KR101033950B1 - Plasma processing apparatus - Google Patents

Plasma processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101033950B1
KR101033950B1 KR1020080098112A KR20080098112A KR101033950B1 KR 101033950 B1 KR101033950 B1 KR 101033950B1 KR 1020080098112 A KR1020080098112 A KR 1020080098112A KR 20080098112 A KR20080098112 A KR 20080098112A KR 101033950 B1 KR101033950 B1 KR 101033950B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas injection
nozzle
injection nozzle
insulating plate
reaction chamber
Prior art date
Application number
KR1020080098112A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20100038942A (en
Inventor
김남진
Original Assignee
김남진
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김남진 filed Critical 김남진
Priority to KR1020080098112A priority Critical patent/KR101033950B1/en
Publication of KR20100038942A publication Critical patent/KR20100038942A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101033950B1 publication Critical patent/KR101033950B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Abstract

플라즈마 처리장치가 개시된다. 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버; 반응챔버의 내부에 마련되어 기판이 안착되는 서셉터; 반응챔버의 상부에 마련되는 복수개의 절연판; 복수개의 절연판이 대응 배치되는 복수개의 개구부가 형성되어 복수개의 절연판을 지지하는 절연판 지지체; 절연판 지지체에 마련되는 적어도 하나의 상부가스분사노즐; 및 반응챔버의 측벽에 마련되는 적어도 하나의 측면가스분사노즐을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 대형 크기의 기판에 대한 시스템에 적용함에 있어서도 기구적인 안정성을 확보하고, 전체적인 플라즈마 증착 균일도를 향상시킬 수 있다.A plasma processing apparatus is disclosed. Plasma processing apparatus of the present invention, the reaction chamber for providing a space in which the plasma is generated; A susceptor provided in the reaction chamber to seat the substrate; A plurality of insulating plates provided on the reaction chamber; An insulating plate support for forming a plurality of openings to which the plurality of insulating plates are disposed to support the plurality of insulating plates; At least one upper gas injection nozzle provided on the insulating plate support; And at least one side gas injection nozzle provided on the side wall of the reaction chamber. According to the present invention, even when applied to a system for a large-sized substrate, it is possible to ensure mechanical stability and to improve the overall plasma deposition uniformity.

플라즈마, 절연판, 가스분사노즐, 기구적 안정성, 플라즈마 균일도 Plasma, Insulation Plate, Gas Spray Nozzle, Mechanical Stability, Plasma Uniformity

Description

플라즈마 처리장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}Plasma Processing Equipment {PLASMA PROCESSING APPARATUS}

본 발명은, 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 플라즈마 처리장치에서 기구적 안정성을 확보하면서도 플라즈마 균일도를 향상시키기 위한 구조에에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a structure for improving plasma uniformity while ensuring mechanical stability in a plasma processing apparatus.

플라즈마 처리장치는, 태양전지 제작에 사용되는 기판, 평면디스플레이(Flat Panel Display, FPD) 제작에 사용되는 기판, 반도체 제작에 사용되는 기판 등에 미세한 패턴을 형성하기 위해 플라즈마(plasma)를 생성하여 증착 또는 에칭 공정을 수행하는 장치이다.Plasma processing apparatus generates and deposits plasma to form fine patterns on substrates used in solar cell fabrication, flat panel display (FPD) fabrication, and substrates used in semiconductor fabrication. An apparatus for performing an etching process.

이러한 플라즈마 처리장치는 플라즈마 생성 방식에 따라 축전결합형 플라즈마(CCP, Capacitively Coupled Plasma) 방식과, 유도결합형 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plasma) 방식으로 구분된다.The plasma processing apparatus is classified into a capacitively coupled plasma (CCP) method and an inductively coupled plasma (ICP) method according to a plasma generation method.

축전결합형 플라즈마 방식은, 고주파전력(RF전력)을 인가할 수 있도록 설계된 전극이 있는 것이 구조적 특징이며, 그 명칭에서도 알 수 있듯이 전극의 표면에 분포된 전하 때문에 형성된 축전전기장에 의해서 플라즈마가 발생하고 유지된다.The capacitively coupled plasma type has a structure that has an electrode designed to apply high frequency power (RF power). As the name suggests, the plasma is generated by the electric field formed due to the electric charges distributed on the surface of the electrode. maintain.

유도결합형 플라즈마 방식은, 구조적으로 코일 형태의 안테나를 구비하며, 안테나에 고주파전력을 인가하여 형성된 유도전기장에 의해서 플라즈마가 발생하고 유지된다.The inductively coupled plasma method has a structurally coiled antenna, and plasma is generated and maintained by an induction electric field formed by applying high frequency power to the antenna.

이러한 유도결합형 플라즈마 처리장치는 일반적으로 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버와, 반응챔버의 내부 아래쪽에 마련되어 기판이 안착되는 서셉터와, 반응챔버의 상부에 마련되어 플라즈마를 생성시키는 전기장을 유도하는 안테나와, 반응챔버와 안테나 사이에 배치되는 세라믹 재질의 절연판과, 안테나에 고주파전력을 공급하는 고주파전원과, 반응챔버의 내부로 플라즈마를 생성하기 위한 공정가스를 분사하는 가스분사노즐을 구비한다.Such an inductively coupled plasma processing apparatus generally induces a reaction chamber that provides a space in which a plasma is generated, a susceptor provided below the reaction chamber to seat a substrate, and an electric field provided on the reaction chamber to generate a plasma. An antenna, a ceramic insulating plate disposed between the reaction chamber and the antenna, a high frequency power supply for supplying high frequency power to the antenna, and a gas injection nozzle for injecting a process gas for generating plasma into the reaction chamber. .

이때, 절연판은, 반응챔버의 형상과 크기에 대응하도록 제작되어 반응챔버의 측벽 상단부에 안착되어 지지된다. 또한, 가스분사노즐은 통상적으로 반응챔버의 상부에서 절연판의 중심부에 결합되어 기판을 향하여 소정의 각도로 공정가스를 분사한다.At this time, the insulating plate is manufactured so as to correspond to the shape and size of the reaction chamber and is seated and supported by the upper end of the side wall of the reaction chamber. In addition, the gas injection nozzle is typically coupled to the center of the insulating plate in the upper portion of the reaction chamber to inject the process gas at a predetermined angle toward the substrate.

한편, 플라즈마 처리 대상이 되는 기판의 대형화 추세에 따라, 플라즈마 처리장치의 반응챔버 및 절연판의 크기 또한 대형화되고 있는 실정이다.On the other hand, according to the trend of increasing the size of the substrate to be subjected to the plasma treatment, the size of the reaction chamber and the insulating plate of the plasma processing apparatus is also increased.

그런데, 위와 같은 구성을 갖는 플라즈마 처리장치는, 대형 크기의 기판에 대한 시스템에 적용할 경우, 절연판의 지지구조 및 가스분사노즐의 설치에 따른 기구적 안정성이 확보되고 어렵고, 그에 따라 플라즈마 균일도가 떨어지는 문제점이 있다.However, when the plasma processing apparatus having the above configuration is applied to a system for a large sized substrate, the mechanical stability due to the support structure of the insulating plate and the installation of the gas injection nozzle is secured and difficult, and thus the plasma uniformity is inferior. There is a problem.

본 발명의 목적은, 대형 크기의 기판에 대한 시스템에 적용함에 있어서도 기구적인 안정성을 확보하고, 전체적인 플라즈마 증착 균일도를 향상시킬 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus that can ensure mechanical stability and improve the overall plasma deposition uniformity even when applied to a system for a large sized substrate.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버; 상기 반응챔버의 내부에 마련되어 기판이 안착되는 서셉터; 상기 반응챔버의 상부에 마련되는 복수개의 절연판; 상기 복수개의 절연판이 대응 배치되는 복수개의 개구부가 형성되어 상기 복수개의 절연판을 지지하는 절연판 지지체; 상기 절연판 지지체에 마련되는 적어도 하나의 상부가스분사노즐; 및 상기 반응챔버의 측벽에 마련되는 적어도 하나의 측면가스분사노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치에 의해 달성된다.The object is, according to the present invention, a reaction chamber for providing a space in which a plasma is generated; A susceptor provided inside the reaction chamber to seat a substrate; A plurality of insulating plates provided on the reaction chamber; An insulating plate support for forming the plurality of openings to which the plurality of insulating plates are disposed to support the plurality of insulating plates; At least one upper gas injection nozzle provided on the insulation plate support; And at least one side gas injection nozzle provided on a side wall of the reaction chamber.

여기서, 상기 절연판 지지체는, 사각 형상을 갖는 외곽 프레임; 및 상기 외곽 프레임의 내측 영역을 상기 복수개의 개구부로 분할하도록, 상기 외곽 프레임의 내측에서 가로 방향으로 배치되는 적어도 하나의 가로보와, 상기 외곽 프레임의 내측에서 세로 방향으로 배치되는 적어도 하나의 세로보를 포함할 수 있다.Here, the insulating plate support, the outer frame having a rectangular shape; And at least one cross beam arranged in a horizontal direction from the inside of the outer frame, and at least one longitudinal beam arranged in a vertical direction from the inside of the outer frame to divide the inner region of the outer frame into the plurality of openings. can do.

상기 적어도 하나의 상부가스분사노즐은, 상기 적어도 하나의 가로보와 상기 적어도 하나의 세로보의 교차 부분에 결합될 수 있다.The at least one upper gas injection nozzle may be coupled to an intersection portion of the at least one cross beam and the at least one cross beam.

상기 상부가스분사노즐은, 가스분사유로가 형성되는 노즐판; 및 상기 노즐판에 결합되어 상기 기판을 향하여 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 단위분사노즐을 포함할 수 있다.The upper gas injection nozzle may include a nozzle plate on which a gas injection flow path is formed; And at least one unit injection nozzle coupled to the nozzle plate to inject a process gas toward the substrate.

상기 노즐판에는, 상기 적어도 하나의 단위분사노즐이 결합되는 적어도 하나의 노즐결합홀이 형성되고, 상기 단위분사노즐의 분사 각도는, 상기 노즐결합홀의 형성 방향에 의해 결정될 수 있다.At least one nozzle coupling hole to which the at least one unit injection nozzle is coupled is formed in the nozzle plate, and an injection angle of the unit injection nozzle may be determined by a direction in which the nozzle coupling hole is formed.

상기 단위분사노즐은, 상기 기판의 중심부, 상기 중심부의 외측에 위치한 제1 지점부 및 상기 제1 지점부의 외측에 위치한 제2 지점부 중 어느 하나를 향하는 분사 각도를 가질 수 있다.The unit injection nozzle may have an injection angle toward one of a center portion of the substrate, a first point portion located outside the center portion, and a second point portion located outside the first point portion.

상기 적어도 하나의 측면가스분사노즐은, 상기 반응챔버의 측벽의 둘레를 따라 마련되는 복수개가 마련될 수 있다.The at least one side gas injection nozzle may be provided in plural numbers provided along a circumference of a side wall of the reaction chamber.

상기 절연판 지지체에는, 상기 절연판 지지체의 강도를 보강하도록, 적어도 하나의 보강리브가 마련될 수 있다.At least one reinforcing rib may be provided on the insulating plate support to reinforce the strength of the insulating plate support.

상기 적어도 하나의 보강리브는, 상기 적어도 하나의 가로보 중 상기 외곽 프레임의 중심을 지나는 가로보의 상부와, 상기 적어도 하나의 세로보 중 상기 외곽 프레임의 중심을 지나는 세로보의 상부에 2개가 마련될 수 있다.The at least one reinforcing rib may be provided at an upper portion of the cross beam passing through the center of the outer frame of the at least one crossbeam, and the top of the longitudinal beam passing through the center of the outer frame among the at least one crossbeam.

상기 적어도 하나의 상부가스분사노즐은, 상기 절연판 지지체에 복수개가 마련될 수 있다.The at least one upper gas injection nozzle may be provided in plural in the insulating plate support.

상기 적어도 하나의 가로보 및 상기 적어도 하나의 세로보 각각은 복수개가 마련되고, 상기 복수개의 상부가스분사노즐은 상기 복수개의 가로보와 상기 복수개의 세로보의 교차 부분들에 각각 결합될 수 있다.Each of the at least one crossbeam and the at least one stringer may be provided in plural, and the plurality of upper gas injection nozzles may be coupled to intersection portions of the plurality of crossbeams and the plurality of stringers, respectively.

상기 복수개의 상부가스분사노즐은, 상기 절연판 지지체의 중심에서 동일거리범위로 떨어진 위치별로 유량이 제어될 수 있다.The plurality of upper gas injection nozzles may have a flow rate controlled for each position away from the center of the insulating plate support in the same distance range.

상기 상부가스분사노즐은, 가스분사유로가 형성되는 노즐판; 및 상기 노즐판에 결합되어 상기 기판을 향하여 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 단위분사노즐을 포함할 수 있다.The upper gas injection nozzle may include a nozzle plate on which a gas injection flow path is formed; And at least one unit injection nozzle coupled to the nozzle plate to inject a process gas toward the substrate.

상기 노즐판에는, 상기 적어도 하나의 단위분사노즐이 결합되는 적어도 하나의 노즐결합홀이 형성되고, 상기 단위분사노즐의 분사 각도는, 상기 노즐결합홀의 형성 방향에 의해 결정될 수 있다.At least one nozzle coupling hole to which the at least one unit injection nozzle is coupled is formed in the nozzle plate, and an injection angle of the unit injection nozzle may be determined by a direction in which the nozzle coupling hole is formed.

상기 복수개의 상부가스분사노즐은, 상기 절연판 지지체에서의 위치에 따라 상기 단위분사노즐의 개수 및 분사 각도가 다르게 설정될 수 있다.The plurality of upper gas injection nozzles may have different numbers and injection angles of the unit injection nozzles according to their positions on the insulating plate support.

상기 복수개의 상부가스분사노즐은, 상기 절연판 지지체에서의 위치에 따라 상기 가스분사유로의 형상이 다르게 형성될 수 있다.The plurality of upper gas injection nozzles may have different shapes of the gas injection flow paths depending on positions of the insulating plate support.

상기 복수개의 상부가스분사노즐 중 최외측에 위치한 상부가스분사노즐에 마련된 상기 단위분사노즐은 상기 기판의 테두리를 향하는 분사 각도를 가질 수 있다.The unit injection nozzles provided in the upper gas injection nozzles positioned at the outermost side of the plurality of upper gas injection nozzles may have an injection angle toward the edge of the substrate.

본 발명은, 플라즈마 처리장치에 있어서, 절연판을 복수개로 분할하고 복수개의 절연판을 안정적으로 지지하는 절연판 지지체를 구비하고 상부가스분사노즐을 절연판 지지체에 마련함으로써, 대형 크기의 기판에 대한 시스템에 적용함에 있어서도 기구적인 안정성을 확보할 수 있다.The present invention provides a plasma processing apparatus comprising: an insulating plate support for dividing an insulating plate into a plurality of plates and stably supporting the plurality of insulating plates, and providing an upper gas injection nozzle to the insulating plate support, thereby applying to a system for a large sized substrate. Even mechanical stability can be secured.

또한, 본 발명은, 플라즈마 처리장치에 있어서, 절연판 지지체에 마련되는 상부가스분노즐와 반응챔버의 측벽에 마련되는 복수개의 측면가스분사노즐을 통해 반응챔버의 내부로 반응가스를 공급함으로써, 전체적인 플라즈마 증착 균일도를 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention is a plasma processing apparatus, by supplying the reaction gas into the reaction chamber through the upper gas distribution nozzle provided on the insulating plate support and the plurality of side gas injection nozzles provided on the side wall of the reaction chamber, the overall plasma deposition Uniformity can be improved.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in order to avoid unnecessary obscuration of the present invention.

먼저, 이하에서 설명할 「기판」이란, 태양전지 제작에 사용되는 기판, 평면디스플레이(Flat Panel Display, FPD) 제작에 사용되는 기판, 반도체 제작에 사용되는 기판 등을 가리키나, 설명의 편의를 위해 이들을 구분하지 않고 기판이라 하기로 한다.First, "substrate" to be described below refers to a substrate used for manufacturing a solar cell, a substrate used for producing a flat panel display (FPD), a substrate used for manufacturing a semiconductor, and the like. These are referred to as substrates without distinguishing them.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1의 플라즈마 처리장치에서 절연판 지지체와 상부가스분사노즐의 구조를 설명하기 위한 도면이며, 도 3은 도 1의 플라즈마 처리장치에서 상부가스분사노즐의 구성을 설명하기 위한 단면도이고, 도 4는 도 3의 상부가스분사노즐의 평면도이며, 도 5는 도 1의 플라즈마 처리장치에 적용되는 다양한 형상의 노즐판을 나타낸다.1 is a schematic configuration diagram of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view for explaining the structure of the insulating plate support and the upper gas injection nozzle in the plasma processing apparatus of Figure 1, Figure 3 1 is a cross-sectional view illustrating the configuration of the upper gas injection nozzle in the plasma processing apparatus of FIG. 1, FIG. 4 is a plan view of the upper gas injection nozzle of FIG. 3, and FIG. 5 is a nozzle of various shapes applied to the plasma processing apparatus of FIG. 1. Indicates a plate.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버(110)와, 반응챔버(110)의 내부에 마련되어 기판(10)이 안착되는 서셉터(120)와, 반응챔버(110)의 상부에 마련되는 안테나(170)와, 반응챔버(110)와 안테나(170) 사이에 마련되는 4개의 절연판(130)과, 4개의 절연판(130)을 지지하는 절연판 지지체(140)와, 절연판 지지체(140)에 마련되는 상부가스분사노즐(150)과, 반응챔버(110)의 측벽에 마련되는 복수개의 측면가스분사노즐(160)과, 안테나(170)의 상측에서 반응챔버(110)의 상단부에 결합되는 접지케이스(180)를 구비한다.1 and 2, the plasma processing apparatus 100 according to the present embodiment includes a reaction chamber 110 that provides a space in which plasma is generated, and a substrate 10 provided inside the reaction chamber 110. The seated susceptor 120, the antenna 170 provided on the upper portion of the reaction chamber 110, four insulating plates 130 provided between the reaction chamber 110 and the antenna 170, and four An insulating plate support 140 supporting the insulating plate 130, an upper gas injection nozzle 150 provided on the insulating plate support 140, and a plurality of side gas injection nozzles 160 provided on sidewalls of the reaction chamber 110. And a ground case 180 coupled to an upper end of the reaction chamber 110 at an upper side of the antenna 170.

한편, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는 유도결합형 플라즈마 증착장치(ICP, Inductively Coupled Plasma)이지만, 본 발명은 축전결합형 플라즈마 증착장치(PECVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)에도 적용될 수 있음은 물론이다. 그리고 본 발명에서 「플라즈마 처리」란 플라즈마 에칭(Plasma Etching)과 플라즈마 증착(Plasma Vapor Deposition)의 의미를 포함한다.Meanwhile, although the plasma processing apparatus 100 according to the present embodiment is an inductively coupled plasma deposition apparatus (ICP), the present invention may be applied to a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Of course. In the present invention, "plasma treatment" includes the meanings of plasma etching and plasma deposition.

반응챔버(110)는, 기판(10)에 대해 플라즈마 증착 공정을 수행하기 위한 환경을 조성하고 플라즈마가 생성·반응되는 공간을 제공한다. 이때, 반응챔버(110)는 사각의 판면 형상을 갖는 기판(10)에 적합하도록 전체적으로 사각 형상을 갖는다. 다만, 본 발명에서 반응챔버(110)의 형상은 플라즈마 처리 대상이 되는 기판(10)의 종류 및 형상에 따라 변경될 수 있다.The reaction chamber 110 creates an environment for performing a plasma deposition process on the substrate 10 and provides a space in which plasma is generated and reacted. At this time, the reaction chamber 110 has an overall rectangular shape so as to be suitable for the substrate 10 having a rectangular plate shape. However, in the present invention, the shape of the reaction chamber 110 may be changed according to the type and shape of the substrate 10 to be subjected to the plasma treatment.

서셉터(120)는, 반응챔버(110)의 내부 아래쪽에 마련되어 기판(10)을 지지하고, 반응챔버(110) 내에 생성된 플라즈마가 기판(10)의 표면에 충돌할 수 있도록 바이어스 고주파전력을 제공한다. 서셉터(120)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(10)이 안착되는 고주파전극(121)과, 접지된 영역을 제공하는 접지전극(123)과, 고주파전극과 접지전극 사이에 개재되는 절연체(122)를 구비한다. 이때, 절연체(122)는 세라믹 및/또는 테프론 재질로 이루어진다.The susceptor 120 is provided below the inside of the reaction chamber 110 to support the substrate 10, and applies the bias high frequency power so that the plasma generated in the reaction chamber 110 may collide with the surface of the substrate 10. to provide. As shown in FIG. 1, the susceptor 120 is interposed between a high frequency electrode 121 on which the substrate 10 is seated, a ground electrode 123 providing a grounded region, and a high frequency electrode and a ground electrode. And an insulator 122 to be provided. In this case, the insulator 122 is made of ceramic and / or Teflon material.

한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 반응챔버(110)의 하부에는 서셉터(120)를 상하 방향으로 이동시키기 위한 Z축 구동모듈(190)이 마련되고, 반응챔버(110)의 내부 일측에는 서셉터(120)에 안착된 기판(10)의 테두리 부분을 보호하기 위한 새도우 프레임(125)이 마련된다.On the other hand, as shown in Figure 1, the lower portion of the reaction chamber 110 is provided with a Z-axis drive module 190 for moving the susceptor 120 in the vertical direction, the inner side of the reaction chamber 110 A shadow frame 125 is provided to protect the edge portion of the substrate 10 seated on the susceptor 120.

안테나(170)는, 고주파전원(미도시)으로부터 고주파전력을 인가받아 반응챔버(110)의 내부에 플라즈마를 생성시키는 전기장을 유도하는 수단으로, 전체적으로 코일 형태의 구조를 갖는다. 본 발명에서 안테나(170)의 형상, 개수 및 배치는 적절하게 선택될 수 있다. 한편, 고주파전원(미도시)으로부터 공급되는 고주파전력은 접지케이스(180)의 상부에 마련된 임피던스정합기(175)를 거쳐 접지케이스(180) 내에 배치된 전력인입선(172)을 통해 안테나(170)에 인가된다. 이때, 임피던스정합기(175)는 고주파전원(미도시)의 내부임피던스를 고주파전력이 공급되는 경로의 임피던스와 매칭(matching)시킨다.The antenna 170 is a means for inducing an electric field for generating a plasma in the reaction chamber 110 by receiving a high frequency power from a high frequency power source (not shown), and has a coil-like structure as a whole. In the present invention, the shape, number and arrangement of antennas 170 may be appropriately selected. On the other hand, the high frequency power supplied from the high frequency power source (not shown) through the impedance matching unit 175 provided on the ground case 180 through the power lead wire 172 disposed in the ground case 180 antenna 170 Is applied to. In this case, the impedance matcher 175 matches the internal impedance of the high frequency power source (not shown) with the impedance of the path to which the high frequency power is supplied.

접지케이스(180)는, 접지된 금속케이스로, 안테나(170)의 접지단(미도시)이 전기적으로 연결되는 접지된 영역을 제공한다. 아울러, 접지케이스(180)는 안테나(170)가 외부로 노출되지 않도록 한다. 본 실시예에서 접지케이스(180)는 전체적으로 사각 형상의 2단 구조를 가지나, 접지케이스(180)의 형상은 반응챔버(110)의 형상 등에 따라 변경될 수 있다.The grounding case 180 is a grounded metal case and provides a grounded area to which the grounding terminal (not shown) of the antenna 170 is electrically connected. In addition, the ground case 180 prevents the antenna 170 from being exposed to the outside. In this embodiment, the grounding case 180 has a two-stage structure having a rectangular shape as a whole, but the shape of the grounding case 180 may be changed according to the shape of the reaction chamber 110.

한편, 안테나(170)에 고주파전력이 인가되면, 반응챔버(110)의 내부에 플라즈마를 생성시키기 위한 유도전기장이 형성될 뿐만 아니라, 안테나(170) 표면에 고주파 주파수로 양전하와 음전하가 교대로 대전됨에 따라 축전전기장이 형성된다. 이때, 축전전기장은 플라즈마 초기 방전에 기여하기도 하지만, 스퍼터링(sputtering) 현상에 의해 플라즈마와 안테나(170) 사이에 존재하는 유전체를 손상시키는 한편, 플라즈마의 균일도를 떨어뜨리는 등 부정적인 영향을 미친다.On the other hand, when a high frequency power is applied to the antenna 170, not only an induced electric field for generating plasma is formed inside the reaction chamber 110, but also positive and negative charges are alternately charged at a high frequency frequency on the surface of the antenna 170. As a result, a capacitive electric field is formed. At this time, the storage electric field may contribute to the initial discharge of the plasma, but the sputtering phenomenon damages the dielectric existing between the plasma and the antenna 170, and negatively affects the uniformity of the plasma.

절연판(130)은, 위와 같은 축전전기장으로 인한 부정적인 영향을 방지하는 수단으로, 반응챔버(110)와 안테나(170) 사이에 배치되어 축전전기장은 감소시키고 유도전기장을 플라즈마에 더 효과적으로 전달하도록 하는 역할을 담당한다. 즉, 절연판(130)은 안테나(170)와 플라즈마 사이의 용량성(축전성) 결합을 감소시킴으로써 고주파전력에 의한 에너지를 유도성 결합으로 플라즈마에 더 효과적으로 전달하도록 한다. The insulating plate 130 is a means for preventing the negative effects caused by the capacitive electric field as described above. The insulating plate 130 is disposed between the reaction chamber 110 and the antenna 170 to reduce the capacitive electric field and transmit the induced electric field to the plasma more effectively. In charge of. That is, the insulating plate 130 reduces the capacitive (capacitive) coupling between the antenna 170 and the plasma to more effectively transfer energy due to high frequency power to the plasma as an inductive coupling.

본 실시예에서, 절연판(130)은 반응챔버(110)의 상부에서 실질적으로 동일한 수평면 상에 사각 형상으로 4개가 배치된다. 즉, 절연판(130)은 4개로 분할된 형태를 갖는다.In the present embodiment, four insulating plates 130 are disposed in a quadrangular shape on substantially the same horizontal plane at the top of the reaction chamber 110. That is, the insulating plate 130 has a form divided into four.

절연판 지지체(140)는, 반응챔버(110)의 측벽 상단에 배치되어 4개의 절연판(130)을 지지한다. 절연판 지지체(140)에는, 도 2에 도시된 바와 같이, 4개의 절연판(130)이 대응 배치되는 4개의 개구부가 형성된다. 구체적으로, 절연판 지지체(140)는, 사각 형상을 갖는 외곽 프레임(143), 외곽 프레임(143)의 내측 영역을 4개의 개구부로 분할하는 가로보(141) 및 세로보(142)를 구비한다.The insulating plate supporter 140 is disposed on the upper sidewall of the reaction chamber 110 to support four insulating plates 130. In the insulating plate support 140, as shown in FIG. 2, four openings in which four insulating plates 130 are correspondingly arranged are formed. Specifically, the insulating plate support 140 includes an outer frame 143 having a square shape, a horizontal beam 141 and a stringer 142 dividing an inner region of the outer frame 143 into four openings.

절연판 지지체(140)에서 가로보(141)는 외곽 프레임(143)의 내측에서 가로 방향으로 배치되고, 세로보(142)는 외곽 프레임(143)의 내측에서 세로 방향으로 배치된다. 가로보(141)와 세로보(142)는 외곽 프레임(143)의 중심에서 상호 교차한다. 절연판 지지체(140)를 구성하는 외곽 프레임(143), 가로보(141) 및 세로보(142)는 각각 별도로 제작된 후에 상호 결합할 수도 있지만, 본 실시예에서는 외곽 프레임(143), 가로보(141) 및 세로보(142)가 일체로 형성된다. 이에 따라, 가로보(141)와 세로보(142)의 교차 부분은 가로보(141)의 일 부분인 동시에 세로보(142)의 일 부분이 된다.In the insulating plate support 140, the cross beam 141 is disposed in the horizontal direction from the inner side of the outer frame 143, and the stringer 142 is disposed in the vertical direction from the inner side of the outer frame 143. The horizontal beams 141 and the vertical beams 142 cross each other at the center of the outer frame 143. The outer frame 143, the horizontal beams 141, and the vertical beams 142 constituting the insulating plate support 140 may be separately manufactured after being separately manufactured, but in the present embodiment, the outer frame 143, the horizontal beams 141, The stringer 142 is integrally formed. Accordingly, the intersection of the horizontal beams 141 and the stringers 142 may be a part of the horizontal beams 141 and a part of the vertical beams 142.

절연판 지지체(140)에는, 절연판 지지체(140)의 강도를 보강하도록, 적어도 하나의 보강리브(145)가 마련될 수 있다. 본 실시예에는 절연판 지지체(140)를 구성하는 가로보(141)의 상부와 세로보(142)의 상부에 2개의 보강리브(145)가 결합된다. 절연판 지지체(140)와 보강리브(145) 사이의 결합은 볼트체결 방식 등을 포함하여 다양한 체결 방식이 선택될 수 있다.At least one reinforcing rib 145 may be provided in the insulating plate support 140 to reinforce the strength of the insulating plate support 140. In this embodiment, two reinforcing ribs 145 are coupled to an upper portion of the horizontal beam 141 and the vertical beam 142 constituting the insulating plate support 140. The coupling between the insulating plate support 140 and the reinforcing rib 145 may be selected from various fastening methods including a bolt fastening method.

한편, 반응챔버(110)의 내에 플라즈마를 생성하기 위한 공정가스는 상부가스분사노즐(150)과 측면가스분사노즐(160)을 통해 반응챔버(110)의 내부로 공급된다.Meanwhile, process gas for generating plasma in the reaction chamber 110 is supplied into the reaction chamber 110 through the upper gas injection nozzle 150 and the side gas injection nozzle 160.

상부가스분사노즐(150)은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 반응챔버(110)의 상부에서 기판(10)을 향햐여 공정가스를 분사하는 수단으로, 절연판 지지체(140)의 하부에 결합된다. 구체적으로, 상부가스분사노즐(150)은 가로보(141)와 세로보(142)의 교차 부분에 결합된다. 다만, 절연판 지지체(140)에서 상부가스분사 노즐(150)의 결합 위치는 가로보(141)와 세로보(142)의 교차 부분에 한정되지 아니한다.As shown in FIGS. 1 and 2, the upper gas injection nozzle 150 is a means for injecting process gas toward the substrate 10 from the upper portion of the reaction chamber 110. Is coupled to. Specifically, the upper gas injection nozzle 150 is coupled to the intersection of the horizontal beam 141 and the vertical beam 142. However, the coupling position of the upper gas injection nozzle 150 in the insulating plate support 140 is not limited to the intersection of the horizontal beam 141 and the vertical beam 142.

측면가스분사노즐(160)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 반응챔버(110)의 측부에서 기판(10)을 향하여 공정가스를 분사하는 수단으로, 반응챔버(110)의 측벽에 결합된다. 이때, 측면가스분사노즐(160)은 1개가 마련될 수도 있겠지만, 전체적인 플라즈마 증착 균일도의 향상을 위해 반응챔버(110)의 측벽의 둘레를 따라 소정의 간격을 두고 복수개가 마련되는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 1, the side gas injection nozzle 160 is a means for injecting the process gas toward the substrate 10 from the side of the reaction chamber 110 and is coupled to the side wall of the reaction chamber 110. In this case, one side gas injection nozzle 160 may be provided, but a plurality of side gas injection nozzles 160 may be provided at predetermined intervals along the circumference of the side wall of the reaction chamber 110 in order to improve overall plasma deposition uniformity.

상부가스분사노즐(150)은, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 가스분사유로(152)가 형성되는 노즐판(151)과, 노즐판(151)에 결합되는 8개의 단위분사노즐(155)과, 노즐판(151)을 가로보(141)와 세로보(142)의 교차 부분에 착탈 가능하게 결합시키기 위한 체결부재(154)를 구비한다. 플라즈마를 생성시키기 위한 공정가스는, 도 3에 도시된 바와 같이, 절연판 지지체(140) 상부에 마련된 가스유입관(115), 절연판 지지체(140)에 형성된 가스유입로(140a), 노즐판(151)에 형성된 가스분사유로(152)를 순차적으로 흘러 단위분사노즐(155)을 통해 반응챔버(110)의 내부로 분사된다.As shown in FIGS. 3 and 4, the upper gas injection nozzle 150 includes a nozzle plate 151 in which a gas injection passage 152 is formed, and eight unit injection nozzles coupled to the nozzle plate 151. 155 and a fastening member 154 for detachably coupling the nozzle plate 151 to the intersection of the cross beam 141 and the string beam 142. As shown in FIG. 3, the process gas for generating the plasma includes a gas inlet pipe 115 provided on the insulating plate support 140, a gas inlet path 140a formed in the insulating plate support 140, and a nozzle plate 151. In order to flow through the gas injection flow path 152 formed in the order through the unit injection nozzle 155 is injected into the reaction chamber 110.

노즐판(151)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 세라믹 재질의 사각 형상으로 제작되고, 노즐판(151)에 형성된 가스분사유로(152)는 방사상 형태를 갖는다. 단위분사노즐(155)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 가스분사유로(152)의 끝단부 위치에서 노즐판(151)에 형성된 노즐결합홀(153)에 나사 방식으로 결합된다. 단위분사노즐(155)은 세라믹 재질로 제작되고, 8개 모두 동일한 형상을 갖는다.As shown in FIG. 4, the nozzle plate 151 is manufactured in a rectangular shape of ceramic material, and the gas injection passage 152 formed in the nozzle plate 151 has a radial shape. As shown in FIG. 4, the unit injection nozzle 155 is screwed to the nozzle coupling hole 153 formed in the nozzle plate 151 at the end position of the gas injection passage 152. The unit injection nozzle 155 is made of a ceramic material, and all eight have the same shape.

단위분사노즐(155)의 분사 각도는, 기판(10)의 중심부, 중심부의 외측에 위치한 제1 지점부(예를 들면, 기판(10)의 1/3 지점), 제1 지점부 외측에 위치한 제2 지점부(예를 들면, 기판(10)의 1/2 지점) 중 어느 하나를 향하도록 설정된다. 이때, 단위분사노즐(155)의 분사 각도는 노즐결합홀(153)의 형성 방향에 의해 결정된다. 이에 따라, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는, 노즐판(151)을 교체함으로써 단위분사노즐(155)의 분사 각도를 조절하는 것이 가능하다.The injection angle of the unit injection nozzle 155 is located at the first point portion (for example, 1/3 point of the substrate 10) located at the center of the substrate 10 and the outside of the center portion, and located outside the first point portion. It is set to face any one of the second point portions (for example, 1/2 point of the substrate 10). At this time, the injection angle of the unit injection nozzle 155 is determined by the formation direction of the nozzle coupling hole 153. Accordingly, the plasma processing apparatus 100 according to the present embodiment can adjust the injection angle of the unit injection nozzle 155 by replacing the nozzle plate 151.

예를 들면, 기판(10)의 중심부, 제1 지점부 및 제2 지점부를 향하는 분사 각도를 갖는 노즐결합홀(153)이 형성된 3개의 노즐판(151)을 미리 제작한 후에, 기판(10)의 종류 및 크기, 공정가스의 종류 등을 고려하여 전체적인 플라즈마 증착 균일도를 향상시키는 방향으로 분사 각도를 조절하기 위해, 3개의 노즐판(151) 중 어느 하나를 선택적으로 사용할 수 있다.For example, after the three nozzle plates 151 having the nozzle coupling holes 153 having the injection angles toward the center portion, the first point portion, and the second point portion of the substrate 10 are formed in advance, the substrate 10 is formed. In order to adjust the injection angle in the direction to improve the overall plasma deposition uniformity in consideration of the type and size of the process gas, etc., any one of the three nozzle plate 151 may be selectively used.

한편, 본 발명에서 노즐판(151)에 형성된 가스분사유로(152)의 형상은, 도 5에 예시된 형상을 포함하여 다양한 형상으로 선택될 수 있고, 단위분사노즐(155)의 개수 또한 다양하게 선택될 수 있다.Meanwhile, in the present invention, the shape of the gas injection passage 152 formed on the nozzle plate 151 may be selected in various shapes, including the shape illustrated in FIG. 5, and the number of unit injection nozzles 155 may also vary. Can be selected.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는, 종래기술에서 반응챔버의 크기에 상응하는 1개의 절연판을, 4개로 분할된 절연판(130)으로 대체하고, 4개로 분할된 절연판(130)을 안정적으로 지지하는 절연판 지지체(140)를 구비함으로써, 대형 크기의 기판에 대한 시스템에 적용함에 있어서도 기구적인 안정성을 확보할 수 있다. 특히, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는, 상부가스분사노즐이 절연판에 직접 설치되는 종래기술과 달리, 상부가스분사노 즐(150)이 절연판 지지체(140)를 구성하는 가로보(141)와 세로보(142)의 교차 부분에 결합되므로, 상부가스분사노즐(150)의 설치에 있어서 기구적 안정성이 향상된다.As described above, the plasma processing apparatus 100 according to the present embodiment replaces one insulating plate corresponding to the size of the reaction chamber with the insulating plate 130 divided into four and the insulating plate divided into four in the prior art. By providing an insulating plate support 140 for stably supporting the 130, mechanical stability can be ensured even when applied to a system for a large sized substrate. In particular, in the plasma processing apparatus 100 according to the present embodiment, unlike the prior art in which the upper gas injection nozzle is directly installed on the insulating plate, the horizontal beam 141 in which the upper gas injection nozzle 150 constitutes the insulating plate support 140 is provided. Because it is coupled to the intersection of the column and the stringer 142, the mechanical stability in the installation of the upper gas injection nozzle 150 is improved.

또한, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는, 절연판 지지체(140)를 구성하는 가로보(141)와 세로보(142)의 교차 부분에 마련되는 상부가스분노즐와 반응챔버(110)의 측벽에 마련되는 복수개의 측면가스분사노즐(160)을 통해 반응챔버(110)의 내부로 반응가스를 공급함으로써, 전체적인 플라즈마 증착 균일도를 향상시킬 수 있다.In addition, the plasma processing apparatus 100 according to the present embodiment may be formed on the sidewalls of the upper gas distribution nozzle and the reaction chamber 110 provided at the intersection of the horizontal beam 141 and the vertical beam 142 constituting the insulating plate support 140. By supplying the reaction gas into the reaction chamber 110 through the plurality of side gas injection nozzles 160, the overall plasma deposition uniformity may be improved.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 개략적인 구성도이고, 도 7은 도 6의 플라즈마 처리장치에서 절연판 지지체와 상부가스분사노즐의 구조를 설명하기 위한 도면이며, 도 8은 도 7의 상부가스분사노즐의 분사 각도를 설명하기 위한 도면이다. 전술한 실시예와 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 나타낸다. 이하, 전술한 실시예와 상이한 점을 중심으로 설명하기로 한다.6 is a schematic configuration diagram of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention, FIG. 7 is a view for explaining the structure of the insulating plate support and the upper gas injection nozzle in the plasma processing apparatus of FIG. It is a figure for demonstrating the injection angle of the upper gas injection nozzle of FIG. Like reference numerals denote the same components as the above-described embodiments. Hereinafter, a description will be given focusing on differences from the above-described embodiment.

도 6 및 도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(200)는, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버(110)와, 반응챔버(110)의 내부에 마련되어 기판(10)이 안착되는 서셉터(120)와, 반응챔버(110)의 상부에 마련되는 안테나(170)와, 반응챔버(110)와 안테나(170) 사이에 마련되는 16개의 절연판(230)과, 16개의 절연판(230)을 지지하는 절연판 지지체(240)와, 절연판 지지체(240)에 마련되는 9개의 상부가스분사노즐(250)과, 반응챔버(110)의 측벽에 마련되는 복수개의 측면가스분사노즐(160)과, 안테나(170)의 상측에서 반응챔버(110)의 상단부에 결합되는 접지케이스(180)를 구비한다.6 and 7, the plasma processing apparatus 200 according to the present embodiment includes a reaction chamber 110 that provides a space in which plasma is generated, and a substrate 10 provided inside the reaction chamber 110. The seated susceptor 120, the antenna 170 provided on the reaction chamber 110, the 16 insulating plates 230 provided between the reaction chamber 110 and the antenna 170, and 16 An insulating plate supporter 240 supporting the insulating plate 230, nine upper gas injection nozzles 250 provided on the insulating plate supporter 240, and a plurality of side gas injection nozzles provided on sidewalls of the reaction chamber 110 ( 160 and a ground case 180 coupled to the upper end of the reaction chamber 110 at the upper side of the antenna 170.

본 실시예에서, 절연판(230)은 반응챔버(110)의 상부에서 실질적으로 동일한 수평면 상에 사각 형상으로 16개가 배치된다. 즉, 절연판(230)은 16개로 분할된 형태를 갖는다.In the present exemplary embodiment, 16 insulating plates 230 are disposed in a rectangular shape on substantially the same horizontal plane at the top of the reaction chamber 110. That is, the insulating plate 230 has a form divided into sixteen.

절연판 지지체(240)는, 반응챔버(110)의 측벽 상단에 배치되어 16개의 절연판(230)을 지지한다. 절연판 지지체(240)에는, 도 7에 도시된 바와 같이, 16개의 절연판(230)이 대응 배치되는 16개의 개구부가 형성된다. 구체적으로, 절연판 지지체(240)는, 사각 형상을 갖는 외곽 프레임(243), 외곽 프레임(243)의 내측 영역을 16개의 개구부로 분할하는 3개의 가로보(241) 및 3개의 세로보(242)를 구비한다.The insulating plate supporter 240 is disposed on the upper sidewall of the reaction chamber 110 to support the sixteen insulating plates 230. As illustrated in FIG. 7, sixteen openings to which sixteen insulating plates 230 are disposed are formed in the insulating plate supporter 240. Specifically, the insulating plate supporter 240 includes an outer frame 243 having a rectangular shape, three horizontal beams 241 and three vertical beams 242 that divide the inner region of the outer frame 243 into 16 openings. do.

절연판 지지체(240)에는, 절연판 지지체(240)의 강도를 보강하도록, 적어도 하나의 보강리브(245)가 마련될 수 있다. 본 실시예에는 3개의 가로보(241) 중 외곽 프레임(243)의 중심을 지나는 가로보(241)의 상부와, 3개의 세로보(242) 중 외곽 프레임(243)의 중심을 지나는 세로보(242)의 상부에 2개의 보강리브(245)가 결합된다. 절연판 지지체(240)와 보강리브(245) 사이의 결합은 볼트체결 방식 등을 포함하여 다양한 체결 방식이 선택될 수 있다.At least one reinforcing rib 245 may be provided on the insulating plate supporter 240 so as to reinforce the strength of the insulating plate supporter 240. In the present embodiment, the top of the cross beam 241 passing through the center of the outer frame 243 of the three crossbeams 241 and the top of the stringer 242 passing through the center of the outer frame 243 of the three stringers 242. Two reinforcing ribs 245 are coupled thereto. The coupling between the insulating plate support 240 and the reinforcing rib 245 may be selected from various fastening methods including a bolt fastening method and the like.

9개의 상부가스분사노즐(250)은, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 절연판 지지체(240)를 구성하는 3개의 가로보(241)와 3개의 세로보(242)의 교차 부분들에 각각 결합된다. 다만, 절연판 지지체(240)에서 상부가스분사노즐(250)의 결합 위치는 가로보(241)와 세로보(242)의 교차 부분에 한정되지 아니한다.The nine upper gas injection nozzles 250 are respectively coupled to the intersections of the three cross beams 241 and the three string beams 242 constituting the insulating plate support 240, as shown in FIGS. 6 and 7. do. However, the coupling position of the upper gas injection nozzle 250 in the insulating plate support 240 is not limited to the intersection of the horizontal beam 241 and the vertical beam 242.

상부가스분사노즐(250)은, 첨부된 도면에 도시하지 않았지만, 전술한 실시예 와 마찬가지로, 가스분사유로가 형성되는 노즐판과, 노즐판에 결합되는 적어도 하나의 단위분사노즐을 구비한다. 한편, 본 실시예의 상부가스분사노즐(250)에서, 노즐판와 단위분사노즐은 전술한 실시예의 상부가스분사노즐(150)의 구성이 실질적으로 동일하게 적용되므로(도 3 참조), 그에 대한 구체적인 도면은 생략하고 설명한다.Although not illustrated in the accompanying drawings, the upper gas injection nozzle 250 includes a nozzle plate on which a gas injection passage is formed and at least one unit injection nozzle coupled to the nozzle plate. On the other hand, in the upper gas injection nozzle 250 of the present embodiment, the nozzle plate and the unit injection nozzle is the same as the configuration of the upper gas injection nozzle 150 of the above-described embodiment (see Fig. 3), the specific drawings for that Will be omitted and explained.

이때, 9개의 상부가스분사노즐(250)은, 절연판 지지체(240)에서의 위치에 따라 단위분사노즐의 개수 및 분사 각도가 다르게 설정되는 것이 바람직한데, 이는 전체적인 플라즈마 증착 균일도를 향상시키기 위함이다.At this time, the nine upper gas injection nozzles 250, the number and injection angle of the unit injection nozzles are preferably set differently according to the position in the insulating plate support 240, in order to improve the overall plasma deposition uniformity.

예를 들어, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, A 지점에 위치한 상부가스분사노즐(250)은 기판(10)의 중심부와 기판(10)의 1/3 지점을 향하는 분사 각도를 갖는 5개의 단위분사노즐을, C, E, F 및 H 지점에 위치한 상부가스분사노즐(250)들은 기판(10)의 테두리를 향하는 분사 각도를 갖는 2개의 단위분사노즐을, B, D, G 및 I 지점에 위치한 상부가스분사노즐(250)들은 기판(10)의 테두리를 향하는 분사 각도를 갖는 1개의 단위분사노즐을 구비한다.For example, as shown in FIGS. 7 and 8, the upper gas injection nozzle 250 located at point A has a spray angle toward the center of the substrate 10 and one third of the substrate 10. Unit injection nozzles, and the upper gas injection nozzles 250 located at points C, E, F, and H have two unit injection nozzles having an injection angle toward the edge of the substrate 10, B, D, G, and I. The upper gas injection nozzles 250 located at the point have one unit injection nozzle having an injection angle toward the edge of the substrate 10.

또한, 전체적인 플라즈마 증착 균일도를 향상시키는 측면에서, 9개의 상부가스분사노즐(250)은 절연판 지지체(240)의 중심에서 동일거리범위로 떨어진 위치별로 유량이 제어될 수 있다. 통상적으로 기판(10)의 테두리 쪽에 플라즈마가 상대적으로 취약하므로, 중심에서 테두리로 갈수록 유량을 크게하는 것이 바람직하다. 본 실시예의 경우, 유량 제어에 있어서 B~I 지점에 위치한 상부가스분사노즐(250)들은 하나의 그룹으로 설정되어 A 지점에 위치한 상부가스분사노즐(250)과 다르게 유량 이 제어된다.In addition, in terms of improving the overall plasma deposition uniformity, the nine upper gas injection nozzles 250 may have a flow rate controlled for each position separated by the same distance range from the center of the insulating plate support 240. In general, since the plasma is relatively weak at the edge of the substrate 10, it is preferable to increase the flow rate from the center to the edge. In the present embodiment, in the flow rate control, the upper gas injection nozzles 250 located at points B to I are set as a group so that the flow rate is controlled differently from the upper gas injection nozzles 250 located at the point A.

또한, 9개의 상부가스분사노즐(250)은, 절연판 지지체(240)에서의 위치에 따라 노즐판에 형성된 가스분사유로의 형상이 다르게 형성될 수 있다. 이때, 각각의 노즐판의 가스분사유로의 형상은, 도 5에 예시된 형상을 포함하여 다양한 형상으로 선택될 수 있는데, 중심 쪽으로 갈수록 상대적으로 복잡한 형상으로 선택하는 것이 바람직하다.In addition, the nine upper gas injection nozzles 250 may have different shapes of gas injection flow paths formed in the nozzle plate according to positions on the insulating plate supporter 240. At this time, the shape of the gas injection flow path of each nozzle plate can be selected in various shapes, including the shape illustrated in Figure 5, it is preferable to select a relatively complex shape toward the center.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(200)는, 기구적 안정성을 확보하면서 복수개의 상부가스분사노즐(250)을 설치하는 것이 가능하고, 이로 인해 전체적인 플라즈마 증착 균일도를 향상시킬 수 있다.As described above, in the plasma processing apparatus 200 according to the present embodiment, it is possible to install a plurality of upper gas injection nozzles 250 while ensuring mechanical stability, thereby improving the overall plasma deposition uniformity. have.

아울러, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(200)는, 복수개의 상부가스분사노즐(250)을 절연판 지지체(240)의 중심에서 동일거리범위로 떨어진 위치별로 유량을 제어하거나, 절연판 지지체(240)에서의 위치에 따라 단위분사노즐의 개수 및 분사 각도를 다르게 설정하거나 가스분사유로의 형상을 다르게 형성함으로써, 전체적인 플라즈마 증착 균일도를 더욱 향상시킬 수 있다.In addition, the plasma processing apparatus 200 according to the present exemplary embodiment controls the flow rate of each of the plurality of upper gas injection nozzles 250 separated from the center of the insulating plate support 240 by the same distance range, or the insulating plate support 240. By setting the number and injection angle of the unit injection nozzle differently or by differently forming the shape of the gas injection flow path according to the position at, the overall plasma deposition uniformity can be further improved.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 개략적인 구성도이고, 도 10은 도 9의 플라즈마 처리장치에서 절연판 지지체와 상부가스분사노즐의 구조를 설명하기 위한 도면이다. 전술한 실시예와 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 나타낸다. 이하, 전술한 실시예와 상이한 점을 중심으로 설명하기로 한다.9 is a schematic configuration diagram of a plasma processing apparatus according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a view for explaining the structure of an insulating plate support and an upper gas injection nozzle in the plasma processing apparatus of FIG. 9. Like reference numerals denote the same components as the above-described embodiments. Hereinafter, a description will be given focusing on differences from the above-described embodiment.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 개략적인 구 성도이고, 도 10은 도 9의 플라즈마 처리장치에서 절연판 지지체와 상부가스분사노즐의 구조를 설명하기 위한 도면이다. 전술한 실시예와 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 나타낸다. 이하, 전술한 실시예와 상이한 점을 중심으로 설명하기로 한다.9 is a schematic configuration diagram of a plasma processing apparatus according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a view for explaining the structure of an insulating plate support and an upper gas injection nozzle in the plasma processing apparatus of FIG. 9. Like reference numerals denote the same components as the above-described embodiments. Hereinafter, a description will be given focusing on differences from the above-described embodiment.

도 9 및 도 10을 참조하면, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(300)는, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버(110)와, 반응챔버(110)의 내부에 마련되어 기판(10)이 안착되는 서셉터(120)와, 반응챔버(110)의 상부에 마련되는 안테나(170)와, 반응챔버(110)와 안테나(170) 사이에 마련되는 9개의 절연판(330)과, 9개의 절연판(330)을 지지하는 절연판 지지체(340)와, 절연판 지지체(340)에 마련되는 12개의 상부가스분사노즐(350)과, 반응챔버(110)의 측벽에 마련되는 복수개의 측면가스분사노즐(160)과, 안테나(170)의 상측에서 반응챔버(110)의 상단부에 결합되는 접지케이스(180)를 구비한다.9 and 10, the plasma processing apparatus 300 according to the present embodiment includes a reaction chamber 110 that provides a space in which plasma is generated, and a substrate 10 provided inside the reaction chamber 110. The seated susceptor 120, the antenna 170 provided on the reaction chamber 110, nine insulation plates 330 provided between the reaction chamber 110 and the antenna 170, and nine An insulating plate support 340 supporting the insulating plate 330, twelve upper gas injection nozzles 350 provided on the insulating plate support 340, and a plurality of side gas injection nozzles provided on sidewalls of the reaction chamber 110 ( 160 and a ground case 180 coupled to the upper end of the reaction chamber 110 at the upper side of the antenna 170.

본 실시예에서, 절연판(330)은 반응챔버(110)의 상부에서 실질적으로 동일한 수평면 상에 사각 형상으로 9개가 배치된다. 즉, 절연판(330)은 9개로 분할된 형태를 갖는다.In the present embodiment, nine insulating plates 330 are disposed in a rectangular shape on substantially the same horizontal plane on the upper portion of the reaction chamber 110. That is, the insulating plate 330 is divided into nine pieces.

절연판 지지체(340)는, 반응챔버(110)의 측벽 상단에 배치되어 9개의 절연판(330)을 지지한다. 절연판 지지체(340)에는, 도 10에 도시된 바와 같이, 9개의 절연판(330)이 대응 배치되는 9개의 개구부가 형성된다. 구체적으로, 절연판 지지체(340)는, 사각 형상을 갖는 외곽 프레임(343), 외곽 프레임(343)의 내측 영역을 9개의 개구부로 분할하는 2개의 가로보(341) 및 2개의 세로보(342)를 구비한다.The insulating plate supporter 340 is disposed on the upper sidewall of the reaction chamber 110 to support nine insulating plates 330. As illustrated in FIG. 10, nine openings in which nine insulating plates 330 are correspondingly disposed are formed in the insulating plate support 340. Specifically, the insulating plate support 340 includes an outer frame 343 having a square shape, two horizontal beams 341 and two stringers 342 that divide the inner region of the outer frame 343 into nine openings. do.

절연판 지지체(340)에는, 절연판 지지체(340)의 강도를 보강하도록, 적어도 하나의 보강리브(345)가 마련될 수 있다. 본 실시예에는 2개의 가로보(341)의 상부와, 2개의 세로보(342)의 상부에 4개의 보강리브(345)가 결합된다. 절연판 지지체(340)와 보강리브(345) 사이의 결합은 볼트체결 방식 등을 포함하여 다양한 체결 방식이 선택될 수 있다.At least one reinforcing rib 345 may be provided on the insulating plate support 340 to reinforce the strength of the insulating plate support 340. In the present embodiment, four reinforcing ribs 345 are coupled to an upper portion of two cross beams 341 and an upper portion of two stringers 342. The coupling between the insulating plate support 340 and the reinforcing rib 345 may be selected from various fastening methods including a bolt fastening method and the like.

12개의 상부가스분사노즐(350)은, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 절연판 지지체(340)를 구성하는 2개의 가로보(341)와 2개의 세로보(342)의 교차 부분들 사이의 중간 지점들에 각각 결합된다.Twelve upper gas injection nozzles 350, as shown in Figs. 9 and 10, intermediate the intersection of the two cross beams 341 and the two stringers 342 constituting the insulating plate support 340. Respectively coupled to the points.

상부가스분사노즐(350)은, 전술한 실시예와 마찬가지로, 가스분사유로가 형성되는 노즐판과, 노즐판에 결합되는 적어도 하나의 단위분사노즐을 구비한다. 한편, 본 실시예의 상부가스분사노즐(350)에서, 노즐판와 단위분사노즐은 전술한 실시예의 상부가스분사노즐(150)의 구성이 실질적으로 동일하게 적용되므로(도 3 참조), 그에 대한 구체적인 도면은 생략하고 설명한다.The upper gas injection nozzle 350 is provided with a nozzle plate in which a gas injection flow path is formed, and at least one unit injection nozzle coupled to the nozzle plate, as in the above-described embodiment. On the other hand, in the upper gas injection nozzle 350 of the present embodiment, the nozzle plate and the unit injection nozzle is applied to the configuration of the upper gas injection nozzle 150 of the above-described embodiment substantially the same (see Fig. 3), a detailed drawing thereof Will be omitted and explained.

이때, 12개의 상부가스분사노즐(350)은, 전술한 실시예와 마찬가지로, 절연판 지지체(340)에서의 위치에 따라 단위분사노즐의 개수 및 분사 각도가 다르게 설정되는 것이 바람직한데, 이는 전체적인 플라즈마 증착 균일도를 향상시키기 위함이다.At this time, the 12 upper gas injection nozzles 350, as in the above-described embodiment, the number and injection angle of the unit injection nozzle is preferably set differently according to the position in the insulating plate support 340, which is the overall plasma deposition This is to improve the uniformity.

또한, 전체적인 플라즈마 증착 균일도를 향상시키는 측면에서, 12개의 상부가스분사노즐(350)은 절연판 지지체(340)의 중심에서 동일거리범위로 떨어진 위치별로 유량이 제어될 수 있다. 통상적으로 기판(10)의 테두리 쪽에 플라즈마가 상대 적으로 취약하므로, 중심에서 테두리로 갈수록 유량을 크게하는 것이 바람직하다. 본 실시예의 경우, 유량 제어에 있어서 A~D 지점에 위치한 4개의 상부가스분사노즐(350)들을 제1 그룹으로, E~L 지점에 위치한 8개의 상부가스분사노즐(350)들을 제2 그룹으로 설정하고, 각 그룹에 따라 유량이 다르게 제어된다.In addition, in terms of improving the overall plasma deposition uniformity, the twelve upper gas injection nozzles 350 may have a flow rate controlled for each position separated by the same distance range from the center of the insulating plate support 340. In general, since the plasma is relatively weak at the edge of the substrate 10, it is preferable to increase the flow rate from the center to the edge. In the present embodiment, in the flow control, the four upper gas injection nozzles 350 located at points A to D as the first group, and the eight upper gas injection nozzles 350 located at the points E to L as the second group. The flow rate is controlled differently according to each group.

또한, 12개의 상부가스분사노즐(350)은, 절연판 지지체(340)에서의 위치에 따라 노즐판에 형성된 가스분사유로의 형상이 다르게 형성될 수 있다. 이때, 각각의 노즐판의 가스분사유로의 형상은, 도 5에 예시된 형상을 포함하여 다양한 형상으로 선택될 수 있는데, 중심 쪽으로 갈수록 상대적으로 복잡한 형상으로 선택하는 것이 바람직하다.In addition, the twelve upper gas injection nozzles 350 may have different shapes of gas injection flow paths formed in the nozzle plate according to positions on the insulating plate support 340. At this time, the shape of the gas injection flow path of each nozzle plate can be selected in various shapes, including the shape illustrated in Figure 5, it is preferable to select a relatively complex shape toward the center.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(300)는, 기구적 안정성을 확보하면서 복수개의 상부가스분사노즐(350)을 설치하는 것이 가능하고, 이로 인해 전체적인 플라즈마 증착 균일도를 향상시킬 수 있다.As described above, in the plasma processing apparatus 300 according to the present embodiment, it is possible to install a plurality of upper gas injection nozzles 350 while ensuring mechanical stability, thereby improving the overall plasma deposition uniformity. have.

아울러, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(300)는, 복수개의 상부가스분사노즐(350)을 절연판 지지체(340)의 중심에서 동일거리범위로 떨어진 위치별로 유량을 제어하거나, 절연판 지지체(340)에서의 위치에 따라 단위분사노즐의 개수 및 분사 각도를 다르게 설정하거나 가스분사유로의 형상을 다르게 형성함으로써, 전체적인 플라즈마 증착 균일도를 더욱 향상시킬 수 있다.In addition, the plasma processing apparatus 300 according to the present exemplary embodiment controls the flow rate of each of the plurality of upper gas injection nozzles 350 separated by the same distance range from the center of the insulating plate support 340, or the insulating plate support 340. By setting the number and injection angle of the unit injection nozzle differently or by differently forming the shape of the gas injection flow path according to the position at, the overall plasma deposition uniformity can be further improved.

본 발명은 전술한 실시예들에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명 의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.It is apparent to those skilled in the art that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and that various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, such modifications or variations will have to be belong to the claims of the present invention.

예를 들어, 본 발명에 있어서, 분할된 절연판의 개수 및 그에 따른 절연판 지지체의 형상, 상부가스분사노즐의 개수, 결합 위치 및 배치 형태 등은 전술한 실시예들에서 개시한 것에 한정되지 아니하고, 다양하게 선택되거나 변경될 수 있을 것이다.For example, in the present invention, the number of divided insulating plates, and thus the shape of the insulating plate support, the number of upper gas injection nozzles, the coupling position and the arrangement form are not limited to those disclosed in the above embodiments, May be selected or changed.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 플라즈마 처리장치에서 절연판 지지체와 상부가스분사노즐의 구조를 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for explaining the structure of the insulating plate support and the upper gas injection nozzle in the plasma processing apparatus of FIG.

도 3은 도 1의 플라즈마 처리장치에서 상부가스분사노즐의 구성을 설명하기 위한 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an upper gas injection nozzle in the plasma processing apparatus of FIG. 1.

도 4는 도 3의 상부가스분사노즐의 평면도이며, 도 5는 도 1의 플라즈마 처리장치에 적용되는 다양한 형상의 노즐판을 나타낸다.4 is a plan view of the upper gas injection nozzle of FIG. 3, and FIG. 5 illustrates nozzle plates having various shapes applied to the plasma processing apparatus of FIG. 1.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 개략적인 구성도이다.6 is a schematic configuration diagram of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 7은 도 6의 플라즈마 처리장치에서 절연판 지지체와 상부가스분사노즐의 구조를 설명하기 위한 도면이다.7 is a view for explaining the structure of the insulating plate support and the upper gas injection nozzle in the plasma processing apparatus of FIG.

도 8은 도 7의 상부가스분사노즐의 분사 각도를 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining an injection angle of the upper gas injection nozzle of FIG.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 개략적인 구성도이다.9 is a schematic structural diagram of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 10은 도 9의 플라즈마 처리장치에서 절연판 지지체와 상부가스분사노즐의 구조를 설명하기 위한 도면이다.10 is a view for explaining the structure of the insulating plate support and the upper gas injection nozzle in the plasma processing apparatus of FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100,200,300 : 플라즈마 처리장치100,200,300: Plasma Treatment Equipment

110 : 반응챔버 120 : 서셉터110: reaction chamber 120: susceptor

130 : 절연판 140,240,340 : 절연판 지지체130: insulation plate 140,240,340: insulation plate support

150,250,350 : 상부가스분사노즐 160 : 측면가스분사노즐150,250,350: Upper gas jet nozzle 160: Side gas jet nozzle

170 : 안테나 180 : 접지케이스170: antenna 180: ground case

190 : Z축 구동모듈190: Z axis drive module

Claims (17)

플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버;A reaction chamber providing a space in which a plasma is generated; 상기 반응챔버의 내부에 마련되어 기판이 안착되는 서셉터;A susceptor provided inside the reaction chamber to seat a substrate; 상기 반응챔버의 상부에 마련되는 복수개의 절연판;A plurality of insulating plates provided on the reaction chamber; 상기 복수개의 절연판이 대응 배치되는 복수개의 개구부가 형성되어 상기 복수개의 절연판을 지지하는 절연판 지지체;An insulating plate support for forming the plurality of openings to which the plurality of insulating plates are disposed to support the plurality of insulating plates; 상기 절연판 지지체에 마련되는 적어도 하나의 상부가스분사노즐; 및At least one upper gas injection nozzle provided on the insulation plate support; And 상기 반응챔버의 측벽에 마련되는 적어도 하나의 측면가스분사노즐을 포함하며,At least one side gas injection nozzle provided on the side wall of the reaction chamber, 상기 절연판 지지체는,The insulating plate support, 사각 형상을 갖는 외곽 프레임; 및An outer frame having a rectangular shape; And 상기 외곽 프레임의 내측 영역을 상기 복수개의 개구부로 분할하도록, 상기 외곽 프레임의 내측에서 가로 방향으로 배치되는 적어도 하나의 가로보와, 상기 외곽 프레임의 내측에서 세로 방향으로 배치되는 적어도 하나의 세로보를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And at least one cross beam arranged in a horizontal direction from the inside of the outer frame, and at least one longitudinal beam arranged in a vertical direction from the inside of the outer frame to divide the inner region of the outer frame into the plurality of openings. Plasma processing apparatus, characterized in that. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 적어도 하나의 상부가스분사노즐은,The at least one upper gas injection nozzle, 상기 적어도 하나의 가로보와 상기 적어도 하나의 세로보의 교차 부분에 결합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And at least one cross beam of the at least one cross beam and the at least one cross beam. 제1항 또는 제3항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 상부가스분사노즐은,The upper gas injection nozzle, 가스분사유로가 형성되는 노즐판; 및A nozzle plate on which a gas injection passage is formed; And 상기 노즐판에 결합되어 상기 기판을 향하여 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 단위분사노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And at least one unit injection nozzle coupled to the nozzle plate to inject a process gas toward the substrate. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 노즐판에는, 상기 적어도 하나의 단위분사노즐이 결합되는 적어도 하나의 노즐결합홀이 형성되고,At least one nozzle coupling hole is formed in the nozzle plate to which the at least one unit injection nozzle is coupled. 상기 단위분사노즐의 분사 각도는, 상기 노즐결합홀의 형성 방향에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The injection angle of the unit injection nozzle is determined by the direction in which the nozzle coupling hole is formed. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 단위분사노즐은,The unit injection nozzle, 상기 기판의 중심부, 상기 중심부의 외측에 위치한 제1 지점부 및 상기 제1 지점부의 외측에 위치한 제2 지점부 중 어느 하나를 향하는 분사 각도를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And an injection angle toward one of a center portion of the substrate, a first point portion located outside the center portion, and a second point portion located outside the first point portion. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 적어도 하나의 측면가스분사노즐은,The at least one side gas injection nozzle, 상기 반응챔버의 측벽의 둘레를 따라 마련되는 복수개가 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus characterized in that a plurality is provided along the circumference of the side wall of the reaction chamber. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 절연판 지지체에는,In the insulating plate support, 상기 절연판 지지체의 강도를 보강하도록, 적어도 하나의 보강리브가 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.At least one reinforcing rib is provided to reinforce the strength of the insulating plate support. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 적어도 하나의 보강리브는,The at least one reinforcing rib, 상기 적어도 하나의 가로보 중 상기 외곽 프레임의 중심을 지나는 가로보의 상부와, 상기 적어도 하나의 세로보 중 상기 외곽 프레임의 중심을 지나는 세로보의 상부에 2개가 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Two of the at least one crossbeam is provided on the top of the crossbeam passing through the center of the outer frame, and the plasma processing apparatus, characterized in that provided on the top of the crossbeam passing through the center of the outer frame of the at least one stringer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 적어도 하나의 상부가스분사노즐은,The at least one upper gas injection nozzle, 상기 절연판 지지체에 복수개가 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.A plurality of plasma processing apparatus, characterized in that provided in the insulating plate support. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 적어도 하나의 가로보 및 상기 적어도 하나의 세로보 각각은 복수개가 마련되고,Each of the at least one crossbeam and the at least one stringer is provided with a plurality, 상기 복수개의 상부가스분사노즐은 상기 복수개의 가로보와 상기 복수개의 세로보의 교차 부분들에 각각 결합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And the plurality of upper gas injection nozzles are respectively coupled to intersections of the plurality of cross beams and the plurality of cross beams. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 복수개의 상부가스분사노즐은,The plurality of upper gas injection nozzles, 상기 절연판 지지체의 중심에서 동일거리범위로 떨어진 위치별로 유량이 제어되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus characterized in that the flow rate is controlled for each position separated by the same distance range from the center of the insulating plate support. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 상부가스분사노즐은,The upper gas injection nozzle, 가스분사유로가 형성되는 노즐판; 및A nozzle plate on which a gas injection passage is formed; And 상기 노즐판에 결합되어 상기 기판을 향하여 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 단위분사노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And at least one unit injection nozzle coupled to the nozzle plate to inject a process gas toward the substrate. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 노즐판에는, 상기 적어도 하나의 단위분사노즐이 결합되는 적어도 하나의 노즐결합홀이 형성되고,At least one nozzle coupling hole is formed in the nozzle plate to which the at least one unit injection nozzle is coupled. 상기 단위분사노즐의 분사 각도는, 상기 노즐결합홀의 형성 방향에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The injection angle of the unit injection nozzle is determined by the direction in which the nozzle coupling hole is formed. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 복수개의 상부가스분사노즐은,The plurality of upper gas injection nozzles, 상기 절연판 지지체에서의 위치에 따라 상기 단위분사노즐의 개수 및 분사 각도가 다르게 설정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The plasma processing apparatus, characterized in that the number and injection angle of the unit injection nozzle is set differently according to the position on the insulating plate support. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 복수개의 상부가스분사노즐은,The plurality of upper gas injection nozzles, 상기 절연판 지지체에서의 위치에 따라 상기 가스분사유로의 형상이 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus characterized in that the shape of the gas injection path is formed differently depending on the position on the insulating plate support. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 복수개의 상부가스분사노즐 중 최외측에 위치한 상부가스분사노즐에 마련된 상기 단위분사노즐은 상기 기판의 테두리를 향하는 분사 각도를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The unit injection nozzle provided in the upper gas injection nozzle located on the outermost side of the plurality of upper gas injection nozzles has an injection angle toward the edge of the substrate.
KR1020080098112A 2008-10-07 2008-10-07 Plasma processing apparatus KR101033950B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080098112A KR101033950B1 (en) 2008-10-07 2008-10-07 Plasma processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080098112A KR101033950B1 (en) 2008-10-07 2008-10-07 Plasma processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100038942A KR20100038942A (en) 2010-04-15
KR101033950B1 true KR101033950B1 (en) 2011-05-11

Family

ID=42215588

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080098112A KR101033950B1 (en) 2008-10-07 2008-10-07 Plasma processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101033950B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101885102B1 (en) * 2011-09-01 2018-09-11 세메스 주식회사 Ntenna unit and substrate treating apparatus including the unit
CN111613508A (en) * 2019-02-25 2020-09-01 北京北方华创微电子装备有限公司 Air inlet device and reaction chamber

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003332326A (en) * 2002-05-10 2003-11-21 Tokyo Electron Ltd Method and device for plasma treatment
JP2004356651A (en) * 1999-05-13 2004-12-16 Tokyo Electron Ltd Inductive coupling plasma processing device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004356651A (en) * 1999-05-13 2004-12-16 Tokyo Electron Ltd Inductive coupling plasma processing device
JP2003332326A (en) * 2002-05-10 2003-11-21 Tokyo Electron Ltd Method and device for plasma treatment

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100038942A (en) 2010-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102491945B1 (en) Substrate processing apparatus
CN1905135B (en) Plasma etching apparatus
US7078862B2 (en) Beam source and beam processing apparatus
CN104060238A (en) Liner Assembly And Substrate Processing Apparatus Having Same
US20080308409A1 (en) Embedded multi-inductive large area plasma source
TWI543670B (en) Antenna unit for generating plasma and substrate processing apparatus including the same
US9472379B2 (en) Method of multiple zone symmetric gas injection for inductively coupled plasma
KR101033950B1 (en) Plasma processing apparatus
KR101227571B1 (en) Gas injection Assembly and apparatus for processing substrate
KR101253296B1 (en) Plasma Processing Apparatus
KR102606462B1 (en) Gas supply with angled injector in plasma processing device
KR20150085904A (en) Controlling gas distributor of plasma genegating system and method for controlling gas distributor
KR20080028848A (en) Inductively coupled plasma reactor for wide area plasma processing
KR101229793B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR101091555B1 (en) Apparatus for generating plasma
JP5038769B2 (en) Plasma processing equipment
KR20080028518A (en) Inductively coupled plasma reactor for wide area plasma processing
KR20180116381A (en) Shower head and vacuum processing device
KR101031784B1 (en) Plasma processing apparatus
KR101122132B1 (en) Plasma processing apparatus
TWI466596B (en) Plasma processing apparatus (1)
KR101509379B1 (en) Nozzle of plasma generating system
KR20190064496A (en) Controlling Gas Distributor of Plasma Generating System
US11735396B2 (en) Inductively coupled plasma processing apparatus
KR101613798B1 (en) Shower head for vapor deposition equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee