KR101007534B1 - 반도체 제조장치 및 이를 이용한 실리콘 산화막 건식 식각 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (14)
- 기판에 대하여 일정한 공정이 행해지도록 내부에 공간부가 형성되는 챔버;상기 챔버의 공간부에 승강가능하게 배치되어 상기 기판을 지지하며, 상기 기판을 가열하는 서셉터;상기 서셉터의 상부에 설치되어 상기 기판을 향하여 공정용 가스를 분사하는 가스공급장치; 및상기 서셉터의 상방에 설치되며, 상기 기판을 가열하는 히터;를 포함하며,상기 서셉터는 수평하게 배치되어 상기 기판을 지지하는 지지플레이트와, 상기 지지플레이트의 하부에 결합되어 상기 지지플레이트를 승강시키는 승강축을 구비하며,상기 지지플레이트의 하면과 상기 승강축을 가열하기 위한 주변부 가열수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제1항에 있어서,상기 히터는 상기 기판의 상방에 상기 기판의 둘레방향을 따라 서로 이격되게 배치되며, 상기 기판을 향하여 복사에너지를 방출하는 복수의 램프인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제1항에 있어서,상기 기판은 상기 서셉터로부터 상부로 이격된 상태로 지지되어, 상기 기판의 하면과 상기 서셉터의 상면 사이에는 가스가 유동될 수 있는 가스유로가 형성되 는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제3항에 있어서,상기 서셉터의 내부에는 상기 서셉터의 평면방향을 따라 가스가 충전될 수 있는 가스충전공간이 형성되며,상기 서셉터의 상면에는 상기 서셉터의 상측과 상기 가스충전공간을 상호 연통시켜 상기 가스가 상기 기판의 하면을 향해 분사될 수 있게 하는 다수의 퍼지공이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제3항에 있어서,상기 가스유로에 불활성가스를 공급하기 위한 가스공급원을 상호 연결하는 가스공급로가 형성되며,상기 가스공급로에는 제1가스라인과, 상기 제1가스라인을 통과하는 불활성가스보다 높은 온도로 가열된 불활성가스를 공급하기 위한 제2가스라인이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
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- 제1항에 있어서,상기 주변부 가열수단은,상기 지지플레이트와 승강축의 내측에 형성되어 유체가 유동되는 가열유로부인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제7항에 있어서,상기 가열유로부는 상기 승강축을 따라 형성되어 유체가 주입되는 유체주입라인과, 상기 유체주입라인과 연결되며 상기 지지플레이트에 형성되어 있는 유체충전부와, 상기 승강축을 따라 형성되어 상기 유체충전부와 연결되는 유체배출라인으로 이루어지며,상기 유체충전부는 상기 지지플레이트의 평면방향을 따라 유체가 충전될 수 있는 유체충전공간인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제1항에 있어서,상기 기판이 상기 서셉터에 대하여 슬라이딩되는 것을 방지하도록, 상기 서셉터의 상면에 대하여 돌출된 가이드핀이 상기 서셉터의 둘레 방향을 따라 서로 이격되어 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제1항에 있어서,상기 챔버의 내벽은 텅스텐으로 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제1항에 있어서,상기 히터는 상기 가스공급장치에 매설되는 복수의 발열체인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 챔버내에 설치되어 기판을 지지하는 서셉터를 가열하여 상기 서셉터를 제1온도범위로 유지하는 예열단계;실리콘 산화막이 형성되어 있는 기판을 상기 챔버내로 반입하여 상기 서셉터의 상면에 안착시키는 반입단계;상기 서셉터를 제1위치에 배치시키고 상기 기판을 향해 식각가스를 분사하여 상기 실리콘 산화막을 식각하며 상기 기판 상에 식각 부산물을 생성하는 제1공정단계;상기 서셉터를 상기 제1위치와 같거나 낮은 제2위치에 배치시키고, 상기 챔버의 상부에 배치된 발열원은 상기 기판을 상기 제1온도보다 높은 제2온도범위로 가열하여 상기 기판 상의 식각 부산물을 제거하는 제2공정단계; 및상기 기판을 상기 챔버로부터 반출하는 반출단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 건식 식각 방법.
- 제12항에 있어서,상기 제1온도범위는 20℃ ~ 85℃이고 상기 제2온도범위는 100℃ 내지 200℃로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 건식 식각 방법.
- 제12항에 있어서,상기 제1공정단계 및 제2공정단계 중 적어도 하나의 공정단계에서 불활성가스를 상기 기판과 서셉터 사이로 공급하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 건식 식각 방법.
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Families Citing this family (3)
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US11515130B2 (en) * | 2018-03-05 | 2022-11-29 | Applied Materials, Inc. | Fast response pedestal assembly for selective preclean |
KR102187532B1 (ko) * | 2018-07-12 | 2020-12-07 | 주식회사 테스 | 기판처리장치의 진공 처킹 서셉터 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09181155A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-07-11 | Applied Materials Inc | 堆積装置のサセプタ |
KR20050054831A (ko) * | 2003-12-05 | 2005-06-10 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 정전척 |
KR20070032966A (ko) * | 2004-06-28 | 2007-03-23 | 쿄세라 코포레이션 | 정전척 |
JP2008016869A (ja) * | 1998-11-11 | 2008-01-24 | Tokyo Electron Ltd | 表面処理方法及びその装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09181155A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-07-11 | Applied Materials Inc | 堆積装置のサセプタ |
JP2008016869A (ja) * | 1998-11-11 | 2008-01-24 | Tokyo Electron Ltd | 表面処理方法及びその装置 |
KR20050054831A (ko) * | 2003-12-05 | 2005-06-10 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 정전척 |
KR20070032966A (ko) * | 2004-06-28 | 2007-03-23 | 쿄세라 코포레이션 | 정전척 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101613864B1 (ko) | 2014-10-13 | 2016-04-20 | 주식회사 테스 | 유기금속화학기상증착장치 |
KR101680071B1 (ko) | 2015-05-18 | 2016-11-28 | (주)에스티아이 | 열처리 장치 및 열처리 방법 |
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