KR101091375B1 - 태양 전지 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 태양 전지는, 지지 기판; 상기 지지 기판 위에 위치하는 배리어부; 및 상기 배리어부 위에 위치하며, 제1 전극층, 광 흡수층 및 제2 전극층을 포함하는 광전 변환부를 포함한다. 상기 배리어부는 상기 지지 기판 쪽에 인접한 부분과 상기 광전 변환부 쪽에 인접한 부분의 기공도가 서로 다르다.

Description

태양 전지 및 이의 제조 방법{SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 기재는 태양 전지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 에너지의 수요가 증가함에 따라 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환하는 태양 전지에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
태양 전지는 실리콘계 태양 전지, 비실리콘계 태양 전지, 염료 감응 태양 전지 등으로 구분될 수 있다. 이 중 비실리콘계 태양 전지는 박막으로 형성이 가능하여 재료의 소모를 줄이면서 태양 전지의 활용 범위를 넓힐 수 있다. 또한, 비실리콘계 태양 전지에 사용되는 광 흡수층은 광에 의한 열화 현상이 적어 수명이 긴 장점이 있다.
이러한 태양 전지를 플렉서블(flexible)하게 구현하기 위하여 지지 기판으로 금속 물질을 이용하는 기술이 적용되고 있다.
실시예는 플렉서블한 특성에 적합한 구조를 가지는 태양 전지 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 태양 전지는, 지지 기판; 상기 지지 기판 위에 위치하는 배리어부; 및 상기 배리어부 위에 위치하며, 제1 전극층, 광 흡수층 및 제2 전극층을 포함하는 광전 변환부를 포함한다. 상기 배리어부는 상기 지지 기판 쪽에 인접한 부분과 상기 광전 변환부 쪽에 인접한 부분의 기공도가 서로 다르다.
실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 지지 기판에 배리어부를 형성하는 단계; 및 상기 배리어부 위에, 제1 전극층, 광 흡수층 및 제2 전극층을 포함하는 광전 변환부를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 배리어부는 상기 지지 기판 쪽에 인접한 부분과 상기 광전 변환부 쪽에 인접한 부분의 기공도가 서로 다르다.
실시예에 따른 태양 전지는, 지지 기판에 인접한 부분이 상대적으로 치밀하게 형성되고 광전 변환부에 인접한 부분이 상대적으로 덜 치밀하게 형성된 배리어부를 포함한다. 이에 의하여 배리어부가 불순물 확산 방지 역할과 박리 현상 방지 역할을 효과적으로 수행할 수 있다.
실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 상술한 구조의 배리어부를 간단한 공정으로 형성할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 태양 전지의 개략적인 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 제1 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법의 단계들을 도시한 단면도들이다.
도 3은 마이크로 아크 산화 방법에 의해 형성된 다공성 알루미늄 산화물층의 사진이다.
도 4a 내지 도 4c는 제2 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법의 단계들을 도시한 단면도들이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 실시예에 따른 태양 전지의 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면 실시예에 따른 태양 전지(100)는, 지지 기판(10)과, 이 지지 기판(10) 위에 위치하는 배리어부(20)와, 이 배리어부(20) 위에 위치하며 태양 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전 변환부(30)를 포함한다. 이를 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다.
지지 기판(10)은 플레이트 형상을 가지며, 이에 형성되는 배리어부(20) 및 광전 변환부(30)를 지지하는 역할을 한다. 본 실시예에서는 이러한 지지 기판(10)이 금속을 포함하는 금속 기판으로 이루어져, 태양 전지(100)를 플렉서블(flexible)하게 구현할 수 있다. 예를 들어, 지지 기판(10)은 철, 납, 코발트, 니켈, 구리 및 주석으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 일례로, 지지 기판(10)이 철을 주성분으로 하는 스테인리스 강을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 지지 기판(10)이 유리 또는 플라스틱 등의 절연체로 형성되는 것도 가능하다.
이 지지 기판(10) 위에 형성되는 배리어부(20)는 지지 기판(10) 쪽에 인접한 부분과 광전 변환부(30) 쪽에 인접한 부분의 기공도가 서로 다르다. 좀더 구체적으로는, 지지 기판(10)에 인접한 부분은 기공도가 작아 치밀하게 형성되고, 광전 변환부(30)에 인접한 부분은 기공도가 큰 다공성을 가질 수 있다.
이에 따라 지지 기판(10)에 인접한 부분이 상대적으로 치밀하게 형성되어 지지 기판(10)의 물질이 광전 변환부(30) 쪽으로 확산되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 그리고 광전 변환부(30)에 인접한 부분이 다공성 물질을 포함하여 광전 변환부(30)와의 접촉 면적을 최대화할 수 있다. 이에 의해 광전 변환부(30)의 박리 현상을 효과적으로 방지할 수 있으며, 광전 변환부(30)의 표면적을 늘려 광 흡수에 좀더 유리하도록 할 수 있다.
이를 위하여 본 실시예에서는 지지 기판(10) 쪽에 위치하는 치밀한 제1 배리어(22)와 광전 변환부(30) 쪽에 위치하는 다공성 제2 배리어(24)를 포함한다. 이에 의하여 배리어부(20)가 불순물 확산 방지 역할, 박리 현상 방지 역할 등을 모두 효과적으로 수행할 수 있도록 한다.
일례로, 지지 기판(10) 쪽에 위치하는 제1 배리어(22)의 기공도가 10% 이내일 수 있고, 광전 변환부(30) 쪽에 위치하는 제2 배리어(24)의 기공도가 30 내지 40%일 수 있다.
이러한 지지 기판(10) 제1 배리어(22)와 제2 배리어(24)는 산화물을 포함할 수 있다. 일례로, 제1 배리어(22)와 제2 배리어(24)는 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 마그네슘 산화물, 텅스텐 산화물 등을 포함할 수 있다. 이때, 제1 배리어(22)와 제2 배리어(24)는 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 이에 의해 제조 공정을 단순화할 수 있는데, 이에 대해서는 추후에 태양 전지의 제조 방법을 설명하면서 좀더 상세하게 설명한다.
제1 배리어(22)에 대한 제2 배리어(24)의 두께 비율은 0.1 내지 0.3일 수 있다. 이 비율이 0.3을 초과하면 다공성의 제2 배리어(24)의 두께가 두꺼워지고 치밀한 제1 배리어(22)의 두께가 얇아져 불순물 확산 방지의 효과를 효과적으로 수행하기 어려울 수 있다. 그리고 이 비율이 0.1 미만이면 제2 배리어(24)의 두께가 얇아져서 접촉 면적을 충분하게 확보하기 어려울 수 있다.
도면 및 설명에서는 배리어부(20)를 형성하는 제1 배리어(22)와 제2 배리어(24)가 서로 별개의 층을 이루는 것을 예시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 배리어(22)와 제2 배리어(24)의 경계가 명확하지 않더라도 배리어부(20)에서 지지 기판(10)쪽에 인접한 부분과 광전 변환부(30)쪽에 인접한 부분의 기공도가 다르면 실시예에 속할 수 있다.
배리어부(20)의 두께는 5㎛ 이하일 수 있다. 배리어부(20)가 산화물로 이루어지므로 이 두께를 초과하면 구부릴 경우 균열이 발생할 수 있어 플렉서블한 태양 전지(100)에 적용되기 어려울 수 있기 때문이다.
그리고 배리어부(20) 위에 위치하는 광전 변환부(30)는 제1 전극층(31), 광 흡수층(33), 제2 전극층(39)을 포함한다. 그리고 광 흡수층(33)과 제2 전극층(39) 사이에 버퍼층(35) 및 고저항 버퍼층(37)을 포함할 수 있다.
제1 전극층(31)은 우수한 전기적 특성을 가지는 물질로 구성될 수 있다. 일례로, 제1 전극층(31)이 몰리브덴, 구리, 니켈, 알루미늄, 이들의 합금 등으로 이루어질 수 있다.
이 제1 전극층(31) 위에 광 흡수층(33)이 형성된다. 본 실시예에서는 이러한 광 흡수층(33)이 비실리콘계 반도체 물질로 이루어질 수 있다.
즉, 광 흡수층(33)이 Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ족 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 광 흡수층(33)이 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2, CIGS계) 화합물, 구리-인듐-셀레나이드계(CIS계) 화합물 또는 구리-갈륨-셀레나이드계(CGS계) 화합물을 포함할 수 있다.
또는, 광 흡수층(33)이 Ⅱ-Ⅳ족 화합물 또는 Ⅲ-Ⅳ족 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 광 흡수층(33)은 카드뮴(Cd)-텔루늄(Te) 화합물 또는 갈륨(Ga)-비소(As) 화합물을 포함할 수 있다.
광 흡수층(33) 위에 형성되는 버퍼층(35)은 제2 전극(29)과의 격자 상수 차이 및 에너지 밴드갭 차이를 완화해주기 위한 층으로, 일례로 황화 카드뮴(CdS)으로 이루어질 수 있다.
버퍼층(35) 위에 형성되는 고저항 버퍼층(37)은 제2 전극층(39) 형성 시 버퍼층(35)이 손상되는 것을 방지하기 위하여 형성되는 층이다. 일례로, 고저항 버퍼층(37)은 산화 아연(ZnO)로 이루어질 수 있다.
제2 전극층(39)은, 투명하여 광이 입사될 수 있으면서 전도성에 의해 전극으로 기능할 수 있는 투광성 전도성 물질로 형성될 수 있다. 또한, n형 반도체의 특성을 가져 버퍼층(35)과 함께 n형 반도체층을 형성하여 p형 반도체층인 광 흡수층(33)과 pn 접합을 형성할 수 있다. 이를 위하여 제2 전극층(39)은, 예를 들어, 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO)로 형성될 수 있다.
본 실시예에서는 CIGS계 화합물, CIS계 화합물, CGS계 화합물, Cd-Te 화합물, 또는 Ga-As 화합물을 포함하는 광 흡수층(33)을 구비하여, 우수한 광전 변환 효율을 지닐 수 있다. 이에 의해 태양 전지(100)를 얇은 두께로 형성할 수 있어, 재료의 소모를 줄이면서 태양 전지(100)의 활용 범위를 넓힐 수 있다. 또한, 상술한 광 흡수층(33)은 광에 의한 열화 현상이 적어 태양 전지(100)의 수명을 늘릴 수 있다.
그러나, 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 염료 감응형 태양 전지, 유기 태양 전지, 실리콘 태양 전지를 구성하는 광전 변환부를 구비하는 것도 가능하다.
이와 같은 태양 전지에서는 배리어부(20)의 기공도(또는 치밀도)를 최적화하여 배리어부(20)의 불순물 확산 방지 역할과 박리 현상 방지 역할을 동시에 효과적으로 수행할 수 있도록 한다.
이하, 도 2a 내지 도 2c, 도 3, 그리고 도 4a 내지 도 4c를 참조하여 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 설명한다. 명확하고 간략한 설명을 위하여 앞서 설명한 내용과 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 서로 다른 부분에 대해서 상세하게 설명한다.
도 2a 내지 도 2c는 제1 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법의 단계들을 도시한 단면도들이다.
먼저, 도 2a에 도시한 바와 같이, 지지 기판(10) 위에 제1 배리어(22)를 형성한다.
이러한 제1 배리어(22)는 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 마그네슘 산화물, 텅스텐 산화물 등의 산화물을 포함할 수 있으며, 다양한 방법에 의하여 형성될 수 있다. 일례로, 제1 배리어(22)는 스퍼터, 증착, 전해 도금 등의 방법에 의해 형성될 수 있다.
이어서, 도 2b에 도시한 바와 같이, 제1 배리어(22) 위에 높은 기공도의 제2 배리어(24)를 형성한다.
이러한 제2 배리어(24)는 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 마그네슘 산화물, 텅스텐 산화물 등의 산화물을 포함할 수 있으며, 다양한 방법에 의하여 형성될 수 있다. 일례로, 제2 배리어(24)는 스퍼터, 증착, 마이크로 아크 산화, 플라즈마 전해질 산화물(plasma electrolyte oxidization, PED) 등의 방법에 의해 형성될 수 있다. 도 3에는 마이크로 아크 산화 방법에 의해 형성된 다공성 알루미늄 산화물층의 사진을 나타내었다.
이때, 제1 배리어(22)와 제2 배리어(24)가 동일한 물질로 이루어지는 경우에는 동일한 공정 방법에서 공정 조건만을 변경하는 것에 의해 치밀한 제1 배리어(22)와 다공성의 제2 배리어(24)를 형성할 수 있다. 일례로, 전해 도금으로 치밀한 제1 배리어(22)를 형성한 다음, 동일한 전해 도금조에서 애노드 전극과 캐소드 전극에 고전압을 번갈아서 인가하는 마이크로 아크 산화 방법을 사용하여 다공성의 제2 배리어(24)를 형성할 수 있다.
이에 의해 지지 기판(10) 쪽에 인접한 부분과 광전 변환부(30) 쪽에 인접한 부분의 기공도가 서로 다른 배리어부(20)를 간단한 공정으로 형성할 수 있다.
이어서, 도 2c에 도시한 바와 같이, 배리어부(20) 위에 광전 변환부(30)를 형성하여 태양 전지(100)를 제조한다. 이를 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다.
먼저, 배리어부(20) 위에 제1 전극층(31)을 형성한다. 일례로, 제1 전극층(31)은 스퍼터링 공정으로 몰리브덴을 증착하여 형성할 수 있다. 또한, 제1 전극층(31)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있는데, 이 각각의 층들은 같은 금속으로 구성될 수도 있으며, 서로 다른 금속으로 구성될 수도 있다. 이렇게 두 개 이상의 층들을 포함하는 제1 전극층(31)은 공정 조건이 서로 다른 두 번의 공정에 형성될 수 있다.
이어서, 제1 전극층(31) 위에 광 흡수층(33)을 형성한다. 이러한 광 흡수층(33)은 다양한 방법에 의해 형성될 수 있는데, 일례로 증발법 또는 스퍼터링 공정 등에 의해 형성될 수 있다.
일례로 증발법 또는 스퍼터링 공정을 이용하여 CIGS계 광 흡수층(33)을 형성하는 방법을 좀더 설명하면 다음과 같다.
증발법에서는 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시켜 CIGS계 광 흡수층(33)을 형성할 수 있다.
스퍼터링 공정을 이용할 경우에는, 스퍼터링 공정으로 금속 프리커서 막을 형성한 후 셀레니제이션(selenization) 공정을 수행하여 CIGS계 광 흡수층(33)을 형성할 수 있다. 즉, 스퍼터링 공정에서 구리 타켓, 인듐 타켓, 갈륨 타켓을 사용하여 구리, 인듐 및 갈륨을 포함하는 금속 프리커서 막을 형성하고, 이후에 셀레니제이션 공정을 수행하여 CIGS계 광 흡수층(33)을 형성할 수 있다. 또는, 스퍼터링 공정과 셀레니제이션 공정을 동시에 진행하여 CIGS계 광 흡수층(33)을 형성할 수도 있다.
상술한 방법에서는 CIGS계 광 흡수층(33)을 형성하는 것을 예시하였으나, 원하는 물질에 따라 타켓, 증발 물질 등을 달리하여 다양한 종류의 광 흡수층(33)을 형성할 수 있다.
이어서, 광 흡수층(33) 상에 버퍼층(35)을 형성할 수 있다. 이러한 버퍼층(35)은 화학 용액 성장법(chemical bath depositon, CBD), 스퍼터, 증발법, 화학 기상 증착법(CVD) 등에 의해서 형성될 수 있다.
일례로, 화학 용액 성장법에 의하면 버퍼층(35)은, 버퍼층(35)을 구성하는 이온들이 과포화된 버퍼층 형성 용액에 광 흡수층(33)을 디핑(dipping)하여 형성될 수 있다. 광 흡수층(33)이 버퍼층 형성 용액과 직접 접촉하면, 화학 반응이 일어나서 광 흡수층(33) 상에 버퍼층(35)이 형성될 수 있다.
버퍼층(35)은 일례로 황화 카드뮴(CdS)으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 버퍼층(35)을 형성하기 위한 버퍼층 형성 용액은 버퍼층(35)을 구성하는 위한 이온들이 과포화된 수용액일 수 있다. 예를 들어, 황화 카드뮴으로 구성되는 버퍼층(35)을 형성하기 위한 버퍼층 형성 용액은, 버퍼층 형성 용액이 Cd2 + 및 S2 -를 과포화된 상태로 포함할 수 있다. 좀더 자세하게, 버퍼층 형성 용액이 카드뮴 아세테이트(cadmium acetate) 및 티오우레아(thiourea)를 포함할 수 있으며, 완충제 및 암모니아 등을 더 포함할 수 있다.
이어서, 버퍼층(35) 상에 고저항 버퍼층(37)을 형성할 수 있다. 일례로, 고저항 버퍼층(37)은 산화 아연(ZnO) 등을 증착하여 형성할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 방법을 이용하여 다양한 물질로 구성된 고저항 버퍼층(37)을 형성할 수 있다.
이어서, 고저항 버퍼층(37) 상에 제2 전극층(39)을 형성한다. 이러한 제2 전극층(39)은 다양한 방법에 의해 형성할 수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 제2 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법의 단계들을 도시한 단면도들이다. 명확하고 간략한 설명을 위하여 앞서 설명한 내용과 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 서로 다른 부분에 대해서 상세하게 설명한다.
먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이, 지지 기판(10) 위에 제1 배리어층(22a)를 형성한다. 이러한 제1 배리어층(22a)은 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 마그네슘 산화물, 텅스텐 산화물 등의 산화물을 포함할 수 있으며, 다양한 방법에 의하여 형성될 수 있다. 일례로, 제1 배리어층(22a)은 스퍼터, 증착, 전해 도금 등의 방법에 의해 형성될 수 있다.
본 실시예에서는 제1 배리어층(22a)의 일부를 에칭하여 제2 배리어(24)를 형성하므로 제1 배리어층(22a)을 제1 배리어(22)와 제2 배리어(24)의 두께의 합에 대응하는 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
이어서, 도 4b에 도시한 바와 같이, 제1 배리어층(도 2a의 참조부호 22a, 이하 동일)의 상부를 에칭하여 높은 기공도의 제2 배리어(24)를 형성한다. 이때, 일례로 불소예 에칭액을 이용하여 제1 배리어층(22a)의 상부를 에칭할 수 있다. 제1 배리어층(22a) 중 에칭되지 않은 부분은 제1 배리어(22)가 된다.
이어서, 도 4c에 도시한 바와 같이, 배리어부(20) 위에 광전 변환부(30)를 형성하여 태양 전지(100)를 제조한다.
본 실시예에서는 제1 배리어층(22a)을 에칭하는 공정에 의하여 제1 배리어(22)와 제2 배리어(24)를 가지는 배리어부(20)를 간단한 공정으로 형성할 수 있다. 즉, 이에 의해 지지 기판(10) 쪽에 인접한 부분과 광전 변환부(30) 쪽에 인접한 부분의 기공도가 서로 다른 배리어부(20)를 간단한 공정으로 형성할 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (11)

  1. 지지 기판;
    상기 지지 기판 위에 위치하는 배리어부; 및
    상기 배리어부 위에 위치하며, 제1 전극층, 광 흡수층 및 제2 전극층을 포함하는 광전 변환부
    를 포함하고,
    상기 배리어부는 상기 지지 기판 쪽에 인접한 부분과 상기 광전 변환부 쪽에 인접한 부분의 기공도가 서로 다른 태양 전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 배리어부는, 상기 지지 기판 위에 형성되는 제1 배리어와, 상기 제1 배리어 위에 형성되는 제2 배리어를 포함하고,
    상기 제2 배리어의 기공도가 상기 제1 배리어의 기공도보다 낮은 태양 전지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 배리어와 상기 제2 배리어가 동일한 물질로 이루어지는 태양 전지.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 배리어에 대한 상기 제2 배리어의 두께 비율은 0.1 내지 0.3인 태양 전지.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 배리어부의 두께가 5㎛ 이하인 태양 전지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 배리어는 산화물을 포함하는 태양 전지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 배리어는 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 마그네슘 산화물 및 텅스텐 산화물으로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하는 태양 전지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 지지 기판이 금속을 포함하는 태양 전지.
  9. 지지 기판에 배리어부를 형성하는 단계; 및
    상기 배리어부 위에, 제1 전극층, 광 흡수층 및 제2 전극층을 포함하는 광전 변환부를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 배리어부는 상기 지지 기판 쪽에 인접한 부분과 상기 광전 변환부 쪽에 인접한 부분의 기공도가 서로 다른 태양 전지의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 배리어부를 형성하는 단계는,
    상기 지지 기판 상에 제1 배리어를 형성하는 단계; 및
    상기 제1 배리어 상에 상기 제1 배리어보다 높은 기공도의 제2 배리어를 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 배리어부를 형성하는 단계는,
    상기 지지 기판 상에 제1 배리어층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 배리어층의 상부를 에칭하여, 제1 배리어 및 상기 제1 배리어보다 높은 기공도의 제2 배리어를 형성하는 단계
    를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.

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