리고, 상술한 특허 문헌 2에 개시되어 있는 전극 구조를 갖는 패널에서는, 유지 기간에 있어서의 유지 동작시에, 인접하는 방전셀 사이에서 전압이 서로 같은 위상으로 변화될 수 있으므로, 무효 전력의 삭감을 도모할 수 있다.

그러나, 특허 문헌 2에 기재되어 있는 전극 구조를 갖는 패널에서는, 주사 전극끼리 이웃하여 인접하는 방전셀 사이에서, 한쪽의 방전셀로부터 다른 쪽의 방전셀로 전하가 이동하는 현상(이하, 이러한 현상을 「크로스토크」라고 호칭함)이 발생하고, 이 크로스토크에 기인하는 이상한 유지 방전이 발생하는 경우가 있는 것을 알았다. 그리고, 그와 같은 이상한 유지 방전은 화상 표시 품질을 열화시켜버린다.

(선행 기술 문헌)

(특허 문헌)

(특허 문헌 1) 일본 특허 공개 공보 제 2006-18298 호

(특허 문헌 2) 일본 특허 공개 공보 평 8-212933 호

본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는, 초기화 기간과 기입 기간과 유지 기간을 갖는 서브필드를 1필드 내에 복수 마련하는 서브필드법에 의해 구동되고, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전셀을 복수 구비함과 아울러, 주사 전극과 유지 전극의 위치 관계가 표시 전극쌍마다 교번하도록 주사 전극 및 유지 전극이 배열된 패널과, 화상 신호를 방전셀에 있어서의 서브필드마다의 발광ㆍ비발광을 나타내는 화상 데이터로 변환하는 화상 신호 처리 회로를 구비하고, 화상 신호 처리 회로는, 인접하는 2개의 방전셀에 있어서, 1필드를 구성하는 복수의 서브필드 중 하나의 서브필드에서 한쪽의 방전셀이 발광이 되고, 또한 다른 쪽의 방전셀이 비발광이 됨과 아울러, 동일 필드에 있어서의 하나의 서브필드 이후의 서브필드에서 한쪽의 방전셀이 비발광이 되고, 또한 다른 쪽의 방전셀이 발광이 되는 화상 데이터의 조합이 발생하지 않도록 화상 데이터를 생성하는 것을 특징으로 한다.

이에 따라, 주사 전극과 유지 전극의 위치 관계가 표시 전극쌍마다 교번하도록 주사 전극 및 유지 전극이 배열된 패널에 있어서, 인접하는 방전셀 사이의 크로스토크를 저감할 수 있으므로, 유지 방전을 안정하게 발생시켜, 화상 표시 품질을 향상시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널의 구조를 나타내는 분해 사시도이다.
도 2는 동 패널의 전극 배열도이다.
도 3은 동 패널의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형도이다.
도 4는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 회로 블록도이다.
도 5는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 화상 신호 처리 회로의 구성의 일례를 나타내는 회로 블록도이다.
도 6(a)는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 표시용 계조와 각 계조치에 있어서의 코딩 데이터가 관련된 코딩 테이블의 일례를 나타낸 도면이다.
도 6(b)는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 표시용 계조와 각 계조치에 있어서의 코딩 데이터가 관련된 코딩 테이블의 일례를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 주사 전극, 유지 전극 및 데이터 전극의 배열과 방전셀의 관계를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 8(a)는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 인접하는 방전셀 사이에 크로스토크가 발생하기 쉬운 화상 데이터의 조합의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8(b)는 동 인접하는 방전셀 사이에 크로스토크가 발생하기 쉬운 화상 데이터의 조합의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8(c)는 동 인접하는 방전셀 사이에 크로스토크가 발생하기 쉬운 화상 데이터의 조합의 일례를 나타내는 도면이다.
도 9(a)는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 크로스토크 발생 조건을 회피하도록 화상 데이터를 변경하는 일례를 나타내는 도면이다.
도 9(b)는 동 크로스토크 발생 조건을 회피하도록 화상 데이터를 변경하는 일례를 나타내는 도면이다.
도 10은 동 크로스토크 발생 조건을 회피하도록 화상 데이터를 변경하는 일례를 나타내는 도면이다.
도 11(a)는 동 크로스토크 발생 조건을 회피하도록 화상 데이터를 변경하는 또 다른 일례를 나타내는 도면이다.
도 11(b)는 동 크로스토크 발생 조건을 회피하도록 화상 데이터를 변경하는 또 다른 일례를 나타내는 도면이다.
도 12(a)는 동 크로스토크 발생 조건을 회피하도록 화상 데이터를 변경하는 또 다른 일례를 나타내는 도면이다.
도 12(b)는 동 크로스토크 발생 조건을 회피하도록 화상 데이터를 변경하는 또 다른 일례를 나타내는 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 화상 신호 처리 회로의 구성의 다른 일례를 나타내는 회로 블록도이다.
도 14는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 크로스토크 발생 조건을 회피하도록 화상 데이터를 변경할 때의 또 다른 일례를 나타내는 도면이다.
도 15는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 화상 신호 처리 회로의 구성의 일례를 나타내는 회로 블록도이다.
도 16은 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 표시용 계조와 각 계조치에 있어서의 코딩 데이터가 관련된 제 2 코딩 테이블의 일례를 나타낸 도면이다.
도 17은 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 화상 신호 처리 회로의 구성의 다른 일례를 나타내는 회로 블록도이다.
도 18은 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 화상 신호 처리 회로의 구성의 일례를 나타내는 회로 블록도이다.
도 19(a)는 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 디더 처리(dither processing)의 일례를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 19(b)는 동 디더 처리의 일례를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 19(c)는 동 디더 처리의 일례를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 20(a)는 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 디더 처리를 변경할 때의 일례를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 20(b)는 동 디더 처리를 변경할 때의 일례를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 20(c)는 동 디더 처리를 변경할 때의 일례를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 21(a)는 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 디더 처리의 다른 일례를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 21(b)는 동 디더 처리의 다른 일례를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 22(a)는 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 디더 처리의 또 다른 일례를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 22(b)는 동 디더 처리의 또 다른 일례를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 23(a)는 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 디더 처리의 또 다른 일례를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 23(b)는 동 디더 처리의 또 다른 일례를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 23(c)는 동 디더 처리의 또 다른 일례를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 24(a)는 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 디더 처리의 또 다른 일례를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 24(b)는 동 디더 처리의 또 다른 일례를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 25는 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 화상 신호 처리 회로의 구성의 다른 일례를 나타내는 회로 블록도이다.
도 26은 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 화상 신호 처리 회로의 구성의 또 다른 일례를 나타내는 회로 블록도이다.

이하, 본 발명의 실시의 형태에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에 대하여 도면을 이용하여 설명한다.

(실시의 형태 1)

도 1은 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널(10)의 구조를 나타내는 분해 사시도이다. 유리제의 전면판(21) 위에는, 주사 전극(22)과 유지 전극(23)으로 이루어지는 표시 전극쌍(24)이 복수 형성되어 있다. 그리고 주사 전극(22)과 유지 전극(23)을 덮도록 유전체층(25)이 형성되고, 그 유전체층(25) 위에 보호층(26)이 형성되어 있다.

또한, 보호층(26)은, 방전셀에 있어서의 방전 개시 전압을 내리기 위해, 패널의 재료로서 사용 실적이 있고, 네온(Ne) 및 제논(Xe) 가스를 봉입한 경우에 2차 전자 방출 계수가 커 내구성이 우수한 MgO를 주성분으로 하는 재료로 형성되어 있다.

배면판(31) 위에는 데이터 전극(32)이 복수 형성되어 있다. 그리고, 데이터 전극(32)을 덮도록 유전체층(33)이 형성되어 있다. 그리고, 또 그 위에 우물 정(井) 형상의 격벽(34)이 형성되어 있다. 그리고, 격벽(34)의 측면 및 유전체층(33) 위에는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 각 색으로 발광하는 형광체층(35)이 마련되어 있다.

이들 전면판(21)과 배면판(31)은, 미소한 방전 공간을 사이에 두고 표시 전극쌍(24)과 데이터 전극(32)이 교차하도록 대향 배치되어 있다. 그리고, 그 외주부가 유리 프릿(glass frit) 등의 봉착재에 의해 봉착되어 있다. 그리고, 그 내부의 방전 공간에는, 네온과 제논의 혼합 가스가 방전 가스로서 봉입되어 있다. 또, 본 실시의 형태에서는, 발광 효율을 향상시키기 위해 제논 분압을 약 10%로 한 방전 가스를 이용하고 있다. 방전 공간은 격벽(34)에 의해 복수의 구획으로 분할되어 있고, 표시 전극쌍(24)과 데이터 전극(32)이 교차하는 부분에 방전셀이 형성되어 있다. 그리고 이들 방전셀이 방전, 발광함으로써 화상이 표시된다.

또, 패널(10)의 구조는 상술한 것에 한정되는 것이 아니고, 예컨대 스트라이프 형상의 격벽을 구비한 것이더라도 좋다. 또한, 방전 가스의 혼합 비율도 상술한 수치에 한정되는 것이 아니고, 그 밖의 혼합 비율이더라도 좋다.

도 2는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널(10)의 전극 배열도이다. 패널(10)에는, 행 방향으로 긴 n개의 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn(도 1의 주사 전극(22)) 및 n개의 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn(도 1의 유지 전극(23))이 배열되어 있다. 그리고, 열 방향으로 긴 m개의 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm(도 1의 데이터 전극(32))이 배열되어 있다. 그리고, 1쌍의 주사 전극 SCi(i=1~n) 및 유지 전극 SUi와 하나의 데이터 전극 Dj(j=1~m)가 교차한 부분에 방전셀이 형성되어 있다. 따라서, 방전셀은 방전 공간 내에 m×n개 형성되어 있다. 그리고, m×n개의 방전셀이 형성된 영역이 패널(10)의 표시 영역이 된다.

또한, 패널(10)에 있어서는, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn의 위치 관계가 표시 전극쌍(24)마다 교번하도록 배열하고 있다. 구체적으로는, …-주사 전극-주사 전극-유지 전극-유지 전극-주사 전극-주사 전극-유지 전극-유지 전극-…이 되도록 배열하고 있다(이하, 이러한 전극 배열을 「ABBA 전극 구조」라고 호칭한다. 또, 비교를 위해, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn의 위치 관계가 표시 전극쌍(24)마다 변화되지 않고, …-주사 전극-유지 전극-주사 전극-유지 전극-…으로 배열된 전극 구조를 「ABAB 전극 구조」라고 호칭한다).

그리고, 도 1, 도 2에 나타낸 바와 같이, 주사 전극 SCi와 유지 전극 SUi는 서로 평행하게 쌍을 이루어 형성되어 있다. 그 때문에, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 사이에 전극간 용량 Cp가 존재한다. 그러나, 본 실시의 형태에서는, 패널(10)을 ABBA 전극 구조로 하고 있으므로, 유지 기간에 있어서의 유지 동작시에 인접하는 방전셀 사이에서 전압이 서로 같은 위상으로 변화될 수 있다. 이에 따라, 패널(10)을 구동할 때의 무효 전력을 삭감할 수 있다.

다음으로, 패널(10)을 구동하기 위한 구동 전압 파형과 그 동작의 개요에 대하여 도 3을 이용하여 설명한다. 또, 본 실시의 형태에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치는, 서브필드법에 의해 패널(10)을 구동하는 것으로 한다. 이 서브필드법에서는, 1필드를 시간축상에서 복수의 서브필드로 분할하고, 각 서브필드에 휘도 가중치를 각각 설정한다. 그리고, 서브필드마다 각 방전셀의 발광ㆍ비발광을 제어함으로써 계조 표시를 행한다.

이 서브필드법에서는, 예컨대, 1필드를 8서브필드(제 1 SF, 제 2 SF, …, 제 8 SF)로 구성하고, 각 서브필드는 각각, 예컨대 (1, 2, 4, 8, 16, 30, 57, 108)의 휘도 가중치를 갖는 구성으로 할 수 있다. 그리고, 각 서브필드에서는, 이 휘도 가중치에, 미리 설정된 휘도 배율을 곱한 수의 유지 펄스를 발생시킨다. 이에 따라, 유지 기간에 있어서의 발광의 횟수를 제어하여 화상의 밝기를 조정한다. 또한, 복수의 서브필드 중, 하나의 서브필드의 초기화 기간에 있어서는 모든 방전셀에 초기화 방전을 발생시키는 전체 셀 초기화 동작을 행하고, 다른 서브필드의 초기화 기간에 있어서는 직전의 서브필드에서 유지 방전을 행한 방전셀에 대하여 선택적으로 초기화 방전을 발생시키는 선택 초기화 동작을 행한다. 이렇게 함으로써, 계조 표시에 관계하지 않는 발광을 최대한 삭감하여 콘트라스트비를 향상시키는 것이 가능하다.

그리고, 본 실시의 형태에서는, 제 1 SF의 초기화 기간에는 전체 셀 초기화 동작을 행하고, 제 2 SF~제 8 SF의 초기화 기간에는 선택 초기화 동작을 행하는 것으로 한다. 이에 따라, 화상의 표시에 관계가 없는 발광은 제 1 SF에서의 전체 셀 초기화 동작의 방전에 동반하는 발광만이 된다. 따라서, 유지 방전을 발생시키지 않는 흑표시 영역의 휘도인 흑휘도는 전체 셀 초기화 동작에 있어서의 미약발광만이 되어, 콘트라스트가 높은 화상 표시가 가능해진다. 또한, 각 서브필드의 유지 기간에 있어서는, 각각의 서브필드의 휘도 가중치에 소정의 휘도 배율을 곱한 수의 유지 펄스를 표시 전극쌍(24)의 각각에 인가한다.

또, 본 발명은, 서브필드수나 각 서브필드의 휘도 가중치가, 본 실시의 형태에 나타내는 상기의 값에 한정되는 것이 아니다. 또한, 휘도 가중치가 오름차순으로 배열된 서브필드 구성에 한정되는 것도 아니다. 예컨대, 휘도 가중치가 내림차순으로 배열된 서브필드 구성이더라도 좋다. 혹은, 휘도 가중치가 오름차순이 된 서브필드와 휘도 가중치가 내림차순이 된 서브필드가 교대로 배열된 서브필드 구성이더라도 좋다. 또한, 화상 신호 등에 근거하여 서브필드 구성을 전환하는 구성이더라도 좋다.

도 3은 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널(10)의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형도이다.

또, 도 3에는, 기입 기간에 있어서 최초로 주사를 행하는 주사 전극 SC1, 기입 기간에 있어서 최후로 주사를 행하는 주사 전극 SCn(예컨대, 주사 전극 SC1080), 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn, 및 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm의 구동 파형을 나타낸다.

또한, 도 3에는, 2개의 서브필드의 구동 전압 파형을 나타낸다. 즉 전체 셀 초기화 동작을 행하는 서브필드(「전체 셀 초기화 서브필드」라고 호칭함)의 제 1 서브필드(제 1 SF)와, 선택 초기화 동작을 행하는 서브필드(「선택 초기화 서브필드」라고 호칭함)의 제 2 서브필드(제 2 SF)를 도 3에 나타낸다. 또, 다른 서브필드에 있어서의 구동 전압 파형은, 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생수가 다른 것 외에는 제 2 SF의 구동 전압 파형과 거의 같다. 또한, 이하에 있어서의 주사 전극 SCi, 유지 전극 SUi, 데이터 전극 Dk는, 각 전극 중에서 화상 데이터에 근거하여 선택된 전극을 나타낸다.

우선, 전체 셀 초기화 서브필드인 제 1 SF에 대하여 설명한다.

제 1 SF의 초기화 기간 전반부에는, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 각각 0(V)을 인가한다. 그리고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에는, 0(V)으로부터 전압 Vi1을 인가하고, 또한 전압 Vi1로부터, 전압 Vi2를 향하여 완만하게 상승하는 경사 파형 전압(이하, 「상승 램프 파형」이라고 호칭함) L1을 인가한다. 이 전압 Vi1은 방전 개시 전압 이하의 전압이며, 전압 Vi2는 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 대하여 방전 개시 전압을 넘는 전압이다.

이 상승 램프 파형 L1이 상승하는 동안에, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 사이, 및 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 사이에서 각각 미약한 초기화 방전이 지속하여 일어난다. 그리고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn 상부에 부(負)의 벽전압이 축적됨과 아울러, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 상부 및 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 상부에는 정(正)의 벽전압이 축적된다. 이 전극 상부의 벽전압이란, 전극을 덮는 유전체층상, 보호층상, 형광체층상 등에 축적된 벽전하에 의해 생기는 전압을 나타낸다.

초기화 기간 후반부에는, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에는 정의 전압 Ve1을 인가하고, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에는 0(V)을 인가한다. 그리고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에는, 전압 Vi3으로부터 부의 전압 Vi4를 향하여 완만하게 하강하는 하강 경사 파형 전압(이하, 「하강 램프 파형」이라고 호칭함) L2를 인가한다. 이 전압 Vi3은 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 대하여 방전 개시 전압 이하가 되는 전압이며, 전압 Vi4는 방전 개시 전압을 넘는 전압이다.

이 동안에, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 사이, 및 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 사이에서 각각 미약한 초기화 방전이 일어난다. 그리고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn 상부의 부의 벽전압 및 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 상부의 정의 벽전압이 약해진다. 그리고, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 상부의 정의 벽전압은 기입 동작에 적합한 값으로 조정된다. 이상에 따라, 모든 방전셀에 대하여 초기화 방전을 행하는 전체 셀 초기화 동작이 종료된다.

계속되는 기입 기간에는, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 대해서는 순차적으로 주사 펄스 전압을 인가하고, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 대해서는 발광시켜야 할 방전셀에 대응하는 데이터 전극 Dk(k=1~m)에 정의 기입 펄스 전압 Vd를 인가한다. 이렇게 하여, 각 방전셀에 선택적으로 기입 방전을 발생시킨다.

이 기입 기간에는, 우선 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 전압 Ve2를 인가하고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 전압 Vc(Vc=Va+Vscn)를 인가한다.

그리고, 1행째의 주사 전극 SC1에 부의 주사 펄스 전압 Va를 인가함과 아울러, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 중 1행째에 발광시켜야 할 방전셀의 데이터 전극 Dk(k=1~m)에 정의 기입 펄스 전압 Vd를 인가한다. 이 때 데이터 전극 Dk상과 주사 전극 SC1상의 교차부의 전압 차이는, 외부 인가 전압의 차이 (Vd-Va)에 데이터 전극 Dk상의 벽전압과 주사 전극 SC1상의 벽전압의 차이가 가산된 것이 되어 방전 개시 전압을 넘는다. 이에 따라, 데이터 전극 Dk와 주사 전극 SC1 사이에 방전이 발생한다. 또한, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 전압 Ve2를 인가하고 있으므로, 유지 전극 SU1상과 주사 전극 SC1상의 전압 차이는, 외부 인가 전압의 차이인 (Ve2-Va)에 유지 전극 SU1상의 벽전압과 주사 전극 SC1상의 벽전압의 차이가 가산된 것이 된다. 이때, 전압 Ve2를, 방전 개시 전압을 약간 하회하는 정도의 전압치로 설정함으로써, 유지 전극 SU1과 주사 전극 SC1 사이를, 방전에는 이르지 않지만 방전이 발생하기 쉬운 상태로 할 수 있다. 이에 따라, 데이터 전극 Dk와 주사 전극 SC1 사이에 발생하는 방전을 계기로 하여, 데이터 전극 Dk와 교차하는 영역에 있는 유지 전극 SU1과 주사 전극 SC1 사이에 방전을 발생시킬 수 있다. 이렇게 하여, 발광시켜야 할 방전셀에 기입 방전이 일어난다. 그리고, 주사 전극 SC1상에 정의 벽전압이 축적되고, 유지 전극 SU1상에 부의 벽전압이 축적되고, 데이터 전극 Dk상에도 부의 벽전압이 축적된다.

이렇게 하여, 1행째에 발광시켜야 할 방전셀에서 기입 방전을 일으켜 각 전극상에 벽전압을 축적하는 기입 동작을 행한다. 한편, 기입 펄스 전압 Vd를 인가하지 않은 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm과 주사 전극 SC1의 교차부의 전압은 방전 개시 전압을 넘지 않으므로, 기입 방전은 발생하지 않는다. 이상의 기입 동작을 n행째의 방전셀에 이를 때까지 순차적으로 행하여, 기입 기간이 종료된다.

계속되는 유지 기간에는, 휘도 가중치에 소정의 휘도 배율을 곱한 수의 유지 펄스를 표시 전극쌍(24)에 교대로 인가하여, 기입 방전이 발생한 방전셀에서 유지 방전을 발생시켜, 그 방전셀을 발광시킨다.

이 유지 기간에는, 우선 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 정의 유지 펄스 전압 Vs를 인가함과 아울러 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 베이스 전위가 되는 접지 전위, 즉 0(V)을 인가한다. 그러면 기입 방전을 일으킨 방전셀에서는, 주사 전극 SCi상과 유지 전극 SUi상의 전압 차이가 방전 개시 전압을 넘는다. 이것은, 유지 펄스 전압 Vs에 주사 전극 SCi상의 벽전압과 유지 전극 SUi상의 벽전압의 차이가 가산되기 때문이다.

그리고, 주사 전극 SCi와 유지 전극 SUi 사이에 유지 방전이 일어나고, 이때 발생한 자외선에 의해 형광체층(35)이 발광한다. 그리고 주사 전극 SCi상에 부의 벽전압이 축적되고, 유지 전극 SUi상에 정의 벽전압이 축적된다. 또한 데이터 전극 Dk상에도 정의 벽전압이 축적된다. 기입 기간에 있어서 기입 방전이 일어나지 않은 방전셀에서는 유지 방전은 발생하지 않고, 초기화 기간의 종료시에 있어서의 벽전압이 유지된다.

계속해서, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에는 베이스 전위가 되는 0(V)을 인가하고, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에는 유지 펄스 전압 Vs를 인가한다. 그러면, 유지 방전을 일으킨 방전셀에서는, 유지 전극 SUi상과 주사 전극 SCi상의 전압 차이가 방전 개시 전압을 넘는다. 이에 따라 다시 유지 전극 SUi와 주사 전극 SCi 사이에 유지 방전이 일어난다. 그리고, 유지 전극 SUi상에 부의 벽전압이 축적되고 주사 전극 SCi상에 정의 벽전압이 축적된다. 이후 마찬가지로, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 휘도 가중치에 휘도 배율을 곱한 수의 유지 펄스를 교대로 인가하여, 표시 전극쌍(24)의 전극 사이에 전위차를 준다. 이렇게 함에 따라, 기입 기간에 있어서 기입 방전을 일으킨 방전셀에서 유지 방전이 계속하여 행해진다.

그리고, 유지 기간의 최후에는, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn을 0(V)으로 되돌린 후, 베이스 전위가 되는 0(V)으로부터 방전 개시 전압을 넘는 전압 Vers를 향하여 상승하는 경사 파형 전압(이하, 「소거 램프 파형」이라고 호칭함) L3을 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가한다. 그러면, 유지 방전을 일으킨 방전셀의 유지 전극 SUi와 주사 전극 SCi 사이에서 미약한 방전(이하, 「소거 방전」이라고 호칭함)이 발생한다. 이 소거 방전으로 발생한 하전(荷電) 입자는, 유지 전극 SUi와 주사 전극 SCi 사이의 전압 차이를 완화하도록, 유지 전극 SUi상 및 주사 전극 SCi상에 벽전하가 되어 축적되어 간다. 이에 따라, 데이터 전극 Dk상의 정의 벽전하를 남긴 채로, 주사 전극 SCi 및 유지 전극 SUi상의 벽전압은, 주사 전극 SCi에 인가한 전압과 방전 개시 전압의 차이, 즉 (전압 Vers-방전 개시 전압)의 정도까지 약해진다.

그 후, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn을 0(V)으로 되돌려, 유지 기간에 있어서의 유지 동작이 종료된다.

제 2 SF의 초기화 기간에는, 제 1 SF에서의 초기화 기간의 전반부를 생략한 구동 전압 파형을 각 전극에 인가한다. 즉, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 전압 Ve1을 인가하고, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 0(V)을 인가한다. 그리고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 방전 개시 전압 이하가 되는 전압(예컨대, 0(V))으로부터 부의 전압 Vi4를 향하여 완만하게 하강하는 하강 램프 파형 L4를 인가한다.

이에 따라 직전의 서브필드(도 3에서는, 제 1 SF)의 유지 기간에 유지 방전을 일으킨 방전셀에서는 미약한 초기화 방전이 발생한다. 그리고, 주사 전극 SCi 상부 및 유지 전극 SUi 상부의 벽전압이 약해지고, 데이터 전극 Dk(k=1~m) 상부의 벽전압도 기입 동작에 적합한 값으로 조정된다. 한편, 이전의 서브필드에서 유지 방전이 일어나지 않은 방전셀은 방전하지 않고, 이전의 서브필드의 초기화 기간 종료시에 있어서의 벽전하의 상태가 그대로 유지된다. 이와 같이 제 2 SF에서의 초기화 동작은, 직전의 서브필드의 유지 기간에 유지 동작을 행한 방전셀에 대하여 초기화 방전을 행하는 선택 초기화 동작이 된다.

제 2 SF의 기입 기간에 있어서는, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 및 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 대하여 제 1 SF의 기입 기간과 같은 구동 파형을 인가한다.

제 2 SF의 유지 기간에 있어서는, 제 1 SF의 유지 기간과 마찬가지로, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 미리 정해진 수의 유지 펄스를 교대로 인가한다. 이에 따라, 기입 기간에 있어서 기입 방전을 발생시킨 방전셀에서 유지 방전을 발생시킨다.

또한, 제 3 SF 이후의 서브필드에서는, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 및 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 대하여, 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생수가 다른 것 외에는 제 2 SF와 같은 구동 파형을 인가한다.

이상이, 패널(10)의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형의 개요이다.

또, 본 실시의 형태에서는, 상술한 바와 같이, 패널(10)을 ABBA 전극 구조로 하고 있다. 그 때문에, 인접하는 방전셀에서는, 주사 전극(22)과 주사 전극(22)이 이웃하고, 유지 전극(23)과 유지 전극(23)이 이웃한다. 따라서, 인접하는 방전셀 사이에서, 유지 펄스 전압이 서로 같은 위상으로 변화될 수 있어, 무효 전력을 삭감할 수 있다. 예컨대, ABAB 전극 구조를 갖는 패널을 구동하는 경우와 비교하여, 무효 전력을 약 25% 삭감할 수 있는 것이 확인되었다.

다음으로, 본 실시의 형태에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 구성에 대하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치(1)의 회로 블록도이다. 플라즈마 디스플레이 장치(1)는, 패널(10), 화상 신호 처리 회로(41), 데이터 전극 구동 회로(42), 주사 전극 구동 회로(43), 유지 전극 구동 회로(44), 타이밍 발생 회로(45) 및 각 회로 블록에 필요한 전원을 공급하는 전원 회로(도시하지 않음)를 구비하고 있다.

화상 신호 처리 회로(41)는, 미리 설정된 서브필드 구성(이 필드 구성은, 1필드의 서브필드수 및 각 서브필드의 휘도 가중치이다)과, 플라즈마 디스플레이 장치(1)에 있어서 설정된 최소 계조치(예컨대, 「0」)로부터 최대 계조치(예컨대, 「226」)까지의 계조치와, 각 계조치의 각각에 설정된 코딩 데이터(각 서브필드에 있어서의 발광ㆍ비발광을 나타내는 데이터)가 서로 관련되어 정리된 데이터군(이하, 「코딩 테이블」이라고 적음)을 갖는다. 그리고, 그 코딩 테이블에 근거하여, 패널(10)의 화소수에 따라, 입력된 화상 신호 sig를 방전셀에 있어서의 서브필드마다의 발광ㆍ비발광을 나타내는 화상 데이터로 변환한다. 또, 본 실시의 형태에 있어서의 화상 신호 처리 회로(41)는, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀의 화상 데이터가, 소정의 조건에 합치할 때에, 화상 데이터를 변경하는 처리를 행한다. 즉, 인접하는 2개의 방전셀에 있어서, 1필드를 구성하는 복수의 서브필드 중 하나의 서브필드에서 한쪽의 방전셀이 발광이 되고, 또한 다른 쪽의 방전셀이 비발광이 됨과 아울러, 동일 필드에 있어서의 하나의 서브필드 이후의 서브필드에서 한쪽의 방전셀이 비발광이 되고, 또한 다른 쪽의 방전셀이 발광이 되는 화상 데이터의 조합이 발생하지 않도록 화상 데이터를 생성한다. 이에 따라, 본 실시의 형태에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치(1)에서는, 인접하는 방전셀 사이에서의 크로스토크를 저감하여 이상한 유지 방전의 발생을 방지하고, 화상 표시 품질의 향상을 실현하고 있다. 이 상세에 대해서는 도면을 이용하여 후술한다.

타이밍 발생 회로(45)는, 수평 동기 신호 H 및 수직 동기 신호 V에 근거하여 각 회로 블록의 동작을 제어하는 각종 타이밍 신호를 발생시켜, 각각의 회로 블록(화상 신호 처리 회로(41), 데이터 전극 구동 회로(42), 주사 전극 구동 회로(43) 및 유지 전극 구동 회로(44))에 공급한다.

데이터 전극 구동 회로(42)는, 서브필드마다의 화상 데이터를 각 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 대응하는 신호로 변환한다. 그리고, 타이밍 신호에 근거하여 각 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm을 구동한다.

주사 전극 구동 회로(43)는, 초기화 파형 발생 회로와, 주사 펄스 발생 회로와, 유지 펄스 발생 회로를 갖는다(도시하지 않음). 초기화 파형 발생 회로는, 초기화 기간에 있어서 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 초기화 파형을 발생시킨다. 주사 펄스 발생 회로는, 복수의 주사 IC를 구비하고, 기입 기간에 있어서 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 주사 펄스를 발생시킨다. 유지 펄스 발생 회로는, 유지 기간에 있어서 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 유지 펄스를 발생시킨다. 그리고, 주사 전극 구동 회로(43)는, 타이밍 신호에 근거하여 각 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn을 각각 구동한다.

유지 전극 구동 회로(44)는, 유지 펄스 발생 회로 및 전압 Ve1, 전압 Ve2를 발생시키기 위한 회로(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 그리고, 타이밍 신호에 근거하여 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn을 구동한다.

다음으로, 화상 신호 처리 회로(41)의 상세에 대하여 설명한다. 도 5는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 화상 신호 처리 회로(41)의 구성의 일례를 나타내는 회로 블록도이다. 또, 도 5에는, 본 실시의 형태에 있어서의 크로스토크를 저감하는 제어에 관한 회로 블록을 나타내고, 그 이외의 회로 블록은 생략하고 있다.

화상 신호 처리 회로(41)는, 화상 데이터 생성부(50)와, 크로스토크 판정부(58)와, 화상 데이터 변경부(59)를 갖는다. 화상 데이터 생성부(50)는, 화상 신호에 근거하여 화상 데이터를 생성한다. 크로스토크 판정부(58)는, 화상 데이터 생성부(50)로부터 출력되는 화상 데이터에 있어서, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 2개의 방전셀에 있어서의 화상 데이터가 소정의 조합이 되는지 여부를 판정한다. 화상 데이터 변경부(59)는, 화상 데이터 생성부(50)로부터 출력되는 화상 데이터에 변경을 가하여 새로운 화상 데이터를 생성한다.

화상 데이터 생성부(50)는, 코딩 테이블(52)과, 계조치 변환부(51)와, 코딩부(53)를 갖는다. 계조치 변환부(51)는, 화상 신호를 코딩 테이블(52)에 구비된 표시에 사용하는 계조치(이하, 「표시용 계조」라고도 적음)로 변환한다. 코딩부(53)는, 계조치 변환부(51)로부터 출력되는 계조치에 근거하여 코딩 테이블(52)로부터 코딩 데이터를 판독하여, 화상 데이터를 생성한다.

코딩 테이블(52)은, 미리 설정된 코딩 테이블(예컨대, 도 6(a), 도 6(b)에 나타내는 코딩 테이블)이, 반도체 메모리 등의 임의로 판독 가능한 기억 소자에 기억되어 구성된 것이다.

도 6(a), 도 6(b)는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 표시용 계조와 각 계조치에 있어서의 코딩 데이터가 관련된 코딩 테이블의 일례를 나타낸 도면이다. 도 6(a), 도 6(b)에 나타내는 코딩 테이블은, 1필드를 제 1 SF로부터 제 8 SF까지의 8개의 서브필드로 구성하고, 제 1 SF로부터 제 8 SF까지의 각 서브필드가 각각 (1, 2, 4, 8, 16, 30, 57, 108)의 휘도 가중치를 가질 때의 코딩 테이블의 일례이다. 그리고, 표시에 사용하는 최소 계조치 「1」로부터 최대 계조치 「226」까지의 복수의 계조치와 각 계조치에 대응하는 코딩 데이터가 관련되어 정리된 것이다.

또, 도 6(a), 도 6(b)에서, 「1」로 나타내는 서브필드는, 기입을 행하는 서브필드, 즉 발광 서브필드인 것을 나타내고, 「0」으로 나타내는 서브필드는, 기입을 행하지 않는 서브필드, 즉 비발광 서브필드인 것을 나타낸다.

그리고, 계조치 변환부(51)는, 화상 신호의 크기에 따라 도 6(a), 도 6(b)의 코딩 테이블에 기재된 표시용 계조치 중 어느 하나의 계조치를 선택하여 출력한다. 예컨대, 화상 신호가 계조치 「45」에 상당하는 크기이면, 표시용 계조치 「45」를 출력한다. 혹은, 화상 신호가 계조치 「110」에 상당하는 크기이면, 표시용 계조치 「110」을 출력한다. 또한, 도 6(a), 도 6(b)의 코딩 테이블에 기재된 표시용 계조치에 화상 신호의 크기에 상당하는 계조치가 없으면, 가장 가까운 계조치를 선택하여 출력한다. 예컨대, 화상 신호가 계조치 「44」에 상당하는 크기일 때에는, 도 6(a), 도 6(b)의 코딩 테이블에는 계조치 「44」가 없으므로, 계조치 「44」에 가장 가까운 표시용 계조치 「45」를 선택하여 출력한다.

그리고, 코딩부(53)는, 계조치 변환부(51)로부터 출력되어 오는 표시용 계조치에 근거하여 코딩 테이블(52)로부터 코딩 데이터를 판독한다. 예컨대, 계조치 변환부(51)로부터 표시용 계조치 「45」가 출력되어 왔을 때에는, 제 1 SF로부터 제 8 SF까지의 각 서브필드에 「1, 1, 1, 1, 0, 1, 0, 0」이라고 하는 발광 상태가 할당된 코딩 데이터를 코딩 테이블(52)로부터 판독한다. 또한, 계조치 변환부(51)로부터, 예컨대 표시용 계조치 「110」이 출력되어 왔을 때에는, 마찬가지로 「1, 1, 1, 0, 1, 1, 1, 0」이라고 하는 코딩 데이터를 판독한다. 그리고, 판독한 코딩 데이터를 화상 데이터로서 후단에 출력한다.

화상 데이터 생성부(50)는, 이렇게 하여, 화상 신호로부터 화상 데이터를 생성한다. 또, 화상 신호의 크기에 상당하는 계조치가 표시용 계조치에 포함되어 있지 않을 때에는, 예컨대, 일반적으로 이용되고 있는 오차 확산법(화상 신호와 표시용으로 선택한 계조치의 차이를 주위의 화소에 확산시키는 수법)이나 디더법(서로 다른 복수의 계조치를 이용하여, 다른 계조치를 의사적으로 표시하는 수법) 등을 이용하면 좋다. 그렇게 함으로써, 화상 신호의 크기에 상당하는 계조치를 의사적으로 표시할 수 있다. 예컨대, 화상 신호가 계조치 「85」에 상당하는 크기일 때에는, 도 6(a), 도 6(b)의 코딩 테이블에는 표시용의 계조치로서 계조치 「85」가 포함되어 있지 않으므로, 계조치 「85」를 패널(10)에 직접 표시할 수는 없다. 그러나, 오차 확산법이나 디더법 등을 이용함으로써, 의사적으로 계조치 「85」를 표시할 수 있다.

크로스토크 판정부(58)는, 현재의 화상 데이터와, 메모리(57)에 의해 1 수평 기간 지연된 화상 데이터로부터, 그들 화상 데이터가 할당되는 방전셀이 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀인지 여부를 판정한다. 그리고, 현재의 화상 데이터와 1 수평 기간 지연된 화상 데이터가 소정의 조합이 되는지 여부를 판정한다. 그리고, 화상 데이터 변경부(59)에서는, 크로스토크 판정부(58)에 있어서의 그들 2개의 판정 결과에 근거하여, 화상 데이터 생성부(50)로부터 출력되는 화상 데이터에 변경을 가하여 새로운 화상 데이터를 생성한다. 다음으로, 이 상세에 대하여, 도면을 이용하여 설명한다.

도 7은 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 주사 전극(22), 유지 전극(23) 및 데이터 전극(32)의 배열과 방전셀의 관계를 개략적으로 나타내는 도면이다. 본 실시의 형태에 있어서의 패널(10)은 ABBA 전극 구조를 가지므로, 주사 전극(22)과 유지 전극(23)은, 서로의 위치 관계가 표시 전극쌍(24)마다 교번하도록 배열되어 있다. 그 때문에, 도면에 있어서의 상하 방향으로 인접하는 방전셀은, 같은 전극끼리 이웃하여 인접한다. 구체적으로는, 주사 전극(22)끼리 이웃한 인접이나, 또는 유지 전극(23)끼리 이웃한 인접이 된다. 따라서, 유지 기간에 있어서의 유지 동작시에, 인접하는 방전셀 사이에서 전압이 서로 같은 위상으로 변화될 수 있다. 이에 따라, 패널(10)을 구동할 때의 무효 전력을 삭감할 수 있다.

한편, ABBA 전극 구조를 갖는 패널(10)에서는, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀(이하, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀의 일례로서 배치적으로 보아 위에 배치된 방전셀을 「방전셀 A」라고 하고, 배치적으로 보아 아래에 배치된 방전셀을 「방전셀 B」라고 하여 설명을 행한다. 또한, 이하, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀을, 간단히 「인접하는 방전셀」이라고도 적음)이 소정의 패턴으로 발광할 때에, 인접하는 방전셀 사이에 크로스토크가 발생하기 쉬운 것이 확인되었다. 구체적으로는, 다음 2개의 조건의 양쪽에 적합할 때에 크로스토크가 발생하기 쉬운 것이 확인되었다.

1 : 1필드를 구성하는 복수의 서브필드 중 하나의 서브필드(예컨대, 제 3 SF)에서, 인접하는 방전셀의 한쪽의 방전셀(예컨대, 방전셀 A)이 발광이 되고, 또한 다른 쪽의 방전셀(예컨대, 방전셀 B)이 비발광이 된다.

2 : 동일 필드에 있어서의 상술한 서브필드(예컨대, 제 3 SF) 이후의 서브필드(예컨대, 제 4 SF~제 8 SF)에서 상술한 한쪽의 방전셀(방전셀 A)이 비발광이 되고, 또한 상술한 다른 쪽의 방전셀(방전셀 B)이 발광이 된다.

이러한 화상 데이터의 조합일 때에, 인접하는 방전셀 사이(여기서는, 방전셀 A와 방전셀 B 사이)에 크로스토크가 발생하기 쉽다.

도 8(a), 도 8(b), 도 8(c)는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 인접하는 방전셀 사이에 크로스토크가 발생하기 쉬운 화상 데이터의 조합의 일례를 나타내는 도면이다.

예컨대, 방전셀 A를 계조치 「196」으로 발광시키고, 방전셀 B를 계조치 「102」로 발광시키는 것으로 한다. 이때, 도 6(a), 도 6(b)에 나타내는 코딩 테이블에 근거한 제 1 SF로부터 제 8 SF까지의 각 서브필드에 있어서의 발광 상태는, 도 8(a)에 나타내는 바와 같이, 방전셀 A에서 「1, 1, 1, 1, 1, 0, 1, 1」이 되고, 방전셀 B에서 「1, 1, 1, 1, 0, 1, 1, 0」이 된다. 이러한 발광 패턴으로 방전셀 A와 방전셀 B를 발광시키면, 제 1 SF로부터 제 4 SF까지는 모두 같은 발광 상태이다. 그러나, 제 5 SF에서는, 방전셀 A가 발광, 방전셀 B가 비발광이 되고, 계속되는 제 6 SF에서는 반대로, 방전셀 A가 비발광, 방전셀 B가 발광이 된다. 그러면, 제 6 SF에서, 비발광일 방전셀 A에서 크로스토크를 원인으로 하는 이상한 유지 방전이 발생하는 경우가 있다.

또한, 방전셀 A를 계조치 「27」로 발광시키고, 방전셀 B를 계조치 「102」로 발광시키는 것으로 한다. 그러면, 제 1 SF로부터 제 8 SF까지의 각 서브필드에 있어서의 발광 상태는, 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 방전셀 A에서 「1, 1, 0, 1, 1, 0, 0, 0」이 되고, 방전셀 B에서 「1, 1, 1, 1, 0, 1, 1, 0」이 된다. 이러한 발광 패턴으로는, 제 3 SF에서 방전셀 A가 비발광, 방전셀 B가 발광이 되고, 방전셀 A, 방전셀 B 모두 발광이 되는 제 4 SF를 사이에 두고, 계속되는 제 5 SF에서는 반대로, 방전셀 A가 발광, 방전셀 B가 비발광이 된다. 그러면, 제 5 SF에서, 비발광일 방전셀 B에서 크로스토크를 원인으로 하는 이상한 유지 방전이 발생하는 경우가 있다.

또한, 방전셀 A를 계조치 「57」로 발광시키고, 방전셀 B를 계조치 「196」로 발광시키는 것으로 한다. 그러면, 도 8(c)에 나타내는 바와 같이, 제 3 SF에서 방전셀 A가 비발광, 방전셀 B가 발광이 되고, 제 4 SF, 제 5 SF를 사이에 두고, 계속되는 제 6 SF에서는 반대로, 방전셀 A가 발광, 방전셀 B가 비발광이 된다. 그러면, 제 6 SF에서, 비발광일 방전셀 B에서 크로스토크를 원인으로 하는 이상한 유지 방전이 발생하는 경우가 있다.

이와 같이, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀이 소정의 발광 패턴으로 발광하면, 즉 상술한 2개의 조건에 적합한 패턴으로 발광하면, 인접하는 방전셀 사이에 크로스토크가 발생하여, 원래 비발광의 방전셀에, 이 크로스토크에 기인하는 이상한 유지 방전이 발생하는 경우가 있는 것이 확인되었다.

이것은, 다음과 같은 이유에 의한 것이라고 생각된다. ABBA 전극 구조의 패널(10)에서는 동종의 전극끼리 이웃하므로(주사 전극-주사 전극, 또는 유지 전극-유지 전극), 인가되는 유지 펄스가 같은 위상이 된다. 그 결과, 패널(10)을 구동할 때의 무효 전력을 삭감하는 효과가 얻어진다. 한편으로, ABBA 전극 구조의 방전셀은, 인가되는 유지 펄스가 같은 위상이 되는 만큼, ABAB 전극 구조의 방전셀과 비교하여, 열 방향으로 인접하는 방전셀 사이에서의 전계의 차이가 작아져 전하의 이동이 발생하기 쉽다.

예컨대, 방전셀 A와 방전셀 B 사이에서는, 방전셀 A가 발광, 방전셀 B가 비발광일 때에는, 유지 방전으로 발생한 전하가 방전셀 A로부터 방전셀 B를 향하여 이동하는 크로스토크가 발생하는 경우가 있다. 이 전하는 완전히 방전셀 B 내로 이동하여 버리는 것이 아니고, 방전셀 A의 주사 전극(22)과 방전셀 B의 주사 전극(22) 사이에 멈춰 축적된다. 그리고, 다음으로 방전셀 A가 비발광, 방전셀 B가 발광이 되는 서브필드의 최초의 유지 동작으로, 방전셀 B에서 발생한 유지 방전이 주사 전극(22) 사이에 축적된 전하를 통해 방전셀 A에 새어 들어간다. 패널(10)에 있어서의 방전셀에서는, 기입이 이루어지고 있지 않더라도, 일단 유지 방전이 발생하면, 이후, 유지 방전이 계속하여 발생한다. 따라서, 방전셀 A에서는, 기입이 이루어지고 있지 않음에도 불구하고, 방전셀 B로부터 새어 들어온 유지 방전이 계기가 되어, 유지 방전이 발생한다. 이렇게 하여, 방전셀 A에서 이상한 유지 방전이 발생하는 것으로 생각된다.

그래서, 본 실시의 형태에서는, 상술한 2개의 조건에 적합한 화상 데이터의 조합을 소정의 조합으로 한다. 즉,

1 : 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 2개의 방전셀에 있어서, 1필드를 구성하는 복수의 서브필드 중 하나의 서브필드에서, 인접하는 방전셀의 한쪽의 방전셀이 발광이 되고, 또한 다른 쪽의 방전셀이 비발광이 된다.

2 : 동일 필드에 있어서의 상술한 서브필드 이후의 서브필드에서 상술한 한쪽의 방전셀이 비발광이 되고, 또한 상술한 다른 쪽의 방전셀이 발광이 된다.

이 2개의 조건에 모두 적합한 화상 데이터의 조합을 소정의 조합으로 하여(이하, 이러한 화상 데이터의 조합을 「크로스토크 발생 조건」이라고 호칭함), 이 소정의 조합이 발생하지 않도록 화상 데이터를 생성한다. 즉, 크로스토크 발생 조건을 회피하도록 화상 데이터를 생성한다.

구체적으로는, 크로스토크 판정부(58)에 있어서, 우선, 현재의 화상 데이터가 할당되는 방전셀과, 메모리(57)에 의해 1 수평 기간 지연된 화상 데이터가 할당되는 방전셀이, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀인지 여부를 판정한다.

예컨대, 패널(10)에 있어서의 전극 배열이 도 2에 나타내는 배열이면, 배치적으로 보아 위에서 1번째의 방전셀과 2번째의 방전셀은 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀이 되고, 배치적으로 보아 위에서 2번째의 방전셀과 3번째의 방전셀은 유지 전극(23)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀이 된다. 따라서, 배치적으로 보아 위에서 (2N+1)번째의 방전셀과 (2N+2)번째의 방전셀(N은 0 이상의 정수)은 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀이라고 판정할 수 있다.

다음으로, 그들 화상 데이터가, 크로스토크 발생 조건에 해당하는지 여부를 판정한다. 이 판정은, 예컨대, 현재의 화상 데이터와 1 수평 기간 지연된 화상 데이터에서 서브필드마다 배타적 논리합을 취하여, 그 결과가 「1」이 되는 서브필드가 2개 이상 있고, 또한, 그들 서브필드에서 화상 데이터가 반전하고 있는지 여부를 검출함으로써 행할 수 있다.

그리고, 이들 2개의 조건에 합치하는 화상 데이터가 생성되었을 때, 크로스토크 판정부(58)에 있어서, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 2개의 방전셀에 있어서의 화상 데이터는 크로스토크 발생 조건을 만족시키는 조합이라고 판정한다. 그리고, 그 화상 데이터에 대하여, 화상 데이터 변경부(59)는, 크로스토크 발생 조건을 회피하도록, 화상 데이터 생성부(50)로부터 출력되는 화상 데이터에 변경을 가한다. 즉, 다음 2개의 서브필드 중 적어도 한쪽의 서브필드를 포함하는 하나 이상의 서브필드에 있어서, 인접하는 방전셀이, 함께 발광, 또는 함께 비발광이 되도록, 화상 데이터 생성부(50)로부터 출력되는 화상 데이터에 변경을 가한다. 그 2개의 서브필드 중 하나는, 인접하는 방전셀의 한쪽의 방전셀이 발광이 되고, 또한 다른 쪽의 방전셀이 비발광이 되는 서브필드이다. 그리고, 다른 하나의 서브필드는, 동일 필드에 있어서의 그 서브필드 이후의 서브필드에서, 상술한 한쪽의 방전셀이 비발광이 되고 또한 상술한 다른 쪽의 방전셀이 발광이 되는 최초의 서브필드이다.

도 9(a), 도 9(b), 도 10은 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 크로스토크 발생 조건을 회피하도록 화상 데이터를 변경하는 일례를 나타내는 도면이다.

예컨대, 도 9(a)에 나타내는 바와 같이, 제 5 SF에서는 방전셀 A가 발광, 방전셀 B가 비발광이 되고, 계속되는 제 6 SF에서는 반대로, 방전셀 A가 비발광, 방전셀 B가 발광이 되는 화상 데이터가 발생한 것으로 한다. 그 때에는, 제 5 SF에서는 방전셀 B가 발광이, 제 6 SF에서는 방전셀 B가 비발광이 되도록, 화상 데이터를 변경한다. 이에 따라, 제 5 SF에서는 방전셀 A, 방전셀 B 모두 발광이 되고, 제 6 SF에서는 방전셀 A, 방전셀 B 모두 비발광이 되어, 크로스토크 발생 조건을 회피할 수 있다.

또한, 도 9(b)에 나타내는 바와 같이, 제 3 SF에서는 방전셀 A가 비발광, 방전셀 B가 발광이 되고, 방전셀 A, 방전셀 B 모두 발광이 되는 제 4 SF를 사이에 두고, 계속되는 제 5 SF에서는 반대로, 방전셀 A가 발광, 방전셀 B가 비발광이 되는 화상 데이터가 발생한 것으로 한다. 그 때에는, 제 3 SF에서는 방전셀 B가 비발광이, 제 5 SF에서는 방전셀 B가 발광이 되도록, 화상 데이터를 변경한다. 이에 따라, 제 3 SF에서는 방전셀 A, 방전셀 B 모두 비발광이 되고, 제 5 SF에서는 방전셀 A, 방전셀 B 모두 발광이 되어, 크로스토크 발생 조건을 회피할 수 있다. 또, 도 9(b)에서는, 제 6 SF도 제 5 SF와 마찬가지로 방전셀 A가 발광, 방전셀 B가 비발광이 되어 있지만, 제 3 SF에서 방전셀 B가 비발광이 되도록 화상 데이터를 변경하고 있으므로, 크로스토크 발생 조건은 회피된다.

도 10은 크로스토크 발생 조건에 해당하는 서브필드의 조합이 1필드 내에 복수 포함되는 일례를 나타내는 도면이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 제 3 SF, 제 4 SF에서는 방전셀 A가 비발광, 방전셀 B가 발광이 되고, 제 5 SF, 제 6 SF에서는 반대로, 방전셀 A가 발광, 방전셀 B가 비발광이 되는 화상 데이터가 발생한 것으로 한다. 그 때에는, 제 3 SF에서 방전셀 B가 비발광이, 제 5 SF에서 방전셀 B가 발광이 되도록 화상 데이터를 변경하더라도, 제 4 SF, 제 6 SF가 크로스토크 발생 조건에 해당한다. 그 경우는, 또한, 제 4 SF에서는 방전셀 B가 비발광이, 제 6 SF에서는 방전셀 B가 발광이 되도록 화상 데이터를 변경한다. 이에 따라, 제 3 SF, 제 4 SF에서는 방전셀 A, 방전셀 B 모두 비발광이 되고, 제 5 SF, 제 6 SF에서는 방전셀 A, 방전셀 B 모두 발광이 되어, 크로스토크 발생 조건을 회피할 수 있다.

이와 같이, 화상 데이터 변경부(59)에 있어서 크로스토크 발생 조건을 회피하도록 화상 데이터를 변경하는 구성으로 함으로써, 인접하는 방전셀 사이에서의 크로스토크의 발생을 저감하여, 크로스토크에 기인하는 이상한 유지 방전의 발생을 방지하여, 화상 표시 품질을 향상시킬 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시의 형태에서는, 인접하는 2개의 방전셀에 있어서, 1필드를 구성하는 복수의 서브필드 중 하나의 서브필드에서 한쪽의 방전셀이 발광이 되고, 또한 다른 쪽의 방전셀이 비발광이 됨과 아울러, 동일 필드에 있어서의 상술한 서브필드 이후의 서브필드에서 상술한 한쪽의 방전셀이 비발광이 되고, 또한 상술한 다른 쪽의 방전셀이 발광이 되는 화상 데이터의 조합이 발생하지 않도록 화상 데이터를 생성한다.

즉, 크로스토크 판정부(58)에 있어서 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 2개의 방전셀에 있어서의 화상 데이터가 크로스토크 발생 조건을 만족시키는 조합이라고 판정되었을 때에, 화상 데이터 변경부(59)는, 크로스토크 발생 조건을 회피하도록, 화상 데이터 생성부(50)로부터 출력되는 화상 데이터에 변경을 가한다. 즉, 다음 2개의 서브필드 중 적어도 한쪽의 서브필드를 포함하는 하나 이상의 서브필드에 있어서, 인접하는 방전셀이, 모두 발광, 또는 모두 비발광이 되도록, 화상 데이터 생성부(50)로부터 출력되는 화상 데이터에 변경을 가한다. 그 2개의 서브필드 중 하나는 인접하는 2개의 방전셀에 있어서 한쪽의 방전셀이 발광이 되고, 또한 다른 쪽의 방전셀이 비발광이 되는 서브필드이다. 그리고, 다른 하나의 서브필드는, 동일 필드에 있어서의 상술한 서브필드 이후의 서브필드에서 상술한 한쪽의 방전셀이 비발광이 되고 또한 상술한 다른 쪽의 방전셀이 발광이 되는 최초의 서브필드이다. 이에 따라, 인접하는 방전셀 사이에서의 크로스토크의 발생을 저감하여, 크로스토크에 기인하는 이상한 유지 방전의 발생을 방지하여, 화상 표시 품질을 향상시킬 수 있다.

또, 도 9(a), 도 9(b)에서는, 인접하는 2개의 방전셀 중 배치적으로 보아 아래에 위치하는 방전셀(예컨대, 방전셀 B)의 발광 상태를, 배치적으로 보아 위에 위치하는 방전셀(예컨대, 방전셀 A)의 발광 상태에 맞추도록 화상 데이터를 변경하는 구성예를 설명했다. 그러나, 본 발명은 조금도 이 구성에 한정되는 것이 아니다. 도시는 하지 않지만, 예컨대, 인접하는 2개의 방전셀 중 배치적으로 보아 위에 위치하는 방전셀(방전셀 A)의 발광 상태를, 배치적으로 보아 아래에 위치하는 방전셀(방전셀 B)의 발광 상태에 맞추도록 화상 데이터를 변경하는 구성으로 해도 좋다. 그러나, 배치적으로 보아 아래에 위치하는 방전셀(예컨대, 방전셀 B)의 발광 상태를, 배치적으로 보아 위에 위치하는 방전셀(예컨대, 방전셀 A)의 발광 상태에 맞추도록 화상 데이터를 변경하는 구성은, 시간적으로 뒤에 사용하는 화상 데이터를 변경하는 구성으로 할 수 있으므로, 시간적으로 앞에 사용하는 화상 데이터를 변경하는 구성보다 제어를 간이화할 수 있다.

또한, 도 9(a), 도 9(b)에서는, 크로스토크 발생 조건에 해당하는 2개의 서브필드(예컨대, 도 9(a)에서는 제 5 SF와 제 6 SF, 도 9(b)에서는 제 3 SF와 제 5 SF의 2개의 서브필드)에 있어서, 인접하는 방전셀의 발광 상태가 같아지도록 화상 데이터를 변경하는 구성예를 설명했다. 그러나, 본 발명은 조금도 이 구성에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 방전셀 B의 발광 패턴이 방전셀 A의 발광 패턴과 같아지도록 화상 데이터를 변경하여도 좋다. 즉 방전셀 B의 화상 데이터가 방전셀 A의 화상 데이터와 같아지도록 화상 데이터를 변경하여도 좋다. 도 11(a), 도 11(b)는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 크로스토크 발생 조건을 회피하도록 화상 데이터를 변경할 때의 또 다른 일례를 나타내는 도면이다.

크로스토크 판정부(58)에 있어서 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 2개의 방전셀에 있어서의 화상 데이터가 크로스토크 발생 조건을 만족시키는 조합이라고 판정되었을 때에는, 다음과 같이 화상 데이터를 변경하여도 좋다. 즉, 도 11(a), 도 11(b)에 나타내는 바와 같이, 방전셀 B의 발광 패턴이 방전셀 A의 발광 패턴과 같아지도록 화상 데이터를 변경하여도 좋다. 바꿔 말하면, 방전셀 B의 화상 데이터가 방전셀 A의 화상 데이터와 같아지도록 화상 데이터를 변경하여도 좋다. 예컨대, 도 11(a)에 나타내는 예에서는, 방전셀 B의 화상 데이터는 「1, 1, 1, 1, 0, 1, 1, 0」이다. 그리고, 방전셀 A의 화상 데이터는 「1, 1, 1, 1, 1, 0, 1, 1」이다. 따라서, 방전셀 B의 화상 데이터를 「1, 1, 1, 1, 1, 0, 1, 1」로 변경하여, 방전셀 A의 화상 데이터와 같게 한다. 혹은, 도 11(b)에 나타내는 예에서는, 방전셀 B의 화상 데이터는 「1, 1, 1, 1, 0, 1, 1, 0」이다. 그리고, 방전셀 A의 화상 데이터는 「1, 1, 0, 1, 1, 0, 0, 0」이다. 따라서, 방전셀 B에서의 화상 데이터를 「1, 1, 0, 1, 1, 0, 0, 0」으로 변경하여, 방전셀 A의 화상 데이터와 같게 한다. 이러한 구성이더라도, 상술한 것과 같은 효과를 얻을 수 있다.

혹은, 크로스토크 판정부(58)에 있어서 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 2개의 방전셀에 있어서의 화상 데이터가 크로스토크 발생 조건을 만족시키는 조합이라고 판정되었을 때에, 상술한 2개의 서브필드 중 한쪽의 서브필드에 있어서, 인접하는 2개의 방전셀이, 모두 발광, 또는 모두 비발광이 되도록 화상 데이터를 변경함으로써 크로스토크 발생 조건을 회피할 수 있을 때에는, 반드시 복수의 서브필드에서 발광 상태를 변경할 필요는 없다. 도 12(a), 도 12(b)는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 크로스토크 발생 조건을 회피하도록 화상 데이터를 변경할 때의 또 다른 일례를 나타내는 도면이다. 도 12(a)는 크로스토크 발생 조건에 해당하는 2개의 서브필드 중 시간적으로 앞에 발생하는 서브필드에 있어서 화상 데이터를 변경하는 예를 나타내는 도면이다. 그리고, 도 12(b)는 크로스토크 발생 조건에 해당하는 2개의 서브필드 중 시간적으로 뒤에 발생하는 서브필드에 있어서 화상 데이터를 변경하는 예를 나타내는 도면이다.

예컨대, 도 12(a)에 나타내는 예에서는, 크로스토크 발생 조건에 해당하는 2개의 서브필드는, 제 3 SF, 제 5 SF이다. 이 2개의 서브필드 중 어느 쪽의 서브필드라도, 방전셀 A와 방전셀 B의 발광 상태를 서로 맞춤으로써, 크로스토크 발생 조건을 회피할 수 있다. 따라서, 이러한 때에는, 어느 한쪽의 서브필드에 있어서의 발광 상태를 바꾸도록 화상 데이터를 변경하도록 구성하여도 좋다. 이때, 휘도 가중치가 작은 쪽의 서브필드(도 12(a)에 나타내는 예에서는, 시간적으로 앞에 발생하는 제 3 SF)에 있어서의 발광 상태를 방전셀 A와 방전셀 B에서 서로 맞추도록 화상 데이터를 변경하면, 크로스토크의 발생을 저감하기 위해 화상 데이터를 변경할 때의 휘도의 변화를 보다 적게 하는 것이 가능해지므로, 화상 표시 품질을 더 향상시키는 것이 가능해진다.

도 12(b)에 나타내는 예에서는, 크로스토크 발생 조건에 해당하는 2개의 서브필드는, 제 5 SF, 제 6 SF이다. 시간적으로 앞에 발생하는 제 5 SF에서 방전셀 A와 방전셀 B의 발광 상태를 서로 맞추더라도, 계속해서 제 6 SF와 제 8 SF가 크로스토크 발생 조건에 해당하는 2개의 서브필드로서 남는다. 그러나, 시간적으로 뒤에 발생하는 제 6 SF에서는, 예컨대 방전셀 B를 발광으로부터 비발광으로 변경하여 방전셀 A와 방전셀 B의 발광 상태를 서로 맞추면, 크로스토크 발생 조건을 회피할 수 있다. 따라서, 이러한 때에는, 크로스토크 발생 조건을 회피하는 것이 가능해지는 쪽의 서브필드(도 12(b)에 나타내는 예에서는, 시간적으로 뒤에 발생하는 제 6 SF)에 있어서 발광 상태를 방전셀 A와 방전셀 B에서 서로 맞추도록 화상 데이터를 변경하면 좋다.

또, 본 실시의 형태에서는, 크로스토크 판정부(58)에 있어서, 화상 데이터를 이용하여 크로스토크 발생 조건의 판정을 행하는 구성을 설명했다. 그러나, 예컨대, 크로스토크 발생 조건에 해당하는 계조치의 조합을 기억부 등에 미리 기억시켜 놓음으로써, 크로스토크 발생 조건에 해당하는지 여부의 판정을, 계조치 변환부(51)로부터 출력되는 계조치를 이용하여 행하는 것도 가능하다.

또, 화상 데이터를 변경함으로써 발생하는 원래의 계조치와의 차이는, 디더법 등의 일반적으로 이용되고 있는 화상 처리 수법을 이용하여 보정하는 구성으로 하는 것이 바람직하다.

도 13은 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 화상 신호 처리 회로의 구성의 다른 일례를 나타내는 회로 블록도이다. 또, 도 13에는, 크로스토크를 저감하는 제어에 관한 회로 블록을 나타내고, 그 이외의 회로 블록은 생략하고 있다. 또한, 도 5에 나타내는 화상 신호 처리 회로(41)와 같은 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 설명을 생략한다.

화상 신호 처리 회로(410)는, 화상 데이터 생성부(501), 크로스토크 판정부(58), 화상 데이터 변경부(59)에 더하여, 디더 처리부(54)와, 감산부(55)와, 가산부(56)와, 역변환부(60)를 갖는다.

화상 데이터 생성부(501)는, 도 5에 나타낸 코딩 테이블(52) 및 코딩부(53)와 계조치 변환부(66)를 갖는다. 도 5에 나타낸 계조치 변환부(51)는, 화상 신호의 크기에 따라 코딩 테이블(52)에 구비된 표시용 계조치 중 어느 하나의 계조치를 선택한다고 설명했다. 그러나, 도 13에 나타내는 계조치 변환부(66)는, 후단에 디더 처리부(54)가 있으므로, 표시용 계조에 한정되지 않고, 화상 신호의 크기에 따라 최적의 계조치를 출력하는 것으로 한다.

역변환부(60)는, 화상 데이터 변경부(59)로부터 출력되는 화상 데이터를 계조치로 역변환한다.

감산부(55)는, 디더 처리부(54)로부터 출력되는 계조치와 역변환부(60)로부터 출력되는 계조치의 차이를 산출한다. 따라서, 감산부(55)로부터는, 화상 신호에 근거하여 설정된 계조치와, 화상 데이터 변경부(59)에 있어서 변경된 화상 데이터에 근거한 계조치의 차이가 출력된다.

가산부(56)는, 계조치 변환부(66)로부터 출력되는 계조치에, 감산부(55)로부터의 출력치를 가산한다. 따라서, 가산부(56)로부터는, 화상 신호에 근거한 원래의 계조치에, 화상 데이터 변경부(59)에 있어서 화상 데이터를 변경함으로써 발생한 오차가 보정된 계조치가 출력된다.

디더 처리부(54)에서는, 서로 다른 2개 이상의 계조치를 이용하여 다른 계조치를 의사적으로 표시하는 일반적으로 알려진 디더 처리를 행한다. 이에 따라, 표시용 계조에 포함되는 계조치를 이용하여, 표시용 계조에 포함되지 않는 계조치를 의사적으로 표시할 수 있다.

이러한 구성으로 함으로써, 화상 데이터 변경부(59)에 있어서 발생하는 원래의 계조치와의 오차를 보정할 수 있다. 따라서, 화상 표시 품질을 더 향상시킬 수 있다.

또, 화상 데이터 변경부(59)에 있어서는, 변경을 가하기 전의 화상 데이터보다 변경을 가한 후의 화상 데이터 쪽이 계조치가 커지도록 화상 데이터에 변경을 가할 때에는, 다음 변경을 더 가하더라도 좋다. 즉, 그 변경에 의해 비발광으로부터 발광으로 변경되는 서브필드보다 휘도 가중치가 작은 서브필드에 있어서, 하나 이상의 서브필드가 발광으로부터 비발광이 되도록 화상 데이터에 더 변경을 가하는 구성으로 하여도 좋다.

도 14는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 크로스토크 발생 조건을 회피하도록 화상 데이터를 변경할 때의 또 다른 일례를 나타내는 도면이다. 예컨대, 도 14에 나타내는 예에서는, 방전셀 B에 할당하는 화상 데이터의 제 5 SF를 비발광 서브필드로부터 발광 서브필드로 변경하고 있다. 이 변경은, 방전셀 B의 계조치를 크게 하는 변경이다. 따라서, 이러한 때에, 제 5 SF보다 휘도 가중치가 작은 제 1 SF로부터 제 4 SF에서 하나 이상의 서브필드(도 14에서는, 제 1 SF, 제 2 SF, 제 4 SF)를 발광으로부터 비발광으로 하도록, 화상 데이터에 더 변경을 가한다. 이에 따라, 크로스토크의 발생을 저감하기 위해 화상 데이터를 변경할 때의 휘도의 변화를 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 화상 표시 품질을 더 향상시키는 것이 가능해진다. 단, 비발광으로부터 발광으로 변경되는 서브필드보다 휘도 가중치가 작은 서브필드에 있어서, 어느 정도의 서브필드를 발광으로부터 비발광으로 변경할지는, 패널의 특성에 따라 적절히 설정하는 것이 바람직하다.

또, 본 실시의 형태에서는, 1필드를 하나의 단위 기간으로 하여, 크로스토크를 저감하는 제어를 행하는 구성을 설명했다. 그러나, 크로스토크의 발생 원인이 되는 주사 전극(22) 사이에 축적되는 전하는, 전체 셀 초기화 동작에 의해 소거되는 것도 확인되었다. 따라서, 1필드에 2회 이상의 전체 셀 초기화를 행하는 구성에서는, 전체 셀 초기화 동작으로부터 다음 전체 셀 초기화 동작까지의 기간을 하나의 단위 기간으로 하여, 본 실시의 형태에 나타낸 크로스토크를 저감하는 제어를 행하는 구성으로 하는 것이 바람직하다.

(실시의 형태 2)

도 15는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 화상 신호 처리 회로의 구성의 일례를 나타내는 회로 블록도이다.

도 15에 나타내는 화상 신호 처리 회로(411)는, 수직 윤곽 검출부(61)와, 화상 데이터 생성부(62)와, 선택부(70)를 갖는다.

수직 윤곽 검출부(61)는, 화상에 있어서의 수직 방향의 윤곽(이하, 「수직 윤곽」이라고 호칭함) 부분을 검출함과 아울러, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 2개의 방전셀이 수직 윤곽에 포함되는지 여부를 판정한다. 수직 윤곽의 검출은, 예컨대, 현재의 화상 신호와 메모리(도시하지 않음)에 의해 1 수평 기간 지연된 화상 신호의 차이의 절대치가, 수직 윤곽 검출용으로 설정된 임계값 이상인지 여부를 판정함으로써 행할 수 있다. 또, 현재의 화상 신호가, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀에 할당되는지 여부의 판정은, 크로스토크 판정부(58)와 같은 구성으로 행할 수 있으므로, 설명을 생략한다.

화상 데이터 생성부(62)는, 제 1 계조치 변환부(63)와, 제 1 코딩부(65)와, 제 1 코딩 테이블(64)과, 제 2 계조치 변환부(67)와, 제 2 코딩부(68)와, 제 2 코딩 테이블(69)을 갖는다. 또, 본 실시의 형태에서는, 제 1 계조치 변환부(63), 제 1 코딩부(65) 및 제 1 코딩 테이블(64)은, 각각, 도 5에 나타낸 계조치 변환부(51), 코딩부(53) 및 코딩 테이블(52)과 같은 것으로 하여, 설명을 생략한다. 그러나, 제 1 코딩 테이블(64)은 조금도 코딩 테이블(52)과 같은 구성에 한정되는 것이 아니다.

도 16은 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 표시용 계조와 각 계조치에 있어서의 코딩 데이터가 관련된 제 2 코딩 테이블의 일례를 나타낸 도면이다. 도 16에 나타내는 제 2 코딩 테이블은, 1필드를 제 1 SF로부터 제 8 SF까지의 8 서브필드로 구성하고, 제 1 SF로부터 제 8 SF까지의 각 서브필드가 각각 (1, 2, 4, 8, 16, 30, 57, 108)의 휘도 가중치를 가질 때의 코딩 테이블의 일례이다.

도 16에 나타내는 제 2 코딩 테이블은, 비발광의 서브필드가 있으면, 동일 필드에 있어서의 상술한 비발광의 서브필드 이후의 모든 서브필드를 비발광으로 하는 코딩 데이터로 구성되어 있다. 따라서, 제 2 코딩 테이블이 갖는 코딩 데이터에는, 발광 서브필드와 발광 서브필드 사이에 비발광 서브필드가 있는 코딩 데이터는 포함되지 않는다. 또한, 비발광 서브필드와 비발광 서브필드 사이에 발광 서브필드가 있는 코딩 데이터도 포함되지 않는다. 따라서, 인접하는 방전셀에 할당하는 화상 데이터를, 제 2 코딩 테이블에 포함되는 코딩 데이터로부터 생성하면, 어떠한 조합이어도 크로스토크 발생 조건을 회피할 수 있다.

그리고, 제 2 계조치 변환부(67)는, 도 16에 나타내는 제 2 코딩 테이블에 기재된 표시용 계조치 중 어느 하나의 계조치를 화상 신호의 크기에 따라 선택하여 출력한다. 그리고, 제 2 코딩부(68)는, 제 2 계조치 변환부(67)로부터 출력되어 오는 계조치에 근거하여 제 2 코딩 테이블(69)로부터 코딩 데이터를 판독하여 출력한다.

화상 데이터 생성부(62)는, 이렇게 하여, 제 1 코딩 테이블(64)에 근거한 화상 데이터, 및 제 2 코딩 테이블(69)에 근거한 화상 데이터의 2개의 화상 데이터를 생성한다.

그리고, 선택부(70)는, 수직 윤곽 검출부(61)로부터의 출력에 근거하여, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀이 수직 윤곽 부분에 포함되어 있을 때에는 제 2 코딩 테이블(69)에 근거하여 생성된 화상 데이터를 선택한다. 그리고, 그렇지 않을 때에는 제 1 코딩 테이블(64)에 근거하여 생성된 화상 데이터를 선택하여 출력한다.

수직 윤곽 부분은, 휘도의 변화가 크기 때문에, 인접하는 방전셀 사이에 크로스토크가 발생했을 때에, 보다 큰 화질 열화로서 인식되기 쉽다. 그러나, 본 실시의 형태에 의하면, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀이 수직 윤곽 부분에 포함되어 있을 때에는 제 2 코딩 테이블(69)에 근거하여 화상 데이터를 생성할 수 있다. 따라서, 휘도의 변화가 큰 수직 윤곽 부분에 있어서의 크로스토크를 보다 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.

또, 데이터 전극 구동 회로(42)에 있어서는, 발광시키는 방전셀(이하, 「발광셀」이라고 호칭함)과 비발광의 방전셀(이하, 「비발광셀」이라고 호칭함)이 인접하는 부분이 늘어날수록, 소비 전력이 증대된다. 그러나, 제 2 코딩 테이블(69)은, 발광 서브필드가 연속하고, 또한 비발광 서브필드가 연속하는 코딩 데이터로 구성되어 있다. 그 때문에, 제 2 코딩 테이블(69)을 이용하여 화상 데이터를 생성함으로써, 발광셀과 비발광셀이 인접하는 확률을 낮게 할 수 있다. 이에 따라, 데이터 전극 구동 회로(42)에 있어서의 소비 전력을 저감할 수 있다. 즉, 본 실시의 형태에서는, 수직 윤곽 부분에 있어서 데이터 전극 구동 회로(42)의 소비 전력을 저감하는 효과도 함께 얻을 수 있다.

또, 본 실시의 형태에 나타낸 구성과, 실시의 형태 1에서 도 5에 나타낸 구성을 조합한 화상 신호 처리 회로를 구성할 수도 있다. 도 17은 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 화상 신호 처리 회로의 구성의 다른 일례를 나타내는 회로 블록도이다. 도 17에는, 크로스토크를 저감하는 제어에 관한 회로 블록을 나타내고, 그 이외의 회로 블록은 생략하고 있다. 또한, 도 5에 나타내는 화상 신호 처리 회로(41)와 같은 구성 요소, 및 도 15에 나타내는 화상 신호 처리 회로(411)와 같은 구성 요소에 대해서는 각각 동일한 부호를 부여하고 설명을 생략한다.

화상 신호 처리 회로(412)는, 도 5에 나타내는 크로스토크 판정부(58), 화상 데이터 변경부(59)와, 도 15에 나타내는 수직 윤곽 검출부(61), 화상 데이터 생성부(62), 선택부(70)를 갖는다. 예컨대, 이러한 구성으로 함으로써, 수직 윤곽 부분에 포함되지 않는 방전셀에 관해서는, 실시의 형태 1에 나타낸 구성으로 화상 데이터를 변경할 수 있으므로, 화상 표시 품질을 더 향상시킬 수 있다.

또한, 도시는 하지 않지만, 본 실시의 형태에 나타낸 구성과, 실시의 형태 1에서 도 13에 나타낸 구성을 조합하여 화상 신호 처리 회로를 구성하는 것도 가능하다.

(실시의 형태 3)

도 18은 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 화상 신호 처리 회로의 구성의 일례를 나타내는 회로 블록도이다. 또, 도 18에는, 크로스토크를 저감하는 제어에 관한 회로 블록을 나타내고, 그 이외의 회로 블록은 생략하고 있다. 또한, 도 5에 나타내는 화상 신호 처리 회로(41) 및 도 13에 나타내는 화상 신호 처리 회로(410)와 같은 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 설명을 생략한다.

화상 신호 처리 회로(413)는, 도 13에 나타내는 화상 데이터 생성부(501)에 더하여, 디더 처리부(71)와, 크로스토크 판정부(72)를 갖는다.

계조치 변환부(66)는, 도 13에서 나타낸 계조치 변환부(66)와 마찬가지로, 표시용 계조에 한정되지 않고, 화상 신호의 크기에 따른 계조치를 출력한다.

디더 처리부(71)는, 계조치 변환부(51)로부터 출력되는 계조치가 표시용 계조에 포함되지 않는 계조치일 때에는, 표시용 계조 중에서 서로 다른 적어도 2개의 계조치를 선택한다. 그리고, 행렬 형상으로 조합한 복수의 방전셀(이하, 「방전셀군」이라고 호칭함)의 각각에, 선택된 계조치 중 어느 하나를 할당한다. 이렇게 해서, 일반적으로 알려진 디더 처리를 행하여, 표시용 계조에 포함되지 않는 계조치를 의사적으로 표시할 수 있도록 한다. 또한, 본 실시의 형태에 있어서의 디더 처리부(71)는, 크로스토크 판정부(72)에 있어서의 판정 결과에 따라 디더 처리를 변경한다. 이 상세는 후술한다.

크로스토크 판정부(72)는, 크로스토크 발생 조건에 해당하는 계조치의 조합이 기억부(73)에 미리 기억되어 있다. 그리고, 디더 처리부(71)에 있어서 선택된 복수의 계조치에, 크로스토크 발생 조건에 해당하는 계조치의 조합이 포함되어 있는지 여부를 판정한다. 구체적으로는, 예컨대, 도 8(a), 도 8(b), 도 8(c)에 나타낸 바와 같이, 2개의 계조치의 각각을 화상 데이터로 변환했을 때에, 다음 2개의 조건에 모두 적합할 때, 크로스토크 발생 조건에 해당하는 계조치라고 판정한다.

1 : 1필드를 구성하는 복수의 서브필드 중 하나의 서브필드가 한쪽의 계조치에서는 발광 서브필드가 되고, 또한 다른 쪽의 계조치에서는 비발광 서브필드가 된다.

2 : 동일 필드에 있어서의 상술한 서브필드 이후의 서브필드에, 상술한 한쪽의 계조치에서는 비발광 서브필드가 되고, 또한 상술한 다른 쪽의 계조치에서는 발광 서브필드가 되는 서브필드가 포함된다.

또한, 크로스토크 판정부(72)는, 디더 처리부(71)에 있어서 설정된 방전셀군에, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀이 포함되어 있는지 여부를 판정한다.

다음으로, 본 실시의 형태에 있어서의 디더 처리에 대하여 설명한다. 도 19(a), 도 19(b), 도 19(c)는 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 디더 처리의 일례를 간략하게 나타내는 도면이다. 또, 도 19(a), 도 19(b), 도 19(c)에 나타내는 각 블록은 각각이 방전셀을 나타내고, G는 녹색으로 발광하는 방전셀을 나타내고, B는 청색으로 발광하는 방전셀을 나타내고, R은 적색으로 발광하는 방전셀을 나타낸다. 또한, 방전셀 내에 기재한 수치는, 그 방전셀에 할당된 계조치를 나타낸다.

예컨대, 도 19(a)에 나타내는 바와 같이, G의 방전셀을 계조치 「55」로 발광시키고 싶을 때, 코딩 테이블(52)의 표시용 계조에 계조치 「55」가 포함되어 있지 않으면, 표시용 계조에 포함되는 계조치로부터, 평균치가 「55」가 되도록, 복수의 계조치를 선택한다. 예컨대, 계조치 「53」 및 계조치 「57」을 선택한다. 그리고, 선택한 계조치를, 도 19(b)에 나타내는 바와 같이, 행렬 형상으로 조합한 방전셀(예컨대, 2행 2열의 방전셀)의 각 방전셀에 할당한다. 이에 따라, 의사적으로 계조치 「55」를 표시할 수 있다. 이때, 해상도의 열화를 방지하기 위해, 행 방향(이하, 「수평 방향」이라고 적음)으로 인접하는 방전셀 및 열 방향(「수직 방향」이라고 적음)으로 인접하는 방전셀은 각각이 서로 다른 계조치가 되도록, 각 방전셀에 각 계조치를 할당한다. 또, 수평 방향에 관해서는, B의 방전셀 및 R의 방전셀이 사이에 있는 구성이 되지만, 본 실시의 형태에서는 설명을 간략화하기 위해, 「인접한다」고 하는 표현을 이용한다.

디더 처리부(71)에서는, 이와 같이 일반적으로 알려진 디더 처리를 행하고, 코딩 테이블(52)의 표시용 계조에 포함되는 복수의 계조치를 이용하여, 표시용 계조에 포함되지 않는 계조치(이하, 「중간 계조치」라고도 적음)를 의사적으로 표시할 수 있도록 한다. 또한, 도시는 하지 않지만, 각 방전셀에 할당하는 계조치를 필드마다 서로 교체함으로써, 보다 자연스럽게 중간 계조치를 표시할 수 있다.

또, 디더 처리는 같은 색의 방전셀 사이에서 행하므로, 이하의 도면에서는, 도 19(c)에 나타내는 바와 같이, 같은 색의 방전셀 사이에 있는 다른 색의 방전셀을 생략하여 도시하는 것으로 한다.

그리고, 본 실시의 형태에 있어서의 디더 처리부(71)는, 크로스토크 판정부(72)에 있어서의 판정 결과에 따라 상술한 디더 처리에 변경을 가한다.

구체적으로는, 크로스토크 판정부(72)에 있어서, 디더 처리부(71)에서 선택된 계조치에 상술한 크로스토크 발생 조건에 해당하는 계조치가 포함되어 있다고 판정되고, 또한 디더 처리부(71)에서 설정된 방전셀군에 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀이 포함되어 있다고 판정했을 때에, 디더 처리부(71)는, 크로스토크 발생 조건을 회피하도록 디더 처리를 변경한다.

즉, 디더 처리부(71)는, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀은 서로 같은 계조치가 되도록, 주사 전극(22)끼리 이웃하지 않고서 인접하는 방전셀은 서로 다른 계조치가 되도록, 디더 처리용으로 선택한 계조치를 방전셀군의 각 방전셀에 할당한다.

도 20(a), 도 20(b), 도 20(c)는 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 디더 처리를 변경할 때의 일례를 간략하게 나타내는 도면이다. 또, 도 20(a), 도 20(b)에서는, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀을 시각적으로 알기 쉽게 나타내기 위해, 유지 전극(23) 및 데이터 전극(32)을 생략하고, 방전셀과 주사 전극(22)을 도시하고 있다. 또한, 여기서는, 도 20(a)에 파선으로 나타내는 바와 같이, 2행 2열의 행렬 형상으로 조합한 4개의 방전셀(이하, n행 m열의 행렬 형상으로 조합한 방전셀을 「n×m의 방전셀」이라고 나타냄)을 디더 처리에 이용하는 하나의 방전셀군으로 했을 때의 예를 나타낸다.

예컨대, 도 20(a)에 나타내는 바와 같이, 하나의 방전셀군에 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀이 포함되고, 또한, 디더 처리에 이용하기 위해 선택된 계조치(예컨대, 계조치 「53」 및 계조치 「57」)가 도 20(c)에 나타내는 바와 같이 크로스토크 발생 조건에 해당할 때에는, 디더 처리부(71)는, 크로스토크 발생 조건을 회피하도록 디더 처리를 변경한다. 즉, 도 20(b)에 나타내는 바와 같이, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀은 서로 같은 계조치가 되도록, 각 방전셀에 할당하는 계조치의 배치 위치를 변경한다.

도 21(a), 도 21(b)는 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 디더 처리의 다른 일례를 간략하게 나타내는 도면이다.

예컨대, 도 21(a)에 나타내는 바와 같이, 2×2의 방전셀군에 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀이 포함되고, 또한, 디더 처리에 이용하기 위해 선택된 계조치(예컨대, 계조치 「53」 및 계조치 「57」)가 상술한 크로스토크 발생 조건에 해당하고, 또한, 같은 방전셀군이 2조 인접할 때에는, 다음과 같이 계조치의 배치 위치를 변경한다. 즉, 도 21(b)에 파선으로 나타내는 바와 같이, 하나의 방전셀군을, 2×2의 행렬 형상으로 조합한 4개의 방전셀로부터, 2×4의 행렬 형상으로 조합한 8개의 방전셀로 늘린다. 그리고 도 21(b)에 나타내는 바와 같이, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀은 서로 같은 계조치가 되도록, 또한 주사 전극(22)끼리 이웃하지 않고서 인접하는 방전셀은 서로 다른 계조치가 되도록, 각 계조치를 각 방전셀에 할당한다. 또, 이때, 수평 방향으로 인접하는 방전셀은 같은 계조치가 되지 않도록 한다.

이와 같이 디더 처리를 변경함으로써, 크로스토크 발생 조건을 회피할 수 있고, 디더 처리를 행함으로써 발생할 우려가 있는 크로스토크를 저감하여, 화상 표시 품질을 향상시킬 수 있다.

도 22(a), 도 22(b)는 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 디더 처리의 또 다른 일례를 간략하게 나타내는 도면이다.

예컨대, 도 22(a)에 나타내는 바와 같이, 하나의 방전셀군에 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀이 포함되고, 또한, 디더 처리에 이용하기 위해 선택된 계조치(예컨대, 계조치 「53」 및 계조치 「57」)가 크로스토크 발생 조건에 해당할 때, 다음과 같이 계조치의 배치 위치를 변경하는 구성으로 해도 좋다. 즉, 도 21(b)에 나타낸 구성과 같이, 도 22(b)에서도, 하나의 방전셀군을, 2×2의 행렬 형상으로 조합한 4개의 방전셀로부터, 2×4의 행렬 형상으로 조합한 8개의 방전셀로 늘린다. 그리고, 도 22(b)에 나타내는 바와 같이, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀은 서로 같은 계조치가 되도록, 또한 주사 전극(22)끼리 이웃하지 않고서 인접하는 방전셀은 서로 다른 계조치가 되도록, 각 계조치를 각 방전셀에 할당한다. 또, 이때, 수평 방향으로 인접하는 방전셀은 같은 계조치가 되지 않도록 한다.

이와 같이 디더 처리를 변경하는 것에 의해서도, 크로스토크 발생 조건을 회피하고, 디더 처리를 행함으로써 발생할 우려가 있는 크로스토크를 저감할 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시의 형태에서는, 디더 처리부(71)에 있어서 선택된 복수의 계조치에, 크로스토크 발생 조건에 해당하는 계조치의 조합이 포함되어 있는지 여부, 및 디더 처리부(71)에 있어서 설정된 방전셀군에, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀이 포함되어 있는지 여부를 크로스토크 판정부(72)에서 판정한다. 그리고, 그 판정 결과에 따라, 디더 처리부(71)에서는, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀은 서로 같은 계조치가 되도록, 또한 주사 전극(22)끼리 이웃하지 않고서 인접하는 방전셀은 서로 다른 계조치가 되도록, 디더 처리용으로 선택된 각 계조치를 방전셀군의 각 방전셀에 할당한다. 이러한 구성으로 함으로써, 크로스토크 발생 조건을 회피하면서 디더 처리를 행하는 것이 가능해진다. 따라서, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀 사이에서의 크로스토크의 발생을 저감하여, 화상 표시 품질을 향상시킬 수 있다.

또, 도시는 하지 않지만, 각 방전셀에 할당하는 계조치를 필드마다 서로 교체하는 구성으로 하는 것이 바람직하다. 그에 따라, 보다 자연스럽게 중간 계조치를 표시할 수 있다.

또, 본 실시의 형태에서는, 크로스토크 판정부(72)를 마련하여, 크로스토크 판정부(72)에 있어서 크로스토크 발생 조건에 해당하는 계조치의 조합의 판정을 행하는 구성을 설명했다. 그러나, 예컨대, 디더 처리부(71)에 있어서, 크로스토크 발생 조건에 해당하는 계조치의 조합이 선택되었을 때에는 자동적으로 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀에 같은 계조치를 할당하지 않도록 디더 처리를 행하는 구성으로 해도 좋다.

또, 본 발명에 있어서 디더 처리에 이용하는 계조치의 수는, 조금도 상술한 구성에 한정되는 것이 아니다. 디더 처리에 이용하는 계조치의 수는 3개 혹은 그 이상이더라도 좋다.

도 23(a), 도 23(b), 도 23(c)는 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 디더 처리의 또 다른 일례를 간략하게 나타내는 도면이다. 예컨대, 도 23(a)에 나타내는 바와 같이, 하나의 방전셀군에 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀이 포함되고, 또한, 디더 처리에 이용하기 위해 4개의 계조치(예컨대, 계조치 「45」, 계조치 「49」, 계조치 「53」 및 계조치 「57」)가 선택되고, 그 중 1조(예컨대, 계조치 「45」 및 계조치 「49」)와 나머지 1조(예컨대, 계조치 「53」 및 계조치 「57」)가 각각 크로스토크 발생 조건에 해당할 때, 다음과 같이 계조치의 배치 위치를 변경하는 구성으로 해도 좋다. 즉, 도 23(b)에 나타내는 바와 같이, 하나의 방전셀군을, 2×2의 행렬 형상으로 조합한 4개의 방전셀로부터, 2×4의 행렬 형상으로 조합한 8개의 방전셀로 늘린다. 그리고, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀은 서로 같은 계조치가 되도록, 또한 주사 전극(22)끼리 이웃하지 않고서 인접하는 방전셀은 서로 다른 계조치가 되도록, 각 계조치를 각 방전셀에 할당한다. 예컨대, 이러한 구성으로 해도 좋다.

또, 본 발명에 있어서 디더 처리에 이용하는 방전셀의 조합은, 조금도 상술한 구성에 한정되는 것이 아니다. 도 24(a), 도 24(b)는 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 디더 처리의 또 다른 일례를 간략하게 나타내는 도면이다. 예컨대, 도 24(a)에 나타내는 바와 같이, 하나의 방전셀군이 2×3의 행렬 형상으로 조합한 6개의 방전셀로 이루어지고, 그 중에 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀이 포함되고, 또한, 디더 처리에 이용하기 위해 선택된 계조치(예컨대, 계조치 「45」 및 계조치 「49」)가 크로스토크 발생 조건에 해당할 때, 다음과 같이 계조치의 배치 위치를 변경하는 구성으로 해도 좋다. 즉, 도 24(b)에 나타내는 바와 같이, 방전셀군을 구성하는 방전셀의 수는 그대로 하고, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀은 서로 같은 계조치가 되도록, 또한 주사 전극(22)끼리 이웃하지 않고서 인접하는 방전셀은 서로 다른 계조치가 되도록, 각 계조치를 각 방전셀에 할당한다. 예컨대, 이러한 구성으로 해도 좋다.

또, 본 실시의 형태에 나타낸 구성과, 실시의 형태 1에서 도 5에 나타낸 구성을 조합한 화상 신호 처리 회로를 구성할 수도 있다. 도 25는 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 화상 신호 처리 회로의 구성의 다른 일례를 나타내는 회로 블록도이다. 도 25에는, 크로스토크를 저감하는 제어에 관한 회로 블록을 나타내고, 그 이외의 회로 블록은 생략하고 있다. 또한, 도 5에 나타내는 화상 신호 처리 회로(41) 및 도 18에 나타내는 화상 신호 처리 회로(413)와 같은 구성 요소에 대해서는 각각 동일한 부호를 부여하고 설명을 생략한다.

화상 신호 처리 회로(414)는 도 5에 나타내는 크로스토크 판정부(58), 화상 데이터 변경부(59)와, 도 18에 나타내는 화상 데이터 생성부(501), 디더 처리부(71), 크로스토크 판정부(72)를 갖는다. 예컨대, 이러한 구성으로 함으로써, 디더 처리를 행하지 않는 방전셀에 관해서는, 실시의 형태 1에 나타낸 구성으로 화상 데이터를 변경할 수 있다. 이에 따라, 화상 표시 품질을 더 향상시킬 수 있다.

또한, 도 25에 나타낸 구성에, 실시의 형태 2에서 도 15에 나타낸 구성을 더 조합하여 화상 신호 처리 회로를 구성하는 것도 가능하다. 도 26은 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 화상 신호 처리 회로의 구성의 또 다른 일례를 나타내는 회로 블록도이다. 도 26에는, 크로스토크를 저감하는 제어에 관한 회로 블록을 나타내고, 그 이외의 회로 블록은 생략하고 있다. 또한, 도 5에 나타내는 화상 신호 처리 회로(41)와 같은 구성 요소, 도 15에 나타내는 화상 신호 처리 회로(411)와 같은 구성 요소, 및 도 18에 나타내는 화상 신호 처리 회로(413)와 같은 구성 요소에 대해서는 각각 동일한 부호를 부여하고 설명을 생략한다.

화상 신호 처리 회로(415)는, 도 5에 나타내는 크로스토크 판정부(58), 화상 데이터 변경부(59)와, 도 15에 나타내는 수직 윤곽 검출부(61), 선택부(70)와, 도 15에 나타내는 화상 데이터 생성부(62)에 도 18에 나타내는 디더 처리부(71), 크로스토크 판정부(72)를 구비한 화상 데이터 생성부(74)를 갖는다. 예컨대, 이러한 구성으로 함으로써, 수직 윤곽 부분에 포함되는 방전셀에 관해서는, 실시의 형태 2에 나타낸 구성으로 화상 데이터를 생성하고, 수직 윤곽 부분에 포함되지 않는 방전셀에 관해서는, 실시의 형태 3에 나타낸 구성으로 디더 처리를 행하고, 수직 윤곽 부분에 포함되지 않고, 또한 디더 처리를 행하지 않는 방전셀에 관해서는, 실시의 형태 1에 나타낸 구성으로 화상 데이터를 변경할 수 있다. 이에 따라, 화상 표시 품질을 더 향상시킬 수 있다.

또, 본 발명에 있어서의 실시의 형태에서는, 주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀 사이에서의 크로스토크를 저감하는 구성을 설명했다. 그러나, 같은 전하의 이동은 유지 전극(23)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀 사이에서도 발생한다고 생각된다. 그리고, 유지 기간에 있어서 최초로 유지 펄스를 인가하는 전극을 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn으로 하는 구성에서는, 유지 전극(23)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀 사이에, 크로스토크에 의한 이상한 유지 방전이 발생할 가능성이 높다고 생각된다. 따라서, 그와 같은 구성에서는, 상술한 「주사 전극(22)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀」을 「유지 전극(23)끼리 이웃하여 인접하는 방전셀」로 치환하여 같은 구성으로 함으로써, 상술한 것과 같은 효과를 얻을 수 있다.

또, 본 발명의 실시의 형태에 있어서 나타낸 구체적인 각 수치는, 실시의 형태에 있어서의 일례를 나타낸 것에 지나지 않고, 본 발명은 이들의 수치에 조금도 한정되는 것이 아니다. 각 수치는, 패널의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치의 사양 등에 맞춰 최적으로 설정하는 것이 바람직하다.

또, 본 발명의 실시의 형태에서는, 소거 램프 파형 L3을 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 구성을 설명했다. 그러나, 소거 램프 파형 L3을 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 인가하는 구성으로 할 수도 있다. 혹은, 소거 램프 파형 L3이 아닌, 이른바 세폭 소거 펄스에 의해 소거 방전을 발생시키는 구성으로 해도 좋다.

(산업상이용가능성)

본 발명은, 주사 전극과 유지 전극의 위치 관계가 표시 전극쌍마다 교번하도록 주사 전극 및 유지 전극이 배열된 패널에 있어서, 인접하는 방전셀 사이의 크로스토크를 저감하여 유지 방전을 안정하게 발생시킬 수 있다. 따라서, 화상 표시 품질을 향상시킬 수 있고, 플라즈마 디스플레이 장치 및 패널의 구동 방법으로서 유용하다.

1 : 플라즈마 디스플레이 장치
10 : 패널(플라즈마 디스플레이 패널)
21 : 전면판
22 : 주사 전극
23 : 유지 전극
24 : 표시 전극쌍
25, 33 : 유전체층
26 : 보호층
31 : 배면판
32 : 데이터 전극
34 : 격벽
35 : 형광체층
41, 410, 411, 412, 413, 414, 415 : 화상 신호 처리 회로
42 : 데이터 전극 구동 회로
43 : 주사 전극 구동 회로
44 : 유지 전극 구동 회로
45 : 타이밍 발생 회로
50, 62, 74, 501 : 화상 데이터 생성부
51, 66 : 계조치 변환부
52 : 코딩 테이블
53 : 코딩부
54 : 디더 처리부
55 : 감산부
56 : 가산부
57 : 메모리
58, 72 : 크로스토크 판정부
59 : 화상 데이터 변경부
60 : 역변환부
61 : 수직 윤곽 검출부
63 : 제 1 계조치 변환부
64 : 제 1 코딩 테이블
65 : 제 1 코딩부
67 : 제 2 계조치 변환부
68 : 제 2 코딩부
69 : 제 2 코딩 테이블
70 : 선택부
71 : 디더 처리부
73 : 기억부

Claims (11)

1. 초기화 기간과 기입 기간과 유지 기간을 갖는 서브필드를 1필드 내에 복수 마련하는 서브필드법에 의해 구동되고, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전셀을 복수 구비함과 아울러, 상기 주사 전극과 상기 유지 전극의 위치 관계가 상기 표시 전극쌍마다 교번하도록 상기 주사 전극 및 상기 유지 전극이 배열된 플라즈마 디스플레이 패널과,
   화상 신호를 상기 방전셀에 있어서의 서브필드마다의 발광ㆍ비발광을 나타내는 화상 데이터로 변환하는 화상 신호 처리 회로
   를 구비하고,
   상기 화상 신호 처리 회로는, 인접하는 2개의 방전셀에 있어서, 1필드를 구성하는 복수의 서브필드 중 하나의 서브필드에서 한쪽의 방전셀이 발광이 되고, 또한 다른 쪽의 방전셀이 비발광이 됨과 아울러, 동일 필드에 있어서의 상기 하나의 서브필드 이후의 서브필드에서 상기 한쪽의 방전셀이 비발광이 되고, 또한 상기 다른 쪽의 방전셀이 발광이 되는 화상 데이터의 조합이 발생하지 않도록 상기 화상 데이터를 생성하는 것
   을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
   
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 인접하는 2개의 방전셀은, 상기 주사 전극끼리 이웃하여 인접하는 방전셀인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
   
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 화상 신호 처리 회로는, 화상 신호에 근거하여 화상 데이터를 생성하는 화상 데이터 생성부와, 상기 화상 데이터 생성부로부터 출력되는 화상 데이터에 있어서, 상기 인접하는 2개의 방전셀에 있어서의 화상 데이터가, 소정의 조합이 되는지 여부를 판정하는 크로스토크 판정부와, 상기 화상 데이터 생성부로부터 출력되는 화상 데이터에 변경을 가하여 새로운 화상 데이터를 생성하는 화상 데이터 변경부를 구비하고,
   상기 크로스토크 판정부는, 상기 복수의 서브필드 중 하나의 서브필드에서 상기 인접하는 2개의 방전셀의 한쪽의 방전셀이 발광이 되고, 또한 다른 쪽의 방전셀이 비발광이 됨과 아울러, 동일 필드에 있어서의 상기 하나의 서브필드 이후의 서브필드에서 상기 한쪽의 방전셀이 비발광이 되고, 또한 상기 다른 쪽의 방전셀이 발광이 되는 화상 데이터의 조합을 상기 소정의 조합이라고 판정하고,
   상기 화상 데이터 변경부는, 상기 크로스토크 판정부에서 상기 인접하는 2개의 방전셀에 있어서의 화상 데이터가 상기 소정의 조합이라고 판정되었을 때에, 상기 하나의 서브필드와, 상기 하나의 서브필드 이후의 서브필드에서 상기 한쪽의 방전셀이 비발광이 되고 또한 상기 다른 쪽의 방전셀이 발광이 되는 최초의 서브필드의 2개의 서브필드 중 적어도 한쪽의 서브필드에 있어서, 상기 인접하는 2개의 방전셀이, 함께 발광, 또는 함께 비발광이 되도록, 상기 화상 데이터 생성부로부터 출력되는 화상 데이터에 변경을 가하는 것
   을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
   
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 화상 데이터 변경부는, 상기 크로스토크 판정부에서 상기 인접하는 2개의 방전셀에 있어서의 화상 데이터가 상기 소정의 조합이라고 판정되었을 때에, 상기 2개의 서브필드 중 한쪽의 서브필드에 있어서, 상기 인접하는 2개의 방전셀이, 함께 발광, 또는 함께 비발광이 되도록, 화상 데이터에 변경을 가함과 아울러, 상기 한쪽의 서브필드를 휘도 가중치가 작은 쪽의 서브필드로 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
   
5. 제 3 항에 있어서,
   상기 화상 데이터 변경부는, 상기 크로스토크 판정부에서 상기 인접하는 2개의 방전셀에 있어서의 화상 데이터가 상기 소정의 조합이라고 판정되었을 때에, 상기 한쪽의 방전셀의 화상 데이터가, 상기 다른 쪽의 방전셀의 화상 데이터와 같아지도록, 상기 화상 데이터 생성부로부터 출력되는 화상 데이터에 변경을 가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
   
6. 제 3 항에 있어서,
   상기 화상 데이터 변경부는, 변경을 가하기 전의 화상 데이터보다 변경을 가한 후의 화상 데이터 쪽이 계조치가 커지도록 화상 데이터에 상기 변경을 가할 때에는, 상기 변경에 의해 비발광으로부터 발광으로 변경되는 서브필드보다 휘도 가중치가 작은 서브필드에 있어서 하나 이상의 서브필드가 발광으로부터 비발광이 되도록 상기 화상 데이터에 더 변경을 가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
   
7. 제 3 항에 있어서,
   상기 화상 데이터 변경부는, 상기 크로스토크 판정부에서 상기 인접하는 2개의 방전셀에 있어서의 화상 데이터가 상기 소정의 조합이라고 판정되었을 때에, 상기 적어도 하나의 서브필드에 있어서, 상기 인접하는 2개의 방전셀 중 배치적으로 보아 아래에 위치하는 방전셀의 발광 상태가, 배치적으로 보아 위에 위치하는 방전셀의 발광 상태와 같아지도록 상기 화상 데이터를 변경하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
   
8. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
   상기 화상 신호 처리 회로는, 화상에 있어서의 수직 방향의 윤곽 부분을 검출함과 아울러 상기 인접하는 2개의 방전셀이 상기 윤곽 부분에 포함되는지 여부를 판단하는 수직 윤곽 검출부와, 각 서브필드에 있어서의 발광ㆍ비발광의 조합과 표시에 사용하는 계조치를 관련시킨 복수의 코딩 데이터로 구성된 제 1 코딩 테이블 및 제 2 코딩 테이블을 갖고 화상 신호에 근거하여 화상 데이터를 생성하는 화상 데이터 생성부를 구비하고,
   화상 데이터 생성부는, 상기 제 2 코딩 테이블을, 비발광의 서브필드가 있으면, 동일 필드에 있어서의 상기 비발광의 서브필드 이후의 모든 서브필드를 비발광으로 하는 코딩 데이터로 구성함과 아울러, 상기 수직 윤곽 검출부에서 상기 인접하는 2개의 방전셀이 상기 윤곽 부분에 포함된다고 판단되었을 때에는, 상기 인접하는 2개의 방전셀에 있어서의 화상 데이터를 상기 제 2 코딩 테이블을 이용하여 생성하는 것을 특징으로 하는
   플라즈마 디스플레이 장치.
   
9. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
   상기 화상 신호 처리 회로는, 서로 다른 적어도 2개의 계조치를 선택하고, 행렬 형상으로 조합한 복수의 방전셀의 각각에 상기 적어도 2개의 계조치 중 하나를 할당하여 디더 처리(dither processing)를 행하는 디더 처리부를 구비하고,
   상기 디더 처리부는, 상기 행렬 형상으로 조합한 복수의 방전셀에 상기 인접하는 2개의 방전셀이 포함되고, 또한, 상기 적어도 2개의 계조치에, 상기 복수의 서브필드 중 하나의 서브필드가 한쪽의 계조치에서는 발광 서브필드가 되고, 또한 다른 쪽의 계조치에서는 비발광 서브필드가 됨과 아울러, 동일 필드에 있어서의 상기 하나의 서브필드 이후의 서브필드에 상기 한쪽의 계조치에서는 비발광 서브필드가 되고, 또한 상기 다른 쪽의 계조치에서는 발광 서브필드가 되는 서브필드가 존재하는 2개의 계조치가 포함되어 있을 때에, 상기 인접하는 2개의 방전셀에는 서로 같은 계조치를 할당하고, 상기 주사 전극끼리 이웃하지 않고서 인접하는 2개의 방전셀에는 서로 다른 계조치를 할당하여 디더 처리를 행하는 것
   을 특징으로 하는 기재의 플라즈마 디스플레이 장치.
   
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 디더 처리부는, 상기 행렬 형상으로 조합한 복수의 방전셀에 상기 인접하는 2개의 방전셀이 포함되고, 또한, 상기 적어도 2개의 계조치에, 상기 복수의 서브필드 중 하나의 서브필드가 한쪽의 계조치에서는 발광 서브필드가 되고, 또한 다른 쪽의 계조치에서는 비발광 서브필드가 됨과 아울러, 동일 필드에 있어서의 상기 하나의 서브필드 이후의 서브필드에 상기 한쪽의 계조치에서는 비발광 서브필드가 되고, 또한 상기 다른 쪽의 계조치에서는 발광 서브필드가 되는 서브필드가 존재하는 2개의 계조치가 포함되어 있을 때에, 상기 디더 처리를 행하기 위해 행렬 형상으로 조합하는 방전셀의 수를 늘리는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
    
11. 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전셀을 복수 구비함과 아울러, 상기 주사 전극과 상기 유지 전극의 위치 관계가 상기 표시 전극쌍마다 교번하도록 상기 주사 전극 및 상기 유지 전극이 배열된 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법으로서,
    초기화 기간과 기입 기간과 유지 기간을 갖는 서브필드를 1필드 내에 복수 마련하고,
    화상 신호를 상기 방전셀에 있어서의 서브필드마다의 발광ㆍ비발광을 나타내는 화상 데이터로 변환함과 아울러,
    인접하는 2개의 방전셀에 있어서, 1필드를 구성하는 복수의 서브필드 중 하나의 서브필드에서 한쪽의 방전셀이 발광이 되고, 또한 다른 쪽의 방전셀이 비발광이 됨과 아울러, 동일 필드에 있어서의 상기 하나의 서브필드 이후의 서브필드에서 상기 한쪽의 방전셀이 비발광이 되고, 또한 상기 다른 쪽의 방전셀이 발광이 되는 화상 데이터의 조합이 발생하지 않도록 상기 화상 데이터를 생성하는 것
    을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.

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