KR101054790B1 - Leds comprising electrode pattern for enhancing the efficiency - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A semiconductor light emitting device with an electrode pattern is provided to control the generation of heat inside a semiconductor light emitting device without the elimination of a part of the semiconductor light emitting device and maintain a valid radiation area by not removing an active layer area in which the direct reaction of holes and electronics occurs. CONSTITUTION: A first nitride semiconductor layer(120), an active layer(130), a second nitride semiconductor layer(140), and a transparent electrode(150) are successively laminated in a substrate. A pair of first electrodes(160) is electrically touched with the first nitride semiconductor layer. A pair of second electrodes(170) is formed on the transparent electrode. The first electrode and the second electrode comprises a main electrode, which is parallel to one side edge of the transparent electrode, the first side end and the second side end of the main electrode, a first side end branch, which is perpendicularly projected to the same direction from the middle of the main electrode, a second side end branch, and a middle branch. The second side end branch comprises a horizontal part, which is connected to the outer part from the end of the vertical part, to be parallel with the vertical part and the main electrode which is perpendicularity to the main electrode.

Description

광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자{LEDs comprising electrode pattern for enhancing the efficiency}Semiconductor light emitting device including an electrode pattern for improving light efficiency

본 발명은 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전류 혼잡화를 최소화시킬 수 있는 전극 패턴을 형성하여, 성능 및 신뢰성을 개선할 수 있는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
The present invention relates to a semiconductor light emitting device including an electrode pattern for improving the light efficiency, and more particularly to a semiconductor light emitting device that can improve the performance and reliability by forming an electrode pattern that can minimize current congestion will be.

최근 들어 반도체 발광소자 기술은 조명 광원으로서의 적용이 고려될 만큼 획기적으로 발전해 왔다. In recent years, semiconductor light emitting device technology has been significantly developed to consider the application as an illumination light source.

하지만, 발광소자가 백열 조명원을 대체하기 위해서는 반도체 발광소자 자체의 신뢰성, 낮은 소비전력 및 낮은 제조비용을 유지하면서, 대면적 및 고휘도 출력을 제공해야 한다. 특히, 안정적인 조명산업의 진입을 위해서는 대면적화가 필수적으로 요구되지만, 칩 사이즈가 커지는 만큼, 전체 구조에 걸쳐 전류를 균일하게 유포하기 어렵다는 제약요소 때문에, 많은 연구소와 기업들이 발광소자의 조명 광원화에 어려움을 겪고 있다.However, in order for a light emitting device to replace an incandescent light source, it is necessary to provide a large area and high brightness output while maintaining the reliability, low power consumption, and low manufacturing cost of the semiconductor light emitting device itself. In particular, large area is required to enter the stable lighting industry, but due to the constraint that it is difficult to distribute the current uniformly over the entire structure as the chip size increases, many research institutes and companies are trying to develop lighting light sources of light emitting devices. I'm having a hard time.

반도체 발광소자에 전류가 불균일하게 주입될 경우, 불균일하게 주입된 전류는 반도체 발광소자 상의 특정 부분들에 축적되어, 발광 반도전성 재료의 효율적인 사용을 방해하게 되는데, 이 현상을 "전류 혼잡화(current crowding)"라고 한다. If the current is unevenly injected into the semiconductor light emitting device, the unevenly injected current may accumulate in certain portions of the semiconductor light emitting device, preventing the efficient use of the light emitting semiconducting material, which is referred to as "current congestion." crowding ".

전류 혼잡화는 전하 운반자들이 최소 저항의 경로로 이동하는 경향 때문에, 반도체 발광소자의 전기 접촉들의 끝단에서 발생하는 경향이 있으며, 전류를 받아들이고 퍼뜨리는 영역들의 각각에 대한 용량에 의존하는 전기접촉들의 임의 영역들에서도 발생한다. Current congestion tends to occur at the ends of the electrical contacts of the semiconductor light emitting device because of the tendency of charge carriers to move in the path of least resistance, and any area of electrical contacts that depends on the capacitance for each of the regions that receive and spread current. It also occurs in the field.

이러한 전류 혼잡화는 반도체 발광소자 상에 밝은 부분들과 어두운 부분들을 갖는 불안정한 광선속이 되게 하고, 더 많은 전류가 반도체 발광소자에 주입되도록 하므로, 소비전력이 높아지게 함과 동시에 반도체 발광소자에 절연파괴를 일으킬 수 있다. 즉, 광은 효율적으로 방출되지 않고, 소비전력이 커지게 된다는 문제점이 있다.This current congestion causes unstable beams of light and dark portions on the semiconductor light emitting device, and more current is injected into the semiconductor light emitting device, thereby increasing power consumption and insulating the semiconductor light emitting device. Can cause. That is, there is a problem that light is not emitted efficiently and power consumption is increased.

더불어, 현재 획득 가능한 더 큰 크기의 반도체 발광소자들은 그들의 제한된 전력과 제한된 광선속 출력에 추가로 기여하는 부가적인 제약요소를 포함하고 있는데, 이러한 제약요소에는 비효율적인 열소산, 부족한 광학적 향상구조, 및 기기구조 내에서의 높은 광 재흡수를 일으키는 제한된 수의 발광영역들이 포함된다.In addition, the larger size semiconductor light emitting devices currently available include additional constraints that contribute additionally to their limited power and limited luminous flux output, which include inefficient heat dissipation, poor optical enhancement, and equipment. A limited number of light emitting regions are included that result in high light resorption within the structure.

도 1-(a)는 전류 혼잡화 및 비효율적인 열소산을 줄이기 위한 전극 패턴이 형성된 종래 반도체 발광소자의 일 실시예를 나타내는 평면도이고, 도 1-(b)는 도 1-(a)의 반도체 발광소자의 A-A' 라인을 따른 단면도이며, 도 1-(c)는 도 1-(a)의 반도체 발광소자의 내부양자효율(IQE)을 나타내는 도면이다.1- (a) is a plan view showing an embodiment of a conventional semiconductor light emitting device in which electrode patterns are formed to reduce current congestion and inefficient heat dissipation, and FIG. 1- (b) is a semiconductor of FIG. 1- (a) 1-(c) is a diagram showing the internal quantum efficiency (IQE) of the semiconductor light emitting device of Figure 1 (a).

도 1-(a) 및 도 1-(b)를 참조하면, 전류 혼잡화 및 비효율적인 열소산을 줄이기 위한 전극 패턴이 형성된 종래 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 순차적으로 성장되는 버퍼층(110), 제 1 질화물 반도체층(n형 질화물 반도체층(120)), 활성층(130), 제 2 질화물 반도체층(p형 질화물 반도체층(140)), 투명 전극(150), 및 제 2 전극(p형 전극(170))과, 제 2 질화물 반도체층(140) 및 활성층(130)이 식각되어 노출된 제 1 질화물 반도체층(120) 위에 형성되는 제 1 전극(n형 전극(160))으로 구성된다. Referring to FIGS. 1- (a) and 1- (b), a conventional semiconductor light emitting device in which electrode patterns are formed to reduce current congestion and inefficient heat dissipation is sequentially grown on a substrate 100 and a substrate 100. A buffer layer 110, a first nitride semiconductor layer (n-type nitride semiconductor layer 120), an active layer 130, a second nitride semiconductor layer (p-type nitride semiconductor layer 140), a transparent electrode 150, and The first electrode (n-type electrode) formed on the first nitride semiconductor layer 120 where the second electrode (p-type electrode 170), the second nitride semiconductor layer 140, and the active layer 130 are etched and exposed. 160).

특히, 반도체 발광소자의 중심부에 투명 전극(150) 또는 적어도 활성층(130)까지를 제거한 제거 부분(180)을 형성하고, 제 2 전극(170)은 소자의 테두리 부분과 제거 부분(180)의 둘레를 따라 형성하며, 상대 전극인 제 1 전극(160)은 제 2 전극(170)과 마주 보도록 소자의 내부로 형성한다.In particular, the removal portion 180 having the transparent electrode 150 or at least the active layer 130 removed is formed in the center of the semiconductor light emitting device, and the second electrode 170 is formed around the edge of the device and the removal portion 180. The first electrode 160, which is a counter electrode, is formed inside the element to face the second electrode 170.

이 경우, 일반적인 반도체 발광소자에 비해서 소자 내부의 열 발생을 억제하며 전류 혼잡화를 줄일 수 있지만, 제거 부분(180)으로 인해, 전자와 정공의 리콤비네이션 반응이 이루어지는 활성층(130)의 영역이 줄어듦으로써 유효 발광면적이 줄어들고, 여전히 전류를 균일하게 확산시키지 못하므로, 도 1-(c)에서와 같이, 도면상의 소자 하부 측과 상부 측 내부양자효율(주입되어 재결합한 전자의 수에 대하여 만들어진 광자의 비율)의 불균형을 초래할 수 있다. In this case, as compared with a general semiconductor light emitting device, heat generation inside the device can be suppressed and current congestion can be reduced. However, the removal portion 180 reduces the area of the active layer 130 where the recombination reaction between electrons and holes occurs. As a result, the effective light emitting area is reduced and still does not spread the current uniformly, as shown in Fig. 1- (c), the lower and upper side internal quantum efficiency (photons made for the number of injected and recombined electrons) Ratios).

결국, 도 1의 반도체 발광소자와 같이 소자의 전극 패턴을 형성한다 하더라도, 전류 혼잡화, 유효 발광면적의 감소 및 내부양자효율의 불균형으로 인해 외부로 추출되는 전체 광량이 감소한다는 문제점은 여전히 존재하므로, 고출력(high power), 고광선속(high luminous flux)의 LED 칩들을 개발하기 위해서는 상술한 문제점들을 해결할 수 있는 전극 패턴의 설계가 필요하다.
As a result, even when the electrode pattern of the device is formed, as in the semiconductor light emitting device of FIG. In order to develop LED chips of high power, high luminous flux, it is necessary to design an electrode pattern that can solve the above problems.

본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 효율적인 전극의 위치 선정을 통해, 불균일한 전류 분포로 인해 발생하는 조기 광 포화문제, 국부적인 광분포 및 그에 따른 발열 현상, 높은 소비전력 등의 문제점을 해결하여, 반도체 발광소자의 성능 및 신뢰성을 개선하는 것을 목적으로 한다.
The present invention has been made to solve such a conventional problem, through the efficient positioning of the electrode, the early light saturation problem, localized light distribution and resulting heat generation, high power consumption due to uneven current distribution It is an object to solve the problems, such as to improve the performance and reliability of the semiconductor light emitting device.

상술한 관제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자는 제 1 질화물 반도체층, 활성층, 제 2 질화물 반도체층, 및 투명 전극이 순차적으로 적층되어 있는 기판, 제 1 질화물 반도체층에 전기적으로 접촉되는 한 쌍의 제 1 전극, 및 투명 전극 위에 형성되어 있는 한 쌍의 제 2 전극을 포함한다.The semiconductor light emitting device including the electrode pattern for improving the light efficiency according to the present invention for solving the above-described control is a substrate in which the first nitride semiconductor layer, the active layer, the second nitride semiconductor layer, and the transparent electrode are sequentially stacked; A pair of first electrodes in electrical contact with the one nitride semiconductor layer, and a pair of second electrodes formed on the transparent electrode.

이때, 제 1 전극 및 제 2 전극은 투명 전극의 한쪽 가장자리와 평행인 메인 전극, 및 메인 전극의 제 1 측단, 제 2 측단, 중간에서 동일한 방향을 향해 수직으로 돌출되어 있는 제 1 측단 가지, 제 2 측단 가지, 중간 가지를 포함하며, 제 2 측단 가지는, 메인 전극과 수직을 이루는 수직부, 및 메인 전극과 평행하도록 수직부의 끝에서 바깥쪽 방향으로 연결되는 수평부를 포함할 수 있다. At this time, the first electrode and the second electrode is a main electrode parallel to one edge of the transparent electrode, and the first side end, the second side end, the first side end branch protruding vertically in the same direction from the middle, A second side end branch may include a middle end branch, and the second side end branch may include a vertical part perpendicular to the main electrode, and a horizontal part connected outwardly from an end of the vertical part to be parallel to the main electrode.

또한, 제 1 전극은 제 1 측단 가지와 메인 전극이 수직을 이루고 있는 모서리 부분이, 투명 전극의 4개 모서리 중 대각선 방향으로 위치하는 2개의 모서리 부분에 대응되도록 배치될 수 있다. In addition, the first electrode may be disposed such that the corner portion where the first side branch and the main electrode are perpendicular to the two corner portions positioned diagonally among the four corners of the transparent electrode.

또한, 제 2 전극은 제 1 측단 가지와 메인 전극이 수직을 이루고 있는 모서리 부분이, 투명 전극의 4개 모서리 중 제 1 전극이 위치하지 않는 2개의 모서리 부분에 대응되도록, 투명 전극의 테두리를 따라 투명 전극 위에 각각 형성될 수 있다. In addition, the second electrode is formed along the edge of the transparent electrode such that the corner portion where the first side branch and the main electrode are perpendicular to each other corresponds to two corner portions where the first electrode is not located among the four corners of the transparent electrode. It may be formed on the transparent electrode, respectively.

또한, 제 1 전극 및 제 2 전극 각각은, 수평부가 상대 전극의 제 1 측단 가지와 중간 가지 사이에 위치하는 패턴을 형성할 수 있다. In addition, each of the first electrode and the second electrode may form a pattern in which the horizontal portion is positioned between the first side end branch and the middle branch of the counter electrode.

또한, 제 1 전극 및 제 2 전극은 제 1 측단 가지와 상대 전극의 수평부, 상대 전극의 수평부와 중간 가지, 및 중간 가지와 수직부 사이의 거리가 일정한 거리가 되도록 평행하게 위치하는 패턴을 형성할 수 있다. In addition, the first electrode and the second electrode may have a pattern in which the first side end and the counter electrode are arranged in parallel so that the distance between the horizontal and intermediate branches of the counter electrode and the intermediate and vertical branches is a constant distance. Can be formed.

또한, 한 쌍의 제 1 전극은 중간 가지를 서로 연결하는 연결부를 더 포함할 수 있다.In addition, the pair of first electrodes may further include a connection part connecting the middle branches to each other.

또한, 한 쌍의 제 2 전극은 중간 가지를 서로 연결하는 연결부를 더 포함할 수 있다. In addition, the pair of second electrodes may further include a connection part connecting the intermediate branches to each other.

이때, 연결부는 한 쌍의 전극에 대해서, 메인 전극들과 평행이고, 중간 가지들과 수직을 이루는 직선 형태이며, 중간 가지들의 끝에서 중간 가지들을 연결할 수 있다. In this case, the connection part may have a straight line shape parallel to the main electrodes and perpendicular to the middle branches with respect to the pair of electrodes, and may connect the middle branches at the ends of the middle branches.

또한, 제 1 전극 및 제 2 전극은 중간 가지와 메인 전극이 만나는 지점에 본딩 전극을 포함할 수 있다. In addition, the first electrode and the second electrode may include a bonding electrode at a point where the intermediate branch and the main electrode meet.

이러한 구성으로 인해, 반도체 발광소자의 일부를 제거하지 않고도 소자 내부의 열 발생을 억제할 수 있으므로, 전자와 정공의 직접적인 반응이 일어나는 활성층 영역을 제거하지 않아, 유효발광면적을 유지할 수 있다.Due to this configuration, heat generation inside the device can be suppressed without removing a part of the semiconductor light emitting device, and thus the effective light emitting area can be maintained without removing the active layer region where direct reaction between electrons and holes occurs.

또한, 이와 같이 동일 전극 특성을 가지는 두 전극을 서로 대향하는 위치에 구성함으로써, 전류의 균일한 분산을 유도할 수 있으므로, 불균일한 전류 분포로 인해 발생하는 조기 광 포화문제, 국부적인 광분포 및 그에 따른 발열 현상, 높은 소비전력 등의 문제점을 해결할 수 있어, 반도체 발광소자의 휘도 특성 및 광추출 효율을 향상시킴과 동시에 소자의 특성과 신뢰성을 개선할 수 있다.
In addition, by configuring two electrodes having the same electrode characteristics in the position opposite to each other, it is possible to induce a uniform dispersion of the current, so that early light saturation problem caused by uneven current distribution, local light distribution and Problems such as heat generation, high power consumption, etc. can be solved, thereby improving luminance characteristics and light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device and at the same time improving the characteristics and reliability of the device.

본 발명에 의해 반도체 발광소자의 중심을 기준으로, 대각선 방향으로 대향하고 있는 한 쌍의 전극 및 다른 대각선 방향으로 대향하고 있는 또 다른 한 쌍의 전극으로 구성된 전극 패턴을 설계하여, 반도체 발광소자의 일부를 제거하지 않고도 소자 내부의 열 발생을 억제할 수 있으며, 전자와 정공의 직접적인 반응이 일어나는 활성층 영역을 제거하지 않으므로, 유효발광면적을 유지할 수 있다.According to the present invention, an electrode pattern composed of a pair of electrodes facing each other diagonally and another pair of electrodes facing each other diagonally with respect to the center of the semiconductor light emitting device is designed so that a part of the semiconductor light emitting device It is possible to suppress the generation of heat inside the device without removing the active material, and does not remove the active layer region in which direct reaction between electrons and holes occurs, thereby maintaining an effective light emitting area.

또한, 이와 같이 동일 전극 특성을 가지는 두 전극을 서로 대향하는 위치에 구성함으로써, 전류의 균일한 분산을 유도할 수 있으므로, 불균일한 전류 분포로 인해 발생하는 조기 광 포화문제, 국부적인 광분포 및 그에 따른 발열 현상, 높은 소비전력 등의 문제점을 해결할 수 있어, 반도체 발광소자의 휘도 특성 및 광추출 효율을 향상시킴과 동시에 소자의 특성과 신뢰성을 개선할 수 있다.
In addition, by configuring two electrodes having the same electrode characteristics in the position opposite to each other, it is possible to induce a uniform dispersion of the current, so that early light saturation problem caused by uneven current distribution, local light distribution and Problems such as heat generation, high power consumption, etc. can be solved, thereby improving luminance characteristics and light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device and at the same time improving the characteristics and reliability of the device.

도 1-(a)는 전류 혼잡화 및 비효율적인 열소산을 줄이기 위한 전극 패턴이 형성된 종래 반도체 발광소자의 일 실시예를 나타내는 평면도.
도 1-(b)는 도 1-(a)의 반도체 발광소자의 A-A' 라인을 따른 단면도.
도 1-(c)는 도 1-(a)의 반도체 발광소자의 내부양자효율(IQE)을 나타내는 도면.
도 2-(a)는 본 발명에 따른 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자의 바람직한 일 실시예를 나타내는 평면도.
도 2-(b)는 도 2-(a)의 반도체 발광소자의 내부양자효율(IQE)을 나타내는 도면.
도 3-(a)는 본 발명에 따른 n형 전극(160)의 일 실시예를 도시한 도면.
도 3-(b)는 본 발명에 따른 p형 전극(170)의 일 실시예를 도시한 도면.
도 4-(a)는 본 발명에 따른 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자의 제 1 변형 실시예를 나타내는 평면도.
도 4-(b)는 도 4-(a)의 반도체 발광소자의 내부양자효율(IQE)을 나타내는 도면.
도 5는 본 발명에 따른 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자의 제 2 변형 실시예를 나타내는 평면도.
도 6-(a)는 도 2, 도 4, 및 도 5의 반도체 발광소자의 순방향 전압특성을 그래프로 나타낸 도면.
도 6-(b)는 도 6-(a)의 그래프에서 약 4.6V의 순방향 전압에 해당하는 부분을 확대하여 나타낸 도면.
도 7은 도 2, 도 4, 및 도 5의 반도체 발광소자의 온도 특성을 그래프로 나타낸 도면.1- (a) is a plan view showing an embodiment of a conventional semiconductor light emitting device in which electrode patterns are formed to reduce current congestion and inefficient heat dissipation;
1- (b) is a cross-sectional view along the AA ′ line of the semiconductor light emitting device of FIGS. 1- (a).
1- (c) is a diagram showing the internal quantum efficiency (IQE) of the semiconductor light emitting device of FIG. 1- (a).
2- (a) is a plan view showing a preferred embodiment of a semiconductor light emitting device including an electrode pattern according to the present invention.
Fig. 2- (b) shows the internal quantum efficiency (IQE) of the semiconductor light emitting device of Fig. 2- (a).
3- (a) shows one embodiment of an n-type electrode 160 in accordance with the present invention.
3- (b) shows one embodiment of a p-type electrode 170 in accordance with the present invention.
4- (a) is a plan view showing a first modified embodiment of the semiconductor light emitting device including the electrode pattern according to the present invention.
Fig. 4- (b) shows the internal quantum efficiency (IQE) of the semiconductor light emitting device of Fig. 4- (a).
5 is a plan view showing a second modified embodiment of the semiconductor light emitting device including the electrode pattern according to the present invention.
6- (a) are graphs showing forward voltage characteristics of the semiconductor light emitting devices of FIGS. 2, 4, and 5;
6- (b) is an enlarged view of a portion corresponding to a forward voltage of about 4.6V in the graph of FIG. 6- (a).
7 is a graph illustrating temperature characteristics of the semiconductor light emitting devices of FIGS. 2, 4, and 5;

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다. 발명의 이해를 보다 명확하게 하기 위해 동일한 구성요소에 대해서는 상이한 도면에서도 동일한 부호를 사용하도록 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In order to more clearly understand the present invention, the same reference numerals are used for the same components in different drawings.

도 2-(a)는 본 발명에 따른 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자의 바람직한 일 실시예를 나타내는 평면도이다.2- (a) is a plan view showing a preferred embodiment of a semiconductor light emitting device including an electrode pattern according to the present invention.

본 발명에 따른 반도체 발광소자는 상술한 도 1의 반도체 발광소자와 같이, 기판(100) 위에 버퍼층(110), 제 1 질화물 반도체층(120), 활성층(130), 제 2 질화물 반도체층(140), 및 투명 전극(150)이 순차적으로 성장된 구조로 형성될 수 있으며, 투명 전극(150)은 제 2 질화물 반도체층(140)의 거의 전면에 형성될 수 있다. The semiconductor light emitting device according to the present invention, like the semiconductor light emitting device of FIG. 1 described above, has a buffer layer 110, a first nitride semiconductor layer 120, an active layer 130, and a second nitride semiconductor layer 140 on a substrate 100. ), And the transparent electrode 150 may be sequentially formed, and the transparent electrode 150 may be formed on almost the entire surface of the second nitride semiconductor layer 140.

또한, 제 1 전극(160)은 제 2 질화물 반도체층(140) 및 활성층(130)이 식각되어 노출된 제 1 질화물 반도체층(120) 위에 형성되고, 제 2 전극(170)은 투명 전극(150) 위에 형성될 수 있다. In addition, the first electrode 160 is formed on the first nitride semiconductor layer 120 where the second nitride semiconductor layer 140 and the active layer 130 are etched and exposed, and the second electrode 170 is a transparent electrode 150. It can be formed on).

이하에서는, 제 1 질화물 반도체층(120)은 n형 질화물 반도체층으로, 제 2 질화물 반도체층(140)은 p형 질화물 반도체층으로, 제 1 전극(160)은 n형 전극으로, 제 2 전극(170)은 p형 전극으로 설정하여 설명하고자 한다. Hereinafter, the first nitride semiconductor layer 120 is an n-type nitride semiconductor layer, the second nitride semiconductor layer 140 is a p-type nitride semiconductor layer, the first electrode 160 is an n-type electrode, and the second electrode is Reference numeral 170 is set to be a p-type electrode.

(또한, 제 1 질화물 반도체층(120)은 p형 질화물 반도체층으로, 제 2 질화물 반도체층(140)은 n형 질화물 반도체층으로 설정할 수도 있으며, 이 경우에는 제 1 전극(160)은 p형 전극으로, 제 2 전극(170)은 n형 전극으로 설정됨이 바람직할 것이다.)(The first nitride semiconductor layer 120 may be a p-type nitride semiconductor layer, and the second nitride semiconductor layer 140 may be an n-type nitride semiconductor layer. In this case, the first electrode 160 may be p-type. As an electrode, the second electrode 170 may be set as an n-type electrode.)

본 발명에 따른 반도체 발광소자는 한 쌍의 p형 전극(170)과 한 쌍의 n형 전극(160)의 위치를 조절하여 광효율 향상에 적합하도록 설계된 전극 패턴을 포함한다.The semiconductor light emitting device according to the present invention includes an electrode pattern designed to improve the light efficiency by adjusting the positions of the pair of p-type electrodes 170 and the pair of n-type electrodes 160.

전극 패턴은 전체적으로 반도체 발광소자의 중심을 기준으로, 대각선 방향으로 대향하고 있는 한 쌍의 p형 전극(170) 및 다른 대각선 방향으로 대향하고 있는 한 쌍의 n형 전극(160)으로 형성될 수 있다.The electrode pattern may be formed as a pair of p-type electrodes 170 facing in the diagonal direction and a pair of n-type electrodes 160 facing in the other diagonal direction with respect to the center of the semiconductor light emitting device as a whole. .

도 3-(a)는 본 발명에 따른 n형 전극(160)의 일 실시예를 도시한 도면이고, 도 3-(b)는 본 발명에 따른 p형 전극(170)의 일 실시예를 도시한 도면이다. 3- (a) shows an embodiment of an n-type electrode 160 according to the present invention, and FIG. 3- (b) shows an embodiment of a p-type electrode 170 according to the present invention. One drawing.

도 3-(a)를 참조하면, n형 전극(160)은 투명 전극(150)의 한쪽 가장자리 길이에 대해 약 1/2 길이인 메인 전극(200), 메인 전극(200)의 제 1 측단, 제 2 측단, 중간에서 동일한 방향을 향해 수직으로 돌출되어 있는 제 1 측단 가지(210), 제 2 측단 가지(220), 중간 가지(230)를 포함하는 형태(예컨대, 삼지창의 형태)로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3- (a), the n-type electrode 160 has a length of about 1/2 of the length of one edge of the transparent electrode 150, a first side end of the main electrode 200, The second side end portion may be formed in a shape including a first side end branch 210, a second side end branch 220, and a middle branch 230 protruding vertically in the same direction from the middle (eg, in the form of a trident). Can be.

이때, 제 2 측단 가지(220)는 메인 전극(200)과 수직을 이루고 있는 수직부(222) 및 메인 전극(200)과 수평을 이루며, 수직부(222)의 끝에서 바깥쪽 방향으로 수직을 이루고 연결되는 수평부(224)를 포함함으로써, 전체적으로 중간에서 바깥쪽 수직 방향으로 구부린 형태를 이룰 수 있다.In this case, the second side end branch 220 is horizontal with the vertical portion 222 and the main electrode 200 which are perpendicular to the main electrode 200, and vertically outward from the end of the vertical portion 222. By including a horizontal portion 224 is formed and connected, it can be formed to be bent in the vertical direction outward from the middle as a whole.

또한, 제 2 측단 가지(220)는 중간 가지(230)와 메인 전극(200)이 만나는 지점에 본딩 전극(240)이 형성될 수 있다.In addition, a bonding electrode 240 may be formed at a point where the middle branch 230 and the main electrode 200 meet each other.

또한, 도 3-(b)를 참조하면, p형 전극(170)은 n형 전극(160)과 마찬가지로, 투명 전극(150)의 한쪽 가장자리 길이에 대해 약 1/2 길이인 메인 전극(300), 메인 전극(300)의 제 1 측단, 제 2 측단, 중간에서 동일한 방향을 향해 수직으로 돌출되어 있는 제 1 측단 가지(310), 제 2 측단 가지(320), 중간 가지(330)를 포함하는 형태(예컨대, 삼지창의 형태)로 형성될 수 있다.In addition, referring to FIG. 3- (b), the p-type electrode 170, like the n-type electrode 160, is about 1/2 the length of the main electrode 300 with respect to the length of one edge of the transparent electrode 150. The first side end of the main electrode 300, the second side end, including a first side end branch 310, a second side end branch 320, a middle branch 330 which protrudes vertically in the same direction from the middle It may be formed in the form (eg, trident).

이때, 제 2 측단 가지(320)는 메인 전극(300)과 수직을 이루고 있는 수직부(322) 및 메인 전극(300)과 수평을 이루며, 수직부(322)의 끝에서 바깥쪽 방향으로 수직을 이루고 연결되는 수평부(324)를 포함함으로써, 전체적으로 중간에서 바깥쪽 수직 방향으로 구부린 형태를 이룰 수 있다.In this case, the second side end branch 320 is horizontal with the vertical portion 322 and the main electrode 300 which are perpendicular to the main electrode 300, and vertically outward from the end of the vertical portion 322. By including a horizontal portion 324 is formed and connected, it can be formed to be bent in the vertical direction outward from the middle as a whole.

또한, 제 2 측단 가지(320)는 중간 가지(330)와 메인 전극(300)이 만나는 지점에 본딩 전극(340)이 형성될 수 있다.In addition, a bonding electrode 340 may be formed at the point where the middle branch 330 and the main electrode 300 meet each other.

다시, 도 2-(a)를 참조하면, 상술한 한 쌍의 n형 전극(160)은 제 1 측단 가지(210)와 메인 전극(200)이 수직을 이루고 있는 모서리 부분(212)이, 투명 전극(150)의 4개 모서리(152, 154, 156, 및 158) 중 대각선 방향으로 위치하는 2개의 모서리 부분(152 및 156)에 대응되도록, 투명 전극(150)의 테두리를 따라 각각 배치될 수 있다. Referring again to FIG. 2- (a), the pair of n-type electrodes 160 includes a corner portion 212 where the first side branch 210 and the main electrode 200 are perpendicular to each other. Each of the four corners 152, 154, 156, and 158 of the electrode 150 may be disposed along the edge of the transparent electrode 150 so as to correspond to the two corner portions 152 and 156 positioned diagonally. have.

또한, 상술한 한 쌍의 p형 전극(170)은 제 1 측단 가지(310)와 메인 전극(300)이 수직을 이루고 있는 모서리 부분(312)이, 투명 전극(150)의 4개 모서리(152, 154, 156, 및 158) 중 n형 전극(160)이 위치하지 않는 2개의 모서리 부분(154 및 158)에 대응되도록, 투명 전극(150)의 테두리를 따라 투명 전극(150) 위에 각각 형성될 수 있다. In addition, the pair of p-type electrodes 170 may include four corners 152 of the transparent electrode 150 having a corner portion 312 where the first side branch 310 and the main electrode 300 are perpendicular to each other. , 154, 156, and 158 to be formed on the transparent electrode 150 along the edge of the transparent electrode 150 so as to correspond to two corner portions 154 and 158 where the n-type electrode 160 is not located. Can be.

이때, n형 전극(160)과 p형 전극(170)의 가지들은 서로 엇갈리게 위치할 수 있다. 즉, n형 전극(160)의 수평부(224)가 p형 전극(170)의 제 1 측단 가지(310)와 중간 가지(330) 사이에 위치할 수 있고, p형 전극(170)의 수평부(324)가 n형 전극(160)의 제 1 측단 가지(210)와 중간 가지(230) 사이에 위치할 수 있다. In this case, the branches of the n-type electrode 160 and the p-type electrode 170 may be alternately positioned. That is, the horizontal portion 224 of the n-type electrode 160 may be located between the first side branch 310 and the intermediate branch 330 of the p-type electrode 170, and the horizontal of the p-type electrode 170 The portion 324 may be positioned between the first side branch 210 and the middle branch 230 of the n-type electrode 160.

더불어, 전류가 부분적으로 집중되는 현상을 방지하기 위해, n형 전극(160)의 제 1 측단 가지(210)와 p형 전극(170)의 수평부(324) 사이의 거리, p형 전극(170)의 수평부(324)와 n형 전극(160)의 중간 가지(230) 사이의 거리, 및 n형 전극(160)의 중간 가지(230)와 n형 전극(160)의 수직부(222) 사이의 거리는 일정한 거리가 되도록 형성될 수 있으며, 이 네 개의 가지(210, 324, 230, 222)는 서로 평행을 이루는 것이 바람직할 것이다.In addition, in order to prevent the current from being partially concentrated, the distance between the first side end branch 210 of the n-type electrode 160 and the horizontal portion 324 of the p-type electrode 170 and the p-type electrode 170 Distance between the horizontal portion 324 of the n-type electrode 160 and the middle branch 230 of the n-type electrode 160, and the vertical portion 222 of the middle branch 230 of the n-type electrode 160 and the n-type electrode 160. The distance between the two may be formed to be a constant distance, it is preferable that the four branches 210, 324, 230, 222 are parallel to each other.

마찬가지로, p형 전극(170)의 제 1 측단 가지(310)와 n형 전극(160)의 수평부(224) 사이의 거리, n형 전극(160)의 수평부(224)와 p형 전극(170)의 중간 가지(330) 사이의 거리, 및 p형 전극(170)의 중간 가지(330)와 p형 전극(170)의 수직부(322) 사이의 거리는 일정한 거리가 되도록 형성될 수 있으며, 이 네 개의 가지(310, 224, 330, 322)는 서로 평행을 이루는 것이 바람직할 것이다.Similarly, the distance between the first side edge 310 of the p-type electrode 170 and the horizontal portion 224 of the n-type electrode 160, the horizontal portion 224 of the n-type electrode 160 and the p-type electrode ( The distance between the middle branch 330 of the 170, and the distance between the middle branch 330 of the p-type electrode 170 and the vertical portion 322 of the p-type electrode 170 may be formed to be a constant distance, These four branches 310, 224, 330, 322 would preferably be parallel to each other.

상술한 바와 같은 두 전극(160 및 170)의 가지들이 이루고 있는 형태로부터 미루어 보면, 각 전극의 수직부(222, 322)의 길이는, 제 2 측단 가지(220, 320)의 수평부(224, 324)가 상대 전극의 제 1 측단 가지(310, 210)와 중간 가지(330, 230) 사이에 위치하도록 하고, 전극들 사이의 거리가 일정한 거리가 되도록 하는 길이가 됨이 바람직할 것이다. From the form of the branches of the two electrodes 160 and 170 as described above, the length of the vertical portions 222 and 322 of each electrode is equal to the horizontal portions 224 of the second side edges 220 and 320. It will be preferred that the length 324 be between the first side branches 310, 210 and the intermediate branches 330, 230 of the counter electrode and the distance between the electrodes be a constant distance.

도 2-(b)는 도 2-(a)의 반도체 발광소자의 내부양자효율(IQE)을 나타내는 도면이다.2B is a diagram showing the internal quantum efficiency IQE of the semiconductor light emitting device of FIG.

내부양자효율은 반도체 발광소자에 주입되어 재결합한 전자의 수에 대하여 만들어진 광자의 비율을 의미하며, 여기 에너지(excited energy)가 빛으로 변환된 비율이라고도 표현할 수 있다. The internal quantum efficiency refers to the ratio of photons made to the number of electrons injected and recombined into the semiconductor light emitting device, and can also be expressed as the ratio of excited energy to light.

도 2-(b)로부터, 도 1-(c)에서 도시된 바와 같은 도면상의 소자 하부 측과 상부 측 내부양자효율의 불균형이 완화된 것을 볼 수 있으므로, 도 2-(a)의 소자는 도 1-(a)의 종래의 소자보다 효율이 높아진 것을 알 수 있다.  It can be seen from FIG. 2- (b) that the imbalance of the lower and upper side internal quantum efficiencies of the elements in the figure as shown in FIGS. 1- (c) is alleviated, so that the device of FIG. It can be seen that the efficiency is higher than that of the conventional device of 1- (a).

도 4-(a)는 본 발명에 따른 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자의 제 1 변형 실시예를 나타내는 평면도이고, 도 4-(b)는 도 4-(a)의 반도체 발광소자의 내부양자효율(IQE)을 나타내는 도면이며, 도 5는 본 발명에 따른 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자의 제 2 변형 실시예를 나타내는 평면도이다. 4A is a plan view illustrating a first modified embodiment of the semiconductor light emitting device including the electrode pattern according to the present invention, and FIG. 4B is an internal quantum of the semiconductor light emitting device of FIG. 5 is a plan view showing a second modified embodiment of the semiconductor light emitting device including the electrode pattern according to the present invention.

도 4-(a) 및 도 5에서는 도 2-(a)의 전극 패턴에 연결부(250, 350)가 더 포함되어 있는 것을 볼 수 있는데, 연결부(250, 350)는 한 쌍의 전극(160, 170)에 대해서, 메인 전극들과 평행이고, 중간 가지들과 수직을 이루는 직선 형태이며, 중간 가지들의 끝에서 중간 가지들을 연결하도록 형성될 수 있다. In FIGS. 4- (a) and 5, the connecting parts 250 and 350 are further included in the electrode pattern of FIGS. 2- (a). The connecting parts 250 and 350 may include a pair of electrodes 160, 170, a straight line parallel to the main electrodes, perpendicular to the middle branches, and may be formed to connect the middle branches at the ends of the middle branches.

즉, 도 4-(a)를 보면, 도 2-(a)의 전극 패턴 중, 한 쌍의 p형 전극(170)에서, 연결부(350)가 p형 전극(170)들의 중간 가지들(330)을 서로 연결하고 있는 것을 볼 수 있으며, 이러한 연결부(350)로 인해, p형 전극(170)의 면적이 n형 전극(160)의 면적보다 상대적으로 넓게 되므로, 캐리어의 이동 정도를 높일 수 있어, 발광유효면적을 넓히는 데에 기인할 수 있다. That is, referring to FIG. 4- (a), in the pair of p-type electrodes 170 of the electrode pattern of FIG. 2- (a), the connection portion 350 is the middle branches 330 of the p-type electrodes 170. ) Are connected to each other, and because of this connection portion 350, the area of the p-type electrode 170 is relatively larger than the area of the n-type electrode 160, it is possible to increase the degree of movement of the carrier This may be due to widening the effective area of light emission.

도 4-(b)를 보면, 도 4-(a)의 전극 패턴 또한 도 1-(c)에서 도시된 바와 같은 도면상의 소자 하부 측과 상부 측 내부양자효율의 불균형이 완화된 것을 볼 수 있으므로, 도 4-(a)의 소자도 도 1-(a)의 종래의 소자보다 효율이 높아진 것을 알 수 있다. Referring to FIG. 4- (b), it can be seen that the electrode pattern of FIG. 4- (a) is also unbalanced in the internal quantum efficiency of the lower and upper elements of the device as shown in FIGS. 1- (c). 4 (a) also show that the efficiency is higher than that of the conventional device shown in FIG. 1- (a).

또한, 도 5를 보면, 도 2-(a)의 전극 패턴 중, 한 쌍의 n형 전극(160)에서, 연결부(250)가 n형 전극(160)들의 중간 가지들(230)을 서로 연결하고 있는 것을 볼 수 있으며, 이러한 연결부(250)로 인해, n형 전극(160)의 면적이 p형 전극(170)의 면적보다 상대적으로 넓게 되므로, 도 4-(a)와 마찬가지로, 캐리어의 이동 정도를 높일 수 있어, 발광유효면적을 넓히는 데에 기인할 수 있다. In addition, referring to FIG. 5, in the pair of n-type electrodes 160 of the electrode pattern of FIG. 2- (a), the connection part 250 connects the middle branches 230 of the n-type electrodes 160 to each other. It can be seen that, because of this connection portion 250, the area of the n-type electrode 160 is relatively larger than the area of the p-type electrode 170, as in Figure 4- (a), the movement of the carrier The degree can be increased, and it can be attributable to widening the effective area of light emission.

상술한 바와 같이, 도 2 내지 도 5에서는 메인 전극(200, 300)의 제 1 측단 및 제 2 측단을 각각 메인 전극(200, 300)의 왼쪽 측단 및 오른쪽 측단으로 설정하였으므로, 제 1 측단 가지(210, 310) 및 제 2 측단 가지(220, 320)는 각각 왼쪽 가지 및 오른쪽 가지를 의미할 수 있고, 제 2 측단 가지(220, 320)가 수직으로 구부러지는 바깥쪽 방향은 오른쪽이 됨이 바람직할 것이다. As described above, in FIGS. 2 to 5, since the first and second side ends of the main electrodes 200 and 300 are set to the left and right side ends of the main electrodes 200 and 300, respectively, the first side branch ( The 210 and 310 and the second side branches 220 and 320 may mean left and right branches, respectively, and the outward direction in which the second side branches 220 and 320 are bent vertically becomes right. something to do.

하지만, 제 1 측단 및 제 2 측단을 각각 메인 전극(200, 300)의 오른쪽 측단 및 왼쪽 측단으로 설정할 수도 있으며, 이 경우에는, 제 1 측단 가지(220, 320) 및 제 2 측단 가지(210, 310)가 각각 오른쪽 가지 및 왼쪽 가지를 의미할 수 있으며, 제 2 측단 가지(220, 320)가 수직으로 구부러지는 바깥쪽 방향은 왼쪽이 됨이 바람직할 것이다.However, the first side end and the second side end may be set to the right side end and the left side end of the main electrodes 200 and 300, respectively, in this case, the first side end branches 220 and 320 and the second side end branches 210, respectively. 310 may mean a right branch and a left branch, respectively, and it may be preferable that the outward direction in which the second side branches 220 and 320 bend vertically becomes left.

도 6-(a)는 도 1, 도 2, 및 도 4의 반도체 발광소자의 순방향 전압특성을 그래프로 나타낸 도면이고, 도 6-(b)는 도 6-(a)의 그래프에서 약 4.6V의 순방향 전압에 해당하는 부분을 확대하여 나타낸 도면이다. 6- (a) is a graph showing forward voltage characteristics of the semiconductor light emitting devices of FIGS. 1, 2, and 4, and FIG. 6- (b) is about 4.6V in the graph of FIG. 6- (a). Is an enlarged view of a portion corresponding to a forward voltage of?

"■" dot으로 나타낸 그래프가 도 1의 반도체 발광소자에 대한 그래프를 나타내고, "●" dot으로 나타낸 그래프가 도 2의 반도체 발광소자에 대한 그래프를 나타내며, "▲" dot으로 나타낸 그래프가 도 4의 반도체 발광소자에 대한 그래프를 나타낸다.A graph represented by a "■" dot represents a graph of the semiconductor light emitting device of FIG. 1, a graph represented by a "●" dot represents a graph of the semiconductor light emitting device of FIG. 2, and a graph represented by a "▲" dot is FIG. 4. Shows a graph of a semiconductor light emitting device.

도 6-(b)를 보면, 각 반도체 발광소자에 약 4.6V의 순방향 전압을 인가하였을 경우(정확하게는, 도 1, 도 2, 도 4의 순서로 각각 4.68V, 4.65V, 4.64V를 인가), 도 2와 도 4의 소자가 도 1의 소자보다 흐르는 전류의 양이 많음을 알 수 있다(도 2와 도 4는 약 350mA의 전류가 흐르고, 도 1은 약 325mA의 전류가 흐름). 6- (b), when forward voltage of about 4.6V is applied to each semiconductor light emitting device (exactly, 4.68V, 4.65V, and 4.64V are applied in the order of FIGS. 1, 2, and 4, respectively). 2 and 4 show a larger amount of current flowing than the device of FIG. 1 (FIGS. 2 and 4 have a current of about 350 mA and FIG. 1 has a current of about 325 mA).

반도체 발광소자(LED)는 빛을 내는 다이오드(Diode)로 다이오드 특성상 전기적 극성이 일치하고 일정 전압 이상에서 급격히 전류가 증가하며, 밝기는 전류 크기에 정비례하는 독특한 특성을 지니고 있기에, 도 2와 도 4의 반도체 발광소자가 도 1의 반도체 발광소자보다, 같은 전압으로 더 많은 전류를 흘릴 수 있어 광도를 높일 수 있으므로, 본 발명으로부터 효율이 높은 반도체 발광소자를 제작할 수 있음을 확인할 수 있다. Semiconductor light emitting diodes (LEDs) are light emitting diodes (Diode) due to the characteristics of the diode and match the electrical polarity, the current rapidly increases above a certain voltage, brightness has a unique characteristic that is directly proportional to the magnitude of the current, Figures 2 and 4 Since the semiconductor light emitting device of FIG. 1 can flow more current at the same voltage than that of the semiconductor light emitting device of FIG. 1 to increase the brightness, it can be confirmed from the present invention that a highly efficient semiconductor light emitting device can be manufactured.

도 7은 도 1, 도 2, 및 도 4의 반도체 발광소자의 온도 특성을 그래프로 나타낸 도면으로, 도 1의 소자는 평균 322.9K, 최고 325.8K의 온도를 나타내고, 도 2의 소자는 평균 322.3K, 최고 324.8K의 온도를 나타내며, 도 4의 소자는 평균 322.2K, 최고 324.4K의 온도를 나타냄을 볼 수 있다.7 is a graph illustrating temperature characteristics of the semiconductor light emitting devices of FIGS. 1, 2, and 4, wherein the device of FIG. 1 exhibits an average temperature of 322.9K and a maximum of 325.8K, and the device of FIG. 2 has an average of 322.3. K, a temperature of up to 324.8K, and the device of Figure 4 can be seen that the average of 322.2K, a temperature of up to 324.4K.

이로 인해, 본 발명에 따른 도 2 및 도 4의 소자가, 투명 전극(150) 또는 n형 질화물 반도체층(140)의 일부를 제거한 도 1의 종래 기술의 소자보다, 소자 내부에서 발생하는 열을 상대적으로 많이 억제할 수 있다는 것을 알 수 있다.For this reason, the elements of FIGS. 2 and 4 according to the present invention, compared to the elements of the prior art of FIG. 1 in which a part of the transparent electrode 150 or the n-type nitride semiconductor layer 140 is removed, generate heat generated inside the element. It can be seen that relatively much can be suppressed.

결론적으로, 본 발명에 따른 반도체 발광소자는, 소자의 중심을 기준으로, 대각선 방향으로 대향하고 있는 한 쌍의 전극 및 다른 대각선 방향으로 대향하고 있는 또 다른 한 쌍의 전극으로 구성된 전극 패턴으로 인해, 전류의 균일한 분산을 유도할 수 있다.In conclusion, the semiconductor light emitting device according to the present invention, due to the electrode pattern consisting of a pair of electrodes facing in the diagonal direction and another pair of electrodes facing in the other diagonal direction with respect to the center of the device, It can lead to a uniform dispersion of current.

또한, 이러한 전극 패턴으로 인해, 반도체 발광소자의 일부를 제거하지 않고도 소자 내부의 열 발생을 억제할 수 있어, 전자와 정공의 직접적인 반응이 일어나는 활성층(130) 영역을 제거하지 않아도 되므로, 유효발광면적을 유지할 수 있다. In addition, due to the electrode pattern, heat generation inside the device can be suppressed without removing a part of the semiconductor light emitting device, and thus, the active light emitting area 130 in which direct reaction between electrons and holes occurs does not have to be removed. Can be maintained.

즉, 동일 전극 특성을 가지는 두 전극을 서로 대향하는 위치에 구성함으로써, 반도체층을 제거하지 않음에도 소재 내부의 열 발생을 억제할 수 있고, 전류의 균일한 분산을 유도할 수 있으므로, 불균일한 전류 분포로 인해 발생하는 조기 광 포화문제, 국부적인 광분포 및 그에 따른 발열 현상, 높은 소비전력 등의 문제점을 해결할 수 있어, 반도체 발광소자의 휘도 특성 및 광추출 효율을 향상시킴과 동시에 소자의 특성과 신뢰성을 개선할 수 있다.
That is, by constructing two electrodes having the same electrode characteristics at positions opposite to each other, heat generation inside the material can be suppressed even without removing the semiconductor layer, and uniform dispersion of current can be induced, resulting in uneven current. It can solve the problems such as the early light saturation problem caused by the distribution, local light distribution and heat generation phenomenon, high power consumption, etc., improving the brightness characteristics and light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device, Reliability can be improved.

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
So far I looked at the center of the preferred embodiment for the present invention. Those skilled in the art will appreciate that the present invention can be implemented in a modified form without departing from the essential features of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in descriptive sense only and not for purposes of limitation. The scope of the present invention is shown in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope will be construed as being included in the present invention.

100 기판
110 버퍼층
120 제 1 질화물 반도체층
130 활성층
140 제 2 질화물 반도체층
150 투명 전극
152, 154, 156, 158 투명 전극의 제 1, 2, 3, 4 모서리
160 제 1 전극
170 제 2 전극
180 제거 부분
200, 300 메인 전극
210, 310 제 1 측단 가지
212, 312 제 1 측단 가지와 메인 전극이 이루고 있는 모서리 부분
220, 320 제 2 측단 가지
222, 322 제 2 측단 가지의 수직부
224, 324 제 2 측단 가지의 수평부
230, 330 중간 가지
240, 340 본딩 전극
250, 350 연결부100 substrate
110 buffer layer
120 first nitride semiconductor layer
130 active layers
140 second nitride semiconductor layer
150 transparent electrodes
152, 154, 156, 158 first, second, third and fourth corners of the transparent electrode
160 first electrode
170 second electrode
180 removal parts
200, 300 main electrodes
210, 310 first side branch
212, 312 Corner portion between the first side branch and the main electrode
220, 320 second side branch
222, 322 Vertical part of the second side branch
224, 324 Horizontal part of second side end branches
230, 330 middle branches
240, 340 bonding electrodes
250, 350 connections

Claims (9)

제 1 질화물 반도체층, 활성층, 제 2 질화물 반도체층, 및 투명 전극이 순차적으로 적층되어 있는 기판;
상기 제 1 질화물 반도체층에 전기적으로 접촉되는 한 쌍의 제 1 전극; 및
상기 투명 전극 위에 형성되어 있는 한 쌍의 제 2 전극; 을 포함하고,
상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은,
상기 투명 전극의 한쪽 가장자리와 평행인 메인 전극, 및 상기 메인 전극의 제 1 측단, 제 2 측단, 중간에서 동일한 방향을 향해 수직으로 돌출되어 있는 제 1 측단 가지, 제 2 측단 가지, 중간 가지를 포함하며,
상기 제 2 측단 가지는,
상기 메인 전극과 수직을 이루는 수직부; 및
상기 메인 전극과 평행하도록 상기 수직부의 끝에서 바깥쪽 방향으로 연결되는 수평부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자.A substrate in which a first nitride semiconductor layer, an active layer, a second nitride semiconductor layer, and a transparent electrode are sequentially stacked;
A pair of first electrodes in electrical contact with the first nitride semiconductor layer; And
A pair of second electrodes formed on the transparent electrode; Including,
The first electrode and the second electrode,
A main electrode parallel to one edge of the transparent electrode, and a first side end branch, a second side end branch, and a middle branch protruding vertically in the same direction from the first side end, the second side end, and the middle of the main electrode. ,
The second side end has,
A vertical portion perpendicular to the main electrode; And
A horizontal portion connected outwardly from an end of the vertical portion to be parallel to the main electrode; Semiconductor light emitting device comprising an electrode pattern for improving the light efficiency, characterized in that it comprises a. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 전극은,
상기 제 1 측단 가지와 상기 메인 전극이 수직을 이루고 있는 모서리 부분이, 상기 투명 전극의 4개 모서리 중 대각선 방향으로 위치하는 2개의 모서리 부분에 대응되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자.The method of claim 1,
The first electrode,
The electrode pattern for improving the light efficiency, characterized in that the corner portion where the first side branch and the main electrode is perpendicular to the two corner portions disposed in the diagonal direction among the four corners of the transparent electrode. Semiconductor light emitting device comprising a. 제 2항에 있어서,
상기 제 2 전극은,
상기 제 1 측단 가지와 상기 메인 전극이 수직을 이루고 있는 모서리 부분이, 상기 투명 전극의 4개 모서리 중 상기 제 1 전극이 위치하지 않는 2개의 모서리 부분에 대응되도록, 상기 투명 전극의 테두리를 따라 상기 투명 전극 위에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자.The method of claim 2,
The second electrode,
The edge portion where the first side branch and the main electrode are perpendicular to each other corresponds to two edge portions of the four corners of the transparent electrode where the first electrode is not located. A semiconductor light emitting device comprising an electrode pattern for improving the light efficiency, characterized in that each formed on the transparent electrode. 제 3항에 있어서,
상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 각각은,
상기 수평부가, 상대 전극의 상기 제 1 측단 가지와 상기 중간 가지 사이에 위치하는 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자.The method of claim 3, wherein
Each of the first electrode and the second electrode,
And the horizontal portion forms a pattern located between the first side end branch and the middle branch of the counter electrode. 제 4항에 있어서,
상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은,
상기 제 1 측단 가지와 상기 상대 전극의 수평부, 상기 상대 전극의 수평부와 상기 중간 가지, 및 상기 중간 가지와 상기 수직부 사이의 거리가 일정한 거리가 되도록 평행하게 위치하는 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자.The method of claim 4, wherein
The first electrode and the second electrode,
And forming a pattern positioned in parallel so that a distance between the first side end branch and the counter electrode, the horizontal part of the counter electrode and the middle branch, and the distance between the middle branch and the vertical part is a constant distance. A semiconductor light emitting device comprising an electrode pattern for improving the light efficiency. 제 5항에 있어서,
상기 한 쌍의 제 1 전극은,
상기 중간 가지를 서로 연결하는 연결부; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자.6. The method of claim 5,
The pair of first electrodes,
A connection part connecting the middle branches to each other; Semiconductor light emitting device comprising an electrode pattern for improving the light efficiency, characterized in that it further comprises. 제 5항에 있어서,
상기 한 쌍의 제 2 전극은,
상기 중간 가지를 서로 연결하는 연결부; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자.6. The method of claim 5,
The pair of second electrodes,
A connection part connecting the middle branches to each other; Semiconductor light emitting device comprising an electrode pattern for improving the light efficiency, characterized in that it further comprises. 제 6항 또는 제 7항에 있어서,
상기 연결부는,
한 쌍의 전극에 대해서, 상기 메인 전극들과 평행이고, 상기 중간 가지들과 수직을 이루는 직선 형태이며, 상기 중간 가지들의 끝에서 상기 중간 가지들을 연결하는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자.The method according to claim 6 or 7,
The connecting portion,
The electrode pattern for improving the light efficiency, characterized in that for a pair of electrodes, parallel to the main electrodes, a straight line perpendicular to the middle branches, connecting the intermediate branches at the ends of the intermediate branches. Semiconductor light emitting device comprising. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은,
상기 중간 가지와 상기 메인 전극이 만나는 지점에 본딩 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자.The method of claim 1,
The first electrode and the second electrode,
A semiconductor light emitting device comprising an electrode pattern for improving light efficiency, comprising a bonding electrode at a point where the intermediate branch and the main electrode meet.
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