KR101108380B1 - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정표시장치에서 패드 영역의 데이터 배선 부식 및 전식을 방지할 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 기판 상에 채널층을 형성하는 단계; 상기 채널층이 형성된 기판 상에 절연막을 형성한 다음, 상기 절연막 상에 게이트 전극, 게이트 배선 및 공통 배선을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 층간절연막을 형성하고, 계속해서 ITO를 형성한 다음, 식각하여 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 채널층 상부의 층간절연막에 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀이 형성된 기판 상에 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 배선을 형성하는 단계; 상기 소스 전극과 드레인 전극이 형성된 기판 상에 유기막을 형성한 다음, 상기 드레인 전극 상부와 상기 데이터 배선 중 실(seal)이 형성될 일부를 노출시키는 콘택홀 공정을 진행하는 단계; 및 상기 콘택홀이 형성된 기판 상에 금속막을 증착하고, 식각하여 반사판 및 실 형성 영역에 보호 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 액정표시장치의 제조 공정을 단순화 시키면서, 데이터 배선의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
LCD, 반사판, 화소전극, 반사, 투과, 보호 패턴, 단일 유기막
Description
도 1 은 종래 기술에 따른 반사투과형 액정표시장치를 도시한 분해 사시도.
도 2a 내지 도 2f는 종래 기술에 따른 반사투과형 액정표시장치의 제조 공정을 도시한 도면.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치의 제조 공정을 도시한 도면.
도 4는 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치의 패드 영역을 도시한 도면.
도 5는 상기 도 4의 패드 영역에 형성된 보호 패턴을 도시한 도면.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
130: 하부 기판 131: 버퍼층
134: 게이트 절연막 135: 채널층
136: 게이트 전극 137: 층간절연막
139a: 소스 전극 139b: 드레인 전극
140: 유기막 141: 데이터 배선
145: 반사판 146: 보호 패턴
본 발명은 액정표시장치에서 패드 영역의 데이터 배선 부식 및 전식을 방지할 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 정보화 사회로 시대가 급진전함에 따라, 대량의 정보를 처리하고 이를 표시하는 디스플레이(display) 기술 분야가 큰 발전하고 있다. 특히, 디스플레이 장치로서 주류를 이루고 있는 것이 브라운관(cathode-ray tube ; CRT) 이였다.
그러나, 최근 들어 소형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 시대상에 부응하기 위해 평판표시소자(Flat panel display)의 필요성이 대두되었다. 이에 따라 색 재현성이 우수하고 박형인 박막 트랜지스터형 액정표시소자(Thin film transistor-liquid crystal display ; 이하 TFT-LCD라 한다)가 개발되었다.
상기 TFT-LCD의 동작을 살펴보면, 박막 트랜지스터에 의해 임의의 화소(pixel)가 스위칭 되면, 스위칭된 임의의 화소는 하부 광원의 빛 투과 량을 조절한다.
상기 스위칭 소자는 반도체 층을 비정질 실리콘으로 형성한, 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(amorphous silicon thin film transistor ; a-Si:H TFT)가 주류를 이루고 있다. 이는 비정질 실리콘 박막이 저가의 유리기판과 같은 대형 절연기판 상에 저온에서 형성하는 것이 가능하기 때문이다.
그리고 일반적으로 사용되는 TFT-LCD는 패널의 하부에 위치한 백라이트라는 광원의 빛에 의해 영상을 표현하는 방식을 써왔다.
그러나, TFT-LCD는 백라이트에 의해 입사된 빛의 3～8%만 투과하는 매우 비효율적인 광 변조기이다.
두 장의 편광판의 투과율은 45%, 하판과 상판의 유리 두 장의 투과율은 94%, TFT어레이 및 화소의 투과율은 약 65%, 컬러필터의 투과율은 27%라고 가정하면 TFT-LCD의 광 투과율은 약 7.4%이다.
그래서, 액정표시장치의 외부 광원과 내부 광원을 디스플레이를 위한 광원으로 사용할 수 있는 반사투과형 액정표시장치가 제안되어져 왔는데, 그 구조는 다음과 같다.
도 1 은 일반적인 반사투과형 액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 반사투과형 액정표시장치의 구조는 크게 컬러 필터 기판과 어레이 기판 및 액정층(17)으로 구분되는데, 상기 컬러 필터 기판은 투명성 재질로된 상부 기판(20) 상에 크롬 재질로 형성된 블랙 매트릭스(23)와, 상기 블랙 매트릭스(23)가 형성된 내부 공간에 R, G, B 컬러 필터층(25)이 형성되어 있다.
그리고 상기 컬러 필터층(25) 상에는 공통 전압이 인가되는 공통전극(21)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 컬러 필터 기판과 대응하는 상기 어레이 기판은 투명성 재질로된 하부 기판(10) 상에 다수개의 게이트 배선(12)과 데이터 배선(11)을 수직으로 교차 배열되어 단위 화소 영역을 정의한다.
상기 단위 화소 영역 상에는 스위칭 동작을 하는 TFT(15)와 투과 영역의 화소 전극(13b) 및 반사 영역의 반사 판(13a)이 배치되어 구성된다.
상기 어레이 기판과 컬러 필터 기판은 액정층(17)을 사이에 두고 합착되며, 상기 어레이 기판에 배치되어 있는 게이트 배선(12)에 구동 신호가 인가되어 TFT가 턴온(Turn On)되면, 상기 데이터 배선(11)으로부터 데이터 신호가 상기 드레인 전극과 연결된 화소 전극(13b)에 전달된다.
상기 화소 전극(13b)에 인가된 데이터 신호에 의해서 상기 컬러 필터 기판 상에 형성된 공통 전극(21)과 상기 화소 전극(13b) 사이에 전계가 형성되고, 형성된 전계에 의해서 액정의 투과율을 조절하여 화상을 디스플레이 한다.
또한, 외부 광원이 존재할 경우에는 상기 반사판(13a)에 의하여 광을 반사시켜 화상을 디스플레이 한다.
이와 같이 반사투과형 액정표시장치는 밝은 낮에는 외부광을 주로 이용하여 화상을 디스플레이하고, 외부광이 없는 밤이나 공간에서는 내부 광원을 주로 이용함으로 디스플레이 함으로써, 화상 품질을 유지하면서 전력소비를 감소시킬 수 있는 이점이 있다.
도 2a 내지 도 2f는 종래 기술에 따른 반사투과형 액정표시장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 화소 영역과 패드 영역중 실(seal)이 도포되는 영역을 중심으로 제조 공정 단계에 따른 단면도를 도시하였다.
먼저, 하부 기판(30)의 전 영역 상에 버퍼층(buffer: 31)을 형성한 다음, TFT의 채널층을 형성하기 위하여 비정질 실리콘을 상기 버퍼층(31)이 형성된 하부 기판(30) 상에 형성한다. 그리고 이를 레이저(laser)를 사용하여 열처리함으로써 다결정화(poly crystallization) 시킨다.
상기 비정질 실리콘이 폴리 실리콘으로 결정화되면, 결정화된 상기 폴리 실리콘 상에 마스크 공정을 진행하여 화소 영역에 TFT의 채널층(35)을 형성한다. 이때, 실 영역 및 다른 영역에 형성된 결정화된 실리콘 층은 모두 제거된다.
그런 다음, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 채널층(35)이 형성된 상기 하부 기판(30) 상에 게이트 절연막(34)을 형성한다. 따라서, 화소 영역의 채널층(35) 상에는 게이트 절연막(34)이 형성된 구조가 되고, 실이 형성될 패드 영역에는 버퍼층(31)과 게이트 절연막(34)이 형성된 구조가 된다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 절연막(34)이 형성된 하부 기판(30) 상에 금속막을 증착한 다음, 식각하여 상기 채널층(35) 상부에 게이트 전극(36)을 형성한다.
여기서, 상기 게이트 전극(36)의 금속막은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금을 사용하며, 상기 게이트 절연막(34)은 실리콘 질화막(SiNX) 또는 실리콘 산화막을 사용한다.
상기와 같이, 게이트 전극(36)이 하부 기판(30) 상에 형성되면, 상기 게이트 전극(36)이 위치하지 않는 상기 채널층(35)의 양측에 n+ 또는 p+ 이온을 주입하여 오믹 콘택층을 형성한다(미도시).
그런 다음, 도 2d에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 전극(36)과 오믹 콘택층이 형성된 하부 기판(30) 상에 층간절연막(37)을 형성하고, 상기 채널층(35)의 오믹 콘택층이 외부로 노출되도록 콘택홀 공정을 진행한다.
상기와 같이 콘택홀 공정이 진행되면, 도 2e에 도시된 바와 같이, 하부 기판(30)의 전 영역에 금속막을 증착하고, 이를 식각하여 소스 전극(39a)과 드레인 전극(39b) 및 데이터 배선(41)을 형성한다.
따라서, 화소 영역에는 소스 전극(39a)과 드레인 전극(39b)이 형성되어 있고, 비표시 영역인 실(seal) 영역에는 데이터 배선(41)이 형성된다.
상기와 같이 소스 전극(39a)과 드레인 전극(39b)이 형성되면, 도 2f에 도시된 바와 같이, 하부 기판(30)의 전 영역에 제 1 보호막(38)을 형성한 다음, 계속해서 유기막(포토 아크릴)(40)을 형성한다.
상기와 같이 유기막(40)이 하부 기판(30) 상에 형성되면 상기 드레인 전극(39b) 상부에 콘택홀(contact hole)을 형성하는데, 이때 실(seal)과의 접촉력(adhesion) 향상을 위해서 실(seal)이 도포될 실 영역의 유기막(40)도 제거한다.
그런 다음, 도 2g에 도시된 바와 같이, 콘택홀이 형성된 유기막(40) 상에 제 2 보호막(42)을 상기 하부 기판(30)의 전 영역에 형성한 다음, 금속막을 증착하고 식각하여 반사판(45)을 형성한다.
상기와 같이 반사판(45)이 형성되면, 도 2h에 도시된 바와 같이, 하부 기판(30)의 전 영역에 제 3 보호막(43)을 형성한 다음, 콘택홀 공정을 진행하여 상 기 드레인 전극(39b)을 외부로 노출시킨다.
그런 다음, 상기 제 3 보호막(43)이 형성된 하부 기판(30) 상에 ITO 금속을 증착하고, 이를 식각하여 화소 전극(48)을 형성하여 반사투과형 어레이 기판을 완성한다.
그러나, 상기와 같이 반사판(45) 상부에 화소 전극(48)이 형성되는 반사투과형 어레이 기판의 구조에서는 유기막(40) 형성 후에도 두 번의 보호막(42, 43) 형성 공정과 콘택홀 공정을 진행해야 하기 때문에 공정이 복잡한 단점이 있다.
또한, 액정표시장치에서는 한번의 마스크 공정 추가는 곧바로 제조 단가를 상승시키는 주요 요인으로 작용하는 단점이 있다.
본 발명은, 반사투과형 어레이 기판의 구조를 반사판을 화소 전극 상부에 형성하도록 함으로써, 제조 공정 단순화 시키면서 제조 단가 저감을 할 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른
기판 상에 채널층을 형성하는 단계;
상기 채널층이 형성된 기판 상에 절연막을 형성한 다음, 상기 절연막 상에 게이트 전극, 게이트 배선 및 공통 배선을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 층간절연막을 형성하고, 계속해서 ITO를 형성한 다음, 식각하여 화소 전극을 형성하는 단계;
상기 채널층 상부의 층간절연막에 콘택홀을 형성하는 단계;
상기 콘택홀이 형성된 기판 상에 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 배선을 형성하는 단계;
상기 소스 전극과 드레인 전극이 형성된 기판 상에 유기막을 형성한 다음, 상기 드레인 전극 상부와 상기 데이터 배선 중 실(seal)이 형성될 일부를 노출시키는 콘택홀 공정을 진행하는 단계; 및
상기 콘택홀이 형성된 기판 상에 금속막을 증착하고, 식각하여 반사판 및 실 형성 영역에 보호 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 공통 배선에는 상기 화소 전극과의 스토리지 커패시턴스를 형성시키기 위하여 일체로 형성된 스토리지 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 유기막은 포토 아크릴계 물질이고, 상기 실 영역에 형성된 보호 패턴은 하부에 형성된 데이터 배선과 직접 콘택되어 식각 공정시 상기 데이터 배선을 보호하며, 상기 데이터 배선의 일부가 노출되는 범위는 상기 실 영역 폭보다 작거나 같은 범위이고, 상기 실 영역에 형성된 보호 패턴은 상기 반사판 형성 공정에서 반사판과 동시에 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 액정표시장치는,
기판;
상기 기판에 수직으로 교차 배열되어 단위 화소 영역을 정의하는 다수개의 게이트 배선과 데이터 배선;
상기 게이트 배선과 데이터 배선이 수직으로 교차하는 영역 상에 형성된 스 위칭 소자; 및
상기 데이터 배선이 노출된 영역에 형성된 보호 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 단위 화소 영역에는 화소 전극과 반사판이 형성되고, 상기 반사판은 상기 화소 전극 상부에 형성된 구조를 하며, 상기 보호 패턴은 상기 반사판 재질로 형성되고, 상기 데이터 배선이 노출된 영역은 기판 합착을 위하여 형성되는 실 영역인 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 데이터 배선이 노출된 영역은 기판 합착을 위하여 형성되는 실 폭보다 같거나 작고, 상기 보호 패턴은 상기 데이터 배선에 대응되면서 콘택되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 반사투과형 어레이 기판의 구조를 반사판을 화소 전극 상부에 형성하도록 함으로써, 제조 공정 단순화 시키고 제조 단가 저감을 할 수 있다.
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 하부 기판(130)의 전 영역 상에 버퍼층(buffer: 131)을 형성한 다음, TFT의 채널층을 형성하기 위하여 비정질 실리콘을 상기 버퍼층(131)이 형성된 하부 기판(130) 상에 형성한다. 그리고 이를 레이저를 사용하여 열처리함으로써 다결정화(poly crystallization)시킨다.
상기 비정질 실리콘이 폴리 실리콘으로 결정화되면, 결정화된 상기 폴리 실리콘 상에 마스크 공정을 진행하여 화소 영역에 TFT의 채널층(135)을 형성한다. 이때, 다른 영역(seal 영역, 패드 영역)에 형성된 결정화된 실리콘층은 모두 제거된다.
그런 다음, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 채널층(135)이 형성된 하부 기판(130) 상에 게이트 절연막(134)을 형성한다. 따라서, 도면에 도시된 바와 같이 화소 영역의 채널층(135) 상에는 게이트 절연막(134)이 형성된 구조가 되고, 실(seal) 형성 영역에는 버퍼층(131) 상에 게이트 절연막(34)이 형성된 구조가 된다.
상기 게이트 절연막(134)이 형성되면, 상기 하부 기판(130) 상에 금속막을 증착한 다음, 식각하여 상기 채널층(135) 상부에 게이트 전극(136)을 형성하고, 동시에 게이트 배선 및 공통 배선을 형성한다.
이때, 상기 공통 배선과 일체로 형성되면서, 화소 영역에서 스토리지 커패시턴스를 형성하기 위하여 스토리지 전극(150)을 상기 채널층(135) 상에 형성한다.
그러므로 상기 스토리지 전극(150)은 상기 공통 배선과 일체로 형성되고, 이후 형성될 화소 전극과 스토리지 커패시턴스를 형성하게 된다.
그리고 상기 게이트 전극(136), 공통 배선 및 스토리지 전극(150)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금으로 형성되며, 상기 게이트 절연막(134)은 실리콘 질화 막(SiNX) 또는 실리콘 산화막을 사용한다.
상기와 같이, 게이트 전극(136)이 하부 기판(130) 상에 형성되면, 상기 게이트 전극(136)이 위치하지 않는 상기 채널층(135)의 양측에 n+ 또는 p+ 이온을 주입하여 오믹 콘택층을 형성한다(미도시).
그런 다음, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 전극(136)과 스토리지 전극(150)이 형성된 하부 기판(130) 상에 층간절연막(137)을 형성하고, 계속해서 ITO 금속막을 상기 하부 기판(130) 전 영역에 형성한다.
상기와 같이 ITO 금속막이 형성되면, 포토 공정과 식각 공정을 진행하여 화소 전극(160)을 형성한다.
이때, 실 영역에서는 ITO 금속막이 제거되므로 버퍼층(130), 게이트 절연막(134), 층간절연막(137)이 순차적으로 적층된 구조를 하고 있다.
상기와 같이 화소 전극(160)이 형성되면, 도 3d에 도시된 바와 같이, 화소 전극(160)이 형성되지 않은 채널층(135) 상부의 층간절연막(137)을 식각하여 콘택홀을 형성한다.
상기와 같이 층간절연막(137) 상에 콘택홀이 형성되면, 상기 하부 기판(130)의 전 영역 상에 금속막을 증착한 다음, 이를 식각하여 소스 전극(139a)과 드레인 전극(139b) 및 데이터 배선(141)을 형성한다.
상기 데이터 배선(141)은 화상 신호를 포함하는 데이터 신호를 화소 영역에 전송하는 신호 배선이다.
상기와 같이 소스 전극(139a)과 드레인 전극(139b)이 완성되어 스위칭 소자인 TFT가 완성되면, 도 3e에 도시된 바와 같이, 하부 기판(130)의 전 영역 상에 포토 아크릴(photo acryl)계 물질로된 유기막(140)을 도포하고 콘택홀 공정을 진행한다.
상기 하부 기판(130) 상에 유기막(140)이 도포되면, 상기 드레인 전극(139b)을 외부로 노출하기 위하여 콘택홀을 형성하는데, 이때, 셀갭(cell gap) 확보와 접착력 향상을 위하여 실(seal)이 형성될 영역의 유기막(140)을 제거한다.
이와 같이, 기판 합착을 위하여 형성하는 실(seal) 영역 유기막(140)을 제거하는 이유는 액정표시장치의 어레이 기판과 컬러 필터 기판을 합착시킬 때, 실(seal)에 의해서 셀갭 불량이 발생하는 것을 방지하기 위해서이다.
상기와 같이 유기막(140) 상에 콘택홀 형성 공정이 완료되면, 반사판이 형성될 영역의 유기막(140) 표면을 요철 구조로 형성하는 공정을 진행한다(MRS).
상기와 같이 유기막(140) 상에 콘택홀이 형성되면, 도 3f에 도시된 바와 같이, 하부 기판(130)의 전 영역 상에 금속막을 증착하고, 식각 공정을 진행하여 반사판(145)을 형성한다.
이때, 상기 데이터 배선(141)이 외부로 노출된 실 영역 상에 상기 데이터 배선(141)을 보호하기 위한 보호 패턴(146)을 형성한다.
상기 보호 패턴(146)은 유기막(140)이 제거된 실 영역에서 외부로 노출된 데이터 배선(141)과 집적 콘택되도록 형성되어 있다.
이것은 어레이 기판의 제조 공정을 단순화시키기 위하여 단일 유기막(140)을 사용함으로써, 외부로 노출되는 데이터 배선(141)이 식각 공정에서 식각되는 것을 방지하기 위해서 형성된다.
즉, 상기 유기막(140)에 콘택홀을 형성한 다음, 반사판(145) 금속을 증착하고 식각할 때, 실(seal) 영역에서 노출된 데이터 배선(141)이 함께 제거되는 것을 방지하기 위하여 보호 패턴(146)을 형성하였다.
그러므로 상기 보호 패턴(146)은 노출된 상기 데이터 배선(141)과 일대일 대응되도록 상기 데이터 배선(141) 상에 형성된 구조로 되어 있다.
도 4는 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치의 패드 영역을 도시한 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 액정표시장치의 어레이 기판에서 실(seal) 영역과 패드(pad) 영역을 도시하였다.
상기 어레이 기판 상에는 다수개의 데이터 배선(신호 배선)들이 형성되어 있는데, 상기 데이터 배선 가장자리에는 외부로부터 데이터 신호를 인가 받기 위한 데이터 패드가 형성되어 있다.
상기 데이터 패드가 형성된 영역의 타측 영역에는 엑티브 영역(active area)으로서 상기 엑티브 영역은 다수개의 게이트 배선과 데이터 배선이 수직으로 교차 배열되어 단위 화소 영역이 정의되어 있고, 상기 게이트 배선과 데이터 배선이 수직으로 교차하는 단위 화소 영역에는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터가 배치되어 있다.
그리고 상기 단위 화소 영역에는 화소 전극과 반사판이 형성되어 있는데, 본 발명에서는 공정 단순화를 위하여 상기 반사판이 상기 화소 전극 상부에 형성된 구조를 하고 있다.(이하 자세한 내용은 상기 도 3을 참조)
상기 패드 영역과 엑티브 영역 사이에는 컬러 필터 기판(c/f)이 합착되는 라인과, 실(seal) 영역이 도시되어 있다.
본 발명에서는 상기 패드 영역과 엑티브 영역 사이의 실 영역이 형성된 유기막(포토 아크릴)을 제거하여, 데이터 배선들을 노출시킨 다음, 노출된 각각의 데이터 배선(137)에 보호 패턴(146)을 형성하였다.
상기 보호 패턴(146)은 화소 영역에 반사판을 형성할 때, 동시에 형성되며, 상기 보호 패턴(146)을 형성하기 위하여 유기막을 제거한 영역의 폭은 실(seal)이 형성될 영역의 폭과 같거나 그보다 작은 폭을 갖는다.
즉, 상기 유기막이 제거된 영역은 상기 실(seal)에 의하여 덮이도록 함으로써, 외부와 차단시키기 위함이다.
도 5는 상기 도 4의 패드 영역에 형성된 보호 패턴을 도시한 도면으로서, 도시된 바와 같이, 데이터 배선(137) 상에 오버랩(overlap)되는 보호 패턴(146)을 나타내었다.
상기 데이터 배선(137)에는 실(seal) 영역을 표시하는 라인이 표시되어 있고, 상기 실 영역 내측으로 유기막인 아크릴(acryl)막이 제거되는 영역이 표시되어 있다.
상기 보호 패턴(146)은 상기 아크릴막 제거 영역과 아크릴막이 제거되지 않은 영역의 소정 부분까지 형성되어 있다.
이와 같이, 실 영역보다 같거나 작은 폭 정도로 아크릴 막을 제거하고, 포토 아크릴 막이 제거된 영역을 덮을 수 있도록 보호 패턴(146)을 형성하여 데이터 배선(137)을 보호하였다.
본 발명에서는 화소 전극을 반사판 아래로 형성함으로써, 단일 유기막 구조로 어레이 기판을 형성할 수 있어 제조 공정이 줄일 수 있는 이점이 있다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 반사투과형 액정표시장치 어레이 기판에서 반사판을 화소 전극 상부에 형성하도록 함으로써, 제조 공정 단순화와 제조 단가 저감을 할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에서는 제조 공정 단순화를 위해 반사판의 위치를 화소 전극 상부에 형성할 때, 노출된 데이터 배선 상에 보호 패턴을 형성함으로써, 데이터 배선이 식각에 의해 제거되는 문제를 해결한 이점이 있다.
본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.
Claims (12)
- 기판 상에 채널층을 형성하는 단계;상기 채널층이 형성된 기판 상에 절연막을 형성한 다음, 상기 절연막 상에 게이트 전극, 게이트 배선 및 공통 배선을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 층간절연막을 형성하고, 계속해서 투명금속을 형성한 다음, 식각하여 화소 전극을 형성하는 단계;상기 채널층 상부의 층간절연막에 콘택홀을 형성하는 단계;상기 콘택홀이 형성된 기판 상에 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 배선을 형성하는 단계;상기 소스 전극과 드레인 전극이 형성된 기판 상에 유기막을 형성한 다음,상기 드레인 전극을 노출하는 콘택홀 및 상기 데이터 배선 중 실(seal)이 형성될 영역을 노출시키는 유기막 제거영역을 형성하는 단계;상기 콘택홀 및 상기 유기막 제거영역이 형성된 기판 상에 금속막을 증착하고, 식각하여 반사판 및 실 형성 영역에 보호 패턴을 형성하는 단계; 및상기 보호패턴상에 상기 유기막 제거영역 보다 넓은 영역에 실패턴을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 공통 배선에는 상기 화소 전극과의 스토리지 커패시턴스를 형성시키기 위하여 일체로 형성된 스토리지 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시 장치 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기막은 포토 아크릴계 물질인 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 실 영역에 형성된 보호 패턴은 하부에 형성된 데이터 배선과 직접 콘택되어 식각 공정시 상기 데이터 배선을 보호 기능을 하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 삭제
- 기판;상기 기판에 수직으로 교차 배열되어 단위 화소 영역을 정의하는 다수개의 게이트 배선과 데이터 배선;상기 게이트 배선과 데이터 배선이 수직으로 교차하는 영역 상에 형성된 스위칭 소자;상기 데이터 배선상에 형성되는 유기막;상기 데이터 배선을 노출하기 위해 상기 유기막을 제거하는 유기막 제거영역;상기 노출된 데이터 배선을 보호하기 위해 형성되는 보호패턴; 및상기 보호패턴상에 상기 유기막 제거 영역보다 넓게 형성되는 실 패턴을 포함하는 액정표시장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 단위 화소 영역에는 화소 전극과 반사판이 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 반사판은 상기 화소 전극 상부에 형성된 구조를 하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 보호 패턴은 상기 반사판 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 삭제
- 제 6 항에 있어서,상기 보호 패턴은 상기 데이터 배선에 대응되면서 콘택되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 기판상의 게이트 배선;상기 게이트 배선과 교차배열되며, 외부로부터 신호를 인가받기 위한 패드영역 및 화상을 표시하기 위한 액티브 영역을 포함하는 데이터 배선;상기 데이터 배선상의 유기막;상기 패드영역 및 상기 액티브영역 사이에 상기 데이터 배선을 노출하기 위해 상기 유기막을 제거하는 유기막 제거영역;상기 유기막 제거영역상에 순차적으로 적층되는 보호패턴 및 실패턴을 포함하고,상기 실패턴의 일부영역은 상기 유기막 제거영역에 인접하는 유기막상에 형성되는 액정표시장치.
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