KR101031111B1 - Complex Ceramic Chip Component capable for surface-mounting - Google Patents

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KR101031111B1 KR1020080108854A KR20080108854A KR101031111B1 KR 101031111 B1 KR101031111 B1 KR 101031111B1 KR 1020080108854 A KR1020080108854 A KR 1020080108854A KR 20080108854 A KR20080108854 A KR 20080108854A KR 101031111 B1 KR101031111 B1 KR 101031111B1
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Abstract

표면 실장 가능한 복합 세라믹 칩 부품이 개시된다. 상기 복합 세라믹 칩 부품은, 각각 세라믹 베이스와, 상기 세라믹 베이스의 대향하는 양 측면에 외부전극을 구비하고 서로 다른 전기적 특성을 갖는 사전에 소성된 둘 이상의 단일 세라믹 칩 부품을 포함하며, 상기 단일 세라믹 칩 부품은 각각 인접한 외부전극이 다층 구조로 이루어진 금속층에 의해 병렬 회로를 이루며 기구적으로 접합되고, 상기 금속층을 통하여 회로 기판에 솔더 크림과 리플로우 솔더링이 된다.A surface mountable composite ceramic chip component is disclosed. The composite ceramic chip component includes a ceramic base and at least two single-fired ceramic chip components each having external electrodes on opposite sides of the ceramic base and having different electrical characteristics. Components are mechanically bonded in parallel circuits by metal layers having adjacent external electrodes formed in a multilayer structure, and solder cream and reflow soldering are performed on the circuit board through the metal layers.

표면 실장, 세라믹 칩 부품, 외부전극, 솔더 크림, 리플로우 솔더링, 은 페이스트, 세라믹 칩 LC필터, 세라믹 칩 인덕터, 세라믹 칩 캐패시터, 내열 접착제, 경화 Surface Mount, Ceramic Chip Components, External Electrode, Solder Cream, Reflow Soldering, Silver Paste, Ceramic Chip LC Filter, Ceramic Chip Inductor, Ceramic Chip Capacitor, Heat Resistant Adhesive, Hardening

Description

표면 실장 가능한 복합 세라믹 칩 부품{Complex Ceramic Chip Component capable for surface-mounting}Complex Ceramic Chip Component capable for surface-mounting}

본 발명은 표면 실장이 가능한 복합 세라믹 칩 부품에 관한 것으로, 특히 서로 다른 전기적 성능을 갖는 단일 세라믹 칩 부품의 인접한 외부전극을 다층 구조로 이루어진 금속층을 사용하여 병렬 회로를 이루며 기구적으로 신뢰성 있게 접합한 복합 세라믹 칩 부품에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a composite ceramic chip component capable of surface mounting. In particular, adjacent external electrodes of a single ceramic chip component having different electrical performances are mechanically and reliably bonded in parallel circuits using a metal layer having a multilayer structure. The present invention relates to a composite ceramic chip component.

서미스터, 인덕터, 저항 또는 EMI 필터 등의 전기적 성능을 갖는 통상의 표면 실장용 세라믹 칩 부품은 한 가지의 전기적 특성, 예를 들어, 유전체, 자성체 또는 전기저항을 갖는 세라믹 베이스와 상기 세라믹 베이스의 대향하는 양단에 형성된 외부전극으로 구성된다. 통상, 이들 세라믹 베이스 내부에는 세라믹 칩 부품의 전기적 용량을 크게 할 목적이나 정밀도를 향상시킬 목적으로 내부전극이 형성되어 있고 이들 내부전극은 외부전극과 전기적으로 연결된다.Conventional surface-mount ceramic chip components with electrical performance, such as thermistors, inductors, resistors or EMI filters, are opposed to ceramic bases having one electrical property, for example, dielectric, magnetic or electrical resistance. It consists of external electrodes formed at both ends. Usually, internal electrodes are formed inside these ceramic bases for the purpose of increasing the electrical capacity of the ceramic chip component or improving the accuracy, and these internal electrodes are electrically connected to the external electrodes.

도 1은 통상의 표면 실장용 단일 세라믹 칩 부품(10), 예를 들어 세라믹 칩 커패시터를 나타낸다.1 shows a conventional surface mount single ceramic chip component 10, for example a ceramic chip capacitor.

도시된 바와 같이, 세라믹 칩 부품(10)은 대향하는 양 측면에 외부전극(12, 13)이 형성된 세라믹 베이스(Ceramic base; 11)와 외부전극(12, 13)과 연결된 세라믹 베이스(11) 내부에 형성된 내부전극(20)으로 구성된다.As illustrated, the ceramic chip component 10 may include a ceramic base 11 having external electrodes 12 and 13 formed on opposite sides thereof and a ceramic base 11 connected to external electrodes 12 and 13. It consists of an internal electrode 20 formed in.

이와 같은 구조의 세라믹 칩 부품(10)은 단품(단일) 세라믹 칩 부품으로 불리며 널리 알려져 있고, 이를 제조하기 위한 기술 및 설비 또한 잘 알려져 있다.The ceramic chip component 10 having such a structure is called a single component (single) ceramic chip component and is widely known, and techniques and equipment for manufacturing the same are also well known.

여기서, 세라믹 베이스(11)는 세라믹 칩 부품(10)이 인덕터로 사용되는 경우에는 페라이트 같은 자성물질, 커패시터로 사용되는 경우에는 BaTiO3 같은 유전물질 그리고 EMI 필터로 사용되는 경우 자성물질 또는 유전물질일 수 있다. 또한 세라믹 칩 부품(10)이 세라믹 칩 저항으로 사용되는 경우, 절연 세라믹 베이스(11) 위에 로듐(RuO2) 등의 저항물질이 코팅된다.Here, the ceramic base 11 may be a magnetic material such as ferrite when the ceramic chip component 10 is used as an inductor, a dielectric material such as BaTiO 3 when used as a capacitor, and a magnetic material or dielectric material when used as an EMI filter. Can be. In addition, when the ceramic chip component 10 is used as a ceramic chip resistor, a resistive material such as rhodium (RuO 2 ) is coated on the insulating ceramic base 11.

여기서, 외부전극(12, 13)은 세라믹 베이스(11) 양단에 은(Ag)-유리(Glass) 페이스트를 디핑한 후 파이어링(Firing) 하고, 그 위에 다시 은(Ag) - 에폭시(Epoxy) 페이스트를 디핑한 후 경화하고, 그 위에 니켈 및 주석을 도금하여 형성한다.Here, the external electrodes 12 and 13 are dipped with silver-glass paste on both ends of the ceramic base 11 and then fired, and silver-epoxy is again deposited thereon. The paste is dipped and then cured and formed by plating nickel and tin thereon.

또한, 외부전극(12, 13)의 형상은 세라믹 칩 부품(10)이 좌우 동일한 솔더링 강도를 갖기 위하여 동일한 크기로 형성되며 이들 외부전극(12,13)은 PCB 기판상에 도포된 솔더 크림 위에 위치하여 리플로우 솔더링에 의해 솔더링된다.In addition, the shapes of the external electrodes 12 and 13 are formed in the same size so that the ceramic chip component 10 has the same soldering strength left and right, and these external electrodes 12 and 13 are positioned on the solder cream applied on the PCB substrate. Are soldered by reflow soldering.

여기서, 내부전극(20)은 세라믹 베이스(11)의 전기적 용량을 크게 하기 위하여 또는 전기적 성능의 정밀도를 부여하기 위해 사용될 수 있다.Here, the internal electrode 20 may be used to increase the electrical capacity of the ceramic base 11 or to impart precision of electrical performance.

이와 같은 종래 기술의 구조에 의하면, 단일 세라믹 칩 부품(10)은 통상 한 가지의 전기적 특성을 갖는 세라믹 베이스(11)로 이루어져 하나의 전기적 성능만을 갖는다는 단점이 있다. 예를 들어, 단일 세라믹 칩 부품(10)을 사용하여 PCB 기판에 LC 필터를 구현하려면, 적어도 하나의 칩 인덕터와 하나의 칩 커패시터를 사용해야 하므로 하나의 세라믹 칩 부품을 사용하는 것보다 넓은 PCB 면적이 필요하다는 단점이 있다. According to the structure of the prior art, a single ceramic chip component 10 has a disadvantage in that it usually consists of a ceramic base 11 having one electrical characteristic and has only one electrical performance. For example, to implement an LC filter on a PCB substrate using a single ceramic chip component (10), at least one chip inductor and one chip capacitor must be used, resulting in a larger PCB area than using one ceramic chip component. The disadvantage is that it is necessary.

더욱이 칩 인덕터와 칩 커패시터를 각각 하나씩 사용하여 회로를 구성한 경우 제공되는 도체 배선에 의해 잡음(Noise)이 발생한다는 단점이 있다.Furthermore, when a circuit is constructed using one chip inductor and one chip capacitor, noise is generated by conductor wiring provided.

또한, 종래기술에 따르면, 하나의 세라믹 베이스(11)로 두 가지의 전기적 성능, 예를 들어 LC 필터를 하나의 세라믹 칩 부품(10)으로 제조하기 어렵고, 수율이 나쁘며, 일정 이상의 전기적 용량을 갖기 어렵다는 단점이 있다.In addition, according to the related art, it is difficult to manufacture two electric performances, for example, an LC filter, into one ceramic chip component 10 with one ceramic base 11, and the yield is poor, and has a certain electrical capacity. The disadvantage is that it is difficult.

또한, 종래 단일 세라믹 칩 부품(10)의 크기는 미터법 단위로 0603(폭: 0.3㎜, 길이: 0.6㎜, 높이: 0.3㎜), 1005, 1608, 2012 및 3216 등의 표준 치수로 이루어져 높이가 비교적 낮다. 즉, PCB 상에 실장되는 다른 부품들의 높이에 비해 세라믹 칩 부품의 높이는 낮다.In addition, the size of the conventional single ceramic chip component 10 is made of standard dimensions such as 0603 (width: 0.3 mm, length: 0.6 mm, height: 0.3 mm), 1005, 1608, 2012, and 3216 in metric units, and the height is relatively high. low. That is, the height of the ceramic chip component is low compared to the height of other components mounted on the PCB.

또한 세라믹 베이스(11)의 재료로 통상 동일한 재료가 사용되어, 추가로 다른 전기적 성능을 구현하기 어렵다는 단점이 있다. 가령, 세라믹 칩 부품(10)이 LC 필터인 경우에 L(Inductance) 값과 C(Capacitance) 값을 단일 세라믹 베이스에 정밀하게 구현하기에는 제조 공정이 어렵고, 수율이 낮다는 단점이 있다. In addition, since the same material is generally used as the material of the ceramic base 11, there is a disadvantage in that it is difficult to further implement other electrical performance. For example, when the ceramic chip component 10 is an LC filter, a manufacturing process is difficult and a yield is low to accurately implement L (Inductance) and C (Capacitance) values in a single ceramic base.

따라서 본 발명은 상기의 문제점들을 해결하기 위하여 제안되는 것으로, 본 발명의 목적은, 이미 제조되어 검사 완료된 서로 다른 전기적 성능을 갖는 둘 이상의 단일 세라믹 칩 부품들을 신뢰성 있게 접합하여 하나의 세라믹 칩 부품으로 만들어 다른 전기적 성능을 제공하는 복합 세라믹 칩 부품을 제공하는 것이다.Accordingly, the present invention is proposed to solve the above problems, and an object of the present invention is to reliably bond two or more single ceramic chip parts having different electrical performances that have already been manufactured and inspected to make one ceramic chip part. It is to provide a composite ceramic chip component that provides different electrical performance.

본 발명의 다른 목적은, 단일 세라믹 칩 부품의 외부전극을 다층 구조로 이루어진 금속층을 사용하여 병렬 회로를 이루며 기구적으로 신뢰성 있게 접착한 복합 세라믹 칩 부품을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a composite ceramic chip component in which an external electrode of a single ceramic chip component is mechanically and reliably bonded in parallel by using a metal layer having a multilayer structure.

본 발명의 다른 목적은, 단일 세라믹 칩 부품의 세라믹 베이스를 내열 절연 접착제로 접착하여 기구적으로 더욱 신뢰성 있게 접착한 복합 세라믹 칩 부품을 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a composite ceramic chip component in which a ceramic base of a single ceramic chip component is bonded with a heat resistant insulating adhesive, thereby making it more reliably bonded mechanically.

본 발명의 다른 목적은 금속층의 최외부층이 솔더 크림에 의한 리플로우 솔더링이 가능한 복합 세라믹 칩 부품을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a composite ceramic chip component in which the outermost layer of the metal layer is capable of reflow soldering with solder cream.

본 발명의 또 다른 목적은 PCB 면적을 절약할 수 있는 복합 세라믹 칩 부품을 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a composite ceramic chip component capable of saving PCB area.

본 발명의 또 다른 목적은 PCB의 동일한 장착 면적에서 최대의 전기적 용량을 제공할 수 있는 복합 세라믹 칩 부품을 제공하는 것이다.It is yet another object of the present invention to provide a composite ceramic chip component capable of providing maximum electrical capacity at the same mounting area of a PCB.

본 발명의 또 다른 목적은 표면 실장이 가능한 복합 세라믹 칩 부품을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a composite ceramic chip component capable of surface mounting.

본 발명의 또 다른 목적은 내부전극에 의해 큰 전기적 용량과 정밀도가 좋은 특성을 구현할 수 있는 복합 세라믹 칩 부품을 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a composite ceramic chip component capable of realizing a large electric capacity and good precision by an internal electrode.

상기의 목적은, 각각 세라믹 베이스와, 상기 세라믹 베이스의 대향하는 양 측면에 외부전극을 구비하고 서로 다른 전기적 특성을 갖는 사전에 소성된 둘 이상의 단일 세라믹 칩 부품을 포함하며, 상기 단일 세라믹 칩 부품은 각각 인접한 외부전극이 다층 구조로 이루어진 금속층에 의해 병렬 회로를 이루며 기구적으로 상호 접착되고, 상기 금속층을 통하여 회로 기판에 솔더 크림과 리플로우 솔더링이 되는 복합 세라믹 칩 부품에 의해 달성된다.The above object comprises a ceramic base and at least two pre-fired single ceramic chip components having external electrodes on opposite sides of the ceramic base and having different electrical properties, wherein the single ceramic chip component The adjacent external electrodes are mechanically bonded together in a parallel circuit by a metal layer having a multilayer structure, and are achieved by a composite ceramic chip component having solder cream and reflow soldering to a circuit board through the metal layer.

또한, 상기의 목적은, 각각 세라믹 베이스와, 상기 세라믹 베이스의 대향하는 양 측면에 외부전극을 구비하고 서로 다른 전기적 특성을 갖는 사전에 소성된 둘 이상의 단일 세라믹 칩 부품을 포함하며, 상기 단일 세라믹 칩 부품의 인접한 외부전극은 다층 구조로 이루어진 금속층에 의해 감싸져 병렬 회로를 이루며 기구적으로 상호 접착되며, 상기 금속층을 통하여 회로 기판에 솔더 크림과 리플로우 솔더링이 되는 복합 세라믹 칩 부품에 의해 달성된다.The above object also comprises a ceramic base and at least two single ceramic chip components which have external electrodes on opposite sides of the ceramic base and which have different electrical properties and which have been previously fired, wherein the single ceramic chip Adjacent external electrodes of the component are wrapped by a metal layer made of a multi-layer structure to form a parallel circuit and mechanically bonded to each other, and is achieved by a composite ceramic chip component which is solder cream and reflow soldered to the circuit board through the metal layer.

또한, 상기의 목적은, 대향하는 양 측면에 외부전극이 형성되고 각각 다른 전기적 특성을 구비하며 상하면이 수평인 사전에 소성된 단일 세라믹 칩 부품을 준비하여 배열하는 제 1 단계; 상기 배열된 단일 세라믹 칩 부품의 세라믹 베이스 위에 내열 절연 접착제 페이스트를 외부전극의 두께와 유사한 두께로 인쇄하는 제 2 단계; 상기 내열 절연 접착제 페이스트 위에 다른 전기적 특성을 갖는 단일 세라믹 칩 부품의 세라믹 베이스를 정렬하여 적층하는 제 3 단계; 적층된 상태에서, 상기 내열 절연 접착제 페이스트를 280℃ 이내에서 열처리하고 경화하여, 상기 세라믹 베이스가 상호 기구적으로 접착되도록 하고, 상기 세라믹 칩 부품의 외부전극들을 상호 전기적 및 기구적으로 연결하는 제 4 단계; 상기 인접한 외부전극 위에 금속 페이스트를 각각 디핑하고 경화한 후, 그 위에 니켈 및 주석을 순차 도금하여 인접하는 외부전극들이 병렬 회로를 이루며 기구적으로 상호 접착하는 다층 구조로 이루어진 금속층을 형성하는 제 5 단계; 및 상기 금속층을 통해 제작된 복합 세라믹 칩 부품의 전기적 특성을 검사하는 제 6 단계를 포함하는 복합 세라믹 칩 부품의 제조방법에 의해 달성된다.In addition, the above object is a first step of preparing and arranging a pre-fired single ceramic chip component having external electrodes formed on opposite sides thereof, each having different electrical characteristics, and having a top and bottom horizontal; A second step of printing a heat-resistant insulating adhesive paste on a ceramic base of the arranged single ceramic chip component to a thickness similar to that of an external electrode; Arranging and laminating a ceramic base of a single ceramic chip component having different electrical characteristics on the heat-resistant insulating adhesive paste; In a stacked state, the heat-resistant insulating adhesive paste is heat-treated and cured within 280 ° C. to bond the ceramic base to each other mechanically, and to electrically and mechanically connect external electrodes of the ceramic chip component to each other. step; A fifth step of forming a metal layer having a multi-layer structure in which the metal pastes are respectively dipped and cured on the adjacent external electrodes, and then nickel and tin are sequentially plated thereon so that the adjacent external electrodes form a parallel circuit and are mechanically bonded to each other. ; And a sixth step of inspecting electrical characteristics of the composite ceramic chip component manufactured through the metal layer.

상기의 구성에 의하면, 다음의 효과를 갖는다.According to the said structure, it has the following effects.

1) 이미 제조되어 검사 완료된 서로 다른 각각의 전기적 성능을 갖는 둘 이상의 단일 세라믹 칩 부품들을 경제성 있게 하나의 복합 세라믹 칩 부품으로 만들어 또 다른 전기적 성능을 제공할 수 있다.1) Two or more single ceramic chip components having different electrical performances already manufactured and tested can be economically made into one composite ceramic chip component to provide another electrical performance.

2) 인접한 단일 세라믹 칩 부품의 외부전극을 다층 구조로 이루어진 금속층을 사용하여 병렬 회로를 이루며 기구적으로 신뢰성 있게 서로 접착할 수 있다.2) External electrodes of adjacent single ceramic chip parts can be mechanically and reliably adhered to each other in a parallel circuit using a multilayered metal layer.

3) 인접한 단일 세라믹 칩 부품의 세라믹 베이스를 내열 절연 접착제를 사용하여 기구적으로 더욱 신뢰성 있게 접착할 수 있다.3) The ceramic base of adjacent single ceramic chip parts can be bonded mechanically more reliably by using heat-resistant insulating adhesive.

4) 금속층의 최 외부층이 주석으로 이루어져 솔더 크림과 리플로우 솔더링이 가능하므로 생산성이 좋다.4) Since the outermost layer of the metal layer is made of tin, solder cream and reflow soldering are possible, so productivity is good.

5) 원하는 전기적 성능을 갖는 하나의 세라믹 칩 부품이 PCB 기판 위에 장착되므로, 여러 개의 단일 세라믹 칩 부품을 실장하여 원하는 전기적 성능을 구현하 는 것보다 PCB 면적이 절약되고 생산성이 향상된다.5) Since one ceramic chip component with the desired electrical performance is mounted on the PCB board, PCB area is saved and productivity is improved than mounting multiple single ceramic chip components to achieve the desired electrical performance.

6) 두께가 낮은 단일 세라믹 칩 부품 위에 다른 단일 세라믹 칩 부품이 경제성 있게 접착되어 PCB의 동일한 장착 면적에서 최대의 전기적 용량을 제공할 수 있다.6) Another single ceramic chip component can be economically bonded onto a single, low thickness ceramic chip component to provide maximum electrical capacity at the same mounting area of the PCB.

7) 복합 세라믹 칩 부품의 상하면이 수평을 이뤄 표면 실장이 가능하다.7) The upper and lower surfaces of the composite ceramic chip parts are horizontal to allow surface mounting.

8) 내부전극에 의해 큰 전기적 용량과 정밀한 전기적 특성의 구현이 가능하다. 8) It is possible to realize large electric capacity and precise electrical characteristics by internal electrode.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명한다. 특히 본 발명의 실시 예에 있어서는, 하나의 세라믹 칩 인덕터와 하나의 세라믹 칩 커패시터가 사용된 LC 필터(LC Filter)의 성능을 갖는 복합 세라믹 칩 부품을 위주로 하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention. In particular, in the embodiment of the present invention, a description will be given focusing on a composite ceramic chip component having the performance of an LC filter using one ceramic chip inductor and one ceramic chip capacitor.

제 1 실시 예First Embodiment

도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 복합 세라믹 칩 부품(20)을 나타내는 사시도이다.2 is a perspective view illustrating a composite ceramic chip component 20 according to a first embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 복합 세라믹 칩 부품(20)은 단일 세라믹 칩 부품(100, 200)을 상하 적층한 상태에서 각 단일 세라믹 칩 부품의 외부전극은 쌍으로 전기적 및 기구적으로 연결하여 구성한다.As shown, the composite ceramic chip component 20 is configured by electrically and mechanically connecting the external electrodes of each single ceramic chip component in a state in which the single ceramic chip components 100 and 200 are stacked up and down.

각 단일 세라믹 칩 부품(100, 200)은 육면체 형상으로 전기적 특성을 갖는 세라믹 베이스(110, 210) 및 세라믹 베이스(110, 210)의 대향하는 양측에 형성된 외부전극(120, 130)(220, 230)으로 구성되며, 복합 세라믹 칩 부품(20)은 이들 단일 세라믹 칩 부품(100, 200)과 이들의 세라믹 베이스(110, 210)에 형성된 외부전극(120, 130)과 (220, 230)을 쌍으로 전기적 및 기구적으로 연결하여 접착한 다층 구조로 이루어진 금속층(310, 320)으로 구성된다.Each single ceramic chip component 100 or 200 has a hexahedral shape and has external characteristics 120 and 130 and 220 and 230 formed on opposite sides of the ceramic base 110 and 210 having electrical properties and the ceramic base 110 and 210. The composite ceramic chip component 20 is a pair of these single ceramic chip components 100 and 200 and external electrodes 120 and 130 and 220 and 230 formed on the ceramic bases 110 and 210. It consists of a metal layer (310, 320) of a multi-layer structure bonded by electrical and mechanical connection.

여기서, 단일 세라믹 칩 부품(100, 200)은 각각 서로 다른 전기적 특성을 갖는 사전에 소성된 외부전극(120, 130)(220, 230)을 갖는 세라믹 칩 부품일 수 있다. 예를 들어, 단일 세라믹 칩 부품(100)은 칩 커패시터이고, 단일 세라믹 칩 부품(200)은 칩 인덕터일 수 있다. 또한, 단일 세라믹 칩 부품(100, 200)은 동일한 성능을 갖는 다수의 칩 부품이 하나의 칩 부품에 배열된 칩 어레이 제품일 수 있다.Here, the single ceramic chip component 100, 200 may be a ceramic chip component having pre-fired external electrodes 120, 130, 220, 230 having different electrical characteristics, respectively. For example, the single ceramic chip component 100 may be a chip capacitor, and the single ceramic chip component 200 may be a chip inductor. In addition, the single ceramic chip component 100, 200 may be a chip array product in which a plurality of chip components having the same performance are arranged in one chip component.

바람직하게, 상부에 위치한 단일 세라믹 베이스(110)와 하부에 위치한 단일 세라믹 베이스(210)의 크기와 형상은 동일 또는 유사하다.Preferably, the size and shape of the single ceramic base 110 located above and the single ceramic base 210 located below is the same or similar.

바람직하게, 세라믹 베이스(110, 210)는 내부전극을 내재하고 사전에 소성되어 서로 다른 전기적 성능을 갖는다.Preferably, the ceramic bases 110 and 210 have internal electrical electrodes and are pre-fired to have different electrical performances.

바람직하게, 세라믹 베이스(110, 210)의 표면과 이면은 평면이며 수평을 이룬다.Preferably, the front and back surfaces of the ceramic bases 110 and 210 are planar and horizontal.

바람직하게, 세라믹 베이스(110, 210)가 반도체성 재료인 경우 부식 방지 등을 위하여 절연 코팅이 형성될 수 있다.Preferably, when the ceramic bases 110 and 210 are semiconducting materials, an insulating coating may be formed to prevent corrosion.

바람직하게, 각각의 외부전극(120, 130, 220, 230)의 크기는 동일 또는 유사 하며 더욱이 두께는 0.01 내지 0.05㎜로 얇다.Preferably, the size of each external electrode (120, 130, 220, 230) is the same or similar and moreover the thickness is as thin as 0.01 to 0.05mm.

바람직하게, 외부전극(120, 130, 220, 230)은 세라믹 베이스(110, 210)의 양단이 적어도 은(Ag) 페이스트, 예를 들어, 은(Ag)-글라스(Glass) 또는 은(Ag)-에폭시(Epoxy) 중 어느 하나에 의해 디핑된 후 파이어링(Firing) 또는 경화에 의해 형성된다.Preferably, the external electrodes 120, 130, 220, and 230 have at least both silver pastes, eg, silver-glass or silver, at both ends of the ceramic base 110, 210. It is formed by firing or curing after being dipped by any one of epoxy.

본 실시 예에서는 설명하지 않았지만 만일 산화가 일어나지 않는 질소 분위기에서 파이어링 또는 경화하는 경우에 은 대신 가격이 저렴한 니켈 파우더를 사용할 수 있다.Although not described in the present embodiment, inexpensive nickel powder may be used instead of silver when firing or curing in a nitrogen atmosphere in which oxidation does not occur.

바람직하게, 외부전극(120, 130, 220, 230)이 은-글라스인 경우 파이어링 온도는 600℃ 정도이고, 은-에폭시인 경우 경화 온도는 300℃ 정도이다.Preferably, when the external electrodes 120, 130, 220, and 230 are silver-glass, the firing temperature is about 600 ° C., and in the case of silver-epoxy, the curing temperature is about 300 ° C. FIG.

이와 같이, 외부전극(120, 130, 220, 230)의 재료로 은을 사용함으로 이후에 제공되는 열처리 및 리플로우 솔더링 공정에서 품질 문제를 발생시키지 않는다. As such, the use of silver as the material of the external electrodes 120, 130, 220, and 230 does not cause quality problems in the subsequent heat treatment and reflow soldering processes.

바람직하게, 다층 구조로 이루어진 금속층(310, 320)은 세라믹 칩 부품(100)의 외부전극 쌍(120, 220)과 (130, 230) 위에 디핑에 의해 형성되어 외부전극 쌍(120, 220)과 (130, 230)을 병렬 회로를 이루며 기구적으로 신뢰성 있게 접착한다.Preferably, the metal layers 310 and 320 having a multi-layer structure are formed by dipping on the external electrode pairs 120 and 220 and 130 and 230 of the ceramic chip component 100 to form the external electrode pairs 120 and 220. (130, 230) in a parallel circuit mechanically and reliably bonded.

바람직하게, 금속층(310, 320)은 세라믹 베이스(110, 210)에는 제공되지 않고, 외부전극 쌍(120, 130)과 (220, 230)에만 제공되므로, 세라믹 칩 부품(20)은 원래 각각 세라믹 베이스(110, 220)가 갖고 있는 전기적 성능을 병렬로 연결한 성능을 갖는다.Preferably, the metal layers 310 and 320 are not provided to the ceramic bases 110 and 210, but only to the external electrode pairs 120, 130 and 220 and 230, so that the ceramic chip components 20 are originally ceramic, respectively. It has the performance of connecting the electrical performance of the base (110, 220) in parallel.

바람직하게, 금속층(310, 320)은 외부전극 쌍(120, 220)과 (130, 230) 위에 적어도 은 페이스트, 예를 들어, Ag-Epoxy가 디핑된 후 경화되고, 이 위에 니켈(Ni) 및 주석(Sn)이 도금되어 형성되는 다층 구조로 이루어진다. 즉, 금속층(310, 320)은 외부 전극(120, 220)과 (130, 230)으로부터 순차적으로 Ag-Ni-Sn의 다층 구조를 갖는다.Preferably, the metal layers 310 and 320 are hardened after at least a silver paste, for example, Ag-Epoxy, is dipped on the pair of external electrodes 120 and 220 and 130 and 230, and nickel and nickel are deposited thereon. Tin (Sn) is formed of a multi-layer structure formed by plating. That is, the metal layers 310 and 320 have a multilayer structure of Ag—Ni—Sn sequentially from the external electrodes 120 and 220 and 130 and 230.

이와 같이, 외부전극 쌍(120, 220)과 (130, 230)에 접착하는 내부에 위치한금속층(310, 320)의 금속 재료는 Ag이고, 외부로 노출되는 최 외부에 위치한 금속층(310, 320)의 금속 재료는 Sn이므로, 내부의 Ag층은 외부전극 쌍(120, 220)과 (130, 230)과 신뢰성 있는 전기적 및 기구적 접합을 제공하고, 최 외부의 주석층은 솔더 크림에 의한 리플로우 솔더링이 용이하다.As described above, the metal material of the metal layers 310 and 320 positioned inside the adhesive layers 120 and 220 and 130 and 230 is Ag, and the outermost metal layers 310 and 320 exposed to the outside are Ag. Since the metal material of Sn is Sn, the internal Ag layer provides reliable electrical and mechanical bonding with the external electrode pairs 120, 220 and 130, 230, and the outermost tin layer reflows with solder cream. Easy to solder

도 2에서는 금속층(310, 320)이 외부전극 쌍(120, 220)과 (130, 230)의 단면에만 형성되는 것을 나타내고 있으나, 금속층(310, 320)이 외부전극 쌍(120, 220)과 (130, 230)을 모두 감싸도록 형성되는 것도 당연히 가능하다.In FIG. 2, the metal layers 310 and 320 are formed only on the cross-sections of the external electrode pairs 120 and 220 and 130 and 230, but the metal layers 310 and 320 are formed on the external electrode pairs 120 and 220. Of course, it is also possible to be formed to surround all of the 130, 230.

바람직하게, 도시되지 않은 세라믹 베이스(110, 210) 내부의 내부전극은 외부전극(120, 130, 220, 230)과 연결되므로, 세라믹 칩 부품(20)은 정밀한 전기적 특성을 가질 수 있고 또한 전기적인 용량이 크다.Preferably, since the internal electrodes inside the ceramic base 110 and 210 (not shown) are connected to the external electrodes 120, 130, 220 and 230, the ceramic chip component 20 may have precise electrical characteristics and may also be electrically Greater capacity.

바람직하게, 세라믹 칩 부품(20)의 상하면은 매끄럽고, 수평을 이루어 표면 실장이 가능하다.Preferably, the upper and lower surfaces of the ceramic chip component 20 may be smooth and horizontal to mount the surface.

또한, 도 2와 같이, 세라믹 칩 부품(20)은 세라믹 베이스(110)의 이면과 세라믹 베이스(210)의 표면 사이에 내열 절연 접착제(330)를 개재하여 경화에 의해 세라믹 베이스(110, 210)를 신뢰성 있게 접착된다.In addition, as shown in FIG. 2, the ceramic chip component 20 is cured through the heat-resistant insulating adhesive 330 between the rear surface of the ceramic base 110 and the surface of the ceramic base 210. It is glued reliably.

이때, 내열 절연 접착제(330)는 두께가 얇고 세라믹 베이스(110, 210) 사이에만 개재되어 형성되고 외부전극(120, 130, 220, 230) 위에는 형성되지 않는다.In this case, the heat resistant insulating adhesive 330 is thin and is formed only between the ceramic bases 110 and 210 and is not formed on the external electrodes 120, 130, 220, and 230.

내열 절연 접착제(330)는 열에 의해 다시 용융되지 않으므로 이후 제공되는 리플로우 솔더링등의 열이 가해져도 신뢰성 있는 접착을 유지한다. 바람직하게, 내열 절연 접착제(330)는 에폭시 접착제, 실리콘 고무 접착제 또는 글라스 접착제 중 어느 하나일 수 있다.Since the heat-resistant insulating adhesive 330 is not melted again by heat, it maintains reliable adhesion even if heat such as reflow soldering provided thereafter is applied. Preferably, the heat resistant insulating adhesive 330 may be any one of an epoxy adhesive, a silicone rubber adhesive, or a glass adhesive.

바람직하게, 내열 절연 접착제(330)는 내열 절연 접착제 페이스트가 인쇄 또는 디스펜싱에 의해 세라믹 베이스(210) 위에 도포된 후, 그 위에 세라믹 베이스(110) 가 적층된 후 열 경화에 의해 형성된다.Preferably, the heat resistant insulating adhesive 330 is formed by thermal curing after the heat resistant insulating paste is applied onto the ceramic base 210 by printing or dispensing, and then the ceramic base 110 is laminated thereon.

도 2에서, 단일 세라믹 칩 부품(100, 200)으로 각각 칩 커패시터와 칩 인덕터를 적용한 경우, 종래와 비교하여 아래와 같은 장점이 있다.In FIG. 2, when the chip capacitor and the chip inductor are respectively applied to the single ceramic chip components 100 and 200, there are advantages as compared with the related art.

1) 하나의 칩 인덕터와 하나의 칩 커패시터를, 가령 개별 소자(Lumped element들을 PCB 위에 장착하여 LC 밴드 패스 필터를 구현한 것에 비교하면, 실장에 필요한 PCB 면적이 작고, 노이즈가 적으며 또한 작업 공수가 줄어든다.1) Compared to one chip inductor and one chip capacitor, for example, the implementation of LC band pass filter by mounting the Lumped elements on the PCB, the PCB area required for the mounting is small, the noise is low, and the labor is required. Decreases.

2) 사전에 전기적 성능 검사를 마친 값이 싼 개별 칩 부품을 신뢰성 있고 경제성 있게 하나의 복합 부품으로 제조하므로, 제조공정이 간단하고 또한 수율이 좋다.2) Since the inexpensive individual chip parts, which have been previously tested for electrical performance, are manufactured in one composite part with reliability and economical efficiency, the manufacturing process is simple and the yield is good.

3) 단품으로 제조된 세라믹 칩 LC 필터보다 설계하기가 쉽고, 전기적 용량의 허용 범위가 넓고 또한 제조하기 용이하다.3) It is easier to design than ceramic chip LC filter manufactured by single unit, wide electric capacity allowance and easy to manufacture.

한편, 도시되지는 않았지만, 도 2의 복합 세라믹 칩 부품(20)에서 세라믹 베이스(110)의 금속층(310, 320)에 또 다른 전기적 성능을 갖는 제 3의 세라믹 칩 부품의 외부전극을 접착할 수 있다. 이 경우 제조된 복합 세라믹 칩 부품은 또 다른 전기적 특성을 가질 수 있거나 더 큰 전기적 용량을 얻을 수 있다. Although not shown, in the composite ceramic chip component 20 of FIG. 2, external electrodes of a third ceramic chip component having another electrical performance may be adhered to the metal layers 310 and 320 of the ceramic base 110. have. In this case, the manufactured composite ceramic chip component may have another electrical characteristic or obtain a larger electrical capacity.

도 3은 도 2의 복합 세라믹 칩 부품의 등가 회로이다. 3 is an equivalent circuit of the composite ceramic chip component of FIG. 2.

상기에 서술한 것과 같이, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 복합 세라믹 칩 부품(20)을 적용함으로써, 종래 칩 커패시터와 칩 인덕터를 각각 별개로 PCB 위에 실장하는 것과 비교하여 PCB를 차지하는 면적을 줄일 수 있고, 회로를 연결하는 배선의 길이가 줄어들기 때문에 노이즈 발생이 감소하고, 표면 실장 하는 횟수가 줄어든다.As described above, by applying the composite ceramic chip component 20 according to the first embodiment of the present invention, the area occupied by the PCB is reduced as compared with mounting the chip capacitor and the chip inductor separately on the PCB. This reduces the generation of noise and reduces the number of surface mounts because the length of the wiring connecting the circuit is reduced.

또한, 외부전극(120, 130, 220, 230) 및 금속층(310, 320)은 은(Ag) 페이스트를 사용하여 형성함으로써, 외부전극 쌍(120, 220)과 (130, 230) 위에 금속층(310, 320)을 형성할 때, 산화, 용융온도 및 접합력 등에 문제가 없으며, 더욱이 금속층(310, 320)의 최 외부층에 주석을 사용함으로써 이후 제공되는 솔더 크림과의 리플로우 솔더링 공정이 용이하다.In addition, the external electrodes 120, 130, 220, 230 and the metal layers 310, 320 are formed using silver (Ag) paste, thereby forming the metal layers 310 on the external electrode pairs 120, 220 and 130, 230. , 320, there is no problem in oxidation, melting temperature and bonding force, and further, by using tin in the outermost layers of the metal layers 310 and 320, the reflow soldering process with the solder cream provided thereafter is easy.

또한, 내열 절연 접착제(330)에 의해 더욱 신뢰성 있는 기구적 접합을 가질 수 있다.In addition, the heat-resistant insulating adhesive 330 may have a more reliable mechanical bonding.

또한, 표면 실장에 의한 통상의 솔더 크림과의 리플로우 솔더링 온도인 280℃ 이하의 온도에서 외부전극(120, 130, 220, 230), 내열 절연 접착제(330) 및 금속층(310, 320)은 신뢰성 있는 전기적 및 기구적 접착을 유지하므로, 세라믹 칩 부 품(20)은 신뢰성 있는 전기적 및 기구적 성능을 갖는다.In addition, the external electrodes 120, 130, 220, 230, the heat-resistant insulating adhesive 330, and the metal layers 310, 320 are reliable at a temperature of 280 ° C. or lower, which is a reflow soldering temperature with a conventional solder cream by surface mounting. Since maintaining electrical and mechanical adhesion, the ceramic chip component 20 has reliable electrical and mechanical performance.

< 세라믹 베이스(110, 210)><Ceramic Bases 110 and 210>

세라믹 베이스(110, 210)는 사전에 제조되어 선별된 소성된 것으로, 인덕터, 커패시터, 저항, 바리스터, 서미스터, 비드, 3 단자 필터 또는 압전체 성능 중 어느 하나를 가질 수 있다.The ceramic bases 110 and 210 are pre-manufactured and screened, and may have any one of an inductor, a capacitor, a resistor, a varistor, a thermistor, a bead, a three terminal filter, or a piezoelectric performance.

세라믹 베이스(110, 210)의 재료가 반도체성인 경우 부식 방지 등을 위하여 반도체성 재료 위에는 절연막이 형성된다.When the material of the ceramic bases 110 and 210 is semiconducting, an insulating film is formed on the semiconducting material to prevent corrosion.

세라믹 베이스(110, 210)의 재료와 제조 기술은 통상의 세라믹 칩 부품에 사용되는 세라믹 베이스의 재료 및 제조 기술과 동일 또는 유사하며, 세라믹 베이스(110, 210)에 형성된 외부전극(120, 130)(220, 230)을 통하여 사전에 검수 선별된다.The materials and manufacturing techniques of the ceramic bases 110 and 210 are the same as or similar to those of the ceramic bases used in the conventional ceramic chip parts, and the external electrodes 120 and 130 formed on the ceramic bases 110 and 210 are formed. Inspection 220 is selected in advance through (220, 230).

세라믹 베이스(110, 210)는 육면체 형상이며 상하면이 수평을 이루어 표면 실장에 적합하다. 또한, 바람직하게, 세라믹 베이스(110, 210) 위에는 절연 코팅, 전기 배선 또는 전기저항이 형성될 수 있다.The ceramic bases 110 and 210 have a hexahedron shape, and the upper and lower surfaces thereof are horizontal to be suitable for surface mounting. In addition, an insulation coating, an electrical wiring, or an electrical resistance may be formed on the ceramic bases 110 and 210.

또는, 세라믹 베이스(110, 210)는 기계적 강도를 갖기 위하여 절연 세라믹 베이스일 수 있으며, 이때 절연 세라믹 베이스 위에는 인덕터 또는 서미스터 등의 반도체성 세라믹층이 형성될 수 있다. 세라믹 베이스(110,210) 위에 형성된 반도체성 세라믹층, 전기저항 또는 전기 배선은 필요한 경우에 트리밍하여 전기적 용량을 조정할 수 있다.Alternatively, the ceramic bases 110 and 210 may be insulated ceramic bases in order to have mechanical strength, and a semiconducting ceramic layer such as an inductor or thermistor may be formed on the insulated ceramic base. The semiconducting ceramic layer, electrical resistance, or electrical wiring formed on the ceramic bases 110 and 210 may be trimmed as necessary to adjust the electrical capacitance.

바람직하게, 세라믹 베이스(110, 210)의 크기는 동일 또는 유사하다.Preferably, the sizes of the ceramic bases 110, 210 are the same or similar.

바람직하게, 세라믹 칩 부품(20)에 사용되는 각각의 세라믹 베이스(110, 210)의 전기적 특성은 서로 다르다. 예를 들어, 세라믹 베이스(110, 210)는 칩 인덕터-칩 커패시터, 칩 인덕터-3단자 필터, 칩 인덕터-칩 바리스터, 칩 커패시터-칩 저항, 칩 바리스터-칩 저항, 또는 칩 서미스터- 칩 저항 중 어느 하나일 수 있다.Preferably, the electrical characteristics of each of the ceramic bases 110 and 210 used in the ceramic chip component 20 are different from each other. For example, the ceramic bases 110 and 210 may include a chip inductor-chip capacitor, a chip inductor-3 terminal filter, a chip inductor-chip varistor, a chip capacitor-chip resistor, a chip varistor-chip resistor, or a chip thermistor-chip resistor. It can be either.

바람직하게, 세라믹 칩 부품(20)의 서로 다른 세라믹 베이스(110, 210)는 외부전극(120, 130)(220, 230)에 형성된 금속층(310, 320)에 의해 전기적으로 연결된다.Preferably, different ceramic bases 110 and 210 of the ceramic chip component 20 are electrically connected to each other by metal layers 310 and 320 formed on the external electrodes 120 and 130 (220 and 230).

바람직하게, 보다 신뢰성 있는 기구적 접합을 위하여 또는 제조 공정을 원활하게 하기 위해 인접한 세라믹 베이스(110,120)는 내열 절연 접착제(330)에 의해 접착된다.Preferably, adjacent ceramic bases 110 and 120 are bonded by a heat resistant insulating adhesive 330 for more reliable mechanical bonding or to facilitate the manufacturing process.

바람직하게, 세라믹 베이스(110, 210)의 치수는, 가령 폭은 0.3 내지 5㎜, 높이는 0.25 내지 2㎜, 그리고 길이는 0.6 내지 6㎜의 치수를 구비할 수 있다. Preferably, the dimensions of the ceramic base 110, 210 may have dimensions of, for example, 0.3 to 5 mm in width, 0.25 to 2 mm in height, and 0.6 to 6 mm in length.

바람직하게, 세라믹 베이스(110, 210)는 내부전극을 내재한 적층(multilayer) 타입이거나 알루미나 기판 등의 절연 세라믹 기판 위에 반도체 세라믹 또는 전기 전도층이 형성된 것일 수 있다.Preferably, the ceramic base 110 or 210 may be a multilayer type having internal electrodes or a semiconductor ceramic or an electrically conductive layer formed on an insulating ceramic substrate such as an alumina substrate.

바람직하게 세라믹 베이스(110, 210)는 내부전극을 구비하거나 구비하지 않을 수 있으며, 내부전극을 구비하는 경우 내부전극은 외부전극(120, 130)(220, 230)에 전기적으로 연결된다. 세라믹 베이스(110, 210)의 내부에 도시되지 않은 내부전극을 구비하는 경우 정밀한 전기적 특성을 제공하기 용이하며 또한 전기적 용 량을 크게 할 수 있다. Preferably, the ceramic bases 110 and 210 may or may not have internal electrodes, and when the internal electrodes are provided, the internal electrodes are electrically connected to the external electrodes 120 and 130 (220 and 230). In the case where the internal electrodes (not shown) are provided inside the ceramic bases 110 and 210, it is easy to provide precise electrical characteristics and the electrical capacity can be increased.

이와 같이, 세라믹 베이스(110, 210)는 각자 서로 다른 전기적 성능을 갖고,적층이 용이하며, 표면 실장이 가능하다.As such, the ceramic bases 110 and 210 have different electrical performances, and are easy to stack, and may be surface mounted.

<외부전극(120, 130)(220, 230)><External electrodes 120, 130 (220, 230)>

세라믹 베이스(110, 210)의 양 측면에 형성된 외부전극(120, 130, 220, 230)은 세라믹 베이스(110, 210)의 내부전극과 연결되어 세라믹 베이스(110, 210)의 전기적 특성을 외부전극(120, 130)(220, 230)을 통하여 외부의 전기 회로에 전달하는 역할을 한다.The external electrodes 120, 130, 220, and 230 formed on both sides of the ceramic base 110 and 210 are connected to the internal electrodes of the ceramic bases 110 and 210 so that the electrical characteristics of the ceramic bases 110 and 210 are external electrodes. (120, 130) serves to deliver to the external electrical circuit through (220, 230).

바람직하게, 각각의 외부전극(120, 130)(220, 230)의 재료, 형태 및 제조 방법은 동일 또는 유사하며 두께는 0.05㎜ 이하이다.Preferably, the material, form and manufacturing method of each of the external electrodes 120 and 130 (220 and 230) are the same or similar and have a thickness of 0.05 mm or less.

바람직하게, 외부전극(120, 130)(220, 230)의 재료와 제조 방법은 통상의 세라믹 칩 부품에 사용되는 재료 및 제조 기술과 동일 또는 유사하나, 외부전극(120, 130)(220, 230)은 금속층(310, 320)이 용이하게 형성되게끔 가능한 얇은 두께를 가져야 하며 또한 금속층(310, 320)이 형성되는 온도를 만족해야 한다. Preferably, the materials and manufacturing methods of the external electrodes 120 and 130 (220 and 230) are the same as or similar to those used in the conventional ceramic chip components and manufacturing techniques, but the external electrodes 120 and 130 (220 and 230) may be used. ) Should have a thickness as thin as possible so that the metal layers 310 and 320 can be easily formed and satisfy the temperature at which the metal layers 310 and 320 are formed.

가령, 외부전극(120, 130)(220, 230)은 세라믹 베이스(110,120)의 양단에 유리 가루와 Ag 파우더가 혼합된 Ag-Glass 페이스트에 디핑한 후 약 600℃ 정도에서 파이어링(Firing)하여 형성하고, 이 위에 용융 온도가 낮은 주석층은 형성하지 않는다.For example, the external electrodes 120 and 130 (220 and 230) are dipped into Ag-Glass paste in which glass powder and Ag powder are mixed at both ends of the ceramic base 110 and 120, and then fired at about 600 ° C. It forms and the tin layer with low melting temperature is not formed on it.

바람직하게, 외부전극(120, 130, 220, 230)은 적어도 은(Ag) 페이스트, 예를 들어 Ag-Glass 또는 300℃ 정도에서 경화되는 Ag-Epoxy를 적용하여 형성된다.Preferably, the external electrodes 120, 130, 220, 230 are formed by applying at least silver (Ag) paste, for example Ag-Glass or Ag-Epoxy cured at about 300 ° C.

이와 같이 형성되는 외부 전극(120, 130)(220, 230)은 두께가 얇고 또한 금속층(310, 320)이 외부 전극(120, 130)(220, 230)을 감싸며 형성할 때 제공되는 파이어링 또는 경화 조건을 만족시킨다.The external electrodes 120 and 130 (220 and 230) formed as described above have a thin thickness and are provided with firing provided when the metal layers 310 and 320 surround the external electrodes 120 and 130 (220 and 230). Satisfy the curing conditions.

바람직하게, 금속층(310, 320)이 신뢰성 있게 형성되기 위해, 각각의 세라믹 베이스(110, 210)의 양 측면에 형성된 각각의 외부전극(120, 130)(220, 230)의 크기는 동일하거나 유사하다.Preferably, in order for the metal layers 310 and 320 to be reliably formed, the sizes of the respective external electrodes 120 and 130 (220 and 230) formed on both sides of each ceramic base 110 and 210 are the same or similar. Do.

이와 같이, 외부전극(120, 130, 220, 230)의 금속 재료로 적어도 은(Ag)을 적용함으로써, 외부전극(120, 130, 220, 230) 위에 금속층(310, 320)을 형성할 때, 산화, 용융온도 및 내부전극과의 문제가 없다.As such, when at least silver (Ag) is applied to the metal material of the external electrodes 120, 130, 220, and 230, the metal layers 310 and 320 are formed on the external electrodes 120, 130, 220, and 230. There is no problem with oxidation, melting temperature and internal electrode.

또한, 외부전극(120, 130, 220, 230)은 얇은 두께를 가지므로 세라믹 베이스(110, 210)를 적층하여 배열하기 용이하다.In addition, since the external electrodes 120, 130, 220, and 230 have a thin thickness, the ceramic bases 110 and 210 may be easily stacked and arranged.

도 2에는 예시되지 않았지만 세라믹 베이스(110, 210)의 중앙에는 접지를 목적으로 하는 외부 전극인 접지 단자가 형성될 수 있다.Although not illustrated in FIG. 2, a ground terminal, which is an external electrode for the purpose of grounding, may be formed in the center of the ceramic bases 110 and 210.

이 경우 단일 세라믹 칩 부품은 3 단자 필터일 수 있다.In this case, the single ceramic chip component may be a three terminal filter.

<금속층(310, 320)><Metal layers 310 and 320>

세라믹 베이스(110, 210)의 양 측면에 형성된 외부전극 쌍(120, 220)과 (130, 230)을 감싸며 형성된 다층 구조로 이루어진 금속층(310, 320)은 외부전극 쌍 (120, 220)과 (130, 230)을 전기적 및 기구적으로 신뢰성 있게 접착하며 연결한 다.The metal layers 310 and 320 having a multilayer structure formed to surround the external electrode pairs 120 and 220 and the 130 and 230 formed on both sides of the ceramic base 110 and 210 may have the external electrode pairs 120 and 220 and ( 130, 230) are electrically and mechanically reliably bonded and connected.

바람직하게, 금속층(310, 320)의 용융점은 세라믹 칩 부품(20)이 PCB 위에 장착되어 리플로우 솔더링될 때 사용되는 솔더 크림의 용융 온도보다는 같거나 높고, 외부전극(120, 130, 220, 230)의 용융 온도보다는 낮거나 같다.Preferably, the melting point of the metal layers 310 and 320 is equal to or higher than the melting temperature of the solder cream used when the ceramic chip component 20 is mounted on the PCB and reflow soldered, and the external electrodes 120, 130, 220, 230 Lower than or equal to the melting temperature of

바람직하게, 금속층(310, 320)은 외부전극 쌍(120, 130)과 (220, 230)에만 형성된다. 이때, 외부전극 쌍 (120, 220)과 (130, 230) 사이의 간극이 많은 부분에는 금속 페이스트가 더 많이 침입하여 외부전극 쌍(120, 220)과 (130, 230)은 금속층(1310, 1320)에 의해 더욱 견고하게 접착될 수 있다.Preferably, the metal layers 310 and 320 are formed only on the external electrode pairs 120 and 130 and 220 and 230. At this time, more metal paste penetrates into the portion having a large gap between the external electrode pairs 120, 220 and 130, 230, so that the external electrode pairs 120, 220 and 130, 230 have a metal layer 1310, 1320. Can be more firmly bonded.

바람직하게, 금속층(310)과 금속층(320)은 동일 재료 및 동일 제조 방법으로 형성되며 가능한 동일한 모양을 갖는다.Preferably, the metal layer 310 and the metal layer 320 are formed of the same material and the same manufacturing method and have the same shape as possible.

바람직하게, 금속층(310, 320)은 적어도 은 페이스트, 예를 들어, Ag-Epoxy에 디핑되어 경화된 후, 이 위에 니켈 및 주석이 도금되어 형성되는 다층 구조로 이루어진다.Preferably, the metal layers 310 and 320 have a multi-layered structure formed by dipping at least a silver paste, for example Ag-Epoxy, and hardening them, and then plating nickel and tin thereon.

바람직하게, 금속층(310, 320)은 외부전극으로부터 Ag-Ni-Sn으로 순차적으로 이루어진다.Preferably, the metal layers 310 and 320 are sequentially formed of Ag—Ni—Sn from an external electrode.

이와 같이, 외부전극 쌍(120, 220)과 (130, 230)에 접촉하는 금속층(310, 320)의 금속 재료는 Ag이고, 외부로 노출되는 최 외부의 금속층(310, 320)의 금속 재료는 Sn이므로, 금속층(310, 320) 내부의 Ag는 외부전극 쌍(120, 220)과 (130, 230)에 신뢰성 있는 전기적 및 기구적 접합을 제공하고 최 외부의 주석층은 솔더 크림에 의한 리플로우 솔더링이 용이하다.As such, the metal material of the metal layers 310 and 320 in contact with the external electrode pairs 120 and 220 and 130 and 230 is Ag, and the metal material of the outermost metal layers 310 and 320 exposed to the outside is Ag. As Sn, the Ag inside the metal layers 310, 320 provides reliable electrical and mechanical bonding to the external electrode pairs 120, 220 and 130, 230 and the outermost tin layer is reflowed by solder cream. Easy to solder

또한, 금속층(310, 320)을 형성하는 온도 조건은 외부전극(120, 230, 220, 230)과 세라믹 베이스(110, 210)에 전기적 및 기구적 영향을 주지 않는다.In addition, the temperature conditions for forming the metal layers 310 and 320 do not have an electrical and mechanical influence on the external electrodes 120, 230, 220, and 230 and the ceramic bases 110 and 210.

또한, 금속층(310, 320)은 세라믹 베이스(110, 210)에는 제공되지 않고, 외부전극 쌍(120, 130)과 (220, 230)에만 제공되므로, 세라믹 칩 부품(20)은 원래 각각 세라믹 베이스(110, 220)가 갖고 있는 전기적 성능을 병렬로 연결한 성능을 갖는다.In addition, since the metal layers 310 and 320 are not provided to the ceramic bases 110 and 210, but are provided only to the external electrode pairs 120 and 130 and 220 and 230, the ceramic chip components 20 are originally respectively ceramic bases. It has the performance of connecting the electrical performance of (110, 220) in parallel.

<내열 절연 접착제(330)><Heat-resistant insulating adhesive 330>

내열 절연 접착제(330)는 세라믹 베이스(110, 210) 사이에 인쇄 또는 디스펜싱에 의해 개재된 후 경화, 예를 들어, 열 경화에 의해 형성되어 세라믹 베이스(110, 210)를 서로 접착시킨다.The heat resistant insulating adhesive 330 is formed by printing or dispensing between the ceramic bases 110 and 210 and then formed by curing, for example, thermal curing, to bond the ceramic bases 110 and 210 to each other.

내열 절연 접착제(330)는 열에 의해 용융되지 않는 열 경화성 접착제로, 신뢰성 있는 전기 접촉을 위해 외부전극(120, 130)(220, 230)에는 개재되지 않는다.The heat resistant insulating adhesive 330 is a heat curable adhesive that is not melted by heat, and is not interposed between the external electrodes 120, 130, 220, 230 for reliable electrical contact.

바람직하게, 내열 절연 접착제는 에폭시 접착제, 탄성 고무 접착제 또는 유리 접착제 중 어느 하나일 수 있다.Preferably, the heat resistant insulating adhesive may be any one of an epoxy adhesive, an elastic rubber adhesive or a glass adhesive.

바람직하게, 내열 절연 접착제(330)의 두께는 외부전극(120, 130, 220, 230)의 두께와 유사하다.Preferably, the thickness of the heat resistant insulating adhesive 330 is similar to the thickness of the external electrodes 120, 130, 220, and 230.

바람직하게, 내열 절연 접착제(330)는 금속층(310, 320)이 형성되기 전에 형성한다.Preferably, the heat resistant insulating adhesive 330 is formed before the metal layers 310 and 320 are formed.

이와 같은 열 경화성 내열 절연 접착제에 의해 세라믹 칩 부품(20)은 더욱 신뢰성 있는 접착강도를 갖는다.By such a heat curable heat-resistant insulating adhesive, the ceramic chip component 20 has a more reliable adhesive strength.

또한, 외부전극 쌍(120, 220)과 (130, 230)에 금속층(310, 320)을 경제성 있게 형성하기 위한 기구적 강도를 제공한다.In addition, it provides mechanical strength to economically form the metal layers 310 and 320 on the external electrode pairs 120 and 220 and 130 and 230.

상기한 복합 세라믹 칩 부품(20)은 다음과 같은 장점을 갖는다. The composite ceramic chip component 20 has the following advantages.

1) 이미 제조되어 검사 완료된 서로 다른 각각의 전기적 성능을 갖는 2개 이상의 단일 세라믹 칩 부품들을 경제성 있게 하나의 세라믹 칩 부품으로 만들어 또 다른 전기적 성능을 제공한다.1) Two or more single ceramic chip parts having different electrical performances already manufactured and tested are economically made into one ceramic chip part to provide another electrical performance.

2) 세라믹 베이스 및 외부전극에 영향을 주지 않으며 또한 리플로우 솔더링이 가능한 다층 구조로 이루어진 금속층으로 외부전극을 전기적 및 기구적으로 접착하여 생산성이 좋다.2) It is a metal layer made of a multilayer structure that does not affect the ceramic base and the external electrode and is capable of reflow soldering.

3) 금속층은 외부전극에만 형성되므로 각각의 세라믹 칩 부품은 원래의 전기적 성능을 유지한다.3) Since the metal layer is formed only on the external electrode, each ceramic chip component maintains its original electrical performance.

4) 세라믹 칩 베이스를 내열 절연 접착제로 접착하여 더욱 신뢰성 있는 접착력을 제공한다.4) The ceramic chip base is bonded with a heat-resistant insulating adhesive to provide more reliable adhesion.

5) 하나의 복합 세라믹 칩 부품이 PCB 기판 위에 장착되므로, 여러 개의 단일 세라믹 칩 부품을 실장하여 동일 또는 유사한 전기적 성능을 구현하는 것보다 PCB 면적이 절약되고 생산성이 향상된다.5) Since one composite ceramic chip component is mounted on the PCB board, PCB area is saved and productivity is improved compared to mounting multiple single ceramic chip components to achieve the same or similar electrical performance.

6) 두께가 낮은 단일 세라믹 칩 부품 위에 다른 성능의 단일 세라믹 칩 부품이 경제성 있게 접착되어 PCB의 동일한 장착 면적에서 최대의 전기적 용량을 제공 할 수 있다.6) A single ceramic chip component of different performance can be economically bonded onto a single low-thickness ceramic chip component to provide maximum electrical capacity at the same mounting area of the PCB.

6) 복합 세라믹 칩 부품의 상하면이 수평을 이루어 표면 실장이 가능하다.6) The upper and lower surfaces of the composite ceramic chip parts are horizontal to allow surface mounting.

7) 내부전극에 의해 더욱 큰 전기적 용량을 얻을 수 있고, 또한 더욱 정밀한 전기적 특성의 구현이 가능하다. 7) A larger electrical capacity can be obtained by the internal electrode, and more precise electrical characteristics can be realized.

도 3은 도 2의 일 실시 예에 따른 세라믹 칩 부품(20)의 등가 회로이다.3 is an equivalent circuit of the ceramic chip component 20 according to the exemplary embodiment of FIG. 2.

제 2 실시 예Second Embodiment

도 4는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 복합 세라믹 칩 부품(30)을 나타내는 사시도이다.4 is a perspective view illustrating a composite ceramic chip component 30 according to a second embodiment of the present invention.

제 2 실시 예에 따르면, 단일 세라믹 칩 부품(100, 200)은 각각 세라믹 베이스(110, 210)의 양측에 외부전극(120, 130)(220, 230)을 구비하며, 세라믹 베이스(110, 210)가 평면상에 폭 방향으로 나란히 배치되어 내열 절연 접착제(330)에 의해 접착된 상태에서 대향하는 외부전극 쌍(120, 220)(130, 230)이 다층 구조로 이루어진 금속층(310, 320)에 의해 병렬 회로를 이루며 기구적으로 접합된다. According to the second embodiment, the single ceramic chip component 100, 200 has external electrodes 120, 130, 220, 230 on both sides of the ceramic base 110, 210, respectively, and the ceramic base 110, 210. ) Are arranged side by side in the width direction on a plane and the pair of opposing external electrodes 120, 220, 130, 230 are bonded to the metal layers 310, 320 having a multilayer structure in a state where they are bonded by the heat resistant insulating adhesive 330. By a parallel circuit and mechanically joined.

바람직하게 금속층(310, 320)은 외부전극 쌍(120, 220)(130, 230) 위에 Ag-Epoxy가 디핑되고 경화된 후 그 위에 니켈 및 주석이 도금되어 형성된다.Preferably, the metal layers 310 and 320 are formed by dipping and curing Ag-Epoxy on the external electrode pairs 120 and 220 (130 and 230) and plating nickel and tin thereon.

이 실시 예에서는, 도 2와 달리 외부전극 쌍(120, 220)(130, 230)이 금속층(310, 320)에 의해 감싸지는 구조를 갖는다.In this embodiment, unlike in FIG. 2, the external electrode pairs 120, 220, 130, and 230 are surrounded by the metal layers 310 and 320.

이 실시 예에 의하면, 가령 하나의 칩 커패시터와 하나의 칩 인덕터를 단일 세라믹 칩 부품(100, 200)으로 적용한 경우, 도 2의 제 1 실시 예와 같이 LC 필터 의 역할을 한다.According to this embodiment, for example, when one chip capacitor and one chip inductor are applied as a single ceramic chip component 100 or 200, the LC filter functions as in the first embodiment of FIG. 2.

제 3 실시 예Third Embodiment

도 5는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 복합 세라믹 칩 부품(40)을 나타내는 사시도이다.5 is a perspective view illustrating a composite ceramic chip component 40 according to a third embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 복합 세라믹 칩 부품(40)은 단일 세라믹 칩 부품(100, 400)을 상하 적층한 상태에서 다층 구조로 이루어진 금속층(310, 320)으로 외부전극을 쌍으로 전기적 및 기구적으로 연결하고, 내열 절연 접착제(330)로 세라믹 베이스(110, 410)를 접착하여 구성한다. Referring to FIG. 5, the composite ceramic chip component 40 is a metal layer 310 or 320 having a multilayer structure in a state in which single ceramic chip components 100 and 400 are stacked up and down, and the external electrodes are electrically and mechanically paired. The ceramic base 110 and 410 are bonded to each other by a heat-resistant insulating adhesive 330.

여기서, 단일 세라믹 칩 부품(100)은 육면체 형상으로 전기적 특성을 갖는 세라믹 베이스(110), 세라믹 베이스(110)의 대향하는 양측에 형성된 외부전극(120, 130)으로 구성되고, 단일 세라믹 칩 부품(400)은 육면체 형상으로 전기적 특성을 갖는 세라믹 칩 베이스(410), 세라믹 베이스(410)의 대향하는 양측에 형성된 외부전극(420, 430) 및 길이방향 중간 부분에 대향하는 양측에 형성된 접지 전극(440)으로 구성된다.Here, the single ceramic chip component 100 is composed of a ceramic base 110 having electrical properties in a hexahedral shape, and external electrodes 120 and 130 formed on opposite sides of the ceramic base 110. 400 is a hexahedral shape of the ceramic chip base 410 having electrical characteristics, external electrodes 420 and 430 formed on opposite sides of the ceramic base 410, and ground electrodes 440 formed on both sides facing the middle portion in the longitudinal direction. It is composed of

바람직하게, 세라믹 칩 부품(100)이 인덕터이고 세라믹 칩 부품(400)은 접지전극이 형성된 3 단자 커패시터일 수 있다.Preferably, the ceramic chip component 100 may be an inductor and the ceramic chip component 400 may be a three-terminal capacitor having a ground electrode.

바람직하게 세라믹 칩 부품(40) 이면에 형성된 접지 전극(440)은 PCB의 접지패턴 위에서 솔더링된다.Preferably, the ground electrode 440 formed on the back surface of the ceramic chip component 40 is soldered on the ground pattern of the PCB.

바람직하게, 접지 전극(440)은 세라믹 베이스(110, 210)에 내재된 내부 전극 의 접지와 전기적으로 연결되며, 접지 전극(440)의 외부층은 금속층(310, 320)과 동일하다.Preferably, the ground electrode 440 is electrically connected to the ground of the internal electrode embedded in the ceramic bases 110 and 210, and the outer layer of the ground electrode 440 is the same as the metal layers 310 and 320.

도 6은 상기의 실시 예를 통하여 구현할 수 있는 복합 세라믹 칩 부품의 등가 회로의 다른 예를 나타낸다.6 illustrates another example of an equivalent circuit of a composite ceramic chip component that may be implemented through the above embodiments.

도 6을 참조하면, 하나의 세라믹 칩 서미스터와 하나의 세라믹 칩 저항을 병렬로 전기적 및 기구적으로 연결하여 구현한 복합 세라믹 칩 부품의 등가 회로이다. 여기서, 칩 서미스터는 NTC 칩 서미스터일 수 있다.Referring to FIG. 6, an equivalent circuit of a composite ceramic chip component implemented by electrically and mechanically connecting one ceramic chip thermistor and one ceramic chip resistor in parallel. Here, the chip thermistor may be an NTC chip thermistor.

복합 세라믹 칩 부품(20)의 제조 방법Manufacturing Method of Composite Ceramic Chip Component 20

먼저, 대향하는 양 측면에 외부전극(120, 130)(220, 230)이 형성되고 각각 다른 전기적 특성을 구비하며 상하면이 수평인 사전에 소성된 단일 세라믹 칩 부품(100, 200)을 준비하여 배열한다.First, external electrodes 120 and 130 (220 and 230) are formed on opposing sides, each having a different electrical characteristic, and prepared by arranging pre-fired single ceramic chip parts 100 and 200 having a horizontal top and bottom. do.

다음, 세라믹 칩 부품(200)을 연속적으로 일정하게 배열하고, 그 세라믹 베이스(210) 위에 내열 절연 접착제 페이스트를 외부전극(120, 130, 220, 230)의 두께와 유사하게 인쇄한다.Next, the ceramic chip component 200 is continuously and continuously arranged, and the heat-resistant insulating adhesive paste is printed on the ceramic base 210 similarly to the thickness of the external electrodes 120, 130, 220, and 230.

바람직하게, 절연 내열 접착제 페이스트는 내열 실리콘 고무 접착제이고 두께는 0.05mm 이하이다. Preferably, the insulating heat resistant adhesive paste is a heat resistant silicone rubber adhesive and has a thickness of 0.05 mm or less.

이어, 내열 절연 접착제 페이스트 위에 세라믹 칩 부품(100)의 세라믹 베이스(110)를 정렬하여 적층한다. 이에 따라, 세라믹 칩 부품(100)의 세라믹 베이스(110, 210) 사이에는 내열 절연 접착제 페이스트가 개재된다.Subsequently, the ceramic base 110 of the ceramic chip component 100 is aligned and laminated on the heat resistant insulating adhesive paste. Accordingly, a heat resistant insulating adhesive paste is interposed between the ceramic bases 110 and 210 of the ceramic chip component 100.

이 상태에서, 내열 절연 접착제 페이스트를 약 280 도 이내에서 열처리하고 경화하여, 세라믹 베이스(110, 210)가 서로 기구적으로 접착되도록 하면서, 세라믹 칩 부품(100)의 외부전극(120, 130)과 세라믹 칩 부품(200)의 외부전극(220, 230)이 전기적 및 기구적으로 연결되도록 한다.In this state, the heat-resistant insulating adhesive paste is heat-treated and cured within about 280 degrees, so that the ceramic bases 110 and 210 are mechanically bonded to each other, and the external electrodes 120 and 130 of the ceramic chip component 100 and the like. The external electrodes 220 and 230 of the ceramic chip component 200 are electrically and mechanically connected.

이어, 외부전극 쌍(120, 220)과 (130, 230) 위에 Ag- Epoxy를 각각 디핑하고 약 300 도에서 경화한 후, 이 위에 각각 니켈 및 주석을 도금하여, 인접하는 상기 외부전극(120, 220)(130, 230)이 병렬 회로를 이루며 기구적으로 상호 접착하는 다층 구조로 이루어진 금속층을 형성한다. Subsequently, Ag-Epoxy is dipped on the external electrode pairs 120 and 220 and 130 and 230, respectively, and cured at about 300 degrees. Then, nickel and tin are plated on the external electrode pairs 120 and 220, respectively. 220) (130, 230) forms a parallel circuit and forms a metal layer of a multi-layer structure that is mechanically bonded to each other.

이어, 외부전극(120, 130)(220, 230)을 통해 복합 세라믹 칩 부품(20)의 전기적 특성을 검사한다.Subsequently, the electrical characteristics of the composite ceramic chip component 20 are inspected through the external electrodes 120 and 130 (220 and 230).

이상에서는 본 발명의 실시 예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경과 변형이 가능하다. 가령, 또 다른 전기적 성능을 갖는 제 3 세라믹 베이스의 외부전극을 본 발명의 세라믹 칩 부품의 외부전극과 전기적 및 기구적으로 연결한 또 다른 전기적 성능을 갖는 표면 실장이 가능한 세라믹 칩 부품을 제공할 수 있다. 따라서, 본 발명의 권리범위는 상기의 실시 예에 한정되어서는 안 되며, 이하에 기재되는 특허청구범위에 의해 판단되어야 한다.In the above description, the embodiments of the present invention have been described. However, various changes and modifications can be made by those skilled in the art. For example, it is possible to provide a ceramic chip component capable of surface mounting having another electrical performance by electrically connecting the external electrode of the third ceramic base having another electrical performance with the external electrode of the ceramic chip component of the present invention. have. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the above embodiments, but should be determined by the claims described below.

도 1은 통상의 표면 실장용 단일 세라믹 칩 부품(10), 예를 들어 세라믹 칩 커패시터를 나타낸다.1 shows a conventional surface mount single ceramic chip component 10, for example a ceramic chip capacitor.

도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 복합 세라믹 칩 부품(20)을 나타내는 사시도이다.2 is a perspective view illustrating a composite ceramic chip component 20 according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 복합 세라믹 칩 부품의 등가 회로이다.3 is an equivalent circuit of the composite ceramic chip component of FIG. 2.

도 4는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 복합 세라믹 칩 부품(30)을 나타내는 사시도이다.4 is a perspective view illustrating a composite ceramic chip component 30 according to a second embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 복합 세라믹 칩 부품(40)을 나타내는 사시도이다.5 is a perspective view illustrating a composite ceramic chip component 40 according to a third embodiment of the present invention.

도 6은 상기의 실시 예를 통하여 구현할 수 있는 복합 세라믹 칩 부품의 등가 회로의 다른 예들을 나타낸다.6 illustrates other examples of an equivalent circuit of a composite ceramic chip component that may be implemented through the above embodiments.

Claims (17)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 하나의 전기적 특성을 갖는 단일 세라믹 칩 부품의 세라믹 베이스 위에 내열 절연 접착제 페이스트를 형성하는 단계; Forming a heat resistant insulating adhesive paste on the ceramic base of the single ceramic chip component having one electrical property; 상기 내열 절연 접착제 페이스트 위에 다른 전기적 특성을 갖는 단일 세라믹 칩 부품의 세라믹 베이스를 정렬하여 적층하는 단계;Aligning and stacking a ceramic base of a single ceramic chip component having different electrical characteristics on the heat resistant insulating adhesive paste; 적층된 상태에서, 상기 내열 절연 접착제 페이스트를 경화하여, 상기 세라믹 베이스가 상호 기구적으로 접착되도록 하고, 상기 세라믹 칩 부품의 외부전극들을 상호 전기적 및 기구적으로 연결하는 단계; Curing the heat-resistant insulating adhesive paste in a stacked state to mechanically bond the ceramic base to each other, and electrically and mechanically connecting external electrodes of the ceramic chip component; 상기 각 세라믹 칩 부품의 외부전극에 걸쳐 금속 페이스트를 디핑하고 열처리하여 인접하는 외부전극들이 병렬로 연결되고 기구적으로 상호 접착하는 금속층을 형성하는 단계; 및 Dipping and heat treating the metal paste over the external electrodes of the ceramic chip parts to form a metal layer in which adjacent external electrodes are connected in parallel and mechanically bonded to each other; And 상기 금속층을 통해 제작된 복합 세라믹 칩 부품의 전기적 특성을 검사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 실장 가능한 복합 세라믹 칩 부품의 제조방법.The method of manufacturing a surface-mountable composite ceramic chip component comprising the step of inspecting the electrical properties of the composite ceramic chip component produced through the metal layer. 삭제delete
KR1020080108854A 2008-11-04 2008-11-04 Complex Ceramic Chip Component capable for surface-mounting KR101031111B1 (en)

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