KR101007158B1 - 스퀸트 개선 안테나 - Google Patents

스퀸트 개선 안테나 Download PDF

Info

Publication number
KR101007158B1
KR101007158B1 KR1020070100540A KR20070100540A KR101007158B1 KR 101007158 B1 KR101007158 B1 KR 101007158B1 KR 1020070100540 A KR1020070100540 A KR 1020070100540A KR 20070100540 A KR20070100540 A KR 20070100540A KR 101007158 B1 KR101007158 B1 KR 101007158B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
radiation
elements
beam pointing
polarization
sub
Prior art date
Application number
KR1020070100540A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090035316A (ko
Inventor
이승철
신필수
Original Assignee
주식회사 에이스테크놀로지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에이스테크놀로지 filed Critical 주식회사 에이스테크놀로지
Priority to KR1020070100540A priority Critical patent/KR101007158B1/ko
Priority to PCT/KR2007/005137 priority patent/WO2009044952A1/en
Priority to US12/681,531 priority patent/US20100271276A1/en
Priority to CN200780100949.7A priority patent/CN101816096B/zh
Publication of KR20090035316A publication Critical patent/KR20090035316A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101007158B1 publication Critical patent/KR101007158B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q3/00Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system
    • H01Q3/26Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture
    • H01Q3/30Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture varying the relative phase between the radiating elements of an array
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00Antenna arrays or systems
    • H01Q21/24Combinations of antenna units polarised in different directions for transmitting or receiving circularly and elliptically polarised waves or waves linearly polarised in any direction
    • H01Q21/26Turnstile or like antennas comprising arrangements of three or more elongated elements disposed radially and symmetrically in a horizontal plane about a common centre
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/061Two dimensional planar arrays
    • H01Q21/062Two dimensional planar arrays using dipole aerials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q25/00Antennas or antenna systems providing at least two radiating patterns
    • H01Q25/001Crossed polarisation dual antennas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q3/00Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system
    • H01Q3/44Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the electric or magnetic characteristics of reflecting, refracting, or diffracting devices associated with the radiating element

Landscapes

  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Aerials With Secondary Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 이종의 복사 소자들을 이용하여 스퀸트를 개선한 안테나에 관한 것이다. 상기 안테나는 각기 빔 포인팅 라인을 가지는 적어도 2개의 복사 소자들을 포함한다. 상기 복사 소자들은 제 1 빔 포인팅 라인을 가지는 제 1 복사 소자, 및 제 2 빔 포인팅 라인을 가지는 제 2 복사 소자를 포함한다. 여기서, 상기 복사 소자들 중 일부는 벡터 합성 방식을 통하여 해당 방사 패턴을 출력하고, 다른 복사 소자는 상기 벡터 합성 방식 외의 방식을 통하여 해당 방사 패턴을 출력하며, 상기 제 1 빔 포인팅 라인과 상기 제 2 빔 포인팅 라인 중 하나는 양의 기울기를 가지며, 다른 하나는 음의 기울기를 가진다. 결과적으로, 상기 안테나에서 스퀸트가 개선될 수 있다.
안테나, 복사 소자, 스퀸트, 빔 포인팅 라인

Description

스퀸트 개선 안테나{ANTENNA IN WHICH SQUINT IS IMPROVED}
본 발명은 스퀸트 개선 안테나에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이종의 복사 소자들을 이용하여 스퀸트를 개선하는 안테나에 관한 것이다.
안테나에 포함된 복사 소자는 방사 패턴을 출력시켜서 전자기파를 송신 또는 수신하는 소자로서, 이하의 도 1에 도시된 구조를 가진다.
도 1은 일반적인 안테나에 포함된 복사 소자를 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 복사 소자에서 발생되는 스퀸트를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 상기 복사 소자는 복수의 다이폴 소자들(100, 102, 104 및 106) 및 급전부(108)로 이루어지며, +45°편파와 -45°편파를 발생시킨다. 여기서, 다이폴 소자들(100, 102, 104 및 106) 및 급전부(108)는 도 1에 도시하지 않았지만 반사판 위에 배열된다. 이하에서는, 설명의 편의를 위하여 +45°편파만을 고려하여 상기 안테나의 동작을 상술하겠다.
급전부(108)는 제 1 급전점(110A), 제 2 급전점(110B), 제 3 급전점(110C) 및 제 4 급전점(110D)으로 이루어진다.
제 1 급전점(110A)으로 입력된 전류는 제 1 다이폴 소자(100) 및 제 4 다이 폴 소자(106)로 인가되고, 제 3 급전점(110C)을 통하여 제 2 다이폴 소자(102) 및 제 3 다이폴 소자(104)로 인가된다.
제 2 급전점(110B)으로 입력된 전류는 제 1 다이폴 소자(100) 및 제 2 다이폴 소자(102)로 인가되고, 제 4 급전점(110D)을 통하여 제 3 다이폴 소자(104) 및 제 4 다이폴 소자(106)로 인가된다.
결과적으로, 다이폴 소자들(100, 102, 104 및 106)로 흐르는 전류들에 의해 발생되는 전기장들이 벡터 합성됨에 의해 도 2에 도시된 바와 같은 방사 패턴(200)이 발생된다. 다만, 방사 패턴(200)은 안테나에 포함된 복사 소자로부터 방사되는 빔의 틸트가 0°인 경우, 즉 Θ가 0°일 때의 패턴이다.
이러한 안테나에서, 상기 복사 소자로부터 방사된 빔의 틸트가 도 2에 도시된 바와 같이 -15°로 변화된 경우, 이상적으로는 방사 패턴(200)의 중심이 Θ축을 따라 형성되는 빔 포인팅 라인(202)을 따라서 이동되어야 한다. 즉, 상기 빔의 틸트가 15°만큼 변화된 경우, 이상적으로는 방사 패턴(204)의 중심이 빔 포인팅 라인(202)에 위치하여야 한다. 여기서, 빔 포인팅 라인(202)은 상기 복사 소자로부터 방사된 빔의 틸트가 변화될 때 방사 패턴(200)의 중심이 이동되는 경로를 의미한다.
그러나, 상기 안테나에 포함된 복사 소자로부터 방사된 빔의 틸트가 변화된 경우 방사 패턴(200)의 중심이 빔 포인팅 라인(202)을 따라서 이동하지 않고 새로운 빔 포인팅 라인(208)을 따라서 이동한다. 즉, 상기 복사 소자로부터 방사된 빔의 틸트가 15°만큼 변화된 경우, 발생하는 방사 패턴(206)의 중심은 빔 포인팅 라인(208)에 위치하게 된다. 여기서, 빔 포인팅 라인(208)에 위치하는 방사 패턴(206)의 중심과 Θ축 사이의 값(A)을 스퀸트(Squint)라 정의하겠다. 이러한 스퀸트는 상기 안테나 내부 소자 또는 주변에 있는 소자(반사판 등)에 의한 영향으로 발생되며, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 복사 소자로부터 방사된 빔의 틸트가 커질수록 증가된다. 이렇게 스퀸트가 원하는 범위를 벗어난 값을 가지면, 상기 복사 소자로부터 방사되는 방사 패턴이 원하는 방향으로 출력되지 않는다. 즉, 상기 복사 소자로부터 출력되는 방사 패턴의 방향을 제어하기가 어렵다.
본 발명의 목적은 이종의 복사 소자들을 이용하여 스퀸트를 개선하는 안테나를 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나는 각기 빔 포인팅 라인을 가지는 적어도 2개의 복사 소자들을 포함한다. 상기 복사 소자들은 제 1 빔 포인팅 라인을 가지는 제 1 복사 소자; 및 제 2 빔 포인팅 라인을 가지는 제 2 복사 소자를 포함한다. 여기서, 상기 복사 소자들 중 일부는 벡터 합성 방식을 통하여 해당 방사 패턴을 출력하고, 다른 복사 소자는 상기 벡터 합성 방식 외의 방식을 통하여 해당 방사 패턴을 출력하며, 상기 제 1 빔 포인팅 라인과 상기 제 2 빔 포인팅 라인 중 하나는 양의 기울기를 가지며, 다른 하나는 음의 기울기를 가진다.
상기 빔 포인팅 라인들의 기울기들은 동일한 절대값을 가진다.
삭제
삭제
상기 제 1 복사 소자는 +45°편파와 -45°편파를 출력하며, 상기 제 2 복사 소자는 +45°편파와 -45°편파를 출력하되, 상기 제 2 복사 소자의 +45°편파는 상기 제 1 복사 소자의 +45°편파의 빔 포인팅 라인을 보상하며, 상기 제 2 복사 소자의 -45°편파는 상기 제 1 복사 소자의 -45°편파의 빔 포인팅 라인을 보상한다.
상기 제 1 복사 소자에서 +45°편파의 스퀸트는 양의 방향으로 진행하고 -45°편파의 스퀸트는 음의 방향으로 진행하며, 상기 제 2 복사 소자에서 +45°편파의 스퀸트는 음의 방향으로 진행하고 -45°편파의 스퀸트는 양의 방향으로 진행한다.
위에서 언급한 바와 같이, 안테나가 복편파 복사 소자들로 이루어지는 경우에 상기 복편파 복사 소자들을 이종으로 구성함에 의해 스퀸트가 개선될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 안테나가 단편파 복사 소자들로 이루어지는 경우에도 상기 단편파 복사 소자들을 이종으로 구성함에 의해 스퀸트가 개선될 수 있다. 즉, 이종의 복사 소자들을 사용하여 스퀸트를 개선하는 방법은 복편파 복사 소자들뿐만 아니라 단편파 복사 소자들에도 동일하게 적용될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 스퀸트 개선 안테나는 각기 빔 포인팅 라인을 가지는 적어도 2개의 복사 소자들을 포함한다. 여기서, 상기 복사 소자들 중 적어도 하나는 다른 복사 소자와 다른 방사 패턴 출력 방식을 사용하는 복사 소자이고, 하나의 복사 소자의 빔 포인팅 라인은 나머지 복사 소자들의 빔 포인팅 라인들의 합성에 의해 보상된다.
하나의 복사 소자의 빔 포인팅 라인은 나머지 복사 소자들의 빔 포인팅 라인들의 합성에 의해 보상된다.
상기 복사 소자들로 제공되는 전력은 모두 동일하다.
상기 복사 소자들은 벡터 합성 방식을 이용하여 제 1 방사 패턴을 발생시키는 제 1 복사 소자; 및 벡터 합성 방식을 사용하지 않고 제 2 방사 패턴을 발생시키는 제 2 복사 소자를 포함한다. 여기서, 상기 제 1 복사 소자는 4개의 급전점들; 및 4개의 다이폴 소자들을 포함하되, 상기 급전점들 중 하나로 입력된 전류는 모든 다이폴 소자들로 제공된다. 상기 제 2 복사 소자는 4개의 급전점들; 및 4개의 다이폴 소자들을 포함하되, 상기 급전점들 중 하나로 입력된 전류는 2개의 다이폴 소자로만 입력된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배열 안테나는 각기 빔 포인팅 라인을 가지는 적어도 2개의 서브 복사 소자들을 가지는 제 1 복사 소자; 및 각기 빔 포인팅 라인을 가지는 적어도 2개의 서브 복사 소자들을 가지는 제 2 복사 소자를 포함한다. 여기서, 상기 서브 복사 소자들은 순차적으로 배열되고, 상기 제 1 복사 소자의 서브 복사 소자들 중 하나는 벡터 합성 방식을 통하여 해당 방사 패턴을 출력하고 다른 서브 복사 소자는 상기 벡터 합성 방식 외의 방식을 통하여 해당 방사 패턴을 출력하며, 상기 제 1 복사 소자의 서브 복사 소자들 중 하나의 빔 포인팅 라인은 나머지 서브 복사 소자의 빔 포인팅 라인에 의해 보상된다.
삭제
상기 제 1 복사 소자의 서브 복사 소자들 중 하나의 빔 포인팅 라인은 양의 기울기를 가지며, 다른 서브 복사 소자의 빔 포인팅 라인은 음의 기울기를 가진다.
상기 제 1 복사 소자의 서브 복사 소자들 중 하나의 빔 포인팅 라인은 나머지 서브 복사 소자들 빔 포인팅 라인들의 합성에 의해 보상된다.
상기 제 1 복사 소자에 제공되는 전력과 상기 제 2 복사 소자로 공급되는 전력은 서로 다르다.
상기 제 1 복사 소자의 서브 복사 소자들로 동일한 크기의 전력이 공급되고, 상기 제 2 복사 소자의 서브 복사 소자들로 동일한 크기의 전력이 공급된다.
상기 제 1 복사 소자 중 제 1 서브 복사 소자는 +45°편파와 -45°편파를 출력하며, 상기 제 1 복사 소자 중 제 2 서브 복사 소자는 +45°편파와 -45°편파를 출력한다. 여기서, 상기 제 2 서브 복사 소자의 +45°편파는 상기 제 1 서브 복사 소자의 +45°편파의 빔 포인팅 라인을 보상하며, 상기 제 2 서브 복사 소자의 -45°편파는 상기 제 1 서브 복사 소자의 -45°편파의 빔 포인팅 라인을 보상한다.
상기 제 1 복사 소자는 벡터 합성 방식을 이용하여 제 1 방사 패턴을 발생시키는 제 1 서브 복사 소자; 및 벡터 합성 방식을 사용하지 않고 제 2 방사 패턴을 발생시키는 제 2 서브 복사 소자를 포함한다.
본 발명에 따른 안테나는 제 1 복사 소자의 빔 포인팅 라인을 이종의 제 2 복사 소자의 빔 포인팅 라인을 이용하여 보상하며, 결과적으로 상기 안테나의 스퀸트가 개선되는 장점이 있다. 여기서, 상기 제 2 복사 소자의 빔 포인팅 라인은 상기 제 1 복사 소자의 빔 포인팅 라인과 반대되는 기울기를 가질 수 있다.
본 발명에 따른 배열 안테나는 서브 복사 소자들을 이용하여 스퀸트를 개선한 복수의 복사 소자들로 이루어지므로, 사용자는 상기 배열 안테나로부터 출력되는 방사 패턴을 원하는 방향으로 제어할 수 있는 장점이 있다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 자세히 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 스퀸트 개선 안테나를 도시한 평면도이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예의 안테나는 스퀸트(Squint)를 개선시키는 안테나로서, 제 1 복사 소자(300) 및 제 2 복사 소자(302)를 포함한다. 여기서, 복사 소자들(300 및 302)은 도 3에 도시하지 않았지만 반사판 위에 순차적으로 배열된다.
제 1 복사 소자(300)와 제 2 복사 소자(302)는 서로 다른 종류의 안테나로서, 후술하는 바와 같이 서로 다른 빔 포인팅 라인들(Beam pointing lines)을 가진다. 여기서, 제 1 복사 소자(300)의 빔 포인팅 라인과 제 2 복사 소자(302)의 빔 포인팅 라인 중 하나는 양의 기울기를 가지고, 다른 하나의 빔 포인팅 라인은 음의 기울기를 가질 수 있다. 또한, 상기 빔 포인팅 라인들의 기울기들의 절대값들은 동일한 값을 가진다.
즉, 서로 이종인 한 다양한 복사 소자들이 복사 소자들(300 및 302)로서 사용될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 도 3에 도시된 바와 같이 복사 소자들을 벡터 합성 방식을 이용하는 복사 소자(300)와 벡터 합성 방식을 사용하지 않는 복사 소자(302)로 가정하겠다.
제 1 복사 소자(300)는 복수의 다이폴 소자들(304, 306, 308 및 310) 및 급전부(312)를 포함한다. 여기서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 다이폴 소자들(304, 306, 308 및 310)은 각기 폴디드 다이폴 소자이며, 도 3에 도시된 바와 같이 정방형 구조를 가진다.
급전부(312)는 제 1 급전점(330A), 제 2 급전점(330B), 제 3 급전점(330C), 제 4 급전점(330D), 제 1 연결 선로(332A) 및 제 2 연결 선로(332B)를 포함한다.
제 1 급전점(330A)은 제 1 다이폴 소자(304)와 연결되며, 외부 소자로부터 전류를 입력받는다.
제 2 급전점(330B)은 제 2 다이폴 소자(306)와 연결되며, 외부 소자로부터 전류를 입력받는다.
제 3 급전점(330C)은 제 3 다이폴 소자(308)와 연결되며, 제 1 연결 선로(332A)를 통하여 제 1 급전점(330A)과 연결된다. 여기서, 제 1 급전점(330A)으로 입력된 전류는 제 1 연결 선로(332A)를 통하여 제 3 급전점(330C)으로 제공된다.
제 4 급전점(330D)은 제 4 다이폴 소자(310)와 연결되며, 제 2 연결 선로(332B)를 통하여 제 2 급전점(330B)과 연결된다. 여기서, 제 2 급전점(330B)으로 입력된 전류는 제 2 연결 선로(332B)를 통하여 제 4 급전점(330D)으로 제공된다.
요컨대, 본 실시예의 안테나에서 방사 패턴을 위한 전류들은 4개의 급전점들(330A, 330B, 330C 및 330D)로 모두 입력되지 않고 단지 2개의 급전점들(330A 및 330B)로만 입력되며, 그런 후 상기 입력된 전류들이 급전점들(330A 및 330B)로부터 급전점들(330C 및 330D)로 인가된다. 즉, 상기 안테나는 일방향으로 치우친 급전 방식을 사용한다.
제 1 다이폴 소자(304)는 제 1 방사부(314) 및 제 1 급전 선로부(316)를 포함하며, 제 1 급전점(330A)에 연결된다. 여기서, 제 1 급전점(330A)으로 입력된 전류 중 일부가 제 1 급전 선로부(316)를 통하여 제 1 방사부(314)로 인가된다.
제 2 다이폴 소자(306)는 제 2 급전점(330B)과 연결되며, 제 2 방사부(318) 및 제 2 급전 선로부(320)를 포함한다. 여기서, 제 2 급전점(330B)으로 입력된 전류 중 일부가 제 2 급전 선로부(320)를 통하여 제 2 방사부(318)로 인가된다.
제 3 다이폴 소자(308)는 제 3 급전점(330C)과 연결되며, 제 3 방사부(322) 및 제 3 급전 선로부(324)를 포함한다. 여기서, 제 1 급전점(330A)으로 입력된 전류 중 일부가 제 3 급전점(330C) 및 제 3 급전 선로부(324)를 통하여 제 3 방사부(322)로 인가된다.
제 4 다이폴 소자(310)는 제 4 급전점(330D)과 연결되며, 제 4 방사부(326) 및 제 4 급전 선로부(328)를 포함한다. 여기서, 제 2 급전점(330B)으로 입력된 전 류 중 일부가 제 4 급전점(330D) 및 제 4 급전 선로부(328)를 통하여 제 4 방사부(326)로 인가된다.
이러한 구조의 제 1 복사 소자(300)에서 제 1 급전점(330A)으로 전류가 입력되는 경우, 상기 전류는 급전점들(330A 및 330C)을 통하여 모든 다이폴 소자들(304, 306, 308 및 310)로 흐른다. 결과적으로, 다이폴 소자들(304, 306, 308 및 310)로 흐르는 전류에 의해 전기장들이 발생하며, 그런 후 상기 발생된 전기장들이 벡터 합성됨에 의해 제 1 복사 소자(300)로부터 +45°편파가 발생된다.
또한, 제 2 급전점(330B)으로 전류가 입력되는 경우, 상기 전류는 급전점들(330B 및 330D)을 통하여 모든 다이폴 소자들(304, 306, 308 및 310)로 흐른다. 결과적으로, 다이폴 소자들(304, 306, 308 및 310)로 흐르는 전류에 의해 전기장들이 발생되며, 그런 후 상기 발생된 전기장들이 벡터 합성됨에 의해 제 1 복사 소자(300)로부터 -45°편파가 발생된다. 즉, 제 1 복사 소자(300)는 이중 편파를 발생시킨다.
즉, 제 1 복사 소자(300)에서는 급전점들(330A 및 330B)로 입력된 전류가 모든 다이폴 소자들(304, 306, 308 및 310)로 인가될 수 있으며, 결과적으로 다이폴 소자들(304, 306, 308 및 310)로부터 발생된 전기장들이 벡터 합성됨에 의해 +45°편파 및 -45°편파가 발생된다. 즉, 제 1 복사 소자(300)는 벡터 합성 방식을 이용하여 방사 패턴을 발생시킨다.
제 2 복사 소자(302)는 복수의 다이폴 소자들(340, 342, 344 및 346) 및 급전부(348)를 포함한다.
급전부(348)는 복수의 급전점들(350A, 350B, 350C 및 350D) 및 연결 선로(352)를 포함한다.
제 1 급전점(350A)은 제 4 다이폴 소자(346)와 연결되며, 제 2 급전점(350B)은 제 3 다이폴 소자(344)와 연결된다.
제 3 급전점(350C)은 제 2 다이폴 소자(342)와 연결되며, 제 4 급전점(350D)은 제 1 다이폴 소자(340)와 연결된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 1 급전점(350A)으로 전류가 입력되고, 그런 후 상기 입력된 전류는 급전부(348)의 후면에 형성된 연결 선로(미도시)를 통하여 제 3 급전점(350C)으로 인가된다.
또한, 제 4 급전점(350D)으로 전류가 입력되고, 그런 후 상기 입력된 전류는 급전부(348)의 전면에 형성된 연결 선로(352)를 통하여 제 2 급전점(350B)으로 인가된다. 즉, 제 2 복사 소자(302)도 일방향으로 치우친 급전 방식을 사용한다.
제 1 다이폴 소자(340)는 제 4 급전점(350D)과 연결되며, 제 3 다이폴 소자(344)는 제 2 급전점(350B)과 연결된다. 이 경우, 제 4 급전점(350D)으로 입력된 전류 중 일부는 제 1 다이폴 소자(340)로 제공되고, 나머지 전류는 제 2 급전점(350B)을 통하여 제 3 다이폴 소자(344)로 인가된다. 따라서, 제 1 다이폴 소자(340)와 제 3 다이폴 소자(344)에서 각기 전기장이 발생하며, 그 결과 상기 발생된 전기장들에 의해 +45°편파가 발생된다. 다만, +45°편파 발생시 제 2 다이폴 소자(342) 및 제 4 다이폴 소자(346)는 어떠한 작용도 하지 않는다.
제 2 다이폴 소자(342)는 제 3 급전점(350C)과 연결되며, 제 4 다이폴 소 자(346)는 제 1 급전점(350A)과 연결된다. 이 경우, 제 1 급전점(350A)으로 입력된 전류 중 일부는 제 4 다이폴 소자(346)로 제공되고, 나머지 전류는 제 3 급전점(350C)을 통하여 제 2 다이폴 소자(342)로 인가된다. 따라서, 제 2 다이폴 소자(342)와 제 4 다이폴 소자(346)에서 각기 전기장이 발생하며, 그 결과 상기 발생된 전기장들에 의해 -45°편파가 발생된다. 다만, -45°편파 발생시 제 1 다이폴 소자(340) 및 제 3 다이폴 소자(344)는 어떠한 작용도 하지 않는다.
즉, 제 2 복사 소자(302)는 제 1 복사 소자(300)와 달리 벡터 합성 방식을 사용하지 않으면서 +45°편파 및 -45°편파를 발생시킨다.
요컨대, 복사 소자들(300 및 302)은 각기 다른 방식으로 편파들을 발생시키는 이종의 복사 소자들이며, 따라서 후술하는 바와 같이 서로 다른 빔 포인팅 라인을 가진다.
이하, 이러한 이종의 복사 소자들(300 및 302)을 이용하여 스퀸트를 개선하는 방법을 상술하겠다.
도 4는 도 3의 안테나에서 스퀸트를 개선시키는 방법을 도시한 도면이다. 다만, 도 4에서는 이중 편파 중 +45°편파만을 도시하였다.
도 4의 (A)를 참조하면, 제 1 복사 소자(300)는 Θ가 0°일 때 제 1 방사 패턴(400)을 출력한다. 여기서, 제 1 복사 소자(300)로부터 방사된 빔의 틸트(tilt)가 변화됨에 따라, 즉 Θ가 변화됨에 따라 상기 제 1 방사 패턴(400)의 중심은 빔 포인팅 라인(402)을 따라서 이동한다. 결과적으로, 제 1 복사 소자(300)에서 도 2에 도시된 바와 같은 각도의 스퀸트가 발생한다. 즉, 제 1 복사 소자(300)는 제 1 복사 소자(300) 자체 문제 또는 주변 소자들의 영향에 의해 음의 기울기를 가지는 빔 포인팅 라인(402)을 가진다.
제 2 복사 소자(302)는 Θ가 0°일 때 제 2 방사 패턴(404)을 출력한다. 여기서, Θ가 변화됨에 따라 상기 제 2 방사 패턴(404)의 중심은 빔 포인팅 라인(406)을 따라서 이동한다. 즉, 제 2 복사 소자(302)는 양의 기울기를 가지는 빔 포인팅 라인(406)을 가진다.
요컨대, 복사 소자들(300 및 302)은 이종의 복사 소자들로서, 서로 다른 기울기를 가지는 빔 포인팅 라인들(402 및 406)을 발생시킨다. 여기서, 본 실시예의 안테나로부터 출력되는 방사 패턴이 복사 소자들(300 및 302)로부터 출력된 방사 패턴들을 합성함에 의해 생성되므로, 상기 합성에 의해 생성된 방사 패턴의 이동 경로, 즉 빔 포인팅 라인(410)은 복사 소자들(300 및 302)의 빔 포인팅 라인들(402 및 406)을 합성함에 의해 생성된다. 따라서, 빔 포인팅 라인들(402 및 406)이 서로 반대되는 기울기를 가지므로, 빔 포인팅 라인(410)은 도 4의 (C)에 도시된 바와 같이 Θ축을 따라서 형성된다. 결과적으로, 빔 포인팅 라인과 Θ축 사이의 각인 스퀸트가 상기 안테나에서는 발생되지 않는다. 따라서, 사용자는 본 실시예의 안테나를 이용하여 원하는 방사 패턴을 출력시킬 수 있다.
위에서는, 빔 포인팅 라인들(402 및 406)이 Θ축에 대하여 대칭이었지만, 완벽한 대칭을 이루지 않을 수 있다. 따라서, 복사 소자들(300 및 302)의 빔 포인팅 라인들의 합성에 의해 생성되는 빔 포인팅 라인이 Θ축과 일치하여 형성되지 않을 수 있다. 이 경우, 상기 생성된 빔 포인팅 라인은 복사 소자들(300 및 302)의 빔 포인팅 라인들의 기울기보다는 작지만 기울기를 가지게 된다. 즉, 스퀸트가 발생된다. 그러나, 이러한 스퀸트가 발생하더라도 상기 스퀸트의 값이 사용자가 원하는 범위를 벗어나지는 않았으므로, 기설정된 방향으로 방사 패턴이 출력될 수 있다.
즉, 본 실시예의 안테나는 스퀸트가 전혀 발생하지 않거나 스퀸트가 발생하더라도 상기 스퀸트의 값은 원하는 범위 내의 값을 가지도록 설정된다.
이하 표 1 및 표 2의 실험예를 통하여 스퀸트 개선 방법을 살펴보겠다. 여기서, 표 1은 제 1 복사 소자(300)에서 빔의 틸트값의 변화에 따른 스퀸트 값을 표시하였고, 표 2는 제 2 복사 소자(302)에서 빔의 틸트값의 변화에 따른 스퀸트 값을 표시하였다.
주파수 1.88㎓ 1.99㎓ 2.17㎓
틸트값 +45°편파 -45°편파 +45°편파 -45°편파 +45°편파 -45°편파
-1.5 +1.0 -2.0 +1.5 -1.5 +1.0
-5° -1.0 +0.5 -1.5 +1.0 -1.5 +1.0
-10° -0.5 0.0 -1.0 +0.5 -1.0 +0.5
-15° +0.5 -0.5 -0.5 0.0 -0.5 0.0
주파수 1.88㎓ 1.99㎓ 2.17㎓
틸트값 +45°편파 -45°편파 +45°편파 -45°편파 +45°편파 -45°편파
-0.5 +0.5 0.0 0.0 +0.5 0.0
-5° -0.5 +0.5 -1.0 +1.0 -1.5 +1.5
-10° -1.0 +1.0 -2.0 +2.0 -3.0 +3.0
-15° -1.0 +1.0 -3.0 +3.0 -4.5 +4.0
위의 표 1 및 표 2에서 알 수 있듯이, 제 1 복사 소자(300)의 +45°편파에서 스퀸트 값은 빔의 틸트값이 음의 방향으로 증가함에 따라 양의 방향으로 진행하며, 즉 +45°편파의 빔 포인팅 라인은 음의 기울기를 가진다. 또한, 제 1 복사 소자(300)의 -45°편파에서 스퀸트 값은 빔의 틸트값이 음의 방향으로 증가함에 따라 음의 방향으로 진행하며, 즉 -45°편파의 빔 포인팅 라인은 양의 기울기를 가진다.
제 2 복사 소자(302)의 +45°편파에서 스퀸트 값은 틸트값이 음의 방향으로 증가함에 따라 음의 방향으로 진행하며, 즉 +45°편파의 빔 포인팅 라인은 양의 기울기를 가진다. 또한, 제 2 복사 소자(302)의 -45°편파에서 스퀸트 값은 틸트값이 음의 방향으로 증가함에 따라 양의 방향으로 진행하며, 즉 -45°편파의 빔 포인팅 라인은 음의 기울기를 가진다.
복사 소자들(300 및 302)에서 +45°편파들을 살펴보면, 제 1 복사 소자(300)의 +45°편파는 음의 기울기를 가지고 제 2 복사 소자(302)의 +45°편파는 양의 기울기를 가지므로, +45°편파들을 벡터 합성시킴에 의해 생성되는 방사 패턴의 빔 포인팅 라인은 Θ축과 평행하거나 +45°편파들보다 작은 값의 절대값 기울기를 가진다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 1.88㎓에서, 상기 생성된 방사 패턴은 틸트 0°에서 -1.0°의 스퀸트 값을 가지고, 틸트 -5°에서 -0.75°의 스퀸트 값을 가지며, 틸트 -10°에서 -0.75°의 스퀸트 값을 가지고, 틸트 -15°에서 -0.25°의 스퀸트 값을 가질 수 있다. 결과적으로, 상기 생성된 방사 패턴의 빔 포인팅 라인은 복사 소자들(300 및 302)의 +45°편파들보다 작은 값의 절대값 기울기를 가지며, 즉 스퀸트가 개선되었다. 다만, 상기 생성된 방사 패턴의 빔 포인팅 라인이 Θ축으로부터는 이격되어 있으므로, 상기 빔 포인팅 라인을 Θ축에 근접시킬 필요가 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 실시예의 안테나는 복사 소자들(300 및 302)로 제공되는 전류의 위상을 변화시켜서 상기 빔 포인팅 라인을 Θ축에 근접시키는 방법을 사용할 수 있다.
복사 소자들(300 및 302)에서 -45°편파들을 살펴보면, 제 1 복사 소자(300)의 -45°편파는 양의 기울기를 가지고 제 2 복사 소자(302)의 -45°편파는 음의 기울기를 가지므로, -45°편파들을 벡터 합성시킴에 의해 생성되는 방사 패턴의 빔 포인팅 라인은 Θ축과 평행하거나 -45°편파들보다 작은 값의 절대값 기울기를 가진다. 결과적으로, 제 1 복사 소자(300)의 -45°편파의 스퀸트가 제 2 복사 소자(302)의 -45°편파를 이용함에 의해 개선된다.
즉, 본 실시예의 안테나는 제 2 복사 소자(302)의 빔 포인팅 라인을 이용하여 제 1 복사 소자(300)의 빔 포인팅 라인을 보상한다. 특히, 상기 안테나는 +45°편파에 대한 빔 포인팅 라인뿐만 아니라 -45°편파에 대한 빔 포인팅 라인을 각기 보상한다. 결과적으로, 본 실시예의 안테나의 빔 포인팅 라인은 종래의 안테나에서의 빔 포인팅 라인보다 우수한 스퀸트 특성을 가질 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퀸트 개선 방법을 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예의 안테나는 3개의 복사 소자들을 하나의 세트로 구성하여 스퀸트를 개선시킨다. 상세하게는, 상기 안테나는 제 1 복사 소자의 빔 포인팅 라인(500), 제 2 복사 소자의 빔 포인팅 라인(502) 및 제 3 복사 소자의 빔 포인팅 라인(504)을 합성하여 도 5의 (D)에 도시된 바와 같은 빔 포인팅 라인(506)을 생성시켜서 스퀸트를 개선시킨다.
즉, 도 4 및 도 5를 통하여 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 안테나는 적어도 2개 이상의 복사 소자들을 사용하여 상기 안테나로부터 출력되는 방사 패턴의 스퀸트 특성을 향상시킨다. 다만, 상기 복사 소자들 중 적어도 하나는 다른 복사 소자들과 다른 종류의 복사 소자이어야 한다.
위에서는, 제 1 빔 포인팅 라인(500)을 보상하기 위하여 제 1 빔 포인팅 라인(500)의 기울기(양의 기울기)와 반대되는 기울기(음의 기울기)를 가지는 빔 포인팅 라인들(502 및 504)을 이용하였다. 그러나, 빔 포인팅 라인들(502 및 504) 중 하나는 제 1 빔 포인팅 라인(500)의 기울기(양의 기울기)와 동일하게 양의 기울기를 가질 수도 있다. 즉, 특정 빔 포인팅 라인을 보상하기 위한 빔 포인팅 라인들 중 적어도 하나는 상기 특정 빔 포인팅 라인과 반대되는 기울기를 가지지만 다른 빔 포인팅 라인은 스퀸트를 개선시키는 한 상기 특정 빔 포인팅 라인과 동일한 부호의 기울기를 가질 수도 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 안테나를 도시한 평면도이고, 도 7은 도 6의 안테나에서 스퀸트를 개선시키는 방법을 도시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 제 1 복사 소자(600)는 정방형 구조의 다이폴 소자들(604, 606, 608 및 610) 및 급전부(612)를 포함한다. 여기서, 제 1 다이폴 소자(604)와 제 3 다이폴 소자(608)는 정북 방향으로 형성되고, 제 2 다이폴 소자(606)와 제 4 다이폴 소자(610)는 정동 방향으로 형성된다.
제 2 복사 소자(602)는 정방형 구조의 다이폴 소자들(620, 622, 624 및 626) 및 급전부(628)를 포함한다. 여기서, 제 1 다이폴 소자(620)와 제 3 다이폴 소자(624)는 정북 방향으로 형성되고, 제 2 다이폴 소자(622)와 제 4 다이폴 소자(628)는 정동 방향으로 형성된다.
즉, 제 1 복사 소자(600)와 제 2 복사 소자(602)는 벡터 합성 방식을 이용하는 동일한 종류의 복사 소자이다. 일반적으로, 복사 소자들(600 및 602)이 동일한 종류의 복사 소자일 경우, 복사 소자들(600 및 602)의 빔 포인팅 라인들이 동일한 부호의 기울기를 가지므로 스퀸트가 개선되지 않는다. 그러나, 도 7에 도시된 바와 같이, 제 2 복사 소자(602)로 제공되는 전류가 제 1 복사 소자(600)로 제공되는 전류의 위상으로부터 180°반전된 위상을 가지는 경우, 제 2 복사 소자(602)의 빔 포인팅 라인(706)은 제 1 복사 소자(600)의 빔 포인팅 라인(702)을 평행이동시킴에 의해 생성된다. 여기서, 제 2 복사 소자(602)의 빔 포인팅 라인(706)에서 Θ가 0°일 때의 스퀸트 값은 제 1 복사 소자(600)의 빔 포인팅 라인(702)에서 Θ가 0°일 때의 스퀸트 값과 부호는 다르나 동일한 절대값을 가진다. 따라서, Θ가 0°일 때 스퀸트 값은 0이며, 즉 상기 안테나의 스퀸트가 개선된다. 그러나, 빔 포인팅 라인(708)이 빔 포인팅 라인들(702 및 706)의 중간치 특성을 가지므로, Θ가 0°외의 다른 값을 가질 때에는 도 7의 (C)에 도시된 바와 같이 스퀸트가 개선되지 않는다. 따라서, 상기 안테나로부터 방사되는 빔의 틸트가 0°일 때, 즉 Θ가 0°일 때의 방사 패턴만을 사용할 경우에는, 180°위상차를 가지는 복사 소자들을 이용하여 스퀸트를 개선시킬 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 배열 안테나를 도시한 평면도이다.
도 8을 참조하면, 본 실시예의 배열 안테나는 제 1 복사 소자(800), 제 2 복사 소자(802), 제 3 복사 소자(804), 제 4 복사 소자(806) 및 제 5 복사 소자(808)를 포함하며, 복사 소자들(800, 802, 804, 806 및 808)을 이용하여 원하는 방향으로 방사 패턴을 출력시킨다. 여기서, 복사 소자들(800, 802, 804, 806 및 808)은 도 8에 도시하지는 않았지만 반사판 위에 순차적으로 배열된다.
제 1 복사 소자(800)는 제 1 서브 방사 소자(800A) 및 제 2 서브 방사 소자(800B)를 포함한다. 여기서, 제 2 서브 방사 소자(800B)는 위의 실시예들에서 설명한 바와 같이 제 1 서브 방사 소자(800A)의 빔 포인팅 라인을 보상하며, 그 결과 제 1 복사 소자(800)의 스퀸트가 개선된다.
제 1 복사 소자(800)와 마찬가지로, 제 2 복사 소자(802), 제 3 복사 소자(804), 제 4 복사 소자(806) 및 제 5 복사 소자(808)는 각기 스퀸트가 개선된 복사 소자들이다.
즉, 본 실시예의 배열 안테나에 포함된 복사 소자들(800, 802, 804, 806 및 808) 중 적어도 하나의 복사 소자는 이종의 서브 복사 소자들을 이용하여 스퀸트를 개선시킨다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 모든 복사 소자들(800, 802, 804, 806 및 808)은 각기 이종의 서브 복사 소자들을 이용하여 스퀸트를 개선시킬 수 있다.
이러한 구조의 배열 안테나에서, 복사 소자들(800, 802, 804, 806 및 808)로 제공되는 전력들은 각기 다를 수도 있고, 일부 또는 전부가 동일할 수도 있다. 다만, 스퀸트의 개선을 고려할 때 하나의 복사 소자들에 포함된 서브 복사 소자들에는 동일한 전력이 제공되는 것이 성능면에서 유리하다.
위에서는, 하나의 복사 소자가 2개의 서브 복사 소자들을 포함하는 것으로 언급하였으나, 하나의 복사 소자는 3개 이상의 복사 소자들을 포함할 수도 있다. 즉, 스퀸트를 개선시키는 한 하나의 복사 소자는 적어도 2개의 서브 복사 소자들로 이루어진다.
상기한 본 발명의 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
도 1은 일반적인 안테나에 포함된 복사 소자를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 복사 소자에서 발생되는 스퀸트를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 스퀸트 개선 안테나를 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 안테나에서 스퀸트를 개선시키는 방법을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퀸트 개선 방법을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 안테나를 도시한 평면도이다.
도 7은 도 6의 안테나에서 스퀸트를 개선시키는 방법을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 배열 안테나를 도시한 평면도이다.

Claims (18)

  1. 각기 빔 포인팅 라인을 가지는 적어도 2개의 복사 소자들을 포함하되,
    상기 복사 소자들은,
    제 1 빔 포인팅 라인을 가지는 제 1 복사 소자; 및
    제 2 빔 포인팅 라인을 가지는 제 2 복사 소자를 포함하되,
    상기 복사 소자들 중 일부는 벡터 합성 방식을 통하여 해당 방사 패턴을 출력하고, 다른 복사 소자는 상기 벡터 합성 방식 외의 방식을 통하여 해당 방사 패턴을 출력하며, 상기 제 1 빔 포인팅 라인과 상기 제 2 빔 포인팅 라인 중 하나는 양의 기울기를 가지고, 다른 빔 포인팅 라인은 음의 기울기를 가지는 것을 특징으로 하는 스퀸트 개선 안테나.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 빔 포인팅 라인들의 기울기들은 동일한 절대값을 가지는 것을 특징으로 하는 스퀸트 개선 안테나.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 복사 소자는 +45°편파와 -45°편파를 출력하며, 상기 제 2 복사 소자는 +45°편파와 -45°편파를 출력하되,
    상기 제 2 복사 소자의 +45°편파는 상기 제 1 복사 소자의 +45°편파의 빔 포인팅 라인을 보상하며, 상기 제 2 복사 소자의 -45°편파는 상기 제 1 복사 소자 의 -45°편파의 빔 포인팅 라인을 보상하는 것을 특징으로 하는 스퀸트 개선 안테나.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 복사 소자에서 +45°편파의 스퀸트는 양의 방향으로 진행하고 -45°편파의 스퀸트는 음의 방향으로 진행하며,
    상기 제 2 복사 소자에서 +45°편파의 스퀸트는 음의 방향으로 진행하고 -45°편파의 스퀸트는 양의 방향으로 진행하는 것을 특징으로 하는 스퀸트 개선 안테나.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 복사 소자들 중 적어도 하나는 단편파를 발생시키는 것을 특징으로 하는 스퀸트 개선 안테나.
  7. 각기 빔 포인팅 라인을 가지는 적어도 2개의 복사 소자들을 포함하되,
    상기 복사 소자들 중 적어도 하나는 다른 복사 소자와 다른 방사 패턴 출력 방식을 사용하는 복사 소자이고, 하나의 복사 소자의 빔 포인팅 라인은 나머지 복사 소자들의 빔 포인팅 라인들의 합성에 의해 보상되는 것을 특징으로 하는 스퀸트 개선 안테나.
  8. 제 1 항 또는 제 7항에 있어서, 상기 복사 소자들로 제공되는 전력은 모두 동일한 것을 특징으로 하는 스퀸트 개선 안테나.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 복사 소자들은,
    벡터 합성 방식을 이용하여 제 1 방사 패턴을 발생시키는 제 1 복사 소자; 및
    벡터 합성 방식을 사용하지 않고 제 2 방사 패턴을 발생시키는 제 2 복사 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퀸트 개선 안테나.
  10. 제 1 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 벡터 합성 방식을 이용하는 복사 소자는,
    4개의 급전점들; 및
    4개의 다이폴 소자들을 포함하되, 상기 급전점들 중 하나로 입력된 전류는
    모든 다이폴 소자들로 제공되며,
    상기 벡터 합성 방식 외의 방식을 사용하는 복사 소자는,
    4개의 급전점들; 및
    4개의 다이폴 소자들을 포함하되, 상기 급전점들 중 하나로 입력된 전류는 2
    개의 다이폴 소자로만 입력되는 것을 특징으로 하는 스퀸트 개선 안테나.
  11. 각기 빔 포인팅 라인을 가지는 적어도 2개의 서브 복사 소자들을 가지는 제 1 복사 소자; 및
    각기 빔 포인팅 라인을 가지는 적어도 2개의 서브 복사 소자들을 가지는 제 2 복사 소자를 포함하되,
    상기 서브 복사 소자들은 순차적으로 배열되고, 상기 제 1 복사 소자의 서브 복사 소자들 중 하나는 벡터 합성 방식을 통하여 해당 방사 패턴을 출력하고 다른 서브 복사 소자는 상기 벡터 합성 방식 외의 방식을 통하여 해당 방사 패턴을 출력하며, 상기 제 1 복사 소자의 서브 복사 소자들 중 하나의 빔 포인팅 라인은 나머지 서브 복사 소자의 빔 포인팅 라인에 의해 보상되는 것을 특징으로 하는 스퀸트 개선 배열 안테나.
  12. 삭제
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 복사 소자의 서브 복사 소자들 중 하나의 빔 포인팅 라인은 양의 기울기를 가지며, 다른 서브 복사 소자의 빔 포인팅 라인은 음의 기울기를 가지는 것을 특징으로 하는 스퀸트 개선 배열 안테나.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 복사 소자의 서브 복사 소자들 중 하나의 빔 포인팅 라인은 나머지 서브 복사 소자들 빔 포인팅 라인들의 합성에 의해 보상되는 것을 특징으로 하는 스퀸트 개선 배열 안테나.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 복사 소자에 제공되는 전력과 상기 제 2 복사 소자로 공급되는 전력은 서로 다른 것을 특징으로 하는 스퀸트 개선 배열 안테나.
  16. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 복사 소자의 서브 복사 소자들로 동일한 크기의 전력이 공급되고, 상기 제 2 복사 소자의 서브 복사 소자들로 동일한 크기의 전력이 공급되는 것을 특징으로 하는 스퀸트 개선 배열 안테나.
  17. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 복사 소자 중 제 1 서브 복사 소자는 +45°편파와 -45°편파를 출력하며, 상기 제 1 복사 소자 중 제 2 서브 복사 소자는 +45°편파와 -45°편파를 출력하되,
    상기 제 2 서브 복사 소자의 +45°편파는 상기 제 1 서브 복사 소자의 +45°편파의 빔 포인팅 라인을 보상하며, 상기 제 2 서브 복사 소자의 -45°편파는 상기 제 1 서브 복사 소자의 -45°편파의 빔 포인팅 라인을 보상하는 것을 특징으로 하는 스퀸트 개선 배열 안테나.
  18. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 복사 소자는,
    벡터 합성 방식을 이용하여 제 1 방사 패턴을 발생시키는 제 1 서브 복사 소자; 및
    벡터 합성 방식을 사용하지 않고 제 2 방사 패턴을 발생시키는 제 2 서브 복사 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퀸트 개선 배열 안테나.
KR1020070100540A 2007-10-05 2007-10-05 스퀸트 개선 안테나 KR101007158B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070100540A KR101007158B1 (ko) 2007-10-05 2007-10-05 스퀸트 개선 안테나
PCT/KR2007/005137 WO2009044952A1 (en) 2007-10-05 2007-10-19 Antenna in which squint is improved
US12/681,531 US20100271276A1 (en) 2007-10-05 2007-10-19 Antenna in which squint is improved
CN200780100949.7A CN101816096B (zh) 2007-10-05 2007-10-19 偏斜被改善的天线

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070100540A KR101007158B1 (ko) 2007-10-05 2007-10-05 스퀸트 개선 안테나

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090035316A KR20090035316A (ko) 2009-04-09
KR101007158B1 true KR101007158B1 (ko) 2011-01-12

Family

ID=40526355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070100540A KR101007158B1 (ko) 2007-10-05 2007-10-05 스퀸트 개선 안테나

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20100271276A1 (ko)
KR (1) KR101007158B1 (ko)
CN (1) CN101816096B (ko)
WO (1) WO2009044952A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106576280B (zh) * 2014-01-31 2020-09-22 劲通开曼有限公司 具有波束宽度控制的天线***
WO2015142743A1 (en) 2014-03-17 2015-09-24 Quintel Technology Limited Compact antenna array using virtual rotation of radiating vectors

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07162227A (ja) * 1993-12-07 1995-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 偏波共用アンテナシステム
US20050001778A1 (en) 2003-07-03 2005-01-06 Kevin Le Wideband dual polarized base station antenna offering optimized horizontal beam radiation patterns and variable vertical beam tilt
KR20050069746A (ko) * 2003-12-31 2005-07-05 주식회사 케이엠더블유 평판 인쇄형 다이폴 방사소자가 어레이된 이중편파 안테나및 그의 제어시스템

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3587106A (en) * 1968-07-15 1971-06-22 Gen Dynamics Corp Broad band antennas having spiral windings
US4191959A (en) * 1978-07-17 1980-03-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Microstrip antenna with circular polarization
US4958166A (en) * 1988-08-22 1990-09-18 General Dynamics Corp., Pomona Division Amplitude monopulse slotted array
JPH0793532B2 (ja) * 1988-12-27 1995-10-09 原田工業株式会社 平板パッチアンテナ
DE19823750A1 (de) * 1998-05-27 1999-12-09 Kathrein Werke Kg Antennenarray mit mehreren vertikal übereinander angeordneten Primärstrahler-Modulen
DE19860121A1 (de) * 1998-12-23 2000-07-13 Kathrein Werke Kg Dualpolarisierter Dipolstrahler
US6608600B2 (en) * 2001-05-03 2003-08-19 Radiovector U.S.A., Llc Single piece element for a dual polarized antenna
CN1170336C (zh) * 2002-08-07 2004-10-06 西安海天天线科技股份有限公司 连续可调移相器
KR200307099Y1 (ko) * 2002-11-11 2003-04-10 카트라인-베르케 카게 이중편파 다이폴 배열안테나
CN1713450A (zh) * 2004-06-14 2005-12-28 冯益鹏 螺旋式圆柱型陶瓷圆极化天线
FR2873236A1 (fr) * 2004-07-13 2006-01-20 Thomson Licensing Sa Dispositif rayonnant omnidirectionnel large bande
KR100795485B1 (ko) * 2005-03-10 2008-01-16 주식회사 케이엠더블유 광대역 다이폴 안테나

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07162227A (ja) * 1993-12-07 1995-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 偏波共用アンテナシステム
US20050001778A1 (en) 2003-07-03 2005-01-06 Kevin Le Wideband dual polarized base station antenna offering optimized horizontal beam radiation patterns and variable vertical beam tilt
KR20050069746A (ko) * 2003-12-31 2005-07-05 주식회사 케이엠더블유 평판 인쇄형 다이폴 방사소자가 어레이된 이중편파 안테나및 그의 제어시스템

Also Published As

Publication number Publication date
CN101816096B (zh) 2015-04-15
KR20090035316A (ko) 2009-04-09
WO2009044952A1 (en) 2009-04-09
CN101816096A (zh) 2010-08-25
US20100271276A1 (en) 2010-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100853670B1 (ko) 단일 패턴을 갖는 이중편파 광대역 안테나
US20190089071A1 (en) Wireless communication module
Ren et al. A novel antenna with reconfigurable patterns using H-shaped structures
Jusoh et al. Pattern-reconfigurable microstrip patch antenna with multidirectional beam for WiMAX application
KR101017670B1 (ko) 초크 부재를 가지는 안테나
TWI389390B (zh) 陣列天線以及使用其之電子裝置
TWI423523B (zh) 多平面掃描洩漏波天線
US20170062924A1 (en) Planar beam steerable antenna
US9831551B2 (en) Reconfigurable antenna system
CN106486785A (zh) 用于无线网络的双频段多列天线阵列
US11139576B2 (en) Planar multipole antenna
KR101831432B1 (ko) 기지국 안테나
KR101880971B1 (ko) 빔형성 방법 및 장치
Lin et al. A novel beam-switching array antenna using series-fed slots with PIN diodes
JP2021506165A (ja) アンテナアレイ及び無線通信デバイス
KR100837408B1 (ko) 안테나 장치
KR101007158B1 (ko) 스퀸트 개선 안테나
WO2010095886A9 (ko) 유전체 부재를 사용하는 복사 소자 및 이를 포함하는 안테나
Pourahmadazar et al. A steerable Yagi-Uda array antenna using a substrate integrated waveguide Rotman lens
JP6536688B2 (ja) 給電回路及びアンテナ装置
Zandamela et al. Digital pattern synthesis with a compact MIMO antenna of half-wavelength diameter
JP3095072B2 (ja) 偏波切換アンテナ
US10886626B2 (en) Configurable phased antenna array
TWI819386B (zh) 天線單元及陣列天線
JP2004187195A (ja) アンテナ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee