KR101017443B1 - 비휘발성 메모리 시스템내 에러 수정 코드용 하이브리드구현 - Google Patents
비휘발성 메모리 시스템내 에러 수정 코드용 하이브리드구현 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101017443B1 KR101017443B1 KR1020030075140A KR20030075140A KR101017443B1 KR 101017443 B1 KR101017443 B1 KR 101017443B1 KR 1020030075140 A KR1020030075140 A KR 1020030075140A KR 20030075140 A KR20030075140 A KR 20030075140A KR 101017443 B1 KR101017443 B1 KR 101017443B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- block
- data
- indicator
- error detection
- algorithm
- Prior art date
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 150
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 82
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 27
- 230000004044 response Effects 0.000 claims 8
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 39
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 12
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 10
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000009643 growth defect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000010267 cellular communication Effects 0.000 description 1
- 238000013523 data management Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004193 electrokinetic chromatography Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
- G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Debugging And Monitoring (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Detection And Correction Of Errors (AREA)
Abstract
Description
Claims (45)
- 메모리 시스템의 비휘발성 메모리(124;174)내에 데이터를 저장하는 방법으로서,데이터가 저장될 제 1 블록을 식별하는 단계(204);상기 제 1 블록과 관련된 지시자를 얻는 단계(208) - 상기 지시자는 상기 제1 블럭의 신뢰도를 나타내는 값을 가짐 - ;기준을 충족시키는 상기 제1 블럭과 연관된 상기 지시자에 응답하여(212), 제1 에러 검출 알고리즘을 사용하여 저장될 상기 데이터를 인코딩하고(224), 상기 제1 에러 검출 알고리즘을 사용하여 인코딩된 데이터를 상기 제1 블럭에 기록하는 단계(228); 및상기 기준을 충족시키지 않는 상기 제1 블럭과 연관된 상기 지시자에 응답하여(212), 상기 제1 에러 검출 알고리즘보다 더 높은 에러 검출 능력을 갖는 제2 에러 검출 알고리즘을 사용하여 저장된 상기 데이터를 인코딩하고(216), 상기 제2 에러 검출 알고리즘을 사용하여 인코딩된 데이터를 상기 제1 블럭에 기록하는 단계(220)를 포함하는, 데이터 저장 방법.
- 제1항에 있어서,상기 지시자는 상기 블럭이 지워진 횟수에 대응하는 카운트(count)를 포함하고,상기 기준은 임계치 미만의 카운트를 갖는 상기 지시자를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 저장 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 지시자는 상기 블럭이 회수된(reclaimed) 블럭인지 여부를 나타내며,상기 기준은 상기 블럭이 회수된 블럭이 아님을 나타내는 지시자를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 저장 방법.
- 제1항에 있어서,데이터가 판독될 블럭으로서 상기 제1 블럭을 식별하는 단계(244);상기 제1 블럭과 관련된 상기 지시자를 획득하는 단계;상기 기준을 충족시키는 상기 지시자에 응답하여(252), 상기 제1 에러 검출 알고리즘을 사용하여 상기 데이터를 디코딩하는 단계(256); 및상기 기준을 충족시키지 않는 상기 지시자에 응답하여(252), 상기 제2 에러 검출 알고리즘을 사용하여 상기 데이터를 디코딩하는 단계(260)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 저장 방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서,상기 제 1 에러 검출 알고리즘은 1-비트 ECC 알고리즘이며, 상기 제 2 에러 검출 알고리즘은 2-비트 ECC 알고리즘인 것을 특징으로 하는 데이터 저장 방법.
- 제4항에 있어서,상기 지시자는 상기 제1 블럭이 회수된 블럭인지 여부를 나타내고,상기 기준은 상기 제1 블럭이 회수된 블럭이 아님을 나타내는 상기 지시자를 포함하며,상기 제1 블럭이 회수된 블럭일 때, 상기 지시자는 상기 제2 에러 검출 알고리즘을 사용하여 데이터가 인코딩되는 것을 나타내도록 추가로 배열되는 것을 특징으로 하는 데이터 저장 방법.
- 제4항에 있어서,상기 지시자는 상기 블럭이 지워진 횟수에 대응하는 카운트를 포함하고,상기 기준은 임계치 값 미만인 카운트를 갖는 상기 지시자를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 저장 방법.
- 제2항 또는 제7항에 있어서,상기 지시자는 상기 비휘발성 메모리의 물리적 블럭들이 지워진 평균 횟수에 대응하는 값을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 저장 방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서,상기 지시자는 상기 제1 블럭으로부터 분리된 데이터 구조물에 저장되며, 상기 블럭과 연관된 상기 지시자를 획득하는 단계는, 상기 데이터 구조물로부터 상기 지시자를 획득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 저장 방법.
- 제9항에 있어서,상기 비휘발성 메모리는 플래시 메모리인 것을 특징으로 하는 데이터 저장 방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서,플래시 메모리인 상기 비휘발성 메모리는 NAND 플래시 메모리 및 MLC NAND 플래시 메모리 중 하나인 것을 특징으로 하는 데이터 저장 방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서,상기 제1 및 제2 에러 검출 알고리즘 각각은 에러 검출 및 보정 알고리즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 저장 방법.
- 메모리 시스템(128;700)으로서,데이터가 저장될 제 1 블록을 포함하는 비휘발성 메모리(124;174);상기 제 1 블록을 식별하는 수단;상기 제 1 블록과 관련된 지시자를 획득하는 수단(724) - 상기 지시자는 상기 제1 블럭의 신뢰도를 나타내는 값을 가짐 - ;기준을 충족시키는 상기 제1 블럭과 관련된 상기 지시자에 응답하여, 제1 에러 검출 알고리즘을 사용하여 저장될 상기 데이터를 인코딩하는 수단;상기 기준을 충족시키지 않는 상기 지시자에 응답하여, 상기 제1 에러 검출 알고리즘보다 더 높은 에러 검출 능력을 갖는 제2 에러 검출 알고리즘을 사용하여 저장된 상기 데이터를 인코딩하는 수단; 및상기 인코딩된 데이터를 상기 제1 블럭에 기록하는 수단을 포함하는, 메모리 시스템.
- 제13항에 있어서,상기 식별하는 수단, 상기 획득하는 수단, 상기 인코딩하는 수단, 및 상기 기록하는 수단은 각각의 코드 디바이스들이고,상기 비휘발성 메모리는 상기 제1 블럭을 포함하는 다수의 블럭들을 더 포함하며,상기 코드 디바이스들을 저장하는 메모리 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 메모리 시스템.
- 제13항에 있어서,상기 지시자는 상기 블럭이 지워진 횟수에 대응하는 카운트(count)를 포함하고,상기 기준은 임계치 미만의 카운트를 갖는 상기 지시자를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 시스템.
- 제13항 또는 제15항에 있어서,상기 지시자는 상기 블럭이 회수된 블럭인지 여부를 나타내고,상기 기준은 상기 블럭이 회수된 블럭이 아님을 나타내는 상기 지시자를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 시스템.
- 제15항에 있어서,상기 지시자가 상기 임계치 미만의 카운트를 갖는지 여부를 결정하기 위한 코드 디바이스들을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 시스템.
- 제13항에 있어서,상기 비휘발성 메모리는 상기 제1 블럭 및 제2 블럭을 포함하는 다수의 블럭들들 포함하고, 상기 제1 블럭은 상기 제1 에러 검출 알고리즘을 사용하여 인코딩된 컨텐츠들의 제1 세트를 포함하고, 상기 제2 블럭은 상기 제2 에러 검출 알고리즘을 사용하여 인코딩된 컨텐츠들의 제2 세트를 포함하고,상기 비휘발성 메모리는 상기 컨텐츠들의 제1 세트가 상기 제1 에러 검출 알고리즘을 사용하여 인코딩되고, 상기 컨텐츠들의 제2 세트가 상기 제2 에러 검출 알고리즘을 사용하여 인코딩됨을 나타내도록 배열되는 데이터 구조물을 더 포함하며,상기 시스템은,상기 데이터 구조물에 액세스하기 위한 코드 디바이스들 - 상기 코드 디바이스들은 상기 컨텐츠들의 제1 세트가 상기 제1 에러 검출 알고리즘을 사용하여 인코딩되는 것을 결정하기 위한 코드 디바이스들, 및 상기 컨텐츠들의 제2 세트가 상기 제2 에러 검출 알고리즘을 사용하여 인코딩되는 것을 결정하기 위한 코드 디바이스들을 포함함 - ; 및상기 코드 디바이스들을 저장하는 메모리 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 시스템.
- 제13항에 있어서,상기 제1 블럭과 관련된 상기 지시자를 획득하는 수단;상기 기준을 충족시키는 상기 지시자에 응답하여 상기 제1 에러 검출 알고리즘을 사용하여 상기 제1 블럭으로부터 데이터를 디코딩하는 수단; 및상기 기준을 충족시키지 않는 상기 지시자에 응답하여 상기 제2 에러 검출 알고리즘을 사용하여 상기 제1 블럭으로부터 데이터를 디코딩하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 시스템.
- 제19항에 있어서,상기 비휘발성 메모리는 데이터를 포함하는 상기 제1 블럭을 갖는 다수의 블럭들을 포함하고;상기 획득하는 수단 및 상기 디코딩하는 수단은 코드 디바이스들이며;상기 시스템은, 상기 코드 디바이스들을 저장하는 메모리 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 시스템.
- 제19항 또는 제20항에 있어서,상기 지시자는 상기 블럭이 회수된(reclaimed) 블럭인지 여부를 나타내며,상기 기준은 상기 블럭이 회수된 블럭이 아님을 나타내는 지시자를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 시스템.
- 제19항에 있어서,상기 지시자는 상기 블럭이 지워진 횟수에 대응하는 카운트를 포함하며,상기 기준은 임계치 미만의 카운트를 갖는 상기 지시자를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 시스템.
- 제22항에 있어서,상기 지시자가 임계치 미만의 카운트를 갖는지 여부를 결정하는 코드 디바이스들을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 시스템.
- 제13항 또는 제19항에 있어서,상기 제1 에러 검출 알고리즘은 1-비트 ECC 알고리즘이며, 제 2 에러 검출 알고리즘은 2-비트 ECC 알고리즘인 것을 특징으로 하는 메모리 시스템.
- 제13항 또는 제19항에 있어서,상기 비휘발성 메모리는 NAND 플래시 메모리 및 MLC NAND 플래시 메모리 중 하나인 것을 특징으로 하는 메모리 시스템.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US42191102P | 2002-10-28 | 2002-10-28 | |
US60/421,911 | 2002-10-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040038711A KR20040038711A (ko) | 2004-05-08 |
KR101017443B1 true KR101017443B1 (ko) | 2011-02-25 |
Family
ID=32825088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030075140A KR101017443B1 (ko) | 2002-10-28 | 2003-10-27 | 비휘발성 메모리 시스템내 에러 수정 코드용 하이브리드구현 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8412879B2 (ko) |
EP (1) | EP1424631B1 (ko) |
JP (1) | JP4429685B2 (ko) |
KR (1) | KR101017443B1 (ko) |
CN (1) | CN1499532B (ko) |
AT (1) | ATE320041T1 (ko) |
DE (1) | DE60303895T2 (ko) |
Families Citing this family (141)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040083334A1 (en) * | 2002-10-28 | 2004-04-29 | Sandisk Corporation | Method and apparatus for managing the integrity of data in non-volatile memory system |
US7559004B1 (en) | 2003-10-01 | 2009-07-07 | Sandisk Corporation | Dynamic redundant area configuration in a non-volatile memory system |
US7383375B2 (en) | 2003-12-30 | 2008-06-03 | Sandisk Corporation | Data run programming |
EP1758027B1 (en) * | 2003-12-30 | 2010-07-14 | SanDisk Corporation | Non-volatile memory and method with control data management |
US7139864B2 (en) | 2003-12-30 | 2006-11-21 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory and method with block management system |
US7433993B2 (en) | 2003-12-30 | 2008-10-07 | San Disk Corportion | Adaptive metablocks |
JP4182928B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2008-11-19 | セイコーエプソン株式会社 | 情報処理装置、メモリ管理プログラムおよびメモリ管理方法 |
WO2006013529A1 (en) * | 2004-08-02 | 2006-02-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Data storage and replay apparatus |
US8341371B2 (en) * | 2005-01-31 | 2012-12-25 | Sandisk Il Ltd | Method of managing copy operations in flash memories |
GB2428496A (en) | 2005-07-15 | 2007-01-31 | Global Silicon Ltd | Error correction for flash memory |
US7509471B2 (en) | 2005-10-27 | 2009-03-24 | Sandisk Corporation | Methods for adaptively handling data writes in non-volatile memories |
US7631162B2 (en) | 2005-10-27 | 2009-12-08 | Sandisck Corporation | Non-volatile memory with adaptive handling of data writes |
CN101405810B (zh) * | 2006-01-20 | 2012-01-25 | 马维尔国际贸易有限公司 | 在闪存中用于纠错的方法和*** |
WO2007132456A2 (en) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with adaptive capacity |
WO2007132452A2 (en) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Anobit Technologies | Reducing programming error in memory devices |
US8050086B2 (en) | 2006-05-12 | 2011-11-01 | Anobit Technologies Ltd. | Distortion estimation and cancellation in memory devices |
WO2007132457A2 (en) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Anobit Technologies Ltd. | Combined distortion estimation and error correction coding for memory devices |
JP2007305267A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US7971071B2 (en) * | 2006-05-24 | 2011-06-28 | Walkoe Wilbur J | Integrated delivery and protection device for digital objects |
JP4842719B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2011-12-21 | 株式会社日立製作所 | ストレージシステム及びそのデータ保護方法 |
US7533328B2 (en) * | 2006-07-04 | 2009-05-12 | Sandisk Il, Ltd. | Method of error correction in a multi-bit-per-cell flash memory |
US8060806B2 (en) | 2006-08-27 | 2011-11-15 | Anobit Technologies Ltd. | Estimation of non-linear distortion in memory devices |
WO2008053472A2 (en) | 2006-10-30 | 2008-05-08 | Anobit Technologies Ltd. | Reading memory cells using multiple thresholds |
US7821826B2 (en) | 2006-10-30 | 2010-10-26 | Anobit Technologies, Ltd. | Memory cell readout using successive approximation |
US7440319B2 (en) * | 2006-11-27 | 2008-10-21 | Sandisk Corporation | Apparatus with segmented bitscan for verification of programming |
US7545681B2 (en) * | 2006-11-27 | 2009-06-09 | Sandisk Corporation | Segmented bitscan for verification of programming |
US7924648B2 (en) | 2006-11-28 | 2011-04-12 | Anobit Technologies Ltd. | Memory power and performance management |
WO2008068747A2 (en) * | 2006-12-03 | 2008-06-12 | Anobit Technologies Ltd. | Automatic defect management in memory devices |
US20080140918A1 (en) * | 2006-12-11 | 2008-06-12 | Pantas Sutardja | Hybrid non-volatile solid state memory system |
US9153337B2 (en) | 2006-12-11 | 2015-10-06 | Marvell World Trade Ltd. | Fatigue management system and method for hybrid nonvolatile solid state memory system |
US7593263B2 (en) * | 2006-12-17 | 2009-09-22 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with reduced reading latency |
US7900102B2 (en) * | 2006-12-17 | 2011-03-01 | Anobit Technologies Ltd. | High-speed programming of memory devices |
KR100842680B1 (ko) | 2007-01-08 | 2008-07-01 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치의 오류 정정 컨트롤러 및 그것을포함하는 메모리 시스템 |
US7751240B2 (en) | 2007-01-24 | 2010-07-06 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with negative thresholds |
US8151166B2 (en) | 2007-01-24 | 2012-04-03 | Anobit Technologies Ltd. | Reduction of back pattern dependency effects in memory devices |
JP4925301B2 (ja) * | 2007-02-07 | 2012-04-25 | 株式会社メガチップス | 半導体メモリシステム |
US8369141B2 (en) * | 2007-03-12 | 2013-02-05 | Apple Inc. | Adaptive estimation of memory cell read thresholds |
US8001320B2 (en) * | 2007-04-22 | 2011-08-16 | Anobit Technologies Ltd. | Command interface for memory devices |
WO2008139441A2 (en) | 2007-05-12 | 2008-11-20 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with internal signal processing unit |
US8234545B2 (en) * | 2007-05-12 | 2012-07-31 | Apple Inc. | Data storage with incremental redundancy |
US8904098B2 (en) | 2007-06-01 | 2014-12-02 | Netlist, Inc. | Redundant backup using non-volatile memory |
US8301833B1 (en) | 2007-06-01 | 2012-10-30 | Netlist, Inc. | Non-volatile memory module |
US8874831B2 (en) | 2007-06-01 | 2014-10-28 | Netlist, Inc. | Flash-DRAM hybrid memory module |
US7747903B2 (en) * | 2007-07-09 | 2010-06-29 | Micron Technology, Inc. | Error correction for memory |
US7925936B1 (en) | 2007-07-13 | 2011-04-12 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with non-uniform programming levels |
US8259497B2 (en) | 2007-08-06 | 2012-09-04 | Apple Inc. | Programming schemes for multi-level analog memory cells |
KR101397549B1 (ko) * | 2007-08-16 | 2014-05-26 | 삼성전자주식회사 | 고속 프로그램이 가능한 불휘발성 반도체 메모리 시스템 및그것의 독출 방법 |
KR101413736B1 (ko) | 2007-09-13 | 2014-07-02 | 삼성전자주식회사 | 향상된 신뢰성을 갖는 메모리 시스템 및 그것의웨어-레벨링 기법 |
US8174905B2 (en) * | 2007-09-19 | 2012-05-08 | Anobit Technologies Ltd. | Programming orders for reducing distortion in arrays of multi-level analog memory cells |
US7773413B2 (en) | 2007-10-08 | 2010-08-10 | Anobit Technologies Ltd. | Reliable data storage in analog memory cells in the presence of temperature variations |
US8068360B2 (en) * | 2007-10-19 | 2011-11-29 | Anobit Technologies Ltd. | Reading analog memory cells using built-in multi-threshold commands |
US8000141B1 (en) | 2007-10-19 | 2011-08-16 | Anobit Technologies Ltd. | Compensation for voltage drifts in analog memory cells |
US8527819B2 (en) | 2007-10-19 | 2013-09-03 | Apple Inc. | Data storage in analog memory cell arrays having erase failures |
KR101509836B1 (ko) * | 2007-11-13 | 2015-04-06 | 애플 인크. | 멀티 유닛 메모리 디바이스에서의 메모리 유닛의 최적화된 선택 |
US20090125790A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-14 | Mcm Portfolio Llc | Method and Apparatus of Automatically Selecting Error Correction Algorithms by a NAND Flash Controller |
US8225181B2 (en) | 2007-11-30 | 2012-07-17 | Apple Inc. | Efficient re-read operations from memory devices |
US8209588B2 (en) * | 2007-12-12 | 2012-06-26 | Anobit Technologies Ltd. | Efficient interference cancellation in analog memory cell arrays |
US8456905B2 (en) | 2007-12-16 | 2013-06-04 | Apple Inc. | Efficient data storage in multi-plane memory devices |
US8085586B2 (en) * | 2007-12-27 | 2011-12-27 | Anobit Technologies Ltd. | Wear level estimation in analog memory cells |
US8156398B2 (en) * | 2008-02-05 | 2012-04-10 | Anobit Technologies Ltd. | Parameter estimation based on error correction code parity check equations |
US7924587B2 (en) * | 2008-02-21 | 2011-04-12 | Anobit Technologies Ltd. | Programming of analog memory cells using a single programming pulse per state transition |
US7864573B2 (en) | 2008-02-24 | 2011-01-04 | Anobit Technologies Ltd. | Programming analog memory cells for reduced variance after retention |
US8230300B2 (en) * | 2008-03-07 | 2012-07-24 | Apple Inc. | Efficient readout from analog memory cells using data compression |
US8400858B2 (en) | 2008-03-18 | 2013-03-19 | Apple Inc. | Memory device with reduced sense time readout |
US8059457B2 (en) * | 2008-03-18 | 2011-11-15 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with multiple-accuracy read commands |
JP2008217811A (ja) * | 2008-04-03 | 2008-09-18 | Hitachi Ltd | 不揮発メモリを使用したディスク制御装置 |
US20090287969A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | Bpm Microsystems | Electronic apparatus and bit error rate tolerance method for programming non-volatile memory devices |
US8464134B2 (en) * | 2008-06-24 | 2013-06-11 | Sandisk Il Ltd | Method and apparatus for error correction according to erase counts of a solid-state memory |
US7995388B1 (en) | 2008-08-05 | 2011-08-09 | Anobit Technologies Ltd. | Data storage using modified voltages |
US7924613B1 (en) | 2008-08-05 | 2011-04-12 | Anobit Technologies Ltd. | Data storage in analog memory cells with protection against programming interruption |
US8213229B2 (en) * | 2008-08-22 | 2012-07-03 | HGST Netherlands, B.V. | Error control in a flash memory device |
US8949684B1 (en) | 2008-09-02 | 2015-02-03 | Apple Inc. | Segmented data storage |
US8169825B1 (en) | 2008-09-02 | 2012-05-01 | Anobit Technologies Ltd. | Reliable data storage in analog memory cells subjected to long retention periods |
US8000135B1 (en) | 2008-09-14 | 2011-08-16 | Anobit Technologies Ltd. | Estimation of memory cell read thresholds by sampling inside programming level distribution intervals |
US8482978B1 (en) | 2008-09-14 | 2013-07-09 | Apple Inc. | Estimation of memory cell read thresholds by sampling inside programming level distribution intervals |
US8239734B1 (en) | 2008-10-15 | 2012-08-07 | Apple Inc. | Efficient data storage in storage device arrays |
US8261159B1 (en) | 2008-10-30 | 2012-09-04 | Apple, Inc. | Data scrambling schemes for memory devices |
US8208304B2 (en) | 2008-11-16 | 2012-06-26 | Anobit Technologies Ltd. | Storage at M bits/cell density in N bits/cell analog memory cell devices, M>N |
US8174857B1 (en) | 2008-12-31 | 2012-05-08 | Anobit Technologies Ltd. | Efficient readout schemes for analog memory cell devices using multiple read threshold sets |
US8248831B2 (en) * | 2008-12-31 | 2012-08-21 | Apple Inc. | Rejuvenation of analog memory cells |
US8924661B1 (en) | 2009-01-18 | 2014-12-30 | Apple Inc. | Memory system including a controller and processors associated with memory devices |
US8228701B2 (en) | 2009-03-01 | 2012-07-24 | Apple Inc. | Selective activation of programming schemes in analog memory cell arrays |
US8259506B1 (en) | 2009-03-25 | 2012-09-04 | Apple Inc. | Database of memory read thresholds |
US8832354B2 (en) * | 2009-03-25 | 2014-09-09 | Apple Inc. | Use of host system resources by memory controller |
US8238157B1 (en) | 2009-04-12 | 2012-08-07 | Apple Inc. | Selective re-programming of analog memory cells |
US20130047056A1 (en) * | 2009-05-05 | 2013-02-21 | Lite-On It Corporation | Flash memory device with rectifiable redundancy and method of controlling the same |
CN101794623B (zh) * | 2009-06-01 | 2013-11-06 | 深圳市朗科科技股份有限公司 | 存储设备的纠错装置及方法 |
US8479080B1 (en) | 2009-07-12 | 2013-07-02 | Apple Inc. | Adaptive over-provisioning in memory systems |
US8495465B1 (en) | 2009-10-15 | 2013-07-23 | Apple Inc. | Error correction coding over multiple memory pages |
US8566689B2 (en) * | 2009-10-22 | 2013-10-22 | Microsoft Corporation | Data integrity units in nonvolatile memory |
US8301987B2 (en) * | 2009-10-29 | 2012-10-30 | Sandisk Il Ltd. | System and method of decoding data with reduced power consumption |
US8677054B1 (en) | 2009-12-16 | 2014-03-18 | Apple Inc. | Memory management schemes for non-volatile memory devices |
TWI497293B (zh) | 2009-12-17 | 2015-08-21 | Ibm | 固態儲存裝置內之資料管理 |
US8694814B1 (en) | 2010-01-10 | 2014-04-08 | Apple Inc. | Reuse of host hibernation storage space by memory controller |
US8677203B1 (en) | 2010-01-11 | 2014-03-18 | Apple Inc. | Redundant data storage schemes for multi-die memory systems |
JP5467270B2 (ja) * | 2010-04-28 | 2014-04-09 | 国立大学法人 東京大学 | データ入出力制御装置および半導体記憶装置システム |
US8694853B1 (en) | 2010-05-04 | 2014-04-08 | Apple Inc. | Read commands for reading interfering memory cells |
US8799747B2 (en) | 2010-06-03 | 2014-08-05 | Seagate Technology Llc | Data hardening to compensate for loss of data retention characteristics in a non-volatile memory |
FR2961613B1 (fr) * | 2010-06-18 | 2012-07-27 | Commissariat Energie Atomique | Procede de protection memoire configurable contre les erreurs permanentes et transitoires et dispositif apparente |
US8572423B1 (en) | 2010-06-22 | 2013-10-29 | Apple Inc. | Reducing peak current in memory systems |
US8533550B2 (en) | 2010-06-29 | 2013-09-10 | Intel Corporation | Method and system to improve the performance and/or reliability of a solid-state drive |
US8595591B1 (en) | 2010-07-11 | 2013-11-26 | Apple Inc. | Interference-aware assignment of programming levels in analog memory cells |
US9104580B1 (en) | 2010-07-27 | 2015-08-11 | Apple Inc. | Cache memory for hybrid disk drives |
US8645794B1 (en) | 2010-07-31 | 2014-02-04 | Apple Inc. | Data storage in analog memory cells using a non-integer number of bits per cell |
US8856475B1 (en) | 2010-08-01 | 2014-10-07 | Apple Inc. | Efficient selection of memory blocks for compaction |
US9146875B1 (en) * | 2010-08-09 | 2015-09-29 | Western Digital Technologies, Inc. | Hybrid drive converting non-volatile semiconductor memory to read only based on life remaining |
WO2012020278A1 (en) | 2010-08-13 | 2012-02-16 | Sandisk Il Ltd. | Data coding using divisions of memory cell states |
US8694854B1 (en) | 2010-08-17 | 2014-04-08 | Apple Inc. | Read threshold setting based on soft readout statistics |
US9021181B1 (en) | 2010-09-27 | 2015-04-28 | Apple Inc. | Memory management for unifying memory cell conditions by using maximum time intervals |
JP2013542533A (ja) * | 2010-10-27 | 2013-11-21 | エルエスアイ コーポレーション | フラッシュメモリベースのデータ記憶のための順応ecc技術 |
WO2012057777A1 (en) | 2010-10-29 | 2012-05-03 | Empire Technology Development Llc | Advanced data encoding with reduced erasure count for solid state drives |
JP5720210B2 (ja) | 2010-12-02 | 2015-05-20 | 富士通株式会社 | アクセス制御装置、誤り訂正制御方法およびストレージ装置 |
KR20120064462A (ko) | 2010-12-09 | 2012-06-19 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러, 이의 오류정정 방법, 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
CN102142282B (zh) * | 2011-02-21 | 2012-10-24 | 北京理工大学 | 一种NANDFlash存储芯片ECC校验算法的识别方法 |
US8661221B2 (en) * | 2011-03-16 | 2014-02-25 | International Business Machines Corporation | Leasing fragmented storage between processes |
US10380022B2 (en) | 2011-07-28 | 2019-08-13 | Netlist, Inc. | Hybrid memory module and system and method of operating the same |
US10198350B2 (en) | 2011-07-28 | 2019-02-05 | Netlist, Inc. | Memory module having volatile and non-volatile memory subsystems and method of operation |
US10838646B2 (en) | 2011-07-28 | 2020-11-17 | Netlist, Inc. | Method and apparatus for presearching stored data |
US8910017B2 (en) | 2012-07-02 | 2014-12-09 | Sandisk Technologies Inc. | Flash memory with random partition |
KR102049281B1 (ko) | 2012-10-23 | 2019-11-27 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 및 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템, 그리고 불휘발성 메모리에 데이터를 프로그램하는 프로그램 방법 |
US8996951B2 (en) | 2012-11-15 | 2015-03-31 | Elwha, Llc | Error correction with non-volatile memory on an integrated circuit |
CN103077096A (zh) * | 2012-12-31 | 2013-05-01 | 记忆科技(深圳)有限公司 | 数据纠错***、固态硬盘及数据纠错方法 |
CN104919433B (zh) | 2013-01-11 | 2017-10-31 | 英派尔科技开发有限公司 | 用于闪存的页面分配 |
CN105074826B (zh) | 2013-02-27 | 2018-01-16 | 英派尔科技开发有限公司 | 存储器装置的基于线性规划的解码 |
US10372551B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-08-06 | Netlist, Inc. | Hybrid memory system with configurable error thresholds and failure analysis capability |
US9436600B2 (en) | 2013-06-11 | 2016-09-06 | Svic No. 28 New Technology Business Investment L.L.P. | Non-volatile memory storage for multi-channel memory system |
CN104111893A (zh) * | 2013-06-21 | 2014-10-22 | 芜湖美的厨卫电器制造有限公司 | 数据的存储方法 |
JP5733766B2 (ja) * | 2013-11-07 | 2015-06-10 | 国立大学法人 東京大学 | データ入出力制御装置および半導体記憶装置システム |
US10248328B2 (en) | 2013-11-07 | 2019-04-02 | Netlist, Inc. | Direct data move between DRAM and storage on a memory module |
US9859925B2 (en) | 2013-12-13 | 2018-01-02 | Empire Technology Development Llc | Low-complexity flash memory data-encoding techniques using simplified belief propagation |
US10114562B2 (en) | 2014-09-16 | 2018-10-30 | Sandisk Technologies Llc | Adaptive block allocation in nonvolatile memory |
US10691531B2 (en) * | 2014-12-04 | 2020-06-23 | Western Digital Technologies, Inc. | Systems and methods for multi-zone data tiering for endurance extension in solid state drives |
CN105988887A (zh) * | 2015-01-31 | 2016-10-05 | 深圳市硅格半导体有限公司 | 存储卡数据处理***及方法 |
JP6657634B2 (ja) * | 2015-07-24 | 2020-03-04 | ソニー株式会社 | 符号化装置、メモリシステム、通信システムおよび符号化方法 |
US9401216B1 (en) * | 2015-09-22 | 2016-07-26 | Sandisk Technologies Llc | Adaptive operation of 3D NAND memory |
US9817593B1 (en) | 2016-07-11 | 2017-11-14 | Sandisk Technologies Llc | Block management in non-volatile memory system with non-blocking control sync system |
US11556416B2 (en) | 2021-05-05 | 2023-01-17 | Apple Inc. | Controlling memory readout reliability and throughput by adjusting distance between read thresholds |
US11847342B2 (en) | 2021-07-28 | 2023-12-19 | Apple Inc. | Efficient transfer of hard data and confidence levels in reading a nonvolatile memory |
US11762735B2 (en) | 2021-10-01 | 2023-09-19 | Western Digital Technologies, Inc. | Interleaved ECC coding for key-value data storage devices |
US11934264B2 (en) | 2021-11-22 | 2024-03-19 | Western Digital Technologies, Inc. | ECC parity biasing for Key-Value data storage devices |
TWI837829B (zh) * | 2022-09-19 | 2024-04-01 | 慧榮科技股份有限公司 | 存取快閃記憶體模組的方法與相關的快閃記憶體控制器及記憶裝置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6041001A (en) * | 1999-02-25 | 2000-03-21 | Lexar Media, Inc. | Method of increasing data reliability of a flash memory device without compromising compatibility |
US6085339A (en) * | 1996-11-01 | 2000-07-04 | Micron Electronics, Inc. | System for memory error handling |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4785452A (en) | 1986-04-25 | 1988-11-15 | International Business Machines Corporation | Error detection using variable field parity checking |
JP2685173B2 (ja) | 1986-05-31 | 1997-12-03 | キヤノン株式会社 | メモリ書き込み制御方法 |
JPH07109717B2 (ja) | 1986-05-31 | 1995-11-22 | キヤノン株式会社 | メモリ書き込み制御方法 |
US5268870A (en) | 1988-06-08 | 1993-12-07 | Eliyahou Harari | Flash EEPROM system and intelligent programming and erasing methods therefor |
US5228046A (en) * | 1989-03-10 | 1993-07-13 | International Business Machines | Fault tolerant computer memory systems and components employing dual level error correction and detection with disablement feature |
DE69024086T2 (de) | 1989-04-13 | 1996-06-20 | Sundisk Corp | EEprom-System mit Blocklöschung |
US5222109A (en) | 1990-12-28 | 1993-06-22 | Ibm Corporation | Endurance management for solid state files |
US6230233B1 (en) | 1991-09-13 | 2001-05-08 | Sandisk Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
US5438573A (en) | 1991-09-13 | 1995-08-01 | Sundisk Corporation | Flash EEPROM array data and header file structure |
JPH06187248A (ja) | 1992-12-16 | 1994-07-08 | Nec Corp | データエラー検出訂正制御回路 |
JP2856621B2 (ja) | 1993-02-24 | 1999-02-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 一括消去型不揮発性メモリおよびそれを用いる半導体ディスク装置 |
US5388083A (en) | 1993-03-26 | 1995-02-07 | Cirrus Logic, Inc. | Flash memory mass storage architecture |
US5603001A (en) * | 1994-05-09 | 1997-02-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor disk system having a plurality of flash memories |
US5838614A (en) * | 1995-07-31 | 1998-11-17 | Lexar Microsystems, Inc. | Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory |
US5845313A (en) | 1995-07-31 | 1998-12-01 | Lexar | Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture |
US5907856A (en) | 1995-07-31 | 1999-05-25 | Lexar Media, Inc. | Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture |
US5835935A (en) | 1995-09-13 | 1998-11-10 | Lexar Media, Inc. | Method of and architecture for controlling system data with automatic wear leveling in a semiconductor non-volatile mass storage memory |
US6125435A (en) | 1995-09-13 | 2000-09-26 | Lexar Media, Inc. | Alignment of cluster address to block addresses within a semiconductor non-volatile mass storage memory |
US5860082A (en) | 1996-03-28 | 1999-01-12 | Datalight, Inc. | Method and apparatus for allocating storage in a flash memory |
US5754565A (en) * | 1996-10-15 | 1998-05-19 | Quantum Corporation | Reconstruction of syndromes for bi-level on-the-fly error correction in disk drive systems |
US6311290B1 (en) * | 1997-02-14 | 2001-10-30 | Intel Corporation | Methods of reliably allocating, de-allocating, re-allocating, and reclaiming objects in a symmetrically blocked nonvolatile memory having a bifurcated storage architecture |
US5961660A (en) | 1997-03-03 | 1999-10-05 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for optimizing ECC memory performance |
US6000006A (en) * | 1997-08-25 | 1999-12-07 | Bit Microsystems, Inc. | Unified re-map and cache-index table with dual write-counters for wear-leveling of non-volatile flash RAM mass storage |
US5956743A (en) * | 1997-08-25 | 1999-09-21 | Bit Microsystems, Inc. | Transparent management at host interface of flash-memory overhead-bytes using flash-specific DMA having programmable processor-interrupt of high-level operations |
JPH1173797A (ja) | 1997-08-27 | 1999-03-16 | Sony Corp | 記憶装置 |
JP3998307B2 (ja) * | 1997-12-25 | 2007-10-24 | 富士通株式会社 | 磁気ディスク装置及び磁気ディスク装置のエラー訂正方法 |
US6182239B1 (en) * | 1998-02-06 | 2001-01-30 | Stmicroelectronics, Inc. | Fault-tolerant codes for multi-level memories |
KR100297986B1 (ko) | 1998-03-13 | 2001-10-25 | 김영환 | 플래쉬 메모리 셀 어레이의 웨어 레벨링 시스템 및 웨어 레벨링 방법 |
JP3421581B2 (ja) | 1998-06-29 | 2003-06-30 | 株式会社日立製作所 | 不揮発性半導体メモリを用いた記憶装置 |
US6260156B1 (en) | 1998-12-04 | 2001-07-10 | Datalight, Inc. | Method and system for managing bad areas in flash memory |
WO2001022232A1 (fr) | 1999-09-17 | 2001-03-29 | Hitachi, Ltd. | Memoire dans laquelle le nombre de corrections d'erreurs est enregistre |
US6487685B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-11-26 | Silicon Graphics, Inc. | System and method for minimizing error correction code bits in variable sized data formats |
US6426893B1 (en) | 2000-02-17 | 2002-07-30 | Sandisk Corporation | Flash eeprom system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks |
US6747827B1 (en) * | 2000-03-27 | 2004-06-08 | Texas Instruments Incorporated | Error correction codes applied variably by disk zone, track, sector, or content |
US20010042230A1 (en) * | 2000-05-10 | 2001-11-15 | Seagate Technology Llc | Sector validation for use in ECC engine validation |
JP2002091831A (ja) | 2000-09-12 | 2002-03-29 | Hitachi Ltd | データ処理システム及びデータ処理方法 |
US6941505B2 (en) * | 2000-09-12 | 2005-09-06 | Hitachi, Ltd. | Data processing system and data processing method |
US7113432B2 (en) * | 2000-09-14 | 2006-09-26 | Sandisk Corporation | Compressed event counting technique and application to a flash memory system |
US6834331B1 (en) * | 2000-10-24 | 2004-12-21 | Starfish Software, Inc. | System and method for improving flash memory data integrity |
US6970890B1 (en) * | 2000-12-20 | 2005-11-29 | Bitmicro Networks, Inc. | Method and apparatus for data recovery |
US6961890B2 (en) * | 2001-08-16 | 2005-11-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Dynamic variable-length error correction code |
-
2003
- 2003-10-02 US US10/678,893 patent/US8412879B2/en active Active
- 2003-10-27 JP JP2003366725A patent/JP4429685B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-27 KR KR1020030075140A patent/KR101017443B1/ko active IP Right Grant
- 2003-10-28 CN CN2003101046432A patent/CN1499532B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-28 EP EP03256792A patent/EP1424631B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-28 DE DE60303895T patent/DE60303895T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-28 AT AT03256792T patent/ATE320041T1/de not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6085339A (en) * | 1996-11-01 | 2000-07-04 | Micron Electronics, Inc. | System for memory error handling |
US6041001A (en) * | 1999-02-25 | 2000-03-21 | Lexar Media, Inc. | Method of increasing data reliability of a flash memory device without compromising compatibility |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004164634A (ja) | 2004-06-10 |
US8412879B2 (en) | 2013-04-02 |
JP4429685B2 (ja) | 2010-03-10 |
KR20040038711A (ko) | 2004-05-08 |
CN1499532B (zh) | 2011-05-18 |
EP1424631B1 (en) | 2006-03-08 |
ATE320041T1 (de) | 2006-03-15 |
CN1499532A (zh) | 2004-05-26 |
DE60303895T2 (de) | 2006-10-05 |
DE60303895D1 (de) | 2006-05-04 |
US20040083333A1 (en) | 2004-04-29 |
EP1424631A1 (en) | 2004-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101017443B1 (ko) | 비휘발성 메모리 시스템내 에러 수정 코드용 하이브리드구현 | |
US7559004B1 (en) | Dynamic redundant area configuration in a non-volatile memory system | |
KR100906519B1 (ko) | 비-휘발성 메모리 시스템에서 사용불가능한 블록을관리하기 위한 방법 및 장치 | |
JP3226042B2 (ja) | フラッシュEEpromシステム | |
TWI527037B (zh) | 資料儲存方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置 | |
US8271515B2 (en) | System and method for providing copyback data integrity in a non-volatile memory system | |
KR100977899B1 (ko) | 비휘발성 메모리 시스템에서 아웃-오브-시퀀스 기록 프로세스를 효과적으로 수행하기 위한 방법 및 장치 | |
KR20040038709A (ko) | 비-휘발성 메모리 시스템에서 데이터의 완전성을 관리하기위한 방법 및 장치 | |
US8533385B2 (en) | Method for preventing read-disturb happened in non-volatile memory and controller thereof | |
US20080235433A1 (en) | Hybrid density memory storage device and control method thereof | |
JPH03167644A (ja) | 半導体メモリにおいて欠陥を取り扱うデバイスと方法 | |
KR20080066959A (ko) | 수정된 데이터 저장 및 핸들링 방법들 | |
KR20060115397A (ko) | 비휘발성 메모리 시스템에 대한 내부 보수 스케줄 요청 | |
US20200310645A1 (en) | Method and system for online conversion of bad blocks for improvement of performance and longevity in a solid state drive | |
US11526301B2 (en) | Memory system and non-volatile memory control method | |
US20120030435A1 (en) | Memory device, memory management device, and memory management method | |
CN113076218B (zh) | Nvm芯片读数据错误快速处理方法及其控制器 | |
KR20050062638A (ko) | 공통의 논리적 블록과 연관된 물리적 블록들을 결정하기위한 방법 및 장치 | |
JP2012521032A (ja) | Ssdコントローラおよびssdコントローラの動作方法 | |
CN112347010B (zh) | 存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元 | |
KR20180047808A (ko) | 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법 | |
JP2003263894A (ja) | 不揮発性半導体メモリ装置の制御方法 | |
JP3944326B2 (ja) | フラッシュEEpromシステム | |
JP4090071B2 (ja) | フラッシュEEpromシステム | |
CN118349186A (zh) | 映射表更新方法与存储装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140117 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150119 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160119 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170119 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180118 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190116 Year of fee payment: 9 |