KR101083551B1 - Passivation thin film - Google Patents

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Abstract

패시베이션 박막에 관한 것이다.It relates to a passivation thin film.

본 발명은 기판상에 형성되는 제1전극과, 상기 제1전극 상에 형성되는 발광 활성층 및 상기 발광 활성층 상에 형성되는 제2전극을 포함하는 발광소자의 외부면에 플루오르화물과 아연을 타켓으로 하여 적어도 한층 이상의 보호층이 증착되고, 상기 보호층은 상기 플루오르화물과 아연의 구성비율은 4:6 으로 이루어진다. The present invention targets fluoride and zinc on an outer surface of a light emitting device including a first electrode formed on a substrate, a light emitting active layer formed on the first electrode, and a second electrode formed on the light emitting active layer. At least one protective layer is deposited, and the protective layer has a constituent ratio of 4: 6 of fluoride and zinc.

본 발명에 의하면, 외부로부터 발광소자 내부로의 수분 및 가스투과를 차단할 수 있도록 하는 효과가 있으며, 또한 보다 높은 가시광선 투과가 가능하도록 하는 효과가 있다.According to the present invention, there is an effect that can block the water and gas permeation into the light emitting device from the outside, and also has the effect of enabling higher visible light transmission.

Mg-F-Zn타겟, 패시베이션, 플루오르화물, 아연, 발광소자 Mg-F-Zn target, passivation, fluoride, zinc, light emitting device

Description

패시베이션 박막{PASSIVATION THIN FILM} Passivation Thin Films {PASSIVATION THIN FILM}

본 발명은 패시베이션 박막에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플루오르화물과 Zn의 혼합비가 4:6으로 이루어지는 타겟을 이용하여 구비되는 패시베이션 박막에 관한 것이다.The present invention relates to a passivation thin film, and more particularly, to a passivation thin film provided using a target having a mixing ratio of fluoride and Zn of 4: 6.

오늘날 정보디스플레이 산업이 발전함에 따라 다양한 종류의 디스플레이가 각광을 받고 있으며, 이러한 디스플레이에는 발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED), 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode : OLED) 등과 같은 발광소자가 채용된다. Today, as the information display industry develops, various kinds of displays are in the spotlight, and such displays employ light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and organic light emitting diodes (OLEDs).

이러한 발광소자는 높은 휘도, 빠른 응답특성, 넓은 시야각, 얇은 두께, 저전력 소비, 제조 공정이 간단하다는 장점을 가지고 있지만, 대기중의 수분이나 산소가 발광소자의 내측으로 유입되어 전극이 산화되거나 소자자체의 열화가 진행되면서 발광화소가 수축하여 소자의 수명을 단축시키는 한편, 노출이 되었을 경우 흑점이 발생하였다. These light emitting devices have the advantages of high brightness, fast response, wide viewing angle, thin thickness, low power consumption, and simple manufacturing process, but moisture or oxygen in the air is introduced into the light emitting device, so that the electrode is oxidized or the device itself. As the deterioration of the light emitting device progressed, the light emitting pixels contracted to shorten the life of the device, and when exposed, black spots were generated.

이러한 문제를 해결하기 위하여 종래에는 유리나 금속을 이용한 봉지기술을 채용하였으나, 이는 소자의 두께, 무게, 제작 비용 등의 단점을 가지고 있으며, 유기 발광 다이오드와 같은 차세대 디스플레이 소자에서 요구되는 휨성, 얇은 두께, 대면적화 등의 특성을 만족시키는데 한계가 있었다. In order to solve this problem, conventionally, an encapsulation technique using glass or metal has been adopted, but it has disadvantages such as thickness, weight, and manufacturing cost of the device. There was a limit to satisfying characteristics such as large area.

또한, 대기중의 수분과 산소에 안정적인 발광소자를 제작하기 위한 다양한 연구가 진행되고 있다. 이러한 다양한 연구에는 진공증착법을 이용하여 유기물 또는 무기물로 이루어진 보호층을 제작하는 방법, 스핀 코팅법 혹은 몰딩법을 이용하여 고분자를 발광소자의 전극 상에 형성하여 보호층을 제작하는 방법, 산소나 수분의 투과율이 낮은 고분자 박막을 복합화시켜 발광소자 주위를 캡슐화하는 보호층을 제작하는 방법, 및 소자를 쉴드 글라스로 덮어씌운 후 소자와 쉴드 글라스 사이에 실리콘 오일을 채우는 방법 등이 제안되고 있다.In addition, various studies have been conducted to fabricate a light emitting device that is stable to moisture and oxygen in the atmosphere. These various studies include a method of manufacturing a protective layer made of organic or inorganic materials using a vacuum deposition method, a method of forming a protective layer by forming a polymer on an electrode of a light emitting device by using a spin coating method or a molding method, oxygen or moisture A method of fabricating a protective layer for encapsulating a light emitting device by encapsulating a polymer thin film having a low transmittance, and a method of covering a device with a shield glass and then filling a silicon oil between the device and the shield glass have been proposed.

이 중에서 가장 널리 알려진 방법은 진공 증착 장비를 이용하여 건식 공정으로 보호막을 제작하는 것으로, 액상 혹은 고상의 모노머를 증착한 후 중합하여 고분자 박막을 발광소자 상에 증착하는 방법, 무기물을 증착하여 무기 박막을 형성하여 증착하는 방법, 유기물 및 무기물을 함께 다층으로 적층하는 방법 등이 알려져 있다Among the most widely known methods, a protective film is manufactured by a dry process using a vacuum deposition apparatus. A method of depositing a polymer or thin film by depositing a liquid or solid monomer and then polymerizing a polymer thin film onto a light emitting device and an inorganic thin film by depositing an inorganic material A method of forming and depositing a film, a method of laminating an organic material and an inorganic material together, and the like are known.

한편, 대기중의 수분과 산소에 안정적인 발광소자를 제작하기 위하여 진행되고 있는 연구에서는 산화물 계열의 물질을 비정질 박막으로 제작하여 발광소자 양면에 증착하여 이를 개선하려고 시도하고 있으나 유기 발광소자 소자에서 요구되는 봉지 특성에는 아직까지 미치지 못하고 있는 실정이다.On the other hand, researches are being conducted to fabricate light emitting devices that are stable to moisture and oxygen in the air, and attempt to improve them by fabricating oxide-based materials as amorphous thin films and depositing them on both surfaces of light emitting devices. It is a situation that still does not reach the characteristics of the bag.

또한, 유기발광소자는 대기중의 수분 및 산소에 노출될 경우 유기 발광층의 산화를 초래하여 발광소자의 수명을 단축시키는 치명적인 문제점을 가지고 있다. In addition, the organic light emitting device has a fatal problem of shortening the life of the light emitting device by causing oxidation of the organic light emitting layer when exposed to moisture and oxygen in the air.

뿐만 아니라 발광소자 공정 시 음극층에 형성된 핀홀과 같은 결함을 통하여 수분과 산소가 투과하는 메카니즘이 발생하여 산화와 수산화(hydroxylation) 및 유기층 사이의 계면에서의 디라미네이션(delamination) 등이 발광 소자 영역에서 흑점(dark spot)을 만들어 이 역시 발광소자의 수명을 단축시키는 문제점을 가지고 있다.In addition, a mechanism in which moisture and oxygen permeate through defects such as pinholes formed in the cathode layer during the process of the light emitting device is generated, such as oxidation, hydroxylation, and delamination at the interface between the organic layers. Making a dark spot also has a problem of shortening the life of the light emitting device.

또한, 이러한 문제점은 휨성이 용이한 폴리머(polymer)기판을 사용하는 차세대 가요성 디스플레이(Flexible Display)에서 폴리머 기판은 수분 및 유기 솔벤트와 같은 휘발성 물질이 포함되어 있어 실제적으로 가요성 기판에 응용하기에 어려움이 있으며, 기판 자체적인 높은 수분과 산소 투과 메카니즘을 가지므로 상용화에 걸림돌이 되고 있다.In addition, the problem is that in the next-generation flexible display that uses a polymer substrate that is easy to bend, the polymer substrate contains volatile materials such as moisture and organic solvents, so that it is practical to be applied to a flexible substrate. There is a difficulty, and since the substrate itself has a high moisture and oxygen permeation mechanism, it is an obstacle to commercialization.

도 1은 100 μm의 두께를 가지며 다양한 폴리머(polymer)소재로 이루어진 기판에 대하여 실내온도 분위기에서 측정된 투습율(Water Vapor Transmission Rate :WVTR)과 산소투과율(Oxygen Transmission Rate :OTR)을 나타낸 그래프이다. 1 is a graph showing a water vapor transmission rate (WVTR) and an oxygen transmission rate (OTR) measured at room temperature for a substrate having a thickness of 100 μm and made of various polymer materials. .

일반적으로 발광소자에 요구되는 투습율와 산소투과율의 조건값은 90% 상대습도(relative humidity : RH), 25℃ 온도에서 10-6 g/(m2·day) 의 WVTR 과 10-4 cc/(m2·day)의 OTR 을 충족시켜야 한다. Generally, the conditions of moisture permeability and oxygen permeability required for light emitting devices are 90% relative humidity (RH), WVTR of 10 -6 g / (m 2 · day) and 10 -4 cc / ( m 2 · day) must be met.

그러나, 도 1에 나타난 바와 같이, 대부분의 폴리머 기판들의 투습율와 산소 투과되는 유기발광소자와 같은 발광소자에 요구되는 조건값을 충족시키지 못함을 알수 있다. However, as shown in FIG. 1, it can be seen that most polymer substrates do not meet the condition values required for light-emitting devices such as moisture-permeable and oxygen-transmitted organic light-emitting devices.

이에 따라, 폴리머로 이루어진 기판에서 발광소자의 장수명화를 위해서는 수분과 산소의 투과를 효과적으로 차단할 수 있는 밀봉물질의 선정과 박막형 봉지기술이 필수적으로 개발되어야 하는 것이다. Accordingly, in order to extend the life of the light emitting device in a substrate made of a polymer, a selection of a sealing material and a thin film encapsulation technology capable of effectively blocking the permeation of moisture and oxygen must be developed.

따라서, 본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 그 목적은 폴리머를 소재로 하는 기판 및 소자에서 수분 및 기체투과를 효과적으로 차단할 수 있도록 하고, 또한 보다 높은 가시광선 투과율을 얻을 수 있는 패시베이션 박막을 제공하는 데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, the object of which is to effectively block moisture and gas permeation in the substrate and device made of a polymer material, and also to obtain a higher visible light transmittance The purpose is to provide a passivation thin film.

상기한 목적을 달성하기 위한 구체적인 수단으로써, 본 발명은 기판상에 형성되는 제1전극과, 상기 제1전극 상에 형성되는 발광 활성층 및 상기 발광 활성층 상에 형성되는 제2전극을 포함하는 발광소자의 외부면에 플루오르화물과 아연을 타켓으로 하여 적어도 한층 이상의 보호층이 증착되고, 상기 보호층은 상기 플루오르화물과 아연의 구성비율은 4:6 으로 이루어지고, 상기 보호층은 MgF2 으로 증착되는 버퍼층과, 상기 버퍼층의 상부면에 상기 버퍼층의 두께보다 상대적으로 두꺼운 두께로 증착되는 MgF2Zn 박막층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패시베이션 박막을 제공한다. As a specific means for achieving the above object, the present invention includes a light emitting device comprising a first electrode formed on the substrate, a light emitting active layer formed on the first electrode and a second electrode formed on the light emitting active layer At least one protective layer is deposited on the outer surface of the fluoride and zinc, the protective layer is composed of a fluoride and zinc of 4: 6, the protective layer is a buffer layer deposited with MgF 2 and It provides a passivation thin film, characterized in that the MgF 2 Zn thin film layer is deposited on the upper surface of the buffer layer relatively thick than the thickness of the buffer layer.

바람직하게, 상기 플루오르화물은 플루오르화 마그네슘(MgF2), 플루오르화 칼슘(CaF2), 플루오르화 리튬(LiF) 및 플루오르화 바륨(BaF2) 중 어느 하나로 선택된다. Preferably, the fluoride is selected from any one of magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), lithium fluoride (LiF) and barium fluoride (BaF 2 ).

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더욱 바람직하게, 상기 MgF2Zn 박막층의 표면에 상기 MgF2Zn 박막층의 두께보다 상대적으로 얇은 두께로 증착되는 상부 버퍼층을 추가 구비한다. More preferably, the MgF 2 Zn thin film layer further includes an upper buffer layer which is deposited to a thickness relatively thinner than the thickness of the MgF 2 Zn thin film layer.

상술한 바와 같은 본 발명인 패시베이션 박막에 의하면, 수분 및 가스투과를 차단할 수 있도록 하는 효과가 있으며, 또한 보다 높은 가시광선 투과가 가능하도록 하는 효과가 있다.According to the passivation thin film of the present invention as described above, there is an effect that can block the water and gas permeation, and also has the effect of enabling a higher visible light transmission.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패시베이션 박막이 도포된 발광소자를 도시한 개략도이다. 2 is a schematic view showing a light emitting device to which a passivation thin film is applied according to a preferred embodiment of the present invention.

상기 발광소자(100)는 주로 탄소계열의 벤젠 구조물로 이루어지는 폴리머 기판(110)과, 상기 기판(110)상에 형성되는 제1전극(120)과, 상기 제1전극(120)상에 형성되는 발광활성층(130) 및 상기 발광활성층(130)상에 형성되는 제2전극(140)을 포함하여 구성된다.The light emitting device 100 includes a polymer substrate 110 mainly formed of a carbon-based benzene structure, a first electrode 120 formed on the substrate 110, and a first electrode 120 formed on the substrate 110. It includes a light emitting active layer 130 and a second electrode 140 formed on the light emitting active layer 130.

이러한 발광소자(100)에는 외부로부터 수분 및 가스의 침투가 곤란하도록 보호층인 패시베이션 박막(150)이 구비되며, 상기 패시베이션 박막은 상기 제1전극(120), 발광활성층(130) 및 제2전극(140)을 일정두께로 덮고, 상기 기판(110)의 하부면을 일정두께로 덮는 적어도 한층 이상의 보호층으로 구비된다. The light emitting device 100 includes a passivation thin film 150 that is a protective layer to prevent penetration of moisture and gas from the outside, and the passivation thin film includes the first electrode 120, the light emitting active layer 130, and the second electrode. At least one protective layer covering 140 with a predetermined thickness and covering the lower surface of the substrate 110 with a predetermined thickness is provided.

상기 기판(110)은 전면 발광 및 배면 발광 또는 양면 발광에 따라 기판의 재료를 선택하여 사용하며, 투명성이 있는 재료를 많이 사용한다.The substrate 110 selects and uses materials of the substrate according to top emission and bottom emission or double emission, and uses a material having transparency.

상기 제1 전극(120)은 상기 기판(110) 상에 형성될 발광영역 하부에 형성되며, 제1전극(120) 역시 전면 및 배면 발광 또는 양면 발광에 따라 다르게 형성할 수 있다. The first electrode 120 is formed under the light emitting region to be formed on the substrate 110, and the first electrode 120 may also be formed differently according to front and rear emission or double emission.

예를 들어, 배면 발광일 경우, 제1 전극(120)은 ITO, IZO, ITZO, Al 또는 Ga이 도핑된(doped) ZnO 등과 같은 투명성을 갖는 재료를 사용하며, 전면 발광일 경우에는 ITO, IZO, ITZO, Al 또는 Ga이 도핑된 ZnO 등은 물론이고 일함수가 높은 금속 전극(Cr, Ni, Ag, Au)을 선택적으로 사용할 수도 있다. For example, in the case of back emission, the first electrode 120 uses a material having transparency such as ZnO doped with ITO, IZO, ITZO, Al, or Ga, and in the case of top emission, ITO, IZO As well as ZnO doped with, ITZO, Al, or Ga, metal electrodes (Cr, Ni, Ag, Au) having a high work function may be selectively used.

상기 제1 전극(120)상에는 발광 활성층(130)이 형성되는바, 이러한 발광 활성층(130)은 제1전극(120) 상에 형성되는 정공 수송층, 발광층 및 전자 주입층을 포함한다. The light emitting active layer 130 is formed on the first electrode 120, and the light emitting active layer 130 includes a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron injection layer formed on the first electrode 120.

일반적으로, 상기 발광 활성층(130)은 NPB와 Alq3등 과 같은 유기물질을 이용하여 형성되며, 상기 발광 활성층(130) 상에는 제2 전극(140)이 형성된다. In general, the light emitting active layer 130 is formed using an organic material such as NPB, Alq 3, and the like, and a second electrode 140 is formed on the light emitting active layer 130.

상기 제2전극(140)은 제1전극(120)과 마찬가지로, 발광형태(양면발광, 전면발광, 배면발광)에 따라 다양하게 형성할 수 있으며, 단일층으로 형성될 수도 있고 다층으로 형성될 수도 있다. Like the first electrode 120, the second electrode 140 may be formed in various ways depending on the light emission type (bilateral light emission, front light emission, back light emission), may be formed in a single layer or may be formed in multiple layers. have.

한편, 적어도 한층 이상의 보호층으로 구비되는 패시베이션 박막(150)은 플루오르화물과 아연을 포함하여 이루어지며, 상기 플루오르화물로서는 플루오르화 마그네슘(MgF2), 플루오르화 칼슘(CaF2), 플루오르화 리튬(LiF) 및 플루오르화 바륨(BaF2) 중 어느 하나를 선택하여 이루어질 수 있다. Meanwhile, the passivation thin film 150 provided with at least one protective layer includes fluoride and zinc, and the fluoride includes magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), and lithium fluoride (LiF). And barium fluoride (BaF 2 ).

도 3(a) 내지 도 3(d)은 본 발명의 바람직한 실시예의 패시베이션 박막에 적용되는 플루오르화물에 대한 광투과율을 도시한 그래프이다. 3 (a) to 3 (d) are graphs showing the light transmittance for fluoride applied to the passivation thin film of the preferred embodiment of the present invention.

도 3(a)는 플루오르화 마그네슘(MgF2)에 대한 광투과율을 나타내는 것이고, 도 3(b)는 플루오르화 칼슘(CaF2)에 대한 광투과율을 나타낸 것이며, 도 3(c)는 플루오르화 리튬(LiF)에 대한 광투과율을 나타낸 것이고, 도 3(d)는 플루오르화 바륨(BaF2)에 대한 광투과율을 나타낸 것으로서, 가시광선 영역에서 90% 이상의 광투과율을 나타냄을 알 수 있기 때문에 발광소자를 밀봉하는 소재로 사용하기에 적합함을 알 수 있다.FIG. 3 (a) shows light transmittance for magnesium fluoride (MgF 2 ), FIG. 3 (b) shows light transmittance for calcium fluoride (CaF 2 ), and FIG. 3 (c) shows fluorination. 3 shows light transmittance for lithium (LiF), and FIG. 3 (d) shows light transmittance for barium fluoride (BaF 2 ), which shows that light transmittance of 90% or more is visible in the visible region. It can be seen that it is suitable for use as a material for sealing the device.

또한, 이러한 플루오르화물은 소수성과 동시에 열적 안정성, 화학적 안정성이 매우 우수하여 여러 분야에서 이러한 특성들이 응용되고 있다. In addition, these fluorides have excellent hydrophobicity, thermal stability, and chemical stability, and these characteristics have been applied in various fields.

여기서, 상기 플루오르화물에 포함된 불소(fluoride)는 증착공정 중 여기된 불화물 분자에 의해서 금속이 식각되는 부반응을 일으킬 수도 있지만. 이러한 문제점들은 CFx 박막의 예를 보면, 먼저 탄화수소 박막을 형성 후 불화물(fluoride) 층을 형성시키는 두 단계의 방법을 이용하여 극복하거나, 이중 결합을 갖는 C3F6를 표면 자유에너지가 낮은 CF2로 하여 효율적 증착이 가능하다.Here, fluoride contained in the fluoride may cause a side reaction in which the metal is etched by the fluoride molecules excited during the deposition process. In the example of CF x thin film, these problems can be overcome by using a two-step method of first forming a hydrocarbon thin film and then forming a fluoride layer, or C 3 F 6 having a double bond with low surface free energy CF. the efficient deposition is possible in a second.

또한, CFx 계열 박막의 경우, 무기 박막층에 코팅하였을 경우, 그 효과가 지속적으로 유지되고, 소수성을 가지고 있으므로 수분차단의 효과가 큼을 보고하고 있다.In addition, in the case of the CF x- based thin film, when the coating on the inorganic thin film layer, the effect is continuously maintained, and because it has a hydrophobicity, it is reported that the effect of the moisture blocking is great.

그리고, 상기 플루오르화물의 분자들은 산화물 계열에 비해 분자 크기가 상대적으로 작기 때문에 이러한 플루오르화물로 이루어진 패시베이션 박막(150)에 의해서 외부로부터 수분 및 기체의 투과를 더 효과적으로 차단할 수 있다. 또한, 상기 플루오르화물의 극성은 산화물 계열에 비하여 상대적으로 강하므로 주로 탄소계열의 벤젠 구조물로 이루어져 있는 폴리머 기판의 표면과의 흡착성이 상대적으로 뛰어날 것으로 기대된다. Further, since the molecules of the fluoride are relatively smaller in size than the oxide series, the passivation thin film 150 made of such fluoride can more effectively block the permeation of moisture and gas from the outside. In addition, since the polarity of the fluoride is relatively strong compared to the oxide series, it is expected that the adsorption of the fluoride with the surface of the polymer substrate mainly composed of the carbon-based benzene structure is relatively excellent.

이와 더불어, 상기 플루오르화물의 증착온도는 산화물 계열보다 상대적으로 낮기 때문에 패시베이션 박막을 형성하기 위한 증착시 폴리머 소재로 이루어지는 기판(110) 및 유기물로 이루어지는 발광 활성층에 영향을 미치지 않는 저온 증착공정이 가능해지게 된다. In addition, since the deposition temperature of the fluoride is relatively lower than that of the oxide series, a low temperature deposition process is possible without affecting the substrate 110 made of a polymer material and the light emitting active layer made of an organic material during deposition for forming a passivation thin film. .

한편, 상기 패시베이션 박막(150)은 산화물 계열의 박막보다 광투과 특성이 좋고, 증착온도도 낮으며, 극성이 강한 플루오르화물과 더불어 전기 음성도 값이 큰 아연(Zn)을 포함시켜 MgF2Zn 형태의 비정질구조의 박막으로 구비된다. On the other hand, the passivation thin film 150 has better light transmission characteristics than the oxide-based thin film, has a lower deposition temperature, contains fluoride with a high polarity, and contains zinc (Zn) having a high electronegativity value, thereby forming MgF 2 Zn. It is provided with a thin film of amorphous structure.

여기서, 상기 아연은 30 내지 60 중량비(wt%)로 구비되는 것이 바람직하다. Here, the zinc is preferably provided in 30 to 60 weight ratio (wt%).

이러한 아연은 패시베이션 박막(150)의 패킹밀도(packing density)를 높이기 위해서 플루오르화물의 분자구조사이에 주입되는 것이다.The zinc is injected between the molecular structures of the fluoride to increase the packing density of the passivation thin film 150.

즉, 수분(0.32 nm) 및 산소 (0.33 nm) 의 직경을 고려하여 패시베이션 박막(150)의 분자구조는 나노 결함(nano-defects) 이하의 격자 결함(lattice defects) 크기를 만족하는 것이 바람직하지만, 이러한 분자구조 메커니즘은 극성을 지니고 있는 수분에 대하여 효과적으로 투습율을 개선할 수 있는 것이다. That is, the molecular structure of the passivation thin film 150 in consideration of the diameter of water (0.32 nm) and oxygen (0.33 nm) is preferably satisfied the size of lattice defects of less than nano-defects, This molecular structure mechanism can effectively improve the moisture permeability for water having polarity.

반면에, 대기중의 산소의 경우 극성을 가지고 있지 않으므로 박막의 패킹밀도(packing density)를 증가시키는 방법이 요구되는바, 상기 패시베이션 박막(150)의 밀도를 높이기 위해서 패시베이션 박막(150)을 구성하는 플루오르화물인 분자 구조(MgF2Zn)사이에 강한 극성을 가지고 있는 원자(Zn)를 주입하여 이들 간의 간격을 줄임으로서 산소와 같은 기체나 수분이 투과되는 것을 저지할 수 있는 것이다. On the other hand, since oxygen does not have polarity in the atmosphere, a method of increasing the packing density of the thin film is required. The passivation thin film 150 may be configured to increase the density of the passivation thin film 150. By injecting atoms with strong polarity (Zn) between the molecular structure (MgF 2 Zn), which is a fluoride, it is possible to reduce the permeation of gas or moisture such as oxygen.

이에 따라, 상기 패시베이션 박막(150)은 플루오르화물과 아연을 높은 온도로 용융시켜 함께 타켓으로 하여 진공증착법으로서 상기 제1전극(120), 발광활성층(130) 및 제2전극(140)을 덮도록 기판(110)상에 적어도 한층 이상 형성되는 보호층으로 구비된다. Accordingly, the passivation thin film 150 is formed by melting the fluoride and zinc at a high temperature to target the substrate together to cover the first electrode 120, the light emitting active layer 130, and the second electrode 140 by vacuum deposition. It is provided with a protective layer formed on at least one layer on the (110).

이로 인하여, 상기 패시베이션 박막(150)은 상기 플루오르화물과 더불어 증착되는 아연(Zn)로 인해서 박막의 패킹밀도(Packing density)를 증가 시킬 뿐만 아니라 극성을 증가시켜 추가적인 기체와 수분의 투과를 저지할 수 있는 특성을 갖게 된느 것이다. As a result, the passivation thin film 150 may not only increase the packing density of the thin film due to zinc (Zn) deposited together with the fluoride, but also increase the polarity to prevent additional gas and moisture permeation. It has a characteristic.

<실시예><Examples>

본 발명은 폴리머 기판의 투습상태를 확인하기 위하여 상기 패시베이션 박막을 플루오르화물 중 플루오르화 마그네슘(MgF2)과 아연(Zn)를 이용하여 MgF2Zn 타켓을 제작하였다. According to the present invention, a MgF 2 Zn target was fabricated using the passivation thin film using magnesium fluoride (MgF 2 ) and zinc (Zn).

여기서, 플루오르화 마그네슘(MgF2)과 아연(Zn)의 혼합비는 7:3, 5:5, 4:6의 혼합비를 갖도록 타겟을 제작할 수 있지만, 이들 중 패시베이션 박막의 패킹밀도(packing density)를 높일 수 있도록 아연의 함유량이 가장 높은 4:6 타겟을 이용하였다. Here, the mixing ratio of magnesium fluoride (MgF 2 ) and zinc (Zn) may be manufactured to have a mixing ratio of 7: 3, 5: 5, and 4: 6, but among these, the packing density of the passivation thin film is determined. A 4: 6 target having the highest zinc content was used to increase.

이어서, 상기 타켓은 RF 마그네트론 스퍼터링(radio frequency magnetron sputtering) 방법으로 폴리에틸렌 나플탈레이트(Polyethylene naphthalate :PEN) 기판위에 일정두께로 증착하여 패시베이션 박막(passivation thin film)(150)을 제작한 다음, 제작된 패시베이션 박막에 대한 투습 특성을 확인하였다. Subsequently, the target is deposited on a polyethylene naphthalate (PEN) substrate by RF magnetron sputtering to form a passivation thin film 150, and then manufactured. The moisture permeability of the passivation thin film was confirmed.

불화계 계열 물질인 플루오르화 마그네슘(MgF2)의 분자구조는 도 4(a)에 나타난 바와 같이 정방구조(Tetragonal structure)를 가지고 있으며, 이는 산화계열과 같이 증착 조건에 따라 비정질(amorphous)구조로 만들기 쉽다. The molecular structure of magnesium fluoride (MgF 2 ), a fluorine-based material, has a tetragonal structure, as shown in FIG. Easy to make

즉, 이러한 플루오르화 마그네슘(MgF2)에 극성 값이 크고 원자의 크기가 상대적으로 작은 물질인 아연이 기판에 함께 증착되는 경우, MgF2Zn의 분자구조에서 상기 아연 원자는 도 4(b)에 도시한 바와 같이, 플루오르화 마그네슘(MgF2)의 분자구조 격자 내에 삽입되어 중성(neutral)지점에 고정이 된다. That is, when zinc, a substance having a high polarity value and a relatively small atom size, is deposited on the substrate together with magnesium fluoride (MgF 2 ), the zinc atom in the molecular structure of MgF 2 Zn is shown in FIG. 4 (b). As shown, it is inserted into the molecular lattice of magnesium fluoride (MgF 2 ) and fixed at the neutral point.

이러한 경우, MgF2Zn 분자의 패킹밀도(packing density)와 전기 음성도 값이 커지면서 수분 및 기체의 투과를 최대한 억제할 수 있다. In this case, while the packing density and electronegativity of MgF 2 Zn molecules increase, the permeation of moisture and gas can be suppressed as much as possible.

그리고, PEN소재로 이루어진 폴리머 기판(S)에 MgF2Zn 분자구조를 갖는 보호층을 증착할 때, 도 5(a)에 도시한 바와 같이, MgF2Zn 박막층(A)에서 생기는 결함(defect)을 커버하기 위하여 플루오르화 마그네슘(MgF2)층을 하부 버퍼층(B)으로 하여 기판(S)상에 증착하고, 도 5(b)에 도시한 바와 같이 상기 하부 버퍼층(B)상에 하기 표 1의 조건으로 MgF2Zn 박막층(A)을 증착한 다음, 상기 MgF2Zn 박막층(A)상에 최종적으로 플루오르화 마그네슘(MgF2)층을 상부 버퍼층(B)으로 하여 증착함으로서 5(c)에 도시한 바와 같이, 총 1,2,3층 구조를 갖는 3층 박막구조물을 최종적으로 제작하였다. And, when depositing a protective layer having a MgF 2 Zn molecular structure on the polymer substrate (S) made of a PEN material, as shown in Fig. 5 (a), defects that occur in the MgF 2 Zn thin film layer (A) In order to cover the film, a magnesium fluoride (MgF 2 ) layer was deposited on the substrate S using the lower buffer layer (B), and as shown in FIG. 5 (b), on the lower buffer layer (B). After depositing the MgF 2 Zn thin film layer (A) under the condition of, and finally deposited on the MgF 2 Zn thin film layer (A) with a magnesium fluoride (MgF 2 ) layer as the upper buffer layer (B) to 5 (c) As shown, a three-layer thin film structure having a total of 1,2,3 layer structure was finally manufactured.

파라메터Parameter 조건Condition 타켓-기판 간 거리
스퍼터링 압력
가스공급
RF 파워
스퍼터링 시간
증착율Target-to-board distance
Sputtering pressure
Gas supply
RF power
Sputtering time
Deposition rate 11cm
4.7 × 10-3 Torr
50 sccm
100 W
20 min
0.1 nm / sec11 cm
4.7 × 10 -3 Torr
50 sccm
100 W
20 min
0.1 nm / sec

그리고, 상기 기판(S)에 증착후 도 5(c)에 도시된 3층 박막구조물인 보호층에 대한 표면형태(surface morphology)는 SEM(Scanning Electron Microscope) 및 AFM(Atomic Force Microscope)으로 각각 측정하였다. The surface morphology of the protective layer, which is the three-layer thin film structure shown in FIG. 5C after deposition on the substrate S, is measured by SEM (Scanning Electron Microscope) and AFM (Atomic Force Microscope), respectively. It was.

도 6은 기판상에 플루오르화 마그네슘층, MgF2Zn 박막층 및 플루오르화 마그네슘층이 순차적으로 증착된 3층 박막구조물에 대한 SEM 이미지를 도시한 것으로서, 상기 MgF2Zn 박막층(A)의 두께는 약 120 nm 이고, 상,하부 버퍼층(B)으로 증착된 플루오르화 마그네슘층은 약 40 nm의 두께로 형성됨을 알 수 있다. FIG. 6 is a SEM image of a three-layer thin film structure in which a magnesium fluoride layer, a MgF 2 Zn thin film layer, and a magnesium fluoride layer are sequentially deposited on a substrate, and the thickness of the MgF 2 Zn thin film layer (A) is about 120 nm, and the magnesium fluoride layer deposited on the upper and lower buffer layers B may be formed to a thickness of about 40 nm.

도 7은 기판상에 플루오르화 마그네슘층, MgF2Zn 박막층 및 플루오르화 마그네슘층이 순차적으로 증착된 3층 박막구조물에 대한 AFM 이미지를 도시한 것으로서, 상기 MgF2Zn 박막층(A)은 약 0.6 nm 정도의 거칠기를 가짐을 알 수 있다.7 shows an AFM image of a three-layer thin film structure in which a magnesium fluoride layer, a MgF 2 Zn thin film layer, and a magnesium fluoride layer are sequentially deposited on a substrate, wherein the MgF 2 Zn thin film layer (A) is about 0.6 nm. It can be seen that the degree of roughness.

도 8은 PEN기판, MgF2/PEN 기판 및 MgF2Zn/기판으로 이루어진 박막 구조물에 대한 광투과율을 도시한 그래프로서, 광투과율 특성이 가시광 영역에서 80% 이상 얻어짐을 알 수 있다. FIG. 8 is a graph showing the light transmittance of a thin film structure composed of a PEN substrate, an MgF 2 / PEN substrate, and an MgF 2 Zn / substrate, and it can be seen that the light transmittance characteristic is obtained by 80% or more in the visible region.

도 9는 X선 회절(X-ray diffraction :XRD)방법으로 측정한 결과를 도시한 그래프로서, (a)는 실리콘 웨이퍼 원판에 대한 XRD데이터이며 (b)는 실리콘 웨이퍼 원판상에 MgF2 박막이 증착된 구조물에 대한 XRD데이터이고, (c)는 실리콘 웨이퍼 원판상에 MgF2Zn 박막이 증착된 구조물에 대한 XRD데이터를 나타낸 것이다. 9 is a graph showing the results measured by the X-ray diffraction (XRD) method, (a) is the XRD data for the silicon wafer disc and (b) the MgF 2 thin film on the silicon wafer disc XRD data for the deposited structure, (c) shows the XRD data for the structure deposited MgF 2 Zn thin film on the silicon wafer disc.

즉, 발광소자의 패시베이션 박막으로 사용될 때 요구되는 비정질 구조로 증착이 가능함을 알아보기 위하여 실리콘 웨이퍼 원판(bare silicon wafer), MgF2 가 증착된 실리콘 웨이퍼 원판, MgF2Zn가 증착된 실리콘 웨이퍼에 대하여 X선 회절기(X-ray diffraction :XRD)로 측정하였다.That is, with respect to silicon wafer discs (bare silicon wafer), the MgF 2 are deposited silicon wafer disk, silicon wafer, the MgF 2 Zn is deposited to investigate the deposition is possible in amorphous structures is required when used as a passivation film of the light emitting element It was measured by X-ray diffraction (XRD).

그 결과 도 9(a)(b)(c)에 나타난 바와 같이 실리콘 웨이퍼 원판에서 약 57° 부근에서 생기는 피크를 제외하고, 어떠한 부가적인 피크값도 관찰되지 않음을 알 수 있으며, 이는 박막이 결정성을 가지지 않는 비정질 구조로 증착되었다는 것을 의미한다. As a result, as shown in Fig. 9 (a) (b) (c), it can be seen that no additional peak value is observed except for the peaks occurring in the vicinity of about 57 ° in the silicon wafer disc. This means that it is deposited in an amorphous structure having no properties.

증착된 박막의 화학적 조성 및 본딩상태는 도 10에 나타난 바와 같이 Al-Kα X선 및 Mg-Kα X선을 이용한 X-선 광전자분광기(photoelectron spectroscopy (XPS) (제조사 : VG microtech, 모델명 : ESCA model) 로서 측정하여 분석하고, 도 11에 도시한 바와 같이, 에너지 분산 X선 분광기(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy :EDS)기로서 측정하여 분석하였다.As shown in FIG. 10, the chemical composition and bonding state of the deposited thin film were X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) using Al-Kα X-ray and Mg-Kα X-ray (manufacturer: VG microtech, model name: ESCA model As shown in FIG. 11, it was measured and analyzed as an energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS) machine.

그 결과, 플루오르화 마그네슘 및 아연으로 만든 타켓을 이용하여 박막을 제작하였을 때, 패킹밀도를 높이는 방법으로 제시한, 박막 내 아연상태를 확인하기 위해 MgF2 : Zn = 4:6 로 만든 타켓으로 증착한 박막을 XPS로 분석한 결과에서　 도 10에서 Zn(2p) 라인의 피크가 존재함을 알 수 있었다. As a result, when manufacturing a thin film using a target made of magnesium fluoride and zinc, MgF 2 to confirm the zinc state in the thin film presented by a method of increasing the packing density : As a result of XPS analysis of the thin film deposited with the target made of Zn = 4: 6, it can be seen that the peak of the Zn (2p) line is shown in FIG. 10.

그리고, 도 11에 나타난 것처럼 EDS 분석 결과, 박막 내에 아연 성분이 약 10 wt%로 존재하는 것을 확인할 수 있었다. As shown in FIG. 11, as a result of the EDS analysis, it was confirmed that the zinc component was present at about 10 wt% in the thin film.

도 12는 결정 플루오르화 마그네슘 박막, 비정질 MgF2 박막 및 비정질 MgF2Zn 박막에 대한 패킹밀도와 굴절율간의 상관 관계를 도시한 그래프이다. 12 is a graph showing the correlation between packing density and refractive index for a crystalline magnesium fluoride thin film, an amorphous MgF 2 thin film, and an amorphous MgF 2 Zn thin film.

즉, 상기 패킹밀도가 증가됨을 확인하기 위하여 결정 플루오르화 마그네슘(MgF2)박막, 비정질 MgF2 박막 및 비정질 MgF2Zn 박막에 대하여 굴절율을 측정한바, 상기 플루오르화 마그네슘 박막의 굴절율은 1.38 로 측정되고, 상기 MgF2 박막의 굴절율은 1.43 으로 측정되고, 상기 MgF2Zn 박막은 1.45 로 측정됨을 알 수 있다. That is, the refractive index of the crystalline magnesium fluoride (MgF 2 ) thin film, amorphous MgF 2 thin film and amorphous MgF 2 Zn thin film in order to confirm that the packing density is increased, the refractive index of the magnesium fluoride thin film is measured as 1.38 The refractive index of the MgF 2 thin film may be measured as 1.43, and the MgF 2 Zn thin film may be measured as 1.45.

그리고, 하기 수학식 1에 의해서 플루오르화 마그네슘 박막, MgF2 박막 및 MgF2Zn 박막에 대한 패킹밀도를 측정할 수 있다. The packing density of the magnesium fluoride thin film, the MgF 2 thin film, and the MgF 2 Zn thin film can be measured by the following Equation 1.

Figure 112008044078443-pat00001
Figure 112008044078443-pat00001

여기서, p 는 패킹밀도이고, nf 는박막의 굴절율이며, ns 는 박막의 고상율이고, nv 는 박막의 다공율이다. Where p is the packing density and n f Is the refractive index of the thin film, n s Is the solid phase of the thin film, n v Is the porosity of the thin film.

이러한 상기 수학식 1으로 부터 계산된 플루오르화 마그네슘 박막의 패킹밀도는 54%이고, MgF2 박막의 패킹밀도는 61% 이며, MgF2Zn 박막의 패킹밀도는 64% 임을 알수 있다. The packing density of the magnesium fluoride thin film calculated from the above Equation 1 is 54%, the packing density of the MgF 2 thin film is 61%, it can be seen that the packing density of the MgF 2 Zn thin film is 64%.

이에 따라, 플루오르화 마그네슘 박막과 비교하여, 스퍼터링을 통하여 같이 증착 시킨 아연 원자들이 박막 내에 존재하여 가스 배리어(gas barrier)특성을 향상시키는 요인으로 작용함을 알수 있다. Accordingly, it can be seen that compared with the magnesium fluoride thin film, zinc atoms deposited together through sputtering are present in the thin film, thereby acting as a factor for improving gas barrier properties.

한편, 발명에 의해 제작된 박막 중 Zn 의 함유량이 가장 많은 MgF2 : Zn = 4:6의 박막을 기준으로 투습율를 측정하고, 그 결과를 도 13에 나타내었다. On the other hand, MgF 2 with the highest content of Zn in the thin film produced by the invention : Moisture permeability was measured based on the thin film of Zn = 4: 6, and the result is shown in FIG.

여기서, 투습율는 대기온도 38 ℃, 상대습도 90-100% 의 조건에서 두 가지 장비를 사용하여 측정하였다. 이때, 사용되는 장비는 모델명 Permatran W 3/31 (제조사; Modern controls, Inc.)과 모델명 L80-5000L (제조사 : Lyssy Inc.) 두 가지를 사용하였다. Here, the moisture permeability was measured using two instruments under the conditions of air temperature 38 ℃, relative humidity 90-100%. In this case, two types of equipment were used, a model name Permatran W 3/31 (manufacturer; Modern controls, Inc.) and a model name L80-5000L (manufacturer: Lyssy Inc.).

그리고, 박막은 약 8.0 × 10-1 g/(m2·day)의 투습율을 가지고 두께 125 ㎛의 Teijin Dupont films 의 Q65 Teonex PEN film 을 사용하였으며 투습율 측정 시 가스 투과면적을 25 cm2 으로 고정하여 측정을 하였다.　Then, the thin film is about 8.0 × 10 -1 g / (m 2 · day) when a has a moisture permeability was used as the PEN film of Teonex Q65 of Teijin Dupont films 125 ㎛ thickness measuring moisture permeability to the gas permeable area 25 cm 2 The measurement was made by fixing.

도 13은 PEN 기판, MgF2Zn 및 MgF2 를 이용하여 구성한 다층 박막 구조물에 대한 투습율를 도시한 그래프이다. FIG. 13 is a graph illustrating moisture permeability of a multilayer thin film structure constructed using a PEN substrate, MgF 2 Zn, and MgF 2 .

도 13에 나타난 바와 같이 1층 구조인 MgF2/PEN의 투습률이 약 6.5 × 10-1 g/(m2·day) 이며, 2층 구조인 MgF2Zn/MgF2/PEN의 투습률이 약 7.0 × 10-2 g/(m2·day), 3층 구조인 MgF2/MgF2Zn/MgF2/PEN 의 투습률이 약 3.0 × 10-2 g/(m2·day)인 결과를 확인할 수 있었다. As shown in FIG. 13, the water vapor transmission rate of MgF 2 / PEN having a one-layer structure is about 6.5 × 10 −1 g / (m 2 · day), and the water vapor transmission rate of MgF 2 Zn / MgF 2 / PEN having a two-layer structure is Results of about 7.0 × 10 -2 g / (m 2 · day) and three-layer structure of MgF 2 / MgF 2 Zn / MgF 2 / PEN having a water vapor transmission rate of about 3.0 × 10 -2 g / (m 2 · day) Could be confirmed.

이는 아연이 첨가된 합성박막이 MgF2 단일막에 비해서 현저히 우수한 가스배리어 박막으로써의 능력을 보여주는 것을 확인할 수 있었다. It was confirmed that the zinc-added synthetic thin film showed the ability as a gas barrier thin film significantly superior to the MgF 2 single layer.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 다양한 변화와 변경 및 균등물을 사용할 수 있고, 상기 실시예를 적절히 변형하여 동일하게 응용할 수 있음이 명확하다. 따라서 상기 기재내용은 하기 특허청구범위의 한계에 의해 정해지는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니다.Although the preferred embodiment of the present invention has been described above, it is clear that the present invention may use various changes, modifications, and equivalents, and that the above embodiments may be appropriately modified to apply the same. Accordingly, the above description does not limit the scope of the invention as defined by the limitations of the following claims.

도 1은 폴리머소재로 이루어진 기판에 대한 실내온도 분위기에서 측정된 투습율(Water Vapor Transmission Rate :WVTR)과 산소투과율(Oxygen Transmission Rate :OTR)간 상관관계를 도시한 그래프이다.1 is a graph illustrating a correlation between a water vapor transmission rate (WVTR) and an oxygen transmission rate (OTR) measured in an indoor temperature atmosphere for a substrate made of a polymer material.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패시베이션 박막이 도포된 발광소자를 도시한 개략도이다.  2 is a schematic view showing a light emitting device to which a passivation thin film is applied according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예의 패시베이션 박막에 적용되는 플루오르화물에 대한 광투과율을 도시한 그래프로써, 3 is a graph showing the light transmittance for fluoride applied to the passivation thin film of the preferred embodiment of the present invention,

(a)는 플루오르화 마그네슘(a) magnesium fluoride

(b)는 플루오르화 칼슘(b) calcium fluoride

(c)는 플루오르화 리튬(c) lithium fluoride

(d)는 플루오르화 바륨 (d) is barium fluoride

도 4(a)는 플루오르화 마그네슘(MgF2)의 분자구조를 도시한 입체 모형도이다. 4 (a) is a three-dimensional model diagram showing the molecular structure of magnesium fluoride (MgF 2 ).

도 5(a)는 기판에 하부 버퍼층이 1층 적층된 구조의 단면도이다. 5A is a cross-sectional view of a structure in which a lower buffer layer is stacked on a substrate.

도 5(b)는 기판에 하부 버퍼층, MgF2Zn 박막층이 2층으로 적층된 구조의 단면도이다. 5B is a cross-sectional view of a structure in which a lower buffer layer and a MgF 2 Zn thin film layer are stacked in two layers on a substrate.

도 5(c)는 기판에 하부 버퍼층, MgF2Zn 박막층 및 상부 버퍼층이 3층으로 적층된 구조의 단면도이다. 5C is a cross-sectional view of a structure in which a lower buffer layer, an MgF 2 Zn thin film layer, and an upper buffer layer are stacked in three layers on a substrate.

도 6은 기판상에 플루오르화 마그네슘층, MgF2Zn 박막층 및 플루오르화 마그네슘층이 순차적으로 증착된 3층 박막구조물에 대한 SEM 이미지이다. FIG. 6 is an SEM image of a three-layer thin film structure in which a magnesium fluoride layer, an MgF 2 Zn thin film layer, and a magnesium fluoride layer are sequentially deposited on a substrate.

도 7은 기판상에 플루오르화 마그네슘층, MgF2Zn 박막층 및 플루오르화 마그네슘층이 순차적으로 증착된 3층 박막구조물에 대한 AFM 이미지이다. 7 is an AFM image of a three-layer thin film structure in which a magnesium fluoride layer, an MgF 2 Zn thin film layer, and a magnesium fluoride layer are sequentially deposited on a substrate.

도 8은 PEN기판, MgF2/PEN 기판 및 MgF2Zn/기판으로 이루어진 박막 구조물에 대한 광투과율을 도시한 그래프이다. 8 is a graph showing light transmittance of a thin film structure consisting of a PEN substrate, an MgF 2 / PEN substrate, and an MgF 2 Zn / substrate.

도 9는 X선 회절(X-ray diffraction :XRD)방법으로 측정한 결과를 도시한 그래프로서, 9 is a graph showing the results measured by the X-ray diffraction (XRD) method,

(a)는 실리콘 웨이퍼 원판(a) silicon wafer disc

(b)는 실리콘 웨이퍼 원판상에 MgF2 박막이 증착된 구조물(b) shows the structure of MgF 2 thin film deposited on silicon wafer disc

(c)는 실리콘 웨이퍼 원판상에 MgF2Zn 박막이 증착된 구조물이다. (c) is a structure in which a MgF 2 Zn thin film is deposited on a silicon wafer disc.

도 10은 MgF2Zn 박막층을 X-선 광전자분광기로서 측정하여 분석한 그래프이다. 10 is a graph obtained by analyzing an MgF 2 Zn thin film layer as an X-ray photoelectron spectrometer.

도 11은 MgF2Zn 박막층을 에너지 분산 X선 분광기로서 측정하여 분석한 그래프이다. 11 is a graph obtained by analyzing an MgF 2 Zn thin film layer using an energy dispersive X-ray spectrometer.

도 12는 도 12는 결정 플루오르화 마그네슘 박막, 비정질 MgF2 박막 및 비정질 MgF2Zn 박막에 대한 패킹밀도와 굴절율간의 상관 관계를 도시한 그래프이다. 12 is a graph showing a correlation between packing density and refractive index for a crystalline magnesium fluoride thin film, an amorphous MgF 2 thin film, and an amorphous MgF 2 Zn thin film.

도 13은 PEN 기판, MgF2Zn 및 MgF2 를 이용하여 구성한 다층 박막 구조물에 대한 투습율를 도시한 그래프이다. FIG. 13 is a graph illustrating moisture permeability of a multilayer thin film structure constructed using a PEN substrate, MgF 2 Zn, and MgF 2 .

Claims (5)

기판상에 형성되는 제1전극과, 상기 제1전극 상에 형성되는 발광 활성층 및 상기 발광 활성층 상에 형성되는 제2전극을 포함하는 발광소자의 외부면에 플루오르화물과 아연을 타켓으로 하여 적어도 한층 이상의 보호층이 증착되고, At least one or more fluoride and zinc targets on an outer surface of a light emitting device including a first electrode formed on a substrate, a light emitting active layer formed on the first electrode, and a second electrode formed on the light emitting active layer A protective layer is deposited, 상기 보호층은 상기 플루오르화물과 아연의 구성비율은 4:6 으로 이루어지고, The protective layer is a fluoride and zinc constituent ratio of 4: 6, 상기 보호층은 MgF2 으로 증착되는 버퍼층과, 상기 버퍼층의 상부면에 상기 버퍼층의 두께보다 상대적으로 두꺼운 두께로 증착되는 MgF2Zn 박막층으로 이루어짐을 특징으로 하는 패시베이션 박막. The protective layer is a passivation thin film, characterized by constituted by any MgF 2 Zn thin film layer is deposited to a relatively large thickness than the thickness of the buffer layer on the top surface of the buffer layer and the buffer layer is deposited as MgF 2. 제1항에 있어서, 상기 플루오르화물은 플루오르화 마그네슘(MgF2), 플루오르화 칼슘(CaF2), 플루오르화 리튬(LiF) 및 플루오르화 바륨(BaF2) 중 어느 하나로 선택됨을 특징으로 하는 패시베이션 박막. The passivation thin film of claim 1, wherein the fluoride is selected from magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), lithium fluoride (LiF), and barium fluoride (BaF 2 ). 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 아연은 10wt% 로 구비됨을 특징으로 하는 패시베이션 박막. The passivation thin film according to claim 1 or 2, wherein the zinc is provided at 10wt%. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 MgF2Zn 박막층의 표면에 상기 MgF2Zn 박막층의 두께보다 상대적으로 얇은 두께로 증착되는 상부 버퍼층을 추가 구비함을 특징으로 하는 패시베이션 박막. The method of claim 1, wherein the passivation thin film to the upper surface of the buffer layer on the MgF 2 Zn thin film layer is deposited to a relatively thin thickness than the thickness of the MgF 2 Zn thin film layer characterized in that the additional bar.
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